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Rsum du cours dlectronique de lanne acadmique 2002-2003 lHELHO sur base du

livre Principes dlectronique dAlbert Paul Malvino.

Electronique :
Rsum du cours lHELHO.
Attention :
Ce rsum ne supplante en rien les notes de cours et le livre de rfrence, mais est une aide ltude base sur le
cours. Des erreurs possibles se sont peut-tre insres dans ce rsum. Merci de nous en faire part si tel est le cas
ladresse ttb@be.tf.

Pierre Litar, Jrme Caulier et Aurlien Mathieu

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Rsum dlectronique
Chapitre I : Introduction.
1. Gnralits.
Dfinition : formule imagine pour un nouveau concept.
Loi : formule exprimant un lien naturel.
Relation : formule produite par les mathmatiques.

2. Approximations.
Le cas idal (premire approximation), la deuxime approximation, la troisime approximation et la
rponse exacte sont les diffrents niveaux dapproximation.

a) Le cas idal.
Cest lapproximation du premier ordre, quand le circuit quivaut au plus simple montage quon
puisse faire. Elle sert rsoudre des cas thoriques ou pratiques lorsquon a pas besoin dune bonne
prcision de rponse.

b) Les autres cas.


Lorsquon a besoin dune meilleure prcision, on utilise des approximations de plus en plus fines
jusqu atteindre la rponse exacte souvent en dpit de la facilit de rsolution.

c) Conclusion.
En fonction de ce quon veut faire, on utilisera un niveau dapproximation diffrent. Gnralement
dans les cas pratiques, on utilise la premire approximation, qui suffit largement rsoudre les
problmes de dpannage. Pour les calculs plus prcis, on doit employer linformatique et des logiciels
comme Electronic Workbench.

3. Sources de tension.
a) Cas idal.
Tension de sortie constante.
Rsistance interne nulle.

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Deuxime approximation
La source ce tension idale nest quun composant thorique et nexiste pas en pratique. Dans cette
2me approximation on tient compte de la rsistance de charge.

b) Source de tension constante.


On part du principe quon peut ngliger la rsistance interne quand elle est 100 fois plus petite que la
rsistance de charge. => R S <0,01R L .
Toute source qui satisfait cette condition et dite source de tension constante.
R L(min) =100R S .

4. Sources de courant.
Une source de courant DC fournit le mme courant continu pour diffrentes valeurs de la charge.

I L= V S
R S +R L

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Simulation dune source de courant avec source de tension continue et une grande rsistance. Le courant de sortie est
constant pour de faibles rsistances de charge.

a) Source de courant constant.


Toute source qui vrifie R S >100R L est une source de courant constant.
R L(max) =0,01R S .

Symboles graphiques pour la source de courant :


Premire approximation :
Deuxime approximation :

Quantit
RS
RL
VL
IL

Source de tension
Typiquement faible
> 100 . RS
Constante
Dpend de RL

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Source de courant
Typiquement grande
< 100 . RS
Dpend de RL
Constant

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5. Thormes de Thvenin et Norton.


a) Dfinitions : tension et rsistance de Thvenin et Norton.
La tension de Thvenin est la tension quand on ouvre le circuit (tension circuit ouvert).
V TH=V CO .
La rsistance de Thvenin, cest la rsistance par un ohmmtre branch sur la sortie quand toutes les
sources sont annules et la rsistance de charge enleve : RTH =RCO .
Annuler une source de tension, cest la remplacer par un court-circuit.
Annuler une source de courant, cest la remplacer par un circuit ouvert.
Le courant de Norton, cest le courant de sortie quand la charge est court-circuite. I N=I CC .
La rsistance de Norton, cest la rsistance par un ohmmtre branch sur la sortie quand toutes les
sources sont annules et la rsistance de charge enleve : R N =RCO R N =RTH .

Thvenin :

Norton :

b) Comparaison des mthodes entre Thvenin et Norton.


Processus
Etape 1
Etape 2
Etape 3
Etape 4

Thvenin
Ouvrir la rsistance de charge
Calculer ou mesurer la tension du circuit
ouvert. Cest la tension de Thvenin.
Court-circuiter les sources de tension et
ouvrir les sources de courant.

Norton
Court-circuiter la rsistance de charge.
Calculer ou mesurer le courant de courtcircuit. Cest le courant de Norton
Court-circuiter les sources de tension et
ouvrir les sources de courant et ouvrir la
rsistance de charge.
Calculer ou mesurer la rsistance du Calculer ou mesurer la rsistance du circuit
circuit ouvert, cest la rsistance de ouvert, cest la rsistance de Norton.
Thvenin.

Deux relations importantes : I N=V TH et V TH=I N.R N .

RTH

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6. Dpannage.
a) Circuit ouvert.

Le courant qui traverse un circuit est toujours nul.


La tension aux bornes dun circuit ouvert est indtermine car
V = I.R=(0)(. ) .

b) Court-circuit.

La tension aux bornes dun court-circuit est toujours nulle.

Le courant qui traverse un court-circuit est indtermine car I =V = 0

R 0

(mathmatiquement indtermin).

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Chapitre 2 : les semi-conducteurs.


1. Les conducteurs.
Ils sont reprable par le fait quils ont un lectron sur leur dernire couche priphrique. Cet lectron
est loin du noyau et ressent une faible attraction. Il est donc moins attach son noyau. En effet,
lorsquune autre force arrache llectron, celui-ci devient libre et la tension passe avec celui-ci. Cest
ce qui caractrise les bons conducteurs.

2. Les semi-conducteurs.
Les bons conducteurs ont 1 lectron valenciel, les isolants en ont 8 et les semi-conducteurs en ont 4 et
sont demi-chemin entre conducteurs et isolants.
Le germanium a longtemps t considr comme le seul matriau utilisable pour les composants.
Inconvnient : son courant inverse est trop important. Llment le plus abondant sur terre aprs
loxygne est le silicium. Il supplante le germanium et introduit llectronique moderne.

3. Le cristal de silicium.
Quand les atomes de silicium se rangent dans un ordre bien dtermin, on leur donne le nom de
cristal. Chaque atome partage ses lectrons priphriques avec les 4 atomes voisins (liaison covalente
car chacun profite de la mme faon de la liaison et des lectrons partags).
Grce ces liaisons covalentes, chaque atome de
silicium a momentanment 8 lectrons sur sa couche
priphrique, cest a dire que son orbite est sature
(n=8) et donc quelle est lectriquement neutre (cest
un isolant pour des tempratures proches de 25)
puisquil ne peut y avoir dapport ou de retrait
dlectrons venant de lextrieur.

Les trous sont des endroits o un lectron a t arrach


de son orbite. Avec laugmentation de la temprature, les
atomes sentrechoquent et la temprature slve. Un
lectron peut alors acqurir assez dnergie que pour
changer dorbite priphrique. On parle du dopage du
cristal pour augmenter le nombre de trous et dlectrons
libres.

4. Les semi-conducteurs intrinsques


Cest un semi-conducteur pur.
Cest le cas du cristal silicium
lorsquil ny a que du silicium.
Dplacement des lectrons :
Un lectron libre se dplacera
datome en atome en se
rapprochant de llectrode
positive tandis quun trou se

dplacera dans le sens oppos


(sens ABCDEF).

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5. Les 2 types de flux de porteurs


Les porteurs sont souvent les lectrons libres et les trous (on entend par porteur un porteur de
charge).On conoit le courant dans un semi-conducteur comme la somme des 2 flux, le flux des
lectrons et le flux des trous.

6. Doper un semi-conducteur (conducteurs extrinsques)


Cest une mthode qui consiste introduire des impurets dans le cristal, ce qui permet daugmenter la
conductivit dun semi-conducteur.

a) Augmenter le nombre dlectrons libres


On peut faire fondre le cristal de silicium pur pour en casser les liaisons. Et on y ajoute dautres
substances pentavalentes qui concdent 1 lectron.

b) Augmenter le nombre de trous


On fait de la mme manire mais on introduit des impurets trivalentes qui essaient de sapproprier un
lectron.

7. Les 2 types de semi-conducteurs extrinsques.


Il existe 2 sortes de semiconducteurs en fonction
dun excs de trous ou
dlectrons libres.
Quand le silicium est dop avec une impuret pentavalente, il y a beaucoup plus dlectrons (porteurs
majoritaires) que de trous (porteurs minoritaires). Et on dit le semi-conducteur de type n. A linverse,
si le silicium est dop avec une impuret trivalente, il y a plus de trous et le semi-conducteur est de
type p.

8. La diode non polarise


Lorsquon accole un semiconducteur p et un semiconducteur n, il apparat
une jonction pn qui est
lorigine
des
diodes,
transistors, Cest le
cristal pn ou diode.

a) La zone dserte.
Il y a rpulsion entre les
lectrons de la zone n qui
ont tendance se diffuser
dans toutes les directions.
Certains
traversent
la
jonction pn et vont faire une
paire dions qui sera une
zone dserte car les diples
forms proviennent de la

disparition dun trou et dun


lectron et ne permettent
plus le passage dautres
ions.

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b) Barrire de potentiel
Un champ lectrique d aux charges est cr. cause de lui, si un lectron veut passer dans la rgion
p, il est automatiquement rejet dans la rgion n. Donc, en premire approximation, la barrire de
potentiel est une diffrence de potentiel qui quivaut 0.7[V] pour le silicium.

9. La polarisation directe.
(la rgion p est la borne positive du gnrateur)
Le courant traverse facilement une diode polarise en direct aussi longtemps que la tension est
suprieure la barrire de potentiel de 0.7[V]. Les lectrons ont assez dnergie que pour passer la
zone dserte.

10.

La polarisation inverse.

Cest le cas contraire.


La zone dserte sagrandit. Porteurs minoritaires et courant de fuite en surface. Le courant passant est
trs faible. Il est souvent ignor.

11.

Le claquage.

La tension de claquage dune diode est la tension maximale inverse quon peut lui appliquer.
Si la tension de claquage est atteinte, un grand nombre de porteurs prioritaires apparaissent
dans la zone dserte et la diode conduit fortement. Cest un phnomne en avalanche.
La tension de claquage dune diode dpend de son dopage.

12.

Barrire de potentiel et temprature.

La barrire de potentiel dune diode au silicium dcrot de 2[mV] pour une augmentation de
1 Celsius.
V =2[ mV ].T
Donc : V =2[ mV ] et donc :
T
C
C

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Chapitre 3 : Thorie de la diode.


1. Concepts fondamentaux.
La diode est un composant non linaire qui donne une tension faible si la barrire de potentiel
nest pas dpasse mais qui augmente trs fortement ds quon la dpasse.

a) Symbole graphique
La partie p sappelle lanode et la partie n
la cathode.

b) Le circuit lmentaire de la diode.


Ce schma illustre la polarisation directe de la
diode. Cest le circuit de Thvenin qui
dtermine la polarisation de la diode en
fonction des trous et des lectrons libres qui
sont pousss ou non vers la jonction pn.

c) Rgion passante.
La diode est dite dans le sens passant lorsquelle est polarise en direct. Dans lautre cas, elle est en
sens bloquant.

d) La tension de seuil
Cest la tension partir de laquelle
le courant augmente brusquement.
Elle correspond la barrire de
potentiel. Elle vaut plus ou mois
0.7[V] pour une diode en silicium.

e) Rsistance en srie
Au-del de la tension de seuil, le courant est limit par la rsistance ohmique des rgions p et n.

R srie =R p +R n
La rsistance srie (souvent < 1) dpend de la taille et du dopage des diffrentes rgions.

f) Le courant continu direct maximal.


La diode peut tre dtruite au del dun certain courant trop important. Cest pourquoi les
constructeurs indiquent une limite de bon fonctionnement de la diode sans altration.

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g) La dissipation de la puissance.
P D =V D.I D Cest le produit de la tension ses bornes par le courant qui traverse la diode.
Ainsi, on dfinit la puissance maximale comme P max =V max.I max .

2. La diode idale.
Caractristique de la diode idale.

La diode idale se comporte comme un interrupteur.

3. Deuxime approximation.
On a pas de courant pour les tensions
infrieures 0,7[V]. A cette valeur, la
diode conduit et la tension reste
constante quelle que soit le courant qui
la traverse.

4. Troisime approximation.
V D=0,7.V +I D.R srie et
R srie <0,01.RTH .
Cette approximation sutilise rarement.

5. Dpannage.
La mesure lohmmtre tant difficile sur la gamme des grandes rsistances, on mesure la rsistance
en continu dans un sens et dans lautre. Le rapport peut tre de 1000/1. => utilisation de grandes
rsistances.

6. Calcul dune rsistance en srie.


Formule : R srie =V 2V 1
I 2I 1

7. La droite de charge.
Cest une mthode pour obtenir la valeur exacte du courant et de la tension dune diode.
Equation : I D=V SV D
RS
Exemple de rsolution, voir livre page 81.

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Graphique :
On peut ainsi obtenir les tensions ou
les courants en fonction des points
quon a et de ceux quon doit trouver.
On
remarque
le
point
de
fonctionnement statique (Q) qui est le
point
de
repos
du
circuit.

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Chapitre 4 : les circuits diodes.


1. Le redresseur simple alternance.
La figure ci-dessous illustre un redresseur simple alternance. La source AC dlivre une tension
alternative. La diode, permet de garder juste une des deux alternances (positive en loccurrence).
Quand le courant traverse la diode en sens passant, elle agit comme un interrupteur ferm (2me
graphe), si au contraire le courant arrive dans lautre sens, la diode est polarise en inverse et agit
comme un interrupteur ouvert (figure3).

a) Signal idal.
Une tension AC, sera toujours sous la forme dun sinus dont la valeur moyenne est de 0. Pendant la
demi-priode positive, la diode est conductrice. De ce fait, le circuit limine les demi-cycles ngatifs
comme on peut le voir ci-dessous..

On appelle cette forme de signal : Signal simple alternance.


En lectronique, on ne recherche pas un signal simple alternance, mais une tension DC. Il faudra donc
filtrer ce signal simple alternance.
Dans le cas idal : V P(out)=V P(in)

b) Valeur moyenne de la tension simple alternance.


V P(DC)=V P

c) Frquence de sortie.
f (out)=f (in)

d) Deuxime approximation.
On nobtient jamais un signal simple alternance parfait sur la rsistance de charge, car la diode est
bloque tant que le signal entrant est infrieur a 0.7V.
Pour avoir une meilleur prcision, on utilise la relation suivante :

V P(out)=V P(in)0,7[V]

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2. Le transformateur.
Les compagnies dlectricit en Europe fournissent une tension nominale de 230 V/ 50 Hz. Cette
tension est trop haute pour la plupart des circuits des quipements lectroniques. Cest pourquoi nous
allons avoir besoin dun transformateur pour amener la tension un niveau plus bas pour ces circuits.

a) Concept fondamental.
Ci-dessous, un schma dun transformateur. Si le nombre de spire du primaire est plus grand que celui
du secondaire, la tension sera abaisse dans le secondaire.

b) Rapports de transformation.
Plus tt, nous avons vu que :

V 2= V 1
N1 N 2
Cela signifie donc que la tension au secondaire est gale la tension au primaire divise par le rapport
de transformation.

3. Le redresseur double alternance.

Le schma ci-dessus illustre un redresseur double alternance. En consquence des deux diodes, on
aura une double alternance positive contrairement au redresseur simple alternance, comme nous
pouvons le voir sur le schma ci-dessous.

a) Valeur moyenne de la tension ou valeur DC.


Le signal double alternance ayant deux fois plus de cycles positifs que le signal simple alternance, sa
valeur moyenne est double.
VDC = 2Vp /

V DC= 2.V P

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b) Frquence de sortie.
Dans le redressement simple alternance, la frquence de sortie est gale celle dentre. Dans le
redressement double alternance, il se passe quelque chose dinhabituel.

T in= 1 = 1 =20[ms]
f 50[Hz]
A cause des alternances doubles, la priode du signal redress est gale la moiti de la priode du
signal dentre.

T (out)=0,5.20[ms]=10[ms]
Et donc on obtient :

f (out)= 1 =100[HZ]
10[ms]
On peut donc voir que dans le cas dun signal double alternance, la frquence de sortie vaut deux fois
la frquence entrante.

c) Deuxime approximation.
On peut utiliser la deuxime approximation du signal simple alternance car le signal double alternance
se comporte comme un double signal simple alternance. Le principe sera donc denlever 0.7 V la
tension du signal de sortie idal.

4. Le redresseur en pont.
La figure suivante reprsente un redresseur en pont et ses quivalents suivant le sens du courant. Il
ressemble fortement au redresseur double alternance car il donne une tension de sortie redresse
double alternance.

Comme nous pouvons le voir sur la figure suivante, durant le cycle complet, la tension sur la charge
prsente la mme polarit et le courant de sortie dans le mme sens. Le circuit transforme la tension
AC dentre en une tension DC la sortie.

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Lavantage de ce type de redressement par rapport au redressement double alternance, cest quil ne
ncessite pas de prise mdiane, et de part ce fait, toute la tension au secondaire est utilise.

a) Valeur moyenne de la tension ou valeur DC.


Le redressement en pont, donne la mme tension de sortie et la mme frquence de sortie que le
redresseur double alternance ; cest--dire :

V DC= 2.V P

et

f (out)=2.f (in)

b) Deuxime approximation.
Puisque le redresseur en pont prsente deux diodes dans le sens passant, la tension de crte de sortie
est la suivante :

V P(out)=V P(in)1,14[V]

5. Le filtre LC inductance en tte.


a) Concept fondamental.
Ci dessous, nous pouvons voir un filtre LC inductance en tte. Lamplitude de la source AC dpend
de la ractance selfique, de la ractance capacitive et de la rsistance. La bobine prsente une
ractance :

X L=2..f.L

Le condensateur une ractance donne par :

X c= 1 ..f.L
2
La bobine comme effet premier de sopposer
aux variations de courant. Idalement, le filtre
LC rduit zro les fluctuations de la tension
AC sur la charge. En deuxime approximation,
il rduit le courant AC dans la charge une
trs faible valeur.
La tension de sortie AC vaut :

V (out)= X C V (in)
XL

Filtrage la sortie dun redresseur.


La figure suivante reprsente un filtrage la
sortie dun redresseur. Le redresseur peut tre
de nimporte quel type.

Sur le graphique suivant, on peut voir que le signal de sortie a deux composantes diffrentes. : une
tension continue (valeur moyenne) et une tension alternative. Chacune des ces tension agit comme une
source indpendante. Si XL est nettement plus grand que Xc, la tension alternative dans la charge est
trs faible.

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6. Le filtre condensateur en tte.


a) Concept fondamental.
Durant le premier quart du cycle de la
sinusode, le condensateur se charge. Une fois
arriv Vp, le condensateur se dcharge pour
pouvoir garder une tension continue gale a
Vp. Le seul problme de ce montage, cest
quil ny a pas de rsistance de charge.

b) Effet de la rsistance de charge.


Pour que le filtre condensateur en tte soit utile, il doit tre reli une rsistance. Tant que la
constante de temps RLC est nettement plus grande que la priode, le condensateur reste largement
charg et la tension est proche de Vp.
Entre les crtes, la diode est bloque et le condensateur se dcharge travers la rsistance de charge,
autrement dit, le condensateur fournit la tension de sortie. La dcharge entre les crtes tant faible,
lamplitude crte crte est trs faible. (graphe ci dessous)
GRAPHE 4.13 ( c ) PAGE 109

c) Filtrage dun redresseur double alternance.


Lamplitude dondulation est divise par deux.

d) Formule de londulation rsiduelle.


Vr = I
f.C

7. Tension inverse de crte et courant de surcharge.


La tension inverse de crte (TIC) est la tension maximale sur une diode bloque dans un
redresseur. La TIC dpend du redresseur et du filtre, le cas le plus dfavorable intervient pour
le filtre condensateur.

a) Redresseur simple alternance avec filtre condensateur.


TIC = 2Vp

b) Redresseur double alternance avec filtre condensateur.


TIC = Vp

c) Redresseur en pont avec filtre condensateur.


TIC = Vp

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d) Rsistance de surcharge.
Comme le condensateur est dcharg linstant initial, il agit comme un court circuit. De par ce fait,
durant un cours laps de temps, le courant peut tre trs grand car seules les rsistances en srie des
diodes peuvent le limiter. Cet afflux initial est appel Courant De Surcharge.

8. Ecrteurs et limiteurs.
a) Diodes petit signal.
Les diodes petit signal sont ralises de telle faon pouvoir supporter 0.5 W et pouvoir
fonctionner sous de hautes frquences.

b) Lcrteur positif.
Un crteur est un dispositif qui enlve soit la partie positive, soit la partie ngative dun signal.
Pendant lalternance positive, la diode conduit
et se comporte comme un court circuit sur la
sortie Durant lalternance ngative, la diode est
bloque, et apparat alors une demi-priode
ngative.

c) Conditions limites.
Ecrteurs constants :

100Rsrie < Rs < 0.01 RL

d) Lcrteur ngatif.

Mme principe que lcrteur positif mais en laissant une demi priode positive.

e) Le limiteur ou diode CLAMP.


Avec un tel circuit, quelque soit Vin, Vout, oscillera tout le temps entre 0.7 V et 0.7 V.

f) Ecrteurs polariss.
En ajoutant une source de tension continue en srie avec la diode, on change le niveau dcrtage.

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g) Association dcrteurs polariss.


Deux crteurs polariss peuvent tre associs selon le schma suivant. La premire diode limine les
valeurs positives, tandis que la seconde limine les valeurs ngatives. Quand le signal dentre est trop
important, le signal de sortie est un signal carr.

h) Extensions.
Pour polariser un limiteur, on peut utiliser un diviseur de tension. (R1 et R2) pour positionner le niveau
de la polarisation. Il est donn par :

V pol= R 2 .V DC
R1+R 2

9. Circuits de rgnration de niveau DC.


a) Le circuit de rgnration positive.
A la sinusode dentre, on ajoute une tension positive, grce au circuit de rgnration positive. Vu
autrement, il dcale la sinusode vers le haut.
Rgnrateur constant : RLC > 100T
Durant le premier quart de cycle, la diode
conduit, et le condensateur se charge. Quand la
diode est bloque, le condensateur se dcharge
pour fournir une tension DC.
La sinusode sera totalement positive grce
ce circuit.

b) Le circuit de rgnration ngative.


Si on inverse la diode dans le circuit de rgnration positive, on obtient le circuit de rgnration
ngative. La sinusode sera totalement ngative de par ce fait.

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Rsum du cours dlectronique de lanne acadmique 2002-2003 lHELHO sur base du


livre Principes dlectronique dAlbert Paul Malvino.

10.

Multiplicateurs de tension.
a) Doubleur de tension.

b) Tripleur de tension.

c) Quadrupleur de tension.

Pierre Litar, Jrme Caulier et Aurlien Mathieu

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Chapitre 5 : Diodes particulires.


1. La diode Zener.
Les diodes petit signal et les diodes de redressement ne fonctionnent jamais, volontairement, dans
la zone de claquage car cest dangereux pour elles. La diode Zener est une diode au silicium conue
pour travailler dans la zone de claquage.

a) Caractristiques I(v).
Symbole :
Dans la rgion direct, la conduction commence
partir de 0.7 V. Au seuil de la tension de
claquage, elle prsente un coude de tension
inverse trs net.

b) Rsistance Zener.
Dans la troisime approximation de la diode, la tension directe est gale la somme de la tension de
seuil et de la tension aux bornes de la rsistance srie.
De mme dans la rgion de claquage, la tension inverse de la diode est gale la somme de la tension
de claquage et de la tension aux bornes de la rsistance srie. En inverse, la rsistance srie est appele
rsistance Zener. Elle est gale linverse de la pente de la caractristique dans la rgion de claquage.

c) Rgulateurs Zener.
La diode Zener est parfois appele diode rgulatrice de tension, car elle maintient ses bornes une
tension presque constante en dpit des variations du courant qui la traverse.
Le premier schma montre quen fonctionnement normal, la diode Zener est polarise en inverse.
Le troisime schma montre ce quon appelle un rgulateur Zener.

d) Loi dOhm.
I S=VS V z
RS

e) La diode Zener idale.


Une diode Zener idale agit comme une source de tension. Dans un circuit, on peut remplacer une
diode Zener par une source de tension VZ

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2. Le rgulateur Zener charg.

a) Fonctionnement au claquage.
V TH= R L .V S
R S +R L

b) Courant srie.
I S=V SV z
RS

c) Courant dans la charge.


VL = VZ
Et donc par la loi dOhm : I L=V L
RL

d) Courant Zener.
Avec la loi de Kirchhoff :
IS = IZ + IL

e) Effet Zener.
Quand la diode est fortement dope, la zone dserte devient trs troite. Par consquent, le champs
lectrique qui y rgne est trs intense. Si son amplitude atteint un certain seuil, il est capable darracher
des lectrons de valence de leur orbite. Lapparition de porteurs par cette mthode est appele effet
Zener.

f) Coefficients de temprature.
Quand la temprature ambiante volue, la tension Zener change lgrement.

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3. La diode Zener en deuxime approximation.


a) Effet de la tension sur la charge.
En deuxime approximation, il faut tenir compte de la rsistance Zener (figure ci-dessous).

Comme le courant Zener traverse la rsistance Zener, la tension de sortie est :


VL = VZ + IZRZ
Lcart de la tension de sortie par rapport au cas idal est :
VL = IZRZ

b) Effet sur londulation.


Pour londulation, on peut utiliser le circuit prcdent, elle concerne les trois rsistances. On peut
mme simplifier plus encore. Dans les ralisations courants, RZ est nettement plus petite que RL. De ce
fait, seule RS et RZ agissent sur londulation.

V R(out)= R Z .V R(in)
R S +R Z

4. Limites de rgulation.
a) Conditions les plus dfavorables.
R S(max) = V S(min)V z
R S(max) = V S(min) 1.R L(in)
ou aussi sous la forme :
Z
V
I L(max)

Ces deux relations sont trs pratiques pour prvoir quand un circuit de rgulation Zener va
cesser dtre efficace.

5. Composants optolectriques.
Loptolectronique est la technologie qui allie loptique et llectronique. Ce domaine comprend de
nombreux composants tels les LED (ou DEL), photodiodes et optocoupleurs.

a) La diode lectroluminescente.
Symbole :
Dans une diode normale, lnergie est dissipe sous forme de chaleur, et dans une LED, elle est
transforme en radiation lumineuse. Elles ont remplaces les ampoules incandescente dans bien des
applications grce leur faible tension dalimentation, leur dure de vie importante et leur rapidit de
commutation ON-OFF.

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b) Tension et courant dun DEL.


I S=V SV D
RS

Rs protge la DEL contre


des courants suprieurs
son
courant
maximal
admissible.

c) Luminosit des DEL.


La luminosit dune DEL dpend du courant qui la traverse. Si VS est nettement plus grand que VD, la
luminosit est relativement constante.

d) Tension de claquage.
Les DEL prsentent une trs faible tension de claquage, gnralement entre 3 et 5 V. Elles sont donc
trs facilement dtruites en polarisation inverse par une tension trop grande.

e) Lafficheur sept segments.


Un afficheur sept segment est un circuit contenant 7 LED rectangulaires (de A D) appeles segments.
On peut allumer nimporte quelle(s) DEL en les reliant a la masse

f) La photodiode.
Une photodiode est en quelque sorte linverse
dune LED, car elle produit un courant en
captant la lumire. Plus elle est intense, plus le
courant lest.

g) Loptocoupleur.
Un optocoupleur, appel aussi optoisolateur,
associe une DEL et une photodiode dans le
mme botier. La DEL est lentre et la
photodiode la sortie. La source de tension de
gaucher et la rsistance associe tablissent un
courant dans la DEL.

Pierre Litar, Jrme Caulier et Aurlien Mathieu

Quand la tension dentre varie, la quantit de


lumire mise varie et la tension de sortie
volue comme la tension dentre. Cest pour
a quon appelle cela un optocoupleur, elle
relie un signal dentre un signal de sortie.

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h) La diode laser.
Dans une DEL, le rayonnement qui en rsulte est incohrent car les ondes lumineuses obtenues ont
une phase comprise entre 0 et 360.
Une diode laser est diffrente, elle produit une lumire cohrente. Cela veut dire que les ondes
lumineuses sont en phases les unes avec les autres.

6. Diode Schottky.
Symbole :

Lorsque la frquence augmente, le fonctionnement des petites diodes de redressement commence se


dtriorer. Elles ne sont plus capables de se bloquer assez rapidement. La solution ce problme est la
diode Schottky.

a) Elimination de la charge stocke.


La solution au problme est donc la diode Schottky. Cette diode utilise un mtal tel lor, largent ou le
platine dun ct et du silicium dop de lautre ct. Grce la prsence de mtal, il ny a pas de zone
dserte et de par ce fait, il ny a pas de charge stocke la jonction.
La barrire de Schottky est de lordre de 0.25 V.

b) Commutation rapide.
Labsence de charge stocke signifie que la diode Schottky peut commuter beaucoup plus rapidement
quune diode ordinaire. En fait, elle peut fonctionner a des frquences suprieures 300 MHz.

7. Autres diodes particulires.


a) Varistors.
Le varistor est utilis pour contrer les surtensions ou baisse de tension du circuit lectrique.

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livre Principes dlectronique dAlbert Paul Malvino.
Chapitre I : Introduction........................................................................................................... 3
1.

Gnralits. ................................................................................................................... 3

2.

a)
b)
c)

Approximations. ........................................................................................................... 3
Le cas idal................................................................................................................. 3
Les autres cas. ............................................................................................................ 3
Conclusion.................................................................................................................. 3

3.

Sources de tension. ....................................................................................................... 3


a) Cas idal. .................................................................................................................... 3
b) Source de tension constante. ...................................................................................... 4

4.

Sources de courant. ...................................................................................................... 4


a) Source de courant constant......................................................................................... 5

5.

a)
b)
6.

Thormes de Thvenin et Norton.............................................................................. 6


Dfinitions : tension et rsistance de Thvenin et Norton. ........................................ 6
Comparaison des mthodes entre Thvenin et Norton............................................... 6

Dpannage..................................................................................................................... 7
a) Circuit ouvert.............................................................................................................. 7
b) Court-circuit. .............................................................................................................. 7

Chapitre 2 : les semi-conducteurs............................................................................................. 8


1.

Les conducteurs. ........................................................................................................... 8

2.

Les semi-conducteurs................................................................................................... 8

3.

Le cristal de silicium. ................................................................................................... 8

4.

Les semi-conducteurs intrinsques ............................................................................. 8

5.

Les 2 types de flux de porteurs.................................................................................... 9

6.

a)
b)
7.

Doper un semi-conducteur (conducteurs extrinsques) ........................................... 9


Augmenter le nombre dlectrons libres .................................................................... 9
Augmenter le nombre de trous ................................................................................... 9
Les 2 types de semi-conducteurs extrinsques........................................................... 9

8.

a)
b)
9.

La diode non polarise ................................................................................................. 9


La zone dserte. ........................................................................................................ 9
Barrire de potentiel ................................................................................................. 10
La polarisation directe. .............................................................................................. 10

10.

La polarisation inverse........................................................................................... 10

11.

Le claquage. ............................................................................................................ 10

12.

Barrire de potentiel et temprature.................................................................... 10

Chapitre 3 : Thorie de la diode. ............................................................................................ 11


1.

Concepts fondamentaux. ........................................................................................... 11


a) Symbole graphique................................................................................................... 11
b) Le circuit lmentaire de la diode. ........................................................................... 11
c) Rgion passante........................................................................................................ 11
d) La tension de seuil.................................................................................................... 11
e) Rsistance en srie ................................................................................................... 11

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f)
g)

Le courant continu direct maximal........................................................................... 11


La dissipation de la puissance. ................................................................................. 12

2.

La diode idale............................................................................................................ 12

3.

Deuxime approximation........................................................................................... 12

4.

Troisime approximation. ......................................................................................... 12

5.

Dpannage................................................................................................................... 12

6.

Calcul dune rsistance en srie. ............................................................................... 12

7.

La droite de charge. ................................................................................................... 12

Chapitre 4 : les circuits diodes. ............................................................................................ 14


1.

Le redresseur simple alternance. .............................................................................. 14


a) Signal idal............................................................................................................... 14
b) Valeur moyenne de la tension simple alternance. .................................................... 14
c) Frquence de sortie................................................................................................... 14
d) Deuxime approximation. ........................................................................................ 14

2.

a)
b)

Le transformateur. ..................................................................................................... 15
Concept fondamental................................................................................................ 15
Rapports de transformation. ..................................................................................... 15

a)
b)
c)

Le redresseur double alternance............................................................................... 15


Valeur moyenne de la tension ou valeur DC............................................................ 15
Frquence de sortie................................................................................................... 16
Deuxime approximation. ........................................................................................ 16

a)
b)

Le redresseur en pont. ............................................................................................... 16


Valeur moyenne de la tension ou valeur DC............................................................ 17
Deuxime approximation. ........................................................................................ 17

a)

Le filtre LC inductance en tte............................................................................... 17


Concept fondamental................................................................................................ 17

3.

4.

5.
6.

Le filtre condensateur en tte................................................................................. 18


a) Concept fondamental................................................................................................ 18
b) Effet de la rsistance de charge. ............................................................................... 18
c) Filtrage dun redresseur double alternance. ............................................................. 18
d) Formule de londulation rsiduelle. ......................................................................... 18

7.

a)
b)
c)
d)

Tension inverse de crte et courant de surcharge. .................................................. 18


Redresseur simple alternance avec filtre condensateur. ........................................ 18
Redresseur double alternance avec filtre condensateur......................................... 18
Redresseur en pont avec filtre condensateur. ........................................................ 18
Rsistance de surcharge. .......................................................................................... 19

a)
b)
c)
d)
e)
f)
g)
h)

Ecrteurs et limiteurs................................................................................................. 19
Diodes petit signal.................................................................................................... 19
Lcrteur positif. ..................................................................................................... 19
Conditions limites. ................................................................................................... 19
Lcrteur ngatif. .................................................................................................... 19
Le limiteur ou diode CLAMP. ................................................................................. 19
Ecrteurs polariss.................................................................................................... 19
Association dcrteurs polariss. ............................................................................ 20
Extensions. ............................................................................................................... 20

8.

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9.

Circuits de rgnration de niveau DC. ................................................................... 20


a) Le circuit de rgnration positive. .......................................................................... 20
b) Le circuit de rgnration ngative. ......................................................................... 20

10.
a)
b)
c)

Multiplicateurs de tension. .................................................................................... 21


Doubleur de tension. ................................................................................................ 21
Tripleur de tension. .................................................................................................. 21
Quadrupleur de tension. ........................................................................................... 21

Chapitre 5 : Diodes particulires. ........................................................................................... 22


1.

La diode Zener............................................................................................................ 22
a) Caractristiques I(v). ................................................................................................ 22
b) Rsistance Zener. ..................................................................................................... 22
c) Rgulateurs Zener. ................................................................................................... 22
d) Loi dOhm. ............................................................................................................... 22
e) La diode Zener idale............................................................................................... 22

2.

Le rgulateur Zener charg....................................................................................... 23


a) Fonctionnement au claquage.................................................................................... 23
b) Courant srie. ........................................................................................................... 23
c) Courant dans la charge. ............................................................................................ 23
d) Courant Zener........................................................................................................... 23
e) Effet Zener................................................................................................................ 23
f) Coefficients de temprature. .................................................................................... 23

3.

a)
b)

La diode Zener en deuxime approximation. .......................................................... 24


Effet de la tension sur la charge. .............................................................................. 24
Effet sur londulation. .............................................................................................. 24

a)

Limites de rgulation. ................................................................................................ 24


Conditions les plus dfavorables.............................................................................. 24

4.
5.

Composants optolectriques...................................................................................... 24
a) La diode lectroluminescente................................................................................... 24
b) Tension et courant dun DEL. .................................................................................. 25
c) Luminosit des DEL................................................................................................. 25
d) Tension de claquage. ................................................................................................ 25
e) Lafficheur sept segments. ....................................................................................... 25
f) La photodiode........................................................................................................... 25
g) Loptocoupleur. ........................................................................................................ 25
h) La diode laser. .......................................................................................................... 26

6.

a)
b)

Diode Schottky............................................................................................................ 26
Elimination de la charge stocke.............................................................................. 26
Commutation rapide................................................................................................. 26

a)

Autres diodes particulires........................................................................................ 26


Varistors. .................................................................................................................. 26

7.

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