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Dan Willer CHS INDICE GENERAL

Cato Pg.

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3. 4. 5. 6.

OBJETIVOS FUNDAMENTO TERICO - TIPOS DE TRANSISTORES - TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION -POLARIZACION DE UN TRANSISTOR - GRFICAS CARACTERISTICAS -RECTA DE CARGA DE UN TRANSISTOR. -PARMETROS FUNDAMENTALES DE UN TRANSISTOR. -ZONAS DE TRABAJO DE UN TRANSISTOR. MATERIALES PROCEDIMIENTO CONCLUSIONES WEBGRAFA

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INDICE DE FIGURAS
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FIGURA N1. SMBOLOS DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES FIGURA N2. POLARIZACIN DEL TRANSISTOR A)PNP B) NPN FIGURA N 3 CIRCUITO DE CONMUTACIN PARA LA ACTIVACIN DE UN RELAY.

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INDICE DE GRFICOS 1. GRFICA N1 RELACION VOLTAJE COLECTOR EMISOR CON CORRIENTE DEL COLECTOR Y DE BASE 4 GRFICA N2 RELACIN CORRIENTE DE BASE Y CORRIENTE COLECTOR GRFICA N3 RELACIN VOLTAJE BASE EMISOR CON LA CORRIENTE DE LA BASE GRFICA N4. ZONAS DE TRABAJO DE LOS TRANSISTORES GRFICA N5 RECTA DE CARGA DE UN TRANSISTOR 4 4 5 5

2. 3. 4. 5.

TRANSISTORES

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OBJETIVOS 1.1. OBJETIVO GENERAL Entender el funcionamiento de los transistores (en especial el bipolar), para sus usos ms importantes, como conmutador y amplificador. 1.2. OBJETIVOS ESPECIFICOS Aplicar la teora diseando un circuito conmutador que permita accionar un relay el cual accione un LED. Conocer algunos tipos de transistores, su uso y aplicaciones. Conocer la estructura del transistor bipolar de unin. Interpretar las grficas caractersticas de los transistores. TEORA

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor 2.1. TIPOS DE TRANSISTORES Fototransistor: Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la regin de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conduccin. El fototransistor es ms sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor. Un fototransistor es igual a un transistor comn, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas: Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo comn). Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminacin). Puede utilizarse de las dos en formas simultneamente, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar. Transistor uni unin: El transistor uni unin es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Est formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parmetro , stand off ratio, conocido como razn de resistencias o factor intrnseco. Transistor IGBT: El transistor bipolar de puerta aislada es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.

Transistores de Efecto de Campo: JFET: Tambin llamado transistor unipolar, fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. MESFET: Transistores de efecto de campo metal semiconductor. MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal.

Y por ltimo el transistor en el que nos enfocaremos en este informe es: TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN

El transistor bipolar se puede considerar como la unin de dos diodos, por lo que debe de tener dos uniones PN NP. Un transistor tiene por tanto tres zonas de dopado, en un transistor PNP, por ejemplo, existen tres zonas de dopado, diferenciadas entre s y con diferentes cualidades. En un transistor PNP, la base es la zona N y las otras dos zonas P se denominan colector y emisor y viceversa. El emisor y la base de un transistor es como si fueran un diodo (una unin PN) y la base y el colector forman la otra unin PN. A efectos prcticos, un transistor no funciona como la unin de dos diodos. Funcionamiento del transistor. En el transistor, el emisor es el encargado de inyectar electrones en la base, la cual se encarga de gobernar dichos electrones y mandarlos finalmente al colector. La fabricacin del transistor se realiza de forma que la base es la zona ms pequea, despus el emisor, siendo el colector el ms grande en tamao.
Figura N1. Smbolos de los transistores bipolares

Polarizacin del transistor. Un transistor cuenta con dos uniones PN, por lo que necesita ser polarizado correctamente. La unin emisor debe estar polarizada directamente y la unin colector debe de estar polarizada inversamente. Figura N2. Polarizacin del transistor a)PNP b) NPN Por ejemplo, en un transistor NPN, dispondremos de dos bateras, una tendr conectado a su polo positivo el colector N del transistor y la otra tendr conectado a su polo negativo el emisor N del transistor, quedando

as polarizado el transistor, circulando as una corriente del emisor a la base y de esta al colector, tambin circula una pequea Intensidad de base, la cual es muy pequea comparada con la intensidad de colector, que se puede tomar en la prctica casi idntica a la intensidad de emisor, aunque la intensidad de emisor sea igual a la intensidad de colector ms la intensidad de base. (1) Grficas caractersticas de un transistor Se citarn tres grficas Ic-Vce La presente grfica denota las zonas de trabajo del transistor, las cuales mas adelante se detallaran. Muestra tambien la relacin de las diferentes corrientes de base con respecto a las corrientes del colector, todo esto en relacion al voltaje colector emisor.

Grfica N1 Relacion voltaje colector emisor con corriente del colector y de base

Ic-Ib curva de ganancia

La grfica nos muestra como es la relacion entre ambas corrientes, tomando dos regiones una lineal y otra de saturacin, en la zona lineal la pendiente de la recta es la ganacia del transistor, pero una vez alcanzada un corriente tal en la base el transistor se satura y no existe esa linealidad con respecto a la corriente del colector.

Grfica N2 Relacin corriente de base y corriente colector

Donde:

(2)

Ib-Vbc curva similar a la del diodo La curva nos muestra la semejanza con la del diodo, siendo un voltaje de disparo de 0.7v donde la corriente empieza a crecer indefinidamente y no hay un gran cambio de voltaje.

Grfica N3 Relacin voltaje base emisor con la corriente de la base

Zonas de trabajo de un transistor.

Estas se representaran mejor mediante una grfica: - zona entre 1 y 2: zona de saturacin. Union eb directa. Union cb directa. - zona entre 2 y 3: zona activa. Union eb directa. Union cb inversa. -zona a partir de 3: zona de ruptura. Union eb directa. Union cb muy en inversa. Parmetros fundamentales de un transistor. -Para una pequea tensin de entrada, se obtiene una elevada tensin de salida. -Para una pequea corriente de entrada, se obtiene una elevada corriente de salida. -Para una pequea potencia de entrada, se obtiene una elevada potencia de salida. -Segn esto, se obtienen tres parmetros de un transistor: -Ganancia de corriente (Ai) -Ganancia de tensin (Av) -Ganancia de potencia (Ap) Recta de carga de un transistor. La lnea azul es la recta que refleja todos los posibles puntos de funcionamiento que pueden darse para unos valores determinados de Rc y tensin de alimentacin. Esta recta se debe de hacer sobre las curvas caractersticas de un transistor, tomando como un punto P1 una intensidad de colector que debe de ser por debajo de la mnima y como un punto P2, una tensin de alimentacin. Si nos situamos en un punto alto de esta recta estamos cerca de la Intensidad mxima de colector, lo cual crea un situacin de saturacin.

Grfica N4. zonas de trabajo de los transistores

Grfica N5 recta de Carga de un transistor

Si nos situamos en un punto demasiado bajo de esta recta, estamos ms cerca de la Vce mxima, con la cual se crea un situacin de Corte. Llamamos punto de trabajo de un transistor a un punto de la recta de carga que determine el valor de la tensin colector-emisor y de las corrientes de colector y de base. 3. 4. MATERIALES 1 transistor NPN 2N2222 3 fuentes C. D. 1 potencimetro de 30 K 1 resistencia de 220 1 relay de 12 v 1 LED. PROCEDIMIENTO

Figura N 3 Circuito de conmutacin para la activacin de un relay.

Para realizar la polarizacin del transistor vamos a calcular la mxima resistencia admitida para trabajar en saturacin, se supone que una resistencia mas grade har que trabaje en la zona de corte y una mas pequea en la zona activa, por lo tanto se tiene una resistencia del relay de:

La ganancia del transistor: Sabiendo que el realy necesita 12 V para poder conmutar, entonces se puso una fuente CD de 12V cuidando la polarizacin del transistor, entonces por la ley de ohm tenemos:

Segn la ganancia y la ecuacin 2 tenemos:

Por lo tanto segn la ley de ohm tenemos:

Segn la resistencia se usar un potencimetro para lograr conmutar el transistor, entonces cuando el potencimetro est en su valor mximo, el transistor recibir una corriente muy pequea, por lo cual el transistor estar actuando en la zona de corte, pero una vez que el potencimetro sea colocado al valor de 20 K el transistor recibir un corriente de base suficiente para empezar a conmutar, por lo tanto el relay se activa si el valor del potencimetro es menor a 20 K. Para la parte del LED se coloc una resistencia de 220 , slo para limitar el voltaje que le llega al LED y as protegerlo. Tambin se coloc una fuente capaz de prender el LED, ntese que se poda haber colocado una fuente alterna y hacer prender un foco.

5.

CONCLUSIONES

Se conocieron varios tipos de transistores, aunque no los estudiamos a fondo, pero si se posee un leve conocimiento acerca de su funcionamiento. Se estudiaron las grficas caractersticas del transistor, dndonos como resultado que son importantes a la hora de disear un circuito, puesto que en estas grficas se muestran datos importantes como la ganancia, voltajes mximos mnimos al igual que las corrientes. No se estudi en este laboratorio el funcionamiento del transistor en frecuencia, pero si se puede decir que est en muy baja frecuencia, puesto que la corriente directa se asemeja a una onda de muy baja frecuencia. Se lograron calcular los parmetros para disear un circuito con un transistor PNP hacindolo trabajar en regin de corte y saturacin (conmutador), para la activacin de un relay, el cual activa a su vez un led.

6. -

WEBGRAFA http://pepote.vascodelazarza.com/Transistores.html http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema6/Paginas/Pagina8.htm http://www.edu.xunta.es/centros/cpiasrevoltas/?q=system/files/transistores.pdf http://www.forosdeelectronica.com/f27/transistor-bjt-zona-activa-43422/ http://www.unicrom.com/Tut_caracteristicas_transistor_bipolar.asp