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SOFIANE ABADA

ETUDE ET OPTIMISATION D'UN GENERATEUR PHOTOVOLTAQUE POUR LA RECHARGE D'UNE BATTERIE AVEC UN CONVERTISSEUR SEPIC

Mmoire prsent la Facult des tudes suprieures et postdoctorales de l'Universit Laval dans le cadre du programme de matrise en gnie lectrique pour l'obtention du grade de Matre es Sciences (M.Se.)

FACULTE DES SCIENCES ET DE GENIE UNIVERSITE LAVAL QUEBEC

2011

SOFIANE ABADA, 2011

11

Rsum
Ce mmoire prsente une tude d'un chargeur de batterie solaire avec un suiveur du point de puissance maximale (MPPT) qui a t introduit en vue d'obtenir un rendement nergtique maximal. L'interface entre le panneau solaire et la batterie a t ralise en utilisant un convertisseur DC-DC SEPIC command par un microcontrleur PIC 18F1220 . Grce la mthode Perturb & Observ (P&O) l'algorithme MPPT mesure priodiquement la tension et le courant du panneau solaire pour calculer la puissance dlivre par ce dernier. Suivant le rsultat obtenu, l'algorithme ajustera le rapport cyclique du convertisseur pour amener le systme vers le point de fonctionnement puissance maximale.

Mots cls :
- MPPT - photovoltaque - SEPIC

Abstract
This thesis presents a study on a solar battery charger with a tracker of the maximum power point tracking (MPPT) which was implemented in order to optimize the energy efficiency. The interface between the solar panel and the battery was carried out using a SEPIC DC-DC Converter controlled by a "PIC18F1220"the microcontroller. With the method Perturb & Observ (P&O), the MPPT algorithm senses the solar panel voltage and current to calculate the power. Using the obtained result, the MPPT algorithm adjusts the converter duty cycle to bring the system to maximum power operating point.

Keywords:
- MPPT - Photovoltaic - SEPIC

Ill

AVANT PROPOS
Ce travail de matrise a t ralis au laboratoire d'lectrotechnique. d'lectronique de Puissance et de Commande Industrielle (LEEPCI) du dpartement de gnie lectrique et de gnie informatique de l'universit Laval. Je tiens remercier les personnes suivantes : Un grand Merci M. Hoang Le Huy, professeur au dpartement de gnie lectrique et de gnie informatique de l'universit Laval, pour m'avoir honor de sa confiance en me proposant ce sujet et en acceptant la direction de ce mmoire. Je le remercie encore plus personnellement pour son soutien scientifique, sa disponibilit et ses conseils tout au long de ce travail. Je remercie galement l'universit et toute l'quipe technique du dpartement de gnie lectrique et de gnie informatique pour leur soutien technique et logistique. Toute ma reconnaissance et mes remerciements ma mre FADIA pour son soutien moral. Sofiane Abada

IV

TABLE DES MATIERES :


Rsum Avant-Propos Table des matires Liste des tableaux Liste des figures INTRODUCTION GNRALE 1 CHAPITRE I TECHNOLOGIE PHOTOVOLTAQUE 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 1.10 1.11 Introduction nergie solaire La conversion photovoltaque Le silicium et ses proprits La cellule photovoltaque 1.5.1 Technologie de cellules photovoltaques 1.5.2 Montage des cellules photovoltaques Les modules Caractristique des panneaux photovoltaques Modles d'un gnrateur photovoltaque (GPV) Courant d'un gnrateur photovoltaque Impact de la temprature et de l'irradiation solaire sur la courbe I-V Impact de l'ombre sur la courbe I-V 3 3 8 10 12 13 16 20 22 24 25 31 32 ii iii iv vi vii 1

2 CHAPITRE II Convertisseur DC-DC 2.1 2.2 2.3 2.4 Introduction Convertisseur DC-DC pour systmes d'nergie solaire Le convertisseur SEPIC Conclusion 37 37 40 48

3 CHAPITRE III Recherche du point de puissance maximale (MPPT) d'un GPV 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 Introduction Point de puissance maximale (MPP) Principe de la recherche du point de puissance maximale (MPPT) Techniques de commande MPPT Principe de la commande P&O extrmale Gestion de la MPPT 49 49 52 53 55 58

3.7 Conclusion 4 CHAPITRE IV Essais et mesures des caractristiques du panneau solaire 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 Introduction Mesure des caractristiques du panneau solaire Mthode de dfinition des caractristiques de I-V de sortie Trac des caractristiques I (V) et P (V) Rsum des rsultats Conclusion

59

61 62 62 64 67 68

5 CHAPITRE V Etude par simulation du systme pv 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 Introduction Simulation du GPV Simulation des caractristiques du GPV Simulation de la recharge directe de la batterie Simulation dy systme PV complet (GPV+SEPIC+MPPT+batterie) Influence de la temprature Conclusion 69 69 74 77 80 87 91

6 CHAPITRE VI Montage d'un systme PV complet et implantation de la commande MPPT 6.1 Le processeur 6.2 Implantaion du systme de commande dans le pic 6.3 Montage du systme photovoltaque complet 6.3.1 Partie commande 6.3.2 Partie alimentation 6.3.3 Partie puissance 6.4 Rsultats exprimentaux du montage 6.5 Discussion 6.6 Conclusion Conclusion gnrale Bibliographie Annexe 1 Annexe 2 Annexe 3 93 97 101 101 104 104 108 108 113 114 117 119 123 127

VI

LISTE DES TABLEAUX


Tableau 1.1 : Classification de diffrent types de cellules photovoltaques au silicium Tableau 4.1 : Relevs des mesures effectues avec le panneau solaire pour G=700W/m2 Tableau 4.2 : Relevs des mesures effectues avec le panneau solaire pour G=547W/m2 Tableau 4.3 : Relevs des mesures effectues avec le panneau solaire pour G=430W/m2 Tableau 4.4 : Rsultats de mesures des caractristiques du panneau solaire Tableau 5.1 : Comparaison des rsultats de simulation du GPV+Batterie Tableau 5.2 : Comparaison des rsultats de simulation du systme 15 64 64 65 67 79 89

Tableau 5.3 : Rsultats de simulation des performances de l'installation par rapport au changement de temprature 90

Vil

LISTE DES FIGURES


Figure .1 : Spectre d'irradiance solaire Figure .2 : Inclinaison du panneau par rapport aux rayons du soleil Figure .3 : Parcours des lectrons dans le photovoltaque Figure .4 : Schma de principe de la conversion photolectrique Figure .5 : Proprits optiques du silicium photolectrique Figure .6 : Proprits lectriques du silicium photolectrique Figure .7 : Caractristique d'une cellule photovoltaque Figure .8 : Caractristique d'une cellule Figure .9 : Diffrentes techniques de cellules photovoltaques Figure .10 : Caractristiques de cellules photovoltaques en srie Figure .11 : Caractristiques de cellules photovoltaques en parallle Figure .12 : Emplacement des diodes Bypass Figure .13 : Branchement des modules en sries Figure .14 : Branchement des modules en parallles Figure .15 : Test de tension en circuit ouvert Figure .16 : Test de courant en court circuit Figure .17: Modle quivalent d'un GPV Figure .18: Modle simple d'un PV Figure .19 : Modle simple d'un PV avec une rsistance en parallle Figure .20 : Impact de la rsistance parallle Figure .21 : Modle simple d'un PV avec une rsistance en srie Figure .22 : Impact de la rsistance sries Rs Figure .23 : Modle simple d'un PV avec une rsistance en srie et parallle Figure .24 : Impact des rsistances parallle et srie (Rp et Rs) Figure .25 : Courbes courant -tension sous diffrentes tempratures et niveaux d'irradiation Figure .26 : Module photovoltaque avec une cellule touche par l'ombre Figure .27 : Effet de l'ombrage d'une seule cellule sur le module Figure .28 : Cellule solaire avant et aprs l'effet de l'ombre avec une diode bypass Figure .29 : Courbe expliquant l'impact de la diode by-pass sur le GPV Figure 2 .1 : Convertisseur continu- continu Figure 2 .2 : Principales configurations de convertisseurs DC-DC Figure 2 .3 : Schma du convertisseur SEPIC Figure 2 .4 : Formes d'ondes de tensions d'un convertisseur SEPIC Figure 2 .5 : Formes d'ondes de courants d'un convertisseur SEPIC Figure 2 .6 : SEPIC pendant la phase de conduction Figure 2 .7 : SEPIC pendant la phase de rcupration Figure 2 .8 : Ondulation de la tension de sortie Figure 3 .1 : Courbes de I-V et de puissance de sortie pour un module photovoltaque Figure 3 .2 : Le point de puissance maximale (MPP) par la mthode des rectangles Figure 3 .3: Chane lmentaire de conversion photovoltaque Figure 3 .4 : Schma du principe de la mthode P&O Figure 3 .5 : Algorithme de la mthode Perturb & Observ 4 7 9 10 11 12 12 12 13 16 18 18 20 21 22 23 25 26 27 27 28 28 29 30 32 33 34 35 35 37 39 40 41 41 42 43 45 51 51 52 53 54

vm Figure 3.6 : Principe de la mthode P&O Extrmale 55 Figure 3.7 : Algorithme de la mthode P &0 Extrmale 57 Figure 3.8 : Recherche et recouvrement du Point de Puissance Maximale [14] 57 Figure 4.1 : Schma des mesures du panneau photovoltaque 63 Figure 4.2 : Courbes des caractristiques du module photovoltaque pour G=700W7m2 64 2 Figure 4.3 : Courbes des caractristiques du module photovoltaque pour G=547W7m 65 Figure 4.4 : Courbes des caractristiques du module photovoltaque pour G=430W/m2 66 Figure 4.5 : Superposition des courbes pour les diffrents rayonnements 68 Figure 5.1 : Modlisation du GPV sous Matlab-Simulink 69 Figure 5.2 : Vue de l'ensemble du modle du GPV 73 Figure 5.3 : Simulation du GPV ( la valeur de la MPP) 74 Figure 5.4 : Simulation de la caractristique V-I du GPV (T=25, G=1000W/m2) 75 Figure 5.5 : Simulation de la caractristique P-I du GPV(T=25, G=1000W/m2) 77 Figure 5.6 : Programme Matlab Simulink (GPV connecte directement la batterie) 77 Figure 5.7 : Ipv,Vpv,Ppv pour connexion directe( gauche G=1000W7m2, droite G=700W/m2).. 78 Figure 5.8 : Ipv,Vpv,Ppv pour connexion directe ( gauche G=547W/m2, droite G=430W/m2) ... 78 Figure 5.9 : Diagramme Simulink Systme PV complet (GPV+SEPIC+MPPT+BATTERIE) 80 Figure 5.10 : Dtail de la commande MPPT 80 Figure 5.11 : Formes d'ondes : Ipv,Vpv,Ppv,Mosfet 81 Figure 5.12 : Formes d'ondes : (Vconv ,Iconv, Mosfet) pour : G=1000W/m2 82 Figure 5.13 : Formes d'ondes (Vconv ,Iconv, Mosfet) pour : G=700W/m2 83 2 Figure 5.14 : Formes d'ondes (Vconv ,Iconv, Mosfet) pour : G=547W/m 84 Figure 5.15 : Formes d'ondes (Vconv ,Iconv, Mosfet) pour : G=430W/m2 85 Figure 5.16 : Formes d'ondes (lout) pour les diffrents clairements solaires 86 Figure 5.17 : Formes d'ondes: (Vpv ,Ipv, Mosfet) pour : G=1000W/m2 et T=30 87 Figure 5.18 : Formes d'ondes: (Vpv ,Ipv, Mosfet) pour : G=1000W/m2 et T=10 88 Figure 6.1 : Diagramme fonctionnel du systme PV tudi 93 Figure 6.2 : Vue des entres du microcontrleur PIC 18fl220 94 Figure 6.3 : Structure interne du PIC18F1220 95 Figure 6.4 : Le du programmateur ICD2 96 Figure 6.5 : Diagramme fonctionnel de l'algorithme MPPT implant sur le PIC 97 Figure 6.6 : Vue de la programmation du PIC 97 Figure 6.8 : Schma du modulateur MLI utilisant le LM311 102 Figure 6.9 : Circuit externe du PIC18F1220 103 Figure 6.10 : Vue d'ensemble de la partie commande dvelopp avec le programme ORCAD 103 Figure 6.11 : Structure du bloc d'alimentation 5V 104 Figure 6.12 : Vue d'ensemble du capteur de courant MAX4172 106 Figure 6.13 : Vue d'ensemble du driver TC4420 106 Figure 6.14 : Vue d'ensemble de la partie puissance 107 Figure 6.15 : Capture de l'oscilloscope du TS555 108 Figure 6.16 : Capture de l'oscilloscope pour la sortie de la pin 7 LM311 108 Figure 6.17 : Relevs exprimentaux de la recharge de la batterie 1 109 Figure 6.18 : Relevs exprimentaux de la recharge de la batterie 2 110 Figure 6.19 : Raction de la commande pendant les fluctuations de l'ensoleillement 111

INTRODUCTION GENERALE
La production de l'nergie est un grand dfi pour les annes venir. En effet, les besoins nergtiques des socits industrialises ne cessent d'augmenter. Par ailleurs, les pays en voie de dveloppement auront besoin de plus en plus d'nergie pour mener bien leur dveloppement. La consommation de ces sources donne lieu des missions de gaz effet de serre et donc une augmentation de la pollution, l'puisement rapide et l'instabilit des prix des fossiles l'chelle mondiale ont ncessit une recherche urgente pour de nouvelles sources d'nergie pour rpondre aux exigences actuelles. Pour subvenir aux besoins en nergie de la socit actuelle, il est ncessaire de trouver des solutions adaptes et de les diversifier. Actuellement, il y a principalement deux faons possibles d'agir. La premire est de diminuer la consommation des rcepteurs d'nergie et augmenter la productivit des centrales nergtiques en amliorant leur efficacit. Une deuxime mthode consiste dvelopper de nouvelles sources d'nergie. Des recherches sont en cours dans le domaine de la fusion nuclaire qui, ventuellement, pourrait tre une solution nergtique du futur, mais l'avenir de cette filire et encore moins son avnement ne sont pas assurs. Dans l'immdiat, nous disposons de ressources en nergie renouvelable inpuisables que nous sommes en mesure d'exploiter de plus en plus facilement et proprement. Les techniques d'extraction de la puissance de ces ressources demandent des recherches et des dveloppements plus approfondis visant fiabiliser, abaisser les cots (de fabrication, d'usage et de recyclage) et augmenter l'efficacit nergtique. Depuis plusieurs dcennies, de nouvelles nergies apparaissent telles que l'nergie olienne ou l'nergie photovoltaque. Cette dernire, dcouverte en 1839 par le physicien franais Antoine Becquerel, possde un grand potentiel car elle est non polluante et non bruyante. "Photovoltaque" vient du grec 'photos' qui signifie lumire et de 'Volta', eminent savant connu pour avoir dcouvert l'nergie animale et invent la pile. Le principe de l'nergie photovoltaque consiste en la transformation directe de la lumire mise par le soleil en nergie lectrique. En plus d'tre inpuisable, l'nergie solaire est extraordinairement abondante, puisque l'irradiation que le Soleil fait parvenir sur la Terre chaque anne reprsente plus de 10 000 fois la consommation mondiale actuelle d'nergie primaire, toutes formes et tous usages confondus. Par rapport d'autres sources d'nergie, l'nergie solaire est une bonne option car elle est disponible pendant les priodes de pointe nergtique, la diffrence du vent qui produit souvent plus d'nergie la nuit que le jour. La nuit, la demande d'nergie est deux fois moins importante que le jour. Dans le pass, le cot de l'nergie solaire tait d'environ trois fois le cot de l'lectricit issue de sources conventionnelles, ce qui a nui son dveloppement. La hausse des cots de l'lectricit et le problme du rchauffement climatique ont fait que toutes les autres sources d'nergie sont en train d'tre examines de plus prs.

Depuis quelques dcennies, les panneaux solaires photovoltaques ont un grand succs chez les particuliers et ils peuvent facilement tre installs. Des programmes de recherche et dveloppement en nergie solaire sont crs dans l'industrie, les universits et les laboratoires. Dans une industrie solaire en plein essor, les progrs de la technologie ne peuvent tre que l'accroissement de l'efficacit qui rduira le cot de l'nergie solaire et permettra sa plus grande expansion. Les objectifs qui doivent tre remplis dans ce projet sont: -tudier le fonctionnement de la cellule photovoltaque et le convertisseur DC-DC dans la production et la conversion de l'nergie lectrique. -Analyser et concevoir un systme d'nergie solaire photovoltaque autonome -tudier exprimentalement ce systme gnrateur photovoltaque et valider la simulation l'aide des mesures exprimentales. La structure du mmoire est comme suit: Le premier chapitre se concentre sur le bilan des diffrentes filires technologiques photovoltaques. Nous prcisons galement dans ce chapitre les diffrentes caractristiques des panneaux solaires qui nous donnerons une vision sur la suite de l'tude. Dans le deuxime chapitre nous abordons les architectures du convertisseur DC-DC utilises pour la conversion de l'nergie solaire. Pour cela, on va se concentrer sur le convertisseur SEPIC qui semble le mieux adapt pour l'application. Le troisime chapitre tudiera les diffrentes architectures de gestion photovoltaque possibles visant optimiser la production nergtique. On tudie aussi les mthodes de recharge du point de fonctionnement puissance maximale (MPPT). Le quatrime chapitre est consacr des mesures exprimentales des caractristiques du panneau solaire afin de dterminer son point de fonctionnement optimal. Le cinquime chapitre prsente l'tude par simulation des caractristiques et de la performance d'un systme gnrateur photovoltaque autonome utilisant un modle Simpower Systems /Simulink. Le sixime chapitre est consacr l'tude exprimentale de la performance du systme gnrateur photovoltaque dans diffrentes configurations.

CHAPITRE I TECHNOLOGIE PHOTOVOLTAQUE


1.1 Introduction
Les modules ou panneaux photovoltaques sont composs de semi-conducteurs qui permettent de transformer directement la lumire du soleil en lectricit. Ces modules s'avrent une source d'nergie lectrique qui est sre, fiable, sans entretien et non polluante. La majorit des modules solaires sur le march aujourd'hui sont pourvus de garanties de plus de 20 ans, et ils fonctionneront bien au-del de cette priode. Des millions de systmes ont t installs dans le monde entier, de puissances diffrentes allant d'une fraction d'un watt plusieurs mgawatts. Pour de nombreuses applications, les systmes solaires lectriques sont non seulement rentables, mais ils peuvent aussi reprsenter l'option la moins coteuse. Dans ce chapitre on commencera par rappeler brivement le principe de la conversion de l'nergie solaire en nergie lectrique reposant sur l'effet photolectrique des semi-conducteurs.

1.2 Energie solaire


La distance de la terre au soleil est environ 150 million de kilomtres et la vitesse de la lumire est d'un peu plus de 300000 km/h, les rayons du soleil mettent donc environ 8 minutes nous parvenir. La constante solaire est la densit d'nergie solaire qui atteint la frontire externe de l'atmosphre faisant face au soleil. Sa valeur est communment prise gale 1360W/m2. Au niveau du sol, la densit d'nergie solaire est rduit 1000 W/ m2 cause de l'absorption dans l'atmosphre. Albert Einstein a dcouvert en travaillant sur l'effet photolectrique que la lumire n'avait pas qu'un caractre ondulatoire, mais que son nergie est porte par des particules, les photons. L'nergie d'un photon tant donne par la relation : E = hc/)i Ainsi, plus la longueur d'onde est courte, plus l'nergie du photon est grande. [6] (1.1)

Une faon commode d'exprimer cette nergie est : E = 1.26/3i (1.2)

Le rayonnement du soleil parvenant la surface de la terre se compose de l'infrarouge qui procure de la chaleur, le visible qui est ncessaire a la croissance des plantes et des animaux, l'ultraviolet qui brunit la peau et tue les bactries. Le spectre du soleil s'tend de 200 nm 3000 nm tel que montr la figure 11. Les photopiles se diffrencient par leur sensibilit spectrale, ou capacit convertir certaines longueurs d'onde. [7]

5
UV

E
C

Visible

Infrarouge > Irradiance au sommet de l'atmosphre

E
0)'

o c

CO

1
/ i

Irradiance d'un corp noir (5250 C)

WJk \ \M2
^k B N. ^fc^C/

Irradiance au niveau de la mer /


/ / " ^ / Bandes d'absorption de l'atmosphre HjO
c o

0.5

'oj
250 500 750

i<*! ^ * 0 m ^ m m a ^ z z 1000 1250 1500 1750 2000 2250 2500

Longueur d'onde (nm)

Figure 1.1 : Spectre d'irradiance solaire.

La valeur retenue pour la constante solaire est : Io = 1360 W/m2 Cette valeur est variable pendant l'anne puisque la distance terre-soleil est elle-mme variable (rsultat de la trajectoire elliptique). La correction terre soleil est donne par:

C, = 1 + 0.034 cos ( 0 - 2 ) v 365

(1.3)

ou j : Angle entre le soleil et le plan horizontal du lieu. La constante solaire corrige est:

i = h*c,_ s
1.2.1 Inclinaison de la terre L'angle que fait la direction du soleil avec sa projection sur le plan equatorial est donn par : d = arcsin 0.389sin ^360^ "360^ x(7vT-82) + 2sin x(N-2) V365y V 365y

(1.4)

(1.5)

o N est le nombre de jours de l'anne partir du premier janvier. 1.2.2 Inclinaison du module par rapport au soleil Les panneaux solaires doivent tre placs perpendiculairement au soleil pour obtenir un rsultat optimal. Pour rcuprer un maximum de rayonnement solaire, on doit ajuster l'inclinaison du panneau solaire. L'orientation indique vers quel point cardinal un panneau est expos : face au sud, au nord, l'est, ou l'ouest. L'inclinaison est l'angle que fait le panneau avec le plan horizontal. la fois l'orientation et

L'ajustement sur le plan horizontal (azimut) s'obtient en pointant les panneaux solaires : vers le sud lorsqu'on est dans l'hmisphre nord, vers le nord lorsqu'on est dans l'hmisphre sud. L'ajustement sur le plan vertical ncessite de connatre la trajectoire du soleil, en fonction de la saison et du lieu gographique . Aux equinoxes du 21 mars et du 21 septembre, le soleil est perpendiculaire l'Equateur. Au solstice du 21 juin, il est perpendiculaire au tropique du Cancer (hmisphre nord). Au solstice du 21 dcembre, il est perpendiculaire au tropique du Capricorne (hmisphre sud). Le soleil se lve l'Est et se couche l'ouest et le Qubec se situe dans l'hmisphre nord une latitude de 46 environ. Le soleil au znith est donc vers le sud. Globalement, les rayons du soleil viennent donc plus du sud que des autres directions, d'autant plus qu' midi, lorsque le soleil est au znith et donc plein sud, le rayonnement est le plus intense. En rsum : pour un bon rendement, la meilleure orientation pour un panneau solaire au Qubec est donc vers le Sud avec une inclinaison fixe de 45 . Si le panneau est inclin d'un angle de moins de 45, la production d'nergie sera importante en t mais faible en hiver. Inversement, si le panneau est inclin d'un angle de plus de 45, la production d'nergie sera importante en hiver mais faible en t (Figure 1.2).

hiver

panneau solaire

rayon

A
o

panneau solaire

rayon

printemps et [automne]

Figure 1.2 : Inclinaison du panneau par rapport aux rayons du soleil.

1.3 La conversion photovoltaque


1.3.1 Principe de la conversion photolectrique Un semi-conducteur est un matriau qui a les caractristiques lectriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilit qu'un lectron puisse contribuer un courant lectrique, quoique faible, est suffisamment importante. En d'autres termes, la conductivit lectrique d'un semi-conducteur est intermdiaire entre celle des mtaux et celle des isolants. Le comportement des semi-conducteurs, comme celui des mtaux et des isolants est dcrit via la thorie des bandes. Ce modle stipule qu'un lectron dans un solide ne peut prendre des valeurs d'nergie comprises dans certains intervalles que l'on nomme bandes , plus spcifiquement bandes permises, lesquelles sont spares par d'autres bandes appeles bandes d'nergie interdites ou bandes interdites. Lorsque la temprature du solide tend vers le zro absolu, deux bandes d'nergie permises jouent un rle particulier: - la dernire bande compltement remplie, appele bande de valence - la bande d'nergie permise suivante appele bande de conduction La bande de valence est riche en lectrons mais ne participe pas aux phnomnes de conduction (pour les lectrons). La bande de conduction, quant elle, est soit vide (comme aux tempratures proches du zro absolu dans un semi-conducteur) soit semi-remplie (comme dans le cas des mtaux) d'lectrons. Cependant c'est elle qui permet aux lectrons de circuler dans le solide. Dans un semi-conducteur, comme dans un isolant, ces deux bandes sont spares par une bande interdite, appele couramment par son quivalent anglais plus court gap . L'unique diffrence entre un semi-conducteur et un isolant est la largeur de cette bande interdite, largeur qui donne chacun ses proprits respectives. Dans un semi-conducteur expos la lumire, un photon d'nergie suffisante arrache un lectron, crant au passage un trou . Normalement, l'lectron trouve rapidement un trou pour se replacer, et l'nergie apporte par le photon est ainsi dissipe. Le principe d'une cellule photovoltaque est de

forcer les lectrons et les trous se diriger chacun vers une face oppose du matriau au lieu de se recombiner simplement en son sein : ainsi, il apparatra une diffrence de potentiel et donc une tension entre les deux faces, comme dans une pile (Figure 1-3).

Photon

contact lectrique ut f^_m. n-type

Electron

Charge p-type

Figure 1.3 : Parcours des lectrons dans le photovoltaque.

Pour cela, on s'arrange pour crer un champ lectrique permanent au moyen d'une jonction PN, entre deux couches dopes respectivement P et N : - La couche suprieure de la cellule est compose de silicium dop N. Dans cette couche, il existe une quantit d'lectrons libres suprieure une couche de silicium pur, d'o l'appellation de dopage N, comme ngatif (charge de l'lectron). Le matriau reste lectriquement neutre : c'est le rseau cristallin qui supporte globalement une charge positive. - La couche infrieure de la cellule est compose de silicium dop P. Cette couche possdera donc en moyenne une quantit d'lectrons libres infrieure une couche de silicium pur, les lectrons sont lis au rseau cristallin qui, en consquence, est charg positivement. La conduction lectrique est assure par des trous, positifs (P). Au moment de la cration de la jonction P-N, les lectrons libres de la rgion N rentrent dans la couche P et vont se recombiner avec les trous de la rgion P. Il existera ainsi, pendant toute la vie de la jonction, une charge positive de la rgion N au bord de la jonction (parce que les lectrons en sont partis) et une charge ngative dans la rgion P au bord de la jonction (parce que les trous en ont disparu) ; l'ensemble forme la Zone de Charge d'Espace (ZCE) et il existe un champ lectrique entre

10 les deux, de N vers P. Ce champ lectrique fait de la ZCE une diode, qui ne permet le passage du courant que dans un sens : les lectrons peuvent passer de la rgion P vers la rgion N, mais pas en sens inverse ; inversement les trous ne passent que de N vers P. En fonctionnement, quand un photon arrache un lectron la matrice, crant un lectron libre et un trou, sous l'effet de ce champ lectrique ils partent chacun l'oppos : les lectrons s'accumulent dans la rgion N (qui devient le ple ngatif), tandis que les trous s'accumulent dans la couche dope P (qui devient le ple positif). Ce phnomne est plus efficace dans la ZCE, o il n'y a pratiquement plus de porteurs de charges (lectrons ou trous) puisqu'ils se sont annihils, ou proximit immdiate de la ZCE : lorsqu'un photon y cre une paire lectron-trou, ils se sparent et ont peu de chance de rencontrer leur oppos, alors que si la cration a lieu plus loin de la jonction, l'lectron (resp. le trou) nouveau conserve une grande chance de se recombiner avant d'atteindre la zone N (resp. la zone P). Mais la ZCE est forcment trs mince, aussi n'est-il pas utile de donner une grande paisseur la cellule. En somme, une cellule photovoltaque est l'quivalent d'un gnrateur de courant auquel on a adjoint une diode (Figure 1 -4). Pour que la cellule fonctionne, et produise le maximum de courant, on ajuste le gap du semiconducteur au niveau d'nergie des photons. On peut ventuellement empiler les jonctions, de faon exploiter au mieux le spectre d'nergie des photons, ce qui donne les cellules multi-jonctions. [21]

Photon

,>.

Charge ngative

Photon

- +

n-ype Holes

0 p-type

Electrons

]f |

f*
t

TT

Region

Depletion

Charge positive

Figure 1.4 : Schma de principe de la conversion photolectrique.

11

1.4 Le silicium et ses proprits


Il existe diffrentes techniques permettant la conversion directe de la lumire solaire en lectricit. La plus connue est la conversion photovoltaque effectue l'aide de matriaux semi-conducteurs tel que le silicium (Si), le germanium (Ge), le slnium (Se) ou les composs semi-conducteurs tel que l'arsniure de gallium (GaAs), ou le tellurure de cadmium (CdTe). Les cellules solaires de type GaAs sont trs coteuses dans leur fabrication et leur utilisation est aujourd'hui limite aux applications spatiales. [8] La majorit des cellules photovoltaques sont fabriques partir du silicium cristallin, car il possde la caractristique d'tre non toxique contrairement au cadmium ou au slnium. En plus, il permet d'atteindre des efficacits de conversion remarquables. Le silicium inpuisable [9] Il prsente des proprits optiques : l'absorption, la rflexion, la transmission (Figure 1-5), et proprits lectriques spcifiques pour assurer la conversion photovoltaque (Figure 1 -6). constitue environ 28% de l'corce terrestre sous forme de composs (silicates, silice), ce qui en fait une source quasi

faisceau incident

Faisceau rflchi

Faisceau absorb Faisceau iransmi*

Figure 1.5 : Proprits optiques du silicium photolectrique.

12

hlcctn ixciU Bunw mtallique

\.../::V

O ) ( o
V.

Figure 1.6 : Proprits lectriques du silicium photolectrique

1.5 La cellule photovoltaque


L'lment fondamental dans un systme photovoltaque est la cellule photovoltaque qui convertit l'nergie reue par rayonnement solaire en nergie lectrique. Une cellule photovoltaque peut donc tre assimile une photodiode en convention gnrateur dont les caractristiques sont illustres par les figures suivantes :

i n

Qiudiaut IV Caiactnvtiqiif rectangulaire idale

Eclaifeaieui. E,

,
IV

lili
h

/=.

/ >. ! C aractnKique \
idcalc

p >e
.i
Si

,.T"

E,!
p

>
r.s T,;
ut

V F tension de photopile l courant de pholcptlc

Figure 1.7 : Caractristique d'une photodiode

Figure 1.8 : Caractristique d'une cellule photovoltaque

13

1.5.1 Technologie de cellules photovoltaque Il existe diffrentes technologies constituant les cellules photovoltaques illustres par la Figure 1-9 :

Monocnslailin H Cristallin

r~

Silicium
Amorphe

j (Siicium, Alliage de Si) j {SiGe. SC, e!c)

Poh/cristllin

Cellules PV Y
-J Monocristallin j (GaAs) srtes tompo; r-

Polycristallin

(CdS. CcfTe CuInGaSeZ etc)

Figure 1.9 : Diffrentes techniques de cellules photovoltaques [8]

Industriellement les matriaux les plus utiliss sont base de silicium cause de sa disponibilit et son faible cot de production. Les cellules PV au silicium cristallin (mono ou multi) reprsentent la majorit de la production mondiale (respectivement 29 % et 51% de la production mondiale). On distingue les trois catgories principales qui se disputent le march. Ils ont des caractristiques, des dures de vie, et des sensibilits diffrentes (Tableau 1.1). a) Silicium polycristallin Il est constitu de plusieurs monocristaux juxtaposs dans diffrentes orientations donnant la cellule un aspect mosaque.

14

Le silicium polycristallin est la technologie la plus rpandue sur le march mondial en raison de son bon rendement (environ 15 %) pour des cots de fabrication matriss. Il offre actuellement un bon rapport qualit/prix. b) Silicium monocristallin Il est constitu d'un seul cristal offrant la cellule un arrangement parfait des atomes. Il prsente un rendement lgrement suprieur au silicium polycristallin (environ 19 %).Nanmoins, il reste assez onreux en raison de son exigence de grande puret et de l'importante quantit d'nergie ncessaire sa fabrication. c) Silicium amorphe en couche mince Le silicium est dpos en couche mince sur une plaque de verre ou un autre support souple. L'organisation irrgulire de ses atomes lui confre en partie une mauvaise semi-conduction. Les cellules amorphes sont utilises partout o une solution conomique est recherche ou lorsque trs peu d'lectricit est ncessaire, par exemple pour l'alimentation des montres, des calculatrices, ou des luminaires de secours. Elles se caractrisent par un fort coefficient d'absorption, ce qui autorise de trs faibles paisseurs, de l'ordre du micron. Par contre son rendement de conversion est faible (de 7 10 %) et les cellules ont tendance se dgrader plus rapidement sous la lumire.

15
Silicium monocristallin

Types

Rendement Dure de vie Avantage

9
De !5/c 19% 35 ans 35 ans direct nuageux...) Prix lev. nuageux...) Prix lev.

Silicium polycristallin

Silicium amorphe

HRI
7% 10% < 10 ans Souplesse Prix moins lev que les cristallins Bon rendement en diffus Mauvais rendement en plein soleil.

Bon rendement en soleil

Bon rendement en soleil direct (mois que le monocristallin mais plus que l'amorphe)

Inconvnient

Mauvais rendement en soleil diffus (temps

Mauvais rendement en soleil diffus (temps

Tableau 1.1 : Classification de diffrents types de cellules photovoltaques au silicium.

En rsum L'effet photovoltaque est un phnomne physique propre certains matriaux appels "semi conducteurs" qui, exposs la lumire, produisent de l'lectricit. Le plus connu d'entre eux est le silicium cristallin qui est utilis aujourd'hui dans 90% des panneaux solaires produits dans le monde. Il existe de nombreuses autres technologies dj industrialises, (comme les couches minces) ou en phase de recherche. Le silicium amorphe semble adapt des dispositifs ncessitant peu d'nergie, tels que les montres ou les calculatrices ou des systmes connects au rseau. En revanche, les cellules au silicium cristallin sont utilises et adaptes un trs large panel d'applications autonomes, malgr leur cot plus lev.

16

1.5.2 Montage des cellules photovoltaques

a) Cblage sries des cellules Les cellules photovoltaques peuvent se connecter en srie. Les tensions de toutes les cellules s'ajoutent et le courant est le mme que celui d'une seule cellule. C'est pourquoi il faut toujours des cellules de mme courant pour les mettre en sries. En fabrication, on appelle cela l'appairage : on trie les cellules selon leur courant pour les cbler en srie. Si l'une d'elles tait plus faible en courant, elle imposerait son courant toute la srie ce qui pnaliserait le module complet.

Courant Caractristique d'une cellule Caractristique rsultante

Tension *'0=/rf

cO

Figure 1.10 : Caractristiques de cellules photovoltaques en srie

17

b) Cblage parallles des cellules Lorsque les cellules sont connectes en parallles, ce sont les courants qui s'ajoutent et la tension qui restera constante. Il faudra donc appairer les tensions et non les courants, lors de la mise en parallle des modules photovoltaques pour constituer un gnrateur plus puissant.

Courant

'-/"J

Caractristique rsultante

Caractristique d'une cellule

Tension
pc pc

Figure 1.11 : Caractristiques de cellules photovoltaques en parallle

18 1.5.3 Hot-spots et diodes by-pass Il arrive qu'un module au silicium cristallin ne soit pas expos uniformment la lumire, cause des taches d'ombre. Puisque les cellules tant cbles en srie, le courant total est nivel par le bas (la cellule la plus faible impose son courant aux autres). Alors lorsqu'une cellule ne dbite plus parce qu'elle n'est plus expose au rayonnement, le courant de l'ensemble de la chane tend vers zro. La cellule ainsi masque devient rceptrice de toutes les autres de la srie et reoit en tension inverse la somme de toutes leurs tensions. Elle se met donc chauffer d'o le nom bien connu de hot-spot ou point chaud. Il est indispensable de protger le module contre ce phnomne en plaant une diode by-pass en parallle par groupe de cellules (par sries de 18 cellules, soit 2 par panneau 36 cellules) On maintient ainsi la tension inverse applique la cellule ombre moins de 10 V, ce qui engendre un chauffement limit en cas de hot-spot. Ces diodes sont gnralement places dans la bote de jonction en sortie de panneau.

Blocs de 18 cellules en srie

Diode Bypass

Figure 1.12 : Emplacement des diodes Bypass

1.5.4 Nombre de cellules par module Une cellule au silicium cristallin prsente une tension de circuit ouvert de 0.58 V 0.60 V et un point de puissance maximale situ entre 0.46 V et 0.47 V. Considrant que notre panneau doit pouvoir charger une batterie 12V jusqu' sa tension maximale d'environ 14V et que l'on va perdre 2 3V en

19 cblage et du fait des lvations de temprature , il faut disposer d'un panneau fournissant au minimum 16-17V sa puissance maximale. Si l'on divise 16.5 par 0.46, on trouvera le nombre arrondi de 36 , valeur courante comme nombre de cellules en srie des panneaux usuels du march . Cela permet de disposer les photopiles d'un module en 4 ranges de 9. En pratique, les modles les plus courants de 12V comportent 32 44 cellules, suivant la valeur exacte de la tension de chaque cellule et de la temprature d'utilisation. Par exemple, dans le dsert de certain pays chauds o la temprature ambiante monte jusqu' 50, on peut tre amen installer des panneaux 12V 40 cellules. raison de - 2mV/C, chaque cellule perd 50 mV entre 25 et 50C, et la tension de fonctionnement d'un panneau 36 cellules chute de 1.8 V. Il faut donc thoriquement 4 cellules supplmentaires pour y remdier (1.8/0.46=3.9).

20

1.6 Les modules photovoltaques


Des modules de plus en plus puissant sont disponibles sur le march, en particulier pour la

connexion du rseau, mais il y'a tout de mme une limite lie au poids et la manipulation. Donc pour constituer un gnrateur de puissance leve, on runit systmatiquement plusieurs modules photovoltaques et on les cble entre eux avant de les relier au reste du systme 1.6.1 Montages des modules photovoltaques a) Montage en srie Les tensions s'additionnent et le courant traversant les modules reste identique, lorsque les panneaux sont monts en srie l'intensit traversant les panneaux sera celle du panneau le moins performant de la srie. Ainsi, si l'ombre apparat sur un des panneaux, toute la srie aura pour rendement celui du panneau le plus faible. L'intensit restant faible, les sections de cbles sont moins importantes

V~Vy*V2*V2

1 module \

2 modules' Tension

Smodules^

Figure 1.13 : Branchement des modules en sries

21

b) Montage en parallle

Les courants des diffrents modules s'additionnent et la tension reste identique. Un tel montage peut demander une section de cble plus importante due la forte intensit.

3 modules

T -

2 modules

e U i module

Tension

1
\\

Figure 1.14 : Branchement des modules en parallles.

En rsum
On monte les modules en srie pour les installations sans ombre : c'est la solution la plus simple, mais il convient de calculer la tension maximale par rapport celle demande. On monte les modules en parallle pour les installations qui ont une partie l'ombre, ou lorsque les modules de tension important dpassent la tension demande.

22

1.7 Caractristique des panneaux photovoltaques


1.7.1 Tension de circuit ouvert Si on place un panneau sous une source lumineuse constante sans aucune circulation de courant (Figure 1.15), on obtient ses bornes une tension continue, dite tension circuit ouvert V0(.. V oc = n x 0 . 6 V 0.6F : tension pour une cellule lmentaire (elle varie suivant la technologie et l'clairement). n : est le nombre de cellules (1.6)

La valeur courante de V()(. pour un panneau de 12 V de bonne qualit est de 22 -24 V. La variation de la tension V(X. en fonction de l'ensoleillement peut donner une bonne ide de la capacit du panneau pour charger une batterie sous ensoleillement modr, sachant que le rapport entre Vm (Tension maximum) et Voc est approximativement de 0.8. Dans une situation d'ensoleillement qui donne moins de 16V de circuit ouvert, le panneau ne peut recharger correctement une batterie de 12V, puisque sa tension de fonctionnement sera infrieure 16x0.8 = 12.SV.

V=V0C o -

Figure 1.15: Test de tension en circuit ouvert.

23

1.7.2 Courant de court circuit Lorsqu'on place le photognrateur en court circuit (Figurel-16), il dbite son courant maximal tension nulle. On appelle ce courant : courant de court circuit Isc. On dfinit le facteur de forme d'un photo gnrateur comme :

F F = Pm I (Voc x Isc)
o Pm est la puissance maximale.

(1.7)

Ce paramtre, compris entre 0 et 1 , qualifie la forme plus ou moins carre de la caractristique courant-tension du panneau. Si celle-ci tait carre, le facteur de forme serait gale 1 et la puissance Pm serais gale VocxIsc . En pratique il faut considrer les pertes invitables : en srie cause de la rsistance non nulle des constituants des cellules, et en parallle cause des lgres fuites de courant. Gnralement, ce facteur de forme se situe entre 0.6 et 0.85.

l/=0
/=/

se

Figure 1.16 : Test de courant en court circuit.

24 1.8 Modles d ' u n g n r a t e u r photovoltaque ( G P V ) (Figure

Le modle mathmatique associ une cellule est tabli partir de celui d'une jonction PN phnomnes internes. Le courant/ issu de la cellule s'crit alors :

1.17). On y ajoute le courant Isc, proportionnel l'clairement, ainsi qu'un terme modlisant les

I = Isc-Id-Ip

(1.8)

I P =Rp

(1.9)

Avec

Vd = Vj = {V + IxRs)

(1.10)

Tension pour une cellule :

V = (Vd-IxRs)

(1-11)

Tension pour un module : / : Courant de sortie (A). V : Tension de sortie (V).

V = nx(Vd - 1 xRs)

(1-12)

Isc : Photocourant, ou courant gnr par l'clairement (A). Id : Courant de la diode (A). Vd : Tension de la diode (V). Ip : Courant shunt (A). n : Nombre de cellules.

25

+9V

?
+

f
\ V - (

t<
Cell
'SC

Va

It'

I u*t

Rt

Figure 1.17: Modle quivalent d'un GPV.

1.9 C o u r a n t d ^ n g n r a t e u r photovoltaque : a) Cas d'un modle simple Considrons le cas d'un modle simple d'un gnrateur photovoltaque qui est constitu d'une source de courant commande par la lumire du soleil en parallle avec une diode relle (Figure 1.18). On peut crire l'quation du courant comme suit :

1 = he-Id
qVd

(1.13)

Pour la diode

I d = I o ( e K T -1)

(1.14)

Pour une temprature standard de 25 degrs : 1.602xl0"19 1.381x10""

qxVd kxT

Vd , , M Vd -=11.600-T(K) T(K)

(1.15)

26

Id = I o { e * d \ )

(1.16)

On aura :

qVd

I = l s c Io(e KT 1)

ou

I = Isc I o ( e ^ x y a 1 )

3&.9xVd

( 25)

(1.17)

Dans le cas o / = 0 on peut rsoudre l'quation et trouver la tension en circuit ouvert:

KT Voc = q ln(

Isc 1) Io

(1.18)

o;
\

V
~<5

'^J

. Gtarge= t s c

Hj f
o

"Chare

Figure 1.18: Modle simple d'un PV.

b) Modle simple avec une rsistance parallle Rp

Le GPV est trs sensible au problme de l'ombre qui peut survenir sur une ou plusieurs cellules. Il sera alors ncessaire d'ajouter au modle une rsistance parallle Rp qui reprsente les fuites entre le dessus et le dessous de la cellule et aussi les courants parasites l'intrieur du matriau par les irrgularits ou les impurets (Figure 1.19)

On aura :

27

I = Isc-Id Rp Et: I = Isc-Io(e K I -1) + Rp

(1.19)

(1.20)

QW
\Wj

/
Cluire
= /, se

/-# v

>p
A
1

Figure 1.19 : Modle simple d'un PV avec une rsistance en parallle

Figure 1.20 : Impact de la rsistance parallle.

28

c) Modle simple avec une rsistance srie Rs

On peut modliser le PV en incluant une rsistance srie Rs au modle simple (Figure 1.21). Une partie de cette rsistance de contact peut tre associ la liaison entre la cellule et son fils conducteurs, et une partie peut tre due la rsistance du semiconducteur luimme.

Avec une rsistance Rs on aura :

Vd = (V + I x R s ) Et
q'r'+lxRs)

(1.21)

I = Isc Io(e

Kl

1)

(1.22)

Q
sKf>Vj

'*v n
Chare^> =

i
'se

A A A

v V
l l
<
Chare

kl

vv

>

Figurel.21 : Modle simple d'un PV avec une rsistance en srie.

4JS 10

r } p ~ . R = 0

16 30 25
o

R s *0

\ \

AV*/S\

20 15 1.0 05
<o

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.6

0.6

0.7

Tension

Figure 1.22 : Impact de la rsistance sries Rs.

29

d) Modle simple avec les rsistances parallle Rp et sries Rs

On peut avoir un modle simple du PV en incluant les deux rsistances Rs et Rp (Figure 1-23). Ce circuit quivalent complet sera utilis dans la modlisation du GPV par le logiciel Matlab Simulink. Dans ce modle le courant de la source Isc dlivrera le courant la diode, la rsistance parallle, la rsistance sries et la charge. On aura :

/ = Isc - I d - Ip Ht

(1.23)

l-Isc-lo(e Ou

Kl

-Y)--

Rp

(1.24)

I = I s c - I o ( e ^ { K+/x/&) -1) - <Ll2LM Rp

(A 25)

(1.25)

<l

Vr

Rs<
1

t
Cell

V\
-

\
=

I,

se

< t

)
1

1 ~'^'P

t'

Figurel .23 : Modle simple dun PV avec une rsistance en srie et parallle.

30

Rp= M , R s = Q

Tension Figure 1.24 : Impact des rsistances parallle et srie (Rp et Rs).

I o : courant de saturation de la diode (A) k : constante de Boltzmann ( k = 1.38x10~23 ) q : charge de l'lectron ( q = 1.6025 x 10~19c ) T : temprature de la cellule (K)

Rsum
Les rsistances srie Rs et parallle Rp sont ajoutes au modle pour tenir compte des phnomnes dissipatifs au niveau de la cellule ( les pertes internes). D'aprs la Figure 1-20 avec la rsistance en parallle, le courant peut chuter pour chaque valeur de V d'aprs la relation : AI = V/Rp (1.26)

Avec l'ajout de la rsistance Rs, la courbe I-V s'inclinera vers la gauche (Figure 1.22) d'aprs la relation : AV = I / R s Pour les deux cas on aura une perte de puissance donc perte de rendement. (1.27)

31

1.10 Impact de la temprature et de l'irradiation solaire sur la courbe I-V


La temprature T et l'irradiation G ont un impact direct sur les performances d'une cellule photovoltaque comme illustre la figure 1-25. Quand la temprature des cellules augmente la tension de circuit ouvert diminue sensiblement tandis que le courant de court circuit augmente lgrement. Alors on peut remarquer que les cellules PV ont de meilleure performance dans un environnement froid avec ciel dgag, au contraire d'un environnement chaud. Pour les cellules en silicium cristallin, Voc baisse d'environ 0.37% pour chaque degr Celsius de plus, Isc augmente de 0.05% pour les mmes conditions. La temprature du GPV dpend non seulement de la temprature ambiante mais aussi des effets de l'irradiation de la cellule. Puisque seule une petite fraction de l'insolation qui touche le module est convertie en lectricit, la plupart de l'nergie incidente est absorbe et convertie en chaleur. Pour aider les concepteurs de systmes tenir compte des variations de performances de la cellule avec la temprature, les fabricants fournissent souvent un indicateur appel NOCT. La temprature de la cellule NOCT est dans un module lorsque la temprature ambiante est de 20 C, rayonnement solaire gal 0,8 kW/m2, et vitesse du vent 1 m/s. Pour tenir compte des autres conditions ambiantes, l'expression suivante peut tre utilise : NOCT-20 -)xG 0.8 Tcell, Tamb temprature de la cellule et temprature ambiante, G : irradiation solaire (kW/m2).

Tcell = Tamb + (

(1.28)

32

IRRADIANCE: AM1.5, 1 kW/m 2

CELL TEMP. 25*C 1000 W/m 800 W/m 2 600 W/m 2

400 W/m 2 200^/^ 0 0

10
Tension

20

30

10
Tension

20

30

Figure 1.25 : Courbes courant -tension sous diffrentes tempratures et niveaux d'irradiation.

1.11 Impact de Fombre sur la courbe I-V


Les variables de sortie d'un panneau photovoltaque peuvent tre rduites considrablement quand une petite portion du panneau est touche par l'ombre. Des solutions particulires seront donc ncessaire pour compenser ce problme de l'ombrage. Phnomne de l'ombrage

Considrons la figurel.26a qui reprsente un module photovoltaque avec une cellule spare des autres. Dans cette figure, toutes les cellules sont exposes au soleil et le mme courant traverse chacune d'elles. Cependant, dans la figure 1.26b, la cellule en haut est touche par l'ombre et son courant Isc est rduit zro , ce qui signifie que le courant total qui circule dans le module doit passer travers les deux rsistances Rp et Rs de la cellule touche par l'ombre. Ceci provoque une chute de la tension de sortie A V qui est donne par la relation suivante :

33

AV = - + IxRp n

(1.29)

n 1

: nombre de cellules : courant total dans le module

Vs

Oc
nth cell 'se

*tT ^
RP nth cell '/{; shaded

V i ; n-1 . cells

: O

(a) toutes les cellules face au soleil

(b) cellule suprieur ombre

Figure 1.26 : Module photovoltaque avec une cellule touche par l'ombre.

34

/.yplein soleil
x

> ^

/-V une cellule ombre


<M

P
U

AV*%+IR P

'

'

Tension Figure 1.27 : Effet de l'ombrage d'une seule cellule sur le module.

La puissance dissipe dans la cellule ombre est convertie en chaleur ce qui peut conduire au phnomne HOT SPOT causant des dommages permanents dans la cellule. Une mthode permettant d'attnuer l'effet de l'ombrage consiste connecter une diode "Bypass' ' en parallle avec une cellule, comme montr la figure 1.28. Dans les conditions normales (a), la diode by-pass est bloque et tout le courant passe par la cellule solaire tandis que dans l'ombre (b), la diode by-pass conduit le courant autour de la cellule ombre causant seulement au module une chute de tension de 0.6V. Les courbes de la figure 1.29 illustrent l'effet de la diode Bypass sur les caractristiques du module PV.

35
Vr 0.5 V 9
V - 0.6 V 1
Q

?C

i
J
1

diode bypass bloque

conduit

it
Ce.. :*r(a)

CeUe onr*

(b)

Figure 1.28 : Cellule solaire avant et aprs l'effet de l'ombre avec une diode de bypass.
3.5 3.0
plein soleil

2.5 H 2.0 1.5 H 1.0 0.5 0.0

j * '

120 Tension

Figure 1.29 : Courbe expliquant l'impact de la diode by-pass sur le GPV.

36

37

CHAPITRE II CONVERTISSEURS DC-DC


2.1 Introduction
Le prsent chapitre traite de la conversion DC/DC (continue-continue) qui a pour but de contrler l'coulement de l'nergie entre le panneau solaire et la charge (Figure 2-1). Pour ce type de convertisseur, la gamme de puissance que l'on peut traiter s'tend de quelques watts, des centaines de kilowatts . Cependant, l'apparition de composants de puissance sans cesse plus performants, permet d'envisager le traitement de puissances plus leves.

\Source

Chaise

Figure 2.1 : Convertisseur continu- continu.

2.2 Convertisseurs DC-DC pour les systmes d'nergie solaire


Un hacheur peut tre ralis l'aide d'interrupteur lectronique commandables l'ouverture et la fermeture tels que les thyristors GTO ou les transistors bipolaire ou effet de champ grille isole fonctionnant en rgime de commutation (tout ou rien). Le principe du hacheur consiste tablir puis interrompre priodiquement la liaison source- charge l'aide de l'interrupteur lectronique. Celui ci doit pouvoir tre ferm ou ouvert volont afin d'avoir une tension de sortie continue rglable (figure 2.2).

38 Les convertisseurs DC-DC (ou hacheurs) sont utiliss dans les systmes d'nergie solaire pour adapter la source DC variable ( panneau PV) la charge qui demande en gnral une tension DC constante. Les convertisseurs DC-DC sont classe en deux types : les convertisseurs non isols et les convertisseurs isols de la source. a) Non isols de la source : Quatre configurations de base sont : - Convertisseur abaisseur BUCK - Convertisseur lvateur BOOST . - Convertisseur abaisseur-lvateur BUCK-BOOST . - Convertisseur SEPIC.

(a) Buck

(b) Boost

(e) Buck-boost

"-i
+

tmj1|__cro

Cs

52

(d) Sepic

(c) Flyback

Figure 2.2 : Principales configurations de convertisseurs DC-DC.

b) Isols de la source : Comme le convertisseur Flyback

39

2.3 LE CONVERTISSEUR SEPIC


2.3.1 Introduction

Dans ce projet, nous utilisons un gnrateur photovoltaque constitu d'un module PV de 12V destin charger une batterie d'accumulateurs avec une tension nominale de 12V. Vu les changements d'ensoleillement et pour avoir un meilleur rendement de notre panneau solaire , nous avons choisi d'utiliser un convertisseur SEPIC. Les avantages du convertisseur SEPIC dans les applications solaires sont nombreux : il peut fonctionner comme lvateur ou abaisseur de tension. il contient peu de composants. la commande du transistor se rfre la masse. l'ondulation du courant d'entre est limite. il n'y a pas de liaison entre entre et sortie en continu, grce la transmission d'nergie en srie travers un condensateur. Un court-circuit de la charge n'est donc pas rpercut sur l'entre. 2.3.2 Fonctionnement du SEPIC : SEPIC est un convertisseur DC-DC qui permet de convertir une tension continue en une autre tension continue de valeur diffrente (plus faible ou plus grande). Le Sepic est semblable au buck-boost mais a l'avantage d'avoir une sortie non inverse (la tension de sortie est de la mme polarit que la tension d'entre).Ce montage a t mis au point par Slobodan Cuk la fin des annes 1970.Le schma de base est illustr la Figure 2-4. Il est constitu essentiellement de trois condensateurs (Cin, Cot, et Cp), de deux inductances couples (LI et L2), et d'un transistor (Ql ) et d'une diode (Dl ).

40

V V

IN

o-

jTJyvxJ.

- V OUT

'IN

H3 Q i

cOUT

Figure 2.4 : Schma du convertisseur SEPIC.

Les formes d'ondes de tensions et de courants du convertisseur SEPIC sont montres aux figures 2.5 et 2.6, respectivement [10].

41

*IMnwx + VoUT 'Ul

Q10N DxTs

Q1 OFF (1-D)xTs
'OUT

("IN<VOUT)

L1

(V1N>V0UT)

'OUT

VOUT
'I?

Figure 2.5 : Formes d'ondes de tensions d'un convertisseur SEPIC.

'01

Q1 ON DxTs

Q1 OFF (1-D)xTs
'oipea

01

Iw+lo

'w+"o

Figure 2.6 : Formes d'ondes de courants d'un convertisseur SEPIC.

42

Les deux phases de fonctionnement du convertisseur SEPIC, qui correspondent aux deux tats du transistor Ql, sont la phase de conduction et la phase de rcupration. a) Phase de conduction Pendant la phase de conduction , Ql est en tat passant (ON), la tension aux bornes de l'inductance LI est gale Vin, le condensateur Cp est connect en parallle avec L2 et la tension aux bornes de L2 est la mme que la tension du condensateur = -Vin. (Figure 2.7). La diode Dl est en polarisation inverse donc bloque. Le courant de la charge est fourni par le condensateur Cot. Pendant cette priode le courant est stock en LI par l'entre et en L2 par Cp.

o yO U T

OUT

Figure 2.7 : SEPIC pendant la phase de conduction.

c) tat de rcupration Pendant la phase de rcupration, Ql est en tat bloqu (OFF), le courant dans LI continue circuler travers Cp et la diode Dl puis dans le condensateur Cot, dans l'intervalle le condensateur Cp est charg et prt pour le prochain cycle . Aussi le courant emmagasin dans L2 circule dans Cot et la charge, rendant Cot prt pour le prochain cycle. (Figure 2.8).

43

OUT

Figure 2.8 : SEPIC pendant la phase de rcupration.

2.3.3 Dimensionnement du SEPIC [101 [11]

a) Calcul du rapport cyclique En supposant un rendement de 100% on aura la relation suivante V +V y +V +v


'IN

(2.1)

^'om ^ '

Avec Vn : la chute de tension de la diode D

Le rapport cyclique maximum est : V y


r

DMAX

' our
T

ItHMIN)

+V *o +y +y
T

(2.2)

'OUT

' D

Le rapport cyclique minimum est :

44 V +V

'-'MIN ~

' OUT ^ ' D y + y + y ' IN {MAX) T ' O U T T ' D

(2.3)

b) Choix des inductances Pour la dtermination de l'inductance on calcule Al, avec 20 40 % du courant d'entre maximum.

AI, = L, x40% = /,. x ^ o u r + K )


'OUT
V

x40o/o

(2.4)

M1N

XT

Les courants crte des inductances :

Li( PEAK)

= /
1

OUT^

' OUT

+V

_ I)

1+

ztno/. 40% \

(2.5)

f
1

L2(PEAK)

OUT

1+

A no/ 40% A

(2.6)

Avec deux bobines spares l'inductance est donne par :

L]=L2=L o F sw est la frquence de dcoupage

IN{MN)

AI, x 2F,

x D MAX

(2.7)

sw

c) Choix des condensateurs Condensateur de sortie Cot Dans le convertisseur SEPIC, lorsque l'interrupteur Ql est en conduction, l'inductance LI est en charge et le courant de sortie est fourni par le condensateur Cot de sortie. Donc, Cot doit avoir une capacit suffisante pour minimiser les ondulations dans la tension de sortie.

45 On a:

/
C oui{RMS)

ILiM."

' O I T * A jr V IN{MIN)

(2.8)

Alors, la valeur de C out doit satisfaire la condition suivante :


/ 'OUT
t >

/o u r x J <Mty D
K

AV
" K//77J:

x F
SI *

(2.9)

o AVRII,riH : Ondulation de la tension de sortie qui est dfinie par l'exigence de la conception.

ESR

OUT

(AC)

Q1 ON

Q1 OFF

1t

III

JJ*""I
V r

rlpple

Cout

,r

~T
Figure 2.9 : Ondulation de la tension de sortie.

Condensateur de couplage Cp

lomMVoirr + Vn).. / 1 A
*INiMIN\
X 1

(2.10)

D.

x D
_max

_ ?OUT

AF ( 7 ,x>

(2.11)

A^.,, : L'ondulation de la tension aux bornes de Cp.

46

d) Choix du MOSFET Le transistor doit tre slectionn en prenant en considration la tension et le courant de crte.

0)l>eak

OUTX(VOUT
y ' IN {MIN)

+
Xr

D)

+ J
T

'(HIT

+ A ]
T

LU

I.

( 2

12)

\i..\.i.)

I r =

^W(MW)X/7XV

' ;r

xV "T
max

(2 13)

e) Choix de la diode de sortie La diode de sortie Dl doit tre capable de supporter le mme courant de crte que Ql. La diode doit galement tre capable de supporter une tension inverse suprieure la tension maximum de Ql pour tenir compte des transitoires. Aussi elle doit avoir un pouvoir de dissipation gale ou suprieure : Pm=Ia!TxVD (2.14)

47

2.4 Conclusion

Le SEPIC est le convertisseur idal pour la recharge des batteries possdant une tension de sortie positive contrairement au buck- boost. Ce chapitre a prsent une analyse du fonctionnement du convertisseur SEPIC et ses performances ainsi que des directives d'optimisation de sa conception qui vont nous aider pour le montage de notre convertisseur.

48

49

CHAPITRE III RECHERCHE DU POINT DE PUISSANCE MAXIMALE (MPPT) D'UN GPV

3.1 Introduction

Des mthodes spcifiques existent pour amener des dispositifs fonctionner des points maximaux de leurs caractristiques sans qu' priori ces points soient connus l'avance, ni sans que l'on sache quel moment ils ont t modifis ni quelles sont les raisons de ce changement. Pour le cas de sources nergtiques comme notre panneau solaire cela se traduit par des points de puissance maximale. Ce type de commande est souvent nomm dans la littrature Recherche du Point de Puissance Maximum ou bien Maximum Power Point Tracking en anglais (MPPT). Le principe de ces commandes est d'effectuer une recherche du point de puissance maximale (PPM) tout en assurant une parfaite adaptation entre le gnrateur et sa charge de faon transfrer le maximum de puissance.

3.2 Point de puissance maximale (MPP)


On peut visualiser le point de puissance maximale par 2 mthodes diffrentes .

50 Mthode 1

P=PR puissance V - * " ^

f 'sc
\
o

Courant
j / ^ ^ - - - ^

'fl

Maximum Power Point (MPP)

1
CM

P=0

W
Tension (Y)

M(
"OC

Figure 3.1 : Courbes de I-V et de puissance de sortie pour un module photovoltaque.

Dans la figure 3.1 la courbe I-V montre plusieurs paramtres notamment la tension en circuit ouvert Voc et le courant en court circuit Isc. La courbe 'puissance' reprsente le produit de la tension et du courant qui est la puissance de sortie dlivre par le module. Aux deux extrmits de la courbe I-V, la puissance de sortie est zro puisque soit le courant ou la tension est nulle ces points. Le point de puissance maximum est le point sur la courbe o le produit du courant et de la tension atteint son maximum. La tension et le courant la MPP sont souvent dsigns comme Vm et Im dans le cas gnral. Ces valeurs sont dsignes aussi comme VR et IR (pour la tension nominal et courant nominal) dans des circonstances particulires qui correspondent aux conditions d'essai idal.

51

Mthodes 2

V 0C = 21,5V Tension

Figure 3.2 : Le point de puissance maximale (MPP) par la mthode des rectangles.

La deuxime mthode pour visualiser la location du point de puissance maximale (MPP) et de trouver le plus grand rectangle qui peut passer sous la courbe I-V, comme le montre la Figure 3.2. Les cts du rectangle correspondent au courant et la tension dont le produit reprsente la puissance P=VxI. D'aprs la figure on peut dfinir une caractristique du module qui est le facteur forme : FF = Vmxlm Vocxlsc (3.1)

o Vmx Im : Puissance au point puissance maximum Remarque Le facteur de forme est aux alentours de 70-75% pour les modules solaires en silicium cristallin tandis qu'il est proche de 50-60% pour les modules en silicium multi-jonction.

52

3.3 Principe de la recherche du point de puissance maximale (MPPT)

La figure 3.3

reprsente une chane lmentaire de conversion photovoltaque associe une

commande MPPT. Comme prsent sur la figure, la commande MPPT est associe un quadripole possdant des degrs de libert qui permettent de faire une adaptation entre le GPV et la batterie. Dans le cas de la conversion solaire, le quadripole peut tre ralis l'aide d'un convertisseur DCDC, dans notre cas un SEPIC, pour que la puissance fournie par le GPV corresponde la puissance maximale (Pmax) qu'il gnre et qu'elle puisse ensuite tre transfre directement la batterie. La technique de contrle communment utilise consiste agir sur le rapport cyclique de manire automatique pour amener le GPV sa valeur optimale de fonctionnement quelles que soient les fluctuations atmosphriques. [14]

IpV

f-t>H

CONVERTISSEUR

BATTERIE

Rapport Cyclique Commande MPPT

Figure 3.3: Chane lmentaire de conversion photovoltaque.

53

3.4 Techniques de commande MPPT


Dans la littrature, il existe diffrents types d'algorithmes effectuant la recherche du point de puissance maximale (PPM) [15]. Les trois mthodes les plus utilises sont : Hill Climbing, Perturb & Observ (P&O) et l'incrment de conductance (IncCond). Dans ce travail, nous utilisons la mthode Perturb & Observe (P&O) qui est aujourd'hui largement utilise de par sa facilit d'implementation. Elle consiste perturber la tension (Vpv) d'une faible amplitude autour de sa valeur initiale et d'analyser le comportement de la variation de puissance (Ppv) qui en rsulte. [16] Comme illustr la figure 3.4, on peut observer que si une incrmentation positive de la tension (Vpv) engendre un accroissement de la puissance (Ppv), le point de fonctionnement se trouve gauche du PPM. Au contraire, si la puissance dcrot, le point de fonctionnement se trouve droite du PPM. Un raisonnement similaire peut tre effectu lorsque la tension dcrot. partir de ces analyses sur les consquences d'une variation de tension sur la caractristique (Ppv/Vpv), on peut facilement situer le point de fonctionnement par rapport au PPM, et de le faire converger vers le maximum de puissance en imposant une valeur approprie au courant de sortie du module PV.

PPM
PPM Le systme s'approche du PPM. AP<0

Le systme s'loigne du PPM.

VPPM
Figure 3.4 : Schma du principe de la mthode P&O.

Vpv

[V]

54 La figure 3.5 reprsente l'algorithme classique associ une commande MPPT de type P&O, o l'volution de la puissance est analyse aprs chaque perturbation de tension. Pour ce type de commande, deux capteurs (courant et tension du GPV) sont ncessaires pour dterminer la puissance du PV chaque instant.

Mesures de :
*W el ' p r .

Calcul de fyFa

OU

NON

OUI

OUI

Dcrmentation de Vrtf

V^'Vnf-T

Incrmentation de Vf fV-F^+jfr

Dcrmentation de Vre,

Incrmentation de Vf

^>(W-^Wii

Figure 3.5 : Algorithme de la mthode Perturb & Observ.

55

3.5 Principe de la commande P&O extrmale

Le principe de cette commande a t thoriquement et exprimentalement dmontr dans les publications [18]. Les diffrentes tapes illustrant le principe de cette mthode MPPT sont reprsentes sur la figure 3.6.

ap

SP

j -

ar
>
an,

J / j r * i

P*.

\ V

a <o '

j f v t

Figure 3.6 Principe de la mthode P&O Extrmale.

La figure 3.7 montre l'organigramme de l'algorithme MPPT utilis dans ce projet. Le commande extrmale applique aux photovoltaques montre que lorsque la drive de la
dVpy

dP,. puissance et la tension est gale zro ( = 0) correspond la MPP.

le point de puissance de fonctionnement

L'algorithme obtient la tension Vrr et le courant I p r aux bornes du gnrateur photovoltaque pour calculer la puissance fournie par le GPV en effectuant une multiplication, il calcule ensuite la drive de la puissance.

56 dP, Si la drive est positive ( > 0), le systme se rapproche de la MPP.


dVpy

dP . Par contre, si la drive est ngatif ( < 0), le systme s'loigne de la MPP.
dVpy

Alpha est une variable binaire, de valeur 0 ou 1. Dans ce projet, si a est gale 1, la recherche se fait de gauche droite et si a est gale 0, la recherche se fait de droite gauche. Aprs un intervalle de temps fix auparavant, la variable H dterminera si la direction de la recherche maximale doit tre maintenue ou change.

57

Start

Mesure de

Calcule de P Fr P mI xV

Calcule de DPI

= V

l^jy-'V

r,

1r

'

a =l

a=0

a~\

a=0
i

a =0

a-1
f
Start amer

Start timer

\ <r

1'

< i

Figure 3.7 : Algorithme de la mthode P & 0 Extrmale.

58

3.6 Gestion de la MPPT


La figure 3.8 montre trois cas de perturbation. Suivant le type de perturbation, le point de

fonctionnement bascule du point de puissance maximal PPM1 vers un nouveau point PI de fonctionnement plus ou moins loign de l'optimum. Dans le cas a, pour une variation d'ensoleillement, il faut rajuster la valeur du rapport cyclique pour converger vers le nouveau point de puissance maximum PPM2. Dans le cas b, pour une variation de charge, on peut constater une modification du point de fonctionnement vers une nouvelle position optimale grce l'action de la commande. Et enfin d'aprs le cas c, la variation du point de fonctionnement est li aux variations de la temprature de fonctionnement du panneau solaire. Bien qu'il faille galement rajuster la valeur du rapport cyclique, cette dernire n'a pas les mmes contraintes temporelles que les deux cas prcdents. En rsum, le suivi du PPM est ralis au moyen d'une commande spcifique nomme MPPT qui agit essentiellement sur le rapport cyclique du convertisseur afin d'atteindre le PPM du panneau solaire.

59

T : constante. Charge constante. Easoleilleaaent : variable

Caractristique de ' la charge

I
CL.

--

T : constante, Charge : variable EmoleiUcHieiit constant ^ ^ ^ Variation du rapport cyclique

Caractristique de la charge

Variation du

[PPMl
Variation ensoleillement

p p \ f . -; ^ ^ ^ ^ J & \ /\ \ / \ U

Variabon dcharge

/
/ n--^

/
b)

\
\

El
T

*-" VPVIVI

a)
T : variable, Charge : constante, Ensoleillement : constant. Variation du rapport cyclique

Caractristique de la charge.

PPM;

PPM,

VPVIV]

e)
Figure 3.8 : Recherche et recouvrement du Point de Puissance Maximale [ 1 4 ] a) suite une variation d'ensoleillement, b) suite une variation de charge, c) suite une variation de temprature

3.7 Conclusion
La caractristique I-V d'un panneau photovoltaque n'est pas linaire. Il existe un MPP (Maximum power point) o la puissance est maximale. On utilise donc des rgulateurs qui font la poursuite de ce point (MPPT) afin de dlivrer le plus de puissance possible batterie. Cette fonction est souvent ralise par microcontrleurs. Dans une boucle, l'algorithme mesure la tension et le courant du gnrateur pour calculer la puissance fournie, puis fait varier le signal MLI du rgulateur dcoupage afin de maximiser la puissance dlivre par le panneau solaire la batterie.

60

61

CHAPITRE IV

ESSAIS ET MESURES DES CARACTERISTIQUES DU PANNEAU SOLAIRE


4.1 Introduction
La conception d'une installation photovoltaque efficace ncessite la prise en compte de plusieurs paramtres ayant une influence directe sur la performance du systme. Les aspects considrer sont multiples parmi lesquels : l'irradiation globale disponible W/m 2 . l'orientation en degrs () par rapport au sud. l'inclinaison en degrs () par rapport l'horizontale. la surface disponible en m2. la technologie employe (efficacit ou Wc/m2). le systme d'intgration ou de montage. les ombres dues des obstacles apparents (chemines, arbres, cabanon) [19]:

Pour les essais sur terrain nous avons choisi un panneau solaire KYOCERA model LA361G51 que nous avons install sur le toit du pavillon Pouliot (Universit Laval). Il a t mont sur un support en aluminium rglable pour diffrents angles d'inclinaison pour faire face aux changements de saison (vue dans le chapitre 1, figure 1.2). Plusieurs mesures ont t ralises l'extrieur en fonction de

62

diffrents rayonnements solaires avec une inclinaison fixe calculer auparavant pour dterminer les caractristiques : Upv= f (Ipv) et Ppv=f (Upv), et ainsi dterminer le rendement du panneau.

La fiche technique du panneau Kyocera LA361651 donne les spcifications suivantes :

Puissance max : Tension de circuit-ouvert : Courant de court-circuit : Tension de puissance max: Tension du systme max:

Pmax=51 W Voc=21.2 V Isc=3.25 A Vpmax=16.9 V V=800 V

Courant de puissance max : I pmax= 3.02 A

4.2 Mesure des caractristiques du panneau solaire


Les principaux essais sont : a) Mesure de l'intensit en court-circuit - L'intensit (en ampres) en court circuit, dans ce cas la tension est de 0 volt. b) Mesure de la tension en circuit-ouvert - La tension (en volts) en circuit ouvert, dans ce cas l'intensit est de 0 ampre.

4.3 Mthode de dfinition des caractristiques de I-V de sortie

La mthode la plus simple pour tracer une caractristique I(V) d'un panneau PV est de connecter directement ses bornes une rsistance variable pour permettre d'tudier l'volution de la tension en fonction de l'intensit diffrents niveaux d'ensoleillement. (Figure 4.1). Lorsque la rsistance est faible, le rhostat doit supporter le courant de court-circuit du panneau. Pour l'autre ct de la caractristique I(V). une valeur de rsistance suffisamment grande est

63

ncessaire pour se rapprocher du circuit ouvert. Pour satisfaire ces deux contraintes, on doit placer deux rhostats en srie.
Aiupreiitlre

-,

Dnxle

V^

Panneaux sobnm

Rsistance Variable

oHmcfrc

Figure 4.1 : Schma des mesures du panneau photovoltaque.

Au dmarrage, les deux rhostats ont leur valeur maximale (l'ouverture du circuit permet de mesurer la tension de circuit ouvert), on diminue progressivement le rhostat B de forte valeur (la tension diminue, on surveille le courant pour avoir des points intervalles rguliers). Une fois B compltement court circuit, on diminue alors progressivement le rhostat A. Si le ciel est sans nuage, cette mthode peut s'utiliser trs simplement avec des appareils portatifs (ampremtre, voltmtre). En revanche si le ciel est nuageux, l'irradiation change parfois en quelques secondes et sur de grandes amplitudes mme si l'on ne le ressent pas l'il. Il faut alors raliser les mesures rapidement.

64

4.4 Trac des caractristiques I (V) et P (V) Pour G=700 W/m2


Tension (V)
0 9,86 11,68 13,55 14,73 15,83 16,52 16,84 18,19 18,41 18,58 18,76 18,72 18,76 18,89 18,94 19,35

Courant(A)
2,60 2,54 2,46 2,38 2,31 2,21 2,12 2,11 1,41 0,99 0,80 0,71 0,64 0,70 0,54 0,40 0,00

Puissance (P)
0,00 25,07 28,73 32,19 33,98 34,98 35,02 35,45 25,70 18,23 14,86 13,32 11,98 13,13 10,20 7,58 0,00

Tableau 4.1 : Relevs des mesures effectues avec le panneau solaire pour G=700W7m2

Vl
3.00 2.50 _2,00 40 00 35,00 30,00 g 25.00
700 W/m3

PV

\
700 W/m*

1.50
rj
5

1 20,00
| 15.00 10,00 5.00

t
\
5 10 15 20 ' 5

1,00 0.50 0,00

===3
10 15 Tension (V)
20

()
25

Tension (V)

Figure 4.2 : Courbes des caractristiques du module photovoltaque pour G=700W7m2.

65

547 W/m2
Tension (V) 0,00 7,30 10,49 12,43 13,97 16,73 18,00 18,33 18,61 18,68 18,82 18,85 18,96 18,99 19,00 19,17 19,17 19,17 Courant (A) 1,70 1,70 1,70 1,71 1,70 1,64 1,22 1,09 0,98 0,84 0,79 0,73 0,64 0,56 0,51 0,49 0,43 0,00 Puissance (P) 0,00 12,41 17,83 21,26 23,76 27,44 21,96 19,98 18,24 15,69 14,87 13,76 12,13 10,63 9,69 9,39 8,24 0,00

Tableau 4.2 : Relevs des mesures effectues avec le panneau solaire pour G=547W/m2
V-l
1 80 -

P-V

<

. \ \ \ \ \ \
M

1.60 1,40 _1,20 -

gi.oo j

.50.80 o 0.60 0.40 0,20 0. X> 5.00 10,00 15.00 Tension (V)

ra
lfl

a.

< >
0.00
0.00 5.00 10.00 15.00 Tension (V)

> 25.00

20.00

25 00

20,00

Figure 4.3 : Courbes des caractristiques du module photovoltaque pour G=547W/m2.

66 430 W/m2
Tension (V) 0 5,5 7,33 12,17 13,25 14,19 16,52 17,33 17,39 17,44 17,78 17,67 17,94 18 18,2 18,58 18,73 18,83 Courant (A) 1,4 1,39 1,39 1,381 1,381 1,366 1,29 1,05 0,99 0,93 0,833 0,76 0,71 0,64 0,555 0,47 0,42 0 Puissance (P) 0,00 7,65 10,19 16,81 18,30 19,38 21,31 18,20 17,22 16,22 14,81 13,43 12,74 11,52 10,10 8,73 7,87 0,00

Tableau 4.3 : Relevs des mesures effectues avec le panneau solaire pour G=430W/m2
V-l
16 1.4 -i 1.2 25 00 20.00 f 15.00o c o S 10.00 a.
3

P-V

0.8 <3 0,6 0.4 0.2 C ) 5 10 Tension (V) 15 20

5,00

()

'

10 Tension (V)

15

20

Figure 4.4 : Courbes des caractristiques du module photovoltaque pour G=430W/m2.

67

4.5 Rsum des rsultats Nous obtenons les rsultats suivants (Tableau 4.5) et en effectuant le produit V x I nous arrivons la reprsentation graphique de la puissance en fonction de la tension pour tous les cas (Figure 4.5).
Irradiation
700 W/m 2 19.35 V 2.60 A 16.84 V 2.11 A 35.45 W 547 W/m 2 19.17 V 1.70 A 16,73 V 1,64 A 27,44 W 430 W/m 2 18.83 V 1,40 A 16,52 V 1,29 A 21,31 W

Voc
/,

y
'l'MAX *PMAX

P
1

MAX

Tableau 4.4 : Rsultats de mesures des caractristiques du panneau solaire.

Vl
3,00 2.50 _2,00 1.50
3
5
I

PV
40.00 35.00 30.00
n

*\ >

A
5 10 15 Tension (V)

700 W/m2 5 4 7 W/m2 4 3 0 W/m


2

25.00 o
o
I/I

c 20,00

V I
.

15.00

/ / / *7 //>

/ w"y

1.00 0.50 0.00 20 25

10,00 5.00 0.00

/y
10 15 Tension (V)

l
20 25

Figure 4.5 : Superposition des courbes pour les diffrents rayonnements.

68 Observation

Comme on peut le constater sur la figure 4.5, le courant de court-circuit est proportionnel l'irradiation et en premire approximation, la puissance maximale aussi. Les rsultats de mesures effectues diffrents niveaux d'ensoleillement ont permis de tracer les caractristiques I(V) du panneau solaire en fonction de l'ensoleillement (exprims en W/m2), et les caractristiques P(V) correspondantes

4.6

Conclusion

Dans ce chapitre on a prsent une tude sur le module photovoltaque Kyocera LA361651.Les mesures effectues dans les conditions relles ont permis de tracer la famille des courbes I(V) et P(V) du panneau tudi. On peut constater qu'un panneau se comporte comme un gnrateur de tension prs de la tension de circuit ouvert et comme un gnrateur de courant prs du courant de court-circuit.

69

CHAPITRE V ETUDE PAR SIMULATION DU SYSTEME PV


5.1 Introduction

Ce chapitre prsente le dveloppement du programme de simulation d'une installation PV autonome utilise pour la recharge d'une batterie. Le systme est compos d'un panneau PV, d'un convertisseur SEPIC, d'une batterie et d'un systme de commande. Le systme de commande assure la rgulation et la gestion de l'nergie ainsi que la recherche du point de puissance maximale. Le programme de simulation est prsent en dtail : structure, variables et fonctions. Les rsultats seront utiliss dans chapitre 6 afin de rechercher les meilleures performances du gnrateur photovoltaques.

5.2 Simulation du GPV


La simulation d'un systme de recharge d'une batterie commence par la modlisation sous Matlab Simulink de notre gnrateur photovoltaque et l'tude de son fonctionnement par rapport au rayonnement solaire et la temprature (figure 5.1).

Radiation Solaire (W/m2)

Q P V

Figure 5.1 : Modlisation du GPV sous Matlab-Simulink.

70

Les dtails de la programmation sous Matlab sont fournis l'annexe 1. Le modle du GPV est tabli partir des quations prsentes au chapitre 1. On a: / = Isc - Id - Ip (5.1)

Rp + Rs (5.2) 4r=~ IF" Rp On suppose que Isc = Ipv qui est gnralement utilis pour optimiser le fonctionnement du avec programme [12]. On aura :
{V+JxRs)

I = I,,v-Io(e

v xa

'

-1)

(V + I x R s ) Rp

(5.2)

avec :

V_NS*KT
i

(5.3)

Le courant gnr par la lumire de la cellule PV dpend directement de l'irradiation solaire et est galement influenc par la temprature selon l'quation suivante :

V=(V,+*,A7>

(5.4)

avec :

AT=T-T

(5.5)

(l-'+/x.v)

I d =Io(e K>*" -1) "'

(5.6)

avec :

Io =

I' - , '+ K,AT i


J v

K,,+K V AT exp aV

(5.7)

71

L = Irvld

(5.8)

on aura :
aTN s n , I x R s xA^ ^ ) il */ /, = I,,v xN PV IoxNp,, xexp sx(V+ aKN s Npp *

(5.9)

Modlisation des courants

Courant: /
Ki

U
[
Kv , X

[dT]

y*

1 J

Iscn

[VU]

[dT] V I

y^i

[lo]

, J

Courant: /.,,

m
Ki

On

tf

[T]

>WF J*1 Tr,

< [dT]

LT
Ipvn i

[Ipv]

Courant: /,,

72

M>
Rs

[Npp]

[Nss]

y y
>

[Ipv] X _l

>v

i_n
[Nss]

[Npp]

>^V

l|ml

>
[lo]

q/f.a'VNs)

K
[T]

fVta]

Courant /

A/VV
Rs*Nss/Npp
I pli-

*K m

Rp*Nss/Npp

X
[Im]

X ij

V Test ramp O < V < Voen

>

Avec : k = 1.3806503e-23 : constante de Boltzmann [J/K].

q = 1.60217646e-19 : charge lectronique [C]. a = 1.3 : Constante de la diode. Nss : Nombre de module connect en srie (dans notre cas =1) Npp : Nombre de module connect en parallle (dans notre cas =1) N s : Nombre de cellule connect en parallle. G : Irradiation solaire (W/m2).

73

Le modle mathmatique du GPV utilis dans ce programme calcule tous les paramtres du GPV en tenant en compte des paramtres externes ainsi que des pertes dans les cellules photovoltaques (figure 5.2).

T^rOi
|Cjlcu!jti9f> ot Ipv I /|T] 1

K3
wv

E<D

Cjicuijrfioft of ii

"P*

V , Rp

XD
GD*g ex)K3

I!:
t

^T>!*^

irvi'i y .

Figure 5.2 : Vue de l'ensemble du modle du GPV.

74

5.3 Simulation des caractristiques du GPV La simulation du modle GPV utilisant les paramtres du panneau solaire Kyocera LA361G51S (51W) , montrant le comportement lectrique de ce dernier par rapport la variation d'une charge lectrique, permet de dterminer les caractristiques I-V du panneau PV (figure 5.4) et P-I (figure 5.5).

W [vpv]
vpv Radiation Solaire (W/m2) GPV

[ipv]

>

3.045] Ipv

[Ppv]

>

50.091 Puissance entre

[vpv]

16.751 Vpv

Figure 5.3 : Simulation du GPV ( la valeur de la MPP).

75 5.3.1 Rsultats

Ffc

E*

Wew

Insert

Toofc

Debug

Desttop

Wrdow

Hep

i | r

Q a a.i, b|^\? >e*tfr|a| OBI O


court lV 4

mafllD

3.5

2.5

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2

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1.5

0.5

i (
) 2 4

i
6

i
8 10

!
12

!
14

!
16

I
18 20

1 !
22 .2

Figure 5.4 : Simulation de la caractristique VI du GPV (T=25, G=1000W/m2).

m ', B. aa
Fie Edit View

Insert

Tools

Debug Deskop

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Help

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50 45 40

n^;3!a@:ai
courbe PV

m B slcf

25

m
15 10 5 f 1 i 2 i 8 i 10 i 12 i 14

!
1S 18 20

' 22.'

VM

Figure 5.5 : Simulation de la caractristique PI du GPV(T=25, G= 1000W/m2).

76 5.3.2 Discussion Pour une augmentation de la rsistance de charge le courant tend vers la valeur '0' et la tension tend vers la valeur de F oc Pour une diminution de R, le courant tend vers la valeur de l s r , et la tension tend vers '0'.

rsistance (ohm) 30 6 5.5 5 2

Courant (1) 0.68 2.907 3.045 3.152 3.24

Tension(V) 20.67 17.44 16.75 15.76 6.49

Puissance (W) 14.24 50.69 50.99 49.67 21.07

Donnes techniques du fabricant (T=25,G= 1000W/m2):

Puissance max : Tension de circuit-ouvert : Courant de court-circuit : Tension de puissance max: Courant de puissance max : Tension du systme max:

/L.-5W
V o c =2\.2V I SC =3.25A Vrmx=\6.9V

I p m x =3.02A V = 800F

5.3.3 Comparaison

Pour une rsistance de simulation sur MATLAB SIMULINK rgler 5.5Q on obtient un rsultat correct 99.11% pour la tension et 99.17% pour le courant, en comparaison avec les mesures.

77

5.4 Simulation de la recharge directe de la batterie


La connexion directe du panneau solaire photovoltaque une batterie reste actuellement le mode de fonctionnement le moins cher. L'inconvnient majeur de ce fonctionnement est la dpendance directe de la puissance fournie par le gnrateur envers l'ensoleillement. La puissance transmise directement une batterie n'est pas toujours effectue la puissance maximale Pmax.

JS)*]
Fie E* View Smiation Format Tools Hep

D a e : < h m * * f f'.O f"


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SS

3: S s a

SfS#

36 !

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\

P^v
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Rjt.1 aior, Sol* fWm) LM*

j8*ttry

PB
V4L

E*>

gg

Figure 5.6 : Programme Matlab Simulink (GPV connecte directement une batterie)

78 5.4.1 Rsultats

Figure 5.7 : Ipv,Vpv,Ppv pour connexion directe ( gauche G=1000W/m2, droite G=700W/m2).

Figure 5.8 : Ipv,Vpv,Ppv pour connexion directe ( gauche G=547W/m2. droite G=430W/m2).

79 5.4.2 Rsum des rsultats

On compare les rsultats de la simulation (montrs au tableau 5.1) avec les mesures effectu au chapitre 4. Avec les valeurs mesures des caractristiques du panneau pour G= 1000W/m2, on a : W =3.02 A, Fm4V=16.9V, PUM=S1\N

En connexion directe, on a en simulation : I p v =3.23 A, Vpv =12V, Ppy -38.86W

Au point maximum de puissance, le rendement est TfMPPT =76.19%.

Mesures
IRRADIATION 1000 W/m 2 700 W/m 2 547 W/m
2
' l'MAX

Simulations
1

' PMAX

MAX

hv
3.23 A 2.26 A 1.76 A 1.38 A

Vpy 12 V 12 V 12 V 12 V

PPV

V'To.al

3.02 A 2.11 A 1.64 A 1.29 A

16.9 V 16.84 V 16.73 V 16.52 V

51 W 35.45 W 27.44 W 21.31 W

38.86 W 27.17 W 21.21 W 16.65 W

=76.19% =76.64% =76.29% =78.13%

430 W/m 2

Tableau 5.1 : Comparaison des rsultats de simulation du GPV+Batterie.

Les panneaux solaires de la premire gnration sont gnralement dimensionns pour que leurs PPM correspondent la tension nominale de batterie de 12 ou 24 Volts. Grce ce dimensionnement, une simple connexion directe via une diode anti-retour suffit effectuer le transfert d'nergie du GPV la batterie. Cependant, les caractristiques non-linaires du module photovoltaque et sa sensibilit aux conditions extrieures, comme l'clairement et la temprature, induisent des pertes nergtiques. L'utilisation d'un tage d'adaptation (convertisseur SEPIC) permet d'optimiser la production d'nergie pour toute condition de fonctionnement, nous allons voir au prochain test les rsultats obtenus avec cette approche.

SO

5.5 Simulation du s ys tme PV complet (GPV+ SEPIC+MPPT+batterie)


- I l Fie I E d t j View Simulation Format lotis Hefe

D
Is-

t* a a : * e -- -v '
Titscreie, 1e-006s

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1O00 SMOOO

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tU*TtmpvtiitiJr* (K)

-HIWV-

3=1
rjr-ejtt.iy

Un

Radiation Sola <W/m2)

Ilmayl

C o m m . f i d . MPPT

Figure 5.9: Diagramme Simulink du systme PV complet (GPV+SE PIC+MPPT+BATTE RIE ).

j[~] sepic closed loop/Coowtiande MPPT He E d View SrraJaMon Format Tools Hek 1 (0.1
| Normal

Inl xl

D Lrf fl # ) * 1 e 1 4 = # ! 3 *

d,imii3ii ft@E#

>
C.d.num{1.1X> Cdd(t{1.1X) ( 2 lr.2 > M T ' j n s t e t F en

+CD
s

Lin
onstjnt

M*

Signal Generator

:od23

Figure 5.10 : Dtail de la commande MPPT.

SI

Figure 5.11 : Formes d'ondes : Ipv,Vpv,Ppv,Mosfet.

K2 5.5.1 Rsultats de la simulation Formes d'ondes de la tension et du courant

' } Scope entre

Figure 5.12: Formes d'ondes (Vconv Jconv, Mosfet) pour : G= 1000W/m2.

83
) Scope entree

m P P P ASH 5

00223

0.0

as225

aa226

0.0w

0.0228

0.0223

nn

Figure 5.13 : Formes d'ondes (Vconv Jconv, Mosfet) pour : G=700W/m2

84
-A Scope entree

Figure 5.14 : Formes d'ondes (Vconv ,Iconv, Mosfet) pour : G=547W/m2.

85
sa g - -i

P P V

A S S

Figure 5.15 : Formes d'ondes (Vconv ,Iconv, Mosfet) pour : G=430W/m2

86 Formes d'ondes des courants de sortie pour la recharge de la batterie

a)

Formes d'ondes : (lout) pour : G= 1000W/m2

c)

Formes d'ondes : (lout) pour : G=547W/m2

d) Formes d'ondes : (lout) pour : G=430W/m2 Figure 5.16: Formes d'ondes (lout) pour les diffrents clairements solaires.

87

5.6 Influence de la temprature

La temprature de fonctionnement a une influence trs nette sur la performance des modules. Les caractristiques donnes par les constructeurs annoncent des valeurs de dgradation de puissance de l'ordre de 0,37 % par C. Les tempratures atteintes vont dpendre bien sr de la rigueur du climat mais aussi du mode d'intgration favorisant ou non la ventilation du module lors de son fonctionnement.

Figure 5.17: Formes d'ondes: (Vpv ,Ipv, Mosfet) pour : G= 1000W/m2 et T= 30 .

88

Figure 5.18 : Formes d'ondes: (Vpv ,Ipv, Mosfet) pour : G=1000W/m2 et T= 10 .

89 5.6.1 Rsum des rsultats

On compare les rsultats de la simulation du convertisseur (prsents au tableau 5.2) avec les mesures effectu au chapitre 4.

Avec les valeurs mesures des caractristiques du panneau pour G= 1000W/m2, on a : IrMAX =302 A, F m , v =16.9V, /W=51W

Avec le Convertisseur, on a en simulation : IPy -2.921 A, VpV =17.38V, P pv =50.77W

On aura alors un rendement de la MPPT rj MPPT =99.54%.

Mesures
IRRADIATION 700 W/m 2 547 W/m 2 430 W/m 2
*PMAX

Simulation
1

' PMAX

MAX

V
2.038A 1.580A 1.228A

VPV

PPV

HMPPT

2.11 A 1.64 A 1.29 A

16.84 V 16.73 V 16.52 V

35.45 W 27.44 W 21.31 W

17.28V 17.21V 17.13V

35.22W 27.19W 21.04W

=99.35% =99.08% =98.73%

Tableau 5.2 : Comparaison des rsultats de simulation du systme.

Courants de sortie pour la recharge de la batterie

Pour : G=1000W/m 2 I o m = 3.052/4

Pour G=700W/m 2

IolJT=2.\92A

Pour : G=547W/m 2 I o u l = 1.728/1

Pour : G=430W/m 2 /, 7 =1.366,4

90 Influence de la temprature L'influence de la temprature sur les caractristiques du panneau solaire est rsume sur le tableau 9 pour un clairement fixe (1000 W/m2).

Temprature
30 25 10

*PM4XI Simulink)

y
PMAX {.simulink)

MAX (Simulink)

2.738 A 2.921 A 3.131 A

17.37 V 17.38 V 17.42 V

47.51 W 50.77 W 54.52 W

Tableau 5.3 : rsultats de simulation des performances de l'installation par rapport au changement de temprature.

5.6.2 Observation

Les rsultats de simulation obtenus et rsums dans le tableau 5-2 montrent l'efficacit du convertisseur en comparaison avec les donnes techniques du GPV pour 1000 W/m2 Avec la superposition des rendements des deux types de connexion, on peut constater que le rjMPPTde l'tage d'adaptation avec une fonction MPPT est toujours suprieur celui de la connexion directe. De plus, le rjMPPTd\i SEPIC est indpendant du niveau de tension de la batterie

contrairement au cas d'une connexion directe.

91

5.7 CONCLUSION
Ce chapitre a prsent en dtails les quations qui forment le modle I-V d'un module PV et la mthode utilise pour obtenir les paramtres de l'quation. Le but de ce chapitre est de fournir toutes les informations ncessaires pour laborer des modles photovoltaques et des circuits qui peuvent tre utiliss dans la simulation des convertisseurs de puissance pour les applications photovoltaques. Les carts de calcul entre la production PV du programme, des donnes techniques et des expriences effectu sur le terrain sont minimes. Le programme de simulation dvelopp dans ce chapitre est donc considr comme valide, ce qui nous permettra au chapitre suivant de l'utiliser dans nos tudes.

92

93

CHAPITRE VI MONTAGE D'UN SYSTEME PV COMPLET ET IMPLANTATION DE LA COMMANDE MPPT


Dans ce chapitre le montage exprimental d'un systme PV complet (GPV+SEPIC+MPPT+Batterie) est dcrit. La figure 6.1 montre le diagramme fonctionnel du systme tudi.

J
PV

% acquisition des donnes * Ipv. Vpv

I ...

signal numris^! Carte pic 18F1220 1

* DC
yT

y
DC Batterie

Figue 6.1 : Diagramme fonctionnel du systme PV tudi.

6.1 Le processeur
Le processeur PIC 18F1220 (Programmable Interface Controller) est un circuit intgr fabriqu par MICROCHIP Technology. C'est une unit de traitement de l'information de type microprocesseur laquelle on a ajout des priphriques internes permettant de raliser des montages sans ncessiter l'ajout de composants externes Son botier est un DIL (Dual In Line) de 2x9 pattes. (Figure 6.2) Ses principales caractristiques sont : Sa consommation d'nergie est faible ( 0,1 microampres) en mode veille. Horloge de surveillance de faible courant 2.1 pA Dmarrage deux vitesses d'oscillateur

94

Oscillateur Timerl : 1.1 uA, 32 kHz, 2 V Une, deux ou quatre sorties de PWM Grand choix de tension d'opration : 2.0 V 5.5 V

Toutes ces caractristiques le rendent bien adapt pour la gestion de l'nergie lectrique, instruments de mesure, surveillance de l'environnement, les tlcommunications et les applications de vido. [20] PIC 18F1220 est capable de gnrer un signal MLI pour commander le convertisseur DCDC.

RA0/AN0 RA1/AN1/LVDIN RA4/T0CKI MCLR/VPP/RA5 VSS/AVSS RA2/AN2A/REF RA3/AN3/VREF+ RB0/AN4/INT0 RB1/AN5/TX/ CK./INT1

KJ
2 3 4

18 17

J 3

RB3/CCP1/PIA RB2/P1B/INT2 OSC1/CLKI/RA7 OSC2/CLKO/RA6


VDC/AVDD

c c

o
CM

16 J 15 J 14 13 12 11 10

X
U. 00
T

c5 c6 c7 c8 \z 9

J J 1 J J

O .

RB7/PGD/T10SI/ P1D/KBI3 RB6/PGC/T10SO/ T13CK1/P1C/KBI2 RB5/PGM/KBI1 RB4/AN6/RX/ DT/KBI0

Figure 6.2 : Vue des entres du microcontrleur PIC 18fl220.

95

D J U B'jsg^

JTabi* P f i y <;>

Data _tc*i 4 * E 3 HA VANIXVDtN Addressj*


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13 mWIWM>
\ 1 3 RA3AN3VK*'* ^RA4'T0CKi
3 MCL4V'RA5">

, IT ,

!
| ~3CK,th =>j ROM Latch [

5 3 OSC2.CLKO'HAe m

IfSosca^cuuflMT"'

6!^ WBWIMWITD 4 i^itrueton b; instruct on C*coo> & Centre |5? )RBT AN5. ; TK*CKJ1NT1 . r | ^ R B r ; P t B / hT2 PROCtJ C R C D L I

T7T7T
OSC ! ' ^ P*Bg*MP Generation INTRC Oscatc Ojciifatcr :3=C Stjir:up Timr Powerw MMoNng Brown<xsl R*s*S PadSafe Clock Wanwr Precision

* *

T >? | R B 3 ' C C P T ^ * T *

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TtOSI O T1O90 E<J

4*

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^R8*!GC,T^OSO' TtaCKI^IC'KBn 'EJRBT.'PGOriOS^'

btGeoul Vcc. Voa [ x ]

A0 Ccrvere*

3E
Da EEP=*OW

Figure 6.3 : Structure interne du PIC 18F1220.

Pour programmer le microcontrleur PIC18F1220, on a utilis le programmateur ICD2.Le programme se compile via MPLAB IDE de Microchip par l'intermdiaire d'une communication USB. Pour ce fait on a du installer le compilateur C pour PIC 18 MCU , avec les fichiers : CCSC et MPLINK
Linker.

96

Figure 6.4 Le programmateur ICD2.

Le microcontrleur utilise 4 entres pour la programmation compatible avec le Kit programmeur : -VPP/MCLR : qui est aussi utilis pour entrer le programme et le reset du programme (redmarrer la mmoire) -PGD (PORTB7): Program data -PGC (PORTB6): Program clock -Masse

6.2 Implantation du systme de commande dans le PIC


L'algorithme de recherche du point de fonctionnement puissance maximale (MPPT) a t implant dans le microcontrleur PIC 18H220. Le diagramme fonctionnel de la figure 6.5 montre les diffrentes fonctions de l'algorithme MPPT. Les signaux IPV et Vn, sont filtrs et ensuite multiplis pour obtenir la valeur de la puissance moyenne . Le bloc suivant calcule la drive base sur la variation de puissance en fonction de la tension. Le signal alpha est gnr en fonction de la drive et H. Enfin le signal alpha est intgr pour produire le signal PWM pour le convertisseur cc-cc.

97

<Hrt
: : : ;

#
tite

r*ji

H Timer 4

r ^
n*ex

:
ic

.
1
PPWMOrdet

Figure 6.5 Diagramme fonctionnel de l'algorithme MPPT implant sur le PIC.

Les dtails du programme bas sur la mthode Perturbation et Observation ( P&O) [5] sont dcrits l'Annexe 2.
F** EAt Vimm Pioject Oetowgox Pttxp*tr>m& Tooh Contint* Wirtd* Http

; D s* tt ! ' %

3 * * H t ]

Rete. u i B f t t t

# fi fl B

Checksum:

0*7r?t

SemM^Jm}a>.l
D e a n OeMrtedfcte *CVJfs\*<rten?X)efl(top^f09ri5Tin<e\f,epK:i5* Ctean I ^ * e * d fl "C V.'**rsU&)tofi*C^sKkt^C^rtffimeVSohiafTBC 18 co** O H M OmWsisWM X 3 f c * u t o m m 0 P m b t i f o i o g m f m m m i m i m m T ! l $ * m f . Clean OeteOfcl*?"C V i efs\5o*s**y3eskp^pXT3;afwre\O5nCi g rocs' Clean Dont Ewso*pg 'Csptoqtom FH&> (x86]W^ochp^p*&tl8V/3 3? OfffHnVrtccTSew" p tPim**pte4 MXAF CIS 3 ^ 7 t l teviuB3.o*} n p y i ijl>t 200G2013 HicjTQi.,p T e c a t o o ^ y I n c My riRir*9 Rt * i vXu*i i<.*i lw*co*>es; f e a t u r e t i e i t w d 55 HPIWE 4 S$ U t m m Copvxigfci <c^ l^VS^CiO M i c r o c h i p Tec&aoiogv l a c . Errer* 0 KP2HEX 4 38 COfT t o JDSX F i l C o r a n t * r ' o p y r i ^ i t <c> l ' * a 8 2 6 i 8 H i c c h i p TecKsolc/ c .rrc' 0

aj<<C1U>twtoi>iwii^M*ttiflti^^

cal

Reteae bu<W o p*Oi*3 C:VJ$^s\? G^^ut>*lJDev^,^<>tr'rr>rn*^t*or^&C18 mep* (jcc**dd LaiQiiace oolvet stem mpirk e*e \ t i 38 rnccl 8 e.*s v3 37.01 M o n A p r l ! 141553 2011 BUH.D S U C C F E O t D IM If r vdj

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".
rmil.ii.u.nrr.i.ni...

Figure 6.6 Vue de la programmation du PIC.

98

Variables globales Ces variables sont celles qui sont actives pendant toute l'excution du programme Fonction de conversion du courant Pour la conversion du courant nous dclarons 3 variables :
low_intensity. high_intensity,high_total_intensity,

Nous effectuons un petit retard pour mieux acqurir l'intensit du GPV et convertir la valeur du courant la tension de rfrence du pic, en configurant le registre ADCONO du PIC 18F1220. En premier nous chargeons le registre avec la valeur 0x07 pour initialiser la conversion. La conversion est termine lorsque le registre prend la valeur 0x05. Les valeurs de conversion sont mmorises automatiquement dans les registres ADRESH et ADRESL. Le rsultat final de la conversion est enregistr dans la variable i n t e n s i t y c o n v e r t e d appel. Fonction d'interruption du Timer 0 Le Timer 0 gnre une interruption quand il dborde. Avec cette interruption nous activons la variable H qui indique la fin du Timer 0. Nous initialisons le drapeau d'interruption 0 et nous arrtons le Timer 0. Fonction de configuration des registres du PIC C'est la fonction d'initialisation de tous les registres du PIC pour assurer le bon fonctionnement du systme. o nous avons les 10 bits de la conversion qui est le rsultat renvoy de la fonction intensidad ( ) aprs son

99 Fonction de conversion de la tension La conversion de la tension du GPV s'effectue de faon identique la conversion du courant .La conversion sur le canal 1 est initie par la configuration du registre ADCONO du PIC. Fonction de calcul de la valeur de la puissance Aprs avoir obtenue les valeurs converties de la tension et du courant, nous calculons ensuite la valeur de la puissance en faisant le produit de ces deux variables. Ceci est ralis l'aide de la fonction
v o l t a g e ( ) et i n t e n s i t y ( ) .

power_calculation( ) qui fait appel aux fonctions:

Fonction de calcul de la puissance moyenne Une fois la valeur de la puissance obtenue nous effectuons le calcul de la puissance moyenne partir de plusieurs chantillons de puissance. Fonction de calcul de la drive En ayant la puissance moyenne, nous pouvons maintenant dfinir le signe de la drive de cette puissance grce la fonction derived_power ( ) . La mthode de cette fonction consiste comparer deux valeurs de puissance moyenne : la valeur ancienne et la valeur qui vient d'tre calcule. Si la drive est positive nous mettons le bit RBO du port de sortie B 1 Par contre Si elle est ngative nous le mettons 0 . Programme principal MPPT Le programme de l'algorithme MPPT se trouve dans programme principal main ( ) qui fait appel la fonction set records ( ) .

100

Rsum
Dans notre programme avons besoin de dterminer en permanence la drive de la puissance fournie par le module PV pour savoir si nous nous approchons ou nous nous loignons du PPM. Pour ce faire, nous devons mesurer la tension et le courant du module PV pour effectuer la multiplication. Pour obtenir une bonne valeur de la puissance moyenne nous effectuons plusieurs chantillons de la puissance instantanne. Pour chercher le point de puissance maximale, nous comparons un point de puissance (P2) mesur l'instant (t) avec un point de puissance (PI) mesur l'instant (t-l). Si P1<P2, la drive est positive, cela signifie que nous rapprochons du point de puissance maximal. Si la drive de puissance est ngative, cela veut dire que nous avons dpass le point de puissance maximale. Pour viter de perdre le point de puissance maximale, lors de changements brutaux d'clairement et lors des transitoires du convertisseur SEPIC, l'algorithme de recherche inverse le sens de poursuite si un certain temps s'est coul aprs le dernier changement. Ce temps est fix pralablement une valeur constante. Si le signe de la drive de puissance est positif, le sens de poursuite reste inchang. Si les deux conditions Timer 0 coul et drive ngative sont runies, le sens de poursuite est automatiquement invers (paramtre alpha). Ce temps d'attente est effectu l'aide du Timer 0 qui gnre une interruption lorsque celui ci dborde modifiant ainsi la valeur de la variable H.

101

6.3
6.3.1

Montage du systme photovoltaque complet


Partie Commande

a) TS555 Le TS555 (voir Annexe 3) est couramment utilis pour gnrer des impulsions de synchronisation prcises. Il s'agit d'un Timer IC 8 broches et a principalement deux modes de fonctionnement: monostable et astable. En mode astable, la frquence et le rapport cyclique sont commands par deux rsistances externes RA = IK et RH = 2.5K et un condensateur C=l nF. Avec ces valeurs on obtient un signal triangulaire de 250 kHZ et un rapport cyclique de 0.41. La frquence et le rapport cyclique sont donns par les relations suivantes :
.49

Frquence

F.i

(R A +2xR B )xC R, R A +2xR B

(6.1)

Rapport cyclique :

D=

(6.2)

+Vcc M IK
C7
1r,F

.._
^ s

DSCHO M 2KB CV RST THF TRG VCC

OUT

RESET 2 TRIG

Vc

1
5

?-RA

DISCH-

<Z1Hr

CB

a O

THRES' 6 ' - * 3 ;OUT GND CONT rr C2

7 :RB ' Cl LM311

C 9
0 1uF

J_

Figure 6.7 : Schma du TS555.

102

Le signal triangulaire est compris entre xVcc = 1.67V et x Vcc = 3.W . (Figure 6.15)

b) LM311

Le LM311 (voir annexe 3), est un comparateur de tension utilis pour comparer le signal triangulaire 250 kHZ du TS555 avec le signal de la PIN RB1 du PIC18F1220.Le signal de sortie (PIN 7) est un signal MLI contrl par le signal de consigne provenant du PIC18F1220. (Figure 6.8)

Vcc Q Vcc Q R1 1K

R3

CZ>
Signal alpha

T 500k

T
I

US C5 1uF RS A A A 1K LM311

r~~>
Hz

MU Commande

Figure 6.8 : Schma du modulateur MLI utilisant le LM311.

c) PIC18F1220

La figure

6.9

illustre le circuit interne du PIC18F1220. Il est constitu essentiellement des

composants suivants :

Un Quartz 20 MHz avec deux condensateurs non polariss 15 pF Un bouton poussoir et une rsistance, pour la mise en place d'une commande de Reset. Une alimentation de 5 Volts (Vdd) Un connecteur externe pour la programmation du PIC

103

rTrOi
Figure 6.9 : Circuit externe du PIC 18F1220.

Ul T __1_ " 100nF

ANO AMI RA4 MC LC 8*wre

FSH

if

" i c,

RB2 OSC1 0SC2

Vt
VSS RA2 RA3 POC FB5 S'OO f lOOrtF

SW1

Signal a l p h a

<z>

RB1

J-*
TIC i t t l l l
jOVcc

Vcc MU CommjM C10 1uF SW P U S H B U T T O N

Vcc

-=>
Signt a l p h a

C^>j50l<

>
< CS 1K

R1
1K

I.

D5CHO

OUT

M U CommarnJt

M 2H.

J=i
Vcc | O 1F

CV SST TU? TRG

1
>jfte;

DflCmrtt N u m b * '

Satutday. M a r Q 7 . 2 0 1 1

)5h<t

3t

Figure 6.10 : Vue d'ensemble de la partie commande.

104

6.3.2 Partie alimentation Le fonctionnement du circuit de commande exige une tension d'alimentation de 5V. On a ralis une alimentation dcoupage base du rgulateur LT 1373 qui est un convertisseur DC-DC du type SEPIC (figure 6.11)

VCC 5V

Figure 6.11 : Structure du bloc d'alimentation 5V.

6.3.3 Partie puissance Le circuit de puissance est constitu du panneau solaire, du convertisseur SEPIC ncessaire pour la rgulation de la tension et de la batterie, (une partiellement charge et Fautre presque dcharge) pour montrer la diffrence de charge.

105 a) Convertisseur SEPIC Le dimensionnement du SEPIC dpend des contraintes imposes par le panneau solaire et la batterie. La source d'nergie (le panneau solaire) peut fournir un courant continu allant jusqu' 3.25 A et une tension vide de 21.2V . Le convertisseur SEPIC est compos de : -Un condensateur Cin=Cout dont la capacit est 440uF (quation 2.9), branch aux bornes du module pour filtrer la tension d'entre du hacheur et diminuer les ondulations d'entre. -Un condensateur de couplage dont la capacit est de lOuF (quation 2.11). L'application de l'quation 2.7 dveloppe dans le deuxime chapitre permet de choisir la valeur de l'inductance : Ll=L2=47uH -Une MOSFET IRL2505 (voir annexe 3). Son organe de commande est la Gate (G) Celle-ci n'a besoin que d'une tension entre la grille et la source pour contrler le courant entre la source et le drain. C'est un dispositif robuste qui possde Une tension maximale directe Vdss=55V, Un courant direct maximal Id max= 104A. Une rsistance l'tat passant Rds (ON) =0.008 Q . une vitesse de commutation rapide avec une dissipation d'environ 200 W max. Il est caractris par :

b) MAX4172

Le MAX4172 (voir annexe 3). est un capteur de courant qui fonctionne avec une rsistance de dtection externe qui fixe la gamme de courant .La sortie du MAX4172 (qui reprsente Ipv) est reli directement la pin AN1 du PIC 18F1220. (Figure 6.12).

106 Vsense 100Q

Avec : lout = Et R=0.05Q


o

(6.3)

RSEHSE 50mQ

VVVy
RS. V+ K

MAX4172 2

K |03

C10 100nF

AAAX\/V\
MAX4172

RM

OI U
GNP

=!= X
101'

>ROUT

>

tp"

Figure 6.12 Vue d'ensemble du capteur de courant MAX4172.

c) TC4420

Le TC4420 (HIGHSPEED DRIVERS) (voir annexe 3) est capable de dbiter le courant ncessaire pour piloter le MOSFET (Figure 6.13), Il est command l'entre 2 par le LM311.

U1

TC4420 Vcc

VDD OP O BP
C11

i
HI
0,1uF

$"'
C4 0.1uF
O.1MF

if:

r r o.itiF

INPUT o

t>

TT
V

O OUTPUT

C O

0.1 uF

R2
1K

:>
MLI commande

/ p C L = 2S00pF

Figure 6.13 : Vue d'ensemble du driver TC4420.

107

Figure 6.14 : Vue d'ensemble de la partie puissance.

108

6.4

Rsultats e x p r i m e n t a u x du m o n t a g e

IL

E Trig'.

M Pos: 0.000s

CURSEURS Type

A \ y/ \ /

A \/

V
jfej^t&fj^

\/
(F^WWP,

\J

Source

lfal!fei ti ?

ff!;*

i::

H2 2.00'..

M2.50JJS 27Avr11 21:08

Figure 6.15 : Capture de l'oscilloscope pour la sortie du TS555 (en haut pin 26, en bas pin3).

Tek

JL

a Trig'd

M Pos: 0.000s

AUTOSET

Tek

JL

fm'd

M Pos: 0.000s

AUTOSET CHI Mov T

:,~'

fl

f
:
, F 'i

r^v^'f^y v
: M 2.50 AS 2 7 A v r H 22:05

As
Annuler Config. auto.

K,
,.

AAAvAA/
Annuler Config. auto. M 2.50 JJS 2 7 A v r H 22:05

'

Figure 6.16 : Capture de l'oscilloscope pour la sortie de lapin 7 LM311 (gauche signal de consigne faible, droite signal fort du PIC 18F1220).

109

a) RESULTATS 1

Une srie de tests a t effectue pour tester le bon fonctionnement du systme complet et vrifier la fiabilit du dispositif MPPT. Pour cela, dans un premier temps des essais ont t raliss sans rgulateur MPPT (branchement directe du panneau sur la batterie). (Figure 6.17) et (Figure 6.18). La fiabilit du dispositif est juge partir de la comparaison des rsultats de la puissance optimale et maximise par MPPT.
Tek Exc. M 200ns Auto

E* j ? 4
Ch2 efficace 1.35 A
^ ^ j . v . . . > ^ H ; > ; ; . T 4 ^ ^ v . ^ ^ : , K . > ; . H ^ r i M a t h efficace

C h i efficace 12.7 V

E R ;
;2

17.10 W

:
: ?

:
: : :

:
:

:::
: : :

:
: :

Ch1|

10.0V

:Cri2| 20.0 W

2.00 A Q i ZjlO.Onsi

Al C h i

13.4V 13 Mai 2011 14:20:32

ESE0B3

10.0ns i l l > 0.00000 s

Figure 6.17 Relevs exprimentaux de la recharge de la batterie 1.

110
Tek Exc. M 200ns Auto

II

E D
,... _ . , *
Ch i efficace 12.3 V

ID

Ch2 efficace .31 A

: M a t h efficace 15.90 W

la'

ff.

'

|Ch2! I^EtlE ; 20JfJW

2.00 Q |Z| 10.0ns, A) C h ! J 10.0ns i i '* 10.00000 S ~"

13.4 V 13 Mai 2011 14:30:56

Figure 6.18 Relevs exprimentaux de la recharge de la Batterie 2.

b) RSULTATS 2 L'ensoleillement dpend des quatre saisons, du temps de la journe (matin ou soir) et de la nature de ciel (clair, nuageux). Pour la date de 13 mai 2011 (printemps) le ciel est nuageux. L'ensoleillement prend alors une valeur maximale de 650 W/m2 et une valeur minimale de 123 W/m2 16h. Le niveau d'clairement baisse brutalement a cause de nuages de passage ce qui nous permettra de test le fonctionnement de la commande MPPT. (Figure 6.19). Les relevs de puissance provenant de l'essai de la commande MPPT montrs dans la figure suivante.

Ill
Tek Exc Dclench

Chi efficace H. i V Ch2 efficace 1.51 A Math efficace 21.OS W

Chi] E5ET1S

Ch2| 500mA <> M| 100U.S _ 10.0 W

ALChl /

21.4 V 13 Mai 2011 14:06:05

100US I I 'jO.00000 S

Tek Exec.

M lOOps

Dclench

a
rn *
i;'..,< > j | ^ > * } t 4 ^ \ * : : I : : :

15.9 V Ch2 efficace 1.19 A Math efficace 18.95 W

!'.

: : : : :

: :

: :;:

! :

: : :

: : :

: :

:<:ii2[ somA;, 10.OW 4.00US

Z4.oous

A ? f

21.4 v 13 Mai 2011 14:08:50

ii>|o.ooooos

Figure 6.19 : Raction de la commande pendant les fluctuations de l'ensoleillement (430W/m 2 (en haut) jusqu'

360W/m2(en bas))

112

6.5 Discussion
Comparaison du rendement nergtique optimal et obtenu par MPPT D'aprs les releves de l'oscilloscope on trouve une puissance maximale Pmppt= 21.08W pour une irradiation de 430 W/m2. On remarque aussi que la commande ragit bien au changement brusque d'clairement avec une Pmppt= 18.95 W pour une irradiation de G=360 W/m2 ce qui correspond la puissance maximale. Nous avons alors un rendement de 98.92%. En comparant aux mesures et simulations des chapitres 4 et 5, on peut conclure que le fonctionnement du dispositif MPPT et de l'ensemble du systme de test est correct.

Comparaison de rendement nergtique avec et sans MPPT Lorsqu'on connecte un panneau solaire de 51 watts prvu pour une utilisation en 12 V, le GPV produit souvent une tension suprieure celle de la batterie. Cette dernire impose sa tension au panneau .Avec une commande MPPT, la puissance drive la batterie est gale 14.1 V x 1.51 A = 21.08 W, ce qui reprsente 98 % de la puissance maximale que le panneau solaire peut fournir dans ces conditions. Dans le cas de la recharge par connexion directe, on trouve 12.7 V x 1.31 A = 17.10 W avec la batterie nl( 80.41 % de la puissance maximale) et 12.3 V x 1.31 A = 15.90 W avec la batterie n2 (74.61% de la puissance maximale). La commande MPPT du convertisseur SEPIC a permis donc un gain de puissance d'environ 24 %.

113

6.7 Conclusion
Les pertes de puissance dans la chane de conversion sont ngligeables par rapport la puissance lectrique prleve sur le panneau solaire. La puissance lectrique fournie la batterie sera donc approximativement gale la puissance gnre par le GPV. Avec une commande MPPT, le gnrateur PV peut fonctionner sur sa courbe de puissance lectrique optimale sur toute la plage de variation d'clairement et de temprature.

114

115

CONCLUSION GNRALE
Le travail prsent dans ce mmoire traite de la modlisation et de l'optimisation d'un gnrateur photovoltaque fonctionnant avec un convertisseur SEPIC pour la recharge d'une batterie. Ce convertisseur prsente l'avantage d'tre un lvateur et abaisseur de tension ce qui permet ce systme de s'adapter aux changements mtorologiques et pour extraire le maximum de puissance disponible. En dbut et en fin de journe, lorsque la tension du panneau solaire est infrieure la tension de la batterie, le convertisseur SEPIC, permet de rcuprer un peu d'nergie supplmentaire pour assurer la recharge de la batterie. L'tude bibliographique sur les gnrateurs photovoltaques nous a permis de bien comprendre le fonctionnement de la cellule photovoltaque et l'application des modules photovoltaques dans la production de l'lectricit. Des mesures ralises dans les conditions relles en utilisant le panneau solaire KYOCERA LA361G51 ont permis de dterminer les caractristiques I-V et P-V du panneau. Un modle dtaill Simulink a t dvelopp pour reprsenter les principales caractristiques du panneau PV. Ce modle a t valid en comparant les rsultats de simulation avec les mesures exprimentales. L'tude du systme gnrateur PV complet incluant le panneau PV, le convertisseur SEPIC et le systme de commande a t ralise l'aide d'un modle Simulink. La simulation du systme a t effectue en dtails et en plusieurs tapes pour bien illustrer le fonctionnement du gnrateur photovoltaque et son comportement face la batterie avec ou sans convertisseur de puissance. Les rsultats de la simulation ont dmontr l'intrt d'un dispositif de recherche de la puissance maximale. La mthode P&O (perturbation and observation) a t choisi pour implanter un algorithme de poursuite du point de fonctionnement puissance maximale du panneau PV (MPPT).

116 Un montage exprimental du systme gnrateur PV a t ralis pour valider les rsultats obtenus par simulation. Le microcontrleur PIC 18F1220 est utilis pour assurer la commande de l'ensemble et pour implanter l'algorithme MPPT. Les rsultats exprimentaux obtenus dmontrent l'efficacit du convertisseur SEPIC et de l'algorithme de poursuite du point de fonctionnement puissance maximale dans l'optimisation de la performance du systme PV tudi. Par rapport un chargeur PV classique, le systme MPPT peut apporter un gain de puissance de 20 45 % en hiver et jusqu' 15 % en t. Une des perspectives intressantes cette tude serait le couplage du panneau PV avec l'olienne et la pile combustible dans le but de raliser une micro-centrale multi-sources.

117

BIBLIOGRAPHIE:
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118

[15] T. Esram, P. L. Chapman. "Comparison of photovoltaic array maximum power point tracking techniques", IEEE Transactions On. Energy Conversion, Vol. 22, pp. 439- 449, Jun. 2007. [16] N. Femia, G. Ptrone, G. Spagnuolo and M. Vitelli, "Optimization of Perturb and Observe Maximum Power Point Tracking Method", IEEE Transactions On Power Electronics, Vol.20, No. 4, pp. 16-19, Mar. 2004. [17] Ulan Glasner, Joseph Appelbaum, Tel-Aviv University, Faculty of Engineering, Dept. of Electrical Engineering - Systems, Tel-Aviv 69978, ISRAEL " Advantage of boost vs. buck topology for maximum power point tracker in photovoltaic systems" pp. 355-358 ,1996- IEEE. [18] R. Leyva, I. Queinnec, C. Alonso, A . Cid-Pastor, D. Lagrange and L. Martinez-Salamero, "MPPT of photovoltaique systme using extremum-seeking control" IEEE Transactions On Aerospace and Electronic Systems, Vol. 42, No. 1, pp. 249-258, Jan 2006 [19] Documentation Bruxelles environnement (IBGE) Institut bruxellois pour la gestion de l'environnement, :1e photovoltaque facteurs influant la production. Novembre 2010. [20] Microchip TechnologyPIC18Fl220/1320 Datasheet. [21] http://fr.wikipedia.org/. [22] LAAS-CNRS laboratoire d'analyse et d'architecture des systmes Universit de Toulouse et Centre national de la recherche scientifique France. Dveloppement des techniques de recherche de la puissance maximale, 2008.

119

ANNEXES
ANNEXE 1
Programme Matlab/ Simulink du fonctionnement du panneau solaire
^parameters of panel for I-V model Iscn = 3.25; Vocn = 21.2; Imp == 3.02; Vmp = 16.9; Pmax e = Vmp* I mp; Kv = -0.123; Ki = 3.18e-3; Ns = 36; %% SEPIC parameters Rc = 0.0050; RL =(3.0800; LI = 47e-06; L2 = 47e-06; C i n = 440e-06; Cs = 10e-06; Cot = 440e-06; %Nominal short-circuit voltage [A] INominal array open-circuit voltage [V] %Array current @ maximum power point [A] %Array voltage @ maximum power point [V] %Array maximum output peak power [W] %Voltage/temperature coefficient [V/K] ^Current/temperature coefficient [A/K] %Nunber of series cells

%% Array with Nss x Npp modules Nss = 1; Npp = 1; %% Constants k = 1.3806503e-23; q = 1.60217646e-19; a = 1.3; %% Nominal values Gn = 1000; Tn = 25 + 273.15; % Nominal irradiance [W/mA2] @ 25oC % Nominal operating temperature [K] %Boltzmann [J/K] %Electron charge [C] %Diode constant

%% Adjusting algorithm % The model is adjusted at the nominal condition T = Tn; G = Gn; Vtn = k * Tn / q; Vt = k * T / q; temperature) Ion = Iscn/(exp(Vocn/a/Ns/Vtn)-1); %Thermal junction voltage (nominal) %Thermal junction voltage (current % Nominal diode saturation current

120

Io = Ion; % Reference values of Rs and Rp Rs_max = (Vocn - V m p ) / Imp; Rp_min = Vmp/(Iscn-Imp) - Rs_max; % Initial guesses of Rp and Rs Rp = Rp_min; Rs = 0 ; _ toi = 0.001; % Power mismatch Tolerance P=[0]; error = Inf; %dummy value % Iterative process for Rs and Rp until Pmax,model = Pmax,experimental while % (error>tol)

Temperature and irradiation effect on the current % Nominal light-generated current % Actual light-generated current % Actual short-circuit current

dT = T-Tn; Ipvn = (Rs+Rp)/Rp * Iscn; Ipv = (Ipvn + Ki*dT) *G/Gn; Isc = (Iscn + Ki*dT) *G/Gn; % Increments Rs Rs = Rs + .01;

% Parallel resistance Rp = Vmp*(Vmp+Imp*Rs)/(Vmp*Ipv-Vmp*Io*exp((Vmp+Imp*Rs)/Vt/Ns/a)+Vmp*Io-Pmax_e); % Solving the I-V equation for several clear V clear I V = 0:.1:35; I = zeros(1,size(V,2)); (V,I) pairs

% Voltage vector % Current vector

for j = 1 : size(V,2) %Calculates for all voltage values % Solves g = I - f ( I , V ) =0 with Newntonn-Raphson

g(j) = Ipv-Io*(exp((V(j)+I(j)*Rs)/Vt/Ns/a)-l)-(V(j)+I(j)*Rs)/Rp-I(j); while (abs(g(j)) > 0.001)

g(j) = Ipv-Io*(exp((V(j)+I(j)*Rs)/Vt/Ns/a)-1)-(V(j)+1(j)*Rs)/Rp-I(j); glin(j) = -Io*Rs/Vt/Ns/a*exp((V(j)+I(j)*Rs)/Vt/Ns/a)-Rs/Rp-1; I_(j) = I(j) - g(j)/glin(j); I(j ) = I (j ) ;

121
end end I for j = 1 : size(V,2) plott = 1; %Enables plotting during the algorithm execution if (plott) %Plots the I-V and P-V curves %Current x Voltage figure ( 1) grid on hold on title('I-V curve - Adjusting Rs and Rp'); xlabel('V [V]'); ylabeK'I [A]'); xlim([0 Vocn+1]); ylim([0 Iscn+1]); %Plots I x V curve plot(V,I,'LineWidth',2,'Color','k') %Plots the "remarkable points" on the I x V curve plot ( [0 Vmp Vocn], [Iscn Imp 0], 'o', 'LineWidth',2, 'MarkerSize',5, 'Color', 'k') %Power x Voltage figure(2) grid on hold on title('P-V curve - Adjusting peak power'); xlabel('V [V]'); ylabel('P [W]'); xlim([0 Vocn+1]) ylim([0 Vmp*Imp+l]); end % if(plott) % Calculates power using the I-V equation P = (Ipv-Io*(exp((V+I.*Rs)/Vt/Ns/a)-l)-(V+I.*Rs)/Rp)-*V;

Pmax_m = max(P); error = (Pmax_m-Pmax_e) ; if (plott) %Plots P x V curve plot(V, P, 'LineWidth',2, 'Color', 'k') %Plots the "remarkable points" on the power curve plot([0 Vmp Vocn],[0 Vmp*Imp 0],'o','LineWidth',2,'MarkerSize',5,'Color','k') end % if (plott)

122

end % while (error>tol)

%% Outputs % I-V curve figure(3) grid on hold on title('Adjusted I-V curve'); xlabel("V [V]'); ylabel('I [A]'); xlim([0 Vocn+1]); ylim([0 Iscn+1]); plot(V, I, 'LineWidth',2, 'Color', 'k') % plot([0 Vmp Vocn ], (Iscn Imp 0 ],'o','LineWidth',2, 'MarkerSize',5, 'Color','k') % P-V curve figure (4) grid on hold on title('Adjusted P-V curve'); xlabel('V [V]'); ylabel('P [W] ') ; xlim([0 Vocn+1]); ylim([0 Vmp*Imp+l]); plot(V,P, 'LineWidth',2, 'Color', 'k' ) % plot([0 Vmp Vocn ], [0 Pmax e 0 ], 'o', 'LineWidth',2, 'MarkerSize',5, 'Color', 'k') disp disp disp disp disp disp disp disp disp disp disp disp disp disp disp disp sprintf( Model info:\n')); sprintf( Rp min = 9- f ,Rp min)); sprintf( " Rp = 9- f ,Rp)); o1 sprintf( Rs max = S f ' ,Rs max)); sprintf( Rs = %f ',Rs)) ; sprintf( a = %f ',a)); sprintf( T = 9- Xf ',T-273.15)); sprintf( G = o 1 ,G)); sprintf( Pmax,m = % Lf (model)',Pmax m) ); a sprintf( Pmax,e = : I (experimental)', Pmax e)) sprintf( toi = %f ',tol)); sprintf( P error = %f ',error)); sprintf( Ipv = %f ',Ipv)); sprintf( Isc = O. f I ,Isc)); sprintf( Ion = ti I ,Ion)); sprint f( \n\n'));
SD

123

ANNEXE 2
Programme en C de la commande MPPT pour le PIC 18F1220
//librairies ncessaires pour le bon fonctionnement du programme include <pl8fl220.h> #include <stdio.h> #include <math.h> #pragma config WDT = OFF //Variables globales int i,H ; unsigned unsigned unsigned unsigned unsigned unsigned int high_voltage,voltage_converted,high_voltage_total; char derived_pot,low_voltage,low_intensity; int high_intensity,intensity_converted; int high_total_intensity,voltage_panel; long power,old_power,total_power; int m ;

//Fonction de conversion du courant unsigned int intensity (void)

high_intensity=0; high_total_intensity=0; low_intensity=0; for (i=0;i<l;i++)

{ } { }

ADCON0=0x05; for (i=0;i<10;i++)

ADCON0=0x07 ; while (ADCON0!=0x05) high_intensity=ADRESH; high_intensity_total=high_intensity<<8; low_intensity=ADRESL; intensity_converted=high_total_intensity+low_intensity; return(intensity_converted);

{ }

// Fonction d'interruption du Timer 0 : void traiteIT(void); #pragma code it=0x08 void saut_sur spIT(void)

_asm goto traiteIT endasm

124

}
#pragma code #pragma interrupt traiteIT void traiteIT(void)

{ {

if

(INTCONbits.TMROIF)

INTCONbitS.TMR0IF=0; H=l; TOCONbits.TMR0ON=0;

//Fonction de configuration des registres du PIC void set_records (void)

i=0; m=0; H=l; power=0; old_power=0; ADRESH=0x00; ADRESL=0x00; INTCONbitS.TMR0IE=1; INTCONbitS.GIEH=1; INTCONbitS.TMR0IF=0; INTCON2=0x00; INTCON3=0x00; PIRl=OxOO; PIEl=0x00; IPRl=0x00; PIR2=0x00; PIE2=0x00; IPR2=0x00; RCON=0x00; T0CON=0x46; //Conversion ADCONl=0x7C; ADCON2=0x92; PORTA=0x00 TRISA=0x03 PORTB=0x00 TRISB=0x00 //Fonction de conversion de la tension unsigned int tension (void) high_voltage=0; high_voltage_total=0; low_voltage=0; for (i=0;i<l;i++) analogique-numrique

{
ADCON0=0x01;

125
for (i=0;i<10;i++)

{ }
ADCON0=0x03; while (ADCON0!=0x01)

{ }

high_voltage=ADRESH; high_voltage_total=high_voltage<<8; low_voltage=ADRESL; voltage_converted=high_voltage_total+low_voltage; return (voltage_converted);

} {

//Fonction de calcul de la valeur de la puissance unsigned long powercalculation (void) unsigned int x,y; x=voltage(); y=intensity(); total_power= x * y; return (total_power);

//Fonction de calcul de la puissance moyenne unsigned long average_power (void)

{
unsigned long total_average_power,sampling_P,c_power; total_average_power=0; sampling_P=0; c_power=0; for (m=0;m<8;m++)

c_power=power_calculation(); sampling_P=sampling_P+c_power;

} } {

total_average_power=sampling_P>>3; return (total_average_power); //Fonction de calcul de la drive unsigned char derived_power (void) unsigned char derived; power = average_power(); if (power>old_power)

{ } { }

derived=l; PORTBbits.RB0=l; else derived=0; PORTBbits.RB0=0; powerold = power; return (derived);

126

I
//Programme principal MPPT// void main()

{
set_records(); voltage_panel=voltage(); if (voltage_panel<0x2B9) PORTBbits.RBl=l; } else PORTBbits.RB1=0; while(1) derived_pot = derived_power(); if ((derived_pot==l)&&(PORTBbits.RB1 = = 1) ) PORTBbits.RB1=1; else if if

//alpha

{ } { { }

((derived_pot==0)&&(PORTBbits.RB1==1))

{ { {

(H==0)

PORTBbits.RB1=1; else PORTBbits.RB1=0, H = 0; T0CONbits.TMR0ON=l;

else if

} } { } { { } {

((derived_pot==l)&&(PORTBbits.RB1==0))

PORTBbits.RB1=0; else if if ((derived_pot==0)&&(PORTBbits.RB1==0))

(H==0)

PORTBbits.RB1=0; else PORTBbits.RB1=1; H=0; TOCONbits.TMR0ON=l;

else

} }

{ } }
\

127

ANNEXE 3
Dtails du PIC 18F1220

PIC18F1220/1320
24.2 Package Details
The following sections give the technical details of the packages

13-Lead Plastic Dual In-Line (P) - 300 m i l B o d y [PDIP]


Not: For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at http://vvww microchip com, packaging

r^ f \ r"i r"i ^ rh 1*1 r"i


NOTE1

\it h ? v w " y v y v y r
1 2 3 D

E1

-E T3 \

t t

L t-1

A1

I
Units Dimension Limits N e A A2 At E E1 D L c b1 b eB INCHES NOM 18 I00BSC 115 015 eBMIN

_w*-~

MAX

Number of Pns Pilch Top to Seating Plane Molded Package Thickness Base to Se3tmg Plane Shoulder lo Shoulder Width Molded Package Width Overall Length Tip to Seating Ptar.e Lead Thickness Upper Lead Width Lower Lead Width Overall Row Spacing
Notes: 2 3 Significant Characteristic

1 30

.210 195

300
240 880

310 250 900 130 010 060 018

325 280 920 I5C 014 070 022 430

115
008 046
J14

1. P m 1 v s u a l index feature may Jary, but must be located wftfun the hatched area_ Dimensions D a n d E l do not ;nciude mold flash or protrusions Mold flash ot protrusions shaM not exceed 010" per side. BSC Basic Dimension Theoretically exact value shown without tolerances Mtcrochip Technology Drawing C04-0O7B

1 Dimensioning and tolerancm per A S M E Y14 5 M

DS39605F-page 286

t 2007 Micioch-p Technology Inc

128

PIC18F1220/1320
1.3 Details on Individual Family Members
A block diagram of the PIC 18F1220/1320 device architecture is provided in Figure 1-1 The pinouts for this device family are listed in Table 1-2. Devices in the PIC18F1220/1320 family are available in 18-pin, 20-pin and 28-pin packages. A block diagram for this device family is shown in Figure 1 -1. The devices are differentiated from each other only in the amount of on-chip Flash program memory (4 Kbytes for the PIC18F1220 device, 8 Kbytes for the PIC 18F1320 device). These and other features are summarized in Table 1-1.

T A B L E 1 -1 :

DEVICE FEATURES Features PIC18F1220 D C - 4 0 MHz 4096 2048 256 256 15 Ports A, B 4 1 Enhanced USART 7 input channels POR, BOR, RESET Instruction, Stack Full, Stack Underflow (PWRT, OST), MCLR (optional), WDT Yes Yes 75 Instructions 18-pin SDIP 18-pin SOIC 20-pin SSOP 28-pin QFN PIC18F1320 DC - 40 MHz 8192 4096 256 256 15 Ports A, B 4 1 Enhanced USART 7 input channels POR, BOR, RESET Instruction, Stack Full, Stack Underflow (PWRT, OST), MCLR (optional), WDT Yes Yes 75 Instructions 18-pin SDIP 18-pin SOIC 20-pin SSOP 28-pin QFN

Operating Frequency Program Memory {Bytes) Program Memory (Instructions) Data Memory (Bytes) Data EEPROM Memory (Bytes) Interrupt Sources I/O Ports Timers Enhanced Capture/Compare/PWM Modules Serial Communications 10-bit Analog-to-Digita! Module Resets (and Delays) Programmable Low-Voltage Detect Programmable Brown-out Reset Instruction Set Packages

129

PIC18F1220/1320
FIGURE 11: PIC18F1220/1320 BLOCK DIAGRAM

21 | Table Pointer 2 inc/dec logic

I
I

Data Bus<8

~
i

TT
8 ' Data Latch Data RAM ^RAHANTLVDIN

Si

PORTA M , RAC'ANO

<= Program Memory M


(4 Kbytes) PIC18F1220 (8 Kbytes) PIC18F1320 Data Latch 16

Address Latch

,20

PCLATUpCLATH PCU PCH PCL Program Counter 131 Le*el Stack

VrV

Address Latch

<| f ^ RA2/AN2TVHEF f ^ RA3/AN3/VREFT | M. RA4/T0CKI r^MCLRVV>=.'RA6l1l | E 3 OSC2/CLKQ/RA6(2>

TZA

.ii
| Table Latch

Decode

I
SI

K l OSC2/CLK1/RA7*2'

:>) ROM Latch

IT

PORTB M . RBG,'AN4flNT0 f ^ RB1/AN5TOC/CK/INT1

Instruction Register

1> C=
|PROOH| PROPL] ra,RB2.<P1B/INT2 rgRBa'CCP1/P1.A 4 ^ RB4/AN&RX/DT/KBI0

Instruction Decode* Contro!

TTTTT
osci' 2 ) ( ^
P

I
oweruo Timer BIT OP

8x8Mmt|t7~|

51

O==>
/ V_ALU^I7

g]RB5.'PGM(KBM M RB6/PGC/T10SQ. T13CKI/P1C/KBI2 ^RB7PGD/T10Sl' P1D/KBI3

Timing OSC2*2 ra. Generation T10Sl|3 TIOSO^ INTRC Oscillator

Oscillator Startup Timer Poweron Reset Ajtchcrj Timer

MCIR* 1 ra,
VDO, VSS

LowVoftage Programming InGrcuit Debugger

Brownout Reset FailSafe Clock Monitor

Precision Voltage Reference

TimerO

Timerl

Tmer2

Timer3

A.T3 Convener

7T

IT

Enhanced CCP

Enhanced USART

I I

1
Data EEPROM

Note

1 : RA5 is available only when the MCLR Reset is disabled 2: 0SC1. OSC2, CLKi and CLKO are only available in select oscillator modes and when these pins are not being used as digitas i/O Refe' to Section 2.0 "Oscillator Configurations" for additional information

130

Dtails du IRL2505

International IOR Rectifier


Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated

PD-91325C

IRL2505
HEXFET Power MOSFET
VDSS

= 55V

RDS(on):= 0.008D l D = 104A

Description
Fifth Generation HEXFETsfrom International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with thefast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for. provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 is universally preferred for all commercialIndustrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

Absolute Maximum Ratings


Parameter
l D @ T c = 25*C l @ T c = lOOX
IDM PD @ T C VGS EAS IAR
EAR

Max.
104 74 360 200 1.3 16 500 54 20 50 55 to + 175 300 (1 6mm from case ) 10lbf-in(1.1Nm)

Units
A W

= 25X

dv/dt
Tj TsTG

Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current 0 Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Single Pulse Avalanche Energy Avalanche Current 0 Repetitive Avalanche EnergyO Peak Diode Recovery dv/dt 3) Operating Junction and Storage Temperature Range Soldenng Temperature, for 10 seconds Mounting torque, 6-32 or M3 srew

w/*c
V mJ A
mJ

V/ns C

Thermal Res istance Parameter


Raie

Recs
RJA

Junction-to-Case Case-to-Sink, Flat. Greased Surface Juction-to-Ambient

Typ.
050

Max.
075 62

Units
C/W

131

Dtail du TS555 Internal Block Diagram

GND 0 Trigger (2}

VWV -t j

Wv\ rww VWv{)Vcc


Discharging Tr

r^y
F/F

v)Discharge H-f<)rhreshold

o^OH
Reset (4}

Vref -O

KDVoltage

.Control

*.*j

f
\ ^

10

it>5 Frcqnency(Hz)

Il

ICI

132
Dtails du LM31

&

National Semiconductor

January 2001

LM111/LM211/LM311 Voltage Comparator


1.0 General Description
The LM111, LM211 and LM311 are voltage comparators that have input currents nearly a thousand times lower than devices like the LM106 or LM710. They are also designed to operate over a wider range of supply voltages: from standard 15V op amp supplies down to the single 5V supply used for IC logic. Their output is compatible with RTL. DTL and TTL as well as MOS circuits. Further, they can drive lamps or relays, switching voltages up to 50V at currents as high as 50 mA. Both the inputs and the outputs of the LM111. LM211 or the LM311 can be isolated from system ground, and the output can drive loads referred to ground, the positive supply or the negative supply. Offset balancing and strobe capability are provided and outputs can be wire OR'ed. Although slower than the LM106 and LM710 (200 ns response time vs 40 ns) the devices are also much less prone to spurious oscilla tions. The LM111 has the same pin configuration as the LMl06andLM710. The LM211 is identical to the LM111, except that its perfor mance is specified over a 25'C to T 8 5 " C temperature range instead of 55C to +125=C. The LM311 has a temperature range of 0 C to +70"C.

2.0 Features
Operates from single 5V supply Input current: 150 nA max. over temperature Offset current: 20 nA max. over temperature Differential input voltage range: 30V Power consumption: 135 mW at 15V

3.0 Typical Applications (Note 3)


Offset Balancing Strobing

0X70437

Note: Do No! Ground Strobe Pm Output is turned ofl when current is pulled from Strobe Pin.

Increasing Input Stage Current (Note 1)

Detector for Magnetic Transducer

h
COS 70436

Note 1: Increases typical common mode slew from 7.0V/us to t8V;us.

133

Dtails du MAX 4172

LowCost, P r e c i s i o n , HighSide CurrentSense A m p l i f i e r


General Description
The MAX4172 is a lowcost, precision, highside current sense amplifier for portable PCs, telephones, and other systems where battery/DC powerline monitoring is criti cal. Highside powerline monitoring is especially useful in batterypowered systems, since it does not interfere with the battery charger's ground path. Wide bandwidth and groundsensing capability make the MAX4172 suitable for closedloop batterycharger and generalpurpose cur rentsource applications. The OV to 32V input common mode range is independent of the supply voltage, which ensures that currentsense feedback remains viable, even when connected to a battery in deep discharge. To provide a high level of flexibility, the MAX4172 func tions with an external sense resistor to set the range of load current to be monitored. It has a current output that can be converted to a groundreferred voltage with a sin gle resistor, accommodating a wide range of battery volt ages and currents An opencollector powergood output (PG) indicates when the supply voltage reaches an adequate level to guarantee proper operation of the currentsense amplifi er. The MAX4172 operates with a 3.0V to 32V supply voltage, and te available in a spacesaving. 8pin uMAX or SO package.

Features
LowCost, HighSide CurrentSense Amplifier 0.5% Typical FullScale Accuracy Over Temperature 3V to 32V Supply Operation High Accuracy +2V to +32V CommonMode Range, Functional Down to 0V, Independent of Supply Voltage 800kHz Bandwidth [VsENSE = 100mV (1C)] 200kHz Bandwidth [VsENSE = 6.25mV (C/16)] Available in SpaceSaving pM AX and SO Packages

Ordering I n f o r m a t i o n
PART MAX4172ESA+ MAX4172EUA+ TEMP. RANGE 4CPC to +85C
40C to +85 C C

PINPACKAGE 8 SO
8 LIMAX

Denotes a lead(Pb}free/RoHSconx!liant package.

Applica tions
Portable PCs: Notebooks/Subnotebooks/Palmtops BatteryPowered/Portable Equipment ClosedLoop Battery Chargers/Current Sources SmartBattery Packs Portable/Cellular Phones Portable Test/Measurement Systems Energy Management Systems

Typical O p e r a t i n g C i r c u i t
UNREGULATED DC SUPPLY 3VT032V RsENSE 50mQ

WVr
VSENSE

W T O 32V ANALOG Ofl LOGIC SUPPLY

il

2 A

Pin C o n f i g u r a t i o n
TOP VIEW RS. [ l RS [ 7 MAX4172 NC. ( 7 NC ( 7 7 ] OUT

RS.

RS K

100*

AAAXXAA
M/IX4172

POWER GOOD

LOAD/ BATTERY

JO

V.
GO N
FEEDBACK LOOP VQUI 500mV7 A

OT U

~ \ lOLfT f VSENSE/IOOQ

Tjrc JJ G"0
uMAX/SO

>

ROUT

LOW COST BATTERY CHARGER CUR RENT SOURCE

uMAXis a reg/stereo trademark ot Maxim Integrated Products, inc

134

Dtails du TC4420

6A HIGHSPEED MOSFET DRIVERS


FEATURES LatchUp Protected Will Withstand >1.5A Reverse Output Current Logic Input Will Withstand Negative Swing Up to5V ESD Protected 4kV Matched Rise and Fall Times 25nsec High Peak Output Current 6A Peak Wide Operating Range 4.5V to 18V High Capacitive Load Drive 10,000pF Short Delay Time 55nsec Typ. Logic High Input, Any Voltage 2.4V to VDD Low Supply Current With Logic " 1 " Input... 450uA Low Output Impedance 2.5Q Output Voltage Swing to Within 25mV of Ground or VDD G E N E R A L DESCRIPTION The TC4420/4429 are 6A (peak), single output MOSFET drivers. The TC4429 is an inverting driver (pincompatible with the TC429), while the TC4420 is a noninverting driver. These drivers are fabricated in CMOS for lower power, more efficient operation versus bipolar drivers. Both devices have TTLcompatible inputs, which can be driven as high as VQD + 0.3V or as low as 5V without upset or damage to the device. This eliminates the need for external level shifting circuitry and its associated cost and size. The output swing is railtorail ensuring better drive voltage margin, especially during power up/power down sequencing. Propagational delay time is only 55nsec (typ.) and the output rise and fall times are only 25nsec (typ.) into 2500pF across the usable power supply range. Unlike other drivers, the TC4420/4429 are virtually latchup proof. They replace three or more discrete compo nents saving PCB area, parts and improving overall system reliability. ORDERING INFORMATION
Part No. Logic Package Temperature Range

APPLICATIONS SwitchMode Power Supplies Motor Controls Pulse Transformer Driver Class D Switching Amplifiers

PIN CONFIGURATIONS
8Pin SOIC

Z] DD
~T~) OUTPUT TC4420 TC4429 Tab Connected to V. NO |"T" ~6~~j OUTPUT 5 [ GND

DOLT

XI voo
'"? I OUTPUT TC4420 TC4429 "T~| OUTPUT OHO

INPUT [ T

w [T c
GNO | *

5ISS5

NOTE: Duplicate ptn*trust bo'J* te connected for proper opera: on

TC4420CAT Noninverting TC4420COA Noninverting TC4420CPA Noninverting TC4420EOA Noninverting TC4420EPA Noninverting TC4420IJA Noninverting TC4420MJA Noninverting TC4429CAT TC4429COA TC4429CPA TC4429EOA TC4429EPA TC4429IJA TC4429MJA Inverting Inverting Inverting Inverting Inverting Inverting Inverting

5Pin TO220 0*C to +70C 8Pin SOIC 0C to +70'C 8Pin PDIP 0C to T70' J C 8Pin SOIC 40C to +85'C 40C to +85C 8Pin PDIP 8Pin CerDIP 25C to +85C 8Pin CerDIP 5 5 X t o + 1 2 5 c C 5Pin TO220 0C to +70C 8Pin SOIC 0('C to +70"C 8Pin PDIP O'C to +70C 8Pin SOIC 40C to +85CC 8Pin PDIP 40C to +85C 8Pin CerDIP 25C to +85*C 8Pin CerDIP 55'Cto+125 c C

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM


tOVpp

i
r L * T
EFFECTIVE INPUT C M pf

r M