P. 1
TP diode

TP diode

4.5

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05/08/2013

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République Algérienne Démocratique et Populaire MINISTERE DE L'ENSIEGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

• • • •

UNIVERSITE MOHAMED KHAIDER BISKRA FACULTE DES SCIENCES ET SCIENCES DE L'INGENIEUR. DEPARTEMENT D'ELECTRONIQUE.

:RAPPORT DE TP N°2

Présenté par:

Proposé et dirigé par :

• Dahane Abderrahim • Gazzel Hichem • Djella Samir

1

INTRODUCTION

La diode est le semi-conducteur de base : on ne peut pas combiner du
silicium dopé plus simplement. Son fonctionnement macroscopique est assimilable à celui d'un interrupteur commandé qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.

Cette propriété lui ouvre un champ d'applications assez vaste en électronique. C'est la diode qui va permettre de redresser le courant alternatif issu du secteur et autoriser la fabrication d'alimentations stabilisées qui sont obligatoires dans la plupart des montages électroniques. On conçoit donc que si ce composant est basique, ainsi que son fonctionnement, il n'en n'est pas moins fondamental ! Dans la catégorie des diodes, on trouve aussi des diodes de régulation, dites diodes zéner, qui ont un comportement de source de tension. Cette propriété va permettre d'élaborer autour de ce composant simple toute une série de montages délivrant une ou plusieurs tensions continues. • La fonction diode a existé bien avant l'arrivée du silicium : on utilisait alors des diodes à vide (les lampes) dont le fonctionnement était basé sur l'effet thermoélectronique. Le silicium a apporté les avantages suivants : coût, fiabilité, encombrement, simplicité d'utilisation

2

Etude Théorique

1 – La diode : un dipôle non linéaire 1.1 – Diode idéale
• • •

C’est un dipôle électrique unidirectionnel dont les bornes sont
l’anode (A) et la cathode (K). En polarisation directe c’est-à-dire si UA > UK la résistance de La diode est nulle. Elle se comporte alors comme un interrupteur fermé. En polarisation inverse (UA < UK), on a : R = ∞ . La diode est équivalente à un interrupteur ouvert.

- Une diode idéale ne dissipe donc aucune puissance.

1.2 – Diode réelle à semi-conducteur L’anode est la zone "P" d’une jonction "P-N". La zone de type "N" est la cathode. En polarisation inverse, le courant inverse est très faible mais il croît rapidement avec la température de la jonction. P
• En polarisation directe, au-delà de la tension de seuil (VS ≈0,6 VU pour le silicium), la diode est conductrice. On peut définir en chaque U seuilpoint P de la caractéristique une résistance statique (trait bleu) :nA RS = V/I et une résistance dynamique (trait vert) : rD = dV/dI. Fig. 2

Au-delà de la tension de seuil, la résistance dynamique est sensiblement constante.

3

1.3 – Association de diodes
• En série : la caractéristique du dipôle équivalent s’obtient graphiquement en considérant que la tension aux bornes de l’ensemble est la somme des tensions aux bornes des deux diodes. (Fig. 3) On peut aussi utiliser cette construction pour étudier l’association d’une diode avec un autre dipôle passif comme par exemple une résistance pure.

En parallèle : on peut utiliser une construction analogue en considérant cette fois qu’il y à additivité des courants dans les deux dipôles. L’association en parallèle des deux diodes ne présente. aucun intérêt pratique car tout le courant traverse la diode dont la tension de seuil est la plus faible.

1.4 – Point de fonctionnement d’une diode

On utilise la droite de charge du générateur. L’intersection de cette droite avec la caractéristique de la diode donne le point de fonctionnement.

4

:Redressement simple alternance -- 1.5

Dans notre étude on supposera qu’on a une diode idéal ie. V0=0

.(e(t)=Vmax sin(wt
A K

I e (t) R V
R

• •

pour l’alterance (+) : (VA>0 VK=0 (la masse  VA-VK>0 => la diode conduit pour l’alternance (-): VA<0 VK=0  VA-VK<0 => la diode ne conduit pas => VS=0.

5

Etude Pratique
Manipulation °1 :
A K

I Ve R Vs
v e m ax = 6 V
f = 1 KHz , R=1kΩ

2. Le signal de sortie :
6 5

<-> ∆ t = 0 .0 2 m s

< ->

-6

∆ t = 0 .0 2 m s

3. La fonction de transfert :
Vs

4.

2 * 2 .6

2 * 3 .2

Ve

<->

0 .4

Manipulation °2 :

6

A

K

I

R Ve E
Pour E=0 :

Vs
v e m ax = 6 V
f = 1 KHz , R=1kΩ

V
2 * 2 .6

Pour

E = 0 V

Vs

2 * 2 .6

-0 .2 * 1 .2

0 .2 *1 .2

t
2 * 3 .2
2 * 0 .2

Ve

∆ t = 0 .0 2 m s

V
2 * 2 .6

Pour

E = 3 V

Vs

2 * 2 .6
-0 .2 *0 .8 0 .2 * 0 .8

t
2 * 3 .2 2 * 1.6
Ve

V

Pour

E = 6 V
2 * 2 .6

Vs

t
2 * 3 .2 2 * 3 .2

Ve

Manipulation °3 :

7

R Ve D
1

D

2

Vs

v e m ax = 6 V

E1
3.1 Le signal de sortie :

E2

f = 1 KHz , R= 1kΩ E1 = 5 V , E2 = 3 V

Vs

V
2 * 2 .8

2 * 2 .8

-0 .2 * 1 .2

0 .2 *1 .2

t

2 * 1.2

2 * 0 .2

2 * 1.2

2 * 3 .2

Ve

3.2 Charger La polarité :

V
2 * 2 .8
2 * 2 .8
-0 .2 * 1 .2 2 *1 .8

Vs

0 .2 * 1 .2

t

2 * 1.7 2 * 1.8

2 * 3 .2

Ve

Manipulation °4 :

8

D

1

Ve E
4.2 Relever le signal de sortie :

D

2

Vs R
v e m ax = 6 V
Vs

f = 1 KHz , R= 1kΩ

V
2 * 2 .6

P our E = 4 V

2 * 2 .6

t

2 * 1.8

Ve

V

Pour E = 6 V

Vs

6
6

t

6

Ve

V

P our E = 8 V

Vs

8
8

t

8

Ve

9

CONCLUSION

1 0

FIN

1 1

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