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Panneau photovoltaque et algorithme MPPT base de logique floue

Rapport rdig dans le cadre de lUV BA04 Energie renouvelables


Cline BERNARD, Carolina SEBRAO OLIVEIRA, Bernard LAVAL, Clment VAUDOUER Automne 2009 -Responsable UV : Fabrice LOCMENT

Panneau photovoltaque Solar Fabrik SF 130/2, Image extraite du site : http://www.solar-fabrik.de

Panneau photovoltaque et algorithme MPPT base de logique floue

Introduction

Le sommet de Copenhague sur le climat qui a eu lieu rcemment le prouve : nous sommes face intrt croissant pour les questions de dveloppement durable (prservation des ressources fossiles en voie de disparition, limitation de leffet de serre,). Dans cette optique, les gouvernements favorisent le dveloppement des solutions base dnergie renouvelables. Or, parmi les celles-ci, lnergie solaire photovoltaque constitue celle qui possde le plus large potentiel de dveloppement.

Ainsi, on ne compte plus le nombre de panneaux photovoltaques qui fleurissent sur les toits. Nanmoins, si lnergie solaire est gratuite, abondante et priori dsormais facilement transformable, il nen reste pas moins que les systmes daujourdhui peuvent encore tre amliors. En effet, la production dun panneau photovoltaque est particulirement non-linaire et dpendante de nombreux paramtres (caractristiques du panneau mais aussi de lensoleillement). De sorte que lnergie rcupre nest pas forcment maximale. Dans ce contexte, de nombreux chercheurs se sont attachs inventer des systmes permettant de rcuprer toujours le maximum dnergie : cest le principe nomm Maximum Power Point Tracker (MPPT) qui est lobjet principal de se rapport.

Dans le cadre de lUV BA04 et en vue dune mise en pratique sur les panneaux solaires installs sur les toits de lUTC, nous nous sommes intresss un algorithme de MPPT particulier : lalgorithme base de logique floue. Pour ce faire nous avons dabord cherch comprendre et modliser le panneau photovoltaque tudi (I et II). Puis aprs une brve justification dun algorithme MPPT(III), nous avons tudi les divers principes MPPT connus (IV) et plus prsent plus en dtail lalgorithme MPPT en logique floue (V). La dernire partie du rapport consiste en une analyse comparative des rsultats obtenus (avec/sans MPPT et suivant les diffrents types de MPPT) nous permettant de conclure quand lefficacit de la MPPT en logique floue (VI).

A noter : le cadre dtude prend en compte uniquement la rcupration de lnergie solaire sous la forme lectrique et aucunement sous la forme thermique.

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UV BA04, UTC, A09

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Sommaire
Introduction ..........................................................................................................................................................2 Sommaire..............................................................................................................................................................3 I 1) 2) 3) II 1) 2) 3) III 1) 2) IV 1) 2) 3) 4) V 1) 2) VI 1) 2) 3) Panneau photovoltaque, toute une histoire ...............................................................................................4 Principe du photovoltaque ......................................................................................................................4 Composants et systmes existants...........................................................................................................5 Cas particulier du panneau photovoltaque Solar Fabrik 130/2...............................................................7 Du principe aux quations ......................................................................................................................... 10 Dun modle de base une multitude de modles .............................................................................. 10 Equations retenues................................................................................................................................ 12 Modlisation sous Matlab-Simulink ...................................................................................................... 13 De la ncessit dune MPPT ...................................................................................................................... 16 Prambule ............................................................................................................................................. 16 Le panneau photovoltaque du projet pour la rcupration dnergie solaire..................................... 16 MPPT, une bibliographie ........................................................................................................................... 18 Approche Perturbe and Observe ........................................................................................................... 18 Approche Open- and Short-Circuit ........................................................................................................ 18 Approche Incremental Conductance ..................................................................................................... 19 Approche Logique Floue ........................................................................................................................ 19 MPPT en logique floue, prsentation du systme .................................................................................... 20 Dfinition des critres dentres ........................................................................................................... 20 Fonctionnement du systme flou.......................................................................................................... 22 Analyse comparative des rsultats ............................................................................................................ 25 Ensoleillement et temprature considrs ........................................................................................... 25 Stabilit de lalgorithme (MPPT Flou vs P&O) ....................................................................................... 26 Efficacit de lalgorithme ....................................................................................................................... 27

Bibliographie...................................................................................................................................................... 33

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Panneau photovoltaque, toute une histoire

Avant dtudier lalgorithme MPPT flou pour la rcupration dnergie, il est ncessaire de comprendre le principe du panneau photovoltaque. Cest ce que nous allons voir ds prsent.

1)

Principe du photovoltaque

Initialement, le dveloppement de la technologie sest dvelopp avec la volont des entreprises des tlcommunications dinstaller des systmes fonctionnant dans des endroits loigns des centre urbains (et donc des rseaux lectriques). Le deuxime booster a t la course l'espace . La cellule solaire a t et reste le meilleur moyen ( moindre cot et le poids) de fournir la quantit d'nergie requise pendant de longues priodes de sjour dans l'espace. Enfin, la crise nergtique de 1973, a renouvel et a largi l'intrt pour les applications terrestres. Comme cela explique sur le site [4], l'nergie solaire photovoltaque est l'nergie obtenue par la conversion de la lumire en lectricit. Cette nergie est obtenue grce au phnomne physique appel leffet photovoltaque. Rapport par Edmond Becquerel en 1839, le principe est assez simple et consiste en l'mergence d'une diffrence de potentiel aux extrmits d'une structure de matriel semiconducteur, produit par l'absorption de la lumire (cf. figure 1 extrait du site [3]).

Figure 1: Schma synthtique de l'effet photovoltaque[3]

Figure 2: Effet photovoltaque l'chelle de la cellule [5]

Plus prcisment, comme le montre la figure 2 et comme cela est expliqu dans [5], leffet photovoltaque est propre la cellule (unit fondamentale de conversion). Dans le cas des panneaux photovoltaque, les cellules sont ralises partir de deux couches de silicium, une dope P (en gnral dope au bore) et lautre dope N (en gnral dope au phosphore).

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Lorsque les photons sont absorbs par le semi-conducteur, ils transmettent leur nergie aux atomes de la jonction PN de telle sorte que les lectrons de ces atomes se librent et crent des lectrons (charges N) et des trous (charges P). Ceci cre alors une diffrence de potentiel entre les deux couches. Cette diffrence de potentiel est mesurable entre les connexions des bornes positives et ngatives de la cellule. La tension ainsi gnre peut varier entre 0.3 V et 0.7 V en fonction du matriau utilis et de sa disposition ainsi que de la temprature de la cellule et du vieillissement de la cellule.

2)

Composants et systmes existants


a) Types de cellules

La cellule est lunit de conversion la plus adapte leffet photovoltaque. Comme laffirme le document [5] et le site [4], les matriaux et la mthodologie utilise pour la conception de ces cellules influent sur lnergie rcupre. Il en rsulte que de nombreuses solutions ont t dveloppes et nous allons brivement les prsenter. Silicium Monocristallin: La cellule de silicium monocristallin est historiquement la plus largement utilise et commercialise. La fabrication de cellules de silicium commence avec l'extraction du cristal de dioxyde de silicium. Ce matriel est dsoxyd dans de grands fours, purifi et solidifi. Ce processus a atteint une puret de 98 et 99% ce qui permet un rendement nergtique fort (en effet, plus le revtement de la cellule est pur, plus leffet photovoltaque est facilit). Le silicium est alors fusionn avec une petite quantit de dopant, normalement le bore qui est de type P puis coup en fine tranches denviron 300 m. Aprs la coupe et le nettoyage des impurets des tranches, des impurets de type N sont introduite via un processus de diffusion contrle : les tranches de silicium sont exposes des vapeurs de phosphore dans un four o la temprature varie de 800 1000 C. Parmi les cellules photovoltaques utilisant le silicium comme matriau de base, les monocristallins sont, en gnral, celles qui ont les meilleures performances. Ainsi, les cellules solaires commerciales obtenues avec le procd dcrit peuvent atteindre un rendement de 15 18%.

Silicium polycristallin Les cellules en silicium polycristallin sont moins coteuses que celles en silicium monocristallin car les processus de prparation des cellules sont moins stricts. Leur efficacit est cependant plus faible. Le processus de production est semblable celui prsent prcdemment dans le cas de la fabrication de cellule en silicium mais avec un contrle moins rigoureux. Il en rsulte que les cellules obtenues sont moins coteuses mais aussi moins efficace (12,5% de rendement en moyenne). Leur intrt rside dans la multiplicit des formes sous laquelle le revtement peut se prsenter : lingots dcouper, ruban ou fil dposer, Chaque technique permet de produire des cristaux ayant des caractristiques spcifiques, y compris la taille, la morphologie et la concentration des impurets.

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Silicium amorphe Les cellules de silicium amorphe diffrent des cellules prsentes prcdemment puisque leur structure prsente un haut degr de dsordre dans la structure des atomes. Lutilisation de silicium amorphe pour les cellules solaires a montr de grands avantages la fois au niveau des proprits lectriques et le processus de fabrication (processus simpl, faiblement consommateur dnergie, peu coteux, possibilit de produire des cellules avec grands secteurs). Mais, mme avec un cot rduit pour la production, l'utilisation du silicium amorphe a deux inconvnients: le premier est le rendement de conversion faible par rapport aux cellules de mono et polycristallin de silicium. Le deuxime est le fait que les cellules sont affectes par un processus de dgradation dans les premiers mois dopration, rduisant ainsi leur durabilit.

En 1993, la production de cellules photovoltaques a atteint un sommet 60 MWp, et le silicium demeure le matriau le plus utilis. Toutefois, la recherche de matriaux alternatifs est intense et concentre dans le domaine des films minces, comme le silicium amorphe. La technologie des cellules de films minces nest pas encore matrise mais pourrait savrer intressante car elle utilise moins de matriau que ceux en structure cristalline et elle ncessite moins dnergie dans le processus de fabrication.

b)

Une technologie connexe importante : les onduleurs

Outre les cellules photovoltaques qui, assembles en sries et en parallle et encapsules dans des modules tanches (protection contre lhumidit, les chocs et autres nuisances) constituent les panneaux photovoltaque, dautres systmes connexes sont ncessaires pour la rcupration dnergie solaire. Ainsi, en plus de lajout au circuit dun systme MPPT (cf. parties III V), il est parfois ncessaire de modifier la nature du courant. Ceci est possible grce des onduleurs qui sont des systmes lectriques qui transforment le courant continu en courant alternatif. On distingue les onduleurs de tension (utilis dans le cadre des panneaux photovoltaques) et les onduleurs de courant, en fonction de la source dentre continue : source de tension ou source de courant. La technologie des onduleurs de tension est la plus matrise et est prsente dans la plupart des systmes industriels, dans toutes les gammes de puissance (quelques Watts plusieurs MW). [6]. La particularit des onduleurs pour panneaux photovoltaques rside dans le fait que la courbe I-V dun panneau photovoltaque est fortement non linaires. En effet, en rgime permanent tabli, la tension et le courant du capteur sont considrs comme constants. Londuleur de tension impose alors sa sortie un systme de tensions sous forme de crneaux moduls en largeur dimpulsions (MLI* ou PWM* en anglais). Ces crneaux ne posent aucun problme pour lalimentation dun moteur, mais sont incompatibles avec les tensions sinusodales du rseau. On place alors entre chaque sortie de londuleur et chaque phase du rseau (onduleur monophas ou triphas) une inductance qui joue le rle de filtre et permet londuleur de fournir au rseau des courants quasi sinusodaux : dun point de vue formel elle transforme londuleur de tension en onduleur de courant ! [6]. Plusieurs technologies existent et sont bass presque exclusivement sur lutilisation de thyristors (partie non dtaille car ce nest pas lobjet de ce rapport).

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3)

Cas particulier du panneau photovoltaque Solar Fabrik 130/2

Dans le cadre de notre tude exprimentale (cf. V), nous nous sommes appuys sur les mesures densoleillement et de temprature de la ville de Compigne releves pendant un an par M. LOCMENT. Nous avons donc orient notre tude vers lapplication pratique de lalgorithme flou au panneau photovoltaque installs sur le toit de Pierre Guillaumat 2 (UTC, Compigne). Comme chaque panneau photovoltaque a des caractristiques particulires, il nous est apparu intressant de les rappeler avant de prsenter le modle Matlab-Simulink qui sappuie sur ces valeurs caractristiques. Nous nous sommes pour cela appuys sur les informations fournies par lorganisme produisant ces panneaux cf. [7].

Figure 3: Dessin des panneaux photovoltaques tudis [7]

Dimensions : Srie SF 130/2 l x L (mm) paisseur (mm) Poids (kg) Sans cadre 1485 x 663 5 10,5 Cadre alu 1491 x 669 35 12,5

Caractristiques module: Type de module Nombre de (polycristallin) Tension max. Systme SF 130/2-125 cellules 36 SF 130/2-130 36 SF 130/2-135 36

1000V

1000V

1000V

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Caractristiques lectriques en STC (Standard Test Conditions: 1000 W/m2, 25C, AM 1,5) : Puissance nominale* Limites de tri puissance Tension appr. Tension circuit ouvert appr. Courant appr. Courant appr. de UMPP UOC IMPP court-circuit ISC Pmax 125 W +/- 2,5 W 17,50 V 21,53 V 7,14 A 7,84 A 130 W +/- 2,5 W 17,72 V 21,69 V 7,34 A 7,96 A 135 W +/- 2,5 W 17,94 V 21,86 V 7,52 A 8,08 A

Caractristiques lectriques (sous 800 W/m2, NOCT, AM 1,5) : Puissance appr. en MPP Pmax 89 W 100 W 104 W

Tension appr.

UMPP

16,03 V 19,69 V

16,24 V 19,85 V

16,45 V 20,00 V

Tension circuit ouvert UOC appr. Courant appr. Courant de circuit appr. IMPP court- ISC

5,54 A 5,99 A

5,69 A 6,09 A

5,84 A 6,18 A

Sous un ensoleillement de 200 W/m2 et une temprature de 25 C, le rendement diminue de 7 % environ par rapport au rendement en conditions standard STC.

Tempratures: Coefficient de temprature puissance TK(PMPP) Coefficient de temprature tension TK(UOC) Coefficient de temprature courant TK(ISC) NOCT -0,47 %/K -72 mV/K 5,45 mA/K 48C +/-2K

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Autres caractristiques: Raccordement du module Systme Lumberg: 1,2 m cble de raccordement 4 mm2 avec connecteur mle surmoul et embase femelle (sans cadre: 2 m cble) Test haute tension Tenue la grle ** Rsistance la tempte ** Tension d'essai 3200 VDC /max. 60A Jusqu' 25 mm de diamtre 23 m/s Vitesse du vent jusqu'a 130 km/h = 800 Pa et facteur de scurit 3 Charge de neige supporte ** sans cadre: 2400 Pa =^ 245 kg/m2

Contrainte teste selon IEC avec cadre: 5400 Pa =^ 550 kg/m2 61215
* (tolerance +/- 5 %) ** en combinaison avec notre systme de fixation brevete Profilink installe selon les recommandations (BP).

Selon le constructeur, ce type de panneau photovoltaque prsente de nombreuses qualits parmi lesquelles : la stabilit au temps grce au verre solaire spcial transparent, quip de filtre UV, un rendement nergtique lev grce lutilisation de composants de qualit ajout au module avec prcisions et un montage rapide du cadre avec un systme de fixation brevet. Par ailleurs, il est homologu/certifi : EN IEC 61215 ed. 2, Classe de protection II et Directive 89/336/CEE (CE), Directive 73/23/CEE (CE).

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II

Du principe aux quations

Le principe photovoltaque dtaill dans la partie prcdente peut tre modlis sous la forme dun schma lectrique quivalent lui-mme modlisable sous Matlab-Simulink.

1)

Dun modle de base une multitude de modles

Le principe de leffet photovoltaque nest autre que celui dune diode ainsi lorsque lon claire la jonction PN, la cellule tant charge par une rsistance, on observe lapparition dun courant inverse I sous une tension en sens direct V. [8]

Figure 4: Schma d'application de l'effet photovoltaque

La caractristique dune jonction PN non claire est celle dune diode (idale). En prsence dun clairement, cette caractristique est dcale vers le bas dun courant Icc (courant de courtcircuit). De mme, elle coupe laxe des abscisses en Vco (tension maximale de circuit ouvert). [8]

Figure 5: Approximation de la caractristique courant-tension du panneau photovoltaque

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La rflexion prcdente nous permet daboutir au modle lectrique quivalent de la cellule photovoltaque suivant :

Figure 6: Modle lectrique quivalent idal d'une cellule :

photovoltaque [9]

Pour tenir compte des chutes de tension dans les zones P et N, on doit ajouter une rsis rsistance srie (quivalente) Rs et pour le courant de fuite, une rsistance parallle (quivalente) Rp dans le schma quivalent [8]. Ce dernier se transforme alors de cette manire :

Figure 7: Modle lectrique quivalent du : panneau photovoltaque [9]

Le modle prsent ci-dessus nest pas universel. Comme lexplique le document [9], de nombreux dessus auteurs ont proposs des modles plus sophistiqus qui reprsente avec plus de prcision le phnomne photovoltaque. On recense ainsi deux autres modles : Le modle deux diodes: cette diode supplmentaire permettant de reproduire dans le schma quivalent les effets chimiques de recombinaison des lectrons ; Le modle trois diodes : la troisime diode incluant dans le schma quivalent les effets non pris en compte dans les autres modles (ex : courant de fuite lis aux diodes).

Dautre part, des modles plus simplifis voi voient aussi le jour (cf. [10]): la valeur de la rsistance Rp tant gnralement haute [9], elle est donc souvent suppose infinie (et donc nglige) dans les 9], modles courants, de mme, la valeur de la rsistance Rs tant gnralement basse si ltude les auteurs de modles posent souvent Rs=0 (et donc nglige Rs de sorte que lon revient alors au circuit quivalent et lon prsent en figure 6). Mais ces modles perdent en prcision. ). Le modle une diode offre un bon compromis entre simplicit et prcision : il apparat trs adapt notre tude. On notera que les coefficients didalit sont dfinis en sinspirant des valeurs numriques de la littrature et prciss grce ltude exprimentale (mthode pas pas ) afin de (mthode correspondre au mieux au cas tudi (ici ils ont t dfinis par M. LOCMENT dans le cadre du TD sur le panneau solaire photovoltaque).

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2)

Equations retenues

Le modle lectrique quivalent retenu est donc le suivant :

Ip

En appliquant la loi des nuds au point rouge on obtient : I = Ip + Ipv - Id soit Ip = I - Ipv + Id

En appliquant ensuite la loi des mailles (dans la maille de droite), on obtient : V = - (Rp Ip + Rs I) Il reste exprimer Ipv Id Id= ? Lquation de Schokley (= diode law ) dfinie la caractristiques I-V dune diode idale, lquation dans notre cas est donc la suivante : soit V = Rp (I pv - Id - I) Rs I (Equation 1)

Id = Io

(Equation 2)

O : Io est le courant de fuite (ou reverse saturation current) de la diode (dont la formule est dtaille ciaprs), q est la charge llectron (1.60210-19C), k est la constante de Boltzmann (1.3810-23J/K), V, Rs et I sont des caractristiques issues du circuit quivalent, ns est un facteur correcteur didalit et T (en Kelvin) est la temprature mesure. Il reste donc exprimer Io. En considrant les dpendances entre les diffrents facteurs, quils soient naturels (comme lensoleillement ou la temprature extrieure) ou lectriques (courant de court-circuit,), le document sur lequel nous nous sommes appuys ([9]) tablit lgalit suivante : Io = (Equation 3)

O : Voc,n et Isc,n sont respectivement les tension en circuit ouvert et le courant de court-circuit du panneau la temprature nominale, Vt = nskT/q est le voltage thermique des Ns cellules photovoltaque connectes en srie (NB :ns est un coefficient correcteur didalit), enfin a, Kv et K1 sont des coefficients correcteurs didalit. Il est noter que cette galit dfinissant Io nest pas celle qui est largement reprise dans la littrature (cf. [10] par exemple) mais elle est plus rcente et daprs les tests effectus par lauteur cette formule simplifie le modle et le rend plus prcis. ([9], p 1201 dernier paragraphe).

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Ipv= ? Daprs les documents [9] et [10], en considrant les dpendances entre les diffrents facteurs, on a: Ipv = (Ipv,n + K1 ) (Equation 4)

O : Ic,n et Gn sont respectivement le courant gnr par la lumire et lirradiation dans les conditions nominales. Les quations obtenues nous permettent de modliser notre panneau photovoltaque sous Matlab.

Rappel : Nous travaillons avec un panneau de type Solar Fabrik 130/2. Les caractristiques de ce panneau, dont nous avons besoin pour la modlisation, sont (extraits des tableaux prsents en I-3) : Caractristiques lectriques en STC (Standard Test Conditions: 1000 W/m2, 25C, AM 1,5) : Puissance nominale* Tension circuit ouvert appr. Courant appr. de Pmax UOC 125 W 21,53 V 7,84 A 130 W 21,69 V 7,96 A 135 W 21,86 V 8,08 A

court-circuit ISC

Tempratures: Coefficient de temprature tension TK(UOC) Coefficient de temprature courant TK(ISC) NOCT -72 mV/K 5,45 mA/K 48C +/-2K

3)

Modlisation sous Matlab-Simulink

Les quations retenues ci-dessus peuvent tre modlises sous Matlab-Simulink partir de blocs mathmatiques basiques prsent dans le catalogue Simulink. Le modle suivant est celui qui nous a t distribu lors dune sance de TD au cours du semestre dtude. Il est particulirement adapt au panneau photovoltaque utilis par lUTC, le Solar Fabrik 130/2, prsent prcdemment et sur lequel sappuie notre tude exprimentale (prsente ultrieurement dans la partie VI). Le modle est ensuite comment afin de mettre en vidence le lien quil entretient avec les quations obtenues ci-avant. Le modle ainsi construit fonctionne (test en TD) et peut prsent tre ajout au circuit lectrique global de manire rcuprer lnergie issue de leffet photovoltaque. Cest ce que nous allons voir dans la partie suivante.

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Figure 8: Modlisation du panneau photovoltaque Solar Fabrik 130/2 sous Matlab-Simulink

Figure 9: Version commente de la modlisation du panneau photovoltaque Solar Fabrik 130/2 sous Matlab-Simulink

III

De la ncessit dune MPPT

Dans ce chapitre, seront explicites les raisons qui amnent crer un algorithme MPPT en nous appuyant sur les donnes numriques obtenues grce aux panneaux photovoltaques implants sur le toit de Pierre Guillaumat 2 et aux diverses quipements qui leur sont lis.

1)

Prambule

Comme nous laffirmions en introduction, lexploitation de lnergie solaire prsente un potentiel norme. Cest dans cette optique que sont conus les panneaux photovoltaques. Mme sil est connu que les rendements sont relativement peu levs (de lordre de 30 40%), la recherche de la puissance maximale est ncessaire. Or, les panneaux photovoltaques sont soumis des conditions changeantes au niveau de lensoleillement et de la temprature qui modifie la puissance extractible. En effet, sous ces conditions changeantes, la puissance extractible est variable et fonction de la tension (ou du courant) impose aux bornes du panneau photovoltaque. Il est donc ncessaire que le systme dexploitation sadapte pour extraire le plus de puissance possible : cest ainsi que nait en quelque sorte lide de MPPT (Maximum Power Point Tracker).

Figure 10: Fluctuations de P pour G constant et T variable [12] NB : G = ensoleillement, T = temprature.

Figure 11 : Fluctuations de P pour T constant et G variable [12]

Les courbes prcdentes, extraites de [12], matrialisent bien la ncessit dun algorithme doptimisation dextraction de la puissance ; cela dautant plus que dans la ralit, contrairement aux deux figures ci-dessus, la temprature et lensoleillement varient en mme temps.

2)

Le panneau photovoltaque du projet pour la rcupration dnergie solaire

Le panneau photovoltaque utilis dans le projet est un panneau Solar-Fabrik SF130/2-125. Nous lavons implant sous Matlab-Simulink et avons simul son fonctionnement sous des conditions de temprature et densoleillement variant au cours de la priode dtude (fixe 24h et, cela, pour toute ltude prsente par la suite). Dans le cas o nous nagrmentons pas ce modle de panneau dun algorithme dit MPPT, le courant optimal est celui spcifi par le constructeur (7,14A).

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Le schma du modle sous Matlab-Simulink est alors le suivant :

Figure 12: Extraction de l'nergie photovoltaque: schma quivalent sous Matlab-Simulink

Ce modle permet dextraire environ 0.12 kWh (cf. Courbe ci-dessous).

Figure 13: Energie rcupre pour un panneau photovoltaque sans MPPT

Cette nergie rcupre est bien faible. Cela est mme encore plus vident lorsque lon compare les rsultats ceux obtenus en Travaux Dirigs aprs utilisation de lalgorithme Perturbe and Observe (technique explique dans le chapitre suivant). En effet, par le biais cette dernire mthode, nous rcuprons 0.6 kWh sur la priode dtude, soit plus 3.5 fois plus ! Il faut apparat donc ncessaire dadjoindre un algorithme MPPT chaque panneau photovoltaque. Toutefois, une question demeure : existe-t-il un algorithme encore plus performant que Perturbe and Observe ?

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IV

MPPT, une bibliographie


1) Approche Perturbe and Observe

Nous allons prsent passer en revue les solutions MPPT actuellement disponibles sur le march.

Algorithme le plus rpandu, Pertube and Observe (P&O) repose sur la pertubation[ici une augmentation ou une diminution] de la tension Vref, ou du courant Iref, et lobservation de la consquence de cette perturbation sur la puissance mesure (P=VI). Explication en utilisant la perturbation de Vrf : Si dP=Pk-Pk-1 <0 et si dVrf=Vrf,k-Vrf,k-1<0, on augmente Vrf ; si dVrf>0, on diminue Vrf. Si dP>0 et si dVrf<0, on diminue Vrf ; si dVrf>0, on augmente Vrf.

Figure 14: Schma explicatif de l'algorithme Pertub and Observ (P&O) [13]

Facile utiliser et implanter dans un systme de contrle dun panneau photovoltaque, P&O prsente toutefois des inconvnients. En effet, il arrive que P&O ne permette pas datteindre le maximum de puissance en cas de fluctuation trs rapide de lensoleillement [13]. Mme en cas de conditions dexploitation constantes, on observe des variations de V et de I (donc ncessairement de P par la mme occasion) [13].

2)

Approche Open- and Short-Circuit

Cette mthode de dtermination du MPP (Maximum Power Point) est base sur la mesure en temps rel du courant de court-circuit (short-circuit current) ou de la tension de circuit ouvert (opencircuit voltage) ainsi que sur lutilisation de courbes Courant-Tension prdfinies. Cest sur ces dernires quest lue la valeur optimale pour la tension ou le courant. Cette mthode prsente deux avantages : la rapidit de la rponse aux fluctuations et labsence de variations (mme infimes) en tat stationnaire. Cependant, ces points forts ne peuvent cacher le dfaut intrinsque de lalgorithme savoir lutilisation de courbes prdfinies que ne sauraient reflter reflter parfaitement les variations des conditions dexploitations et donc permettre de toujours atteindre le maximum de puissance [13].

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3)

Approche Incremental Conductance

Cette approche se base sur lobservation de dP/dV. Lorsque cette dernire quantit atteint 0, cela signifie que la puissance extraite est sur lunique extremum de la courbe et par consquent au maximum de puissance extractible. Cette mthode est plus rapide que P&O mais elle prsente de mauvais rsultats pour de faibles ensoleillements (trs faible volution de P sur le pas de calcul fixe do des drives trs petites et des difficults dinterprtations) [13].

4)

Approche Logique Floue

Selon les termes de Zyed Zalila, professeur enseignant la logique flou lUniversit de Technologie de Compigne et PDG du bureau dtude Intellitech, la thorie du flou permet la modlisation et le traitement rigoureux dinformations imprcises, incertaines et subjectives . Elle permet dapproximer des fonctions non-linaires. Cest donc une thorie tout fait adapte au problme doptimisation que nous avons traiter dans ce projet. Nous avons en effet faire une fonction P fortement non linaire et des capteurs qui ne peuvent avoir une prcision infinitsimale. Lors de nos recherches bibliographiques, deux dmarches ([11] et [12]) ont retenu notre attention. Celles-ci reposent sur lobservation en temps rel de deux critres que sont lcart E de dP/dV par rapport la valeur recherche (cest--dire 0) et la variation CE de cette cart. Dans chacune de ces dmarches, un convertisseur est utilis. Ces critres aprs infrence (explicite dans le schma cidessous tir de [11]) permettent de construire une valeur D qui est le rapport cyclique du convertisseur. Cette valeur D aboutit la dtermination de la valeur VMPPT chaque instant.

Figure 15: Schma explicatif de l'algorithme en logique floue [11]

La fuzzification dsigne le processus de dtermination du degr dappartenance chaque partition floue. Linfrence dsigne lutilisation des rgles dclenches par les diffrentes entres fuzzifies. La dfuzzification dsigne le passage des valeurs floues de sorties une valeur finale nette. Ces procds sont communs toutes les approches de floues tudis lUTC (except la dfuzzification qui nest pas ncessairement utilise). Ils ont donc servis de base pour nos travaux qui vont maintenant tre prsents.

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MPPT en logique floue, prsentation du systme


1) Dfinition des critres dentres

Nous allons ici dtailler lalgorithme MPPT flou que nous avons mis en place.

La dfinition de critre pertinent a t ralise en sappuyant la fois sur la recherche bibliographique et sur lexercice de Travaux Dirigs de SY10 intitul Bain de Valrie [14]. c) Dfinition : Lcart E est dfini comme tant lcart entre et la valeur recherche . Cette Ecart E

dernire valeur correspond lunique extremum de la courbe . Cet extremum est un maximum. Plus E est positif, plus la valeur de P croit. Inversement, plus E est ngatif, plus la valeur de P dcroit. Enfin quand E tend vers 0, la valeur de P tend vers son maximum, le MPP. On peut lassimiler la pente de .

Partition floue :

Figure 16: Copie d'cran de la partition floue dfinie via la fuzzy logic toolbox de Matlab

Avec les notations de Kaufmann, les fonctions dappartenance sont dfinies comme suit : Univers du discours= [-10, 10] Dcroit trs fortement= (0, 0, -4,-1) Dcroit fortement= (-2, -1, -0.2) Dcroit= (-0.4, -0.2, 0) Stable= (-0.2, 0, 0.2) Croit= (0, 0.2, 0.4) Croit fortement= (0.2, 1, 2) Croit trs fortement= (1, 4, 10, 10)

Nous utilisons des fonctions dappartenances de type linaire dans la mesure o nous ne matrisons pas parfaitement le sujet. Mais on pourrait trs bien imaginer dutiliser des courbes gaussiennes pour reprsenter chaque sous ensemble flou. Enfin, la hauteur de chaque sous-ensemble flou est gale 1.
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d) Dfinition :

Variation de lcart dE

La variation de lcart dE indique dans quel sens et dans quelle proportion lcart se modifie mesure que lalgorithme suit son cours. Ainsi, lorsque dE tend vers 0, le systme se stabilise (mais pas ncessairement au MPP).

Partition floue :

Figure 17: Copie d'cran de la partition floue dfinie via la fuzzy logic toolbox de Matlab

Avec les notations de Kaufmann, les fonctions dappartenance sont dfinies comme suit : Univers du discours= [-10, 10] --- = (-10, -10, -4, -2) -- = (-4, -2, -0.4) - = (-2, -0.4, 0) 0 = (-0.4, 0, 0.4) + = (0, 0.4, 2) ++ = (0.4, 2, 4) +++ = (2, 4, 10, 10)

De la mme manire que pour E, nous avons utilis des fonctions linaires car celles-ci sont les plus sres lorsque lon ne connat pas exactement le comportement du sous-ensemble flou. Enfin, la hauteur de chaque sous-ensemble flou est gale 1. e) Dfinition : Lincrment di correspond la valeur dajustement additionne au courant I chaque itration de lalgorithme. Cest--dire que Nous avons dfini 7 classes dincrments allant du grand incrment ngatif au grand incrment positif. Ces 7 classes de sorties correspondent aux 7 rgles du systme flou. Remarque : Il ne faut pas confondre dI (variation du courant dans le panneau) et di (incrment). Dfinition du critre de sortie : Incrment di

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Partition floue :

Figure 18: Copie d'cran de la partition floue dfinie via la fuzzy logic toolbox de Matlab

Avec les notations de Kaufmann, les fonctions dappartenance sont dfinies comme suit : Univers du discours= [-10, 10] --- = (--0.012, -0.012, -0.0063, -0.004348) -- = (-0.004476, -0.002574, -0.000792) - = (-0.001048, -0.000732, 0) 0 = (-0.0004128, 0, 0.0004128) + = (0, 0.000858, 0.001238) ++ = (0.000792, 0.00276, 0.00454) +++ = (0.004544, 0.005936, 0.012, 0.012)

De la mme manire que pour E, nous avons utilis des fonctions linaires car celles-ci sont les plus sres lorsque lon ne connat pas exactement le comportement du sous-ensemble flou. Enfin, la hauteur de chaque sous-ensemble flou est gale 1.

2)

Fonctionnement du systme flou


a) Schma de fonctionnement

Figure 19: Copie du systme flou conu via la fuzzy logic toolbox de Matlab

Le systme flou possde deux entres (E et dE) et une sortie di. Il est noter quavant utilisation le systme flou doit tre appel sur le prompt grce la commande fuzzymppt=readfis(fuzzymppt.fis).

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b)

Schma dinfrence

Le schma dinfrence floue est celui de Mandani-Assilian. ET OU modlise par

On calcule le degr de dclenchement i de chacune des rgles Ri en modlisant le ET par . La consquence finale est obtenue par max-union de toutes les consquences partielles. Nous avons dfuzzifi par une mthode barycentrique ( centroid dans la Fuzzy Logic Toolbox de Matlab). c) Tableau des rgles

Figure 20: Tableau des rgles du systme flou

Aprs avoir effectu quelques essais en faisant varier le nombre de classes de la sortie ainsi que la rpartition des rgles, nous obtenons le tableau de rgles ci-dessus. Il est redondant avec celui dfini dans la source [12]. Les rgles et les classes de la sortie ne sont quune seule et mme entit. d) Construction du courant IMPPT

La valeur dIMPPT est obtenue en ajoutant di, la sortie du systme flou, la valeur prcdente de IMPPT.

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e)

Architecture du systme

Larchitecture sous Matlab-Simulink du systme MPPT+Panneau Photovoltaque est le suivant :

Figure 21: Architecture du systme Panneau photovoltaque + MPPT floue sous Matlab-Simulink

Diffrents points doivent tre souligns. Tout dabord, le modle du panneau photovoltaque est dans la partie suprieure du schma. En dessous, nous avons construit le modle de la MPPT. Comme on peut le voir dans un premier temps, nous crons E et dE. E est dtermin partir de la variation de P et de I. Les deux valeurs E et dE passent ensuite par un filtre de saturation pour sassurer que E et dE seront bien compris dans lunivers du discours dfini dans les partitions floues (il sagit de lintervalle [-10,10] dans les deux cas). Les critres entrent via un multiplexeur dans le contrleur flou. Ce dernier produit un incrment dI ajouter la valeur I dentre. I est lui le fruit de laccumulation de multiples infimes dI. Au cours de llaboration de la MPPT, nous avons rencontr un problme de division par 0 dans la dtermination . En effet, I est nul au dpart et par consquent dI aussi. La solution choisie est prsente dans le diagramme suivant qui est un zoom sur le bloc Rsolution prob division par 0 du schma prcdent.

Figure 22: Zoom sur l'architecture du systme pour analyser et rsoudre un problme

Explication : Si dI=0, alors on llve de 0.000 000 1 (=1.10-7 A). Cette lvation infinitsimale ne nuit que trs faiblement la prcision de lalgorithme tout en permettant dviter le problme de division par 0.
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Dans la pratique, on vrifie une condition ce qui retourne une valeur binaire. Nous avons donc t amen ajout un Convert . Ainsi quand dI = 0, la condition est vrifie donc la sortie est 1. Celleci passe dans le convertisseur qui la retransforme en nombre. Elle est alors sature une valeur de 0.00000011 (presque 0) et ajoute la valeur dI. Finalement, . Dautre part, si dI est diffrent de 0 alors la sortie est 0. Comme dans lautre cas, elle est sature 0.0000001 et ajoute dI. Au final, nous avons . Une simple saturation la sortie de dI tait inenvisageable. En effet, un intervalle de saturation de type (0.0000001 10000000) par exemple aurait certes permis dviter une division par 0 mais aurait par la mme occasion ramen toutes les valeurs ngatives de dI 0.0000001. Cela naurait t absolument insatisfaisant.

VI

Analyse comparative des rsultats

Dans ce chapitre, nous allons tudier les rsultats de notre algorithme bas sur la logique floue. Ces rsultats seront compars ceux obtenus avec une MPPT P&O et sans MPPT. Les points traits sont : lensoleillement, la stabilit de lalgorithme, lefficacit de lalgorithme, le comportement des entres/sorties et le temps de rponse une situation moyenne non variable (G=1000 W/m, T=25C). Enfin, nous conclurons en amenant des pistes damliorations.

1)

Ensoleillement et temprature considrs


Lensoleillement sur la journe tudie est reprsent sur la courbe ci-dessous. Il est tout fait non linaire et trs variable. Il mettra bien lpreuve notre MPPT et sa validit.

Figure 23: Evolution de l'ensoleillement en fonction du temps au cours de la priode d'tude

Paralllement lensoleillement, la temprature volue elle aussi de manire non linaire.


Figure 24: Evolution de la temprature en fonction du temps au cours de la priode d'tude

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2)

Stabilit de lalgorithme (MPPT Flou vs P&O)

Dans cette partie, nous allons comparer la rponse des algorithmes MPPT Flou et de P&O face la mme situation densoleillement prsent ci-avant.

Figure 25: Rponse (P= f(t)) des algorithmes P&O et logique floue

De prime abord, les deux MPPT se comportent de la mme manire. Pour mieux comprendre, il faut donc zoomer sur une zone quelconque de la courbe. Ici, ce sera sur la zone figur par le quadrilatre rouge.

Figure 26: Zoom (1) sur la rponse (P= f(t)) des algorithmes P&O et logique floue

Ce premier zoom montre que les oscillations autour de la courbe moyenne sont bien diffrentes. Elles sont plus amples dans le cas P&O que celui de la MPPT Flou. La modularit de la logique floue (cest-dire la plus grande plage de valeurs dincrments, ici [-0.012, 0.012] A) explique cette diffrence damplitude. On peut en dduire quelle permet aussi daccrotre la prcision de la rponse. En effet, P&O ne propose que trois valeurs dincrments 0, et (ici =0.01 A).

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En zoomant au maximum sur la zone, il devient plus vident que lamplitude de variation dans le cas de p&O est largement plus grande La lecture graphique fournit une estimation correcte de cette diffrence : 0.01A pour la MPPT Flou contre 0.02A pour la MPPT P&O.

Figure 27: Zoom (2) sur la rponse (P= f(t)) des algorithmes P&O et logique floue

On peut imaginer quen rduisant la valeur de lincrment de P&O. Nous aurions obtenu une amplitude rduite par la mme occasion. On en conclu que la MPPT Flou est plus stable autour de la courbe moyenne que la MPPT P&O.

3)

Efficacit de lalgorithme
a) MPPT Flou/ MPPT P&O

De la mme manire que pour la stabilit des algorithmes, il napparait pas de diffrence notable entre P&O et MPPT Flou. Toutefois, nous allons voir que le systme quip dune MPPT bas sur la logique rcupre lgrement plus dnergie sur la journe dtude. Pour cela, concentrons nous sur deux zones : une en dbut de journe (carr violet), une autre en fin de journe (carr rouge).
Figure 28: Rponse (E= f(t)) des algorithmes P&O et logique floue

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Dbut de journe : On peut constater que, quipe dune MPPT en logique floue, le systme rpond plus tt et plus efficacement que P&O (environ 0.01 kWh en permanence).

Figure 29: Zoom sur le dbut de rponse (E= f(t)) des algorithmes P&O et logique floue

Fin de journe : Cette diffrence se perptue sans saccentuer au moment du bilan la fin de journe. Cela confirme la meilleure efficacit de la MPPT Flou.

Figure 30: Zoom sur la fin de rponse (E= f(t)) des algorithmes P&O et logique floue

Toutefois, il parait difficile de considrer que cette diffrence de 1.6% est suffisante pour dsigner la meilleure MPPT du point de vue efficacit. En somme, avec une MPPT P&O ou base de logique floue, on peut esprer tirer environ 0.6kWh du panneau photovoltaque.

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b)

MPPT Flou/ Sans MPPT

Figure 31: Energie rcupre avec MPPT floue et sans MPPT

Ce graphique tablit limmense diffrence entre MPPT Flou et sans MPPT. Dans le premier cas, lnergie extraite atteint 0.6004 kWh tandis que dans le second cas, elle natteint que 0.17kWh. La superposition des courbes densoleillement, de temprature et dnergie rcupre suggre que lIMPPT fourni par le fabricant nest oprant que pour un ensoleillement suprieur 500 W/m et une temprature suprieure 25C. En effet, le systme sans MPPT nextrait de lnergie quentre 4.104 et 6.104 s, priode o les ensoleillements surpassent la limite de 500 W/m. De mme, elle ne permet srement pas non plus dextraire un maximum dnergie au-del de cette limite.

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c) Entre E

Comportement des entres/sorties

Figure 32: Comportement de l'entre E

Ce schma montre lentre E. Il a servi dterminer les classes de lentre E. On voit quune saturation est faite entre -10 et 10. Des tests avec une saturation largie montrent des rsultats moins probants. On remarque aussi que la variable E appartient trs souvent dcroit trs fortement ainsi qu croit fortement . Cela nest pas surprenant lorsque lon a en tte les variations amples et frquentes densoleillement et de temprature. Dailleurs, lorsque ces conditions se stabilisent quelque peu (ce qui est le cas entre [4,7.104 ; 5.104] s ainsi que sur lintervalle [6,5.104 ; 7.104] s ), lentre E, cest--dire la pente de se stabilise de mme. Elle appartient alors dcroit , stable ou croit . Entre dE Les remarques sur E sont aussi valables pour dE.
Figure 33 : Comportement de l'entre dE

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Sortie di

Figure 34: Comportement de la sortie di

Ce graphique reprsente lvolution de la sortie de la MPPT floue di. On remarque que les entres dclenchent quasi-exclusivement des rgles extrmes, savoir --- ou +++. En outre, le dclenchement induit lui aussi le calcul dincrment di de lordre de 0.009A. Cette valeur fait cho au gain =0.01A de la MPPT P&O. Aprs avoir effectu des tests, il ressort quen largissant lunivers du discours de la sortie di (cest--dire la plage de valeurs de di), on rcupre moins dnergie. Le rsultat est aussi moindre si lon restreint lunivers du discours de la sortie di. On est donc amen penser que la MPPT P&O est optimale pour le panneau photovoltaque Solar-Fabrik 130/2-125. d) Temps de rponse dans un cas idal (G=1000 W/mm et T=25C)

Figure 35: Temps de rponse des deux MPPT (Flou et P&O)

Sur ce schma, on peut voir le temps mis par la MPPT flou (83s) et par la MPPT P&O (70s) pour atteindre la puissance Pmax du panneau soit 125W.

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La MPPT flou est plus lente que la MPPT P&O. Ce retard sexplique en partie par la lourdeur du tableau de rgles ainsi que le nombre de classes de sortie possible (exactement 7). Il parat difficile de rduire ce facteur-ci car il est la garantie dun fonctionnement optimal. En effet, lorsquil ny avait que 3 classes pour la sortie, lalgorithme MPPT flou rcuprait moins dnergie quavec P&O mais un temps de raction pour atteindre Pmax de 4s (soit 20 fois plus rapidement). Ladoption duniquement 5 rgles aboutit aux mmes conclusions : meilleur temps de rponse (16s, soit 5 fois plus rapide), (16s avec 5 rgles), moins bonne efficacit. e) Pistes damliorations

Le langage Matlab tant un langage interprt (et non compil comme le langage C++) met par nature plus de temps effectuer la simulation. Il serait donc intressant dintgrer lalgorithme en langage C sur lappareil en charge de la MPPT. Comme nous avons pu le voir, lincrment idal semble tre de lordre 0.01A. Il serait donc intressant dintercaler plus de classes aux alentours de -0.01 et 0.01A de la sortie di. Cela apporterait une meilleure prcision mais aussi une plus grande lourdeur de calcul. Il faudra donc sinterroger sur limportance du gain de prcision et dnergie vis--vis des moyens supplmentaires en hardware et en software mettre en place.

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Bibliographie
Partie panneau photovoltaque : [1] www.sunlab.com.br [2] www.troquedeenergia.com/Produtos/LogosDocumentos/SolarFotovoltaico.pdf [3] TECNOLOGIAS DE MICRO-GERAO E SISTEMAS PERIFRICOS Painis Solares Fotovoltaicos, www.cresesb.cepel.br [4] Centro de Referncia para Energia Solar e Elica Srgio de Salvo Brito CRESESB: Energia Solar Princpios e Aplicaes. [5] M Angel Cid PASTOR, Conception et ralisation de modules photovoltaques lectroniques , Thse prsente en vue de lobtention de grade de Docteur de lInstitut National des Sciences Appliques de Toulouse Spcialit : Conception des Circuits Microlectroniques et Microsystmes, en partenariat avec lcole doctorale GEET et le laboratoire LAAS-CNRS date de soutenance 29 septembre 2006, [6] Mme DIDIER, sous la direction de M. GAIDDON, Les Onduleurs pour Systmes Photovoltaques : Fonctionnement, Etat de lArt et Etude des Performances , Hespul, Villeurbanne, aot 2007 [7] www.solar-fabrik.de www.solar-fabrik.de/produits/les-panneaux/serie-sf-1302/?L=2 [8] Cellule Solaire : Modle Spice -Fiche technique , I.U.T. de Nmes, 5 fvrier 2008 [9] Marcelo Gradella Villalva, Jonas Rafael Gazoli, and Ernesto Ruppert Filho, Comprehensive Approach to Modeling and Simulation of Photovoltaic Arrays , IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, VOL. 24, NO. 5, MAY 2009 [10] Huan-Liang Tsai, Ci-Siang Tu, and Yi-Jie Su, Member, IAENG, Development of generalized photovoltaic model using MATLAB/SIMULINK Proceedings of the World Congress on Engineering and
Computer Science, October 22 - 24, 2008, San Francisco, USA

Partie MPPT : [11]M. HATTI, Contrleur Flou pour la Poursuite du Point de Puissance Maximum dun Systme Photovoltaque , JCGE08 Lyon, Dcembre 2008 [12]A. DAOUD, A. MIDOUN A Fuzzy Logic Based Photovoltaic Maximum Power Tracker Controller [13]C. LIU, B.WU, R.CHEUNG, Advanced Algorithm for MPPT Control of Photovoltaic System, Canadian Solar Building Conference, Montreal, August 20-24 2004 [14] Zyed ZALILA, Cours et TD pour lUV SY10, UTC, Automne 2009

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Liste des figures


Figure 1: Schma synthtique de l'effet photovoltaque .................................................................................4

Figure 2: Effet photovoltaque l'chelle de la cellule [5] .................................................................................4 Figure 3: Dessin des panneaux photovoltaques tudis [7]................................................................................7 Figure 4: Schma d'application de l'effet photovoltaque ................................................................................ 10 Figure 5: Approximation de la caractristique courant-tension du panneau photovoltaque ......................... 10 Figure 6: Modle lectrique quivalent idal d'une cellule photovoltaque [9] ............................................... 11 Figure 7: Modle lectrique quivalent du panneau photovoltaque [9] ......................................................... 11 Figure 8: Fluctuations de P pour G constant et T variable [12].. ...................................................... 13 Figure 9 : Fluctuations de P pour T constant et G variable [12] ...113 Figure 10: Extraction de l'nergie photovoltaque: schma quivalent sous Matlab-Simulink ........................ 17 Figure 11: Energie rcupre pour un panneau photovoltaque sans MPPT ................................................... 17 Figure 12: Schma explicatif de l'algorithme Pertub and Observ (P&O) [13] ................................................... 18 Figure 13: Schma explicatif de l'algorithme en logique floue [11] .................................................................. 19 Figure 14: Copie d'cran de la partition floue dfinie via la fuzzy logic toolbox de Matlab ............................. 20 Figure 15: Copie d'cran de la partition floue dfinie via la fuzzy logic toolbox de Matlab ............................. 21 Figure 16: Copie d'cran de la partition floue dfinie via la fuzzy logic toolbox de Matlab ............................. 22 Figure 17: Copie du systme flou conu via la fuzzy logic toolbox de Matlab .................................................. 22 Figure 18: Tableau des rgles du systme flou ................................................................................................. 23 Figure 19: Architecture du systme Panneau photovoltaque + MPPT floue sous Matlab-Simulink ............... 24 Figure 20: Zoom sur l'architecture du systme pour analyser et rsoudre un problme ................................ 24 Figure 21: Evolution de l'ensoleillement en fonction du temps au cours de la priode d'tude ..................... 25 Figure 22: Evolution de la temprature en fonction du temps au cours de la priode d'tude....................... 25 Figure 23: Rponse (P= f(t)) des algorithmes P&O et logique floue ................................................................. 26 Figure 24: Zoom (1) sur la rponse (P= f(t)) des algorithmes P&O et logique floue ......................................... 26 Figure 25: Zoom (2) sur la rponse (P= f(t)) des algorithmes P&O et logique floue ......................................... 27 Figure 26: Rponse (E= f(t)) des algorithmes P&O et logique floue.................................................................. 27 Figure 27: Zoom sur le dbut de rponse (E= f(t)) des algorithmes P&O et logique floue ............................... 28 Figure 28: Zoom sur la fin de rponse (E= f(t)) des algorithmes P&O et logique floue .................................... 28 Figure 29: Energie rcupre avec MPPT floue et sans MPPT .......................................................................... 29 Figure 30: Comportement de l'entre E ............................................................................................................ 30 Figure 31 : Comportement de l'entre dE ......................................................................................................... 30 Figure 32: Comportement de la sortie di .......................................................................................................... 31 Figure 33: Temps de rponse des deux MPPT (Flou et P&O)............................................................................ 31

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