Microscopia de Fora Atmica

Microscopia de Fora Atmica

Aluno : Alberto A. R. Drummond Aluno : Alberto A. R. Drummond
Profs.: Delmo / Lola Profs.: Delmo / Lola
Anlise de superfcies com resoluo nanomtrica
Anlise de superfcies com resoluo nanomtrica
Analise Instrumental I - IQA 366
Microscopia de Microscopia de varredur varredur por ponta de prova (SPM) por ponta de prova (SPM)
A SPM uma famlia de microscpios:
- O microscpio de Fora Atmica um Scanning Probe Microscope (SPM)
- Uma sonda varre a superfcie da amostra
- So feitos registros ponto a ponto de algum tipo de interao sonda / amostra
AFM

Atomic

Force Microscopy

Qualquer tipo de amostra
STM -

Scanning

Tunneling

microscopy

Amostras eletricamente condutoras

MFM -

Magnetic

Force Microscopy

Amostras com domnios magnticos
O Laboratrio conta com dois microscpios de Fora Atmica AFM Topometrix. Um dos
sistemas (Discovery) voltado para anlises que requerem resoluo atmica , como por
exemplo a anlise "in-situ" da deposio de filmes por mtodos eletroqumicos, a dissoluo
de metais ou estudos de nano-tribologia

em recobrimentos duros.
O segundo sistema (Accurex

IIL) de uso mais geral e pode realizar medidas de fora
eltrica, fora magntica, fora trmica e medidas de contato / no contato em ambientes
lquidos.
O microscpio de fora atmica
O microscpio de fora atmica
O microscpio composto basicamente por uma pequena ponta, que pode ser de Si, Si3N4
ou diamante, que varre linearmente a superfcie da amostra a ser analisada e que presa a
um cantilever que se deforma conforme a fora de interao produzida entre a ponta e a
superfcie, dada pela lei de Hooke. A ponta de prova montada na extremidade de um brao de
apoio (cantilever) possui baixa constante elstica, que geralmente menor que uma dezena de N/m.
As foras de interao acontecem entre a ponta e os tomos da superfcie da amostra
analisada provocando a deflexo do cantilever. Esta interao resultante pode ser atrativa
ou repulsiva.
Quando h uma mudana na topografia da superfcie temos uma mudana na deflexo do
cantilever. A grandes distncias entre a ponta e a superfcie, a interao
predominantemente atrativa, devida principalmente fora de Van der Waals. Ao
aproximarmos ainda mais a ponta da superfcie, os orbitais eletrnicos dos tomos da
ponta e da superfcie ficam prximos e comeam a se repelir.
A grande vantagem do AFM sobre o STM que permite estudar no apenas materiais
condutores, mas tambm todo tipo de material isolante, j que o mtodo no utiliza
corrente de tunelamento para produo de imagens.
A AFM oferece a possibilidade de obter imagens de resoluo atmica com um mnimo de
preparao prvia das amostras. As foras de interao acontecem entre a ponta e os
tomos da superfcie da amostra analisada. Foras geradas so da ordem de
nanoNewtons, provocam uma deflexo do cantilever onde a ponta est montada,fazendo
variar a posio de um feixe LASER sobre um quadro fotossensvel, gerando sinais
eltricos que so processados e geram um mapeamento da superfcie em escala
nanomtrica.
- - A ponteira ( A ponteira ( Cantlever Cantlever ) o elemento sensvel ) o elemento sensvel
- - Suas dimenses so extremamente reduzidas (da ordem de Suas dimenses so extremamente reduzidas (da ordem de
alguns de microns ) alguns de microns )
- O O cantlever cantlever esta fixo em um suporte maior e em sua parte esta fixo em um suporte maior e em sua parte
posterior existe uma posterior existe uma superficie superficie espelhada que reflete um espelhada que reflete um
um fino feixe LASER . Este feixe muda de posio sobre um fino feixe LASER . Este feixe muda de posio sobre
um quadro um quadro microssensor microssensor fotossensvel , o movimento de fotossensvel , o movimento de
alguns alguns nanometros nanometros pode ser assim detectado e o sinal pode ser assim detectado e o sinal
eletrico eletrico processado e convertido em uma imagem da processado e convertido em uma imagem da
topografia do material em escala nanomtrica. topografia do material em escala nanomtrica.
O AFM mede as foras entre a amostra e a ponteira, visando a gerao de imagens da superfcie da
amostra. H dois mtodos para medir estas foras, que dependem de se o cantilever est sendo
modulado ou no. No AFM sem modulao, um sensor detecta a deflexo do cantilever.
A fora aplicada sobre a amostra pela ponteira calculada pela A fora aplicada sobre a amostra pela ponteira calculada pela lei de lei de Hooke Hooke, chega , chega- -se a foras da se a foras da
ordem de ordem de nanonewtons nanonewtons. .
Este mtodo muito sensvel a asperezas na superfcie da amostra. Entretanto, tem a desvantagem de
que o cantilever pode esquentar, mudando sua reflexo. Por isso, usa-se, em geral, laser de HeNe

que
garante aquecimento desprezvel. Quando o cantilever se move, devido a mudanas na topografia da
amostra, a luz que ele reflete se move sobre o fotodetector. O quanto o cantilever se moveu pode ser
calculado a partir da diferena na intensidade de luz nos setores do fotodetector.
O controle de movimentos em distncias to pequenas possvel graas ao uso de cermicas

piezo
eltricas. Nestes materiais ocorre uma mudana em suas dimenses

quando aplicado um campo
eltrico. So obtidos movimentos em (x,y,z) na ordem de alguns nanmetros ,o suficiente para que a
ponteira possa varrer a superfcie sofrendo interaes com os tomos do material ( atrativas
/repulsivas ) . A varredura feita em linha podendo ser realizada de trs modos bsicos . No modo
contato , intermitente ou no contato dependendo da possvel topografia da amostra e dos objetivos de
analise .
Deflexo do cantilever operando em no-contato e em contato.

Regio Atrativa No contato

Regio Repulsiva Contato

Modo Intermitente
Esquema do funcionamento do AFM Deteco da deflexo do
cantilever por meio de um feixe de laser.
Antes precisamos ajustar a posio do feixe LASER de modo que este atinja o
centro do quadro fotossensvel ,esta posio o zero de nossa escala. Faz-se
isto com ajuda de um microscpio tico acoplado e com os ajustes laterais do
modulo principal do AFM.
Existe um circuito de realimentao para posicionamento do cristal piezeltrico.
Cada tipo de cermica possui um nico coeficiente de expanso que permite calcular a
distoro produzida pela aplicao de um potencial. Os coeficientes variam de 1 a 3000
/Volt. Assim, as cermicas permitem a localizao exata da ponteira
O O

Sistema de movimentao nanomtrica do Sistema de movimentao nanomtrica do CantLever CantLever
Mecanismo de funcionamento do AFM
Mecanismo de funcionamento do AFM
Esquema do sistema de contato intermitente
No modo intermitente,a haste oscila na direo z tocando ou no a superfcie da amostra,sendo
mantido de dcimos a centsimos de ngstrons desta .A haste oscila perto de sua freqncia
de ressonncia por meio de um transdutor piezeltrico extra e se enverga na direo da
amostra devido a atrao por foras de capilaridade da camada de contaminao ou pelas
foras de Van der Waals quando a amostra est perfeitamente limpa. Ao entrar em contato com
a amostra , a ponta ir vibrar com freqncia e amplitude diferentes. A freqncia de
ressonncia da haste varia com a raiz quadrada de sua constante de mola ( hooke ) a qual varia
com o gradiente de fora sentida pela haste e este gradiente se modifica em funo da
distancia entre a ponta e a amostra que funo da topografia da sua superfcie. Em distancias
muito prximas a superfcie pode ser utilizado o contraste de fase ,visto que as foras fracas
da camada atomica superficial alterando a freqncia e a amplitude das oscilaes podem
levar a mudanas de fase que so medidas e a superfcie pode ser observada em contraste.


A fora sentida pela ponta pode ser calculada ( Lei de A fora sentida pela ponta pode ser calculada ( Lei de Hooke Hooke

) )
F = F = - -

k k A AZ Z
k = m k = m e e
2 2


F = F = - -

m m e e
2 2
A AZ Z
Em M Em M dulo teremos : F = k dulo teremos : F = k A AZ = m Z = m e e
2 2
F = -m e
2
AZ

Para uma haste teremos :

|
|
.
|

\
|
=
3
3
4L
EW
k
Z .
4L
EW
F
3
3
H
|
|
.
|

\
|
=

|
|
.
|

\
|
=
3
3
4mL
EW

|
|
.
|

\
|
=
3
3
4mL
EW
2
1
f
k .
m 2
1
f
H
|
.
|

\
|
=

3
2 3
(t)
2
(t)
i
(t)
3
3
(t)
4mL
t EW
ln
h
iEt
exp e
4mL
EW
it
ln

=
|
.
|

\
|
/
= => =
=

E = Modulo de Young do material

L = Comprimento da Haste
o= espessura da haste
AZ = deflexao de posicao da haste
e = frequencia angular
f = frequencia
F
H
= Fora sentida pela haste
K = Constante elstica da haste (Hooke)
|
(t)
= funo oscilante ( harmonica ) no tempo ( t ) com
frequencia angular ( e

) e deriva da equao de Schroedinger.
A fora linearmente proporcional a flexo da haste.
F
H
=-4t
2
f
2
mAZ
Laboratrio de Caracterizao de Superfcies e Filmes finos Laboratrio de Caracterizao de Superfcies e Filmes finos
Localizao: CT - F-209 A / F-209 B Responsvel: Prof Renata A . Simo
Tcnico : Sr. Heleno - Tel: 2562-8527 ou 2290-1448 / 2290-1544 / 2290-1615 (R-222)
COPPE UFRJ Eng. de Materiais / Eng. Metalrgica - CT Bloco F
A esquerda vemos o cilindro A esquerda vemos o cilindro piezoeltrico piezoeltrico e no centro da foto temos o sistema de medida do AFM . Os e no centro da foto temos o sistema de medida do AFM . Os
parafusos grandes so para fixao, o lateral superior movimenta parafusos grandes so para fixao, o lateral superior movimenta o espelho na direo vertical e o o espelho na direo vertical e o
mais abaixo,na direo horizontal. Sobre o cilindro mais abaixo,na direo horizontal. Sobre o cilindro piezoeltrico piezoeltrico coloca coloca- -se a amostra e o sistema todo se a amostra e o sistema todo
colocado em uma bandeja com suportes pneumticos para minimiza colocado em uma bandeja com suportes pneumticos para minimizar vibraes externas. r vibraes externas.
Detalhes dos parafusos laterais para controle das posies do e Detalhes dos parafusos laterais para controle das posies do espelho interno spelho interno
Com o boto lateral traseiro se ajusta a posio do LASER
Plataforma para amostras Plataforma para amostras Ensaios em MFM e AFM Ensaios em MFM e AFM
Aplicaes da MFM
Aplicaes da MFM
As imagens topogrficas ( Figuras 3a e 4a ) mostram superfcies

planas, com partculas de
contaminao e alguns riscos, no sendo possvel observar a distribuio de fases. Observa-se que a
ferrita, ( Figuras 3b e 4 b ), apresenta domnios magnticos, enquanto

a austenita

revela-se mais
clara e uniforme, devido ao seu paramagnetismo.
Caracterizao de superfcies quanto aos seus domnios magnticos ( materiais magnticos )
Superfcie de uma liga mostrando diversas regies com domnios m Superfcie de uma liga mostrando diversas regies com domnios magnticos em MFM agnticos em MFM
( ( Lab Lab. CT . CT- -

Sala F Sala F- -209B ) 209B )
Manipulao de uma macromolcula
orgnica em meios de diferentes PHs
Algumas aplicaes Algumas aplicaes
Tpicas da AFM Tpicas da AFM
Por que observar estruturas em escala nanomtrica
com possibilidade de manipulao ?
Topografia = Potencial de realimentao a ser aplicado na cermica
piezoeltrica de forma a manter a corrente no sensor (T-B)
constante. Pode-se obter ao mesmo tempo topografia da
superficie e sinal do sensor (T-B)
Aplicaes e vantagens da AFM Aplicaes e vantagens da AFM
Morfologia de superfcies
Grau de cristalinidade de polmeros
Analise no destrutiva
Capaz de analisar materiais nos mais diversos ambientes inclusive na atmosfera
Escala obtida de algumas centenas de microns at a resoluo atmica
Preparao da amostra simples ou desnecessria
Pode ser acoplada a outras tcnicas
Pode ser utilizada no acompanhamento de processos
Pode ser utilizada para qualquer tipo de material ,inclusive material biolgico.
A ponta pode ser modificada para uso em MFM e CFM ( flexibilidade analtica )
Pode ser utilizada tanto para materiais condutores quanto para isolantes e semicondutores.
Desvantagens Desvantagens
Analise Analise apenas apenas da da ltima ltima superfcie superfcie do material do material
Imagem Imagem a convoluo a convoluo da da forma forma da da ponta ponta com a com a topografia topografia da da superfcie superfcie
Superfcies Superfcies com com corrugacoes corrugacoes muito muito grandes grandes no no podem podem ser ser analisadas analisadas
O O movimento movimento da da ponta ponta pode pode alterar alterar a a estrutura estrutura da da superfcie superfcie
Necessidade Necessidade de de softwares softwares avanados avanados para para o o tratamento tratamento de de imagem imagem e dados e dados
A A resoluo resoluo em em escala escala atmica atmica no no e e to to alta alta quanto quanto no STM . no STM .
Principais Interferncias Principais Interferncias


Externas Externas
Som ambiente
Rede eltrica local
Vibraes Mecnicas
Internas Internas
Rugosidade excessiva da amostra Rugosidade excessiva da amostra
A geometria da ponta pode interferir na imagem (convoluo) A geometria da ponta pode interferir na imagem (convoluo)
A proximidade da ponta pode alterar a estrutura d superfcie no A proximidade da ponta pode alterar a estrutura d superfcie no ponto de contato ponto de contato
A presena de contaminantes fissisorvidos pela superfcie pode A presena de contaminantes fissisorvidos pela superfcie pode levar a imagens irreais ,pois a levar a imagens irreais ,pois a
imagem obtida ser da multicamada de contaminantes ( gua, hidro imagem obtida ser da multicamada de contaminantes ( gua, hidrocarbonetos,CO carbonetos,CO
2 2
, outros ) . , outros ) .
A rugosidade e a topografia da amostra pode levar a erros na ima A rugosidade e a topografia da amostra pode levar a erros na imagem caso seja superior ao limite gem caso seja superior ao limite
mximo do mximo do scaner scaner ( 15 ( 15 m em m m em m dia ) . Existem softwares espec dia ) . Existem softwares espec ficos com algoritmos ficos com algoritmos
matem matem ticos para corre ticos para corre o da imagem procurando o da imagem procurando- -se minimizar erros e melhorar a resolu se minimizar erros e melhorar a resolu o de o de
imagem,principalmente quanto aos efeitos de convolu imagem,principalmente quanto aos efeitos de convolu o. Diversas teses so defendidas em o. Diversas teses so defendidas em
muitas universidades no mundo com estudos avan muitas universidades no mundo com estudos avan ados sobre novos m ados sobre novos m todos computacionais todos computacionais
com este objetivo. com este objetivo.
O equipamento montado sobre uma
mesa com sistema de amortecedores
pneumticos para minimizar vibraes
fsicas .
Uma sala fechada utilizada para se
evitar ao mximo interferncias sonoras
e movimentao excessi va no recinto.
No Laboratrio da sala F No Laboratrio da sala F- -209 B se tem realizado os seguintes trabalhos : 209 B se tem realizado os seguintes trabalhos :
caracterizao de superficies

de filmes finos ( morfologia e contraste de fase ) ,identificando se tipos diferentes de
materiais na amostra e sua relao com as caractersticas fsicas do material.
Caracterizao dos arranjos de domnios magnticos de materiais por MFM,fazendo-se a topografia magntica da


superfcie de materiais e identificando-se tanto os domnios magnticos quanto sua organizao geomtrica e orientaes
na superfcie.
Faz-se o estudo de processos corrosivos e o estudo da formao de pites iniciais , podendo-se estudar os processos


corrosivos in situ ,com celular especficas onde temos integrado os eletrodos de referencia ,indicador e de trabalho . A
pea colocada no eletrodo que corresponde ao anodo e tudo integrado em um nico bloco do tamanho de uma caixa de
fsforos. O processo observado em diferentes ambientes corrosivos ,o sistema possui um tubo plstico para transporte
de gases . O mesmo sistema usado para o estudo de recobrimento

metlico por eletrodeposio . Estudaram-se a
deposio de metais sobre uma fina placa de ouro com cerca de 1cm
2

de rea .
As pontas para MFM so recobertas com Co/ Cr ou apenas com Co ,para apresentar sensibilidade a campos magnticos
fracos.Assim podemos analisar a estrutura superficial de HDs , disquetes, fitas de gravao, CDs ,etc. verificando a
orientao e estrutura dos domnios magnticos presentes com intuito de levantar dados para o estudo e sntese de
estruturas capazes de armazenar uma maior capacidade de bytes em

menor tamanho fsico. A MFM pode ser realizada
em diferentes distncias da superfcie ,mapeando-se a superfcie quanto as suas diferentes camadas magnticas.
Os processos de corroso e eletrodeposio podem ser acompanhados in situ

com corpos de prova de pequenas


dimenses. O cantilever

pode ser posicionado sobre a superfcie em qualquer tipo de ambiente o que leva a possibilidades
quase infinitas de anlise.
Nanotubos

de carbono podem ser fixados a ponta sensvel de silcio do cantiLever

melhorando muito o poder de resoluo
em escala atmica e molecular.
A superfcie da ponta de silicio

pode ser revestida com ouro por eletrodeposio e sobre este podemos fixar molculas
orgnicas funcionalizadas ( OH , COOH , NH
2

, etc ) ,assim funcionalizamos quimicamente uma ponta de AFM , e ento
o sistema passa a funcionar como um CFM ( microscopia de fora qumica ) , este pode ser usado no apenas para analise
superficial ,como tambm para analise qualitativa e quantitativa

de substancias presentes que interagem com o


grupamento funcional presente na ponteira ( por exemplo uma ponteira funcionalizada com OH poder interagir de
modo especfico com grupamentos COOH ), contudo este tipo de analise no realizada no laboratrio da sala F209 B.
O sistema de STM
Imagens por STM
Aplicvel somente a amostras condutoras
Possui grandes aplicaes no estudo de filmes finos ,camadas e superfcies
Utilizados em areas como a construo de equipamentos eletrnicos ,qumica e engenharia.
Aplicaes em estudos de clulas de combustvel e catalisadores
aplicaes na industria de CIs e dispositivos eletrnicos que dependem de filmes finos
Superfcies podem ser criadas com base na auto organizao de molculas
Contudo apresenta a desvantagem de ser restrito a amostras eletro condutoras,
muitas vezes a amostra necessitando de tratamento prvio.
A microscopia de fora atmica por sua vez pode ser utilizada para todo tipo
de superfcie , grande parte delas mesmo sem tratamento preliminar.
Agradecimentos
Agradecimentos
Prof Renata A . Simo
Tec. Heleno
Pessoal de Pos Graduao da COPPE
Pessoal de Pos Graduao do Lab F209B
Laboratrio de superficies e filmes finos
- AFM e STM -