Conduccion en los metales:

Densidad de corriente
J=n*e*v
F=-e*E=e*(V/l)
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La velocidad de arrastre
vi=-u*E=-(L/t)
J=Q*E=-n*e*vi=n*e*u*E
E=V/L
n=N/Volu
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Conductividad:
Q=n*e*u
Carga:
q=n*e*A*L
Corriente:
I=(n*e*A*L)/t=q/t=J*A
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SEMICONDUCTORES:
q=p*e*A*L numeros de huecos.
I=q/t=(p*e*A*L)/t=J*A
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Conductividad:
Qp=p*e*up
Qn=n*e*un
Total
J=(Qn+Qp)*E
J=(n*un+p*up)*e*E
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Para semiconductores intrinseco:
n=p=ni Na=ND
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Ecuacion de Neutralidad de Cargas:
n+Na=ND+p
Na:Concentracion de aceptadores
Np:Concentracion de donadores
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____Para semiconductores extrinseco:
TIPO: n------impuresas donantes
n+Na=ND+p
n=ND
____
TIPO: p-----impuresas aceptantes

n+Na=ND+p
p=Na
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Ley de accion de las masas:
n*p=ni^2
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Teoria de Bandas:
La concentracion de electrones:
n=Nc*e^[-(Ec-Ef)/(Kb*T)]
Nc=[4.82*10^(15)]*{[mn*/me]^(3/2)}*T^(3/2)
me=9.1*10^(-31) mn*:masa efectiva del electron
Nc:Densidad efectiva de estados disponible en la banda de conduccion
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La concentracion de hueco:
p=Nv*e^-(Ef-Ev)/Kb*T
Nv=[4.82*10^(15)]*{(mp*/me)^(3/2)}*T^(3/2)
mp*=masa efectiva de los huecos
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Para un material intrinseco:
n=p
Nv*e^-(Ef-Ev)/Kb*T=Nc*e^[-(Ec-Ef)/(Kb*T)]
Ef=(Ec+Ev)/2 -{(K*T)/2}*Ln(Nc/Nv)
(Nc/Nv)=(mn*/m*p)^(3/2)
Ef=(Ec+Ev)/2 -{(3*K*T)/4}*Ln(mn*/mp*)
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semiconductores del tipo n:
n=Nd
n*p=ni^2
Ef=Ec-K*T*ln(Nc/Nd)
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Semiconductor del tipo p:
p=Na
Ef=Ev-K*T*ln(Nv/Na)
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Variacion de la concentracion Intrinseca:
ni^2=n*p=Nc*Nv*e^(-Eg/(k*T))
ni^2=n*p=A*T^3*e^(-Eg/(k*T))
Nv*Nc=[4.82*10^(15)]^2*{[mp*xmn*/me]^(3/2)}*T^3
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constantes:
h=h/(2*pi)
K=8.620*10^-5 eV/K