Material Mutakhir

Aplikasi Spintronics Untuk Memori Penyimpanan Data

Reyningtyas Putri Perwitasari 1006676842

Departemen Metalurgi dan Material Fakultas Teknik Universtitas Indonesia

Aplikasi Spintronics Untuk Memori Penyimpanan

Teknologi yang berhubungan dengan komputer terus berkembang seiring berjalannya waktu. Perkembangan juga terjadi pada memori penyimpanan pada komputer. Perkembangan memori ini sesuai dengan kebutuhan dan tuntutan manusia untuk memiliki memori dengan kapasitas yang besar dan kecepatan tinggi. Teknologi penyimpanan data yang berkembang saat ini menggunakan basis magnetik yang memanfaatkan spin elektron intrinsik dan momen magnetik yang terkait. Teknologi ini biasa disebut dengan spintronics. Spintronics berasal dari kata spin-based electronics, yaitu elektronika yang memanfaatkan sifat spin elektron selain sifat muatannya. Spintronics ini menggunakan prinsip spin elektron yang terpolarisasi. Metode yang paling mudah digunakan untuk membuat spin-polarized ini adalah mengalirkan arus ke material yang bersifat ferromagnetik. Contoh dari spintronics ini adalah giant magnetoresistance (GMR), tunnel magnetoresistance (TMR), dan Spin Torque Transfer (STT). Kemunculan spintronics dipicu oleh penemuan efek giant magnetoresistance (GMR). GMR merupakan fenomena perbedaan resistansi pada magnetic multilayers saat berada dalam pengaruh magnetik eksternal. Cara kerja GMR berdasarkan konsep konduksi dua-arah, di mana elektron yang melewati material magnetik akan mengalami perbedaan hamburan yang tergantung oleh arah spin yang dimilikinya. Perbedaan hamburan ini akan mengakibatkan perbedaan resistansi dari elektronelektron yang memiliki arah spin berbeda. GMR ini menggunakan layer non-magnetik di antara dua layer magnetik. Mekanisme spintronic berbasis GMR dapat dilihat pada gambar berikut:

Pada Tunnel Magnetoreisitance (TMR), strukturnya mirip dengan GMR tetapi antara layer magnetiknya dipisahkan oleh sebuah bahan insulator yang sangat tipis dari oksida

logam. Pada Spin Torque Transfer (STT), arus dari spin elektron yang terpolarisasi digunakan untuk mengontrol arah magnetisasi pada elektroda ferromagnetik di alat yang menggunakan STT. Aplikasi prinsip spintronics dalam teknologi penyimpanan data, kini ada yang disebut dengan Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM). MRAM adalah nonvolatile memori yang menggunakan muatan magnet untuk menyimpan data, bukan muatan listrik seperti pada SRAM atau DRAM. MRAM ini mengkombinasikan Magnetic Tunnel Junction (MTJ) dngan teknologi CMOS. MTJ ini memiliki prinsip yang mirip dengan TMR. MTJ tersusun atas sebuah layer magnetik permanen, dielectric tunnel barier, dan sebuah magnetik bebas, seperti gambar di bawah ini :

Layer magnetik permanen memiliki arah magnetik (polarisasi) yang tidak dapat diubah selama operasi, sedangkan layer magnetik bebas memiliki arah magnetik (polarisasi) yang dapat diubah dengan mengaplikasikan medan magnetik yang cukup. Informasi pada MRAM disimpan pada layer sebelah atas (layer magnetic bebas) dengan memaksa elektron pada dielectric tunnel (tunnel insulator) berputar pada arah-arah tertentu. Informasi pada MRAM diambil dengan mengukur jumlah arus yang bergerak melalui tunnel insulator, yang tergantung pada arah putaran elektron pada layer sebelah atas. Pembacaan memori pada MRAM dilakukan dengan mengukur resistansi listrik dari sebuah cell. Berdasarkan efek tunnel magnetic, resistensi elektrik dari sebuah cell akan berubah menurut orientasi dari medan magnet pada dua buah layer magnetic MTJ. Ketika kita menyalurkan arus kepada MTJ, elektron akan bergerak kemudian berputar serta terpolarisasi oleh layer magnetik. Jika polarisasi magnetik pada kedua layer sama, maka resistansi kecil akan terdeteksi dan merepresentasikan 0. sebaliknya, jika polarisasi magnetik pada kedua layer tidak sama, maka resistensi besar akan terdeteksi dan merepresentasikan 1. Penulisan bit pada MRAM dapat dilakaukan karena adanya perbedaan polarisasi pada elektron diantara layer-layer magnetik. Dalam formasi yang paling sederhana, sebuah cell terletak diantara sepasang lintasan tulis, yakni lintasan atas dan lintasan bawah. Untuk menulis 1 secara stimultan diberikan arus yang mengalir melalui lintasan atas dan bawah yang menimbulkan medan magnet dan kemudian merubah arah putaran elektron yang akan merubah resistansi junction. Menulis 0

membutuhkan proses yang sama kecuali bahwa arus yang mengalir pada elektroda atas mengalir dalam arah yang berbeda. MRAM memiliki beberapa kelebihan dibandingkan memori-memori sebelumnya. Kelebihan-kelebihan itu antara lain: Teknologi MRAM dapat mempertahankan keberadaan data yang disimpan pada dirinya ketika supply energi dihentikan. (non-volatile) Memiliki kecepatan tulis dan baca yang lebih cepat dibandingkan dengan teknologi lain termasuk Flash RAM dan EEPROM Tidak seperti DRAM yang membutuhkan aliran listrik yang konstan untuk menjaga integritas data, MRAM hanya membutuhkan sedikit listrik untuk menyimpan data. Memiliki densitas yang tidak kalah dengan DRAM Kecepatan pembacaan dan penulisan MRAM dalam satu siklus di bawah 50 nanodetik. Kecepatan MRAM saat ini mencapai 10 kali lebih cepat dari RAM dan akan terus berkembang lagi.

Referensi :

1. Spintronics. http://www.scribd.com/doc/67526033/Spintronics-Ppt. Terakhir

diakses pada 5 November 2012.

2. Spintronic

Dalam Komputasi. http://www.goartikel.com/spintronics-incomputing/. Terakhir diakses pada 5 November 2012. 3. How MRAM Work. http://www.nve-spintronics.com/mram-operation.php. Terakhir diakses pada 5 November 2012.