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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

TEMA 2 Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 3: Introduccin Leccin 4: El diodo de potencia Leccin 5: Los transistores de potencia Leccin 6: El rectificador controlado de silicio (SCR)

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

TEMA 2 Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: El rectificador controlado de silicio (SCR)
6.1 Construccin y encapsulado 6.2 Funcionamiento en bloqueo
6.2.1 Bloqueo directo. 6.2.2 Bloqueo inverso. 6.2.3 Caractersticas elctricas y prdidas

6.3 Funcionamiento en conduccin

6.3.1 Circuito equivalente y caractersticas elctricas 6.3.2 Clculo de prdidas

6.4 Disparo del tiristor

6.4.1 Por tensin excesiva 6.4.2 Por derivada de tensin 6.4.3 Por radiacin electromagntica 6.4.4 Por impulso de puerta. Caractersticas y tiempos de disparo. 6.4.5 Circ. de disparo. Dispositivos, transf. de impulsos y optoacoplador

6.5 Bloqueo del tiristor.

6.5.1 Formas de bloqueo: esttico y dinmico. 6.5.2 Mtodos de bloqueo: FIT y FIC

6.6 Uso de los datos de catlogo de fabricantes. 6.7 Otros Tiristores

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.1 El SCR. Introduccin. Estructura y encapsulado
Tiristores: semiconductores que se caracterizan por tener ms de 2 uniones y ms de 3 zonas con dopados distintos

SCR: Sillicon Controlled Rectifier Unidireccional

GTO: Gate Turned-Off SCR Unidireccional

DIAC Diode for Alternate Current Diodo de alterna Bidireccional

LASCR Light Activated SCR Unidireccional

MCT: MOSFET Controlled Thyristor Unidireccional

TRIAC: Triode for Alternate Current Tiristor de alterna Bidireccional

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.1 El SCR. Introduccin. Estructura y encapsulado
Estructura
PU ERTA CTO D O

uAK NODO iT A PUERTA iG G K G CTODO K

Zona de P puerta
N P

Z. de ctodo

Zona de bloqueo Zona de nodo

N O D O

Estructura de cuatro capas (PNPN) con dos estados estables (conduccin y bloqueo). Unin PN zona de ctodo-zona de puerta: UNIN CATDICA Unin PN zona de bloqueo-zona de puerta: UNIN DE CONTROL Unin PN zona de bloqueo-zona de nodo: UNIN ANDICA Bajo ciertas condiciones, podemos quitar la unin de control

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.1 El SCR. Introduccin. Estructura y encapsulado
Construccin: Fabricacin mediante DIFUSIN o crecimiento epitaxial

P (sustrato tipo N) DIFUSIN

N Capa andica Capa de bloqueo

Capa de control

Capa Catdica

P1

N1

P2

N2

P1 A

N1 P2

unin andica

N2

Electrnica de Potencia, Martnez, S., Gualda, J.A.; Ed. Thomson, 2006.

unin catdica

unin de control

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.1 El SCR. Introduccin. Estructura y encapsulado
Encapsulados DO 208 AC
nodo C o b re T u g s te n o Au - Sb C p s u la m e t lic a C ie rre a is la n te P a s tilla A lu m in io P u e rta C to d o T u g s te n o C o b re

Electrnica de Potencia, Martnez, S., Gualda, J.A.; Ed. Thomson, 2006.

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.1 El SCR. Introduccin. Estructura y encapsulado
Encapsulados

TO 209 AD B7

TO 200 AF B 20

TO 208 AC B2

(500 V 100A)

(1300 V 1800A)

(500 V 24A)

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Leccin 6: Tiristores
6.2 Bloqueo del SCR
Bloqueo directo: RL A G RG K uAK VCC G RG K A RL uAK VCC
P N P
PU ERTA

N OD O

N
CTOD O

La unin de control est polarizada inversamente. Se tiene una corriente de fugas directa.

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.2 Bloqueo del SCR
Bloqueo inverso: RL A G RG K -uAK VCC G RG K A -uAK RL VCC
P N P
PU ERTA

N O D O

N
CTO D O

La unin andica est polarizada inversamente. Se tiene una corriente de fugas inversa.

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.2 Bloqueo del SCR
Caractersticas del bloqueo directo iT

VDWM VDSM VDRM VDO

VAK

Tensin de trabajo directa (VDWM): Mxima tensin directa que puede ser soportada de forma continuada sin peligro de calentamiento por avalancha. Tensin de pico repetitivo directa (VDRM): Mxima tensin directa que puede ser soportada en picos de 1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido. Tensin de pico nico directa (VDSM): Mxima tensin directa que puede ser soportada una sola vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms. Tensin de ruptura directa (VDO): Si es alcanzada, el diodo entra en conduccin sin daarse.

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.2 Bloqueo del SCR
Caractersticas del bloqueo inverso iT VBR VRRM VRWM VDWM VDSM VDRM VDO VAK VRSM

Tensin de trabajo inversa (VRWM): Mxima tensin inv. que puede ser soportada de forma continuada sin peligro. Tensin de pico repetitivo inversa (VRRM): Mxima tensin inv. que puede ser soportada en picos de 1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido. Tensin de pico nico inversa (VRSM): Mxima tensin inv. que puede ser soportada una sola vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms. Tensin de ruptura inversa (VBR): Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.2 Bloqueo del SCR
Clculo de prdidas en bloqueo

Son muy pequeas en comparacin con las producidas en conduccin. El fabricante proporciona el valor mximo de la corriente de fugas (IFUGAS MAX). Es suficiente con acotar las mximas prdidas producidas en bloqueo, tomando IFUGAS MAX. 1 t =T 1 t =T PBLOQUEO = uAK ( t )iT ( t )dt IFUGAS MAX uAK ( t )dt T t =0 T t =0

PBLOQUEO IFUGAS MAX uAK AVG

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Leccin 6: Tiristores
6.3 Estado de conduccin del SCR
RL A G RG K iT VCC G RG K A iT RL VCC
P N P
PU ERTA

N OD O

N
CTO D O

La corriente iT circulando en el sentido indicado, hace que portadores minoritarios lleguen a la unin de control. All se aceleran y crean pares e-hueco. Estos nuevos portadores se aceleran, mantenindose el proceso.

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia iT iT

Leccin 6: Tiristores
6.3 Estado de conduccin del SCR
Caractersticas del estado de conduccin
VBR VRRM VRSM VRWM

iL

iH
VDWM VDSM VDO

VAK
VDRM

Intensidad media nominal (ITAV): Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos senoidales de 180 que el tiristor puede soportar con la cpsula mantenida a una determinada temperatura (85 C normalmente). Intensidad de pico repetitivo (ITRM): Intensidad mxima que puede ser soportada cada 20 ms por tiempo indefinido, con duracin de pico de 1ms a determinada temperatura de la cpsula. Intensidad de pico nico (ITSM): Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia iT iT

Leccin 6: Tiristores
6.3 Estado de conduccin del SCR
Caractersticas del estado de conduccin
VBR VRRM VRSM VRWM

iL

iH
VDWM VDSM VDO

VAK
VDRM

Corriente de mantenimiento (IH): Es la corriente mnima de nodo que se requiere para que el tiristor siga mantenindose en conduccin. Corriente de enclavamiento (IL): Es la corriente de nodo mnima que se requiere para que el tiristor siga mantenindose en conduccin inmediatamente despus de que el dispositivo haya entrado en conduccin y la seal de puerta haya desaparecido (pulso en la puerta de 10 ms).

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.3 Estado de conduccin del SCR
Clculo de prdidas 1 t =T PCOND = uAK CND ( t )iT ( t )dt T t =0 1 t =T PCOND = uT( TO ) ( t ) + iT ( t )RT iT ( t )dt t = 0 T

iT

uT(TO) PCOND = uT( TO )iT AVG + RT iT RMS uT(TO): iT AVG: RT: iT RMS:
2

iT

RT

Tensin umbral. Corriente directa media. Resistencia dinmica. Corriente eficaz.

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR
Control del SCR DISPARO Disparos NO deseados Por exceso de tensin Por derivada de tensin Por radiacin electromagntica Bloqueo forzado Por fuente inversa de tensin Por fuente inversa de corriente Disparos deseados Por impulso de puerta BLOQUEO

Bloqueo natural

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo no deseado
Disparo por exceso de tensin

Si la tensin soportada por la unin de control se acerca al valor de ruptura en sentido directo, la corriente de minoritarios aumenta considerablemente (proceso de avalancha). Si la corriente de fugas se eleva por encima del valor de enclavamiento el dispositivo es capaz de mantener el estado de conduccin.

N OD O

P N P
PU ERTA

N
CTOD O

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo no deseado
Disparo por derivada de tensin

N OD O

N O D O

P N P
PU ERTA

P N
N
CTO D O

P
PU ERTA

N
CTOD O

Si se produce un cambio brusco de polarizaciones entre bloqueo inverso y directo (paso por cero de la tensin), no hay tiempo para la organizacin de cargas. La tensin soportada por la unin de control ser elevada, acelerando a los portadores minoritarios. Si la corriente de minoritarios se eleva por encima del valor de enclavamiento, el dispositivo es capaz de mantener el estado de conduccin. Dato del fabricante: (du/dt)max

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Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo no deseado
Disparo por radiacin electromagntica iFUGAS
N O D O

P N P
PU ERTA

N
CTO D O

E
Menor penetracin

MAX

La accin combinada de tensin directa, temperatura y radiacin electromagntica de longitud de onda apropiada puede incrementar la corriente de minoritarios. Si la corriente de fugas se eleva por encima del valor de enclavamiento, el dispositivo es capaz de mantener el estado de conduccin.

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo por corriente de puerta
Caracterstica de puerta RL VCC
N
PU ERTA CTO D O

RL VCC iG

N OD O

P N P

RL VCC iG

iG

La caracterstica de entrada es la correspondiente al diodo entre puerta y ctodo (unin catdica).

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo por corriente de puerta
Caracterstica de puerta Hay puntos (coordenadas iG-uGK) que delimitan zonas
iG<iG1: ZONA I Zona de disparo imposible: Nunca se dispara el SCR.
iG1<iG<iG2 : ZONA II Zona de disparo improbable: No se garantiza el disparo, aunque a veces ocurre. iG1<iG<iG2 : ZONA III Zona de disparo seguro: Se garantiza el disparo.

iGMAX III iG2 II iG1

iG

PGMAX

I I uGK1 II uGK2 III uGKMAX uGK

Existen caractersticas lmite, as como valores mximos para iG, uGK y zona de potencia mxima (SOAR)

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo por corriente de puerta
Tiempos de disparo con carga resistiva iG R iT VCC iT tdis td VCC tr iL 10% iG uAK tG

td: retardo; desde que comienza el pulso de puerta hasta que iT llega al 10% del valor nominal. tr: subida; termina cuando iT=iL (enclavamiento); Desde entonces hay conduccin automantenida. tdis: disparo: es el tiempo mnimo que tiene que tener iG para disparar el SCR. (0,5 3 s)

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo por corriente de puerta
Tiempos de disparo con carga inductiva iG L iT VCC iT tdis td VCC tr iL 10% iG uAK tG

td: retardo; desde que comienza el pulso de puerta hasta que iT llega al 10% del valor nominal. tr: subida; termina cuando iT=iL (enclavamiento); Desde entonces hay conduccin automantenida. tdis: disparo: es el tiempo mnimo que tiene que tener iG para disparar el SCR. (0,5 3 s)

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo por corriente de puerta
Tiempos de disparo con carga inductiva: Trenes de pulsos tG iG L iT VCC iT tdis td VCC tr iL 10% iG uAK

td: retardo; desde que comienza el pulso de puerta hasta que iT llega al 10% del valor nominal. tr: subida; termina cuando iT=iL (enclavamiento); Desde entonces hay conduccin automantenida. tdis: disparo: es el tiempo mnimo que tiene que tener iG para disparar el SCR. (0,5 3 s)

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Circuitos de disparo
Acoplamiento directo VCC

SCR PULSOS DE CONTROL

til si el ctodo del SCR va a masa (comparte referencia con el control)

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Circuitos de disparo
Acoplamiento magntico VCC

SCR

VCC DLC PULSOS DE CONTROL

til si el ctodo del SCR NO est a masa (no comparte referencia con el control) Diodo DLC: de libre circulacin (desmagnetizacin del ncleo). Mejor con zener.

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Circuitos de disparo
Acoplamiento ptico VCC

PULSOS DE CONTROL

SCR

til si el ctodo del SCR NO est a masa (no comparte referencia con el control) Menor coste que con transformador.

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Bloqueo natural
Cuando la corriente por el SCR evoluciona (debido al circuito) de manera que pasa a ser menor que la de mantenimiento. iT CIRCUITO uAK iH

iT

iH uAK

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Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Bloqueo forzado
A veces se precisa del bloqueo aunque iT>iH. Hay un tiempo de recuperacin durante el cual el SCR NO PUEDE SOPORTAR TENSIN

iT CIRCUITO uAK iH tB

iT
tB: tiempo de bloqueo

iH uAK

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Fuente inversa de tensin
R R RAUX C i Tensiones Corrientes

u u

u i
SCR

i
VCC SCR

u i
SCRAUX

u i
SCRAUX

En permanente, SCR ON, SCRAUX OFF, y C est cargado con VCC. En t=t1, se dispara SCRAUX. La descarga del C es a travs de R, por lo que se resta corriente del SCR. Aparece sobre SCR una FIT, para que el tiristor no se vuelva a encender (tFIT<tB).

RAUX

t1

t2

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Fuente inversa de tensin
R R RAUX C i Tensiones Corrientes

u u

u i
SCR

i
VCC SCR

u i
SCRAUX

u i
SCRAUX tFIT

En permanente, SCR ON, SCRAUX OFF, y C est cargado con VCC. En t=t1, se dispara SCRAUX. La descarga del C es a travs de R, por lo que se resta corriente del SCR. Aparece sobre SCR una FIT, para que el tiristor no se vuelva a encender (tFIT<tB).

RAUX

t1

t2

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Fuente inversa de tensin
R R RAUX C i Tensiones Corrientes

u u

u i
SCR

i
VCC SCR

u i
SCRAUX

u i
SCRAUX tFIT

i t C 1,74 T PERM B uAK PERM

En permanente, SCR ON, SCRAUX OFF, y C est cargado con VCC. En t=t1, se dispara SCRAUX. La descarga del C es a travs de R, por lo que se resta corriente del SCR. Aparece sobre SCR una FIT, para que el tiristor no se vuelva a encender (tFIT<tB).

RAUX

t1

t2

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Fuente inversa de corriente
i
R R Tensiones Corrientes iT PERM tFIT uAK PERM

i
D

i u

u
SCR

i
C

VCC

u
SCR

u i

SCR AUX D t1

i t C 0,893 T PERM B uAK PERM

SCRAUX

u
En permanente, SCR ON, SCRAUX OFF, y C est cargado con uC0. En t=t1, se dispara SCRAUX. Comienza una resonancia LC que toma corriente del SCR; este se apaga. En t=t2, D deja de conducir, y el circuito evoluciona exponencialmente hasta que iSCR AUX < iSCR AUX H C uC0 L

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Fuente inversa de corriente
i
R R Tensiones Corrientes iT PERM tFIT uAK PERM

i
D

i u

u
SCR

i
C

VCC

u
SCR

u i

SCR AUX D t1

i t C 0,893 T PERM B uAK PERM

t2 t3

SCRAUX

u
En permanente, SCR ON, SCRAUX OFF, y C est cargado con uC0. En t=t1, se dispara SCRAUX. Comienza una resonancia LC que toma corriente del SCR; este se apaga. En t=t2, D deja de conducir, y el circuito evoluciona exponencialmente hasta que iSCR AUX < iSCR AUX H C uC0 L

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Fuente inversa de corriente
i
R R Tensiones Corrientes iT PERM tFIT uAK PERM

i
D

i u

u
SCR

i
C

VCC

u
SCR

u i

SCR AUX D t1

i t C 0,893 T PERM B uAK PERM

t2 t3

SCRAUX

u
En permanente, SCR ON, SCRAUX OFF, y C est cargado con uC0. En t=t1, se dispara SCRAUX. Comienza una resonancia LC que toma corriente del SCR; este se apaga. En t=t2, D deja de conducir, y el circuito evoluciona exponencialmente hasta que iSCR AUX < iSCR AUX H C uC0 L

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Fuente inversa de corriente
i
R R Tensiones Corrientes iT PERM tFIT uAK PERM

i
D

i u

u
SCR

i
C

VCC

u
SCR

u i

SCR AUX D t1

i t C 0,893 T PERM B uAK PERM

t2 t3

SCRAUX

u
En permanente, SCR ON, SCRAUX OFF, y C est cargado con uC0. En t=t1, se dispara SCRAUX. Comienza una resonancia LC que toma corriente del SCR; este se apaga. En t=t2, D deja de conducir, y el circuito evoluciona exponencialmente hasta que iSCR AUX < iSCR AUX H C uC0 L

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores

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Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
TRIAC uT1T2 iT T 1 T2 G iG
P
T1

PUERTA
N P N
T2

TRIAC: TRIode for Alternate Current

uT1T2 iT T 1 G PUERTA T2

PU ERTA

No es exacto (referencia de tensiones distinta para cada SCR)

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Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
TRIAC iT iTMAX PRIMER CUADRANTE

VO

VRM VSM VWM

iL

iH iH
VWM VSM VRM VO

VT1T2 iL

TERCER CUADRANTE iTMAX

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Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
TRIAC: Disparo
Disparo controlado Por inyeccin de corriente en puerta, tanto positiva como negativa. Primer cuadrante positivo: uT1T2 > 0, iG > 0 (fcil). Primer cuadrante negativo: uT1T2 > 0, iG < 0 (difcil). Tercer cuadrante positivo: uT1T2 < 0 , iG > 0 (muy difcil). Tercer cuadrante negativo: uT1T2 < 0, iG < 0 (fcil). Disparo no deseado -Por derivada de tensin dv/dt. -Por tensin excesiva entre A-K.

R iT uT1T2 iG VCC

TRIAC: Aplicaciones
Regulacin de alterna media - baja potencia Control de velocidad motores Control de flujo luminoso Electrodomsticos de baja potencia

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
DIAC uT1T2 iT T 1 T2
DIAC: Diode for Alternate Current Disparo por tensin (VBO)

iT

VBO

iL

iH iH iL

uT1T2
VBO

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Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
DIAC: Ejemplo de circuito auxiliar de disparo de TRIAC
RL R1

VAC

VAC
R2

iT

uC

uC

R3

iT

R1 = 0 , mxima potencia. R1 = Elevada, mnima potencia.

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Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
GTO uAK iT A iG K
GTO: Gate Turned-Off SCR

Interruptor unidireccional controlado por puerta. Entrada en conduccin: Inyeccin de corriente en puerta. Salida de conduccin: Extraccin de corriente de puerta. Soporta tensiones inversas bajas (20V). La corriente de apagado es del orden de 1/3 de la corriente que maneja el dispositivo.

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Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
LASCR: Fotoriristor uAK iT A iG K

LASCR: Light Activated SCR

Son tiristores activados por luz. Utilizados en alta tensin. Frecuencias de conmutacin de hasta 2KHz. Tensiones elevadas 6000V y 1500A.

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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
MCT
MOSFET Controlled Thyristor

Puesta en conduccin por tensin negativa en puerta. Apagado por tensin positiva en puerta. Ganancia elevada de tensin de control. Disponibles hasta 1000V y 100A. Potencias medias bajas.