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\
|
+ =
Cuando V V
GS
2 + =
mA I
D
5 , 12
8
2
1 8
2
= |
.
|
\
|
+ =
Para la configuracin por autopolarizacin de la figura, determine:
a)
Q
D
I y
Q
GS
V
V V
mA I
Q
Q
GS
D
5 , 0
9
~
~
b)
DS
V y
D
V
SOLUCIN:
a)
Cuando V V
GS
0 =
mA I I
DSS D
6 = =
Cuando mA I
D
0 =
V V V
p GS
4 = =
Cuando V
V
V
p
GS
2
2
= =
mA
I
I
DSS
D
5 , 1
4
= =
Cuando mA
I
I
DSS
D
3
2
= =
( )
V
mA k I R
V
D S
GS
29 , 1
2
6 43 , 0
2
=
O
= =
b)
( )
( )
V V
k k mA V V
R R I V V
DS
DS
S D D DD DS
27 , 9
43 , 0 2 , 1 8 , 2 14
=
O + O =
+ =
( )( )
V V
k mA V V
R I V V
D
D
D D DD D
52 , 10
2 , 1 9 , 2 14
=
O =
=
MOSFETs de tipo incremental
Para la red de la figura, determine
a)
Q
D
I
b)
Q
GS
V y
Q DS
V
c)
D
V y
S
V
d)
DS
V
SOLUCIN:
a)
( )
( )
( ) ( )
( ) ( )
2
3
2 2
2
10 556 , 0
4 7
5
V
A
V V
mA
V V
I
K
V V K I
TH T m GS
m D
T GS D
=
=
y
( )
2 3
4 10 556 , 0 V V I
GS D
=
( )
V V V entonces I Si
mA
K K
V
R R
V
I
entonces V V Si
R R I V V
DD DS D
S D
DD
D
DS
S D D DD DS
22 ; , 0
87 , 12
51 , 0 2 , 1
22
; , 0
= = =
=
O + O
=
+
=
=
+ =
b)
( )
( )
V V
V K K mA V V
V R R I V V
DS
DS
SS S D D DD DS
69 , 7
4 39 , 0 2 , 1 9 18
=
+ O + O =
+ + =
V V V
Q
GS S
5 , 0 = =
Para la configuracin por divisin de voltaje de la figura, determine:
a)
Q
D
I y
Q
GS
V
b)
D
V y
S
V
SOLUCIN:
a)
( )
( )
V V
V
M M
M
V
V
R R
R
V
G
G
DD G
71 , 9
24
8 , 6 10
8 , 6
2 1
2
=
O + O
O
=
+
=
( )
mA
K
V
I entonces V Si
V V entonces I Si
K I V V
R I V V
D GS
GS D
D GS
S D G GS
95 , 12
75 , 0
71 , 9
, 0
71 , 9 , 0
75 , 0 71 , 9
=
O
= =
= =
O =
=
( )
( ) ( )
( ) ( )
2
3
2 2
10 556 , 0
3 6
5
V
A
V V
mA
V V
I
K
TH GS m GS
on D
=
=
Entonces de la ecuacin: ( )
2 3
3 10 556 , 0 V V I
GS D
=
GS
V
D
I
3V 0mA
4V 0,556mA
5V 2,22mA
6V 5mA
7V 8,9mA
b)
( )( )
V V
k mA V V
R I V V
D
D
D D DD D
13
2 , 2 5 24
=
O =
=
( )
V V
k mA V
R I R I V
S
S
S D S S S
75 , 3
75 , 0 5
=
O =
= =
CONCLUSIONES
- El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutacin presenta una gran
versatilidad de trabajo;este puede reemplazar dispostivos como el jfet.
- los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia esto es una gran
ventaja ya que pueden ser utilizados en una gran gama de aplicaciones
- Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe
aplicar en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el
drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre
ellos.
- Gracias a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el
semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre
drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.