Elektronika 1 POPIS FIZIKALNIH KONSTANTI I FORMULA naboj elektrona masa slobodnog elektrona Planckova konstanta Boltzmannova konstanta Brzina

svjetlosti: apsolutna dielektrika konstanta relativna dielektrika konstanta naponski ekvivalent temperature q =1,602.10-19 C m0 =9,1085.10-31 kg

h = 6,625.10-34 Js = 4,135.10-15 eVs k = 1,380.10-23 J/K c = 2,998.108 m/s 0 = 8,854.10-14 F/cm (Si)=11,7, (SiOx) =3,9 UT =

kT T = V & q 11609 T energetski ekvivalent temperature ET = kT = eV & 11609

Svojstva poluvodia:
irina zabranjenog pojasa linearna aproksimacija EG = 1,17 4,73 10 4 T 2 ,eV za 0<T<800 K T + 636

EG = 1,2 2,546 10 4 T ,eV za 200<T<600 K

T ni = 1,77 10 300
20 3/ 2

intrinsina koncntracija:

6965,4 -3 exp , cm T

zakon elektrike nutralnosti: zakon termodinamike ravnotee: koncentracija slobodnih nosioca:

n + N A = p + ND

n p = ni2
E EF n = N C exp G kT E p = NV exp F kT

efektivna gustoa kvantnih stanja u vodljivom, odn. valentnom pojasu - Nc , Nv N c = N v = 4,83 1015 T 3 / 2 , cm-3 &
specifina vodljivost poluvodia: = q ( n n + p p ) gustoa difuzijske struje: J n = q Dn difuzijska konstanta: D = U T

dn( x) dp ( x) J p = q D p dx dx (Einsteinova relacija)

P-N spoj
kontaktni potencijal: U K = U T ln Boltzmannove relacije:

n0 n p0 p ni2 U UT n p 0 = n0 p exp U UT

pn 0 = p0 n exp

irina osiromaenog podruja:

dB =

2 0 1 1 N + N (U K U ) q D A

U Shockleyeva jednadba: I = I S exp UT reverzna struja zasienja: dioda s dugakim stranama dioda s kratkim stranama

n0 p p + D p 0n I S = I Sn + I Sp = q S Dn Ln Lp n0 p p + Dp 0n I S = I Sn + I Sp = q S Dn wp wn

difuzijska duljina: dinamiki otpor: rd =

L = D dU UT = dI I + IS C j = 0 S dB

kapacitet osiromaenog podruja: difuzijska admitancija Y ( ) =

I 1 + j UT

sunana elija:

U I = I L I S exp UT

Bipolarni tranzistor
normalno aktivno podruje:
npn I E = I nE I pE pnp I E = I pE + I nE

I c = I nC + I CB 0 I CB 0 > 0 I B = I pE + I R I CBO I R = I nE I nC

I c = I pC + I CB 0 I B = I nE + I R I CBO I R = I pE I pC

I CB 0 < 0

I nE IE

* =

I nC I nE

=
= *

I pE IE

* =

I pC I pE

I C = I E + I CB 0
Ebers-Mollove jednadbe:

I C = I B + I CE 0

I CE 0 = (1 + ) I CB 0

npn tranzistor:

U EB U CB I E = I ES exp U 1 + R I CS exp U 1 T T U EB U CB I C = I ES exp U 1 I CS exp U 1 T T

ili

U I E = R I C I EB 0 exp BE UT

U I C = I E I CB 0 exp BC UT

I EB 0 = I ES (1 R )
za pnp tranzistor: exp

I CB 0 = I CS (1 R )
i

I ES = R I CS
I ES , I CS , I EB 0 , I CB 0 <

U BE U BC , exp UT UT

Tranzistori s efektom polja (FET):

spojni FET (JFET):

Linearno podruje:
U U GS I D = G0 1 K U U K GS 0
1/ 2

U DS

Triodno podruje:
U U GS 0 I D = G0 K 3 Podruje zasienja:
3/ 2 U K U GS U K U GS 0 U K U GS 1 3 I D = G0 + 2 U U U K U GS 0 3 GS 0 K

U U + U U DS GS DS 2 K 3 U U U K U GS 0 K GS 0

3/ 2

U U GS K U U GS 0 K

3/ 2

dinamiki parametri:

strmina: Triodno podruje:

gm =

i D u DS = konst. uGS Podruje zasienja:

1/ 2

U U + U GS DS g m = G0 K U U K GS 0

U U GS K U U GS 0 K

1/ 2

U U 1 / 2 GS g m = G0 1 K U U K GS 0

izlazna dinamika vodljivost:

U U +U GS DS g d = G0 1 K U U K GS 0
1/ 2

gd =

iD 1 = uGS = konst. rd u DS

faktor naponskog pojaanja: =

MOSFET: U I D = K U GS U GS 0 DS 2 K 2 I D = (U GS U GS 0 ) 2
K =

u DS i D = konst. Barkhausenova relacija: = g m rd u GS

U DS

triodno podruje podruje zasienja

ox W
d ox L

dinamiki parametri:

Triodno podruje: g m = K U DS Podruje zasienja: g m = K (U GS U GS 0 ) gd = 0 , rd = ,

=

g d = K (U GS U GS 0 U DS )

= g m rd