Tl159-160 Structure DEL blanche monolithique avec convertisseur au-dessus :

Couche (In)GaN:Si InGaN GaN nid GaN :Mg++ GaN :Mg AlGaN :Mg (In)GaN InGaN GaN :Si GaNnid Substrat Saphir Epaisseur (nm) 20 3 500 90 500 20 8 3 2400 1600

}x20 }x5

Process avec masque DEL botes quantiques Laisser une zone sans la 1re litho pour graver lintgralit du convertisseur (pour avoir des DELs standards de rfrence) - gravure RIE du convertisseur 960 nm pour avoir accs au type p -> NiAu pais - gravure RIE du mesa DEL (min. 670 nm) pour avoir accs au type n-> TiAlNiAu Process mask LED quantum Leave an area without first litho to etch the entire converter (forreference standards of LEDs) - RIE etching of the inverter 960 nm to access the type p -> NiAuthick - RIE etching of the mesa LED (min. 670 nm) to access then-type> TiAlNiAu