DIODO DE AVALANCHA

Reyes, Carla Tello Pereira, J. Alberto

Microondas Prof.; Juan lvarez Montoya
Rivas

DIODO DE AVALANCHA
Un diodo avalancha, es un diodo semiconductor diseado especialmente para trabajar en tensin inversa. El diodo Zener est tambin diseado para trabajar en inversa, aunque el mecanismo de ruptura es diferente.

La presencia de portadores minoritarios causa una pequea fuga de corriente que permanece constante para todos los voltajes inversos hasta cierto valor. Una vez que excede este valor, se origina un repentino incremento en la corriente inversa. En la ruptura, la corriente inversa aumenta muy rpido con un ligero incremento del voltaje inverso.

Cualquier diodo puede ser sometido a un voltaje inverso hasta llegar al punto de ruptura pero no todo diodo puede disipar la potencia asociada a la ruptura sin peligro.

Hay dos distintas teoras para explicar el comportamiento de la unin PN durante la ruptura: Efecto Zener. Efecto de Avalancha.

EFECTO ZENER
Efecto de tunelizacin

RUPTURA EN AVALANCHA

APLICACIONES
Proteccin: La aplicacin tpica de estos diodos es la proteccin de circuitos electrnicos contra sobretensiones. El diodo se conecta en inversa a tierra, de modo que mientras la tensin se mantenga por debajo de la tensin de ruptura slo ser atravesado por la corriente inversa de saturacin, muy pequea, por lo que la interferencia con el resto del circuito ser mnima; a efectos prcticos, es como si el diodo no existiera. Al incrementarse la tensin del circuito por encima del valor de ruptura, el diodo comienza a conducir desviando el exceso de corriente a tierra evitando daos en los componentes del circuito.

APLICACIONES
Fuentes de ruido de RF: Los diodos avalancha generan ruido de radio frecuencia; son comnmente utilizados como fuentes de ruido en equipos de radio frecuencia. Tambin son usados como fuentes de ruido en los analizadores de antena y como generadores de ruido blanco. Generacin de frecuencias de microondas: Los diodos de avalancha pueden actuar como dispositivos de resistencia negativa cuando son colocados dentro de un circuito resonante. El diodo IMPATT es un diodo optimizado por generacin de frecuencia.

Diodo IMPATT
Qu es un diodo IMPATT?

IMPATT es un acrnimo de IMPact ionization Avalanche Transit-Time . El diodo IMPATT es un dispositivo de microondas de conductancia negativa, la cual se presenta cuando la juntura pn est en la condicin de ruptura de avalancha.

Introduccin

Cuando un diodo de juntura pn esta inversamente polarizado, no circula corriente por ste. Sin embargo, cuando el voltaje inverso excede cierto valor, la juntura se rompe y la corriente empieza a fluir con slo un pequeo incremento del voltaje. Esta ruptura es generada por la multiplicacin de avalancha de huecos y electrones en el espacio de la regin de carga de la juntura. La juntura pn en la condicin de ruptura de avalancha exhibe caractersticas de resistencia negativa en el rango de frecuencia de microondas.

Estructura del dispositivo

El dispositivo es una estructura de tipo n+-p-i-p+, el cual esencialmente consiste de dos regiones:
La regin n+-p o La regin de avalancha: (una regin con dopaje relativamente alto as como un alto campo) en el cual ocurre la multiplicacin de avalancha. La regin i o La regin de deriva: (Una regin con dopaje esencialmente intrnseco as como un campo constante) en el cual los huecos generados se derivan hacia el contacto. Deriva de h+

i)

ii)

+
E(x)

n+

i
L

p+

Principio de Operacin

El dispositivo opera en un modo de conductancia negativa, esto es, cuando la componente de corriente AC es negativa sobre una porcin de ciclo donde el voltaje AC es positivo y viceversa. La conductancia negativa ocurre debido a dos procesos los cuales hacen que la corriente se atrase con respecto al voltaje en el tiempo. Un retraso debido al proceso de avalancha Y un retraso adicional debido al tiempo de trnsito de los portadores a lo largo de la regin de deriva.

Principio de Operacin
K p+ n
Regin de ~V(t) Avalancha

i
Regin de Deriva

n+ A

I(t)

|ND-NA|

1020
1016 1012

x ideal real x

E(t) Eb n(x,t)

EAC(T/4) T=0 EAC(T/2)=0 x V(t)=VDC+vAC(t) E(t)=EDC+ EAC(t) EDCEb T=T/4 x

E(t) Eb
n(x,t) E(t) Eb

EAC(3T/4)
n(x,t) T=T/2 x EAC(T)=0 T=3T/4 x

T=T/4

E(t) Eb n(x,t)

Modelo en pequea seal

xA
+ K p n

nn+ A I(t) rAC>0 < A rAC<0 > A rAC CA=sS/xA

Regin de avalancha

Drift region

La corriente en la regin de avalancha se retrasa /2 -inductancia Frecuencia de Resosnancia

Tpicamente f=vs/2W

Clasificacin:
La estructura de estos dispositivos est basada en el perfil de dopaje. Los tres tipos de diodos IMPATT son: 1) Diodo de regin de deriva nica (SDR): Los diodos SDR (SDR por su nombre en ingls) consisten en diodos con una nica regin de avalancha y una nica zona de deriva con una estructura p+nn+. 2) Diodo de doble regin de deriva (DDR): Los diodos DDR (DDR por su nombre en ingls) tienen un a estructura p+pnn+ los cuales consisten en dos zonas de deriva, unos para electrones y otro para huecos en ambos lados de la zona de avalancha central. 3) Diodos de doble regin de avalancha (DAR): Los diodos DAR (DAR por su nombre en ingls) poseen un estructura p+nipn+, el cual consiste en una zona de deriva rodeada de dos zonas de avalancha. Los electrones y huecos de las dos junturas viajan a travs de la regin intrnseca central en direcciones opuestas llevando potencia.

Aplicaciones

Estos diodos hacen excelentes osciladores de microondas para muchas aplicaciones como:

a) Amplificadores paramtricos b) Convertidores de transmisin paramtricos (parametric up converters) c) Convertidores de recepcin paramtricos (parametric down converters) d) Amplificadores paramtricos de resistencia negativa

Resumen

Un IMPATT opera en la regin de ruptura inversa (Avalancha). Un voltaje aplicado genera una ruptura momentnea, una ver cada ciclo. Esto hace que empiece un pulso de corriente movindose a travs del dispositivo. La frecuencia depende de la densidad del dispositivo.

Resumen

Los dispositivos IMPATT pueden ser usados por osciladores y en aplicaciones con amplificadores. Ellos pueden ser fabricados con Si, GaAs, InP, SiC. Pueden ser usados hasta los 400Ghz. Son osciladores que generan ruido (noisy oscillators) En general los diodos IMPATT tienen 10dB mas de ruido que los diodos Gunn. Los IMPATT no son adecuados como osciladores locales en un receptor.

Gracias Por Su Atencin