Vous êtes sur la page 1sur 53

COURS DE SOUTIEN AUX TPs PHYTEM COMPOSANTS ELECTRONIQUES A BASE DE SEMICONDUCTEURS E.

DELEPORTE (7 cours de 2 heures)

PLAN DU COURS
CHAPITRE I : Etats quantiques de llectron dans un solide cristallin : structure de bandes
1) Discussion qualitative partir du systme 2 niveaux 2) Modle de la chane linaire de N atomes : introduction de la relation de dispersion et des fonctions de Bloch 3) Mtaux, isolants, semiconducteurs (remplissage des bandes, nergie de gap) 4) Introduction la masse effective

CHAPITRE II : Semiconducteurs intrinsques et extrinsques


1) Semiconducteurs intrinsques. Densit de porteurs lquilibre thermodynamique 2) Semiconducteurs extrinsques : donneurs/accepteurs, densit de porteurs lquilibre thermodynamique (dfinition des rgimes extrinsque, de saturation, intrinsque)

CHAPITRE III : Proprits de transport dans les semiconducteurs


1) En labsence de champ magntique. Mobilit, conduction lectrique (modle de Drude) dans un semiconducteur intrinsque et dans un semiconducteur extrinsque 2) En prsence de champ magntique : magntorsistance et effet Hall, dans un semiconducteur intrinsque et dans un semiconducteur extrinsque a) Un seul type de porteurs b) Deux types de porteurs

CHAPITRE IV : Jonction p-n


1) A lquilibre thermodynamique : zone de charge despace 2) Hors dquilibre, sous polarisation directe et sous polarisation inverse : caractristique de la diode (loi de Schockley) 3) Diverses proprits: - capacit de la jonction - effet de claquage (Zener, avalance) - temps de recouvrement 4) Photodiode : principe de fonctionnement

CHAPITRE V : Opto-lectronique
1) Ordres de grandeurs concernant les principaux composants optolectroniques et leurs applications (capteurs, metteurs de lumire, disques optiques, fibres optiques) ; dfinition des besoins (laboration du cahier des charges dans chaque type dapplication envisage) 2) Interaction electron/photon dans un semiconducteur (absorption fondamentale, mssion spontane, mission stimule) 3) Photodiode : - rappels sur le principe de fonctionnement - rendement - frquence de coupure - optimisation du composant (photodiodes rapides pin) 4) Cellules solaires : - Principe de fonctionnement - rendement - optimisation du composant 5) Diode lectroluminescente - Principe de fonctionnement - rendement - frquence de coupure - brillance - optimisation du composant - couplage une fibre optique (introduction de louverture numrique dune fibre) 6) Diode laser - Principe de focntionnement - gain - distribution spectrale du rayonnement (mode, cart entre les modes) - distribution spatiale du rayonnement - courant de seuil - frquence de coupure - optimisation du composant - comparaison avec les lasers conventionnels

CHAPITRE VI : Camra CCD


1) Principe de la capacit MOS, stockage des charges 2) Principe du transfert de charges

BIBLIOGRAPHIE

Henry Mathieu : Physique des semiconducteurs et des composants lectroniques 2me cycle, coles dingnieurs, chez Dunod Henry Mathieu, Thierry Bretagnon, Pierre Lefebvre : Physique des semiconducteurs et des composants lectroniques, problmes rsolus 2me et 3me cycles, coles dingnieurs chez Dunod Sextant : Optique exprimentale chez Hermann C. Hermann, B. Sapoval : Physique des semiconducteurs Cours de lEcole Polytechnique Chez Ellipses C . Cohen-Tanoudji, F . Lalo, B. Diu : Mcanique Quantique Didier Dangoisse, Daniel Hennequin, Vronique Zehnl-Dhaoui : Les lasers, cours et exercices corrigs 2me cycle, coles dingnieurs chez Dunod

TRANSPARENTS

CHAPITRE I
ETATS QUANTIQUES DE LELECTRON DANS UN SOLIDE CRISTALLIN : STRUCTURE DE BANDES

Tableau priodique des lments

I-1) Discussion qualitative

Systme 2 niveaux

Variation spatiale du potentiel auquel est soumis llectron.

La leve de dgnrescence du niveau fondamental se traduit par lapparition de deux niveaux dnergie distincts

I-2) Chane linaire de N atomes

Variation spatiale du potentiel auquel est soumis llectron.

La leve de dgnrescence se traduit par lapparition de bandes dnergie

I-3) Mtaux, isolants, semiconducteurs A temprature nulle

Mtal

Isolant

I-3) Mtaux, isolants, semiconducteurs Fonction de Fermi-Dirac

m: potentiel chimique

I-3) Mtaux, isolants, semiconducteurs Remplissage des bandes T=0

E
Trait vert: densit dtats

Trait bleu: distribution de Fermi-Dirac

Zone hachure: tats occups

Mtal

Isolant

I-3) Mtaux, isolants, semiconducteurs Remplissage des bandes T0

E
Trait vert: densit dtats

Trait bleu: distribution de Fermi-Dirac

Zone hachure: tats occups

Mtal

Semiconducteur

Isolant

CHAPITRE II
SEMICONDUCTEURS INTRINSEQUES ET EXTRINSEQUES

II-2) Semiconducteurs extrinsques Donneurs

Atome de Phosphore dans un rseau de Si (chaque point noir reprsente un lectron). Dans la structure de bandes, le niveau donneur est situ en-dessous de la bande de conduction

Accepteurs

Atome de Bore dans un rseau de Si (chaque point noir reprsente un lectron). Dans la structure de bandes, le niveau acepteur est situ au-dessus de la bande de valence

II-2) Semiconducteurs extrinsques Variation du nombre de porteurs dans un semiconducteur de type n en fonction de la temprature

CHAPITRE III
PROPRIETES DE TRANSPORT DANS LES SEMICONDUCTEURS

III- 1) En labsence de champ magntique

Rsistivit

III-2) En prsence de champ magntique

Effet Hall

CHAPITRE IV
JONCTION P-N

IV-1) A lquilibre thermodynamique Niveaux dnergie dans 2 cristaux de type n et p loigns

Les zones hachures indiquent les tats lectroniques remplis, les ronds noirs reprsentent les lectrons et les ronds blancs les trous.

IV-1) A lquilibre thermodynamique Charge despace

IV-1) A lquilibre thermodynamique RECAPITULATIF

Profil de dopage

Charge despace

Charge despace pour une jonction abrupte

Potentiel

Bandes dnergie

Champ lectrique

IV-2) Hors dquilibre Profils de bandes pour une jonction p-n polarise

IV-2) Hors dquilibre Caractristique courant/tension

IV-2) Hors dquilibre Loi de Schockley

IV-3) Diverses proprits Effet de claquage

IV-3) Diverses proprits Rponse dune jonction p-n aux transitoires

IV-4) Photodiode Principe de fonctionnement

CHAPITRE V
OPTO-ELECTRONIQUE

V-1) Ordres de grandeur

V-1) Ordres de grandeur Spectre de transparence des fibres optiques

V-3) Photodiode Principe de fonctionnement

V-3) Photodiode Optimisation du composant Diodes rapides: photodiode p-i-n

V-4) Cellule solaire Principe de fonctionnement

V-4) Cellule solaire Optimisation: cellules solaires multicolores

V-5) Diode lectroluminescente

Diagramme nergtique dune jonction p-n Principe de fonctionnement

V-5) Diode lectroluminescente

Schma du composant diode lectroluminescente Principe de fonctionnement

V-5) Diode lectroluminescente Spectre dmission de diffrents alliages

V-5) Diode lectroluminescente

Brillance (distribution spatiale de lmission)

Loi de Lambert : B= B0cosa

V-5) Diode lectroluminescente Optimisation du composant: encapsulage

V-5) Diode lectroluminescente Optimisation du composant

V-6) Diode laser Principe de linversion de population

Laser 4 niveaux

Dans les semiconducteurs, bandes dnergie

V-6) Diode laser

Principe de fonctionnement

V-6) Diode laser Phnomne de rabsorption

V-6) Diode laser

Spectre de lmission spontane/spectre de lmission stimule

I (arb. Units)

Emission spontane

Emission stimule

E-Eg

V-6) Diode laser Distribution spectrale du gain et des pertes

V-6) Diode laser

Distribution spectrale du rayonnement, modes

V-6) Diode laser Distribution spatiale de lmission

V-6) Diode laser Courant de seuil

V-6) Diode laser Optimisation de la structure: laser htrojonction

CHAPITRE VI
CAMERA CCD

PRI NCIPE DE LA CAPACITE MIS (Mtal-Isolant-Semiconducteur)

MECANISME DU TRANSFERT DE CHARGE

REPRESENTATION SCHEMATIQUE DUN CAPTEUR CCD