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RECORDANDO
PONTIFCIA UNIVERSIDADE CATLICA DE MINAS GERAIS CURSO DE ENGENHARIA DE PRODUO CINCIA E SELEO DOS MATERIAS
ARRANJAMENTO ATMICO
PONTIFCIA UNIVERSIDADE CATLICA DE MINAS GERAIS CURSO DE ENGENHARIA DE PRODUO CINCIA E SELEO DOS MATERIAS
ARRANJAMENTO ATMICO
Os materiais slidos podem ser classificados em cristalinos ou nocristalinos de acordo com a regularidade na qual os tomos ou ons se dispem em relao seus vizinhos. Material cristalino aquele no qual os tomos encontram-se ordenados sobre longas distncias atmicas formando uma estrutura tridimensional que se chama de rede cristalina. Todos os metais, muitas cermicas e alguns polmeros formam estruturas cristalinas sob condies normais de solidificao.
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MATERIAIS POLICRISTALINOS
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MATERIAIS POLICRISTALINOS
Diagramas esquemticos dos vrios estgios durante a solidificao de um material policristalino; os retculos quadrados representam clulas unitrias. (a) Pequenos ncleos de cristalizao (cristalitos). (b) Crescimento dos cristalitos; tambm mostrada a obstruo de alguns gros adjacentes entre si. (c) concluso da solidificao, gros com formas irregulares foram formados. (d) A estrutura granular como ela apareceria em um microscpio; as linhas escuras so os contornos de gros.
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de fatores como composio do material, material do molde, temperatura de vazamento. um processo que se d basicamente em duas etapas: Formao do ncleo ou Nucleao Crescimento e formao do cristal. Formao da estrurura granular. Os cristais crescem at se encontrarem uns com os outros
Nucleao
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A estrutura dos gros formados no processo de solidificao de um metal em um lingote pode apresentar trs zonas distintas. So as coquilhada, zona colunar, e zona equiaxial. O Formato dos gros so: Equiaxial que apresenta mesmo formato e tamanho em todas as direes. Colunar com formato alongado.
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muestra diferentes lingotes de una aleacin cobre-aluminio de distinto grado de pureza, en los cuales se observa que la proporcin de granos columnares se reduce considerablemente respecto a los granos equiaxiales: con menor sobrecalentamiento del lquido y con mayor nivel de soluto de cobre en el de aluminio, estas condiciones producen un refinamiento de los granos del lingote.
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IMPERFEIES NOS SLIDOS O QUE UM DEFEITO? uma imperfeio ou um "erro" no arranjo peridico regular dos tomos em um cristal. Podem envolver uma irregularidade na posio dos tomos no tipo de tomos O tipo e o nmero de defeitos dependem do material, do meio ambiente, e das circunstncias sob as quais o cristal processado.
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Regio entre os cristais Regio de transio entre os reticulados cristalinos Pouco desordenado Baixa densidade Alta mobilidade Alta difusividade
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Apenas uma pequena frao dos stios atmicos so imperfeitos Menos de 1 em 1 milho Menos sendo poucos eles influenciam muito nas propriedades dos materiais e nem sempre de forma negativa
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INTRODUO SELETIVA
CONTROLE DO NMERO
ARRANJO
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O processo de dopagem em semicondutores visa criar imperfeies para mudar o tipo de condutividade em determinadas regies do material A deformao mecnica dos materiais promove a formao de imperfeies que geram um aumento na resistncia mecnica (processo conhecido como encruamento) Wiskers de ferro (sem imperfeies do tipo discordncias) apresentam resistncia maior que 70GPa, enquanto o ferro comum rompe-se a aproximadamente 270MPa.
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atmicas:
LACUNAS; TOMOS INTERTICIAIS;
TOMOS SUBSTITUCIONAIS.
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IMPERFEIES NOS SLIDOS Classificados de acordo com sua geometria ou dimenses Defeitos planos ou interfaciais (fronteiras) duas
dimenses :
SUPERFCIE EXTERNA CONTORNO DE GRO FRONTEIRAS ENTRE FASES MACLAS OU TWINS DEFEITOS DE EMPILHAMENTO
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DEFEITOS PONTUAIS
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LACUNAS
DEFEITOS PONTUAIS
Envolve a falta de um tomo So formados durante a solidificao do cristal ou como resultado das vibraes atmicas (os tomos deslocam-se de suas posies normais)
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LACUNAS
DEFEITOS PONTUAIS
Vacancy
distortion of planes
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LACUNAS
DEFEITOS PONTUAIS
Micrografia de varredura por sonda (gerada com a utilizao de um microscpio de tunelamento de varredura) que mostra um plano (111) para o silcio. A seta aponta para a localizao de um tomo de silcio que foi removido utilizando-se uma sonda com ponta nanomtrica de tungstnio. Defeito de lacuna vazio na rede cristalina. Ampliao de 20.000.000 X
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TOMOS INTERTISIAIS
DEFEITOS PONTUAIS
Envolve um tomo extra no interstcio (do prprio cristal) Produz uma distoro no reticulado, j que o tomo geralmente maior que o espao do interstcio A formao de um defeito intersticial implica na criao de uma vacncia, por isso este defeito menos provvel que uma LACUNA
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TOMOS INTERTISIAIS
DEFEITOS PONTUAIS
selfinterstitial
distortion of planes
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TOMOS INTERTISIAIS
DEFEITOS PONTUAIS
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CAPTULO 5 IMPERFEIES NOS SLIDOS DEPENDNCIA DO NMERO DE LACUNAS EM EQUILBRIO COM A TEMPERATURA
-Q Nl l exp = kT N
Cada sitio do reticulado uma lacuna em potencial
NOS
Nl N
exponential dependence!
ln
Nl N
Inclinao
-Q l / k
Concentrao de defeitos
1/ T
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EXERCCIO N 1
Clculo do nmero de lacunas a uma temperatura especfica
Calcule o nmero de lacunas em equilbrio em 1 m3 de Cu a 1000C. Dados: r = 8.4 g/cm3 ACu= 63.5 g/mol NA= 6.02 x 1023 atoms/mol Ql= 0.9 eV/atom
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EXERCCIO N 1
Clculo do nmero de lacunas a uma temperatura especfica
Calcule o nmero de lacunas em equilbrio em 1 m3 de Cu a 1000C.
Soluo:
-Q Nl = l exp kT N
N =r x
NA A Cu
x 1 m3
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EXERCCIO N 1
Clculo do nmero de lacunas a uma temperatura especfica Soluo:
1) Determinar o nmero de stios atmicos N por m3 para o Cu de acordo com a relao: N = (8.4 g/cm3)x(6,023x1023 tomos/mol)x(106 cm3/m3) = 8,0x1028tomos/m3 65,3 g/mol 2) Determinar o nmero de lacunas a 1000C
-Q Nl = l exp kT N
8,0x1028tomos/m3
0.9 eV/atom
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Reprinted with permission from Nature (K.F. McCarty, J.A. Nobel, and N.C. Bartelt, "Vacancies in Solids and the Stability of Surface Morphology", Nature, Vol. 412, pp. 622-625 (2001). Image is 5.75 mm by 5.75 mm.) Copyright (2001) Macmillan Publishers, Ltd.
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DEFEITOS PONTUAIS
FRENKEL
Ocorre em slidos inicos Ocorre quando um on sai de sua posio normal e vai para um interstcio
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Presentes em compostos que tem que manter o balano de cargas Envolve a falta de um nion e/ou um ction
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IMPUREZAS NOS SLIDOS Um metal considerado puro sempre tem impurezas (tomos estranhos) presentes
99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3 A presena de impurezas promove a formao de defeitos pontuais
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LIGAS METLICAS
As impurezas (chamadas elementos de liga) so
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A ADIO DE IMPUREZAS PODE FORMAR Solues slidas Segunda fase < limite de solubilidade > limite de solubilidade
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SOLUES SLIDAS
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o elemento de liga (impureza) e matriz apresentam estrutura cristalina e dimenses eletrnicas semelhantes.
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SOLUES SLIDAS
Os tomos de impurezas ou os
elementos de liga ocupam os espaos dos interstcios Ocorre quando a impureza apresenta raio atmico bem menor que o hospedeiro (solvente) Como os materiais metlicos tem geralmente fator de empacotamento alto as posies intersticiais so relativamente pequenas Geralmente, no mximo 10% de impurezas so incorporadas nos interstcios
Intersticial
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SOLUES SLIDAS
Intersticial
EXEMPLO DE SOLUO SLIDA INTERSTICIAL Fe + C solubilidade mxima do C no Fe 2,1% a 910 C (Fe CFC)
O C tem raio atmico bastante pequeno se comparado com o Fe rC= 0,071 nm= 0,71 A rFe= 0,124 nm= 1,24 A
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SOLUES SLIDAS
Intersticial
EXERCCIO N 2 A Solubilidade do Carbono no Ferro O carbono mais solvel no Ferro CCC ou CFC, considerando a temperatura prxima da transformao alotrpica?
ccc
cfc
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SUBSTITUCIONAL ORDENADA
SUBSTITUCIONAL DESORDENADA
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mximo 15%, caso contrrio pode promover distores na rede e assim formao de nova fase Estrutura cristalina mesma Eletronegatividade prximas Valncia mesma ou maior que a do solvente
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SOLUES SLIDAS
Substitucional
EXEMPLO DE SOLUO SLIDA SUBSTITUCIONAL Cu + Ni so solveis em todas as propores
Cu Ni
Raio atmico
Estrutura Eletronegatividade
0,128nm = 1,28 A
CFC 1,9
0,125nm = 1,25A
CFC 1,8
Valncia
+2
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DEFEITOS LINEARES
DISCORDNCIA EM CUNHA OU ARESTA EM MOVIMENTO
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Produz distoro na
rede
O vetor de burger
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Vista de cima. A linha de discordncia se estende ao longo da linha AB. Posies acima do plano de escorregamento designadas por crculos abertos, e o plano inferior de escorregamento so designados por pontos fechados.
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DEFEITOS LINEARES
DISCORDNCIA EM HLICE E CUNHA EM MOVIMENTO
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DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS SO DEGRAUS DE ESCORREGAMENT SUPERFICIAIS. (Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).
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Discordncia mista: que possui caracteristicas de discordncias em arestas, espiral e mista. Vista superior posies acima do plano de escorregamento designadas por crculos abertos, e o plano inferior de escorregamento so designados por pontos. No ponto a, a discordncia puramente espiral, enquanto no ponto b ela puramente aresta. Na regio onde existe uma curvatura a discordncia mista.
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DEFEITOS LINEARES
Uma micrografia eletrnica por transmisso de uma liga de titnio em que as linhas escuras so as discordncias. Ampliao 51.450X. Observao direta.
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DEFEITOS LINEARES
Uma micrografia eletrnica por transmisso em que as linhas escuras so as discordncias. Observao direta.
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DEFEITOS LINEARES
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DEFEITOS LINEARES
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DEFEITOS LINEARES
Observao de figura de ataque produzida na discordncia vista no sem micrografia eletrnica de varredura por sonda. Mapa topogrfico em escala atmica, detalhes da superfcie.
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CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias podem ser
controlados pelo grau de deformao (conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmicos.
Com o aumento da temperatura h um aumento na
velocidade de deslocamento das discordncias favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e formao de discordncias nicas.
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em torno
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CONSIDERAES GERAIS O cisalhamento se d mais facilmente nos planos de maior densidade atmica, por isso a densidade das mesmas depende da orientao cristalogrfica.
plstica.
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Envolvem fronteiras (defeitos em duas dimenses) e normalmente separam regies dos materiais de diferentes estruturas cristalinas ou orientaes cristalogrficas Superfcie externa Contorno de gro Fronteiras entre fases Maclas ou Twins Defeitos de empilhamento
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ligados.
Ento o estado energia dos tomos na superfcie
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Regio entre os cristais Regio de transio entre os reticulados cristalinos Pouco desordenado Baixa densidade Alta mobilidade Alta difusividade
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circunvizinhos
O tamanho de gro
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H uma energia mais elevada. Favorece a nucleao de novas fases (segregao). Favorece a difuso
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aos tomos no interior do cristal. Os tomos superficiais tm seus vizinhos apenas de um lado; logo possuem menos energia e esto menos firmemente ligados que os tomos internos. Este fato da origem a uma energia de superfcie
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contorno de gro
Os tomos de um lado do
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fabricao do componente:
Incluses
Precipitados
Impurezas estranhas.
forma-se devido presena de impurezas ou elementos de liga (ocorre quando o limite de solubilidade ultrapassado).
- Porosidade
formao de gases.
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IMPERFEIES VOLUMTRICAS
INCLUSES
Impurezas estranhas
INCLUSES DE XIDO DE COBRE (Cu2O) EM COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%) LAMINADO A FRIO E RECOZIDO A 800o C.
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INCLUSES
Impurezas estranhas
Incluso observada em amostra do ao de baixo teor de carbono (SAE-1015), desoxidado ao alumnio retirada do metal lquido, no forno-panela, aps a adio de alumnio e preparada utilizando o mtodo metalogrfico convencional.
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INCLUSES
Impurezas estranhas
Incluso observada em amostra do ao de baixo teor de carbono (SAE-1015), desoxidado ao alumnio. Incluses isoladas, aps a dissoluo total da matriz ferrtica de amostras de fio mquina (incluses 4, 5 e 6) e de tarugo (incluso 7).
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As micrografias das amostras tratadas a 1100 C durante 3 horas e resfriadas ao ar so mostradas na Figura 3. Nota-se a presena de grandes gros beta com precipitados de alfa nos contornos e no interior dos gros. Com uma magnitude maior, observa-se
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de baixo teor de carbono (SAE-1015), desoxidado ao alumnio IMPERFEIES VOLUMTRICAS SEGUNDA FASE PERLITA
A MICROESTRUTURA COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITA SOBRE UMA MATRIZ PERLTICA. CADA GRO DE PERLITA, POR SUA VEZ, CONSTITUDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE DUAS FASES: FERRITA (OU FERRO-) E CEMENTITA (OU CARBONETO DE FERRO).
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TCNICAS DE MICROSCOPIA
DIMENSES DA CARACTERSTICAS ESTRUTURAIS
Dimenses da caracterstica estrutural (m)
Partculas subatmicas
Dimetro dos tomos/ons Comprimento das arestas das clulas unitrias Discordncias (largura) Partculas de segunda fase Gros
Caractersticas macroestruturais (porosidade, lacunas, trincas)
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TCNICAS DE MICROSCOPIA
FAIXAS DE RESOLUO PARA TCNICAS DE MICROSCOPIA
Faixas de resoluo teis (m)
Microscpios de varredura por sonda Microscpios eletrnicos de transmisso Microscpios eletrnicos de varredura Microscpios pticos Olho nu
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TCNICAS DE MICROSCOPIA
MICROSCOPIA TICA
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TCNICAS DE MICROSCOPIA
MICROSCOPIA TICA
Aumento at 2000X. A preparao da superficie da amostra envolve lixamento e polimento at que fique espelhada refletindo a luz. O ataque com reagente qumico muda a refletividade da luz dependendo da orientao cristalogrfica.
0.75mm
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TCNICAS DE MICROSCOPIA
MICROSCOPIA TICA
Os contronos de gro so imperfeies. So mais sucepitiveis ao ataque qumico. So vistos como linhas escuras pois refletem a luz em ngulos diferentes. Muda de direo.
Fe-Cr alloy
(b)
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REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
01 CALLISTER, William D. Cincia e Engenharia de Materiais: Uma Introduo. 7. ed. Rio de Janeiro: LTC - Livros Tcnicos e Cientficos, 2008. ISBN: 9788521615958. 02 - VAN VLACK, L. H. Princpios de Cincia e Tecnologia dos Materiais. 7a ed. Rio de Janeiro: Campus, 1988. ISBN: 8570014805 03 REED-HILL, Robert E. Princpios de Metalurgia Fsica. 4. ed. Rio de Janeiro: Guanabara Dois S.A., 1982. 04 HIGGINS, Raymond A. Propriedades e Estruturas dos Materiais em