Apuntes para Polarizaciones Del Fet

POLARIZACIONES16
JFET
ELECTRNICA
Ing. Roldn J. Virzi D.

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
POLARIZACIONES DEL JFET

La corriente de compuerta (IG) ser siempre considerada igual a cero
Ecuacin de Shockley:
ID = IDSS(1-(VGS/VP))2
Transconductancia:
gm = dID/dVGS
ID(mA)
Caracterstica de
Transferencia
Canal n
IDSS
gm = -2IDSS(1-(VGS/VP))/ VP
16
16
14
14
12
12
10
10
ID(mA)
IDSS
Caracterstica de
Transferencia
Canal p
VP
VP
VGSQ = -VGG 12
10
Canal p:
VGSQ = VGG 10
VDSQ = VDD IDQRD
VDS
VGS
+
3.0
2.0
1.0
VGG
8.0
7.0
IDQ = IDSS(1-(VGSQ/VP))
VGS
VGS
Canal n
11.0
ID
0.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
VGG
10.0
RD
RG
-5.0
VDD
10.0
Canal n:
9.0
12
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
14
VGS
-6.0
-7.0
-8.0
0.0
14
6.0
VDS
-9.0
-1.0
16
5.0
-10.0
-2.0
16
RD
ID
VGS(V)
4.0
VDD
VGS(V)
Polarizacin Fija:
RG
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
-10.0
-11.0
Canal p
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE PANAM CENTRO REGIONAL DE CHIRIQU FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA
16
POLARIZACIONES17
JFET (Polarizacin Fija)
ELECTRNICA

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Ejemplo:
Canal n:
IDSS = 15mA
VDD = 20V
VGSQ = - 3V;
IDQ = 7,35mA; VDSQ = 11,18V; gm = 2,100mS
Caracterstica de Transferencia
IDSS
16
VP = -10V
RD = 1,2k
VG = - 3V
ID(mA)
VDD/RD
18
ID(mA)
VGG = 3V
RG = 10M
16
Caracterstica de Drenaje
Recta de carga de cc
14
14
12
m=-1/RD
12
10
10
8
6
ID(mA)
16
11.0
10.0
9.0
10
12
IDQ = 7,35mA; VDSQ = 11,18V; gm = - 2,1mS
VDD
14
16
18
20
16
14
12
12
VG = 3V
m=-1/RD
10
22
VDS(V)
VGG = 3V
RG = 10M
ID(mA)
VDD/RD
18
14
IDQ
8
6
4
VGSQ
VP
VDSQ
2
11
10
-1
-2
8.0
VP = 10V
RD = 1,2k
0
-3
VGSQ = 3V;
-4
IDSS = 15mA
VDD = 20V
-5
Canal p:
-6
7.0
6.0
VDSQ
5.0
2
2.0
1.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
10
IDQ
VGS(V)
Ejemplo:
IDSS
-8.0
-9.0
VGSQ
-10.0
-11.0
VP
IDQ
4.0
IDQ
3.0
VDD
0
20
22
17
VGS(V)
10
12
14
16
18
VDS(V)
POLARIZACIONES18
JFET (Auto-Polarizacin)
ELECTRNICA

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Autopolarizacin:
VGSQ = - IDQRS
VGSQ = IDQRS
IDQ = IDSS(1-(VGSQ/VP))2 = -VGSQ /RS
IDQ = IDSS(1-(VGSQ/VP))2 = VGSQ /RS

16
16
VGS
Canal n
Para canal n:
VDD
El VGSQ de menor valor de IDQ

es el vlido.
VGS
10.0
-b
b2 4ac 0
VGSQ ( 1,2 ) = ----------------------2a
RS
9.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
-10.0
VGS
RG
8.0
RS
VDS
7.0
VGS
6.0
VDS
+ canal p
4 n
- canal
5.0
2IDSS
1
4 b = - (-------- -----)
VP
RS
RD
4.0
10
3.0
ID
c = IDSS
2.0
IDSS
10 a = -----VP2
8
RG
12
12
RD
14
1.0
VDD
Cuadrtica para VGSQ
0.0
14
Canal p
VDSQ = VDD IDQRD - IDQRS
VDSQ = - (VDD IDQRD - IDQRS)
para canal p
18
POLARIZACIONES19
JFET (Auto-Polarizacin)
ELECTRNICA

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
IDSS = 15mA
RD = 1,2k
VP = -10V
RS = 220
VDD = 20V
RG = 10M
VGSQ = - 2,07V IDQ = 9,43mA
IDQ
0
0
VGS(V)
Ejemplo:
ID(mA)
Canal p:
m=-1/(RD+RS)
VDSQ
VDD
IDQ
IDSS = 15mA
RD = 1,2k
VP = 10V
RS = 220
VGSQ = 2,07V
IDQ = 9,42mA
10
11
10
10
10
12
12
14
ID(mA)
VDD/(RD+RS)
14
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
VGSQ
-9
-10
-11
VP
16
16
m = 1/RS
gm = 2,378mS
ID(mA)
18
IDSS
VDSQ = 6,61V
Canal n:
Ejemplo:
12
14
16
18
20
22
VDS(V)
VDD = 20V
RG = 10M
VDSQ = - 6,62V gm = - 2,378mS
18
IDSS
16
m = 1/RS
14
12
IDQ
10
VGSQ
VDSQ
VDD
IDQ
2
11
10
0
0
-1
-2
-3
m=-1/(RD+RS)
VP
0
-4
Q
10
-5
12
-6
ID(mA)
VDD/(RD+RS)
16
14
VGS(V)
10
12
14
16
18
20
22
VDS(V)
19
POLARIZACIONES20
ELECTRNICA
JFET

28/01/13
(Polarizacin por Divisin de Tensin)
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Polarizacin por Divisin de Tensin (con retroalimentacin) RS:

VGSQ = VG - IDQRS
VG = VDDR2( R1+ R2)
IDQ = IDSS(1-(VGSQ/VP))2 = (VG -VGSQ)/RS

VG < VS (=IDQRS)
14
VDD
12
10
a=
R1
RD
ID
Q
IDSS
-----VP2
14
VG
c = IDSS - -------10
RS 8
R2
RS
VDD
12
2IDSS
1
b
=
(--------
-----)
(**)
4
VP
RS
VGS
VG
Cuadrtica para VGSQ
VDS
VG > VS(=IDQRS)
16
16
R1
RD
ID
VDS
VG
-b
b2 4ac
0
VGSQ ( 1,2 ) = ----------------------2a
VGS
VGS
R2
RS
Canal n
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
-10.0
VGS
Canal p
El VGSQ de menor valor de IDQ

es el vlido.

(**) Signo negativo (-) para tensin positiva, como aparece arriba; signo positivo (+) para tensin
16
negativa, como se describe a continuacin.
16
14
14
12
12
Una variante es polarizar con una tensin negativa; es decir, VDD en la fuente y el negativo en el drenaje.
VG < VS
VG10= VDDR1/(R1+R2);
8
RD
R1
VG"
VG > VS
VG"
RD
R1
VGSQ = IDQRS - VG; VG = VDDR2/(R1+R2)
VDS
9.0
VGS
VGSVDSQ = -(VDD IDQRD - IDQRS)

Canal n
8.0
VDD
7.0
6.0
5.0
4.0
RS
3.0
2.0
R2
Canal p
20
10.0
VGS
1.0
-1.0
-2.0
RS
-3.0
VDD
-4.0
-5.0
-6.0
-8.0
-9.0
-7.0
VGS
R2
La
2 ecuacin cuadrtica se desarrolla de 2
igual manera con iguales resultados.
0.0
VDS
0.0
-10.0
VS = VDD - IDR10S
JFET

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Con Tensin Positiva:

IDSS = 15mA
RS = 390
VDSQ = 7,43V
14
12
12
10
10
IDQ
8
VG
ID(mA)
IDSS = 15mA
RS = 120
IDQ = 10,12mA VDSQ = 8,66V
14
12
10
10
VGSQ
VP
VG
10
-1
-2
0
-3
10
11
12
14
VDD = 20V
R2 = 12k
16
18
20
22
VDS(V)
RD = 1k
gm = - 2,464mS VG = 3,00V
ID(mA)
VDD/(RD+RS)
VG = 3,00V
m=-1/(RD+RS)
IDQ
-4
14
12
IDQ
16
m = -1/RS
VDSQ
VDD
11
IDSS
20
18
16
VDD
VP = 10V
R1 = 68k
18
-5
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
VGSQ = 1,79V
VDSQ
VGS(V)
Canal p:
m=-1/(RD+RS)
IDQ
Ejemplo:
10
VGSQ
VP
VG = 1,29V
VG = 1,29V
ID(mA)
VDD/(RD+RS)
16
14
m = 1/RS
gm = 2,33mS
RD = 1k
ID(mA)
16
IDSS
VDD = 20V
R2 = 4,7k
VGSQ = - 2,23V IDQ = 9,04mA
VP = -10V
R1 = 68k
Canal n:
Ejemplo:
-6
-7
POLARIZACIONES21
ELECTRNICA
VGS(V) 0
10
12
14
16
18
20
22
VDS(V)
21
POLARIZACIONES22
ELECTRNICA
JFET

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Con Tensin Negativa:

Ejemplo:
Canal n:
IDSS = 15mA
RS = 100
VP = -10V
R1 = 56k
VDD = 20V
R2 = 5,6k
VGSQ = - 0,45V IDQ = 13,68mA VDSQ = - 16,99V gm = 2,865mS
RD = 120
VG = 18,18V
VG = - 1,82V
35
ID(mA)
30
25
m = 1/RS
20
VG'/RS
IDSS
IDQ
15
10
Ejemplo:
IDSS = 15mA
RS = 220
VP = 10V
R1 = 56k
VGS(V)
VDD = 20V
R2 = 5,6k
RD = 120
IDQ = 12,40mA VDSQ = -15,79V gm = - 2,727mS VG = 18,18V
VG = - 1,82V
IDSS
ID(mA)
16
m = 1/RS
Q
14
IDQ
12
10
VG'/RS
8
6
4
11
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
VP
VGSQ
10
VG'
VGS(V)
22
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
VGSQ
Canal p:
VGSQ = 0,91V
VG'
-10
-11
VP
POLARIZACIONES23
ELECTRNICA
JFET

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Polarizacin por Divisin

de Tensin (sin retroalimentacin) RS:
16
16
14
14
12
10
RD
VDSQ = VDD IDQRD
VGS
R2
ID(mA)
IDSS
IDSS = 15mA
RD = 1,2k
VP = 10V
R1 = 56k
VGSQ = 1,82V
IDQ = 10,04mA VDSQ = 7,95V
16
14
14
12
12
VGSQ
VP
9.0
IDQ
VDSQ
VDD
0
11
10
-1
-2
-3
-4
-5
0
-6
gm = -2,455mS VG = 1,82V
m=-1/RD
10
VDD = 20V
R2 = 5,6k
ID(mA)
VDD/RD
18
16
10.0
Canal p
Canal p:
10
IDQ
8.0
VGS
Canal n
Ejemplo:
7.0
0.0
VGS
6.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
-10.0
VDS
VG
ID
VGS
R2
VG
IDQ = IDSS(1-(VG/VP))2
5.0
VDS
4.0
RD
R1
3.0
ID
VG = VDDR2/( R1+ R2)
2.0
R1
12
VGSQ = VG
10
VDD
1.0
VDD
VGS(V)
10
12
14
16
18
20
22
VDS(V)
23
POLARIZACIONES24
ELECTRNICA
JFET

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Una variante es polarizar el JFET canal n con una tensin negativa; es decir, VDD en la fuente y el
16
negativo en el drenaje.
16
14
14
12
12
VGSQ = VG
10
RD
VDSQ = - (VDD IDQRD)
VDD
VDS
VG
Canal n:
IDSS = 15mA
RD = 1,2k
VGSQ = -1,82V
IDQ = 10,04mA VDSQ = -7,95V
VGS(V)
VDSQ
0
10.0
VDD
8
10
11
10
IDQ
-1
-2
-3
-5
-6
-7
-8
-9
-4
VGSQ
VP
10
m=-1/RD
IDQ
10
12
VG = 18,18V
VG
12
16
14
gm = 2,455mS
ID(mA)
m = 1/RS
VDD/RD
18
14
VDD = 20V
R2 = 5,6k
ID(mA)
16
IDSS
VP = - 10V
R1 = 56k
-10
9.0
Canal p
Ejemplo:
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
0.0
VGS
VGS
Canal n
-11
VGS
R2
VDD
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
-10.0
R1
VGS
R2
VG
3.0
VDS
VG = - VDDR2/( R1+ R2)
2.0
RD
1.0
R1
10
12
14
16
18
20
22
-VDS(V)
24
POLARIZACIONES 25
D-MOSFET
ELECTRNICA

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
POLARIZACIONES DEL D-MOSFET

La corriente de compuerta (IG) ser siempre considerada igual a cero
ID = IDSS(1-(VGS/VP))2
Transconductancia:
gm = dID/dVGS
30
Caracterstica de
Transferencia
Canal n
gm = -2IDSS(1-(VGS/VP))/ VP
30
ID(mA)
25
25
20
20
ID(mA)
Caracterstica de
Transferencia
Canal p
IDSS
15
IDSS
15
10
10
VP
VP
11.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-1.0
10.0
VGS (V)
-2.0
-3.0
3.0
2.0
1.0
0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
-10.0
-11.0
VGS (V)
Polarizacin Fija:
Autopolarizacin A: (*)
Igual que el JFET. (**)
Polarizacin por Divisin de Tensin:

(*) Esta Autopolarizacin A, igual a la autopolarizacin JFET, es la que se da en la regin de Agotamiento
del D-MOSFET. Como veremos ms adelante, podemos lograr otra forma de Autopolarizacin en el
D-MOSFET, slo en la regin de Enriquecimiento, aqu llamada Autopolarizacin E.
(**) En el D-MOSFET se tiene la variante de que VGSQ puede ser mayor que cero, ya que, debido a la
regin de enriquecimiento, IDQ puede ser mayor que IDSS, como veremos seguidamente.
25
D-MOSFET

28/01/13
(Pol. Fija en Enriquecimiento)
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Para IDQ > IDSS en Polarizacin Fija:

Ejemplo:
Canal n:
IDSS = 15mA
VDD = 20V
VP = -10V
RD = 680
VGSQ = 2V
IDQ = 21.6mA
30
ID(mA)
25
IDQ
25
15
m=-1/RD
VDSQ
VDD
IDSS = 15mA
VDD = 20V
VP = 10V
RD = 680
VGSQ = - 2V
IDQ = 21.6mA
11
10
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-9
-10
-8
Canal p:
0
0
VGS(V)
Ejemplo:
10
12
30
14
VDSQ = 5,31V
25
25
IDQ
Q
20
18
20
22
-VDS(V)
gm = - 3,60mS
ID(mA)
16
VGG = 2V
RG = 10M
ID(mA)
VDD/RD
35
IDQ
m=-1/RD
20
IDSS
15
15
10
10
VDSQ
VGSQ
VDD
VP
11
10
0
-1
m = 1/RS
QVG
VGSQ
0
-11
IDQ
VP
-2
10
-3
gm = 3,60mS
15
IDSS
10
-4
VDSQ = 5,31V
20
20
-5
VGG = 2V
RG = 10M
ID(mA)
VDD/RD
35
-6
-7
POLARIZACIONES 26
ELECTRNICA
VGS(V)
0
0
10
12
14
16
18
20
22
-VDS(V)
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 26
UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE PANAM CENTRO REGIONAL DE CHIRIQU FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA
POLARIZACIONES 27
ELECTRNICA
D-MOSFET
Ing. Roldn J. Virzi D. 28/01/13

(Autopolarizacin en Enriquecimiento)
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Para Auto-Polarizacin en Enriquecimiento (IDQ > IDSS):

VG = VDD
VS = IDRS
VG = 0V
VGSQ = VDD - IDQRS
VS = IDRS
VGSQ = - IDQRS
IDQ = IDSS(1-(VGSQ/VP))2 = (VG - VGSQ)/RS
16
VDS
VGS
RG
RS
VGS
Canal n
VGS
El VGSQ de menor valor de
IDQ es el vlido.
10.0
6.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-b
b2 4ac
0 VGSQ ( 1,2 ) = ----------------------2a
5.0
RS
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
-10.0
VGS
4.0
VDS
ID
3.0
2.0
1
2IDSS
b = (----- - --------)
4
RS
VP
ID
RD
9.0
RG
VDD
1.0
RD
c = IDSS
VG 12
- ------RS 10
8.0
IDSS
a = -----10
VP2
12
14
0.0
14
VDD
Cuadrtica para VGSQ
7.0
16
Canal p
27
POLARIZACIONES 28
ELECTRNICA
D-MOSFET

-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Ejemplo:
Canal n:
VGSQ = 1,82V
IDSS = 15mA
RD = 47
VP = -10V
RS = 390
IDQ = 20,97mA VDSQ = 0,83V
VDD = 10V
RG = 10M
gm = 3,546mS
VG = 10V
VG = 10V
ID(mA)
35
30
25
IDQ
20
IDSS
15
m = -1/RS
10
Ejemplo:
11
10
VG'
VGSQ
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
VP
VGS(V)
Canal p:
IDSS = 15mA
RD = 47
VP = 10V
RS = 100
VGSQ = - 2,25V IDQ = 22,53mA VDSQ = 6,69V
VDD = 10V
RG = 10M
gm = - 3,676mS VG = 0V
VG = 0V
ID(mA)
35
30
25
IDQ
20
IDSS
15
m = -1/RS
10
11
VP
VG
10
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
VGSQ
VGS(V)
28
POLARIZACIONES 29
ELECTRNICA
D-MOSFET

-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Para Auto-Polarizacin en Enriquecimiento (IDQ > IDSS):
variante:

VG = VDD
VS = VDD - IDRS
VGSQ = IDQRS
VG = 0V
VG = 0V
VS = VDD - IDRS
VG = VDD
VGSQ = IDQRS - VDD
IDQ = IDSS(1-(VGSQ/VP))2 = (VGSQ + VG)/RS

16
16
14
14
12
10
IDSS
8 a = -----VP2
6
Q1
VDS
VGS
VDD
RS
2a
10.0
9.0
8.0
VGS
VGSVGSQ ( 1,2 ) = ----------------------Canal n
7.0
6.0
5.0
4.0
b 4ac
3.0
-b
2.0
0
2
1.0
0.0
-1.0
RD
RG
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
VDD
10
2IDSS
1
b
=
(----------)
2
VP
RS
RS
RG
-10.0
VDS
VGS
VG
c = IDSS - ----RS
12
0.0
RD
Cuadrtica para VGSQ
Canal p

IDQ es el vlido.
VDSQ = - (VDD IDQRD - IDQRS)
29
POLARIZACIONES 30
ELECTRNICA
D-MOSFET

-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Ejemplo:
Canal n:
VGSQ = 2,25V
IDSS = 15mA
RD = 47
VP = -10V
RS = 100
VDD = 10V
RG = 10M
IDQ = 22,53mA VDSQ = - 6,69V gm = 3,676mS
VG = 10V
VG = 0V
ID(mA)
35
30
IDQ
25
20
IDSS
15
m = 1/RS
10
Ejemplo:
Canal p:
VGSQ = -1,82V
IDSS = 15mA
RD = 47
VDD = 10V
RG = 10M
gm = -3,546mS
11
VGS(V)
VP = 10V
RS = 390
IDQ = 20,97mA VDSQ = 0,83V
10
VG'
VGSQ
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
VP
VG = 0V
VG = 10V
ID(mA)
35
30
25
IDQ
20
m = 1/RS
IDSS
15
10
11
10
VP
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
VGSQ
-9
-10
-11
VG'
VGS(V)
30
POLARIZACIONES 31
ELECTRNICA
D-MOSFET

(Div. de Tensin en Enriquecimiento, RS>0)
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Pol. por Divisin de Tensin en Enriquecimiento (IDQ > IDSS ) (con RS):
Ejemplo: Canal n:
VG > VS, as: VGS > 0
VGSQ = 3,31V
IDSS = 15mA
RS = 47
VP = -10V
R1 = 56k
IDQ = 26,59mA VDSQ = 5,56V
VDD = 10V
R2 = 47k
gm = 3,994mS
RD = 120
VG = 4,56V
VG = 4,56V
ID(mA)
35
30
IDQ
Q
25
20
m = -1/RS
IDSS
15
10
5
VP
VG
VGSQ
11
10
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
VGS(V)
Ejemplo: Canal p:
VG < VS, as: VGS < 0
VGSQ = -2,75V
IDSS = 15mA
RS = 150
VP = 10V
R1 = 56k
IDQ = 24,37mA VDSQ = 3,42V
VDD = 10V
R2 = 5,6k
RD = 120
gm = - 3,824mS VG = 0,91V
VG = 0,91V
ID(mA)
35
30
IDQ
25
20
m = -1/RS
IDSS
15
10
11
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
VP
VG
10
VGSQ
VGS(V)
31
POLARIZACIONES 32
ELECTRNICA
D-MOSFET

(Div. de Tensin en Enriquecimiento, RS>0)
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Ejemplo: Canal n:
VG > VS, as: VGS > 0
VGSQ = 2,75V
IDSS = 15mA
RS = 150
VP = -10V
R1 = 56k
VDD = 10V
R2 = 5,6k
IDQ = 24,37mA VDSQ = - 3,42V gm = 3,824mS
RD = 120
VG = 9,09V
VG = 0,91V
ID(mA)
35
30
IDQ
25
m = 1/RS
20
IDSS
15
10
5
VP
VGSQ
VG'
11
10
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
VGS(V)
Ejemplo: Canal p:
VG < VS, as: VGS < 0
VGSQ = -0,99V
IDSS = 15mA
RS = 150
VP = 10V
R1 = 56k
VDD = 10V
R2 = 33k
IDQ = 18,13mA VDSQ = - 5,10V gm = 3,296mS
RD = 120
VG = 6,29V
VG = 3,71V
ID(mA)
35
30
25
20
IDQ
IDSS
15
m = 1/RS
10
5
11
10
VP
0
-1
-2
VGSQ
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
VG'
VGS(V)
32
POLARIZACIONES 33
ELECTRNICA
D-MOSFET

(Div. de Tensin en Enriquecimiento, RS=0)
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Pol. por Divisin de Tensin en Enriquecimiento (IDQ > IDSS ) (sin RS):
Resulta como una polarizacin fija.
16
14
14
12
10
VDSQ = VDD IDQRD
R2
VGS
VGS
Canal n
10.0
9.0
0.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
VDS
VG
VGS
Ejemplo:
ID
6
4
2
0
-10.0
8.0
VG
IDQ = IDSS(1-(VG/VP))
VGS
R2
RD
7.0
VDS
R1
6.0
VG = VDDR2/( R1+ R2)
5.0
ID
10
4.0
RD
12
VGSQ = VG
3.0
R1
VDD
2.0
VDD
16
1.0

No existe para Canal p.
Canal p
Canal n:
IDSS = 15mA
RD = 220
VP = -10V
R1 = 56k
VDD = 10V
R2 = 10k
VGSQ = 1,52V
IDQ = 19,89mA VDSQ = 5,62V
gm = 3,455mS
VG = 1,52V
m = -1
V
ID(mA)
35
30
25
IDQ
20
IDSS
15
10
VP
VGSQ
VGS(V)
33
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
POLARIZACIONES 34
ELECTRNICA
D-MOSFET

(Div. de Tensin en Enriquecimiento, RS=0)
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

No existe para Canal n.
Resulta tambin como una

16 polarizacin fija.
16
14
14
12
12
VGSQ = VG
VG = - VDDR2/( R1+ R2)
VGS
R2
4.0
3.0
2.0
0.0
VGS
VGS
Canal p
Canal n
Ejemplo:
10.0
VDD
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
9.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
-10.0
VDD
8.0
VGS
R2
VDS
VG
1.0
VDS
VG
7.0
RD
R1
6.0
RD
R1
10
5.0
10
Canal p:
IDSS = 15mA
RD = 220
VP = 10V
R1 = 56k
VDD = 10V
R2 = 10k
VGSQ = - 1,52V IDQ = 19,89mA VDSQ = - 5,62V gm = - 3,455mS VG = 8,48V
ID(mA)
35
30
25
IDQ
20
IDSS
15
10
VP
VGSQ
11
10
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
VGS(V)
34
POLARIZACIONES 35
14
D-MOSFET
(Polarizacin Cero)
16
ELECTRNICA
16

28/01/13
14
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------12
12
GS
10
10
VDD
8
VDD
V
=
0V
GSQ
8
6
RD
6
I
=
I
DQ
DSS
RD
4
4
ID
ID
2
Q
2
Q
VDS
0
VDS
0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
VGS
VGS
VGS
Canal p
Canal n
Ejemplo:
4.0
3.0
2.0
VDSQ = VDD IDQ*RD
1.0
0.0
= 0V)
0.0
-1.0
-2.0
VGS
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
-10.0
Polarizacin Cero: (V
Canal n:
IDSS = 15mA
VP = -10V
VDD = 20V
VGSQ = 0V
IDQ = 15mA
VDSQ = 6,70V
gm = 3,000mS
RD = 220
ID(mA)
35
30
25
20
IDQ
15
= IDSS
10
5
VP
VGSQ
Ejemplo:
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
VGS(V)
Canal p:
IDSS = 15mA
VP = 10V
VDD = 20V
VGSQ = 0V
IDQ = 15mA
VDSQ = 6,70V
gm = - 3,000mS
ID(mA)
RD = 220
35
30
25
20
IDQ
15
= IDSS
10
5
VP
VGSQ
11
10
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
VGS(V)
35
POLARIZACIONES 36
D-MOSFET (Auto-Polarizacin E)
ELECTRNICA

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Autopolarizacin E (slo de Enriquecimiento):

16
16
VGSQ = VDSQ = VDD - IDQRD
VGSQ = VDSQ = -(VDD - IDQRD)

14
14
12
IDQ = IDSS(1-(VGSQ/VP))2 = (VDD VGSQ)/RD
12
10
10
VDD
(- para canal n
+ para canal p) 8
RD
RD
VGS
Canal n
Slo con Tensin Positiva
VGS
Canal p
Slo con Tensin Negativa
-b
b2 4ac
VGSQ ( 1,2 ) = ----------------------2a
VDSQ = - (VDD IDQ*RD)

IDQ es el vlido.
RD
RDG
VGS
VGS
Canal n
Slo con Tensin Positiva
RS
10.0
6.0
VDD
5.0
VGS
4.0
3.0
VDS
2.0
En donde all aparece RD, aqu

0 aparecer R + R
0
D
S
9.0
10
1.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
10
VDS
-8.0
12
0.0
ID
-9.0
12
Sumamos a RS con RD y 8
6 procedemos segn todos los 6
clculos descritos en la parte de
4 arriba.
4
RS
14
RD
RDG
VGS
14
8.0
VDD
16
7.0
Con Rs > 0:
16
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
VDS
VDD
VGS
2IDSS
1
b = - (-------- -----)
VP
RD
VDSQ = VDD IDQ*RD
3.0
VDS
VDD
c = IDSS - ------RD
2.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
IDSS
a = -----VP2
VGS
-10.0
-9.0
0.0
ID
-10.0
Cuadrtica para VGSQ
RDG
1.0
RDG
Canal p
Slo con Tensin Negativa
36
POLARIZACIONES 37
ELECTRNICA

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Ejemplo:
Canal n:
VGSQ = 3,76V
IDSS = 15mA
RD = 220
VP = -10V
RDG = 10M
IDQ = 28,38mA VDSQ = 3,76V
VDD = 10V
gm = 4,127mS
VG = 3,76V
VG = 10V
ID(mA)
35
IDQ
30
25
20
IDSS
m = -1/RD
15
10
11
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
Ejemplo:
VG'
VGSQ
10
VP
VGS(V)
Canal p:
IDSS = 15mA
RD = 220
VP = 10V
RDG = 10M
VDD = 10V
VG = - 10V
ID(mA)
35
IDQ
30
25
20
m = 1/RD
IDSS
15
10
11
10
VP
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
VGSQ
VG'
VGS(V)
37
POLARIZACIONES 38
ELECTRNICA

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Con Rs > 0:
Ejemplo:
Canal n:
VGSQ = 1,42V
IDSS = 15mA
RD = 220
VP = -10V
RS = 220
IDQ = 19,51mA VDSQ = 1,42V
VDD = 10V
gm = 3,425mS
RDG = 10M
VG = 5,71V
VG = 10V
ID(mA)
35
30
25
IDQ
IDSS
20
m = -1/(RD + RS)
15
10
11
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
VG'
VGSQ
10
VP
VGS(V)
Ejemplo:
Canal p:
IDSS = 15mA
RD = 220
VP = 10V
RS = 220
VDD = 10V
RDG = 10M
VG = - 10V
ID(mA)
35
30
25
m = 1/(RD + RS)
20
IDQ
15
IDSS
10
5
11
10
VP
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
VGSQ
-9
-10
-11
VG'
VGS(V)
38
POLARIZACIONES 39
ELECTRNICA

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Agregar RS > 0 es igual que aumentar el valor de RD . Veamos las curvas traslapadas:
Canal n:
ID(mA)
35
IDQ
30
25
IDQ
IDSS
20
m = -1/RD
m = -1/(RD + RS)
15
10
11
10
VG'
VG'
VGSQ
4
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
VGSQ
VVPP
VGS(V)
Canal p:
ID(mA)
35
IDQ
30
25
m = 1/RD
m = 1/(RD + RS)
IDSS
20
IDQ
15
IDSS
10
5
11
10
VP
0
-1
-2
-3
VGSQ
-4
-5
-7
-8
-9
-10
-11
-6
VGSQ
VG'
VGS(V)
39
16
16
ELECTRNICA
POLARIZACIONES 40
E-MOSFET
14
14
12
28/01/13
12
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------10
10
POLARIZACIONES
DEL E-MOSFET
8
8
La corriente de compuerta (IG) ser
siempre considerada igual a cero
66
ID = k(VGS -V4T)2
4
gm = 2k(VGS -VT)
9.0
8.0
7.0
10
10
Q
14
14
Canal n:
VGSQ = VGG >12VT
10
Canal p:
VGSQ = - VGG 10
< VT
VDS
RG
VGS
VGS
VGS
Canal n
7.0
VGG
6.0
VDSQ = VDD IDQRD
Canal p
40
-1
-2
5.0
IDQ = k(VGSQ - VT)
ID
4.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-6.0
-5.0
-7.0
-8.0
+
VGG
3.0
-3
VGS
RD
2.0
RG
VGS(V)
VDD
1.0
VDS
-4
12
11
-5
16
ID
10
-6
9
-7
8
-8
16
0.0
RD
VT
10.0
VGS(V)
7
-9
VT
6
-10
5
-11
VDD
-9.0
14
12
-1
-2
ID(mA)
12
Polarizacin Fija:
-10.0
16
9.0
ID(mA)
-3
6.0
Canal p
-4
5.0
Caracterstica de
Transferencia
VGS
16
14
10.0
VGS
Canal n
4.0
3.0
2.0
1.0
00
0.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
gm =
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
-10.0
Transconductancia:
VGS > VT
22
dID/dVGS
8.0
POLARIZACIONES 41
E-MOSFET (Polarizacin Fija)
ELECTRNICA

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Ejemplo:
k = 2mA/V2
RD = 220
Canal n:
VGSQ = 4,0V
VT = 2V
IDQ = 8,0mA
VDD = 10V
VDSQ = 8,24V
VGG = 4V
gm = 8,0mS
VG = 4,0V
ID(mA)
16
14
12
10
IDQ
8
6
4
VT
VGS(V)
Ejemplo:
k = 2mA/V2
RD = 220
Canal p:
VGSQ = - 4,0V
VT = -2V
IDQ = 8,0mA
VDD = 10V
VDSQ = 8,24V
11
10
VGSQ
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
VGG = 4V
gm = - 8,0mS
VG = - 4,0V
16
ID(mA)
m = -1/(RD + R
14
12
10
IDQ
8
6
4
VGS(V)
41
-1
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-2
VT
VGSQ
-11
-9
-10
-11
POLARIZACIONES 42
E-MOSFET
(Polarizacin Fija)
16
ELECTRNICA

28/01/13
16
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------14
14
Variante: Con Tensin Negativa
12
12
Canal n:
VGSQ = VGG - VDD10
Condicin
para canal n: VGG - VDD > 8VT
8
VGG > VDD + VT
10
VGS
VGS
Canal n
Canal p
k = 2mA/V2
RD = 150
Canal n:
VGSQ = 5,0V
VT = 2V
IDQ = 18,0mA
VDD = 5V
VGG = 10V
VDSQ = - 2,30V gm = 6,000mS
VG = 10,0V
ID(mA) 35
35
30
canal n
30
canal p
25
25
20
20
15
15
10
10
VT
VT
VGSQ
VGSQ
Canal p:
k = 2mA/V2
RD = 39
VGSQ = - 5,0V
VT = -2V
IDQ = 18,0mA
VDD = 3V
VGG = 2V
VDSQ = - 2,30V gm = - 6,000mS VG = - 2,0V
42
-1
-2
-3
-1
-2
-3
-4
-5
4
-11
5
-10
6
-9
7
-8
8
-7
9
-6
10
-5
11
-4
VGS(V)
VGS(V)
Ejemplo:
0
-6
IDQ
IDQ
ID(mA)
Ejemplo:
VDD
10.0
0.0
9.0
VGG
VGS
8.0
IDQ = k(VGSQ - VT)
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
-10.0
VDD
RG
2
2
7.0
VDS
6.0
VGG
VGSQ = -VGG - VDD4
5.0
VGS
RG
Canal p:
4.0
3.0
VDS
2.0
RD
1.0
RD
POLARIZACIONES 43
E-MOSFET
(Polarizacin Fija)
16
ELECTRNICA

28/01/13
16
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------14
Variante: Con una sla fuente14de Tensin (VGG = 0)
12
12
VDD
= - (VDD IDQRD) para canal p
9.0
VDD
VGS
10.0
VGSDSQ
VGS
8.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
V
0 DSQ = VDD IDQRD para canal n 0
VDS
7.0
6.0
5.0
3.0
2.0
VDS
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
IDQ = k(VGSQ - VT)2
VGS
-10.0
RD
RG
1.0
ID
VGSQ = - VDD
0.0
Canal p:
RG
RD
10
VGSQ = VDD
4.0
10
Canal
n:
Canal p
Canal n
Tensin Positiva (Slo para canal n)
Tensin Negativa (Slo para canal p)
En todo momento, en cualquier configuracin o variante, para que exista conduccin en el E-MOSFET se
debe cumplir con la condicin siguiente:
VGS = VG - VS > VT
k = 2mA/V2
RD = 150
Canal n:
VGSQ = 5,0V
VT = 2V
IDQ = 18,0mA
VDD = 5V
VDSQ = 2,30V
VGG = 0V
gm = 6,000mS
ID(mA) 35
35
30
30
canal n
25
canal p
25
20
20
15
15
10
10
VT
VGSQ
VGS(V)
Ejemplo:
Canal p:
k = 2mA/V
RD = 150
VGSQ = - 5,0V
VT = -2V
IDQ = 18,0mA
VDD = 5V
VGS(V)
VGG = 0V
VDSQ = - 2,30V gm = - 6,000mS VG = 0V
43
-1
-2
-3
4
-11
5
-10
6
-9
7
-8
8
-7
9
-6
10
-5
11
-4
-1
-2
-3
-4
IDQ
VT
VGSQ
-5
ID(mA)
IDQ
-6
VG = 5,0V
Ejemplo:
POLARIZACIONES 44
E-MOSFET (Auto-Polarizacin)
ELECTRNICA

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Autopolarizacin:
VGSQ = VGG - IDQRS
VGSQ = - VGG - IDQRD
2
IDQ = k(VGSQ - VT) = - (VGSQ VGG)/RS
(- para
+ para
16canal p)
16 canal n
10
VGG
2
c = kVT -------8
RS
1
b = ----- - 2kVT
2
RS
RG
VGS
RS
8.0
7.0
6.0
-b
b2 4ac
VGS VGSQ ( 1,2 ) = ----------------------2a
5.0
VGG
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
Canal n
VDS
0
VGG
4.0
RS
+
ID
VGS
RD
3.0
VDS
-10.0
a=k
RG
10
2.0
ID
VDD
VGS
10.0
Cuadrtica para VGSQ 12
9.0
12
1.0
RD
14
0.0
VDD
14
Canal p
VDSQ = VDD IDQ*(RD + RS)

k = 2mA/V2
RD = 150
Canal n:
IDQ = 8,70mA
VDSQ = 1,78V
VDD = 5V
gm = 4,172mS
VG = 6,0V
VG = 6,0V
35
VGG = 6V
35
ID(mA)
30
VGG/RS
IDSS
canal n
25
canal p
m = -1/RS
20
25
m = -1/RS
20
15
15
Q
VGSQ
Ejemplo:
Canal p:
k = 2mA/V
RD = 150
VGS(V)
-VGG
VT = -2V
RS = 33
VGSQ = - 4,37V IDQ = 11,24mA VDSQ = 2,94V
VDD = 5V
VGG = 4V
gm = - 4,742mS VG = - 4,0V
VG = - 4,0V
44
-7
VGS(V)
-8
-9
-10
-11
-1
-2
-3
-4
-5
-6
VT
VGG
VGSQ
-1
VT
-3
IDQ
10
-2
10
9
-6
10
-5
11
-4
IDQ
ID(mA)
30
VGSQ = 4,09V
VT = 2V
RS = 220
Ejemplo:
POLARIZACIONES 45
E-MOSFET (Auto-Polarizacin)
ELECTRNICA

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Variante: Con una sola fuente de Tensin (VGG = 0)
16
16
Tensin Positiva (Slo para canal

14 n)
VG =100V
VS = I8DRS
VS = VDD - ID8RS
VGS
VDD
VDSQ = - (VDD IDQ*(RD + RS))
VDSQ = 2,83V
VDD = 5V
gm = 3,629mS
VGG = 0V
VG = 5,0V
VG = 5,0V
canal n
VDD/RS
30
canal p
IDSS
25
m = 1/RS
m = -1/RS
20
20
15
15
10
10
VDD
VGSQ
Ejemplo:
Canal p:
VGSQ = - 3,81V IDQ = 6,59mA
VT = -2V
RS = 180
VDSQ = -2,83V
-1
-3
-VDD VGSQ
VGS(V)
k = 2mA/V2
RD = 150
VT
4
-11
5
-10
6
-9
7
-8
8
-7
9
-6
10
-5
11
-4
VT
0
-1
-2
-3
-4
-5
IDQ
Q
-2
IDQ
0
VDD/RS
25
VDD = 5V
gm = - 3,629mS VG = 0V
VGS(V)
VGG = 0V
VG = - 5,0V
45
30
ID(mA)
ID(mA)
35
35
IDQ = 6,59mA
VT = 2V
RS = 180
k = 2mA/V2
RD = 150
Canal n:
VGSQ = 3,81V
10.0
Canal p

Ejemplo:
9.0
VGS
VGS
c = kVT2 VDD/RS
Canal n
-6
8.0
RS
7.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
VDS
6.0
a=k
RS
-9.0
1
b = - (2kVT ----)
RS
VGS
5.0
VDS
VGS = - VDD + IDRS
4.0
VGS = VDD - IDRS
3.0
ID
RD
RG
2.0
RG
VG = V
10DD
0.0
RD
-10.0
12
12
1.0
VDD
Tensin 14
Negativa (Slo para canal p)
POLARIZACIONES 46
E-MOSFET (Auto-Polarizacin E)
ELECTRNICA

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Autopolarizacin E: (Rs = 0)
Tensin 16

16
VGS = VDS = VDD - IDRD

VDD
14
14
IDQ = k(VGSQ - VT) = (VDD VGS S

12
(- para
canal n
+ para canal
10 p)
2
VGS = VDS = IDRD - VDD
)/R 12
10
8
8
RD
RDG
VGS
VDSQ = VDD IDQ*RD
IDQ = 6,59mA
VG = 3,81V
VDD/RD
canal p
25
m = 1/RD
20
15
10
Canal p:
VT = -2V
VGSQ
VDD = 5V
VGS(V)
VGG = 0V
VDSQ = - 3,81V gm = - 3,629mS VG = 1,19V
VG = - 5,0V
46
-1
-2
-3
-4
-5
11
-6
10
-7
-8
-9
VT
0
VGS(V)
k = 2mA/V2
RD = 180
VGSQ = - 3,81V IDQ = 6,59mA
-10
-11
VGSQ
IDQ
-VDD
VDD
VT
5
0
-1
10.0
VDD/RD
IDSS
canal n
10
-2
9.0
35
15
-3
8.0
m = -1/RD
20
-4
7.0
VG = 5,0V
ID(mA) 30
25
-5
6.0
VGG = 0V
ID(mA) 30
-6
5.0
VDSQ = - (VDD IDQ*RD)
gm = 3,629mS
Ejemplo:
4.0
3.0
2.0
Canal p
VDD = 5V
35
IDQ
VDS
VGS
VT = 2V
VDSQ = 3,81V
VDDVGS
1
b = - (2kVT ----- )
RD
k = 2mA/V2
RD = 180
Canal n:
-b
b2 4ac
VGSQ ( 1,2 ) = ----------------------2a
Canal n
VGSQ = 3,81V
c = kVT
VDD
- ------RD
0.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
VGS
a=k
VDS
-9.0
1.0
-10.0
RD
RDG
ID
Ejemplo:
Cuadrtica para VGSQ

28/01/13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
(Rs > 0)
Tensin Positiva (Slo para
16 canal n)
16
Tensin Negativa
(Slo para canal p)
14
V14G = VDD - IDRD
VG = IDRD
12
12
VS = IDRS
VS = VDD - IDRS
10
10
RD
RD
VGS =8 VDD - ID(RD + RS)

6
VGSQ = 3,81V
k = 2mA/V2
RD = 90
Canal n:
IDQ = 6,59mA
VT = 2V
RS = 90
VDSQ = 3,81V
VDD = 5V
gm = 3,629mS
canal n
30
VGG = 0V
VG = 4,41V
VG = 5,0V
35
35
canal p
VDD/(RD +RS)
ID(mA)
25
m = -1/(RD +RS)
m = 1/(RD +RS)
20
20
15
15
10
10
VDD
VT
-VDD
VT
Canal p:
VGSQ
VDD = 5V
VGS(V)
VGG = 0V
VDSQ = - 3,81V gm = - 3,629mS VG = 0,59V
VG = - 5,0V
47
-1
-2
-3
-4
11
10
-5
-6
VT = -2V
RS = 90
-7
-8
-9
VGS(V)
k = 2mA/V2
RD = 90
VGSQ = - 3,81V IDQ = 6,59mA
-10
VGSQ
-11
-1
-2
-3
IDQ
Ejemplo:
30
VDD/(RD +RS)
IDSS
25
IDQ
10.0
Canal p
ID(mA)
9.0
VGS
VGS
Ejemplo:
8.0
7.0
VDD
6.0
0.0
-1.0
-2.0
VGS
Canal n
-4
VDS
RS
c = kVT2 VDD/(RD + RS)
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
RS
5.0
VGS
-10.0
a=k
3.0
VDS
2.0
1
b = - (2kVT -----------) 4
RD + RS 2
1.0
ID
RDG
VGS = - VDD + ID(RD8+ RS)
0.0
RDG
4.0
VDD
-5
-6
POLARIZACIONES 47
E-MOSFET (Auto-Polarizacin E)
ELECTRNICA
POLARIZACIONES 48
ELECTRNICA
E-MOSFET

28/01/13
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------16
16
14
14
Tensin 12
12
VDD
Canal n: VGS = VG = VDD*R2/(R1+R2)10
10
8
RD
8
RD
R1
6
6
R1
4
ID
4
Q
VDS
Q
2
2
VDS
VGS
Canal p: VGS = - VG = - VDD*R2/(R1+R2)
0
R2
V
GS
0
VDD
R2
VGSQ = 4,69V
k = 2mA/V2
R1 = 56k
VT = 2V
R2 = 5,6k
IDQ = 14,45mA VDSQ = 8,21V
ID(mA)
VG = 4,69V
canal n
canal p
25
25
20
20
15
15
10.0
IDQ
10
Canal p:
k = 2mA/V2
R1 = 56k
VGS(V)
VT = - 2V
R2 = 5,6k
VDD = 15V
RD = 470
VG = No existe
48
-1
-2
-3
11
-4
VGS(V)
VT
10
-5
-69
-78
VGSQ
-87
-96
-105
-114
VGSQ
3
VT
0
-1
-2
-3
-4
-5
ID(mA)
35
30
-6
9.0
10
Ejemplo:
8.0
VG = No existe
30
7.0
RD = 470
IDQ
VDD = 15V
gm = 5,375mS
35
6.0
Canal p
Canal n
Canal n:
5.0
VGS
VGS
Ejemplo:
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
-10.0
Polarizacin por Divisin de Tensin:
POLARIZACIONES 49
ELECTRNICA
E-MOSFET

28/01/13
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------16
16
Tensin Positiva (Slo para

14 canal n)
14
Tensin Negativa
(Slo para canal p)
12
12
VG = VDD*R2/(R1+R2)
VG = VDD*R1/(R1+R2)
10
10
V8S = IDRS
6 = VG - IDRS
VGS
- canal n
VGSQ = 3,93V
IDQ = 7,43mA
ID(mA)
VT = 2V
R1 = 56k
VDD = 15V
R2 = 33k
VDSQ = 11,73V gm = 3,855mS
RD = 220
VG = 5,56V
VG = 5,56V
canal n
35
canal p
30
VG'/RS
20
IDSS
20
m = -1/RS
15
10
VG'
VT
10
Q
5
VG'
VT
VGSQ VGS(V)
Canal p:
k = 2mA/V2
RS = 220
VGSQ = - 3,93V IDQ = 7,43mA
VT = - 2V
R1 = 56k
RD = 220
VDSQ = - 11,73V gm = - 3,855mS VG = 9,44V
VG = - 5,56V
49
VGS(V)
VGSQ
VDD = 15V
R2 = 33k
-1
-2
-3
-4
11
10
-5
-69
-78
-87
-96
-105
-114
-1
-2
-3
-4
-5
IDQ
-6
VG'/RS
25
m = 1/RS
15
Ejemplo:
ID(mA)
30
25
IDQ
10.0
35
Canal p
+ canal p
k = 2mA/V2
RS = 220
Canal n:
RS2
VDD
VGS

Ejemplo:
VGS
R2
c = kVT2 - VG/RS
VGS
Canal n
9.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
-10.0
RS1
a=k
VDS
8.0
VGS
R2
1
b = - (2kVT -----)
RS
7.0
VDS
6.0
5.0
6S
VGS = - VG + IDR
4.0
ID
R1
0.0
R1
RD
VS = VDD - IDR8S
3.0
RD
2.0
VDD
1.0
Rs > 0:
POLARIZACIONES 50
ELECTRNICA
FET

28/01/13
(Curva Universal de Polarizacin)
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Curva Universal de Polarizacin para JFET y D-MOSFET

- El valor obtenido para ID se multiplica por el valor real de IDSS .
- El valor obtenido para VGS se multiplica por el valor real de VP.
ID(mA)
1.50
1.48
1.46
1.44
1.42
1.40
1.38
1.36
1.34
1.32
1.30
1.28
1.26
1.24
1.22
1.20
1.18
1.16
1.14
1.12
1.10
1.08
1.06
1.04
1.02
1.00
0.98
0.96
0.94
0.92
0.90
0.88
0.86
0.84
0.82
0.80
0.78
0.76
0.74
0.72
0.70
0.68
0.66
0.64
0.62
0.60
0.58
0.56
0.54
0.52
0.50
0.48
0.46
0.44
0.42
0.40
0.38
0.36
0.34
0.32
0.30
0.28
0.26
0.24
0.22
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0.20
0.10
0.00
-0.10
-0.20
-0.30
-0.40
-0.50
-0.60
-0.70
-0.80
-0.90
-1.00
IDSS
VGS (V)
50
POLARIZACIONES 51
ELECTRNICA
FET

28/01/13
(Curva Universal de Polarizacin)
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Curva Universal de Polarizacin para E-MOSFET

- El valor obtenido para VGS se multiplica por el valor real de VT.
- El valor obtenido para ID se multiplica por el valor real de k*VT2.
ID(mA)
9.0
8.8
8.6
8.4
8.2
8.0
7.8
7.6
7.4
7.2
7.0
6.8
6.6
6.4
6.2
6.0
5.8
5.6
5.4
5.2
5.0
4.8
4.6
4.4
4.2
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
VGS (V)
51
POLARIZACIONES 52
ELECTRNICA
FET

28/01/13
(Estabilidad de la Polarizacin)
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Estabilidad de la Polarizacin
Pendiente
52

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POLARIZACIONES16

Ing. Roldn J. Virzi D.

POLARIZACIONES DEL JFET

VDSQ = VDD IDQRD

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE PANAM CENTRO REGIONAL DE CHIRIQU FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

Ing. Roldn J. Virzi D.

IDQ = 7,35mA; VDSQ = 11,18V; gm = 2,100mS

IDQ = 7,35mA; VDSQ = 11,18V; gm = - 2,1mS

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE PANAM CENTRO REGIONAL DE CHIRIQU FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

Ing. Roldn J. Virzi D.

IDQ = IDSS(1-(VGSQ/VP))2 = -VGSQ /RS

IDQ = IDSS(1-(VGSQ/VP))2 = VGSQ /RS

El VGSQ de menor valor de IDQ

Cuadrtica para VGSQ

VDSQ = VDD IDQRD - IDQRS

VDSQ = - (VDD IDQRD - IDQRS)

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE PANAM CENTRO REGIONAL DE CHIRIQU FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

Ing. Roldn J. Virzi D.

VGSQ = - 2,07V IDQ = 9,43mA

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE PANAM CENTRO REGIONAL DE CHIRIQU FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

Ing. Roldn J. Virzi D.

Polarizacin por Divisin de Tensin (con retroalimentacin) RS:

VG = VDDR2( R1+ R2)

IDQ = IDSS(1-(VGSQ/VP))2 = (VG -VGSQ)/RS

Cuadrtica para VGSQ

El VGSQ de menor valor de IDQ

VDSQ = VDD IDQRD - IDQRS

VGSQ = IDQRS - VG; VG = VDDR2/(R1+R2)

VGSVDSQ = -(VDD IDQRD - IDQRS)

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE PANAM CENTRO REGIONAL DE CHIRIQU FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

Ing. Roldn J. Virzi D.

Con Tensin Positiva:

IDQ = 10,12mA VDSQ = 8,66V

VGSQ = - 2,23V IDQ = 9,04mA

Ing. Roldn J. Virzi D.

Con Tensin Negativa:

VGSQ = - 0,45V IDQ = 13,68mA VDSQ = - 16,99V gm = 2,865mS

IDQ = 12,40mA VDSQ = -15,79V gm = - 2,727mS VG = 18,18V

Ing. Roldn J. Virzi D.

Polarizacin por Divisin

VDSQ = VDD IDQRD

IDQ = 10,04mA VDSQ = 7,95V

VG = VDDR2/( R1+ R2)

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE PANAM CENTRO REGIONAL DE CHIRIQU FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

Ing. Roldn J. Virzi D.

VDSQ = - (VDD IDQRD)

IDQ = 10,04mA VDSQ = -7,95V

VG = - VDDR2/( R1+ R2)

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE PANAM CENTRO REGIONAL DE CHIRIQU FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

Ing. Roldn J. Virzi D.

POLARIZACIONES DEL D-MOSFET

Igual que el JFET. (**)

Polarizacin por Divisin de Tensin:

Ing. Roldn J. Virzi D.

Para IDQ > IDSS en Polarizacin Fija:

Ing. Roldn J. Virzi D. 28/01/13

Para Auto-Polarizacin en Enriquecimiento (IDQ > IDSS):

VGSQ = VDD - IDQRS

IDQ = IDSS(1-(VGSQ/VP))2 = (VG - VGSQ)/RS

Cuadrtica para VGSQ

VDSQ = VDD IDQRD - IDQRS

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE PANAM CENTRO REGIONAL DE CHIRIQU FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

Ing. Roldn J. Virzi D. 28/01/13