Performance de Chaveamento de um Transistor

Transistor com carga resistiva

Formas de onda do chaveamento de um transistor

o Um transistor no pode ser ligado instantaneamente por causa da presena de capacitncias internas. A figura mostra a forma de onda do chaveamento entre o coletor e o emissor de um transistor NPN com carga resistiva ligada ao coletor; o Quando a tenso VBE (tenso base-emissor) aplicada, a corrente na base sobe para IBS. A corrente do coletor, porm continua em zero, ou igual a corrente de fuga do coletor-emissor ICEO como mostra a figura; o Depois de algum tempo td, chamado de tempo de atraso (Delay Time), a corrente do coletor comea a subir. Este tempo existe devido ao tempo necessrio para carregar a capacitncia da juno base-emissor (VBES) = 0,7V; o Depois deste tempo td, a corrente do coletor sobe para um estado estvel de valor ICS, durante um tempo tr, que conhecido como tempo de subida (Rise Time). Isto significa que o tempo de ligar para o BJT : ton = td + tr o O tempo de subida depende da capacitncia de entrada. Durante o tempo de subida tr, a tenso VCE desce de VCC para VCES. Quando a tenso VBE removida no momento t1, a corrente do coletor no muda durante um tempo ts, chamado de tempo de armazenamento (Storage Time); o Durante o tempo ts, a carga que o mantinha o transistor saturado removida da base. Aps o tempo ts, a corrente no coletor comea a diminuir, e ao mesmo tempo, sua tenso VCE aumenta. Aps o tempo tf, chamado de tempo de descida (Fall Time), a corrente do coletor diminui at ICE0 (quase zero) e a tenso entre coletor e emissor sobe para VCC. A soma do tempo de armazenamento (ts) e tempo de descida (tf) recebe o nome de tempo de desligamento (Turn Off): toff = ts + tf o As vrias formas de onda durante o chaveamento do transistor so mostradas na figura acima. ton toff td ts tr tf tn On Time Off Time Delay Time Storage Time Rise Time Fall Time Conduction Time

Bibliografia
http://www.srmuniv.ac.in/downloads/transistor_as_a_switch.doc