I.

DISEO DE LA RED SNUBBER El diseo de la red snubber es un circuito de amortiguamiento de sobre picos,ya que a veces dichos sobre picos son capaces de generar rupturas en el semiconductor, dejndolo fuera de funcionamiento, para el diseo de la red de proteccin del semiconductor se procede a observar los datos arrojados por el fabricante del dispositivo. En la siguiente tabla se muestran las limitaciones del dispositivo.

Tabla 1 limitaciones del dispositivo [2] La tabla 1 permite la visualizacin de los limitantes del dispositivo que se emplea para la funcin de switch.Mxima tensin que soporta (200v) y una corriente mxima (9 A). Es por ello que el transistor IRF630cuenta con las condiciones optimas para la conmutacin del circuito. La tabla 2 presenta las caractersticas inherentes del funcionamiento del transistor Mosfet IRF 630, entre las cuales se encuentran los siguientes parmetros:

Ls= internal source inductance. Cp= output capacitance. ID= continuous drain current tr= tum-on rise time. tf= tum-off fall time. VDSS= drain-sourcevoltage

Tabla 2 caractersticas elctricas [2]

A travs de la informacin anterior se procede a hallar el circuito snubber [3] de proteccin para el transistor IRF-630. Ecuacin (11)
( )

Ecuacin (12) ( )