Transistores C.C.

PROBLEMAS DE ELECTRNICA ANALGICA (Transistores C.C.)

Escuela Politcnica Superior

Profesor. Daro Garca Rodrguez

Transistores C.C.

1.2.- En el circuito de la figura si = 0.98 y VBE = 0.7 Voltios, calcular el valor de la resistencia R1, para una corriente de emisor 2 mA
R1 2k

IC+I1

I1 IB I2
25k 0.2k

IC
Q1 12V

IE

En este circuito tenemos que poner las ecuaciones necesarias para poder resolver V VB luego nuestro nico objetivo es el valor de R1 que nos viene dado por R1 = C I1 calcular VC , VB y I1 .

I C = I E = 0.982 = 1.96mA I B = I E I C = 2 1.96 = 0.04mA

V B = V BE + I E R E = 0.7 + 20.2 = 1.1Voltios I 1 = I B + I 2 = 0.04 + 0.044 = 0.084mA

I2 =

VB 1.1 = = 0.044mA 25 25

VC = VCC ( I C + I 1 )2 = 12 (1.96 + 0.084)2 = 7.912Voltios Luego ya tenemos todos los datos necesarios para calcular la Resistencia R1 VC VB 7.912 1.1 = = 81.1K I1 0.084

R1 =

Aqu hemos calculado todo los valores del circuito, Intensidades, y tensiones en todos los puntos. Lo nico que nos falta es VCE = VC-VE=7.912-20.2=7.512 Voltios Y efectivamente el transistor est en la zona activa por tener VCE> 0.2 Voltios y ser un transistor NPN.

Transistores C.C.

2.2.- En el circuito de la Fig.1 los transistores Q1 y Q2 trabajan en la regin activa con VBE1 = VBE2 = 0.7 Voltios, 1 = 100 , 2 = 50 . Pueden despreciarse las corrientes inversa de saturacin. a) Calcular todas las intensidades del circuito. b) Calcular las tensiones en los diferentes puntos.
82k

IB2
Q2 100k Q1 10k 1k

Ic2
Q2 1k

IC1 24V
Q1

24V

108,9K

2.61V

IE2=IB1
0.1k

0.1K
0

IE1
0

Fig.1

Fig.2

Lo primero que hay que hacer es reducir el circuito a una forma mas simple, para ello se ha calculado el thevening mirado de la base B2 haca la izquierda.

V BB 2 =

2410 = 2.61Voltios 82 + 10

RB 2 =

1082 + 100 = 108.9 K 10 + 82

Apartir de aqu analizaremos el circuito de la Fig.2. Podemos escribir, en la malla de los emisores de los transistores:
V BB 2 = I B 2 R B 2 + V BE 2 + V BE1 + I E1 R E1 ; 2.61 = I B 2 108.9 + V BE 2 + V BE1 + I E1 0.1

I E1 = ( 1 + 1)I B1 = ( 1 + 1)I E 2 = ( 1 + 1)( 2 + 1)I B 2 = 51101I B 2 Sustituyendo

esta ecuacin en la anterior y despejado IB2 tenemos:

I B2 =

2.61 V BE 2 V BE1 2.61 0.7 0.7 = = 0.0019mA 108.9 + 511010.1 624

I B1 = I E 2 = ( 2 + 1)I B 2 = 510.0019 = 0.097 mA I E1 = ( 1 + 1)I B1 = 1010.097 = 9.8mA

I C 2 = 2 I B 2 = 500.0019 = 0.095mA I C1 = 1 I B1 = 1000.097 = 9.7mA

VC1 = VCC I C RC1 = 24 9.71 = 14.4Voltios

Transistores C.C.

V E1 = I E1 R E1 = 9.80.1 = 0.98Voltios VCE1 = VC1 V E1 = 14.4 0.98 = 13.52Voltios VC 2 = 24Voltios V E 2 = V BE1 + V E1 = 0.7 + 0.96 = 1.66Voltios VCE 2 = VC 2 VE 2 = 24 1.66 = 22.34Voltios V B 2 = VBE 2 + V E 2 = 0.7 + 1.66 = 2.36Voltios

Transistores C.C.

3.2.- El circuito de la figura con un transistor PNP tiene un =100, VBE=-0.7V . Calcular todas las intensidades y tensiones en los diferentes puntos.

R2

30k

RC

5k

RC
5k

30/4k
Q1 20Vdc VCC

RB IB

IC
Q1

VCC
20Vdc

R1

10k

RE
2k

VBB

IE RE
2k

5V

Lo primero que hay que hacer es el thevenin, desde la base del transistor hacia la izquierda, quedando el circuito de la figura de la derecha:
V BB = VCC R1 2010 = = 5V R1 + R2 10 + 30 R BB = R2 R1 3010 30 = = K. R1 + R2 10 + 30 4

A partir de aqu analizaremos el circuito de la parte derecha. En la malla base emisor podemos escribir:
V BB = I B R B + I E R E V BE = I B R B + ( + 1)I B V BE despejando IB se tiene:

V BB + VBE 5 0.7 4.34 8.6 = = = = 0.021mA 30 R B + ( + 1)R E 838 419 + (100 + 1)2 4 1008.6 860 I C = I B = = = 2.05mA 419 4.19 IB =

I E = ( + 1)I B =

1018.6 = 2.07 mA 419

Ahora calcularemos las diferentes tensiones con respecto a masa:

VC = I C RC VCC = 2.055 20 = 9.75V .

Transistores C.C.

V E = I E RE = 2.072 = 4.14V . VCE = VC V E = 9.75 (4.14) = 5.61V el transistor esta en la zona activa por ser un PNP. Por ser esta cada de tensin negativa

V B = VBE + VE = 0.7 4.14 = 4.84V A continuacin calcularemos la intensidad que circular por las resistencias R1 y R2 con sentido haca arriba. Para la resistencia R1
I1 = 0 V B 4.84 = = 0.48mA. R1 10

Para la resistencia R2 I2 =I1+I2 = 0.48 +0.02 =0.50 mA. VB (VCC ) 4.84 (20) = = 0.5mA R2 30

Tambin podra calcularse: I 2 =

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4.2.- En el circuito de la fig. el transistor tiene una = 60 . Expresar los valores posibles de VBB para que el transistor se encuentre: a) Zona de corte b) Zona activa. c) Zona de saturacin. d) Si VBB= 5 Voltios y manteniendo el valor de RC = 1 K. entre que valores puede variar RB para que el transistor se encuentre en la zona de activa? e) Si VBB= 5 Voltios y manteniendo el valor de RB= 50 K. entre que valores puede variar RC para que el transistor se encuentre en la zona de saturacin? VCEsatuacin=0.2 Voltios, VBE (VBE activa=0.7 Voltios, inversa de saturacin despreciable.)
1

saturacin=0.8

Voltios, y Corriente

Vo

IB
Q1

IC RC=1k 10V V VCC

RB=50 k VBB

a) Tal como esta polarizado el transistor, es de una forma correcta, s las fuentes empleadas son positivas. Suponemos a la vez que el transistor va a conducir cuando entre base emisor haya una cada de tensin igual o superior a 0,7 Voltios aunque en realidad necesite una cada de tensin

aproximadamente de 0,5 Voltios. Luego para que el transistor este en corte necesita slo VBB< 0.7 Voltios Ya que el diodo de emisor y colector estn polarizado inversamente. b) y c) Aqu vamos a ver para que tensin VBB estar en saturacin, luego entre el valor de corte y saturacin estar la zona activa. I Csat = Si activa. Luego tenemos 9.8 Entonces para
V BB 0.8 60 50

VCC VCEsat 10 0.2 = = 9.8mA RC 1 I Csat I Bsat

I Bsat =

VBB V BEsat VBB 0.8 = 50 RB

el dispositivo est en saturacin en caso contrario en la zona

V BB

9.850 + 0.8 = 8.97voltios 60

0.7 VBB 8.97Voltios

el transistor estar en zona activa.

V BB 8.97voltios el transistor estar en saturacin.

Transistores C.C.

d) En este caso la zona de corte no vara, solo varan las zonas de saturacin y activa. Calcularemos la zona de saturacin para saber la zona activa. I Csat I Bsat zona de saturacin

I Csat =

VCC VCEsat 10 0.2 = = 9.8mA RC 1

I Bsat =

V BB VBEsat 5 0.8 = RB RB

9.8

5 0.8 4.2 60 = RB RB

RB

4.2 60 = 25.71K . 9.8

Luego cuando RB sea mayor que 27,71 K el transistor va a estar en la zona activa. e) En este caso la zona de corte no vara solo varan las zonas de saturacin y activa. Calcularemos la zona de saturacin.. I Csat I Bsat zona de saturacin

I Csat =

VCC VCEsat 10 0.2 9.8 ; = = RC RC RC

I Bsat =

VBB VBEsat 5 0.8 = = 0.084mA RB 50

9.8 0.08460 ; RC de saturacin.

RC

9.8 = 1.94k 5.04

con estos valores estar en zona

Luego cuando RC 1.94 K

el transistor estar en la zona activa.

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F1

5.2.- En el circuito de la Fig.1 Q1 y Q2 se encuentra en la zona Activa, siendo = F 2 = 100 , V BE1 = V BE 2 = 0.7voltios . Calcular las tensiones en los diferentes puntos e intensidades.

2K

2K

2K

IC1

IB1
Q1 Q2 5V 3K 3K 3V 5V 1k 5V V4 Q1

1.2K

3K

Q2 1k

IC2

IE1=IE2

V2 5V

Fig.1

Fig.2

El transistor Q1 es un NPN y el Q2 un PNP y ambos aparentemente bien polarizado. Lo primero que tengo que hacer es realizar el thevening mirado desde la base de Q1 hacia la izquierda, teniendo el circuito de la Fig.2. 53 = 3Voltios 2+3 En la malla B1 ,E1,E2 y B2 , se puede escribir: V BB1 = V BB1 = I B1 R B1 + V BE1 + I E1 R E1 + VEB 2 R B1 = 23 = 1.2 K 2+3

I E1 = ( F + 1)I B1 sustituyendo esta

ecuacin en la anterior y despejando IB1 se obtiene: I B1 = V BB1 V BE1 V EB 2 ; R B1 + ( F 2 + 1)R E1

I B1 =

3 0.7 0.7 1.6 = = 0.0053mA 1,2 + 1013 304.2

I C1 = F I C1 = 1000.0053 = 0.53mA I E1 = I E 2 = ( F 1 + 1)I B1 = 1010.0053 = 0.54mA IC2 =

F2

F2

100 I E 2 = 0.54 = 0.53mA +1 101

I B2 =

I E2 0.54 = = 0.0053mA F 2 + 1 101

Ya tenemos calculadas todas las intensidades, ahora calcularemos las tensiones en los diferentes puntos. VC 2 = VCC 2 + I C 2 RC 2 = 5 + 0.531 = 4.47Voltios V E 2 = V EB 2 = 0.7Voltios

Transistores C.C.

VCE 2 = VC 2 V E 2 = 4.47 0.7 = 5.15Voltios En zona activa, por ser un PNP y dar negativo la tensin entre colector y emisor. V E1 = I E1 RE1 + V E 2 = 0.543 + 0.7 = 2.32Voltios VC1 = VCC1 I C1 RC1 = 5 0.532 = 3.94Voltios VCE1 = VC1 V E1 = 3.94 2.32 = 1.62Voltios dar positiva la tensin entre colector y emisor. V B1 = V BE1 + VE1 = 0.7 + 2.32 = 3.02Voltios En zona activa, por ser un NPN y

10

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6.2- En el circuito de la figura Calcular: a) La salida VCE cuando la entrada es de 0.2 Voltios. b) Lo mismo apartado anterior cuando la entrada es de 10 Voltios. F = 20 VDcond.=0.7 Voltios V = 0.5voltios.
(VBE activa=0.7 Voltios, VCEsatuacin=0.2 Voltios, VBE inversa de saturacin despreciable.).
saturacin=0.8

Voltios, y Corriente

6k D1 Vi P

I1 IB

6k Q1

IC

10V

D2

D3 2k

I2

a) Si la entrada Vi = 0.2 Voltios conducir el diodo D1, por existir una Tensin entre nodo y ctodo, a travs de la resistencia de 6 k, de (10-0.2)Voltios, lo que hace a la vez que la tensin en el punto P sea 0.2 + 0.7 = 0.9 Voltios insuficiente tensin para que D2, D3 y El transistor pueda conducir ya que necesitara como mnimo 0.5 +0.5 +0.7 =1.7 voltios, al no conducir el transistor, la salida VCE = VCC = 10 voltios. b) Si la entrada es de 10 Voltios el diodo que no conduce es D1, y los otros dispositivos s. Vamos a suponer que Q1, est en saturacin Entonces VCE =0.2 Voltios: VP =VD2 +VD1 + VBEsat = 0.7 + 0.7 + 0.8 = 2.2 Voltios I1 = VCC V P 10 2.2 7.8 = = mA 6 6 6 I B = I1 I 2 = I Csat = I2 = V BEsat 0.8 = = 0.4mA 2 2

7.8 7.8 2.4 5.4 0.4 = = mA 6 6 6

VCC VCEsat 10 0.2 9.8 = = mA 6 6 RC Condicin para que est en la zona de saturacin: I Csat I B 9.8 5.4 20 6 6

lo cumple luego Q1 est en saturacin y VCE= 0.2 Voltios

11

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7.2.- a)Esbozar la caracterstica de transferencia VCE en funcin de Vi del circuito de la figura,( suprimiendo el diodo zener) , indicando las diferentes zonas del transistor. El transistor tiene una = 100 y la corriente inversa de saturacin despreciable. b) Igual que en el apartado a) con el diodo zener, suponiendo que este es ideal, cuya tensin zener es igual a 4 Voltios. (VBE activa=0.7 Voltios, VCEsatuacin=0.2 Voltios, VBE saturacin=0.8 Voltios,)

R3 5k R1 360k R5 V1 40k V3 10V Q1 R4 15k 10V D1 V2

360k

36k

Vi

40K

0.1Vi
0
0

Fig.1
3.75k
5k

Fig.2

C
5V

15k 10V 10V

36k 3.75V 1Vi

5V

VCE

Fig.3

Fig.4

Lo primero que tenemos que hacer en este circuito es, tanto en la entrada como en la salida, reducirlo a su thevening correspondiente. En la entrada tenemos la Fig.2 V BB =
Vi 40 = 0.1Vi 360 + 40

RB =

36040 = 36 K 360 + 40

En la salida Fig.3 VCC =

1015 105 = 5Voltios 15 + 5

RC =

155 = 3.75k 15 + 5

Luego el circuito queda reducido a la Fig.4, donde podemos escribir: Zona de corte del transistor VBB< 0.7 Voltios Y entonces VCE = 5 Voltios 0.1 Vi<0.7 Vi< 7 voltios

12

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Zona de Saturacin

I B I Csat

IB =

V BB V BEact 0.1Vi 0.8 = mA 36 RB

I Csat =

VCC VCEsat 5 0.2 = mA RC 3.75

0.1Vi 4.836 + 0.8 1003.75 Vi 12.6Voltios

0.1Vi 0.8 5 0.2 100 36 3.75

Luego la zona activa estar comprendida entre 7 y 12.6 Voltios y en esa zona se cumple: IB = VBB VBE 0.1Vi 0.7 = 36 RB I C = I B = 0.1Vi 0.7 100 36

VCE = VCC I C RC = 5

10Vi 70 37.5Vi + 442.5 3.75 = 36 36

Conclusin:

Vi < 7 Voltios

transistor en corte VCE = VCC = 5 Voltios

7 < Vi < 12.6 Voltios transistor en activa

VCE =

37.5Vi + 442.5 36

Vi > 12.6 Voltios Transistor en saturacin Su representacin grfica en la Fig. 5

VCE = 0.2 Voltios

c) Si le colocamos el diodo zener ente el colector y emisor del transistor, como se ve en la figura 1, este empieza a actuar cuando la tensin entre sus terminales es superior a 4 Voltios que entonces su cada de tensin se mantiene a esos 4 Voltios. Vamos a calcular el valor de Vi cuando cumple estas condiciones, ocurre en la zona activa: 442.5 436 = 7.96Voltios 37.5

VCE

37.5Vi + 442.5 = = 4Voltios 36

Vi =

13

Transistores C.C.

Su representacin grfica Fig.6

VCE 5 Voltios

3 pend =

37.5 36

1 0.2V 0 1 3 7 12 Vi Voltios

Fig.5

VCE
Voltios 4

3 pend =

37.5 36

1 0.2V 0 1 3 7 12 Vi Voltios

Fig.6

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Transistores C.C.

8.2.- Los transistores de la Fig son idnticos con F = 100 y corriente inversa de saturacin despreciable. a) Hallar Vo cuando la entrada vara entre 0 y 12 Voltios b) Hallar Vo cuando la entrada vara entre 12 y 0 Voltios c) Representar grficamente los resultados de los apartados anteriores.

2k
Q1 Vi

1k

Vo
8k 20k
Q2

12V

2k
0

a) Para que pueda conducir un transistor necesita 0.7 Voltios, entre la base y el emisor, caso del NPN y si le introducimos inicialmente 0 Voltios el transistor Q1 no conduce y queda el circuito de la Fig. 2 que es un transistor con resistencia en emisor. Lo primero que tenemos que hacer es el thevening correspondiente, mirado desde base de Q2 hacia la izquierda. Su thevening nos viene expresado por: RB 2 = (2 + 8)20 20 = K 2 + 8 + 20 3

V BB 2 =

1220 = 8Voltios 2 + 8 + 20
1k

2k
8k 20k

Vo
Q2

20/3K

Q2
12V
8V

IC2

1k

IB2
2K 12V

2k
0

Fig.2

Fig.3

El circuito equivalente es el de la Fig.3 que podemos decir que el transistor est en la zona activa o saturacin, por la forma de su polarizacin. I B2 = V BB 2 V BE 2 7.33 8 07 = = = 0.035mA R B 2 + ( F + 1)R E 2 20 626 + (100 + 1)2 3 I E 2 = ( F + 1)I B 2 = 1010.035 = 3.53mA

I C 2 = F I B 2 = 1000.035 = 3.50mA

Vo = VC 2 = VCC 2 I C 2 RC 2 = 12 3.501 = 8.5Voltios V E 2 = I E 2 R E 2 = 3.532 = 7.06Voltios

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Transistores C.C.

VCE 2 = VC 2 V E 2 = 8.5 7.06 = 1.44Voltios Por ser positiva VCE y mayor que 0.2 Voltios el dispositivo esta en la zona activa, y ser un NPN. La salida vale Vo = 8.5 Voltios Para que Q1 empiece a conducir necesita una tensin: V1 (V BE1 + V E 2 ) = 0.7 + 7.06 = 7.76Voltios y entonces Q2 estar en corte (se demostrar en el apartado posterior) y la salida Vo= 12 Voltios. b) Si la entrada V1 es de 12 Voltios Q2 estar en corte (lo demostraremos posteriormente) y veremos como estar Q1, y nos quedara el circuito de la fig.4. Siendo Vo=12 Voltios

2k
Q1 Vi

1k

Vo
8k 20k
Q2 Q1

IC1

12V

RC1

56/30K Vi IE1
2k 11.2V

VCC1

2k
0

Fig.4

Fig.5

Si miramos el circuito thevening de la Fig 4 desde el colector a masa obtenemos el circuito de la Fig. 5. VCC1 = 1228 = 11.2Voltios 28 + 2 RC1 = 282 56 = = 1.87 K 28 + 2 30

En el circuito de la Fig. 5 si la entrada vale 12 Voltios el dispositivo seguramente estar en saturacin y entonces VCE= 0.2 Voltios con lo que nos quiere decir que VE y VC tienen aproximadamente la misma tensin, luego el transistor Q2 estar en V 20 corte ya que. V B 2 = C1 < VE ( Por la rama de las resistencias de 20 y 8 K. circulan la 28 misma intensidad de ah el reparto, directamente proporcional, de las tensiones en ambas resistencias).

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Transistores C.C.

I B1 =

Vi VBEact 12 0.7 = = 0.056mA R E ( F + 1) 2(100 + 1)

VCC1 VCEsat 11.2 0.2 1130 = = = 2.84mA 56 RE + RC1 56 + 60 +2 30 S I B I Csat 0.056100 2.84 el transistor est en saturacin. En este caso lo cumple. I Csat
S la entrada la vamos disminuyendo el transistor pasar a la zona activa y si seguimos disminuyendo aun ms llegar un instante en que se corte, ya que VBE2 hace igual a 0.7 Voltios por lo que Q2 empieza a conducir y el Q1 pasa a corte. Vamos a calcular ese punto.

V E1 = Vi VBE1 = Vi 0.7Voltios VC1 = VCC1 I C1 RC1 = VCC1 I B1 RC1 = 11.2 100 Vi 0.7 56 Voltios 2(100 + 1) 30

VC1 20 20 100(Vi 0.7) 56 = {11.2 } Luego la condicin para que 20 + 8 28 202 30 Q2 empiece a conducir es: VB 2 = V B 2 V E 0.7Voltios
100(Vi 0.7) 56 20 {11.2 } (Vi 0.7) 0.7voltios 28 202 30

100(Vi 0.7) 28 30 {(Vi 11.2) } 202 20 56

(Vi 0.7) {(Vi

28 30 202 11.2) } 20 56 100

Vi

6.76 = 3.85Voltios 1.76

Luego a partir de una cantidad inferior a ese valor el transistor Q1 se corta y Q2 conduce. Conclusin: a) Cuando Vi empieza en 0 Voltios Q1 en corte y Q2 en la zona activa cuya salida es igual a 8,5 Voltios. Cuando Vi 7,76voltios Q2 se corta y Q1 primero pasa a la zona activa y despus a la zona de saturacin, y su salida es 12 Voltios. b) Cuando Vi empieza en12 Voltios Q1 en saturacin y Q2 en corte, cuya salida es igual a 12 Voltios.

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Transistores C.C.

Cuando Vi 3.85Voltios Q2 se pone en zona activa y Q1 se corta, y su salida es 8,5 Voltios. Con estas conclusiones llegamos que los dos transistores no pueden conducir a la vez, como habamos supuestos en los dos apartados anteriores. Su representacin grfica la ponemos en la figura de la pgina siguiente.

vo
Voltios

12

8 6 Histerisis

12

vi

Voltios

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Transistores C.C.

9.2.- En el circuito de la figura de la izquierda, explicar(sin llegar a resultados numricos) como se obtendra las diferentes zonas de funcionamiento del MOS, teniendo de parmetros los siguiente valores: k=1.25 mA/V2 y Vt = 1,5 Voltios.
3k 200/3k

3k 100k

ID
G 2/3 VGG

ID
D 12V

12V

VDD
S 5V

VGG

200k 5V

VSS

Lo primero que tengo que decir que el MOS es de canal n, aunque hayamos puesto una figura del dispositivo diferente a las empleadas, por regla general en clase. En segundo lugar calculamos el thvenin mirado desde Puerta hacia la izquierda obteniendo el circuito de la derecha.

VG =

2VGG VGG 200 Voltios = 200 + 100 3

RG =

200100 200 = K 200 + 100 3

aunque el valor de RG no lo necesitamos ya que la intensidad que circula por la puerta es nulo. Las ecuaciones del circuito necesarias son: 2 VGS = VGG + 5 3

V DS = I D R D + V DD + VSS = I D 3 + 12 + 5 = I D 3 + 17 VD = I D 3 + 12

2 VGD = VGG 12 + I D 3 3

Estudiemos ahora las diferentes zonas del MOS. a) Zona de corte VGS Vt
2 VGG + 5 1.5Voltios 3 VD = 12 Voltios

VGG

4.5 15 = 5.25Voltios ID= 0 mA 2

b) Zona Ohmica

VGS Vt

VGD Vt

2 I D = k {2(VGS Vt )V DS VDS }

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Transistores C.C.

2 I D = 1.25{2( VGG + 5 1,5)( I D 3 + 17) ( I D 3 + 17) 2 } 3 2 De la segunda condicin. VGD 1,5 VGG 12 + 3I D 1.5Voltios en esta tima 3 ecuacin se sustituira el valor de ID de la ecuacin anterior y se calculara El valor de VGG sera menor que un cierto valor, luego el valor de VGG estara comprendido entre este valor y -5,25 Voltios. c) Zona Activa o de saturacin

VGS Vt

VGD Vt

I D = k (VGS Vt ) 2
2 ( VGG 12 + I D 3) 1.5Voltios 3

2 VGG + 5 1.5Voltios , VGG 5.25 3

2 I D = k (VGS Vt ) 2 = 1.25( VGG + 5 1.5) 2 , sustituyendo en esta ltima ecuacin, la 3 ecuacin anterior, obtenemos un valor de VGG valor , luego a partir de dicho valor es dispositivo estar en la zona activa. Nota: la resolucin de estas ecuaciones no son complicadas pero s largas de resolver, ya que para el calculo de ID, nos sale una ecuacin de segundo grado con dos soluciones, siendo solo una la correcta, y despues sustituirla en la ecuacin de VGD que es funcin de ID .

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Transistores C.C.

10.2.- En el circuito de la figura calcular el punto de trabajo, sabiendo que trabaja en la zona activa y sus parametros son: k = 0.025 mA/V2 y Vt = -2 Voltios.
51K

ID
9V

G,S
3V

En primer lugar por ser Vt menor que cero es un MOS de deplexin. La puerta y el sumidero estn unida, luego VGS=0 Voltios y este es mayor que Vt, luego est en la zona activa o ohmica. Si suponemos segn el enunciado que se encuentra en la zona activa.

I D = k (VGS Vt ) 2 = 0.025(0 (2)) 2 = 0.1mA V D = V DD I D R D = 9 0.151 = 3.9Voltios

VG =VS = -3Voltios

VGD = VG VD = 3 3.9 = 6.9 < Vt luego est en la zona activa

VDS =VD -VS = 3.9-(-3) = 6.9 Voltios Su punto de trabajo es: ID = 0.1 mA , y VDS =6.9 Voltios

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Transistores C.C.

11.2- En el circuito de la figura los MOS de la parte superior (M1 y M2) son de enriquecimiento y sus parmetros iguales son: k = 0.2510-4 A/V2 y Vt = 3 Voltios, el otro MOS (M3) es de deplexin cuyos parmetros son: k=0.05 mA/V2 y Vt = -2 Voltios. Calcular los puntos de funcionamiento, suponiendo que estn en la zona activa y comprobar la suposicin. Calcular tambin la potencia que disipa cada MOS.

ID1 ID2
M1 M2 10V

ID3
M3

0
10V

Observando la figura, M1 y M2 estn funcionando en el mismo punto Q, por ser el circuito simtrico y tener iguales caractersticas. Se cumple las siguientes ecuaciones en el circuito:

I D1 = I D 2 = I D

I D1 + I D 2 = I D 3 = 2I D

V DS1 = VDS 2

V DS1 + V DS 3 = 10 + 10 = 20Voltios .
Suponemos que los tres dispositivos estn en la zona activa donde conocemos VGS3 =0 Voltios, pudiendo calcular el valor de ID3.

I D 3 = k (VGS Vt ) 2 = 0.05{0 (2)}2 = 0.2mA

I D 3 0.2 = = 0.1mA 2 2 Sabiendo el valor de ID podemos calcular el valor de VGS1 = VGS2 de la ecuacin ID = I D = k (VGS1 Vt1 ) 2 = 0.025(VGS1 3) 2 = 0.1mA VGS 1 3 =
0.12 =2 0.05

VGS 1 = 2 + 3 = 5Voltios

VGS 1 = VG1 VS1

VS 1 = VGS1 + VG1 = 5 + 0 = 5Voltios , ya conocemos las

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Transistores C.C.

tensiones en todos los puntos, luego conocemos todas las diferencias de tensiones. Voy a probar que estn en la zona activa todos los MOS. En M1 y en M2. VGS1=VG1-VS1 = 0 -(-5) = 5 > Vt1 = 3 Voltios VGD1 = VG1 -VD1 = 0 - 10 = -10 < Vt1 = 3Voltios condiciones de la zona activa. En el M3 VGS3 = 0 > Vt3 = -2 Voltios y VGD3 =VG3 -VD3 = -10-(-5)= -5 <Vt3 = - 2V Luego est en zona Activa. VDS1= VD1 -VS1 = 10 -(-5) = 15 Voltios VDS3 =VD3 - VS3 = -5 -(-10) = 5 Voltios El punto de funcionamiento de M1 y M2 es (VDS=15 Voltios, ID=0.1mA) El punto de funcionamiento de M3 es (VDS = 5 Voltios, ID = 0.2mA) M1 y M2 disipan la misma potencia ya que circulan por ello la misma intensidad y tienen la misma tensin entre drenador y sumidero y esta es: P1 = P2 = ID VDS1 = 0.1 15 = 1.5 mW. En M3 Tenemos P3 = ID3 VDS3 = 0.2 5 = 1 mW. luego cumple las

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Transistores C.C.

12.2- En El circuito de la figura calcular el punto de funcionamiento de los MOS, siendo sus parmetros k2 = 2 mA/V2 , Vt2 = 2 Voltios, k1 = 4.5 mA/V2 y Vt1 = 1 Voltios, para los diferentes valores de la entrada VGG. .
D2

G2 S2 D1 G1 D

M2 S

ID
9V M1

VGG
S1

V1

En el Circuito de la figura cumple: VDS1 + VDS2 = 9 Voltios VGD2 = 0 < Vt2 = 2 Voltios luego solo puede estar en activa o corte. Cuando VGS1 = VGG < Vt1 = 1 Voltios el dispositivo estar en corte lo mismo que M2. ID= 0mA Cuando se inicia la zona hmica es lo que vamos a calcular: VGG > Vt1 = 1 Voltios el dispositivo entra en la zona activa u hmica , en la zona activa se cumple: ID1 = ID2 = ID

I D = k (VGS Vt ) 2 , I D1 = I D 2 , 2(VGS 2 2) 2 = 4.5(VGG 1) 2 extrayendo la raz cuadrada a ambos miembros nos queda (se ha multiplicado por dos ambos miembros de la ecuacin y despus se ha calculado la raz cuadrada): 2(VGS 2 2) = 3(VGG 1) y VGS2 = (9 -VD1) de esta dos ecuaciones obtenemos: VD1 =
17 3VGG ahora podemos saber para que valores de VGG est en la zona activa. 2

En activa VGD1 < Vt luego VGG < 3.8 Voltios

VGD1 = VG1 V D1

VGG

17 3VGG <1 2

Cuando 1<VGG<3.8 Voltios los dispositivos est en la zona activa. Y sus puntos de funcionamientos son: V DS1 = 17 3VGG , 2

I D = 4.5(VGG 1) 2

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Transistores C.C.

V DS 2 = 9
Cuando VGG > 3.8 Voltios Cumplindose:

17 3VGG , I D = 4.5(VGG 1) 2 2

M1 en saturacin y M2 en la zona 0hmica.

2 2 2 I D = k{(VGS Vt )V DS V DS } = 4.5{2(VGG 1)V DS1 V DS 1 } = 2(V DS 2 2) =

4 (9 V DS1 2) 2 2

de esta ecuacin obtendramos

2 13VDS 1 V DS 1 (38 + 18VGG ) + 196 = 0

Donde se calcula VDS1, y con ello todos los dems valores. Hagamos un ejemplo concreto por ejemplo VGG = 5 Voltios.
2 13VDS 1 V DS 1 (38 + 18VGG ) + 196 = 0 2 13V DS 1 128V Ds1 + 196 = 0

128 128 2 413196 = 7,95 Voltios 213 correctos slo uno de ellos.

V DS1 =

y 1,90 Voltios ambos valores no son

Como VGD1 > Vt1

(VG1 -VD1) > Vt1

(5 - VD1)> 1

VD1 < 4 luego el valor que

cumple solo es el de VDS1 = 1,90 Voltios. Y VDS2 = 9 - VDS1 = 9 - 1.9 = 7.1 Voltios

I D = k (VGS Vt ) 2 = k (V DS 2 Vt 2 ) 2 = 2(7.1 2) 2 = 52.02mA funcionamiento son:

M1 (VDS1 ,ID1) (1,90 Voltios, 52.02mA) y 52.02mA) M2

luego el punto de

(VDS2 ,ID2) (7.1 Voltios,

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13.2.- El transistor unipolar de la figura posee las siguientes caractersticas Vt= 3Voltios y k=2mA/V2. Se desea que en corriente continua el sumidero tome un valor de VDD/2 con una corriente de drenador de 2 mA. a) Encuentre los valores de tensin de puerta a masa y la resistencia Rs de sumidero s VDD= 12V. a) Suponiendo que Rs = 5 K determine que margen de valores tiene que tener la tensin de puerta a masa para que el dispositivo se encuentre en la zona ohmica.
D G
M1

ID S Rs

Vss

VDD

Las ecuaciones que podemos expresar en el circuito son las siguientes:

V DD = VDS + VS ;

VGS = VSS VS = VSS I D RS ;

I D = k (VGS Vt ) 2

Esta ltima para zona activa: Segn los datos del problema podemos escribir:

Vs =

V DD 12 = = 6Voltios 2 2

RS =

VS 6 = = 3 K ID 2

I D = k (VSS VS Vt ) 2 = 2mA = 2mA / V 2 (VSS 6V 3V ) 2

despejando VSS obtenemos: 2 = VSS 9 luego VSS=10 Voltios. 2

b) Para que se encuentre en la zona ohmica tiene que cumplirse que: VGS > Vt VGD > Vt y en nuestro caso VGS es siempre mayor que VGD

Ya que: VGD = VSS VDD y VGS = VSS VS y siempre cumple que VDD>VS Luego nuestro problema queda resuelto con tal que cumpla que VGD > Vt

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Transistores C.C.

VGD = (VSS - VDD) > Vt

VSS > (Vt + VDD ) = 3 + 12 = 15 Voltios.

Luego cuando VSS> 15 V El dispositivo estar en saturacin.

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14.2.- En el circuito de la figura las resistencias R1, R2 y RD, tienen un valor de 1K y su alimentacin VDD = 10V. a) Calcular el punto de trabajo del NMOs si k=5 mA/V2 y Vt = 4,5 Voltios. b)Se desea calcular el valor de Vt y k realizando las siguientes medidas: 1) variando la tensin VDD desde cero Voltios empieza a conducir con un valor de 6 Voltios. 2) Y con un valor de 10 Voltios se obtiene una tensin de drenador a sumidero de 5 Voltios.
D R1 I1 G R2
M1

I1+ID ID RD

Sabemos que por la puerta no circula intensidad. Las ecuaciones que podemos expresar en el circuito son las siguientes: VDD = (ID + I1)RD + VDS VDS = I1(R1 + R2) VGS = I1R2

VDD

a) Para que el transistor est en la zona ohmica o activa necesita que se cumpla: VGS > Vt siendo las tres resistencias iguales se cumple que VGS = VDS/2, Siendo Vt = 4,5 Voltios, se necesita una tensin como mnimo de VDS de

Voltios lo cual es imposible ya que por la resistencia de RD debe circular una intensidad de I1 + ID.(y el valor de I1min=9V/2K=4.5 mA. que la tensin a travs de la resistencia RD es de 4,5 V lo cual es imposible, ya que la mxima es de 1V). Si repartimos la tensin de 10 Voltios entre las tres resistencia iguales resulta que a cada una le corresponde una tensin de 3,33 Voltios, es decir: VGS = 3,33 Voltios El dispositivo en corte VDS = 6,66 Voltios y la intensidad ID = 0 mA. b) El dispositivo empieza a conducir cuando Vt = VGS lgicamente en la zona ohmica.

V DD 6 = = 2Voltios = Vt 3 3 Cuando VDD = 10 Voltios vamos a suponer que se encuentra en la zona de saturacin y apliquemos las formulas y despus comprobemos lo anterior mente supuesto. V 5 VGS = DS = = 2,5Voltios > Vt luego en saturacin o ohmica 2 2 VGS = I D + I1 = VDD V DS 10 5 = = 5mA 1 RD I1 = VDS 5 = = 2,5mA R1 + R2 1 + 1

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Transistores C.C.

luego

I D = 5 I 1 = 5 2,5 = 2,5mA

VGD = I 1 R1 = 2,51 = 2,5Voltios < Vt = 2,5Voltios luego el dispositivo se Ahora encuentra en la zona de saturacin o activa.
Vamos a calcular el valor de k del dispositivo:

I D = k (VGS Vt ) 2 en zona de saturacin k= ID 2,5 2,5 = = = 10mA / V 2 2 2 0,25 (VGS Vt ) (2,5 2)

Las caracterstica del dispositivo son: Vt = 2Voltios y k = 10 mA/V2.

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15.2- El Transistor FET de la figura tiene un valor de = 2.5mA / V 2 y Vp= 2

Voltios Calcular el punto de funcionamiento.

2k G

RD
D

ID S
RS
0
0.39K 9V

El FET es de canal P, luego la polarizacin realizada es la correcta. Si est en la zona activa tiene que cumplir: VGD > Vp VGS < Vp I D = (VGS V p ) 2 En el circuito tenemos: VGS= IDRS= ID 0.39

I D = (VGS V p ) 2 = 2.5(VGS 2) 2 Tenemos dos ecuaciones con dos incognitas:

VGS = 2.5(VGS 2) 2 0.39
2 0.975VGS 4.9VGS + 3.9 = 0

4.9 24.01 15.21 = 4.04Voltios y 0.99Voltios 1.95 ambas soluciones no son correctas slo una de ellas. Y en este caso es 0.99 por ser inferior a Vp=2 Voltios.

VGS =

ID =

VGS 0.99 = = 2.54mA 0.39 0.39

VGS =0.99 Voltios

VS = -IDRS = -2.540.39=VSG = -VGS = -0.99 Voltios VD= -VDD + IDRD = -9 + 2.542= -3.92 Voltios

VGD =VG -VD = 0 - (-3.92) = 3.92 Voltios que es mayor que VP = 2 Voltios luego est en la zona activa. Su punto de funcionamiento es: VDS = VD -VS = -3.92 - (-0.99) = -2.93 Voltios y su intensidad ID = 2.54 mA.

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Transistores C.C.

16.2.- En el circuito de la figura los FET tiene unos parmetros iguales de VP = -3 Voltios, =0.222 mA/V2 . Indicar en que estado se encuentran los FET , calculando sus puntos de funcionamiento.
G
2

6 .5 V

J2

V GG2 R
0
1k

S2

ID
10V

D1
J1

V DD

2 ,2 M

S1 0

En el circuito de los dos FET de canal N, podemos poner las siguientes ecuaciones: ID1 = ID2 = ID VDD = VDS2 + ID R + VDS1 10 = VDS2 + ID 1 + VDS1

En J1 se cumple VGS1 = 0 > VP = -3, luego se encuentra en la zona activa u ohmica. Supongamos que se encuentra en la zona Activa. (Ecuacin de la zona activa). ID =( VGS1 -(-VP))2 = 0.222(0+3)2 = 2 mA. Cumpliendo la misma ecuacin en J2, si lo suponemos tambin que est en la zona activa, por tener iguales parmetros, entonces llegamos que VGS1 = VGS2. VGS2 = VGG2 - VS2 ; VS2 = VG2 - VGS2 = 6.5 - 0 = 6.5 Voltios.

La cada de tensin a travs de la resistencia es: VR = ID R = 2 1 = 2 Voltios. Con todos estos datos tenemos, las diferentes tensiones en los diferentes puntos del circuito. VD2 = 10 Voltios VS2 = 6.5 Voltios VD1= VS2 - VR = 6.5 - 2 = 4.5 Voltios. Comprobemos que estn en la zona activa ambos, tiene que cumplirse que: VGS > VP esta condicin se cumple y que VGD < VP. VGD2 = VG2 - VD2 = 6.5 - 10 = -3.5 Voltios luego cumple VGD1 = VG1 - VD1 = 0 - 4.5 = -4.5 Voltios luego cumple, se encuentran ambos en zona activa. Sus puntos de funcionamiento son: J1 (3,5Voltios, 2 mA) y J2 (4.5 Voltios, 2 mA).

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