Les couches minces au secours de lindustrie photovoltaque franaise

EQUIPEMENTIERS DU PHOTOVOLTAIQUE FRANAIS

1er forum EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009.

Alain RICAUD, CYHELIA Consultants
Alain Ricaud EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009 1

Sommaire
Activits de Cythelia Technologies compares Productions et croissances compares Modules en couches minces Avantages et limites des couches minces a-Si:H / c-Si CdS-CdTe CIGS Les spcificits du march franais Diagnostic Les tentatives Cots et marges Prospective Conclusion

9 Octobre 2009

Les couches minces au secours de l'industrie

Cythelia: domaines et mtiers

Technologies compares
Du Si monocristallin aux films minces semi-transparents
Silicium monocristallin (sc-Si) Silicium multi cristallin (mc-Si)

Silicium amorphe en couches minces (a-Si:H)

Alain Ricaud

EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009

Technologies compares
Technologies de cellules et leur niveau de maturit

n Les technologies disponibles par ordre dcroissant de maturit:

n n n n n n n n n n Silicium mono-cristallin (sc-Si) Silicium multi-cristallin (mc- Si) Silicium amorphe (a-Si:H simple) Silicium amorphe (a-Si:H tandem ) Hybrides a-Si:H / sc-Si (HIT) Silicium sur cramique Tellurure de Cadmium (Cd-Te) Diseleniure de Cuivre et d Indium (CIGS) Silicium micro-cristallin (c-Si) Cellules nano-cristallines colorant (TiO2) PRO PRO PRO PRO PRO PRO PRO PRO LAB LAB LAB LAB

n Niveaux de rendements en R&D au laboratoire:

n n n n n n n n n n n n 24.4 % (UNSW) 18.6 % (Georgia Tech) 12.7 % (Sanyo) 13.5 % (USSC) 16.6 % (Sanyo) 16.6 % (Astro-Power) 16.0 % (Matsushita) 18.9 % (NREL) 9.4 % (Kaneka) 6.5 % (INAP) 4.0 % (HMT) 3.0 % ( LIC )

n Dichalcognures de mtaux rfractaires (MS2) n Cellules polymeres

Alain Ricaud

EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009

Technologies compares
Avantages et inconvnients du c-Si massif

Avantages
2nd lment de la crote terrestre Matriau le plus connu des ingnieurs Rendements satisfaisants > 14% Processus industriels banaliss Retour dexprience sur une dure de vie > 25 ans
Alain Ricaud

Inconvnients
Semi-conducteur gap indirect (matriau massif > 200 ) Du sable au modules, 40 tapes de process Limites sur le rendement < 24% Production expatrie Lasymptote actuelle de la baisse des cots est de 1/Wc
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Technologies compares
Avantages et inconvnients des films minces

Avantages

Inconvnients
Rendement encore limit en production (<12%) Processus industriels pas encore bien matriss Retour dexprience insuffisant sur la dure de vie Ressources rares
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Semi-conducteurs gap direct : trs faible quantit de matire impliquant un temps de retour nergtique de 18 mois au lieu de 5 ans. Faible bilan carbone. Esthtique (couleur noir profond, homogne et uniforme). Gamme varie de tensions et de courants (limites fixes par l'optimisation des largeurs de bandes). Seulement 13 tapes de process: lasymptote actuelle de la baisse des cots est de 0.25 /Wc Capacit de faire des gnrateurs monolithiques de trs grande taille (jusqu' 5 m ). Possibilit de les intgrer sur toutes sortes de substrats (Verre, Alu, Acier inox, Kapton) Faible coeff de temprature (meilleure intgration au bti) Possibilit de vrai semi-transparence. Possibilit de structures tandem (multispectrales)
Alain Ricaud EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009

Technologies compares
Moins dtapes de process et de plus grands lments

c-Si massif 156 x 156 mm 3,5 Wc Module en (15 +25) tapes

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CIGS en film mince 600 x 1200 mm 80 Wc Module en 13 tapes

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Modules en couches minces

Couleur noire homogne et structuration en tuile par rayures laser

Alain Ricaud

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Modules en couches minces

Produits commerciaux
Thin Films Manufacturers Country
1 Kaneka Corporation 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24

Techno

Product Product Efficiency name (Wp) (%) size (m)

120,0 85,0 40,0 96,6 40,0 40,0 19,0 6,3 8,0 5,1 5,2 5,1 5,0 6,0 1,9 1,1 0,8 1,9 0,8 0,8 0,3

Japan a-Si:H / c-Si TEC 120 Sharp Corporation Japan a-Si:H / c-Si NA 850 WP Bangkok Solar Co., Ltd. Thailand a-Si:H double BS 40 Germany Schott Solar GmbH a-Si:H double ASI F-100 Energy Photovoltaics, Inc. USA a-Si:H double EPV-40 China Tianjin Jinneng Solar Celt Co., Ltd. a-Si:H double JN 40 Free Energy Europe SA France a-Si:H double FEE -20-12 Solar+S.A. Portugal a-Si:H double Heliodomi SA Greece a-Si:H double ICP Solar Technologies (UK)UK Ltd. a-Si:H single ATF 1200 Mitsubishi Heavy Industries, Japan Ltd a-Si:H single MA 100 Soltech Corporation China a-Si:H single PVS 60-24 Sinonar Corporation Tawan a-Si:H single SC 30-5305Z Solar Cells Ltd. Croatia a-Si:H single SMAL 536 VHF-Technologies SA Switzerland a-Si:H single FLEXCELL 7 Kanto Sanyo SemiconductorsJapan Co., Ltd. a-Si:H single United Solar Ovonic LLC USA a-Si:H triple PVL 136 Fuji Electric Systems Co., Ltd. Japan a-Si:H/ a-Si:Ge FPV4M-001 First Solar LLC USA CdTe FS 65 Antec Solar Energy AG Gemany CdTe ATF 50 USA Shell Solar CIGS Eclipse 80 Wurth Solar GmbH & Co. KG Germany CIGS WS 11007 USA Global Solar Energy, Inc. CIGS P3-55 Germany Sulfurcell CIS SCG60-HV-RI

18,0 100,0 60,0 3,0 60,0 7,0 136,0 96,0 65,0 50,0 80,0 80,0 55,0 60,0

5,9 6,3 4,9 3,2 4,1 3,9 6,3 4,7 9,0 6,9 9,3 11,1 4,8 7,0

0,3 1,6 1,2 0,1 1,5 0,2 2,2 2,0 0,7 0,7 0,9 0,7 1,1 0,8

Alain Ricaud

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Productions compares
Production par technologie en MWc (2001-08)
Technology sc-Si mc-Si Ribbon c-Si a-Si:H CdTe CIS cSi Thin Films a-Si:H sur CZ (HIT) Total
Growth

2001 133 32,2% 208 50,2% 23 5,6% 364 88% 36,0 8,7% 2,1 0,5% 0,8 0,2% 0,8 0,2% 40 10% 10 2% 414
40%

2002 195 33,8% 298 51,6% 27 4,6% 519 90% 35,2 6,1% 4,0 0,7% 1,7 0,3% 1,7 0,3% 43 7% 15 3% 577
39%

2003 218 28,3% 440 57,0% 34 4,4% 692 90% 30,5 4,0% 8,0 1,0% 3,7 0,5% 7,0 0,9% 49 6% 30 4% 771
34%

2004 397 31,5% 687 54,5% 42 3,3% 1 126 89% 48,1 3,8% 13,5 1,1% 4,5 0,4% 9,0 0,7% 75 6% 60 5% 1261
63%

2005 571 31,7% 943 52,3% 52 2,9% 1 566 87% 68,8 3,8% 29,0 1,6% 4,5 0,2% 12,9 0,7% 115 6% 120 7% 1801
43%

2006 2007 1101 1806 43,4% 42,2% 1 179 1934 46,5% 45,2% 66 94 2,6% 2,2% 2 346 3834 93% 90% 119,2 188 4,7% 4,4% 68,5 201 2,7% 4,7% 5,1 21 0,2% 0,5% 8,2 22 0,3% 0,5% 201 433 8% 10% 150 160 6% 3,7% 2536 4279
41% 69%

2008 3030 38,3% 3773 47,7% 107 1,3% 6910 87% 340 4,3% 507 6,4% 79 1,0% 79 1,0% 1005 13% 210 2,7% 7910
85%

Alain Ricaud

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Productions compares

les couches minces, tires par les succs du CdTe de First Solar et du a-Si:H dUnisolar

Productions mondiales de cellules par technologie (MWc)

8500 8000 7500 7000 6500 6000 5500 5000 4500 4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008

CIS cSi CdTe a-Si:H Ribbon a-Si:H sur CZ sc-Si mc-Si

+130 % vs 2007

+115 % vs 2006

Alain Ricaud

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Productions compares
Production par pays et par technologie en MWc (2008)
Production mondiale de cellules par technologie en 2008 (MWc)

Les USA encore le laboratoire des nouvelles technologies

au Japon et lAllemagne les pilotes industriels la Chine et Tawan, les usines des produits banaliss.
Alain Ricaud

5000 4500 4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 USA Japon Europe RdM
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CIS CdTe cSi Ruban a-Si:H a-Si:H sur CZ mono sc-Si multi mc-Si

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Toitures
Silicium amorphe: lments de couverture

Tuiles SOLEMS (1992)

Modules souples UNISOLAR sur bac acier Thyssen-Solartec (2000) Shingles SHR17 dUNISOLAR (2000)
Alain Ricaud EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009 14

Toitures

Intgration aux toitures en bac acier

National Research Home Park 21st Century Townhouse, Bowie, Maryland, USA
PV

Puissance: 1,5 kWp type: silicium amorphe substrat en mtal module: 5,8 m x 38 cm

DOE/NREL, http://www.nrel.gov/data/pix/searchpix.html

Toitures
Modules faible rendement : couverture totale

La Maison ZEN (Montagnole) Raisons desthtique:

Pas de problme dabergement de tuiles Apparence homogne sur toute la surface du toit

Economie sur les matriaux remplacs:

Entre 30 et 100 /m Cots de pose rduits

Tarif plus favorable:

60c/kWh pour lintgration 32c/kWh pour le rapport
9 Octobre 2009 Les couches minces au secours de l'industrie 16

Semi-transparence a-Si thru Phototronics Solar Technik (Shott Solar)

9 Octobre 2009

Les couches minces au secours de l'industrie

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a-Si:H
Dpt de a-Si:H par PECVD

Alain Ricaud

INES Education Savoie-Technolac 09-06-16

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a-Si:H
Cellules minces silicium amorphe jonction triple sur substrat souple

UNISOLAR US, 1998 Jonction triple a-Si:H Module commercial: US 64 ini= 7,27% stab= 6,32% S= 10 125cm Poids= 9,17 kg (7 Wc / kg) Pmax= 64Wc Icc= 4,8 A Voc= 23,8 V
Alain Ricaud EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009 19

a-Si:H UNITED SOLAR SYSTEMS CORP.

Evolution de la capacit de production. Cellules triple jonction
Production Capacity [MW/yr]

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28%/yr growth rate

2002 2002 30 30 MW MW

30 25 20 15 10 5 0 1985
Alain Ricaud
1986 1986 1991 1991 0.6 0.6 MW MW 2.0 2.0 MW MW (2 (2 junction, junction, 1 1 bandgap) bandgap) 1996 1996 5 5 MW MW (3-jnct, (3-jnct, 3 3 bandgap) bandgap)

1990

1995
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2000

2005
20

Year

a-Si:H UNITED SOLAR SYSTEMS CORP. 5MW deposition system & 25 MW plant

Alain Ricaud

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33 21

a-Si:H
Les usines cl en main dApplied Materials

Alain Ricaud

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a-Si:H
Les membranes photovoltaques en France
Type de toiture : Toitures terrasse March : Btiments tertiaires et industriels Lamins Unisolar Raccordement Cblage par lextrieur ou lintrieur Pente minimale de 3
Solar Integrated Evalon Solar : Alwitra

Biosol PV : Centrosolar

Soprasolar : Soprema

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a-Si:H
Module hybride CAPTHEL sur bac acier de Cythelia

Alain Ricaud

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CdS-CdTe

CdTe: First Solar

Trs nombreux acteurs entrant dans la filire couches minces (plus de 40 crations dentreprises entre 2005 et 2008, dont une vingtaine en a-Si:H/ c-Si, une vingtaine en CIGS et trois en CdTe) First Solar produit depuis Avril 2007 dans 3 usines de 120 MWc de capacit chacune (Perrysburgh- Ohio, Francfort/Oder-Allemagne, et Malaisie), des modules en couches minces de type : Verre-TCOCdS-CdTe-Alu-EVA-Verre au plus bas cot du march. Les cots de production sont annoncs en Mars 2009 0,98 $/Wc Le montant des investissements estim 100 M$ pour 100 MWc Son module le plus puissant (79 Wc pour 0,72 m) fait 11 % de rendement, cote 60 fabriquer et se vend au prix du march 120 (1.50 /Wc en trs grandes quantits). On imagine les marges et les capacits dautofinancement !...

Alain Ricaud

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CdS-CdTe
CdS-CdTe: First Solar LLC (Toledo, Ohio)

Overview

Entrance

Coating
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Re-Crystallization
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CIGSe CdS/CIGSe: Structure

le rendement thorique de lhtrojonction (n) CdS-(p) CuInSe2 est de 25 %. le coefficient dabsorption a peu prs le mme seuil que celui du c-Si (EG = 1.02 eV) il est 100 1000 fois plus fort dans la gamme 1.1 2.6 eV ce qui permet une paisseur d'absorbeur de 1 2 m. les rendements pour des petits modules et des grands modules de plus de 1 000 cm se situent entre 14% et 11%, respectivement.

Alain Ricaud

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CIGS
CIGS par covaporation (Wrth Solar)

1. Pulvrisation de Mo: contact arrire 2. Covaporation T 550C (substrat) de 4 sources lmentaires: Cu (1300-1400C), In (10001100C), Ga (11501250C) et Se (300350C) -> Cu(In/Ga)Se2 2m 3. Bain chimique: dpt de couche tampon CdS 4. Pulvrisation de ZnO: contact avant
Alain Ricaud

Ligne de production pilote de Wrth Solar Marbach, Allemagne

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CIGS
CIGS par pulvrisation (AVANCIS)

1. Pulvrisation de Mo: contact arrire 2. Pulvrisation de prcurseurs de la couche active: Cu, In, Ga 3. Slnisation (30-60 min 400500C) par H2Se ou Se 4. Sulfuration par recuit (RTP) -> Eg augmente prs de la face avant 5. Bain chimique -> dpt de tampon CdS 6. Pulvrisation de ZnO: contact avant
Alain Ricaud EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009

Ligne de production pilote Shell Solar (largeur 60 cm)

Module CIS

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CIGS

Sulfurcell (Berlin prod start: Oct 2009)

Alain Ricaud

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CIGS
CIGS par srigraphie (NANOSOLAR)

La rvolution par la baisse des cots matire

Alain Ricaud

EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009

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CIGSe
CIGS par srigraphie (NANOSOLAR)

La rvolution par le process

1. Pulvrisation cathodique (ou srigraphie ?) de 50 nm de Mo sur feuille Alu doubl agissant en contact avant et arrire. 2. Srigraphie dune encre contenant des nanoparticules de prcurseurs de la couche active: Cu, In, Ga, Se 3. Recuit (RTP) 4. Srigraphie du ZnO (?) 5. Punch de trous 6. Contact avant repris par larrire 7. Mise en srie 8. Encapsulation
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Le march
Situation du photovoltaque mondial en 2008

Volume cumul fin 2008

21 500 MWc production mondiale cumule dont 5 661 depuis le Japon (26 %), 6 114 MWc depuis lEurope (28%), 1 783 depuis les USA (8 %) et 7 957 Reste du Monde (37 %). Les installations cumules: 14 450 MWc fin 2008 pour les installations connectes au rseau et 16 600 MWc tous segments confondus.

Les stocks ont encore augment (+ 4 900 MWc) Performances

6 - 16% rendement douverture , 20-25 ans de garantie performance

Cots
1.5 2.0 / Wc prix de vente usine modules 0.25 - 0.50 / kWh rseaux distribus 0.20 - 0.40 / kWh centrales solaires
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Le march franais

PV en France + Dom Tom (MWc)

200 150 100 50 0 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008

Avantages
Bon ensoleillement Excellente notorit auprs du grand public Comptition ouverte, le premier arriv est le premier servi Le meilleur tarif au monde : 60 c/kWh pour lintgr au bti Crdit dimpt de 50% pour le matriel jusqu 8000 sur 5 ans Temps de retour systmes intgrs 3 kW < 10 ans Dmarrage facilit par la prsence historique de trois acteurs : PHOTOWATT, TENESOL, et BP SOLAR
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Inconvnients
Barrires administratives ... Connection rseau: files dattente Dficit de distributeurs, dinstallateurs Dmarrage laborieux de la certification CSTB (ATEC) Temps de retour systmes rapports au bti et non intgrs (30 c/kWh) : > 15 ans Fiscalit changeante
Alain Ricaud EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009

Le march franais
Cest lexplosion depuis 2007 en BIPV
MWc Nb de Tots

Le photovoltaque raccord au rseau en France chiffres tous segments confondus : centrales au sol + intgr au bti

croissance moyenne 2007-2012

47%/an

Alain Ricaud

INES Education Savoie-Technolac 09-06-16

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Source : SOLAPRO donnes historiques ADEME jusquen 2007 estimations EPIA corriges 2008-2012

Le march franais

Croissance moyenne du PV intgr au bti dici 2012 : + 60% / an

MWc

Le photovoltaque raccord au rseau en France march potentiel de lintgr au bti

1500M
320MWc

Nb de tots

1100M croissance moyenne 2007-2012 900M 1000M

180MWc 180MWc 220MWc

60%/an

750M
120MWc

90M
15MWc

Source : SOLAPRO donnes historiques ADEME jusquen 2007 estimations EPIA corriges 2008-2012

Alain Ricaud

EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009

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Le march franais

En rsidentiel, ~30% du march est servi par des offres en vente directe domicile

Des offres cls en mains financement compris principalement en vente directe domicile aux particuliers type push 3
~40M ~30M
Partenaire et filiale EDF ~1 5M Tryba fentre Partenaire Tenesol ~1 5M KparK (St-Gobain) ~5-10M Oprateur financ VC ~5-10M Installateur financ BA Ct au ML Concessions

~30M

~20M

+/-15M

nM

Ct au ML, Franchise
13M Ct au ML ~5-10M ~5-10M ~5-10M nM

Franchise Concessions nM

Et Alain aussi : Ricaud

37 Etc

Diagnostic

Pourquoi la France nest-elle pas dignement reprsente au niveau mondial ?

Deux raisons structurelles et une raison conjoncturelle.

Elle arrive trop tard: depuis 2001, la loi EEG a dabord favoris lessor du march allemand et la concurrence la plus acharne provient dsormais de Chine et de Tawan grce lAllemagne qui, profitant de sa forte tradition de pourvoyeur de machines-outil, a su exporter les lignes de production cl en mains vers les pays mergent. La France ne sait pas faire cela. La deuxime raison structurelle, est la consquence du choix de 1974 davoir fond notre production dnergie lectrique sur le tout nuclaire. Ce choix a strilis pour plusieurs dcennies les recherches sur les nergies alternatives. On en paye aujourdhui les consquences. Laugmentation vertigineuse des capacits de production ainsi que lapparition continuelle de nouveaux acteurs, ont entran lindustrie mondiale dans une situation de surcapacit, loffre surpassant largement la demande depuis un an (prs de 8 500 MWc de modules en stock fin 2009) .
Alain Ricaud EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009 38

Diagnostic
Alors que faire ?

Options possibles ? Stratgie de suiveur ou stratgie de rupture ?

Produire bas cots des technologies standards ? Trop tard ! Les chinois sont omiprsents. Mme par rapport des concurrents europens, lcart de taille et dexprience semble impossible combler. Chaque anne, Photowatt perd des parts de march Se concentrer sur quelques niches ? Spcificit de lintgration au bti. La recherche et linnovation ? lINES doit travailler sur les fondements de la conversion photovoltaque - il y a 20 points de rendement gagner sur les cellules multi-spectrales - et aussi sur les nouvelles techniques de croissance du Silicium en couches minces, sur les nouvelles mthodes de dpt du CIGS. Lavantage technologique devrait donc devenir le critre prpondrant. Des innovations de rupture permettant de dpasser les rendements thoriques des cellules simple jonction (24%) pourraient modifier la donne.
Alain Ricaud EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009 39

Diagnostic

et comment faire ?

Pour recrer de vraies filires industrielles, il faut dabord tre matre de technologies bordes par de la proprit intellectuelle, savoir la transfrer sur un pilote avec de bons ingnieurs process, trouver facilement largent pour investir (les montants actuels sont de lordre de 400 M pour une unit de 200 MWc), Seul First Solar a trouv la bonne combinaison (augmentation des rendements 11%, tout en rduisant les cots 1$/Wp) mais sur un matriau jug politiquement incorrect. Il reste donc de bonnes ides trouver du ct des couches minces au CIGS ou du silicium micro cristallin. Pour relancer lembryon dune industrie en France, il faut donc investir massivement dans la recherche, prive et publique, et assurer des ponts entre les deux pour favoriser les transferts de technologie. Cest ce quessaye de faire le CEA depuis trois ans avec laide du crdit dimpt recherche. Les pouvoirs publics devront tre galement capables de mettre en place les structures ncessaires pour favoriser la croissance rapide de nouvelles entreprises. Mais On ne rsout pas un problme avec les modes de pense qui lont engendr (Albert Einstein).
Alain Ricaud EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009 40

Diagnostic

et dans laval ?

Enfin, avant de se demander comment la volont politique pourra se traduire en une ralit industrielle durable, ne devrions-nous pas commencer par structurer la filire aval dont on sait que cest elle qui sera cratrice demplois locaux non dlocalisables. Entre linstallateur local dbord, le bureau dtudes pas form, la start-up enchante, le grand groupe prdateur, et les distributeurs inexistants - leffervescence actuelle cre par le tarif la franaise suscite une joyeuse pagaille que les allemands observent avec envie et circonspection.
Alain Ricaud EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009 41

Les tentatives

CIGS

Le PV multifonctionnel en couches minces

CIGS srigraphi En partenariat avec le CEA-LITEN et le CEA Investissements

Objectifs: Rendements 11% sur du 15 x 15 en 2012 Rendements en production > 13% sur 60 x 120 et cot module < 0.5 /Wc en 2015
Alain Ricaud EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009 42

Les tentatives
Exemples dintgration multifonctionnelle
En faade : mur rideau, allges, bardage En pare soleil

En verrire

Alain Ricaud

EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009

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Les tentatives

a-Si:H / c-Si
Construire un pilote partie intgrante dune plateforme de R&D :

Programme SPACE Transfrer lchelle industrielle les rsultats dj obtenus en labo Organiser les efforts de la filire autour du mme objectif industriel Partager le risque avec les investisseurs privs afin de dclencher linvestissement

Pour confirmer le transfert en grande taille (1,1 x 1,3 m) des technologies dveloppes par le LPICM et Solems
Pour assurer une volution continue des produits et procds (rendement port plus de 12%, cot en baisse)
Construire un LabFab cl en main capable:

Les objectifs:
Rduction du cot 1/Wc ds 2012

Rendements 12% en petite dimension en 2015

Alain Ricaud EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009

De livrer le march ds 2011

Daccueillir ds 2012 les procds amliors qui auront t mis au point 44 dans le pilote

Stock index

The fabulous story of First Solar

PPVX stock index in USD

(Source Photon International)

300

First Solar $
250

Sunpower $

200

ECD $
Suntech Power $

150

Trina $
100

Yingli $

50

0 janv.- fvr.- mars- avr.- mai- juin- juil.- aot- sept.- oct.- nov.- dc.- janv.- fvr.- mars- avr.- mai- juin- juil.- aot- sept.- oct.- nov.- dc.- janv.- fvr.- mars- avr.- mai- juin- juil.- aot07 07 07 07 07 07 07 07 07 07 07 07 08 08 08 08 08 08 08 08 08 08 08 08 09 09 09 09 09 09 09 09

Alain Ricaud

EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009

45

Stock index
REC, a rocky road toward profitability

PPVX stock index in

(Source Photon International)

200 180 160

Q-Cells Solarworld Conergy REC NOK

140
120 100 80 60 40 20 0
janv.-07 fvr.-07 mars-07 avr.-07 mai-07 juin-07 juil.-07 aot-07 sept.-07 oct.-07 nov.-07 dc.-07 janv.-08 fvr.-08 mars-08 avr.-08 mai-08 juin-08 juil.-08 aot-08 sept.-08 oct.-08 nov.-08 dc.-08 janv.-09 fvr.-09 mars-09 avr.-09 mai-09 juin-09 juil.-09 aot-09

Alain Ricaud

EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009

46

Cots et marges

Courbe d apprentissage
(Cythelia, Amsterdam,1994)

100,0

ASP [const $/Wp]

ASP all modules (const $/Wp) [12PVSEC] ASP c-Si Power M odules (const$/Wp) [12EPVSEC] ASP ThinFilm Power M odules (const $/Wp)

10,0 1999 1999 1,0 1 10 100 1000 10000 100000

PV modules learning curves (measured 1977-99; projected 2000-20)

0,1 Cumulative Production Volume [MWp]

Alain Ricaud

EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009

47

Cots et marges

Evolution du cot des modules (1993-2012)

Alain Ricaud

EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009

48

Cots et marges

Prix de vente des modules (1993-2012)

Alain Ricaud

EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009

49

Cots et marges

Marges commerciales (1993-2012)

Alain Ricaud

EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009

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Prospective
Prvision de prix du kWh solaire / prix du rseau

Source : http://www.mckinseyquarterly.com/Energy_Resources_Materials/Strategy_Analysis/The_economics_of_solar_power_2161

Alain Ricaud

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Conclusion

Les couches minces (a-Si:H, CdTe, CIGS) existent en pilote depuis plus de 20 ans Elles ont un grand avenir industriel au cours des 10 ans qui viennent. Les conditions de leur productions en France sont lies la R&D et la proprit industrielle Plusieurs acteurs franais se positionnent en 2009: 44 SOLAR, NEXCIS, SCREEN SOLAR, SOLSIA. Un cot de production des modules < 0.5 /Wc pourrait assurer la parit rseau en France ds 2015.
Alain Ricaud EPVF, Aix les Bains, 9 Octobre 2009 52