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UNIVERSIDAD DE TARAPAC Escuela Universitaria de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Informe de Laboratorio Electrnica I

EXPERIENCIA N 2

TTULO EXPERIENCIA

Amplificacin con BJT

Apellidos, Nombre Alumnos 1.- Alejandro, Marcos 2.- Orozco, Patricio 3.- Terrazas, Paul

OBSERVACIONES

FECHA REALIZACION 01 / 07 / 2010 FECHA ENTREGA 12/ 07 / 2010 PROFESOR: Ramn Guirriman ASIGNATURA Electrnica I NOTA:

1.- Objetivos. El presente informe tiene como objetivo principal dar a conocer la experiencia N2 realizada el da Jueves 01 del presente mes en el laboratorio de electrnica, en donde se analiz el comportamiento del amplificador BJT frente a seales de corriente contina y alterna. 2.- Introduccin. El transistor de unin bipolar (BJT) es un dispositivo electrnico semiconductor de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, lo cual permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades, y son de gran utilidad ya que cumplen funciones como amplificador; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y generalmente se usan en la electrnica analgica. Un transistor de unin bipolar consta de tres regiones, la cuales serian: Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que este terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base: la de posicin intermedia y muy estrecha, la cual separa el emisor del colector. Colector: de extensin mucho mayor. La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada directamente, mientras que la base-colector es inversa. Los portadores de carga emitidos atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin los cuales son: estado de corte, estado de saturacin y por ultimo estado de actividad. En sta ocasin el transistor BJT BC548C fue utilizado como amplificador, y es por esto que ser analizado tericamente, previo anlisis experimental.

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3.- Instrumentos y componentes.

CANTIDAD 1 1 1

INSTRUMENTO Generador de funciones digital GW Instek Multimetro GW Instek Osciloscopio digital Tektronix

MODELO GFG-8016G GDM-8145 TDS1012B

SERIE(*)

COMPONENTES CANTIDAD COMPONENTE SERIE(*)

1 1 1 1 2 1 1 1 1 1

Transistor BC548 (BJT) Condensador Electroltico 10uF Condensador Electroltico 100uF Resistencia 150 Resistencia 3.3 K Resistencia 5.6 K Resistencia 10 K Resistencia 22 K Resistencia 33K Protoboard

4.- Anlisis previo. 4.1.- Circuito a analizar. Con la ayuda del programa Pspice se pretender analizar el comportamiento del circuito en corriente continua y corriente alterna.

FIGURA 4.1.1 CIRCUITO AMPLIFICADOR BJT

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4.1.1.- Anlisis en corriente continua. En el desarrollo del anlisis de corriente continua es necesario hacer un estudio separado del anlisis de corriente alterna. Para ello se anula la fuente de seal sinusoidal y se consideran los condensadores como capacitores de paso o capacitores de acoplamiento.

4.1.1.1.-Capacitores de paso: Los capacitores de paso se pueden utilizar para poner en corto circuito el resistor emisor, incrementando as la ganancia del amplificador. Para lograr esto, se selecciona un capacitor cuya impedancia en frecuencia de operacin sea mucho menor que la resistencia del emisor. Como la impedancia aumenta al disminuir la frecuencia, la impedancia del capacitor deber ser mucho menor que el valor de la resistencia equivalente a travs de la capacitancia en la frecuencia de operacin ms baja del amplificador.

4.1.1.2.-Capacitancia de acoplamiento: Los capacitores son circuitos abiertos en cd y cortocircuito para ca. Sin embargo, los capacitores tienen un papel importante en la determinacin de la porcin de frecuencia bajas en la curva de respuesta.

De este modo se obtiene la configuracin de la figura 4.1.1.1.

Figura 4.1.1.1 Circuito en corriente continua.

4.1.1.3.-Desarrollo en corriente continua.

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En la entrada se tiene:

En la salida se tiene:

4.1.1.4.- Determinacin del punto de operacin, en un transistor que vara

entre:

Para =110

Para =800

De lo anterior se puede apreciar que para distintos valores que toma , la corriente en colector y el voltaje colector-emisor tienen variaciones poco significativas y es por ello configuracin del circuito es independiente de .

4.1.1.5.-Recta de carga en continua y en alterna. Recta de carga del circuito DC:

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4.2.- Anlisis en corriente alterna. En ste segunda anlisis del circuito, los condensadores en frecuencias medias se comportan como circuito cerrado, por lo cual quedara de la siguiente forma el circuito:

Figura 4.2.1.1.- Circuito en corriente alterna.

4.2.1.1.-Recta de carga CA:

Debido a que el circuito est diseado para ser independiente de , y la corriente de base y el voltaje colector-base varia muy poco, el punto de operacin en ambas betas, deberan tener mismo un punto Q para recta de carga en alterna y continua.

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Se procede a graficar por medio del esquemtico, obteniendo de este modo el punto de operacin obtenida en el marco terico.

Las rectas de carga en el simulador definidas son: (12-V_Vce)/6.75K PSPICE* 0.85m-(V_Vce-6.2)/3.150k PSPICE*

4.2.1.2.-Grfico recta de carga de salida en corriente continua.


3.0 m Recta AC

2.5 m

2.0 m

1.5 m (6.0602,894.216u )

1.0 m

0.5 m Recta DC 0 0 V Ic(Q2 ) 1 2 V (12V V_Vce)/6.75K 3 4 0.85m-(V_VceV V 6.2)/3.150k 5 V 6 V 7 V V_Vc e 8 V 9 V 10 V 11 V 12 V 13 V 14 V

Fig.4.2.1.2.-Recta carga de salida en corriente continua y alterna.

Se puede apreciar la recta de carga en DC y AC, graficado en Pspice en la figura 4.2.1.2. En sta caso para la recta de carga en continua esta dada considerando: Cuando Ic=0 => Vce = Vcc = 12V Cuando Vce = 0 => I= Vcc / (Rc+Re) = 1.77 Ma 4.3.1.1.- Anlisis en corriente alterna, pequea seal:

Vin

vo

Figura 4.3.1.1.- Modelo en pequea seal.

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4.3.1.2.-La ganancia de voltaje est dada por: Av = Vo / Vin = - *Rc / hie+( +1)*Re Av1= -18,4 ; Av2= -18,6 4.3.1.3.-impedancia de entrada sera: Zin =Rth//hie+( +1)Re Zin1= 4,88k ; Zin2=6,37k 4.3.1.4.-La impedancia de salida quedara: Zo => Rc=3,3k 4.3.1.5.- Ganancia de corriente se tiene: Ai = Io/Ii = Av*Zin / Rl Ai1= -2,72 ; Av2= -3,59

5.-Simulacin de anlisis de frecuencia.

20V

15V

10V

5V

0V 100mHz 1.0Hz V(out)

10Hz

100Hz

1.0KHz

10KHz Frequency

100KHz

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

Figura 4.1.2.4 Simulacin de anlisis de frecuencia.

Por medio del simulador PSPICE, se mide la seal de salida en parmetros de voltaje de salida v/s frecuencia. Se aprecia que la ganancia de tensin es aproximadamente de 16.5 volts a 1.00KHz.

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5.1.1.1.-Simulacin de voltaje de entrada y salida.


80mV

40mV

0V

-40mV

-80mV 0s V(in)

1.0ms V(out)

2.0ms

3.0ms

4.0ms Time

5.0ms

6.0ms

7.0ms

8.0ms

Figura 5.1.1.1.- Simulacin de voltaje de entrada y salida.

La figura 5.1.1.1 representa la relacin de entrada y salida del voltaje del amplificador, es decir, la funcin de transferencia. Adems cabe mencionar que el color verde representa el voltaje de entrada y el color rojo el voltaje de salida.

4.0V

2.0V

0V

-2.0V

-4.0V

-6.0V 0s 1ms V(out) 2ms 3ms 4ms 5ms Time 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms

Figura 5.1.1.2.- Simulacin de seales de salida.

Se puede apreciar de la figura anterior que la seal de salida sufre distorsiones en la parte superior e inferior debido a que no puede exceder el Vcemx lmite aproximado a 2,25V. Adems de la simulacin se puede apreciar que el lmite superior es 2,25V y el inferior -5,1V. Si se sobrepasa estos lmites la seal de salida se entrecorta como se aprecia. Los voltajes utilizados (6) se fueron variando de 0,1V a 1V.

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Ahora, en las seales armnicas de igual manera se puede apreciar la distorsin que sufre las otras seales con respecto a la fundamental, como se muestra en la siguiente figura:

2.0V

1.0V

0V 0Hz

0.4KHz V(out)

0.8KHz

1.2KHz

1.6KHz

2.0KHz Frequency

2.4KHz

2.8KHz

3.2KHz

3.6KHz

4.0KHz

Figura 5.1.1.3 Simulacin de seales de salida armnica.

6.- Desarrollo de Experiencia. 6.1.1.1- Medicin en anlisis en corriente contina. Para obtener el valor de , se tuvo que medir los valores reales que estaban entregando los componentes, tales como las resistencias y voltajes en punto de colector y emisor, mediante el multimetro digital. RESISTENCIA Rg R1 R2 Rc Re Rl VALOR NOMINAL (k) VALOR REAL (k) 5,6 22 10 3,3 0,150 33 5,56 19,8 9,98 3,312 0,146 3,29

A continuacin se darn a conocer las mediciones y clculos previos para encontrar : VC = 3,026V y RC = 3.312k Entonces por ley de Ohm quedara: IC = VC / RC IC = 3,029V / 3.312k

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IC = 0.915mA VE = 3,134V y Req = Rc + Re, donde Rc = 3.312k y Re = 0,149k Req = 3.268k + 0.146k Req = 3.414k Entonces por ley de Ohm se tiene que: IE = VE / Req IE = 3.134V / 3,414k IE = 0,918mA Teniendo ya los valores de IC e IE, se puede calcular IB mediante la siguiente ecuacin: IB = IE IC Al reemplazar los valores se debe tener en cuenta que el resultado de correctamente, es decir, que la corriente del emisor debe ser mayor a la corriente del colector. Reemplazando en la ecuacin anterior se tiene que: IB = 0.918mA 0.915mA IB = 0.003mA

Pero la corriente en la base debe estar en micro amperes, entonces quedara: IB = 3uA Ahora, con todos los valores calculados anteriormente se puede encontrar el valor de , mediante la siguiente ecuacin: = IC / IB

Reemplazando quedara: = 0.915 / 0.003 = 305 Ahora calculando hie, mediante la ecuacin:

hie = VT* ( / IC), siendo ZVT=26mV Que es el voltaje de temperatura termal.

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hie = 26mV* (305/0.915mA) hie = 8,667k Con los valores obtenidos experimentalmente se puede ver una gran similitud con los valores obtenidos tericamente, es decir que hay pequeas variaciones debido a que en el laboratorio hay componentes que presentan variaciones como las resistencias, entre otros. De este modo el beta calculado est dentro del rango de aceptacin. 6.2.1.1.- Medicin en anlisis en corriente alterna. En esta ltima experiencia de laboratorio tiene por objetivo la obtencin de ganancia del voltaje que presenta el amplificador BJT BC548 a diferentes frecuencias de seal de entrada, lo cual permite analizar el ancho de banda que presentara. Para esta ocasin se utiliz un generador de funciones obtenindose los siguientes valores:

El generador de funciones otorg 150mV, que es la seal mnima que posee por lo cual se procedi a calcular las ganancias de voltaje.

Av = Vout / Vin

A una frecuencia de: 1.- 1.001kHz Av = 2.5V / 150mV Av = 16V 2.- 10.08kHz Av = 2.5V / 150mV Av = 16V

3.- 99.98kHz Av = 2.5V / 150mV Av = 16V

4.- 1001.12kHz Av = 500mV / 100mV Av = 5V

5.- 10Hz Av = 1.5V / 150mV Av = 10V

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Previa obtencin de las ganancias, se procedi a registrar en la siguiente tabla los valores obtenidos: F 1.001kHz 10.08kHz 99.98kHz 1001.12kHz 10Hz Av 16V 16V 16V 5V 10V Ai 21.136 21.136 21.136 6.605 13.21

6.3.1.1.-Seal de entrada y seal de salida obtenida con el osciloscopio digital sin distorsin previa en la seal de salida.

Fig.6.3.1.1.-Grfico obtenido en instrumento Tektronix. 6.4.1.1.-Seal de entrada y seal de salida.

Fig.6.4.1.1.-Grfico se seal real de distorsin de seal. Es este caso la seal de salida se puede observar gracias al osciloscopio digital que sufre una distorsin superior e inferiormente debido a que la seal de entrada supera los 500mV.que sera como tope mximo aproximado.

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6.- Conclusiones. 6.1.- Conclusin Patricio Orozco: Gracias al desarrollo de esta segunda sesin de laboratorio, la cual consta en el anlisis tanto prctico como terico del transistor BJT, que esta ocasin trato de su modo de amplificador, me permiti mejorar y complementar los conocimientos sobre las caractersticas y funcin que cumple ste tipo de transistor. Adems cabe mencionar que con los valores obtenidos de las mediciones, se obtuvieron los valores del punto de operacin en la funciona u opera el transistor BJT BC548. Posteriormente a los anlisis en corriente continua y alterna del transistor, se procedi a la obtencin del valor de , nmero que est considerado dentro del rango. Otro punto importante es que la seal de salida se ve afectada con respecto a la seal de salida cuando sta superaba su lmite mximo, lo cual produca una distorsin en su parte superior e inferior. 6.2.-Conclusin Marcos Alejandro: Bueno este laboratorio fue importante ya que pudimos aprender a usar de manera adecuada en lo prctico los transistores, adems de observar y analizar el comportamiento de estos en distintas situaciones, dentro de estas pudimos ver el comportamiento de los condensadores y el amplificador para seales en alterna y en continua. Lo aprendido en este laboratorio fue de mucha importancia, ya que en la prctica fue mucho ms fcil comprender como funciona este dispositivo, y esto nos va a ayudar en la especialidad a tener un uso adecuado de los transistores. 6.3.-Conclusin Paul Terrazas: Este laboratorio permiti comprender de forma experimental las caractersticas de un circuito amplificador estable. Por medio del anlisis de mediciones se comprob que los conceptos tericos se aproximan a los valores reales. Existen dos diferencias importantes en la obtencin de mediciones tericas y prcticas. La primera const de un anlisis separado en configuracin alterna y continua, mientras que en el marco real no es posible hacer este procedimiento, limitndonos a efectuar mediciones con el multmetro para encontrar los datos. El osciloscopio mostr que la seal de entrada era amplificada y se pudo comprobar que el

diseo cuenta con limitantes, generando caractersticas de corriente continua en los mximos de amplificacin. Se concluye finalmente que esta experiencia ha sido de gran apoyo para obtener una visin global del desarrollo de los circuitos electrnicos, su funcin, lmites y aplicacin.

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