Vous êtes sur la page 1sur 15

CLASE PRCTICA 2 RESUELTA.

PLAN D PROBLEMAS DE POLARIZACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)


Sumario: 1. Introduccin. 2. Solucin de problemas. 3. Conclusiones. Bibliografa: 1. Rashid M. H. Circuitos Microelectrnicos. Anlisis y diseo, pag. 186-188 y 192-196. Objetivos: Que los estudiantes ejerciten el clculo del punto de operacin y la potencia disipada empleando diferentes mtodos de solucin, y la obtencin de la lnea de carga esttica del BJT. Profundizar en el principio de operacin del regulador de voltaje serie y realizar los clculos de sus principales variables. Problemas: 1. En el circuito mostrado en la figura 1, calcule: a) El punto de operacin del transistor. Represente el punto de operacin y la lnea de carga esttica en la caracterstica de salida. b) La potencia que se disipa en el colector del transistor en reposo y la potencia que entrega la batera VCC. c) El valor mximo de RC con el cual el transistor permanece trabajando en la regin activa. Datos: F = hFE = 150; VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V; VCE sat = 0,1 V e ICO = 0. Respuesta: a) El punto de operacin del transistor bipolar se caracteriza por la IBQ, ICQ y el VCEQ. Este es un circuito autopolarizado. Para calcular el punto de operacin se abre el circuito como se muestra y se sustituye por una fuente referida a tierra en serie con una resistencia equivalente aplicando el Teorema de Thevenin.

Fig. 1: Problema 1.

R2 50 VTH = VCC = 12 = 3,53 V R1 + R 2 120 + 50


R R 120 50 = 35, 29 k R TH = R B = R1 R 2 = 1 2 = R1 + R 2 120 + 50
EL VOLTAJE DE THEVENIN SIEMPRE EST REFERIDO A TIERRA

El transistor bipolar puede trabajar en activa, saturacin o corte. Se supondr que el transistor est operando en la zona de activa: Aplicando LKV en I (malla en a base del transistor):
VTH + I B R B + VBE + I E R E = 0 (1)
0 pero IE = I B + IC e IC = F I B + ( F + 1) ICO

luego

I E = (1 + F ) I B (2)

Sustituyendo (2) en (1) nos queda que:

VTH + I B R B + VBE + (1 + F ) I B R E = 0
Despejando la corriente de IB:

IB =

R B + (1 + F ) R E

VTH VBE

3,53 0,7 35,29 + (1 + 150 ) 1,5

De donde: I BQ = 0, 010 mA = 10 A

ICQ = F I BQ = 150 0, 01 = 1,5 mA Aplicando LKV en II (malla de salida) para calcular el valor de VCEQ:
VCC + ICQ R C + VCEQ + I EQ R E = 0

Como F = 150 >> 1 I E IC de donde: VCC + VCEQ + ICQ ( R C + R E ) = 0

VCEQ = VCC ICQ ( R C + R E ) = 12 1,5 ( 5 + 1,5 ) = 2, 25 V > VCE sat = 0,1 V Activa
R/ Punto de Operacin: Q IBQ = 10 A; ICQ = 1,5 mA; VCEQ = 2, 25 V

Para representar el punto de operacin y la lnea de carga esttica en la caracterstica de salida del BJT, a partir de la LKV obtenida en la malla II, despejamos la IC en funcin del VCE:

VCC + IC R C + VCE + I E R E = 0
Como F = 150 >> 1 I E IC , de donde: y al despejar IC nos queda que:

VCC + VCE + IC ( R C + R E ) = 0
IC = RC + RE VCE + RC + RE VCC

Si IC = 0 VCE = VCC
VCC Si VCE = 0 IC = RC + RE

b) Potencia que se disipa en el colector del transistor bipolar:

R / PC max = ICQ VCEQ = 1,5 2, 25 = 3,375 mW Potencia que entrega la batera: PCC = VCC ICC = VCC ICQ + I1

) ( ya que ICC = ICQ + I1 )

Aplicando una LKV como se muestra en la figura de la izquierda se podr calcular el valor de I1: VCC + I1 R1 + VBE + I E R E = 0 pero al ser F = 150 >> 1 IE IC

VCC + I1 R1 + VBE + IC R E = 0
y al despejar I1 nos queda que: V VBE IC R E 12 0,7 1,5 1,5 I1 = CC = = 75 A R1 120 Luego: R / PCC = VCC ICQ + I1 = 12 (1,5 + 0, 075 ) = 18,9 mW

c) A partir de la lnea de carga esttica representada en la caracterstica de salida, se puede observar que si se aumenta el resistor RC disminuye el VCE corrindose el punto de operacin hacia la zona de saturacin sin variar el valor de ICQ. El valor mximo de RC (RCmax) se calcula cuando el transistor alcanza el lmite de la regin de saturacin, al hacerse VCE = VCEsat. De la malla de salida nos queda que: VCC + IC R C max + VCE sat + ICQ R E = 0 y al despejar nos queda que:
R C max = VCC VCE sat ICQ R E 12 0,2 1,5 1,6 = = 6,36 k ICQ 1,5 R / R C max = 6,36 k 2. En el circuito mostrado en la figura 2, calcule R1 para que IE = 2 mA. Datos: F = hFE = 50; VBE = 0,7V; VBE sat = 0,8V; VCE sat = 0,2V; ICO = 0.

( Al ser F = 150 >> 1 IEQ ICQ )

Fig. 2: Problema 2.

Respuesta: Suponiendo que el transistor est trabajando en la zona de activa: Aplicando LKC en el nodo B:

I1 + I 2 + I B = 0
despejando I1: I1 = I 2 + I B (1) 0 donde IC = F I B + ( F + 1) ICO luego I E = I B + IC = I B + F I B y al despejar IB nos queda que: IB = Aplicando LKV en la malla I podremos calcular el valor de I2: I 2 R 2 + VBE + I E R E = 0 (2) despejando I2: F + 1 IE = 2 = 0, 039 mA 50 + 1 pero al ser I E = I B + IC

V + I R 0,7 + 2 0,1 I 2 = BE E E = = 0, 032 mA=32 A R2 28 I1 = 0, 039 + 0, 032 = 0, 071 mA

luego al sustituir los valores de IB e I2 en (1) obtenemos que:

Aplicando LKV en la malla II podremos calcular R1:

VCC + I R C + I1 R1 + I 2 R 2 = 0 (3)
Pero nos hace falta el valor de la corriente que circula por RC. la cual se puede calcular aplicando una LKC en el nodo: I + I1 + IC = 0 despejando I1 nos queda que: I = I1 + IC (4) pero IC = I E I B = 2 0, 039 = 1,96 mA

luego al sustituir IC e I1 en (4) obtenemos que: I = I1 + IC = 0, 071 + 1,96 = 2, 03 mA y al despejar R1 en (3) nos queda que: V I R C I 2 R 2 12 2, 03 3,3 0, 032 28 R1 = CC = = 62, 04 k I1 0, 071 Aplicando LKV en la malla III para comprobar que el transistor est en activa: VCC + I R C + VCE + I E R E = 0

y al despejar VCE nos queda que: VCE = VCC I R C I E R E

VCE = 12 2, 03 3,3 2 0,1 = 5,1 V > VCE sat = 0, 2 V Esta en activa


R / R1 = 62 k 3. En el regulador de voltaje serie de la figura 3: a) Explique su principio de operacin y comprelo con el regulador paralelo. b) Calcule el punto de operacin del transistor. c) Calcule las potencias disipadas en el Zener y en el colector del transistor. d) Calcule la potencia PCD entregada por la batera. e) Para el caso que VCC = VNR = 12V 1V, calcule el valor mximo de RS para que el Zener se mantenga dentro de la regin de regulacin. Datos: Q: F = hFE = 100; VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V; VCE sat = 0,2 V; ICO = 0. DZ: VZO = 5,7V; IZK = 2 mA; RZ = 0.

Fig. 3: Problema 3.

a) El regulador de voltaje paralelo ya estudiado es el circuito de este tipo ms sencillo; presenta como deficiencia la de ser baja la corriente y la potencia que puede entregar en su salida, limitado por la capacidad del Zener empleado. El regulador de voltaje serie con diodo Zener mostrado a continuacin mejora esta deficiencia, pues el transistor que est conectado en serie con la carga RL es el encargado de entregar la corriente de salida IL.

Si se abre la carga se hace IL = 0, pero la corriente por el Zener no crece bruscamente como ocurre con el regulador paralelo. Esto se debe a que el transistor opera en la regin activa, por lo que su IB = IL/F. Como F >> 1, an para caso peor en que se est entregando la mxima corriente a la carga, la IB ser relativamente baja. Desde el punto de vista del diseo, esto provoca que la disipacin de potencia mxima en el Zener sea baja y no sea una limitante como lo es para el caso del regulador paralelo. El principio de operacin de este regulador serie se basa en la utilizacin de un Zener como referencia interna, con un voltaje VZ que es independiente de las variaciones de VNR y de IL. Si se analizan estas dos variaciones en forma independiente, para el caso en que RL sea constante y se vara VNR: se observa de las expresiones anteriores, que ICQ e IBQ se mantienen casi constantes, pero al crecer VNR aumentan IRS e IZ. La lnea de carga se desplaza hacia la derecha con la misma pendiente, por lo que VCEQ crece y contrarresta la posible variacin de VNR manteniendo a VO casi constante. En el caso en que VNR se mantenga constante y se vare a RL: si RL decrece, ICQ e IBQ aumentan pero IZ disminuye. En la caracterstica de salida del transistor, la lnea de carga incrementa su pendiente pero mantiene el intercepto en VNR que no cambia. El valor de VCEQ se mantiene casi constante pues VO apenas vara.

b) Suponiendo que el diodo tener est en ruptura, VZO = 5,7 V y la IZ debe ser mayor que IZK. Como RZ = 0 y suponiendo que el transistor est en activa, al aplicar unas LKV en I (la base del transistor) se obtiene que: VZO + VBE + I E R E = 0 despejando la corriente IE: V VBE 5,7 0,7 I E = ZO = = 100 mA RE 0,05 pero I E = IB + IC y al ser F >> 1

IC I E
luego

ICQ = 100 mA ICQ F = 100 = 1 mA 100

0 IC = F I B + ( F + 1) ICO

I BQ =

Aplicando LKV en la malla II calcularemos el VCEQ: VCC + VCEQ + I E R E = 0 y al despejar VCE nos queda que: VCEQ = VCC I E R E = 10 100 0,05 = 5 V > VCE sat = 0, 2 V Q est en Activa R/ Punto de Operacin: Q I BQ = 1 mA; ICQ = 100 mA; VCEQ = 5 V c)

PZ max = I Z VZO ya que R Z = 0


I1 + I Z + I B = 0 I Z = I1 I B (1)

Aplicando LKC en A podremos calcular el valor de IZ:

Clculo de I1: Aplicando LKV en la malla III podremos calcular I1: VCC + I1 R S + VZO = 0 Luego sustituyendo en (1) obtenemos que: I Z = 8,6 mA 1 mA = 7, 6 mA > I ZK = 2 mA El Zener regula R/ PZ max = I Z VZO = 7,6 5,7 = 43,3 mW PC = ICQ VCEQ = 0,1 5 = 0,5 W V VZO 10 5,7 = = 8, 6 mA I1 = CC RS 0,5

d)

R / PCC = VCC I1 + ICQ = 10 ( 8, 6 + 100 ) = 1, 086 W

e) Si VCC = VNR = 12V 1V, el valor mximo de RS para que el Zener se mantenga dentro de la regin de regulacin se calcula para la peor condicin que es cuando VNR = Vmin inst = 11 V, IZ min inst = IZK y I la corriente de la carga es mxima (en este caso E ). F

V VZO 11 5,7 R S max = min inst = = 1, 767 k (RZ = 0) IE 2 + 100 I ZK + 100 F R/ R S max = 1, 767 k 4. En el circuito de la figura 4, calcule el punto de operacin y la potencia disipada en colector del transistor en reposo. Datos: F = hFE = 100; VBE = 0,7V; VCEsat = 0,1V y ICO = 0.

Fig. 4: Problema 4.
Respuesta:

Este circuito tiene la caracterstica de que el transistor nunca estar en saturacin ya que el colector es ms positivo que la base del transistor. Suponiendo que el transistor est en activa: Aplicando LKV en la malla I obtenemos que: VCC + ( IC + I B ) R C + I B R B + VBE + I E R E = 0

VCC + ( R C + R B ) I B + IC R C + VBE + I E R E = 0
Al ser I E = I B + IC e IC = F I B + ( F + 1) ICO luego 0

I E = I B + IC = ( F + 1) I B
VCC + ( R C + R B ) I B + F I B R C + VBE + ( F + 1) IB R E = 0 VCC + R B + ( F + 1) ( R C + R E ) I B + VBE = 0

VCC VBE 12 0,7 Despejando la IB: I BQ = = = 27,35 A R B + ( F + 1) ( R C + R E ) 100 + (101) ( 3 + 0,1) ICQ = F I BQ = 100 0, 2735 = 2, 735 mA Aplicando LKV en la malla II calcularemos el VCEQ: VCC + ICQ + I BQ R C + VCEQ + ICQ + I BQ R E = 0 VCEQ = VCC ICQ + I BQ R C ICQ + I BQ R E

VCEQ = 12 ( 2,735 + 0,02735 ) 3 ( 2,735 + 0,02735 ) 0,1 = 3, 44 V > 0, 2 V Q est en Activa


R/ Punto de Operacin: Q I BQ = 27,35 A; ICQ = 2, 735 mA; VCEQ = 3, 44 V

R/ PC = ICQ VCEQ = 2, 735 3, 44 = 9, 44 mW 5. En el circuito de la figura 5, calcule el punto de operacin y la potencia disipada en colector del transistor en reposo. Datos: F = hFE = 200; VEB = 0,6 V; VEC sat = 0,1 V e ICO = 0.

Fig. 5: Problema 5. Respuesta: Suponiendo el transistor en activa y aplicando LKV en la malla I calcularemos la IBQ:
VCC + VEB + I BQ R B + ICQ + I BQ R = 0 (1)

pero

IC = F I B + ( F + 1) ICO

(2)

luego al sustituir (2) en (1) nos queda que: VCC + VEB + I BQ R B + ( F + 1) I BQ R = 0 VCC VEB despejando IBQ obtenemos que: I BQ = = 14,36 A R B + ( F + 1) R ICQ = F I BQ = 200 0, 01436 = 2,87 mA Aplicando LKV en la malla II calcularemos el VECQ:

VCC + VECQ + ICQ + I BQ R = 0


VECQ = VCC ICQ + I BQ R = 15 ( 2,87 + 0,01436 ) 3 = 6,34 V > 0,1 V Q est en Activa

R/ Punto de Operacin: Q IBQ = 14,36 A; ICQ = 2,87 mA; VECQ = 6,34 V PC = ICQ VECQ = 2,87 6,34 = 18, 21 mW

R/ PC = 18, 21 mW
6. En los circuitos de la figura 6a) y 6b), calcule el punto de operacin y la potencia disipada en colector del transistor en reposo. Datos: F = hFE = 260; VBE = 0,6 V; VCE sat = 0,1 V y ICO = 0.

Fig. 6: Problema 6. Respuesta del circuito de la figura 6 a): En alterna los condensadores se tienen en cuenta para el anlisis dinmico, cuando se hace el anlisis esttico (directa) para calcular el punto de operacin, estos se abren. Suponiendo el transistor en activa:

10

LA FUENTE DE THEVENIN SIEMPRE EST REFERIDA A TIERRA!!

Primera forma de calcular el VTH:

VTH = VR VEE 2 R1 + R 2 R2

VR = ( VCC + VEE )
2

R1 + R 2

R2

VTH = ( VCC + VEE )

VEE = 14

36 7 = 4, 67 V 180 + 36

Segunda forma de calcular el VTH: (Aplicando superposicin) R2 R1 36 180 VTH = VCC VEE = 7 7 = 4, 67 V R1 + R 2 R1 + R 2 180 + 36 180 + 36 R R 180 36 R TH = R B = R1 R 2 = 1 2 = = 30 k R1 + R 2 180 + 36 Aplicando LKV en I (malla en a base del transistor): VTH + I B R B + VBE + I E R E VEE = 0 (1) pero I E = I B + IC e IC = F I B + ( F + 1) ICO 0 , luego

I E = (1 + F ) I B (2)

Sustituyendo (2) en (1) nos queda que: VTH + I B R B + VBE + (1 + F ) I B R E VEE = 0 Despejando la corriente de IB: V VTH VBE 7 4, 64 0,6 I B = EE = = 3,87 A R B + (1 + F ) R E 30 + (1 + 260 ) 1,6 ICQ = F I BQ = 260 0, 00387 = 1 mA Aplicando LKV en II (malla de salida) para calcular el VCEQ:

VCC + IC R C + VCE + I E R E VEE = 0


pero al ser F = 260 >> 1 IE IC luego: VCC + VCEQ + ICQ ( R C + R E ) VEE = 0

11

y al despejar VCEQ nos queda que: VCEQ = VCC + VEE ICQ ( R C + R E ) VCEQ = 7 + 7 1 ( 7,5 + 1, 6 ) = 4,9 V > VCE sat = 0,1 V Activa
R/ Punto de Operacin: Q I BQ = 3,87 A; ICQ = 1 mA; VCEQ = 4,9 V

R / PC = ICQ VECQ = 1 4,9 = 4,9 mW Respuesta del circuito de la figura 6 b): R/ Punto de Operacin: Q IBQ = 3,97 A; ICQ = 1 mA; VCEQ = 10 V

y R / PC = 10 mW

7. a) Se desea disear un circuito de polarizacin de transistor como el que se ilustra en la figura 1. Use un transistor 2N2222, para el cual se tiene que: mnimo = 100; nominal = 173; IS = 3,3 10 14 A y VA = 100 V. La corriente de operacin del colector se tiene que ajustar a ICQ = 1 mA. La fuente de alimentacin de CD es VCC = 9 V. Supngase VBE = 0.7 V en la regin activa y que F = f. b) Calcule los parmetros de seal pequea r, gm y ro del transistor. Respuesta: a) Diseo del circuito de polarizacin empleando un autopolarizado: 1er Paso: Clculo de F, IE e IB: F = 1 + F F = 100 = 0,99 1 + 100

I I 1 1 IE = C = = 1, 01 mA 1 mA e I B = C = = 0, 01 mA ( ICO = 0 ) F 0,99 F 100 2do Paso: Clculo de VE, RE y la disipacin de potencia de RE: V V 9 3 VE = CC = = 3 V R E = E = = 2,97 k 3 k 3 3 I E 1,01
2 PR = I E R E = (1, 01) 3 = 3, 06 mW E 2

3er Paso: Clculo de VCE:

V 9 VCE = CC = = 3 V 3 3

4to Paso: Clculo de RCE y su disipacin de potencia:

3 3 IC R C = VCC VCE VE = 9 3 3 = 3 V R C = = = 3 k IC 1
2 PR = IC R C = (1) 3 = 3 mW C 2

5to Paso: Clculo de RTH y VTH:

R TH =

(1 + F ) R E = (1 + 100 ) 3 = 30,3 k
10 10

12

VTH = I B R TH + VBE + VE = 3 + 0, 7 + 0, 01 30,3 = 4 V 6to Paso: Clculo de R1 y su disipacin de potencia: R1 = R TH VCC VTH =
2

30,3 9 = 68,175 k 4

PR

( V VTH ) = CC
R1 R TH VCC
VTH 2 R2

(9 4) =

68,175

= 0,37 mW

7to Paso: Clculo de R2 y su disipacin de potencia: R2 = VCC VTH


=

30,3 9 = 54,54 k 94
2

PR =
2

(9)

54,54

= 1,49 mW

b) Clculo de los parmetros de seal pequea r, gm y ro del transistor: F VT ICQ 100 25,8 = 25,8 k , 1 ICQ VT V 1 100 = 100 k = 38, 76 mS , rO = A = ICQ 1 25,8

r =

gm =

8. En el circuito mostrado en la figura 8, calcule: a) El punto de operacin del transistor y la potencia que disipa el transistor en reposo. b) El valor mximo de RC con el cual el transistor permanece trabajando en la regin activa. c) Represente el punto de operacin y la lnea de carga esttica en la caracterstica de salida del transistor. Datos: F = hFE = 100; VBE = 0,6 V; VBE sat = 0,8 V; VCE sat = 0,2 V e ICO = 0. Fig. 8: Problema 8. Respuesta: a) Punto de Operacin: Q I BQ = 12,3 A; ICQ = 1, 23 mA; VCEQ = 1,85 V b) R C max = 4,34 k

y PC = 2, 28 mW

13

9. En el circuito mostrado en la figura 9, se conoce que ICQ = 2 mA; VRE = 6 V y F = hFE = 100. Determine: a) El punto de operacin del transistor y la regin de trabajo del mismo. b) El valor de RE y RB. c) Represente el punto de operacin y la lnea de carga esttica en la caracterstica de salida del transistor. Datos: VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V; VCE sat = 0,2 V e ICO = 0. Fig. 9: Problema 9. Respuesta: a) Punto de Operacin: Q I BQ = 20 A; ICQ = 2 mA; VCEQ = 9,96 V b) R E = 2,97 k y R B = 463 k 10. En el regulador de voltaje serie de la figura 10: a) El valor mximo de RS para que el diodo zener regule adecuadamente si IZK = 5 mA y RE = 5 k. b) Las resistencias RC y RE para fijar una corriente de colector de IC = 1 mA y VCE = 5 V. Datos: Q: F = hFE = 100; VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V; VCE sat = 0,2 V; ICO = 0. DZ: VZO = 8,7V; IZK = 5 mA y RZ = 0. Fig. 10: Problema 10. Respuesta: a) R B max = 2, 253 k b) R E = 2,921 k y R C = 7 k 11. En el circuito de la figura 11 se muestra dos transistores trabajando en la regin de activa con F1 = hFE1 = 100 y F2 = hFE2 = 50. Determine el punto de operacin de cada transistor. Datos: VBE1 = VBE2 = 0,7 V; VBEsat1 = VBEsat2 = 0,8 V; VCEsat1 = VCEsat2 = 0,2 V; ICO1 = ICO2 = 0.

Activa

14

Fig. 11: Problema 11. Respuesta:

Punto de Operacin: Q1 I BQ = 28,88 nA; ICQ = 2,888 A; VCEQ = 8, 428 V 1 1 1 Q 2 I BQ = 2,916 A; ICQ = 145,8 A; VCEQ = 8,982 V 2 2 2

12. En el circuito de la figura 12, el transistor Q1 siempre est en activa. a) Halle el punto de operacin del transistor Q2. b) Determine a partir de qu valor de RE1 el transistor Q2 est saturado. Datos: VEB1 = VBE2 = 0,7 V; VEB1 sat = VBE2 sat = 0,8 V; VEC1 sat = VCE2 sat = 0,2 V; ICO1 = ICO2 = 0; F1 = hFE1 = F2 = hFE2 = 50; VZO = 5,7 V y RZ = 0 Respuesta: a) Punto de Operacin: Q 2 IBQ = 4,9 mA; ICQ = 98 mA; VCEQ = 10, 2 V 2 2 2
b) R E1 495,15

Fig. 12: Problema 12.

15