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Modlisation des non linarits mmoire par sries de Volterra

Edouard Ngoya Mars 2012

Dpartement C2S2

Plan
Contexte Modlisation de la non-linarit Application la linarisation Cas de figure simulation Cas de figure exprimental Comparaison avec modle classique Plateforme de modlisation SCERNE
Dpartement C2S2
2

Contexte
Systmes de communications Radio-frquence

0101

CNA Codage canal Codage symbole Mise en forme Conversion Num. / Ana. Segment numrique

Donnes numriques transmettre

Transposition de frquence

Systme d amplification

Frontal analogique RF

Amplificateur de puissance (PA


lment critique pour le bilan de liaison - Qualit de la liaison: distorsions (linarit - Cout en nergie (Rendement
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3

Contexte
Caract Caractristiques fondamentales du PA
Pdc Pe Pdiss
15

Gain =

Ps Pe

Ps

Rendement (consommation)
PAE = Ps - Pe Pdc

Zone lin linaire Linarit


Gain (dB)

50 13 40 PAE (%) 11 30 9

Zone non lin linaire Linarit Rendement

Rendement

20

10

5 -10

-5

5 10 Pe (dBm)

15

20

0 25
4

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Contexte
Amplification des signaux enveloppe variable
(Modulation forte efficacit spectrale : M-QAM, M-PSK, OFDM,..) Pe(t Puissance maximum
PAR ~ 10dB Puissance moyenne

Pdc Pe Ps

temps

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Contexte
Favoriser le rendement
15 50 13 40

Erreurs
1

EVM

Ps

0.5

Gain (dB)

30 9

PAE (%)

11

Q
20 7 10

-0.5

-1 -1

-0.5

5 -10

-5

5 10 Pe (dBm)

15

20

0 25

temps Pe
Puissance de sortie (dBm) 20 0 -20 -40 -60 -80

0 I

0.5

Remont Remontes spectrales

temps

Pmoyen

Mauvaise qualit de liaison


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-100 870

880

890

900 910 Frquence (MHz)

920

930

Contexte
Favoriser la lin linarit arit
15

Mauvais rendement Surdimensionnement du PA

Ps
50 40

13

Gain (dB)

30 9

PAE (%)

11

20

temps

chauffement

10

5 -10

-5

5 10 Pe (dBm)

15

20

0 25

Pe

Structures de refroidissement Surconsommation Encombrement Cot


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7

temps

Pmoyen

Contexte
Compromis Rendement / Lin Linarit arit Ingnierie d amplification intelligente - Architectures: Doherty, LINC, EER, ET,.. - Prdistorsion, Post-distorsion numrique

Modlisation de la non-linarit

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Contexte et Introduction Modlisation de la non-linarit Application prdistorsion numrique Cas de figure simulation Cas de figure exprimental Comparaison avec modle classique Plateforme de modlisation SCERNE
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9

Systme non linaire avec mmoire


Amplificateur de puissance RF
Effets thermiques Effets thermiques de piges Effets
x(t) Environnement lectrique - polarisation - C.A.G y(t) Zcharge Rseaux dadaptation Dispersions HF dans les transistors

Constantes de temps courtes t

RF

(ns) Constantes de temps longues (us ms) Impdance de charge variable


Effets de mmoire basse frquence

Couplage non linaire

Effets de mmoire haute frquence

Dispersions basse frquence


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Dispersions en bande passante


10

Mise en vidence des phnomnes


Non-linarit/Mmoire haute frquence
Excitation mono-porteuse (CW

Non-linarit/Mmoire basse frquence


Excitation bi-porteuse

18 17 16 15 1.86G H z 1.90G H Z 1.95G H Z 1.99G H Z 2.03G H Z

50

Rapports C/I suprieurs et infrieurs (dB)

C/I gauche

C/I droit
P in=-10dB m

45 40 35

Gain (dB)

P in =-6d B m

14 13 12 11 10 -10

30 25 20 15 10

P in =-2d B m P in =2dB m

-8

-6

-4

-2 P in(dB m )

10

E cart defrquence(M H z)

Compression de gain Entrelacement


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Rsonances Asymtries
11

Modlisation comportementale
Structure complexe Sch Schma de conception Echantillons

Simulations Circuit

Mesures sur bancs

Stimuli / R Rponses Dcantation Description condense entre/sortie

X(t

F(

Y(t
12

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Systme passe-bande / Enveloppe complexe


Y () X ()

x(t)
0

y(t)
0

2 0 3 0

porteuse
x (t ) = e (t ) e {X }
j 0t

enveloppe complexe

y(t ) = e

{ Y(t) e }
j 0t

() X
(t ) = Y

() Y

(X (t ) , t ) F
NL

t +

?
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13

Systme non linaire mmoire


y ( tn ) = fNL x ( tn ) , x ( tn -t ) ,, x ( tn - K.t )
x(t)
Profondeur mmoire
TM

y(t)

t n K .t

tn

temps

temps

FNL () = ?
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14

Sries de Volterra
(Wiener 1957)
x (t )

..
tn

........ .

y (t )

. .. . ..
t
n

= dure de mmoire t M t
: [0, T ] R

.
tn

Sries de Mac Laurin


TM

y (t ) =

h1 ( 1 )x (t 1 )d 1

0 TM TM

rponse linaire quadratique ordre n


0 0

h 2 ( 1 , 2 )x (t 1 )x (t 2 )d 1d 2

TM

.. hn ( 1 , .., n )x (t 1 ) x (t n )d 1 d n
0

TM

Noyau de Volterra d ordre n (invariant du systme

Amplificateur de puissance

n>5 Faible efficacit efficacit pratique


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15

Sries de Volterra modifies


Sries de Taylor
y (t ) = + h 0 (x (t ))x (t )
TM

(Asdente 1976, Filicori 1990)


ordre 0: rponse statique rponse linaire paramtrique quadratique paramtrique

h1 (x (t ), 1 )[x (t 1 ) x (t )]d 1
TM

TM


0 0

h 2 (x (t ), 1 , 2 )x (t 1 )x (t 2 )d 1d 2

TM

..
0 0

TM

hn (x (t ), 1 , .., n )[x (t 1 ) x (t )] [x (t n ) x (t )]d 1 d n

Noyau de Volterra modifi d ordre n (paramtrique

Amplificateur de puissance: en cas d absence de mmoire BF


TM << 2 0

n=1 meilleure efficacit pratique Application: mod modlisation de transistors


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16

SMV extension systme passe-bande


(Miri, Ngoya, 1998)

Troncature l ordre 1
x (t ) = (t )e j 0t e[ x ]
f (x , t )
y (t ) = (t )e j 0t e[y ]

contrainte
TM << 2 0

Enveloppe complexe

(t ) x (t )* x

(x , x * , t ) f

(t ) y

TM <<

2 BW

(t ) y

= +

(t ) |)x (t ) h 0 (| x
TM

rponse statique dispersions en bande passante

(t ) |, 1 )[x (t 1 ) x (t )]d 1 h1I (| x


TM

(t ) x (t )* x

(t ) |, 1 )[x (t 1 )* x (t )* ]d 1 h1Q (| x

dispersions hors bande

Nombreux travaux de th thse


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17

SVM : travaux XLIM


Sries de Volterra dynamiques ordre 1
Thse N. Le-Gallou - 2000

Identification 2 tons
Two-tone measurements
AM/AM AM/PM conversion

X0

0( X0 ) = Y0 H X0

Y0
DUT

X X

BW
( X ,) = Y 1 [ Y0 Y0 ] X0 H Q 0 * X 2 X0 X0 X0
+ ( X , ) = Y 1 [ Y0 + Y0 ] H I 0 X 2 X0 X0

Y Y

(t) = y

1 2

+BW 2

H x(t) , . X(). ej..t . d + HF1


+BW 2

-BW 2

1 x(t) * 2 x(t)

* H x(t) , . X() . e-j..t . d HF2

-BW 2

Mixer Conversion gain

Sur-reprsentation de la dispersion basse frquence

Parametric gain

Mmoire HF moyenne puissance Mmoire HF forte puissance Mmoire BF


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18

SVM : travaux XLIM


Sries de Volterra dynamiques ordre 1
Thse N. Le-Gallou - 2001

Identification 1 ton (CW


X0
DUT

Y0

( t) = y

1 2

+BW 2

H x(t) , . X(). ej..t . d HF

-BW 2

Ignore la dispersion basse frquence

Mmoire HF moyenne puissance Mmoire HF forte puissance Mmoire BF


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19

SVM : travaux XLIM


Modle Rponse Impulsionnelle non linaire (RINL
Thse A. Soury - 2002

Identification partir d un chelon d Heaviside


x (t ) = e[X 0e j 0t u(t )]
DUT

(X , t )e j 0t ] y (t ) = e[Y U 0

(t ) = h y R
0

( t - ) , . x ( t - ) .d x

Mmoire HF moyenne puissance Mmoire HF forte puissance Mmoire BF


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20

SVM : travaux XLIM


Modles semi-empiriques (boite grise
Synthse des deux modles prcdents Considrations empiriques Interaction voies HF et BF
Non linarit forte Court-terme
f1 f 2

Non linarit moyenne Long-terme


DC f2f1

~ps - ns

f1 f2

~s - ms

f1 f2

x(t)
Inter-stage combiners, matching networks Amplifier units Bias network, AGC loop, Temperature control, Self-heating, Trapping

y(t)

+
q0 Bias

q (t )

Quasi-linaire
DC f2f1

Quiescent point modulation

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21

SVM : travaux XLIM


Modles semi-empiriques
Topologie Feedback (t ) x in (t ) x A
Short-Term response

Approximation Feedforward
(t ) = fST (x in (t ), t ) y

(t ) x A

ST (t ) y

(t ) y

Short-Term response

LT (t ) = fLT (y(t ), t ) x
Long-Term modulation

LT (t ) y

Long-Term modulation

A G= ___ 1-A |A| << 1 G _ ~ (1+A).A

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22

SVM : travaux XLIM


Modle de Volterra modul
C. Mazire (2004 - Z. Madini (2008

Structure 2 voies (HF et BF


X0

Haute Frquence (HF

Y0

(t ) x

Mod Modle de Volterra

HF (t ) y

(t ) y

(t ) x
i

Mod Modle RINL

BF (t ) y
1

Basse Frquence (BF

Am Amlioration g gnrale de la reproduction des effets m mmoire HF et BF Difficult Difficults de prise en compte des dissym dissymtries d intermodulation Singularit voie BF
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23

Singularit
Spectre du module d un signal 2 tons
(t ) x
0
i

(t ) x
0

Spectre identique
(t ) x
0

(t ) x
0

Abscence d information de phase : Frquence instantane

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24

SVM : travaux XLIM


Modle de Volterra modul
C. Quindroit (2010

Structure 3 voies (1 voie HF et 2 voies BF


X0
(t ) = x (t ) exp[ j x x ()d ]
0 t

Voie Haute Fr Frquence


Mod Modle de Volterra

Y0

HF (t ) y

(t ) y

X0

d dt

i
i

x (t)

Mod Modle RINLRINL-2 Mod Modle RINLRINL-1

BF 2 (t ) y
1

Y0

(t ) x

BF 1 (t ) y

Voie Basse Fr Frquence

Excellentes performances globales Ncessite des mesures pointues et pr prcises


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25

SVM : forme finale du modle

Amplitude instantane
t

Frquence instantane

TS 0

(x (t ) , ) x ( t ) d h
HF

(t) = x (t) exp[ j x x ()d]


0

Mmoire HF

HF (t ) y

(t ) y

(t) x

Mmoire BF 1

d dt
TL1 0

i
BF 1

x (t)

BF (t ) y

Mmoire BF 2

(x (t ) , ) x ( t ) d h
TL 2

(t ) , x h x ( t ) d BF 2

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26

SVM: Implmentation numrique


Approximation numrique
(tn ) = z ( x (tn ) , ) x (tn )d h
0

Implmentation numrique base de I.I.R


(tn ) x
(tn ) ) . f1 ( x .
1 ()

Noyaux mesurs dans le domaine frquentiel

(X , ) H 0
Dcompostion en Spline orthogonale

. . .

P ()

(tn ) z
Structure de Hammerstein

(tn )) . fP ( x .
.

(X , ) = H 0

p =1

(X ) p () f p 0
b1

Z 1
a0

a1

Filtre r rcursif IIR

Vector fitting Pole/residu (Gustavsen

Z 1

Implmentation numrique efficace


p () = p,m m =1 j

r p,m

Matlab Scilab
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27

Contexte et Introduction Modlisation de la non-linarit Application la prdistorsion numrique Cas de figure simulation Cas de figure exprimental Comparaison avec modle classique Plateforme de modlisation SCERNE
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28

Principe de la prdistorsion
Linarisation de systme non linaire
x(t)
Systme de prdistorsion

z(t)

PA

y(t)

y(t) = G . fPA ( z(t) , t )

non linaire

y(t) = G . x(t)

z(t)= fPD( x(t), t )

non linaire

linaire

y(t) = G . fPA ( fPD ( x(t) , t ) )

fPD ( x(t) , t ) = fPA -1 ( x(t) , t )


Identification de la caractristique inverse
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29

Principe didentification
Identification de la caractristique inverse
Caractristique directe

x(t) x(t)

y(t) y(t)/G

y(t) x(t) t

Caractristique inverse

Mesures inverses impossibles Systme non causal (mmoire

Analyse transitoire dlicate


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30

Identification avec modle SVM


Identification en r rgime permanent : syst systme r rversible
Modle PA Extraction noyau courtcourtterme

Mesures CW 1 ton

Mesures CW 3 tons

entre
Modle Prdistorsion

Extraction noyaux longlongterme

sortie

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31

Contexte et Introduction Modlisation de la non-linarit Application la prdistorsion numrique Cas de figure simulation Cas de figure exprimental Comparaison avec modle classique Plateforme de modlisation SCERNE
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32

Schema de conception sur ADS


Amplificateur 1 tage (LDMOS
Puissance de sortie = 1W (4 dB de compression Caract Caractrisation CW 1 ton
16

F0 = 830MHz

Bande = 100MHz (10%

780 MHz

830 MHz

Compression de gain
Gain (dB)

14 12 10 8 6 4 -20

Dispersion en frquence

880 MHz

0 10 Pe (dBm) Dpartement C2S2

-10

20
33

Schema de conception sur ADS


Caract Caractrisation 3 tons
X

G+ G X +

X0

Y 0
Y

+ Y

G
15 16

G+
Pe = -17 dBm
14 12 G+(|X0|,) (dB)

Pe = -17 dBm

10 G-(|X0|,) (dB)

Pe = 15 dBm

10 Pe = 15 dBm 8 6 4 2 0

Pe = 20 dBm
0

Pe = 20 dBm

-5 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 Ecart de frquence (MHz)

-2 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 Ecart de frquence (MHz)

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34

Schema de conception sur ADS


Simulation de C/I

C/I gauche

C/I droit

Dpartement C2S2

35

Schema de conception sur ADS


Simulation ACPR (Single channel 3.84MHz WCDMA

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36

Schema de conception sur ADS


Test dsensibilisation de recepteur
0

Spectre de sortie (dBm)

-50

Canal dsir 16 QAM Perturbateur 16 QAM 10 MHz


0 -30 -60

-75

-100

-125

-90 -120

-150 810

81 5

820

825 830 8 35 Frquence (M H z)

840

845

-150 850

Spectre d'entre (dBm)

-25

Perturbateur CW 4 MHz

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37

Schema de conception sur ADS


Test dsensibilisation de canal
Simulation circuit Modle

0 -25 -50 -75 0 -100 -125 -30 -60 -90 -120 -150 810 815 820 825 830 835 Frquence (M Hz) 840 845 -150 850

Spectre de sortie (dBm)

Spectre d'entre (dBm)

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38

Schema de conception sur ADS


Amplificateur 2 tages (HBT-UMS F0 = 10 GHz
90 80 C/I3 gauche (dBc) 70 60 50 40 30 20 0 50 100 150 Ecart de frquence (MHz) 200

Bande X

Bande = 1 GHz (10%, 10W


Modle 80

Simulation circuit

70 C/I3 droit (dBc) 60 50 40 30 20 0

50 100 150 Ecart de frquence (MHz)

200

C/I gauche
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C/I droit
39

Schema de conception sur ADS


Amplificateur GaN-UMS
F0 = 1,8 GHz Rponse pulse
Simulation circuit Modle

Bande = 400 MHz (20%, 3W

20 18 16
Pe = 17 dBm Pe = 15 dBm

Tension de sortie (V)

14 12 10 8 6 4 2 0 0 1 2 3 4 5 6 7
Pe = 5 dBm Pe = 10 dBm

t (us)
40

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41

Caractrisation exprimentale
Encore dlicate (dynamique, bande passante, bruit
+ G

( X0 , ) ( X0 , )
Y 0 Y
+ Y

A/B
RF

ARV
R

X 0 X

10MHz

PC
X 0 X
+ X

0 0 0 +

Gnrateur Q de signaux

0 0 0 +

Coupleur

Coupleur

50

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42

Caractrisation exprimentale
Amplificateur GaAs
F0 = 1,44 GHz
X0

Bande 10%, 50 mW
G+ G

Y 0
Y

+ Y

15

G
Pe =-16 dBm

15

G+
Pe =17 dBm Pe =14 dBm Pe =12 dBm

10 G+(|X0|,) (dB)

10 Pe =-16 dBm 5 G (|X0|,) (dB)

5 Pe =12 dBm 0 Pe =17 dBm -5 Pe =14 dBm

0 -5 -10 -15

-10 -10

-5

0 (MHz)

10

-20 -10

-5

0 (MHz)

10

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43

Caractrisation exprimentale
Mesures/ Simulation C/I
Mesure
45 40 35 C/I3 (dBc) 30 25 20 15 10 4 10

Modle

10

F (Hz)

10

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44

Caracterisation exprimentale
Mesures/ Simulation ACPR (1 canal 16 QAM @ 1,25 Msymb/s
50 45 40 35 30 25 20

Measurement Volterra model Memoryless model

ACPR(dBc)

7 dB

8 Pe (dBm)

10

12

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45

Caracterisation exprimentale
Amplificateur + prdistorteur (matlab
Stimuli: 1 canal 16 QAM @ 10 Msymb/s
12 Amplitude du signal de sortie (V) 10 8 6 4 2 0 0

PA avec prdistorsion avec mmoire PA sans prdistorsion

0.5 1 1.5 2 Amplitude du signal d'entre (V)

2.5

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46

Caracterisation exprimentale
ACPR Stimuli: 1 canal 16 QAM @ 4 Msymb/s
55 50

ACPR ACPR (dBc)

45 40 35 30 11 PA Memoryless DPD Memory DPD 12

10 dB

13 14 15 Averageoutput output power (dBm) Average power (dBm)


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16

47

Caracterisation exprimentale
ACPR Stimuli: 1 canal 16 QAM @ 10 Msymb/s
PA
60 55 ACPR gauche (dBc) left ACPR 50 45 40 35 30 25 14 droit (dBc) right ACPR ACPR 50

PA + memory DPD
60

PA + memoryless DPD

55

5dB

20dB 7dB

-10dB
45

40

35

16

18

20 Ps (dBm)

22

24

26

30 14

16

18

20 Ps (dBm)

22

24

26

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48

Caracterisation exprimentale
EVM Stimuli: 1 canal 16 QAM @ 10 Msymb/s
PA
7 6 5 EVM (%) 4 3 2 1 0 14

PA + memory DPD

PA + memoryless DPD

16

18

20 Ps (dBm)

22

24

26

EVM reduction importante

facteur 5
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49

Contexte et Introduction Modlisation de la non-linarit Application la prdistorsion numrique Cas de figure simulation Cas de figure exprimental Comparaison avec modle classique Plateforme de modlisation SCERNE
Dpartement C2S2
50

Comparaison modle polynme mmoire


Polynme mmoire optimis sur stimuli: 1 canal 16QAM @ 10 Msymb/s
(k ) = y
70

n =1 q = 0

nq | x (k q ) |2( n 1) x (k q ) a

(N=5 - Q=7)

Simulation circuit Modle Polynme M Modle Volterra M


ACPR (dBc) 65 60 55 50 45 40 35 30 25 0 2 4 6 8 10 P e (d B m ) 12 14 16

ACPR droit ACPR gauche

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51

Comparaison modle polynme mmoire


Polynme mmoire changement de stimuli:
1 canal 16QAM @ 10 Msymb/s
Simulation circuit
10 0 Spectre de sortie (dBm) -1 0 -2 0 -3 0 -4 0 -5 0 -6 0 -7 0 -2 0

3 canaux 16QAM @ 3,25 Msymb/s


Modle Volterra M

Modle Polynme M
10 0 Spectre de sortie (dBm) -10 -20 -30 -40 -50 -60

-1 5

-1 0

-5 0 5 F r q u e n c e (M H z)

10

15

20

-70 -20

-15

-10

-5 0 5 Frquence (M Hz)

10

15

20

Invariant du syst systme ? Mod Modle universel


Dpartement C2S2
52

Comparaison modle polynme mmoire


Lin Linarisation PA GaAs
Polynme optimis sur stimuli: 3 canaux 16 QAM @ 1,25 Msymb/s

20 10 Puissance de sortie (dBm) 0 -1 0 -2 0 -3 0 -4 0 -5 0 -6 0 -1 0

PA sans prdistortion Prdistortion sans mmoire Prdistortion Polynme M Prdistortion Volterra M

-5

0 F r q u e n c e (M H z )

10

Dpartement C2S2

53

Ps (dBm)

Comparaison modle polynme mmoire


Lin Linarisation : changement de stimuli
extinction du canal central ( 3 canaux 16 QAM @ 1,25 Msymb/s)
20 10

PA sans prdistortion Prdistortion sans mmoire Prdistortion Polynme M Prdistortion Volterra M

Puissance de sortie (dBm)

0 -1 0 -2 0 -3 0 -4 0 -5 0 -6 0 -7 0 -1 0 -5 0 F r q u e n c e (M H z ) 5 10

Prdistorteur universel ?
Dpartement C2S2
54

Contexte et Introduction Modlisation de la non-linarit Application la prdistorsion numrique Cas de figure simulation Cas de figure exprimental Comparaison avec modle classique Plateforme de modlisation SCERNE
Dpartement C2S2
55

Plateforme de modlisation SCERNE


Extracteur modles Simulateur systme: Scilab/ScicosLab

data
CHARATERIZATIONS SIMULATIONS

Timedomain, VNA,

ADS

Thermal 3D

Simulateurs circuits et composants Bancs de caractrisation Dpartement C2S2


56

SVM : forme finale du modle

Amplitude instantane
t

Frquence instantane

TS 0

(x (t ) , ) x ( t ) d h
HF

(t) = x (t) exp[ j x x ()d]


0

Mmoire HF

HF (t ) y

(t ) y

(t) x

Mmoire BF 1

d dt
TL1 0

i
BF 1

x (t)

BF (t ) y

Mmoire BF 2

(x (t ) , ) x ( t ) d h
TL 2

(t ) , x h x ( t ) d BF 2

Dpartement C2S2

57