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Enseignements E.E.A.

Electronique analogique

P r o b lè m e s e t c o r r ig é s

année 2010 par Sylvain Géronimi

Université Paul Sabatier

Electronique analogique – Problèmes et corrigés

TABLE DES PROBLEMES

Partie 1
Rappel sur la théorie des circuits
Mise en équations et théorèmes fondamentaux Réponse d’un circuit RL Corrélation entre temps de montée et fréquence de coupure d’un circuit RC Sonde passive d’oscilloscope Caractérisation d’un quadripôle Sensibilité d’un pont de Wheatstone 3-4 5-8 9-10 11-12 13-15 16-17

Polarisation d’un transistor
Dispersion des caractéristiques d’un JFET Polarisation d’un JBT par diverses topologies Stabilisation par résistance d’émetteur 18-20 21-22 23-26

Caractérisation d’un étage
Etage déphaseur à JBT Etage source commune Etage collecteur commun chargé par un miroir de courant Etage différentiel à JBT Etage différentiel à JFET 27-30 31-33 34-36 37-39 40-42

Réponse en fréquence
Réponse en fréquence d’un étage émetteur commun Réponse en fréquence d’un étage base commune Réponse en fréquence d’un étage collecteur commun Comparaison des performances des montages fondamentaux à JBT Réponse en fréquence d’un étage pseudo émetteur commun Réponse en fréquence d’un étage source commune Réponse en fréquence d’un étage pseudo-source commune Réponse en fréquence d’un montage cascode Réponse en fréquence d’un montage émetteur commun collecteur commun 43-50 51-55 56-59 60 61-64 65-70 71-74 75-78 80-86

Eléments de circuits intégrés
Miroir de courant élémentaire pour polarisation d’étage Miroir de courant élémentaire pour transfert dynamique Source de courant simple à JFET pour polarisation d’étage Source de courant à gain pour polarisation d’étage Source de Wilson pour transfert dynamique Source de Widlar en répétiteur de courant pour polarisation d’étages Multiplicateur de VBE Réalisation d’une opération arithmétique complexe (1 et 2) Conception d’un buffer Etage différentiel à charges asymétriques Etage différentiel à charges actives (partie 1) Etage de tension (partie 2) Etage différentiel cascode à charges actives (miroir) 87-88 89-90 91 92-93 94-96 97-98 99-100 101-102 103-109 110-112 113-119 120-124 125-133

Partie 2
Amplificateurs idéaux
Intégrateur de tension différentielle Convertisseurs d’impédance Amplificateur d’instrumentation amélioré Amplificateur d’instrumentation INA 114 Amplificateurs logarithmiques et exponentiels Multiplicateur / diviseur Amplificateurs à conductance de transfert Voir aussi « Le filtrage analogique » 134 135-136 137-139 140 141-142 143-144 145-148

Sylvain Géronimi

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Tables des problèmes

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

Filtrage analogique
Filtre passe-bas à deux suiveurs de tension Filtre passe-bas à contre-réaction multiple (structure de Rauch) Filtre passe-bas à source contrôlée (structure Sallen-Key) Conception d’un filtre passe-haut Butterworth d’ordre 4 Filtre passe-bande à contre-réaction multiple (structure de Rauch) à sensibilité améliorée Filtre passe-bande à INIC Filtre passe-tout (déphaseur pur) du premier ordre Filtre passe-tout (déphaseur pur) du second ordre Filtre réjecteur à deux amplificateurs de tension Filtre réjecteur à variable d’état Filtre universel 149-151 152-156 157-162 163-166 167-169 170-172 173-174 175-177 178-180 181-183 184-187

Oscillateurs sinusoïdaux
Oscillateur triphasé Oscillateur à pont RLC Oscillateur à pont RLC avec potentiomètre Oscillateur à pont de Wien Oscillateur Colpitts Oscillateur Colpitts (variante) Oscillateur Clapp VCO à JFET source commune VCO à JFET drain commun 188 189-190 191-192 193-196 197-201 202 203 204-207 208-210

Régulateurs de tension
Principe de stabilisation par diode zener Circuits de stabilisation d’une tension par référence zener Régulateur de tension 15 V / 2 A 211-213 214-221 222-223

Amplificateurs de puissance
Etage de puissance push-pull série avec sources de Widlar Etage suiveur piloté par un amplificateur de tension intégré et contre-réaction Etage de puissance push-pull série en pont 224-229 230-235 236-240

Partie 3
Quelques structures de circuits intégrés
Amplificateur de tension LM 741 simplifié Amplificateur de tension TL071 (technologie BiFet) Amplificateur Norton LM 359 et applications Amplificateur à conductance de transfert LM 13600 et application Buffer et amplificateur à conductance de transfert OPA 660 et applications Amplificateur à contre réaction de courant LT1223 et application Comparateur LM 139 PLL analogique NE 565 et applications 241-257 258-264 265-276 277-284 285-395 296-306 307-312 313-337

Annexes
Modèles de composants associés aux différents régimes (diode, JBT, JFET) Méthode de travail pour la caractérisation linéaire d’un étage différentiel symétrique Méthode de travail pour la caractérisation linéaire d’un circuit complexe Méthode de travail pour l’analyse en fréquence (approximation du pôle dominant) Transformation de schéma par application du théorème de Miller Bibliographie, symboles, notations 338-342 343-344 344-345 346-347 348-349 350

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Tables des problèmes

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

Mise en équations et théorèmes fondamentaux
Diviseur de tension
R1

VE R3

R2

VS

Exprimez la tension VS en fonction de VE , R1, R2 , R3 .

Diviseur de courant
I

I2 R1 R2 R3 V

Exprimez le courant I 2 en fonction de I, R1, R 2 , R3 .

Application du théorème de Millman
R1 10 V 10 V R2 30 R 5 V1 I

Evaluez le courant I.

Application du théorème de Thévenin et de superposition
R1 R3

I V R2

Donnez le générateur de Thévenin équivalent au dipôle.

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Rappel sur la théorie des circuits

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

Corrigé
Diviseur de tension
⎧VE = (R1 + R2 + R3 )I ⎨ ⎩VS = R 2 I

⇒ VS =

R2 VE R1 + R2 + R3

Diviseur de courant
V V V ⎧ ⎪I = R + R + R ⎪ 1 2 3 ⎨ V ⎪I = 2 ⎪ R2 ⎩
1 R2 ⇒ I2 = I 1 1 1 + + R1 R2 R3

Application du théorème de Millman
V R1 Calcul du potentiel de nœud : V1 = 1 1 1 + + R1 R2 R3

1 V1 R = V ( I = 0 .6 A ) ⇒ I= 1 1 1 R + + R1 R2 R

Application du théorème de Thévenin et de superposition

La présence des deux sources indépendantes V et I invite à utiliser le théorème de superposition pour le calcul de la tension de Thévenin VTh (tension à vide du dipôle). Ce calcul s’effectue donc en deux étapes : 1ère étape : extinction de la source de courant ( I = 0 , circuit ouvert) VTh1 = 2ème étape : extinction de la source de tension ( V = 0 , court-circuit) VTh2 =
R2 V. R1 + R2
R1 R2 I. R1 + R2

d’où la superposition VTh = VTh1 + VTh2 =

R2 R R V+ 1 2 I. R1 + R2 R1 + R2

La résistance du dipôle se calcule en éteignant les deux sources indépendantes, ce qui donne R R RTh = 1 2 + R3 . R1 + R2

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Rappel sur la théorie des circuits

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

Réponse temporelle d’un circuit RL
Soit le circuit RL avec condition initiale nulle.
R vE 100 L 100mH

Une excitation sinusoïdale d’amplitude crête VE est appliquée au circuit. Le but du problème est d’obtenir les réponses du courant i (t ) circulant dans la maille et de la tension aux bornes de l’inductance v L (t ) par les trois techniques suivantes : Réponse temporelle (variable t) 1. Ecrivez l’expression analytique du courant. 2. Ecrivez l’expression analytique de la tension. 3. Démontrez que la tension est en avance de π/2 par rapport au courant en régime permanent. Régime sinusoïdal établi (variable jω) 4. Ecrivez les expressions du module et de l’argument du courant et de la tension. 5. Comparez ces résultats à ceux obtenus précédemment en régime permanent. Transformées de Laplace (variable p) 6. Ecrivez la fonction de transfert en tension VL ( p) VE ( p) . 7. Par transformées de Laplace, donnez l’expression de la tension.

Corrigé
Réponse temporelle d ⎧ v (t ) = R i ( t ) + L i (t ) ⎪ ⎪ E dt ⎨ ⎪v (t ) = L d i (t ) L ⎪ dt ⎩

(posons τ =

L ) R

1. Expression analytique du courant Résolvons l’équation différentielle du premier ordre
c

v (t ) 1 d i (t ) + i ( t ) = E en quatre étapes : dt τ L =− t d’où i H (t ) = λ e
− t

équation homogène d 1 di dt i (t ) + i (t ) = 0 ⇒ =− dt τ τ i ⇒ Log i

λ

τ

τ

d

variation de la constante

λ ' (t ) e

t

τ

=

VE sin(ω t ) VE = ℑm e jω t L L

[ ]

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Rappel sur la théorie des circuits

Université Paul Sabatier

Electronique analogique – Problèmes et corrigés

⎡ ⎤ 1 ⎞ t ⎡ ⎛ ⎤ ⎜ + j ω ⎟t ⎢ e jω t ⎥ VE VE τ ⎝τ ⎠ ⎢ ⎥ ℑm e dt = ⇒ λ (t ) = e ℑm ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ 1 L L ⎢ ⎥ + j ω ⎣ ⎦ ⎢ ⎥ ⎣τ ⎦ ⎡ ⎤ ⎢ cos(ω t ) + j sin(ω t ) ⎥ 1 ⎡1 ⎤ car ℑm ⎢ ⎥= ⎢τ sin(ω t ) − ω cos(ω t )⎥ = sin(ω t − α ) 1 1 2 ⎦ ⎢ ⎥ + jω +ω ⎣ ⎢ ⎥ τ2 τ ⎣ ⎦

en posant cos α =

1

τ

et sin α = ω ⇒

1

τ2

+ ω 2 = 1 avec α = arctg (τ ω ) et τ = 1 + τ 2ω 2

e

solution particulière de l’équation complète
i P (t ) = λ (t ) e
− t

τ

d’où

i P (t ) =

VE R + L2ω 2
2

sin(ω t − α )

f

solution globale
i (t ) = λ e

t

τ

+ i P (t ) VE

avec i (0) = 0 ⇒ λ =
sin α e

t

VE R + L2ω 2
2

sinα

d’où i (t ) =

τ

R +L ω
2 2

2

+

VE R + L2ω 2
2

sin(ω t − α )

Le premier terme correspond au régime transitoire et le second terme au régime établi ou permanent.

2. Expression analytique de la tension
t t ⎡ ⎤ ⎡ ⎤ − 1 − v L (t ) = VE ⎢− sin α e τ + ω cos(ω t − α )⎥ = VE sin α ⎢− cos α e τ + cos(ω t − α )⎥ τ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎣ ⎦ ⎣ ⎦

3. Déphasage

π ⎛ ⎞ cos(ω t − α ) = sin⎜ ω t + − α ⎟ 2 ⎝ ⎠

ϕL − ϕI = ⎜

π ⎛π ⎞ − α ⎟ − (− α ) = + 2 2 ⎝ ⎠

Régime transitoire (VE =1 V et f = 1 kHz)
régime transitoire 1.0V

0V

-1.0V 0s 0.5ms V(E) 1.0ms 1.5ms 2.0ms Time 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms

V(L)

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Rappel sur la théorie des circuits

5ms 20.0mA 18.0ms V(E) 2 Régime sinusoïdal établi ⎧ ⎪VE = (R + jLω ) I ⎨ V = jLω I ⎪ ⎩ L ⇒ I= VE R + jLω et VL = jLω VE R + jLω 4.0ms 1 V(L) 18.0V >> -2.5ms I 19. Fonction de transfert p V ( p) H ( p) = L = VE ( p ) ωn 1+ p avec ωn = ωn R 1 = L τ Sylvain Géronimi Page 7 Rappel sur la théorie des circuits . Modules et arguments VE R +Lω Lω 2 2 2 I = et VE ϕI = ϕ E − arctg et Lω R ( VE = VE e jϕE ) Lω R VL = R 2 + L2ω 2 ϕL = ϕE + π 2 − arctg 5.0mA tension d'entrée (0°) 0V 0A tension en avance de 9° -1.0mA 1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Régime permanent 1 1.0V 2 2.0mA courant en retard de 81° -1.0ms Time 19. Comparaison du régime établi i (t ) = VE R +L ω 2 2 2 sin(ω t + ϕI ) ↔ I ℑm e j (ω t +ϕI ) Lω = τR [ ] Lω R + L2ω 2 2 v L (t ) = VE sin α sin(ω t + ϕ L ) avec sin α = ω = ↔ VL ℑm e j (ω t +ϕL ) [ ] Transformées de Laplace ⎧VE ( p ) = (R + Lp ) I ( p ) ⎨ ⎩VL ( p ) = Lp I ( p ) 6.

Sylvain Géronimi Page 8 Rappel sur la théorie des circuits . L’étude par les transformées de Laplace est la méthode la plus généraliste. 1 + τ 2ω 2 1 + τ 2ω 2 ⎡ ⎤ ⎢ 1 1 ⎥ p ω 1 + +ω 2 VL ( p ) = VE ⎢− ⎥ 2 2 2 2 1 τ p +ω p +ω ⎥ ⎛ 1⎞ ⎢ τ p + 2 ω +⎜ ⎟ ⎢ ⎥ τ ⎦ ⎝τ ⎠ ⎣ 1 ω p Tableau des transformées : → e − at . mais limitée uniquement à une excitation sinusoïdale fournissant le régime permanent (pas de transitoire). La technique du calcul complexe est aisée. pouvant fournir la réponse du circuit à une excitation quelconque.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 7. Expression de la tension aux bornes de l’inductance Tableau des transformées : sin(ω t ) → Décomposition en éléments simples : p a bp + c = + = 1 p2 + ω 2 1⎞ 2 ⎛ 2 + p ⎜p + ⎟ p +ω τ τ⎠ ⎝ b c ⎞ 2 (a + b )p 2 + ⎛ ⎜ + c ⎟ p + + aω ω p +ω 2 2 ⇒ VL ( p ) = p ω τ 2 1 2 p + p +ω VE ( ) τ ⎝τ ⎠ 1⎞ 2 ⎛ 2 ⎜p + ⎟ p +ω τ⎠ ⎝ ( ) ⇒ b=−a= τ 2ω 2 τ c = . 2 → sin(ω t ) . puisqu’elle fait apparaître des équations intégro-différentielles dont la résolution mathématique est rapidement limitée (utilisation du calcul numérique). 2 → cos(ω t ) 2 p+a p +ω p + ω2 ω Posons cos α = 1 τ et sinα = ω ⎛ 1⎞ ⇒ ω 2 + ⎜ ⎟ = 1 et cos α cos(ω t ) + sin α sin(ω t ) = cos(ω t − α ) ⎝τ ⎠ 2 t ⎡ ⎤ − d’où v L (t ) = VE sin α ⎢− cos α e τ + cos(ω t − α )⎥ ⎢ ⎥ ⎣ ⎦ La technique dans le domaine temporel est d’une grande complexité.

652. H ( jω ) = 1 1 + j ωτ avec τ = RC 2 ⇒ H dB = −20 log 1 + (ωτ ) .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrélation entre temps de montée et fréquence de coupure d’un circuit RC Soit le circuit RC avec condition initiale nulle. ϕ = − arctg (ωτ ) 1 0 2 0d -10 (159. Ecrivez l’expression du temps de montée t r défini par la différence des temps pour atteindre respectivement 90% et 10% de la valeur finale en fonction de la constante de temps du circuit.0185) -20 -50d (159.436.089) -30 filtre du premier ordre τ = 1 ms -40 -100d 1. 3.0Hz 1 DB(VC) 2 10Hz P(VC) 100Hz Frequency 1. donnez l’expression de la tension v C (t ) . Le but du problème est d’écrire la relation exprimant la corrélation entre temps de montée et fréquence de coupure du circuit.0KHz 10KHz Sylvain Géronimi Page 9 Rappel sur la théorie des circuits . Corrigé 1. Fonction de transfert A partir de l’équation dans le domaine temporel. 2. Par transformées de Laplace. 1. Ecrivez la relation entre la fréquence de coupure fh du circuit passe-bas et le temps de montée. R vE C Un échelon unité de tension d’amplitude VE est appliqué au circuit.-3.-45. on écrit v (t ) 1 d 1 1 v C (t ) + v C (t ) = E → p VC ( p ) + VC ( p ) = VE ( p) τ τ τ τ dt ⎧ ⎛ ⎞ 1 ⎪VE ( p ) = ⎜ ⎜R + C p ⎟ ⎟ I ( p) V ( p) 1 ⎪ ⎝ ⎠ = ⇒ H ( p) = C ou directement ⎨ V ( p ) 1 + τp E ⎪V ( p ) = 1 I ( p ) ⎪ C Cp ⎩ En régime sinusoïdal. Ecrivez la fonction de transfert en tension VC ( p ) VE ( p ) et tracez les courbes de réponse dans le plan de Bode (module et argument). 4.

4.2V vE(t) 0.35 fh fh étant la fréquence de coupure haute du passe-bas du 1° ordre.0ms 4. Sylvain Géronimi Page 10 Rappel sur la théorie des circuits . Réponse à l’échelon de tension VC ( p ) = VE V V = E − E 1 p (1 + τ p ) p p+ τ avec VE ( p ) = VE (échelon de tension d’amplitude VE ) p t ⎛ − v C (t ) = VE ⎜1 − e τ ⎜ ⎝ Tableau des transformées F ( p ) = 1 → f (t ) = e − α t ⋅ u(t ) .2 τ L’échelon est la combinaison de la variation de la tension la plus abrupte et de la plus lente variation possible de tension. cette relation est une approximation d’autant meilleure que la valeur de fh est faible devant celles des autres pôles (pôle dominant). Expression de t r (τ ) ⎧ ⎪v C (t1 ) = 0.0ms V ⎡d ⎤ VE = 1V .1VE ⎨ ⎪v (t ) = 0. Si le système est un passe-bas à plusieurs pôles.2 % de VE VC = 95 % de VE 0V 0s 1.2 ωh ou t r ≅ 0.632 V . τ = 1 ms .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 2.0ms 2. Expression de t r (fh ) H ( p) = 1+ 1 p avec ωh = 1 ωh τ ⇒ tr ≅ 2 . d’où p +α ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ L’application des théorèmes de la valeur initiale et de la valeur finale donne immédiatement la valeur de cette fonction à l’origine et au temps infini sans qu’il soit nécessaire de calculer vC(t) : VE pVC ( p ) = ⇒ lim pVC ( p ) = lim v C (t ) = 0 et lim pVC ( p ) = lim v C (t ) = VE p→∞ t →0 p→0 t →∞ 1+ τ p 1.8V vC(t) t = 3 ms 0. v C (τ ) ≅ 0. pente à l’origine ⎢ v C (t )⎥ = E . v C (3τ ) ≅ 0.4V t = 1 ms VC = 63.9V E ⎩ C 2 → → t1 = τ Ln 10 9 t 2 = τ Ln 10 ⇒ t r = t 2 − t1 = τ Ln 9 soit t r ≅ 2.95 V τ ⎣ dt ⎦t =0 3.0ms Temps 3.

Calculez et tracez les réponses temporelles de v 0 (t ) à un échelon de tension unité pour une capacité de sonde réglée aux valeurs CS0 ± ∆CS (on supposera que CS >> ∆CS 10 et que les bandes passantes de la sonde et de l’oscilloscope sont très larges).35 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Sonde passive d’oscilloscope Soit le schéma de principe d’une sonde passive atténuatrice. 5. Calculez l’erreur commise sur la mesure de signaux carrés dont le temps de montée serait de 5 ns et 50 ns. Donnez la condition pour que la fonction de transfert soit indépendante de la fréquence. Déterminez l’impédance d’entrée de la sonde branchée sur l’oscilloscope. sous forme d’un schéma R-C parallèle à la condition précédente. embout de sonde CS câble de mesure RS vE capacité du câble CC 100p v0 R0 1Meg CP 13p entrée de l'oscilloscope L’amplificateur vertical de l’oscilloscope est représenté par le schéma équivalent parallèle R0 . Evaluez la résistance RS pour avoir une atténuation de rapport 1/10 et déduisez la valeur de la capacité CS0 découlant de la condition. τ 0 = R0C0 et τ S = RSCS . Formulaire : t r ≅ 0. t r lu = t r2 . 1.C p aux bornes duquel existe la tension v 0 (t ) . + t r2 + t r2 signal oscillo sonde fh Corrigé Posons C0 = CC + CP = 113 pF . Ecrivez la fonction de transfert V0 ( p) VE ( p) . 4. on dispose d’un oscilloscope associé à une sonde dont les bandes passantes sont respectivement de 100 MHz et de 500 MHz. Fonction de transfert H ( p) = V0 ( p ) Z0 ( p ) = VE ( p ) Z0 ( p ) + ZS ( p ) avec Z ( p ) = R0 R ⇒ H ( p) = R0 + RS 1 + RCp 1 + τS p R0τ S + RSτ 0 1+ p R0 + RS 2. Condition pour un régime apériodique La fonction de transfert est indépendante de la fréquence si τ S = R0τ S + RSτ 0 soit τ S = τ 0 . 2. 3. + t r2 + t r2 . 1. R0 + RS Sylvain Géronimi Page 11 Rappel sur la théorie des circuits . Pour Le temps de montée lu sur l’écran d’un oscilloscope est donné par t rlu ≅ t r2 signal oscillo sonde effectuer cette mesure.

la surcompensation (∆CS > 0). Impédance d’entrée de la sonde Z E ( p ) = ZS ( p ) + Z 0 ( p ) Au réglage optimal de la sonde → ZE ( p ) = parallèle avec CE = C0 10 = 11.35 = 3.4ms Time 0.7 ns (bande passante 500 MHz) 5 10 8 ≅ t rsignal (à 1 % près) pour t r signal = 50 ns t rlu ≅ 6. Pour l’étude de circuits numériques.3 pF .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Sonde atténuatrice de rapport 1/10 → H = R0 1 = R0 + RS 10 ⇒ ⎧RS = 9R0 = 9 MΩ ⎪ ⎨ C0 = 12. 200mV surcompensation Réponse à un signal carré d’amplitude 2 Vpp 100mV vO(t) sous compensation 0V compensation optimale -100mV Réglage de la sonde à ∆Cs/Cs -200mV 0s 0.56 pF ⎪CSO = 9 ⎩ 3.35 10 8 0. Sylvain Géronimi Page 12 Rappel sur la théorie des circuits . 10 R0 RE = 1 + R0C0 p 1 + RE CE p soit RE = 10 R0 = 10 MΩ en 4. Erreur commise sur la mesure Instrumentation : t r oscillo = t rsonde = 0. soit une erreur de 1.14 ns . la sous compensation (∆CS < 0). à savoir la compensation optimale (∆CS = 0). Réponses temporelles CS = CS 0 ± ∆CS ⇒ τ S = τ 0 ± ∆τ ⎛ ⎞ ⎜ ⎟ 1 ⎜ 1 ∆τ 1 ⎟ ± d’où V0 ( p ) ≅ ⎟ 10 ⎜ p τ 0 1 +p⎟ ⎜ τ0 ⎝ ⎠ t ⎛ ∆CS − τ 0 1 ⎜ ± 1 e 10 ⎜ CS0 ⎜ ⎝ ∆τ p ⎞ 1 1 + (τ 0 ± ∆τ )p 1 ⎛ ⎜1 ± ⎟ ≅ H ( p) = ⎜ ∆τ ⎞ 10 10 ⎝ 1 + τ 0 p ⎟ ⎛ ⎠ 1 + ⎜τ 0 ± ⎟p 10 ⎠ ⎝ Transformation inverse de Laplace → v 0 (t ) ≅ ⎞ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ Trois cas de réglage de la sonde apparaissent au sein de la simulation ci-dessous.14 ns (23%) pour t rsignal = 5 ns .6ms 0. nous constatons que l’instrumentation n’est pas assez performante.2ms 0.0ms 5.8ms 1.5 ns (bande passante 100 MHz) Signal : t rlu = 0.

en présence d’une source contrôlée. Expression de la résistance d’entrée Le quadripôle. Ce type de source. Dessinez le nouveau schéma équivalent du quadripôle. constitue un dipôle dont la résistance équivalente Re est obtenue par l’application du théorème de Thévenin/Norton. c’est-à-dire d’évaluer ses résistance d’entrée et de sortie et son transfert. ce qui conduit à l’écriture d’une maille et d’un nœud. i1 i1 → v0 Re La topologie du circuit se simplifie en posant Req = R2 // Rch . La source est donc dépendante d’une autre branche et. n’a rien de commun avec une source fournissant une excitation au circuit tel que le générateur indépendant de tension symbolisé par un cercle ( v g ). ⎧v 0 = R1 i1 + Req i 2 ⎪ ⎨ ⎪ ⎩(k + 1)i1 = i 2 ⇒ v 0 = R1 i1 + Req (k + 1)i1 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Caractérisation d’un quadripôle Le but de ce problème est de caractériser un quadripôle. Déterminez la résistance d’entrée Re du quadripôle chargé par Rch . représente une modélisation de comportement correspondant à un transfert d’un courant de branche (branche contrôlante) vers une autre branche (branche contrôlée) à un coefficient constant près (k). Par définition. chargé par la résistance de charge Rch . 2. i1 Rg ve vg R1 k i1 R2 vs Rch is 1. symbolisée par un losange. de ce fait. 3. Déterminez les éléments RTh et vTh de Thévenin formant le dipôle de sortie du quadripôle non chargé par Rch . 1. Corrigé La difficulté de la mise en équations du système linéaire et de sa résolution vient de la présence de la source de courant k i1 contrôlée par le courant i1 de la branche supportant la résistance R1 . la résistance d’entrée s’écrit Re = i1 R1 v0 k i1 i2 R2 Rch v0 d’après le schéma à droite ci-dessous. d’où Re = R1 + (k + 1)(R2 // Rch ) Sylvain Géronimi Page 13 Rappel sur la théorie des circuits . puis dessinez ce schéma sous la forme modélisée d’un amplificateur de tension.

La topologie présente une maille et un nœud. La résistance du dipôle s’écrit RTh = i1 R1 Rg vg = 0 k i1 i2 R2 v0 i0 i0 v0 . soit deux équations auxquelles il faut ajouter la tension aux bornes de la résistance R 2 afin de définir vTh . Rg Re vg RTh vs vTh Rch Sylvain Géronimi Page 14 Rappel sur la théorie des circuits . Rg ) voit à ses bornes la résistance d’entrée du quadripôle et la charge voit à ses bornes le dipôle équivalent sous forme Thévenin. donc un système de trois équations à résoudre ⎧i 0 + (k + 1)i1 = i 2 ⎪ ⎨v 0 =R2 i 2 ⎪v = − R + R i g 1 1 ⎩ 0 ( ) ⇒ i0 = v0 v0 + (k + 1) R2 Rg + R1 d’où Rg + R1 1 1 k +1 = + (conductance) ou encore RTh = R2 // (résistance). Expressions des éléments de Thévenin La tension de Thévenin étant une tension à vide.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 2. i0 → RTh v0 La topologie présente deux mailles et un nœud. Schémas équivalents du quadripôle Le générateur ( v g . la source indépendante de tension v g est éteinte. mais la source de courant contrôlée par le courant i1 est présente. RTh R2 Rg + R1 k +1 3. i1 Rg R1 k i1 vg i2 R2 vth ⎧(k + 1)i1 = i 2 ⎪ ⎨v g = Rg + R1 i1 + R2 i 2 ⎪ ⎩vTh =R2 i 2 ( ) ⎧ ⎛ Rg + R1 ⎞ ⎟ ⎪v g = ⎜ ⎜ k + 1 + R2 ⎟ i 2 ⇒ ⎨ ⎝ ⎠ ⎪ = v R i 2 2 ⎩ Th d’où vTh = (k + 1)R2 vg Rg + R1 + (k + 1)R2 Le dipôle devant être passif. la résistance de charge est donc débranchée.

Rg ve vg Re Rs vs Av ve Rch Sylvain Géronimi Page 15 Rappel sur la théorie des circuits . la résistance de sortie Rs du quadripôle s’identifie à RTh .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés La modélisation du quadripôle sous la forme d’un amplificateur de tension utilise une source de tension contrôlée par la tension v e aux bornes de la branche contrôlante supportant Re . D’autre part.

1. évaluez l’erreur maximale sur la tension VM dans le cas d’une sensibilité maximale du pont. R3 . 2. R2 . Ecrivez l’expression analytique de la tension différentielle VM aux points de mesure 1 et 2 et déduisez la condition pour que cette tension soit nulle. =− = 2 E 2 R 2 E 2 R R ∂R3 ∂ (R3 + R4 ) (a + 1) 3 (R3 + R4 ) (a + 1) 4 4 R ∂VM R2 R4 R = − = 0 en posant 1 = 3 = a . 3. VE = VE . = 2 2 2 2 ∂R2 (R1 + R2 ) ∂R1 (a + 1) R2 (R1 + R2 ) (a + 1) R1 R3 R4 ∂VM ∂VM a a 1 1 V =− VE . Déterminez la sensibilité du pont et écrivez la condition sur les résistances pour que cette sensibilité soit maximale. Condition d’équilibre du pont R2 ⎧ ⎪V1 = R + R VE ⎪ 1 2 ⎨ R 4 ⎪V = VE 2 ⎪ R R4 + 3 ⎩ ⎛ R2 R4 ⎞ ⎟ ⇒ VM = ⎜ ⎜ R + R − R + R ⎟ VE 2 3 4 ⎠ ⎝ 1 La condition pour que la tension différentielle VM soit nulle est R1R 4 = R2R3 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Sensibilité d’un pont de Wheatstone Le schéma du pont de Wheatstone est le suivant. Corrigé 1. ∂VE R1 + R2 R3 + R4 R2 R 4 ⎛ dR1 dR2 dR3 dR 4 ⎞ ⎟ d’où dVM = S ⎜ ⎜ − R + R − R + R ⎟ VE 1 2 3 4 ⎠ ⎝ avec S = a (a + 1)2 Sylvain Géronimi Page 16 Rappel sur la théorie des circuits . VE ) et l’approche au premier ordre donne dVM = ∂VM ∂V ∂V ∂V ∂V dR1 + M dR2 + M dR3 + M dR4 + M dVE avec ∂R1 ∂R2 ∂R3 ∂R4 ∂VE ∂VM R2 1 a R1 ∂VM a 1 =− VE = − VE . V = VE . Sensibilité du pont La tension différentielle est fonction de cinq paramètres VM (R1. 2. R1 VE 1 R2 VM 2 R3 1Vdc R4 Le but de ce problème est de définir les conditions sur les quatre résistances afin d’obtenir une sensibilité maximale du pont. R 4 . Pour des résistances à tolérance 1%.

Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés La sensibilité devient maximale si d’où la condition R1 = R2 dS =0 da et R3 = R 4 . Ainsi. ⇒ a = 1 . il faut que le détecteur ait une sensibilité meilleure que 10 mV. ∆VM max = 10 mV R La sensibilité du détecteur de zéro doit être meilleure que l’erreur maximale. pour mesurer des résistances avec une précision de 1% à partir d’une source fournissant 1 V. Smax = 1 4 3. Erreur maximale sur la tension différentielle ∆VM = S 4 ∆R VE et pour Smax . Sylvain Géronimi Page 17 Rappel sur la théorie des circuits .

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Dispersion de caractéristiques d’un JFET
L’étude porte sur la comparaison de la dispersion, en régime continu, obtenue à partir de deux topologies de schéma (figures 1 et 2). Le constructeur donne les dispersions suivantes pour le transistor à effet de champ de type 2N4416A : dispersions maximales →

I DSS = 15 mA, VP = − 6 V
I DSS = 5 mA, VP = − 2.5 V

dispersions minimales

RD 2k J2N4416A J1 VCC 30 V RS

RG1 J2N4416A

RD 2k J1 VCC 30 V

RG2 1Meg

RS1

figure 1

figure 2

Polarisation automatique (figure 1) La polarisation du transistor est obtenue automatiquement par la tension continue produite aux bornes de la résistance de source. Le transistor à dispersion maximale est d’abord monté dans ce circuit, puis remplacé par le transistor à dispersion minimale. 1. Calculez la résistance de source RS pour avoir le point de fonctionnement VGSo = − 2 V dans le cas de dispersion maximale. 2. Evaluez la dispersion sur I Do , VDSo , VGSo .
Polarisation mixte (figure 2) Une autre façon de polariser le transistor est employée, mettant en oeuvre la polarisation automatique utilisée précédemment associée à un pont de grille. Dans le cas où la résistance RG1 est de valeur infinie, le montage redevient à polarisation automatique. Les démarches analytiques restent identiques, si ce n’est d’introduire la nouvelle valeur de la résistance de source. 3. En prenant la résistance de source RS1 = 3 RS , calculez la résistance de pont de grille RG1 pour avoir le point de fonctionnement VGSo = − 2 V dans le cas de dispersion maximale. 4. Evaluez la dispersion sur I Do , VDSo , VGSo . Comparaison des deux topologies 5. Concluez sur le choix de la topologie du circuit.

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Polarisation d’un transistor

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Corrigé
Polarisation automatique 1. Evaluation de la résistance RS
+VCC
RD ID IG=0 VDS VGS RS

⎧ ⎛ V ⎪I D = I DSS ⎜1 − GS ⎜ VP ⎨ ⎝ ⎪ ( ) ≅ I I D ⎩ S

⎞ ⎟ ⎟ ⎠

2

(transistor)

⎧VCC ≅ (RD + RS )I D + VDS ⎨ ⎩VGS ≅ − RS I D

(circuit)

système de 3 équations à 3 inconnues ( I D , VDS , RS )
⎛ VGSo = I DSS ⎜ ⎜1 − V P ⎝ − VGSo ⎞ ⎟ ≅ 6.67 mA , RS ≅ ≅ 300 Ω , VDSo ≅ VCC − (RD + RS )I Do ≅ 14.7 V ⎟ I Do ⎠
2

I Do

2. Evaluation des dispersions Le transistor à dispersion minimale est monté en place du transistor précédent. Les équations du système à résoudre demeurent inchangées, mais les inconnues sont maintenant I D , VGS , VDS , ce qui conduit à la résolution d’une équation du second degré.
⎛ 1 2 ⎞ ⎟VGS + 1 = 0 ⇒ VGS ≅ − 0.74 V telle que VP < VGS < 0 (JFET canal N) +⎜ − ⎜I ⎟ o 0 ⎝ DSS RS VP ⎠ − VGSo et I Do = ≅ 2.48 mA , VDSo = VCC − (RD + RS )I Do ≅ 24.3 V RS
2 VGS 2 VP

Les dispersions extrêmes donnent des écarts de position du point de repos dans le plan de sortie ∆ I D ≅ 4.2 mA , ∆VDS ≅ 9.6 V pour cette structure de circuit.

Polarisation mixte 3. Evaluation de la résistance de pont de grille RG1 Une maille d’entrée unique apparaît après application du théorème de Thévenin.
+VCC
RD ID RG IG=0 VGS VG RS1 VDS

⎛ VGS I D = I DSS ⎜ ⎜1 − V P ⎝

⎞ ⎟ ⎟ ⎠

2

(transistor)

⎧ ⎪VCC ≅ RD + RS1 I D + VDS ⎨ ⎪ ⎩VGS ≅ VG − RS1 I D avec VG = RG2 RG1 + RG2

(

)

(circuit)

VCC , RG = RG1 // RG2

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Polarisation d’un transistor

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

I Do ≅ 6.67 mA , VG ≅ 4 V , RG1 ≅ 6.5 MΩ , VDSo ≅ 10.7 V

4. Evaluation des dispersions Le transistor à dispersion minimale est monté en place du transistor précédent.
2 VGS 2 VP

⎛ 1 2 ⎞ ⎟V + 1 − VG +⎜ − = 0 ⇒ VGSo ≅ − 0.11V , I Do ≅ 4.57 mA , VDSo ≅ 16.7 V ⎜ I DSS RS VP ⎟ GS I DSS RS1 1 ⎝ ⎠

Les dispersions extrêmes donnent des écarts de position du point de repos dans le plan de sortie ∆ I D ≅ 2.1 mA , ∆VDS ≅ 6 V pour cette structure de circuit.

5. Conclusion La polarisation mixte diminue le phénomène de dispersion. En effet dans le plan de sortie, les plages des coordonnées du point de repos sont réduites de ∆I D = 4.2 mA → 2.1 mA et ∆VDS = 9.6 V → 6 V .

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Polarisation d’un transistor bipolaire
L’étude porte sur diverses topologies permettant de polariser un transistor bipolaire avec un courant de collecteur donné et se placer sensiblement au milieu de la droite de charge statique dans les caractéristiques de sortie. Le transistor est de type 2N1711 ( β typique = 150 ).

RB

RC VCC 20 V Q1

RB

RC VCC 20 V Q1

figure 1

figure 2

RB

RC VCC Q1 20 V

RB1 100k

RC VCC Q1 20 V

RE 180

RB2

RE 180

figure 3

figure 4

Déterminez les résistances au sein des topologies suivantes, pour un courant ICo = 10 mA et en prenant VBEo ≅ 0.6 V . 1. 2. 3. 4. Polarisation simple (figure 1). Polarisation par résistance entre collecteur et base (figure 2). Polarisation avec résistance d’émetteur (figure 3). Polarisation avec résistance d’émetteur et pont de base (figure 4).

Corrigé
Le point de repos étant placé sensiblement au milieu de la droite de charge statique dans les caractéristiques de sortie, la tension VCEo ≅ VCC 2 = 10 V 1. Polarisation simple
+VCC

RB IC IB

RC

⎧VCC = RC IC + VCE ⎪ ⎨VCC = RB I B + VBE ⎪I = β I B ⎩C

VCE VBE

⇒ RC =

VCC − VCEo IC o

= 1 kΩ , RB =

VCC − VBEo IC o

β = 291 kΩ

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Polarisation d’un transistor

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

2. Polarisation par résistance entre collecteur et base
+VCC
RC RB IC IB VCE VBE

⎧VCC = RC (IC + I B ) + VCE ⎪ ⎨VCE − VBE = RB I B ⎪I = β I B ⎩C

⇒ RC =

VCC − VCEo IC o

β β +1

≅ 1 kΩ , R B =

VCEo − VBEo IC o

β = 141 kΩ

3. Polarisation avec résistance d’émetteur
+VCC

RB IC IB

RC

⎧VCC = VCE + RC IC + RE I E ⎪ VCC − VCEo ⎪VCC = RB I B + VBE + RE I E ⇒ RC ≅ − RE = 820 Ω , ⎨ IC o ⎪I E = I B + IC ⎪I = β I B ⎩C

VCE VBE RE

⎞ ⎛ VCC − VBEo RB ≅ ⎜ − RE ⎟ β ≅ 264 kΩ ⎟ ⎜ IC o ⎠ ⎝

4. Polarisation avec résistance d’émetteur et pont de base
+VCC

⎧VB = RB I B + VBE + RE I E ⎨ ⎩VCC = RC IC + VCE + RE I E RC ≅ VCC − VCEo IC o

VB =

RB2 RB1 + RB2

VCC , RB = RB1 // RB2

RB1 IC VB IB

RC

VCE VBE

− RE = 820 Ω , RB ≅

VBEo + RE ICo VCC ICo − β RB1

≅ 18 kΩ ,

RB2

RE

RB2 ≅ 22 kΩ

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

Stabilité du point de repos par résistance d’émetteur
L’étude porte sur le comportement du montage de la figure ci-dessous en fonction de la température.

RB1 100k

RC 1.5k VCC Q1 20 V

RB2

RE 470

Le transistor, de type 2N1711 ( β typique = 150 ), possède les caractéristiques constructeur

Ptot (TA ≤ 25 °C )max = 0.8 W , TJmax = 200 °C , RthJA = 220 °C /W , RthJB = 58 °C /W

Etude du régime continu 1. En supposant IB << IC et VBE << VCE , écrivez que la puissance Pd dissipée dans le transistor, satisfait à la condition dPd dIC = 0 et déduisez le point de repos correspondant et la valeur de la résistance RB 2 nécessaire pour polariser correctement le transistor ( VBE0 ≅ 0.6 V ). 2. En prenant comme valeur de température ambiante TA = 25 °C , calculez la température TJ de la jonction. Stabilité en température 3. Dans le cas général, écrivez IC = [β (T ),VBE (T ),ICBO (T )] . 4. Déduisez les facteurs de stabilité SI = ∂IC ∂ICBO , SV = ∂IC ∂VBE , S β = ∂IC ∂β . 5. Evaluez dans le cas du montage dIC dT et dVCE dT sachant que, pour le silicium, le fabricant indique dVBE dT ≅ − 2.5 mV / °C , dβ (β dT ) ≅ 0.5 % / °C , dICBO (ICBO dT ) ≅ 11 % / °C et ICBO = 1 nA à 25 °C .

Corrigé
Etude du régime continu 1. Expression de la puissance dissipée
+VCC

RB1 IC VB IB

RC

VCE VBE

RB2

RE

⎧VB = RB I B + VBE + RE I E ⎪ ⎪VCC = RC IC + VCE + RE I E ⎨ ⎪I E = I B + IC ⎪IC = α I E + ICBO ⎩ RB2 VCC , RB = RB1 // RB2 avec VB = RB1 + RB2

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et ICBO courant de fuite de la jonction base-collecteur polarisée en inverse (dérive thermique).

Les deux jonctions présentées par le transistor produisent une résistance au passage des courants, d’où une puissance dissipée en chaleur. La traversée du courant IC à travers la jonction base-collecteur, aux bornes de laquelle existe la tension VCB , produit une dissipation de puissance égale à VCB IC . De la même façon, la puissance dissipée dans la jonction baseémetteur vaut VBE I E . La puissance dissipée dans le transistor s’écrit
Pd = VBE I E + VCB IC = VBE I B + (VCB + VBE )IC = VBE I B + VCE IC ≅ VCE IC car IB << IC et VBE << VCE .

La puissance transformée en chaleur dans le transistor est presque intégralement dissipée par la jonction base-collecteur dont le courant de fuite ICBO varie en fonction de la température. En considérant que I E ≅ IC ( β >> 1 ) dans l’équation de la maille de sortie,
Pd ≅ IC [VCC − (RC + RE )IC ] d’où dPd = 0 ⇒ VCC = 2 (RC + RE )IC dIC

cinquième équation du système linéaire dont les cinq inconnues sont I B , IC , I E , VCE , RB2 . La puissance dissipée passe par un maximum au point de repos (fonction parabolique) VCC V IC o ≅ ≅ 5 mA et VCEo ≅ VCC − (RC + RE ) ICo = CC = 10 V . 2 (RC + RE ) 2 Ces expressions, respectivement ordonnée et abscisse du point de repos dans le plan de sortie du transistor, montrent une polarisation en classe A (au milieu de la droite de charge statique). En ce point, il y a le meilleur effet de stabilisation possible du courant collecteur en fonction de la température. En effet, à une variation de IC correspond une variation minimale de Pd (sommet de la parabole). Il paraît donc souhaitable de polariser le transistor au milieu de la droite de charge à condition, bien sur, de pouvoir dissiper la puissance maximale 2 VCC Pdmax = ≅ 50 mW (<< 800 mW). 4 (RC + RE ) En considérant I E ≅ IC , la maille d’entrée s’écrit
VBE o + RE ICo I RB VCC ≅ RB C + VBE + RE IC ⇒ RB ≅ ≅ 18 kΩ et RB2 ≅ 22 kΩ . RB1 β VCC ICo − RB1 β

2. Calcul de la température TJ La puissance maximale que peut dissiper un transistor, pour une température ambiante déterminée, est une constante qui dépend des dimensions géométriques du transistor
Pd = TJ − TA RthJA

(approche linéaire)

avec TJ température de la jonction ( TJmax = 200 °C ), TA température ambiante ( TA = 25 °C ),
RthJA résistance thermique jonction-ambiant ( RthJA = 220 °C /W ).

A remarquer que la formule satisfait les données constructeur Ptotmax = La température de la jonction vaut TJ = T A + RthJA Pd = 36 °C .

TJmax − TA RthJA

≅ 0 .8 W .

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Polarisation d’un transistor

d’où ∆ IC = SI ∆ ICBO + SV ∆VBE + S β ∆ β . La somme des résistances thermiques serait alors de valeur plus faible que la résistance thermique RthJA du transistor seul. soit TB = TJ − RthJB Pd ≅ 33 °C . β (T ) . = = SI = ⎢ C ⎥ = =− ⎢ ⎥ V dICBO RB + (β + 1)RE dVBE RB + (β + 1)RE CBO = cte BE = cte ⎣ ∂VBE ⎦ Iβ ⎣ ∂ICBO ⎦V =cte β =cte ⎡ ∂I ⎤ dI (RB + RE ) ICo − ICBO ≅ SI I Sβ = ⎢ C ⎥ = C = C ICBO = cte β β (β + 1) o dβ RB + (β + 1)RE ⎣ ∂β ⎦V = cte BE Ces trois facteurs de stabilité du montage doivent simultanément avoir des valeurs les plus faibles possibles. Expression de IC (β . L’utilisation d’un radiateur permettrait d’augmenter le pouvoir de dissipation du transistor. Pd = TJ − TA + RthBR + RthRA RthJB avec RthBR résistance thermique boîtier-radiateur. RthRA résistance thermique radiateur-ambiant. Pour des variations suffisamment faibles des variables fonctions de la température. Ils sont définis comme le rapport d’une variation ∆ IC du courant collecteur due à une variation de température. S = ⎡ ∂IC ⎤ dIC dIC β . les autres variations étant nulles. premier ordre est utilisée dIC = ∂ICBO ∂VBE ∂β Il faut souligner que cette approche mathématique par les dérivées partielles est une approche linéaire de phénomènes fortement non linéaires. on se contentera de rendre possible l’inégalité suivante RB << (β + 1)RE où RB représente le pont de base et (β + 1)RE l’impédance ramenée à l’entrée par la contre-réaction. Sylvain Géronimi Page 25 Polarisation d’un transistor .VBE . Les facteurs s’écrivent alors : ⎡ ∂I ⎤ (β + 1)(RB + RE ) . la relation au ∂IC ∂I ∂I dICBO + C dVBE + C dβ .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Il est possible d’avoir une approche de la température du boîtier TB en considérant la résistance thermique jonction-boîtier ( RthJB = 58 °C /W ). Les trois expressions ayant même dénominateur. à la variation correspondante d’une des fonctions suivantes ICBO (T ) . ICBO ) ⎧VB = RB I B + VBE + RE I E ⎧VB = (RB + RE )I E + VBE − RB IC ⎪ β ⎪ ⎪ ⇒ ⎨ I E + ICBO β ⎨IC = β +1 ⎪ ⎪IC = β + 1 I E + ICBO ⎩ ⎪ ⎩I E = I B + IC ⇒ IC = (RE + RB )(β + 1)ICBO + β (VB − VBE ) RB + (β + 1)RE Le courant collecteur est fonction d’un ensemble de variables physiques dépendantes de la température 4. Calcul des facteurs de stabilité Ces facteurs sont les mesures de la stabilité de la polarisation du transistor. Stabilité en température 3. VBE (T ) .

SV = − β .4 µA ⎪ ⎪ dT d’où ⎨ ⎪ dVCE ≅ − (R + R ) dIC ≅ − 19 mV / °C C E ⎪ dT ⎩ dT L’application numérique montre que l’influence du courant de fuite ICBO est négligeable à une température raisonnable et que les variations sur VBE et β jouent un rôle fondamental.45 10 −9 + 4.24 10 − 6 + 5.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Deux cas extrêmes peuvent être envisagés : montage base commune RB = 0 ⇒ SI = 1 . la présence d’une résistance d’émetteur diminue la fluctuation du point de repos dans le plan de sortie IC (VCE ) du transistor. Dérive du point de repos Ces facteurs de stabilité permettent de calculer les variations du point de polarisation quand la température varie. la dérive aurait été cinq fois plus importante. En conclusion. montage émetteur commun RE = 0 ⇒ SI = β + 1 . Sβ ≅ IC o 5. Sylvain Géronimi Page 26 Polarisation d’un transistor . Sans résistance d’émetteur. Sβ ≅ 2 RE β β RB Le pire cas correspond au montage émetteur commun qui est le plus souvent employé. dICBO dICBO dVBE dVBE dβ dβ ⎧ dIC + SV + Sβ β ⎪ dT = SI dT + SV dT + S β dT = SI ICBO I dT β dT ⎪ CBO dT ⎨ dI dV ⎪ CE ≅ − (R + R ) C C E ⎪ dT ⎩ dT ⎧ dIC ≅ 3.16 10 − 6 ≅ 9. SV ≅ − I Co 1 .

Calculez la valeur de la résistance RB nécessaire pour que la tension VCE 0 soit de 10 V ( VBE0 ≅ 0. Calculez les résistances de sortie Z s1 et Z s2 correspondant respectivement aux signaux de sortie v s1 et v s2 . Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences moyennes 2. 4. Le transistor est de type 2N1711 ( β typique = 150 ). Dessinez le schéma et évaluez le paramètre rbe du modèle du transistor ( rce = ∞ ).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etage déphaseur L’étude porte sur la caractérisation du circuit de la figure ci-dessous. RB rg 50 vG RE 1k CG RC 1k VCC Q1 vS1 vS2 20 V Etude du régime continu 1. 5. Sylvain Géronimi Page 27 Caractérisation d’un amplificateur linéaire .6 V ). Le composant CG est un condensateur de liaison. 6. Concluez sur la dénomination du montage. Calculez la résistance d’entrée Z e du montage. 3. Calculez les gains en tension A v1 = v s1 v g et A v 2 = v s2 v g .

IC . le système s’écrit : ⎧v g ≅ rg + rbe + (β + 1)RE i ⎪ ⎪ ⎨v s1 = − β RC i ⎪ ⎪ ⎩v s2 = (β + 1)RE i vs vs (β + 1)RE β RC ⇒ A v1 = 1 ≅ − et A v 2 = 2 ≅ vg rg + rbe + (β + 1)RE vg rg + rbe + (β + 1)RE [ ] soit A v1 ≅ − RC ≅ − 1 et A v 2 ≅ + 1 . Calcul des gains en tension En constatant que rg << RB dans l’application du théorème de Thévenin. Evaluation de la résistance RB +VCC RB IC IB VBE RE Q1 VCE RC ⎧VCC = RB I B + VBE + RE I E ⎪ ⎪VCC = RC IC + VCE + RE I E ⎨ ⎪I E = I B + IC ⎪I = β I B ⎩C système de 4 équations à 4 inconnues ( I B . RB ) En considérant I E ≅ IC ( β >> 1 ). RE Sylvain Géronimi Page 28 Caractérisation d’un amplificateur linéaire . le condensateur de liaison est équivalent à un court-circuit. I E . RB ) IC ⎧ VCC − VBE o − RE ICo VCC − VCEo + VBE + RE IC ⎪VCC ≅ RB β ⇒ IC o ≅ β = 432 kΩ = 5 mA et RB ≅ ⎨ RC + RE IC o ⎪V ≅ (R + R )I + V C E C CE ⎩ CC Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences moyennes 2. rg RB vg i rbe βi RC vs1 rbe ≅ UT β = 750 Ω IC o rce = ∞ RE vs2 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Etude du régime continu 1. le système se réduit à 2 équations à 2 inconnues ( IC . car (β + 1)RE >> rg + rbe . Schéma et évaluation du paramètre rbe Aux fréquences moyennes.

i0 i rbe RE rg RB RC v0 βi i1 Sylvain Géronimi Page 29 Caractérisation d’un amplificateur linéaire . de ce fait. De plus. i0 i1 v0 i RB RE rbe βi RC v0 i0 ze ⎧i 0 = i1 + i v v0 ⎪ ⇒ i0 = 0 + ⎨v 0 = RB i1 ( R r + β + 1)RB B be ⎪v = r i + (β + 1)R i be B ⎩ 0 d’où Z e = v0 = RB // [rbe + (β + 1)RE ] ≅ 112 kΩ i0 Remarquons ici que la topologie du circuit présente des branches en parallèle. cela se vérifie par la présence de la résistance RB en parallèle sur la résistance du transistor vue de sa base. ne doit pas figurer dans l’expression de Z s2 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 4. Les courants dynamiques existant dans le dipôle sont générés par le courant d’excitation entrant i 0 . le courant d’excitation i 0 ne peut traverser la branche de résistance infinie que représente la source liée. RC est en série avec la résistance infinie de la source liée et. Calcul de la résistance d’entrée Le dipôle représenté est équivalent à une résistance par application du théorème de Thévenin. issu de la source de tension v 0 . ce qui conduit à écrire l’expression de la conductance du dipôle et non de sa résistance (topologie série). 5. La source indépendante v g étant éteinte dans le dipôle. Trouver RE en parallèle aux autres branches apparaît évident. La résistance du dipôle est donc Z s1 = RC . Calcul des résistances de sortie Pour le calcul de la résistance vue entre collecteur et masse. la topologie du circuit présente une mise en parallèle des branches. A la vue du schéma. i0 i=0 rbe βi=0 RE RG RB RC v0 Pour le calcul de la résistance vue entre l’émetteur et la masse. le courant d’excitation entrant i 0 peut atteindre la branche qui supporte rbe et la fraction de courant i commande la source β i . Le circuit en amont ne peut être excité et i = 0 ⇒ β i = 0 .

Conclusion Les dipôles équivalents du montage sous forme Thévenin sont. d’autre part en sortie émetteur.3 vs2 émetteur ze 112k avec v e = Ze v g ≅ v g car Ze >> rg Z e + rg ⇒ v s1 = A v 1v g ≅ A v 1v e ≅ − v e et v s2 = A v 2 v g ≅ A v 2 v e ≅ + v e Sylvain Géronimi Page 30 Caractérisation d’un amplificateur linéaire .3 Ω + ⎨v 0 = RE i1 v 0 RE rbe + rg // RB β +1 ⎪v = − r + r // R i be g B ⎩ 0 ( ) 6. d’une part en sortie collecteur.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés ⎧i 0 = i1 − (β + 1)i rbe + rg // RB i ⎪ β +1 1 ⇒ 0 = d’où Z s2 = RE // ≅ 5 . une source de tension indépendante d’amplitude v g et de phase opposée à celle de l’entrée en série avec une résistance Z s1 = 1 kΩ (pseudo-émetteur commun) et. collecteur rg 50 ve vg A v1 ve Zs1 1k Ze 112k vs1 vg A v2 ve rg 50 ve zs2 5. Le montage déphaseur de tension propose deux dipôles pour attaquer un éventuel montage suivant. collecteur émetteur Zs1 vs1 Zs2 vs2 vg vg L’amplificateur de tension peut être représenté sous la forme d’un quadripôle faisant apparaître un modèle utilisant une source contrôlée de tension.3 Ω (émetteur suiveur). une source de tension indépendante d’amplitude v g et de même phase que celle de l’entrée en série avec une résistance Z s2 ≅ 5. associée à une branche contrôlante supportant la résistance d’entrée (voir cours « La caractérisation d’un amplificateur linéaire ».

Corrigé Etude du régime continu 1. Le transistor à effet de champ possède les caractéristiques I DSS = 15 mA. VDS . les condensateurs de liaison sont équivalents à des circuits ouverts 1 = ∞ ). Calculez la résistance d’entrée Z e vue par le dipôle d’attaque ( v g . 6. ( Cω +VCC RD ID IG=0 VGS R RS VDS ⎧VCC ≅ (RD + RS )I D + VDS ⎪ 2 ⎪ ⎛ VGS ⎞ ⎜ ⎟ I I 1 = − ⎨D DSS ⎜ VP ⎟ ⎝ ⎠ ⎪ ⎪V ≅ − R I S D ⎩ GS système de 3 équations à 3 inconnues ( I D . rg ). 4.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etage source commune L’étude porte sur la caractérisation du circuit de la figure ci-dessous sous la forme d’un dipôle et d’un quadripôle. Z s ) du montage attaquant la charge Rch . attaqué par le dipôle d’attaque et chargé par Rch . La résistance Rch représente la charge extérieure de l’étage. RD 2k rg 50 vG R 100k RS 300 CG J1 CL VCC Rch 8k CS 30 V Etude du régime continu 1. VP = −6 V . Evaluez le transfert en tension v s v g . Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences moyennes 2. VGS ) Sylvain Géronimi Page 31 Caractérisation d’un amplificateur linéaire . 5. Déterminez les points de fonctionnement du transistor. 3. Dessinez le schéma et évaluez le paramètre g m du modèle du transistor ( rds = ∞ ). Ecrivez les expressions des éléments du dipôle de Thévenin ( v s0 . Les condensateurs ont une fonction de liaison (couplage). Calcul des points de fonctionnement En continu ( ω = 0 ). Identifiez les éléments du quadripôle représentatif de l’amplificateur de tension.

VDS ≅ 14. issu de la source de tension v 0 extérieure appliquée au dipôle. le courant d’excitation i 0 du dipôle se dirige entièrement dans la résistance R.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 2 VGS 2 VP ⎛ 1 2 ⎞ ⎟VGS + 1 = 0 ⇒ VGS ≅ − 2 V et I D ≅ 6. R ⎧ R ⎪v gs = R + r v g vg ⇒ v s0 = − g m RD g ⎨ R + rg ⎪v = − g v R m gs D ⎩ s0 RD vs vs0 Rch La tension de sortie en charge est vs = Rch R v s0 = − g m (RD // Rch ) vg Rch + RD R + rg Sylvain Géronimi Page 32 Caractérisation d’un amplificateur linéaire . Calcul de la résistance d’entrée vue par l’attaque i0 G R v0 Le dipôle contient tout le circuit (y compris la charge). est l’unique courant d’excitation du circuit puisque v g = 0 (source éteinte). ZS = RD = 2 kΩ La tension à vide.67 mA . appelée v s0 . se calcule en déconnectant la charge. Dipôle de Thévenin Calcul de Z s vue par la charge Rch i0 vgs = 0 R vg = 0 gm vgs =0 RD v0 rg Le courant i 0 .7 V . Z e = R = 100 kΩ 4. 2 VP (canal N) rg R vg vgs gm vgs RD vs gm = − Rch I DSS I Do ≅ 3. +⎜ − ⎜I ⎟ o o o R V P ⎠ ⎝ DSS S Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences moyennes 2. La résistance d’entrée vue de la grille du JFET étant de valeur énorme (jonction en inverse).33 mA / V 3. Schéma et évaluation du paramètre g m Aux fréquences moyennes. les condensateurs de liaison sont équivalents à des courts-circuits. Il n’y a donc aucune possibilité d’atteindre la partie amont du circuit et v gs = 0 .

évidemment). rg ve vg A v ve R RD vs Rch La branche d’entrée s’identifie à Z e = R .33 Rch + RD R + rg vg (même expression que pour le dipôle. Sylvain Géronimi Page 33 Caractérisation d’un amplificateur linéaire . Le transfert en tension A v est le coefficient de proportionnalité de la variable de commande v e tel que Av v e = Av R v g = v s0 ⇒ A v = − g m R D R + rg 6.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 5. Le dipôle de sortie s’identifie au dipôle de Thévenin attaquant la charge dont les éléments sont ZS = RD et A v v e . Quadripôle représentatif de l’amplificateur de tension L’amplificateur de tension peut être représenté sous la forme d’un quadripôle faisant apparaître un modèle utilisant une source contrôlée de tension. Evaluation du transfert en tension L’expression analytique de la tension de sortie en charge est : Rch v R vs = A v v e = − g m (RD // Rch ) v g ⇒ s ≅ − 5. associée à une branche contrôlante supportant la résistance d’entrée (voir cours « La caractérisation d’un amplificateur linéaire ».

Sylvain Géronimi Page 34 Caractérisation d’un amplificateur linéaire . Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences moyennes 2.6 V . ainsi que la résistance RB pour avoir VCE2 = 0. rce = 100 kΩ . VBE0 = 0. Evaluez la capacité de liaison afin d’obtenir une fréquence de coupure de l’ordre du hertz. Calculez le transfert en tension A V = v s v e . Dessinez le schéma et évaluez le paramètre rbe du modèle du transistor Q1 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etage collecteur commun chargé par un miroir de courant L’étude porte sur la caractérisation du circuit de la figure ci-dessous (résistance d’entrée. 3. résistance de sortie. transfert en tension. Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences basses 4. la résistance d’entrée Z e et la résistance de sortie Zs . RB C R VCC 10 V Q2 vs Q3 Q1 ve Etude du régime continu 1. Les transistors sont tous identiques tels que β = 100 ( β >> 1).6 V . Evaluez la résistance R pour que la source de courant produise I E1 = 1 mA . Le composant C est un condensateur de liaison. fréquence de coupure basse).

Q3 et R constituent un miroir élémentaire qui reconduit le courant I R en sortie de Q2 . le condensateur de liaison est équivalent à un court-circuit. Caractérisation de l’étage Calcul du gain en tension ⎧ ⎪v e ≅ rbe1 + (β + 1)req i ⎨ ⎪ ⎩v s = (β + 1)req i [ ] ⇒ Av = (β + 1)req vs = ≅ 1. 2 req = rce1 // rce2 = 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Etude du régime continu RB IR Q1 IB1 IE1 R VCC Q2 Q3 1. v e rbe1 + (β + 1)req Sylvain Géronimi Page 35 Caractérisation d’un amplificateur linéaire .5 kΩ IC1 rce = 50 kΩ . Evaluation des résistances Les composants Q2 . ie rbe1 RB ve βi req vs i rbe1 ≅ UT β = 2 . Schéma et évaluation du paramètre du modèle Aux fréquences moyennes.4 k Ω Evaluation de la résistance RB ⎧ ⎪VCC = RB I B1 + VBE1 + VCE2 ⎨ ⎪ ⎩I E1 ≅ IC1 = β I B1 ( β >> 1) ⇒ RB ≅ VCC − VBEo − VCE2 I E1 β = 880 kΩ Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences moyennes 2. ⎧ ⎪VCC = R I R + VBE3 ⎨ ⎪ ⎩I R ≅ I E1 ⇒ R≅ VCC − VBEo I E1 = 9 .

Calcul de la capacité Constatons que le montage représente une simple résistance s’identifiant à la résistance d’entrée. ⎨v 0 = req i1 v 0 req rbe1 β +1 β ⎪ ⎪v 0 = − rbe1 i ⎩ Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences basses 4. C ve Ze fb = 1 ⇒ C ≅ 212 nF avec fb = 1 Hz . Les courants dynamiques existant dans le dipôle sont générés par le courant d’excitation entrant i 0 . le courant d’excitation entrant i 0 peut atteindre la branche qui supporte rbe1 et la fraction de courant i commande la source β i . issu de la source de tension v 0 . 2π Z e C Sylvain Géronimi Page 36 Caractérisation d’un amplificateur linéaire . i0 i1 RB v0 rbe1 βi req i i0 v0 ze ⎧i 0 = i1 + i ⎪ v v0 ⇒ i0 = 0 + ⎨v 0 = RB i1 ( R r + β + 1)req B be1 ⎪v = r i + (β + 1)r i be1 eq ⎩ 0 d’où Z e = v0 = RB // rbe + (β + 1)req ≅ 750 kΩ i0 [ ] Calcul de la résistance de sortie i rbe1 ve = 0 RB βi i1 req v0 i0 La source indépendante v e étant éteinte dans le dipôle.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Calcul de la résistance d’entrée Le dipôle représenté est équivalent à une résistance par application du théorème de Thévenin. ⎧i 0 = i1 − (β + 1)i ⎪ rbe1 rbe i 1 β +1 ⎪ ⇒ 0 = + d’où Z s = req // ≅ 1 = 25 Ω .

La résistance RE est remplacée par un miroir de courant élémentaire Q3 . Sylvain Géronimi Page 37 Caractérisation d’un amplificateur linéaire . puis calculez le taux de réjection de mode commun TRMC . la polarisation étant directement compatible. VA très grand . En prenant I 0 = 200 µA . Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences moyennes 4. Calculez la valeur de l’impédance d’entrée de mode commun Z c . 2. évaluez la résistance RE . Evaluer RC pour avoir Ad = −100 . 7. Evaluez les paramètres rbe1 et rbe2 des modèles des transistors. 5. Evaluez le nouveau taux de réjection de mode commun.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etage différentiel à JBT L’étude porte sur la caractérisation de l’étage différentiel de la figure ci-dessous. 6. RC S1 Q1 V1 RE Q2 RC VCC 15 V V2 VCC 15 V Etude du régime continu 1.Q4 avec VA = 100 V (voir problème « miroir élémentaire pour polarisation d’étage ». Calculez la valeur de l’impédance d’entrée différentielle Z d . Démontrez que les courants collecteurs des transistors sont égaux. Les deux transistors sont supposés technologiquement identiques avec β = 200. Exprimez la tension de sortie sous la forme v s1 = Ad (v 1 − v 2 ) + Ac (v 1 + v 2 ) 2 . 8. 3.

Relation des courants collecteurs Equations technologiques VBE1 ⎧ ⎪I ≅ I e UT BS ⎪B Q1 ≡ Q2 ⇒ ⎨ 1 VBE2 ⎪ ⎪I B2 ≅ I BS e UT ⎩ VBE1 = VBE 2 ⇒ IC1 ≅ IC2 Equation de la maille d’entrée 2. Evaluation de la résistance RE IC1 = IC1 = ICo ≅ o o VCC − VBE1 I0 o = 100 µA et RE = ≅ 72 kΩ 2 I0 Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences moyennes vs1 RC RC Q1 v1 RE Q2 v2 ie1 + ie2 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Etude du régime continu RC IC1 Q1 VBE1 RE I0 IC2 Q2 RC VCC 15 V VBE2 VCC 15 V 1. Expression de la tension de sortie Méthode classique (voir cours « Montages à plusieurs transistors ») Sylvain Géronimi Page 38 Caractérisation d’un amplificateur linéaire . Evaluation des paramètres des modèles rbe1 et rbe2 rbe = rbe1 = rbe2 = UT β = 50 kΩ IC0 4.

Evaluation de la résistance RC et du taux de réjection TRMC RC = − 2 rbe Ad β = 50 kΩ . l’émetteur de Q1 voyant une résistance équivalente 2 RE traversée par son courant d’émetteur : v s1 = − rbe1 β RC vc + 2 (β + 1)RE β RC β RC vd − vc 2 rbe1 rbe1 + 2 (β + 1)RE Le théorème de superposition donne v s1 = − On identifie Ad = v s1 vd =− β RC 2 rbe1 et Ac = v s1 vc =− β RC rbe1 + 2 (β + 1)RE 5. Evaluation de la résistance différentielle Z d (résistance inter-bases.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Méthode du demi-schéma (voir annexe sur « Méthode de travail pour la caractérisation linéaire d’un étage différentiel ») vs1 RC RC ie1 = . TRMC = Ad R 1 = + (β + 1) E ≅ 289 (49. le montage se réduit au montage pseudo-émetteur commun.2 dB) 2 Ac rbe1 6. ce qui I0 améliore les performances de l’étage différentiel ( TRMC ≅ 66 dB . vue par la tension de mode Z c = rbe1 + 2 (β + 1)RE ≅ 29 MΩ commun d’entrée pour le demi-schéma) La source v c voit à ses bornes une résistance Z c 2 8.4 ≅ VA = 500 kΩ remplace la résistance RE = 72 kΩ . vue par la tension différentielle d’entrée) Z d = rbe1 + rbe2 = 100 kΩ 7. Evaluation du nouveau taux de réjection TRMC La charge dynamique du miroir rce3.ie2 vs1 RC RC ie1 = ie2 Q1 vd / 2 RE 0 Q2 masse virtuelle . La tension de sortie v s1 est à gauche : v s1 = − β RC v d rbe1 2 Pour le régime de mode commun. le montage (parfaitement symétrique) se réduit au montage émetteur commun de gauche. Evaluation de la résistance de mode commun Z c (résistance entre base et masse. les tensions d’émetteur et de masse étant équipotentielles puisque la résistance RE est traversée par un courant nul. Z c ≅ 201 MΩ ) Sylvain Géronimi Page 39 Caractérisation d’un amplificateur linéaire .vd / 2 vc Q1 Q2 vc vd + vc 2 v v2 = − d + vc 2 v1 = RE ie1 + ie2 = 2 ie Pour le régime différentiel.

+VCC +VCC RD 10k J1 vs RD 10k J2 v1 I0 J3 v2 RS 500 -VCC Etude en régime continu 1. VP = − 2 V . Ecrivez l’expression de la résistance dynamique z0 de la source de courant I 0 vue entre le drain et la masse. Les paramètres rds des transistors J1 et J 2 étant négligés. Evaluez cette dernière. Les deux transistors sont supposés technologiquement identiques avec I DSS = 2 mA. vd vc 5. 4. Déduisez de l’étude du régime continu. Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences moyennes 2.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etage différentiel à JFET L’étude porte sur la caractérisation de l’étage différentiel de la figure ci-dessous. 3. le paramètre rds3 étant estimé à 100 kΩ. Evaluez les résistances différentielle Z d . 6. de mode commun Z c et de sortie Z s du montage. écrivez puis évaluez les gains en tension Ad = vs v et Ac = s . Déduisez le TRMC en dB. Sylvain Géronimi Page 40 Caractérisation d’un amplificateur linéaire . les valeurs des paramètres g mi des transistors J i . Evaluez les courants de drain des transistors.

g m3 ≅ 1. VP ) ⎨I D2 = I DSS ⎜1 − Vp ⎟ ⎪ ⎠ ⎝ ⎪ 2 ⎛ VGS3 ⎞ ⎪ ⎟ ⎜ ⎪I D3 = I DSS ⎜1 − Vp ⎟ ⎪ ⎠ ⎝ ⎩ Equations technologiques ( J1 ≡ J 2 ≡ J 3 ) ⎧I 0 ≡ I D = I D + I D 3 1 2 ⎪ ⎪ Equations du circuit ⎨VGS1 −VGS2 = 0 ⎪ ⎪ ⎩VGS3 = − RS I 0 I0 ⎧ ⎪I D1 = I D2 = 2 2 RS R2 2 ⎛ 1 ⎪ − d’où ⎨ 2 ⇒ S I +⎜ 2 0 ⎜ ⎛ ⎞ I DSS Vp ⎪I = I ⎝ Vp ⎜ RS I 0 ⎟ DSS ⎜1 + ⎟ ⎪0 V p ⎠ ⎝ ⎩ ⎞ ⎟ I0 + 1 = 0 ⎟ ⎠ soit I 0 ≅ 1. I D1 = I D2 ≅ 536 µA o o 2.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Etude du régime continu +VCC +VCC RD 10k ID1 J1 ID2 RD 10k J2 0 VGS1 I0 J3 VGS2 0 VGS3 0 RS 500 -VCC 1.035 mA / V . Evaluation des courants de drain des transistors 2 ⎧ ⎛ VGS1 ⎞ ⎪I = I ⎟ ⎜ DSS ⎜ 1 − ⎪ D1 Vp ⎟ ⎠ ⎝ ⎪ 2 ⎪ ⎛ VGS2 ⎞ ⎪ ⎟ ⎜ (mêmes I DSS .07 mA. Evaluation des paramètres g mi gm = − 2 Vp I Do I DSS . g m1 = g m2 ≅ 1.46 mA / V Sylvain Géronimi Page 41 Caractérisation d’un amplificateur linéaire .

d’où vs = − g m RD vc 1 + 2 g m z0 d’où le gain de mode commun Ac = vs g m RD =− ≅ − 29 10 −3 . G1 vgs1 vd / 2 vc gm vgs1 D1 RD z0 gm vgs2 D2 RD vs S1 S2 vgs2 vd / 2 G2 vc Pour le régime différentiel. Expression de la tension de sortie La méthode du demi-schéma est mise en œuvre (voir annexe sur « Méthode de travail pour la caractérisation linéaire d’un étage différentiel symétrique»).18 . Evaluation du TRMC TRMC = Ad 1 = + g m z0 ≅ 180 (45 dB) Ac 2 6. Calcul des résistances différentielle. Z s = RD = 10 kΩ Sylvain Géronimi Page 42 Caractérisation d’un amplificateur linéaire .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 3. vc 1 + 2 g m z0 Le théorème de superposition donne v s = Ad v d + Ac v c . Calcul de la charge dynamique i0 rds3 i0 . 2 2 v ⎝ ⎠ d Pour le régime de mode commun. Z c = ∞ . de mode commun et de sortie du montage Z d = ∞ . la source de J 2 voyant une charge équivalente 2 z0 traversée par son courant de source. d’où v g R ⎛ v ⎞ v s = − g m RD ⎜ − d ⎟ d’où le gain différentiel Ad = s = m D ≅ 5. le montage se réduit au montage source commune. 5. car la charge z0 est traversée par un courant nul et la tension de sortie v s est à droite.gm vgs gm vgs v ⎧ ⎪v 0 = rds3 (i 0 − g m3 v gs ) + RS i 0 ⎨ ⎪ ⎩v gs = − RS i 0 0 RS vgs ⇒ z0 = v0 = RS + 1 + g m3 RS rds3 ≅ 173 kΩ i0 ( ) 4. le montage se réduit au montage pseudo-source commune.

Cbc = 20 pF . Evaluez la fréquence de coupure haute du montage. Aux fréquences moyennes. Déduisez la valeur du paramètre rbe de l’étude précédente. ft = 70 MHz. 4. Déterminez le point de repos du transistor. Le transistor possède les caractéristiques suivantes β = 150.5k S VCC 20 V RE 470 CE 100u Etude du régime continu 1. VA = ∞ Les composants CG et CE sont respectivement des condensateurs de liaison et de découplage. les résistances d’entrée et de sortie. Evaluez la fréquence de coupure basse du montage.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Réponse en fréquence d’un étage émetteur commun L’étude proposée porte sur le comportement en fréquence du montage de la figure ci-dessous. Sylvain Géronimi Page 43 Réponse en fréquence . Etude du régime dynamique aux faibles signaux 2. RB1 100k rg 50 vG CG 10u RB2 22k Q1 RC 1. 5. 3. calculez le gain en tension Av o = v s v g .

Point de repos du transistor ⎧VCC ≅ (RC + RE )IC + VCE ⎨ ⎩VB = RB I B + VBE + RE I E avec VB = RB2 RB1 + RB2 VCC et RB = RB1 // RB2 RB ≅ 18 kΩ .5 kΩ . Gain en tension aux fréquences moyennes rg RB vg ib β ib rbe RC vs Ce schéma peut être simplifié au regard des valeurs numériques. IC0 ≅ 5.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Etude du régime continu RB1 IC IB RC VCC VCE VBE RE IE RB2 1. Les résistances d’entrée et de sortie s’écrivent : Z e = RB // rbe ≅ 711 Ω et Z s = RC ≅ 1. Résistance dynamique de la jonction base-émetteur rbe ≅ UT β ≅ 740 Ω IC 0 3. car RB >> rg par Thévenin.07 mA Etude du régime dynamique 2. Sylvain Géronimi Page 44 Réponse en fréquence . ⎧ β RC v ⎪v g ≅ rg + rbe i b ≅ − 285 ⇒ Av o = s ≅ − ⎨ v r ⎪ v β i R = − g g + rbe b C ⎩ s ( ) soit un gain d’amplitude de 285 avec déphasage de π ou encore gain de 49 dB.

Résistance RG G E ∞ RG rg RB i rbe βi RC ∞ RG = rg + RB // rbe ≅ 761 Ω Sylvain Géronimi Page 45 Réponse en fréquence . ωc = ωn 2 ζ 2 − 1 + ( 2 ζ 2 − 1)2 + 1 soit fc ≅ 327 Hz (filtre passe-haut du second ordre). Fréquence de coupure basse Schéma aux fréquences basses CG rg RB vg ib rbe β ib RC RE CE La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du second ordre par la présence des deux condensateurs indépendants au sein du montage. Méthode par l’approximation du pôle dominant Calcul du premier pôle : ∞ du dipôle vu par C lorsque C est assimilé à un court-circuit. Méthode classique de mise en équations 1 ⎧ ⎪ω3 = R C E E ⎪ ⎪ RB + rbe + (β + 1)RE ⎪ω 4 = R B rg + rbe RB + rg CG ⎪ ⎨ rbe + RB ⎪ 2 ζ = r + R // [r + (β + 1)R ] C + ⎛ ⎜ g B be E G ⎜ RE // β + 1 ⎪ ωn ⎝ ⎪ RB rg + rbe RB + rg CG RE CE 1 ⎪ 1 ⎪ 2 =ω ω = RB + rbe + (β + 1)RE 3 4 ⎩ ωn ⎛ p ⎞ P ⎜ ⎜1 + ω ⎟ ⎟ 3 ⎠ ω4 Av ( p ) = Av o ⎝ 2ζ p2 p+ 1+ avec ωn 2 ωn [ { ( )] [ ( } )] ⎞ ⎟ ⎟ CE ⎠ Le calcul du coefficient d’amortissement ζ et de la pulsation naturelle ωn du système non amorti permet l’évaluation de la fréquence de coupure à – 3 dB (voir cours « Le filtrage analogique »).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 4.

et f2 = 2π RE CE 1 + RE C E p R E CE Les résultats sont valables avec une excellente précision car les deux pôles sont séparés de plus de deux décades et le zéro est à deux décades en dessous du pôle dominant. le courant dans la charge est nul. si l’émetteur du transistor est en l’air. fb ≅ Calcul du deuxième pôle : 0 du dipôle vu par C Résistance RE E lorsque CG est assimilé à un circuit ouvert. ⎟ ⎠ ce qui donne la fréquence de coupure à – 3 dB. La simulation sur Spice confirme ces chiffres.39 Hz . 0 RG rbe RB i βi RC rg RE 0 RE 0 0 = R // RG = rg + RB // [rbe + (β + 1)RE ] ≅ 14440 Ω .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés ∞ du dipôle vu par C Résistance RE E lorsque CG est assimilé à un court-circuit. donc RE 1 1 =∞ ⇒ p=− ≅ 3. En effet.8 Ω β +1 d’où f3 ≅ 1 ≅ 1 Hz 0 C + R0 C ) 2π (RG G E E Calcul du zéro : Le zéro est produit par la liaison entre émetteur et masse. 0 du dipôle vu par C Résistance RG G lorsque CE est assimilé à un circuit ouvert. couplage dû à CE . i0 rbe rg βi RC βi i rbe i1 //RB i RE v0 RE ∞ RE RC rg //RB ⎧ v0 ⎪i1 = R E ⎪ ⎪ ⎨i 0 = i1 − (β + 1)i ⎪ v0 ⎪− i = + r rg // RB ⎪ be ⎩ ⇒ i0 β +1 1 = + v 0 RE rbe + rg // RB ( ) ∞ d’où RE = rg // RB + rbe β +1 // RE ≅ 5.21 Ω ( ) 1 2π ⎛ 1 1 ⎜ ⎜ R∞ C + R∞ C E E ⎝ G G ⎞ ⎟ ≅ 326 Hz . RE E RB + rbe ≅ 95. Sylvain Géronimi Page 46 Réponse en fréquence .

Méthode classique de mise en équations L’écriture de la fonction de transfert en tension est la suivante : ⎧ gm ⎪ω z = ⎛ C p ⎞ bc ⎪ ⎜ ⎜1 − ω ⎟ ⎟ ⎪ ⎪ 2ζ Z ⎠ ⎝ AV ( p ) = AVo avec ⎨ = rg // RB // rbe Cbe + RC + (1 + g m RC ) rg // RB // rbe Cb 'c 2ζ p2 ⎪ ωn 1+ p+ 2 ⎪ 1 ωn ωn ⎪ 2 = rg // RB // rbe RC Cbe Cbc ⎪ ⎩ωn ( ) [ ( )] ( ) Le calcul du coefficient d’amortissement ζ et de la pulsation naturelle ωn du système non amorti permet l’évaluation de la fréquence de coupure à – 3 dB (voir cours « Le filtrage analogique »).7 Ω Sylvain Géronimi Page 47 Réponse en fréquence . ωc = ωn 1 − 2 ζ 2 + ( 2 ζ 2 − 1)2 + 1 soit fc ≅ 477 kHz (filtre passe-bas du second ordre).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 5. Fréquence de coupure haute Estimation de la capacité de diffusion Cbe + Cbc = Schéma aux fréquences hautes Cbc RB vg Cbe v rbe gm v Rc vs IC 0 2π UT ft Cbc = 20 pF . Cbe ≅ 440 pF rg La fonction de transfert en tension est du type passe-bas du second ordre par la présence des deux capacités indépendantes au sein du montage. Méthode par l’approximation du pôle dominant Calcul du premier pôle : 0 Rbc rg v RB rbe 0 R be RC gm v Résistance du dipôle vu par C be lorsque Cbc est assimilé à un circuit ouvert : 0 Rbe = rg // RB // rbe ≅ 46.

donc g gm Cbc p V ( p ) = g m V ( p ) ⇒ p = m et f3 = ≅ 1. En effet.5 MHz . 2π a2 Calcul du zéro : Le zéro est produit de manière telle que le courant circulant dans la charge RC est nul.17 10 2 a1 ≅ 86.6 GHz . une meilleure précision peut être atteinte en évaluant une fréquence de coupure corrigée telle que 1 1 1 1 1 1 d’où f1 = fhcorrigée ≅ 478 kHz en prenant la valeur trouvée de ⇒ ≅ 2π a1 = + ≅ − fh f1 f 2 f1 fh f2 f2 (valeur approchée). Sylvain Géronimi Page 48 Réponse en fréquence .5 kΩ Rbc C v=0 gm v = 0 RC 0 C R be C −16 s 2 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Résistance du dipôle vu par C bc lorsque Cbe est assimilé à un circuit ouvert : i0 0 Rbe v v0 gm v RC 0 ⎧ ⎪v 0 = R be i 0 + RC (i 0 + g m v ) ⎨ 0 ⎪ ⎩v = R be i 0 0 0 Rbc = (1 + g m RC )Rbe + RC ≅ 15730 Ω 0 0 a1 = Rbe Cbe + Rbc Cbc ≅ 3. Sur un plan purement analytique. d’où f ≅ a2 = Rbe be bc bc ≅ 6. le courant circulant dans la branche supportant Cbc est égal au courant fourni par la source liée. outrepasse le domaine de validité du modèle de comportement en fréquence du transistor ( f2 et f3 > ft ). car les deux pôles sont séparés de plus de deux décades. Calcul du deuxième pôle : be du dipôle vu par C Résistance Rbc bc lorsque C be est assimilé à un court-circuit : be Rbc be = R = 1.35 10 −7 s . fh ≅ 1 ≅ 475 kHz ce qui donne la fréquence de coupure 2π a1 à .3 dB. la fréquence de coupure haute demeure valable avec une bonne précision. L’hypothèse du pôle dominant est donc vérifiée à une précision inférieure à 1%. C bc 2π Cbc Malgré que les calculs. couplage dû à Cbc . conduisant à l’évaluation de f2 .

fait apparaître un quadripôle ponté par la branche capacitive C bc .023) (16.1713) -40 marge de phase ≅ 40° 0 dB -80 10mHz DB(V(S)) 1.049) 40 (92.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Méthode par transformation de schéma par application du théorème de Miller Le schéma H.F. soit a2 = Rbe La simulation sur Spice illustre ces résultats. 20. 46. De plus. 0 0 = R be + R1 .289M. rg RB vg v Cbe rbe C1 R1 avec C1 = (1 + g m RC )Cbc et R1 = RC 1 + g m RC Calcul du premier pôle : 0 Résistance du dipôle vu par C be lorsque C1 est assimilé à un circuit ouvert : Rbe = rg // RB // rbe .0Hz 100Hz 10KHz Frequency 1. 7.1307.262m) 0 (1. Résistance du dipôle vu par C1 lorsque Cbe est assimilé à un circuit ouvert : R1 0 0 Cbe + Cbc (1 + g m RC )Rbe + RC (même résultat que précédemment). Le théorème de Miller (voir « Annexes ») conduit au schéma suivant (rappelons que le circuit de sortie ne sert que pour exprimer le transfert en tension). soit a1 = Rbe [ ] Calcul du deuxième pôle : be be du dipôle vu par C1 lorsque Cbe est assimilé à un court-circuit : R1 = R1 Résistance R1 0 0 be Cbe R1 C1 = Rbe Cbe RC Cbc (même résultat que précédemment). 12. 46. 49.975. la marge de phase de l’ordre de 40° démontre une bonne stabilité de l’amplificateur.058) (3.853K. 80 (327.0MHz 100MHz 10GHz Sylvain Géronimi Page 49 Réponse en fréquence .4146.051) (477.173K. si la position du deuxième pôle est acceptée ( f2 > ft ).

-320.0MHz 100MHz 10GHz Sylvain Géronimi Page 50 Réponse en fréquence .0Hz 100Hz 10KHz Frequency 1. -180.027) -200d (321.028K. -315.013) -600d 10mHz P(V(S)) 1.350M.430K. -225.309M. -135.004) (473.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 0d (12.004) (80.194) -400d (92.990.

Les paramètres du modèle en comportement linéaire du transistor sont : β = 150. rbe = 740 Ω. les résistances d’entrée et de sortie. En se plaçant dans l’hypothèse d’un pôle dominant. Validez l’hypothèse du pôle dominant. 5.Cbc = 20 pF .VA = ∞ Les composants CG et CB sont respectivement des condensateurs de liaison et de découplage. Dessinez le schéma. Etude du régime dynamique aux fréquences hautes 6. Etude du régime dynamique aux fréquences basses 3. Calculez le gain en tension Av 0 = v s v g . Evaluez l’influence de chacun des condensateurs CG et CB sur la fréquence de coupure. RB1 100k RC 1. Sylvain Géronimi Page 51 Réponse en fréquence .Cbe = 440 pF . l’autre étant équivalent à un court-circuit. Evaluer la fréquence fb par la méthode de l’approximation du pôle dominant. 8.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Réponse en fréquence d’un étage base commune Le sujet proposé porte sur l’étude en régime dynamique du montage base commune de la figure cidessous. calculez la fréquence fh de coupure haute du montage. 7. Dessinez le schéma. 4. Concluez sur la fréquence fb de coupure basse du montage. 2. Dessinez le schéma.5k VCC Q CG 10u rg 50 vg vs 20 V CB 10u RB2 22k RE 470 Etude du régime dynamique aux fréquences moyennes 1.

les autres étant assimilés à des court-circuits et interpréter globalement les résultats obtenus.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Etude du régime dynamique aux fréquences moyennes 1. en n’oubliant pas de valider l’hypothèse.9 (+28. Schéma rg RE vg i rbe βi RC vs 2. La recherche de la fréquence de coupure basse peut être alors entreprise de deux manières : constater l’influence d’un des condensateurs pris de manière indépendante. appliquer la méthode d’approximation du pôle dominant. = R E + rg R E + rg ( ) Les résistances d’entrée et de sortie s’écrivent : Ze = RE // rbe ≅ 4. β +1 Etude du régime dynamique aux fréquences basses 3.9 Ω et Z s = RC ≅ 1. Schéma CB RB i rbe βi RC RE CG rg vg La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du second ordre par la présence des deux condensateurs indépendants au sein du montage. Caractérisation du montage ' = Ce schéma peut être simplifié par Thévenin v g ' ' ' ⎧ vs vs vg β RC RE ⎪v g = − (β + 1)rg + rbe i ⇒ = = = ≅ 26.5 kΩ . Influence de chaque condensateur pris indépendamment Fréquence de coupure due à l’influence du condensateur CB Sylvain Géronimi Page 52 Réponse en fréquence .6 dB) A ⎨ v0 ' v + + ( 1 ) // v β r R r R v ⎪ g E be E + rg g g g ⎩v s = − β i RC [ ] R E rg RE ' v g et rg . 4.

on recherche l’expression de la ∞ du dipôle vu par C . ∞C 2π RG G L’influence de CG apparaît prépondérante vis-à-vis de CB car deux décades séparent les pôles. 5. ∞C 2π RB B Fréquence de coupure due à l’influence du condensateur CG Le composant CB étant équivalent à un court-circuit ( f = ∞ ).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Le composant CG étant équivalent à un court-circuit ( f = ∞ ). ce qui entraîne une fréquence de coupure basse fb ≅ 290 Hz . c’est-à-dire d’écrire l’expression de la résistance RB par CB (théorème de Thévenin / Norton). soit une fréquence de coupure fb2 = 1 ≅ 290 Hz . Méthode par l’approximation du pôle dominant Calcul du premier pôle : 1 ⎛ 1 ⎜ 1 + fb ≅ ∞C ∞C 2π ⎜ R R E E ⎝ G G ⎞ ⎟ = fb + fb ≅ 293 Hz ce qui donne la fréquence de coupure à –3 dB. 1 2 ⎟ ⎠ Sylvain Géronimi Page 53 Réponse en fréquence .8 Ω . i0 RB i rbe βi RC v0 RE // rg v0 ⎧ ⎪i 0 = R + i ∞ ⇒ RB = RB // rbe + (β + 1) RE // rg ≅ 5326 Ω B ⎨ ⎪v = r + (β + 1) R // r i be E g ⎩ 0 [ ( )] [ ( )] soit une fréquence de coupure fb1 = 1 ≅ 3 Hz . le but est de calculer la constante de ∞ du dipôle vu temps de coupure de la maille. résistance RG G i0 βi i rbe RC rg i1 RE v0 ⎡ ⎤ ⎧⎡ ⎧i1 = i 0 + (β + 1)i RE ⎤ ⎢ ⎥ ( ) + + = 1 β 1 i i ⎪ ⎪ RE ⎢ ⎥1 0 rbe ⎦ ⇒ v0 = ⎢ + rg ⎥ i 0 ⎨v 0 = RE i1 + rg i 0 ⇒ ⎨⎣ ⎢1 + (β + 1) RE ⎥ ⎪ ⎪v = R i + r i ⎢ ⎥ E 1 g 0 ⎩rbe i = − RE i1 ⎩ 0 r be ⎣ ⎦ ∞ RG = β +1 rbe // RE + rg ≅ 54.

La simulation sur Spice confirme ces chiffres. donc RB 1 1 et f2 = =∞ ⇒ p=− ≅ 0. Schéma Cbc Cbe i rbe βi RC RE rg vg La fonction de transfert en tension est du type passe-bas du second ordre par la présence des deux capacités indépendantes au sein du montage. Etude du régime dynamique aux fréquences hautes 6. En effet. le courant dans la charge est nul. La méthode par l’approximation du pôle dominant est appliquée. Fréquence de coupure haute Calcul du premier pôle : Résistance du dipôle vu par C be lorsque Cbc est assimilé à un circuit ouvert : Sylvain Géronimi Page 54 Réponse en fréquence .88 Hz . 0 RB RB i rbe βi RC RE 0 RG rg 0 0 = R // [r RB B be + (β + 1)RE ] ≅ 14388 Ω . 1 + RBCB RBCB 2π RB CB Les résultats sont valables avec une excellente précision car les deux pôles sont séparés de plus de deux décades et le zéro est à deux décades en dessous du pôle dominant.1 Hz 0 C + R0 C ) 2π (RG G B B Calcul du zéro : Le zéro est obtenu par le couplage dû à CB . 0 du dipôle vu par C Résistance RG G lorsque CB est assimilé à un circuit ouvert. si la base du transistor est en l’air. RG = RE // RB + rbe + rg ≅ 148 Ω β +1 d’où f3 ≅ 1 ≅ 1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Calcul du deuxième pôle : 0 du dipôle vu par C Résistance R B B lorsque CG est assimilé à un circuit ouvert. 7.

fh f1 f 2 f1 fh f2 La simulation sur Spice illustre les résultats. Rbc C 0 C 0 −8 s .588) 20 20 dB / decade (291. 25.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés i0 βi i rbe RC i1 rg //RE v0 ⎧i 0 + (β + 1)i = i1 v0 v ⎪ r 0 ⇒ i0 = + (β + 1) 0 ⇒ Rbe = rg // RE // be ≅ 4. Sur un plan purement analytique. car les deux pôles sont séparés de plus d’une décade.838.0MHz 10MHz 100MHz 1. d’où f ≅ ⇒ a2 = Rbe be R bc C bc = R be C be R bc C bc ≅ 5. 28. une meilleure précision peut être atteinte en évaluant une fréquence de coupure corrigée telle que 1 1 1 1 1 1 ≅ 2π a1 = + d’où ≅ − et f1 = fhcorrigée ≅ 5.787M. 40 (45. la fréquence de coupure haute demeure valable avec une bonne précision. L’hypothèse du pôle dominant est donc vérifiée à une précision d’environ 5%.834 10 2 a1 ≅ 87.2867M.5 kΩ car β i = 0 .195 10 h 1 ≅ 4. Résistance du dipôle vu par C bc lorsque Cbe est assimilé à un court-circuit : Rbc 0 C 0 be bc −17 s 2 .575) 0 (77. 2. 25.98 MHz 2π a1 (fréquence de coupure à –3 dB).42 Ω ⎨v 0 = − rbe i β +1 r R r // g E be ⎪v = r // R i g E 1 ⎩ 0 ( ) Résistance du dipôle vu par C bc lorsque Cbe est assimilé à un circuit ouvert : 0 = R = 1.2 MHz 2π a2 Malgré que le calcul conduisant à l’évaluation de f2 outrepasse le domaine de validité du modèle de comportement en fréquence du transistor ( f2 > ft ).0KHz 10KHz 100KHz 1.28 MHz (avec f2 valeur approchée). Calcul du deuxième pôle : bc = R 0 .0GHz Sylvain Géronimi Page 55 Réponse en fréquence .243K. Résistance du dipôle vu par Cbe lorsque Cbc est assimilé à un court-circuit : Rbe be be = RC .4421) -20 40 dB / decade -40 10Hz DB(V(S)) Frequency 100Hz 1. f ≅ a1 = Rbe be + R bc C bc ≅ 3.575) (5.

Sylvain Géronimi Page 56 Réponse en fréquence . Dessinez le schéma. Dessinez le schéma. En se plaçant dans l’hypothèse d’un pôle dominant. rbe = 755 Ω. Etude du régime dynamique aux fréquences basses 3.Cbe = 432 pF .Cbc = 20 pF . Dessinez le schéma. 7.VA = ∞ Le composant CG est un condensateur de liaison. les résistances d’entrée et de sortie.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Réponse en fréquence d’un étage collecteur commun Le sujet proposé porte sur l’étude en régime dynamique du montage collecteur commun de la figure ci-dessous. RB 284k rg 3k vg CG Q 10n RE 2k vs 20 V VCC Etude du régime dynamique aux fréquences moyennes 1. Les paramètres du modèle en comportement linéaire du transistor sont : β = 150. 2. 4. 6. Etude du régime dynamique aux fréquences hautes 5. calculez la fréquence fh de coupure haute du montage. Evaluez la fréquence fb de coupure basse du montage. Validez l’hypothèse du pôle dominant. Calculez le gain en tension Av 0 = v s v g .

β +1 Etude du régime dynamique aux fréquences basses 3. i0 i1 v0 rg RB rbe βi RE i ⎧i 0 = i1 + i ⎪ ⎨v 0 = RB i1 + rg i 0 ⎪ ⎩RB i1 = [rbe + (β + 1)RE ]i Sylvain Géronimi Page 57 Réponse en fréquence . Fréquence de coupure basse La constante de temps de coupure est obtenue par le calcul de la résistance Req du dipôle (théorème de Thévenin ou Norton) vu par le condensateur. Gain en tension ' = Ce schéma peut être simplifié par Thévenin v g ' ' ⎧ v (β + 1)RE RB ⎪v g = rg + rbe + (β + 1)RE i ⇒ Av 0 = s = ≅ 0.2 dB) ⎨ v r R r β R R // + + ( + 1 ) ⎪ ( ) v β 1 i R = + g g B be E B + rg E ⎩ s [ ] RB rg RB ' v g et rg = ≅ 2969 Ω . RB + rg R B + rg Les résistances d’entrée et de sortie s’écrivent : rg // RB + rbe Z e = RB //[rbe + (β + 1)RE ] ≅ 146.977 (.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Etude du régime dynamique aux fréquences moyennes 1.4 Ω . 4. Schéma i rg RB vg rbe βi RE vs 2.5 kΩ et Z s = // RE ≅ 24. Schéma CG rg RB vg ib rbe β ib RE La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du premier ordre par la présence d’un seul condensateur au sein du montage.0.

Sylvain Géronimi Page 58 Réponse en fréquence . 2π Req CG Etude du régime dynamique aux fréquences hautes 5.5 kΩ .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés ⎧ ⎛ RB 1+ ⎪i 0 = ⎜ ⎜ rbe + (β + 1)RE ⇒ ⎨ ⎝ ⎪v = R i + r i B 1 g 0 ⎩ 0 ⎞ ⎟ i1 ⎟ ⎠ ⇒ Req = rg + RB // [rbe + (β + 1)RE ] d’où la fréquence de coupure à –3 dB fb ≅ 1 ≅ 106 Hz avec Req ≅ 149. Fréquence de coupure haute La méthode par l’approximation du pôle dominant est appliquée Calcul du premier pôle : Résistance du dipôle vu par C be lorsque Cbc est assimilé à un circuit ouvert : i0 rg//RB v0 v rbe gm v RE i1 ⎧v 0 = v ⎪ v ⎪ + i1 ⎨i 0 = r be ⎪ ⎪v = r // R i + R (i − g v ) g B 1 E 1 m ⎩ 0 ( ) v0 ⎧ ⎪i 0 = r + i1 ⇒ ⎨ be ⎪v (1 + g R ) = r // R + R i m E g B E 1 ⎩ 0 ( ) ⇒ i0 = (1 + g m RE )v 0 rg // RB + RE + v0 rbe 0 = rbe // d’où Rbe rg // RB + RE 1 + g m RE ≅ 12.3 Ω Résistance du dipôle vu par C bc lorsque Cbe est assimilé à un circuit ouvert : i0 i1 βi v0 rg//RB RE rbe i 0 Rbc = rg // RB // [rbe + (β + 1)RE ] ≅ 2940 Ω . Schéma Cbe rbe v RB vg Cbc i rg βi gm v RE La fonction de transfert en tension est du type passe-bas du second ordre par la présence des deux capacités indépendantes au sein du montage. 6.

27 ou encore.27 10 a1 ≅ 80 MHz 2π a2 Malgré que le calcul conduisant à l’évaluation de f2 outrepasse le domaine de validité du modèle de comportement en fréquence du transistor ( f2 > ft ). Un zéro. -3.0Hz DB(V(S)) 10Hz 100Hz 1.2344) -20 -30 -40 1. d’où ≅ 2π a1 = + ≅ − fh f1 f 2 f1 fh f2 La simulation sur Spice illustre ces résultats.0KHz 10KHz 100KHz 1.41 10 h 1 ≅ 2.48 MHz 2π a1 ce qui donne la fréquence de coupure à –3 dB.125m) -0 -10 (107. une meilleure précision peut être atteinte en évaluant une fréquence de coupure corrigée telle que 1 1 1 1 1 1 et f1 = fhcorrigée ≅ 2. -3.56 MHz (avec f2 valeur approchée). car les deux pôles sont séparés de plus d’une décade.719K.1986) (2. contre 2π rbe Cbe (15. d’où f ≅ ⇒ a2 = Rbe 2 be bc bc ≅ 1.0GHz Frequency Sylvain Géronimi Page 59 Réponse en fréquence . L’hypothèse du pôle dominant est donc vérifiée à une précision d’environ 3%.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 0 C 0 −8 s . Sur un plan purement analytique. situé à fz = l’effet du pôle f2 ≅ 80 MHz . f ≅ a1 = Rbe be + R bc C bc ≅ 6. résistance du dipôle vu par Cbe lorsque C bc est assimilé à un circuit-circuit : i0 v0 v rbe gm v RE bc = Rbe β +1 rbe // RE ≅ 4. d’où comportement du premier ordre. -216.99 Ω bc C R 0 C −16 s 2 . la fréquence de coupure haute demeure valable avec une bonne précision.5746M. 10 β +1 ≅ 74 MHz .303.0MHz 10MHz 100MHz 1. Calcul du deuxième pôle : Résistance du dipôle vu par C bc lorsque Cbe est assimilé à un circuit-circuit : be be 0 C −16 s 2 Rbc = rg // RB // RE ≅ 1195 Ω ⇒ a2 = Rbe be R bc C bc ≅ 1.

07 4.9 297 4980 87. Ici. extrême limite du modèle de comportement du transistor en fréquence.9 1500 26.Cbc ). permettant ainsi une bonne comparaison des performances. La valeur de la résistance de sortie de l’étage collecteur commun fait apparaître son rôle d’abaisseur d’impédance (adaptateur basse impédance).4 0. Les étages émetteur commun et base commune sont des amplificateurs de tension. alors que l’étage collecteur commun recopie la tension d’entrée en sortie (suiveur de tension). La solution est l’utilisation du montage cascode. Cbe . • • • • • • • Sylvain Géronimi Page 60 Réponse en fréquence .5 478 base commune 5.07 711 1500 .VA ) parcouru par le même courant de polarisation ICo .977 106 2480 80 2560 Commentaires : • Les trois montages utilisent le même transistor ( β .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Comparaison des montages fondamentaux à JBT A partir des résultats des problèmes sur les réponses en fréquence des étages émetteur commun. La fréquence de coupure haute corrigée démontre l’efficacité de la méthode du pôle dominant. le gain de l’étage base commune est faible à cause d’un problème d’adaptation sur l’entrée (attaque en courant). Le deuxième pôle se situe aux environs de la fréquence de transition ft . Les valeurs des fréquences de coupure haute mettent en exergue le principal problème de l’étage émetteur commun. effectuez une comparaison des performances étudiées. La fréquence de coupure basse est fonction du choix des valeurs de condensateurs de liaison et de découplage.2 5280 collecteur commun 5 146500 24. c’est-à-dire utilisant les mêmes valeurs des paramètres dynamiques du modèle aux faibles signaux ( rbe . donc indépendante du type d’étage. Les valeurs de la résistance d’entrée montrent qu’un étage base commune doit être attaqué en courant et qu’un étage collecteur commun en tension.285 326 475 86. base commune et collecteur commun. Corrigé Report des performances dans le tableau suivant : performances polarisation ICo résistance d’entrée Ze (Ω) Résistance de sortie Zs ( Ω) gain en tension A v coupure basse fb (Hz ) coupure haute fh (kHz ) deuxième pôle f2 (MHz ) fh (kHz ) corrigée émetteur commun 5. ft . à savoir une faible bande passante. Cette fréquence de coupure sera d’autant plus faible que la charge sera plus importante (gain en tension demandé plus important).

Calculez la fréquence de coupure du montage. Evaluez la capacité Cbe du transistor. RB1 79. Validez l’hypothèse du pôle dominant.Cbc = 0. 6. 7. ft = 400 MHz. 4.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Réponse en fréquence d’un étage pseudo-émetteur commun L’étude proposée porte sur le comportement en fréquence du montage de la figure ci-dessous.8k rg 50 vG RB2 24k CG Q1 RC 1k VCC 5V vS RE1 30 RE2 220 CE VCC 5V Etude du régime continu 1.6 V ). Etude du régime dynamique aux fréquences moyennes 2. Calculez la valeur du courant IC 0 ( VBE0 ≅ 0. Evaluez la résistance d’entrée Z e et la résistance de sortie Z s . On se place dans l’hypothèse où la fonction de transfert admet deux pôles réels espacés de plus d’une décade (approximation du pôle dominant). Calculez le gain en tension Av 0 = v s v g .2 pF . VA = ∞ Les composants CG et CE sont respectivement des condensateurs de liaison et de découplage. Etude du régime dynamique aux fréquences hautes 5. Le transistor possède les caractéristiques : β = 200. 3. Evaluez le paramètre rbe du transistor. Sylvain Géronimi Page 61 Réponse en fréquence .

Z s = RC = 1 kΩ [ ] Etude du régime dynamique aux fréquences hautes 5.2 pF . rce = ∞ car VA = ∞ IC 0 3.6 pF Cbe + Cbc = 2π UT ft Sylvain Géronimi Page 62 Réponse en fréquence . Gain en tension Av 0 ≅ − β RC ≅ − 28. Estimation de la capacité de diffusion IC 0 Cbc = 0. IC0 ≅ 5 mA Etude du régime dynamique aux fréquences moyennes rg RB vg i rbe βi RC vs RE1 2. Impédances d’entrée et de sortie Z e = RB // rbe + (β + 1)RE1 ≅ 5090 Ω (vue par le générateur d’attaque). Evaluation du courant de collecteur RB2 I 2VCC = RB C + VBE + RE1 + RE 2 I E RB1 + RB2 β ( ) avec RB = RB1 // RB2 RB ≅ 18450 Ω . Cbe ≅ 79.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Etude du régime continu RB1 IC IB VCE VBE RB2 IE RE2 RE1 RC VCC VCC 1. Evaluation des paramètres U rbe = T β ≅ 1 kΩ .25 ( + 29 dB ) rg + rbe + (β + 1)RE1 ( RB >> rg par théorème de Thévenin) 4.

v ⎧ ⎪i 0 = i1 + r be ⎪ ⎪i = i + g v m ⎨1 2 ⎪v = v 0 ⎪ ⎪v 0 ≅ rg i1 + RE1 i 2 ⎩ v0 ⎧ ⎪i1 = i 0 − r be ⎪ ⎪ ⇒ ⎨i 2 = i1 − g m v 0 ⎪v ≅ r i + R i g 1 E1 2 ⎪ 0 ⎪ ⎩ 0 = rbe // d’où Rbe RE1 rg ⎛ ⎞ ⇒ v0 ⎜ + + + g m RE1 ⎟ 1 ⎜ ⎟ ≅ rg + RE1 i 0 r r be be ⎝ ⎠ ( ) ⇒ i0 1 1 + g m RE1 = + v 0 rbe rg + RE1 rg + RE1 1 + g m RE1 0 ( Rbe ≅ 11. soit un système de 4 équations à 4 inconnues i1. Calcul de la fréquence de coupure (méthode par l’approximation du pôle dominant) 0 R bc v rbe 0 R be gm v RC rg RB RE1 0 Résistance R be du dipôle vu par Cbe lorsque Cbc est assimilé à un circuit ouvert i0 i1 rg // RB v0 v rbe i2 RE1 RC gm v Le circuit présente deux nœuds et deux mailles indépendantes. i 0 ) .3 Ω ) 0 du dipôle vu par Cbc lorsque Cbe est assimilé à un circuit ouvert Résistance R bc i0 v0 i1 rbe βi i (β+1) i RE1 i2 rg // RB RC Sylvain Géronimi Page 63 Réponse en fréquence . i 2 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 6. v et le couple recherché (v 0 .

392 10 h 1 ≅ 114 MHz (fréquence de coupure) 2π a1 7.2 GHz ( f2 > ft ). à savoir Rbc d’où a2 ≅ 1. en réalité. Sylvain Géronimi Page 64 Réponse en fréquence . puisque la Le choix du calcul de Rbc résistance r be est court-circuitée et la source liée ne débite aucun courant. car les fréquences calculées sont séparées d’une décade. ce qui signifie que les calculs du deuxième pôle et des deux zéros ne sont pas acceptables. Le résultat est alors ∞ = rg // RB // RE1 + RC ≅ 1020 Ω . très au-dela de la fréquence de coupure à 3 dB. Il ne faut pas oublier que le modèle de Giacoletto est toléré jusqu'à la fréquence de transition (400 MHz). Validation de l’approximation du pôle dominant Calcul du deuxième pôle : a1 0 ∞ ∞ 0 avec a2 = Rbe f2 ≅ Cbe Rbc Cbc ou a2 = Rbe Cbe Rbc Cbc 2π a2 ∞ bc ) : résistance du dipôle vu par C Rbe (ou Rbe be lorsque C bc est assimilé à un court-circuit ∞ be ) : résistance du dipôle vu par C Rbc (ou Rbc bc lorsque C be est assimilé à un court-circuit. immédiat.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés ⎧i 0 = i + i1 ⎪ ⎪i 0 + β i + i 2 = 0 ⎨v ≅ r i − R i g 1 C 2 ⎪ 0 ⎪rg i1 ≅ rbe i + ( β + 1)RE i 1 ⎩ 0 = RC + rg d’où Rbc ⎧ ⎪v 0 ≅ rg (i 0 − i ) + RC ( i 0 + β i ) ⇒ ⎨ ⎪ ⎩rg (i 0 − i ) ≅ rbe i + ( β + 1)RE1 i rbe + (β + 1)RE1 + β RC rg + rbe + (β + 1)RE1 ≅ 2462 Ω 0 C 0 −9 s ⇒ f ≅ a1 = Rbe be + R bc C bc ≅ 1.835 10 −19 s 2 et la fréquence de coupure est f2 ≅ 1. Cependant ces fréquences sont. i0 RE1 v0 rg // RB RC be apparaît plus judicieux au vu du schéma précédent. une meilleure précision peut être atteinte en évaluant une fréquence de coupure corrigée telle que 1 1 1 1 1 1 et f1 = fhcorrigée ≅ 127 MHz d’où ≅ 2π a1 = + ≅ − fh f1 f 2 f1 fh f2 La simulation sur Spice illustre ce résultat. Sur un plan purement analytique. La fréquence de coupure haute évaluée par l’approximation du pôle dominant est d’une précision de l’ordre de 10%.

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

Réponse en fréquence d’un étage source commune
L’étude porte sur la caractérisation du circuit de la figure ci-dessous. Le transistor à effet de champ possède les caractéristiques statiques I DSS = 15 mA, VP = −6 V et les paramètres de son modèle dynamique aux faibles signaux sont rds = ∞, Cgs = 4 pF ,Cgd = 2 pF . Les composants CG et CS sont respectivement des condensateurs de liaison et de découplage.

RD 2k rg 50 vG CG 10n R 100k RS 300 CS 100u J1 VCC 30 V vS

Etude du régime continu 1. Déterminez le point de repos du transistor. Etude du régime dynamique aux faibles signaux 2. Evaluez le paramètre g m du modèle du transistor de l’étude précédente. 3. Aux fréquences moyennes, calculez le gain en tension Av 0 = v s v g , les résistances d’entrée Ze et de sortie Z s . 4. Evaluez la fréquence de coupure basse du montage. 5. Evaluez la fréquence de coupure haute du montage.

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Page 65

Réponse en fréquence

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

Corrigé
Etude du régime continu 1. Point de repos du transistor En continu ( ω = 0 ), les condensateurs de liaison sont équivalents à des circuits ouverts 1 = ∞ ). ( Cω
+VCC
RD ID IG=0 VGS R RS VDS

⎧VCC ≅ (RD + RS )I D + VDS ⎪ 2 ⎪ ⎛ VGS ⎞ ⎜ ⎟ ⎨I D = I DSS ⎜1 − VP ⎟ ⎝ ⎠ ⎪ ⎪V ≅ − R I S D ⎩ GS

système de 3 équations à 3 inconnues ( I D , VDS , VGS )

2 VGS 2 VP

⎛ 1 2 ⎞ ⎟VGS + 1 = 0 ⇒ VGS ≅ − 2 V et I D ≅ 6.67 mA , VDS ≅ 14.7 V . +⎜ − ⎜I ⎟ o o o R V P ⎠ ⎝ DSS S

Etude du régime dynamique 2. Evaluation du paramètre g m gm = − 2 VP I DSS I Do ≅ 3.33 mA / V

3. Caractérisation aux fréquences moyennes

rg R vg

vgs gm vgs RD

vs

Dans ce domaine de fréquences, les condensateurs de liaison et de découplage sont équivalents à des courts-circuits. Calcul du gain R ⎧ v R ⎪v gs = R + r v g ⇒ v s = − g m RD v g soit Av 0 = s ≅ − g m RD ≅ − 6.66 (16.48 dB) g ⎨ R + r v g g ⎪v = − g v R m gs D ⎩ s La résistance d’entrée (vue par le circuit d’attaque sous forme Thévenin vaut Z e = R = 100 kΩ et la résistance de sortie ZS = RD = 2 kΩ .

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Page 66

Réponse en fréquence

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

4. Fréquence de coupure basse Schéma aux fréquences basses
CG

rg R vg

vgs gm vgs RD

RS

CS

La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du second ordre par la présence des deux condensateurs indépendants au sein du montage. La méthode par l’approximation du pôle dominant permet la détermination rapide de la fréquence de coupure basse (voir « Annexes »). Calcul du premier pôle :
∞ du dipôle vu par C Résistance RG G lorsque CE est assimilé à un court-circuit. ∞ RG

rg

R

vgs

gm vgs

RD

∞ RG = rg + R ≅ 100 kΩ

∞ du dipôle vu par C lorsque C Résistance RS S G est assimilé à un court-circuit.

i0 gm vgs vgs i

0 RD rg // R

RS

v0

⎧v 0 = − v gs i 1 ⎪ + gm v gs ⇒ 0 = ⎨ v 0 RS ⎪i 0 + g m v gs + RS ⎩ 1 ∞ = R // ≅ 150 Ω d’où RS S gm
1 2π

ce qui donne la fréquence de coupure à –3 dB fb ≅ Calcul du deuxième pôle :

⎛ 1 1 ⎜ ⎜ R∞ C + R∞ C S S ⎝ G G

⎞ ⎟ ≅ 170 Hz . ⎟ ⎠

0 du dipôle vu par C lorsque C Résistance RS S G est assimilé à un circuit ouvert. 0 du dipôle vu par C lorsque C est assimilé à un circuit ouvert. Résistance RG G S

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Réponse en fréquence

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

0 RG

vgs R RS

gm vgs RD
0 RS

rg

0 0 = R // RG = rg + R ≅ 100 kΩ , RS S

1 ≅ 150 Ω gm

d’où f2 ≅

1 ≅ 9.95 Hz 0 C + R0 C ) 2π (RG G S S

Calcul du zéro : Le zéro est produit par la liaison entre source et masse, couplage dû à CS . En effet, si la source du transistor est en l’air, le courant dans la charge est nul, donc RS 1 1 =∞ ⇒ p=− et f3 = ≅ 5.3 Hz . 2π RS CS 1 + RSCS p RS CS Les résultats sont valables avec une précision satisfaisante car les deux pôles sont séparés d’un peu plus d’une décade et le zéro est situé légèrement en dessous du pôle le plus bas (voir la simulation sur Spice). 5. Fréquence de coupure haute Schéma aux fréquences hautes
Cgd R vg Cgs vgs gm vgs RD vs

rg

La fonction de transfert en tension est du type passe-bas du second ordre par la présence des deux capacités indépendantes au sein du montage. La méthode par l’approximation du pôle dominant est mise en œuvre. Calcul du premier pôle :
0 Rgd

rg

R

vgs

0 R gs

RD gm vgs

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Réponse en fréquence

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

Résistance du dipôle vu par Cgs lorsque Cgd est assimilé à un circuit ouvert :
0 Rgs = rg // R ≅ 50 Ω

Résistance du dipôle vu par Cgd lorsque Cgs est assimilé à un circuit ouvert :
i0 0 Rgs vgs v0

gm vgs RD

0 ⎧ ⎪v 0 = Rgs i 0 + RD i 0 + g m v gs ⎨ 0 ⎪ ⎩v gs = Rgs i 0

(

)

0 = (1 + g R )R 0 + R ≅ 2383 Ω Rgd m D gs D

0 C 0 −9 s , f ≅ a1 = Rgs gs + R gd C gd ≅ 4.97 10 h

1 ≅ 32 MHz ce qui donne la fréquence de coupure 2π a1

à –3 dB. Calcul du deuxième pôle :
gs du dipôle vu par Cgd lorsque Cgs est assimilé à un court-circuit : Résistance Rgd

gs Rgd

v=0 gm v = 0

RC

gs Rgd = R D = 2 kΩ

0 C R gs C −19 s 2 , d’où f ≅ a2 = Rgs gs gd gd ≅ 8 10 2

a1 ≅ 989 MHz 2π a2

Calcul du zéro : Le zéro est produit de manière telle que le courant circulant dans la charge RD est nul, couplage dû à Cgd . En effet, le courant circulant dans la branche supportant Cgd est égal au courant fourni par la source liée, donc
Cgd p Vgs ( p ) = g m Vgs ( p ) ⇒ p =

gm gm ≅ 265 MHz et f3 = Cgd 2π Cgd

La fréquence de coupure haute demeure valable avec une bonne précision, malgré la présence du zéro qui s’intercale entre les deux pôles. Notons que le domaine de validité du modèle de comportement en fréquence du transistor est acceptable puisqu’il n’existe pas de phénomène de diffusion pour un JFET (modélisation de deux diodes en inverse).

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Réponse en fréquence

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

La simulation sur Spice illustre ces résultats.
20 (173.235, 13.788) (58.434K, 16.448) pente 20 dB/décade 0 (13.335, -6.7119) (949.014M, -4.2491737m) pente - 20 dB/décade (5.1989, -17.281) pente 20 dB/décade pente - 20 dB/décade (271.227M, 923.737m) (33.283M, 13.501)

pente 40 dB/décade -20

-40 1.0Hz 10Hz DB(V(S))

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz Frequency

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

10GHz

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Réponse en fréquence

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

Réponse en fréquence d’un étage pseudo-source commune
Le sujet proposé porte sur l’étude du montage de la figure ci-dessous, représenté dans son régime dynamique aux faibles signaux. Le paramètre rds du modèle en comportement linéaire du transistor JFET est supposé de valeur très importante. Le composant CG est un condensateur de liaison et la valeur de la résistance du dipôle d’attaque est telle que rg << R .

RD rg CG J1

vS

vg

R

RS

Etude du régime dynamique aux fréquences moyennes 1. Dessinez le schéma. 2. Ecrivez les expressions du gain en tension Av 0 = v s v g et des résistances d’entrée ze et de sortie zs du montage. Etude du régime dynamique aux fréquences basses 3. Dessinez le schéma. 4. Ecrivez la fréquence fb de coupure basse du montage. Etude du régime dynamique aux fréquences hautes 5. Dessinez le schéma. On se place dans l’hypothèse où la fonction de transfert admet deux pôles réels espacés de plus d’une décade (approximation du pôle dominant) et zéros très éloignés.
0 , résistance dynamique vue par C 6. Donnez l’expression analytique de Rgs gs à fréquence nulle. 0 , résistance dynamique vue par C 7. Donnez l’expression analytique de Rgd gd à fréquence nulle.

∞ gd (ou Rgs ), résistance du dipôle vu par Cgs lorsque 8. Donnez les expressions analytiques de Rgs
∞ gs ), résistance du dipôle vu par Cgd lorsque Cgs Cgd est assimilé à un court-circuit et Rgd (ou Rgd

est assimilé à un court-circuit qui permettent de valider l’hypothèse du pôle dominant en déterminant la position du deuxième pôle.

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Page 71

Réponse en fréquence

Schéma rg CG ze = R 4. Gain en tension et résistance d’entrée ⎧ ⎪v s = − g m v gs RD ( R >> rg par théorème de Thévenin) ⎨ ⎪ ⎩v g ≅ v gs + g m v gs RS v g R ⇒ Av 0 = s ≅ − m D et ze = R (vue par le générateur d’attaque). Schéma rg R vg RS vgs gm vgs RD vs 2. donc la fréquence de coupure basse fb = 1 . Schéma 0 Rgd vgs 0 R gs gm vgs RD rg R RS Sylvain Géronimi Page 72 Réponse en fréquence . zs = RD . ce qui fournit la constante de temps de coupure. 2 π ( rg + ze )CG Etude du régime dynamique aux fréquences hautes 5. Fréquence de coupure basse Le condensateur voit à ses bornes un dipôle passif ( v g éteint) de résistance ze + rg . vg 1 + g m RS Etude du régime dynamique aux fréquences basses 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Etude du régime dynamique aux fréquences moyennes 1.

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

Calcul du premier pôle : La fréquence de coupure à – 3 dB s’écrit f1 ≅ 1 2π a1
0 0 avec a1 = Rgs Cgs + Rgd Cgd (sous condition

d’un pôle dominant). 0 : résistance du dipôle vu par Cgs lorsque Cgd est assimilé à un circuit ouvert. Rgs
0 : résistance du dipôle vu par Cgd lorsque Cgs est assimilé à un circuit ouvert. Rgd

0 6. Ecriture analytique de la résistance R gs

i0

rg // R

vgs v0

i1 RS

RD

gm vgs

⎧i 0 = i1 + g m v gs ⎪ ⎧ ⎪i 0 = i1 + g m v 0 ⎪ ⇒ ⎨ ⎨v 0 = v gs ⎪ ⎪ ⎩v 0 ≅ rg i 0 + RS i1 ≅ + v r i R i ⎪ 0 g 0 S 1 ⎩ r g + RS v 0 d’où Rgs . = 0 ≅ i 0 1 + g m RS

⇒ v 0 ≅ rg i 0 + RS (i 0 − g m v 0 )

0 7. Ecriture analytique de la résistance Rgd

i0

v0

i1 vgs gm vgs RD

rg // R RS

⎧i 0 + g m v gs + i1 = 0 ⎪ ⎪ ⎨v 0 ≅ rg i 0 − RD i1 ⎪ ⎪rg i 0 ≅ v gs + g m v gs RS ⎩

⎧ ⎪v 0 ≅ rg i 0 + RD (i 0 + g m v gs ) ⇒ ⎨ ⎪ ⎩rg i 0 ≅ v gs (1 + g m RS ) ⎞ ⎟ ⎟ ⎠

⇒ v 0 ≅ ( rg + R D ) i 0 +

rg g m RD 1 + g m RS

i0

g m rg ⎛ 0 ≅ rg + RD ⎜ d’où Rgd ⎜1 + 1 + g R m S ⎝

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Page 73

Réponse en fréquence

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

8. Pour la validation de l’approximation du pôle dominant Calcul du deuxième pôle : a1 0 ∞ ∞ 0 avec a2 = Rgs f2 ≅ Cgs Rgd Cgd ou a2 = Rgs Cgs Rgd Cgd 2π a2
∞ gd Rgs (ou Rgs ) : résistance du dipôle vu par Cgs lorsque Cgd est assimilé à un court-circuit. ∞ gs Rgd (ou Rgd ) : résistance du dipôle vu par Cgd lorsque Cgs est assimilé à un court-circuit. ∞ Ecriture analytique de la résistance Rgd

i0

RS v0

rg // R 0

RD

∞ apparaît plus judicieux au vu du schéma précédent, puisque la tension Le choix du calcul de Rgd

v gs est nullee et la source liée ne débite aucun courant. Le résultat est alors immédiat, à savoir
∞ Rgd ≅ rg // RS + RD . ∞ Ecriture analytique de la résistance Rgs

i0

RD v0 vgs

rg // R

gm vgs RS

⎧v 0 = v gs ⎪ ⎪ ⎨v 0 ≅ (RD // rg + RS ) i1 ⇒ v 0 = (RD // rg + RS ) (i 0 − g m v 0 ) ⎪ ⎪ ⎩i 0 = i1 + g m v gs v 1 ∞ d’où Rgs //(RD // rg + RS ) . = 0 = i0 gm

Dans les deux cas, nous devons retrouver la même écriture analytique de a2 .

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Réponse en fréquence

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

Réponse en fréquence d’un étage cascode
L’étude proposée porte sur le comportement en fréquence du montage de la figure ci-dessous. Les deux transistors sont supposés identiques :

β = 100, ft = 100 MHz, Cbc = 4 pF , VA = ∞
Les composants CG , CB , CE sont respectivement des condensateurs de liaison et un condensateur de découplage.
RB1 2.2k RB2 1.2k rg + 50 RB3 560 RE 220 CG Q1 vS CE CB Q2 RC 560 + VCC 20 V

vG

Etude du régime continu 1. Dans l’hypothèse où l’on suppose les courants de base des transistors négligeables devant le courant circulant dans la maille définie par RB1 , RB2 , RB3 et VCC , déterminez les points de fonctionnement des deux transistors. Validez cette hypothèse. Etude du régime dynamique aux faibles signaux 2. Déduisez les paramètres rbe des transistors de l’étude précédente. 3. Aux fréquences moyennes, calculez les valeurs de la résistance d’entrée ze , de la résistance de sortie zs et du gain en tension Av 0 = v s v g du montage. 4. Déterminez la fréquence de coupure haute. 5. Donnez les spécificités d’un tel amplificateur.

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Réponse en fréquence

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

Corrigé
Etude du régime continu
RB1 IB2 VCE2 Q1 IB1 VCE1 RB3 VBE1 RE VBE2 IC1 Q2 IC2 + VCC RC

RB2

1. Points de repos D’après l’hypothèse formulée, le courant de maille est I ≅
VCC RB1 + RB2 + RB3

L’hypothèse de départ fait négliger deux fois 100 µA devant 5.05 mA (≅ 4%) VCE1 ≅ VCE2 ≅ 6.1V , IC1 ≅ IC2 ≅ IC o = 10 mA
o o o o

Etude du régime dynamique aux faibles signaux 2. Résistances dynamiques des jonctions base-émetteur U rbe = rbe1 = rbe2 = T β ≅ 250 Ω donc g m = g m1 = g m2 ≅ 0.4 A / V IC 0 3. Caractérisation aux fréquences moyennes
β i2

rg RB vg v rbe1 gm v

i2 rbe2 RC vs

ze = RB // rbe ≅ 151 Ω avec RB = RB2 // RB3 , zs = RC = 560 Ω

⎧g m v = (β + 1)i 2 ⎪ v ze ze ⎪ v g ⇒ Av 0 = s = ⎨v = v z z r + g e + rg e g ⎪ ⎪v = − R β i C 2 ⎩ s

⎛ β ⎞⎛ β RC ⎜ ⎜ − β + 1⎟ ⎟⎜ ⎜ ⎝ ⎠⎝ rbe

⎞ ⎟ ≅ −168 (+ 44.4 dB) ⎟ ⎠

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

4. Fréquence de coupure haute
Cbe1 = Cbe2 = Cbe car Cbc1 = Cbc 2 = Cbc et même fréquence de transition Cbe + Cbc = IC 0

2π UT ft

( Cbc = 4 pF , Cbe ≅ 633 pF )

Méthode par l’approximation du pôle dominant
0 Rbc 1 gm v2

RG

RB

v1

gm v1 rbe1
0 R be 1 0 Rbe 2

v2

rbe2 0 Rbc 2

RC

Ce circuit présente trois éléments capacitifs indépendants, puisqu’une maille n’est composée que de ce type d’éléments. Le système est donc d’ordre 3. Calcul du premier pôle : 1 0 0 0 0 fh ≅ avec a1 = Rbe C + Rbc C bc1 + Rbe C be2 + Rbc Cbc 2 1 be1 1 2 2 2 π a1 Résistance du dipôle vu par Cbe1 lorsque les autres éléments capacitifs sont assimilés à des
0 = rg // RB // rbe1 ≅ 37.6 Ω . circuits ouverts : Rbe 1

Résistance du dipôle vu par Cbe2 lorsque les autres éléments capacitifs sont assimilés à des
0 = circuits ouverts : Rbe
2

rbe2

β +1

≅ 2.48 Ω .
gm v2

v0

v2

rbe2

RC

Résistance du dipôle vu par Cbc1 lorsque les autres éléments capacitifs sont assimilés à des
0 = R 0 (1 + α ) + R 0 circuits ouverts : Rbc be be ≅ 77.24 Ω .
1 1 2

i0

v1 v0

0 Rbe 1

i1
0 Rbe 2

gm v1

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

Résistance du dipôle vu par Cbc 2 lorsque les autres éléments capacitifs sont assimilés à des
0 = RC = 560 Ω . circuits ouverts : Rbc
2

a1 ≅ 2.79 10 −8 s , fh ≅ 5.7 MHz ce qui donne la fréquence de coupure à –3 dB par l’approximation du pôle dominant.

Calcul du deuxième pôle : Les éléments capacitifs sont pris par paire (6 combinaisons) pour l’évaluation du coefficient a 2 . f2 ≅ a1 2 π a2 avec
rbe1
be1 be1 be1 0 0 0 a2 = Rbe C Rbc Cbc1 + Rbe C be1 Rbe Cbe2 + Rbe C Rbc Cbc 2 1 be1 1 1 be1
1 2 2

bc1 0 + Rbc C bc1 Rbe Cbe2 1 2

bc1 0 + Rbc C Rbc Cbc 2 1 bc1 2

be2 0 + R be C be2 Rbc Cbc 2 2 2

be1 be1 = Rbc = Rbe
2 1

β +1

bc1 be1 be2 bc1 0 // ≅ 2.48 Ω , Rbc = Rbc = Rbc = RC = 560 Ω , Rbe = Rbe
2 2 2 2 1

rbe2 1 // ≅ 1 .2 Ω g m1 β + 1

a2 ≅ 9.53 10

−17

s 2 , f2 ≅ 46.6 MHz

Ce résultat montre que l’hypothèse du pôle dominant donne une fréquence de coupure à plus de 10% près, puisque un peu moins d’une décade sépare les deux pôles, le troisième pôle étant supposé plus haut en fréquence. Les fréquences de coupure dûes aux zéros sont très hautes. Sur un plan purement analytique, une meilleure précision peut être atteinte en évaluant une fréquence de coupure corrigée (négligeant la présence du troisième pôle) telle que 1 1 1 1 1 1 ≅ 2π a1 = + d’où ≅ − et f1 = fhcorrigée ≅ 6.5 MHz fh f1 f 2 f1 fh f2 La simulation sur Spice présente le même résultat. 5. Spécificités de l’amplificateur L’amplificateur cascode est composé de deux étages (système du 3° ordre) : un étage émetteur commun d’amplification en courant égale à β et d’amplification en tension inférieure à l’unité puisque la charge dynamique de cet étage est la résistance dynamique de la jonction base-émetteur d’un transistor monté en base commune (2.5 Ω). Cette très faible amplification en tension permet de minimiser la valeur de la capacité Cbc ramenée à l’entrée de l’étage par l’application du théorème de Miller et, par conséquent, d’obtenir la bande passante la plus large possible, un étage base commune d’amplification en courant α et possédant une fréquence de coupure de l’ordre de la fréquence de transition. Cet étage apporte une amplification en tension importante.

-

L’ensemble des deux étages forme alors un amplificateur de puissance possédant une bande passante élevée.

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

Réponse en fréquence d’un montage émetteur commun-collecteur commun
L’étude proposée porte sur le comportement en fréquence du montage de la figure ci-dessous. Les transistors possèdent les caractéristiques suivantes

β = 150, ft = 70 MHz,Cbc = 13.6 pF , VA = 100 V
Les composants C1 , C2 et C3 sont respectivement des condensateurs de liaison et de découplage.

RB1

RC 10k Q1 C3 10µ Q2 VCC 25Vdc

R1 2.2k

ie

C1 47µ

vg

ve

RB2 82k

RE 1k

C2 100µ

R2 2.2k

R3 22k

vs

RP

Etude du régime continu 1. Déterminez la valeur de la résistance de polarisation RB1 pour que le potentiel d’émetteur de Q2 soit à VCC 2 ( VBEo ≅ 0.6 V ). Etude du régime dynamique aux faibles signaux sans contre-réaction ( RP = ∞ ) 2. Déduisez, à partir des courants de polarisation, les paramètres dynamiques des modèles faibles signaux rbe , rce , Cbe de Q1 et Q2 . 3. Aux fréquences moyennes, évaluez le gain en tension A v o = v s v g , puis caractérisez le montage en l’absence de R1 ( A v = v s v e , Ze , Zs ). 4. Evaluez la fréquence de coupure basse du montage. 5. Evaluez la fréquence de coupure haute du montage et démontrez que la marge de phase Φ M est supérieure à 45°. Etude du régime dynamique aux faibles signaux avec contre-réaction 6. Constatez que les variables de polarisation ne sont pas modifiées par la présence de RP . 7. Aux fréquences moyennes, évaluez la résistance de transfert Rt = v s i e de la chaîne directe et dessinez le schéma équivalent du montage. Précisez le type de contre-réaction. 8. Aux fréquences moyennes, caractérisez le montage en boucle fermée et évaluez les paramètres ' ' ' Rt' , Ze , Zs et Av = v s v g pour RP = 150 kΩ et 27 kΩ. o 9. Déterminez la bande passante du montage pour les deux valeurs de contre-réaction.

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6 V Q2 12.6 V 82k 21. Evaluation de la résistance RB1 IC1 ≅ 1.15 mA . o o Etude du régime dynamique 2.68 mA 2.6 pF 3. Cbe2 = 13.5 V 5.46 µA 1. R1 RB vg v1 rbe1 gm1 v1 rce1 RC vs1 Z s1 RB // rbe1 ⎧ vg ⎪v 1 = R1 + RB // rbe1 ⎨ ⎪v = − g v R // r m1 1 C ce1 ⎩ s1 ( ) ⇒ A1 = v s1 vg =− β rbe1 B // rbe (RC // rce ) R R + R // r 1 1 ≅ − 242 be1 1 B zs1 = RC // rce1 ≅ 8969 Ω Le circuit équivalent de Thévenin obtenu attaque l’étage collecteur commun. Z s1 ). Cbe1 ≅ 91 pF .1 V 7.68 µA Q1 0.19 mA RB1 10k 37. Caractérisation du montage aux fréquences moyennes Suivant la méthode de la caractérisation d’étages en cascade. Cbe1 = 13. Sylvain Géronimi Page 80 Réponse en fréquence .76 V 13.6 pF Q2 → rbe2 ≅ 664 Ω .6 µA 29.36 kΩ .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Etude du régime continu 25 V 1. Cbe2 ≅ 500 pF .14 µA 1.16 mA 0.7 kΩ . Paramètres dynamiques des modèles JBT Q1 → rbe1 ≅ 3260 Ω . RB1 ≅ 798 kΩ d’où le pont de base RB = RB1 // RB2 ≅ 74.2k 1.64 mA . rce1 ≅ 87 kΩ .16 V 1k 1. IC2 ≅ 5. nous déterminons l’équivalent de Thévenin à vide du premier étage ( v s1 . rce2 ≅ 17.

le transfert du montage vaut Av o = vs = A1 A2 ≅ − 234 soit 47. Z s = zs2 ≅ 62 Ω . Fréquence de coupure basse Schéma C1 rbe2 R1 RB vg i1 rbe1 β i1 rce1 RC β i2 rce2 R2 R3 i2 C3 RE C2 La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du troisième ordre par la présence des trois condensateurs indépendants au sein du montage.6 Ω [ ] β +1 Ainsi. zs2 = R // zs1 + rbe2 ≅ 61. ve rbe1 La caractérisation demandée en l’absence de R1 est la suivante : Z e = RB // rbe1 ≅ 3123 Ω . ∞ R1 R1 RB i1 rbe1 β i1 rce1 RC ze2 ∞ R1 = R1 + RB // rbe1 ≅ 5323 Ω Sylvain Géronimi Page 81 Réponse en fréquence . A v = ( ) 4.966 ⎨ ( ) = + v β 1 R i v z r + ⎪ 2 s1 s1 be2 + (β + 1)R ⎩ s2 ze2 = rbe2 + (β + 1)R ≅ 272 kΩ .4 dB vg vs β =− RC // rce1 A2 ≅ − 399 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés rbe2 i2 zs1 β i2 vs1 rce2 R2 // R3 vs2 zs 2 Posons R = rce2 // R2 // R3 ≅ 1797 Ω ⎧ vs (β + 1)R ⎪v s1 = zs1 + rbe2 + (β + 1)R i 2 ⇒ A2 = 2 = ≅ 0. Calcul du premier pôle : ∞ Résistance R1 du dipôle vu par C1 lorsque C2 et C3 sont assimilés à des courts-circuits. La méthode par l’approximation du pôle dominant est utilisée pour le calcul de la fréquence de coupure.

si l’émetteur du transistor est en l’air. Sylvain Géronimi Page 82 Réponse en fréquence . nous écrivons l’expression de la résistance du dipôle en l’absence de RE . rce // RC + rbe2 ∞ R= 1 // rce2 // R2 d’où R3 = R + R3 ≅ 22078 Ω β +1 ce qui donne la fréquence de coupure à – 3 dB.14 Ω i0 ∞ Résistance R3 du dipôle vu par C3 lorsque C1 et C2 sont assimilés à des courts-circuits. donc RE 1 1 et f2 = =∞ ⇒ p=− ≅ 1. couplage dû à C2 . cette dernière étant branchée en parallèle sur ce dipôle. ⎧i + (β + 1)i + i = 0 0 1 ⎪ ⎪ v = − r ⎨ 0 be1 + R1 // RB i1 ⎪ ⎪v 0 = − rce1 i − ze2 // RC (β i1 + i ) ⎩ ( ( ) ) ⇒ ⎡ β ze2 // RC ⎤ i0 1 β +1 = + ⎢1 − ⎥ v 0 rbe1 + R1 // RB ⎢ r + R // R r + z ⎥ ce1 be1 1 B⎦ e2 // RC ⎣ ( β +1 ⎧ ⎪i 0 = r + R // R v 0 − i be1 B 1 ⎪ ⇒ ⎨ ⎪v = − r + z // R i + β ze2 // RC v ce1 e2 C 0 ⎪ 0 rbe1 + R1 // RB ⎩ ( ) ( ) ) ∞ d’où R2 = v0 // RE ≅ 38. le courant dans la charge est nul. En effet. ∞ R3 i2 rbe2 rce1 0 RC β i2 rce2 R2 R3 La résistance R du dipôle de gauche est en série avec la résistance R3 . i0 rbe1 R1 rce1 β i1 RC ze2 i β i1 rce1 i1 rbe1 RE v0 //RB i1 RE ∞ R2 ze2 //RC R1 //RB Afin de simplifier le calcul analytique.6 Hz 2π RE C2 1 + RE C 2 p RE C 2 Cette fréquence est relativement proche de la fréquence de coupure (environ une décade et demi).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés ∞ Résistance R2 du dipôle vu par C2 lorsque C1 et C3 sont assimilés à des courts-circuits. fb ≅ 1 2π ⎛ 1 1 1 ⎜ + ∞ + ∞ ⎜ R∞ C ⎝ 1 1 R 2 C 2 R3 C 3 ⎞ ⎟ ≅ 43 Hz ⎟ ⎠ Calcul du zéro : Le zéro est produit par la liaison entre émetteur et masse. mais interfère très peu sur la fréquence de coupure basse du montage.

Calcul du premier pôle : 1 0 0 0 0 avec a1 = Rbe C + Rbc Cbc1 + Rbe Cbe2 + Rbc Cbc 2 fh ≅ 1 be1 1 2 2 2 π a1 Résistance du dipôle vu par Cbe1 lorsque les autres éléments capacitifs sont assimilés à des 0 circuits ouverts : Rbe = R1 // Z e ≅ 1291 Ω . 1 Résistance du dipôle vu par Cbc1 lorsque les autres éléments capacitifs sont assimilés à des circuits ouverts : i0 v0 rbe2 v1 gm1 v1 0 Rbe zs1 1 i2 β i2 R 0 ⎧v 0 = Rbe i + zs1 // ze2 i 0 + g m1 v 1 ⎪ 1 0 ⎨ 0 ⎪ ⎩v 1 = R be1 i 0 ( )( ) 0 0 0 ⇒ Rbc = Rbe + zs1 // ze2 1 + g m1 Rbe ≅ 525.44 Ω v0 ⎧ +i ⎪i 0 = r ⇒ ⎨ be2 ⎪v 1 + g R = z + R i m2 s1 ⎩ 0 ( ) ( ) ⇒ i0 = (1 + g m R )v 0 + v 0 2 zs1 + R rbe2 0 ⇒ Rbe = rbe2 // 2 Sylvain Géronimi Page 83 Réponse en fréquence . puisqu’une maille n’est composée que de ce type d’éléments.7 kΩ 1 1 1 ( )( ) Résistance du dipôle vu par Cbe2 lorsque les autres éléments capacitifs sont assimilés à des circuits ouverts : i0 zs1 v0 v rbe2 gm2 v R i ⎧v = v ⎪ 0 ⎪ v +i ⎨i 0 = rbe2 ⎪ ⎪v = z i + R i − g v s1 m2 ⎩ 0 ( ) zs1 + R 1 + g m2 R ≅ 25. Fréquence de coupure haute Schéma 0 Rbe 0 Rbc 1 2 i2 rbe2 R1 v1 gm1 v1 Ze 0 Rbe 1 zs1 0 Rbc β i2 R 2 Ce circuit présente trois éléments capacitifs indépendants.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 5. Le système est donc d’ordre 3. La méthode par l’approximation du pôle dominant est utilisée.

0Hz DB(V(S)) 10Hz 100Hz 1.40 10 −6 s .0GHz Sylvain Géronimi Page 84 Réponse en fréquence .376) (21. 47.258. L’hypothèse du pôle dominant est donc vérifiée à une précision de 0.0MHz 10MHz 100MHz 1. -38. 2π a1 Calcul du deuxième pôle : Les éléments capacitifs sont pris par paire (6 combinaisons) pour l’évaluation du coefficient a2 .0000K. 1 2 2 2 2 bc1 0 Rbc = Rbe // 1 2 1 bc1 // zs1 // ze2 ≅ 21.642m) 0 produit gain x bande constant (30.44 Ω . circuits ouverts : Rbc 2 d’où a1 ≅ 7. Rbe = rbe2 // 2 g m1 0 Rbe 1 1 // // zs1 + R g m1 1 + g m2 R ≅ 4. Le produit gain x fréquence de coupure haute reste constant Av o fh ≅ 5 MHz puisque le deuxième pôle apparaît au dessous de l’axe des 0 dB. -17. a1 f2 ≅ 2 π a2 avec be1 be1 be1 0 0 0 a2 = Rbe C Rbc Cbc1 + Rbe C be1 Rbe Cbe2 + Rbe Cbe1 Rbc Cbc 2 1 be1 1 1 1 2 2 bc1 bc1 be2 0 0 0 + Rbc C bc1 Rbe Cbe2 + Rbc Cbc1 Rbc Cbc 2 + R be C be2 Rbc Cbc 2 1 1 2 2 2 2 be1 be1 be1 be2 0 Rbc = Rbc = zs1 // ze2 ≅ 8683 Ω .1 % pour ce type de calcul analytique.750) (5. Rbe = Rbe ≅ 25. 19.376) (1. les fréquences issues des pôles sont valables et séparées de trois décades.0119M.744 10 −14 s 2 . 44. f2 ≅ 24.8 MHz Calcul du zéro : Le zéro du montage émetteur commun est produit de manière telle que le courant circulant dans la capacité de couplage Cbc1 soit entièrement absorbé par la source liée (tension nulle sur la charge) Cbc1 p V1( p ) = g m1 V1( p ) ⇒ p = g m1 Cbc1 et f z = g m1 2π Cbc1 ≅ 540 Mhz Malgré que ce calcul outrepasse le domaine de validité du modèle de comportement en fréquence des transistors ( ft = 70 Mhz ). fh ≅ 1 ≅ 21.32 Ω .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Résistance du dipôle vu par Cbc 2 lorsque les autres éléments capacitifs sont assimilés à des 0 = zs1 // ze2 ≅ 8683 Ω . 44. ce qui démontre une bonne stabilité de l’amplificateur. à la fréquence de 25 MHz.376) 40 (1.824M.2589. Le comportement du système est donc du premier ordre et la marge de phase est nettement supérieure à 45°.0KHz 10KHz Frequency 100KHz 1.990) -40 marge de phase ≅ 82° -80 100mHz 1. La simulation sur Spice illustre ces résultats. Rbc = zs1 // R ≅ 1497 Ω .5 kHz ce qui donne la fréquence de coupure à –3 dB. 80 (42.44 Ω d’où a2 ≅ 4.527K.

Résistance de transfert aux fréquences moyennes is ig R1 2.0MHz 10MHz 100MHz 1.9 dB) ie (contre-réaction tension courant) 8.0KHz 10KHz Frequency 100KHz 1. ig R1 2.559K.5 10 −3 << 1 ⎜ ⎟ RP RP ⎝ v s ⎠ RP vs Av quadripôle de retour est attaqué en tension ( Z s << RP ). Polarisation du montage en contre-réaction Les condensateurs de liaison C1 et C2 isolent la résistance RP du continu.2k ve vg R t ie ie RP 27k Zs 62 vs Ze 3123 ⎧v e = Z e i e ⎪ vs ⎨ ⎪Av = v e ⎩ v ⇒ R t = s = A v Z e ≅ − 1246 kΩ (121.007) -200d (5. Caractérisation du montage aux fréquences moyennes La contre-réaction fait apparaître une topologie parallèle en entrée et en sortie.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 0d (40.-135. les nouveaux paramètres diminuent dans un rapport 1 + Y Rt (voir cours « La contre-réaction »). is = ⇒ Y = is 1 ≅− vs RP et le Sylvain Géronimi Page 85 Réponse en fréquence .0119M. 7.-180.285) (21.-277.0GHz 6.018) (1.-315. De ce fait.133M.848) -400d (34.596.-225. les paramètres des modèles des transistors restent donc inchangés.031) -600d 100mHz 1.0Hz P(V(S)) 10Hz 100Hz 1.0000K.2k ve vg R’ t ig Z’s Z’e vs ⎧ ' Rt ⎪Rt = 1 + Y Rt ⎪ ⎪ Ze ⎪ ' ⎨Ze = Y Rt 1 + ⎪ ⎪ ' Zs ⎪Zs = ⎪ 1 Y Rt + ⎩ v ve − vs v ⎛ ve ⎞ v 1 ⎟ =− s ⎜ 1− ≅− s car − e = ≅ 2.

312) 0 (2.7 Hz .44 Hz −1 ⇒ fb' ≅ 9. La valeur de la fréquence de coupure basse du système contre-réactionné peut être approchée en considérant que son comportement asymptotique est proche du premier ordre (zéro et deuxième pôle très voisins).434) (436.2 (42.234 . fb' ≅ 2. 9.15 ' = Av Rt' ' R1 + Ze ≅ − 11.499K.11. 31.45 dB) ⎨ ' ' R1 + Z e v R Z i = + ⎪ g e g 1 ⎩ ( ) ' ' Pour RP = 27 kΩ .43 5323 2536 2266. Z e ≅ 66.0000K.0000K.376) (1.0Hz DB(V(S)) 10Hz 100Hz 1.2 kΩ . fh' ≅ 432 kHz respectivement pour RP = 150 kΩ et 27 kΩ. Le rapport gain fréquence de coupure basse est alors à peu près conservé. 18.8 .2 Ω . 44. Ze ≅ 336 Ω . -38.8 (34.2179.2 62 6. Rt' ≅ − 133.433) (1.434) 40 (1.3 Ω avec 1 + Y Rt ≅ 47.242.098.7 21.3 dB) La résistance d’entrée du montage est augmentée de la valeur de la résistance série R1 = 2.375) (10.47. 44.307 ' ⎧ Rt' ⎪v s = Rt i g ' ⇒ Av = ≅ − 52.237K. Rt' ≅ − 26.4 432 43 9.4 kHz .34.66 (21.52.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés ' ' Pour RP = 150 kΩ .6 Ω avec 1 + Y Rt ≅ 9. ' ' A v o fh = A v fh ≅ 5.03 MHz ⇒ fh' ≅ 95.313) (21.5 95.0000K.133.0MHz 10MHz 100MHz Frequency Sylvain Géronimi Page 86 Réponse en fréquence .21.3 .534K.643m) -40 100mHz 1.315) (5. Av o ≅ 5.2 Hz respectivement pour RP = 150 kΩ et 27 kΩ.1246 .0KHz 10KHz 100KHz 1. Zs ≅ 6.0119M. 31. 18.43 kΩ .6 1.7 2.8 .26.376) (95. fb Tableau récapitulatif : RP (kΩ ) Rt' (kΩ ) ' Ze (Ω) ' Zs (Ω) ' Av fh' (kHz ) fb' (Hz ) ∞ 150 27 Simulation 80 . Z s ≅ 1. Bande passante du montage Le produit gain fréquence de coupure haute se conserve car le circuit se comporte comme un système du premier ordre à cause du pôle dominant.8 kΩ .

Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 4. Evaluez la résistance R pour obtenir IC2 = 200 µA . ( ) IC2 . V A = 100 V ) et les tensions d’alimentation VCC = 15 V . 5. Prouvez que la source est représentée par une simple résistance z0 et évaluez celle-ci. Sans négliger le moindre terme sur les courants. rbe2 . rce1 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Miroir de courant élémentaire pour polarisation d’étage On considère l’étage de polarisation de la figure ci-dessous dans lequel les transistors sont supposés technologiquement identiques ( β = 200.6 V. Donnez la précision du miroir par l’évaluation de l’erreur définie comme étant ε = I pol − IC2 3. écrivez l’expression de IC 2 en fonction de I pol . Evaluez les paramètres dynamiques rbe1 . 2. +VCC Ipol R IC2 Q1 Q2 -VCC Etude du régime continu 1. rce2 des modèles des transistors. Sylvain Géronimi Page 87 Eléments de circuits intégrés . VBE de l’ordre de 0.

rce ≅ 500 kΩ o 5. Cette charge dynamique est de valeur relativement importante ( z0 ≅ 500 kΩ ). en particulier v = 0 entraîne g m v = 0 . Evaluation de la résistance R R= 2VCC − VBE1 β + 2 ≅ 148 kΩ β IC 2 (équation non linéaire car VBE1 est fonction de I BS ) La valeur de VBE1 sera approchée par une tension de 0. Caractérisation de la charge dynamique i0 R rce gm v rbe v rbe gm v rce v0 L’absence de source d’excitation dynamique à l’entrée du montage fait qu’aucun courant n’existe dans la partie gauche du circuit. Sylvain Géronimi Page 88 Eléments de circuits intégrés .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1. Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 4. β1 = β 2 = β ⇒ ⎨ VBE2 ⎪ ⎪IC2 ≅ β I BS e UT ⎩ Equations du circuit : ⎧ ⎪VBE1 = VBE2 ⇒ I B1 = I B2 et IC1 = IC2 ⎨ ⎪ ⎩I pol = I B1 + I B2 + IC2 2. soit rbe ≅ 25 kΩ .6 V. Expression de IC2 (I pol ) Equations technologiques : VBEi ICi = β I Bi = β I BS e UT ⎛ VCEi ⎜1 + ⎜ VA ⎝ ⎞ ⎟ ≅ β I BS e UT ⎟ ⎠ VBEi en négligeant l’effet Early (VCEi << VA ) Q1 ≡ Q2 → I BS1 = I BS2 VBE1 ⎧ ⎪I ≅ β I e UT BS ⎪ C1 = I BS . Evaluation des paramètres dynamiques des transistors rbe = rbe1 = rbe2 ≅ UT V β et rce = rce1 = rce2 ≅ A IC 2 IC 2 o (VCE i << VA ) . Précision du miroir ⇒ IC2 = β I pol β +2 ε= I pol IC 2 −1= 2 β = 1% 3. d’où z0 = v 0 i 0 = rce .

Ai = ⎜ ⎜i ⎟ ⎟ ⎜i ⎟ ⎜i ⎟ ⎝ e ⎠v s =0 ⎝ e ⎠v s =0 ⎝ s ⎠ i e =0 Sylvain Géronimi Page 89 Eléments de circuits intégrés . 4. VA = 100 V ). effectué par le montage de la figure ci-dessous. Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 2. Caractérisez la source de courant dynamique telle que ⎛ ve ⎞ ⎛ vs ⎞ ⎛ is ⎞ ⎟ ⎟ . Ecrivez l’expression de IS en fonction de I E . rce2 des modèles des transistors pour IS = 200 µA .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Miroir de courant élémentaire pour transfert dynamique On considère le transfert du courant i E (t ) = I E + i e (t ) vers la sortie. Les transistors sont supposés technologiquement identiques ( β = 200. Donnez les conditions idéales. rbe2 . Précisez les conditions d’attaque et de charge de ce quadripôle. rce1 . Evaluez les paramètres dynamiques rbe1 . 3. Ze = ⎜ . Zs = ⎜ et dessinez le quadripôle équivalent. iE (t) iS (t) vE (t) Q1 Q2 vS (t) Etude du régime continu 1.

Ze = ⎜ = be ≅ 124 Ω . On retrouve le cas d’une source pour polarisation d’étage présentant sa charge dynamique Z s (dipôle).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Etude du régime continu 1. Conditions d’attaque et de charge On a affaire à un amplificateur de courant de gain unité. Caractérisation de la source de courant is rce ve gm v ie rbe v rbe gm v rce vs ⎛ is ⎞ ⎛ ve ⎞ ⎛ vs ⎞ r β ⎟ ⎟ ⎟ = ≅ 1 . Evaluation des paramètres dynamiques des transistors rbe = rbe1 = rbe2 ≅ UT V β et rce = rce1 = rce2 ≅ A . Z s = ⎜ = rce ≅ 500 kΩ Ai = ⎜ ⎜i ⎟ ⎜ ⎟ ⎜i ⎟ ⎝ e ⎠v s =0 β + 2 ⎝ i e ⎠ v s =0 β + 2 ⎝ s ⎠ i e =0 Le calcul de la résistance de sortie s’effectue en éteignant la source de courant indépendante (application du théorème de Thévenin / Norton). Sylvain Géronimi Page 90 Eléments de circuits intégrés . Les conditions idéales sont de considérer la sortie en court-circuit et l’entrée attaquée par un générateur de courant de résistance infinie. la source liée est telle que Ai i e = 0 (pas de transfert de courant) et le dipôle de sortie se réduit à la présence de Z s uniquement. rce ≅ 500 kΩ IC 2 IC 2 o o 3. 4. Schéma du quadripôle équivalent ie is Ai ie ve Ze Zs vs On peut vérifier que si le courant dynamique d’entrée i e est nul. L’attaque en courant à l’entrée nécessite une résistance de générateur très importante devant la résistance d’entrée du quadripôle et l’attaque en courant à la sortie impose une résistance de sortie du quadripôle très importante devant la résistance de charge. soit rbe ≅ 25 kΩ . Expression de IS (I E ) IS = β I E ≅ I E (voir le même problème en étage de polarisation) β +2 Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 2.

Evaluez le paramètre dynamique g m3 du modèle du transistor. 3. Evaluation de la résistance dynamique z0 i0 2 VP I D I DSS ≅ 1. I 0 ≅ 1.46 mA / V rds gm vgs v0 ⎧ ⎪v 0 = rds i 0 − g m v gs + RS i 0 ⎨ ⎪ ⎩v gs = −RS i 0 ( ) vgs ⇒ z0 = RS v0 = (1 + g m RS )rds + RS ≅ (1 + g m RS )rds ≅ 173 kΩ i0 Sylvain Géronimi Page 91 Eléments de circuits intégrés . Evaluez cette dernière. Evaluez le courant I 0 .072 mA . Le transistor possède les caractéristiques constructeur I DSS = 2 mA. VP = − 2 V . ⎧VGS = −RS I 0 ⎪ ⎪ ⎛ VGS ⎨ 1− ⎪I 0 = I DSS ⎜ ⎜ Vp ⎪ ⎝ ⎩ 2 2 ⎞ ⎟ I0 + 1 = 0 ⎟ ⎠ Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 2. L’alimentation a le pôle +VCC relié à la masse.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Source de courant simple à JFET pour polarisation d’étage Considérons le sous-circuit représenté ci-dessous. Ecrivez l’expression de la résistance dynamique z0 vue entre le drain et la masse. Evaluation de I 0 ⎛ R I ⎞ ⎛ 2 RS ⎛R ⎞ I 1 2 2 +⎜ − ⎞ ⇒ 0 = ⎜1 + S 0 ⎟ ⇒ ⎜ S ⎟ I 0 ⎜ ⎟ ⎜ Vp ⎜ ⎟ ⎟ I DSS ⎝ Vp ⎠ V I p DSS ⎝ ⎝ ⎠ ⎟ ⎠ En retenant la racine du polynôme de plus faible valeur. Corrigé Etude du régime continu 1. Evaluation de la pente du transistor g m = − 3. Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 2. I0 J3 D S RS 500 -VCC Etude du régime continu 1. le paramètre rds3 étant estimé à 100 kΩ.

Prouvez que la source est représentée par une simple résistance z0 et évaluez celle-ci. Donnez la précision du miroir par l’évaluation de l’erreur définie comme étant ε = I pol − IC2 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Source de courant à gain pour polarisation d’étage Considérons l’étage de polarisation de la figure ci-dessous dans lequel les transistors sont supposés technologiquement identiques ( β = 200. ( ) IC2 . Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 4. Evaluez les courants de collecteur des transistors. 2. écrivez l’expression de IC 2 en fonction de I pol . Sylvain Géronimi Page 92 Eléments de circuits intégrés . Sans négliger le moindre terme sur les courants. +VCC Ipol R 138k Q3 IC2 Q1 Q2 Etude du régime continu 1. V A = 100 V ) et les tensions d’alimentation VCC = 15 V .

Caractérisation de la charge dynamique i3 rbe3 β i3 R rce1 gm v v rbe/2 rce3 gm v rce2 ic2 avec rbe1 = rbe2 = rbe . β1 = β 2 = β ⇒ ⎨ VBE2 ⎪ ⎪IC2 ≅ β I BS e UT ⎩ Equations du circuit : ⎧VBE1 = VBE2 ⎧IC1 ≅ IC2 ⎧ ⎞ ⎛ 2 ⎪ ⎪ ⎪I pol = IC2 ⎜ ⎟ ⎜1 + β ( β + 1) ⎟ = + I I I I B1 + I B2 ⎪ pol C1 B3 ⎪ ⎪ ⎠ ⎝ d’où ⎨I pol = ⇒ ⎨ + IC2 ⎨ β +1 VCC − 2VBE ⎪ ⎪I E3 = I B1 + I B2 ⎪ I pol ≅ ⎪VCC = R I pol + VBE + VBE ⎪V = R I + V ⎪ R ⎩ 3 1 pol BE 3 + VBE1 ⎩ ⎩ CC 2. rce1 = rce2 = rce et rbe << rce3 2 L’absence de source d’excitation dynamique à l’entrée du montage fait qu’aucun courant n’existe dans la partie gauche du circuit. Cette charge dynamique est de valeur relativement importante ( z0 ≅ VA = 1 MΩ ).6 V). Précision du miroir ε= I pol IC 2 −1= 2 β ( β + 1) ≅ 5 10 −5 3. Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 4. Evaluation des courants de collecteur I pol ≅ 100 µA (valeur des VBE approchée par une tension de 0. d’où z0 = v 0 i 0 = rce2 . IC 2 o Sylvain Géronimi Page 93 Eléments de circuits intégrés . Expression de IC2 (I pol ) Equations technologiques : VBEi ICi = β I Bi = β I BS e UT ⎛ VCEi ⎜1 + ⎜ VA ⎝ ⎞ ⎟ ≅ β I BS e UT ⎟ ⎠ VBEi en négligeant l’effet Early (VCEi << VA ) Q1 ≡ Q2 → I BS1 = I BS2 VBE1 ⎧ ⎪I ≅ β I e UT BS ⎪ C1 = I BS . IC3 ≅ 1 µA . IC2 ≅ 100 µA .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1. en particulier v = 0 entraîne g m v = 0 .

2. iE (t) Q3 iS (t) Q1 Q2 -VCC Etude du régime continu 1. Dessinez le schéma équivalent. Corrigé Etude du régime continu 1. Caractérisez la source sous la forme d’un amplificateur de courant de paramètres Z e . Z s . Donnez la précision du miroir par l’évaluation de l’erreur définie comme étant ε = I − IC 3 / IC 3 . VA = 100 V ). Ai . ( ) Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 3. Sans négliger le moindre terme sur les courants. Evaluez les paramètres des modèles des transistors pour IS = 100 µA . β1 = β 2 = β ) ⇒ ⎨ VBE2 ⎪ ⎪IC2 = β I BS e UT ⎩ Q1 ≡ Q2 (I BS1 = I BS2 ( VCEi << VA ) Equations du circuit : ⎧VBE = VBE 1 2 ⎪ ⎪ I I I = + ⎨ E3 B1 B2 + IC2 ⎪ ⎪I E = I B3 + IC1 ⎩ ⎧ ⎛ 2⎞ ⎜1 + ⎟ ⎟ ⎪I E3 = IC2 ⎜ β ⎪ ⎝ ⎠ ⇒⎨ I E3 ⎪ ⎪I E = β + 1 + IC2 ⎩ car IC1 = IC2 d'où IS = β β +2 β ( β + 2) IE = IC = IE β + 1 3 β + 1 2 β 2 + 2β + 2 Sylvain Géronimi Page 94 Eléments de circuits intégrés . écrivez l’expression du courant d’entrée I E en fonction de IS . Les transistors sont supposés technologiquement identiques ( β = 200.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Source de Wilson pour transfert dynamique On considère le transfert du courant i E (t ) = I E + i e (t ) vers la sortie. Expression de IS (I E ) Equations technologiques : VBE1 ⎧ ⎪I = β I e UT BS ⎪ C1 = I BS . effectué par le montage de la figure ci-dessous. 4. 5.

rce ≅ 1 MΩ 4. Caractéristiques dynamiques de la source ⎛ is ⎞ Calcul du transfert en courant Ai = ⎜ ⎜i ⎟ ⎟ ⎝ e ⎠v s = 0 Ce calcul correspond à l’application du théorème de Norton (courant de court-circuit en sortie du dipôle évalué avec une source de courant indépendante parfaite en entrée). Schéma équivalent aux fréquences moyennes is . Précision du miroir ε= IE 2 −1= ≅ 50 10 − 6 IS β (β + 1) Etude dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 3.βi3 i3 ie .5% près).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 2. Evaluation des paramètres du modèle des transistors rbe = UT V β .(is + i3) β/(β+2) ve rce (is + i3) β/(β+2) rbe/(β+2) Rch vs rbe βi3 rce is ie 5. la source d’excitation de courant i e étant éteinte (circuit ouvert en place de la source). L’approximation donne ⎧ ⎛ β ⎞ β ⎪i e ≅ ⎜ ⎟ i3 + β + 2 is ⎜1 + β + 2 ⎟ ⎨ ⎠ ⎝ ⎪i ≅ β i 3 ⎩s rbe << rce (à 0.i3 . rce ≅ A IC o IC o avec IC1 = IC2 ≅ IC3 = 100 µA o o o rbe ≅ 50 kΩ . ⎧ ⎛ r β ⎜ ie − i3 − ⎟ = rbe i 3 + be (i s + i 3 ) (i s + i 3 )⎞ ⎪rce ⎜ ⎟ + +2 2 β β ⎪ ⎝ ⎠ ⎨ ⎪ rbe (i + i ) + r i − β r i = 0 ce s ce 3 ⎪β + 2 s 3 ⎩ L’écriture de ces équations de mailles se simplifie en constatant que et rbe << 2rce (à 2.025% près) β +2 ⇒ Ai = is β ( β + 2) ≅ ≅ 1 (à comparer avec le transfert continu) ie β 2 + 2β + 2 ⎛ vs Calcul de la résistance de sortie Z s = ⎜ ⎜i ⎝ s ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ i e =0 Ce calcul correspond à la détermination de la résistance de Norton (ou Thévenin) du dipôle précédent. Sylvain Géronimi Page 95 Eléments de circuits intégrés .

Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés rbe ⎧ ⎪v s = rce (i s − β i 3 ) + β + 2 (i 3 + i s ) ⎪ ⎨ ⎞ β β ⎪ rbe (i + i ) + r i + r ⎛ ⎜ i3 + ⎟=0 i3 + is ⎟ be 3 ce ⎜ ⎪β + 2 3 s 2 2 β β + + ⎝ ⎠ ⎩ Par les mêmes approximations précédentes. C’est une contre-réaction quasi totale puisque le miroir élémentaire. ramène le courant de sortie à l’entrée et en opposition de phase. Sylvain Géronimi Page 96 Eléments de circuits intégrés . Il faut remarquer que la résistance rce en entrée est en parallèle avec le dipôle qui suit. ce qui conduit au calcul de la résistance de ce dernier dans le but d’alléger l’analytique. Les impédances d’entrée et de sortie respectivement basse (configuration parallèle en entrée) et très haute (configuration série en sortie) en fait une source adaptée à la conception des amplificateurs opérationnels à transconductance. La source de Wilson est un miroir de précision très importante. β ⎧ (i 3 + i s ) ⎪i = i 3 + β +2 ⎪ ⎪ r be ⎪ (i 3 + i s ) ⎨v = r be i 3 + β +2 ⎪ ⎪ r ⎪ be (i 3 + i s ) + r ce (i s − β i 3 ) = 0 ⎪ ⎩β + 2 Par les mêmes approximations précédentes. on obtient ⎧v s ≅ rce i s − β rce i 3 ⎛ v β2 ⎞ β ⎪ ⎟ ⇒ Zs = s ≅ ⎜ rce ≅ rce = 100 MΩ 1+ β ⎞ β ⎨⎛ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ is ⎝ 2( β + 1) ⎠ 2 ⎪⎜1 + β + 2 ⎟ i 3 ≅ − β + 2 i s ⎠ ⎩⎝ ⎛ ve Calcul de la résistance d’entrée Z e = ⎜ ⎜i ⎝ e ⎞ ⎟ ⎟ ⎠v s =0 Ce calcul correspond à une configuration de charge très faible (court-circuit en sortie) par rapport à la résistance de sortie Z s du quadripôle. représentant le quadripôle de retour. à savoir l’application de la théorie de la contre-réaction courant-courant (voir cours « La contre-réaction »). La précision de cette méthode dépendra des hypothèses de simplification. on obtient 2r v 2β + 3 2r v avec i s ≅ β i 3 ⇒ Z e ≅ // rce ≅ be = 500 Ω = rbe 2 ≅ be β i i β + 2β + 2 β + 2 Une autre méthode d’analyse plus directe peut être employée.

Evaluez les courants IC2 et IC3 . Les courants de base seront négligés. IC3 ≅ 25 µA o o o Sylvain Géronimi Page 97 Eléments de circuits intégrés .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Source de Widlar en répétiteur de courant pour polarisation d’étages On considère l’étage de polarisation de la figure ci-dessous dans lequel les transistors sont supposés identiques ( β = 200. Corrigé Etude du régime continu 1. Evaluez les paramètres dynamiques des modèles des transistors. Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 2. VA = 100 V ) et les tensions d’alimentation VCC = 10 V . Calculez les charges z2 et z3 vues respectivement entre collecteurs de Q2 et Q3 et la masse.8k Ipol Q1 Q2 IC2 Q3 IC3 R2 200 R3 3k -VCC Etude du régime continu 1. 3. Evaluation des courants IC2 et IC3 VBE1 ⎧ ⎪IC ≅ β I BS e UT ⎪ 1 VBE2 ⎪ ⎪ Q1 ≡ Q2 ≡ Q3 ⇒ ⎨IC2 ≅ β I BS e UT ⎪ VBE3 ⎪ UT I β I e ≅ ⎪ C3 BS ⎪ ⎩ (technologie) ⎧VBE1 ≅ VBE2 + R2 IC2 ⎪ ⎪VBE1 ≅ VBE3 + R3 IC3 (circuit) ⎨ ⎪I pol = IC1 + I B1 + I B2 + I B3 ≅ IC1 ⎪2V = R I + V 1 pol BE1 ⎩ CC VBE2 R2 IC2 ⎧ ⎪IC ≅ β I BS e UT e UT ⎪ 1 VBE3 R3 IC3 ⎪ ⎪ d’où ⎨IC1 ≅ β I BS e UT e UT ⎪ ⎪I = 2VCC − VBE1 ≅ I C1 ⎪ pol R1 ⎪ ⎩ IC ⎧ R 2 IC 2 ≅ Ln 1 ⎪ IC 2 ⎪ UT avec deux équations transcendantes à résoudre ⎨ ⎪ R3 IC3 ≅ Ln IC1 ⎪ U IC 3 ⎩ T IC1 ≅ 500 µA . +VCC R1 38. IC2 ≅ 150 µA .

d’où i0 z2 = R2 // rbe2 + rce2 1 + g m2 R2 // rbe2 rce2 gm2 v2 v0 [ ( β R2 )] ≅ rce ⎜ 1+ ⎜ R +r 2 ⎛ ⎝ 2 be2 ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ ⎛ β R3 de même z3 ≅ rce3 ⎜1 + ⎜ R3 + rbe 3 ⎝ z2 ≅ 1. rce2 ≅ 667 kΩ . Sylvain Géronimi Page 98 Eléments de circuits intégrés .7 Ω << rbe2 et rbe3 . un transistor monté en diode en parallèle avec la résistance de polarisation R1 . il y a intérêt à rendre symétrique le montage (effet miroir) pour une meilleure stabilité des courants en fonction de la température (voir problème « stabilisation par résistance d’émetteur »). Calcul des charges z2 et z3 Le montage présente entre le collecteur de Q1 et la masse. Si l’obtention d’une charge dynamique importante est uniquement désirée.8 MΩ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ v2 R2 // rbe2 Les résultats du miroir de courant élémentaire sont retrouvés en rendant nulles les valeurs des résistances d’émetteur. rce3 ≅ 4 MΩ 3. z3 ≅ 15. soit rbe1 β +1 // rce1 // R1 ≅ 49. rce1 ≅ 200 kΩ . Evaluation des paramètres des modèles rbe ≅ UT V β . Les bases de Q2 et Q3 peuvent être considérées à la masse au niveau dynamique. la dissymétrie produit d’une part.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 2. rce ≅ A IC o IC o rbe1 ≅ 10 kΩ. un courant continu plus faible que le courant de référence I pol (effet lentille) ce qui permet d’ajuster les polarisations au sein d’un circuit intégré et d’autre part.3 kΩ. rbe3 ≅ 200 kΩ. rbe2 ≅ 33.46 MΩ . Ici. une charge dynamique qui peut être très élevée selon la valeur de la résistance d’émetteur.

Tous les transistors sont supposés technologiquement identiques ( β = 250.6 V. 3. Concluez sur la représentation d’une source de tension au sein d’études statique et dynamique aux faibles signaux.8k R2 4. 2.5k Q3 Etude du régime continu 1. 5. rce3 . Calculez l’impédance z 3 vue entre collecteur et émetteur de Q3 .6 V. VA = 100 V ) et la tension d’alimentation VCC = 15 V . Dans l’hypothèse où l’on suppose que le courant de base de Q3 est négligé.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Multiplicateur de VBE Le montage de la figure qui suit présente une source de courant alimentant un multiplicateur de VBE. Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 4. Evaluez les paramètres rbe3 . Sylvain Géronimi Page 99 Eléments de circuits intégrés .5k R3 7. Evaluez le courant de collecteur de Q2 en prenant VEB1 et VEB2 de d’ordre de 0. +VCC Q1 Q2 R1 28. 6. rce 2 des modèles des transistors. Evaluez tous les courants parcourant le montage afin de valider l’hypothèse précédente. calculez la tension VCE3 en prenant VBE3 de l’ordre de 0.

Courant de collecteur de Q2 Q1 ≡ Q2 → I BS1 = I BS2 = I BS et β1 = β 2 = β ⇒ IC2 = IC1 ≅ VCC − VEB1 β + 2 ≅ 500 µA R1 β 2. R3 β +1 Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 4. Expression de la tension VCE 3 En supposant que I B3 << I . Il faut noter que ce montage utilise une diode en direct et présente une meilleure stabilité en température que n diodes mises en série. La translation de tension produite pourra servir de polarisation d’un étage push-pull série complémentaire. sans compter la précision de la tension continue obtenue par le choix des deux résistances. rce3 ≅ A ≅ 239 kΩ I B3 IC 3 o o 5. Le multiplicateur de VBE est un générateur de tension continue dont l’impédance dynamique est très faible vis-à-vis de la charge en série proposée par le miroir ( rce2 ≅ 200 kΩ ). Validation de l’hypothèse VBE3 IC − I I= = 80 µA et I B3 ≅ 2 ≅ 1.96 V 3 ⎠ ⎝ 3. Impédance vue entre collecteur et émetteur de Q3 R2 i1 i0 R3 v rbe gm v rce3 v0 ⎧i 0 = i1 + g m v i 0 1 + g m3 R ⎪ (calcul sans la présence de rce3 ) = ⎨v 0 = (R2 + R )i1 avec R = R3 // rbe3 ⇒ v R2 + R 0 ⎪v = R i 1 ⎩ z3 = rce3 // R2 + R ≅ 113 Ω 1 + g m3 R 6.67 µA soit une précision des calculs à environ 2%. Paramètres dynamiques des modèles des transistors U V rbe3 ≅ T ≅ 15 kΩ. courant circulant dans R3 ⎛ R2 ⎞ ⎟ ⇒ VCE3 ≅ VBE3 ⎜ ⎜1 + R ⎟ = 0.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Etude du régime continu 1. Sylvain Géronimi Page 100 Eléments de circuits intégrés .

2.Q2 .Q5 . Tous les transistors sont supposés technologiquement identiques et β très grand (courants de base négligés). l’équation générale utilisée est la IC suivante. Première relation de maille VBE1 + VBE2 = VBE 4 + VBE5 ⇒ IC1 IC2 ≅ IC4 IC5 2. Corrigé Les transistors étant supposés technologiquement identiques. Deuxième relation de maille VBE2 = VBE3 ⇒ IC2 ≅ IC3 3. I1 Q4 Q1 Q3 Q2 Q5 I3 I2 Etude en régime pseudo-continu 1. β I BS 1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Réalisation d’une opération arithmétique complexe On considère le circuit de la figure ci-dessous. En considérant la maille formée par les transistors Q2 .Q3 . En considérant la maille formée par les transistors Q1 . Expression de I 3 ⎧I1 ≅ IC + IC 1 3 ⎪ I I I ≅ − ⎪ 2 C2 C1 ⎪ ⎨I 3 = IC4 ≅ IC5 ⎪ ⎪IC2 ≅ IC3 ⎪I I ≅ I I C 4 C5 ⎩ C1 C2 ⎧I1 ≅ IC + IC ⎧I1 + I 2 ≅ 2 IC 1 2 2 ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⇒ ⎨I 2 ≅ IC2 − IC1 ⇒ ⎨I1 − I 2 ≅ 2 IC1 ⇒ I 3 = ⎪ ⎪ 2 2 ⎪ ⎪ ⎩IC1 IC2 ≅ I 3 ⎩IC1 IC2 ≅ I 3 2 −I2 I1 2 2 Sylvain Géronimi Page 101 Eléments de circuits intégrés . écrivez la relation de leurs courants collecteurs. en négligeant l’effet Early ( VA >> VCE X ) : VBE x ≅ UT Ln x pour x = 1 à 5 .Q4 . Ecrivez l’expression du courant I 3 en fonction des courants I1 et I 2 . écrivez la relation de leurs courants collecteurs. 3.

Sylvain Géronimi Page 102 Eléments de circuits intégrés . En considérant la maille formée par les transistors Q1 .Q7 . écrivez la relation de leurs courants collecteurs. l’équation générale utilisée est la IC suivante. Corrigé Les transistors étant supposés technologiquement identiques.Q6 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Réalisation d’une opération arithmétique complexe On considère le circuit de la figure ci-dessous. 2. 3. I1 Q5 Q1 I3 Q6 Q4 I2 Q2 Q7 Q3 Etude en régime pseudo-continu 1. Tous les transistors sont supposés technologiquement identiques et β très grand (courants de base négligés). Première relation de maille VBE1 + VBE2 = VBE5 + VBE7 ⇒ IC1 IC2 ≅ IC5 IC7 2. écrivez la relation de leurs courants collecteurs.Q5 .Q3 . Deuxième relation de maille VBE 4 + VBE3 = VBE6 + VBE7 ⇒ IC4 IC3 ≅ IC6 IC7 3. en négligeant l’effet Early ( VA >> VCE X ) : VBE x ≅ UT Ln x pour x = 1 à 7 . β I BS 1.Q2 . Expression de I 3 ⎧I 3 = IC + IC ≅ IC 5 6 7 ⎪ ⎪I1 ≅ IC1 et I 2 ≅ IC4 ⎪ ⎨IC1 = IC2 et IC3 = IC4 ⎪ ⎪IC1 IC2 ≅ IC5 IC7 ⎪I I ≅ I I C6 C7 ⎩ C 4 C3 ⎧I 3 = IC + IC 5 6 ⎪ ⎪2 2 + I2 ≅ IC 5 I 3 ⇒ ⎨I1 ⇒ I 3 = I1 2 ⎪2 ⎪ ⎩I 2 ≅ IC6 I 3 Le circuit effectue le calcul du module d’un nombre complexe à partir de ses parties réelles et imaginaires. En considérant la maille formée par les transistors Q4 .Q7 . Ecrivez l’expression du courant I 3 en fonction des courants I1 et I 2 et concluez.

Lors des calculs. des résistances d’entrée Z e et de sortie Z s vue de la charge. Ecrivez les expressions du transfert en tension Av = v s v e . 3. Etude de l’étage suiveur classique +VCC 2 mA Q1 vE vS R1 Rch 200 -VCC Etude du régime continu 2. Le courant collecteur de Q1 étant égal à 2 mA. Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 4. Cette évolution vers l’amélioration des performances en régimes statique et dynamique s’effectuera en trois étapes. 5.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Conception d’un buffer L’étude porte sur les performances d’un buffer (circuit intégré) dont le circuit le plus simple est l’étage collecteur commun (suiveur). Sylvain Géronimi Page 103 Eléments de circuits intégrés . Rappelez les spécificités de ce circuit en régimes continu et dynamique. Les transistors seront supposés technologiquement identiques ou parfaitement complémentaires et de gain en courant β = 200 . L’alimentation symétrique du montage est telle que VCC = ± 5 V . puis dessinez le schéma. L’étage buffer 1. Ce dernier présente des inconvénients qu’il est possible d’éviter en modifiant la topologie de base. Evaluez les paramètres rbe et rce du modèle du transistor. de tension d’Early VA = 100V . Evaluez ces paramètres. précisez le potentiel de sortie VS et évaluez la résistance R1 . les courants de base seront négligés ( β grand ) et VA >> VCEo . Discutez des inconvénients inhérents à ce montage.

précisez le potentiel de sortie VS et évaluez le courant collecteur de Q2 dans le cas où les résistances R1 et R2 ont la même valeur. Evaluez ces paramètres. 9. Quelles améliorations apparaissent par rapport au montage précédent ? Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 8. Etude de l’étage suiveur à transistors complémentaires et sources de courant +VCC 2 mA Q5 Q6 Q1 R vE Q2 vS Rch 200 Q3 Q4 -VCC Sylvain Géronimi Page 104 Eléments de circuits intégrés . Le courant collecteur de Q1 étant égal à 2 mA. Evaluez les paramètres rbe et rce du modèle des transistors et dessinez le schéma. des résistances d’entrée Z e et de sortie Z s vue de la charge.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude de l’étage suiveur à transistors complémentaires +VCC 2 mA R2 Q1 vE Q2 R1 vS Rch 200 -VCC Etude du régime continu 6. Ecrivez les expressions du transfert en tension Av = v s v e . 7.

Paramètres du modèle du transistor en régime dynamique aux faibles signaux rbe ≅ UT V β . UT ou VBE ≅ UT Ln IC effet Early négligé VCE << VA ). rce ≅ A . Evaluez ces paramètres. 13. précisez le potentiel de sortie VS et évaluez la résistance R. 11.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime continu 10. Le courant collecteur de Q1 étant égal à 2 mA. 14. Formulaire : VBE Modèle en régime continu pour des transistors appairés IC ≅ β I BS e (courants de saturation I BS β I BS des jonctions base-émetteur et gains en courant β supposés identiques. Dans le contexte dynamique. Ecrivez les expressions du transfert en tension Av = v s v e . Quelle amélioration apporte la présence des sources de courant ? Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 12. comparez les valeurs des paramètres calculés lors de ces trois études et précisez l’amélioration obtenue. des résistances d’entrée Z e et de sortie Z s vue de la charge. Evaluez les paramètres rbe et rce du modèle des transistors et dessinez le schéma. IC o IC o Sylvain Géronimi Page 105 Eléments de circuits intégrés .

Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 4. rce1 ≅ A = 50 kΩ IC1 IC1 o o R1 // Rch ≅ 163 Ω et rce1 >> R1 // Rch . Son rôle est d’isoler deux étages mis en cascade pour une adaptation en tension quasi idéale. Evaluation des paramètres du modèle du transistor et schéma i1 rbe1 β i1 ve R1 //Rch vs rbe1 ≅ UT V β ≅ 2. vs = s 1 e be1 1 ch v e rbe1 + (β + 1)(R1 // Rch ) β +1 d’où Av ≅ 0.présence d’une tension d’offset en sortie due à la jonction BE de Q1 (translation de .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1.6 V o I E1 = o VS + VCC VS + ≅ IC1 o R1 Rch ⇒ R1 ≅ 880 Ω 3. .6 V 0. . Evaluation de VS et R1 +5V 2 mA Q1 0V 5.0.3 Ω . 5. Discussion Inconvénients du montage : .3 kΩ . Z s ≅ 12. Z = R // rbe1 .5 kΩ .6 V).jonction BE fonction de la température. Définition d’un buffer Un buffer (étage tampon) recopie la tension d’entrée en sortie et présente une très faible résistance de sortie et une résistance d’entrée importante. Caractérisation de l’étage Av = (β + 1)(R1 // Rch ) . Z = r + (β + 1)(R // R ) .6 V VCE1 = VCC − VS ≅ 5. Z e ≅ 35. Etude de l’étage suiveur classique Etude du régime continu 2.6 V 3 mA VS = − VBEo ≅ − 0.6 V 5 mA 200 880 -5V .courant de polarisation dépendant de la charge.929 . Sylvain Géronimi Page 106 Eléments de circuits intégrés .0.

zs1 ) tel que A1 = v s1 ve = (β + 1)R2 . zs2 ) tel que A2 = v s2 v s1 = zs1 (β + 1)(R1 // Rch ) . de type complémentaire au premier. + rbe + (β + 1)(R1 // Rch ) 1 zs2 = R1 // zs1 + rbe1 β +1 . Sylvain Géronimi Page 107 Eléments de circuits intégrés . Evaluation des paramètres du modèle des transistors et schéma rbe1 ≅ 2500 Ω rce1 ≅ 50 kΩ >> R1 // Rch rbe2 ≅ 2841 Ω rce2 ≅ 57 kΩ >> R 2 ve i2 rbe2 β i2 R2 rbe1 β i1 R1 //Rch vs i1 9. Discussion L’introduction d’un second émetteur suiveur. Caractérisation de l’étage Les deux étages étant en cascade.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude de l’étage suiveur à transistors complémentaires Etude du régime continu 6. Le potentiel de sortie VS est « à peu près » nul. Cependant.76 mA ≅5V ≅0V ≅0A 200 o VS = VEB2 − VBE1 ≅ 0 V o o VCE1 = VCC − VS ≅ 5 V o ≅ 5.6 V 0V Q2 2500 1.5 kΩ IC1 o ⇒ R1 (= R2 ) ≅ -5V 7. Evaluation de VS et IC2 +5V 2 mA 2500 Q1 ≅ 0. Ce dipôle attaque le second étage caractérisé sous la forme d’un nouveau dipôle équivalent de Thévenin ( v s2 . nous caractérisons le premier étage à vide (base de Q1 déconnectée) sous la forme d’un dipôle équivalent de Thévenin ( v s1 . permet de compenser le décalage de tension d’offset en sortie. les tensions aux bornes des jonctions BE ne sont pas tout à fait identiques d’après l’expression mathématique du modèle pour ces transistors appairés I VBE ≅ UT Ln C avec VCE << VA . rbe + (β + 1)R2 1 zs1 = R2 // rbe2 β +1 . β I BS Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 8. les courants de collecteur des transistors n’étant pas les mêmes.6 V I E1 = o VS + VCC VS V + ≅ CC ≅ IC1 o R1 Rch R1 VCC = 2.

4 kΩ 11. ce qui donne ze1 = rbe2 + (β + 1) R2 // ze2 avec ze2 = rbe1 + (β + 1)(R1 // Rch ) . Evaluation des paramètres du modèle des transistors et schéma Tous les courant collecteur sont de l’ordre de 2 mA. Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 12.4 Ω . ( ) d’où Av = A1 A2 ≅ 0.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés La résistance d’entrée du second étage charge le premier étage. donc Sylvain Géronimi Page 108 Eléments de circuits intégrés . IC1 ≅ IC2 ≅ 2 mA -5V IC1 ⎧ ⎪VBE1 ≅ UT Ln β I BS ⎪ Q1 ≡ Q2 → ⎨ IC 2 ⎪V ⎪ EB2 ≅ UT Ln β I BS ⎩ R= 2VCC − VEB5 − VBE3 ⇒ VBE1 ≅ VEB2 et VS = VEB2 − VBE1 ≅ 0 . Ce circuit intégré permet une tension d’offset négligeable en sortie et un meilleur comportement en température. IR ≅ 4.931 .6 V R 0V ≅ 2 mA Q2 ≅ 2 mA ≅ 2 mA Q4 0V 0A 200 VBE3 ⎧ ⎪I ≅ β I e UT BS ⎪C Q3 ≡ Q4 → ⎨ 3 VBE4 ⎪ ⎪IC4 ≅ β I BS e UT ⎩ ⇒ IC 3 ≅ IC 4 VEB5 ⎧ ⎪I ≅ β I e UT BS ⎪ C5 Q5 ≡ Q6 → ⎨ VEB6 ⎪ ⎪IC6 ≅ β I BS e UT ⎩ ⇒ IC 5 ≅ IC 6 et VEB3 = VEB4 et VEB5 = VEB6 Q3 En négligeant les courants de base. Evaluation de R +5V 2 mA Q5 Q6 Q1 0. Z s ≡ zs2 ≅ 12. Etude de l’étage suiveur à transistors complémentaires et sources de courant Etude du régime continu 10. Z e ≡ ze1 ≅ 476 kΩ . Discussion L’introduction des sources de courant au sein du montage améliore la symétrie des courants collecteur de Q1 et Q2 . Remarquons une augmentation de la résistance d’entrée.

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i2

i1 rbe1
β i2 β i1

rbe ≡ rbei ≅ 2500 Ω

rce ≡ rcei ≅ 50 kΩ

rbe2 ve rce /2

vs Rch //rce/2

13. Caractérisation de l’étage De la même façon que précédemment, nous oboutissons aux résultats suivants.
v s1 ve

A1 =

=

A2 =

v s2 v s1

r r , zs1 = ce // be . rce 2 β +1 rbe + (β + 1) 2 r ⎞ (β + 1)⎛ ⎜ ce // Rch ⎟ zs + rbe r 2 ⎝ ⎠ , zs2 = ce // 1 . = 2 β +1 ⎛ rce ⎞ zs1 + rbe + (β + 1)⎜ // Rch ⎟ ⎝ 2 ⎠
2

(β + 1) rce

⎞ ⎞ ⎛r ⎛r ze1 = rbe + (β + 1)⎜ ce // ze2 ⎟ avec ze2 = rbe + (β + 1)⎜ ce // Rch ⎟ . ⎠ ⎠ ⎝ 2 ⎝ 2 d’où Av = A1 A2 ≅ 0.941 , Z e ≡ ze1 ≅ 3.17 MΩ , Z s ≡ zs2 ≅ 12.5 Ω . 14. Discussion Tableau récapitulatif n° étage Offset en sortie (V) Comportement en température Gain en tension Résistance d’entrée (kΩ) Résistance de sortie (Ω) 1 - 0.6 mauvais 0.929 35.3 12.3 2 voisin de 0 moyen 0.931 476 12.4 3 0 bon 0.941 3170 12.5

La résistance d’entrée subit une nette augmentation due à la présence de charges dynamiques sur les émetteurs de Q1 et Q2 , le gain en tension et la résistance de sortie restant du même ordre. Il ne faut pas oublier que les valeurs numériques trouvées sont liées au choix d’une charge de 200 Ω et d’un courant de polarisation de 2 mA.

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Etage différentiel à charges asymétriques
L’étude porte sur la caractérisation de l’étage différentiel de la figure ci-dessous. Les transistors sont supposés technologiquement identiques ( β = 200 , VA = ∞ , rce = ∞ ).

R3 3.6k out Q1 Q2

R4 1.8k ref 6V VCC

vd

R5 9.6k R1 1k Q3 R2 1k VCC Q4 6V

Etude du régime continu 1. Evaluez les courants IC3 ainsi que les potentiels de nœuds Vout et Vref . 2. Expliquez l’intérêt de disposer du potentiel de référence Vref . Etude du régime dynamique différentiel (faibles signaux aux fréquences moyennes) 3. Evaluez le paramètre rbe des transistors Q1 et Q2 . 4. Calculez les valeurs du transfert Ad = v out v d , de l’impédance d’entrée Zd et de l’impédance de sortie Zs .

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Corrigé
Etude du régime continu 1. Evaluation des courants et potentiels de nœuds
6V
≅ 500 µA

1.8k 4.2 V
≅ 500 µA

3.6k 4.2 V

Q1 9.6k 1k

Q2

1k - 1.1 V

1 mA - 5.4 V

Ipol
≅ 1 mA

Q4 -6V

Q3

L’étage différentiel Q1 - Q2 est polarisé par le courant issu du miroir élémentaire Q3 - Q4 tel que
IC 3 ≅
o

2VCC − VBE 4 R 4 + R5

= 1 mA .

IC 3 ⎧ ⎪VBE1 + R1I E1 = VBE2 + R2 I E2 o ⇒ I E1 =I E2 = ≅ 500 µA avec R1 = R 2 et VBE1 = VBE2 ≅ 0.6 V . ⎨ o o I I I = + 2 ⎪ C E E 1 2 ⎩ 3
⎧Vref ≅ VCC − R 4 IC3 ⎪ ⇒ Vref ≅ Vout ≅ 4.2 V . ⎨ ⎪ ⎩Vout ≅ VCC − R3 IC2

2. Intérêt de disposer du potentiel Vref Les deux bornes de sortie sont équipotentielles et permettent une attaque différentielle en tension d’un montage qui suit.

Etude du régime dynamique différentiel (faibles signaux aux fréquences moyennes) Le fait de considérer la valeur du paramètre rce3 infinie, conduit à un régime purement différentiel. Le régime de mode commun est tel que Ac = 0 , Z c = ∞ car v c = ∞ . 3. Evaluation du paramètre rbe
rbe = rbe1 = rbe2 = UT β ≅ 10 kΩ I Co

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

4. Caractérisation de l’étage Posons R = R1 = R2 .
R3 vout

i1 + vd /2 rbe
β i1 β i2

i2 + - vd /2 rbe

⎧v d = [rbe + (β + 1)R ](i1 − i 2 ) ⎪ ⎨(β + 1)i1 + (β + 1)i 2 = 0 ⎪v ⎩ out = − R3 β i1

⇒ Ad = Zd =

v out β R3 = ≅ 1.71 , vd 2 [rbe + (β + 1)R ]

R1

R2

vd = 2 [rbe + (β + 1)R ] = 422 kΩ , i1

Z s = R3 = 3.6 kΩ

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Etage différentiel à charges actives (partie 1)
L’étude porte sur la caractérisation de l’étage différentiel de la figure ci-dessous. Les transistors sont supposés technologiquement identiques avec β = 200 , VA = 100 V .

Q5

Q6

VCC 15 V

v1 R1 294k

Q1

Q2

v2

iS

VCC 15 V

Q3

Q4

Compréhension du schéma 1. Identifiez les parties du circuit et précisez leurs fonctions. Etude du régime continu 2. Dessinez le montage et évaluez les courants de collecteur, ainsi que le courant de sortie IS . Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 3. Afin d’alléger le calcul analytique, les paramètres rce des modèles aux faibles signaux des transistors Q1 et Q2 seront négligés. Evaluez les autres paramètres rbe et rce des transistors et caractérisez les quadripôles formés par les sources de courant. Dessinez le schéma résultant. 4. Dessinez le schéma équivalent du montage dans son régime différentiel. 5. Ecrivez les expressions de la résistance différentielle d’entrée Z d , de la résistance de sortie Z s et du transfert i s / v d et dessinez le quadripôle issu de cette caractérisation en précisant les conditions d’attaque et de charge pour obtenir un convertisseur tension-courant. 6. Déduisez la valeur du gain en tension Ad . 7. Dessinez le schéma équivalent du montage dans son régime de mode commun. 8. Evaluez le gain en tension Ac et déduisez la valeur du TRMC (en dB). Etude du régime pseudo-continu 9. Ecrivez la relation du transfert IS (VD ) et tracez cette courbe. 10. Donnez l’expression de la pente au point VD = 0 . Comparez ce résultat à l’expression du transfert trouvée en 5. 11. Evaluez la distorsion sur le courant de sortie i s (t ) pour une amplitude crête de v d (t ) égale à 25 mV.

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Corrigé
Compréhension du schéma 1. Description Le schéma se compose d’un étage de polarisation, d’un étage différentiel dont la charge de collecteur est un miroir de courant. - L’étage de polarisation est un miroir de courant élémentaire Q5 - Q6 polarisant l’étage différentiel par le point commun des émetteurs de Q1 - Q2 . Le courant de cette source, issu de l’alimentation totale de tension 2VCC , est réglé par la résistance R1 .
-

L’étage différentiel Q1 - Q2 est à comportement émetteur commun, attaquant dynamiquement en courant le miroir élémentaire Q3 - Q4 . Le transfert effectué par ce miroir double le courant de sortie par comparaison avec une charge dynamique classique sur le collecteur de Q2 .

Cet étage est un amplificateur à conductance de transfert.

Etude du régime continu 2. Schéma et évaluation des courants
VEB5 Q5 VEB6 Q6 I0 VEB1 Q1 Q2 15 V VEB2

VCC

R1

IC2 IS IC4 VCC 15 V Q3 VBE3 VBE4 Q4

Ipol

VBEi

Equation du modèle d’un transistor Qi

: ICi = β I Bi = β I BS e

UT

⎛ ⎜1 + VCEi ⎜ VA ⎜ ⎝

⎞ ⎟ ≅ βI e BS ⎟ ⎟ ⎠

VBEi UT

en

négligeant l’effet Early ( VCEi << VA ) . Ici, tous les transistors ont mêmes β et I BS . Etage de polarisation : VEB5 ⎧ ⎪I ≅ β I e UT BS ⎪ C5 Q5 ≡ Q6 ⇒ ⎨ VEB6 ⎪ ⎪IC6 ≅ β I BS e UT ⎩

et VEB5 = VEB6

⇒ IC5 ≅ IC6 ≡ I0

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Electronique analogique – Problèmes et corrigés

⎧ ⎪I pol = IC5 + I B5 + I B6 ≅ I 0 et ⎨ ⇒ IC6 ≅ 100 µA avec VEB5 pris à 0.6 V. o ⎪ ⎩2VCC = R1 I pol + VEB5
Etage différentiel VEB1 ⎧ ⎪I ≅ β I e UT BS ⎪C et VEB1 = VEB2 Q1 ≡ Q2 ⇒ ⎨ 1 VEB2 ⎪ ⎪IC2 ≅ β I BS e UT ⎩ et I 0 = I E1 + I E 2 ⇒ IC1 ≅ IC2 ≅ 50 µA
o o

⇒ IC1 ≅ IC2

Circuit de transfert VBE3 ⎧ ⎪I ≅ β I e UT BS ⎪C Q3 ≡ Q4 ⇒ ⎨ 3 et VBE3 = VBE 4 ⇒ IC3 ≅ IC4 VBE4 ⎪ ⎪IC4 ≅ β I BS e UT ⎩ ⎧ ⎪IC = IC3 + I B3 + I B4 ≅ IC3 et ⎨ 1 ⇒ IC3 ≅ IC4 ≅ 50 µA , ISo ≅ 0 . o o ⎪ ⎩IC2 = IC4 + IS

Etude du régime dynamique aux fréquences moyennes 3. Schéma du montage Evaluation des paramètres des transistors aux faibles signaux
rbe ≅ UT V β , rce ≅ A IC 0 IC 0

⇒ rbe ≡ rbe1 ≅ rbe2 ≅ rbe3 ≅ rbe4 = 100 kΩ , rce ≡ rce3 ≅ rce4 = 2 MΩ , rce6 = 1 MΩ . Caractérisation des sources de courants et schéma du montage Une source de courant est modélisée sous la forme générale d’un quadripôle.
ie is

Ai ie
ve

Ze

Zs

vs

⎛ is avec A i = ⎜ ⎜i ⎝ e

⎛ ve ⎞ β ⎟ = ≅ 1 , Ze = ⎜ ⎜i ⎟ ⎝ e ⎠v s =0 β + 2

⎛ vs ⎞ r ⎟ = be , Zs = ⎜ ⎜i ⎟ ⎝ s ⎠v s =0 β + 2

⎞ ⎟ = rce ⎟ ⎠ i e =0

Dans le cas du miroir Q5 - Q6 , le circuit d’attaque est représenté par la résistance R1 branchée entre l’entrée du quadripôle et la masse. De ce fait, le courant dynamique d’entrée i e est nul (absence de source d’excitation), la source liée est telle que Ai i e = 0 (pas de transfert) et le dipôle de sortie se réduit à la présence de Z s uniquement. Le courant de sortie i s parcourt une résistance Z s = rce6 .

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La résistance d’entrée vaut Ze ≅ 495 Ω .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Dans le cas du miroir Q3 .vd /2 v2 v1 − v 2 v1 + v 2 v d + = + vc 2 2 2 v v1 − v 2 v1 + v 2 + = − d + vc 2 2 2 v2 = − La méthode du demi-schéma sera mise en oeuvre ici malgré la dissymétrie de charge des collecteurs de Q1 . Schéma en régime différentiel i1 + vd /2 ic1 Q1 Q2 i2 + ic2 . Caractérisation du montage Calcul du courant de court-circuit et de la résistance de sortie (théorème de Norton) ⎧ vd ⎪− 2 = rbe i 2 ⎪ ⎪ ⎨i = β (Ai i1 − i 2 ) ⎪v ⎪ d = rbe i1 ⎪2 ⎩ ⇒ i1 = − i 2 = vd 2 rbe et i = β (Ai + 1) 2 rbe vd ≅ β rbe v d (car Ai ≅ 1 ).Q2 car rce1 = rce2 = ∞ .vd /2 rbe Ze Ai ic1 rce4 β i1 β i2 5. La conductance de transfert s’écrit Yt ≅ β rbe = g m et la résistance de sortie Z s = rce4 . La résistance de sortie Z s = rce4 est parcourue par le courant i s − Ai i e . ce qui entraîne i c1 = β i1 et i c2 = β i 2 (voir annexe « Méthode de travail pour la caractérisation linéaire d’un étage différentiel »).vd /2 i1 + vs vd /2 rbe Ze Ai β i1 i rce4 vs i2 + . le courant d’entrée est le courant de collecteur de Q1 généré par la tension v 1 et un transfert de courant a lieu ( Ai i e ≠ 0 ). Sylvain Géronimi Page 116 Eléments de circuits intégrés .Q4 . 4. rce6 v1 = i1 + vd /2 v1 vc Ze + Ai ic1 rce4 vs ic1 ic2 + vc Q1 Q2 i2 + . Le schéma dynamique est alors le suivant.

Caractérisation du montage Calcul du gain en tension ⎧v s = β rce (Ai i1 − i 2 ) 4 ⎪ ⎪ v r 2 rce6 (β + 1) i1 = + ⎨ c be ⎪ ⎪v c = rbe + 2 rce6 (β + 1) i 2 ⎩ [ [ ] ] ⇒ i1 = i 2 = rbe β rce4 (Ai − 1) vc et v s = vc + 2 rce6 (β + 1) rbe + 2 rce6 (β + 1) Sylvain Géronimi Page 117 Eléments de circuits intégrés . B2 Un amplificateur à conductance de transfert doit être attaqué en tension ( Z d >> rg ) et sa charge en courant ( Z s >> Rch ). B2 7. d’où i s ≅ Yt v d (condition de court-circuit en sortie).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés La source de tension différentielle en entrée voit une résistance Z d = 2 rbe . Ad ≅ 4000 . Yt ≅ 2 mA / V . Schéma en régime de mode commun 2 rce6 2 rce6 Ze Ai β i1 i rce4 vs i1 + vc ic1 Q1 Q2 i2 + ic2 vc + vc i1 i2 + vc rbe β i1 β i2 rbe Ze Ai ic1 rce4 vs 2 rce6 2 rce6 8. B1 Zs vd Zd + Ad vd vs C2 avec Z d = 200 kΩ . d’où Ad = β rce4 vs ≅ vd rbe (condition de circuit ouvert en sortie). Evaluation du gain en tension (à vide) v s = Z s Yt v d ≅ β rce4 rbe v d . 6. Ce gain est surestimé par la non prise en compte de rce1 et rce2 . Z s = 2 MΩ . Z s = 2 MΩ . B1 is Yt vd vd Zd Zs Rch avec Z d = 200 kΩ .

I0 VD 2UT -200mV -100mV 0V VD 100mV 200mV Sylvain Géronimi Page 118 Eléments de circuits intégrés . Circuit de transfert à effet miroir ⎧ ⎪IC1 ≅ IC3 ⇒ IC3 ≅ IC4 et ⎨ ⎪ ⎩IC2 = IC4 + IS ⎛ ⎜ 1 1 ⇒ IS ≅ I 0 ⎜ − VD VD − ⎜ ⎜ UT UT 1+ e ⎝ 1+ e ⎞ ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ linéarisation I0 0 ou encore IS ≅ I 0 th IS .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés d’où Ac = − (β + 2)[rbe + 2 rce (β + 1)] 6 2 β rce4 ≅− 2 β = − 0. Etude du régime pseudo-continu + VCC I0 VEB1 Q1 VD IC1 Q2 VEB2 IC2 IS IC3 Q3 VBE3 VBE4 IC4 Q4 . IC 2 ≅ I0 1+ e Q3 − Q4 − VD UT . Le taux de réjection vaut donc TRMC = Ad Ac ≅ 400000 (112 dB) .01 avec rbe << 2 rce6 (β + 1) et 2 rce6 = rce4 . Ecriture du transfert IS (VD ) VEB1 ⎧ ⎪I ≅ β I e UT BS ⎪C ⇒⎨ 1 VEB2 ⎪ ⎪IC2 ≅ β I BS e UT ⎩ Etage différentiel Q1 ≡ Q2 ⎧ ⎪VD = VEB2 − VEB1 et ⎨ ⎪ ⎩I 0 = I E1 + I E 2 ⇒ IC1 IC2 ≅e − VD UT et IC1 ≅ I0 1+ e VD UT . Ce gain est surestimé par la non prise en compte de rce1 et rce2 .VCC 9.

A2 4 3 A1 avec An valeur efficace de l’harmonique n. 11. Retour au régime linéaire I0 (régime continu). Calcul de la distorsion Par définition. = 2 A1 12 UT ( ) Sylvain Géronimi Page 119 Eléments de circuits intégrés .. th⎜ ⎜ 2U ⎟ ⎟ ≅ 2 U pour VD << 2 UT ⇒ IS ≅ 2U VD pour de faibles variations T ⎠ T T ⎝ du pseudo-continu autour de VD = 0 . Pour VD = 0 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 10. o IC1 o ⎛ VD ⎞ I0 VD Autre démonstration.33 % . Le signal v d (t ) évolue sur la zone linéaire de la 2 caractéristique IS (Vd ) autour de VD = 0 et l’expression de la conductance de transfert du circuit linéaire peut être retrouvée. ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ x3 x5 + + o x6 3 15 5 ⎛ V VD V3 VD ≅ I0 ⎜ D − D 3 + 5 ⎜ 2U 2 UT 24 UT 240 UT T ⎝ car le développement limité de th x à l’ordre 6 est th x = x − d≅ 2 VD A3 et pour VD = UT = 25 mV . d ≅ 8. d = IS = I 0 th 2 + A 2 + A 2 + . IC1 = IC2 ≅ ⎡ dI S ⎤ ⎢ ⎥ ⎣ dVD ⎦ V ≅ D =0 I0 UT ⎡ ⎢ V ⎢ − D ⎢ e UT ⎢ V ⎢⎛ − D ⎢ ⎜1 + e UT ⎢⎜ ⎜ ⎣⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ 2 + e VD UT VD ⎛ ⎜ UT e 1 + ⎜ ⎜ ⎝ ⎤ ⎥ ⎥ ⎥ I = 0 2⎥ 2 UT ⎞ ⎥ ⎟ ⎥ ⎟ ⎟ ⎥ ⎠ ⎦ VD =0 ⇒ is β ≅ = Yt vd rbe car rbe ≅ UT β et I 0 ≅ 2 IC1 . ce qui revient aussi à dire que les variations de i s sont proportionnelles aux variations de v d si ces dernières sont d’amplitude crête faible devant 50 mV..

Etude du régime dynamique aux fréquences moyennes ' ' ' 14. Dessinez le schéma équivalent du montage attaqué par l’équivalent de Thévenin de l’étage différentiel ( v g . Cet étage fait suite à l’étage différentiel étudié précédemment et les transistors ont mêmes β et VA.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etage de tension intermédiaire (partie 2) L’étude porte sur la caractérisation de l’étage de tension de la figure ci-dessous.Q8 ( A v . rg = 2 MΩ ) et évaluez les paramètres rbe et rce des transistors. Zs ). puis évaluez les courants de collecteur et justifiez la valeur du courant de base de Q7 lorsque l’étage est connecté à la sortie de l’étage différentiel. Etude du régime dynamique aux faibles signaux 13. Sylvain Géronimi Page 120 Eléments de circuits intégrés . Caractérisez l’étage de gain en tension Q7 . Dessinez le montage en régime statique.3k (VCC = 15 V) -VCC Etude du régime continu 12. Ze . les transistors étant sous leur schéma aux fréquences moyennes. Etude du régime dynamique aux fréquences hautes 15. le transfert étant défini par ' Av = v s / v e et la charge de l’étage étant considérée comme très importante et dessinez le quadripôle issu de cette caractérisation. Justifiez ce résultat.4k C 30p Q7 vs ve Q8 R3 6. puis évaluez le produit gain bande du circuit incluant l’étage différentiel. +VCC Q9 Q10 R2 29. Calculez la fréquence de coupure haute de étage intermédiaire.

Etude du régime dynamique aux faibles signaux 13. rce ≅ A IC o IC o rg + vg R3 vs d’où rbe7 ≅ 50 kΩ . Polarisation Mirroir Q9 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 12.2 µA R3 6. Schéma et valeurs des paramètres des modèles C Q7 Q8 rce10 rbe = UT V β . Etude du régime dynamique aux fréquences moyennes 14. Ainsi.10 ≅ 100 kΩ . rce8. rbe8 ≅ 5 kΩ . le choix de la o o o résistance R3 . pour une valeur donnée du courant issu du miroir.Q10 miroir 1 mA 500 nA Q7 Q8 15 V 100 µA IC10 ≅ IC9 = o o o 2VCC − VEB9 R2 o = 1 mA ⇒ IC8 = IC10 ≅ 1 mA 5 µA 95. le nœud de sortie (à droite) de l’étage différentiel laisse fuir un courant de 500 nA vers la base de Q7 et le nœud opposé (à gauche) laisse fuir le courant I B3 + I B4 = 2 IC3 β ≅ 500 nA . Caractérisation de l’étage de gain Etage collecteur commun Q7 non chargé (équivalent de Thévenin) rbe7 rg i7 rce7 β i7 R3 vs1 Z s1 vg Sylvain Géronimi Page 121 Eléments de circuits intégrés . est conditionné pour symétriser l’étage différentiel dans son régime de polarisation.3k VBE8 15 V I E7 = o VBE 8 R3 o + I B8 ≅ IC7 ≅ 100 µA o o Lorsque cet étage de tension est connecté à la sortie de l’étage différentiel. rce7 ≅ 1 MΩ .

i7 rbe7 β i7 ( ) Z e1 rce7 R3 Ze2 d’où le schéma résumé rg ve vg Ze1 vs1 = A 1 vg Zs1 Ze2 vs2 = A2 vs1 Zs2 vs Rch Sylvain Géronimi Page 122 Eléments de circuits intégrés .38 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés A1 = v s1 vg = (β + 1) (R3 // rce ) rg + rbe + (β + 1) (R3 // rce 7 7 7 ) ≅ 0. soit Z e2 = rbe8 i8 Z e2 rbe8 β i8 rce8 rce10 Rch et le collecteur commun Z e1 = rbe7 + (β + 1) rce7 // R3 // Z e2 ≅ 609 kΩ .88 kΩ Etage émetteur commun Q8 i8 Zs1 rbe8 β i8 vs1 rce8 rce10 vs2 Zs 2 A2 = v s2 v s1 =− β rce8 // rce10 rbe8 + Z s1 ( ) ≅ − 1126 . Deuxième étape : calcul de la résistance d’entrée L’émetteur commun présente la diode d’entrée de Q8 vue de sa base. Z s2 = rce8 // rce10 ≅ 50 kΩ Le gain en tension de la chaîne non chargée ( Rch très importante) s’écrit v s2 vg = v s1 v s2 v g v s1 = A1 A2 ≅ − 428 . Zs 1 = rce7 // R3 // rg + rbe7 β +1 ≅ 3.

Cette compensation rend le circuit inconditionnellement stable. 1 + j f fh La faible fréquence de coupure haute permet d’atteindre un gain unité avec une pente de – 20 dB par décade dans le plan de Bode. Z s = Z s2 ≅ 50 kΩ << Rch . le schéma équivalent du système est alors du premier ordre (un seul condensateur).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Le gain de transfert en tension A 'v aux fréquences moyennes (absence de C) doit être exprimé en terme de source liée à la tension v e de la branche contrôlante supportant Z e1 afin de respecter la modélisation du quadripôle (voir cours « La caractérisation d’un amplificateur linéaire »). Evaluation de la fréquence de coupure haute (fréquences hautes) La caractérisation de l’étage de gain va permettre une approche rapide du comportement en fréquence du circuit. La caractérisation de l’étage devient alors : ' ' Ze = Z e1 ≅ 609 kΩ . Rch A’v ve rg ve vg Z’e Z’s A 'v = rg vs ⎛ = ⎜1 + ⎜ ve ⎝ Z e1 ⎞ ⎟ A1 A2 ≅ − 1834 . 0 2 π RC C ( )( ) La constante de temps produisant la fréquence trouvée est de valeur énorme devant la somme de toutes les constantes de temps à vide produites par les capacités parasites des transistors et l’application de la méthode du pôle dominant donne (voir « Annexes ») : f1 ≅ 1 ≅ fh 2 π a1 0 avec a1 = RC C+ ∑ i =1 15 0 Rbe Cbei + i ∑R i =1 15 0 bc i C bc i 0 ≅ RC C L’amplificateur de tension complet (présence d’un étage différentiel en tête) se comporte comme Av un circuit du premier ordre de gain en boucle ouverte G( j f ) = avec A v ≅ 125 dB .2 Hz . ⎟ ⎠ 15. Le produit gain en tension (en unités et non en dB) fréquence de coupure haute (propriété d’un système du premier ordre) permet de chiffrer la fréquence de transition ft ≅ A v fh ≅ 10 MHz . Sylvain Géronimi Page 123 Eléments de circuits intégrés . C i0 ve Z’e // rg rg ve vg Z’e A’v ve Z’s Rch v0 A’v ve Z’s Le condensateur voit à ses bornes une résistance (dipôle de Thévenin/Norton) 1 0 ' ' RC = Zs + rg // Z e 1 − A 'v ≅ 857 MΩ ⇒ fh = ≅ 6. Sous l’hypothèse d’obtenir la fréquence de coupure à -3 dB uniquement par la présence du condensateur C.

20 dB / décade .0MHz 10MHz 100MHz Si la capacité C de compensation était absente. 124.0KHz 10KHz Frequency 100KHz 1. 121. La présence de ces pôles rend le système instable comme le montre la simulation.2797m) -50 1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Illustration par la simulation 150 632.209) 100 (6. 121. 8. Sylvain Géronimi Page 124 Eléments de circuits intégrés . l’influence conjuguée du montage émetteur commun Q8 (voir le problème « Réponse en fréquence d’un émetteur commun »). et du montage base commune Q4 cumulant sur sa forte charge de collecteur les capacités parasites du miroir et de l’entrée de Q7 . produirait la fréquence de coupure haute.658K.2359.204) amplificateur compensé (C = 30 pF) amplificateur non compensé 50 .40 dB / décade 0 (10.205) (98.631m.6510M.0Hz DB(V(s)) 10Hz 100Hz 1.

écrivez l’expression de la conductance de transfert i S (v d ) en régime linéaire. Tracez ces fonctions. Evaluez le courant I 0 issu de la source. Ecrivez les expressions analytiques I1 et I 2 en fonction de I 0 et du gain en courant β des transistors Q3 et Q4 . +VCC Q7 Q8 (+) Q1 Q2 (-) R1 39. 4. Sylvain Géronimi Page 125 Eléments de circuits intégrés . Evaluez les courants et potentiels des nœuds.53k -VCC Compréhension du circuit 1. Tous les transistors sont supposés technologiquement identiques de caractéristiques β = 250 ( β >> 1 ). Donnez une description du circuit. Etude du régime continu 2.2k I2 Ipol Q3 Q4 I1 I0 iS Q9 Q10 Q5 Q6 R2 4. 3. VA = 100 V (effet Early négligé VA >> VCE ) et VBE ≅ 0.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etage différentiel cascode à charges actives (miroir) L’étude porte sur la caractérisation du circuit intégré (CI) de la figure ci-dessous alimenté sous VCC = ± 15 V . 7. Ecrivez les expressions des transferts IC3 (VD ) . Comparez l’influence de β sur les courants de collecteur de Q3 et Q4 pour ce circuit de polarisation et pour un circuit réduit à la seule source de courant I 0 alimentant directement le point commun des bases. En considérant la zone linéaire des courbes précédentes. IC4 (VD ) et IS (VD ) de l’étage différentiel. Etude du régime pseudo continu 6. 5.6 V .

Expressions analytiques I1 et I 2 Puisque le gain en courant est important ( β >> 1) et le montage symétrique (effet Early négligé). Sylvain Géronimi Page 126 Eléments de circuits intégrés . dont le courant de référence est ajusté à l’aide de la résistance R1 . Vu la polarité de ces derniers transistors. de type Widlar. . 13.Q10 .R1 .Q2 . Description Le schéma se compose d’un circuit de polarisation et d’un étage différentiel à charges actives.L’association de collecteurs communs Q1 et Q2 suivis de bases communes Q3 et Q4 constitue un étage différentiel cascode.Q9 . 12. Il est à remarquer que la sortie de l’étage est alors asymétrique. Corrigé Compréhension du schéma 1. Zc ). zs . IC1 = IC2 ≅ IC3 = IC4 .Q8 est nécessaire pour modifier le sens du courant.Q6 qui permet de doubler le courant dynamique traversant la résistance interne de cette source.Q4 et des collecteurs de Q1 . Les charges actives de Q3 et Q4 composent un miroir de courant Q5 . Dessinez le schéma résultant. Caractérisez l’amplificateur en régime de mode commun ( Ac .Q8 ( ze . Zs ). donc de doubler la valeur du gain différentiel en tension (condition à vide). Déduisez le taux de réjection de mode commun. permettant d’obtenir une bande passante plus élevée que le montage traditionnel à comportement émetteur commun.Q10 . Zd .3. Caractérisez l’amplificateur en régime purement différentiel ( Ad . Evaluez les paramètres rbe et rce des modèles des transistors (prendre rce1. Evaluez la résistance dynamique présentée par l’étage de polarisation Q9 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 8.4 = ∞ ). La compréhension de cette topologie apparaîtra lors de l’étude du régime continu.2. . Etude du régime continu 2. 10. 11. Cet étage est un amplificateur à conductance de transfert.Q6 et Q7 .R 2 ( z9 ) et les éléments de la caractérisation des miroirs Q5 .Le circuit de polarisation est une source de courant R2 . Ai ). 9. Retrouvez l’expression de la conductance de transfert obtenue lors de l’étude en pseudo continu. un miroir de courant Q7 . Cette source permet d’alimenter l’étage différentiel par les points communs des bases de Q3 . Evaluation du courant I 0 Courant de référence I pol = Source de Widlar 2VCC − VBE10 R1 o ≅ 750 µA ⎛I R2 pol IC9 ≅ Ln ⎜ ⎜ o UT ⎜ IC 9 ⎝ o ⎞ ⎟ (équation transcendante) ⇒ I = I 0 C9 o ≅ 20 µA ⎟ ⎟ ⎠ 3.

IC3 = IC4 ≅ S βC3 ≅ I β I0 et la sensibilité de ces courants s’écrit β +1 2 d IC 3 1 dβ dβ dβ 1 car ≅ − = .14. I β I ≅ + β 1 β +1 1 ⎩2 4.1.4 V Q5 80n 20µ -VCC I0 circuit de polarisation simple .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés ⎧I = I + I 0 1 2 ⎪ ⎪ I I ≅ + ⎨ 2 C 3 IC 4 ⎪ ⎪I1 = I B3 + I B4 ⎩ ⎧I 0 = I1 + I 2 I β ⇒ ⎨ soit I 2 ≅ I 0 et I1 ≅ 0 .2 V Q3 Q4 I1 β’ I1 /2 IS Q5 Q6 I0 10µ β’ I1 /2 10µ IS 0 Q6 80n . le potentiel de ce nœud doit être à . Sylvain Géronimi Page 127 Eléments de circuits intégrés . β +1 β β +1 β +1 β IC 3 Dans le cas d’un circuit de polarisation réduit à la source I 0 alimentant de point commun des bases de Q3 et Q4 . Evaluation des courants et potentiels de noeuds +VCC +VCC 15 V Q7 Q8 Q1 Q2 ≅ I2 20µ 14.15 V -VCC Remarquons que le nœud de sortie n’est pas connecté à l’étage suivant (à vide). Influence de β sur IC3 et IC4 et comparaison Pour le circuit proposé.14. la sensibilité s’écrit IC 3 = IC 4 = β I0 2 ⇒ S βC3 = 1 (sensibilité β + 1 plus importante que précédemment). 5.4 V et laisser fuir vers l’étage suivant un courant de 80 nA (symétrisation du schéma). I Le circuit de polarisation proposé permet donc d’alimenter l’étage différentiel par un courant constant ( IC3 = IC4 ≅ I 0 2 ) dont la valeur n’est pratiquement pas fonction du gain β des PNP latéraux Q3 et Q4 . gain relativement difficile contrôlable à la fabrication. Pour obtenir une polarisation équilibrée de l’étage différentiel.4 V Q1 10µ ≅ I2 /2 Q2 10µ ≅ I2 /2 Q3 I2 20µ β’ I0 /2 β’ I0 /2 Q4 .

Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 6. on obtient : ⎧I E1 = I E3 I0 ⎧ ⎪ VD ⎪IC3 ≅ V ⎧I ⎪I E 2 = I E 4 I − D ⎪ 2 UT ⎪ E3 = C3 ≅ e 2 UT ⎪ ⎪ ⎪ 1+ e ⎛ I E1 ⇒ ⎨ I E ⎞ ⇒ ⎨ I E 4 IC 4 ⎨ ⎜ I0 + Ln 3 ⎟ ⎪ ⎪VD ≅ UT ⎜ Ln ⎪ I ≅ IE4 ⎟ VD ⎪ ⎪ ⎪ C4 ⎝ IE2 ⎠ ⎩I 0 ≅ IC3 + IC4 2 UT ⎪I ≅ I + I ⎪ 1+ e ⎩ ⎩ 0 C3 C 4 et à l’aide des trois dernières ⎧ I0 I0 V ⎪IC5 = IC6 ⇒ IS ≅ − = − I 0 th D ⎨ V V D D 4 UT − ⎪ ⎩IS ≅ IC4 − IC3 1 + e 2 UT 1 + e 2 UT avec I 0 = 20 µA Sylvain Géronimi Page 128 Eléments de circuits intégrés . Expressions des transferts ⎧ ⎪ ⎪Q ≡ Q 2 ⎪ 1 ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎨Q3 ≡ Q4 ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪Q5 ≡ Q6 ⎪ ⎪ ⎩ VBE1 ⎧ ⎪I E ≅ ( β + 1) I BS e UT ⎪ → ⎨ 1 VBE2 ⎪ UT I β I e ( 1 ) ≅ + ⎪ E BS ⎩ 2 VEB3 ⎧ ' e UT ⎪I E ≅ ( β '+1) I BS ⎪ 3 → ⎨ VEB4 ⎪ UT ' ⎪ ⎩I E 4 ≅ ( β '+1) I BS e VBE5 ⎧ ⎪IC ≅ β I BS e UT ⎪ 5 → ⎨ VBE6 ⎪ UT ⎪ ⎩IC6 ≅ β I BS e (technologie) ⎧VD = VBE + VEB − VEB − VBE 1 3 4 2 ⎪ ⎪I E1 = I E3 ⎪ ⎪I E 2 = I E 4 ⎪ (circuit) ⎨I 0 ≅ IC3 + IC4 ⎪ ⎪VBE5 = VBE6 ⎪I ≅ I C5 ⎪ C3 ⎪IS = IC − IC 4 6 ⎩ +VCC Q7 Q8 ≅ I2 Q1 VD VBE1 Q2 VBE2 I2 20µ Q4 I1 VEB3 VEB4 Q3 IB3 IB4 IC3 IC4 IC6 Q6 VBE5 VBE6 80n IS IC5 Q5 20µ I0 -VCC A partir des quatre premières équations du circuit.

9 ≅ 312. rce1.2. ⎟ ⎠ Le miroir de courant est équivalent à un quadripôle de transfert en courant dont les paramètres r β valent ze = be .2.5. rbe7. Etude du régime dynamique (faibles signaux) 8. -37.013u) 0A Q3 bloqué (111.0E-18. Sylvain Géronimi Page 129 Eléments de circuits intégrés .9 MΩ . z5 ≅ 2480 Ω . th I I VD V V ≅ D et IS ≅ − I 0 D . i s = Yt v d représente la source équivalente de Norton du montage et sa résistance de dipôle est zs = rce6 telle que zs >> Rch avec rce3 = rce4 = ∞ .4.6 ≅ 10 MΩ . 10. z6 = 10 MΩ . d’où le transfert Yt = S ≅ − 0 . zs = rce .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 20uA linéarisation du transfert Q4 saturé Q3 saturé 10uA (111.5 MΩ .5 MΩ .0E-18. rce7. z8 = 2. rce5. 4 UT 4 UT 4 UT VD 4 UT Cette expression correspond à la conductance de transfert de l’étage court-circuité en sortie (adaptation en courant réalisée) dans une étude dynamique aux faibles signaux.5 kΩ . rce ≅ A IC o IC o d’où rbe1.Q10 est équivalente à une résistance z9 ≅ rce9 ⎜1 + ⎜ R2 + rbe 9 ⎝ ⎞ ⎟ ≅ 22.6 = rbe ≅ 625 kΩ . Dans ces conditions de charge.8 ≅ 2. z7 ≅ 1240 Ω .759n) -10uA linéarisation du transfert -20uA -400mV IC(Q3) -300mV IC(Q4) -200mV IC(Q4) .3.4 = ∞ .8. β +2 β +2 Pour le miroir Q5 . Paramètres des modèles rbe = UT V β . 9. rce9 ≅ 5 MΩ . Schéma et éléments dynamiques demandés ⎛ β R2 La source de Widlar Q9 . Pour le miroir Q7 .Q6 . Ai = .IC(Q3) -100mV 0V 100mV 200mV Q4 bloqué 300mV 400mV VD 7.3. Expression du transfert Pour une faible valeur de VD par rapport à la masse.Q8 .

Par un même raisonnement. ( ) ( ) 2 z7 Q2 + -vd/2 Q2 Q4 ib4 ic4 z0 .Ai ic4 rce6 vout1 Ai ic3 Q4 ic4 + vc ic2 rce6 (voir annexe « Méthode de travail pour la caractérisation linéaire d’un étage différentiel »). Dans le régime de mode commun. Le raisonnement est le même pour le courant traversant la résistance équivalente rce8 // z9 . le courant traversant la résistance équivalente rce8 // z9 est 2 i b4 + 2 Ai i c 4 = 2 (1 + Ai β )i b4 et le courant de base de Q4 traverse une résistance équivalente z0 = 2 (1 + Ai β ) rce8 // z9 ≅ 2 β rce8 // z9 ≅ 1127 MΩ . La résistance z7 est donc traversée par un courant nul et cette dernière disparaît du schéma. La résistance z7 est traversée par un courant i c1 + i c 2 = 2 i c2 et le courant de collecteur de Q2 traverse une résistance équivalente 2 z7 . nous avons i c2 = − i c1 et i c 4 = − i c3 . nous avons i c1 = i c2 = i c3 = i c 4 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés z7 ic1+ic2 Ai (ic1+ic2) rce8 + v1 Q1 Q2 + v2 Q3 Q4 ib3+ib4 ic3 ic4 z5 Ai ic3 rce6 z9 Dans le régime différentiel. Sylvain Géronimi Page 130 Eléments de circuits intégrés .

Les sources liées β i 4 et Ai i c3 ne débitant aucun courant. soit ' = Ze 2 rbe4 β +1 ' et le collecteur commun Z e = rbe2 + (β + 1) 1 rbe4 β +1 = 2 rbe ≅ 1.vd /2 β i2 rce2 v's1 ' Zs 1 ' = A1 ' vs 1 − vd 2 = rbe2 + rce2 (β + 1) rce2 (β + 1) =1 ( rce2 = ∞ ) i0 i2 rbe2 β i2 v0 rbe2 ⎧i 0 + (β + 1)i 2 = 0 ⎪ ' ⇒ Zs = ≅ 2490 Ω ⎨ 1 = − v r i β +1 ⎪ be2 2 ⎩ 0 Etage base commune Q4 β i4 iC4 Z's1 i4 rbe4 Ai ic3 z6 v's2 ' Zs 2 v's1 ' ' ⎧v s ⎪ 1 = − rbe4 + (β + 1)Z s1 i 4 ⎨ ' ⎪ ⎩v s2 = z6 i c 4 − Ai i c3 [ ( ) ] avec i c 4 = − i c3 = − β i 4 ' A2 = ' vs 2 ' vs 1 = 2 β z6 2 β z6 β z6 β +1 ' ≅ = = 4000 . le courant i 0 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 10. Pour le demi-schéma de droite représenté ici. produit par la source de tension v 0 appliquée à l’entrée du dipôle. Z s = z6 = 4 MΩ 2 ' β +2 rbe4 + rbe2 rbe rbe4 + (β + 1)Z s 1 ' = A ' (− v ( ± v d / 2 ). la source v s 1 d 2 ) étant égale à 1 ' . les deux sources de tensions indépendantes à l’intérieur du dipôle sont éteintes Pour évaluer Z s 2 zéro. Caractérisation en régime différentiel Première étape : calcul du gain en tension et de la résistance de sortie du circuit. Deuxième étape : calcul de la résistance d’entrée Le montage base commune présente la diode d’entrée de Q4 vue de son émetteur. Etage collecteur commun Q2 i2 rbe2 . l’attaque étant une source de tension −v d / 2 . traverse intégralement la résistance z6 . Un même raisonnement sur le demi-schéma de gauche conduit à i c3 = 0 .25 MΩ . le courant i 4 est inexistant et i c 4 = 0 . Sylvain Géronimi Page 131 Eléments de circuits intégrés .

mêmes résultats avec les notations A1 = '' vs 1 vc ' '' ≡ Z ' . est donc Z c = Z e 1 Sylvain Géronimi Page 132 Eléments de circuits intégrés . 1 11. Z s = z6 = 10 MΩ 2 '' z0 + (β + 1)Z s1 + z0 β + 2 Deuxième étape : calcul de la résistance d’entrée Le schéma du montage base commune à charges réparties est modifié par la présence de la résistance z0 en série avec la résistance rbe4 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés i2 rbe2 β i2 ' Ze 1 rce2 =∞ Z'e2 ' La résistance Z e étant vue par la source de tension v d / 2 .5 MΩ . ce qui conduit à remplacer rbe4 par rbe4 + z0 dans les expressions analytiques. rbe4 + z0 '' '' '' = soit Z e et Z e = rbe2 + (β + 1)Z e = 2 rbe + z0 . '' Pour l’étage collecteur commun. schéma. valeur surestimée par l’absence de rce2 . 2 1 2 β +1 La résistance de mode commun. l’attaque étant une source de tension v c . Caractérisation du régime de mode commun Première étape : calcul du gain en tension et de la résistance de sortie. la résistance différentielle d’entrée 1 ' vue par la source v d est Z d = 2 Z e ≅ 4 rbe ≅ 2. ( ≡ A1 ) et Z s s1 1 Pour l’étage pseudo-base commune β i4 i4 Z''s1 rbe4 Ai ic3 v''s1 z0 z6 v''s2 '' Zs 2 iC4 '' '' ⎧v s ⎪ 1 = − (β + 1)Z s1 + rbe4 + z0 i 4 ⎨ '' ⎪ ⎩v s1 = z6 i c 4 − Ai i c3 [ ( ) ] avec i c3 = i c 4 = − β i 4 '' A2 = '' vs 2 '' vs 1 = rbe4 β z6 2z 2 '' ≅ 6 ≅ 17. vue par la source de tension v c dans le contexte du demi'' ≅ 1128 MΩ .7 10 −3 .

L’étude dynamique fournit les performances de l’étage en régime linéaire (gain différentiel.7 10 −3 . l’amplificateur a été représenté sous la forme d’un ' = Ad v d et de résistance z6 . 2 rbe vd z6 2 rbe z6 z6 Or rbe = UT 2 UT β= β IC4 I0 o ⇒ Yt = − I0 . soit environ 100 dB. résistances d’entrée et de sortie.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 12. Taux de réjection de mode commun Les gains de transfert en tension valent '' ' vs vs β z6 2 z6 A' A' '' '' Ad = 2 = − 1 2 = − = − 2000 . Sylvain Géronimi Page 133 Eléments de circuits intégrés . 2 2 rbe vd vc z0 La tension obtenue en fin de chaîne est la somme des tensions de sortie à vide issues des deux ' '' régimes (théorème de superposition). soit v s2 = v s + vs = Ad v d + Ac v c et la qualité de 2 2 l’amplification différentielle par rapport à l’amplification du mode commun est exprimée par la A valeur du taux de réjection de mode commun TRMC = d ≅ 112700 . Conductance de transfert En considérant le régime purement différentiel. Ac 13. 4 UT L’expression de la conductance de transfert est retrouvée. bande passante) et l’étude pseudo-continue montre l’excursion maximale de la tension différentielle d’entrée à ne pas dépasser afin de satisfaire un certain niveau de distorsion de la tension de sortie. taux de réjection de mode commun. La transformation Thévenin dipôle de Thévenin de tension v s 2 Norton conduit à ' vs i A v A v β β is = 2 = d d = − v d ⇒ Yt = s = d d = − . Ac = 2 = A1 A2 = ≅ 17.

supposé idéal ( AV = ∞. Expression de la tension de sortie 1 ⎧ ⎪ C2 p + ⎪V ( p ) = V ( p) 1 2 ⎪ R2 + ⎪ C2 p ⎪ ⎪ + − ⎨V ( p ) = V ( p ) ⎪ 1 ⎪ R1 C1 p ⎪ − V ( p) + V ( p) ⎪V ( p ) = 1 s 1 1 R1 + R1 + ⎪ C1 p C1 p ⎪ ⎩ ⇒ R1C1p 1 1 V2 ( p ) = Vs ( p ) + V1( p ) R2C2 p + 1 R1C1p + 1 R1C1p + 1 d’où Vs ( p ) = − 1 1 R1C1p + 1 V1( p ) + V2 ( p ) R1C1p R1C1p R2C2 p + 1 2. Si R1 = R2 = R et C1 = C2 = C . C1 R1 v1 R2 v2 + C2 vs 1. Vs ( p ) = − 1 [V1( p) − V2 ( p )] RC p Il s’agit d’un intégrateur de tension différentielle d’expression v s (t ) = − 1 RC ∫ [v (t ) − v (t )]dt . Corrigé 1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Intégrateur de tension différentielle L’étude proposée concerne le montage de la figure ci-dessous au sein duquel l’amplificateur de tension. Ecrivez l’expression de la tension de sortie v s en fonction de v 1 et v 2 . Z E = ∞. fonctionne en régime linéaire. 2. 1 2 Sylvain Géronimi Page 134 Amplificateurs idéaux . Fonction du montage Si R1 = R2 = R et C1 = C 2 = C . concluez sur la fonction du montage. ZS = 0 ).

I ( p) 2. R2 . supposés idéaux ( AV = ∞. Ve ( p ) du montage. I ( p) Sylvain Géronimi Page 135 Amplificateurs idéaux . R1 i C + ve R2 (a) (b) RP L RS 1. Ecrivez l’expression de l’impédance d’entrée Z e ( p ) = Ve ( p ) du montage de la figure a. Cette étude concerne un circuit simulateur de capacité. R2 U1 R1 + ve C + U2 i 4. fonctionnent en régime linéaire. Les amplificateurs de tension utilisés. Ecrivez l’expression de l’impédance du montage b telle que RP >> RS . C. ZS = 0 ). 3. Identifiez L. RS . Interprétez ce résultat. Z E = ∞. RP en fonction de R1 . Ecrivez l’expression de l’impédance d’entrée Z e ( p ) = 5. La première étude concerne un circuit simulateur d’inductance.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Convertisseurs d’impédance Les circuits proposés sont capables de simuler des selfs et des capacités.

monté en inverseur. d’où R2 R p = R1 Rs et R p = R2 . La loi d’Ohm aux bornes cu R1 5. Identification Z e ( p ) ≡ Z ( p ) ⇒ R1 = Rs . 1 ⎠ ⎝ Sylvain Géronimi Page 136 Amplificateurs idéaux . Expression de l’impédance du montage b L L p 1+ p Rs Rs Z( p) = = ≅ Rs L L R p + R s + L p R p + Rs 1+ p 1+ p R p + Rs Rp R p (Rs + L p ) R p Rs 1+ 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1. Expression de l’impédance d’entrée L’amplificateur U1 . 4. R1C = Rp Rs car RP >> RS . L = R1 R2 C . fournit la tension de sortie Vs ( p ) = − condensateur s’écrit alors I ( p ) = [Ve ( p ) − Vs ( p )]C p ⇒ Z e ( p ) = Ve ( p ) 1 = I( p) ⎛ R2 ⎞ ⎜ ⎜1 + R ⎟ ⎟C p 1 ⎠ ⎝ R2 Ve ( p ) . L’amplificateur U 2 . R2 C = L L . Expression de l’impédance d’entrée ⎧I ( p ) = I1( p ) + I 2 ( p ) ⎪ − ⎪I ( p ) = Ve ( p ) − V ( p ) ⎪1 R1 ⎪ ⎨I 2 ( p ) = Ve ( p ) − V + ( p ) C p ⎪ R2 ⎪V + ( p ) = V − ( p ) = V ( p) ⎪ 1 e + R ⎪ 2 Cp ⎩ i1 i R1 C ve i2 R2 + [ ] ⎧ ⎛ 1 ⎞ + + Cp⎟ ⎪I ( p ) = Ve ( p ) − V ( p ) ⎜ ⎜ ⎟ ⎪ ⎝ R1 ⎠ ⇒ ⎨ R C p ⎪V + ( p ) = 2 Ve ( p ) ⎪ 1 + R2 C p ⎩ [ ] ⇒ I( p) = V ( p) 1 + R2 C p 1 1 + R1C p = R1 Ve ( p ) d’où Z e ( p ) = e I( p) 1 + R1C p R1 1 + R2 C p 2. Interprétation ⎛ R2 ⎞ Le montage effectue une multiplication de la capacité C telle que Ceq = ⎜ ⎜1 + R ⎟ ⎟C . monté en suiveur. recopie la tension Ve ( p ) à sa sortie.

comme le montre la figure ci-dessous. 6. 2. 4. Donnez l’expression du TRMC du premier étage et discutez de la dispersion des composants.2k 220k R6 220k V2 S2 + U3 + U1 R3 1k R4 S 100k 5. Donnez les expressions des résistances d’entrée et déduisez la condition sur les résistances du circuit pour que ces résistances d’entrée soient à peu près égales. 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Amplificateur d’instrumentation amélioré L’étude proposée concerne le montage de la figure ci-dessous dans lequel l’amplificateur de tension est supposé idéal. Donnez l’expression du TRMC du montage complet. Ecrivez la condition que doivent satisfaire les résistances pour que ce montage soit un étage différentiel. Si les résistances du circuit sont prises dans la série à 1%. Comparez les performances ce montage à celui du problème précédent. U 2 ) est placé à l’entrée du montage précédent. R2 100k R1 1k V1 R3 + 1k R4 V2 100k S 1. U2 + S1 R1 1k R2 100k V1 R5 R7 2. Donnez l’expression de la tension de sortie en fonction des tensions d’entrée. Sylvain Géronimi Page 137 Amplificateurs idéaux . évaluez le TRMC pour le pire cas. Un étage différentiel ( U1 . 7.

on trouve ainsi un TRMC produit uniquement par la dispersion des composants passifs : 1 +1 Ad 2 + K + K ' K0 = = ≅ ∆K ∆R 2 (K − K ') 2 4 K0 R TRMC en supposant que Ad >> 1 . v1 ≅ v 2 . la tension différentielle v 1 − v 2 étant très faible. Cette condition entraîne R2 = R 4 qui correspond aussi à la compensation d’offset en sortie ( R1 // R2 = R3 // R 4 ). On a donc intérêt à prendre R1 = R3 pour égaliser les impédances d’entrée. v2 = − 1 + + 2 2 2 2 1 ⎡2 + K + K' (v1 − v1 ) − (K − K ') v1 + v1 ⎤ ⇒ vS = − K (1 + K ' ) ⎢ 2 2 ⎥ ⎦ ⎣ En considérant des résistances de même dispersion autour de la valeur nominale. Expressions des impédances d’entrée Z E1 = R1 R ≅ 1 (R3 + R 4 ) v2 R4 R3 1− v 1 R3 + R 4 et Z E 2 = R3 + R 4 En effet. = + = =2 K R1 R2 K' R L’amplificateur étant supposé parfait. le TRMC minimal calculé démontre l’utilisation de résistances ultra précises. 4. Sylvain Géronimi Page 138 Amplificateurs idéaux . Condition pour avoir un étage différentiel R1 R3 = R2 R 4 ⇒ Ad = vS R =− 2 v1 − v 2 R1 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1. le calcul d’erreur donne ∆K ∆R1 ∆R2 ∆K ' ∆R avec comme pire cas K = K 0 + ∆K et K ' = K 0 − ∆K . Expression de la tension de sortie vS = − ⎛ R2 ⎞ R 4 R2 v2 v1 + ⎜ ⎜1 + R ⎟ ⎟ R1 1 ⎠ R3 + R 4 ⎝ 2. Pour un amplificateur d’instrumentation. mais les valeurs des impédances d’entrée restent faibles. soit TRMC ≅ 68 dB . Expression du taux de réjection de mode commun Posons K = Or v 1 = R R1 1 [v1 (1 + K ') − v 2 (1 + K )] et K ' = 3 ⇒ v S = − K (1 + K ' ) R2 R4 v1 − v 2 v1 + v 2 v − v 2 v1 + v 2 . il est nécessaire de choisir un composant actif à très bon TRMC . Cependant.

l’erreur totale de mode commun est donc de 5%. ainsi que la différence entre les deux résistances. la dispersion des résistances joue très peu. La tolérances des résistances étant ici de 1%. 5. Expression du taux de réjection de mode commun du montage complet R2 R1 = ∆R 4 R TRMC ⎛ 2R ⎞ ⎜ ⎜1 + R ⎟ ⎟ 7 ⎠ ⎝ avec R = R5 = R6 7. TRMC = 1 + R5 + R 6 R7 6. l’erreur additionnelle sera de 1% pour un gain différentiel de 100 ( Ac = 10 − 2 ).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Si un amplificateur présentant un TRMC de 80 dB est utilisé. L’erreur de mode commun est nettement moindre que dans le premier montage différentiel. Sylvain Géronimi Page 139 Amplificateurs idéaux . Performances Cet amplificateur d’instrumentation présente des impédances d’entrée énormes. une impédance de sortie très faible (contre-réaction tension-tension sur U 2 et U 3 ) et un gain en tension qui peut être réglable par un potentiomètre en place de R7 . Expression du taux de réjection de mode commun du premier étage R5 ⎧ ⎪v S1 = R (v 1 − v 2 ) + v 1 ⎪ 7 ⎨ ⎪v = − R 6 (v − v ) + v S2 1 2 2 ⎪ R7 ⎩ Ad = v S1 − v S2 v1 − v 2 = 1+ R5 + R 6 R7 ⇒ ⎧ ⎛ R5 + R 6 ⎞ ⎟ ⎪v S1 − v S2 = ⎜ ⎜1 + R ⎟ (v 1 − v 2 ) ⎪ 7 ⎝ ⎠ ⎨ ⎪v + v = R5 − R6 (v − v ) + (v + v ) S2 1 2 1 2 ⎪ S1 R7 ⎩ Ac = v S1 + v S2 v1 + v 2 = 1+ R5 − R 6 v 1 − v 2 ≅1 R7 v 1 + v 2 et La tension différentielle étant très faible devant celle du mode commun.

Ecrivez l’expression du courant de sortie i 0 en fonction de v d et concluez sur la fonction du montage. Corrigé 1. Expression de la tension de sortie R − ⎧ + − ⎪v S1 = R v in − v in + v in ⎛ 2R ⎞ ⎪ G ⎟ v s = − v s1 + v s2 + v ref ⇒ v s = ⎜ ⎨ ⎜1 + R ⎟ v d + v ref R − + + G ⎠ ⎝ ⎪v = − v in − v in + v in S2 ⎪ RG ⎩ ( ) ( ) 2. vd RG + Ref R1 + i0 R0 2. Ecrivez l’expression de la tension de sortie v s en fonction de v d et v ref . G ⎠ 1 ⎝ Sylvain Géronimi Page 140 Amplificateurs idéaux . Expression du courant de sortie ⎧v ref = R0 i 0 ⎛ 2R ⎞ vd ⎪ ⎟ ⇒ i0 = ⎜ R0 ⎨ ⎜1 + R ⎟ R R i v = 1 G ⎠ ⎝ ⎪ 0 0 R +R s 0 1 ⎩ Il s’agit d’un convertisseur tension différentielle / courant (conductance de transfert) d’expression ⎛ 2R ⎞ 1 ⎟ Yt = ⎜ ⎜1 + R ⎟ R . + v in R R - R vs1 RG - vd RG R + v + in + Ref symbole vs2 R vs R Ref + 1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Amplificateur d’instrumentation (INA 114 de Burr-Brown) Le constructeur Burr-Brown propose le circuit intégré représenté à la figure suivante (résistance RG hors puce) dont le symbole est associé.

Concluez sur le type d’amplificateur et précisez les avantages et défauts. Vref Q1 Q2 V R2 + R1 R4 VE + U1 R3 U2 VS Figure 1 R2 Vref R4 V Q1 Q2 R3 + R1 U2 VE VS - + U1 Figure 2 Etude en régime pseudo-continu 1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Amplificateurs logarithmique et exponentiel (antilogarithmique) L’étude proposée concerne les circuits présentés ci-dessous. Tous les transistors sont supposés technologiquement identiques et leurs courants de base négligeables (β très grand. Les amplificateurs de tension sont supposés idéaux. 2. VA = ∞ ). Sylvain Géronimi Page 141 Amplificateurs idéaux . Ecrivez la relation VS (VE ) pour les deux montages. en constatant que Vref >> V .

Sylvain Géronimi Page 142 Amplificateurs idéaux . Conclusion Les expressions trouvées sont indépendantes de IBS grâce à la présence des deux transistors appairés. VCB = 0 ⇒ VCE = VBE << VA ) VBE1 IC1 ⎧ ⎧ ⎪VBE1 ≅ UT Ln ⎪I ≅ β I e UT β I BS BS ⎪ ⎪ C1 ou ⎨ = I BS . ce qui pose problème.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1. β1 = β 2 = β ⇒ ⎨ VBE2 IC 2 ⎪ ⎪V ⎪IC2 ≅ β I BS e UT ⎪ BE 2 ≅ UT Ln β I ⎩ BS ⎩ Q1 ≡ Q2 → I BS1 = I BS2 Equations du circuit de la figure 1 : ⎧V = VBE 2 − VBE1 (tension différentielle très faible devant Vref ) ⎪ ⎪Vref = R2 I B2 + IC2 + V ≅ R2 IC2 + V ( β grand) ⎪ + − ⎨VE = R1IC1 (V = V = 0 pour U1 ) ⎪ ⎛ R4 ⎞ ⎪ + − ⎟ ⎪VS = ⎜ ⎜1 + R ⎟V (V = V = V pour U 2 ) 3 ⎠ ⎝ ⎩ ⎧ V ⎪IC ≅ ref R2 ⎪ 2 ⎪ VE ⎪ ⎨IC1 = R1 ⎪ ⎪ I ⎛ ⎞ ⎪VS = ⎜1 + R 4 ⎟ UT Ln C2 ⎜ ⎟ ⎪ R3 ⎠ IC1 ⎝ ⎩ ( ) ⇒ d’où ⎛ R4 VS ≅ − UT ⎜ ⎜1 + R 3 ⎝ ⎞ ⎞ ⎛ R2 ⎟ ⎟ Ln ⎜ ⎟ ⎜ R V VE ⎟ (amplificateur logarithmique) ⎠ ⎠ ⎝ 1 ref Equations du circuit de la figure 2 : ⎧V = VBE1 − VBE2 (tension différentielle très faible devant Vref ) ⎪ ⎪I = Vref − V (V + = V − = V pour U1 ) ⎪ C1 R2 ⎪ VS ⎨ (V + = V − = 0 pour U 2 ) ⎪IC2 = R 1 ⎪ ⎪ R3 VE ⎪V = R3 + R 4 ⎩ R1 Vref − UT e R2 1 R3 VE R3 + R 4 ⇒ ⎧ V ⎪IC ≅ ref (Vref >> V ) 1 R2 ⎪ ⎪ V ⎪ S ⎨IC2 = R 1 ⎪ ⎪ IC1 R3 ⎪UT Ln = VE I R ⎪ C2 3 + R4 ⎩ d’où VS ≅ (amplificateur exponentiel) 2. La dérive due à la température vient uniquement de la tension thermique UT . on a : (ici. ⎟ ⎠ En considérant VA = ∞ . Expression de VS (VE ) Modèles mathématiques de JBT appairés : ⎛ VCEi ICi = β I Bi = β I BS e UT ⎜ ⎜1 + V A ⎝ VBEi ⎞ ⎟ avec VA tension d’Early.

Les amplificateurs de tension sont supposés idéaux. Expliquez le fonctionnement du montage.V3 ) . Sylvain Géronimi Page 143 Amplificateurs idéaux . VA = ∞ ). 2. Tous les transistors sont supposés technologiquement identiques et leurs courants de base négligeables (β très grand. Ecrivez la relation VS (V1.V2 .8k - R2 100k + U2 100k v2 Q4 Q3 R3 100k v3 100k + U3 + U4 10k 1.8k - R4 10k vs Etude en régime pseudo-continu 1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Multiplicateur / diviseur L’étude proposée concerne le circuit de la figure ci-dessous. Q1 Q2 R1 100k v1 100k + U1 v 1.

U 2 ) pilotant un montage antilog ( U 3 . pour le montage antilog : V3 ⎧ ⎪IC3 = R VBE3 ⎧ 3 ⎪ U ⎪ ⎪ VS ⎪IC ≅ β I BS e T et Q3 ≡ Q4 ⇒ ⎨ 3 ⎨IC4 = VBE4 R4 ⎪ ⎪ UT ≅ I β I e ⎪V = VBE − VBE ⎪ C4 BS ⎩ 3 4 ⎪ ⎩ ⎛ R 4 V3 ⎞ ⎟ d’où V = UT Ln⎜ ⎜R V ⎟ ⎝ 3 S⎠ ce qui donne VS = R2 R 4 V1V3 V1V3 = R1 R3 V2 10V2 2. Ce transistor additionne une tension proportionnelle à Ln (V3 ) et commande le transistor antilog Q4 . Expression de VS Pour le montage log. U 4 ). les équations sont les suivantes : V1 ⎧ ⎪IC1 = R VBE1 ⎧ 1 ⎪ UT ⎪ I β I e ≅ ⎪ BS V2 ⎪C et Q1 ≡ Q2 ⇒ ⎨ 1 ⎨IC2 = VBE2 R2 ⎪ ⎪ UT I β I e ≅ ⎪V = VBE − VBE ⎪ BS ⎩ C2 2 1 ⎪ ⎩ ⎛ R 2 V1 ⎞ d’où V = − UT Ln⎜ ⎜R V ⎟ ⎟ ⎝ 1 2⎠ De même. Sylvain Géronimi Page 144 Amplificateurs idéaux . R 4 sont des résistances de précision (< 1%) et la relation obtenue se vérifie pourvu que les transistors soient portés à la même température. Le générateur log en sortie de U1 commande la base de Q3 par une tension proportionnelle à Ln (V1 V2 ) . V3 ≥ 0 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1. Fonctionnement du montage Ce multiplieur/diviseur un quadrant est basé sur un montage log ( U1 . R2 . R1 . R3 . V2 . Le courant collecteur de Q4 est converti en une tension de sortie par U 4 et R 4 avec un facteur d’échelle défini par cette résistance en V1 V3 (10V2 ) pour V1 .

5. L’amplificateur de tension est supposé idéal ( AV = ∞. Au sein des figures qui suivent. l’amplificateur se représente par un amplificateur à transconductance. Sylvain Géronimi Page 145 Amplificateurs idéaux . Application 2 vd1 ve + U1 vd2 Ipol1 + U2 Ipol2 is1 is2 vs 3. ZS = ∞ ). Ecrivez l’expression du gain en tension A v = v s / v e . 4. Application 1 R1 vd + R2 R3 U1 is + U2 Ipol R - 1. Z E = ∞. 2. Commentez ce résultat. U1 is vd Ipol + U2 + L’amplificateur à transconductance présente un transfert commandé par le courant I pol défini par la relation Yt = i s / v d = I pol / 2UT et des impédances d’entrée et de sortie idéales ( Z E = ∞. ZS = 0 ). suivi d’un buffer mis sous la forme d’un amplificateur de tension monté en suiveur. Ecrivez l’expression de la résistance équivalente R.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Amplificateurs à conductance de transfert L’étude proposée concerne quelques applications des amplificateurs à conductance de transfert de type LM 13600 en régime linéaire (voir problème « Amplificateur à conductance de transfert LM 13600). remarquable par la présence d’une flèche marquée I pol . Commentez les résultats obtenus. Ecrivez l’expression de la résistance de sortie du montage.

10. 9.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Application 3 R2 R1 vd R1 + ve R2 U1 is + U2 Ipol C vs 6. Concluez sur le rôle de ce montage. Ecrivez l’expression de la fonction de transfert H ( p ) = Vs ( p ) / Ve ( p ) et déduisez la pulsation de coupure. Concluez sur le rôle de ce montage. Ecrivez les expressions des fonctions de transfert H1( p ) = Vs1 ( p ) / Ve ( p ) et H 2 ( p ) = Vs2 ( p ) / Ve ( p ) dans le cas où R1 >> R 2 et I pol1 = I pol 2 = I pol . Identifiez les paramètres ζ et ωn . 7. Application 4 R2 R1 R1 vd1 U1 is1 + + U2 R1 + Ipol C vs1 R2 Ipol C vs2 R2 vd2 U3 is2 + U4 R1 ve R2 8. Sylvain Géronimi Page 146 Amplificateurs idéaux .

i s = Yt v d = I pol ⎛ ⎞ ⎛ R ⎞ 2 UT R2 ⎜ 1+ 1 ⎟ 0− v0 ⎟ ⇒ R =⎜ ⎟ ⎟ ⎜ ⎜ 2 UT ⎝ R1 + R2 ⎠ ⎝ R2 ⎠ I pol 2. i 0 courant entrant dans le dipôle tel que i 0 = − i s .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Application 1 1. Application 2 3. L’amplificateur peut varier continûment de 0 < A v min < 1 < A v max . exceptées les résistances de réglage des courants de commande. Expression de la fonction de transfert et de la pulsation de coupure ⎧Is ( p ) = Yt Vd ( p ) ⎪ R2 ⎪ [Ve ( p) − Vs ( p)] ⇒ C pVs ( p) = Yt R2 [Ve ( p) − Vs ( p)] ⎨Vd ( p ) = R R + R1 + R2 1 2 ⎪ ⎪Is ( p ) = C p Vs ( p ) ⎩ Sylvain Géronimi Page 147 Amplificateurs idéaux . Yt 2 I pol 5. Commentaire La résistance est commandée par le courant I pol et est influencée par la température ( UT ). Expression du gain en tension ⎧i s = − Yt v e 1 ⎪ 1 ⎪ ⎨i s2 = − Yt2 v s ⎪ ⎪ ⎩i s1 + i s2 = 0 ⇒ Av = Yt I pol1 vs =− 1 =− ve Yt 2 I pol 2 (amplificateur inverseur de tension) 4. Application 3 6. Expression de la résistance équivalente La résistance du dipôle est définie par R = v0 avec v 0 tension appliquée à l’entrée du dipôle et i0 recopiée en sortie du suiveur de tension U 2 . Commentaires L’amplification de tension et la résistance de sortie sont réglables par les courants de commande I pol1 et I pol 2 sans utiliser de composants passifs. Expression de la résistance de sortie Rs = vs i0 avec i 0 = − i s1 + i s2 ( ) (courant entrant dans le dipôle) et v e = 0 (source éteinte à l’intérieur du dipôle). d’où Rs = 2UT 1 = .

Conclusion Il s’agit respectivement de filtres passe-bande et passe-bas du second ordre.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés d’où Vs ( p ) = Ve ( p ) 1 1 de la forme p ⎛ R1 ⎞ C 1+ 1+ ⎜ ⎜1 + R ⎟ ⎟Y p ω c 2 ⎠ t ⎝ avec ωc = I pol ⎛ R1 ⎞ 2UT ⎜ ⎜1 + R ⎟ ⎟C 2 ⎠ ⎝ 7.5 . Conclusion Il s’agit d’un filtre passe-bas du premier ordre dont la fréquence de coupure est commandée par I pol . Expressions des fonctions de transfert ⎧ ⎡ R2 ⎤ R1 // R2 Ve ( p ) − Vs1 ( p ) + Vs2 ( p ) ⎥ ⎪I s1 ( p ) = Yt1 ⎢ + + R R R R R // 2 1 1 2 ⎣ 1 ⎦ ⎪ ⎪I ( p ) = C pV ( p ) ⎪ s1 s1 ⎨ R2 ⎪I ( p ) = Y Vs ( p ) t2 ⎪ s2 R1 + R2 1 ⎪ ⎪ ⎩I s2 ( p ) = C pVs2 ( p ) ( ) ⎧Yt1 = Yt 2 = Yt ⎪ avec ⎨ R1 // R2 R2 R2 ⎪ R + R // R ≅ R + R ≅ R 1 2 1 2 1 ⎩ 1 ⎧ R ⎪ pVs1 ( p ) ≅ α Ve ( p ) −Vs1 ( p ) − Vs2 ( p ) ⇒ ⎨ avec α = Yt 2 R1C ⎪ ⎩ pVs2 ( p ) ≅ α Vs1 ( p ) p Vs ( p ) Vs1 ( p ) 1 α ≅ ≅ et H 2 ( p ) = 2 d’où H1( p ) = 2 Ve ( p ) Ve ( p ) p p p p2 1+ + 2 1+ + 2 [ ] α α α α 9. Application 4 8. Sylvain Géronimi Page 148 Amplificateurs idéaux . Identification des paramètres Dénominateur de la forme 1 + 2ζ p+ p2 2 ωn ωn ⇒ ω n ≅ Yt R2 et ζ ≅ 0. R1C 10.

Les amplificateurs de tension sont supposés idéaux. de réaliser un filtre passe-bas de fréquence de coupure de 300 Hz à – 3 dB avec un coefficient de surtension ζ = 1 2. dites quels types de filtres du second ordre sont réalisables et précisez le type des composants. donnez les variations relatives de ces paramètres dans le pire cas. 4.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Filtre passe-bas à deux suiveurs de tension L’étude porte sur le circuit de la figure ci-dessous. maintenant. Si tous les composants sont choisis à la tolérance de 1%. Les condensateurs étant choisis à la valeur de 47 nF. Ecrivez les expressions des sensibilités des paramètres ωn et ζ en fonction des composants passifs. Z2 Z1 U1 + Z3 U2 + Z4 vs ve 1. Le but est. Ecrivez l’expression de la fonction de transfert en tension H ( p ) = Vs ( p ) Ve ( p ) . évaluez les résistances du montage. A partir de la forme de l’expression trouvée. Pourquoi les valeurs des sensibilités sont-elles constantes ? 5. 3. 2. Sylvain Géronimi Page 149 Filtrage analogique .

Ces ponts doivent être de même topologie RC pour obtenir une fonction de transfert du second ordre.Z 3 ( p ) des résistances et Z 2 ( p ) . et R3 = 2 R1 . R3 ≅ 16 kΩ . si les éléments des ponts d’impédances Z1( p ) . C2 . Types de filtres du second ordre A la vue du schéma. sinon la fonction est du premier ordre. Calcul des résistances H ( p) = 1 de la forme H ( p ) = H 0 1 + R3 C 4 p + R1 R3 C 2 C 4 p 2 1 1+ 2ζ ωn p+ p2 2 ωn avec H 0 = 1 . à savoir Z1( p ) . ωc . ici C2 = C 4 = 47 nF . ζ . Un bilan montre 3 équations ci-dessus ( H 0 connu) pour 7 inconnues R1. Type Passe-bas Passe-haut Z1 R1 1 C1 p Z2 1 C2 p R2 Z3 R3 1 C3 p Z4 1 C4 p R4 3. C 4 et ωn .Z 4 ( p ) sont de même nature (résistif ou capacitif). le transfert en tension est indépendant de la fréquence.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1. Expression de la fonction de transfert Z2 ( p) Z1( p ) ⎧ + ⎪VU1 ( p ) = Z ( p ) + Z ( p ) Ve ( p ) + Z ( p ) + Z ( p ) Vs ( p ) ⎪ 1 2 1 2 ( U1 et U 2 montés en suiveur de tension ) ⎨ Z ( p ) 4 + ( p) ⎪V ( p ) = V s ⎪ Z 3 ( p ) + Z 4 ( p ) U1 ⎩ ⇒ Vs ( p ) = Z 2 ( p )Ve ( p ) + Z1( p )Vs ( p ) Z 4 ( p) Z3 ( p) + Z 4 ( p ) Z1( p ) + Z 2 ( p ) Vs ( p ) Z2 ( p) Z 4 ( p) = Ve ( p ) Z1( p ) Z 3 ( p ) + Z 2 ( p ) Z 3 ( p ) + Z 2 ( p ) Z 4 ( p ) d’où H ( p ) = 2. R3 . ζ = 1 2 2 données issues de valeurs de composants passifs prises de façon arbitraire.Z 2 ( p ) ou Z 3 ( p ) . Il est donc nécessaire d’introduire 4 données afin d’évaluer tous les composants : 2 données issues du cahier des charges fc = 300 Hz .Z 4 ( p ) des condensateurs ou l’inverse. ζ = 1 R3 C 4 et ωc = ωn 1 − 2 ζ 2 + 2 R1C2 ( 2 ζ 2 − 1)2 + 1 Le conditionnement du problème demande de disposer d’autant d’équations que d’inconnues. ωn = 1 R1 R3 C2 C 4 . Sylvain Géronimi Page 150 Filtrage analogique . 1 2π C2 R1 R3 La résolution du système linéaire conduit aux équations fc = fn = donnant les valeurs R1 ≅ 8 kΩ .

c ≅ ≅ 0. H ' ( jfn ) ≅ 0. 5. Evaluation des sensibilités dω n 1 ⎛ dR1 dR3 dC 2 dC 4 =− ⎜ + + + 2⎜ R3 C2 C4 ⎝ R1 ⎞ ωn ωn ωn ωn ⎟ ⇒ SR = SR = SC = SC = − 0 .214.1 %.600m) 0.241m) (305.pour l’ordonnée – 3 dB (0.2 pour l’abscisse fn ≅ 299 Hz . 1.65V 100Hz V(S) 300Hz Frequency 400Hz L’écart d’amplitude le plus important (valeur maximale).181m) 0.2 − 299.5 ⎟ 1 3 2 4 ⎠ ωn ζ dζ = 1 ⎛ dR3 dC 4 dR1 dC 2 ⎞ ζ ζ ζ ζ ⎜ ⎟ ⇒ SR + − − = SC = − SR = − SC = 0 .707). 721.2 . 707. d’où ζ fn fn 2 ζ fc' = fn' 1 − 2 ζ ' 2 + ( 2 ζ ' −1) 2 2 +1 ⇒ dfc fc' − fc = = 2 % .05V 1.721 Sylvain Géronimi Page 151 Filtrage analogique .5 3 4 1 2 2⎜ C4 R1 C2 ⎟ ⎝ R3 ⎠ Les amplificateurs montés en suiveur isolent les cellules du premier ordre et il n’y a donc pas d’interaction entre elles. recherché dans l’intervalle 290-310 Hz. dζ = df f' −f ζ '−ζ 4 = 0 ⇒ ζ ' = ζ et n = n n = − (− 1 %) = 2 % ⇒ fn' = 1.722 .214. les valeurs des composants variant de . les variations relatives sont les suivantes (approche linéaire) : ∆ωn ∆ζ 1 ⎛ ∆R ∆C ⎞ = = ⎜2 +2 ⎟ = ± 2% ωn ζ 2⎝ R C ⎠ La simulation du pire cas pour la valeur maximale [fonction MAX] au-dessus de la valeur nominale [direction Hi] donne les tracés suivants.707. se situe à 302 Hz pour les valeurs minimales des composants passifs (valeur nominale diminuée de 1%).02 fn . Les mesures donnent ∆f 305. Etude du pire-cas Avec des tolérances de composants identiques ( ∆R R = ∆C C = ± 1% ).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 4.80V (299.00V nominale (299.192. En théorie.02 (fréquence de coupure) fc 299. H ' ( jfn ) = fc fc 1 2 ⎞ 2 ⎛ ⎜1 − fn ⎟ + 4ζ ' 2 fn ⎜ f '2 ⎟ fn' 2 n ⎠ ⎝ 2 ≅ 0.

lorsque la résistance R1 augmente de 10 %. Les caractéristiques réelles sont celles d’un filtre passe-bas de gain unité. fres et fc à partir de l’évaluation des sensibilités. C2 R + + R1 10k ve R4 R3 - 10k C5 vs 1. Faîtes de même pour R3 . y compris la résistance R + qui permet de minimiser l’influence des courants de polarisation sur la composante continue de sortie des amplificateurs. Evaluez les autres composants. Ecrivez les expressions des sensibilités des paramètres K = H 0 . 4. Calculez les nouvelles valeurs de K. puis pour R 4 . V ( p) en fonction des composants passifs. coefficient de surtension ζ). 7. utilisant un amplificateur de tension parfait en régime linéaire. Evaluez le maximum K res de la fonction de transfert et la fréquence de résonance fres correspondante. 2. 5. Identifiez les paramètres qui caractérisent le filtre (gain H0 . ω n et ζ en fonction des composants passifs.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Filtre passe-bas à contre-réaction multiple (structure de Rauch) Le but du problème est de réaliser une cellule du second ordre à structure de Rauch. Sylvain Géronimi Page 152 Filtrage analogique . Précisez le gain du filtre. Expliquez le fait que les valeurs de deux composants passifs soient données. Ecrivez l’expression de la fonction de transfert H ( p) = s Ve ( p) 3. 6. pulsation propre ωn . K res . Vérifiez par l’examen du comportement en fréquence du circuit qu’il s’agit bien d’un filtre passebas. 8. de coefficient d’amortissement ζ = 0.5 et de fréquence de coupure fc à – 3 dB égale à 1 kHz.

R 4 . les condensateurs sont assimilés à des circuits ouverts et aucun courant ne parcourt la résistance R3 .3 données issues du cahier des charges ωc = 2π 1000 rad / s . . ζ = 0. alors la topologie montre que R + = R3 + R1 // R 4 = 15 kΩ . 5. Il est donc nécessaire d’introduire 5 données afin d’évaluer tous les composants : . ζ = 2 C2 R1 de la forme H ( p ) = H 0 1 1+ 2ζ ωn p+ p2 2 ωn avec H 0 = − ⎛ 1 1 1 ⎞ ⎜ ⎟ ⎜ R + R + R ⎟ . ωn = 3 4 ⎠ ⎝ 1 1 R3 R 4 C 2 C5 et ωc = ωn 1 − 2 ζ 2 + ( 2 ζ 2 − 1)2 + 1 4. C2 ≅ 60. ωn . Afin de minimiser l’influence des courants de polarisation sur la composante continue de sortie. ici R1 = R3 = 10 kΩ . Identification des paramètres − H ( p) = R4 R1 ⎛ 1 1 1 ⎞ 2 1+ ⎜ ⎜R + R + R ⎟ ⎟ R3 R 4 C 5 p + R 3 R 4 C 2 C 5 p 1 3 4 ⎝ ⎠ R4 1 R 3 R 4 C5 = −K . Evaluation des composants du filtre La résolution du système linéaire fournit les valeurs R 4 = 10 kΩ . Aux très hautes fréquences.75 nF avec fn ≅ 786 Hz . 2. il faut équilibrer les entrées par rapport à la masse. Présence de deux valeurs de composants Le conditionnement du problème demande de disposer d’autant d’équations que d’inconnues. Ecriture de la fonction de transfert (voir cours « Filtrage analogique ») 1 1 R1 R3 ⎛ 1 1 1 ⎞ 1 1 C5 p ⎜ ⎜ R + C2 p + R + R ⎟ ⎟+ R R 3 4 ⎠ 3 4 ⎝ 1 H ( p) = − 3.2 données issues de valeurs de composants passifs prises de façon arbitraire. Le montage est alors un amplificateur inverseur de gain − R 4 R1 . Un bilan montre quatre équations écrites précédemment pour neuf inconnues R1. C5 et K . La source dynamique étant éteinte. les condensateurs sont assimilés à des courts-circuits et l’entrée de l’amplificateur est amenée à la masse. K = 1 . C5 ≅ 6. C2 . ζ . R3 . Vérification du type de filtre Aux très basses fréquences.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1.5 . ωc . les condensateurs assimilés à des circuits ouverts et le potentiel de sortie souhaité à la masse. Sylvain Géronimi Page 153 Filtrage analogique .7 nF .

Evaluation des sensibilités K= R4 dK dR 4 dR1 K K ⇒ log K = log R 4 − log R1 ⇒ ⇒ SR = − SR =1 = − 4 1 R1 K R4 R1 1 R3 R 4 C 2 C5 ωn = ⇒ dω n ωn 1 ⎛ dR3 dR 4 dC2 dC5 =− ⎜ + + + 2⎜ R4 C2 C5 ⎝ R3 ⎞ ωn ωn ωn ωn ⎟ ⇒ SR = SR = SC = SC = − 0 .0KHz 3.0272) -20 fréquence de cassure -40 10Hz DB(V(s)) 30Hz 100Hz 300Hz Frequency 1.4982m) 0 résonance (562. ⎟ ⎜ ⎜1 + f ζ ζ ζ K K K f f ⎝ ⎠ ⎠ ⎝ n n n ⎝ K res = 1 2 . ⎛ dfn ⎛ dζ ⎞ dfn fn' − fn dK K '−K dζ ζ '−ζ ⎛ dK ⎞ ⎟ = ⇒ K ' = ⎜1 + ⇒ ζ '= ⎜ ζ . fres = fn 1 − 2 ζ 2 et fc = fn 1 − 2 ζ 2 + ( 2ζ 2 −1 +1 ) 2 ⎞ ⎟ ⎟ fn ⎠ Sylvain Géronimi Page 154 Filtrage analogique .1. 5 . ⇒ fn' = ⎜ = 1+ = ⎟K . Modification des performances Pour une variation d’un composant passif donné. SR ⇒ SC = − .25 dB ⎠ ⎝ Simulation 20 gain unité (15.0KHz 10KHz 7.020.1.0000K. les nouvelles valeurs théoriques des fonctions 2ζ 1− ζ seront obtenues par la connaissance des nouveaux paramètres issus des sensibilités.341.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 6. SR = SR = .2482) (1.-3. Evaluation de K res et fres (voir cours « Filtrage analogique ») 2 ⎞ fres = fn 1 − 2 ζ 2 ≅ 556 Hz et K res dB = H ( jωres ) dB = −20 log ⎛ ⎜ 2 ζ 1 − ζ ⎟ ≅ 1.5 ⎟ 3 4 2 5 ⎠ ⎛ 1 1 1 ⎞ ⎜ ⎟ ⎜R + R + R ⎟ ⇒ 3 4 ⎠ ⎝ 1 1 1 1 ⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ R3 dR3 ⎜ 1 R1 dR1 ⎜ 1 R4 dζ 1 dC5 1 dC 2 ⎜ ⎟ ⎟ ⎟ dR 4 = − − + − + − 1 1 ⎟ R1 ⎜ 2 1 1 1 ⎟ R3 ⎜ 2 1 1 1 ⎟ R4 2 C5 2 C2 ⎜ 1 ζ + + + + + + ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ R1 R3 R 4 ⎠ R1 R3 R 4 ⎠ ⎝ R1 R3 R 4 ⎠ ⎝ ⎝ 1 1 ζ ζ ζ ζ ζ = − SC = 0 . 5 2 1 3 4 3 6 ζ = 1 R3 R 4 C5 2 C2 9.

Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Pour une augmentation de 10 % de la résistance R1 .9991K.379m) 0.0718) (0. 1.8V (578. 909.909.1545) (520.368.6V R3 = 11 kΩ V(s) 30Hz 100Hz 300Hz Frequency 1.795.9991K.5V 10Hz R3 +10% théorie mesure K 1 1 Kres 1.4833 .082 1. 706.909.1545) R1 = 11 kΩ 0. nous obtenons ⎛ ⎛ dR3 ⎞ dR3 ⎞ ' ⎜ ⎟ ⎟ K ' = K = 1.5083 . fn = ⎜1 − 2 R ⎟ fn ≅ 747 Hz 3 ⎠ 3 ⎠ ⎝ ⎝ 1.5V 10Hz V(s) 30Hz 100Hz 300Hz Frequency 1. 706.192m) R1 = 10 kΩ (562.142 fres (Hz) 519 520 fc (Hz) 943 945 Sylvain Géronimi Page 155 Filtrage analogique .1419) (0.142 1.0V (11.897m) (1. nous obtenons ⎛ dR1 ⎞ ⎛ dR1 ⎞ ' K'= ⎜ ⎜1 − R ⎟ ⎟ K = 0.0KHz 10KHz 0. ζ ' = ⎜ ⎜1 − 3 R ⎟ ⎟ ζ ≅ 0.341. 1. 706. fn = fn ≅ 786 Hz 1 ⎠ 1⎠ ⎝ ⎝ 1. 641.909.0001) 1.897m) 0.2V (11.0V (562.2V R3 = 10 kΩ (11.9 0. 1.897m) 0.762.909 Kres 1.6V 0.0136K. 1. 9 .0KHz 10KHz R1 +10% théorie mesure K 0. ζ ' = ⎜ ⎜1 + 6 R ⎟ ζ ≅ 0.072 fres (Hz) 574 579 fc (Hz) 1015 1014 Pour une augmentation de 10 % de la résistance R3 .0001) 1.0KHz 3.341. 1.8V (945. 1.0KHz 3.

923. 1.25V (11.897m) 0.75V 0. 1.2561) (11.242 1.1001) R4 = 11 kΩ (519. ζ ' = ⎜ ⎜1 + 6 R ⎟ ⎟ ζ ≅ 0.341. 1.132.00V (562.0KHz 3.1 1.0001) 1.9991K.909.111.5083 . fn = ⎜ ⎜1 − 2 R ⎟ ⎟ fn ≅ 747 Hz 4 ⎠ 4 ⎠ 4 ⎠ ⎝ ⎝ ⎝ 1.1 Kres 1. 706.50V 10Hz V(s) 30Hz 100Hz 300Hz Frequency 1. 777.1545) R4 = 10 kΩ (945.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Pour une augmentation de 10 % de la résistance R 4 . nous obtenons ⎛ dR 4 ⎞ ⎛ ⎛ dR 4 ⎞ dR 4 ⎞ ' K'= ⎜ ⎜1 + R ⎟ ⎟ K = 1 .256 fres (Hz) 519 519 fc (Hz) 943 945 Rappelons que les valeurs théoriques sont issues d’une approche linéaire.1 . 1. Sylvain Géronimi Page 156 Filtrage analogique .0KHz 10KHz R4 +10% théorie mesure K 1.833m) (0.

Donnez l’écriture de la fonction de transfert H ( p) = Vs ( p) en fonction des composants passifs. fc = fn 1 − 2ζ 2 + . Faites de même lorsque la résistance R 4 varie de 1820 Ω à 1911 Ω. Formulaire : 1− 1− 1 2 K0 ζ = 2 avec K 0 = fres K res 1 . L’emploi d’un simulateur de circuits électriques est nécessaire pour traiter la partie expérimentale. ∆fn fn par la mesure et déduisez les facteurs de sensibilité fonction de R1 . évaluez les rapports ∆K K . Ve ( p) puis identifiez les paramètres qui caractérisent le filtre (gain K. Comparez à la théorie. 3. 6. Faites de même lorsque les résistances R1 et R2 varient simultanément de 1703 Ω à 1788 Ω. C1 47n R4 R3 1k R1 1703 ve R2 + 1703 C2 47n vs 1820 Etude théorique 1. 4. Etude expérimentale par simulateur L’utilisation d’un simulateur de circuits va permettre de mesurer l’influence des variations de composants passifs sur la courbe de réponse en fréquence du filtre. Evaluez les paramètres et les facteurs de sensibilité. fn = = 2 2 K 2ζ 1 − ζ 1 − 2ζ (1 − 2ζ ) 2 2 +1 Sylvain Géronimi Page 157 Filtrage analogique .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Filtre passe-bas à source contrôlée (structure Sallen-Key) Le but du problème est de comprendre la signification des facteurs de sensibilité sur le cas d’un filtre passe-bas du second ordre. pulsation naturelle ω n . 2. Le réseau à source contrôlée avec gain K (structure de Sallen-Key) utilise un amplificateur parfait en régime linéaire. Deux réponses seront tracées au sein d’une analyse paramétrique. Le balayage des fréquences s’étendra de 10 Hz à 10 kHz avec 1500 points par décade pour une bonne précision des mesures. coefficient de surtension ζ). Pour la résistance R1 variant de 1703 Ω à 1788 Ω. ∆ζ ζ . ω n et ζ en fonction des composants passifs. l’une issue des valeurs nominales des composants et l’autre issue de l’augmentation de la valeur d’un ou plusieurs composants. 5. Ecrivez les expressions des sensibilités des paramètres K .

Y4 ( p ) = C2 p R1 R2 1 + [R1C1 (1 − K ) + (R1 + R2 )C2 ] p + R1 R2 C1 C2 p 2 1 R1R2C1C2 K de la forme H ( p ) = 1+ H0 2ζ ωn p+ p2 2 ωn avec ωn = . Ecriture de la fonction de transfert (voir cours « Filtrage analogique ») Les composants passifs Yi sont des admittances (conductances ou capacités). R2 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Etude théorique 1. C1 . Y2 ( p ) = C1 p . ζ . C2 . R3 . K . H ( p) = 1 1 . H0 = K 2. R2 . le coefficient d’amortissement ζ par R1 . C1 . ωn = 1 R1R2C1C2 ⇒ dω n ωn 1 ⎛ dR1 dR2 dC1 dC 2 ⎞ ⎟ =− ⎜ + + + 2⎜ R2 C1 C2 ⎟ ⎝ R1 ⎠ ωn ωn ωn ωn ⇒ SR = SR = SC = SC = − 0 . R 4 puisque ces deux derniers composants ont une action sur le gain K . C2 . Y2 R4 R3 Y1 A ve Y4 Y3 + vs La fonction de transfert en tension du filtre s’écrit : VS ( p ) K Y1 Y3 = VE ( p ) Y4 (Y1 + Y2 + Y3 ) + Y3 (Y1 + Y2 (1 − K )) avec K = 1 + R4 R3 L’identification des admittances telles que Y1( p ) = conduit aux expressions des paramètres ωn .5 1 2 1 2 ζ = R1C1(1 − K ) + (R1 + R2 )C2 2 R1R2C1C2 ⇒ log ζ = log[R1C1(1 − K ) + (R1 + R2 )C2 ] − log 2 − 1 [log R1 + log R2 + logC1 + logC2 ] ⇒ 2 Sylvain Géronimi Page 158 Filtrage analogique . ζ = R1C1(1 − K ) + (R1 + R2 )C2 2 R1R2C1C2 . Calcul des sensibilités Les expressions précédentes montrent que la pulsation naturelle ωn est influencée par les composants R1 . Y3 ( p ) = .

6 .82 ζ ωn 1 ⇒ K res ≅ 15. SR =− + .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés dζ ζ = C1 (1 − K ) + C2 R1 (1 − K ) C2 dR1 + dC1 + dR 2 R1C1 (1 − K ) + (R1 + R2 )C2 R1C1 (1 − K ) + (R1 + R2 )C2 R1C1 (1 − K ) + (R1 + R2 )C2 + R1 + R2 R1C1 1 ⎛ dR1 dR2 dC1 dC2 ⎞ ⎟ dC2 − dK − ⎜ + + + R1C1 (1 − K ) + (R1 + R2 )C2 R1C1 (1 − K ) + (R1 + R2 )C2 2⎜ R2 C1 C2 ⎟ ⎝ R1 ⎠ ζ =− ⇒ SR 1 or ω 1 = n R1C1(1 − K ) + (R1 + R2 )C2 2ζ 2 ζ SR =− RC ω K 1 R2 C2 ωn 1 R C (1 − K )ωn 1 (R + R2 )C2 ωn ζ ζ ζ .73 .645 . SC ≅ 10. SC . ζ = . SR ≅ − 10. nous pouvons calculer les sensibilités de ces résistances sur les paramètres K et ζ. Sylvain Géronimi Page 159 Filtrage analogique . Evaluation des paramètres et facteur de sensibilité En posant R1 = R2 = R et C1 = C2 = C . SC . 4 ζ K SR 4 ≅ 0. SC = − SR = + =− + = − + .5 . R4 1 2 R R3 R3 K −1 dK K K dR3 ⇒ SR K = 1+ 4 ⇒ = − SR = = dR 4 − 4 3 R4 R4 K R3 K 1+ 1+ R3 R3 ζ ζ K et SR = SR SK = 3 3 R1C1ωn (K − 1) ζ = − SR 4 2ζ 3. SR ≅ 5.06 .5 .1 . Les fréquences de résonance et de coupure diminuent fn = − 0. ζ ≅ 0.645 Etude par simulateur 4. SC . S R = − SR = 3 4 1 1− K K L’application numérique donne fn ≅ 1988 Hz .6 .056 ).06 . SR 2 1 2 3 4 2 ζ 2 2ζ 2 2ζ 2 2ζ 2ζ 2 1 2 ζ SR =− 1 fn fn fn fn K K SR = SR = SC = SC = − 0 . le gain K du plateau demeure d’amortissement diminue) de façon importante ( SR 1 inchangé K ( SR 1 = 0 ) avec l’augmentation de la valeur de la résistance. les expressions s’écrivent ωn = R 1 3−K . SK =− 1 1 n + =− + 1 1 =− + 1 1 2 2 2ζ 2 2ζ 2 2ζ 2ζ 1 R1 [C1 (1 − K ) + C2 ]ωn + . fc ≅ 3071 Hz 2 1 1 2 ωn ωn ζ ζ SR ≅ − 5. K = 1+ 4 R3 RC 2 1 2−K 1 1 1 1− K K −1 1 1 ζ ζ ζ ζ ζ . SR = − 0. SC = − 0.09 .1 .5 ). la surtension augmente (coefficient (fréquence naturelle diminue) faiblement ( SR 1 ζ = − 5. 2 ωn ζ 3 K SR 3 ≅ − 0. SR ≅ − 10. Influence de la résistance R1 La simulation présente les tracés relatifs à la valeur nominale (1703 Ω) de la résistance et à la valeur augmentée d’environ 5 % (1788 Ω).5 . fres ≅ 1972 Hz .5 . SR ≅ 10.5 . SC ζ 1 2 SC = − 0. = − 0. K ≅ 2. 2 2ζ Comme le gain K est fonction R3 et R 4 .

20.752) 10V (3.535.0023K.0KHz 3.0KHz 10KHz Tableau des mesures : R1 (Ω) 1703 1788 K (Veff ) 2. 2.0685K.8202) (3.820 2. 1.0.05 .9292K.08989 ζ R1 1703 ∆fn 1938 − 1987 = ≅ − 0.06777 − 0.75 20. = ≅ − 0. 15.246 . .0. 0.855) 20V R1 = 1788 Ω (1.08989 0.5 0 pratique .85 fres (Hz ) 1971 1929 fc (Hz ) 3069 3002 Traitement des mesures : R1 (Ω) ζ 0.9942) (18.0247 1987 fn Comparaison : sensibilité ζ SR 1 théorique .93 .9709K.5. 1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 30V (1.06777 1 2 K0 fn (Hz ) 1703 1788 1987 1938 1− 1− en utilisant les formules ζ = 2 avec K 0 = fres K res 1 . fn = = 2 K 2ζ 1 − ζ 1 − 2ζ 2 ∆R1 1788 − 1703 ∆ζ 0.08989 = ≅ 4.99 % .49 0 fn SR 1 K SR 1 Sylvain Géronimi Page 160 Filtrage analogique .820 K res (Veff ) 15.9945) R1 = 1703 Ω 0V 10Hz V(S) 30Hz 100Hz 300Hz Frequency 1.4.

75 15.75 1971 1877 3069 2923 Traitement des mesures : R1.535.08989 fn (Hz ) 1703 1788 1987 1892 ∆R1 ∆f ∆K ∆ζ 1892 − 1987 ≅ 4.08989 0. Les fréquences de résonance et de coupure diminuent fn fn (fréquence naturelle diminue deux fois plus que précédemment) ( SR = SR = − 0.751) (1.9230K. (1.15. n = ≅ − 0. la surtension 1 2 ζ ζ ).9709K.0478 ζ R1 K 1987 fn Comparaison : sensibilité SR + SR 1 1 théorique 0 -1 0 pratique 0 .0KHz 10KHz Tableau des mesures : R1. le gain K (coefficient d’amortissement) demeure inchangé car les effets s’annulent ( SR = − SR 1 2 du plateau demeure inchangé 20V K ( SR 1 = K SR 2 = 0 ) avec l’augmentation de la valeur des résistances.2. =0.9945) 0V 10Hz (2.5 ).8202) (3.0KHz 3.958 0 ζ ζ 2 fn fn SR + SR 2 K K SR + SR 1 2 Sylvain Géronimi Page 161 Filtrage analogique . R2 (Ω) ζ 0.1. = 0.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 5. Influence simultanée des résistances R1 et R2 La simulation présente les tracés relatifs à la valeur nominale (1703 Ω) des résistances et à la valeur augmentée d’environ 5 % (1788 Ω).15.752) 15V R1 = 1788 Ω 10V R1 = 1703 Ω 5V (18.9940) V(S) 30Hz 100Hz 300Hz Frequency 1. R2 ( Ω) K (Veff ) K res (Veff ) fres (Hz ) fc (Hz ) 1703 1788 2.99 % .8765K.820 15.0685K.820 2.1.0.

645 pratique .04442 fn (Hz ) 1820 1911 1987 1987 ∆R1 ∆f ∆K 2.80 1971 1983 3069 3082 Traitement des mesures : R 4 (Ω) ζ 0. (1.82 ∆ζ 0. = ≅ 0.82 0. Influence de la résistance R 4 La simulation présente les tracés relatifs à la valeur nominale (1820 Ω) de la résistance et à la valeur augmentée d’environ 5 % (1911 Ω). 2.798.798) 30V R4 = 1911 Ω 20V (1. n = 0 K 2.0685K. = ≅ − 0.752) (10.911 15.1 0 0.10.10.08989 ≅ 4.0582) (10.0323 .75 32.0819K. 1.820 2. 2. 32.9709K.911 − 2. le gain K du plateau 4 ζ augmente légèrement 40V K ( SR 4 ≅ 0.9111) (3.0KHz 10KHz Tableau des mesures : R 4 (Ω) K (Veff ) K res (Veff ) fres (Hz ) fc (Hz ) 1820 1911 2.08989 ζ R1 fn Comparaison : sensibilité SR ζ 4 théorique . 2.9945) R4 = 1820 Ω 0V 10Hz V(S) 30Hz 100Hz 300Hz Frequency 1.1 0 0.08989 0.8201) 10V (3.645 ) avec l’augmentation de la valeur des résistances. la surtension (coefficient 4 d’amortissement diminue fortement) augmente fortement ( SR ≅ − 10. 15.798.0KHz 3.04442 − 0. Les fréquences de résonance et de coupure fn augmentent très légèrement (fréquence naturelle inchangée) ( SR = 0 ).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 6.5058 .1 ).647 fn SR 4 K SR 4 Sylvain Géronimi Page 162 Filtrage analogique .99 % .9831K.

Ecrivez la fonction de transfert dénormalisée du filtre passe-bas de pulsation de coupure ωc .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Conception d’un filtre passe-haut Butterworth d’ordre 4 Le but du problème est de concevoir un filtre de Butterworth d’ordre 4. Ecrivez les expressions des sensibilités des paramètres K = H 0 . Identifiez les paramètres ω n et ζ de chaque cellule à la forme canonique. pulsation naturelle ω n . évaluez les composants restants. Les caractéristiques réelles sont celles d’un filtre passe-haut de gain unité et de bande passante à – 3 dB égale à 300 Hz. Réponse de Butterworth 1. Donnez l’écriture de la fonction de transfert H ( p) = composants passifs. ω n et ζ en fonction des 4. pouvez-vous évaluer tous les composants passifs d’une cellule ? 10. pôles vérifiant les conditions de stabilité. Les condensateurs C1 et C3 étant choisis à la valeur de 47 nF. y compris les résistances R + qui permettent de minimiser l’influence des courants de polarisation sur la composante continue de sortie des amplificateurs. Déduisez alors l’expression du filtre passe-haut par transformation conforme. En considérant les données du problème. coefficient de surtension ζ). Réalisation du circuit 8. 2. La structure à contre-réaction multiple (structure de Rauch) est choisie pour la réalisation des cellules d’ordre 2. Structure à contre-réaction multiple C4 C1 C3 R5 ve R2 + R + vs Vs ( p) en fonction des composants passifs Ve ( p) pour la réalisation d’une cellule passe-haut utilisant un amplificateur parfait en régime linéaire. 5. Discutez de l’interaction des cellules et de la stabilité du montage. 3. donnez les variations relatives de ces paramètres dans le pire cas. 7. Identifiez les paramètres qui caractérisent le filtre (gain H0 . 6. Sylvain Géronimi Page 163 Filtrage analogique . 9. En supposant que les condensateurs possèdent la même valeur et si tous les composants sont choisis à la tolérance de 1%. Trouvez l’expression du polynôme de Butterworth à partir du calcul des pôles de la fonction de transfert générale.

383 ± j 0.924 ⎝ 8 ⎠ ⎝ 8 ⎠ d’où (p 2 + 0.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Réponse de Butterworth 1. c’est-à-dire ⎛ 5π ⎞ ⎛ 5π ⎞ k = 2. soit ωn = 2π 300 rad / s .766 ⎜ ⎜ ω 2 + ω p + 1⎟ ⎟ c ⎝ c ⎠ p2 1 ⎛ ⎞ 1.383 ωn ωc 2ζ 1.383 ⎝ 8 ⎠ ⎝ 8 ⎠ 2. 4 → p = cos⎜ ⎟ ± j sin⎜ ⎟ ≅ − 0.848 cellule 2 : ωn ≡ ωc .848 p + 1) ⎯⎯ ⎯ ⎯→ p→ p ωc 1 ⎛ ⎞ 0. ζ = 0. donc situés à gauche de l’axe imaginaire. 1 + p 8 = 0 . soit ωn = 2π 300 rad / s .766 p + 1)(p 2 + 1.848 ⎜ ⎜ ω 2 + ω p + 1⎟ ⎟ c ⎝ c ⎠ p2 p2 p2 Transformation passe-bas en passe-haut : p ωc → ωc p 2 ωc 2 ωc ⎞ ⎛ p 2 0. les pôles de la fonction sont issus de l’équation π⎞ π⎞ ⎛π ⎛π cos⎜ + k ⎟ + j sin⎜ + k ⎟ 4⎠ 4⎠ ⎝8 ⎝8 répartis sur le cercle de rayon unité (constellation).924 ± j 0. 2ζ 0.766 ⎜ ⎟ ⎜ ω 2 + ω p + 1⎟ c ⎠ ⎝ c ⎞ ⎛ p 2 1.766 Structure à contre-réaction multiple 4. soit p = (− 1) 8 = e 1 π⎞ ⎛π j ⎜ +k ⎟ 4⎠ ⎝8 = k=4 k=5 k=6 k=7 La stabilité impose de retenir les pôles à partie réelle négative.766 p + 1) (p + 1. 5 → p = cos⎜ ⎟ ± j sin⎜ ⎟ ≅ − 0.848 ⎜ ⎟ ⎜ ω 2 + ω p + 1⎟ c ⎠ ⎝ c 3. k=2 k=3 k=1 k=0 Le carré du module étant pair ( H ( p ) = H ( − p ) ).848 p + 1) ⎛ 7π ⎞ ⎛ 7π ⎞ k = 3. Identification des paramètres . Pour n = 4. ≡ . Ecriture de la fonction de transfert (voir cours « Filtrage analogique ») H ( p) = − C1 C3 p 2 1 R5 ⎛ ⎞ 1 2 ⎜ ⎜ C1 p + R + C3 p + C 4 p ⎟ ⎟ + C3 C 4 p 2 ⎝ ⎠ =− R2 R5 C1 C3 p 2 1 + R2 (C1 + C3 + C 4 ) p + R2 R5 C3 C 4 p 2 Sylvain Géronimi Page 164 Filtrage analogique .924 ωn ωc ≡ cellule 1 : ωn ≡ ωc . Expression du polynôme de Butterworth La fonction de transfert en p s’écrit H ( p ) 2 = 1 + (− 1) p 2n n 1 . Ecriture du filtre passe-bas dénormalisé La dénormalisation s’effectue par rapport à la pulsation de coupure à – 3 dB du filtre du 4° ordre : 1 1 2 2 (p + 0. les pôles le sont aussi. ζ = 0.

Discussion La fonction de transfert en tension du filtre du 4° ordre est égale au produit des fonctions de transfert des cellules sous la condition d’adaptation en tension (pas d’atténuation de tension entre cellules). Cette condition est réalisée par la présence. les variations relatives sont les suivantes (approche linéaire) : R C ∆ωn 1 ⎛ ∆R ∆C ⎞ ∆K ∆C1 ∆C 4 ∆C ∆ζ ∆R 2 ∆C = ⎜2 +2 = + =2 = ± 2% . Evaluation des sensibilités K= C1 dK dC1 dC 4 K K ⇒ log K = logC1 − logC 4 ⇒ ⇒ SC = − SC =1 = − 1 4 C4 K C1 C4 1 R 2 R5 C 3 C 4 ωn = ⇒ dω n ωn 1 ⎛ dR2 dR5 dC3 dC 4 =− ⎜ + + + 2⎜ R5 C3 C4 ⎝ R2 ⎞ ωn ωn ωn ωn ⎟ ⇒ SR = SR = SC = SC = − 0 .67% ⎟ = ± 2% .383 et 0. ζ = C1 + C3 + C 4 R2 2 R 5 C3 C 4 6. SC = − 4 C1 + C3 + C 4 2 C1 + C3 + C 4 2 Les condensateurs C1 et C 4 sont les seuls composants passifs à influencer le gain K. La stabilité est satisfaisante puisque les coefficients d’amortissement sont positifs.5 .924 pour ζ. sur l’amplificateur. = + = ± 1. SC = ⇒ SR C1 ζ . ce qui est une bonne chose. Identification des paramètres p2 H ( p) = − R 2 R5 C3 C 4 C1 de la forme H ( p ) = H 0 C 4 1 + R2 (C1 + C3 + C 4 ) p + R2 R5 C3 C 4 p 2 C1 .5 ⎟ 2 5 3 4 ⎠ ζ = ⇒ C1 + C3 + C 4 R2 2 R 5 C3 C 4 dζ ζ 2 = dC3 C1 1 dR 2 1 dR5 dC1 − + + 2 R 2 2 R5 C1 C1 + C3 + C 4 C3 5 1 ζ ζ ζ = − SR = 0. 7. ζ R 3 C 2⎝ R K C1 C4 C ωn C ⎠ Réalisation du circuit 8. Etude du pire cas Avec des condensateurs de même valeur et des tolérances de composants identiques ∆R ∆C ( = = ± 1% ).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 5. Sylvain Géronimi Page 165 Filtrage analogique . d’une contre-réaction tension courant qui réduit fortement la résistance de sortie de la cellule (topologie parallèle en sortie de montage). d’où des valeurs de 0. Les sensibilités sur les paramètres ω n et ζ sont inférieures à l’unité. Cela avait déjà été conditionné par le choix des racines à partie réelle négative du polynôme de Butterworth. ωn = C4 1 R 2 R 5 C3 C 4 p2 2 ωn 2ζ p2 1+ p+ 2 ωn ωn avec H 0 = − . SC 3 C1 + C3 + C 4 ⎛ C3 C4 1 ⎞ dC 4 ⎛ 1⎞ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜C +C +C − 2⎟ + C ⎜C +C +C − 2⎟ 3 4 4 ⎝ 1 3 4 ⎝ 1 ⎠ ⎠ C3 C4 1 1 ζ = − . racines complexes conjuguées de la forme − ζω n ± jωn 1 − ζ 2 avec la normalisation ω n = 1 .

Simulation 10 (300. alors la topologie montre que R + = R5 . C 4 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 9. La résolution du système linéaire fournit les valeurs cellule 1 : C 4 = 47 nF . R5 et H 0 . La source dynamique étant éteinte. R5 = 44. les condensateurs assimilés à des circuits ouverts et le potentiel de sortie souhaité à la masse. R5 = 18.95 kΩ . K = H 0 = 1 . -2.444. -3. Conditionnement du problème Le conditionnement du problème demande de disposer d’autant d’équations que d’inconnues. -3.9918) -20 filtre complet -30 -40 100Hz DB(V(S1)) DB(V(S2)) 300Hz DB(V(S)) 1.008. 10. il faut équilibrer les entrées par rapport à la masse.88 kΩ . soit fc1 ≅ 216 Hz et fc2 ≅ 417 Hz .2 kΩ cellule 2 : C 4 = 47 nF .0KHz 10KHz Les deux cellules possèdent le même diagramme asymptotique car mêmes pulsations naturelles ωn et leurs fréquences de coupure à – 3 dB est fournie par la relation fc = f n 2 ζ 2 − 1 + ( 2 ζ 2 − 1)2 + 1 . 2 données issues de valeurs de composants passifs prises de façon arbitraire. Il est donc nécessaire d’introduire 5 données afin d’évaluer tous les composants d’une cellule : . les valeurs de composants passifs prises de façon arbitraire sont C1 = C3 = 47 nF .0KHz Frequency 3. Calcul des résistances Ici.924 gain unité -10 (419. R2 = 6.383 ou ζ = 0.3 kΩ Afin de minimiser l’influence des courants de polarisation sur la composante continue de sortie.454. ζ = 0. R2 . Sylvain Géronimi Page 166 Filtrage analogique .924 .0547) cellule 1 : ζ = 0. R2 = 2.383 cellule 2 : ζ = 0.3 données issues du cahier des charges ωn = 2π 300 rad / s . Un bilan montre 3 équations écrites précédemment pour 8 inconnues C1. C3 . ζ .0038) 0 (215. ωn .

Commentez ces résultats. Si R 4 → ∞ . utilisant deux amplificateurs de tension parfaits en régime linéaire. pulsation naturelle Vs1 ( p ) ωn . C 1u R1 80k ve R2 15. 7. 4. quelle topologie connue retrouvez-vous ? Comparez ses performances aux performances générales précédemment obtenues.9 R4 135k C R3 100k 1u + 100k U1 vs1 4. 3. Discutez de la stabilité du montage suivant la valeur de α. évaluez les paramètres du filtre. Ecrivez l’expression de la fonction de transfert H1( p ) = . Vu l’expression trouvée. 6. 5.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Filtre passe-bande à contre-réaction multiple (structure de Rauch) à sensibilité améliorée L’étude porte sur le filtre représenté ci-dessous. bande passante à -3 dB ∆ω . Sylvain Géronimi Page 167 Filtrage analogique . précisez le type de filtre. Si l’on prend α = 1 et en constatant que la résistance R 2 possède une valeur très faible devant celles des autres résistances. Effectuez la même démarche pour la fonction de transfert H 2 ( p ) = Vs2 ( p ) Ve ( p ) et commentez.7k + R 10k vs2 U2 αR - 1. coefficient de qualité Q). Vérifiez par l’examen du comportement en fréquence du circuit. Ecrivez les expressions des paramètres qui caractérisent le filtre (gain H10 . Ve ( p ) 2.

Aux très basses fréquences. ∆ω = R3 R3 C 2 −α R4 H 01 = − R3 ⎛ R3 ⎞ ⎜ ⎜2 − α R ⎟ ⎟ R1 4 ⎠ ⎝ . R 4 . les condensateurs sont assimilés à des circuits ouverts et v s1 = 0 . Sylvain Géronimi Page 168 Filtrage analogique . Aux très hautes fréquences. les condensateurs sont assimilés à des courts-circuits et v s1 = v + = 0 . 3. Expression de la fonction de transfert H1( p ) Soit A le nœud commun à R2 . Paramètres du filtre ⎛ 1 1 1 ⎞ R R3 ⎜ 2 −α 3 ⎟ ⎜R + R + R ⎟ R4 2 4 ⎠ ⎝ 1 . Identification du type de filtre Le type de filtre est un passe-bande.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1. ωn = C 1 R3 1 1 1 + + R1 R2 R 4 ω . C. ⎧Vs2 ( p ) = − α Vs1 ( p ) (inverseur U 2 ) ⎪ Vs ( p ) Ve ( p ) ⎪ + CpVs1 ( p ) + 2 ⎪ R1 R4 ⎪VA ( p ) = Ve ( p ) ⎛ α ⎞ 1 1 1 ⎪ ⎟Vs1 ( p ) Cp − +⎜ + + + 2Cp ⎜ ⎪ Vs1 ( p ) R1 R4 ⎟ R1 R2 R 4 ⎪ ⎠ ⎝ ⇒ − = ⎨ 1 1 1 R C p Vs ( p ) 3 ⎪ + + + 2Cp CpVA ( p ) + 1 R1 R2 R 4 ⎪ R 3 − ⎪V ( p ) = 1 ⎪ Cp + ⎪ R3 ⎪ ⎪ ⎩V + ( p ) = V − ( p ) = 0 Vs1 ( p ) Ve ( p ) =− R3C p 1 R1 1 R ⎞ 1 1 ⎛ 2 2 + + + ⎜2 − α 3 ⎟ ⎟ C p + R3C p R1 R2 R 4 ⎜ R 4 ⎠ ⎝ ⎛ R3 ⎞ ⎜ ⎜2 − α R ⎟ ⎟C 4 ⎠ ⎝ p 1 1 1 + + R3 R1 R2 R 4 H1( p ) = − ⎛ ⎛ R3 ⎞ R3 ⎞ ⎜ ⎜ ⎜2 − α R ⎟ ⎟ R1 ⎜2 − α R ⎟ ⎟C R3C 2 4 ⎠ 4 ⎠ ⎝ ⎝ 1+ p+ p2 1 1 1 1 1 1 + + + + R1 R2 R 4 R1 R2 R 4 2.Q= n = ∆ω La résistance R2 règle la fréquence centrale fn indépendamment du gain H 01 et de la largeur de bande ∆f à – 3 dB.

20 (125. K = 1.456) (125.0932) (124.7 R4 R3 6. -2.2. Evaluation des paramètres Pour α = 1 et R2 << R1 et R 4 . -7. Stabilité du montage Stabilité pour 2 − α R3 2R 4 > 0 .9929) (126. Q = 65 R4 = ∞. -2. Q = 40 -20 (127.4388) (125.837. 7. la topologie devient une structure de Rauch classique. 7. Discussion sur les performances Si R 4 → ∞ . La fréquence centrale demeure inchangée. soit α < = 2 . -83. ∆f ≅ 2 Hz .244.0837) -30 100Hz DB(V(S1)) 160Hz Frequency Sylvain Géronimi Page 169 Filtrage analogique . alors ωn ≅ 1 C R 2 R3 fn ≅ 126 Hz . grâce au bouclage du second amplificateur.624. K = 3.9835) α = 2.512. -4. suivie d’un inverseur de gain unité. Q = 213 α = 1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 4. mais les autres paramètres deviennent figés alors que les performances précédentes montrent. -7. H 02 = − H 01 ≅ 1 .762m) 0 (125.512.512.981. Fonction de transfert H 2 ( p ) H 2 ( p) = Vs2 ( p ) Ve ( p ) = Vs2 ( p ) Vs1 ( p ) Vs1 ( p ) Ve ( p ) = − α H1( p ) Le gain à l’accord est multiplié par α et il n’y a pas d’inversion de phase entrée/sortie α R3 H 02 = ⎛ R3 ⎞ ⎜ ⎜2 − α R ⎟ ⎟ R1 4 ⎠ ⎝ 5. une bande passante très étroite ou une forte surtension suivant la valeur de α .512. Q ≅ 63 7.33.4701) (125. entre autre.124.0963) (123.573. K = 0. 10.

6. identifiez le type de filtre. Expliquez la présence de l’amplificateur U 2 . 5. Ecrivez l’expression de la fonction de transfert H ( p) = 3. Ecrivez l’expression de l’impédance d’entrée Z 0 = v 0 / i 0 et concluez sur l’intérêt du montage. utilisant un amplificateur de tension parfait en régime linéaire. 7. Vérifiez par l’examen du comportement en fréquence du circuit. Sylvain Géronimi Page 170 Filtrage analogique .95 . 4. Le montage précédent est intégré au sein du circuit de la figure suivante. bande passante à -3 dB ∆ω ). Ecrivez les expressions des paramètres qui caractérisent le filtre (gain H0 . Evaluez les paramètres K = H 0 et Q pour α = 1 et 1. coefficient de qualité Q. Commentez ces résultats. Ve ( p) Vu l’expression trouvée. Vs ( p) . R1 C1 + U2 ve αR - + R R2 C2 - vs U1 2. En choisissant R1 = R2 = R et C1 = C2 = C . αR i0 - v0 + R Z 1. discutez de la stabilité du montage suivant la valeur de α.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Filtre passe-bande à INIC Une première étude porte sur le montage représenté ci-dessous. pulsation naturelle ω n .

Identification du type de filtre 1 p Q ωn . Aux très hautes fréquences. ωn = . 2.Q= . changée de signe et proportionnelle à α (convertisseur d’impédance négative). excepté la pulsation centrale ωn du filtre. R1C1 + R2C2 − α R2C1 R C + R1R2C1C 2 1 1 R 2C 2 − α R 2C1 ∆ω = R1C1 + R2C2 − α R2C1 R1R2C1C2 Si la résistance α R est ajustable. celle-ci modifie tous les paramètres. monté en suiveur. Aux très basses fréquences. Le transfert en tension est produit par un pont d’impédances Z1( p ) = R1 + Vs ( p ) − α Z2 ( p) − α R2C1 p = = Ve ( p ) Z1( p ) − α Z 2 ( p ) (1 + R1C1 p )(1 + R2C2 p ) − α R2C1 p H ( p) = − α R2C1 p 1 + (R1C1 + R2C2 − α R2C1 )p + R1R2C1C2 p 2 − α R2 1 . 4. C1 p 1 + R2 C2 p 3. Expression de l’impédance d’entrée Z 0 V0 ( p ) − Vs ( p ) ⎧ ⎪I 0 ( p ) = αR ⎪ ⎪ + − ⎨V ( p ) = V ( p ) = V0 ( p ) ⎪ Z( p) ⎪V + ( p ) = Vs ( p ) Z( p) + R ⎪ ⎩ ⇒ I0 ( p) = V0 ( p ) ⎡ Z ( p ) + R ⎤ 1− ⎥ αR ⎢ Z( p) ⎦ ⎣ ⇒ Z0 ( p) = V0 ( p ) = − α Z( p) I0 ( p) Ce montage ramène l’impédance Z en entrée. les condensateurs sont assimilés à des courts-circuits et l’entrée de l’amplificateur U 2 est à la masse. Expressions des paramètres du filtre H ( p) = (R1C1 + R2C2 − α R2C1 )p − α R2C1 R1C1 + R2C2 − α R2C1 1 + (R1C1 + R2C2 − α R2C1 )p + R1R2C1C2 p 2 H0 = R1R2C1C2 − α R2C1 1 . − α Z2 ( p) = . les condensateurs sont assimilés à des circuits ouverts et rien ne passe à l’entrée de l’amplificateur U1 . Expression de la fonction de transfert H ( p ) L’amplificateur U 2 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1. Sylvain Géronimi Page 171 Filtrage analogique . présente une haute impédance d’entrée. La fonction de transfert en tension est de la forme H (p ) = 2 p 1 p + +1 2 ωn Q ωn Le type de filtre est un passe-bande.

-3.0539K.0148) α = 1. la sortie du filtre est adaptée en tension et indépendante de la fréquence. C1 = C2 = C ⇒ H ( p ) = 1 − α RC p avec 2ζ = = 2 − α (α ≥ 0) Q 1 + (2 − α )RC p + R 2C 2 p 2 Le système est stable pour ζ > 0 . ∆f = 1057 Hz -40 100Hz DB(V(s)) 300Hz 1. 9. Stabilité du montage R1 = R2 = R . -3.95. 6.5. soit α > 2 .748) R1 = R2 = 15 kΩ 20 C1 = C2 = 10 nF K = α /(2-α) (1. ∆f = 53 Hz α = 1. Ainsi. K = 3.0167) -20 (1. instable pour ζ < 0 . Evaluation de paramètres du filtre 40 (1. 28.868m) (654. -9. K = 39.0KHz 10KHz Sylvain Géronimi Page 172 Filtrage analogique .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 5. K = 1. ∆f = 531 Hz 0 (1. Présence de l’amplificateur U 2 L’amplificateur U 2 . 28. oscillateur pour ζ = 0 . 31.7120K.0KHz Frequency 3. sert de buffer (résistance d’entrée très élevée et résistance de sortie très faible par la contre-réaction tension-tension totale). monté en suiveur. soit 0 ≤ α < 2 . 7.0841K.0579K.0311K.0574K. soit α = 2 .992.748) (1.529) α = 1.700) (1.

Evaluez le composant C tel que τ = 1 ms et donnez la plage de fréquences correspondante. Retard π 2 . Tracés du module et de l’argument ( p = jω ) ω ωn H ( jω ) = ω 1+ j ωn 1− j 1+ ⇒ H ( jω ) = 1+ ω2 2 ωn ω 2 ωn 2 ⎛ ω = 1 (0 dB ) et ϕ = arg[H ( jω )] = − 2 arctg ⎜ ⎜ω ⎝ n ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ ω → 0 ⇒ ϕ → 0 . Ecrivez l’expression du retard (temps de propagation) de groupe τ = − dϕ et tracez sa variation dω Vs ( p) . ω = ωn ⇒ ϕ = − 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Filtre passe-tout (déphaseur pur) du premier ordre Le montage représenté ci-dessous. ω → ∞ ⇒ ϕ → − π (voir tracés) Sylvain Géronimi Page 173 Filtrage analogique . utilise un amplificateur de tension parfait en régime linéaire. Expression de la fonction de transfert 1 ⎧ + ⎪V ( p ) = 1 + RCp Ve ( p ) ⎪ ⎪ + − ⎨V ( p ) = V ( p ) ⎪ V ( p ) + Vs ( p ) ⎪V − ( p ) = e 2 ⎪ ⎩ V ( p ) 1 − RCp = ⇒ s Ve ( p ) 1 + RCp 1− p d’où H ( p ) = 1+ ωn p avec ωn = 1 RC ωn 2. R 10k R 10k R ve 10k C s + vs 1. Formulaire : d f '(x) arctg [f ( x )] = dx 1 + f ( x )2 Corrigé 1. Tracez le module H ( jω ) et l’argument ϕ = arg[H ( jω )] en fonction de log(ω ) . 4. Donnez l’écriture de la fonction de transfert H ( p) = 2. 3. Ve ( p) en fonction de log(ω ) .

Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés τ =2 d ⎛ ω ⎜ arctg dω ⎜ ω n ⎝ ⎞ 2 1 ⎟ ⎟=ω ω2 n ⎠ 1+ 2 ωn ω → 0 ⇒τ → 2 ωn . 500. -263. ω → ∞ ⇒τ → 0 (voir tracé) 4. Evaluation de C τ = 2 ωn = 2 R C ⇒ C = 50 nF et fn ≅ 318 Hz Le retard est à peu près constant pour f ∈ [0.0KHz 10KHz 100KHz Sylvain Géronimi Page 174 Filtrage analogique .013) -90d -180d 2.078u) 0s 1.339.339. 100 Hz ] (voir tracé) 2. -90. ω = ωn ⇒ τ = 1 ωn .0 0d DB(V(s)) (318.0Hz τ (V(s)) 10Hz 100Hz Frequency 1.144u) 0 -2.339.0ms arg (V(s)) 1.0ms (318.0 (318.

R2 10k C1 R1 10k Ra C2 - + ve Rb 10k vs Vs ( p) en posant K = Ra Rb . 1+ K 2ζ p2 1+ p+ 2 1. Donnez l’écriture de la fonction de transfert H ( p) = ωn ωn 3. Tracez la variation du retard en fonction de log f et donnez la plage de fréquences correspondant à un retard à peu près constant. C2 et Ra tel que τ = 1 ms . Ecrivez les expressions des paramètres ωn et ζ . 5. dω Un retard sensiblement constant est souhaité sur une plage de fréquences donnée. Ve ( p) 2. Tracez le module H ( jω ) et l’argument ϕ = arg[H ( jω )] en fonction de log(ω ) . Ecrivez l’expression du retard (temps de propagation) de groupe τ = − dϕ . utilise un amplificateur de tension parfait en régime linéaire. d f '(x) arctg [f ( x )] = dx 1 + f ( x )2 Formulaire : Sylvain Géronimi Page 175 Filtrage analogique . 4. Déterminez l’expression de K telle que le montage soit un déphaseur pur de fonction de transfert 2ζ p2 1− p+ 2 ωn ωn 1 H ( p) = .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Filtre passe-tout (déphaseur pur) du second ordre Le montage représenté ci-dessous. 7. évaluez le paramètre ζ puis déduisez les valeurs des composants passifs C1 . En prenant comme condition τ (ωn ) = τ (0) 2 . 6.

ζ = C2 R1 + R2 R1 R2 C1 2 4. R2 . ω → ∞ ⇒ ϕ → − 2 π (voir tracés) 5. C1 1 ⎧ + ⎪V ( p ) = 1 + K Ve ( p ) ⎪ VA ( p ) ⎪ + C2 pVs ( p ) ⎪ − R1 ⎪V ( p ) = 1 ⎪ + C2 p ⎪ R1 ⎨ ⎪V + ( p ) = V − ( p ) ⎪ ⎪ V ( p) V − ( p) + C1pVe ( p ) + s ⎪ R2 R1 ⎪VA ( p ) = 1 1 ⎪ C1p + + ⎪ R2 R1 ⎩ ⇒ Vs ( p ) 1 1 + [(R1 + R2 )C2 − K R2C1 ] p + R1R2C1C 2 p 2 = Ve ( p ) 1 + K 1 + (R1 + R2 )C2 p + R1R2C1C2 p 2 2. Expression de la fonction de transfert Soit A le nœud commun à R1 . Expression de K Déphaseur pur si (R1 + R2 )C2 − K R2C1 = − (R1 + R2 )C2 ⇒ K = 2 (R1 + R2 )C2 R2C1 3. Tracés du module et de l’argument ( p = jω ) 1− 1+ 2ζ p+ p2 2 ωn 2 H ( p) = 1 1+ K ωn 2ζ p p+ 2 ωn ωn ⎛ ⎜ 2ζ ω ⎜ ωn 1 ⇒ H ( jω ) = (constant) et ϕ = arg[H ( jω )] = − 2 arctg ⎜ 2 1+ K ⎜ 1− ω 2 ⎜ ωn ⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ ω → 0 ⇒ ϕ → 0 . ω → ∞ ⇒τ → 0 (voir tracé) Sylvain Géronimi Page 176 Filtrage analogique .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1. Retard ⎛ ⎜ 2ζ ω ⎜ ωn d τ =2 arctg ⎜ 2 dω ω ⎜ 1− 2 ⎜ ωn ⎝ ⎞ ⎟ ⎟ 4ζ ⎟= ⎟ ωn ⎟ ⎠ 1+ 2 ω2 2 ωn 2 ⎛ ω2 ⎞ ⎜1 − ⎟ + 4ζ 2 ω 2 ⎜ ω2 ⎟ ωn n ⎠ ⎝ ω → 0 ⇒τ → 4ζ ωn . ω = ωn ⇒ τ = 2 ζ ωn . Expression des paramètres ωn = 1 R1 R2 C1C2 . ω = ωn ⇒ ϕ = − π .

963. -180.0Hz τ (V(s)) 10Hz 100Hz Frequency 1.935u) (534.001) -180d (534. ζ = C2 4 C 2 Ra et K = = C1 C1 Rb ⇒ C1 ≅ 35.83 (.0KHz 10KHz 100KHz Le retard est à peu près constant sur une plage de 0 à 300 Hz. En posant R = R1 = R 2 . Tracé du retard -10 -11 -12 -13 0d DB (V(s)) (534.706.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 6.6 dB).750u) 1.632) -360d 2. 965.841 .963. ωn = ⎧ τ2 ⎪C1C2 = ⎪ 4ζ 2R 2 d’où ⎨ ⎪C = C2 ⎪ 1 2 ⎩ R C1C2 avec τ = 4ζ ωn .4 nF .0ms 0s 1.11.963.834. Sylvain Géronimi Page 177 Filtrage analogique . C2 = 25 nF et K ≅ 2.0ms arg (V(s)) (301.3 kΩ ( fn ≅ 535 Hz ) 7. -11. Ra ≅ 28. Evaluation de ζ et des composants Condition τ (ωn ) = τ (0 ) 2 ⇒ 2 ζ ωn = 4ζ 2 ωn 1 d’où ζ ≅ 0.

Sylvain Géronimi Page 178 Filtrage analogique . Ecrivez l’expression de l’impédance équivalente Z eq constituée par les éléments C1. Montrez que l’impédance trouvée est de la forme Z eq = R + Lp + 3. utilisant deux amplificateurs de tension idéaux en régime linéaire. Ve ( p ) 1 . identifiez le type de filtre et évaluez ses caractéristiques principales. R4. 2. 5. C2. En constatant que R1 = R 2 = R3 ≅ R . Ecrivez l’expression de la fonction de transfert H ( p ) = Vs ( p ) .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Filtre coupe-bande (réjecteur) à deux amplificateurs de tension L’étude porte sur le filtre présenté ci-dessous. Tracez la réponse en fréquence de la fonction dans le plan de Bode (module et argument). R3 100k R2 100k R1 ve 100k + U1 vs - C1 68n - + U2 Zeq R4 33k C2 68n R5 68k 1. U2. Cp 4. R5.

Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1. Identification des éléments R = R 4 + R5 . ω1 = 1 ⎛ R1 R3 ⎜ ⎜R − R 2 ⎝ ⎞ ⎟ ⎟C1 ⎠ et ω2 = 1 (R + R1 )C1 Sylvain Géronimi Page 179 Filtrage analogique . L = R 4 R5 C2 et C = C1 3. ⎧ 1 I ( p ) = R 4 I e ( p ) car V + ( p ) = V − ( p ) ⎪ ⎨C2 p ⎪V + ( p ) = R I ( p ) + R [I ( p ) + I ( p )] 4 e 5 e ⎩ U2 C1 ie + R4 i C2 ve ⇒ V + ( p) = R 4 + R5 + R 4 R5 C 2 p Ie ( p) R5 d’où Z eq = 1 + R 4 + R5 + R 4 R5 C 2 p C1 p 2. le calcul porte sur l’impédance d’entrée vue par la tension v + . Expression de la fonction de transfert R3 100k R2 100k R1 ve 100k + U1 vs - ⎧ ⎪ + − ⎪V ( p ) = V ( p ) ⎪ Z eq ( p ) ⎪ + Ve ( p ) ⎨V ( p ) = Z eq ( p ) + R1 ⎪ ⎪ R3 R2 ⎪V − ( p ) = Vs ( p ) Ve ( p ) + ⎪ R 2 + R3 R 2 + R3 ⎩ Z eq ( p ) − R1 R3 R2 Z eq ( p ) + R1 Zeq ⇒ H ( p) = ⎛ R1 R3 ⎞ LC1 p 2 + ⎜ ⎜R − R ⎟ ⎟ C1 p + 1 2 ⎠ ⎝ d’où H ( p ) = LC1 p 2 + (R + R1 )C1 p + 1 Vs ( p ) = Ve ( p ) 4. Expression de l’impédance équivalente L’amplificateur U 2 est monté en suiveur. Identification du type de filtre ω2 ω +j 2 ω0 ω1 H ( jω ) = ω2 ω 1− 2 + j ω0 ω2 1− avec ω0 = 1 LC1 . Le condensateur C1 étant en série avec l’entrée du montage.

H ( jω0 ) = R1 R3 R2 <1 R + R1 C’est donc un filtre réjecteur symétrique de gain unité.7 Hz.4 Hz 0d (49. H ( jω ) → 1 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés R− Pour ω << ω0 et ω >> ω0 . L’évaluation des caractéristiques donnent : R 4 R5 C 2 frej = 49.1 Hz.0Hz 10Hz 30Hz Frequency 100Hz 300Hz 1.4 Hz avec atténuation de 1 201 soit – 46 dB.4 Hz.0 d) -100d Arg(V(s)) 0 ∆f = 209.4 Hz.236 . Q = 0. Tracés dans le plan de Bode ⎛ ω2 ⎞ ω2 ⎜1 − ⎟ ⎜ ω2 ⎟ + ω2 0 ⎠ 1 ⎝ ⎛ ω2 ⎞ ω2 ⎜1 − ⎟ ⎜ ω2 ⎟ + ω2 0 ⎠ 2 ⎝ 2 2 H ( jω ) = ω ω ω2 ω2 − arctg et arg[H ( jω )] = arctg ω2 ω2 1− 2 1− 2 ω0 ω0 100d f0 = 49. 5.4 Hz Q = 0.0KHz (11. centré sur ωrej = ω0 et de largeur relative de bande de réjection ∆ω ω0 = C1 (R1 + R4 + R5 ) .236 -50 1.6 Hz -25 f0 = 49.-3 dB) (49.0Hz DB(V(s)) 3.6 Hz . pour ω = ω0 .-3 dB) (220. ∆f = 209.-46 dB) Sylvain Géronimi Page 180 Filtrage analogique .

Citez les données manquantes que réclame le conditionnement du problème. …). Vu l’expression trouvée. Etude du sous-circuit en fonction des composants passifs.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Filtre réjecteur à variable d’état L’étude porte sur le filtre représenté ci-dessous. utilisant trois amplificateurs de tension parfaits en régime linéaire. 5. VE ( p ) 2. 3. C R S2 + U2 R R1 R C C E R1 S1 R2 R3 ve + U1 R2 - S3 + U3 L’étude de ce filtre s’effectuera en deux étapes : étude du sous-circuit encadré en pointillé. Combien de valeurs arbitraires de composants passifs faut-il prendre si les caractéristiques réelles du filtre sont données (gain. Donnez l’écriture de la fonction de transfert H ( p ) = VS3 ( p ) VS1 ( p ) 1. VE ( p ) 4. Précisez le type de filtre obtenu et écrivez les expressions des paramètres qui le caractérisent. précisez le type de filtre et écrivez les expressions des paramètres qui le caractérisent. Donnez l’écriture de la fonction de transfert H1( p ) = Sylvain Géronimi Page 181 Filtrage analogique . Etude du circuit complet en fonction des composants passifs. Commentez ces résultats. puis étude du circuit complet.

Expression de la fonction de transfert H1( p ) Le théorème de Millman appliqué aux nœuds A d’entrée des AOI donne : ⎧ ⎛ Ve ( p ) 1 ⎞ Vs2 ( p ) + Vs1 ( p ) ⎜ ⎪ ⎟+ R ⎜ Cp + R ⎟ R 1 1⎠ ⎝ ⎪0 = ⎪ 2 1 + + Cp ⎪ ⎪ R1 R ⎨ Vs1 ( p ) ⎪ ⎪Vs ( p )Cp 2 R ⎪ = 1 ⎪ 1 + Cp + Cp ⎪ R ⎩ R Vs1 ( p ) Ve ( p ) =− 1+ R 2C p R1 R 2C p + R 2C 2 p 2 R1 ⎧Ve ( p ) ⎛ 1 ⎞ Vs2 ( p ) ⎟+ + Vs1 ( p ) ⎜ Cp + =0 ⎪ ⎜ R1 ⎟ R ⎪ R1 ⎝ ⎠ ⇒ ⎨ Vs1 ( p ) ⎪ ⎪Vs2 ( p ) = RC p ⎩ 2. Type et paramètres du filtre 1+ p2 2 ωn Le type de filtre est un passe-bande coupe-bande de la forme H ( p ) = H 0 1+ 2ζ ωn p+ p2 2 ωn Sylvain Géronimi Page 182 Filtrage analogique .Q= = n = 1 ⇒ ∆ω = RC 2ζ ∆ω R R1C Etude du circuit complet VS3 ( p ) VE ( p ) R3 R Ve ( p ) + Vs1 ( p ) = − 3 [1 + H1( p )]Ve ( p ) R2 R2 3. Type et paramètres du filtre Le type de filtre est un passe-bande de la forme H1( p ) = H 01 2ζ p ωn 2ζ p2 1+ p+ 2 ωn ωn avec H 01 = − 1 . ωn = ω R 1 1 1 . Expression de la fonction de transfert H ( p ) = Le montage sommateur inverseur donne : Vs3 ( p ) = − Vs3 ( p ) Ve ( p ) =− R3 R2 1 + R 2C 2 p 2 1+ R 2C p + R 2C 2 p 2 R1 [ ] 4.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Etude du sous-circuit 1.

004. Simulation 20 (47.557.999) (52. Conditionnement du problème Le conditionnement du problème demande de disposer d’autant d’équations que d’inconnues. Si les caractéristiques réelles du filtre sont données ( H 0 . -3. -3. -23. ∆ω ). -32. ω n .. 16.100) (77. ωn = ≡ ωrej .565.545. C et H 0 . la valeur du gain étant indépendante de ces paramètres.556. 5.564. ∆ω . R2 . 16. alors 2 valeurs de composants passifs seront prises de façon arbitraire.0002) -20 -40 R2 = 10 kΩ C = 1 µF arbitraire (50.999) -0 (47. ωn . Il est donc nécessaire d’introduire 5 données afin d’évaluer tous les composants du filtre.009) -60 10Hz DB(V(S3)) DB(V(S1)) 30Hz DB(V(S2)) 100Hz Frequency 300Hz Sylvain Géronimi Page 183 Filtrage analogique .0002) (52. Un bilan montre 3 équations écrites précédemment pour 8 inconnues R1. R3 . ∆ω = R2 RC R1C Le réglage de la fréquence de réjection et de la largeur de bande à – 3 dB peut être réalisé de façon indépendante par l’action sur l’ensemble des résistances R et R1 respectivement. R.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés avec H 0 = − R3 1 1 .

Identifiez les éléments du montage à ceux du schéma de principe. Identifiez les fonctions de transfert écrites sous la forme canonique du second ordre et donnez les expressions de ζ et ωn .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Filtre universel A partir du schéma de principe. Sylvain Géronimi Page 184 Filtrage analogique . de fréquence de réjection 50 Hz. 4. Schéma de principe -K1 S1 -K4 E + -K3 K2 -ω1/p S2 -ω2/p S3 + -K5 S4 1. Ecrivez les équations issues du schéma. un additionneur et deux intégrateurs. Réalisation du filtre R6 R5 10k - R1 10k C1 100n R2 C2 100n R7 + + U1 U2 S1 + U3 - Ve S2 + S3 R4 R3 R10 R9 R8 - U4 S4 + 10k 3. de largeur de bande 2. 2.5 Hz à -3 dB et un filtre passe-bande de gain unité. Le but est de réaliser un filtre réjecteur symétrique de gain unité. calculez les valeurs manquantes de résistances. on étudiera le filtre universel à quatre sorties qui met en œuvre un additionneur soustracteur. Les deux intégrateurs étant identiques et l’influence des courants de polarisation sur la composante continue du signal de sortie de U1 étant minimisée.

Equations issues du schéma VS1 ( p ) = −K1 VE ( p ) + K 2 VS2 ( p ) − K 3 VS3 ( p ) . ω2 = R1 C1 R2 C2 Additionneur : (montage inverseur et théorème de superposition) R9 S3 R8 S1 - R10 VS4 ( p ) = − R10 R VS ( p ) − 10 VS3 ( p ) R8 1 R9 R10 R . VS3 ( p ) = − ω2 p VS2 ( p ) . K 5 = 10 R8 R9 U4 S4 + Identification → K 4 = Sylvain Géronimi Page 185 Filtrage analogique .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Schéma de principe 1. VS2 ( p ) = − VS4 ( p ) = −K 4 VS1 ( p ) − K 5 VS3 ( p ) ω1 p VS1 ( p ) . Identification des éléments Intégrateurs : (montage inverseur) R1 S1 U2 - C1 VS2 ( p ) VS1 ( p ) =− Z( p) R1 VS2 ( p) = − S2 1 VS ( p ) R1C1 p 1 (idem pour U 3 ) + Identification → ω1 = 1 1 . Identification des fonctions de transfert 2ζ p 2 VS2 ( p ) K1 ωn ωn (filtre passe-haut). p +1 VS4 ( p ) VE ( p ) = K1 K 4 ωn 2 ωn K5 K3 K 4 (filtre réjecteur) p2 2ζ + p +1 2 ωn p2 + ωn avec ωn = K 3 ω1 ω2 et ζ = K2 2 K 3 ω2 ω1 Réalisation du filtre 3. (filtre passe-bande) = −K1 2 = p 2ζ VE ( p ) VE ( p ) K 2 p 2 2 ζ + p +1 + p +1 2 2 ωn ωn ωn ωn p2 VS1 ( p ) VS3 ( p ) K =− 1 2 VE ( p ) K3 p 2 ωn + 1 2ζ (filtre passe-bas). 2.

Si ces fluctuations amènent une atténuation insuffisante autour de la réjection. de gain unité K1 K 4 = 1 . Il est donc nécessaire d’introduire 12 données. K 5 . R3 . Sylvain Géronimi Page 186 Filtrage analogique . R 4 . K 2 . mais la norme EDF donne 50 ± 0. R5 . asservira la fréquence de réjection à la variation de la fréquence du secteur (voir cours « Boucles à verrouillage de phase »). R3 = 5 kΩ . K 4 . R8 .5 Hz (amenée ici à ± 1. R6 . 40 R3 = R 4 . K2 = ⎜ ⎜1 + R + R R7 6 7 ⎝ ⎞ R3 R5 ⎟ ⎟ R + R . filtre passe-bande de gain unité K1 = K 2 . R10 = 20 R8 ( K 4 = K 5 = 20 ) soit R1 = R2 = 31831 Ω . Un bilan montre 9 équations écrites précédemment pour 21 inconnues R1.05 ).25 Hz). R7 = 20 R5 ( K1 = K 2 = 0. C2 et ωn . ω2 . a. R8 = R9 . R2 .205 . équilibrage statique de l’additionneur soustracteur R 5 // R 6 // R 7 = R 3 // R 4 . R9 = 10 kΩ . b. K1. 5 données sont issues du cahier des charges filtre réjecteur symétrique K 5 = K 3 K 4 . ω1. Ce filtre est utilisé en réjecteur de la fréquence parasite issue du secteur. C1 = C2 = 100 nF La résolution du système linéaire fournit les valeurs R1 = R2 ( K 3 = 1 ). c. un filtre suiveur en fréquence.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Additionneur soustracteur : (théorème de superposition avec montage additionneur) R6 S3 R7 E - R5 U1 S1 + v S2 = 0 ⇒ VS1 ( p ) = − v S3 = v E = 0 R5 R VE ( p ) − 5 VS3 ( p ) R7 R6 ⇒ R4 S2 R3 R3 ⎧ + ⎪V ( p ) = R + R VS2 ( p ) 3 4 ⎪ ⎪ + − ( p) = V ( p ) V ⎨ ⎪ R 6 // R 7 ⎪V − ( p ) = VS1 ( p ) R ⎪ 6 // R 7 + R 5 ⎩ ⎛ R5 R 5 VS1 ( p ) = ⎜ ⎜1 + R + R 6 7 ⎝ ⎞ R3 ⎟ ⎟ R + R VS2 ( p ) 4 ⎠ 3 ⎛ R 5 R5 ⎞ R3 R5 R5 ⎟ soit VS1 ( p ) = ⎜ ⎜1 + R + R ⎟ R + R VS2 ( p ) − R VE ( p ) − R VS3 ( p ) 6 7 ⎠ 3 4 7 6 ⎝ Identification → K1 = ⎛ R5 R5 R5 . R9 . K 3 . R3 // R 4 = 10 3 0. C1. intégrant une boucle à verrouillage de phase. 5 données issues de valeurs de composants passifs prises de façon arbitraire R5 = R6 = R8 = 10 kΩ .05 . Calcul des composants Le conditionnement du problème demande de disposer d’autant d’équations que d’inconnues. R7 . 2 données issues de relations entre composants passifs lors de la réalisation intégrateurs identiques ω1 = ω2 ou R1C1 = R2 C2 . ζ . R 4 = R7 = R10 = 200 kΩ . K3 = R 4 6 ⎠ 3 4. R10 . de fréquence de réjection ωrej = ωn = 100 π rad/s et de largeur de bande relative à –3 dB 2ζ = ∆ω ωn = 0.

Sylvain Géronimi Page 187 Filtrage analogique . un circuit intégré quad (4 amplificateurs dans un même boîtier) doit être utilisé. La lecture du schéma électrique peut s’effectuer par le raisonnement suivant : les deux intégrateurs multiplient la fonction de transfert VS1 ( p ) VE ( p ) (sortie de U1 ) par 1 p (sortie de U 2 ).977.337.0113) -40 (50. S2 passebande. les filtres passe-haut et passe-bas un gain de 0. 37. la somme des passe-haut et passe-bas produit le coupe-bande (sortie de U 4 ).781. -3.05 (. ∆f = 2.004. -3. 20 (49. ce qui implique respectivement que S1 est un passe-haut. Les quatre cellules composant le filtre présentent chacune une contre-réaction tension-courant qui justifie une très faible résistance de sortie (topologie parallèle). S3 passe-bas .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Pour une réalisation optimale. -47. assurant ainsi une adaptation en tension (fonction de transfert globale égale au produit des fonctions de transfert élémentaires). puis par 1 p (sortie de U 3 ).5 Hz -0 (48.0535) -20 (51.030m) frej = 50 Hz.26 dB).457) -60 10Hz DB(V(S1)) 30Hz DB(V(S4)) 100Hz Frequency 260Hz DB(V(S2)) DB(V(S3)) Remarques : Les filtres passe-bande et réjecteur possèdent un gain unité.

Conditions d’oscillations La boucle étant fermée et en régime établi. 2. R 2 = 13. Ecrivez l’expression de la fonction de transfert en boucle ouverte. la résistance de sortie du montage inverseur est très faible par rapport à sa résistance d’entrée (contre-réaction tension-courant).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Oscillateur sinusoïdal triphasé L’étude proposée concerne le circuit de la figure ci-dessous. 2π fosc C1 Sylvain Géronimi Page 188 Oscillateurs sinusoïdaux . 3. Expression de la fonction de transfert en boucle ouverte G( p ) B' ( p ) Les trois étages sont des montages inverseurs Gi ( p ) = − ⎛ R1 ⎞ 1 d’où G( p ) B' ( p ) = ⎜ ⎜− R ⎟ ⎟ 2 ⎠ ⎛ ⎝ p ⎜ ⎜1 + ω 0 ⎝ 3 R1 Z( p) avec Z ( p ) = 1 + R1 C1 p R2 ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ 3 avec ω0 = 1 et B' ( p ) = 1 (retour unitaire) R1 C1 relation valable car les conditions d’adaptation en tension entre blocs sont respectées. En effet. Evaluation des résistances R1 = 3 = 27 kΩ . G( jω )B' ( jω ) = 1 . utilisant des amplificateurs de tension supposés idéaux en régime dynamique faibles signaux. déterminez la pulsation ωosc des oscillations et la condition d’entretien de celles-ci. Corrigé 1. ⎛ R1 ⎞ ⎜ ⎜− R ⎟ ⎟ 2 ⎠ ⎝ 3 1 1− 3 2 ⎞ ω2 ω ⎛ ⎜3 − ω ⎟ +j 2 2 ⎟ ⎜ ω0 ω0 ⎝ ω0 ⎠ =1 ⎧ ⎧Im[G ( jω )B' ( jω )] = 0 = ω0 3 ⎪ω → ⎨ ⇒ ⎨ osc [ ( ) ( ) ] Re G j ω B j ω ' = 1 ⎪ ⎩ ⎩R1 = 2 R2 3.5 kΩ . Evaluez les résistances pour que le système oscille à la fréquence de 1021 Hz. C1 10n C1 10n R1 R2 S1 S2 + + C1 10n R1 R2 + R1 R2 S3 1. 2. En boucle fermée et en régime sinusoïdal.

R3 + R L C 100n R1 vs R2 1. déterminez l’expression de la pulsation ω osc des oscillations du signal de sortie. La résistance R représentant les imperfections de l’inductance ( R >> R3 ). Evaluez la résistance R3 de telle manière que ζ = 0. 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Oscillateur à pont RLC L’étude proposée concerne le circuit de la figure ci-dessous. 4.5 pour la fonction B ' ( p ) . Comment devez-vous faire varier R1 pour démarrer les oscillations ? Corrigé 1. L Cp LCp 2 + 1 2 LCp + p + 1 R La fonction de transfert en tension est fournie par le pont L p R3 Z( p) B' ( p ) = = Z ( p ) + R3 ⎛1 1 ⎞ LCp 2 + L ⎜ ⎟p +1 ⎜R + R ⎟ 3 ⎠ ⎝ Sylvain Géronimi Page 189 Oscillateurs sinusoïdaux . donnez le type de comportement du bloc amplificateur. 7. 6. Ecrivez la fonction de transfert B ' ( p ) en tension du réseau passif. ainsi que la condition sur les résistances. Fonction de transfert B ' ( p ) en tension du réseau passif L’ensemble des éléments mis en parallèle conduit à une impédance 1 Lp Lp Z ( p ) = R // // Lp = R // = . utilisant un amplificateur de tension supposé idéal en régime dynamique faibles signaux. 5. En boucle fermée et en régime sinusoïdal. Donnez la valeur de l’inductance L pour obtenir un signal de sortie à la fréquence de 16 kHz. 2. Ecrivez le gain de l’amplificateur G.

Comportement du bloc amplificateur Puisque R >> R3 → G = 1 + R1 ≅ 1. Si l’amplificateur est réel.5 Ω . c’est-à-dire donner à la résistance R2 R1 une valeur relativement plus élevée que la valeur nominale. la contreréaction tension-tension conduit à des résultats voisins. Evaluation de l’inductance L= (2π fosc )2 C 1 ≅ 0. G( p ) = 1 + R1 = G (amplificateur non inverseur de gain réel) R2 3. Gain de l’amplificateur L’amplificateur de tension étant idéal. G B' ( jω ) = 1 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 2. R2 L’amplificateur se comporte comme un suiveur de tension ( R 2 >> R1 ). Ce montage est utilisé pour détecter la présence de matériaux magnétiques ou amagnétiques. Sylvain Géronimi Page 190 Oscillateurs sinusoïdaux . Lω ⎛ R3 R1 ⎞ G B' ( jω ) = ⎜ =1 ⎜1 + R ⎟ ⎟ ⎛1 1 ⎞ 2 ⎠ ⎝ 2 ⎟ ⎜ Lω ⎜ + ⎟ + j LCω − 1 ⎝ R R3 ⎠ ( ) 1 ⎧ ⎪ωosc = ⎧Im[G B' ( jω )] = 0 LC ⎪ → ⎨ ⇒ ⎨ ⎩Re[G B' ( jω )] = 1 ⎪1 + R1 = 1 + R3 ⎪ R ⎩ R2 4. Evaluation de la résistance R3 L p R3 2ζ 1 L Pour R >> R3 . puis diminuer cette valeur jusqu’à l’obtention du régime sinusoïdal établi. 7. 5. d’où R3 ≅ 99. relation valable car les conditions d’adaptation en tension entre blocs sont respectées. Conditions d’oscillations La boucle étant fermée et en régime établi.99 mH 6. Démarrage des oscillations Il faut établir la condition G B' ( p ) > 1 avec G = 1 + R1 = 1 + ε . En effet. sa bande passante est considérée comme infinie. La relation nécessaire = = L Q R ω ω n n 3 LCp 2 + p +1 R3 identifiant à la forme canonique du filtre passe-bande du second ordre. B' ( p ) ≅ est obtenue en . la résistance d’entrée est infinie et résistance de sortie est nulle pour le bloc amplificateur idéal.

3. sa bande passante est considérée comme infinie. Corrigé 1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Oscillateur à pont RLC avec potentiomètre L’étude proposée concerne le circuit de la figure ci-dessous. L Cp LCp 2 + 1 LCp 2 + p +1 αR La fonction de transfert en tension est fournie par le pont L p Z( p) ( 1 − α )R B' ( p ) = = L Z ( p ) + (1 − α )R LCp 2 + p +1 α (1 − α )R L’amplificateur de tension étant idéal. Fonction de transfert B' ( p ) en tension du réseau passif L’ensemble des éléments mis en parallèle conduit à une impédance Lp Lp 1 Z ( p ) = α R // // Lp = α R // = . 2. utilisant un amplificateur de tension supposé idéal en régime dynamique faibles signaux. Calculez la fréquence des oscillations et la position α du potentiomètre pour laquelle le circuit oscille. Ecrivez les fonctions de transfert en tension du réseau passif B' ( p ) et de l’amplificateur G. Ecrivez les conditions d’oscillation. R2 100k R1 5k + (1-α)R αR C 10n L 10mH R 10k Etude du régime dynamique (faibles signaux) 1. G( p ) = 1 + R2 = G (amplificateur non inverseur de gain réel) R1 Sylvain Géronimi Page 191 Oscillateurs sinusoïdaux .

la contreréaction tension-tension amène à des résultats voisins. En effet. Si l’amplificateur est réel. α = 0. la résistance d’entrée est infinie et résistance de sortie est nulle pour le bloc amplificateur idéal.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 2. relation valable car les conditions d’adaptation en tension entre blocs sont respectées.0476 Sylvain Géronimi Page 192 Oscillateurs sinusoïdaux . Conditions d’oscillations La boucle étant fermée et en régime établi. ⎛ R2 ⎞ G B ' ( jω ) = ⎜ ⎜1 + R ⎟ ⎟ 1⎠ ⎝ fosc Lω + j LCω 2 − 1 α (1 − α )R R1 1 .9 kHz .α= = R1 + R2 2π LC (1 − α )R Lω ( ) =1 ⎧LCω 2 − 1 = 0 ⎪ ⎧Im[G B' ( jω )] = 0 → ⎨ ⇒ ⎨ ⎛ R2 ⎞ ⎩Re[G B' ( jω )] = 1 ⎪α ⎜ ⎜1 + R ⎟ ⎟ =1 1 ⎠ ⎩ ⎝ 3. G B' ( jω ) = 1 . Application numérique fosc ≅ 15.

+ S R3 10k C1 15n R4 10k C2 15n - R2 10k R1 Condition d’entretien des oscillations 1.5k R6 R4 10k C2 15n D1 J1 J2N4416A G R5 100k C3 100u D1N4148 La résistance variable est constituée d’un JFET travaillant dans sa zone ohmique et commandé en tension par un détecteur de crête. Dans ces conditions. exprimez les conditions d’entretien d’oscillations sinusoïdales. 6. 5. 2. la tension v ds ne peut dépasser quelques Sylvain Géronimi Page 193 Oscillateurs sinusoïdaux . Calculez les valeurs de la fréquence fosc des oscillations et de la résistance R1 . Stabilisation de l’amplitude des oscillations par thermistance La résistance R2 s’identifie à une thermistance à coefficient de température négatif telle que 2 2 R2 = R0 − a v eff avec R0 = 11 kΩ. Vérifiez que la condition de démarrage est assurée. utilisant un amplificateur linéaire de tension supposé idéal. Stabilisation de l’amplitude des oscillations par résistance variable R3 10k C1 15n + uA741 - U1 S R2 37. Evaluez l’amplitude de la tension de sortie v s en Vpp . Ecrivez la fonction de transfert en boucle ouverte. En boucle fermée.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Oscillateur à pont de Wien L’étude proposée concerne le circuit de la figure suivante. 4. Donnez les règles de démarrage de l’oscillateur. a = 10 3 Ω / V 2 et v eff la valeur quadratique moyenne de la tension aux bornes de R2 . 3.

d’où G(p )B' (p ) = ⎜ ⎜1 + R ⎟ ⎟ 3 RC ωn Q 1⎠ ⎝ 1 .6 V . = = 2ζ = 3 . puis l’expression de R6 . VGS . ce qui explique la présence de la résistance série R6 sur le schéma électrique. G ( jω )B' ( jω ) = ⎜ ⎜1 + R ⎟ ⎟ ⎛ ωn ω 1 ⎠ ⎝ 3− j⎜ ⎜ ω −ω n ⎝ = ω ω ( ) ( ) ⎧ [ ] ⎧Im G jω B' jω = 0 osc n Conditions de Barkhausen → ⎨ ⇒ ⎨ [ ( ) ( ) ] = = Re G j ω B ' j ω 1 R 2 R ⎩ 1 ⎩ 2 ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ =1 3. Sylvain Géronimi Page 194 Oscillateurs sinusoïdaux . 2. Le transistor possède les caractéristiques IDSS = 14 mA. RDS et R6 en prenant v ds = 80 mVpp et V0 = 0. v s et v ds . p ωn 3+ + ωn p relation valable car les conditions d’adaptation en tension entre blocs sont respectées. v s . Ecrivez l’expression de R2 en fonction de RDS . 7. VP = − 4 V . écrivez l’expression de VGS en fonction de V0 . Corrigé Condition d’entretien des oscillations 1. Evaluez RON . ωn = . Condition de démarrage 1+ R2 >3 R1 soit R2 supérieure à sa valeur nominale ou R1 inférieure à sa valeur nominale. Conditions d’oscillations ⎛ R2 ⎞ 1 En boucle fermée et en régime établi. 10. La diode possédant une tension de seuil V0 . Si l’amplificateur est réel. la contre-réaction tension-tension conduit à des résultats voisins. v ds et R2 . Fonction de transfert en boucle ouverte Amplificateur non inverseur : G (p ) = 1 + Réseau sélectif : B' (p ) = R2 (gain constant car amplificateur idéal) R1 RC p avec R = R3 = R 4 et C = C1 = C2 R 2 C 2 p 2 + 3 RC p + 1 2ζ p ω n ' filtre de type passe-bande de la forme B0 et de caractéristiques p 2 2ζ + p +1 2 ωn ωn ' = B0 ⎛ R2 ⎞ 1 ∆ω 1 1 . 9. Vérifiez que la condition de démarrage est assurée. le gain peut ne plus être considéré comme constant si la fréquence de l’oscillateur n’est pas faible par rapport à la bande passante de l’amplificateur. la résistance d’entrée est infinie et résistance de sortie est nulle pour le bloc amplificateur idéal. Donnez l’expression de la résistance RDS du transistor. 11. Cependant. En effet.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés dizaines de mVpp . 8.

la tension aux bornes de la thermistance augmente jusqu’à ce que sa valeur ohmique diminue et se stabilise à R 2 = 2 R1 . Expressions des résistances R2 et R3 Condition d’oscillations : R 2 = 2 (R 6 + RDS ) car R 6 + R DS s’identifie à R1 des études précédentes Pont de résistances : v ds = 2 RDS v s 3 v ds RDS RDS vs + R6 + R2 d’où R2 = et R6 = R2 − RDS 2 9. Application fosc = 1 ≅ 1061 Hz . VGS ≅ − 2. Application RON ≅ 286 Ω .24 Vpp Stabilisation de l’amplitude des oscillations par résistance variable 7. Condition de démarrage R0 > 3 avec l’alimentation éteinte. 10.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 4. Amplitude de la tension de sortie v eff = R0 − R2 = 1Veff a ⇒ v s = 3 2 v eff ≅ 4. Sylvain Géronimi Page 195 Oscillateurs sinusoïdaux . Le démarrage est assuré car 1 + 6. Expression de la tension de grille Le redressement de l’alternance négative du signal sinusoïdal de sortie s’effectue en détection crête puisque R5 C3 >> Tosc . R1 = 5 kΩ 2π RC Stabilisation de l’amplitude des oscillations par thermistance 5. d’où v s pp = 2 (V0 − VGS ) en tenant compte du seuil de conduction de la diode. Une fois l’alimentation R1 allumée. v s ≅ 6.1Vpp . RDS ≅ 738 Ω et R6 ≅ 18 kΩ . Expression de la résistance dynamique du JFET RDS ≅ RON V 1 − GS VP avec RON ≅ −VP (à partir d’une caractéristique de transfert « stylisée » du JFET) I DSS 8. VGS = − 1 − α V0 1 α− VP avec α = 4 RON 3 R2 v ds (tension continue négative de commande du JFET canal N).45 V .

39 V -4. la valeur de RDS augmente et se stabilise pour vérifier l’égalité R 2 = 2 (R 6 + RDS ) .3500s V(S) 1.0s 1.3510s V(J1:d) Time 1.0V vs = 6 Vpp fosc = 1055 Hz v+ = 2 Vpp 0V v ds = 80 mVpp VGS = -2.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 11.0V 0s V(S) V(G) Time 0.5s 1.0V 1. A la mise R6 + RON sous tension du montage.0V 0V -4. Condition de démarrage Le démarrage est assuré car 1 + R2 > 3 avec l’alimentation éteinte ( VGS = 0 ).3525s Sylvain Géronimi Page 196 Oscillateurs sinusoïdaux .3505s V(G) V(U1:+) 1. Simulation du circuit Démarrage de l’oscillateur 4.3515s 1.3520s 1.5s Régime permanent 4.

Déduisez le paramètre g m de l’étude précédente ( rds = ∞ . écrivez l’expression de la fonction de transfert en tension. Pente du JFET g m = − I D0 I DSS ≅ 2. 5. I D0 = − VGS0 RS ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ 2 ⇒ 2 VGS 2 VP ⎛ 1 2 ⎞ ⎟VGS + 1 = 0 +⎜ − ⎜I ⎟ ⎝ DSS RS VP ⎠ = 3. Déterminez les variables de polarisation. 6. Tracez la réponse en fréquence dans le plan de Bode et interprétez les résultats. VP = − 4 V . Cgd négligées).2k CG 100 n R 10M RS 480 CS 100 n J1 J2N3819 L C2 68p C1 Etude du régime continu 1. le transistor JFET possédant les caractéristiques constructeur I DSS = 8 mA. Calculez les valeurs manquantes des composants du filtre afin de générer un signal sinusoïdal à la fréquence de 3 MHz. Effectuez l’étude de la fonction de transfert en tension du circuit en boucle ouverte. écrivez les équations donnant les conditions d’entretien des oscillations. Corrigé Etude du régime continu 1. En boucle fermée et en régime sinusoïdal. En boucle ouverte.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Oscillateur Colpitts L’étude proposée concerne le circuit de la figure ci-dessous.5 mA / V Sylvain Géronimi Page 197 Oscillateurs sinusoïdaux . VCC 20 V + - RD 2.125 mA . 4.5 V ( VP < VGS0 < 0 ).6 V Etude du régime dynamique aux faibles signaux 2 VP 3. Etude en boucle ouverte 2. Etude statique ⎧VCC = (RD + RS )I D + VDS ⎛ VGS et I D = I DSS ⎜ ⎨ ⎜1 − V P ⎩VGS = − RS I D ⎝ VGS0 = − 1. VDS0 = VCC − (RD + RS )I D0 ≅ 11. Cgs . Etude du régime dynamique aux faibles signaux 2. 3.

la self voit à ses bornes un condensateur équivalent. ce qui conduit à l’expression de la fréquence fosc . le filtre charge sur la résistance R de valeur très importante devant celle 1 de la réactance du condensateur C1 à la fréquence d’oscillation ( << 10 MΩ ). les inconnues sont L et C1 . C1 = g m RD C 2 ≅ 374 pF et L = ω2 ⎜ ⎝ C1 1 ⎛ 1 1 ⎞ ⎜ ⎟ ≅ 49 µH . Ainsi. Evaluation des composants de l’oscillateur Le système d’équations à deux inconnues conduit aux conditions d’oscillations. ⎡ ZC2 Z L + ZC1 ⎤ Vs ( p ) = − g m Vgs ( p ) RD // ZC2 // Z L + ZC1 = − g m Vgs ( p ) ⎢RD // ⎥ ZC2 + Z L + ZC1 ⎥ ⎢ ⎣ ⎦ 1 1 avec ZC1 = . Z L = jLω ). ( ) L’équation complexe − g m RD ZC1 ZC2 = RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 Z L + ZC1 présentant des termes imaginaires purs (réactances ZC1 = équations C1 ⎧ ⎧ g m RD 1 ⎛ 1 ⎞ ⎪g m RD = C 2 ⎟ ⎜ L ω = − ( partie réelle) ⎧ ⎪ + = g R 1 LC ω 2 2 1 m D ⎪ C2 ω ⎜ C1 ω ⎟ ⎪ ⎪ C1C 2 ω ⎪ ⎠ ⎝ 1 soit ⎨ 2 ou ⎨ ⎨ 1 1 ω= 1 1 ⎞ ⎪ ⎪ ⎛ ⎪Lω = C + C CC 1 2 ⎩ ⎟ = 0 (partie imaginaire ) ⎪ ⎜ Lω − C ω − C ω ⎟ ⎪RD ⎜ L 1 2 1 2 ⎠ ⎩ ⎝ C1 + C2 ⎪ ⎩ 1 1 . Etude en boucle fermée et en régime établi ( p = jω ) En refermant la boucle. Z L = Lp C1 p C2 p [ ( )] ( ) ZC2 Z L + ZC1 Vs ( p ) = − g m RD Vgs ( p ) RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 ZL + ZC1 ( ( ( ) ) ) ( ( ) ) et ZC1 V ( p) = Vs ( p ) Z L + ZC1 ZC1 ZC2 V ( p) = − g m RD Vgs ( p ) RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 ZL + ZC1 4. se décompose en deux jC1ω jC2 ω ( ) 5.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Les condensateurs de liaison et de découplage CG et CS sont assimilés à des court-circuits à la fréquence de travail de l’oscillateur. la décharge du condensateur induit un courant dans le circuit magnétisant alors la self. L’énergie électrostatique du condensateur est convertie en énergie magnétique dans la self. initialement condensateur chargé et courant dans la boucle nul. C1ω osc V ( p ) = Vgs ( p ) et − g m RD RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 Z L + ZC1 ( ZC1 ZC2 ) ( ) = 1. ZC2 = . Sylvain Géronimi Page 198 Oscillateurs sinusoïdaux . = + C C1 C2 Ainsi. A partir de l’interprétation d’un circuit LC parfait. + C2 ⎟ ⎠ Notons que la fréquence des oscillations s’écrit fosc = 1 2π LC avec 1 1 1 (mise en série). Dans le cas présent. ZC2 = .

819) 40 (10. Il n’est pas nécessaire de charger la sortie du réseau LC par l’impédance d’entrée de l’amplificateur puisque cette dernière est de valeur très élevée (R = 10 MΩ). La pulsation d’oscillation est ωosc = 1 LC . 60 (2.0MHz 10MHz Sylvain Géronimi Page 199 Oscillateurs sinusoïdaux . -14. et inversement. le réseau LC entre en résonance à sa fréquence propre fosc . Etude de tracés dans le diagramme de Bode en boucle ouverte L i J1 ve R RD vs1 C2 C1 vs2 Une tension sinusoïdale v e est appliquée à la grille du JFET. 14.000K.9969M. le courant s’inverse et l’échange d’énergie a lieu dans l’autre sens pour revenir à l’état initial.725) -60 10KHz 30KHz DB(V(S1)/V(E)) DB(V(S2)/V(E)) 100KHz DB(V(S2)/V(S1)) 300KHz Frequency 1. un même courant circule alternativement de C1 vers C2 .9969M. alimenté par un amplificateur inverseur de gain en tension Av = − C1 C 2 pour satisfaire les conditions de Barkhausen respectivement arg [G ( jω )] + arg [B' ( jω )] = 0 + 2k π et G ( jω )B' ( jω ) = 1 . jωosc C2 jωosc C1 v1 C1 En pratique. chargeant un condensateur et déchargeant l’autre.469) (2.0MHz 3. -58. Le transistor est une source de courant commandée par la tension d’entrée et d’expression i = g m v e . soit v C 1 1 v1 = − i et v 2 = i ⇒ 2 =− 2 . 14. 79. 6.1749M. -0.1749M. Les tensions aux bornes des condensateurs sont donc en opposition de phase et le rapport des tensions est égal à l’inverse du rapport des capacités.792) (2.8643) 0 transfert en boucle ouverte -40 (1.345m) (1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés La self magnétisée et le condensateur déchargé. L i v1 C2 C1 i v2 Si la capacité C est équivalente à deux capacités dont le point commun est la masse.9969M.

0MHz 10MHz Une simulation avec un JFET 2N3819 montre l’analyse transitoire de l’oscillateur en régime permanent vérifiant que les deux tensions en entrée et sortie du réseau LC sont en opposition de phase et que l’atténuation du pont est toujours 3. 20V gain en tension -5.5 fréquence des oscillations 2. 90.1818 . le gain en boucle ouverte vérifiera les conditions d’oscillations. 180d (1.0us 19. Sylvain Géronimi Page 200 Oscillateurs sinusoïdaux .72 20.46 ≅ 0.72 Vpp 18.14. ce qui est prouvé par le gain de l’amplificateur et l’atténuation du réseau LC de valeurs respectives v s1 v e = − Av ≅ − 5. Si l’amplificateur compense l’atténuation introduite par le réseau passif et induit lui-même un déphasage de -180° (amplificateur inverseur).-13.8 dB).8 dB) et v s2 v s1 = − C2 C1 = − 1 Av ≅ − 0.46 Vpp 0V v gs = 3.1818 (.97 MHz 10V VDSo=13 V v ds = 20.8us Time 19.767f) -100d 30KHz 10KHz arg(V(S2)/V(E)) 100KHz 300KHz Frequency 1.1749M.2us Le réseau sélectif permet d’obtenir un déphasage de 180°. le gain de la boucle ouverte est de 1 (0 dB).5 (14.0MHz 3.9974M.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Les tracés des modules montrent qu’à la fréquence d’oscillation prévue (3 MHz).012) 100d 0d (2.4u 18. Le diagramme de Bode de la phase en boucle ouverte montre une phase nulle à la fréquence d’oscillation prévue. puisque v s2 v e = 1 .6us 18.

180° ) Pour ω = Vs1 ( jω ) Ve ( jω ) 1 LC1 ( f ≅ 1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Interprétation analytique L’impédance en parallèle sur la résistance RD et les transferts en tension s’écrivent ⎛ 1 ⎞ 1 ⎜ ⎜ jLω + jC ω ⎟ ⎟ 1 ⎠ jC 2ω Z ( jω ) = ⎝ 1 1 jLω + + jC1ω jC 2ω Vs1 ( jω ) Ve ( jω ) = − g m (RD // Z ( jω )) . 2 →−j ≅0 Vs1 ( jω ) jLω jC2ω Ve ( jω ) Ve ( jω ) LC1C2 ω 3 ( − ∞ dB.175 MHz ) ⇒ Z ( jω ) = 0 . Z ( jω ) → →0. Vs2 ( jω ) Vs1 ( jω ) = 1 jC1ω jLω + 1 jC1ω . →∞.8 dB. → ≅ 0. Pour ω → ∞ . = 1 ( 0 dB.864 dB. Vs2 ( jω ) Ve ( jω ) = Vs2 ( jω ) Vs1 ( jω ) Vs1 ( jω ) Ve ( jω ) Pour ω → 0 . Vs1 ( jω ) Ve ( jω ) → − g m RD . − 90° ) Démarrage de l’oscillateur 25V 20V V(J1:d) 10V V(J1:g) 0V -5V 0s 5us 10us Time 15us 20us 25us Sylvain Géronimi Page 201 Oscillateurs sinusoïdaux . ⎜ + ⎜ L ⎝ C1 C2 ⎟ ⎠ = − g m RD . 0° ) C1 Ve ( jω ) 1 Vs2 ( jω ) Vs1 ( jω ) Vs ( jω ) jC1ω gm 1 . Z ( jω ) → ∞ . Vs2 ( jω ) Ve ( jω ) = j gm L ≅ j 0. Vs2 ( jω ) Vs1 ( jω ) → 1. Vs2 ( jω ) Vs1 ( jω ) =− C2 Vs2 ( jω ) . 90° ) C1 =0. Vs2 ( jω ) Vs1 ( jω ) Pour ω = ωosc = Vs1 ( jω ) Ve ( jω ) 1⎛ 1 1 ⎞ ⎟ ( f ≅ 3 MHz ) ⇒ Z ( jω ) → ∞ .905 ( − 0. Vs2 ( jω ) Ve ( jω ) → − g m RD ( + 14.

Intérêt du montage La relation donnant la pulsation des oscillations laisse apparaître au niveau numérique que CC C3 >> 1 2 . ce qui implique que ωosc peut varier uniquement en fonction de C3 .2k S C3 1n L J1 J2N3819 C2 22p C1 RS 480 CS 1u 1. 2. ω2 ⎜ ⎜ C3 + ⎝ ⎛ C1C2 C1 + C2 ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ ω C3 2 3. VCC + 20 V CG 1u RG 10M RD 2. la self voit à ses bornes un condensateur équivalent de capacité C égale à C3 en parallèle sur C1 en série avec C2 . 2. concernant le circuit de la figure cidessous. Evaluation des composants de l’oscillateur C1 = g m RD C2 ≅ 121 pF et L = 1 ≅ 1 ≅ 25 µH . ce qui conduit à l’expression de la fréquence fosc .5 mA / V . Quel est l’intérêt de ce montage par rapport au montage Colpitts classique ? Corrigé 1. rds . Cgs et Cgd négligeables. L ) du filtre afin de générer un signal sinusoïdal à la fréquence de 1 MHz. C1 + C2 Sylvain Géronimi Page 202 Oscillateurs sinusoïdaux . ce qui nécessite un gain de l’amplificateur Av = − C1 C2 pour satisfaire les conditions de Barkhausen. Evaluez les autres composants ( C1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Oscillateur Colpitts (variante) Une étude dynamique aux faibles signaux est proposée ici. Ecrivez les équations donnant les conditions d’entretien des oscillations. Conditions d’entretien des oscillations C1 ⎧ ⎪g m RD = C 2 ⎪ ⎪ 1 ⎨ω = ⎪ ⎛ CC ⎞ ⎪ L⎜ C3 + 1 2 ⎟ ⎜ C1 + C2 ⎟ ⎪ ⎝ ⎠ ⎩ Ici aussi. Les paramètres du modèle transistor JFET sont g m = 2. 3. Le rapport des tensions sur le réseau LC est encore − C2 C1 .

Quel est l’intérêt de ce montage ? Corrigé 1. 2. ce qui implique que ωosc peut varier uniquement en fonction de C3 . Cgs et Cgd négligeables. Intérêt du montage La relation donnant la pulsation des oscillations laisse apparaître au niveau numérique que C1 et C2 >> C3 . Conditions d’entretien des oscillations C1 ⎧ ⎪g m RD = C 2 ⎪ ⎪ 1 ⎨ω = L ⎪ ⎪ 1 1 1 + + ⎪ C C C 1 2 3 ⎩ Ici aussi. VCC + 20 V CG 1u RG 10M RD 2. ce qui conduit à l’expression de la fréquence fosc . 3. 3.5 nF et L ≅ 2 ≅ 100 µH car et ωosc ≅ + + ≅ C C C C ω C3 1 2 3 3 1 L C3 . Le rapport des tensions sur le réseau LC est encore − C2 C1 . Evaluation des composants de l’oscillateur 1 1 1 1 1 C1 = g m RD C2 ≅ 5.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Oscillateur Clapp Une étude dynamique aux faibles signaux est proposée ici. concernant le circuit de la figure cidessous. Ecrivez les équations donnant les conditions d’entretien des oscillations. 1 C1 ωosc << RG ) et Sylvain Géronimi Page 203 Oscillateurs sinusoïdaux . C2 et C3 en série. ce qui nécessite un gain de l’amplificateur Av = − C1 C2 pour satisfaire les conditions de Barkhausen. surtout avec un bipolaire. 2.2k S L C3 10p J1 J2N3819 C2 1n C1 RS 480 CS 1u 1. De cette façon. Les paramètres du modèle transistor JFET sont g m = 2.5 mA / V . la fréquence des oscillations est très peu dépendante des impédances d’entrée ( de sortie ( 1 C2 ωosc << RD ) de l’amplificateur. Evaluez les autres composants ( C3 . la self voit à ses bornes un condensateur équivalent de capacité C égale à C1 . L ) du filtre afin de générer un signal sinusoïdal à la fréquence de 5 MHz. rds .

écrivez les équations donnant les conditions d’entretien des oscillations. Vcc B RD B 20V 2. Etude en régime continu 2. La capacité CV de la diode varicap est comprise entre 2 et 10 pF pour une tension de polarisation de 0. Etude du régime dynamique aux faibles signaux 3. Déduisez la valeur du paramètre g m du modèle du transistor ( rds . 5. Expliquez le fonctionnement de la commande de la diode varicap. En boucle fermée et en régime sinusoïdal. Donnez une description précise du circuit. 4.2k CD B CL B Lchoc B J1 B 10u C2 B 10u Vcom B 68p L 22uH CV B R 10Meg C1 B RS 480 B CS 10u B Compréhension du schéma 1. Evaluez le facteur de conversion tension-fréquence défini par K 0 = ∆f ∆Vcom en supposant un transfert linéaire.5 à 5 V. Cgs Cgd étant négligés). Sylvain Géronimi Page 204 Oscillateurs sinusoïdaux . puis le domaine des fréquences d’oscillation possibles par l’action de la tension continue Vcom . VP = − 4 V . le transistor JFET possédant les caractéristiques constructeur I DSS = 8 mA. 7. 6. En boucle ouverte.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Oscillateur Colpitts contrôlé en tension (VCO) à JFET source commune L’étude proposée concerne le circuit de la figure ci-dessous. Evaluez la capacité C1 du filtre. écrivez l’expression de la fonction de transfert en tension. Dessinez le schéma et évaluez les variables de polarisation.

Une diode varicap est utilisée pour commander l’oscillateur.2k B ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ 2 D1 B B ⇒ J1 B 2 VGS 2 VP Vcom B ⎛ 1 2 +⎜ − ⎜I ⎝ DSS RS VP ⎞ ⎟VGS + 1 = 0 ⎟ ⎠ − VGS0 RS = 3. Schéma et variables de polarisation ⎧VCC = (RD + RS )I D + VDS ⎛ VGS et I D = I DSS ⎜ ⎨ ⎜1 − V P ⎝ ⎩VGS = − RS I D VCC 20 V B RD 2. Paramètre g m = − 2 VP I D0 I DSS ≅ 2. Connectée en parallèle avec le circuit L − C1 − C2 (topologie Colpitts) du point de vue dynamique. De ce fait.5 mA / V 4. CD et CL sont assimilés à des courts-circuits à la fréquence de travail de l’oscillateur. La capacité CD est une capacité de liaison permettant de sauvegarder le potentiel continu de drain. Etude en boucle ouverte Les condensateurs de liaison CS . la tension de commande Vcom est aux bornes de la diode varicap et modifie la valeur de sa capacité CV . I D0 = VDS0 = VCC − (RD + RS )I D0 ≅ 11.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1.6 V La diode varicap est traversée par un courant inverse très faible et le courant de grille du JFET est insignifiant (ordre du pA).5 V ( VP < VGS0 < 0 ). La chute de tension aux bornes de la résistance R peut être négligée. CV L J1 R vgs RD vs C2 C1 v Sylvain Géronimi Page 205 Oscillateurs sinusoïdaux . 3. R 10Meg RS 480 B VGS0 = − 1. Description du circuit La résistance RS fixe le courant de polarisation du JFET et la capacité CS découple sa source (montage source commune pour les signaux HF). elle est polarisée en inverse par la tension continue Vcom de commande par le biais d’une inductance de très grande impédance en HF (circuit ouvert en HF et court-circuit en continu). ce qui signifie que l’anode de la diode est à la masse.125 mA . L’impédance de charge du transistor est constituée par la résistance RD (supposée de faible valeur par rapport à la charge extérieure du circuit). 2. La connexion de la diode avec le circuit L − C1 − C2 est réalisée par une capacité de liaison CL (court-circuit en HF et circuit ouvert en continu).

de la réactance du condensateur C1 à la fréquence d’oscillation ( C1ωosc V ( p ) = Vgs ( p ) et − g m RD ⇒ − g m RD ZC1 ZC2 [Z Z + Z (Z + Z )]Z + R [Z Z + (Z + Z ) (Z + Z )] = 1 . le filtre charge sur la résistance R de valeur très importante devant celle 1 << 10 MΩ ). (Z + Z ) = [Z Z + Z (Z + Z )]Z + R [Z Z + (Z + Z ) (Z + Z )] L CV C1 L CV C2 D L CV C1 C2 L CV L CV L CV C1 L CV C2 D L CV C1 C2 L CV ZC1 ZC2 Z L + ZC V ( ) équation présentant des termes imaginaires purs qui se décompose en deux équations avec 1 1 1 ZC1 = . ZC V = . ZC 2 = . Z L = Lp C1 p C2 p CV p [ ( ( ) )] ( ) ⎤ ⎥ ⎥ ⎦ Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2 Vs ( p ) = − g m RD Vgs ( p ) Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2 + RD Z L ZC V + ZC1 + ZC2 Z L + ZC V [ et ZC1 Z L + ZC V V ( p) = Vs ( p ) Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ( ( ) ( [ )] ( [ )] ( )( )] ) ( )] ( d’où ZC1 ZC2 Z L + ZC V V ( p) = − g m RD Vgs ( p ) Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2 + RD Z L ZC V + ZC1 + ZC2 Z L + ZC V [ [ ) ( )( )] 5.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés ⎡ Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V Vs ( p ) = − g m Vgs ( p ) RD // ZC2 // Z L // ZC V + ZC1 = − g m Vgs ( p ) ⎢RD // ZC2 // Z L + ZC V ⎢ ⎣ [ ( )] ( )⎤⎥ ⎥ ⎦ ⎡ Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2 Vs ( p ) = − g m Vgs ( p ) ⎢RD // Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V + ZC2 Z L + ZC V ⎢ ⎣ 1 1 1 avec ZC1 = . Ainsi. ZC V = . Z L = jLω : jC1ω jC2 ω jCV ω ⎧ ⎡ L ⎛ ⎛ ⎞⎤ 1 ⎞ ⎟ ⎜ 1 + 1 ⎟⎥ (partie réelle) ⎪0 = RD ⎢ + ⎜L − ⎜ ⎟ 2 ⎪ CV ω ⎟ ⎢ CV ⎜ ⎥ ⎠ ⎝ C1 C 2 ⎠⎦ ⎝ ⎣ ⎪ ⎨ ⎤ ⎪ g m RD ⎛ 1 ⎞ 1 ⎡ L ⎛ 1 ⎞ ⎟ 1⎥ ⎜ Lω − ⎟ =− + ⎜L − ⎢ ⎪ ⎟ 2 ⎜ 2 ⎜ ⎟ CV ω ⎠ C2 ω ⎢ CV ω ⎠ C1 ⎥ ⎪C1C 2 ω ⎝ ⎣ CV ⎝ ⎦ ⎩ (partie imaginaire ) ⎧ 2⎛ 1 1 1 ⎞ 1 ⎛ 1 1 ⎞ ⎪Lω ⎜ ⎜C + C + C ⎟ ⎟=C ⎜ ⎜C + C ⎟ ⎟ 1 2 ⎠ 2 ⎠ V ⎝ 1 ⎝ V ⎪ soit ⎨ LC1ω 2 ⎪ + = g R 1 m D ⎪ 1 − LCV ω 2 ⎩ ou C1 ⎧ ⎪g m RD = C 2 ⎪ ⎪ 1 = ⎪ω = 1 1 1 ⎨ + + ⎪ C C1 C2 L V ⎪ 1 ⎛ 1 1 ⎞ ⎪ ⎜ ⎜C + C ⎟ ⎟ ⎪ C 2 ⎠ V ⎝ 1 ⎩ 1 ⎛ C1C2 L⎜ ⎜ C + C + CV 2 ⎝ 1 ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ Sylvain Géronimi Page 206 Oscillateurs sinusoïdaux . Etude en boucle fermée et en régime établi ( p = jω ) En refermant la boucle. ZC 2 = .

Pour CV = 2 pF .5 à 5 V. Evaluation de C1 et du domaine des fréquences d’oscillation C1 = AV C2 = 374 pF et fosc = 1 2π ⎛ C1C2 ⎞ L⎜ ⎜ CV + C + C ⎟ ⎟ 1 2 ⎠ ⎝ .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés La self voit à ses bornes un condensateur équivalent de capacité C égale à CV en parallèle sur C1 en série avec C2 .7 kHz / V . ce qui nécessite un gain de l’amplificateur Av = − C1 C2 (ou Av = − g m RD ) pour satisfaire les conditions de Barkhausen. Le rapport des tensions sur le réseau LC est encore − C2 C1 . ce qui donne un transfert (supposé linéaire) du VCO ∆f K0 = ≅ 59. 6. foscmax = 4397542 Hz et pour CV = 10 pF . Evaluation de K 0 L’excursion de fréquence ∆f est d’environ 269 kHz pour une tension de commande passant de 0. 7. ∆Vcom Sylvain Géronimi Page 207 Oscillateurs sinusoïdaux . foscmin = 4128889 Hz . ce qui conduit à l’expression de la fréquence fosc .

Vcc B 10V Lchoc B CL B J1 B 10u Vcom B C1 B D1 B L 22uH C2 B RS B 100p 480 vs B Compréhension du schéma 1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Oscillateur Colpitts contrôlé en tension (VCO) à JFET drain commun L’étude proposée concerne le circuit de la figure ci-dessous. Evaluez la capacité C1 du filtre. puis les limites du domaine des fréquences d’oscillation possibles par l’action de la tension continue Vcom . Cgs Cgd étant négligés). Etude du régime dynamique aux faibles signaux 3. Déduisez la valeur du paramètre g m du modèle du transistor ( rds . le transistor JFET possédant les caractéristiques constructeur I DSS = 8 mA. La capacité CV de la diode Varicap est comprise entre 2 et 10 pF pour une tension de polarisation de 0. Sylvain Géronimi Page 208 Oscillateurs sinusoïdaux . Etude du régime continu 2. En régime sinusoïdal établi. Donnez une description précise du circuit. 6. écrivez les équations donnant les conditions d’entretien des oscillations. 4.5 à 5 V. 5. Déduisez la valeur du facteur de conversion tension-fréquence défini par K 0 = ∆f ∆Vcom en supposant un transfert linéaire. 7. VP = − 4 V . Dessinez le schéma. Dessinez le schéma et déterminez les variables de polarisation du JFET.

3. Schéma C1 B i Z2 B avec Z1( p ) = Z1 B vgs B gm vgs B B B RS Lp et Z 2 ( p ) = 1 + RSC2 p 1 + LCV p 2 ( CV : capacité de la diode Varicap) Le condensateur de liaison CL est assimilé à un court-circuit à la fréquence de travail de l’oscillateur.5 V ( VP < VGS0 < 0 ). La self.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1. D1 B B RS 480 B VGS0 = −1. elle est polarisée en inverse par la tension continue Vcom de commande par le biais d’une inductance de très grande impédance en HF (circuit ouvert en HF et court-circuit en continu). Schéma et variables de polarisation ⎧VCC = RS I D + VDS ⎛ VGS et I D = I DSS ⎜ ⎨ ⎜1 − V P ⎩VGS = − RS I D ⎝ VCC B ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ 2 ⇒ Vcom B 2 VGS 2 VP J1 B ⎛ 1 2 ⎞ ⎟VGS + 1 = 0 +⎜ − ⎟ ⎜I R V P ⎠ ⎝ DSS S − VGS0 RS = 3.5 V La tension de commande Vcom est appliquée diectement aux bornes de la diode varicap car le condensateur CL est équivalent à un circuit ouvert. Sylvain Géronimi Page 209 Oscillateurs sinusoïdaux . relie la grille du JFET à la masse.5 mA / V 4. La connexion de la diode avec le circuit L − C1 − C2 est réalisée par une capacité de liaison CL (court-circuit en HF et circuit ouvert en continu). Connectée en parallèle avec le circuit L − C1 − C2 (topologie Colpitts) du point de vue dynamique. équivalente à un court-circuit. Le système est bouclé entre source et grille (montage drain commun du JFET).125 mA . Pente du JFET gm = − 2 VP I D0 I DSS ≅ 2. I D0 = VDS0 = VCC − RS I D0 ≅ 8. Une diode varicap est utilisée pour commander l’oscillateur. 2. Description du circuit La résistance RS fixe le courant de polarisation du JFET et constitue l’impédance de charge du transistor (supposée de faible valeur par rapport à la charge extérieure du circuit).

ce qui conduit à l’expression de la fréquence fosc . Evaluation de K 0 L’excursion de fréquence ∆f est d’environ 289 kHz pour une tension de commande passant de 0. ce qui donne un transfert (supposé linéaire) du VCO ∆f K0 = ≅ 64. Fréquences extrêmes : foscmax = 4512424 Hz ( CV = 2 pF ). 6.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 5. ce qui nécessite un gain de l’amplificateur Av = C1 C2 (ou Av = g m RS ) pour satisfaire les conditions de Barkhausen. 7.5 à 5 V. ∆Vcom Sylvain Géronimi Page 210 Oscillateurs sinusoïdaux . Conditions d’entretien des oscillations ⎧ ⎡ Z ( p) ⎤ 1 ⎪g m Vgs ( p ) + C1 pVgs ( p ) + I ( p ) = 0 ⇒ gm + +⎢ 2 + 1⎥ C1 p = 0 ⎨ ( ) ( ) = ( ) + ( ) ( ) Z p I p V p Z p C p V p Z ( p ) ⎪ gs 2 1 gs 1 ⎣ Z1( p ) ⎦ ⎩ 1 soit 1 + g m RS + RS (C1 + C2 ) p + LC1 p 2 1 + LCV p 2 (1 + RSC2 p ) = 0 ⎛ LC1C 2 ω 2 ⎞ ⎜ ⎟=0 + + + ω j R C C S⎜ 1 2 LCV ω 2 − 1 ⎟ LCV ω 2 − 1 ⎝ ⎠ LC1ω 2 En régime sinusoïdal.2 kHz / V . foscmin = 4223534 Hz ( CV = 10 pF ). la self voit à ses bornes un condensateur équivalent de capacité C égale à CV en parallèle sur C1 en série avec C2 . p = jω ⇒ 1 + g m RS + d’où ⎧ LC1ω 2 = 0 (partie réelle) ⎪1 + g m RS + LCV ω 2 − 1 ⎪ ⎨ LC1C2 ω 2 ⎪ ⎪C1 + C2 + LC ω 2 − 1 = 0 (partie imaginaire ) V ⎩ C1 ⎧ ⎪g m RS = C 2 ⎪ ⎪ 1 ⇒ ⎨ω = ⎪ osc ⎛ C1C2 ⎞ ⎪ L⎜ ⎜ CV + C + C ⎟ ⎟ ⎪ 1 2 ⎠ ⎝ ⎩ Ici aussi. Evaluation de C1 et du domaine des fréquences d’oscillation C1 = g m RS C2 = 120 pF . Le rapport des tensions sur le réseau LC est C2 C1 .

Sylvain Géronimi Page 211 Régulateurs de tension . discutez de la stabilité en dehors des problèmes liés à la température et au vieillissement de la diode. Les résistances statique RZ et dynamique rz de la diode zener sont de valeur négligeable devant la résistance R. 3. Ecrivez la condition pour que la puissance dissipée en régime permanent soit inférieure à la puissance maximale (données constructeur).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Stabilisation d’une tension par diode zener L’étude porte sur le circuit à diode zener suivant. En supposant que Rch >> rz . Ecrivez la condition pour que la stabilisation ait bien lieu (polarisation de la diode dans sa zone d’avalanche). Une tension v S (t ) = VSo + v s (t ) est recueillie sur la charge. Etude du régime continu 1. On rappelle qu’une tension est stabilisée (et non régulée) quelle que soit la variation de la source (stabilisation amont) et quelle que soit la variation de la charge (stabilisation aval). Donnez l’expression de la tension VSo aux bornes de la charge. 5. Donnez l’expression de la tension v s (t ) aux bornes de la charge. R vE D Rch vS La tension v E (t ) = VEo + v e (t ) . 2. est appliquée à l’entrée du circuit. Etude du régime dynamique aux faibles signaux 4. v e (t ) étant l’ondulation résiduelle issue du filtrage.

Expression de la tension aux bornes de la charge R RZ VEo VZo Rch Vth Rth Rch VSo avec Vth = VEo RZ R + VZo RZ + R R + RZ et Rth = R // R Z ⇒ VSo = Vth Rch Rch R ⎛ ⎞ ≅ ⎜VE Z + VZo ⎟ Rch + Rth Rch + RZ ⎝ o R ⎠ avec R >> R Z 2. Etude du régime dynamique aux faibles signaux 4. Expression de la tension aux bornes de la charge Sylvain Géronimi Page 212 Régulateurs de tension .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Etude du régime continu 1. le point de fonctionnement de la diode doit se situer à l’intersection de la droite de charge et de la partie pratiquement verticale de sa caractéristique. ID R VEo Rch D V’th R’th D VD ' =V avec Vth Eo Rch V' V ' = R // R . Condition sur la puissance dissipée dans la diode La puissance dissipée dans la diode doit être nettement inférieure à la puissance maximale en régime permanent. d’où la droite de charge I = − D − th et Rth ch D ' ' Rch + R Rth Rth Rch > VZo . Rch + R ' >V La condition s’écrit Vth Zo ou encore VE o 3. soit VSo I Z << PZmax = VSo I Zmax (à partir des données constructeur). Condition sur la réalisation de la stabilité Pour que la stabilisation ait bien lieu. Le circuit équivalent vu par la diode conduit à l’expression de cette droite de charge.

pour être complet. la résistance dynamique rz de la diode zener est faible (caractéristique verticale). on déduit les variations de v s au premier ordre par dv s = avec ∂v s ∂v s dv e + dRch ∂v e ∂Rch dv s ⎡ ∂v s ⎤ Rch rz = =⎢ ⎥ dv e ⎣ ∂v e ⎦ R =cte Rch + rz R ch et ⎡ ∂v ⎤ dv s rz rz = ve =⎢ s ⎥ 2 dRch ⎣ ∂Rch ⎦ v =cte (Rch + rz ) R e ⇒ dv s ≅ dRch rz r dv e + z v s R Rch Rch ( Rch >> rz ). Toutefois. Remarquons que la tension zener est considérée comme parfaite dans ce problème ( ∆VZ = 0 ). Sylvain Géronimi Page 213 Régulateurs de tension . la résistance R de polarisation est grande (source de courant). la stabilisation est d’autant meilleure que la variation v e (t ) de la source v E (t ) est faible (bon filtrage). il faudrait tenir compte du coefficient de température et de vieillissement de la diode ( ∆VZ relativement faible) (voir cours « Les régulateurs de tension »). Rch + rz R 5.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés R ve rz Rch vth rth Rch vs avec v th = v e Puisque Rch rz et rth = R // rz ⇒ v s = v th rz + R Rch + rth rz << R ⇒ vs ≅ Rch rz ve . Stabilité de la tension En considérant de très faibles variations de v e et Rch par rapport aux valeurs nominales. Si dv e = 0 (stabilisation aval) → dv s r dRch ≅ z vs Rch Rch rz dv e R soit dv s dRch << car rz << Rch vs Rch Si dRch = 0 (stabilisation amont) → dv s ≅ soit dv s << dv e car rz << R En conclusion.

soit VS = f (VE . à partir du ⎣ i s ⎦ v e =0 schéma suivant R0 is SV ve vs Rch Trois dispositifs de stabilisation en tension. on définit les performances SV = ⎢ s ⎥ ⎣ v e ⎦ i s =0 ⎡v ⎤ régulation (stabilité en amont). on peut écrire ⎡ ∂V ⎤ ⎡ ∂V ⎤ dVS = ⎢ S ⎥ dVE + ⎢ S ⎥ dI S ∂ V ⎣ E ⎦ IS =ISo ⎣ ∂IS ⎦VE =VEo avec v s (t ) = dVS . les variations dues à la température et au vieillissement des composants ne seront pas prises en compte. VEo . Le dispositif de stabilisation en tension est représenté sous la forme du quadripôle suivant : RE iS (t) Stabilisation vE (t) vS (t) Rch en tension La tension de sortie VS dépend donc des variations de la tension VE et du courant continu soutiré IS .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Circuits de stabilisation d’une tension par référence zener Dans ce problème. Sylvain Géronimi Page 214 Régulateurs de tension . R0 = − ⎢ s ⎥ résistance de sortie (stabilité en aval). v e (t ) = dVE . sont proposés ici et conduisent à trois problèmes indépendants. utilisant une référence de tension délivrée par une diode zener. ⎡v ⎤ facteur de Du régime dynamique v s (t ) = SV v e (t ) − R0 i s (t ) . ISo . i s (t ) = dI S les variations dans le régime dynamique aux faibles signaux respectivement aux points de fonctionnement VSo . Chacun des problèmes demande une étude du régime continu et une étude du régime dynamique aux faibles signaux en vue de déterminer SV et R0 . IS ) et pour de faibles variations autour du point de fonctionnement.

Déterminez le point de fonctionnement ( I Zo . Etude du régime dynamique aux faibles signaux 5. R. puis évaluez ces derniers. Ecrivez l’expression de la tension aux bornes de la résistance Rch en fonction du courant qui la traverse et de la tension d’entrée v e . déterminez les valeurs de la tension VS et du courant IS en sortie. Etude du régime dynamique aux faibles signaux 11.6 V ( β >> 1 ) Etude du régime continu 8. Stabilisation par transistor RE 20 vE D R Rch 100 Q Transistor Q → β = 100. VZo = 9 V ⎧statique ⎪ . Dessinez le schéma. 10. 2. Dessinez le schéma. 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Stabilisation par diode zener RE 20 vE D R' 80 Rch 100 Diode zener D → RZ ≅ 0 Ω. 7. VBE ≅ 0. Le point de fonctionnement de la diode demeurant inchangé. 4. Evaluez le paramètre rbe du modèle du transistor. Expliquez en quelques mots la présence de la résistance R’. R = RE + R ' . ainsi que la puissance dissipée PZ dans la diode zener. Dessinez le schéma. Donnez l’expression de la résistance R et évaluez cette dernière pour VE = 20 V . 12. ⎨ ⎪ ⎩dynamique rZ = 5 Ω Etude du régime continu 1. 9. VZo . VZo ) de la diode en fonction de VE . Evaluez I Zo pour VE = 20 V . Dessinez le schéma. Déduisez les expressions des coefficients SV et R0 . Rch . Sylvain Géronimi Page 215 Régulateurs de tension . 6.

Déduisez les expressions des coefficients SV et R0 . Déduisez les expressions des coefficients SV et R0 . 20.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 13. le courant traversant le pont R1 − R2 étant de valeur négligeable devant IS . Dessinez le schéma. puis évaluez ces derniers. 21. calculez la tension de sortie VS . 14. Stabilisation par contre-réaction RE 20 R + vE D R2 20k R1 10k Rch 100 Q Amplificateur opérationnel → Ad = 10 5 . 17. puis évaluez ces derniers. Donnez l’expression de la résistance R et évaluez cette dernière pour VE = 20 V . Sylvain Géronimi Page 216 Régulateurs de tension . 16. Rs = 0 Ω Etude du régime continu 15. Ecrivez l’expression de la tension aux bornes de la résistance Rch en fonction du courant qui la traverse et de la tension d’entrée v e . Dessinez le schéma. Ecrivez l’expression de la tension aux bornes de la résistance Rch en fonction du courant qui la traverse et de la tension d’entrée v e . Le point de fonctionnement de la diode demeurant toujours inchangé. 19. Re = ∞. Evaluez le paramètre rbe du modèle du transistor. Etude du régime dynamique aux faibles signaux 18.

Présence de la résistance R’ En l’absence de la résistance R’ ( R = RE ). Le circuit équivalent vu par la diode conduit à l’expression de cette droite de charge. 3.14 W. Schéma R RZ ≅0 VE VZo Rch VS ( R = RE + R ' ) 2. d’où la droite de charge I D = − D − th . valeur excessive conduisant à la destruction du composant. ID R VE Rch D Vth Rth D VD avec Vth = VE Rch V V et Rth = R // Rch .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Stabilisation par diode zener Etude du régime continu 1. I Do = . Sylvain Géronimi Page 217 Régulateurs de tension . Rch + R Rth Rth VZo − Vth Rth Les coordonnées du point de repos sont alors VDo = − VZo . le point de fonctionnement de la diode doit se situer à l’intersection de la droite de charge et de la partie pratiquement verticale de sa caractéristique. 4. Evaluation des variables statiques I Zo = − I Do = 20 mA et la puissance dissipée dans la diode est PZ = VZo I Zo = 180 mW . le courant I Zo traversant la diode serait de 460 mA et la puissance dissipée de 4. Détermination du point de fonctionnement de la diode Pour que la stabilisation ait bien lieu.

R0 = ≅ 4. i s ) is rth vth Rch vs avec v th = v e rz et rth = R // rz rz + R ⇒ vs = rz R rz ve − is R + rz R + rz 7. Schéma RE β IB Q IS R IZo + IB VE IZo VZo IB VBE Rch VS 9.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime dynamique aux faibles signaux 5. R + rz R + rz Stabilisation par transistor Etude du régime continu 8. Evaluation de IS et VS Le point de fonctionnement de la diode est inchangé ( VZo = 9 V . Schéma is R ve rz Rch vs 6. Relation de v s (v e . Sylvain Géronimi Page 218 Régulateurs de tension .76 Ω . Evaluation des coefficients SV et R0 SV = rz R rz ≅ 48 10 −3 . I Zo = 20 mA ).

Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés ⎧VE = RE β I B + I Zo + I B + R I Zo + I B + VZo ⎪ ⎪VZ = VBE + VS Circuit → ⎨ o (système à 4 inconnues I B . IS . Relation de v s (v e . i s ) ⎧v e = RE (i z + i s ) + R (i z + i b ) + rz i z ⎪ Circuit → ⎨v s = rz i z − rbe i b (système à 3 inconnues i b . Evaluation de la résistance R La première équation du système donne R = VE − VZo − RE I Zo + IS I Zo + I Bo ( ) ≅ 428 Ω . IS = S ≅ 84 mA . I Bo 13. β Rch 10. R) ⎪VS = Rch IS ⎪I = (β + 1)I B ⎩S ( ) ( ) Des trois dernières équations. on obtient la relation souhaitée. v s ( i s . Etude du régime dynamique aux faibles signaux 11. Schéma RE β ib is R iz + ib ve iz rz ib rbe Rch vs 12.84 mA . i z . on tire V I VS = VZo − VBEo ≅ 8. I Bo ≅ S ≅ 0. Evaluation du paramètre rbe rbe = UT ≅ 30 Ω .4 V .v e ) ) ⎪i = (β + 1)i b ⎩s En éliminant successivement i b et i z . ⎧ ⎛ R ⎞ ⎪v e = (RE + R + rz )i z + ⎜ ⎟ is ⎜ RE + β + 1 ⎟ ⎡r ⎤ ⎛ rz rz R⎞ ⎪ ⎠ ⎝ ⇒ vs ≅ v e − ⎢ be + ⎜ RE + ⎟ ⎨ ⎥ is ⎟ ⎜ β ⎠ RE + R + rz ⎦ RE + R + r z ⎣ β ⎝ ⎪v = r i − rbe i z z s ⎪ s β +1 ⎩ Sylvain Géronimi Page 219 Régulateurs de tension . VS .

57 Ω . Rch ≅ 1. 2 ⎠ ⎝ La troisième équation donne IS = Le courant de polarisation I Bo ≅ VS ≅ 135 mA .5 V . Schéma RE β IB Q IP R 0 IZo VE VZo V’S 0 R2 + IB VBE R1 Rch VS IS 16. β ⎜ β RE + R + r z ⎝ ⎠ E z Stabilisation par contre-réaction Etude du régime continu 15. R0 ≅ be + ⎜ ⎟ R + R + r ≅ 0. ⎧V + = VZ o ⎪ R2 ⎪ − ⎧VE ≅ RE IS + I Zo + R I Zo + VZo ⎪V = R + R VS ⎪ 1 2 ⎪ ⎞ R2 ⎪ ⎛ ⎪ Circuit → ⎨VE = RE β I B + I Zo + R I Zo + VZo ⇒ ⎨ Ad ⎜ ⎜VZo − R + R VS ⎟ ⎟ = VBE + VS 1 2 ⎠ ⎪ ⎝ ⎪ ' + − ⎪V = R I ⎪VS = Ad V − V = VBE + VS S ch S ⎩ ⎪V = R I ch S ⎪ S ⎪IS = (β + 1)I B + I P ⎩ ( ) ( ( ) ) La deuxième équation donne VS = Ad VZo − VBEo R2 1 + Ad R1 + R2 ⎛ R1 ⎞ ≅ VZo ⎜ ⎜1 + R ⎟ ⎟ ≅ 13.35 mA . Evaluation de la résistance R La première équation donne R ≅ I Zo VE − VZo − RE IS + I Zo ( ) ≅ 395 Ω . I Zo = 20 mA ). Evaluation des coefficients SV et R0 SV = ⎛ r rz rz R⎞ RE + ⎟ ≅ 11 10 −3 . IS β 17. Evaluation de IS et VS Le point de fonctionnement de la diode est inchangé ( VZo = 9 V . Sylvain Géronimi Page 220 Régulateurs de tension .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 14.

5 Ω .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime dynamique aux faibles signaux 18. 2 ⎠ E z ⎠ ⎝ R0 = Sylvain Géronimi Page 221 Régulateurs de tension . I Bo 20. ⎧v e ≅ RE i s + (RE + R + rz ) i z ⎪ ⎛ ⎞ ou encore R2 ⎨ rbe ⎪ β i s + v s ≅ Ad ⎜ ⎜ rz i z − R + R v s ⎟ ⎟ 1 2 ⎝ ⎠ ⎩ ve RE ⎧ ⎪i z ≅ R + R + r − R + R + r i s E z E z ⎪ ⎨ ⎛ ⎞ rbe R2 ⎪v ⎜1 + A ⎟ d ⎟ ≅ Ad rz i z − β i s ⎪ s⎜ R R + 1 2 ⎠ ⎩ ⎝ ⎛ rbe ⎛ R2 ⎞ rz r z RE ⇒ vs ⎜ ⎜ β + Ad R + R + r ⎟ ≅ Ad R + R + r v e − ⎜ ⎜1 + Ad R + R ⎟ 1 2 ⎠ E z E z ⎝ ⎝ ⎞ ⎟ ⎟ is ⎠ 21. Evaluation des coefficients SV et R0 SV = ⎛ rz R ⎞ rz −3 ≅ ⎜1 + 1 ⎟ ⎟ R + R + r ≅ 17. Relation de v s (v e .8 10 R2 RE + R + r z ⎜ R z 2 ⎠ E ⎝ 1 + Ad R1 + R2 Ad ⎛ rbe r z RE ⎜ ⎜ β A +R + R + r R2 d E z ⎝ 1 + Ad R1 + R2 Ad ⎞ ⎛ R ⎞ rz RE ⎟ ≅ ⎜1 + 1 ⎟ ⎟ ⎜ R ⎟ R + R + r ≅ 0. on obtient la relation souhaitée. Evaluation du paramètre rbe rbe = UT ≅ 18. i s ) ⎧v e = RE (i z + β i b ) + (R + rz ) i z ⎪ ⎞ ⎛ R2 ⎪ ' Circuit → ⎨v s = rbe i b + v s = Ad ⎜ ⎟ ⎜ rz i z − R + R v s ⎟ 1 2 ⎠ ⎝ ⎪ ⎪i ≅ (β + 1)i ≅ β i b b ⎩s En éliminant successivement i b et i z .36 Ω . Schéma RE β ib ib R 0 ve iz rz + rbe v’s R1 Rch vs ip is 0 R2 19.

Evaluez la puissance critique dissipée par Q3 (court-circuit en sortie). Sachant que l’amplificateur différentiel de tension peut fournir un courant de sortie maximum de 20 mA. Les transistors sont caractérisés par β1 = 100 . La tension de référence est obtenue par un montage utilisant deux diodes zener polarisées chacune par un courant de 2 mA et telles que VZ1 = 10 V et VZ2 = 5 V . démontez l’obligation d’utiliser un ballast Darlington (on ne tiendra pas compte ici du courant dans la résistance R3 ). Sylvain Géronimi Page 222 Régulateurs de tension . 3. Q3 IS D1 2mA R2 Q2 IP << IS R3 Q1 VE + U1 R4 VS R1 D2 R5 2mA L’étude de ce montage s’effectue en régime continu 1. 4. β 2 = 50 . IS ≤ 2 A La tension d’entrée v E (t ) non régulée présente une valeur moyenne VE = 25 V .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Régulateur de tension 15 V / 2 A L’alimentation régulée de la figure ci-dessous doit répondre au cahier des charges suivant : VS = 15 V . Evaluez la résistance R3 suivant le critère de déviation du 1/10ème du courant maximum de base de Q3 . Déterminez les valeurs des résistances R 4 et R5 du pont pour satisfaire le cahier des charges (prendre I P = 1 mA ). β 3 = 20 . L’amplificateur différentiel de tension U1 est supposé idéal. 5. 2. Evaluez les résistances R1 et R 2 .

β2 2.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1. valeur de courant que ne peut produire U1 (20 mA maximum) = 2 mA . la puissance dissipée en continu dans le pire cas doit être faible devant sa puissance totale maximale (donnée constructeur). Evaluation de la résistance R3 VBE3 ≅ R3 I B3 max 10 ⇒ R3 ≅ 60 Ω 4. ce qui à employer un transistor dont le gain en courant β min est de l’ordre de 20. Evaluation des résistances R 4 et R5 R5 ⎧ VS ⎪VZ2 = R 4 + R5 ⎨ ⎪V = (R + R )I 4 5 P ⎩ S VZ2 ⎧ = 5 kΩ ⎪R5 = =V ) IP ⎪ ⇒ ⎨ ⎪R = VS − VZ2 = 10 kΩ ⎪ 4 IP ⎩ − (V + Sylvain Géronimi Page 223 Régulateurs de tension . 3. Si Q3 doit fonctionner en toute sécurité. Utilisation d’un ballast Darlington Il n’est pas nécessaire de tenir compte du courant dérivé par la résistance R3 puisqu’un ordre de grandeur du courant de base de Q2 est recherché lorsque IS max est demandé. Un montage Darlington est alors nécessaire. I B3 max ≅ I B2 max ≅ IS max β3 I B3 max = 100 mA .5 kΩ ( IB1 << 2 mA ) et R2 = VZ1 − VEB1 I E1 ≅ 4. Puissance critique dissipée par Q3 Le transistor Q3 dissipe une puissance maximale PQ3 ≅ VCE3 IC3 ≅ (VE − VS )ISmax = 20 W . valeur inférieure à 20 mA. Evaluation des résistances R1 et R2 R1 = VE − VZ1 I1 ≅ 7.7 kΩ ( I + = 0. β1 >> 1 ) 5. sans compter les conditions de court-circuit en sortie qui entraîne VCE3 max = 25 V .

2 iS(t) vE(t) D2 RE2 2. et Q3 . Déterminez les potentiels de nœuds et les courants circulant dans les branches du montage et rapportez ces valeurs sur le schéma.Q2 de gain en courant β = 100 . le but étant d’évaluer le rendement maximal. Etude du régime continu 2.D4 . sont des transistors supposés technologiquement parfaitement complémentaires dont l’effet d’Early est négligé ( VA = ∞ ). o o +VCC D3 D4 R1 400 Q3 Q1 R3 120k D1 RE1 2.Q4 de gain en courant β ' = 250 . Les diodes D1 .D2 et D3 .2 Q2 Rch 100 vS(t) Q4 D5 D6 R2 400 -VCC Compréhension du schéma 1. Donnez une brève description du circuit et expliquez. quelque soit le courant qui traverse le composant (même si ce courant est très faible).D5 . 4.6 V. Sylvain Géronimi Page 224 Amplificateurs de puissance . L’alimentation symétrique fournit des tensions VCC = ± 15 V et le montage fonctionne en classe AB tel que IC1 = IC2 = 10 mA . en quelques mots. Les paires Q1 . son fonctionnement lors d’une attaque par un signal sinusoïdal. Evaluez la puissance fournie par les alimentations. Dessinez le schéma.D6 sont identiques. La valeur de la tension aux bornes d’une diode ou d’une jonction base-émetteur de transistor sera de l’ordre de 0. Une étude complémentaire détermine les caractéristiques du montage aux faibles signaux. 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etage de puissance push-pull série avec sources de Widlar L’étude porte sur le régime pseudo-continu de l’étage terminal de puissance de la figure ci-dessous.

Etude du régime dynamique aux faibles signaux 10. 5. chaque transistor ne conduit donc que durant à peu près une demi période. Dessinez le schéma dans le cas d’une variation de tension positive de v e (t ) en tenant compte de la présence des résistances rd des diodes et z0 des sources de courant.continu La tension d’attaque du montage est augmentée jusqu’à une valeur telle que la tension de sortie approche la limite de l’écrêtage. constitué des transistors complémentaires Q1 et Q2 montés chacun en émetteur suiveur.2 V et le faible courant restant constitue le courant de base de Q1 et Q2 (caractéristiques des jonctions des diodes et transistors différentes). La tension de polarisation entre les bases déterminera la classe de fonctionnement. produisant une translation de tension continue d’environ 1. Evaluez le rendement maximum du montage. Dans un contexte sinusoïdal de l’attaque. Corrigé Compréhension du schéma 1. 6. Pour un signal sinusoïdal.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime pseudo. Au repos. 7. doit fournir une grande excursion de tension en sortie et avoir une faible résistance de sortie vis-à-vis de la charge Rch (attaque en tension). La classe de fonctionnement est AB. Evaluez la tension et le courant de sortie dans le cas où le transistor Q3 est voisin de la saturation ( VEC3 ≅ 0. 11. Dessinez le schéma. tracez les variations en fonction du temps de la tension VCE des transistors Q3 ou Q4 . la majorité du courant issu de ces sources parcourt la paire de diodes D1 et D2 connectées en série. 8. z0 = ∞ ) et le paramètre rbe1 est évalué à 80 Ω.2 V ). La distorsion de croisement est pratiquement éliminée en concédant une légère conduction des transistors de sortie au repos. Evaluez la résistance d’entrée Re . Le montage est attaqué par un générateur de résistance rg = 100 Ω . . - Lorsque le signal d’entrée devient positif. Déterminez les potentiels de nœuds et les courants circulant dans les branches du montage. Description Le schéma se compose d’un circuit de polarisation qui alimente un étage push-pull série débitant un courant dans la charge. Sylvain Géronimi Page 225 Amplificateurs de puissance .L’étage push-pull. 9. La polarisation s’effectue grâce aux sources de courant de type Widlar réglées par les résistances R1 et R2 . du courant de base des transistors Q1 ou Q2 et du courant de sortie. Q1 se comporte comme une source de courant alimentant la charge et Q2 se bloque et inversement pour un signal d’entrée négatif. le gain en tension A v = v s v e et la résistance de sortie Rs vue par la charge. Les influences des résistances des diodes et des sources sont négligées ( rd = 0 . du courant traversant les diodes D1 ou D2 . Les résistances RE1 et RE 2 servent à améliorer la stabilité thermique du montage et leur valeur doit rester faible par rapport à la valeur de la charge.

I R3 = 2VCC − 4VD ≅ 230 µA avec VD ≅ 0.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime continu 2. R1 o o Les sources de courant produisent I 0 ≅ 1.4 V 1.5 mA avec VEB ≅ 0. R3 I R1 = VD ≅ 1.8 V 6 µA 0.6 V 120k 1.4 mA 2. Calcul des courants et tensions Aucune source dynamique n’étant appliquée à l’entrée du circuit.2 0V 0V 230 µA VE 2.6 V .5 mA car IC3 ≅ I R1 et IC4 ≅ I R2 . Calcul de la puissance fournie Par symétrie.0.5 mA 14.4 V Q3 100 µA Q1 10 mA .2 1. I D3D4 ≅ I R3 − IC 3 o β' ≅ 224 µA Les valeurs des potentiels et courants sont indiqués sur le schéma ci-dessus.6 V (de même I R2 ≅ 1.5 mA ).14.8 V Q4 .4 mA 100 µA . chacune des alimentations fournit au montage le même courant + =I − ICC C1 + I R1 + I D3D4 ≅ 11. VE = 0 . Schéma + 15 V 400 224 µA 13.6 V 6 µA -13. 4.5 mA 400 224 µA 10 mA Q2 100 0A 1.7 mA (ou ICC = IC2 + I R2 + I D5D6 ) + + I − ) ≅ 352 mW Pfournie = 2VCC (ICC CC o o Sylvain Géronimi Page 226 Amplificateurs de puissance .15 V 3.

14.5 mA 14.6 V 2.3 V 230 µA VE 1.5 V < VD1 < 0. 5. Calcul des courants et tensions I B1 max ≅ ISmax β ≅ 1. Calcul des valeurs maximales des tension et courant de sortie Le transistor Q3 est au voisin de la saturation. ⎧ ⎪VCC ≅ VD + VEC3 sat + VBE1 + RE1 + Rch ISmax ⇒ ISmax ≅ 133 mA et VSmax ≅ 13.15 V 6. I D1 = I 0 − I B1max ≅ 170 µA .2 13.33 mA .4 V 1. Il serait peut-être concevable d’augmenter la valeur de I 0 afin d’obtenir une polarisation plus correcte des diodes D1 et D2 au détriment du rendement. Schéma + 15 V 400 224 µA 13.33 mA Q1 13.8 V Q4 . le transistor Q2 est bloqué et la tension crête de sortie VS est maximale (limite de l’écrêtage). la tension à ses bornes est surestimée par l’hypothèse du problème ( 0.5 mA 13 V 6 µA -13.4 V Q3 1.6 V 13.2 V 120k 170 µA 1.6 V ). ( ) 7. Sylvain Géronimi Page 227 Amplificateurs de puissance . Le courant traversant la diode D1 étant relativement faible.3 V ⎨ ⎪ ⎩VSmax = Rch ISmax Il faut noter que Q3 ne délivrera un courant I 0 constant (effet Early négligé) que si la tension VEC3 est supérieure ou voisine de VECsat .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime pseudo-continu En considérant la valeur crête Vemax de l’alternance positive de la tension sinusoïdale v E (t ) .5 mA 400 224 µA 100 133 mA 133 mA . Les valeurs des potentiels et courants sont indiqués ci-dessus.8 V 6 µA 14.

lorsque le signal sinusoïdal d’attaque passe respectivement par les valeurs crête maximale et minimale.6ms 0. 2. 10m) 0A -200mA 200mA 0A -200mA 0s 0.6 V .8ms 2.0mA (245u.3) vS(t) (745u .5m. 29n) (1.36m.6 V malgré des courants et caractéristiques différentes. -10m) iS(t) (745u. En continu. 100u) iB1(t) 0A 200mA (0. 27.2ms 0. 133m) (745u.0ms Time 1. Les tensions maximales d’entrée et de sortie diffèrent de 0. 8.0mA (245u.4 V en valeurs extrêmes. T .4ms 1. le signal sinusoïdal est de fréquence 1 kHz (période 1 ms).4ms 0.8 V et d’amplitude crête Vec = 13.6ms 1. -133m) (1. 13.3) 1.2ms 1. T 2 .8ms 1.2ms 0.4ms 1.6) vE(t) 0V (1.6ms 0.3 V est perdue aux bornes de la résistance RE1 ( VEmax ≅ 13.0ms Sylvain Géronimi Page 228 Amplificateurs de puissance .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Il est aussi à remarquer que la tension − VCC fournit uniquement les courants d’alimentation de la source de Wildar Q4 .6ms (1.5m) 1. L’étude précédente apporte les valeurs maximales obtenues à t = T 4 ainsi qu’à t = 3T 4 par la symétrie complémentaire du montage. 10 m) (245u. de valeur moyenne VECo = 13. 1.75m.8) (745u.5m.3 V (présence des résistances de stabilisation en température) puisque ces calculs ont été obtenus en supposant que les jonctions de composants présentaient 0. 170u) iD1(t) (1. 34n) 1.5m. 200m) 0V 20V (245u.2 V ( ≥ VECsat ) à 27.5m. 13. le potentiel de sortie est nul par le fait que les composants du circuit sont parfaitement complémentaires et identiques.8ms 2. Au sein des chronogrammes.2ms 1.R2 et qu’une tension de 0.4) vEC3(t) 10V (245u.98 . Le gain en tension du montage est donc VSmax VEmax ≅ 0. -13.4ms 0. 30V 20V (0.0ms La tension v EC (t ) de Q3 varie de 0.25m.6) -20V 0s 0. 133m) iC1(t) iC2(t) (1. 1.-13. -133m) (1.0ms Time 1. Détermination des variations sinusoïdales L’étude de la polarisation fournit les valeurs à t = 0.8ms (245u.6 V ).33m) I0(t) (757u. 13.

Ce rendement parait très honorable pour cette structure. En effet. La puissance utile est alors Putile max (V = s max 2 ) 2 Rch ≅ 0. L’évolution du courant dans la diode D1 est à l’inverse de l’évolution du courant de base de Q1 puisque leur somme est pratiquement constante à I 0 . L’alimentation + VCC fournit le faible courant parcourant les diodes D3 . I 1 π + I s sinθ dθ = s ( θ = ωt .D4 . le courant d’émetteur de Q3 (courants constants sur la période) et la valeur moyenne du courant monoalterné de collecteur de Q1 d’amplitude crête I s (courant variable existant uniquement sur la première demipériode). ce calcul sous-estime très légèrement la valeur moyenne du vrai signal d’angle de conduction supérieur à π (propre à la classe AB). soit − + − ICC = I D5D6 + I 0 + IC2 moyen . l’alimentation − VCC fournit la même quantité de courant. les courants collecteurs de Q1 ou Q2 . effectué plus haut entre 0 et π. I s = ISmax ) = I D3D4 + I 0 + IC1moyen ≅ 44. les caractéristiques non linéaires de Q1 et Q2 étant identiques. l’angle de conduction est supérieur à π et la distorsion de croisement n’apparaît aucunement dans l’évolution de i S (t ) .32 W ⇒ η max = ( ) Putile max Pfournie max ≅ 0. β +1 (performances d’un étage collecteur commun) Sylvain Géronimi Page 229 Amplificateurs de puissance . Il est à noter un point de détail dans le calcul de la valeur moyenne des courants de collecteur des transistors de sortie.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Quant aux variations des courants. Calcul du rendement maximum Le calcul s’effectue pour une dynamique maximale aux bornes de la charge. 9. correspondent à un signal monoalterné dû à la classe AB. d’où Pfournie max = VCC ICC + ICC ≅ 1.4 kΩ ( ) Rg + vg ve rbe i βi RE1 vs Rch Gain en tension (β + 1)Rch v Av = s = ≅ 0.06 mA avec IC1moyen ≅ soit ICC 2π 0 π ∫ Vu la symétrie du montage.885 W (efficace). Schéma rd ve rd + z0 rbe i βi RE1 vs Rch z0 11.67 . Etude du régime dynamique aux faibles signaux 10. à l’image de leurs courants de base. Evaluation des caractéristiques Résistance d’entrée Re = rbe + (β + 1) RE1 + Rch ≅ 10.97 v e rbe + (β + 1) RE1 + Rch ( ) Résistance de sortie vue par la charge rg + rbe Rs = + RE1 ≅ 4 Ω . Sur un faible temps par rapport à la période.

Etude du régime dynamique aux fréquences moyennes 3. D2 β = 100 .2 R2 2. 5. rce = ∞ . Q2 D1. Expliquez brièvement ce montage et préciser le type de contre-réaction et la classe de fonctionnement. Rs = 100 Ω et fonction de transfert → → rd ≅ 0 Ω Ad 1 avec Ad = 10 5 et fh = = 10 Hz 1+ τ p 2π τ Q1. Cbe . Si un signal parasite v p de 1 Vpp s’ajoute au signal v issu de l’amplificateur U1 . Caractérisez le montage en boucle fermée ( Ze conditions d’adaptation d’impédances. Av ) et de la chaîne de retour. ' ' . Interprétez ce résultat. Zs vue par la charge. Cette étude est effectuée en régime dynamique aux faibles signaux en tenant compte des paramètres suivants : U1 → R d = 1 MΩ . Caractérisez la chaîne directe ( Ze . exprimez la tension de sortie v s en fonction des tensions v e et v p . Cbc de valeurs négligeables I1. A'v ) en vérifiant les 4.2 vS Rch 100 R3 1k I2 C1 10u Q2 -15V Compréhension du montage 1. I2 → z0 très grand R4 9k +15V I1 Q1 U1 + V vE D2 D1 R1 2. Zs vue par la charge. 2. rbe = 80 Ω .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Push-pull série piloté par amplificateur de tension intégré et contre-réaction L’étude porte sur l’amplificateur de puissance représenté à la figure ci-dessous. Dessinez le montage sous forme de schémas-blocs faisant apparaître la chaîne directe G( p) et la chaîne de retour B( p ) . Sylvain Géronimi Page 230 Amplificateurs de puissance .

L’étage push-pull. .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime dynamique aux fréquences hautes et basses 6. 7. 2. Les sources de courant doivent. le circuit subit une contre-réaction tension/tension. 8. La configuration étant série/parallèle. 9. Les résistances R1 et R2 améliore le comportement thermique de l’étage de puissance (stabilisation par résistance d’émetteur). déterminez le temps de montée du signal de sortie. Explication Le circuit est un système asservi tel que la chaîne directe se compose d’un amplificateur différentiel de tension U1 pilotant un étage push-pull série et la chaîne de retour d’un atténuateur résistif. Pour un signal d’entrée en forme d’échelon. . 10. Tracez la réponse en fréquence du gain en tension dans le plan de Bode. produite par deux diodes D1 et D2 montées en série. Schéma + vd ve U1 G(p) étage suiveur Rch vs R4 R3 vr C1 B(p) Etude du régime dynamique aux fréquences moyennes Sylvain Géronimi Page 231 Amplificateurs de puissance . présente une translation de tension entre les bases des transistors Q1 et Q2 . Déterminez les expressions des impédances d’entrée et de sortie en fonction de la fréquence et interprétez les résultats. - La contre-réaction est totale en régime continu.Le circuit de retour fixe le gain en tension de l’ensemble contre-réactionné car la chaîne directe possède un fort gain en tension par le biais de l’amplificateur U1 . Dessinez le schéma équivalent aux basses fréquences et calculez la fréquence de coupure basse. En effet. Cette translation définit un fonctionnement en classe B/AB. l’asservissement maintient le potentiel continu de sortie à 0 V. le condensateur C1 étant assimilé à un circuit ouvert et l’entrée du montage étant connectée à la masse. potentiellement. la contre-réaction est partielle. Corrigé Compréhension du montage 1. Calculez la fréquence de coupure haute. fournir les courants de polarisation des diodes et les courants de base permettant d’atteindre le niveau de saturation de la tension de sortie. En régime dynamique. suiveur de tension. fixée par le pont résistif car le condensateur est assimilé à un court-circuit dans le domaine des fréquences de travail. temps défini entre 10 et 90 %.

Les conditions d’adaptation en tension sont donc satisfaites. v s R3 + R 4 4. 1 + Ad λ ≅ 10 4 avec G ≡ A v ≅ A d et B ≡ λ . l’entrée (-) de l’amplificateur différentiel de tension U1 est à la masse. soit. soit R3 vr = =λ. Sylvain Géronimi Page 232 Amplificateurs de puissance . les deux sources de courant sont en parallèle ( z0 2 >> Rs ) et Rch → ∞ . et de tension de sortie v r . le condensateur C1 étant assimilé à un court-circuit. nous caractérisons chaque bloc de façon indépendante.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés L’adaptation sur la charge étant supposée réalisée (ici condition de circuit ouvert en sortie ou encore Rch → ∞ ). la résistance d’entrée est Z e e d (topologie série) et la résistance de sortie Z 's = Z s (1 + Ad λ ) ≅ 0. aux fréquences moyennes. 3. A d (β + 1)Rch ⎧ v ⎪ A d v d ≅ (Rs + rbe )i + (β + 1)(R1 + Rch )i ⇒ Av = s ≅ ≅ A d = 10 5 ⎨ ( )( ) v R + r + + 1 R + R β ⎪ ( ) v = + R i β 1 d s be ch 1 ch ⎩ s Le calcul de la résistance de sortie du dipôle se fait en éteignant la tension d’entrée ( v d = 0 ) ⎧i 0 + (β + 1)i = 0 v R +r ⇒ Z s = 0 ≅ R1 + s be ≅ 4 Ω et Z e = Rd = 1 MΩ ⎨ ( ) ( ) β 1 v ≅ − R + r i − + R i i β +1 s be 1 0 ⎩ 0 La chaîne de retour est un quadripôle résistif supposé attaqué en tension v s . Caractérisation des chaînes directe et de retour (+) Rs + vd Rd (-) Ad vd z0 / 2 rbe i βi R1 vs Rch Pour la chaîne directe. ' = Z (1 + A λ ) ≅ 1010 Ω Le gain est alors A 'v = Ad (1 + Ad λ ) ≅ 10 .4 mΩ (topologie parallèle). non chargé. Caractérisation du montage en boucle fermée La théorie de la contre-réaction réclame la connaissance du facteur 1 + G( p ) B( p ) . + ve vd Ze Av vd Zs Rch vs + Z’s Rch A’v ve vs R4 ⇒ ve Z’e vr R3 Le quadripôle de retour est attaqué tel que Z s << R3 + R 4 et Z e >> R3 // (R 4 + Z s ) ne charge pas la sortie ( Z s << Rch ). puis le montage contre-réactionné en validant les conditions d’adaptation des blocs (voir cours « La contre-réaction »).

ce qui donne H ( jω ) = Ad 1 + Ad λ 1 ω 1+ j ' ωh ' = (1 + A λ )ω avec ωh d h (voir cours « La contre-réaction »). 5. 7. Influence d’un signal parasite Le signal parasite v p s’ajoute au signal v issu de l’amplificateur U1 . ce qui ' Rch + Z s correspond bien à une attaque en tension de la charge (condition de circuit ouvert en sortie). vp ve + Ad - v + λ +1 vs vp ⎧ Ad v 1 ⎪v s = v p + v + e ⇒ vs = vp + v e . Calcul de la fréquence de coupure basse (+) ve = 0 vd (-) R4 Ze Av vd + Rch vs Zs R3 C1 Sylvain Géronimi Page 233 Amplificateurs de puissance . Etude du régime dynamique aux fréquences hautes et basses 6. Pour v p = 1 Vpp . mais Ad λ >> 1 ⇒ v s ≅ ⎨ A λ λ A A 1 + λ 1 + λ ⎪ ( ) v A v λ v = − d d d d e s ⎩ En sortie.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés La tension de sortie en charge est alors v s = Rch A 'v v e ≅ A 'v v e puisque Z 's << Rch . 100 µV viennent s’ajouter au transfert de tension. Calcul de la fréquence de coupure haute Le système en boucle fermée s’écrit H ( jω ) = G( jω ) avec G( jω ) = 1 + G( jω ) B( jω ) ω 1+ j ωh Ad et B = λ . La contre-réaction augmente la fréquence de coupure haute fh' ≅ 100 kHz ( fh = 10 Hz ). la composante issue de la perturbation est divisée par le gain Ad de l’amplificateur différentiel par rapport à la composante du signal d’entrée.

n’a pratiquement pas varié ( ≅ 10 5 ). i0 1 + Av La fréquence de coupure basse est fb ≅ 1 ≅ 15.012) pôle pôle 10 (1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Le système est du premier ordre puisque le circuit comporte un seul condensateur. 3.59 Hz . 17. 1 + R3 C1 p Pour ω → ∞ ⇒ H ( jω ) ≅ Pour ω → 0 ⇒ H ( jω ) ≅ 1 ( 0 dB ) R3 + R 4 = 10 ( 20 dB ) R3 8.20 dB/décade gain unité -10 100mHz 10mHz DB(V(S)) 1. 17. Le pôle de la fonction de transfert est trouvé à partir de la constante de temps C1 Req . i0 R3 i v0 vd Ze R4 + Av vd v d ≅ − Av v d + R 4 i ⇒ vd R4 ≅ i 1 + Av d’où Req = v0 R4 ≅ R3 + Z e // ≅ R3 . remarquons que la branche composée de la source liée et de la résistance R 4 possède la tension v d à ses bornes après avoir constaté que Z s << Rch (Thévenin).0MHz Sylvain Géronimi Page 234 Amplificateurs de puissance . valeur très acceptable puisque le 2π R3 C1 gain en tension de la chaîne directe.713K.9 Hz . 2π (R3 + R 4 )C1 La fonction de transfert est de la forme H (p ) = 1+ 1+ ωz p = ωc 1 + (R3 + R 4 )C1 p ( p = jω ). C1 voit à ses bornes les résistances R3 et R 4 // Z e en série et la valeur de la fréquence de coupure relative au zéro est fz ≅ p 1 ≅ 1. si la tension de sortie v s est nulle. avec Req résistance équivalente du dipôle vue aux bornes du condensateur.015) 20 contre-réaction dynamique (104. Pour ce calcul.0025) zéro contre-réaction statique 0 pente 20 dB/décade pente .6046. La fonction de transfert en tension peut s’annuler par la présence du même condensateur. Tracé du gain en tension 30 (15.849. En effet.0Hz 10Hz 100Hz Frequency 1.0KHz 10KHz 100KHz 1. fonction de la fréquence.

Ces résultats indiquent que les impédances évoluent rapidement à partir de la fréquence de coupure de la chaîne directe.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 9. Z s ≅ 0.9 V → t = τ Ln 10 2 ⎩ S 2 soit t r ≅ 2.35 fh' = t 0. Ze ≅ 1010 Ω (200 dB. 10. ω → ∞.4 mΩ (. le passe-bas du premier ordre présente une fréquence de coupure haute fh' ≅ 100 kHz et le temps de montée s’écrit t r' ≅ de la chaîne directe).68 dB.5 µs ( t r temps de montée (1 + λ Ad )fh λ Ad Sylvain Géronimi Page 235 Amplificateurs de puissance . boucle ouverte) ω Les pôles et zéros sont positionnés aux valeurs 10 Hz et 100 kHz. Evaluation du temps de montée La réponse d’un système du premier ordre à un échelon de tension d’amplitude V s’écrit t ⎛ − ⎞ v S (t ) = V ⎜1 − e τ ⎟ avec τ constante de temps du système aux faibles signaux. Ad λ ' ⎜ ( jω ) = Z e ⎛ Ze ⎜1 + 1 + jωτ ⎝ ⎞ ⎟ ⎟ = Z e (1 + Ad λ ) ⎠ 1 + jω τ 1 + Ad λ ' = Ze 1 + jω τ 1+ j ω ' ωh ω 1+ j ωh ' ' ω → 0. en réponse à un échelon de tension en entrée. boucle fermée). Z e ≅ 4 Ω (12 dB. ω → ∞. 0. ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ 10 ⎧ ⎪v S (t1 ) = 0. Expressions et tracés des impédances En négligeant l’effet dû au condensateur C1 (effet aux basses fréquences). boucle ouverte) 1+ j Zs Zs ωh 1 + jω τ ' ' Z s (p ) = = ≅ Zs τ ω Ad λ 1 + Ad λ 1 + jω 1+ j ' 1+ 1 + Ad λ 1 + jωτ ωh ' ' ω → 0.2 ωh ou encore t r ≅ 0. boucle fermée). Ainsi. Z e ≅ 10 6 Ω (120 dB.35 ( fh fréquence de coupure haute).2 τ ou t r ≅ 2 .35 ≅ r et s’évalue à 3. fh Ici.1 V → t1 = τ Ln ⇒ t r = t 2 − t1 = τ Ln 9 9 ⎨ ⎪v (t ) = 0. le temps de montée est amélioré par la contre-réaction d’autant mieux que λ est grand ou encore le gain en boucle fermée A 'v ≅ 1 λ est faible.

Donnez une description précise du circuit. Les amplificateurs de tension ( U1 . Sylvain Géronimi Page 236 Amplificateurs de puissance .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etage de puissance push-pull série en pont L’étude porte sur l’étage amplificateur de puissance ponté en pont dont le schéma de principe est représenté à la figure ci-dessous. Q4 . Q5 .33 Q2 vS(t) 0. Etude du régime continu 2.33 Q6 Q8 I0 Compréhension du schéma 1. Q2 . Les transistors de sortie ( Q1 . La valeur de la tension aux bornes d’une diode ou d’une jonction base-émetteur de transistor sera de l’ordre de 0.33 100 Q7 I0 100k 100k vB(t) U2 + 100 0. quelque soit le courant qui traverse le composant (même si ce courant est relativement faible).6 V. U 2 ) sont supposés idéaux et les diodes identiques. Dans chacune de ces trois catégories. Les sources de courant I 0 sont constituées par des miroirs élémentaires dont les transistors ont un gain en courant très élevé devant l’unité.33 Rch Q5 0. Les courants traversant les résistances de 100 Ω seront négligés dans les calculs. L’alimentation fournit une tension VCC = 12 V et la charge Rch est de valeur 4 Ω. Q6 ) possèdent un gain β de 50 et les précédents ( Q3 . Dessinez le schéma et indiquez les potentiels de nœuds en considérant la polarisation des étages de puissance en classe B. les transistors sont supposés technologiquement parfaitement identiques ou complémentaires. Q8 ) un gain β’ de 100. Q7 . + 12 V I0 10k Q3 Q1 100 + 1µ vF(t) 100k 100 vE(t) 200k 10k 10µ I0 Q4 U1 vA(t) 0.

Ainsi. Description Le condensateur de liaison (1 µF) isole l’entrée du continu et le condensateur de découplage (10 µF) permet la connexion de l’entrée non inverseuse de U1 à la masse dans le domaine des fréquences de travail (découplage du pont 10 kΩ/10 kΩ). v A (t ) . Les résistances de 0. Dans cette situation. Corrigé Compréhension du schéma 1. Dessinez le schéma. aucun courant ne circule dans la résistance de 100 kΩ connectée à la borne non inverseuse de U 2 .33 Ω. Les sources de courant I 0 fourniront le courant de polarisation des diodes et le courant maximum de base des Darlington nécessaire à l’obtention de la dynamique maximale en sortie. servent à la stabilité en température des transistors de sortie. 6. Evaluez le rendement maximum du montage. il n’y a pas de courant traversant les résistances de retour de U1 (200 kΩ) Sylvain Géronimi Page 237 Amplificateurs de puissance . Evaluez le transfert en tension Av = v s v e du montage.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime pseudo-continu Une tension sinusoïdale v E (t ) est appliquée en entrée. Les résistances de 100 Ω améliorent également cette stabilité par dérivation du courant de fuite des Darlington. v E (t ) et tracez les chronogrammes. Etude du régime dynamique aux fréquences moyennes Chaque étage de puissance possède un gain en tension voisin de l’unité. le courant minimum de polarisation des diodes est pris à la valeur d’environ 600 µA et les transistors des sources I 0 sont au voisinage de la saturation ( VCEsat ≅ 0. 4. 5. De ce fait. Ces amplificateurs pilotent chacun un étage suiveur push-pull série à Darlington simples dont les sorties sont connectées à la charge. 3. 7. L’ensemble constitue un montage de puissance monté en pont (structure en H) alimenté par une tension unique de 12 V. Schéma avec valeurs des potentiels de noeuds Les amplificateurs de tension étant supposés parfaits. Ainsi U1 est monté en amplificateur inverseur et U 2 en amplificateur non inverseur. Dessinez le schéma. une résistance d’entrée importante devant la résistance de sortie de l’amplificateur intégré et une résistance de sortie faible devant la charge. les potentiels d’entrée des deux amplificateurs sont au même niveau. Aucun courant ne circule dans la résistance de 100 kΩ connectée à la borne non inverseuse de U1 puisque la différence de potentiels aux bornes de celle-ci est nulle. v B (t ) .2 V ). valeur faible devant celle de la charge. Sa valeur crête est réglée de façon à obtenir une dynamique de sortie maximale correspondant à la limite de l’écrêtage. Etude du régime continu 2. Quatre diodes compensent les seuils de conduction des jonctions des transistors et définissent une classe B/AB. Calculez les valeurs crête des signaux v S (t ) . Le diviseur de tension 10 kΩ/10 kΩ impose un point de repos des amplificateurs de tension et de puissance à la moitié de la tension d’alimentation de manière à profiter du maximum d’excursion de la tension de sortie sur la charge.

33 1. Q4 .6 V VS 6V 100k VF + U1 10.33 Q7 I0 7.8 V ID min IB max Q3 Q1 10. 3. Le schéma est alors le suivant. Le pont de résistances de 10 kΩ fixe les potentiels d’entrée des amplificateurs de tension à la moitié de la tension d’alimentation. Q6 .05 V 0. soit 6 V. Q1 .33 Q6 Q8 4.33 U1 0 200k 10k 0 4. Q5 .95 V VA IS max 1.2 V Q3 Q1 6V 0.4 V I0 100k 100k U2 + VF 6V ID min 0.8 V I0 I0 Etude du régime pseudo-continu Considérons la demi période pendant laquelle les transistors Q2 .2 V 0 100k 100k 6V + 6V 6V U2 + 100k 0. Q8 conduisent. Q3 .2 V I0 I0 Sylvain Géronimi Page 238 Amplificateurs de puissance . Les potentiels VA et VB étant aussi à 6 V. + 12 V 0 I0 10k 7.33 Q2 0V 0. Q7 étant à l’état bloqué. VS = 0 .6 V 0.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés et U 2 (100 kΩ). Schéma + 12 V I0 11.33 9.4 V 200k Q6 Q8 IB max Rch VB 2.6 V.8 V Q4 6V 6V Rch Q5 0. Les diodes et les jonctions en direct des transistors produisent une translation de tension de 0.

soit Vs ≅ 7. V + = V − = VF + VA = 6 V ⇒ VF = 4.9) vE (t) 0V (250u.95 Vcrête .025 V 3 3 1 Pour U 2 .4ms 1. .0) (750u.9 V valeur maximale autour de la tension au repos 0 V.95) (750u. 6. 2 1 Pour U1 .05) 0V 10V (250u.7.95 V .2ms 0.2ms 1. 7. .975 V .6ms Au sein des chronogrammes.975) -10V 0s 0. 2. VAmax = VCC − VEC sat ( PNP ) − VBE3 − VBE1 + RE ISmax ≅ 9. 10V (250u. 7. ce qui quadruple la puissance en sortie par rapport au montage traditionnel. VCC = VEC sat ( PNP ) + VBE3 + VBE1 + (2 RE + Rch )ISmax + VEB6 + VEB8 + VCE sat ( NPN ) ⇒ ISmax ≅ 1.975) vF (t) vA (t) vB (t) vS (t) (750u.95) 5V (250u.975 Vcrête . VF = V − = (VB + 6 ) = 4.6ms 0.975) (1m. VBmax = VCE sat ( NPN ) + VEB6 − VEB8 + RE ISmax ≅ 2.05 V écarts maximaux par rapport à la tension au repos 6 V. 9. soit Va = Vb ≅ 3.025) (250u.9) (750u. La présence du condensateur de liaison en entrée translate ce signal autour de 0 V (isolation du continu).9 Vcrête . Calcul des valeurs crête maximales des tensions et tracés Les transistors des miroirs de courant sont au voisinage de la saturation et délivreront un courant I 0 constant (effet Early négligé) tant que leur tension VCE > VCEsat . 1. mais importants comparés aux courants d’entrée de ces amplificateurs (supposés nuls).8ms Time 1. Sylvain Géronimi Page 239 Amplificateurs de puissance .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 4. Ve ≅ 1. Les courants circulant dans les branches de contre-réaction des amplificateurs de tension sont de valeurs négligeables devant celui traversant la charge. soit Vf = 1.975 Vcrête est donc la valeur de l’amplitude de la tension sinusoïdale d’entrée à ne pas dépasser avant écrêtage du signal de sortie. le signal sinusoïdal est de fréquence 1 kHz (période 1 ms). Ce montage en pont présente un transfert en tension VSmax VEmax = − 4 .0ms 1. 9.4ms 0.025 V 2 écart maximum par rapport à la tension au repos 6 V. VSmax = Rch ISmax ≅ 7.974 A . 4.1. soit VEmax = VF − 6 = − 1.

ainsi que les courants de collecteur de Q1 . Pfourniemax = ICC VCC ≅ 15.6 mA et donc I0 = IDmin + I B3 max ≅ 1 mA avec I B3 max ≅ 0. Régime dynamique aux faibles signaux 6. Ce résultat est évidemment identique à celui trouvé dans l’étude du régime pseudo-continu. d’où ICC = 2 I 0 ( miroir ) + 2 I 0 ( miroir ) + IC1 moy + IC3 moy + IC5 moy + IC7 moy . Q5 et Q7 . Le courant constant I 0 doit être supérieur au courant de base maximum de Q3 de façon à polariser les diodes dans ce cas extrême.506 .42 W . les tensions à vide ( Rch = ∞ ). La consommation est essentiellement définie par le courant moyen des transistors de puissance Q1 . Q5 . sont respectivement v a ≅ − 2 v e et v b ≅ 2 v e . Ce calcul correspond au rendement de l’étage terminal. Q6 . ηmax ≅ 0. Calcul du rendement maximum Puissance maximale en sortie Putilemax (V = s 2 ) 2 Rch ≅ 7.6 mA ( I s amplitude crête maximale). Evaluation du gain en tension Les adaptations en tension étant réalisées. Schéma + va U1 100k ve 200k + vb Rch +1 vs +1 U2 100k ve 100k 7. Q2 . Les contre-réactions tension/courant et tension/tension produisent une très faible résistance de sortie (topologies parallèles). ce qui permet d’écrire v s = v a − v b ≅ − 4 v e . Pour cela. Puissance fournie par l’alimentation sur une période L’alimentation fournit les courants de polarisation des miroirs du haut du schéma (chacun des transistors d’un miroir consomme un courant constant I 0 ).8 W avec Vs amplitude crête maximale. de forme sinusoïdale mono alternée dont les valeurs moyennes s’écrivent IC1 moy = IC5 moy ≅ Is π ≅ 628 mA et IC3 moy = IC7 moy ≅ πβ Is ≅ 12. Le montage proposé montre une consommation supplémentaire de courants due au pont de polarisation générale 10 kΩ/10 kΩ (0. Q3 . en sortie des montages inverseur et non inverseur.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 5. l’hypothèse propose I Dmin ≅ 0. Sylvain Géronimi Page 240 Amplificateurs de puissance .6 mA) et aux amplificateurs de tension.4 mA .

5k R5 7. Déterminez les courants de collecteur de Q10 et Q13 . Q5 . Q4 .R5 entre bases de Q14 . Déduisez le taux de réjection de mode commun. 3. ainsi que les éléments de la caractérisation de l’ensemble Q5 . Evaluez les paramètres rbe et rce des modèles des transistors. 4. VANPN = 100V ). ' ' 12.R2 ( z10 . Tous les transistors de type NPN sont supposés identiques ( β = 250 . Zc ).R1 . Zs ). Pour les transistors de type PNP. VAPNP = 50V ).Q8 ( A v . 5. Caractérisez le montage en régime de mode commun ( Ac . z13 ). Sylvain Géronimi Page 241 Circuits intégrés . 7. Etude du régime continu 2. 10.6k C 30p Q7 4.Q11 . Donnez une description précise du circuit. Q11. Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 6. Calculez les courants de collecteur de Q1. L’alimentation symétrique du montage est telle que VCC = 15 V et la résistance de charge se situe hors puce. Zd .Q12 Q13 . par l’ensemble Q9 . 11. Q15 identiques ( β = 250 . zs . Q10 .78k R3 20k Q13 Q12 Q8 Rch Q15 vS Q9 Q10 Q14 -VCC Compréhension du schéma 1.Q6 ( ze . Q3 . Q2 . puis concluez sur la classe de fonctionnement du dernier étage. Q8 et Q9 . Dessinez le montage dans son régime. 9. +VCC Q1 Q2 Q11 v1 Q3 Q4 v2 R4 R1 57. Z e . Le but est de caractériser l’amplificateur de tension.R4 . Evaluez les résistances dynamiques présentées par les étages de polarisation Q10 . Q7 . VAPNP très grand).Q15 ( z9 ).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Amplificateur de tension (inspiré du LM741 de National Semiconductor) On considère le circuit intégré de la figure ci-dessous. Evaluez la tension entre les bases de Q14 et Q15 . Dessinez le montage dans son régime. Q4 identiques ( β ' = 5 . Ai ).5k Q6 Q5 R2 9. Caractérisez l’étage de gain en tension Q7 . Zs ).Q3 . puis d’évaluer le produit gain bande passante au sein d’une étude aux faibles signaux. Q6 . Caractérisez le montage en régime purement différentiel ( Ad . 8.

Justifiez ce résultat. IC4 (VD ) et I (VD ) de l’étage différentiel avec I courant de court-circuit en sortie de l’étage. Ecrivez les expressions des transferts IC3 (VD ) . Calculez la fréquence de coupure haute du montage. puis évaluez le produit gain bande du circuit. Tracez ces fonctions. Sylvain Géronimi Page 242 Circuits intégrés . Ecrivez l’expression de la conductance de transfert i (v d ) .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences hautes) 13. les transistors étant sous leur schéma aux fréquences moyennes. 15. Démontrez qu’en considérant la zone linéaire des transferts. Etude du régime pseudo-continu 14. on retrouve l’expression du transfert en tension à vide de l’étage différentiel obtenu lors de l’étude en régime dynamique aux faibles signaux.

Les collecteurs communs Q1 et Q2 sont suivis de bases communes Q3 et Q4 dont la charge dynamique du point commun des bases est la source de Widlar et la charge dynamique des collecteurs est un miroir de courant Q5 . Il est à remarquer que la sortie de l’étage est alors asymétrique. ainsi pas de courant traversant la charge.Q6 . de polariser l’étage d’entrée à très faible courant (effet lentille au lieu d’un effet miroir) et. . La capacité intégrée C est une capacité de compensation par effet Miller sur l’étage de gain. la classe B est recommandée afin de dissiper un minimum d’énergie au repos d’une part.Q11 . nécessaire pour obtenir un gain global de quelques centaines de mille.Q13 . donc non utilisable en fonctionnement en commutation par manque de rapidité dû au phénomène de triangulation (slew rate). Le choix de la source de Widlar est. - - - - - L’étage différentiel est un amplificateur cascode. car Q14 et Q15 sont des transistors de type opposé et montés en collecteur commun. Le rôle du collecteur commun est d’améliorer le transfert en tension entre l’étage différentiel de forte résistance de sortie (amplificateur à conductance de transfert) et l’étage émetteur commun de relativement faible résistance d’entrée. Son rôle consiste à produire une translation de tension continue entre les bases de Q14 et Q15 dont la valeur définit la classe de fonctionnement de l’étage push-pull (A. Sylvain Géronimi Page 243 Circuits intégrés .R5 est un multiplicateur de VBE polarisé par le courant du miroir Q10 . L’étage de gain en tension. tout en produisant un courant notoire dans cette dernière. de minimiser la distorsion de croisement que produirait l’étage de sortie sans cette translation. En régime continu.R2 et d’un miroir de courant élémentaire Q10 . d’autre part.R4 . donc décalage de tension nul (réalisable par une contre-réaction totale tension-tension statique).Le circuit de polarisation est composé d’une source de Widlar Q12 . Le rôle de cet étage en régime dynamique est d’abaisser la résistance dynamique en sortie du circuit afin de satisfaire l’adaptation en tension vis-à-vis de la charge. d’un étage de gain en tension et d’un étage de sortie push-pull. De ce fait. La structure Q9 . les applications de ce circuit intégré appartiennent au domaine de l’amplification linéaire basses fréquences. La distorsion restante sera fortement réduite par l’effet de contreréaction dû à la présence d’éléments extérieurs au circuit. Pour ce type de circuit intégré. Les courants de ces sources sont réglés par la résistance R1 . d’un amplificateur différentiel.Q4 et l’émetteur commun Q8 . est composé d’un collecteur commun Q7 suivi par un émetteur commun Q8 dont la forte charge dynamique est le miroir de courant Q10 . donc de doubler la valeur du gain différentiel en tension (condition à vide). requise pour rétrécir la bande passante de l’amplificateur afin que ce dernier soit inconditionnellement stable. Description Le schéma se compose d’un circuit de polarisation.Q11 polarisant respectivement l’étage différentiel par le point commun des bases de Q3 . de présenter une charge dynamique très importante en vue de minimiser au mieux l’amplification de mode commun. De plus.Q11 . le point commun de sortie des émetteurs doit être au potentiel 0 V en absence de dynamique. La présence du miroir permet de doubler le courant dynamique traversant la résistance interne de cette source. B). d’une part. cette structure permet une dynamique maximale en sortie par rapport aux tensions d’alimentation. permettant d’obtenir une bande passante plus élevée que le montage traditionnel à comportement émetteur commun. AB. L’étage de sortie est un étage push-pull série à émetteur suiveur complémentaire.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Compréhension du schéma 1. et d’autre part.

5 V) et les valeurs de leurs courants de base ne sont pas significatifs (absence de l’étage push-pull au sein du schéma en régime continu). Sylvain Géronimi Page 244 Circuits intégrés . Schéma Q1 Q2 IC10o miroir 0A translateur de tension 15 V 30 µA Q3 25 µA 25 µA 500 µA 30 µA Q4 128 nA Q7 32 µA VCE9 0.96 V 2 µA Q5 Q6 IC13o 10 µA source de 30 µA Widlar R3 20k Q8 0A 15 V Les sources dynamiques sont éteintes ( v 1 = v 2 = 0 ). 4. à savoir des sources de courant ( IC10 . En effet. Multiplicateur de VBE ⎛ R4 ⎞ ⎟ VCE9 = VBE 9 ⎜ ⎜1 + R ⎟ ≅ 0. ici classe B. Les o o o deux alimentations continues VCC sont évidemment présentes. représenté sous sa forme originelle. le miroir de courant Q5 Q6 . cette tension compense les seuils de conduction des deux jonctions base-émetteur des transistors Q14 et Q15 (deux fois 0. Les étages de polarisation sont remplacés par leur équivalent statique.96 V 5 ⎠ ⎝ La valeur numérique trouvée permet de préciser la classe du push-pull série. Attention. reconduit le courant issu du collecteur de Q3 à sa sortie. Courants issus des sources +VCC Q11 VEB11 Q10 I pol Courant de 2VCC − VEB11 − VBE12 o o = ≅ 500 µA R1 Miroir de courant IC10 ≅ I pol ≅ 500 µA o référence R1 IC13 Q13 R2 VBE12 Ipol IC10 Q12 Source de Widlar ⎞ ⎛ I R2 pol ⎟ IC13 ≅ Ln ⎜ ⎜ o UT ⎟ ⎜ IC13 ⎟ o ⎠ ⎝ (équation transcendante) -VCC d’où IC13 ≅ 10 µA o 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime continu 2. IC13 ) et de tension VCE9 .

pour autant. IC1 = IC2 ≅ 30 µA o o o Pour l’étage de gain IC8 = IC10 ≅ 500 µA et I E7 = o o o VBE8 R3 o + I B8 ≅ IC7 ≅ 32 µA o o Pour le multiplicateur de VBE .4 ≅ ∞ . d’où IC3 = IC4 = o o o o o o β' 2 IC13 = 25 µA .34 MΩ .2 ≅ 209 kΩ . rbe9 ≅ 15 kΩ .5 kΩ . rce8 ≅ 200 kΩ . Paramètres des modèles rbe = UT V β . rce7 ≅ 3.4 ≅ 5 kΩ . rbe3. rce5. IC10 = IC9 + I B9 + o o o VBE9 R5 o ⇒ IC 9 = o β + 1⎜ ⎝ β ⎛ ⎜ IC10 − o VBE9 ⎞ o ⎟ ≅ 418 µA R5 ⎟ ⎠ Pour la charge de l’étage différentiel : équations technologiques Q5 ≡ Q6 ⇒ IC5 ≅ IC6 car VBE5 = VBE6 en négligeant l’effet Early.14 MΩ . rce13 ≅ 10 MΩ Sylvain Géronimi Page 245 Circuits intégrés . rce1. o o o Etude du régime dynamique (faibles signaux) 6. rce9 ≅ 239 kΩ .2 ≅ 3. L’étude du pseudo-continu permettra de mieux saisir son rôle. rbe7 ≅ 196 kΩ . Calcul des courants collecteurs Pour l’étage différentiel +VCC Q1 Q2 VEB3 VEB4 VBE1 Q3 VBE2 Q4 ⎧VBE1 − VBE 2 = VEB4 − VEB3 ⎪ ⎪I E = I E3 équations du circuit ⎨ 1 ⎪I E2 = I E 4 ⎪I ⎩ C13 = I B3 + I B4 IC13 ⎧ ⎪Q ≡ Q 2 ⎪ 1 ⎪ équations technologiques ⎨ ⎪ ⎪Q3 ≡ Q4 ⎪ ⎩ → I E1 IE2 I E3 IE4 VBE1 −VBE2 ≅e UT VEB3 −VEB4 → ≅e UT ⇒ I E1 I E2 = IE4 I E3 ⇒ I E1 = I E 2 et I E3 = I E 4 . rce3. 5. un étage de polarisation. rbe13 ≅ 625 kΩ .6 ≅ 4 MΩ . rce ≅ A IC o IC o d’où rbe1. rbe8 ≅ 12.6 ≅ 250 kΩ . rce10 ≅ 100 kΩ .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés mais n’est pas. rbe5. ⎧ ⎪IC3 = I B5 + I B6 + IC5 équations des nœuds ⎨ ⎪ ⎩IC4 = I B7 + IC6 I B5 + I B6 << IC5 et I B7 << IC6 ⇒ IC5 = IC6 ≅ IC4 = 25 µA o o o Un équilibrage de l’étage peut être nécessaire car I B5 + I B6 ≠ I B7 (voir la structure du 741).

La résistance dynamique produite par le translateur de tension continu est négligeable devant la charge équivalente du miroir mise en série z9 << z10 et les potentiels des bases de Q14 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 7. Le miroir de courant Q5 . z13 ≅ rce13 ⎜1 + ⎜ R2 + rbe ⎟ 13 ⎠ ⎝ Le miroir de courant. puis le calcul de la résistance d’entrée du circuit comprenant cinq étages par l’application du théorème de Thévenin (voir annexe « Méthode de travail pour la caractérisation d’un circuit complexe »).5 MΩ (Widlar) z10 = rce10 = 100 kΩ (miroir élémentaire).Q6 sera représenté par un quadripôle de transfert en courant. chargeant l’étage différentiel. est équivalent à un quadripôle de transfert en courant dont les paramètres valent rbe5 β ≅ 992 Ω . à savoir le calcul du transfert en tension à vide et la résistance de sortie du circuit. Schéma en régime dynamique Q1 Q2 z10 miroir Q14 translateur de tension Rch Q8 source de Widlar Q15 vs v1 Q3 ic3 Q4 v2 C Q7 z9 ze Ai ic3 zs z13 R3 Les résistances dynamiques des sources d’alimentations sont négligeables (voir cours « Les régulateurs de tension »). zs = rce6 = 4 MΩ . z9 ≅ R 4 + R5 // rbe9 1 + g m9 (R5 // rbe9 ) ≅ 112 Ω 8. Eléments dynamiques demandés Les étages de polarisation sont équivalents à des charges dynamiques ⎛ β R2 ⎞ ⎟ ≅ 48. Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) L’étude met en oeuvre deux étapes. puisque le courant dynamique issu du collecteur de Q3 est reconduit en sortie à la précision du miroir. Sylvain Géronimi Page 246 Circuits intégrés .992 ze = β +2 β +2 Le translateur de tension est équivalent à une résistance z9 de valeur négligeable devant la charge z10 mise en série au niveau du collecteur de Q8 . Ai = ≅ 0. Le condensateur C aura un rôle à jouer uniquement lors de l’étude aux fréquences hautes. Q15 sont quasiment identiques.

le courant dans z13 est égal à 2 i b . en posant i b3 = i b4 = i b . Zc . il ne passe aucun courant dans z13 et les bases de Q3 et Q4 sont à la masse. permettant de caractériser les performances Ad . Zs . sommés dans la résistance commune de base z13 . Q4 d’autre part. les sources de mode commun étant éteintes ( v c = 0 ). Le circuit étant linéaire. et la résistance vue par le courant de base de Q3 ou Q4 est 2 z13 . la méthode du demi-schéma est utilisée (voir annexe « Méthode de travail pour la caractérisation linéaire d’un étage différentiel »). Sylvain Géronimi Page 247 Circuits intégrés . les courants d’entrées se retrouvent. Q2 d’une part et Q3 . d l’étude du régime de mode commun issu d’une attaque parallèle ( +v c ). étant supposés technologiquement identiques. à une même proportionnalité près. ib1 + vd /2 + vc Q3 Q4 Q1 Q2 ib2 + . Si les courants sont issus d’une attaque en tension symétrique ( i b1 = −i b2 ). les sources différentielles étant éteintes ( v d = 0 ). deux régimes sont étudiés séparément par application du théorème de superposition en effectuant deux étapes : c l’étude du régime différentiel issu d’une attaque symétrique ( ± v d 2 ). permettant de caractériser les performances Ac .vd /2 + vc v1 = v1 − v 2 v1 + v 2 v d + = + vc 2 2 2 v v1 − v 2 v1 + v 2 + = − d + vc 2 2 2 v2 = − ib3+ib4 ic3 ic4 Ai ic3 ze zs vs2 z13 Les transistors Q1 . Si les courants sont issus d’une attaque en tension parallèle ( i b1 = i b2 ). Pour chacune des études.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés RG Ze1 vg vs1= A1 vg Zs1 Ze2 Zs2 Ze5 Zs5 vs Rch vs2=A2 vs1 vs5=A5 vs4 L’étage différentiel étant de structure relativement complexe. le choix du demi-schéma de droite s’impose. Zd . puisqu’il propose la sortie vers l’étage de gain.

ic4 ze Ai ic3 zs v’s2 ic3 = ic4 ze Ai ic3 zs v’’s2 9.vd /2 β i2 rce2 v's1 ' Zs 1 ' = A1 ' vs 1 − vd 2 = rbe2 + rce2 (β + 1) i0 rce2 (β + 1) ≅1 i2 rbe2 β i2 rce2 i1 v0 ⎧i + (β + 1)i = i 0 2 1 ⎪ rbe2 rbe2 ⎪ ' =r v r i ⇒ Zs ≅ ≅ 833 Ω = − ⎨ 0 ce2 // be2 2 1 β +1 β +1 ⎪ ⎪v 0 = rce2 i1 ⎩ Etage base commune Q4 β' i4 iC4 Z's1 i4 rbe4 Ai ic3 zs v's2 ' Zs 2 v's1 Sylvain Géronimi Page 248 Circuits intégrés . l’attaque étant une source de tension −v d / 2 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés + vd /2 Q1 Q2 vd /2 + + vc Q1 Q2 + vc Q3 Q4 Q3 2 z13 2 z13 Q4 ic3 ic4 ic3 ic4 ic3 = . Etage collecteur commun Q2 i2 rbe2 . Caractérisation en régime différentiel Première étape : calcul du gain en tension et de la résistance de sortie du circuit.

travaillent à forts signaux alternativement pendant une demi période. Q14 amplifiant le signal positif pendant que Q15 est bloqué. la source v s 1 d 2 ) étant égale à 1 ' . Z ' s4 = rce8 // z10 ≅ 66. Un même raisonnement sur le demi-schéma de gauche conduit à i c3 = 0 . Z s s 2 ' ' + (β '+1)Z s1 β + 2 rbe4 + (β '+1)Z s 1 ' = A ' (− v ( ± v d / 2 ). montés en collecteur commun. les deux sources de tensions indépendantes à l’intérieur du dipôle sont éteintes Pour évaluer Z s 2 zéro. le courant i 0 .543 . traverse intégralement la résistance zs .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés ' ' ⎧v s ⎪ 1 = − rbe4 + (β '+1)Z s1 i 4 ⎨ ' ⎪ ⎩v s2 = zs i c 4 − Ai i c3 avec i c 4 = − i c3 = − β ' i 4 [ ( ) ] ' = A2 ' vs 2 ' vs 1 = rbe4 2 β ' zs 2 β ' zs β +1 ' = z = 4 MΩ ≅ ≅ 3985 . Pour l’étage de gain en tension. Chaque transistor produit un gain en Sylvain Géronimi Page 249 Circuits intégrés .7 kΩ Pour l’étage push-pull série. Pour le demi-schéma de droite représenté ici. produit par la source de tension v 0 appliquée à l’entrée du dipôle. Etage collecteur commun Q7 rbe7 i7 Z's2 β i7 v's2 rce7 R3 v's3 ' Zs 3 ' = A3 ' vs 3 ' vs 2 = ' Zs 2 (β + 1) (R3 // rce ) + rbe + (β + 1) (R3 // rce 7 7 7 ) ' =r ≅ 0. Les sources liées β ' i 4 et Ai i c3 ne débitant aucun courant. Pour l’étude dynamique. les transistors. puis inversement. on utilisera la caractéristique linéaire par morceaux de la diode base-émetteur à la place de la fonction exponentielle afin d’obtenir une valeur approchée de r be14 et rbe15 (valeur relativement faible). l’attaque est produite par l’équivalent de Thévenin de l’étage différentiel. Z s ce7 // R3 // 3 ' +r Zs be7 2 β +1 ≅ 9080 Ω Etage émetteur commun Q8 i8 Z's3 rbe8 β i8 v's3 rce8 z10 v's4 ' Zs 4 ' A4 = ' vs 4 ' vs 3 =− β rce8 // z10 rbe8 + ' Zs 3 ( ) ≅ − 772 . le courant i 4 est inexistant et i c 4 = 0 .

12 MΩ . Z s = Z s 5 vd 2 Deuxième étape : calcul de la résistance d’entrée ' ≅ βR Pour l’étage push-pull série. 5 i14 rbe14 ' Ze 5 β i14 rce14 Rcharge Pour l’étage de gain en tension.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés courant égal à -(β+1) pendant sa durée de conduction. l’émetteur commun présente la diode d’entrée de Q8 vue de sa ' =r base. la résistance d’entrée Z e ch ≅ 2. Le transfert en tension et la résistance de sortie sont évalués sans la charge. Etage collecteur commun Q14 (β + 1)rce14 v' ⎧ ' = s5 = ≅1 ⎪ A5 ' ' v s4 Z s4 + rbe7 + (β + 1)rce14 ⎪ (ou Q15 ) → ⎨ ' +r ' Zs Zs ⎪ ' be7 4 4 ⎪Z s5 = rce14 // β + 1 ≅ β + 1 ≅ 266 Ω ⎩ Le gain en tension de la chaîne non chargée par Rch s’écrit ' vs 5 − vd 2 = ' ' ' ' vs vs vs vs 5 3 4 2 ' vs 1 ' ' ' ' −v vs vs vs vs d 2 4 3 2 1 ' ' ' ' ' = A5 A4 A3 A2 A1 Le gain différentiel en tension et la résistance de sortie du circuit intégré sont définis par ' vs A' A' A' A' A' ' ≅ 266 Ω .5 MΩ est très importante. soit Z e be8 4 i8 ' Ze 4 rbe8 β i8 rce8 z10 Z'e5 ' =r ' et le collecteur commun Z e be7 + (β + 1) rce7 // R3 // Z e4 ≅ 2. 3 ( ) i7 rbe7 ' Ze 3 β i7 rce7 R3 Z'e4 Sylvain Géronimi Page 250 Circuits intégrés . toujours étage non chargé. Ad = 5 = − 1 2 3 4 5 ≅ 835000 (118.4 dB).

Enfin. Caractérisation en régime de mode commun Première étape : calcul du gain en tension et de la résistance de sortie. c’est-à-dire vs = Rch Ad v d ≅ Ad v d car Z s << Rch Z s + Rch 10. l’attaque étant une source de tension v c . la résistance différentielle d’entrée 1 vue par la source v d est ' ≅ 4r Zd = 2 Ze be2 ≅ 836 kΩ 1 car (β + 1) rbe4 β '+1 = U U U β + 1 UT = ( β + 1) T = ( β + 1) T = T = rbe2 β ' +1 I B 4 IE4 I E2 I B2 0 0 0 0 La représentation de l’amplificateur intégré de tension dans son régime purement différentiel est une source de tension contrôlée par la tension différentielle appliquée sur la branche contrôlante supportant Z d . il en découle que les entrées en base de Q1 et de Q2 correspondent respectivement aux bornes non inverseuse et inverseuse de l’amplificateur. le base commune présente la diode d’entrée de Q4 vue de son émetteur. la tension en charge v s découle de l’adaptation en tension.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Pour l’étage cascode. ' = soit Z e 2 rbe4 β '+1 ≅ 833 Ω . β' i4 i4 ' Ze 2 iC4 rbe4 Ai ic3 = 0 zs Z'e3 rbe4 ⎞ r ⎛ ' =r ⎜ ⎟ ≅ rbe + (β + 1) be4 ≅ 418 kΩ . Sylvain Géronimi Page 251 Circuits intégrés . (+) B1 Zs vd Zd v’s Ad v d B2 Rch (-) En constatant l’orientation de la tension v d et la valeur algébrique du transfert ( Ad > 0 ). et le collecteur commun Z e be2 + (β + 1)⎜ rce2 // 1 2 ⎟ β ' +1 ⎠ β '+1 ⎝ i2 rbe2 β i2 ' Ze 1 rce2 Z'e2 ' La résistance Z e étant vue par la source de tension v d / 2 .

Ze e5 e4 e4 e3 e3 5 Pour l’étage cascode. ce qui conduit à remplacer rbe4 par rbe4 + 2 z13 dans les expressions analytiques '' = soit Z e 2 rbe4 + 2 z13 ⎞ ⎛ '' = r ⎜ ⎟. le schéma du base commune à charges réparties est modifié par la présence de la résistance 2 z13 en série avec la résistance rbe4 . la résistance de sortie du montage est Z s = Z s s5 5 Deuxième étape : calcul de la résistance d’entrée Pour les étages push-pull et gain en tension.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés '' Pour l’étage collecteur commun. Z '' ≡ Z ' . est donc Z c = Z e 1 rbe4 + 2 z13 La représentation de l’amplificateur intégré de tension dans son régime de mode commun est une source de tension contrôlée par la tension de mode commun appliquée sur la branche contrôlante supportant Z c . vue par la source de tension v c dans le contexte du demi'' ≅ 688 MΩ . schéma vu des bases de Q1 ou Q2 . les résultats analytiques sont identiques à ceux '' vs '' pour i =3 à 5.64 10 −3 . schéma. Sylvain Géronimi Page 252 Circuits intégrés . trouvés lors de l’étude du régime différentiel avec les notations Ai'' = '' i ≡ Ai' et Z s i v si −1 Le gain s’écrit '' vs 5 vc ' ' '' '' '' '' = A5 A4 A3 A2 A1 = Ac ≅ − 0. mêmes résultats avec les notations A1 = '' vs 1 vc ' '' ≡ Z ' ( ≡ A1 ) et Z s s1 1 Pour l’étage pseudo-base commune β' i4 Z''s1 i4 rbe4 v''s1 2 z13 iC4 zs Ai ic3 v''s2 '' Zs 2 '' '' ⎧v s ⎪ 1 = − (β '+1)Z s1 + rbe4 + 2 z13 i 4 ⎨ '' ⎪ ⎩v s1 = zs i c 4 − Ai i c3 avec i c3 = i c 4 = − β ' i 4 v '' β ' zs β ' zs 2 '' = z = 4 MΩ '' = s 2 = A2 ≅ ≅ 1. Z '' ≡ Z ' . Z s s 2 '' '' + 2 z ( ) ( β β β vs r + ' + 1 Z + 2 + 2) z13 13 be4 s1 1 [ ( ) ] Pour l’étage de gain en tension et l’étage push-pull. gain en tension en régime de mode commun et '' ≡ Z ' . et Z e be2 + (β + 1)⎜ rce2 // 1 β '+1 β ' +1 ⎟ ⎝ ⎠ La résistance de mode commun. les résistances d’entrée demeurent inchangées ' ' ≡ Z ' .69 .

push-pull Z e étant très importante devant Z s 5 4 Z’s2 Z’e3 v’s3= A’3 v’s2 Z’s3 Z’e4 v’s4= A’4 v’s3 Z’s4 Z’e5 v’s2 Le gain de transfert en tension Av aux fréquences moyennes (absence de C) doit être exprimé en ' terme de source liée à la tension v de la branche contrôlante supportant Z e afin de respecter la 3 modélisation du quadripôle (voir cours « La caractérisation d’un amplificateur linéaire »).Q8 . Sylvain Géronimi Page 253 Circuits intégrés . Sous l’hypothèse d’obtenir la fréquence de coupure à -3 dB uniquement par la présence du condensateur C.7 kΩ << Z ' ≅ 2.12 MΩ . attaqué par l’équivalent de Thévenin de l’étage différentiel et chargé par la résistance d’entrée de l’étage ' ' . Le fait d’avoir négligé le paramètre rce des modèles de Q3 et Q4 augmente la valeur de Ad et diminue celle de Ac . le schéma équivalent du système est alors du premier ordre (un seul condensateur). Caractérisation de l’étage de gain On considère le quadripôle caractérisant l’étage de gain en tension Q7 . comme le prouve son expression analytique. A = ⎜1 + s2 ⎟ A ' A ' ≅ − 1209 Ze v ⎜ e3 s s4 e5 ' ⎟ 3 4 Ze 3 ⎠ ⎝ 13. Evaluation de la fréquence de coupure haute (fréquences hautes) La caractérisation de l’étage de gain va permettre une approche rapide du comportement en fréquence du circuit. Il est évident que '' Ac 2 A2 ce TRMC est produit par l’étage différentiel.5 MΩ . ce qui explique cette performance. La caractérisation de l’étage devient alors : ⎛ Z' ⎞ ' = Z ' ≅ 2. Taux de réjection de mode commun Les gains de transfert en tension sont Ad = ' vs 5 vd =− '' ' ' ' ' ' vs A1 A2 A3 A4 A5 '' '' '' '' '' et Ac = 5 = A1 . A2 A3 A4 A5 vc 2 La tension obtenue en fin de chaîne est la somme des tensions de sortie à vide issues des deux ' '' + vs = Ad v d + Ac v c et la qualité de régimes (théorème de superposition). Z ' = Z ' ≅ 66. soit 122 dB. soit v s5 = v s 5 5 l’amplification différentielle par rapport à l’amplification du mode commun est exprimée par la valeur du taux de réjection de mode commun TRMC = ' Ad A2 = . La valeur trouvée est trop élevée pour un amplificateur de ce type.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés B1 ou B2 Zs vc Zc v’’s Ac v c Rch 11. 12.

2359.2797m) -50 100mHz 1. La présence de ces pôles rend le système instable comme le montre la simulation.64 MHz .16 Hz .0KHz 10KHz 100KHz 1. 8.658K. Le produit gain en tension (en unités et non en dB) fréquence de coupure haute (propriété d’un système du premier ordre) permet de chiffrer la fréquence de transition ft = Ad fh ≅ 2.40 dB / décade 0 (2.631m.209) 100 (3. 150 232. Cette compensation rend le circuit inconditionnellement stable.16 Hz RC s s2 e v ≅ 1680 MΩ 0C 2 π RC ( )( ) La constante de temps produisant la fréquence trouvée est de valeur énorme devant la somme de toutes les constantes de temps à vide produites par les capacités parasites des transistors et l’application de la méthode du pôle dominant donne (voir « Annexes ») : f1 ≅ 1 ≅ fh 2 π a1 0 avec a1 = RC C+ ∑ i =1 15 0 Rbe Cbei + i ∑R i =1 15 0 bc i C bc i 0 ≅ RC C L’amplificateur de tension différentielle se comporte comme un circuit du premier ordre de gain en Ad boucle ouverte G( p ) = avec Ad ≅ 118 dB et fh ≅ 3. 118.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés C i0 v Z’e // Z’s2 Z’s2 v v’s2 Z’e Z’s Z’e5 v0 Av v Av v Z’s Le condensateur voit à ses bornes une résistance (dipôle de Thévenin) 1 0 = Z ' + Z ' // Z ' 1 − A ⇒ fh = ≅ 3. f 1+ j fh La faible fréquence de coupure haute permet d’atteindre un gain unité avec une pente de –20 dB par décade dans le plan de Bode.0MHz 10MHz 100MHz Frequency Si la capacité C de compensation était absente.6510M. et du montage base commune Q4 cumulant sur sa forte charge de collecteur les capacités parasites du miroir et de l’entrée de Q7 . l’influence conjuguée du montage émetteur commun Q8 (voir le problème « Réponse en fréquence d’un émetteur commun »).20 dB / décade .0Hz DB(V(s)) 10Hz 100Hz 1.204) amplificateur compensé (C = 30 pF) amplificateur non compensé 50 .205) (42. 115. produirait la fréquence de coupure haute. 115. Sylvain Géronimi Page 254 Circuits intégrés .

Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime pseudo continu +VCC Q1 VD VBE1 Q2 VBE2 VEB3 VEB4 Q3 IC3 IB3 IB4 Q4 IC4 I IC5 Q5 VBE5 VBE6 -VCC IC6 Q6 10µ IC13o 14. Expressions des transferts courant / tension ⎧ ⎪ ⎪Q ≡ Q 2 ⎪ 1 ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎨Q3 ≡ Q4 ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪Q5 ≡ Q6 ⎪ ⎪ ⎩ VBE1 ⎧ ⎪I E ≅ ( β + 1) I BS e UT ⎪ 1 ⎨ VBE2 ⎪ UT ≅ + I β I e ( 1 ) ⎪ E2 BS ⎩ → → → ⎧ ⎪I E ⎪ 3 ⎨ ⎪ ⎪ ⎩I E 4 ⎧ ⎪IC ⎪ 5 ⎨ ⎪ ⎪ ⎩IC6 ' e ≅ ( β '+1) I BS ' e ≅ ( β '+1) I BS VEB3 UT VEB4 UT (technologie) ≅ β I BS e ≅ β I BS e VBE5 UT VBE6 UT ⎧VD = VBE + VEB − VEB − VBE 1 3 4 2 ⎪ ⎪I E1 = I E3 ⎪ ⎪I E 2 = I E 4 ⎪ (circuit) ⎨IC13o = I B3 + I B4 ⎪ ⎪VBE5 = VBE6 ⎪ ⎪IC3 ≅ IC5 ⎪I = I − I C4 C6 ⎩ A partir des quatre premières équations du circuit. on obtient : ⎧I E1 = I E3 ⎪ ⎪I E 2 = I E 4 ⎪ ⎛ I E1 I E3 ⎨ ⎜ ⎪VD = UT ⎜ Ln I + Ln I E2 E4 ⎝ ⎪ ⎪β ' I = + I I C3 C4 ⎩ C13o β ' IC13 ⎧ o ⎪IC3 ≅ VD ⎧ IE VD I C − 3 3 ⎪ ⎪ = e 2 UT = 1 + e 2 UT ⎞ ⇒ ⎪ IE4 IC 4 ⇒ ⎪ ⎨ ⎨ ⎟ β ' IC13 ⎪ ⎪β ' I o ⎟ = IC 3 + I C 4 I ≅ C ⎪ C ⎠ 13 ⎪ 4 o VD ⎩ ⎪ 1 + e 2 UT ⎩ et à l’aide des trois dernières β ' IC13 β ' IC13 ⎧IC5 = IC6 V ⎪ o o ⇒ I≅ − = − β ' IC13 th D ⎨ VD VD o ≅ − I I I 4 UT − ⎪ C4 C3 ⎩ 1 + e 2 UT 1 + e 2 UT avec β ' IC13 = 50 µA o Sylvain Géronimi Page 255 Circuits intégrés .

759n) -25uA linéarisation du transfert -50uA -400mV IC(Q3) -300mV IC(Q4) -200mV -100mV IC(Q4) . soit IC3 = IC4 = o o o . Retour à l’étude dynamique aux faibles signaux ' Expression de v s v d (tension à vide) 2 La polarisation est obtenue pour VD = 0 .0E-18.913u) Q3 saturé 0A Q3 bloqué (111.0E-18.IC(Q3) 0V 100mV 200mV Q4 bloqué 300mV 400mV VD 15.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 50uA linéarisation du transfert Q4 saturé 25uA (111. ⎥ ⎢ 2 o ⎥ ⎢ dV 8 U v v 8 U V ⎥ ⎢ D D T d d T ⎞ ⎥ ⎛ ⎦ VD =0 ⎢ ⎣ − ⎜1 + e 2 UT ⎟ ⎢ ⎟ ⎥ ⎜ ⎥ VD =0 ⎢ ⎠ ⎦ ⎝ ⎣ β ' IC13 i C3 = − i C 4 = β ' IC13 8UT o vd = IC 4 o 4UT vd = ' gm vd 4 ' Le transfert en tension de l’étage différentiel v s v d à vide s’écrit 2 iC4 rce6 Ai ic3 ≅ ic3 v's2 ' =r vs ce6 ( i c 4 − Ai i c3 ) ≅ 2 rce6 i c 4 ⇒ 2 ' vs 2 vd =− ' gm rce6 2 La relation obtenue dans l’étude du régime dynamique purement différentiel aux faibles signaux est rapportée ci-dessous ' vs 2 vd =− ' ' A1 A2 ≅− 2 β ' rce6 rbe4 + (β '+1) β +1 rbe2 avec rbe2 β +1 = rbe4 UT U U UT = T = T = = IE2 IE4 ( β + 1) I B2 ( β '+1) I B4 ( β '+1) o o o o Sylvain Géronimi Page 256 Circuits intégrés . 24. -37. 2 Les pentes des transfert au point de polarisation sont telles que V ⎤ ⎡ − D ⎥ ⎢ e 2 UT ⎥ ⎢ β ' IC13 β ' IC13 iC iC4 ⎡ dIC3 ⎤ 2 U o o T ⎥ = = 3 et = ⎢ β ' IC13 =− .

Expression de i v d (courant de court-circuit) I ≅ − β ' IC13 th o VD pour v d (t ) << 4 UT 4 UT ⎛ vd ⇒ th⎜ ⎜ 4U T ⎝ ⎞ vd ⎟ ⎟ ≅ 4U T ⎠ i rce6 v's2 β ' IC13 g' i o =− = − m (ou encore i ≅ iC4 − iC3 ) 4UT 2 vd Sylvain Géronimi Page 257 Circuits intégrés .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés ce qui conduit au même résultat.

Etude du régime continu Le circuit est alimenté par deux sources symétriques de tension VCC = ± 15 V et les entrées sont connectées à la masse. VBE0 ≅ 0. Déterminez le domaine des valeurs de VD produisant un courant maximal de drain pour l’étage différentiel. Evaluez les résistances R6 et R7 afin d’obtenir les courants I1 et I 2 de l’ordre de 160 µA et de 250 µA respectivement. Constatez que le choix de la topologie du miroir chargeant valeur l’étage différentiel.6 V (JBT) et I DSS = 200 µA . L’étude porte ici sur le régime continu. Dessinez le schéma et indiquez dessus toutes les variables de polarisation.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Amplificateur de tension TL071 (technologie BiFet) La figure 1 représente le schéma électrique simplifié du circuit intégré TL071 de Texas Instruments. Evaluez le courant continu d’alimentation ICC du circuit sans charge ( Vout = 0 ) et déduisez la puissance dissipée. 8. la sortie étant chargée par une résistance Rch = 2 kΩ . VP = 3 V (JFET). 4. 7. Donnez une description précise du circuit. Montrez que les bornes « in + » et « in . Compréhension du schéma (figure 1) 1. Trouvez la relation donnant la valeur minimale des tensions d’alimentation VCC en fonction de la tension de pincement VP du JFET et de la tension zener VZ de la diode D1 . Sylvain Géronimi Page 258 Circuits intégrés . 2. 5. Les étages de polarisation sont présentés sur la forme de sources de courant I1 et I 2 dont la conception est détaillée à la figure 2. L’étage push-pull consomme alors des courants IC8 = IC9 = 25 µA . Etude du régime pseudo-continu Une tension continue est appliquée à l’entrée de l’amplificateur telle que Vin + = VD et Vin − = 0 (masse). Pour VD = ± 5 V . évaluez les courants et potentiels de nœuds du schéma en précisant l’état des transistors. 6.» correspondent respectivement aux entrées non inverseuse et inverseuse du circuit. Les types de transistors sont supposés technologiquement identiques et possèdent les caractéristiques (effet Early négligé) β = 250 ( >> 1) . ceci en maintenant le courant de drain de J 3 inchangé. conduit à un meilleur équilibrage de la polarisation de ce dernier. Prouvez que ce dernier est bien un amplificateur de tension. Conception du circuit de polarisation (figure 2) 3.

VCC Figure 1 + VCC R6 Q11 Q10 I1 I2 Q12 J3 Q13 D1 R7 5.6V .VCC Figure 2 Sylvain Géronimi Page 259 Circuits intégrés .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés + VCC I1 I2 Q8 in R4 64 out Q6 R3 10k Q3 Q4 R5 64 Q9 J1 J2 Q7 in + Q1 R1 50k Q2 R2 50k Q5 .

limitent le courant de sortie.L’étage différentiel J1 . L’effet miroir a pour but de doubler le transfert en courant de l’étage en régime dynamique aux faibles signaux. L’intérêt par rapport à deux transistors montés en diode réside dans une occupation de surface moindre pour la paire Darlington.Q9 la conserve. de faible valeur. la grille de J1 étant à la masse et intéressons-nous à la phase du signal recueilli en sortie des étages successifs.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Compréhension du schéma 1. Sa conception (figure 2) fait apparaître un répétiteur de courant.R 6 ) tel que IC13 ≅ I1 e R6 I1 UT (voir cours).R7 . 2. adapté par le montage collecteur commun Q4 en amont pour un meilleur transfert de tension et par un étage pushpull série Q8 . d’un étage différentiel associé à un transfert dynamique de courant et d’un étage de tension.Q12 . L’étage source commune J 2 inverse la phase. Le décalage en tension est de l’ordre de 2VBE . - Conception du circuit de polarisation 3. Entrées non inverseuse et inverseuse Appliquons une tension alternative à l’entrée de l’étage différentiel.Q2 . . association d’une source de Widlar Q10 . attaquant en courant un miroir Q1 . Nous sommes donc en présence d’un amplificateur de tension de résistance d’entrée différentielle très importante (JFET) et de faible résistance de sortie. Ce translateur est constitué d’une paire VBE7 Q6 de Darlington avec le premier transistor monté en diode et d’une VBE6 résistance déviant une partie du courant de base du second R3 transistor.R1 à transistors NPN. dont le courant de référence est fourni par le circuit Q13 . .Q3 . Description Le schéma se compose d’un circuit de polarisation. La tension de sortie est donc en phase avec la tension d’entrée et la borne non inverseuse est bien la grille de J 2 .Q12 . l’étage collecteur commun Q4 la conserve. l’étage émetteur commun Q5 inverse à nouveau la phase et l’étage push-pull suiveur Q8 .J 2 est à comportement source commune (canal P). L’étage de tension utilise un montage émetteur commun Q5 . Sylvain Géronimi Page 260 Circuits intégrés .Le circuit de polarisation doit produire les courants I1 et I 2 alimentant respectivement un étage différentiel et un étage de tension.R3 .Q9 en aval pour une sortie à amplitude optimale et basse résistance (montage suiveur complémentaire).D1 . Les résistances R 4 et R5 . ainsi qu’un effet lentille ( Q10 . .J 3 (explication plus loin).R6 et d’un miroir de courant élémentaire Q11 .L’étage push-pull est polarisé en classe B/AB par le translateur Q7 de tension Q6 . Evaluation des résistances R6 et R7 Le répétiteur de courant utilise un effet miroir ( Q11 .Q7 .Q12 .Q12 ) tel que I 2 ≅ IC13 .

Sylvain Géronimi Page 261 Circuits intégrés . courant de polarisation de la diode zener.8 V Q3 320 n 320 n Q13 .6 µ 50 n 80 µ R3 52 n Q6 R5 100 n Q4 . 2 L’intérêt de ce système est de proposer un choix de l’alimentation symétrique ± VCC tout en conservant la même polarisation du circuit intégré à condition que VCC ≥ 4. Evaluation des variables de polarisation Pour l’étage différentiel ( J1 ≡ J 2 ).3 V . Or 2VCC = VZ − VDS3 ⇒ 2VCC − VZ ≥ VP d’où VCC ≥ VP + VZ .1 V J1 J2 Q7 ≅ 1.1.4 V .10 V D1 .2 V Q11 25 µ 14.6 V .4 V 13 µ 250 µ 100 n Q8 250 µ Q12 R4 80 µ + 15 V 12.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Or I E13 = VZ − VBE13 R7 ≅ IC13 ⇒ R7 ≅ VZ − VBE13 I2 = 20 kΩ et R6 ≅ UT I Ln 2 ≅ 70 Ω . ⎞ ⎟ ⎟ avec ⎠ 2 Puisque VGS3 = 0 .9.13.14.4 V 1µ Q5 R2 50k 25 µ R7 20k 250 µ Q9 J3 200 µ . c’est-à-dire − VDS3 ≥ VP . Valeur minimale de la tension VCC ⎛ VGS Le modèle de comportement des JFET canal P est donné par l’équation I D = I DSS ⎜ ⎜1 − V P ⎝ les tensions VGS et VP > 0 et telles que 0 ≤ VGS ≤ VP .13.15 V 5. Le transistor J 3 fournit ce courant à condition de se situer dans sa zone de saturation. alors I D3 = I DSS . I1 I1 4.8 V Q1 12 µ R1 50k Q2 12 µ 5. Etude du régime continu + 15 V R6 70 Q10 160 µ .

De − même. + − + ICC ≅ 1.32 V tel que Si J1 est bloqué.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 2 ⎧ ⎛ V ⎞ ⎪I D = I DSS ⎜1 − GS1 ⎟ 1 ⎜ ⎪ VP ⎟ ⎝ ⎠ ⎪ J1 ≡ J 2 → ⎨ et VGS1 − VGS2 = 0 (topologie) 2 ⎪ ⎛ VGS2 ⎞ ⎟ ⎪I D2 = I DSS ⎜ ⎜1 − V ⎟ ⎪ P ⎠ ⎝ ⎩ ⎛ I D1.2 ⎞ I ⎟ ≅ 1 .8 mA et Pcontinue = 2VCC ICC ≅ 54 mW . ⎛ I1 ⎞ ⎟ ≅ 0.2 ⎪ ⎜ ⎨VGS1. Calcul de la consommation du circuit + L’alimentation au dessus de la masse fournit ICC = IE10 + IC4 + IC11 + IC8 + I E12 + I D1 ≅ 898 µA . l’alimentation sous la masse fournit ICC = I E1 + I E 2 + I R1 + I R2 + I E5 + IC9 + I E13 + I Z ≅ 909 µA . I E3 = I B1 + I B2 + ≅ + β R R1 β R Comme I1 β et I2 β << VBE ≅ 12 µA ⇒ I E3 ≅ I E 4 .1 V . d’où ICC = ICC 7. I D1 = 0 pour VGS1 ≥ VP et I D2 = I1 avec VGS2 = VP ⎜1 − ⎜ ⎟ I DSS ⎝ ⎠ 0 ≤ VGS2 < VP . L’équilibrage statique de l’étage impose alors que I B3 = I B4 avec des transistors supposés identiques ( β >> 1 ). Sylvain Géronimi Page 262 Circuits intégrés . soit – 13. La topologie du miroir permet d’approcher cet équilibre puisque VBE 5 VBE1 I1 VBE1 I et I E 4 = 2 + avec R = R1 = R2 .8 V. Détermination du domaine de VD I1 VGS1 VGS2 J1 ID1 J2 ID2 VD ⎧VD = VGS2 − VGS1 ⎪ ⎛ ⎪ I D1. puisque I D1 = IC1 + I B3 et I D2 = IC2 + I B4 . R 6. d’où VD ≤ − VP I1 I DSS . donc I B3 ≅ I B4 .2 = VP ⎜1 − I DSS ⎜ ⎪ ⎝ ⎪ ⎪ ⎩I1 = I D1 + I D2 ⎞ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ Le courant de drain d’un transistor est maximal lorsque l’autre transistor ne produit aucun courant. ⇒ I D1 = I D2 = 1 = 80 µA et VGS1 = VGS2 = VP ⎜ 1− ⎜ I DSS ⎟ 2 ⎟ ⎜ ⎠ ⎝ VBE1 ⎧ ⎪I ≅ β I e UT BS ⎪C Q1 ≡ Q2 → ⎨ 1 et VBE1 − VBE 2 = 0 (topologie) ⇒ I B1 = I B2 et IC1 = IC2 avec leurs VBE2 ⎪ ⎪IC2 ≅ β I BS e UT ⎩ potentiels de collecteur à 2VBE au dessus de − VCC .

l’autre transistor fournissant un courant de drain de 160 µA associé à une tension grille-source de 0. J 2 conduit ( I D2 = 160 µA . En constatant que le courant circulant dans la résistance R 2 est de faible valeur devant le courant émetteur de Q4 .32 V . Puisque I B9 ≅ 28 µA . L’étage push-pull est tel que Q8 est bloqué et Q9 conduit. La sortie est à l’état de saturation négative. Sylvain Géronimi Page 263 Circuits intégrés .68 V . Evaluation des courants et potentiels de nœuds pour VD = ± 5 V Comme VD > 2. Constatons alors que le rapport IC5 I B5 ≅ 7 10 −3 est différent de β.5.14. Le domaine des tensions est donc VD ≥ 2.13. Q5 est saturé ( VCE5 très faible). IC5 = IC11 + I B9 ≅ 278 µA . ce qui corrobore l’état de saturation de Q5 .32 V J1 J2 -5V 0 + 15 V 160 µ .4 V 40 m Q11 14.3 m Q1 0 ≅7m R7 20k D1 . VGS2 ≅ 0. I B5 ≅ 40 mA et. de ce fait.2 V Q2 R1 50k 16 µ R2 50k Q4 28 µ Q6 Q7 -14 V R5 64 Q9 7m J3 R7 2k 200 µ .R1 renvoyant un courant nul. le courant de base de Q4 est égal à 160 µA et son courant de collecteur est de l’ordre de 40 mA. 8.14.4 V 250 µ .10 V 278 µ Q5 40. d’où IE9 ≅ 7 mA et Vout ≅ − 14 V . Cette très faible valeur de β forcé conduit à VCE5 ≅ 0 V .4 V R3 0 160 µ 0 . Premier cas : VD = − 5 V + 15 V R6 70 Q10 160 µ .32 V ) et VGS1 = VGS2 − VD ≅ 5. l’étage différentiel présente un transistor JFET bloqué. Le miroir Q1 .4 V Q3 0 0 ≅ -15 V ≅ 40 m Q13 .8 V 250 µ Q12 . La maille de sortie s’écrit alors VCC = VCE5 sat + VEB9 + (R5 + R7 )I E9 et Vout = − R7 I E9 .32 V (voir l’étude précédente).13.Q3 . d’où VD ≥ VP I1 I DSS ⎞ ⎟ ≅ 0.Q2 .15 V J1 est bloqué ( I D1 = 0 ).32 V tel que ⎟ ⎠ .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés ⎛ I1 Si J 2 est bloqué. I D2 = 0 pour VGS2 ≥ VP et I D1 = I1 avec VGS1 = VP ⎜1 − ⎜ I DSS ⎝ 0 ≤ VGS1 < VP .68 V .9.

32 V . en particulier celle du courant de polarisation I1 de l’étage différentiel. Le courant de collecteur de Q11 s’identifie alors au courant de base de Q8 . Ainsi. Le sens des courants de Q2 et Q4 est incompatible pour des transistors de type NPN car I B4 doit se diriger vers la base de Q4 .10 V R7 20k D1 R1 50k . Q11 ne fournit plus le courant I 2 et son état de saturation conduit à un β forcé = IC11 I B11 < β .4 V Q1 . La sortie est à l’état de saturation positive.15 V Q2 0 R2 50k Q4 0 Q5 0 Q13 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Deuxième cas : VD = 5 V + 15 V R6 70 Q10 Q11 ≅7m 14.9.0.32 V J1 J2 5V ≅ 15 V 0 Q7 ≅ 160 µ + 15 V 0 ≅ 160 µ -14.4 V 0 28 µ Q12 28 µ Q8 0 R4 64 14 V Q6 R3 7m J3 R7 2k 200 µ . Q5 est aussi bloqué et le translateur de tension n’est plus alimenté. la tension de sortie de l’amplificateur en boucle ouverte est Vout = ± Vsat avec Vsat = 14 V dans une condition de charge de 2 kΩ et pour toute tension d’entrée telle que VD ≥ 2. c’est-à-dire à un courant de base nettement plus important. Constatons que I B8 ≅ 28 µA et IC11 ≅ I B8 .68 V .4 V 250 µ ≅ 160 µ . Sylvain Géronimi Page 264 Circuits intégrés . Aucun courant ne circulant dans R2 . Le courant de référence du répétiteur distribue les courants suivant la loi du nœud IC13 = IC12 + I B12 + I B11 + I B10 = 250 µA .Q2 . d’où I B4 ≅ 0 et IC2 ≅ 0 . J1 conduit ( I D1 = 160 µA . d’où I E8 ≅ 7 mA et sat Vout ≅ 14 V . L’étage push-pull est tel que Q8 conduit et Q9 est bloqué.15 V Q3 0 0 . L’ensemble Q1 . L’augmentation de I B11 a pour conséquence une diminution des autres courants.R1 ne travaille plus en effet miroir et Q4 est bloqué. VGS1 ≅ 0.15 V J 2 est bloqué ( I D2 = 0 ). la loi du nœud de sortie de l’étage différentiel impose que I B4 = I D2 − IC2 ≅ − IC2 . La maille de sortie s’écrit alors VCC = VEC11 + VBE8 + (R 4 + R7 )I E8 et Vout = R7 I E8 . Or.32 V ) et VGS2 = VGS1 + VD ≅ 5. Cette modification ne change en rien le niveau de tension en sortie puisque Q4 est toujours bloqué.Q3 .

VA = 100 V .6 V . des potentiels de nœuds d’entrées (+). Au sein des calculs. Donnez une description précise du circuit. à savoir i + (t ) = I1 + i1(t ) . VBEo ≅ 0. (-) I2 IB3 VBE3 I1 VS I1 VBE1 out (+) Sylvain Géronimi Page 265 Circuits intégrés . le paramètre β est considéré comme grand (courants de base négligés). i − (t ) = I 2 + i 2 (t ) . 3. Calculez les valeurs des courants de collecteur de Q10 . On modélise le CI à l’image du schéma qui suit. (-) de la base et de l’émetteur de Q4 .7k Q4 Q7 iQ3 i + +VCC vout (-) Q8 Q14 R2 19k (+) Q1 Q2 Q9 Q13 Q15 Compréhension du circuit 1. Q4 . Q13 . Q14 . Etude du régime continu 2. +VCC 12 V Q10 Q11 Q12 Q5 Q6 out R1 5. Q3 . v out (t ) = VS + v s (t ) . Dessinez le schéma. La notation suivante est utilisée pour les variables entrée/sortie (superposition des régimes continu et dynamique). Q11 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Amplificateur intégré de type Norton (LM359 de National Semiconductor) On considère le circuit intégré (CI) de la figure ci-dessous. Tous les transistors sont supposés technologiquement identiques de caractéristiques β = 200.

Z e2 . On modélise le CI à l’image du schéma qui suit. Q5 . Q6 et rbe7 . Z s . Prouvez par le calcul que la résistance dynamique vue entre base de Q4 et la masse est de valeur négligeable devant rbe4 . 6. Z s . Av du modèle et évaluez Z e2 . rbe9 . Ecrivez les expressions du transfert Rt = v s (i1 − i 2 ) et de la résistance de sortie du montage non chargé. 7. Evaluez les paramètres rbe . 8. rbe8 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 4. i2 (-) out vi1 Zs vs i1 (+) v+ Ze1 Av v Ze2 9. rce10 . Av . Expliquez la présence des éléments de cette modélisation. Q4 . rce13 . Dessinez le schéma du circuit. Identifiez les éléments Z e1. rce11 . Sylvain Géronimi Page 266 Circuits intégrés . Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 5. rce14 des transistors associés. rce des modèles des transistors Q3 .

6 mA IC14 0. appelé aussi amplificateur de Norton.Q12 fournit deux courants sortants (transistors PNP) réglés par la résistance R1 . Le répétiteur Q13 . L’association des étages émetteur commun Q3 et base commune Q4 chargé par la source de courant réalise un montage cascode à impédance de sortie élevée. Schéma +VCC 2 mA IC10 2 mA IC11 Q5 Q4 1. d’un étage cascode attaqué par un courant différentiel obtenu par un miroir de courant et d’un étage darlington en sortie. Le CI est donc un amplificateur à résistance de transfert. .Q15 fournit deux courants entrants (transistors NPN) réglés par la résistance R2 .2 V 2 mA 1.Les circuits de polarisation. La tension de sortie est proportionnelle à la différence des courants des entrées. sont l’association de deux miroirs de courant élémentaires. inversant le sens de son courant d’entrée.6 V Q3 Q8 VS (+) I1 IC13 Q1 Q2 Q9 0. La sortie du CI est alors adaptée en tension. répétiteurs de courant. - Le miroir de courant Q1 . Les courants issus de Q13 et Q14 polarisent respectivement les étages collecteur commun Q5 et Q6 . Les étages collecteur commun Q5 et Q6 se comportent en suiveur par la présence des charges dynamiques d’émetteur et en abaisseur d’impédance. Q4 et le courant issu de Q11 polarise trois transistors montés en diode ( Q7 . Le répétiteur Q10 . produisant une translation des potentiels continus de la base de Q4 à 3VBE et du collecteur de Q3 à 2VBE par rapport à la masse.Q14 . permet de constituer un courant différentiel à partir des courants issus des bornes d’entrée du CI. Le courant issu de Q10 impose les courants de collecteur des transistors Q3 .8 V Q6 out Q7 (-) I2 0. Description Le schéma se compose de deux étages de polarisation.6 mA Sylvain Géronimi Page 267 Circuits intégrés .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Compréhension du schéma 1. Q8 .Q11 . Q9 ) et mis en série.Q2 . Etude du régime continu 2.

rce5 = rce6 ≅ 167 kΩ . ' ≅ 2. Entre l’entrée (-) et la masse.6 V . Transistor Q4 en base commune Les trois transistors Q7 . Sylvain Géronimi Page 268 Circuits intégrés . La résistance vue entre base de Q4 et la IC11 β +1 o r' masse s’écrit z 4 = 3 be // rce11 . Evaluation des paramètres rbe ≅ UT V β . V − = VBE3 ≅ 0. l’étage correspond à un montage base commune. connectée à la masse. composent une résistance dynamique équivalente à 3 ' U rbe ≅ 37. 6.6 V .5 kΩ . valeur très faible devant la résistance de jonction rbe4 située en β +1 série ( 2. VB4 = 3VBE o ≅ 1. pour ainsi dire.8 V . la sortie du miroir de courant Q1 . o o o 4.33 kΩ . ce qui est toujours l’équivalent statique d’une diode passante avec une tension de 0. rce3 ≅ rce4 ≅ 50 kΩ . permettant aussi une dynamique de sortie optimale (voir « applications de l’amplificateur Norton »).5 Ω ).6 mA et IC13 ≅ IC5 ≅ IC14 ≅ IC6 ≅ 0.5 kΩ rbe5 = rbe6 ≅ 8. z14 = rce14 ≅ 167 kΩ . Evaluation des courants et potentiels de noeuds Répétiteur de courant PNP (effet miroir) : VCC − VEB12 o I R1 = = 2 mA et IC10 ≅ IC11 = IC4 ≅ IC3 ≅ 2 mA o o o o R1 Répétiteur de courant NPN (effet miroir) : VCC − VBE15 o I R2 = = 0. donc VCE1 = VCE 2 ≅ 0.2 V o o avec VBEo = VBE7 = VBE8 = VBE9 . VC3 = 2VBEo ≅ 1. Cette source est en parallèle sur la jonction base-émetteur de Q3 . z11 = rce11 ≅ 50 kΩ . rbe7 = rbe8 = rbe9 = rbe et posons z10 = rce10 ≅ 50 kΩ .Q2 est équivalente à une source de courant continue inversant le courant d’entrée I1 . z13 = rce13 ≅ 167 kΩ . Explication des éléments du modèle L’entrée (+) présente le transistor Q1 monté en diode en parallèle sur la jonction base-émetteur de Q2 . Le potentiel de sortie VS dépendra du montage externe et sera généralement amené à la moitié de la tension d’alimentation. Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 5.5 kΩ >> 37.6 V . Q8 . montés en diode et mis en série.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 3. La base du transistor Q4 étant. c’est-à-dire VS ≅ VCC 2 .6 V à ses bornes.5 Ω (ou 3 T ).6 mA o o o o R2 Potentiels de nœuds : V + = VBE1 ≅ 0. Q9 . rce ≅ A IC o IC o d’où r be3 ≅ r be4 ≅ 2. Notons que ce miroir est indépendant de l’effet Early puisque VBC2 ≅ 0 V .

Miroir de courant élémentaire Q1 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 7. étude effectuée du premier étage au dernier. un étage base commune et deux étages collecteur commun. rappelons qu’une méthode de travail consiste à représenter la sortie d’un étage élémentaire non chargé sous la forme équivalente d’un dipôle de Thévenin ( v s . Z s ) ou de Norton ( i s . un étage émetteur commun. Expressions du transfert et de la résistance de sortie Afin de trouver l’équivalent du dipôle de sortie du montage sous la forme Thévenin (ici résistance de transfert). Les étapes successives étudient un miroir de courant. Z s ) suivant le cas. le dipôle obtenu attaque l’étage élémentaire suivant. Schéma z10 Q5 Q4 Q6 (-) i2 Q3 i1 z13 z14 vs (+) Q1 Q2 8. A chaque étape. L’écriture de la résistance d’entrée est donnée telle que r be1 = r be2 = r be . Etage émetteur commun Q3 i2 i3 Zs1 i1 rbe3 β i3 rce3 vs2 Zs2 Sylvain Géronimi Page 269 Circuits intégrés .Q2 i1 rce2 rbe / (β+2) ≅ i1 Zs2 ⇒ Zs1 is1 C’est un amplificateur de courant de dipôle de sortie (Norton) caractérisé par le courant de courtcircuit i s1 = i1 et la résistance de sortie Z s1 = rce2 .

les résultats obtenus demeurent toujours valables (erreur de l’ordre de 0. un montage base commune présente. Si nous tenons compte de la présence de rce4 dans ces calculs. Etages collecteur commun Q5 et Q6 rbe5 i5 Zs3 β i5 rce5 z13 vs4 Zs4 vs3 ⎧ (β + 1) rce5 // z13 v s4 ⎪v s4 = rce5 // z13 (β + 1)i 5 ⇒ ≅ ≅ +1 ⎨ ( ) = + + + v Z r r // z β 1 i v Z + r ⎪ s3 be5 ce5 13 5 s3 s3 be5 + (β + 1) rce5 // z13 ⎩ s3 ( [ ) ( ) ] ( ( ) ) Zs 4 = rce5 // z13 // Z s3 + rbe5 (β + 1) ≅ Z s3 + rbe5 (β + 1) ≅ 290 Ω La topologie étant identiques pour les deux étages.5%). en sortie. Z s5 ≅ Z s 4 + rbe6 (β + 1) ≅ 43 Ω Sylvain Géronimi Page 270 Circuits intégrés . une jonction polarisée en inverse. donc une résistance dynamique très importante devant la charge z10 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés ⎧ ⎪v s2 = − β i 3 rce3 ⎨ ⎪ ⎩i 3 = i 2 − i1 ⇒ v s2 = β rce3 (i1 − i 2 ) et Z s2 = rce3 ( rce2 >> rbe3 ) Etage base commune Q4 (β+1) i4 β i4 Zs2 i4 rbe4 z10 vs3 Zs3 vs2 z4 ⎧ ⎪v s3 = − β i 4 z10 ⎨ ⎪ ⎩v s2 = − (β + 1)Z s2 + rbe4 i 4 [ ] ⇒ v s3 v s2 ≅ z z β z10 ≅ 10 = 10 ( β + 1)Z s2 Z s2 rce3 et Z s3 = z10 . En effet. on obtient v s5 v s4 ≅ +1 .

Identification des éléments du modèle Z e1 = rbe .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés L’expression de la résistance de transfert est égale au produit des transferts élémentaires puisque ces derniers tiennent compte de l’interaction inter-étages par la présence de la résistance de Thévenin / Norton. 9. Rt = v s v s v s v s2 vs = 5 4 3 ≅ β z10 = 10 MΩ (140 dB) i 1 − i 2 v s 4 v s3 v s 2 i 1 − i 2 avec v s = v s5 et Z s = Z s5 . Z s ≅ 43 Ω β +2 Rt = + 4000 (72 dB) Z e2 − ⎧ ⎪v s = Rt (i1 − i 2 ) = − Av v ⎨ − ⎪ ⎩v = (i 2 − i1 )Z e2 ⇒ Av = Sylvain Géronimi Page 271 Circuits intégrés . Z e2 = rbe3 = 2.5 kΩ .

4. + VCC i - i+ symbole de l’amplificateur Norton Application n°1 R2 10k C R1 1k ve - + vs R3 +VCC 12 V Etude du régime continu 1. Dessinez le schéma. Déterminez le gain en tension défini par v s v e et concluez sur le type d’amplificateur. Dessinez le schéma. Application n°2 R2 10k C R1 1k ve +VCC 12 V R3 + vs Sylvain Géronimi Page 272 Circuits intégrés . 2.6 V et I B3 << I1 et I 2 ). Dans les schémas apparaît le montage de l’étude précédente sous l’image symbolique suivante. Evaluez la résistance R3 afin que le potentiel de sortie VS soit de l’ordre de VCC 2 ( VBE ≅ 0. Etude dynamique aux fréquences moyennes 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Applications de l’amplificateur Norton Nous proposons deux applications de l’amplificateur.

Dessinez le schéma.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime continu 5. Déterminez le gain en tension défini par v s v e et concluez sur le type d’amplificateur. 8. Etude dynamique aux fréquences moyennes 7. Sylvain Géronimi Page 273 Circuits intégrés .6 V et I B3 << I1 et I 2 ). 6. puis déduisez la valeur du courant I1 . Dessinez le schéma. Evaluez la résistance R2 afin que le potentiel de sortie VS soit à VCC 2 ( VBE ≅ 0.

965 ⇒ ve ⎞ 1 1 ⎛ 1 1 ⎜ ⎟+ + ⎟ Av ⎜ ⎝ Z e2 R1 ⎠ R2 Sylvain Géronimi Page 274 Circuits intégrés . Schéma R2 I2 IB3 VBE VS I1 R3 + VCC I1 VBE 2.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Application n°1 Etude du régime continu 1. Schéma R1 i’ i R2 ve v0 Ze2 i2 Zs ≅ 0 vs Av v - i1 = 0 R3 Ze1 4.1 kΩ VCC − 2VBE Etude dynamique aux fréquences moyennes 3. Gain en tension ⎧v s ≅ − A v v − ⎪ ⎪i ' = v e − v − ⎧v s ≅ − A v v − ⎪ R1 ⎪ ⎪ ⇒ ⎨ v− ve vs ⎛ 1 ⎨ 1 ⎞ − − − v v ⎪i = s ⎪Z = R + R − ⎜ ⎜R + R ⎟ ⎟v e2 1 2 1 2 ⎠ ⎝ ⎩ ⎪ R2 ⎪ − = (i + i ' ) Z v ⎪ e2 ⎩ 1 vs R1 ≅− ≅ − 9. Evaluation de la résistance ⎧I B3 << I1 ⎪ VCC ⎪ = R2 I1 + I B3 + VBE ⎨VS = 2 ⎪ ⎪VCC = R3 I1 + VBE ⎩ ( ) ⇒ R3 ≅ 2R2 VCC − VBE ≅ 21.

Schéma i2 R2 vi1 Ze2 Zs ≅ 0 vs Av v - R1 i1 ve R3 Ze1 Sylvain Géronimi Page 275 Circuits intégrés .1 kΩ et I1 ≅ ⎜ CC − VBE ⎟ = 540 µA . Etude dynamique aux fréquences moyennes 7. Evaluation de la résistance et du courant La topologie étant la même que précédemment. Schéma R2 I2 IB3 VBE I1 VS R3 + VCC I1 VBE 6. L’intérêt du montage est l’absence de mode commun puisque les entrées (+) et (-) voient de faibles impédances (résistances de diode passante). ve R1 C’est un amplificateur inverseur de gain 20 dB.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés En acceptant une approche numérique à quelques %. validant ainsi β l’hypothèse de départ. courant négligeable devant I1 . ⎝ 2 ⎠ R3 IC Le courant de base de Q3 vaut IB3 = 3 = 10 µA . vs R ≅− 2 . Application n°2 Etude du régime continu 5. les résultats sont identiques. ⎛V ⎞ 1 R3 ≅ 21.

v e R1 Sylvain Géronimi Page 276 Circuits intégrés . C’est un amplificateur non inverseur de gain 20 dB. valeur faible devant R3 ( R3 // Z e1 ≅ Z e1 ). v s R2 ≅ = 10 .55 ve ⎞ 1 1 ⎛ 1 1 ⎜ ⎟+ + ⎟ Av ⎜ ⎝ Z e2 R2 ⎠ R2 1 R1 + Z e1 avec Z e1 = rbe1 β +1 ≅ UT UT = ≅ 46.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 8. Gain en tension ⎧v s ≅ − A v v − ⎪ ⎪ vs − v − ⎧v s ≅ − A v v − ⎪i 2 = ⎪ R2 ⎪ ⎪ ⇒ ⎨⎛ 1 ⎨ 1 ⎞ ⎜ ⎟v − = v s − v e v + e ⎪i ≅ ⎪⎜ ⎟ Z R R2 R1 + Z e1 1 2 ⎠ ⎪⎝ e2 ⎪ ⎩ R1 + Z e1 ⎪ ⎪v − = (i 2 − i1 )Z e 2 ⎩ ⇒ vs ≅− ≅ + 9.3 Ω . I E1 I1 En acceptant une approche numérique à quelques %.

est reliée à la base de Q16 et une résistance Rch est branchée entre S2 et la masse. Etude du régime continu 4. Etude du régime dynamique purement différentiel (faibles signaux aux fréquences moyennes) 5. on retrouve le résultat précédent. Sylvain Géronimi Page 277 Circuits intégrés . précisez le type d’amplificateur obtenu. Rappelez la caractérisation du quadripôle défini par la source de Wilson ( ze . Faîtes apparaître dans l’expression trouvée les termes V et R . Démontrez qu’en considérant la zone linéaire du transfert IS (VD ) obtenu lors de l’étude en régime pseudo-continu. Z e . La sortie S1 . 8. Tous les transistors sont supposés identiques ou parfaitement complémentaires ( β >> 1 ). 6. zs . 7. Commentez ce résultat. caractérisez l’amplificateur sous forme de quadripôle ( Y t . 9.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Amplificateur à conductance de transfert (LM13600 de National Semiconductor) On considère le circuit intégré de la figure ci-dessous où R est un élément hors puce. Ecrivez l’expression du courant i s en fonction de v d en discutant des conditions aux impédances sur les divers transferts en courant. A i ). +VCC Q8 Q7 Q10 Q11 E2 Q16 Q17 Q9 Q1 (+) vD (-) Ipol R V Q3 Q4 Q2 Q12 S1 Is Q15 S2 Q5 Q6 Q13 Q14 -VCC Compréhension du schéma 1. Donnez les courants de polarisation du montage. Z s1 ). Le but est de caractériser la conductance de transfert en sortie de S1 sur une impédance de charge Z ch . Donnez une description précise du circuit. Etude du régime pseudo-continu 2. La sortie S1 étant chargée par une impédance Z ch . 3. chargée par Z ch . Ecrivez l’expression du courant de sortie IS en fonction de la tension différentielle d’entrée VD et tracez ce transfert.

o équations du circuit ⎧VD = VBE1 − VBE 2 ⎪ ⎪V = R I pol + VBE5 + VBE 4 − VCC → ⎨ ⎪IC5o = I E1 + I E2 ⎪I = I − I C15 C12 ⎩S VBE1 ⎧ ⎪I ≅ β I e UT BS ⎪ C1 équations technologiques Q1 ≡ Q2 → ⎨ VBE2 ⎪ ⎪IC2 ≅ β I BS e UT ⎩ VD IC 5 IC 5 ⎛ VD o o ⇒ IC1 ≅ IC2 e UT d’où IC1 ≅ . Etude du régime pseudo-continu 2. IS ≅ IC1 − IC2 ≅ I pol th⎜ ⎜ 2U VD VD − T ⎝ 1 + e UT 1 + e UT ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ 3. ⇒ IS ≅ Sylvain Géronimi Page 278 Circuits intégrés . La source de Wilson étant un miroir de précision. Ce point de sortie doit être au potentiel 0 V en absence de dynamique (décalage de tension nul). - - constituant un buffer. Commentaire V − VBE5 − VBE 4 + VCC I pol = R V − 2VBE + VCC ⎛ VD ⎞ th⎜ ⎟ ⎜ 2U ⎟ R ⎝ T ⎠ Le transfert sera modifiable en retouchant la tension V et/ou la résistance R extérieure. les courants d’entrée de chacune d’elles sont reconduits en sortie et inversés. Expression du courant de sortie Les transistors sont identiques et β >> 1 .Q6 polarisant respectivement l’étage différentiel par le point commun des émetteurs de Q1 . Au niveau du continu. est l’association d’une source de Wilson Q3 . IC2 ≅ IC12 .Le circuit de polarisation. Ce circuit intégré peut donc être utilisé en amplificateur différentiel à conductance de transfert. La présence de la source de Wilson utilisant des transistors NPN permet d’inverser le sens du courant afin de reconduire la différence des courants issus des collecteurs de l’étage différentiel à la sortie S1 . attaquant en courant des miroirs de haute précision de type Wilson à transistors PNP. c’est-à-dire I pol ≅ IC5 (courant constant) et IC1 ≅ IC9 ≅ IC15 . . Description Le schéma se compose d’un étage de polarisation. L’étage différentiel est à comportement émetteur commun.Q4 Q5 et d’un miroir de courant élémentaire Q4 . Les courants de ces sources sont réglés par la résistance R et la tension de polarisation V (éléments hors puce). Une deuxième sortie S2 est proposée par le biais des deux montages émetteur suiveur Q16 . le potentiel de sortie est abaissé de 2VBE .Q17 . d’un étage différentiel associé à un transfert dynamique de courant et d’un étage darlington indépendant. IC 2 ≅ .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Compréhension du schéma 1. associé à un buffer. isolant la charge au point S1 et recopiant la tension aux bornes de celle-ci en sortie S2 .Q2 et l’étage collecteur commun Q16 . répétiteur de courant. La charge d’émetteur de Q17 peut alors être attaquée en tension.

zs >> Rch 2 rbe 6. Ai ≅ 1 β 2 avec les conditions rg >> ze . voir plus loin). IS ≅ IC1 − IC2 ≅ 0 IC1 = IC2 ≅ o o o o 2 Etude du régime dynamique purement différentiel (faibles signaux aux fréquences moyennes) 5.Ipol -500uA -200mV IS -150mV -100mV -50mV -0mV VD 50mV 100mV 150mV 200mV Etude du régime continu 4. Sylvain Géronimi Page 279 Circuits intégrés . Il s’en suit I pol . Courants de polarisation Aucune source dynamique n’étant appliquée à l’entrée du circuit. Caractérisation du miroir (voir problème « Source de Wilson pour transfert dynamique ») ie is ig ze rg ie zs Rch ze ≅ β rce . zs ≅ . Dans l’étude du régime pseudo-continu. Expression du courant de sortie IC1 ⎧ I pol β vd o ⎪i c1 ≅ vd ≅ = vd r U I pol 2 T 4 UT ⎪ be1 2 ⇒ i s ≅ i c1 − i c2 ≅ vd ⎨ 2 UT I pol β vd ⎪ ≅− vd ⎪i c 2 ≅ − r 4 UT be2 2 ⎩ car attaque en courant en sortie de l’étage différentiel rce1 et rce2 >> ze et de même entre miroirs zs >> ze (pour la sortie sur Rch . cela revient à poser VD = 0 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Si VD >> 2 UT ⇒ IS ≅ ± I pol 500uA Ipol tangente au point de polarisation (VD = 0) 0A zone linéaire . les bases des transistors Q1 et Q2 sont à la masse.

Le darlington est donc un buffer.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 7. sont montés en collecteur commun. située entre les bases des transistors Q1 et Q2 . vue entre le nœud S1 et la masse. Ceci montre que si les conditions d’adaptation suivantes sont respectées. is β rce vd Ze Yt vd Zs1 vs1 Zch ⎛ is Yt = ⎜ ⎜v ⎝ d I pol ⎞ ⎛ vd ⎟ ≅ . L’étage darlington présente une très importante résistance d’entrée ( ≅ β 2 Rch ) et une résistance de sortie très diminuée ( ≅ ZS1 β 2 << Rch ) permettant d’attaquer la charge en tension. haute impédance due à l’emploi de sources de Wilson 4 bien mieux adapté qu’un autre type de miroir. le quadripôle obtenu représente un amplificateur différentiel à conductance de transfert. Ze = ⎜ ⎟ ⎜i ⎠v s1 =0 2UT ⎝ e ⎛ v s1 ⎞ ⎟ = 2 rbe . Sylvain Géronimi Page 280 Circuits intégrés . à un décalage d’offset près de 2VBE vers la masse. Caractérisation du montage en sortie S1 La résistance différentielle d’entrée. Zs2 vd Ze Rch A v vd Le constructeur permet à l’utilisateur de recopier la tension nodale S1 aux bornes de la charge par le biais de l’adaptation en tension. s’écrit rbe1 + rbe2 . excursion très faible !) 8. est produite par deux miroirs en parallèle. soit zs // zs = . Q16 alimenté par le miroir de courant Q6 . et Q17 connecté à la charge. Caractérisation du montage en sortie S2 Les transistors. Linéarisation du transfert On peut calculer la pente à l’origine telle que v d (t ) << 2 UT ⎛ vd ⇒ th⎜ ⎜ 2U T ⎝ ⎞ vd ⎟ ⎟ ≅ 2U T ⎠ dI S ⎤ ⎥ dVD ⎦V = I pol = is vd D =0 2 UT ou encore considérer (voir le tracé. La résistance de sortie.Q4 . Z s1 = ⎜ ⎟ ⎜ i ⎠v s1 =0 ⎝ s ⎞ β rce ⎟ = ⎟ 4 ⎠v d = 0 9. attaque en tension en entrée ( rbe1 + rbe2 >> rg ) et attaque de la charge en courant ( β rce 4 >> Z ch ). C’est alors un amplificateur de tension.

3. Tracez les évolutions des potentiels nodaux des entrées de l’OTA2. en fonction des composants passifs et des tensions appliquées au circuit. R 4 et C sur les performances de l’oscillateur. 5. Sylvain Géronimi Page 281 Circuits intégrés . L’alimentation symétrique du montage est VCC = 15 V et la tension Vcom est la variable de commande du montage. répondant à la relation fVCO = K 0 Vcom + f0 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Application de l’amplificateur à conductance de transfert Dans le schéma apparaît le montage de l’étude précédente sous l’image symbolique suivante. écrivez les expressions de la fréquence libre f0 et le facteur de sensibilité K 0 . 4. 2. +VCC OTA1 + -VCC R1 30k OTA2 + Ipol1 C 200p -VCC +VCC R2 10k -VCC R3 25k Ipol2 R4 5k R5 10k vOUT Vcom +VCC -VCC 1. R3 . OTA + - +VCC buffer -VCC Ipol L’étude porte sur l’association en boucle de deux amplificateurs à conductance de transfert (OTA) avec leur buffer. Ecrivez l’expression de la période des oscillations. Evaluez ces paramètres. Discutez de l’influence des valeurs des composants passifs R1 . Expliquez le fonctionnement du montage sachant que les deux OTA travaillent ici à forts signaux d’entrée. Dans la considération d’un oscillateur contrôlé par la tension de commande Vcom (VCO).

v C (t ) = I pol1 C t + cte avec cte = v C (0) = − R 4 I pol 2 + 2VBE d’où v C (t ) = I pol1 C t − R 4 I pol 2 + 2VBE pour t ∈ [0. Ainsi. et comparé au signal carré à l’entrée de l’OTA2. la tension aux bornes du condensateur croît ou décroît linéairement suivant que le signal carré est sur son front haut ou son front bas et ceci de façon périodique. Ce signal est appliqué à l’entrée (+) de OTA1 et comparé à la masse et le condensateur C en sortie. Période des oscillations En prenant pour origine des temps. nodales v OTA 2 2 3. c’est-à-dire que les tensions Les basculements ont lieu lorsque v D (t ) = v OTA 2 2 + − = ± R 4 I pol 2 et v OTA = v C (t ) − 2VBE sont à peu près égales.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé 1. Le circuit est donc un oscillateur produisant deux signaux synchrones de forme carrée et triangulaire. t1 ] Sylvain Géronimi Page 282 Circuits intégrés . à la translation 2VBE près. le basculement − R 4 I pol 2 → + R 4 I pol 2 de la tension de sortie de OTA2. Il y a basculement lorsque les niveaux des signaux sont quasiment égaux ( v D (t ) ≅ 0 ). Chronogrammes + R 4 I pol 2 − v OTA 2 0 + v OTA 2 t1 t2 t − R 4 I pol 2 + − (t ) − v OTA (t ) ≅ 0 . Le signal carré v OUT (t ) est disponible en sortie de buffer sous faible impédance pour une attaque en tension. car v D (t ) >> 2 UT . Fonctionnement de l’oscillateur Les OTA travaillant à forts signaux. Si la tension Vcom est variable (modulation) . la fréquence de l’oscillateur est modifiée (VCO). Ce signal est recopié à la sortie du buffer de OTA1. le signal sur la résistance de charge R 4 de OTA2 est un signal carré de niveau ± R 4 I pol 2 par rapport à la masse. calculons les instants t1 et t 2 des basculements suivants. 2. le courant de sortie en fonction du temps est de la forme ⎛ v D (t ) ⎞ i S (t ) = I pol th ⎜ ⎜ 2U ⎟ ⎟ ≅ ± I pol . produit à ses bornes un signal triangulaire. A partir de l’instant t = 0 . T ⎠ ⎝ En régime permanent. chargé (ou déchargé) à courant constant.

5. v C (t1 ) = R 4 I pol 2 + 2VBE = I pol1 C t1 − R 4 I pol 2 + 2VBE ⇒ t1 = I pol1 C 2 C R 4 I pol 2 I pol1 I pol1 C t1 = 3 R 4 I pol 2 + 2VBE A partir de l’instant t1 . 12.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés A l’instant t1 du basculement suivant + R 4 I pol 2 → − R 4 I pol 2 .548m. v C (t 2 ) = − R 4 I pol 2 + 2VBE = − I pol1 C t 2 + 3 R 4 I pol 2 + 2VBE ⇒ t 2 = 4 C R 4 I pol 2 I pol1 Ainsi.371K) 100K (-12. 96.000. t 2 = 2 t1 = 4 C R 4 I pol 2 I pol1 = T (période des signaux) 4.440K) (15.000.280K) 50K 0 -12 1/ Period(V(OUT)) -8 -4 0 Vcom 4 8 12 15 Sylvain Géronimi Page 283 Circuits intégrés . Caractéristique du VCO fVCO ≅ I pol1 4 C R 4 I pol 2 avec I pol1 = 2VCC − 2VBE Vcom − 2VBE + VCC et I pol 2 = R1 R3 R3 VCC − 2VBE 4 C R1 R 4 2VCC − 2VBE de la forme fVCO = K 0 Vcom + f0 avec f0 ≅ et K 0 ≅ VCC f0 − 2VBE L’application numérique donne f0 ≅ 100 kHz et K 0 ≅ 7.89 kHz/V (20. t 2 ] A l’instant t 2 du basculement suivant − R 4 I pol 2 → + R 4 I pol 2 .23 kHz / V . VC (t ) = − d’où v C (t ) = − I pol1 C t + cte avec cte = VC (t1 ) + t + 3 R 4 I pol 2 + 2VBE pour t ∈ [t1. tension correspondant au centrage de la plage des fréquences possibles. 200K 150K K0 ≅ 6. 195. Discussion Les résistances R3 et R 4 réglent l’amplitude du signal carré. Le choix de la fréquence centrale f0 du VCO est fixée par la valeur de C et R1 avec la condition Vcom = 0V .

Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 10V (32.318u.7 V) et de la transition de IS = ± I pol en fonction de VD lors des basculements.6 V .8083) 28us V(C) 38us 40us La simulation montre des résultats en accord avec l’étude à la précision près des valeurs de VBE (0.8 kHz 2VBE 0 pente ≅ 2. -7. Pente du signal triangulaire VBE = 0. 5.21 V/µs -10V (36.6 à 0.76 V avec Sylvain Géronimi Page 284 Circuits intégrés .2086) 30us V(OTA2:+) .671u.3 V / µs et amplitude crête du signal carré R 4 I pol 2 ≅ 5. I pol1 C ≅ 2.V(OTA2:-) V(OTA2:+) 32us V(OTA2-) V(OUT) 34us Time 36us (37.706u.6410) Vcom = 0 V fosc ≅ 96. -5.

Evaluez les courants de collecteur des transistors. Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 4. Z s . 8.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Buffer et amplificateur à conductance de transfert (OPA660 de Burr-Brown) Le circuit à étudier intègre deux fonctions. 7. Evaluez les paramètres rbe et rce des modèles des transistors. L’alimentation symétrique du montage est telle que VCC = ± 5 V . Dessinez le schéma. Donnez une description précise du circuit. de tension d’Early VA = 100V . les courants de base seront négligés ( β grand ) et VA >> VCEo . Ecrivez la relation de la tension VS en fonction de VE et I pol . A v qui caractérisent l’amplificateur de tension en précisant les conditions d’adaptation à respecter. Les résistances R pol et Rch sont hors puce et la tension VE est appliquée à l’entrée du circuit. Tous les transistors sont supposés technologiquement identiques ou parfaitement complémentaires et de gain en courant β = 200 . un buffer et un amplificateur à conductance de transfert. Rch . Comparez au résultat obtenu lors de l’étude en régime pseudo-continu. 6. Ecrivez les expressions des résistances d’entrée Z e et de sortie Z s vue de la charge.6k Ipol vE Q5 Q7 vS Rch 1k Q1 Q2 -VCC Compréhension du schéma 1. Etude du régime pseudo-continu 2. Lors des calculs. 5. Etude du régime continu 3. Evaluez les paramètres Z e . Sylvain Géronimi Page 285 Circuits intégrés . Ecrivez l’expression du transfert en tension Av = v s v e . Etude du buffer de tension (Diamond Buffer) +VCC Q3 Q4 Q8 Q6 Rpol 17.

6k Ipol vE Q5 Q7 vS Rch 1k iS Q1 Q2 Q9 Q10 -VCC Compréhension du schéma 9.Q10 et Q11 . Ecrivez l’expression du transfert en tension Yt = i s v e . zs . Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 12. Y t qui caractérisent l’amplificateur à conductance de transfert en précisant les conditions d’adaptation à respecter.Q12 ( ze . 16. Dessinez le schéma. 14. Ecrivez la relation de la tension IS en fonction de VE et I pol . 15. Evaluez les paramètres rbe et rce des modèles des transistors. Etude du régime continu 11. Rappel de la notation : v E (t ) = VE + v e (t ) . 13. Donnez une description précise du circuit. Comparez au résultat obtenu lors de l’étude en régime pseudo-continu. Z s . Ai ). Etude du régime pseudo-continu 10. Evaluez les paramètres Z e . Evaluez les courants de collecteur des transistors. Ecrivez les expressions des résistances d’entrée Z e et de sortie Z s du montage. … (superposition des régimes continu et dynamique). Sylvain Géronimi Page 286 Circuits intégrés . ainsi que les éléments de la caractérisation des miroirs Q9 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude de l’amplificateur à conductance de transfert (Diamond Transistor) +VCC Q3 Q4 Q8 Q11 Q12 Q6 Rpol 17.

permettant une attaque en tension du montage.Q2 et Q3 . Description Le schéma se compose d’un étage de polarisation et de quatre étages collecteur commun. Une symétrie par rapport à la masse. l’intérêt de cette topologie réside dans l’association en cascade de deux émetteurs suiveurs complémentaires ( Q5 . permettant une attaque en tension de la charge. donc pas de translation de tension continue entre entrée et sortie ( VS ≅ VE ) et amélioration de la stabilité thermique (structure Diamond). Cette partie du circuit intégré est appelé Diamond Buffer. présentent un niveau de résistance d’entrée relativement élevé. .Q7 ) qui compensent leurs tensions base-émetteur en mode actif (ni saturés ou bloqués). Ici. Etude du régime pseudo-continu Les courants de saturation I BS des jonctions base-émetteur et les gains en courant β des transistors sont supposés identiques.Q8 et Q6 . L’association de ces émetteurs suiveurs conduit à un gain en tension unité.Le circuit de polarisation est composé de deux miroirs de courant élémentaire Q1 . l’effet Early est négligé. Relation VS (VE ) Pour les étages de polarisation : VBE1 ⎧ ⎪IC ≅ β I BS e UT ⎪ Q1 ≡ Q2 → ⎨ 1 (technologie) VBE2 ⎪ ⎪IC2 ≅ β I BS e UT ⎩ VEB3 ⎧ ⎪IC ≅ β I BS e UT ⎪ Q3 ≡ Q4 → ⎨ 3 (technologie) VEB4 ⎪ UT ⎪ ⎩IC4 ≅ β I BS e VBE1 = VBE 2 (circuit) ⇒ IC1 ≅ IC2 ≅ I pol VEB3 = VEB4 (circuit) ⇒ IC3 ≅ IC4 ≅ I pol Pour les étages émetteurs suiveurs VEB5 ⎧ VE −VS ⎪IC ≅ β I BS e UT ⎪ 5 Q5 ≡ Q8 → ⎨ (technologie) VE = −VEB5 + VBE8 + VS (circuit) ⇒ IC8 ≅ I pol e UT VBE8 ⎪ UT ≅ I β I e ⎪ BS ⎩ C8 Sylvain Géronimi Page 287 Circuits intégrés . Les étages collecteur commun Q7 et Q8 assurent une faible résistance de sortie. chargés en partie par une source de courant. - Les étages collecteur commun Q5 et Q6 .Q4 polarisant respectivement les transistors Q6 et Q5 . 2.Q8 ou Q6 . due aux transistors complémentaires fait apparaître une topologie parallèle de l’ensemble. Les courants de ces sources sont fixés par le choix de la résistance R pol . Nous démontrerons que l’association des transistors parfaitement complémentaires Q5 .Q7 produit ici les mêmes courants de polarisation.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Compréhension du schéma 1.

Schéma rce Q8 Q5 ve Q6 Q7 rce vs Rch Sylvain Géronimi Page 288 Circuits intégrés . rce ≅ 200 kΩ I pol I pol 5.6 V . Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 4. Evaluation des paramètres des modèles des transistors rbe ≅ UT V β et rce ≅ A ( VCEi << VA ) . Dans l’étude du régime pseudo-continu. soit rbe ≅ 10 kΩ .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés VBE6 ⎧ ⎪IC ≅ β I BS e UT ⎪ 6 Q6 ≡ Q7 → ⎨ (technologie) VEB7 ⎪ ⎪IC7 ≅ β I BS e UT ⎩ VE = VBE6 − VEB7 + VS (circuit) ⇒ IC7 ≅ I pol e − VE −VS UT Pour définir la tension de sortie VS ≅ Rch IC8 − IC7 ( ) V −V ⎛ VE −VS − E S ⇒ VS ≅ Rch I pol ⎜ e UT − e UT ⎜ ⎝ ⎞ ⎟ = 2 R I sh VE − VS ch pol ⎟ UT ⎠ ⎛ VE − VS ⇒ sh⎜ ⎜ U T ⎝ ⎞ VE − VS ⎟ ⎟≅ U T ⎠ Comme il a été dit lors de la discussion. UT 1+ 2 I pol Rch Etude du régime continu 3. Il s’en suit que tous les courants de collecteur sont égaux à I pol et la tension de sortie VS ≅ 0 . cela revient à poser VE = 0 . 2VCC = VEB3 + R pol I pol + VBE1 (circuit) ⇒ I pol ≅ 500 µA avec VBEo ≅ 0. Courants de polarisation Aucune source dynamique n’étant appliquée à l’entrée du circuit. les bases des transistors Q5 et Q6 sont à la masse. VS ≅ VE ou VE − VS << UT d’où VS ≅ 1 VE ≅ VE tant que les transistors travaillent en mode actif.

ce qui est la même expression que v e v s1 pour le transfert en régime pseudo-continu. chargés chacun par Z e2 . Résistances d’entrée et de sortie du montage Calcul de la résistance d’entrée Les étages collecteur commun Q7 ou Q8 présentent chacun la résistance d’entrée Z e2 = rbe + 2 (β + 1)(rce // rce // Rch ) .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 6. La résistance d’entrée du montage est donc celles des étages collecteur commun Q5 ou Q6 mis en parallèle. Expression du transfert en tension Etages collecteur commun Q5 ou Q6 i rbe βi ve rce /2 vs1 Z s1 r ⎧ rce v = rbe i + ce (β + 1)i (β + 1) ⎪ v s1 ⎪ e 2 2 ⇒ = ≅1 ⎨ rce ve ⎪v = rce (β + 1)i (β + 1) rbe + s ⎪ 2 ⎩ 1 2 i0 i rbe βi rce /2 i1 v0 ⎧i 0 + (β + 1)i = i1 ⎪ r r r rce ⎪ ⇒ Z s1 = ce // be ≅ be i1 ⎨v 0 = 2 β +1 β +1 2 ⎪ v = − r i ⎪ 0 be ⎩ Etages collecteur commun Q7 ou Q8 i Zs1 + rbe βi vs1 rce i Zs1 + rbe βi vs1 rce Rch vs Zs vs ⎧ ⎪v s1 = Zs1 + rbe i + 2 (β + 1)(rce // rce // Rch )i ⇒ 1 ≅1 ⎨ vs ⎪ ⎩v s = 2 (β + 1)(rce // rce // Rch )i ( ) (avec charge équivalente rce // rce // Rch ) Le transfert en tension global est donc v s1 v s ≅ 1 ou v s ≅ v e . soit Sylvain Géronimi Page 289 Circuits intégrés . 7.

Zs ≅ 25 Ω . Sylvain Géronimi Page 290 Circuits intégrés . 5. est produite par les deux étages collecteur rbe + Z s1 ⎞ rbe 1⎛ ⎟≅ .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Ze = 1⎡ ⎛ rce ⎞⎤ β ⎡ r // Ze2 ⎟⎥ ≅ ⎢ ce ⎢rbe + (β + 1)⎜ 2⎣ ⎝ 2 ⎠⎦ 2 ⎢ ⎣ 2 ⎛ ⎛ rce ⎞ ⎞⎤ ⎟ // ⎜ ⎜ 2 β ⎜ 2 // Rch ⎟ ⎟⎥ ⎠ ⎠⎥ ⎝ ⎝ ⎦ Calcul de la résistance de sortie La résistance de sortie. Ze ≅ 8 MΩ .0V -5. RG ve vg Ze Zs Rch A v ve avec les valeurs Av ≅ 1 . puisque la tension d’entrée maximale possible est voisine de la tension d’alimentation ±VCC .0V pente de 0. Caractérisation du buffer Les conditions d’adaptation à respecter pour ce type d’amplificateur en tension sont une attaque en tension en entrée ( Z e >> RG ) et en sortie ( Z s << Rch ). vue par la charge extérieure. 8. commun Q7 et Q8 en parallèle. soit Z s = ⎜ rce // ⎜ 2⎝ β +1 ⎟ ⎠ 2β L’association de cette résistance Z s en série avec une source de tension indépendante v s constitue le dipôle équivalent de Thévenin pouvant attaquer la charge du montage.983 V/V VS (VE) 0V saturation et blocage des transistors saturation et blocage des transistors -5.0V fonctionnement en mode actif des transistors 0V 5.0V Nous constatons que le domaine de linéarité est très étendu.

Courants de polarisation Tous les courants de collecteur sont égaux à I pol et le courant de sortie IS ≅ 0 . - Les deux miroirs en parallèle produisent en sortie une résistance dynamique relativement importante pour attaquer une charge en courant. U Rch + T 2 I pol ( ) Pour les étages de transfert de courant VBE9 ⎧ ⎪IC ≅ β I BS e UT ⎪ 9 Q9 ≡ Q10 → ⎨ (technologie) VBE10 ⎪ UT ⎪ ⎩IC10 ≅ β I BS e VEB11 ⎧ ⎪IC ≅ β I BS e UT ⎪ → ⎨ 11 (technologie) VEB12 ⎪ UT ⎪ ⎩IC12 ≅ β I BS e VBE9 = VBE10 (circuit) ⇒ IC9 ≅ IC10 Q11 ≡ Q12 VEB11 = VEB12 (circuit) ⇒ IC11 ≅ IC12 Pour définir le courant de sortie ⎧IS = IC − IC 12 10 ⎪ VS VE V 1 ⎪ ≅ E ou encore IS ≅ ⎨IC12 ≅ IC11 ≅ IC8 ⇒ IS ≅ IC8 − IC7 ≅ U Rch Rch Rch T ⎪ 1+ ⎪ 2 I pol Rch ⎩IC10 ≅ IC9 ≅ IC7 tant que les transistors travaillent en mode actif. Etude du régime pseudo-continu 10. Relation IS (VE ) Pour définir la tension de sortie du buffer (émetteurs suiveurs en mode actif) Rch VS ≅ Rch IC8 − IC7 ou VS ≅ VE ≅ VE . fait toujours apparaître une topologie parallèle. Etude du régime continu 11. Ce circuit intégré peut donc être utilisé en amplificateur à conductance de transfert.Q10 et Q11 . Sylvain Géronimi Page 291 Circuits intégrés . .Q12 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Compréhension du schéma 9. Cet ensemble étant complémentaire par rapport à la masse. due aux transistors complémentaires. Description Le schéma est conçu sur la même idée que le buffer étudié précédemment (structure Diamond).Les étages émetteur suiveur Q7 et Q8 reconduisent leur courant de collecteur vers la sortie par le biais des miroirs Q9 . le courant de sortie i S est la différence de leurs courants de collecteur. La symétrie par rapport à la masse de l’ensemble. Il vient s’ajouter un transfert statique et dynamique de courant vers la nouvelle sortie.

Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 12. Expression de la conductance de transfert Etages collecteur commun Q5 ou Q6 (inchangé) Etages collecteur commun Q7 ou Q8 Les schémas des deux étages étant identiques. Evaluation des paramètres des modèles des transistors et des quadripôles de transfert de courant rbe ≅ 10 kΩ . Etages de transfert en courant i s ≅ − (i1 + i 2 ) = − 2 i1 ⇒ i s ≅ − (i1 + i 2 ) = − 2 i1 ≅ ve Rch (courant de court-circuit à l’image du théorème de Norton) Sylvain Géronimi Page 292 Circuits intégrés . β rce >> 2 Rch et Z s1 + rbe . chacun débite un même courant constituant le courant i n traversant la charge. zs = rce ≅ 200 kΩ . Ai = ≅1 β +2 β +2 13. Schéma ≅ i1 rce ze i1 Q8 Q5 in vs Q7 i2 rce ze zs ≅ i2 is zs ve Q6 Rch 14. i Zs1 + rbe βi vs1 rce Rch β i + i1 i1 ze vs in /2 in /2 ⎧v s1 = Z s1 + rbe i + rce (i1 + β i ) + ze i1 ⎪ ⎨rce (i1 + β i ) + ze i1 = Rch i n ⎪i = 2 (i − i ) 1 ⎩n ( ) ⎧ ⎪v s = Z s1 + rbe + β rce i + (rce + ze )i1 ⇒ ⎨ 1 ⎪ ⎩(rce + ze + 2 Rch )i1 = (2 Rch − β rce )i ( ) ⎡ ⎤ r + ze + 2 Rch + rce + ze ⎥ i1 ⇒ v s1 = ⎢ Z s1 + rbe + β rce ce R r − 2 β ch ce ⎣ ⎦ ( ) soit i1 1 ≅− v s1 2 Rch avec rce >> ze . rce ≅ 200 kΩ et ze = rbe β ≅ 50 Ω .

16. les transferts en tension et en courant ont même expression en régime pseudo-continu et en régime dynamique à condition de rester dans le mode actif des transistors. Sylvain Géronimi Page 293 Circuits intégrés . De plus.0V Nous constatons que le domaine de linéarité est très étendu.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés soit Yt = is 1 ≅ v e Rch (même expression que pour le transfert en régime pseudo-continu).0mA -5. Z e ≅ 8 MΩ . Caractérisation de l’amplificateur à conductance de transfert Les conditions d’adaptation à respecter pour ce type d’amplificateur sont une attaque en tension en entrée ( Z e >> RG ) et une attaque de la charge en courant ( Z s >> Rch ). 2 L’association de cette résistance Z s en parallèle avec une source de courant indépendante i s constitue le dipôle équivalent de Norton pouvant attaquer la charge du montage. Calcul de la résistance de sortie La résistance de sortie est produite par deux miroirs en parallèle.0mA IS (VE) pente de 0. Z s ≅ 100 kΩ . Par contre. Résistances d’entrée et de sortie du montage La résistance d’entrée du montage est inchangée (voir l’étude du buffer).0V 0V 5. 15. puisque la tension d’entrée maximale possible est voisine de la tension d’alimentation ± VCC . soit Zs = rce10 // rce12 = rce . is ve Ze Yt ve Zs vs Rch avec les valeurs Yt ≅ 1 mA / V .973 mA/V 0A saturation et blocage saturation et blocage fonctionnement en mode actif des transistors -5. l’étude du régime pseudo-continu est la seule étude à délimiter les domaines de linéarité. 5.

Corrigé Application n°1 1. Dans les schémas apparaît le montage de l’étude précédente sous l’image symbolique suivante. Nous proposons trois applications de base de l’amplificateur qui démontrent une équivalence de comportement avec les montages fondamentaux traditionnels. IS ≅ 0 ⇒ VOUT ≅ 0 Régime dynamique aux faibles signaux v R r v v e ≅ v in . Ce quasi-transistor possède trois bornes : une entrée à haute impédance (base). 2. c’est une source de courant commandée par une tension. Z s ≅ ce // Rch ≅ Rch 2 RE v in RE Sylvain Géronimi Page 294 Circuits intégrés .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Applications de l’amplificateur à conductance de transfert L’amplificateur à conductance de transfert peut être vu comme un « transistor auto-polarisé ». VOUT = Rch IS ⇒ OUT ≅ ch UT UT RE RE VIN RE 1+ 1+ 2 I pol RE 2 I pol RE Régime continu VE ≅ VIN = 0 (base à la masse). C B E Application n°1 iS C B vIN iS RE vE E Rch Application n°2 Application n°3 iS vOUT C B vIN E iS B C Rch vOUT E Rch vOUT RE vIN 1. v out ≅ Rch i s ≅ Rch in ⇒ out ≅ ch . puisque par définition. IS ≅ ≅ E . Déterminez le transfert en tension des montages suivants. une entrée/sortie à basse impédance (émetteur) et une sortie de courant (collecteur). Transfert en tension Régime pseudo-continu V R VE V 1 1 VE ≅ VIN ≅ VIN . Comparez avec les caractéristiques des montages fondamentaux.

IS ≅ 0 ⇒ VOUT ≅ 0 Régime dynamique aux faibles signaux v R v i s ≅ − in . De plus.6 V de la tension de sortie en régime continu. Application n°3 1. comparable à un montage collecteur commun sans translation de 0. Sylvain Géronimi Page 295 Circuits intégrés . Sa résistance de sortie est de valeur importante (source de courant). Sa résistance d’entrée est de valeur faible et sa résistance de sortie de valeur importante. Comparaison Le montage est un amplificateur suiveur (buffer).6 V de la tension de sortie en régime continu. Sa résistance d’entrée est de valeur importante et sa résistance de sortie de valeur faible. comparable à un montage pseudo-émetteur commun (inverseur) sans translation de l’ordre 0. comparable à un montage base commun (non inverseur) sans translation de la tension de sortie en régime continu.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 2. l’amplificateur travaille en convoyeur de courant de gain unité. v out ≅ Rch i s ⇒ out ≅ − ch . Application n°2 1. VOUT = Rch IS ⇒ OUT ≅ − ch RE VIN RE Régime continu VIN = 0 . Transfert en tension Régime pseudo-continu V R V IS ≅ − IN . Z s ≅ be 2β 2. Z s ≅ Rch RE v in RE 2. Comparaison Le montage est un amplificateur non inverseur. Comparaison Le montage est un amplificateur inverseur. Transfert en tension Régime pseudo-continu 1 VOUT ≅ VIN ≅ VIN UT 1+ 2 I pol Rch Régime continu VIN = 0 (base à la masse) ⇒ VOUT ≅ 0 Régime dynamique aux faibles signaux r v out ≅ v in .

Evaluez les courants de collecteur des transistors. +VCC Q5 Q6 Q9 Q10 Q12 Q11 Q19 Q3 Ipol Q1 iN R 57. les courants de base seront négligés ( β grand ) et VA >> VCEo .F. La résistance R est hors puce et la tension VE est appliquée à l’entrée du circuit.. Sylvain Géronimi Page 296 Circuits intégrés . Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences moyennes 3. Etude du régime continu 2. de tension d’Early VA = 100V . Dessinez le schéma du circuit intégré en prenant en compte les éléments précédents. La capacité C correspond à un effet parasite en H. L’alimentation symétrique du montage est telle que VCC = ± 15 V . 4. ainsi que les éléments de la caractérisation des sources de courant.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Amplificateur à contre réaction de courant (LT1223 de Linear Technology) Tous les transistors de ce circuit intégré sont supposés technologiquement identiques ou parfaitement complémentaires et de gain en courant β = 200 . Lors des calculs. Evaluez les paramètres rbe et rce des modèles des transistors.6k vE C Q2 vN Q17 vS Q4 Q18 Q15 Q20 Q14 Q7 Q8 Q13 Q16 -VCC Compréhension du schéma 1. Donnez une description précise du circuit.

Evaluez ces paramètres.Q4 et leurs charges. Sylvain Géronimi Page 297 Circuits intégrés . du gain de transfert en tension α1 = v n v e dans des conditions idéales d’adaptation en tension à l’entrée et chargé par une résistante Rch1 à la sortie.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 5. écrivez les expressions des impédances de transfert Z t ( p ) et de sortie Z s2 ( p ) .Q20 et le circuit d’attaque.Q18 . Etude du régime dynamique faibles signaux aux fréquences hautes 7. Dessinez le schéma de l’ensemble du circuit en utilisant les paramètres de caractérisation obtenus.Q2 . Evaluez ces paramètres. 8. En considérant uniquement la partie de circuit composée des transistors Q1 . écrivez les expressions de la résistance de transfert Rt = v s i n à vide (charge infinie). 6. En considérant uniquement la partie de circuit composée des transistors Q17 . écrivez les expressions des résistances d’entrée Re1 et de sortie Rs1 . et de sortie Rs2 .Q3 . En ne considérant que l’effet dû à la capacité parasite C.Q19 .

Ici. présentent un niveau de résistance d’entrée relativement élevé. Le buffer de sortie Q17 .Q11 et Q13 .Q12 et Q14 . il déséquilibre les entrée de Q1 et Q2 en générant un courant de décalage. La symétrie par rapport à la masse de l’ensemble.Q19 . Q3 et Q4 assurent une faible résistance de sortie au niveau de leurs émetteurs. - Le circuit de polarisation est composé de deux miroirs de courant élémentaire Q5 . Le buffer d’entrée est constitué de quatre transistors Q1 .Q15 ) de manière à ce qu’il traverse une charge dynamique complexe de valeur très importante (résistances de sortie des sources Wilson en parallèle avec la capacité parasite C). La tension développée aux bornes de la charge à l’entrée du buffer est recopiée à sa sortie. Q1 et Q2 . présent en amont. l’intérêt de cette topologie réside dans l’association en cascade de deux émetteurs suiveurs complémentaires ( Q1 . Ce faible courant est transmis à une forte impédance dynamique dont la tension résultante est recopiée en sortie (à l’adaptation près). Le faible courant différentiel en sortie du buffer est reconduit par effet miroir (sources de Wilson Q9 .Q3 ou Q2 . permettant une attaque en tension du montage.Q3 . + VCC I1 transfert de courant I1 buffer +1 N C I2 . L’association des transistors parfaitement complémentaires Q1 . - - - En résumé.Q4 ) qui compensent leurs tensions base-émetteur en mode actif (ni saturés ou bloqués).Q4 reconduit ces courants de polarisation à l’entrée des deux répétiteurs de courant à effet miroir (miroirs élémentaires et Wilson) pour polariser les transistors Q17 et Q18 en association avec Q19 et Q20 . conditionne les courants du circuit intégré.Q2 . donc pas de translation de tension continue entre entrée et sortie ( VS ≅ VE ) et amélioration de la stabilité thermique (structure Diamond). due aux transistors complémentaires. si un signal est appliqué à l’entrée.Q10 . subit un transfert vers l’entrée d’un second buffer.Q14 .Q16 ).VCC transfert de courant +1 S buffer E I2 Sylvain Géronimi Page 298 Circuits intégrés .Q18 . chargés en partie par une source de courant.Q20 possède une topologie à l’image du buffer d’entrée à l’apport d’un transfert en courant près (miroirs élémentaires Q10 . Les caractéristiques dynamiques des buffers sont fonctions des conditions d’attaque et de charge. L’association de ces émetteurs suiveurs conduit à un gain en tension unité. Un étage de polarisation. fait apparaître une topologie parallèle.Q3 et Q2 . dépendant de sa charge.Q4 montés en collecteur commun. Description Le schéma se compose d’un buffer en entrée (étage tampon de gain en tension unité) dont le courant de sortie.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Compréhension du schéma 1. permettant une attaque en tension de la charge.Q8 imposant respectivement les courants de collecteur des transistors Q1 et Q2 . Les courants de ces sources sont fixés par le choix de la résistance R.Q6 et Q7 .

Evaluation des paramètres des modèles des transistors et des quadripôles de transfert de courant U V rbe ≅ T β et rce ≅ A ( VCEi << VA ) . IC17 = IC19 ≅ I pol et IC18 = IC20 ≅ I pol . Ai' ≅ 1 (miroirs élémentaires) 4. VBE i Les transistors étant technologiquement identiques. les bases des transistors Q1 et Q2 sont à la masse. les courants de polarisation sont reconduits par les miroirs Q10 . VE = − VEB1 + VBE3 + VN ⇒ VEB1 = VBE3 ⇒ IC1 = IC3 ≅ I pol et VBE 2 = VEB4 ⇒ IC2 = IC4 ≅ I pol . soit rbe ≅ 10 kΩ et rce ≅ 200 kΩ I pol I pol ze = 2 rbe β ≅ 99 Ω .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude du régime continu 2. Pour le buffer d’entrée. Sylvain Géronimi Page 299 Circuits intégrés .16 = 200 kΩ . Ai ≅ 1 (sources de Wilson) β +2 2 ' zs = rce12. zs ≅ rce ≅ 20 MΩ . Schéma ≅ i1 rce ze i1 Q3 Q1 in vn Q4 i2 rce ze zs ≅ i2 zs ≅ i1 rce Q19 Q17 ve Q2 C Q18 Q20 rce vs ≅ i2 buffer d’entrée transfert en courant buffer de sortie La symétrie du schéma conduit à i1 = i 2 . Pour le buffer de sortie. Il s’en suit que tous les courants de collecteurs sont égaux à I pol et les tensions de sortie VN ≅ 0 et VS ≅ 0 (symétrie complémentaire). Courants de polarisation Aucune tension n’étant appliquée à l’entrée du circuit. ICi ≅ β I BS e UT .Q12 et Q14 .Q16 . Le courant de polarisation est calculé à partir de l’écriture de la maille 2VCC = VEB5 + R I pol + VBE7 d’où I pol ≅ 500 µA avec VBEo ≅ 0.6 V . Etude du régime dynamique (faibles signaux aux fréquences moyennes) 3.

Caractérisation du buffer d’entrée i rbe βi rbe rce /2 i’ β i’ rce in /2 in 2i i1 ze ve i rbe βi rbe rce /2 i’ β i’ in /2 vn rce i1 ze Evaluation du transfert en tension à vide Etages collecteur commun Q1 ou Q2 i rbe βi ve rce /2 vs1 zs1 r ⎧ v = rbe i + ce (β + 1)i ⎪ ⎪ e 2 ⎨ r ⎪v = ce (β + 1)i s ⎪ ⎩ 1 2 vs (β + 1)rce ≅ 1 ⇒ 1 = 2 rbe + (β + 1)rce ve i0 i rbe βi rce /2 i1 v0 ⎧i 0 + (β + 1)i = i1 ⎪ r r r rce ⎪ ⇒ zs1 = ce // be ≅ be i1 ⎨v 0 = 2 β + 1 β +1 2 ⎪ v = − r i ⎪ be ⎩ 0 Etages collecteur commun Q3 ou Q4 i’ zs1 + rbe β i’ vs1 i1 ze rce vn ⎧v s1 = zs1 + rbe i '+ rce (β + 1)i '+ ze i1 ⎪ ⎨v n = rce (β + 1)i '+ ze i1 ⎪i = i ' ⎩1 ( ) ⇒ rce (β + 1) + ze v v v s1 vn ≅ 1 (à vide) = ≅ 1 d’où α 1 = n = n v s1 zs1 + rbe + rce (β + 1) + ze v e v s1 v e Sylvain Géronimi Page 300 Circuits intégrés .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 5.

Evaluation de la résistance d’entrée L’évaluation de la résistance d’entrée est fonction de la résistance de charge Rch1 du buffer. Sylvain Géronimi Page 301 Circuits intégrés . chargés chacun par ze2 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Evaluation de la résistance de sortie i0 i’ zs1 + rbe i1 ze β i’ rce v0 ⎧i + (β + 1)i ' = β i '+ i 1 ⎪0 ⎪ ⎨v 0 = − rbe + zs1 i ' ⎪ ⎪ ⎩rce (β i '+i1 ) + ze i1 + rbe + zs1 i ' = 0 ( ) ( ) ⎧i = i − i ' 0 1 ⎪ ⎪ ⇒ ⎨v 0 = − rbe + zs1 i ' ⎪ ⎪ (ze + rce ) i1 + rbe + zs1 + β rce i ' = 0 ⎩ ( ( ) ) v0 ⎧ ⎪i 0 = i1 + r + z be s1 ⎪ ⇒ ⎨ v0 ⎪ (z + r ) i = r + z + β r be s1 ce ⎪ e ce 1 r be + zs1 ⎩ ( ) ⇒ v0 = i0 1+ rbe + zs1 + β rce ze + rce rbe + zs1 ≅ rbe + zs1 β +1 d’où Rs1 ≅ rbe + zs1 2 (β + 1) ≅ 25 Ω . soit Re1 = 1⎡ ⎛ rce ⎞⎤ // ze2 ⎟⎥ ⎢rbe + (β + 1)⎜ 2⎣ 2 ⎝ ⎠⎦ Les valeurs limites de cette résistance sont 0.92 MΩ ≤ Re1 ≤ 10 MΩ pour 0 ≤ Rch1 ≤ ∞ . i’ rbe β i’ v0 rce Rch1 β i’ + i1 i1 ze vn in /2 in /2 ⎧v 0 = rbe i '+rce (β i '+ i1 ) + ze i1 ⎪ ⎨Rch1 i n = rce (β i '+ i1 ) + ze i1 ⎪ ⎩i n = 2 (i '−i1 ) ⎧ ⎪v 0 = (rbe + β rce ) i '+ (rce + ze )i1 ⇒ ⎨ ⎪ ⎩ rce + ze + 2 Rch1 i1 = 2 Rch1 − β rce i ' ( ) ( ) ⇒ ze2 = rbe + β rce + (rce + ze ) 2 Rch1 − β rce rce + ze + 2 Rch1 ⎞ ⎛r ≅ rbe + 2 (β + 1)⎜ ce // Rch1 ⎟ ⎠ ⎝ 2 La résistance d’entrée du montage est donc celles des étages collecteur commun Q5 ou Q6 mis en parallèle.

i n Le schéma du buffer étant symétrique. Expressions des courants i1 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Le buffer peut être représenté sous la forme du quadripôle suivant : in Rs1 ve Re1 vn α1 ve Rch1 vn = R α 1v e (en charge) R + Rs1 Les conditions d’adaptation à respecter pour ce type d’amplificateur en tension sont une attaque en tension en entrée ( Re1 >> RG ) et en sortie ( Rs1 << R ). i 2 .Q3 et Q2 . les étages suiveurs Q1 . Caractérisation de l’étage amplificateur à résistance de transfert rbe i βi 2i in rbe i’ β i’ rce /2 i’’ in /2 rce Rn rbe i βi rbe i’ β i’ vs rce /2 i’’ in /2 rce Evaluation de la résistance de transfert à vide La sortie des sources de Wilson (étages de transfert en courant) fait apparaître un circuit sous forme de Norton. tel que i n ≅ − (i1 + i 2 ) = − 2 i1 et Rn = zs = 10 MΩ . attaquant le second buffer. 2 Rch1 + Rs1 6.Q4 débitent un même courant ( i1 = i 2 ) constituant le courant i n traversant la résistance de charge Rch1 . 2 Sylvain Géronimi Page 302 Circuits intégrés . ⎧Rch1 i n = rce (β i '+ i1 ) + ze i1 ⎪ ⎨ ⎪ ⎩i n = 2 (i '−i1 ) Rch1 Rch1 + Rs1 ⇒ 2 i1 = avec (β + 1)rce >> ze et β rce >> 2 Rch1 Rch1 i n = (β + 1)rce + ze 2 Rch1 − β rce in ≅ − β in ≅ − in β +1 α 1v e d’où i1 = i 2 ≅ − ve in et i n ≅ .

3 kHz ) Zn ( p) = r r ⎞ ⎛ 1 + be C p ⎟ 1 + be C p rce 2 Z n ( p ) + rbe rce ⎜ R 2 n 2 2 ⎟ ≅ zs avec Z s1 ( p ) = // // ⎜ ≅ 1 zs β +1 2 2 ⎜ β + 1 1 + Rn C p ⎟ ⎟ ⎜ 1 + (β + 1) 1 C p ⎠ ⎝ 2 Sylvain Géronimi Page 303 Circuits intégrés .8 kHz et f2 ≅ 6. rce rce ⎡ ⎤ ( ) R 2 1 + + β ( ) + 1 β n ⎢ ⎥ 2 2 (β + 1) ⎢1 + 2 ⎥ +1 R 2 n ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎣ ⎦ Evaluation de la résistance de sortie ( v e = 0 ⇒ i n = 0 ) R s2 = 1 2 ⎛ zs1 + rbe ⎞ zs1 + rbe rce 2 Rn + rbe ⎜ ⎟ ⎜ β + 1 // rce ⎟ ≅ 2 (β + 1) ≅ 149 Ω avec zs1 = 2 // β + 1 ≅ 50 kΩ ⎝ ⎠ 7.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés in ⎧ '' ' ⎪(β + 1)i + 2 = i + i ⎪ ⎪[r + r (β + 1)]i ' = rce i '' ⎪ be ce 2 ⎨ ⎪ rce '' i ⎪R n (i n − 2 i ) = rbe i + 2 ⎪ ⎪v s = rce (β + 1)i ' ⎩ ⎧⎡ rce ⎤ ' rce (β + 1)i + rce i n i = ⎪⎢rbe + rce (β + 1) + ⎥ 2 ⎦ 2 4 ⎪⎣ ⎪ ' ⇒ ⎨R n i n = (2 Rn + rbe ) i + [rbe + rce (β + 1)]i ⎪ ' ⎪v s = rce (β + 1)i ⎪ ⎩ rce ⎡ rce ⎤ ⎧ (β + 1)⎫ ⎪ ⎢ 2 (β + 1)Rn rce ⎥ ⎪ rce vs ⎪ ⎪ 2 ⇒ ⎨rbe + rce (β + 1) + =⎢ + + [rbe + rce (β + 1)] ⎥ in ⎬ 2 2 Rn + rbe ⎪ rce (β + 1) ⎢ 2 Rn + rbe 4 ⎥ ⎪ ⎪ ⎪ ⎢ ⎥ ⎭ ⎣ ⎩ ⎦ ⎡ rce ⎤ ⎢ 2 (β + 1)Rn rce ⎥ v rce (β + 1) + d’où Rt = s = ⎢ ⎥ rce in 2 Rn + rbe 4 ⎥ ⎡ ⎤ ⎢ (β + 1)⎥ r ⎢ ⎢ ⎥ ⎦ ce ⎣ [rbe + rce (β + 1)] ⎢1 + 2 ⎥+ + R r 2 2 n be ⎥ ⎢ ⎢ ⎥ ⎣ ⎦ rce rce (β + 1)(β + 2) (β + 2)Rn 2 Rt ≅ ≅ 2 ≅ 5. d’où l’impédance de transfert à vide et l’impédance de sortie 1 + Rn C p rce rce (β + 2)Rn (β + 2)Rn Rt 1 2 Zt ( p) ≅ = 2 ≅ rce rce rce 1 + Rt C p (β + 1)(1 + Rn C p ) 2 Rn + (β + 1) (β + 1)Rn C 2 Rn + 2 2 1+ 2 p r 2 Rn + ce (β + 1) 2 p 1+ Z s1 ( p ) + rbe zs1 + rbe rbe ω1 1 Z s2 ( p ) ≅ = R s2 avec ω1 = et ω2 = ω1 ≅ p z z 2 (β + 1) rbe + zs1 s s 1+ ( ( β + 2) 1 rbe C β + 1) 1 C ω2 2 2 ( f1 ≅ 37.03 MΩ avec rbe << 2 R n et rce (β + 1) . Etude aux fréquences hautes L’introduction de la capacité parasite en parallèle sur Rn conduit à une charge complexe Rn .

Rs 2 ≅ ω1 rbe + zs1 Notons que l’influence des buffers en fonction de la fréquence est négligée. Caractérisation de l’amplificateur à contre-réaction de courant ve +1 Zs2 (p) in Rs1 vs Zt (p) in vn Sylvain Géronimi Page 304 Circuits intégrés . La stabilité ne peut être étudiée ici. 8. les montages collecteur commun présentant une large bande importante.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés L’impédance de sortie demeure constante au-delà de la fréquence du zéro ( f >> f1 ) à la valeur ' = Rs 2 rbe ω2 Rs2 ≅ 25 Ω .

3. En ne considérant que l’effet de la capacité parasite. Concluez sur l’originalité de ce type de circuit. + + ve symbole R1 R2 vs 1.8 kHz et f2 ≅ 6. déterminez la fréquence de coupure haute.3 kHz ) ω2 ' Une approche directe de la fréquence de coupure peut être effectuée en prenant Z s2 ( p ) ≅ Rs 2 pour des fréquences très élevées (>> 1 MHz).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Application de l’amplificateur à contre réaction de courant Le circuit intégré de l’amplificateur à contre réaction de courant figure sous l’image symbolique suivante au sein des datasheets. Gain en tension aux fréquences moyennes v e − Rs1 i n Rt i n − v s ⎧ − ⎪i n = R1 R s2 ⎪ ⇒ ⎨ ⎪v = v − R i + Rt i n − v s R e s1 n 2 ⎪ s Rs 2 ⎩ ve v + s ⎛ Rt R 2 ⎞ R1 Rs2 R ⇒ vs = ve + ⎜ − Rs1 ⎟ − 2 vs ⎜ Rs ⎟ Rs1 Rt R s2 2 ⎝ ⎠ 1+ + R1 Rs2 ⎧i n = i1 − i 2 ⎪ ⎪v e ≅ Rs1 i n + R1 i1 ⎨ ⎪v s = Rt i n − Rs2 i 2 ⎪v = R i + R i 1 1 2 2 ⎩ s ⎡ Rs ⎡ Rt Rt ⎛ R2 ⎞ Rs1 ⎤ R ⎟ + 2 +⎜ 1+ ⇒ ⎢1 + 1 + ⎥ v s = ⎢1 + ⎜ ⎟ R1 Rs2 Rs2 ⎝ R1 ⎠ Rs2 ⎥ ⎢ ⎢ ⎣ ⎦ ⎣ Rs 2 ⎛ R s2 K ⎜1 + ⎜ K Rt v ⇒ s = ⎝ R ve 1+ x Rt ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ ⎛ R2 ⎞⎤ ⎜ ⎜1 + R ⎟ ⎟⎥ v e 1 ⎠⎥ ⎝ ⎦ en posant K = 1 + ⎛ Rs1 ⎞ R2 ⎟ et R x = ⎜ ⎜1 + R ⎟ Rs2 + R 2 + K Rs1 . Réponse aux fréquences hautes 1+ 1+ p Rt Zt ( p) ≅ et Z s2 ( p ) ≅ Rs2 1 + Rt C p ω1 p ( f1 ≅ 37. Déterminez le transfert en tension du montage aux fréquences moyennes. Sylvain Géronimi Page 305 Circuits intégrés . R1 1 ⎠ ⎝ 2. Corrigé 1. 2.

Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés ' Rs C 2 ' ' ⎛ ⎞ ⎛ Rs 2 ⎟ K ⎜ 1 + R s2 K ⎜1 + ⎜ K Zt ( p) ⎟ ⎜ K Rt V ( p) ⎠= ⎝ d’où s ≅ ⎝ Rx R Ve ( p ) 1+ 1+ x Zt ( p ) Rt K p ⎞ 1+ ' ' Rs ⎟ Rs C 2 1+ ⎟ 1+ 2 p K R ⎠ t K ≅K 1 + (R x // Rt )C p 1+ Rx C p ⎞ ' ⎟ Rs + R 2 + K R s .27 2.7 R1 = 83 Ω 20 R1 = 187 Ω K = 10 K=5 (30. Les coupures dues aux pôle et zéro sont respectivement fc ≅ et fz ≅ ' 2π Rx C 2 π Rs C 2 ⎛ Rs1 ' << K Rt et R x << Rt avec R x = ⎜ car Rs 2 ⎜1 + R 1 ⎝ Ce pôle est évidemment un pôle dominant vis-à-vis des effets capacitifs des transistors en montage collecteur commun et sa valeur fluctue légèrement en fonction des résistances de contre réaction (voir tableau plus loin).8 fz (GHz ) 1.10.0MHz Frequency 10MHz 100MHz 1.5 35.16.37 12. 1 ⎟ 2 ⎠ 1 K .486M . Aux hautes fréquences.923) (34. le gain en tension en boucle fermée s’écrit donc vs R ≅ 1+ 2 = K . La notion de produit gain bande passante n’a plus lieu. Il y a intérêt à prendre des valeurs faibles pour ces dernières afin d’obtenir une large bande passante.406M .9676) (38.656M . -3.8 38. Rs ≅ 25 Ω 2 R1 (Ω) ∞ 750 187 83 Simulation : 30 R2 (Ω) 750 750 750 750 K 1 2 5 10 R x (Ω) 800 826 904 1033 fc (MHz) 39.479M. 3.55 6. Originalité du circuit intégré Aux fréquences moyennes. ce rapprochement n’est plus à faire puisque la fréquence de coupure en boucle fermée est uniquement fonction du paramètre R x .863) R1 = 750 Ω R1 = ∞ K=2 K=1 (37.0GHz Sylvain Géronimi Page 306 Circuits intégrés .2.0174) 0 R2 = 750 Ω -20 10KHz DB(V(S)) 100KHz 1. C’est l’originalité de ce type d’amplificateur de tension. ' Application numérique : Rs1 ≅ 25 Ω . ve R1 Cette expression est identique à celle obtenue avec un amplificateur de tension à contre réaction tension-tension.2 30.

3. Ecrivez l’expression des courants IC2 et IC3 en fonction de la tension différentielle d’entrée VD et de la source de courant I1 . Conception du circuit de polarisation 6. VCC 5V I1 100µA I2 100µA Rch Q2 (+) Q1 VD Q3 (-) Q4 5k Q8 Q7 VS Q5 Q6 Compréhension du schéma 1. Tous les transistors sont supposés identiques ou parfaitement complémentaires ( β >> 1 ) et la tension d’Early est négligée ( VA = ∞ ). 5. Même question pour une valeur de VD << 2 UT . Pour une valeur de VD >> 2 UT . Donnez une description précise du circuit. 4. Sylvain Géronimi Page 307 Circuits intégrés . Le but est de décrire le transfert en tension provoqué par un signal carré à l’entrée du montage au sein d’une étude à forts signaux. expliquez les modes de fonctionnement des transistors Q5 .5 et I ES = 1 fA . Commentez ce résultat. Tracez ce transfert. avec les paramètres α F ≅ 1 . Q7 et Q8 . Dessinez le circuit représentatif des sources de courant I1 et I 2 en employant des résistances dont les valeurs n’excèdent pas 20 kΩ. Le modèle mathématique d’Ebers-Moll sera utilisé à cause du comportement non linéaire des transistors. α R ≅ 0. Q6 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Comparateur (LM139 de Texas Instruments) Considérons le circuit intégré de la figure ci-dessous où la résistance Rch est un élément hors puce. Tracez la réponse temporelle de VS et concluez. Etude du régime pseudo-continu 2.

Les transistors Q1 et Q4 montés en collecteur commun. 2. en mode actif direct ( VBE > 0 . Le circuit de charge est un miroir élémentaire Q5 . La véritable structure de ce circuit peut être un répétiteur de courant (source de Widlar par exemple) dont les valeurs de résistances demeurent raisonnables afin d’occuper un minimum de place sur la puce. VCB ≥ 0 ). . Description Le circuit intégré se compose d’un étage de polarisation. Expression du courant de sortie Les transistors Q1 . Etude du régime pseudo-continu Rappelons la modélisation du JBT en régime continu (modèle mathématique d’Ebers-Moll) ⎧ ⎛ − VCB ⎞ ⎛ VBE ⎞ ⎪I E = I ES ⎜ e UT − 1⎟ − α R ICS ⎜ e UT − 1⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎪ ⎝ ⎠ ⎠ ⎝ ⎪ ⎪ = − I I I ⎨B E C ⎪ VCB ⎛ ⎞ ⎛ VBE ⎞ ⎪ ⎜ −U ⎟ ⎟ ⎜ U ⎪IC = −ICS ⎜ e T − 1⎟ + α F I ES ⎜ e T − 1⎟ ⎪ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎩ associées à la condition de réciprocité α F I ES = α R ICS . dans son régime continu. le circuit est à faible consommation (1 mW). les équations s’écrivent : VBE ⎧ ⎪I E ≅ I ES e UT ⎪ VBE ⎪ ⎨IC ≅ α F I ES e UT ⎪ VBE ⎪I ≅ (1 − α )I e UT F ES ⎪B ⎩ ⇒ IC αF ≅ = βF ≡ β IB 1 − α F si le courant de fuite de la jonction en inverse est négligeable devant le courant direct de la jonction base-émetteur et VBE >> UT . par deux sources de courant I1 et I 2 qui alimentent respectivement l’étage différentiel et l’étage de sortie. Sylvain Géronimi Page 308 Circuits intégrés . qui précèdent les transistors Q2 et Q3 respectivement.Q6 qui commande en courant l’étage terminal. d’un étage différentiel associé à un transfert dynamique de courant et d’un étage de sortie. - L’étage de sortie utilise deux montages émetteur commun. Le transistor Q8 est à collecteur ouvert.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Compréhension du schéma 1.L’étage différentiel est à comportement émetteur commun. Par exemple. Si la charge n’est pas alimentée en courant. Q2 . . L’intérêt de cette structure apparaîtra lors de l’étude en commutation de ces transistors. permettant à l’utilisateur de choisir la valeur de la charge.Le circuit de polarisation est symbolisé. Q3 et Q4 sont identiques et travaillent en mode actif direct ( β >> 1 ou α F ≅ 1). proposent un faible courant de polarisation en entrée (quelques nA).

Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés ⎧VD = −VEB1 − VEB2 + VEB3 + VEB4 ⎪ ⎪I B2 = I E1 équations du circuit → ⎨ ⎪I B3 = I E 4 ⎪I = I + I ⎩ 1 E2 E3 VEB1 ⎧ ⎪I E ≅ I ES e UT ⎪ 1 équations technologiques Q1 ≡ Q2 → ⎨ VEB2 ⎪ UT I I e ≅ ⎪ ES ⎩ E2 VEB3 ⎧ ⎪I E ≅ I ES e UT ⎪ 3 et Q3 ≡ Q4 → ⎨ VEB4 ⎪ UT I I e ≅ ⎪ ES ⎩ E4 ⎧ ⎛ IE IE ⎪VD = UT ln ⎜ 3 4 ⎜ IE IE ⎪ ⎝ 1 2 ⎪ ⇒ ⎨I1 = I E 2 + I E3 ⎪ ⎪ I E1 = I B2 = I E 2 ⎪I I B3 I E3 ⎩ E4 100uA ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ ⎧ ⎛ I E3 ⎜ ⎪ ⎪VD = 2 UT ln ⎜ ⇒ ⎨ ⎝ IE2 ⎪ ⎪I1 = I E 2 + I E3 ⎩ ⎞ ⎟ ⎟ d’où I ≅ E2 ⎠ I1 1+ e VD 2 UT ≅ IC 2 .Q6 fonctionne bien en miroir de courant. Aucun courant ne circule dans la charge et le potentiel de sortie est au niveau de l’alimentation VCC . la loi du nœud serait telle que I B8 = I 2 − IC7 < 0 . Explication du fonctionnement des transistors pour VD >> 2 UT Si VD >> 2 UT ⇒ IC2 ≅ 0 et IC3 ≅ I1 = 100 µA . I B7 ≅ IC7 = 100 µA et le transistor Q8 est bloqué. I E 3 ≅ I1 1+ e − VD 2 UT ≅ IC 3 IC2 IC 3 50uA 0A -300mV -200mV -100mV 0V 100mV 200mV 300mV VD 3. Le miroir reconduisant le courant d’entrée IC5 ≅ IC2 . ⎞ ⎞ ⎛ VBE6 ⎛ VBE5 ⎟ ⎜ U UT − 1⎟ ≅ I T e = α F I ES ⎜ e − 1⎟ et IC6 ≅ ICS + α F I ES ⎜ C5 (effet miroir) ⎟ ⎜ ⎟ ⎟ ⎜ ⎜ ⎠ ⎠ ⎝ ⎝ IC 5 Sylvain Géronimi Page 309 Circuits intégrés . ce qui correspond à un mode actif direct à très faible courant. La loi de nœud s’écrit IC3 = IC6 + I B7 . amène à sa sortie IC6 ≅ 0 . donc I B7 ≅ 100 µA . VBE5 = VBE6 (tension faible). On peut vérifier que l’ensemble Q5 . VCB5 = 0 V (transistor Q5 monté en diode) et VCB6 = VBE7 − VBE6 > 0 . sens du courant de base de Q8 incompatible avec le type du transistor (NPN). Le transistor Q2 fournit un courant de collecteur pratiquement nul et le transistor Q3 transfère la quasi intégralité du courant issu de la source I1 . En effet. Si le courant collecteur de Q7 était supérieur à son courant de base. Ainsi.

66 V ⎟ ⎠ ⎞ ⎟ ≅ 0. le transistor Q8 est bien bloqué.Q6 ne travaille plus en miroir de courant.633 V ⎟ ⎠ IC 7 ≅ IC 7 ≅ 1− αR αF I ES e 2 − αR VBE7 UT ⎛ 3 IC 7 ⇒ VBE7 ≅ UT Ln ⎜ ⎜ I ⎝ ES − 1− αR αF ICS e 2α F − 1 VCB7 UT et VCE7 = VCB7 − VBE7 ⎛ 2 IC 7 ⇒ − VCB7 ≅ UT Ln ⎜ ⎜ I ⎝ CS ≅ 27 m V Le transistor Q7 est évidemment saturé et comme VBE8 = VCE7 .Q6 renvoie un courant IC6 dont le sens est incompatible avec le courant de base de Q7 (type NPN) et I B7 s’identifie grossièrement au courant de fuite de la jonction collecteur-base du transistor Q7 (tension VBE7 ≅ 0 ).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Pour le transistor Q7 . La loi du nœud impose donc que IC6 ≅ 0 et l’ensemble Q5 . La tension de sortie est VS = 5 V . Les équations du transistor Q6 s’écrivent ⎧ ⎞ ⎛ VBE6 ⎞ ⎛ − VCB6 ⎪I = − I ⎜ e UT − 1⎟ + α I ⎜ e UT − 1⎟ ≅ 0 C6 CS ⎜ F ES ⎟ ⎜ ⎟ ⎪ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎞ ⎛ VBE6 ⎪ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎟ ⎜ U ( ) ⇒ I 1 α α I ≅ − ⎨ B6 R F ES ⎜ e T − 1⎟ VBE6 VCB6 ⎟ ⎜ ⎞ ⎞ ⎛ ⎛ ⎪ ⎠ ⎝ ⎟ ⎟ ⎜ − ⎜ ⎪I E 6 = I ES ⎜ e UT − 1⎟ − α R ICS ⎜ e UT − 1⎟ ≅ I B6 ⎟ ⎟ ⎜ ⎜ ⎪ ⎠ ⎠ ⎝ ⎝ ⎩ Sylvain Géronimi Page 310 Circuits intégrés . soit I B7 ≅ − IC6 . 5V Rch ≅0A 100 µA 100 µA 27 mV ≅0A 5V Q8 0. l’ensemble Q5 . ⎞ ⎟ ≅ 0. Le transistor Q2 transfère la quasi intégralité du courant issu de la source I1 et le transistor Q3 amène un courant de collecteur pratiquement nul tel que IC3 = IC6 + I B7 ≅ 0 .66 V 100 µA ≅0A Q5 Q6 Q7 4. Explication du fonctionnement des transistors pour VD << 2 UT Si VD << − 2 UT ⇒ IC2 ≅ I1 = 100 µA et IC3 ≅ 0 . ⎛ − VCB7 ⎞ ⎛ VBE7 ⎞ ⎛ VBE7 ⎞ ⎛ VCB7 ⎞ ⎜ e UT − 1⎟ ≅ (1 − α )I ⎜ e UT − 1⎟ + (1 − α )I ⎜ e − UT − 1⎟ UT − 1⎟ + α I IC7 ≅ I B7 ⇒ − ICS ⎜ e F ES ⎜ F ES ⎜ R CS ⎜ ⎜ ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ soit (2 − α R )ICS e − VCB7 UT ≅ (2 α F − 1)I ES e VBE7 UT car forts courants ( −VCB7 et VBE7 >> UT ). Ainsi.

5V 1mA Rch 100µA ≅0A 100µA 100µA 0.623 V 17 mV Q7 ≅0A Q5 67 µA 33 µA Q6 Sylvain Géronimi Page 311 Circuits intégrés .633 V ⎥ ⎦ La source de courant I 2 permet une faible tension de saturation en sortie puisque VS ≅ 62 mV .623 V ( ) I 1 α α α + − R F ES ⎦ ⎣ F VCB6 ⎞ ⎞ ⎛ VBE6 ⎛ VBE6 ⎞ ⎛ − VCB6 ⎜ e UT − 1⎟ ⇒ e − UT − 1 ≅ α ⎜ e UT − 1⎟ UT − 1⎟ ≅ α I ICS ⎜ e F ES R ⎟ ⎟ ⎜ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎟ ⎜ ⎜ ⎟ ⎜ ⎠ ⎠ ⎝ ⎝ ⎠ ⎝ d’où − VCB6 ≅ VBE6 + UT Ln (α R ) ≅ 0. e = α F I ES ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎠ ⎝ ⎞ ⎛ VBE6 ⎧ ⎪IC2 = I E5 + I B6 ≅ I1 UT − 1⎟ De plus. le courant issu de la source I 2 constitue le courant de base de Q8 .695 V 62 mV Q8 ≅0A 0. Ainsi. I B8 ≅ 100 µA et IC8 ≅ VCC ≅ 1 mA Rch Les équations du transistor Q8 s’écrivent VCB8 VBE8 ⎧ − ⎪IC ≅ − ICS e UT + α F I ES e UT ⎪ 8 ⎨ VBE8 VCB8 − ⎪ U T + (1 − α R )ICS e UT ⎪ ⎩I B8 ≅ (1 − α F )I ES e ⇒ I B8 ≅ (1 − α R α F )I ES e VBE8 UT − (1 − α R )IC8 ⎡ I B + (1 − α R )IC8 VBE8 ≅ UT Ln ⎢ 8 ⎢ ⎣ (1 − α R α F )I ES VCE8 = VBE8 + VCB8 ≅ 62 m V ⎤ ⎡ α F I B8 + (α F − 1)IC8 ⎥ ≅ 0. I B6 ≅ I1 ≅ 33 µA .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés et pour le transistor Q5 monté en diode IC5 ⎞ ⎛ VBE5 UT − 1⎟ . − VCB8 ≅ UT Ln ⎢ ⎥ ⎢ ⎦ ⎣ (1 − α R α F )ICS ⎤ ⎥ ≅ 0.606 V et VBE7 = VCE6 = VBE 6 + VCB6 ≅ 17 m V Le transistor Q7 étant bloqué.695 V . la topologie impose ⎨ ⇒ I1 ≅ (α F + 1 − α R α F )I ES ⎜ e ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎪ ⎩VBE5 = VBE 6 ⎠ ⎝ d’où I E5 ≅ αF 1− αR αF I1 ≅ 67 µA . fort courant qui sature le transistor. αF + 1− αR αF αF + 1− αR αF ⎡ ⎤ I1 et VBE5 = VBE 6 ≅ UT Ln ⎢ ⎥ ≅ 0.

-300m) 0V (173u. 62m) fréquence 10 kHz -2.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 5.8 kΩ ( ≤ 20 kΩ ).8 k R2 200 Q10 I2 Le choix se porte sur un répétiteur à sources de Widlar symétriques ( I1 = I 2 ) dont les équations de circuit sont : ⎧VEB11 = VEB9 + R1 I E9 VEB9 R1 I E9 R1 I1 R2 I 2 ⎪ U T VEB11 ⇒ I E11 ≅ α F I ES e e UT soit IC11 ≅ I1 e UT ≅ I 2 e UT ( α F ≅ 1 ) ⎨ ⎪I E ≅ α F I ES e UT ⎩ 11 En prenant R1 = R2 = 200 Ω . issu du comparateur alimenté sous 5 V.0V 0s V(S) V(in+) 50us 100us 150us Time 200us 250us 300us Le niveau du signal VS (t ) . 300m) (73u .00) 4. Conception du circuit de polarisation 6. est directement compatible avec des technologies TTL et CMOS. Tracé de VS (t ) La simulation confirme les résultats obtenus. 6.0V (24u.0V 2. la compatibilité demeure valable pour une technologie ECL.0V (124u. Sylvain Géronimi Page 312 Circuits intégrés . IC11 ≅ 222 µA et R3 ≅ VCC − VEB11 IC11 ≅ 19. Comme rien n’empêche de brancher le CI sous une tension d’alimentation symétrique ( ± VCC ). 5. Schéma du circuit représentatif des sources de courant VCC R1 200 Q11 Q9 I1 IC11 R3 19.

6 V en direct. L’étude à entreprendre est en régime pseudo-continu.7 V et les autres diodes VDi ≅ 0. centrée autour de fo . de la PLL. la plage de capture 2 ∆f A .6 V en mode actif direct.2 V en mode saturé. dont la fréquence libre des oscillations est ajustée par deux composants passifs extérieurs que sont la résistance R1 branchée entre les bornes 8 et 10 et le condensateur C1 branché entre les bornes 9 et 1. - la fréquence libre des oscillations fo et le facteur de sensibilité K 0 du VCO. remarquable par ses deux entrées. La sortie du CDP est directement reliée à l’entrée du VCO. de gain en courant important ( β >> 1 ) et dont l’effet Early est négligé ( VA = ∞ ). comprise entre les bornes 7 (entrée) et 4 (sortie). la plage de maintien 2 ∆fM .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Boucle à verrouillage de phase analogique (NE565 de Motorola) L’étude porte sur le circuit intégré de la figure ci-dessous.le facteur de sensibilité K D du CDP.8 V et VCEsat ≅ 0. centrée autour de fo . Ce circuit se compose de deux parties. borne 5 et bornes 2 et 3. Un transistor présente VBE ≅ 0. Les caractéristiques statiques à évaluer seront . d’autre part la fonction comparateur de phase (CDP). d’une part la fonction oscillateur contrôlé en tension (VCO). avec la sortie sur la borne 7. Sylvain Géronimi Page 313 Circuits intégrés . Tous les transistors sont supposés identiques ou parfaitement complémentaires. Une alimentation symétrique par rapport à la masse ( ± VCC ) est branchée entre les bornes 10 et 1. de la PLL associée à un filtre RC. VBEsat ≅ 0. La diode zener D10 présente une tension inverse VZ ≅ 2. Le but est de retrouver les performances du circuit fournies par le constructeur.

7k Q21 Q25 Q28 R22 200 R26 200 R27 205 -VCC Fonction VCO Le VCO du circuit NE 565 est un oscillateur à relaxation.4k R6 2.8k R17 200 R26 200 -VCC Sylvain Géronimi Page 314 Circuits intégrés .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Fonction CDP Le circuit du CDP est constitué d’un multiplicateur à quatre quadrants.4k Q14 Q15 Q16 Q5 C1 R11 5.6k VC VM1 VM2 Q26 Q27 VS D11 Q18 Q19 Q22 Q23 R20 3.3k R16 7.7k R10 16k R12 4.3k 6.1k VE R15 5.2k D12 D13 R18 7.8k R23 1k R25 1k Q20 Q24 R21 8.75k R24 Vref 3.8k Q6 R2 530 -VCC Q7 R3 530 Q10 D4 D5 Q8 R4 Vi Q17 Q25 Icom R13 2. +VCC R1 R5 R8 4. suivi d’un amplificateur différentiel asymétrique fonctionnant en régime linéaire.65k VS D2 D3 VT Q9 D6 D8 D9 Q12 D7 Q11 R7 8.6k R9 4.5k Q1 Q2 D10 VF Vo Q13 Q3 Q4 R27 13. constitué à partir d’une source de courant commandée et d’un trigger de Schmitt.2k R19 1. +VCC R14 3.

Expliquez précisément la commande de Q8 par le courant I com issu de l’étage différentiel. 9. 6. Etude de la fonction VCO 7. Concluez sur les résultats obtenus. 10. 5. évaluez le gain en tension Ad de l’amplificateur asymétrique ( β = 200 ). Calculez le facteur de sensibilité K D du CDP. Donnez une description précise du schéma du constructeur. Ecrivez l’expression de la tension différentielle de sortie VM = VM1 − VM 2 du multiplicateur en fonction des tensions VE et VS d’entrée. introduisant ainsi un filtre passe-bas de constante de temps τ = R24 C2 . 11. issu des émetteurs de Q3 et Q4 . En régime dynamique aux faibles signaux. Précisez l’amplitude du signal v C (t ) . 3. Ecrivez l’expression du courant I1 . décrivez le fonctionnement du multiplicateur. en fonction du potentiel VF . Etude de la fonction CDP 2. En négligeant la présence des diodes D6 à D9 et de la résistance R7 . respectivement potentiels d’entrée et de sortie du trigger dans les cas Q11 bloqué et Q12 saturé et inversement. VT− et VS . Déduisez les valeurs des potentiels VT+ . écrivez les relations donnant la fréquence libre fo du VCO. évaluez les potentiels Vref et VCo . Un condensateur C2 est connecté entre les bornes 7 et 10. Si les tensions d’entrée sont des signaux carrés de même fréquence et d’amplitude importante devant 2UT . évaluez Vi et Vo . En régime continu. Pour toute valeur des composants extérieurs R1 et C1 . Ecrivez l’expression de la période du signal VT en fonction de ses variations ∆VT et du courant I1 . Sylvain Géronimi Page 315 Circuits intégrés .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Compréhension du schéma 1. les gains de conversion K D et K 0 et les plages de maintien 2 ∆fM et d’acquisition 2 ∆f A . 4. Etude de la fonction PLL Le système est bouclé en connectant les bornes 4 et 5. 8.

alimenté par le courant issu du collecteur de Q21 et attaqué par le signal v E (t ) . A ces paires est appliquée la tension différentielle v S (t ) issue du VCO. R21 et R 26 . Tout le courant traverse D2 et commande le miroir de courant (type Wilson) constitué des transistors Q5 à Q7 et des résistances R 2 et R3 . Q21 et Q28 . . Description Le schéma se compose d’un étage de polarisation. R 20 . Q1 et Q2 permettant d’appliquer indirectement v F (t ) aux bornes de la résistance R1 (composant extérieur) et Q3 et Q4 imposant des courants pratiquement égaux dans Q1 et Q2 pour que les jonctions base-émetteur de ces derniers soient polarisées de façon identiques.Q19 et Q22 . Lorsque le transistor Q8 . est piloté par le signal triangulaire issu de l’armature positive du condensateur C1 par le biais de l’émetteur suiveur Q9 chargé par une source de courant de type Widlar (étage buffer). est saturé. Il apparaît alors un courant de décharge du condensateur C1 (composant extérieur) sur le collecteur de Q5 égal à I1 . d’un comparateur de phase et d’un oscillateur contrôlé en tension. répétiteur de courant. l’étage différentiel Q20 . La sortie du trigger est suivie d’un transistor Q13 . . ce qui permet d’améliorer la vitesse de commutation. Le circuit VCO est un oscillateur à relaxation comportant d’une source de courant commandée chargeant et déchargeant un condensateur et d’un trigger de Schmitt basculant en fonction du niveau aux bornes du condensateur.Q24 . permettant une sortie sous faible impédance. Un signal carré est alors disponible sur la borne 4. l’étage différentiel Q26 .Q23 . Q17 .Q16 qui génère un courant de commande vers la base de Q8 par le biais de Q15 . formé par les transistors Q11 et Q12 . La tension v F (t ) est donc transférée à la borne 8 et le courant I1 constitue le courant de charge pour le VCO. . Cette sortie est également connectée à un amplificateur différentiel Q14 . Les diodes D4 et D5 évitent la saturation de Q8 pour améliorer la vitesse de commutation. contrôlé par le trigger. est l’association de sources de type Widlar dont le courant de référence est fourni par le transistor Q25 et les résistances R19 . associées à leur résistance d’émetteur.Le circuit de polarisation. Le signal de commande est appliqué sur la base de Q1 .Les transistors Q20 et Q24 forment un circuit différentiel à couplage par émetteurs. Le circuit CDP est composé d’un multiplicateur à quatre quadrants et d’un amplificateur différentiel de tension. Lorsque Q8 est bloqué. Chacun des transistors Q20 et Q24 constitue une source de courant pour les paires différentielles Q18 . monté en émetteur suiveur.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Compréhension du schéma 1. Les transistors Q1 à Q4 constituent la source de courant commandée par v F (t ) . issue des résistances de charges R16 et R18 . - Le trigger de Schmitt. D3 est polarisée en inverse. polarisent respectivement l’étage collecteur commun Q9 . est limitée en amplitude par les diodes D12 et D13 .Les transistors Q1 à Q7 et les diodes D1 à D3 forment la source de courant. Les sorties collecteurs Q10 .Q27 .R11 . la diode zener D10 qui fixe le potentiel de base de Q16 . Ce courant arrive sur les anodes des diodes D2 et D3 . La tension différentielle de sortie du multiplicateur. Les diodes D6 à D9 évitent la saturation de Q11 et Q12 . Sylvain Géronimi Page 316 Circuits intégrés . Le signal triangulaire est disponible sur la borne 9. la source de courant de type Wilson n’est plus alimentée et le condensateur C1 est chargé par l’intermédiaire de D3 .

3k R16 7.2k R19 1. Etude de la fonction CDP 2. un filtre passe-bas passif est utilisable puisqu’un filtre actif ne peut être intercalé entre CDP et VCO. Seul. Expression de la tension différentielle de sortie VM du multiplicateur à quatre quadrants Ce multiplieur analogique intégré à découpage est basé sur le fonctionnement du montage différentiel travaillant en saturation. Le CDP étant directement connectée à l’entrée du VCO. Cette contre-réaction permet un fonctionnement linéaire de l’amplificateur de tension. Le signal à l’entrée de la PLL est appliqué entre les bornes 2 et 3 tel que sa valeur moyenne soit nulle (attaque centrée par rapport à la masse). le potentiel continu du collecteur de Q27 fixe la fréquence libre du VCO réglé par le choix des composants extérieurs R1 et C1 . relativement à l’amplitude de l’attaque.75k vM D14 Q18 vS Q19 Q22 Q23 R20 3.8k Q20 vE IE Q24 Ipol R21 8. +VCC R14 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés - La tension différentielle recueillie est appliquée à l’entrée d’un étage différentiel asymétrique Q26 Q27 (absence de charge sur le collecteur de Q26 ).7k Q21 Q25 R22 200 R26 200 -VCC Sylvain Géronimi Page 317 Circuits intégrés . La boucle est refermée en reliant les bornes 4 et 5.1k R15 5. présentant une contre-réaction locale d’émetteurs due aux résistances R 23 et R 25 .2k D12 D13 R18 7. La tension de sortie du CDP est disponible sur la résistance R 24 (borne 7).

Q19 . selon les amplitudes des variations de v e (t ) et de v s (t ) devant 2UT . Sylvain Géronimi Page 318 Circuits intégrés . 2 e 4 UT R IE v e (t ) ou 2 UT Si v e ou v s << 2UT . Dans un contexte général. le circuit fonctionne en modulateur générant une tension de sortie v m (t ) = ± v m (t ) = ± R IE v s (t ) . 2 UT - Si v e et v s >> 2UT . C’est le fonctionnement en modulateur équilibré qui génère une tension de sortie v m (t ) = ± R I E . IC23 ≅ ⎛ ⎜1 + e ⎜ ⎝ VE UT IE VS ⎞⎛ ⎟ ⎜1 + e − UT ⎟⎜ ⎠⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ La tension différentielle de sortie du multiplicateur VM est telle que : ⎧ ⎪VM1 = VCC − R16 IC18 + IC22 ⎨ ⎪ ⎩VM 2 = VCC − R18 IC19 + IC23 ⎛ VE soit VM = − R I E th⎜ ⎜ 2U T ⎝ ( ( ) ) ⇒ VM = VM1 − VM 2 = − IC18 + IC22 R16 + IC19 + IC23 R18 ⎞ ⎟ ⎟ avec R = R16 = R18 ⎠ e x − e −x ⎛x⎞ (car th⎜ ⎟ = ) ⎝ 2 ⎠ (1 + e x )(1 + e − x ) ( ) ( ) ⎞ ⎛ VS ⎟ ⎟ th⎜ ⎜ ⎠ ⎝ 2 UT La tension de sortie VM est donc égale au produit des tangentes hyperboliques des tensions différentielles d’entrée. imposant un fonctionnement en commutation des transistors considérés. le comportement du circuit peut être classé en trois catégories : Si v e et v s << 2UT . Le circuit n’est sensible qu’à la différence de phase entre v e (t ) et v s (t ) . les expressions des courants collecteurs de Q18 . signaux synchrones et de même fréquence. On multiplie donc un signal de faible amplitude par un signal carré. IC22 ≅ IC24 1+ e VS UT et IC23 ≅ IC24 1+ e − VS UT d’où IC18 ≅ VE ⎛ ⎜1 + e − UT ⎜ ⎝ IE VS ⎞⎛ ⎟ ⎜1 + e − UT ⎟⎜ ⎠⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ . Q22 et Q23 s’écrivent : IC18 ≅ IC20 V − S 1 + e UT et IC19 ≅ IC20 1+ e VS UT . IC19 ≅ VE ⎛ ⎜1 + e − UT ⎜ ⎝ IE VS ⎞⎛ ⎟ ⎜1 + e UT ⎟⎜ ⎠⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ et IC22 ≅ ⎛ ⎜1 + e ⎜ ⎝ VE UT IE VS ⎞⎛ ⎟ ⎜1 + e UT ⎟⎜ ⎠⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ . les six transistors fonctionnent comme un “ou exclusif”.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Pour les transistors Q20 et Q24 VBE20 ⎧ ⎪IC ≅ β I BS e UT ⎪ 20 ⎨ VBE24 ⎪ UT ≅ I β I e ⎪ C BS ⎩ 24 (technologie) VE = VBE20 − VBE 24 (circuit) ⇒ IC20 IC24 ≅ e UT VE Le générateur de courant I E impose I E = I E 20 + I E24 ≅ IC20 + IC24 ⇒ IC20 ≅ IE 1+ e − VE UT et IC24 ≅ IE 1 + e UT VE De la même façon. le circuit se comporte comme un multiplicateur linéaire générant une tension de sortie v m (t ) = − R IE v (t ) v s (t ) .

4. car R26 ≅ R27 . ces deux bornes sont équipotentielles 2 R27 et permettent une attaque différentielle issue de la sortie du filtre. l’étage différentiel est polarisé par un quasi miroir de courant.6 V et VM o = 0 V . Evaluation des potentiels Vcont et VCo Amplificateur différentiel asymétrique +VCC R19 Vref 1. ⎨ V R I V R I + ≅ + R + R + R + R R27 ⎪ 26 pol BE 26 27 0 19 20 21 26 ⎩ BE25 Les expressions des potentiels disponibles en sortie du CDP en régime continu s’écrivent : I R R Vref = Vcc − R19 I pol (borne 6) et VCo ≅ VCC − R24 0 ≅ VCC − 24 26 I pol (borne 7) 2 2 R27 R24 R26 ).75k R24 3. v m (t ) = ± R I E signal rectangulaire de forte amplitude et de valeur moyenne nulle. cette tension de sortie est limitée par les tensions sur les diodes D12 et D13 et v M (t ) = VMo + v m (t ) avec v m (t ) ≅ ± 0. Description du fonctionnement du multiplicateur Dans le cas présent. Cependant.1k Ipol I0 Q25 Q28 R26 200 R27 205 -VCC En régime continu. La tension continue VCo .6k VC VM Q26 R20 3. Sylvain Géronimi Page 319 Circuits intégrés .8k R23 1k Q27 R25 1k R21 8. le circuit est sensé fonctionner en commutation.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 3. définit en partie sa fréquence libre d’oscillations (voir l’étude du VCO). ⎧ 2VCC − VBE 25 R ⎪2VCC ≅ VBE25 + (R19 + R 20 + R21 + R26 )I pol ⇒ I pol = et I 0 ≅ 26 I pol . qui est Les coefficients de I pol étant du même ordre ( R19 ≅ appliquée à l’entrée du VCO.

0V 5. Le calcul du gain de l’étage se fait en régime dynamique aux faibles signaux.6ms Time 0. Le gain en tension Ad est fonction du courant I 0 .0V 4. de valeur moyenne nulle et d’amplitude crête ± 0.2ms 0. I0 Le signal rectangulaire v M (t ) .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 5. Evaluation du gain en tension Ad L’amplificateur différentiel fonctionne en amplification linéaire de tension à cause de forte contreréaction locale d’émetteur R 23 et R 25 . image de v M (t ) est v C (t ) = VCo + v c (t ) = VCo + Ad v d (t ) .6 V -2.2ms Le comportement « ou exclusif » du multiplicateur produit un signal de sortie rectangulaire de fréquence double par rapport à la fréquence des signaux d’entrée et de rapport cyclique fonction du décalage temporel entre ces signaux. Le signal de sortie.4ms 0.0.0V 0s 0.64 ⎞ ⎛ R18 2 UT 2⎜ ⎟ ⎜ β + I + R25 ⎟ 0 ⎠ ⎝ ( β = 200 ).6 V . Sylvain Géronimi Page 320 Circuits intégrés .56 V 3. La méthode du demi schéma est employée ici.56 ± 1V . soit v C (t ) = 4. 8.56 V VM(t) 0V 0. R18 i vm / 2 rbe βi R24 vc R25 ⎧ vm = [R18 + rbe + (β + 1)R25 ]i v β R24 ⎪− ⇒ Ad = c = ⎨ 2 v m R18 + rbe + (β + 1)R25 ⎪v = − R β i 24 ⎩ c Or rbe = 2UT UT β ≅ β ⇒ Ad = IC I0 R24 ≅ 1.6 V est donc amplifié.0ms 1. le terme 2 UT étant négligeable devant la valeur de R25 . Cependant. donc de la tension d’alimentation du circuit.8ms 1.56 V VC(t) Vref 4. Ad est pratiquement constant.

0 point stable 4.0V 0V -2.56 V point instable 4.08 V . d’amplitudes >> 50 mV . Pour 0 ≤ ∆t ≤ 2⎡ 4 ∆t T ⎛T ⎞⎤ .4ms 0.6ms ∆t VS(t) VC(t) Pour illustration. π Vc moyen 5. v C (t ) = VCo + ⎢− ⎜ ∆t − ⎟ + (T − ∆t )⎥ = VCo + 3 − 2⎠ T⎣ ⎝ T 2 ⎦ ⇒ vC = − 2 π ϕ d + 7.56 pour − π ≤ ϕ d ≤ 0 . Le décalage temporel entre les deux signaux est ∆t .0 pente = 2 / π V / rad 3.64 V / rad . Evaluation du facteur de sensibilité K D Calcul de la valeur moyenne de v C (t ) ⇒ v C (t ) = 400mV 1 T ∫ T 0 v C (t ) dt = VCo + 2 T ∫ 0 T 2v c (t ) dt 0V T VE(t) -400mV 6.0V 4. Sylvain Géronimi Page 321 Circuits intégrés .0V 6.0V 0s 0. soit K D = ± 2 π ≅ ± 0.56 V 3.0ms 1. les signaux carrés v E (t ) = VEo + v e (t ) et v S (t ) = VSo + v s (t ) .32 V (voir la simulation dans l’étude du VCO).0 ϕd π/2 π 2π -π . sont tels que v e (t ) = ± 0.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 6.56 pour π ≤ ϕ d ≤ 2 π ou encore v C = − ϕ d + 3.0V 3.0V 2. VSo ≅ 2. v C (t ) = VCo + ⎢∆t − ⎜ − ∆t ⎟⎥ = VCo − 1 + T⎣ 2 T ⎝2 ⎠⎦ ∆t ) T ⇒ vC = 2 π ϕ d + 3.0V 5.56 V 2 5.π/2 0 La sensibilité du CDP est donnée par la pente de la caractéristique .2ms 0.56 pour 0 ≤ ϕ d ≤ π ( ϕ d = 2 π Pour ⎤ 2⎡ ⎛ 4 ∆t T⎞ T ≤ ∆t ≤ T . Le point stable retenu doit être tel que le produit K D K 0 > 0 (voir plus loin le signe de K 0 ).0V 4. valeur moyenne VEo = 0 V et v s (t ) = ± 3.25 V .6ms 0.8ms Time 1.4ms 1.2ms 1.

En l’absence de filtre passe-bas.56 V . Le choix de cette résistance définit le courant I1 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude de la fonction VCO Les courants de base sont négligés par rapport aux courants de collecteur ou d’émetteur. Le potentiel d’entrée VF est reconduit au point bas de la résistance R1 . La borne 7 est directement reliée à l’entrée du VCO. Expression du courant I1 Source de courant commandée +VCC I R1 Q1 VF VBE1 VEB2 Q2 Q3 Q4 I1 Pour le miroir de courant VBE3 ⎧ ⎪IC ≅ β I BS e UT ⎪ Q3 ≡ Q4 → ⎨ 3 VBE4 ⎪ UT ≅ I β I e ⎪ C BS ⎩ 4 Pour les transistors Q1 et Q2 VBE1 ⎧ ⎪IC ≅ β I BS e UT ⎪ 1 ⎨ VEB2 ⎪ UT I β I e ≅ ⎪ C BS ⎩ 2 (technologie) VBE3 = VBE 4 (circuit) ⇒ IC3 ≅ IC4 (technologie) ⎧ ⎪IC3 ≅ IC1 (circuit) ⇒ VBE1 ≅ VEB2 ⎨ ⎪ ⎩IC4 ≅ IC2 Pour le restant du circuit ⎧I1 = I E + I E 3 4 ⎪ ⎧I ≅ I1 V − VF ⎪ ⇒ ⎨ ⇒ I1 ≅ CC I I I = + ⎨ C1 E2 V R I V ≅ + R1 1 1 F ⎩ CC ⎪ ⎪VCC = R1I + VEB2 − VBE1 + VF ⎩ Les potentiels de collecteur et de base de Q1 sont égaux ( VCB1 ≅ 0 ). Sylvain Géronimi Page 322 Circuits intégrés . 7. les potentiels sont identiques v F (t ) = v C (t ) et donc v F (t ) = VFo + v f (t ) avec VFo = 4.

Sous le régime de polarisation.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 8. La décharge prend fin lorsque le potentiel d’entrée VT− du trigger est atteint. Q7 et de la diode D2 . le potentiel d’entrée est constant ( VF = VFo ). Le condensateur C1 se charge et se décharge à courant I1 constant. charge alors le condensateur C1 et le potentiel de l’armature positive augmente jusqu’à atteindre le seuil de basculement VT+ du trigger. passant par la diode D3 . valeur supérieure au potentiel d’anode. La situation de départ est retrouvée et le cycle recommence. de valeur relativement importante. Le point commun des résistances R2 et R3 n’est plus connecté. la diode est bloquée. ce qui entraîne le blocage des transistors Q5 . Q6 . ce qui va produire la décharge du condensateur à travers ce dernier. rend le transistor Q8 saturé. le transistor soit bloqué ( I com ≅ 0 ). Le courant I1 . Le potentiel de l’anode de la diode D3 est alors de VD2 + VBE5 + VBE7 + R3 I1 + VCE8 sat − VCC avec R3 I1 ≅ R3 VCC − VFo R1 soit légèrement > − 4 V . Le circuit du miroir de courant est alors connecté à l’alimentation. Expression de la période du signal VT Générateur d’onde triangulaire I1 D2 D3 VT Q5 C1 68n Q6 R2 530 Q7 R3 530 -VCC Icom Q8 -VCC Le transistor Q8 est commandé par le courant I com et fonctionne en commutation (voir plus loin l’étude du trigger). Supposons qu’au départ. Le courant I1 passe par la diode D2 et le miroir de courant permet la circulation de ce courant dans le transistor Q5 . Le circuit génère un signal triangulaire à sa sortie dont l’évolution temporelle est VT = ± I1 t. A l’instant du basculement. ce qui provoque le blocage de Q8 . C1 Sylvain Géronimi Page 323 Circuits intégrés . le potentiel de la cathode de la diode D2 étant égal à VT+ . Ce dernier bascule et le courant I com .

Le potentiel Vi est donc à l’image du potentiel de l’armature positive du condensateur C1 à la translation près de VBE9 ≅ 0.6 V . ne seront pas représentées.6k -VCC Le signal triangulaire de variation d’amplitude ∆VT = VT+ − VT− . pilote le trigger de Schmitt.5k R8 4. La forte impédance d’entrée de l’étage. impose que le courant I1 se dirige vers le condensateur C1 .7k Q12 Q11 Vi R7 8. disponible sur la base du transistor Q9 (borne 9).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Pour une évolution positive du potentiel VT . permettant de sortir sous faible impédance (borne 4). la variation ∆VT = VT+ − VT− s’effectue durant une demi période ∆t = T 2 ⇒ T = 2 C1 + (VT − VT− ) . Le signal triangulaire décalé vers le bas. chargé par une source de courant. Cas 1 : Q11 bloqué et Q12 saturé +VCC ⎧ ⎪2VCC = R5 I ' + VBEsat + R6 (I + I ' ) ⎨ ⎪ ⎩2VCC = R8 I + VCEsat + R6 (I + I ' ) 2VCC − VCEsat − (R6 + R8 )I ⎧ ⎪I ' = R6 ⎪ ⎪ ⎛ R5 ⎞ ⎪ ⇒ ⎨ 2VCC − VBEsat − ⎜ ⎟ 2VCC − VCEsat ⎜1 + R ⎟ 6 ⎠ ⎝ ⎪I = ⎪ ⎛ R5 ⎞ ⎪ R6 − ⎜ ⎜1 + R ⎟ ⎟ (R6 + R8 ) ⎪ 6 ⎠ ⎝ ⎩ R5 6. Pour une approche analytique plus directe. qui permettent d’améliorer la vitesse de commutation. composé par les transistors Q11 et Q12 . I1 9. le courant dans la résistance R7 sera négligé par rapport aux autres courants et les diodes D6 à D9 .5k I I’ R8 4. Evaluation des potentiels du trigger Trigger +VCC R5 6. subit une translation de tension d’environ 0.6 V par l’étage suiveur.7k ( ) Q12 I + I’ R6 2.6k Vo -VCC Sylvain Géronimi Page 324 Circuits intégrés . La sortie du trigger de Schmitt est suivie du transistor Q13 . monté en émetteur suiveur.4k Vo R6 2.

Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Le potentiel de sortie Vo est à l’état bas (Low) VoL = VCC − R8 I . la borne 9 du circuit intégré présente donc : 2VCC − VBEsat − R5 + R 6 2VCC − VCEsat R6 − VCC R + R6 (R6 + R8 ) R6 − 5 R6 potentiel d’entrée vaut Vi = VBE11 + R6 (I + I ' ) − VCC . le transistor Q11 est conducteur et le continue par la présence de l’étage suiveur Q9 . 2VCC − VBEsat − R5 + R 6 2VCC − VCEsat R6 R6 2VCC − VCEsat − R5 + R 6 R5 + R 6 (R6 + R8 ) R6 − R6 ( ) VT+ − VT− = 2VCC − VCEsat − R8 ( ) Sylvain Géronimi Page 325 Circuits intégrés .5k Q11 Vi I R6 2. VoH − VoL ⎛ R5 ⎞ 2VCC − VBEsat − ⎜ ⎟ 2VCC − VCEsat ⎜1 + R ⎟ 6 ⎠ ⎝ ≅ R8 ⎛ R5 ⎞ R6 − ⎜ ⎜1 + R ⎟ ⎟ (R6 + R8 ) 6 ⎠ ⎝ VoH + VoL − VBE13 et une variation v s (t ) ≅ VoH − VoL autour de cette 2 ( ) Le signal sur la borne 9 est un signal triangulaire vT (t ) de même fréquence fs tel que v T (t ) = VTo + v t (t ) avec une valeur moyenne VTo ≅ VT+ + VT− et une variation v t (t ) ≅ VT+ − VT− autour de 2 cette valeur moyenne. le potentiel de sortie Vo est à l’état haut (High) VoH ≅ VCC .6k -VCC Le transistor Q12 étant bloqué. le signal sur la borne 4 est un signal carré v S (t ) de fréquence fs tel que v S (t ) = VSo + v s (t ) avec une valeur moyenne VSo = valeur moyenne. Au moment du basculement du trigger. Ce potentiel ayant subi une translation de tension ( ) VT+ = VBE9 + VBE11 + 2VCC − VCEsat − R8 Cas 2 : Q11 saturé et Q12 bloqué +VCC ⎧ ⎪2VCC ≅ VCEsat + (R5 + R6 )I ⎨ ⎪ ⎩Vi = VBE11 + R6 I − VCC ⇒ Vi = VBE11 + R6 2VCC − VCEsat R5 + R 6 − VCC R5 6. La borne 4 présente alors un potentiel de sortie VS ≅ VoH − VBE13 . Ce potentiel subit une translation de tension continue par la présence de l’étage suiveur Q13 . La borne 9 du circuit intégré présente le potentiel Vi translaté VT− = VBE9 + VBE11 + R6 2VCC − VCEsat − VCC R5 + R 6 ( ) Ainsi. la borne 4 du circuit intégré présente donc VS = VoL − VBE13 .

0V 0s 0.43 V 0.8k Icom Q17 R17 200 Q25 R26 200 -VCC La sortie de l’étage collecteur commun Q13 est connectée à un amplificateur différentiel ( Q14 et Q16 ) qui commande en courant le transistor Q8 par le biais de Q15 .3 Ω ∆VS = 6.0.84 V 2.6ms 10.0ms 1.2ms 0.16 V C1 = 68 nF 0.6ms 0.76 V -2.1. Sylvain Géronimi Page 326 Circuits intégrés .0V 4.65k Q14 VS Q15 Q16 R11 5. Explication de la commande de Q8 Amplificateur différentiel pour commande en courant +VCC D10 R10 16k R12 4.0V VT(t) 0V ∆VT = 2.0V VS(t) 5.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 6.40 V fs = 1413 Hz R1 = 3.3k R27 13.8ms Time 1.27 V .2ms 1.4ms .4ms 1.

Le potentiel commun des émetteurs étant plus bas que VB16 . Le courant traversant la résistance R11 étant négligeable. = T C1 (VT+ − VT− ) Le courant I1 est obtenu à partir. d’une part de la résistance extérieure R1 et. Ecriture des relations générales En posant la tension d’alimentation totale appliquée au circuit VALIM = 2VCC .3 V . R1C1 (VT+ − VT− ) R1C1 k VALIM Sylvain Géronimi Page 327 Circuits intégrés . produisant une tension telle que Q15 devient conducteur. de la tension d’entrée VF = VFo + ∆VF . le point commun des émetteurs est supérieur à VB16 . La majorité du courant de collecteur de Q16 traverse la résistance R11 . La différence de potentiel de l’attaque de l’étage différentiel est VS − VB16 . Q14 est bloqué et Q16 saturé. d’où I1 ≅ VCC − VFo R1 − ∆VF (composantes continue et variable). les expressions de la pulsation libre et de la sensibilité du VCO s’écrivent : ωo = π VCC − VFo R1C1 VT+ ( ( ) − VT− )≅ R C k 1 1 π k' et K 0 = −π −π ≅ . R1 ωs = − ∆VF de la forme ωs = ωo + ∆ω = ωo + K 0 ∆VF R1C1 (VT+ − VT− ) R1C1 (VT+ − VT− ) π VCC − VFo ( ) π Par identification.2023 R5 + R6 (R5 + R6 )R8 + R5 R6 ( ) ( ) VCC − VFo ≅ 2VCC − VBE25 R24 R26 R R I pol = 24 26 2 R27 2 R27 R19 + R20 + R21 + R26 ⇒ VCC − VFo ≅ k 'VALIM avec k ' = R24 R26 ≅ 0. Le transistor Q8 est bloqué lors de la charge du condensateur C1 .1268 2 R27 (R19 + R20 + R21 + R26 ) D’après l’expression de la période du signal carré v S (t ) issu du VCO (borne 4). le courant I com est suffisamment important pour saturer Q8 lors de la décharge du condensateur C1 . d’autre part. Etude de la fonction PLL 11. le transistor Q15 est bloqué et I com ≅ 0 . Sur le front bas du signal carré ( VS = VoL − VBE13 ).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Le miroir de courant polarise la diode zener D10 qui fixe le potentiel de la base de Q16 à la valeur VB16 = VCC − VZ ≅ 3. Sur le front haut du signal carré ( VS ≅ VoH − VBE13 ). Ainsi. le potentiel de base de Q14 est à un niveau très inférieur à VB16 . la pulsation s’écrit ω= π I1 2π . et en considérant que VALIM >> VCEsat et VBEsat . Q16 est bloqué et Q14 saturé. les équations issues de l’étude du VCO s’écrivent : ⎛ R5 (R5 + R6 )R8 ⎞ R 6 R8 ⎟ VT+ − VT− = ⎜ ⎜ R + R − (R + R )R + R R ⎟ 2VCC − VCEsat + (R + R )R + R R 2VCC − VBEsat 6 5 6 8 5 6 ⎠ 5 6 8 5 6 ⎝ 5 R R R 5 5 8 ⇒ VT+ − VT− ≅ k VALIM avec k = − ≅ 0.

le point de . sa valeur est quasi constante et négative car le gain K 0 du VCO est négatif. Les domaines de verrouillage et de capture s’étendent respectivement de ∆fM et ∆f A de chaque côté de la fréquence centrale. les données de la PLL NE565 sont les suivantes : K D ≅ − 0. ce qui donne la plage de maintien 2 ∆fM = Calcul de la plage d’acquisition ∆ω A ≅ K D K 0 KD K0 . 1+ τ p Calcul de la plage de maintien La variation maximale de la tension d’erreur générée à la sortie du CDP est ∆v c max = K D ϕ d En sortie du filtre. Par définition ∆ωs max = 2 π ∆fM . Si le multiplicateur ne travaille pas en commutation. 2 1 1 ∆ω A τ π 2 F ( j∆ω A ) pour une capture rapide.6 10 3 × C2 (pour un réseau RC). Sur la caractéristique triangulaire v C (ϕ d ) . en pratique. 3. avec F ( j∆ω A ) = 2 2 τ 1 + ∆ω A ≅ .π et 0 (voir cours « technologie des 2 PLL »). repos stable est donc à l’abscisse ϕ d = − π Sylvain Géronimi Page 328 Circuits intégrés . Si le multiplicateur fonctionne en commutation (modulateur équilibré).Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés La PLL est associée à un filtre passif de la forme F ( p ) = 1 avec τ = R24 C2 . Dans le cas général.64 V / rad . K D est fonction de l’amplitude des signaux v E (t ) et v S (t ) . centré entre . En supposant que la demi-largeur de capture ∆ω A est. fo ≅ ∆f A ≅ 50 fo 8 fo 1 (Hz). très supérieure à la pulsation de coupure du filtre 1 τ .19 R1C1 VALIM VALIM 5 fo 1 (Hz) avec τ = 3. la tension est ∆v f max = F (0) ∆v c max = K D max . puisque F (0) = 1. 2 τ VALIM Le gain de conversion K D du CDP est peu sensible à la valeur de la tension d’alimentation totale. la variation de la pulsation du signal de sortie autour de la pulsation libre ωo est ∆ωs max = K 0 ∆v f max = K D K 0 π π 2 . 2 En sortie du VCO. K 0 ≅ − (rad/s/V). ∆ω A ≅ K D K 0 π 1 ⇒ 2 ∆f A ≅ 2 ∆ω A τ 2 ∆f M πτ . ∆fM ≅ (Hz). La fréquence centrale libre des oscillations fo est ajustée par R1 et C1 .

Déterminez les valeurs des paramètres K D . la fréquence libre des oscillations est ajustée à fo = 10 kHz à l’aide de la résistance R1 .6k VCO 8 R1 +VCC 9 C1 -VCC 1 -VCC Application n°1 : Démodulation FSK +6V R1 C2 47n CE 2 1u 8 10 7 565 vE (t) Ra 680 Ra 680 3 9 1 6 5 4 C1 6. 2. K 0 . 2 ∆fM de la PLL.8n -6V La boucle est fermée en reliant les bornes 4 et 5. 10 +VCC 2 3 5 4 R24 7 6 Multiplicateur Amplificateur 3. Evaluez la résistance R1 qui règle la fréquence fo à la valeur souhaitée. La résistance R24 intégrée au sein du circuit et le condensateur C2 compose le filtre passe-bas (FPB) du premier ordre. L’étude précédente permet de présenter le composant sous le schéma suivant. Sylvain Géronimi Page 329 Circuits intégrés . Ecrivez la relation linéaire fs (VF ) du transfert du VCO. Caractérisation des paramètres statiques de la boucle En l’absence du signal v E (t ) et du condensateur de filtrage C2 . Les résistances Ra de polarisation du multiplicateur ont une influence négligeable. Le composant CE est un condensateur de liaison pour la source d’attaque v E (t ) d’amplitude >> 50 mV . 1.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Applications de la PLL 565 Nous proposons deux applications de la PLL.

La fréquence libre du VCO est ajustée avec R1 pour que le potentiel continu à la sortie (signal à rapport cyclique de 50 % sur la borne 7) soit le même que sur la borne 6. Tracez v F (t ) réelle en respectant les échelles sur le régime transitoire. Un filtre en échelle à trois étages RC est utilisé pour enlever les résidus de porteuse ( 2 fe ) et sa bande passante doit se situer approximativement à mi-chemin entre la vitesse maximale du débit binaire (ici 300 bits/s ou 150 Hz) et deux fois la fréquence d’entrée (autour de 2340 Hz). Un comparateur de tension convertit le signal de sortie en logique compatible. Sylvain Géronimi Page 330 Circuits intégrés . 7.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Etude dynamique Le filtre passe-bas est introduit dans la boucle en connectant C2 entre les bornes 7 et 10. Vf ( p ) . 6.94k C2 220n R 7 10k C 22n R 10k R' C 22n R C 22n CE 2 1u 8 10 + 10k 30k TL082 565 vE (t) Ra 680 Ra 680 3 9 1 6 5 4 C1 68n -5V La PLL 565 est destinée à démoduler un signal FSK (lignes téléphoniques pour transmission de signaux binaires). 5. 8. évaluez la variation d’amplitude de v f (t ) en régime permanent relative au saut de pulsation en entrée. d’amplitude v e (t ) = ± 0. Ωe ( p) respectivement pulsation propre du système non amorti et coefficient d’amortissement. tracez v F (t ) théorique. Discutez de l’efficacité du filtre sur les résidus de porteuse et de la stabilité du système. La résistance R ' = 3 R équilibre les entrées au niveau continu. Un signal carré v E (t ) est appliqué à l’entrée. 4. La PLL étant verrouillée. ainsi que la fréquence des oscillations amorties et le dépassement pendant le régime transitoire.25 V et de valeur moyenne nulle. Développez le problème à l’image de l’application précédente. Discutez du type de démodulation. Evaluez la fréquence de coupure du filtre et la plage de capture correspondante. La valeur du condensateur C2 du filtre de boucle est fixée par le choix du dépassement approprié sur la tension démodulée v F (t ) . En appliquant le théorème de la valeur finale. puis 11 kHz durant 3 ms et ceci périodiquement. puis écrivez les expressions de ω n et ζ. Le composant CE évite une composante continue indésirable. de fréquence 9 kHz durant 3 ms . 3. Le signal v E (t ) qu’elle reçoit a une fréquence de 1270 Hz lorsque l’information correspond à un 1 logique et une fréquence de 1070 Hz lorsque l’information correspond à un 0 logique. Ecrivez la fonction de transfert en boucle fermée Application n°2 : Modem 300 bauds +5V R1 3.

0. 7. ≅ 2.0 4. Relation du transfert du VCO ωs = aVF + b avec a = K 0 .6632 Hz / V 20K (4.08K) 10K 0 2.5 4.71V et pour fs = 11 kHz .5 6.0. ∆fM ≅ ≅ 6667 Hz avec VALIM = 12 V VALIM VALIM 1 ≅ 4610 Ω 3. 13.56.0 2. b = ωo − K 0 VF0 et VFo ≅ 4.41V .64 V / rad (pour le multiplicateur fonctionnant en commutation) K0 ≅ − R1 ≅ 50 fo 8 fo ≅ − 41667 rad / s / V . Tracé de v F (t ) théorique Pour fs = 9 kHz .0 3.3 V associé à une valeur moyenne VFo = 4.0 VF (V) Etude dynamique 3. Valeurs des paramètres K D ≅ − 0.56 V . ce qui donne un écart de tension ∆VF ≅ 0.0 5. Sylvain Géronimi Page 331 Circuits intégrés . VF ≅ 4. VF ≅ 4.71K) (4. 10K) (5.56 V ⇒ ωs ≅ − 41700 VF + 252833 rad / s ou encore fs ≅ − 6632 VF + 40240 Hz 30K fS (Hz) K0 ≅ . Evaluation de la fréquence de coupure du filtre et de la plage de capture F ( p) = ∆f A ≅ 1 1 avec τ = R24 C2 ⇒ ffpb = ≅ 941 Hz 1+ τ p 2π τ 5 fo 1 2 τ 2 >> 1 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Corrigé Application n°1 Caractérisation des paramètres statiques de la boucle 1.19 C1 fo 2.5 5.48 kHz valeur majorée par l’hypothèse ∆ω A 2 τ VALIM 4.5 3.

235 .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 4. D = e normalisée du premier dépassement) dans le domaine temporel.5V 11 kHz 4.56 V 4.3 V VF moyen = 4. Le circuit effectue une démodulation FSK. les paramètres ζ ≅ 0. la variation de l’amplitude de la tension v F (t ) est obtenue par l’application du théorème de la valeur finale ∆ω e ∆ω e .7V 9 kHz vF (t) ∆VF = 0. Ecriture de la fonction de transfert en boucle fermée H ( p) = Ω ( p) K D K 0 F ( p) K K F ( p) G( p ) avec G( p ) = D 0 et B( p ) = 1 (retour unitaire ) ⇒ s = 1 + G( p ) p Ωe ( p) p + K D K 0 F ( p) Vf ( p ) K D F ( p) 1 avec F ( p ) = = 1+ τ p Ω e ( p) p + K D K 0 F ( p) Ω s ( p ) = K 0 Vf ( p ) ⇒ Vf ( p ) 1 = Ω e ( p) K 0 1 K0 ⇒ 1 1 τ 1+ p+ p2 KD K0 KD K0 1 1+ 2ζ p+ p2 2 ωn de la forme avec ωn = KD K0 τ et ζ = 1 2 τ KD K0 ωn 6. ⇒ v f (∞ ) = lim v f (t ) = lim pVf ( p ) avec Ω e (p ) = p K0 p→0 t →∞ En régime transitoire.0ms Le signal démodulé v F (t ) est à l’image du signal modulant de forme carré de fréquence d’environ 167 Hz.0ms 6. fn = 1 2π KD K0 ≅ 2 kHz du domaine fréquentiel − τ πζ 1−ζ 2 se traduisent par les paramètres fosc = fn 1 − ζ 2 ≅ 1942 Hz . ≅ 46. 5.41 V 0s 3.3 V pour ∆fe = 2 kHz . soit ∆VF ≅ 0.0ms Time 9. Paramètres de v f (t ) En régime permanent. de valeur moyenne nulle et dont l’amplitude est réglée pour produire un saut de fréquence de 2 kHz centré sur la fréquence de 10 kHz de la porteuse.6V 4. Le signal v E (t ) modulé à l’entrée de la PLL subit un décalage en fréquence.8 % (valeur Sylvain Géronimi Page 332 Circuits intégrés .4V 4.71 V 4.

8. 5. Tracé de v F (t ) réelle fréquence des oscillations ≅ 1942 Hz dépassement ≅ 46.0V C2 = 470 nF 3.0V signaux à la fréquence de 22 kHz (fe = 11 kHz) C2 = 4. Son rôle est d’éliminer les résidus de porteuse issus du doublage de fréquence du CDP à comportement « ou exclusif ».41 V 4. les atténuations à 18 kHz et 22 kHz valent respectivement 0.71 − 0.71 V vF (t) 4.8V 4. nous pouvons observer l’efficacité du filtrage lorsque la valeur du condensateur C2 augmente.6V 440us 460us 480us 500us 520us Time 540us 560us 580us 600us VF (t) Sur cette simulation.3 × 1. Le choix de C2 = 47 nF apparaît relativement acceptable.56 ± 1V ). Sylvain Géronimi Page 333 Circuits intégrés .468 ≅ 4. Le signal démodulé v F (t ) supporte sur ses fronts des résidus aux fréquences 18 kHz ( 2 × 9 kHz ) et 22 kHz ( 2 × 11 kHz ).3 V 4.41 + 0. Discussion sur le filtrage et la stabilité Le filtre atténue ces fréquences suivant la relation F ( jω ) = 1 ω2 1+ 2 ωc .7V sans C2 5.4V 4. soit des résidus d’amplitude 104 mV et 85 mV issus du signal rectangulaire d’amplitude d’environ 2 V ( v C (t ) = 4. Dans le cas présent ffpb ≅ 941 Hz pour C2 = 47 nF .6V ∆V = 0.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 7.3 × 1.052 et 0.043 (contexte sinusoïdal).7 nF C2 = 47 nF 4.468 ≅ 4.85 V 4.2V 0s 2ms 4ms 6ms Time 8ms 10ms Les valeurs crête valent 4.27 V 4.27 V .85 V et 4.8 % 4.

excursion maximale de la fréquence 3.0V 0s 2ms 4ms résidu issu du signal carré à fe = 11 kHz 6ms Time 8ms 10ms 12ms Simulation de la PLL 565 en démodulation FSK : le signal d’attaque est un signal v e (t ) = ± 0.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés La stabilité du système laisse à désirer au regard des valeurs des paramètres ζ = 0. Ce type de filtre est incapable de satisfaire stabilité et filtrage simultanément.67 kHz pour ce type de filtre.9 12.25 V de valeur moyenne nulle et modulé par un signal carré de fréquence 167 Hz dont l’amplitude est réglée de façon à obtenir un saut de fréquence de 2 kHz. Cependant.7 fo-∆fM fo-∆fA fo-∆fdyn fo fo+∆fdyn fo+∆fA fo+∆fM f (kHz) plage de verrouillage 5.56 V correspond une variation dynamique de fréquence ∆fdyn = K 0 ∆VF ≅ 1923 Hz autour de la fréquence libre fo = 10 kHz .29 V de la tension à l’entrée du VCO autour de la valeur moyenne VFo = 4.0V résidu issu du signal carré à fe = 9 kHz fréquence ≅ 18 kHz fréquence amortie = 1942 Hz dépassement = 46.5V amplitude ≅ 85 mV fréquence = 22 kHz fréquence du signal modulant = 167 Hz 4. 2π centrée autour de fo . la PLL est bien verrouillée.5 8.235 ou D ≅ 46.8 % . valant ∆fM ≅ 6.5 16. La demi plage de maintien.3 7. pour la variation maximale ∆VF ≅ ± 0. Sylvain Géronimi Page 334 Circuits intégrés .8 % VF (t) niveaux différents des amplitudes des résidus 4.1 10 11.

6 % Variation en régime permanent de v F (t ) autour de VFo = 3. 2 Sylvain Géronimi Page 335 Circuits intégrés .64 V / rad (pour le multiplicateur fonctionnant en commutation) K0 ≅ − 50 fo 8 fo ≅ − 5850 rad / s / V .81V (car VALIM = 10 V ) relative à une variation ∆fe = 200 Hz ⇒ ∆v f (∞ ) = ∆ω e ≅ 215 mV .19 R1C1 de fréquence de 200Hz. Les résidus de porteuse de v F (t ) étant éliminés à l’arrivée d’une entrée du comparateur. y compris celle du FPB (adaptation en tension 1 réalisée). ∆fM ≅ ≅ 936 Hz avec VALIM = 10 V VALIM VALIM Evaluation de la fréquence de coupure du filtre de boucle et de la plage de capture F ( p) = ∆f A ≅ 1 1 avec τ = R24 C2 ⇒ ffpb = ≅ 201 Hz 1+ τ p 2π τ 5 fo 1 2 τ 2 >> 1 . Par une approche ne tenant pas compte de l’interaction entre cellules. la fréquence de coupure est de l’ordre de flissage = ≅ 723 Hz avec une descente 2 π RC de – 60 dB par décade. + − ⎧ ⎪v > v ⎨ + − ⎪ ⎩v < v → → v s = + Vsat v s = −Vsat avec ± Vsat en accord avec la logique compatible.81V .Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Application n°2 Caractérisation des paramètres statiques de la boucle La fréquence libre du VCO a pour valeur fo ≅ 1 ≅ 1170 Hz . K0 Filtres de lissage et comparateur de tension Ce filtre du troisième ordre doit lisser les résidus de porteuse du signal v F (t ) . soit pour v F (t ) = Vref avec Vref ≅ 3. ≅ 430 Hz valeur majorée par l’hypothèse ∆ω A 2 τ VALIM Paramètres de v F (t ) fn = 1 2π KD K0 τ ≅ 346 Hz ⇒ fosc = fn 1 − ζ 2 ≅ 331 Hz . D = e − ζ = 1 2 τ KD K0 πζ 1−ζ 2 ≅ 38. La vitesse maximale de transmission est de l’ordre de < fosc ≅ 165 Hz . centrée par rapport au saut 3. Les variations de v f (t ) sont centrées par rapport à la masse (si ce n’est pas le cas. ≅ 0.29 . retouchez la fréquence libre à l’aide de la résistance R1 ). ce dernier bascule lorsque v + = v − . K D ≅ − 0.

Le signal démodulé v F (t ) . présente d’importants résidus de porteuse (2 fe). image du signal modulant (information).2V 4.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés Simulation 4. la tension de sortie du comparateur change de niveau de saturation.0V 0s 5ms 10ms 15ms 20ms Time 25ms 30ms 35ms 40ms Le signal démodulé v F (t ) .4V fe = 1270 Hz 500mV fe = 1070 Hz vE(t) 0V -500mV 0s 5ms 10ms 15ms 20ms Time 25ms 30ms 35ms 40ms La porteuse est un signal sinusoïdal d’amplitude 1 Vpp et de valeur moyenne nulle changeant de fréquence toutes les 10 ms de manière périodique.8V Vfiltre3(t) 3. 4. A l’instant de basculement. le rapport cyclique de v logic (t ) est différent de 50 % et le temps de bit n’est pas respecté (10 ms).6V 3.0V Vfiltre1(t) Vref Vfiltre2(t) basculement 3. Si le signal démodulé n’est pas centré par rapport à Vref . Sylvain Géronimi Page 336 Circuits intégrés . La vitesse de transmission est de 100 bauds (100 bits par seconde).0V vF(t) 3. subit un triple filtrage et le signal résultant v filtre3 (t ) est comparé au potentiel Vref .0V Vlogic(t) 0V démodulation FSK 100 bits / s (f = 50 Hz) -5.6V 5. en sortie de filtre de boucle.

4V 5.0V Vfiltre1(t) Vfiltre2(t) Vref 3.4V 5. 4.2V vF(t) 4.0V 0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms Time 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms La nécessité de filtrer les résidus apparaît de façon évidente en reprenant le cas de la transmission est à 200 bauds où le triple réseau RC n’est pas utilisé. L’information binaire est alors erronée. Sylvain Géronimi Page 337 Circuits intégrés .0V Vlogic(t) 0V -5.0V Vfiltre3(t) Vlogic(t) 0V démodulation FSK 200 bits / s (f = 100 Hz) -5.0V Vref 3.6V 3.2V vF(t) 4.0V 0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms Time 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms La vitesse de transmission est ici de 200 bauds.6V 3.Université Paul Sabatier Electronique analogique – Problèmes et corrigés 4.

τ (durée de vie moyenne des porteurs ou temps de recombinaison des porteurs minoritaires en « excès »). q Le transistor à effet de champ (JFET) canal N G vGS(t) 0 D iD(t) avec ⎨ S ⎧v GS (t ) = VGS + v gs (t ) ⎩i D (t ) = ID + i d (t ) Sylvain Géronimi Page 338 Annexes .Université Paul Sabatier Electronique analogique . Ct (capacité de transition). UT = kT ≅ 26 mV à 27 °C (tension thermique).Cours Modèles de composants associés aux différents régimes La diode iD(t) vD(t) avec ⎨ ⎧v D (t ) = VD + v d (t ) ⎩i D (t ) = ID + i d (t ) Régime continu Modèle mathématique non linéaire VD ⎛ U ⎞ ⎜ I D = I S e T − 1⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ en direct I D ≅ IS e VD UT en inverse ID ≅ −IS ≅ 0 Modèle linéarisé ID RD en direct VD = RD I D + Vγ VD Vγ en inverse VD ID ∞ Régime dynamique aux faibles signaux Modèle linéarisé UT ⎧ ⎪rd = I D0 ⎪ ⎨ ⎪C = τ ⎪ d rd ⎩ en direct rd en inverse Cd ∞ Ct Données du constructeur : Vγ (tension dépendante du matériau).

Le transistor bipolaire à jonction (JBT) IC IB IB VCE IC en mode actif VBE NPN IE VEC ⎧v BE (t ) = VBE + v be (t ) avec ⎨ ⎩i B (t ) = I B + i b (t ) VEB IE PNP Régime continu Modèle mathématique non linéaire (équations d’Ebers-Molls en mode actif) ⎛ VCE IC = β I B = β I BS e UT ⎜ ⎜1 + V A ⎝ VBE VBE ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ (NPN) ⎛ VEC IC = β I B = β I BS e UT ⎜ ⎜1 + V A ⎝ VEB VEB ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ (PNP) IC = β I B = β I BS e UT (NPN) IC = β I B = β I BS e UT (PNP) (effet Early négligé) Transistors technologiquement identiques : mêmes β et I BS . rds (résistance dynamique de sortie). C gd (capacités de transition). Sylvain Géronimi Page 339 Annexes .Université Paul Sabatier Electronique analogique . Régime dynamique aux faibles signaux Modèle linéarisé (pour VDS > VP : zone de saturation) gm G vgs Cgd ∞ ∞ Cgs g m vgs rds id D 2 =± VP vds I D0 I DSS en A/V S (paramètre g m toujours >0) Données du constructeur : I DSS (courant de saturation de drain pour VGS = 0 ). C gs .Cours Régime continu Modèle mathématique non linéaire ⎛ VGS ⎞ ID = IDSS ⎜ ⎜1 − V ⎟ ⎟ P ⎠ ⎝ avec 0 ≤ VGS ≤ VP 2 pour canal N : VGS et VP < 0 pour canal P : VGS et VP > 0 Transistors technologiquement identiques : mêmes I DSS et VP . VP (tension de pincement).

Cgs .Université Paul Sabatier Electronique analogique .Cours Modèle linéarisé ⎧I E = I B + IC ⎪ ⎨IC = β I B ⎪ ⎩ VBE ≅ 0.7 V B IB + Vγ β IB RD ≅ 0 IC C VBE IE E Régime dynamique aux faibles signaux Modèle linéarisé UT UT ⎧ β ⎧ ⎪rbe = I = I β ⎪g m = r B0 C0 be ⎪ ⎪ et ⎨ ⎨ + V V V CE 0 ⎪C + C = IC0 ⎪r = A ≅ A bc ce ⎪ be ⎪ 2π UT ft IC 0 IC 0 ⎩ ⎩ B ib ib1 vbe rbe Cbe Cbc ∞ β ib1 rce gm vbe ic C E Données du constructeur : β (valeur typique acceptable en régimes statique et dynamique). Vγ . ⎜ VA ⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ Sylvain Géronimi Page 340 Annexes . l’expression du transfert est simplifiée VBE VBE ⎛ VCE0 ⎞ ⎟ UT ⎜ IC = β I BS e 1+ ≅ β I BS e UT avec VCE0 << VA (tension d’Early). pour le JBT en mode actif direct du modèle Ebers-Moll. VA . Ct VD ≅ −VZ pour β . VA (tension d’Early supposée grande devant VCE 0 ). Ct Cgs . VP . rce ≅ A IC 0 IC0 Cd . ri = ∞ ID0 JFET JBT VBE ≅ 0. Tableau récapitulatif sur le choix du modèle du composant en fonction du régime étudié diode modèle linéaire par morceaux modèle mathématique modèle faibles signaux aux fréquences basses et moyennes aux fréquences hautes VD = RD I D + Vγ ⎛ VD ⎞ ⎜ ⎟ I D ≅IS ⎜ e UT − 1⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ U rd = T .6 V . VP pour les JFET au sein du modèle non linéaire en régime continu . Cd . RD = 0 VA >> VCE0 zener (R Z = 0) ( Transistors technologiquement identiques : mêmes β . IC = β IB Régime continu ⎛ V ID = IDSS ⎜1 − GS ⎜ VP ⎝ gm = ± ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ 2 VBE IC ≅ β I BS e UT (mode actif direct) gm = rbe = 2 VP rds β rbe I D I DSS Régime dynamique UT V β . Cgd I DSS .6 à 0. Cgd Cbe ≅ IC0 2π UT ft − Cbc Données constructeur Hypothèses simplificatrices Rd . Cbc . ft VBE ≅ Vγ . ft (fréquence de transition). IBS pour les JBT ou mêmes I DSS . Cbc (capacité de transition). rds .

une capacité de diffusion. Le schéma équivalent en montage émetteur commun. - Cb'c est la capacité de la jonction modélisant le phénomène de transition. le transistor bipolaire se comporte comme un quadripôle linéaire en hautes fréquences. Les jonctions du transistor sont représentées sous la forme d’un schéma R-C parallèle. avec la température Cb 'e ≅ 2π f U t T La jonction base vraie . sa valeur est proportionnelle au courant de polarisation. on remarque l’introduction du point B’ constituant le niveau de base vraie.Cours Modèle de Giacoletto En régime dynamique faibles signaux. tout compte fait. Sylvain Géronimi Page 341 Annexes . par la dispersion du flux des porteurs. et varie U U avec la température rb 'e = T = T β avec UT ≅ 25 mV . I B0 IC 0 - Cb'e est la capacité de la jonction modélisant le phénomène de diffusion. et varie IC 0 − C b 'c . On définit ainsi : rbb ' comme étant la résistance extrinsèque de base située entre le foyer actif des porteurs B’ et la connexion de base B . donc dépendante du point de repos choisi. sa valeur est inversement proportionnelle au courant de polarisation. caractérisé d’une part. appelé encore schéma de Giacoletto. à une dispersion sur le temps de transit moyen (il faut souligner ici que l’assimilation du mécanisme de diffusion à une capacité n’est admissible que pour des fréquences beaucoup plus faibles que l’inverse du temps moyen). est représenté sur la figure suivante.collecteur est une jonction polarisée dans le sens bloquant et sa modélisation est la suivante : rb 'c est la résistance dynamique de la jonction polarisée en inverse (valeur très importante).Université Paul Sabatier Electronique analogique . et d’autre part. dépendante du phénomène de recombinaison et des répulsions mutuelles qui conduit. Ainsi. la jonction base vraie . . rcc ' et ree ' représentation semblable au niveau des autres électrodes. Une capacité de jonction est la résultante de . représentant le phénomène de diffusion des porteurs à l’intérieur de la jonction. ni par une variation de courant. par le temps de transit (ou temps moyen mis par un porteur « commandé » pour aller de l’entrée à la sortie. rb'c B ib rbb' ib1 B' Cb'c β ib1 rb'e rce gm vb'e Cce ic C vbe vb'e Cb'e vce E E En premier lieu.émetteur est une jonction polarisée dans le sens passant et sa modélisation est la suivante : rb'e est la résistance dynamique de la jonction vue de la base vraie . donc dépendante du point de repos choisi. sa valeur n’est pratiquement pas influencée par la température. Il est intéressant de noter que ces éléments constituent le circuit de couplage entre l’entrée et la sortie du transistor.une capacité de transition dominante dans une polarisation inverse telle que sa valeur est d’autant plus faible que la tension aux bornes est plus grande.

les paramètres rb'e . De façon pratique. Dans cette représentation. d’où l’expression de la capacité de diffusion : g Cbe ≅ m − Cbc ( β . L’influence de la résistance rce peut être négligée qu’à condition que la charge soit faible.Cours Il ne reste plus qu’à considérer ce qui se passe entre les électrodes du collecteur et de l’émetteur. Cbc ic v ib rbe Cbe gm v vs =0 Il est nécessaire d’écrire l’expression du paramètre hybride h21e (p ) = ⎧ ⎛ 1 ⎞ ⎟ ⎪i b = v ⎜ ⎜ r + Cbe p + Cbc p ⎟ ⎨ ⎝ b 'e ⎠ ⎪ ⎩i c = v (g m − Cbc p ) ic = β (p ) ib Equations de nœuds → p β (p ) = β 0 1− 1+ ωz p avec ω z = ωβ gm 1 et ω β = Cbc rbe (Cbe + Cbc ) ( ω β << ω z ) La fréquence de transition ft est la fréquence à laquelle le gain en courant en court-circuit d’un émetteur commun a une amplitude unité : β (p ) ≅ β0 1+ p pour ω ≤ ωt ⇒ β ( jωt ) ≅ β0 ⎛ω 1+ ⎜ t ⎜ ωβ ⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ 2 ⇒ 1 ≅ β0 ωβ ωβ ωt car ω β << ωt soit 1⋅ ft ≅ β 0 f β (produit gain en courant x fréquence de coupure haute constant pour un système passe-bas du premier ordre). Evaluation du paramètre Cbe du modèle Soit le montage émetteur commun excité en courant et chargé par un court-circuit ( Rch << rce ). 2π ft Sylvain Géronimi Page 342 Annexes . Cb'e . D’autre part. on considère que l’on peut négliger les influences de rb'c et Cce qu’on assimile à des circuits ouverts et l’influence de rbb ' qu’on assimile à un court-circuit. Les points B et B’ étant confondus. Cbc données constructeur). le courant commandé est proportionnel à la tension vb’e par le facteur g m (pente interne du transistor) ou au courant traversant la résistance de jonction par le facteur β (gain en courant). cette modélisation du transistor n’est valable que pour des fréquences inférieures à la fréquence de transition. La source de courant dépendante est liée aux variables de la branche supportant rb 'e illustre l’effet amplificateur du transistor. sa valeur peut être approchée par la tension d’Early VA telle que rce ≅ VA IC0 si VA >> VCE0 . Cbc . Cb'c s’identifient à rbe . ceci à cause de la représentation du mécanisme de diffusion sous la forme d’une simple capacité. - Cce est une capacité extrinsèque que l’on peut caractériser de type électrostatique (très faible). Le relation liant les deux facteurs est g m = β rb 'e . ft . Cbe .Université Paul Sabatier Electronique analogique . Ceci est plus délicat à modéliser puisqu’il n’y a pas de jonction : rce est la résistance dynamique qui définit grossièrement la résistance de sortie du transistor .

Cela fait apparaître deux demi-schémas dans chacun des régimes. le courant dans z0 est égal à 2 i e .Université Paul Sabatier Electronique analogique .vd /2 + vc Les transistors Q1 . la méthode reste valable à condition que les transistors attaquent les charges en courant ( rce = ∞ ). faisant apparaître des composantes propres à un régime différentiel et à un régime de mode v v − v 2 v1 + v 2 v d v − v 2 v1 + v 2 + = + vc . Q2 étant supposés technologiquement identiques. permettant de caractériser les performances Ac . les sources de mode commun étant éteintes ( v c = 0 ). Si les courants sont issus d’une attaque en tension symétrique ( i b1 = −i b2 ). Zs . Si les courants sont issus d’une attaque en tension parallèle ( i b1 = i b2 ). les sources différentielles étant éteintes ( v d = 0 ). à une même proportionnalité près. d l’étude du régime de mode commun issu d’une attaque parallèle ( +v c ). Zd . commun : v 1 = 1 2 2 2 2 2 2 Le circuit étant linéaire. permettant de caractériser les performances Ad . sommés dans la résistance commune d’émetteur z0 . Les sources de tension à l’entrée de l’étage se décomposent chacune en deux sources mises en série.Cours Méthode de travail pour la caractérisation linéaire d’un étage différentiel Cette méthode de travail est valable pour un étage différentiel à structure symétrique (charges identiques). et la résistance vue par le courant d’émetteur de Q1 ou Q2 est 2 z0 . il ne passe aucun courant dans z0 et les émetteurs des transistors sont à la masse. v2 = − 1 + = − d + vc . en posant i e1 = i e2 = i e . Si les charges sont différentes (résistances ou miroir de courant).vd /2 vc + Q1 Q2 + vc 2 z0 2 z0 Sylvain Géronimi Page 343 Annexes . ( Exemple d’un amplificateur différentiel classique (résistances de charge identiques) vs1 RC RC vs2 ib1 + vd /2 + vc z0 ie1+ ie2 Q1 Q2 ib2 + . Zc . ces deux régimes sont étudiés séparément par application du théorème de superposition en effectuant deux étapes : c l’étude du régime différentiel issu d’une attaque symétrique ( ± v d 2 ). les courants d’entrées se retrouvent. vs1 RC RC vs2 vs1 RC RC vs2 ib1 + vd /2 Q1 Q2 ib2 + .

La résistance obtenue servira de charge pour l’étage précédent dont on évalue la résistance d’entrée et la procédure se poursuit jusqu’au premier étage. Ainsi. la représentation de l’amplificateur dans son régime de mode commun est une source de tension contrôlée par la tension de mode commun appliquée sur la branche contrôlante supportant Z c . Sylvain Géronimi Page 344 Annexes . il n’apparaît qu’une différence dans les performances. schéma vu des bases de Q1 ou Q2 . Pour chaque étage en cascade. fournissant ainsi un dipôle équivalent sous la forme Thévenin ou Norton. la méthode consiste à découper le circuit en étages élémentaires. (+) B1 Zs vd Zd v’s Ad v d B2 Rch (-) De même. la résistance de sortie du dernier étage est la résistance de sortie du circuit non chargé et le transfert à vide ou en court-circuit en sortie du montage est le produit des gains élémentaires puisque l’atténuation interétages a été prise en compte par la présence de la résistance du dipôle d’attaque. est à l’image d’un générateur d’attaque pour l’étage suivant et ainsi de suite. La représentation de l’amplificateur dans son régime purement différentiel est une source de tension contrôlée par la tension différentielle appliquée sur la branche contrôlante supportant Z d . d La deuxième étape permet l’évaluation de la résistance d’entrée du circuit.Cours De façon générale. La procédure de calcul considère le dernier étage chargé dont on évalue la résistance d’entrée (résistance de Thévenin ou Norton du dipôle). le choix du demi-schéma s’imposera selon la sortie envisagée (sortie vers l’étage suivant par exemple). et la résistance de sortie du circuit. l’étage suivant étant non connecté.Université Paul Sabatier Electronique analogique . ou du courant de court-circuit selon le cas. à savoir le signe du gain en tension sur le schéma de gauche. Le dipôle obtenu attaque l’étage suivant dans les mêmes conditions de charge et la procédure se poursuit jusqu’au dernier étage non chargé. pour chacune des études. Deux étapes sont nécessaires : c La première étape permet l’évaluation du transfert en tension à vide. B1 ou B2 Zs vc Zc v’’s Ac v c Rch Méthode de travail pour la caractérisation linéaire d’un circuit complexe Dans le cadre d’étude en régime dynamique (faibles signaux). représenté par son schéma équivalent de Thévenin ou Norton à vide. la résistance d’entrée du premier étage est la résistance d’entrée du circuit. La procédure commence par l’obtention du dipôle équivalent relatif au premier étage attaqué par l’équivalent de Thévenin ou Norton. Dans le cas présent où les charges de collecteurs sont égales. le dipôle de sortie.

la source liée de tension est commandée par v e . Rch + Z s La représentation d’un amplificateur à transfert quelconque (tension. résistance de transfert.Cours ( Exemple d’un amplificateur de tension à cinq étages en cascade RG ve vg Ze1 vs1 = A1 vg Zs1 Ze2 vs2 = A2 vs1 Zs2 Ze5 vs5 = A5 vs4 Zs5 vs Rch Le circuit d’attaque est représenté sous la forme d’un dipôle de Thévenin ( RG . associée à une branche contrôlante supportant une impédance. tension aux bornes de la branche contrôlante supportant la résistance d’entrée Z e du quadripôle. RG ve vg Av ve Ze Zs vs Rch Le transfert en tension doit être calculé à nouveau en tenant compte du pont résistif en entrée. Le gain en tension est A 0 = v s5 vg = ∏A i =1 5 i à vide et v s = A 0 v g Rch en charge. v g ) et la résistance Rch est la charge terminale. Nous aboutissons au schéma suivant produisant une résistance d’entrée fermant la maille du circuit d’attaque et un dipôle de Thévenin branché sur la charge.Université Paul Sabatier Electronique analogique . conductance de transfert) fait apparaître un modèle utilisant une source contrôlée de tension ou de courant. ( Exemple de l’amplificateur de tension précédent Dans ce cas. RG ve vg Ze1 vs5 = A0 vg Zs5 vs Rch Les impédances d’entrée et de sortie de l’amplificateur sont respectivement Z e = Z e1 et Z s = Z s5 . courant. A0 v g = A0 ⎛ RG Z e + RG v e ⇒ A v = A0 ⎜ ⎜1 + Z Ze e ⎝ ⎞ ⎟ (non chargé) ⎟ ⎠ Sylvain Géronimi Page 345 Annexes .

Cours Méthode de travail pour la réponse en fréquence (approximation du pôle dominant) La méthode. il résulte de la topologie du circuit présentant le calcul le plus commode. l’écriture d’une fonction de transfert du second ordre est plus rapide par cette méthode des constantes de temps. Le nombre de pôles de la fonction de transfert associée au circuit égale le nombre de condensateurs indépendants (ordre du système). La notation adoptée pour les résistances R ij est la suivante : l’indice donne la référence de la capacité C j aux bornes de laquelle la résistance est calculée et l’exposant indique que le calcul est effectué à fréquence nulle. issue du pôle provoquant la coupure à – 3 dB.. celle-ci s’écrit pour un ordre n : N( p) N( p) H (p ) = H 0 = H0 ⎛ 1 + a1p + a2 p 2 + a3 p 3 + .Université Paul Sabatier Electronique analogique . a2 = ∑R C ⋅ R C 0 i i i j j j avec Ri0Ci ⋅ R ij C j = R 0 j C j ⋅ R i C i : somme pour toutes les paires possibles de capacités avec R ij la résistance vue par C j lorsque Ci est court-circuitée. Considérons un circuit linéaire constitué de résistances. les autres condensateurs étant assimilés à des circuits ouverts. tous autres les condensateurs étant assimilés à des circuits ouverts. p ⎞⎛ p ⎞⎛ p ⎞ ⎜ ⎜1 + ω ⎟ ⎟⎜ ⎜1 + ω ⎟ ⎟⎜ ⎜1 + ω ⎟ ⎟ . Quant au i choix de la constante de temps à vide R 0 j C j ou en court-circuit R j C j . avec k le nombre de tous i =1 les condensateurs du schéma et Ri0 la résistance vue par Ci à fréquence nulle.. La forme analytique ci-dessus montre que ces coefficients sont égaux respectivement à une somme et à un produit de constantes de temps qui peuvent s’écrire de la manière suivante : a1 = ∑R C 0 i k i : somme de toutes les constantes de temps à vide du circuit.. Approximation du pôle dominant Hypothèse : la fonction de transfert est supposée à pôles réels et présente une pulsation ω1 ... Dans le cas d’une fonction de transfert à pôles réels. Notons enfin que les expressions analytiques de ces coefficients correspondent exactement à celles obtenues par la méthode traditionnelle de mise en équations. de condensateurs et de sources liées. La notation adoptée pour les résistances Ri0 est la suivante : l’indice donne la référence de la capacité Ci aux bornes de laquelle la résistance est calculée et l’exposant indique que le calcul est effectué à fréquence nulle. a2 = 1 + 1 + 1 + . dite par « approximation du pôle dominant » proposée ici.. 1 ⎠⎝ 2 ⎠⎝ 3 ⎠ ⎝ avec a1 = 1 + 1 + . permet une détermination plus directe de la bande passante d’un amplificateur à large bande dans le cadre d’une étude en régime dynamique aux faibles signaux. La stabilité du système peut aussi être discutée dans le cadre de la réponse aux fréquences hautes (marge de phase). . ω1 ω2 ω1ω2 ω1ω3 ω2ω3 Nous ne nous intéressons qu’aux coefficients a1 et a2 en vue de l’application de la méthode dite de l’ « approximation du pôle dominant » détaillée plus bas. nettement éloignée des pulsations issues des autres pôles et zéros.. Ainsi. ( Exemple d’un système passe-bas du second ordre (réponse aux fréquences hautes) Sylvain Géronimi Page 346 Annexes . etc et N ( p ) polynôme d’ordre ≤ n. tous les autres condensateurs étant assimilés à des circuits ouverts à l’exception du condensateur C j assimilé à un court-circuit.. .

⎨ a ⎪ω ≅ 1 2 ⎪ a2 ⎩ Notons que l’hypothèse ω1 << ω 2 sous-estime la valeur du pôle dominant ω1 et surestime la valeur de ω2 . l’autre étant assimilé à un court-circuit. En généralisant à plus de deux condensateurs. si ω1 << ω 2 (ε << 1) ⇒ ω2 a1 ⎪a = 2 ⎪ ω2 (1 + ε ) ⎩ et a2 = 1 ω1ω 2 . ω1ω 2 = ω 3ω 4 .Cours La fonction de transfert est de la forme H0 H0 1 1 H (p ) = = avec a1 = + 2 1 a p a p + + ω ω ⎛ p ⎞⎛ p ⎞ 1 2 1 2 ⎜ ⎜1 + ω ⎟ ⎟⎜ ⎜1 + ω ⎟ ⎟ 1 ⎠⎝ 2 ⎠ ⎝ 1 ⎧ ⎪a1 = ω (1 + ε ) ω ⎪ 1 Posons ε = 1 ⇒ ⎨ . ( Exemple d’un système passe-haut du second ordre (réponse aux fréquences basses) La fonction de transfert est de la forme ⎛ ⎛ p ⎞ p p ⎞ p ⎜ ⎜ ⎟ω ⎜1 + ω ⎟ ⎟ ⎜1 + ω ⎟ 1 1 1 3 ⎠ 4 3 ⎠ ω4 H (p ) = H 0 ⎝ avec a1 = + . coefficients s’écrivent a1 = R1 f1 ≅ 1 0 0 2π (R1 C1 + R2 C2 ) ( fh ≅ f1 ) et f2 ≅ 0 0 0 0 C1 + R 2 C2 C1 + R2 C2 1 R1 1 R1 1 1 = = + . les 0 0 0 1 2 0 C1 + R2 C2 et a2 = R1 C1 R2 C2 = R1 C1 R2 C2 . a2 = . 1 ⎧ ⎪ω1 ≅ a ⎪ 1 . nous pouvons écrire l’équation suivante : fb ≅ ∑ 2π R i =1 n 1 ∞ i Ci = ∑f i =1 n bi où Ri∞ est la résistance vue par Ci lorsque les autres condensateurs sont court-circuités (calcul effectué à fréquence infinie). Dans le cas présent où le circuit présente deux condensateurs indépendants C1 et C2 . = H0 ⎝ 1 + a1p + a2 p 2 ω1 ω 2 ω1ω2 ⎛ p ⎞⎛ p ⎞ ⎜ ⎜1 + ω ⎟ ⎟⎜ ⎜1 + ω ⎟ ⎟ 1 ⎠⎝ 2 ⎠ ⎝ a 1 (sous-estimé) si ω1 >> ω2 ⇒ ω1 ≅ 1 (surestimé). La fréquence de coupure à 3 dB est approchée par simple addition des fréquences de coupure à 3 dB produites indépendamment par chaque condensateur du circuit.Université Paul Sabatier Electronique analogique . ω2 ≅ a2 a1 Nous obtenons les expressions duales du cas précédent : 0 0 C1 + R2 C2 1 R1 1 1 1 = + ( fb ≅ f1 ) et f2 ≅ f1 ≅ 0 0 0 1 1 2 2π R1 C1R2C2 2π (R1 C1 + R2 C2 ) 2π R2C2 2π R1 C1 La fréquence de coupure basse fb à 3 dB est approchée par la somme des fréquences de coupure associées à chaque condensateur. L’approximation sera d’autant plus précise que ω1 est distant des autres pôles et zéros (les zéros étant au-delà de deux décades du pôle dominant). 0 1 2 0 1 2 2π R1 C1R2C2 2π R1 C1R2 C2 2π R2C2 2π R1 C1 L’inverse de la fréquence de coupure haute fh à 3 dB est approché par la somme des inverses des fréquences de coupure produites par chaque capacité. Sylvain Géronimi Page 347 Annexes . les autres étant assimilées à un circuit ouvert.

L’impédance de sortie du circuit ne peut être calculée qu’à partir du circuit original. i Z i ve i Amplificateur vs ve Z1 Amplificateur Z2 vs ⎧Ve ( p ) − Vs ( p ) = Z ( p ) I ( p ) V ( p) Z( p) ⎪ = Ve ( p ) 1 − a v ( p ) = Z ( p ) I ( p ) ⇒ Z1( p ) = e Vs ( p ) ⎨ = ( ) a p I ( p ) 1 − a v ( p) v ⎪ Ve ( p ) ⎩ [ ] ⎡ V ( p) Z( p) 1 ⎤ = − Vs ( p ) ⎢1 − ⎥ = Z( p) I( p) ⇒ Z2 ( p) = s 1 a ( p ) I ( p ) − ⎥ ⎢ v ⎦ ⎣ 1− a v ( p) L’attaque en tension ne peut correspondre qu’à un amplificateur de tension ou un amplificateur à admittance de transfert. Yt ). Si l’amplificateur est caractérisé par ses paramètres d’admittance de transfert ( Z e . Z s .Université Paul Sabatier Electronique analogique . Le schéma transformé par le théorème de Miller ne conduit donc qu’aux expressions du transfert en tension a v et de l’impédance d’entrée Z1 // Z e . nous obtenons (en allégeant la notation de Laplace ne faisant pas apparaître le terme (p) des variables) : ve Z1 Ze Yt ve Zs Z2 vs Vs = − Yt Ve Zs Z2 Zs + Z 2 av = Vs Zs Z − Yt Z s Z + Z s Zs Z Z = − Yt ⇒ av = et Z1 = = + − Y Z Z + Z Ve 1 + Y Z 1 + Yt Z s Z + Z ⎛ ⎞ t s s t s s 1− ⎜1 − 1 ⎟ Z s + Z Z + Z ⎜ av ⎟ s ⎝ ⎠ L’impédance ramenée à l’entrée est l’association en série de deux impédances. La mise en équations du circuit sera alors plus directe pour le calcul du transfert et de l’impédance d’entrée du circuit considéré. impédance de la branche ramenée en sortie.Cours Transformation de schéma par application du théorème de Miller Le théorème de Miller s’applique sur une topologie très spécifique reconnaissable par une impédance branchée entre l’entrée et la sortie d’un amplificateur attaqué en tension. Z s = rce // RC ≅ RC et Z e = rbe // C bc p Cbe p Sylvain Géronimi Page 348 Annexes . Yt = g m . ( Exemple d’un émetteur commun en H. L’application du théorème transforme le schéma original en un schéma plus simple à traiter analytiquement grâce à la disparition de la contre-réaction. n’a d’utilité que pour définir le transfert en tension a v .F. Identification : Z = 1 1 . Il est important de constater que Z 2 .

branche en parallèle sur Z e ( jω ) . Si l’amplificateur est caractérisé par ses paramètres de tension ( Z e . divisée chacune par le terme ( 1 − A v ) où A v est le gain en tension à vide du quadripôle non contre-réactionné. nous obtenons Z2 avec A v = − Yt Z s Zs + Z 2 (transformation Thévenin/Norton). association série d’une capacité C1 = Cbc (1 + g m RC ) et + jωCbc (1 + g m RC ) 1 + g m RC RC . Z s = Rs avec Rs << R et Ad >> 1 av = R + Rs − Ad R + Rs R R R ≅ − Ad .Cours Cbc ve rbe Cbe gm ve rce RC vs En régime sinusoïdal ( p = jω ). Vs = A v Ve ve Z1 Ze A v ve Zs Z2 vs Cette même expression de départ conduit évidemment aux mêmes résultats qui s’écrivent Av Z + Zs Z + Zs et Z1 = . av = 1 − Av Zs + Z Ce dernier cas est plus explicite puisqu’il montre que l’impédance ramenée en entrée est l’impédance de sortie Z s du quadripôle en série avec Z. R1 = et faible résistance d’entrée ≅ // Rd ≅ Rs + R 1+ Ad Ad Ad Ad Sylvain Géronimi Page 349 Annexes . c’est-àjωCbc (1 + g m RC ) d’une résistance R1 = Pour des fréquences telles que f < f1 . A v = − Ad . ( Exemple d’un amplificateur différentiel de tension R ve + vs Identification : Z = R . Z s . ω2 = m (zéro) et ω1 < ω2 ω RC C bc Cbc 1+ j ω1 1− j d’où Z1 ( jω ) = RC 1 . ω ω2 g 1 a v ( jω ) = − g m RC avec ω1 = (pôle). a v = − g m RC (gain réel) et Z1 ( jω ) ≅ dire que la capacité C1 = Cbc (1 + g m RC ) est uniquement ramenée en entrée.Université Paul Sabatier Electronique analogique . 1 + g m RC 1 . A v ).

courant de sortie du montage Zt Yt Ze Zs ζ τ ωn ωc ω rip B( p ) G( p ) H ( p) RG v G (t ) . i G (t ) v E (t ) .Cours Ouvrages spécialisés « Microélectronique ». Tomes 1 et 2. … complexes et G( p ). …. Tome 3 et 4. Tomes 1 et 2. B( p ).Université Paul Sabatier Electronique analogique . Fanet (Dunod) « Composants actifs discrets ». par P. par M. v e (t ) . par F. VE . courant d’entrée du montage tension. … valeurs des variables en régime continu (polarisation). Millman et A. avec I E0 . Bildstein (Editions Radio) Principaux symboles utilisés Av Ai gain d’un amplificateur de tension gain d’un amplificateur de courant gain d’un amplificateur à résistance (impédance) de transfert gain d’un amplificateur à conductance (admittance) de transfert résistance (impédance) d’entrée d’un amplificateur résistance (impédance) de sortie d’un amplificateur coefficient d’amortissement constante de temps de filtre pulsation naturelle (pulsation propre non amortie) pulsation de coupure à – 3 dB pulsation définissant la bande d’ondulation d’un filtre passe-bas fonction de transfert de la chaîne de retour fonction de transfert de la chaîne directe fonction de transfert en boucle fermée résistance de générateur tension. Z1( p ). Sylvain Géronimi Page 350 Annexes . H ( p ) fonctions de transfert. VE ( p ) . par M. v E (t ) = VE0 + v e (t ) . … variations (faibles signaux) des variables en régime dynamique. Girard (Mc Graw-Hill) « Filtres actifs ». courant du générateur tension . Girard (Mc Graw-Hill) « Amplificateurs opérationnels ». VE0 . Etude du régime pseudo-continu : I E . VD . par M. Y1( p ) . … variations non linéaires des variables en régime continu (forts signaux) Etude fréquentielle dans le plan de Bode ( p = jω ) : I E ( p ). par J. i E (t ) v S (t ) . Girard (Mc Graw-Hill) « Amplificateurs de puissance ». … variables i E (t ) = I E 0 + i e (t ) . de Dieuleveult et H. i S (t ) Notations de variables Superposition des régimes continu et dynamique aux faibles signaux : i e (t ). Grabel (Mc Graw-Hill) « Principes et pratique de l’électronique ». Tome 1.