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Universidade Federal de Santa Catarina

Departamento de Engenharia Elétrica


Instituto de Eletrônica de Potência

Projeto de Fontes Chaveadas

Prof. Alexandre Ferrari de Souza, Dr.


Programa
1a Semana:

• Introdução
• Capítulo I – Retificador e Filtro de Entrada
• Capítulo II – Fontes Chaveadas do Tipo Flyback
• Capítulo III – Fontes Chaveadas do Tipo Forward
• Capítulo IV – Fontes Chaveadas do Tipo Half-Bridge, Full Bridge e
Push-Pull
• Capítulo V – Transistores de Potência
Programa

2a Semana:

• Capítulo VI – Circuitos de Comando para Transistores de Potência


• Capítulo VII – Circuitos de Comando para Fontes Chaveadas
• Capítulo VIII – Resposta Transitória e Estabilidade
• Capítulo IX – Interferência Eletromagnética em Fontes Chaveadas
• Capítulo X – Considerações de Projeto
Introdução a Fontes Chaveadas

- Computadores e microcomputadores;

- Periféricos (impressoras, terminais, ...);

- Telecomunicações;
Rede CA Fonte de CC
- Equipamentos médicos e militares;
Alimentação
- Aviões e satélites;

- Fontes de alimentação para circuitos de


comando de conversores.

Fonte de Alimentação: - Linear


- Chaveada
Introdução a Fontes Chaveadas

Fonte Linear: Transformador de baixa freqüência, ponte retificadora,


filtro capacitivo e regulador linear série.

• Elevada robustez e confiabilidade.

• Baixo custo.

• Simplicidade de projeto e operação.

• Elevado peso e volume.

• Baixo rendimento (reguladores lineares).

• Limitação na regulação.

• Geração de componentes harmônicas na corrente de entrada,

resultando um baixo fator de potência.

• Atualmente limitam-se à aplicações de baixa potência (simplicidade

e baixo custo).
Introdução a Fontes Chaveadas
Fontes Chaveadas : Utilizam interruptores de potência na região de saturação
(chave com estados aberto e fechado).

• Início do desenvolvimento: década de 60 em programas


espaciais.
• Avanço da microeletrônica e a necessidade de compactação dos
equipamentos aliado a baixo consumo difundiu o uso das fontes
chaveadas.
• Substituiu as Fontes Lineares.
Introdução a Fontes Chaveadas

• Características das Fontes Chaveadas:

- Maior rendimento; !
- Elevada densidade de potência: menor volume e peso; !
- Grande capacidade de regulação; !
- Possibilidade de operar com fator de potência unitário; !
- Menos robusta e resposta transitória lenta; "
- Ondulação na tensão de saída; "
- Interferência radioelétrica e eletromagnética; "
- Maior número de componentes; "
- Componentes mais sofisticados. "
Introdução a Fontes Chaveadas

• Esforços dos pesquisadores para diminuir as desvantagens das Fontes Chaveadas:


- Nível teórico (topologias, comutação, controle, modulação, ...);
- Otimização dos projetos;
- Fabricantes de componentes (circuitos integrados dedicados, semicondutores, ...).

• Avanço dos semicondutores:

- Década de 70: Transistor Bipolar com freqüências de até 20kHz;


- Década de 80: MOSFET (baixa potência) e diodo ultra-rápido com freqüências de até
100kHz;
- Recentemente: Fontes com comutação suave podendo operar na faixa dos MHz,
rendimento próximo a 90%, e pouco ruído radioelétrico.
Introdução a Fontes Chaveadas

• Configuração usual de uma Fonte Chaveada:

- Retificador
Rede AC Interruptor Transformador de - Retificadores
Filtro de
- Filtro IGBT/ MOSFET Isolamento
Rádio Freqüência - Filtros
- Proteções

- Comando
Circuitos de
- Proteção
Controle
- Fonte Auxiliar
Introdução a Fontes Chaveadas

• Desenvolvimento de uma Fonte Chaveada:

- Técnicas p/ redução da interferência eletromagnética gerada;


- Métodos p/ a correção do fator de potência;
- Conversores CC-CC;
- Teoria de controle e modelagem de conversores estáticos;
- Projeto de indutores e transformadores de alta freqüência;
- Semicondutores de potência e circuitos integrados dedicados;
- Projeto térmico;
- Circuitos de comando e proteção;
- Simulação de conversores estáticos.
Introdução a Fontes Chaveadas
• Etapas de Projeto
1. Especificar: - Tensão de entrada e saída;
- Freqüência da rede;
- Tensões nominais, máxima e mínima da rede;
- Ondulação de 120Hz na saída;
- Ondulação da saída na freqüência de comutação;
- Hold-Up time;
- Temperatura ambiente;
- Proteções exigidas;
- Rendimento;
- Regulação de carga;
- Regulação de linha;
- Resposta transitória;
- Tensão de isolamento;
- Nível de interferência radioelétrica e eletromagnética;
- Normas aplicáveis (IEC 61000-3-2, CISPR 22, IEC950).
Introdução a Fontes Chaveadas
• Etapas de Projeto
2. Definir: - Topologia do conversor;
- Freqüência de comutação;
- Interruptor principal (IGBT, MOSFET, etc.);
- Isolamento (transformador de comando de base/gatilho,
isolador ótico ou sensor hall no laço de realimentação);

3. Cálculo de Estágio de Entrada: - Retificador;


- Capacitor de filtragem;
- Limitação de corrente de pré-carga do
capacitor de filtragem.
4. Projeto do Conversor

5. Cálculo do Transformador de Isolamento de Alta Freqüência

6. Cálculo de Estágio de Saída


Introdução a Fontes Chaveadas
• Etapas de Projeto

7. Circuito de comando de base ou gate

8. Projeto do circuito de compensação (estabilidade e resposta transitória)

9. Escolha do CI-PWM e cálculo dos componentes externos

10. Projeto dos circuitos de proteção

11. Cálculo da fonte auxiliar

12. Cálculo do filtro de rádio freqüência


Introdução a Fontes Chaveadas
1. Retificadores não Controlados (baixo FP)

1.1 Monofásico
Vpk
vC
vC

i i2
VCmin
D1 D2 C1
vAC 220V
1
2 Conversor t1 t2 ωt

S 110V 0 tc π 2π
i Ip
D3 D4 C2
ωt

92.5%
83.2%
74.0%
64.7%
55.5% TDH = 148%
46.2% o
37.0% Desl. = 1,48
27.7%
FP = 0,553
18.5%
9.2%
0.0%
3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 41 43 45 47 49 51
Introdução a Fontes Chaveadas
1. Retificadores não Controlados (baixo FP)

1.2 Trifásico

V
C
D1 D2 D3
V1 +

V1
V2
C VC R
π i1 ωt
V3
- _
D4 D5 D6
Introdução a Fontes Chaveadas
2. Retificadores Controlados (FP elevado)

2.1 Monofásicos: BOOST, BUCK, ...

retificador

Vs
CONVERSOR carga

controle
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
Retificador Monofásico com Filtro Capacitivo
vC
i i2
D1 D2 C1
vAC 220V
1
2 Conversor
S 110V

D3 D4 C2

• Operação em 220 V e 110 V (dobrador de tensão)

•220 V

C=
C1 C 2
C1 + C 2
Win 1
2
= C Vpk − VC min
2
2 2
( ) Win =
Pin
f
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
Vpk

vC
VC min = Vpk cos( 2πf t c )
VCmin

( )
t1 t2 ωt
0 tc π 2π arccos VC min Vpk
i Ip tc =
2πf
ωt

tc = intervalo de condução dos diodos ou tempo de recarga de C (equivalente)

• Carga transferida para C


C.∆V C(V pk − VC min )
∆Q = I p tc = C ∆V Ip = =
tc tc
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada

Pin Pin
C ( Vpk − VC min ) =
2 2 C=
f f ( Vpk 2 − VC min 2 )
Seja
IC1ef - valor eficaz da componente alternada da corrente i
Imed - valor médio da corrente i
Ief -valor eficaz da corrente i
2t c
I ef = I med + I C1ef
2 2 2
I C1ef = I ef − I med
2 2
I med = I p
T

2
2  2t c 
2tc 2tc
I ef = I p I C1ef = I p
2
− Ip   I C1ef = I p 2tc f − (2tc f ) 2
T T  T 
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Estágio de entrada é ligado ao conversor CC-CC operando em alta
freqüência
i2 Pin = I 2 pk VC min D
I 2pk

Onde: Ton
ωt
D=
Ton
Ts
T
Pin 2Pin
I 2 pk = Para Dmax=0,5 I 2 pk =
VC min D VC min

I 2 pk
P Pout
I 2 ef = = in Pin = Logo:
I Cef = I 2 ef + I C1ef
2 2
2 VC min η
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Grandezas Elétricas nos Diodos das Pontes Retificadoras

Pin
I Dmed =
2 VC min

tc
I Def = I p
T

VD max = V pk
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Exemplo Numérico

VAC = 117V ; VACmin = 99V ; VACmax = 135V

f = 60Hz ; VCmin = 100V ; η = 0,7 ; Pout = 70W

Pout 70
a) Pin = = = 100W
η 0,7

Pin 100
b) C= C= ≅ 203µF
f ( Vpk − VC min
2 2) 2 2
60 ⋅ (135 − 100 )

Vpk = 2 VAC min = 2 ⋅ 99 = 140V

V pk = 135V C1 = C2 = 406µF

∆V = Vpk − VC min = 135 − 100 = 35V


Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada

c) tc =
(
arc cos VC min Vpk
=
)
arc cos (100 135)
= 1,954ms
2 πf 2 ⋅ π ⋅ 60
C ∆V 203 ⋅ 10 −6 ⋅ 35
d) Ip = = − 3
= 3,64A
tc 1,954 ⋅ 10
−3
e) 2t c f = 2 ⋅ 1,954 ⋅ 10 ⋅ 60 = 0,2345

I C1ef = I p 2tc f − (2tc f ) 2 = 3,64 ⋅ 0,2345 − 0,23452 = 1,54 A


Pin 100
f) I 2ef = ≅ = 1A
VC min 100

g) I Cef = I 2 ef + I C1ef = 12 + 1,54 2 = 1,84 A


2 2

tc 1,954 ⋅ 10 − 3
h) I Def = I p = 3,64 ⋅ = 1,25A
−3
T 16,666 ⋅ 10
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
Pin 100
i) I Dmed = = = 0,5A
2 VC min 2 ⋅100

j) VD max = Vpk max = 2 VAC max = 2 ⋅135 ≅ 191V

k) I Dp = I p = 3,64A

UFA !!
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Simulação Numérica
vC
i iR
v AC ( t ) = 2 ⋅ 99 sen (377t )
D1 D2 iC
vAC
C R
R = 100Ω

C = 203µF
D3 D4

140V
Vpk ≅ 140V
vC Vpk

130V
VCmin ≅ 102V

120V tc = 2,1ms

110V Ipico ≅ 8,0A


VCmin

100V
t
Imed ≅ 1,0A
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Corrente Capacitor + Carga • Corrente de Carga
10A 1,4A

i iR

8A

1,3A
∆Q
6A

4A 1,2A

2A

1,1A

0A
tc

-2A 1,0A
t t

• Corrente no Capacitor • Corrente de Entrada


10A 10A

iC iv
AC

8A

5A

6A

4A 0A

2A

-5A

0A

-2A -10A
t t
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• VCmin, Vpk, tc, ∆Q e Imed possuem praticamente os mesmos valores;

• I pico ≅ 2 I p
• Análise Detalhada
VC (θ) = Vpk ⋅ senθ
VC
dVC (θ)
VCmín
V i C (θ) = ωC ⋅
S1 pk dθ
i C (θ) = ωCVpk cos θ
V1
S3 S2

π π θ1 3π ωt
θ3 θ2
2 2 i C (θ 2 ) = i R (θ 2 )
α iC
β γ Vpk
π i R (θ 2 ) = − senθ 2
R

θ 2 = π − tg −1 (ωRC )
Vpk
ωCVpk ⋅ cos θ 2 = − senθ 2 tgθ 2 = −ωRC
R
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
VC min = Vpk sen (θ1 − π)
• Análise Detalhada

VC

sen (θ1 − π) =
VC min
VCmín
V Vpk
S1 pk
V1  VC min
−1 

S3 S2
θ1 = π + sen 
 Vpk 
θ3 π θ2
π θ1 3π ωt  
2 2
α iC

β γ α= − θ1 β = θ2 − π
π 2 2
S1 = S 2 + S3 θ1 −θ 2 α+β+ γ = π
VC (θ )
π
S2 = ∫ ⋅ dθ
i C (θ) ⋅ dθ i C (θ 2 ) ⋅ β
2
S1 = ∫ R
ο θ S3 =
π −
2
−α
VC (θ) = Vpk (cos β ) e ωRC 2
S1 = ωCVpk (1 − cos α ) β ⋅ Vpk ⋅ cos β
ωRC ⋅ Vpk ⋅ cos β  − 1 2 
θ −θ S3 =
S2 = 1 − e
ωRC

2R
R  
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Análise Detalhada
VC

VCmín
V
S1 pk
V1
S3 S2 S1 = S 2 + S3
π π θ1 3π ωt
θ3 θ2
2 2
α iC
β γ
π

80

72

64

56

48

ω RC 40

32

24

16

0
0.2 0.28 0.36 0.44 0.52 0.6 0.68 0.76 0.84 0.92 1

V
Cmin / Vp
k
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Análise Detalhada
VC

VCmín
V
S1 pk
V1
S3 S2 S1 = S 2 + S3
π π θ1 3π ωt
θ3 θ2
2 2
α iC
β γ
π

4
3.6
3.2
2.8
R . I Cef
2.4
V pk 2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0 10 20 30 40 50 60 70
ω R C
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Dobrador de Tensão (110 V)

i + i +
D1 D2 vC1 C1 + D1 D2 vC1 C1 +
vAC
_
- _ vAC + -
+ Conversor vC Conversor vC
+ +
vC2 - vC2 -
D3 D4 C2 D3 D4 C2
- -

VC 2min + VC 2pk
vAC

ωt
VC min = VC1min +
2
VC1min = VC 2min VC1pk = VC 2pk
vC
VCpk

2VC min − VC1pk Pin


VCmin
VC1min = C1 = C2 =
f (VC1 pk − VC1min )
VC1pk vC2 VC2 pk 2 2
3
VC1min VC2 min

vC1

ωt
0 π 2π
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Dobrador de Tensão (110 V)

VC1min = VC1pk cos( 2πf t c ) tc =


(
arccos VC1min VC1pk )
2πf

I p1 =
C1 ∆V1 C1 ( VC1pk − VC1min )
=
I med1 = I p1 t c f
tc tc

Ief1 = valor eficaz da corrente i


tc
1 2 tc
I ef 1 = I p1 t c f
= ∫I p1 dt = I p1
2 2
I ef 1
T0 T

ICef1 = valor eficaz da corrente (alternada) em um capacitor

I C1ef = I ef 1 − I med1
2 2
I C1ef = I p1 t c f − ( t c f ) 2 I Cef = I Cief 1 + I 2ef
2 2
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Dobrador de Tensão (110 V) - Projeto

VAC = 117V ; VACmin = 99V ; VACmax = 135V


f = 60Hz ; VCmin = 100V ; η = 0,7 ; Pout = 70W

a) VC1pk min = 2 ⋅ 99 = 140V


2VC min − VC1pk 2 ⋅ 200 − 135
VC1pk min = 135V VC1min = = = 88,33V
3 3

Pin 100 Pin 1,667


b) Win = = = 1,667J C1 = C 2 = = ≅ 160µF
f 60 f (VC1pk − VC1min )
2 2
135 − 88,33
2 2

C ≅ 80µF
(
arccos VC1min VC1pk ) = arccos(88,33 135) = 2,275ms
c) t c =
2πf 2 ⋅ π ⋅ 60
C1 ( VC1pk − VC1min ) 160 ⋅ 10 −6 (135 − 88,33)
d) I p1 = = = 3,28A
−3
tc 2,275 ⋅ 10
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Dobrador de Tensão (110 V) - Projeto

e) t c f = 2,275 ⋅ 10 −3 ⋅ 60 = 0,1365

I C1ef = I p1 t c f − ( t c f ) 2 = 3,28 ⋅ 0,1365 − (0,1365) 2 = 1,126A


Pin 100
f) I 2ef = = = 0,5A
VC min 200

g) I Cef = I C1ef + I 2ef = 1,126 2 + 0,5 2 = 1,23A


2 2

h) VDp max = 2 2 VCA max = 2 ⋅ 2 ⋅ 135 ≅ 382 V


Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Resultados Experimentais
Tensão e Corrente de Entrada Transitório de Partida

100V/div e 500mA/div 100V/div e 10 A/div

100V/div e 5 A/div - com resistor de 22 Ω em série.


Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
•Proteção de In-rush
Vpk
S
Ip <
R1 R1
vAC - +
vC τ = 25ms
i iR τ1 = R1 C = 10⋅
10⋅1000⋅
1000⋅10-6 = 10ms
iC
C Carga
τ = 3τ
3τ1 = 3R1C

A = 5.τ ≅ 15.R1 .C
400V
vC

200V

0V
2Ω
R = 2Ω
100A
iC

50A

0A

0ms 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms


Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
•Circuito de disparo para um Triac

R1

vC
vAC - +

NT
C

T D
Capítulo II - Fontes Chaveadas do Tipo
FLYBACK
Vce D1
+ -
is +
+ - -
BUCK-BOOST Vin S C RL
iL L Vout
- +
+
-

V D1
+ CE - TR
iP iD +
+
T
1 +
FLYBACK Vin C R Vout
-
- iC
NP NS -

Funções do Transformador: - isolamento entre a fonte e a carga


- acumulação de energia quando T está fechada
- adaptar a tensão necessária no secundário
Capítulo II - Fontes Chaveadas do Tipo
FLYBACK
• Conversor CC-CC do Tipo Buck-Boost

Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Básicas para Condução Descontínua:


V
L ( Vin )
a
1 Etapa
( Ip )
Vce D1
+ - iL

is +
+ - - To

Vin S iL C RL Vout
L ( Vout )
- + T1 T2
+ T
-
V
CE

( Vin+Vout )
a
2 Etapa ( Vin )
Vce D1
+ -
is -
+ - - is

Vin S iL C RL Vout
L
- +
+ i
D
+
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
V
• Equacionamento L ( Vin )

( Ip )

iL
a) Corrente de Pico na entrada
To

di T1
VL = L D=
( Vout )
T1 T2
T
dt T V
CE

( Vin+Vout )

Vin Vin
Ip = DT Ip = D ( Vin )

L f .L
is

Vin
Ip max = Dmax Dmax = 0,45
f .L i
D
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
b) Tensão de Carga

Ip .T1
P1 = Vin .I1md = Vin .
2T
2
Vin2 .T12 Vout
P1 = = P2 =
2.L.T RL

RL .Vin2 .T12 RL .f
Vout = = Vin .T1.
2.L.T 2.L

Vin .D RL .f RL .f
Vout = . = Vin .D.
f 2.L 2.L
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
c) Indutor

Pout 1 2
Pin = PL = = .L.Ip .f
η 2
Pout 1 Vin2 .D2max
= .L.f . 2 2
η 2 f .L
1 Vin2 .D2max .η
L= .
2 Pout .f
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Conversor CC-CC do Tipo Flyback

Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Básicas para Condução Descontínua:


V
P ( Vin )

a
1 Etapa
V D1
+ CE - T1

iP iT N
P
Vout .
+ - + V N
S
T N
S
S
Vin LP VS C R Vout Vin .
- L N
P
- +
To

( Vout )
V N
CE P
( Vin+Vout ) .
N
S

( Vin ) ( Vin )

a
2 Etapa T1 To

V D1
+ CE - T2
iP = i
T Ip
iD
+ - +
T
Vin VP iS VC R Vout
- L N
P
iS = i IP .
- D N
+ C S
LS

T1 To
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Conversor CC-CC do Tipo Flyback

Flyback com Múltiplas Saídas


D1 V
1

C1 R
N L1
S1

+ D2 V
Vin 2
-

N C2 R
P N L2
S2

D3 V
3
T

C3 R
N L3
S3
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Conversor CC-CC do Tipo Flyback

Características gerais: - baixo custo


- saídas múltiplas
- aceita grande variação da resistência de carga
- isolamento entre a entrada e a saída
- boa regulação cruzada
- dispensa indutor de filtragem
- permite uso de diodos lentos na saída (cond. desc.)
- resposta rápida
- fácil de ser estabilizada
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Equacionamento

VL
a) Corrente de Pico no Primário
Vin

di
VL = L t
dt -Vo

T1=DT T2
V
Ip = in D T iL
L Ip

2 Pout
Ip =
η Vin Dmax T
t
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Equacionamento

b) Tensão na Carga Vin


Ip
T1


1 t Ip T1
I1md = Ip dt =
Ts T1 2 Ts t
0 T1
Ts
Vin T12
2
P1 = Vin I1md =
2 L Ts
RL η
Vout = Vin D
Vout 2 2 L fs
P1 η = Po =
RL
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Equacionamento

c) Cálculo da Indutância

dw ∆w 1 2 Pout 1 Vin2 Dmax 2 η


PL = = = L Ip fs = L=
dt ∆t 2 η 2 Pout fs

d) Razão Cíclica Crítica

Vout Vin
D crit =
1 + (Vout Vin )

→ para DCM D ≤ Dcrit


Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Equacionamento

e) Esforços nos Semicondutores

 Dmax 

Vce = − VD = Vin + Vo = Vin  +
1 
 1 − Dmax 
T 2


1  Ip  Vin D3
Ief T =  
t  dt =
T T fL
 1  3
0

Vin 2 D2
IDmd =
2 f L Vout
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Equacionamento

f) Capacitor de Saída

Io
+ +
VC RL Vo iS VC RL Vo
- C - C

dVc I D
ic = C C = o max
dt fs ∆Vc

2
∆Vc T I T 
R SE < IC ef = Isef 2 − Io = Is 2 o −  s o 
Is 3 Ts  2 Ts 
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Equacionamento
g) Transformador
Aw

Ae

δ
2

1,1 Pout 10 4 Kp - fator de utilização do primário (0,5)


Ae A w =
k p k w J ∆B fs kw - fator de utilização da área do enrolamento (0,4 )
J - densidade de corrente ( 250 - 400A/cm2)
∆B - variação de fluxo eletromagnético (0,2-0,3T)
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Equacionamento
g) Transformador

δ - entreferro (metros)
2 µ o ∆W π 10-7
µo - 4π
δ=
∆B 2 A e Ae - área da secção transversal do núcleo (metros2)
∆W - energia (joule)
∆B - variação de fluxo eletromagnético (0,2-0,3T)

∆B δ Np - número de espiras do primário


Np = δ - entreferro (centímetros)
0,4 π Ip
∆B - variação de fluxo eletromagnético (Gauss=104T)

Nsn = Np
(Vout n + VF ) (1 - Dnom ) Ns - número de espiras do secundário
Vin Dnom VF - queda de tensão no diodo
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Característica de Saída em CCM e DCM

4
Condução Descontínua

Vout RL η D 3
=D =
Vin 2 L fs I′o 0.7
Vout
____ 2
Vin 0.6
Condução Contínua
1 0.4
Vout D
=
Vin 1 - D D=0.2
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
Ió
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Procedimento de Projeto para o Buck-Boost em Cond. Desc.

1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆Vo, η.

2. Calcular a razão cíclica crítica e definir a nominal.

Vout Vin
D crit =
→ para DCM Dnom ≤ Dcrit
1 + (Vout Vin )

→ tempo de condução chave =Dnom Ts

3. Calcular a indutância.

1 Vin 2 Dmax 2 η
L=
2 Pout fs
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Procedimento de Projeto para o Buck-Boost em Cond. Desc.

4. Calcular a corrente de pico máxima.

Vin
Ip = Dnom
fs L
5. Calcular a resistência de carga.

Vout 2
Ro =
Pout
6. Calcular a capacitância.

I D
C = o max
fs ∆Vc
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Procedimento de Projeto para o Flyback em Cond. Desc.

1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆Vo, η.

2. Calcular o produto AeAw e definir o núcleo.

1,1 Pout 10 4
Ae A w =
k p k w J ∆B fs

2 Pout
3. Calcular a corrente de pico no primário. Ip =
η Vin Dmax

P
4. Calcular a energia acumulada no transformador. ∆W = out
η fs
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Procedimento de Projeto para o Flyback em Cond. Desc.

5. Calcular o entreferro.

2 µ o ∆W
δ=
∆B 2 A e

6. Calcular o número de espiras do primário e secundário (s).

Np =
∆B δ
Nsn = Np
(Vout n + VF ) (1 - Dnom )
0,4 π Ip Vin Dnom

7. Calcular a indutância magnetizante do primário e secundário.

1 Vin2 Dmax 2 η
L=
2 Pout fs
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

• Procedimento de Projeto para o Flyback em Cond. Desc.

8. Calcular a(s) corrente(s) de pico no(s) secundário(s).

Isn = Ip an

9. Calcular a(s) resistência(s) de carga(s).

Vout n 2
R on =
Pout n

10. Calcular a(s) capacitância(s).

Iout n Dnom
Con =
fs ∆Vout n
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

L
V
iR
iT iL iC
+ +
T
E + + VR
in Vo iD VC
C -
BUCK - - - RL

V V D1 L
P S V V
1 out
ND
+ -
V
F
NP NS C RL
+ D2
V
in
FORWARD -

T
DD

NP - enrolamento primário
NS - enrolamento secundário
ND - enrolamento de desmagnetização
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

• Conversor CC-CC do Tipo Buck V


D
(E in )

a
1 Etapa
L T1 T2

T
iT iL iL iL
+
T iT iD iT
E + RL
in D C
- -

V (E in )
CE

a
2 Etapa
V L
CE -
+ (E in )
V
D
iL
+
T
E + RL
in D C
- -

V
C V
C

0 T1 T
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

• Conversor CC-CC do Tipo Buck

a) Tensão Média na Carga

T1
VL md = 0 ⇒ Vout = VDmd Vout = Vin = Vin D
T

b) Corrente no Indutor e Cálculo da Indutância

V (1 - D ) D
Vin
∆iL max → D = 0,5 ∆iL max =
∆iL = in 4 fs L
fs L

Vin
L=
4 fs ∆iL max
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

• Conversor CC-CC do Tipo Buck

c) Corrente de Pico

∆iL Vout Vin (1 - D ) D


Ip = Io + = +
2 RL 2 fs L

d) Tensão no Capacitor

∆iL ∆iL
sen(2πf .t ) cos (2 π fs t )
1
iC ≅ VCA = iC .dt =
2 C 2 π fs 2 C

∆VC ∆iL ∆iL


= C= VRSE = R SE ∆iL
2 4 π fs C 2 π fs ∆Vc
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

• Conversor CC-CC do Tipo Buck

e) Esforços nos Semicondutores

VCE = Vin VD = − Vin

V V (1 − D )D
ITp = IDP = out + in
RL 2 fs L
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

• Conversor CC-CC do Tipo Buck

Procedimento de Projeto p/ o Buck em Cond. Contínua:

1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆Vo, ∆iL .

2. Calcular a razão cíclica nominal.

Vout
Dnom =
Vin
3. Calcular a indutância.

Vin
L=
4 fs ∆iL max
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

• Conversor CC-CC do Tipo Buck

Procedimento de Projeto p/ o Buck em Cond. Contínua:

4. Definir o capacitor.

∆iL ∆V
C= RSE =
2 π fs ∆Vc ∆iL
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

• Conversor CC-CC do Tipo Forward


a
1 Etapa
V V D1 L
P S 1 V
ND out
V
iL D
(IM )
NP NS C RL
+ D2
V
iM
in
- iT
T1 TD
T
DD
T2
T IM + i L
iT

iT
a
2 Etapa
D1 L

iL
N
NP NS RL V V in + V in. P
C CE N
+ D2
D
V
in ND
- iT (V in )
+ iM
T V
CE DD
-
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

• Conversor CC-CC do Tipo Forward

a) Tensão Média na Carga

Ns T1 N
VLmd = 0 ⇒ Vout = VDmd Vout = Vin = Vin s D
Np T Np

b) Corrente no Indutor e Cálculo da Indutância

∆iL =
(Vin a )(1 - D ) D ∆iL max → D = 0,5
V a
∆iLmax = in
fs L 4 fs L

Vin Np
L= a=
4 fs ∆iLmax a Ns
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

• Conversor CC-CC do Tipo Forward

c) Corrente de Pico no Secundário e Primário

∆iL 1 ∆i 
ISp = Io + IPp =  Io + L 
2 a 2 

d) Cálculo da Capacitância

∆iL
C= VRSE = R SE ∆iL
2 π fs ∆Vc
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

• Conversor CC-CC do Tipo Forward


e) Transformador

Aw

Ae

δ
2

2 Pout 10 4 Kp - fator de utilização do primário (0,5)


Ae A w =
k p k w J ∆B fs η kw - fator de utilização da área do enrolamento (0,4 )
J - densidade de corrente ( 250 - 400A/cm2)
∆B - variação de fluxo eletromagnético (0,2-0,3T)
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

• Conversor CC-CC do Tipo Forward


e) Transformador

Vin Np - número de espiras do primário


Np =
2 A e ∆ B fs Ae – área efetiva da perna central do núcleo (metros)
∆B - variação de fluxo eletromagnético (Tesla)

Nsn = Np 1,1
(Voutn + VF Dnom ) Ns - número de espiras do secundário
Vin Dnom VF - queda de tensão no diodo
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

• Conversor CC-CC do Tipo Forward

Procedimento de Projeto p/ o Forward em Cond. Contínua:

1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆Vo, ∆iL, η.

2. Definir a razão cíclica nominal, lembrando que Dmáx=0,5.

3. Calcular a(s) corrente(s) de carga, a(s) corrente(s) de pico no(s) secundário(s) e


a(s) resistência(s) de carga.

Po ∆Ion Voutn
Ion = Isp = Ion + R on =
Voutn n 2 Ioutn
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

• Conversor CC-CC do Tipo Forward

Procedimento de Projeto p/ o Forward em Cond. Contínua:

4. Calcular a(s) capacitância(s).

∆iL ∆V
C= R SE =
2 π fs ∆Vc ∆iL

5. Calcular o produto AeAw e definir o núcleo do transformador.

2 Pout 10 4
Ae A w =
k p k w J ∆ B fs η
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

• Conversor CC-CC do Tipo Forward

6. Calcular o número de espiras do primário e secundário(s).

Np =
Vin
Nsn = Np 1,1
(Vout n + VF Dnom )
2 A e ∆B fs Vin Dnom

Np
7. Calcular as relações de transformação. an =
Nsn

8. Calcular a(s) indutância(s).

Vin
Ln =
4 fs ∆iL max an
Conversores Half Bridge, Bridge e Push-Pull
+ TR1
D3 L
Vin/2 Va Vout
- D1
VS
i
L
C RL

iT
NS
Half Bridge (Meia Ponte)
R1 VP
NP

NS
+ D2 +
Vin/2 VCE2 D3 L
- TR2 V1
- D4
iL
N N RL
P S C

N
S
Push Pull Vin
D
TR TR 4
1 2
D1 D2
Vin

TR TR
1 3
D1 D3
D5 L

C C RL

Full Bridge (Ponte Completa)


D6
TR TR
2 4
D2 D4
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
VP

• Conversor Half Bridge (Meia Ponte) Vin/2

TR
1

T1
TR
+ TR1 a 2
Vin/2
D1
1 Etapa D3 T
-
2T
+ iL
+
Va
-
+ N
- Vin . S
NP
Vin iT

iL
iL

D4
D3 L

iL
Vout
RL
C VC
a
2 Etapa
NP

i TR1

D3 L
D4
- iL
T1 VCE

-
C
RL
D= Vin

+
T Vin/2
-
+

+ + a
3 Etapa T = período da tensão de entrada do filtro de saída
Vin/2
D2
- TR2
D4 TS = 2T = período de funcionamento do conversor
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull

• Conversor Half Bridge (Meia Ponte)

Vin NS E T P P T 1 VCEmáx = Vin


Vout = D Pin = i. TR 1 = out iTR = out . .
2 NP 2 T η η T1 Vin

Capacitor série: impede a circulação de corrente contínua no trafo

N 4
I0 . S
N C≥
2
2 2  NP 
i P
C
V

C
C
π fs   L
0
T T
T
S  NS 
S S
4 2

N I0
C≥ P ×
NS 2 fS ∆VC
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
• Conversor Full Bridge (Ponte Completa)

Vin

TR TR
1 3
D1 D3
D5 L

C C RL

D6
TR TR
2 4
D2 D4

VCEmáx = Vin
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
• Conversor Push-Pull
D3 V1 L

iL
NP NS RL
C

N
S

Vin
D4
TR TR
1 2
D1 D2 TR
1

T1

T
TR
2

T3

V
1

VCEmáx = 2 Vin
(2V in )

V
CE1 (V in )
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
• Transformador
Vin Np
1.5 Pout 10 3 Np = an =
Ae A w = 2 A e ∆B fs Nsn
k w k p J fs ∆B

Nsn = Np 1,1
(Vout n + VF Dnom )
• onde: kw=0.4 e kp=0.41 Vin Dnom
• para as mesmas condições, o transformador é menor que o do conversor Forward.

• Filtro de Saída

Vin ∆iL ∆V
Ln = Cn = R SEn =
4 fs ∆iL max an 2 π fs ∆Vc ∆iL
Aspectos de Comutação

MOSFET

• Tempos de comutação curtos,


• Alta impedância de entrada entre GS (potência de comando baixa),
• Fácil de ser associado em paralelo (coef. de temperatura positivo).

D
ID
Características em Condução:
+
• RDSon, G VDS
+ Di -
• ID e IDM, VGS

• VGS, -
S
• VGS(th),
• VDS(on)=RDSon x ID.
Características Estáticas

MOSFET

• A = Região de resistência constante


• B = Região de corrente constante
Características Estáticas

MOSFET

• Parâmetros importantes
a) RDson – O MOSFET “saturado” comporta-se como uma resistência;
b) ID – máxima corrente contínua que o componente pode conduzir;
c) IDM – máxima corrente pulsada de dreno que o MOSFET pode conduzir;
d) VGS – máxima tensão entre gate e source que pode ser aplicada (positiva ou
negativa);
e) ≈ 4,0 V);
VGS(th) – a tensão de gate suficiente para iniciar a condução (≈
f) VDC(on) = RDS(on).ID – tensão dreno-source com o MOSFET conduzindo;
g) O MOSFET bloqueado é caracterizado pela tensão de avalanche entre dreno e
source – V(BR)DS
Aspectos de Comutação

MOSFET

Características Dinâmicas:

• Ciss=Cgd+Cgs (carregado e descarregado pelo circ. gatilho),


• Coss=Cgd+Cds (capacitância de saída),
• Crss=Cgd (capacitância de transferência).

D
Cgd

G C ds

Cgs
S
Aspectos de Comutação VDD

I DRL
MOSFET
D
R
Comutação com Carga Indutiva: G

S
50

td(on) = 30 ns
tr(on) = 50 ns
td(off) = 10 ns
tf = 50 ns
Perdas em um MOSFET

P = Pcond + Pcom
t on
Pcond = .rds(on) .id(on) = rds(on) .id(on) .D = rds(on) .id( ef )
2 2 2
T
f
Pcom = .( t r + t f ).id(on ) .Vds (off )
2
t f ≅ t on t r ≅ t off
Perdas na Comutação
a) Conversor Flyback
Entrada em condução

E
E D

+ -
Vout VL E VCE ( Ip )
- + iC

N
L! L! Vout ( P ) = E
NS

+
T VCE T
-
iC
Perdas na Comutação
Conversor Flyback - Bloqueio
• Ll = 0
E E

1 ´
= I.E .t f
+
ES1
I E I E
2
-
iC iC

+
VCE
+
VCE
t f = t rv + t fI
- -
(a) (0 < t < t 1 ) (b) ( t1 < t < t 2 )

iC = I VCE = E´
P1 = ES1 .f
0 ≤ VCE < E´ I < iC ≤ 0

(I)
iC
(E) P1 = 0,5.I.E´.t f .f
t1 t2

t rv tfI
tf

(c)
Perdas na Comutação
Conversor Flyback - Bloqueio
• Ll ≠ 0

VL E

L!

+
VCE
-
Aspectos de Comutação
Snubber RCD
• Comutação com carga indutiva e com Snubber.
E 1 t fI
v off (t ) =
CS ∫0 iCS ( t )dt

I I.t
iC (t ) =
S t fI
I.t
Voff = fI
2CS
L!
 t  I2 .t 2fI .f
iC ( t ) = I1−  P1 =
Q5
IC  t fI  24C
DS RS
I CS
1 2 1 Ll
CS
Ll .I = CS .VCEmáx
2
VCEmáx = .I
2 2 CS
Aspectos de Comutação

Snubber RCD

I t t onmin Vin
• Flyback (Cond. Desc.): Cs = P fi Rs ≤ Rs ≥
2 Voff 3 Cs ICsp

1
PR = CS .E 2 .f
2

tfi – tempo de decrescimento da corrente (fabricante),


trv – tempo de crescimento da tensão (fabricante),
Voff – arbitrado,
tonmin – tempo mínimo de condução da chave.
Aspectos de Comutação

Snubber RCD

• Forward (Cond. Contínua):

ES2
1
= I.E
1
P2 = I.E.t r .f P = 0,5.VinI.f .(t r + t f )
2 2

IP (t fi + t rv ) t onmin Vin
Cs = Rs ≤ Rs ≥
V1n 3 Cs ICsp

1
P = .C.Vin2 .f
2
Perdas em um Diodo

• Perdas de Condução:

P = Pcond + Pcom Pcond = r.i2ef + VF .iFmd Pcond = VF .iF .t on .f


• Perdas de Comutação:

1 Pcom = 0,5 VRM .iRM .t b .f


E com = VRM .iRM .t b
2
Perdas em um Diodo
• Efeito da Recuperação Reversa do Diodo no Transistor
VCE
(E)

I RM

iT

t rI ta

∆W = 0,5.t a .IRM .E P = 0,5.t a .IRM .E.f

2.t rr t rr .IRM .E.f


ta = P=
3 3
Cálculo Térmico
Tj TC TD Ta

RjC RCD RDa

•Tj – temperatura da junção (°


(°C)
•TC – temperatura do encapsulamento (°
(°C)
•TD – temperatura do dissipador (°
(°C)
•Rjc – resistência térmica junção-cápsula (°
(°C/W)
•RCD – resistência térmica de contato entre o componente e o dissipador (°
(°C/W) =
0,2 °C/W.
•RDa – resistência térmica dissipador ambiente
•Ta – temperatura ambiente (°(°C)

Tj − Ta
Tj − Ta = P.(R jc + Rcd + R da ) RDa = − R jc − RCD
P
Circuitos de Comando de MOSFETs
• Princípio Básico

S1 Rg
G

Ig
+
VC S2 C iss
-

∆V t f = t r = 2,2R g .Ciss
Ig = Ciss .
•Ciss = 700 pF ∆t
•VC = 15 V
−12
700 x10 .15 tf 40 x10 −9
∆t = 40 ns Ig = = 0,26 A Rg = =
•∆
−9 2,2.Ciss 2,2.700 x10 −12
40 x10

R g ≅ 25Ω
Circuitos de Comando de MOSFETs
• Circuitos de Comando não-isolado
+VC
+VC

R1
T1 D
T2
Rg
Rg Tp
D
G
T1 T3 R2

S
T2 R3

R2

D = 1N914 R2 = 4,8 kΩ Rg = 50 Ω
T2 = MPS 2907 R3 = 10 kΩ
Circuitos de Comando de MOSFETs
• Circuito de Comando Isolado
+VC

R1=100 D
D2
G

D1 S
V V
P S

TR
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• A questão do isolamento
T1

RETIFICADOR RETIFICADORES VSAÍDA


Rede
E CONVERSOR E
FILTRO DE ENTRADA FILTRO DE SAÍDA

T2

T3

FONTE CIRCUITOS
DE
AUXILIAR COMANDO

•Massa de alta tensão (chaves) e massa de baixa tensão (saída, comando, fonte
auxiliar).
• Isolamento: T1 (transformado principal), T2 (transformador p/ comando), T3
(transformador da fonte auxiliar).
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• A questão do isolamento
T1

RETIFICADOR RETIFICADOR VSAÍDA


Rede
E CONVERSOR E
FILTRO DE ENTRADA FILTRO DE SAÍDA

FONTE CIRCUITOS ISOLAMENTO CIRCUITO


DE DE
AUXILIAR ÓTICO
COMANDO CONTROLE

• Massa de alta tensão (chaves, comando, fonte auxiliar) e massa de baixa tensão
(saída, controle).
• Isolamento: T1 (transformado principal) e isolador ótico.
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Fonte Auxiliar

Carga
+
-

Rede

Fonte Convencional com Isolamento


Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Fonte Auxiliar

Rede R1
C1
T1

Z
D1 D2 D3

Carga
+
C2 NS C3
-

Circuito de
Comando

Conversor Flyback com Fonte Auxiliar sem Isolamento


Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Circuitos Integrados PWM Dedicados

S1
VRef
+
Verro
-
A
VC
Comparador S2
-
VReal
+
VT Q

F/F
OSC. Q

Conversores CC-CC: UC3524


Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Circuitos Integrados PWM Dedicados
VT
Verro

VC

S1

S2

T1
T
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Circuitos Integrados PWM Dedicados
TP L

R5 DRC C RL

+
V
in C1 R3 15
- R6
16
1 -
R1
R4 A1
2 +
9 - 12
R2 S1
COMP
4 + +

5 A2 11
-
FF
S2
RSh 13
10

14

7
6 OSC 3

8 UC3524
CT RT
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Controlador de tensão

Z2

Vin Z1
1 -
9 Vout
A1
2
VRef +

.(V in−VREF )
Z2
Vout =
Z1
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Soft-Start (Partida Progressiva)

• Quando se energiza a fonte chaveada a razão cíclica deve progredir


lentamente, evitando a destruição do interruptor, saturação do
transformador e overshoot de saída.
Z2

Z1
Vout 1
- V9
A1 -
+ 9 COMP
VRef 2 +
+V

D2 R1 OSC.

D1
+
C
-
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Circuitos para Limitação de Corrente

• Curto-circuito
na carga: desativar a fonte e reativar após o
desligamento e religamento do equipamento.

+10V +5V
TR1

9 UC3524
R4

T2 10
R5

R6

TP

Th R2 IE

C1 R3 R1 N
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Utilização de Isolador Ótico
V2

V9 = V2 − R2 .I 2
+12V

I2 R2
Rg
R1
V1 − 1
I1 =
V1 16 15
V9
I1 9 13

4N26 R1
UC3524

1 2 4 5 8 6
14
7
I 2 = βI 1

470 k

β .(V1 − 1)
4V
R2
V9 = V2 − R2 β .I 1 = V2 −
R1
R2 R2
0,6 V
V9 = V2 − β .V1 + .β
R1 R1
∂V9 R2
Se R2 = R1 ⇒ G=β G= = − .β
∂V1 R1
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Utilização de Isolador Ótico
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Utilização de Isolador Ótico
+VCC
D1
Vout

R1
NP C1 RL
R2

R4
R5 C3

R3
R6 -
A
+ VRef

C2 Z1
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Proteção contra Sobretensão na Saída

• Sobretensão: a fonte é colocada em curto e o circuito de proteção contra sobre-


corrente é acionado e desativa a fonte.

+
Z VZ C
+
- SCR A
R Vout
+ G
R C VGK A
-
-

• Isolação da tensão de saída quando o comando do transistor não é


isolado: Isolador ótico (após o controlador de tensão) ou sensor hall
de tensão.
Resposta Transitória e Estabilidade
• Estrutura Simplificada de uma Fonte Chaveada
L VC Vout
S2
IL

C R1 R2
Vin .D = V1

• Supõe-se que L seja suficientemente grande para que não ocorra


variação significativa em IL, quando do fechamento de S2
VC Vout
S2

IL C R1 R2
IC
Resposta Transitória e Estabilidade
R1.R 2
R=
R1 + R 2
• Antes do transitório VC0 = R1.IL

• Após o transitório VCf = R.IL


• Transitório [ (
VC = IL R1e − t / RC + R 1 − e − t / RC )]
Resposta Transitória e Estabilidade
• Corrente no Capacitor durante o transitório
VC0 −t / RC
iC = − .e
R2

R1
iC = − .IL .e −t / RC
R2

• Sem RSE
Resposta Transitória e Estabilidade
• Com RSE

S2
C
I R1 R2
RSE

Vout = VC + VRSE
R1
VRSE = RSE.iC = −RSE. .IL .e −t / RC
R2
[
Vout = IL R + (R1 − R ).e − t / RC
] R1
− RSE. .IL .e −t / RC
R2
Resposta Transitória e Estabilidade

S2
I2 C
R1 R2
RSE

H(s) +VREF

1 – A amplitude do desvio de tensão depende somente da RSE do capacitor.


2 – A natureza da resposta (tipo de amortecimento e tempo de recuperação)
dependem somente do tipo de controlador empregado.
Resposta Transitória e Estabilidade
• Equação Característica e função de transferência

I(s) + ε (s) O(s)


G(s)
-

H(s)

O ( s ) = G ( s ).ε ( s )

O( s) G ( s)
= = F ( s)
I ( s ) 1 + G ( s ).H ( s )
Resposta Transitória e Estabilidade
• Critérios de Estabilidade

I(s) + ε (s) O(s)


G(s)
-

H(s)

1 + G ( s ).H ( s ) = 0 Instabilidade

G ( s ).H ( s ) = −1
(G(ω ).H(ω ))dB = 20.log[G(ω ).H(ω ) ] = 0
Φ = −180o
Resposta Transitória e Estabilidade
• Critérios de Estabilidade

• Margem de fase entre 45o e 90o


Resposta Transitória e Estabilidade
• Critérios de Estabilidade

• Margem de fase entre 45o e 90o


Resposta Transitória e Estabilidade

• Para erro estático pequeno - Ganhos elevados em baixa


freqüência
• Pólo na origem
• Freqüência de cruzamento por zero o mais alta possível

fs
fc ≅
4
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
V2 L Vout
V in
VST

C RL
NS
NP

NS
V2 md = VST .D = Vin .D
NP
T1 VC
( VS ) D= =
T VS
VC
N S VC
V2 md = Vin . .
N P VS
T1

V2 md Vin N S
T
= .
VC VS N P
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
V2 L Vout
V in
VST

C RL
NS
NP

Vout ( s) 1 Vout ( s ) 1
= 2 =
V2 md ( s) s LC + 1 V2 md ( s )  s 2 
 2 + 1
 w0 
Vout ( s) 1
= G ( w) dB = −20 log 1 + ( w / w0 ) 4
V2 md ( s)  jw  2
  + 1
 w0 
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
V2 L Vout
V in
VST

C RL
NS
NP

• Com RSE:
Vout ( s) (1 + s.C.RSE )
=
Vout ( s ) V2 md ( s ) Vout ( s )
. = V2 md ( s) (1 + s 2 / w02 )
V2 md ( s ) VC ( s ) VC ( s ) Vout ( s ) (1 + s / wZ )
=
V2 md ( s ) (1 + s 2 / w02 )
Vout ( s) Vin N S 1
= . . 2 2 Vout ( s ) Vin N S (1 + s / wZ )
VC ( s) VS N P ( s / w0 + 1) = . .
VC ( s ) VS N P (1 + s 2 / w02 )
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
V2 L Vout
V in
VST

C RL
NS
NP

dB
2 pólos

-40 dB/dec

zero
-20 dB/dec

fp fz f
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Flyback Vout

P2 md = R2 .I 22md
V in
I1 I2md I2
I p .T1
P1md = Vin .I 1md = Vin .
C R2

2T
Vin2 .T12
P1md =
2 L.T

P2 md = P1md Vin2 .T12


2
R2 I md =
2 L.T

Vin2 T12 Vin2 T12 Vin


I 2
2 md = .T 2 = . 2 I 2 md = .D
2 L.R2 T 2 L.R2 . f T 2 L.R2 . f
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Flyback
Vout

dVout Vout IC IR
I 2 md =C +
dt R2 I2md
R2
C
Vin dVout Vout
.D = +
C 2 L.R2 . f dt R2 .C

VC Vin dVout Vout VC


D= A= + = A.
VS 2 L. f .R2 .C dt R2 C VS

Vout ( s)[s.R2 C + 1] =
Vout ( s) A A.R2 C
S .Vout ( s) + = .VC ( s) .VC ( s)
R2 C VS VS
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Flyback
Vout

Vout ( s)[s.R2 C + 1] =
A.R2 C IC IR
.VC ( s)
VS I2md
R2
C
Vout ( s) A.R2 C 1
= .
VC ( s ) VS (1 + s.R2 C )
Vin 1
G (s) =
Vin .R2 C
.
1 G( s) = .
2 L.R2 . f .C (1 + s.R2 C ) 2 L. f (1 + s.R2 C )
R2
• Sistema de 1a ordem
• Ganho depende da Resistência de carga
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Flyback
Vin (1 + s.RSE.C )
Com RSE: G(s) = .
2 L. f (1 + s.R2 C )
R2
G (jw)dB
pólo

-20 dB/dec

0 dB
zero

fp fz f
Resposta Transitória e Estabilidade
• Circuitos de Compensação
• Compensador de 1 pólo
Rf dB

VC Z f +20 +90°
Cf
= -20 dB/dec
V0 Zi
Ri 0 0
V0
-
A VC
Vref +
-20 -90°
Rref

R f / C f .s
Z i = Ri Zf = -40

R f + 1 / C f .s
0,1fp fp 10fp 100fp

VC ( s ) Rf Rf 1 Ri . R f
= = . Rref =
V0 ( s ) C f .s ( R f + 1 / C f .s ) Ri Ri (1 + s.C f .R f ) Ri + R f
Resposta Transitória e Estabilidade
• Circuitos de Compensação
(dB)

• Compensador de 2 pólos 80
Ci Rfz Cf
60

R ip Riz
V0 - 40
fp2
A VC
Vref +
20
R ref
fz1 = fz2
1
Z f = R fz + 0

s.C f
-20
1 f1 10 100 1k 10k f2 100k
Riz / s.C i Riz 1
Z i = Rip + = . + Rip
1 s.C i 1
Riz + ( Riz + )
s.C i s.C i
VC (s) (1 + Riz .Ci.s)(1 + Cf .R fz .s) C f .R fz = Ci .Riz
= fz1 = fz2
V0 (s)   Rip .Riz 

Cf .s.(Rip + Riz ).1 + Cis. 
  Riz + Rip 
Resposta Transitória e Estabilidade
• Método prático p/ cálculo do compensador para conversor Forward

1o) Traçar o diagrama G(s) em dB.


2o) Escolher a topologia do controlador. Recomenda-se o controlador de 2
pólos estudado neste capítulo.
3o) Definir a freqüência fc, na qual a curva da função G(s).H(s) passa por 0
f
dB. Recomenda-se f c ≤ s sendo fs a freqüência de chaveamento .
4
4o) Determinar o ganho de H(s) para f = fc.
5o) Situar os dois zeros de H(s) na freqüência f0 do filtro.
6o) Situar o 1o pólo de H(s) na origem (0 Hz). Assim fp1 = 0 Hz.
7o) Situar o 2o pólo de H(s), destinado a compensar o zero da RSE, numa
freqüência igual a 5 vezes a freqüência de ressonância do filtro.
8o) Calcular H1 e H2 empregando o procedimento descrito a seguir
9o) Calcular os valores dos resistores e capacitores do circuito de
compensação
Resposta Transitória e Estabilidade
• Método prático p/ cálculo do compensador para conversor Forward
dB
30

G(s)
20
H2
(H 2 )
-40 dB/dec
10
-20 dB/dec +20 dB/dec
-1
+1

0
A
-10
-1

-20

-30
f p1 0,1 fc f0 fc f p2 10 f 0

f p2 fc
H 2 = A + 20 log = 20 log A2 H 1 = A − 20 log = 20 log A1
fc f0
Resposta Transitória e Estabilidade
• Exemplo de Projeto – Conversor Forward

Vout = 12 V Pout = 240 W fs = 40 kHz → T = 25 µs Vin = 60 V


I = 2 A a 20 A R1 = 6 Ω a 0,6 Ω C = 4000 µF D = 0,2 a 0,4 L = 60 µH
RSE = 25 mΩ N S = 1,0 VS = 5,0 V
NP
a) Diagrama de G(s)
Vout Vin 60
= =G G= = 12 = 21,6dB
VC VS 5

1 1
f0 = = 325Hz fz = = 1590Hz
2.π . L.C 2.π .RSE.C
Resposta Transitória e Estabilidade
• Exemplo de Projeto – Conversor Forward
Ganho (dB)
(H2 )
20
0
0
fs
fc = = 10kHz
10
20
4
21,5 dB

Para f = 10 kHz, o ganho de G(s)


-40 dB/dec
é de –21 dB
0
40
HdB_ ( f )

fz1 = fz2 = f0 = 325 Hz


21,5 dB
-10
60
fp1 = 0 Hz
-20 dB/dec
fp2 = 5.f0 = 1625 Hz
-20
80
H2 = 21,5 dB ⇒ H2 = 20log A2
90
H2
log A 2 = = 1,075 A2 = 11,9
100 325 1k f p2 f c = 10k f (Hz)
3 4 5 6
1 10 100 1 10
1590 1 10 1 10 1 10
1 f
1 .10
6
f z1 = f z2 = f0
20
7 ,6
f p2 H1 = 21,5 – 13,8 = 7,68 dB = 20log A1 log A1 =
H 1 = H 2 − 20 log 20
f0
A1 = 2,4
Resposta Transitória e Estabilidade
• Exemplo de Projeto – Conversor Forward
Ganho (dB)
(H2 )
20
0
0
R fz
A2 = = 2,4
10
20
21,5 dB Rip
-40 dB/dec
1
0
40 f z1 = f z 2 = = 326 Hz
HdB_ ( f )
2.π .C i .Riz
21,5 dB
-10
60
1
= 326 Hz
-20 dB/dec
2.π .C f .R fz
-20
80

1
f p2 =
90

1 10
100
100
325 1k f p2
1 10
3 f c = 10k
1 10
4
1 10
5 f (Hz)
1 10
6 = 1600 Hz
 Rip .R fz 
1 1590
f
1 .10
6
f z1 = f z2 = f0

2.π .Ci . 
R +R 
 fz ip 
Riz = 47 k Ci =
1 C i = 0,01µF
2.π .Riz . f z1
Resposta Transitória e Estabilidade
• Exemplo de Projeto – Conversor Forward
0
Ganho (dB)
20
0
(H2 )
R fz
= 11,9
Rip
10
20
21,5 dB

-40 dB/dec R fz = 2,4


Rip + Riz
0
40
HdB_ ( f )

21,5 dB
-10
60

-20 dB/dec Rip = 11,87 kΩ


-20
80

90
100 325 1k f p2 f c = 10k f (Hz)
3 4 5 6
1
1 10 100 1 10
1590
f
1 10 1 10 1 10
1 .10
6 Ci.Riz = Cf .Rfz
f z1 = f z2 = f0

Cf =
C i .Riz C f = 3,33nF
R fz
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas

• Interferências por radiofreqüência podem ser transmitidas por radiação direta


ou por condução através dos terminais de entrada.
• Interferências que a fonte produz nos terminais de entrada se propagam para
outros equipamentos, podendo provocar ruídos e mau funcionamento.

• MEDIÇÃO DA INTERFERÊNCIA CONDUZIDA.

L1
L1 = L2 = 500 µH
C1 = C2 = 0,1 µF
Rede Fonte R1 = R2 = 150 Ω
AC L2 Chaveada

C1 C2

Faixa de medição – 150 kHz a 30 MHz


R1 R2

LISN – Line Impedance Stabilization Network


Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Causas da Interferência

Comutação do transistor

Rede E

-
+

VC

Terra -
VC T/2

E 2  π 
 n .sen(n.f .π .ζ )
1 (E )
Vn = . 2 sen 2

2  n .f .π .ζ
2
 2 

1 ( -E/2 )

f =
T
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Se: dB
150 dB -20 dB/dec

f = 50 kHz
ζ = 500 ns
E = 150 V -40 dB/dec

n = 1 a 1000

n=3
f3 = 150 kHz 0

V3 = 31,537 V 1 10 13 100 1000

V3 31,537 V
V3dB = 20 log = 20 log Amplitudes das tensões parasitas dependem:
1µV 1µV
V3dB = 150,57dB / µV • Da tensão E
• Da freqüência de comutação da fonte
• Dos tempos de comutação
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Propagação das tensões parasitas:

Isolante Espessura C calculado C medido εR


(mm) (pF) (pF)

Mica 0,1 155 160 3,5

Plástico 0,2 93 96 4,2

Cerâmica 2,0 20 23 9,0

Área
C = ε 0 .ε R . ε 0 = 8,855 pF / m
Espessura
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Correntes parasitas simétricas – tensões de modo comum

T
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Correntes parasitas assimétricas – tensões de modo diferencial

T
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Exemplo

C = 150 pF ∴
f3 = 150 kHz (freqüência de harmônica)
V3 = 31,537 V

1 1012 1012 10 3
XC = = XC = = = 7073Ω
2.π . fC 2.π .150 x10 3.150 2.π .10 .0,15.0,15 x10
3 6
2.π .0,15 2

V 31,537 R 150
i3 = 3 = = 4,46mA ∆V3 = .i3 = .4,46mA = 334,5mV
XC 7073 2 2

334,5mV
∆V3dB = 20 log ≅ 170,5dB
1µV
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência

a) Redução da capacitância de acoplamento entre o encapsulamento e o dissipador

b) Isolamento do dissipador em relação à massa

Dissipador afastado de uma distância x em relação à massa


Cx = 80 pF para x = 1 mm

Cx = 4 pF para x = 2 cm

C = 150 pF Capacitância entre dissipador e interruptor

Assim: Assim, para x = 2 cm


C.C x 150.4
CTC = CTC = ≅ 3,9 pF
C + Cx 150 + 4
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência

b) Isolamento do dissipador em relação à massa

i3 = 2.π .f .CTC .V3 i3 = 2.π .150 x103.3,9 x10 −12.31,537 = 115,92 µA

150
V3 = .115,92 µA = 8694 µV ∆V3dB = 78,78dB
2
c) Placa condutora entre o interruptor e o dissipador

C1 C2

Dissipador

Placa
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência

d) Emprego do filtro de rede

d.1) para correntes simétricas


L2
a
F

CX L3
b
N

Cx é baixa impedância para as correntes simétricas


Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência

d) Emprego do filtro de rede

d.1) para correntes simétricas


L2
− j 2 RX C − j 2 R / ωC X
c
Z cd = =
2 R − jX C
a
j
2R −
R ωC X
CX

L3
2R
R
Z cd =
d
b 1 + j 2 Rω X C
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência

d) Emprego do filtro de rede

d.1) para correntes assimétricas

F
L1
C

R R Cy Cy
1
T
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência

d) Emprego do filtro de rede


L2

Cy
5mH 4,7nF

CX
0,1 µ F

5mH Cy
4,7nF

N
L3
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Influência da capacitância entre enrolamentos

Primário Secundário

CT

• Grades condutoras
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Exemplo de cálculo do filtro de rede

VCA = 220 V (tensão da rede).


f = 60 Hz (freqüência de rede).
P = 150 W (potência de entrada da fonte).
E = 300 V (tensão mo estágio de corrente contínua, após o retificador de
entrada).
fs = 50 kHz (freqüência de chaveamento).
τ = 500 ns (tempo de subida da tensão de coletor do transistor).
C = 50 pF (capacitância entre o transistor e a carcaça).
VRdB= 54 dB/µV (nível da tensão máxima permitida nos resistores da rede
artificial, para 150 kHz).
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
1) Primeiro passo

f3 =150 kHz V3 = 15,8 dB


2) Segundo passo – verificação do nivel de interferência de modo comum sem o
filtro de rede.
1 1 V3 15,8V
X C3 = = ≅ 21kΩ iC3 = = = 0,752mA
W3 C 2.π .150 x10 .50 x10
3 −12
X C3 21kΩ
Queda de tensão nos resistores da rede artificial.

R V3 56,4mV
VR 3 = iC3 = 75.0,752.Ω.mA = 56,4mV VR3dB = 20 log = 20 log
2 1µV 1µV

VR3dB = 20 log 4,75 = 95dB / µV ∆V3dB = 95 – 54 = 41 dB/µV


Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
3) Terceiro passo – escolha dos capacitores Cy, de modo comum

Cy = 5 nF

4) Quarto passo – escolha do indutor Lo para filtrar correntes de modo comum


L 2 = 4,28 mH

L1 Cy = 5nF/250V

Cx = 0,1µF/250V

L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N

RD= 4,5M 1/8W

1 1
X C3 = 21kΩ X Cy = = −9
= 106Ω
W3 .2.C y 2.π .150 x10 .2.5 x10
3
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
4) Quarto passo – escolha do indutor Lo para filtrar correntes de modo comum
L 2 = 4,28 mH

L1 Cy = 5nF/250V

Cx = 0,1µF/250V

L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N

RD= 4,5M 1/8W

Para V0dB = 54 db/µV, obtém-se

V V0 500µV
54 = 20 log 0 V0 = 500 µV i0 = = = 0,0067mA
1µV R0 75Ω
Como i0 << , a tensão V0b é dada por

Vob = XCy .iC3 = 106.0,752 = 0,08V


Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
5) Quinto passo – Escolha de Cx L 2 = 4,28 mH

L1 Cy = 5nF/250V

Cx = 0,1µF/250V

L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N

RD= 4,5M 1/8W

P 150
i= = = 0,68 A ICx= 0,001.i = 0,0068A
V 220
iC X 0,0068
CX = = = 0,084µF CX = 0,1 µF
2.π . f .V 2.π .60.220
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
6) Sexto passo – Escolha de L2 e L3 L
2 = 4,28 mH
F

L1 Cy = 5nF/250V

Cx = 0,1µF/250V

L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N

RD= 4,5M 1/8W

∆VL = 0,01% V = 220V ∆VL = 2,2 V


∆VL 2,2
ω(L2 + L3).i = ∆VL L2 + L3 = = = 8,58mH
ω 0 .i 2.π .60.0,68

L2 + L3
L2 = L3 = = 4,28mH
2
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
7) Sétimo passo – Escolha do resistor de descarga
L 2 = 4,28 mH

L1 Cy = 5nF/250V

Cx = 0,1µF/250V

L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N

RD= 4,5M 1/8W

t
RD = t=1s
2,21.C X

10 6
RD = ≅ 4,5MΩ
2,21.0,1
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
Ensaios de Interferência conduzida numa fonte para telecomunicações

ACTV DET: PEAK


MEAS DET: PEAK QP AVG
MKR 15.1 0 MHz
36. 0 7 dB V
LOG
REF 85. 0 dB V
10
dB/
PASS LIMIT
ATN

10dB

WA SB

SC FC

CORR
A

START 15 0 kHz STOP 3 0 . 0 0 MHz


#IF BW 9. 0 kHz AVG BW 3 0 kHz SWP 1.4 0 sec
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
Ensaios de Interferência conduzida numa fonte para telecomunicações

ACTV DET: PEAK


MEAS DET: PEAK QP AVG
MKR 15.1 0 MHz
29.98 dB V
LOG
REF 85. 0 dB V
10
dB/
PASS LIMIT
ATN

10dB

WA SB

SC FC

CORR
A

START 15 0 kHz STOP 3 0 . 0 0 MHz


#IF BW 9. 0 kHz AVG BW 3 0 kHz SWP 1.4 0 sec
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
Ensaios de Interferência conduzida numa fonte para telecomunicações