Fondamenti fisici deI

Transistor prototipo:
Giunzioni a gradino
Drogaggio uniforme nella Base
Le correnti secondo i diagrammi di
energia:
TecnoIogia per
circuiti integrati
TecnoIogie per Transistor per circuiti integrati
Geometria del dispositivo reale
x
B
10
-1
mm
x
E
, Y
E
, Y
C
1 mm
L'effetto transistor nel dispositivo per integrazione
dipende in modo critico da x
B
confinato nella larghezza Y
E
, (dimensioni dell'emettitore)
Il dispositivo si pu considerare lineare con A = Y
E
Z
E
Zona Attiva Diretta:
J
1
in polarizzazione diretta
J
2
in polarizzazione inversa
Esempio: Transistor npn
V
BE
> 0; V
BC
0
una corrente di elettroni
n
fluisce nel Collettore
Componenti della corrente tra E e B in Zona Attiva:
Contributo dominante alla corrente di Base:
Iniezione di minoritari nell`Emettitore dalla Base
Modello di Ebers-Moll per l`analisi del B1T
I
E
-I
F

R
I
R
I
C

F
I
F
- I
R
Condizione di reciprocita
F
I
ES

R
I
CS
I
B
I
BC
I
BE
Circuito equivalente del
B1T npn
Amplificatori e Commutatori
Le maggiori diIIerenze sono nella resistivita` e nello spessore dello strato epitassiale:
sono maggiori negli ampliIicatori

Resistenza di saturazione
EIIicienza di Emettitore
Dimensioni
Misura della Tensione di Early:
Variabili indipendenti: Corrente di ingresso I
B
Tensione d`uscita V
CE
Variabili dipendenti: : Tensione di ingresso V
BE
Corrente d`uscita I
C
I termini che deIiniscono V
A
dipendono dal processo di Iabbricazione e da V
CB
, ma...
Progettazione del B1T per la riduzione delle conseguenze
dell`Effetto Early
Come si esprime J
A
in fun:ione dei parametri di fabbrica:ione
(dimensioni delle regioni, drogaggio ecc.)?
L`Effetto Early nel transistore prototipo
Effetti a deboli ed elevate polarizzazioni:
Dati sperimentali di I
C
e I
B
in Iunzione di V
BE
:
accordi e discrepanze con la teoria sviluppata
Debole o Elevata polarizzazione dipende dal
drogaggio del semiconduttore
Basse Polarizzazioni :
V
BE
0
I
B
I
BO

exp(V
BE
/n V
T
)
Alte Polarizzazioni:
EIIetti nella giunzione B-E
EIIetti nella giunzione B-C (eIIetto Kirk)
Resistenza Distribuita di Base
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Profilo di drogaggio in un
BJT npn reale.
Jaluta:ione dellEffetto Kirk
Spostamento del campo elettrico
(calcolo numerico)
Larghezza di Base
(caso sempliIicato)
Resisten:a Distribuita di Base

Tempo di transito in Base

I
C
I
S
exp |(V
BE
-I
B
R
B
)/ V
T
|
Modello a Controllo di Carica
DeIinizione dei parametri del BJT in termini delle cariche nelle varie regioni
del dispositivo
Effetto di I
B
nella configurazione ad E comune: Simulatore AIM-SPICE
(Automatic Integrated Modeling
Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)
Modello ibrido di Ebers-Moll
'i(vi1)'
'i(vi2)'
'i(vi3)'
'i(vi4)'
'i(vi5)'
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
Vce |V|
-1.0E+000
5.0E+002
1.0E+003
1.5E+003 1.5E+003
I
c

|
A
|