Semi Condu

Semiconducteur lquilibre thermodynamique
nergie Bande conduction
Bande interdite
Eg trou
Bande de valence
Semiconducteurs lquilibre thermodynamique

Densit dtats dans les bandes lments de physique statistique Fonction de distribution des porteurs Densit de porteurs de charge Semiconducteurs non dgnrs Semiconducteurs intrinsques Semiconducteurs extrinsques Type n Type p Semiconducteurs dgnrs
2

3
Densit dtats dans la BC

Masse effective de llectron nergie du bas de la BC
32
1 2 m Nc (E ) = 2 2 c 2
( E Ec )
12
Semiconducteurs univalle
mc = m e
Semiconducteurs multivalle
2 mc = n m1 mt l
23
Densit dtats dans la BC

1 2 m Nc (E ) = 2 2 e 2
n me/mo 1,06 0,55 0,067 0,073 Ec E
5
32
( E Ec )
12
Si Ge GaAs InP
6 4 1 1
Nc(E)
Densit dtats dans BV

32 32 mh = mlh +mhh
1 2 m Nv (E ) = 2 2 h 2
32
(E v E )
12
mh/mo
Nc(E) Nv(E)
Si Ge
0,59 0,36
GaAs 0,64 InP

0,87 Ev Ec
6

7
lments de physique statistique

Masse molaire 26,98 g/mole Densit volume =2,329 g/cm-3 Nombre dAvogadro 6,02 1023 atomes Nombre datomes par cm3
N = 2,329 26,98 6,02x1023 5x1022 atomes/cm3

Densit dlectrons de valences par unit de volume 2x1023
8

Systme dfinit par : n particules p tats Ei Conditions nergie totale E du systme constant E = nombre de particules constant n =
n E
i i
n
i
i
9

Statistique classique Statistique de Boltzmann particules discernables chaque tats peut contenir plusieurs particules
E E kT f (E ) = e ( F )
Statistique quantique Statistique de Fermi-Dirac particules indiscernables chaque tats peut contenir au plus une particule
f (E ) =
1 1 + e(
E EF ) kT
10

11
Fonction de distribution
Fonction de Fermi pour les lectrons fn (E ) = 1 0,5 T=0 K T1>0 K T2> T1
1 1 + e(
E EF ) kT
EF EF niveau de Fermi fn(EF)=0,5 quel que soit T
E
12
Fonction de distribution
Fonction de Fermi pour les trous
fp (E ) = 1 fn (E ) =
1 0,5
1
E E kT 1+ e ( F )
T=0 K T1>0 K T2> T1
EF EF niveau de Fermi fp(EF)=0,5 quel que soit T
E
13

14
n =
Ecmax Ec
Densit de porteurs N (E ) f (E ) dE p = N (E ) f (E ) dE
Ev c n Evmin v p
fp(E) fn(E) Nc(E)
0,5 Nv(E) p(E) 0 Ev EF Ec n(E) E15

16
Semiconducteurs dgnrs
Bande de conduction Bande interdite Bande de valence Bande de conduction Bande interdite EF Bande de valence
17
EF
Semiconducteurs non dgnrs

Bande de conduction Bande interdite Bande de valence EF
Ec EF > 2 kT EF Ev > 2 kT
fn (E ) = fp (E ) =
1 1 + e(
E EF ) kT
E E kT e ( F)
1
E E kT 1+ e ( F)
e(
E EF ) kT
18

fn (E ) e
(E EF ) kT
1 2 m Nc (E ) = 2 2 c 2
Ecmax Ec
32
( E Ec )
12
n =
Ecmax Ec
Nc (E ) fn (E ) dE =
- E-Ec ) kT
Nc (E ) e (
- E-EF ) kT
dE
n =
+ Ec
Nc (E ) e (
dE e (
- Ec -EF ) kT
=Nc e (
- Ec -EF ) kT
Nc densit quivalente dtats

19

Nc = 2,5x1019 ( me mo ) Nv = 2,5x1019 ( mh
( T 300 ) 32 32 mo ) ( T 300 )
32
- Ec -EF ) kT
32
cm-3 cm-3
n = Nc ( T ) e (
E -E kT p = Nv ( T ) e( v F )
np = Nc e (
- Ec -EF ) kT
Nv e(
Ev -EF ) kT
np = Nv ( T ) Nc ( T ) e
Eg kT
20
10

21
Semiconducteurs intrinsques
-----Si
-----Si
-----Si
-----Si
---
-Si
-Si
-Si
-Si
Ec
Bande interdite Eg
-Si
-Si
-Si
-Si
---
-Si
-Si
-Si
-Si
Ev
Bande de valence x
22
--
--
--
--
11
n = p = ni
Eg kT
np = Nv ( T ) Nc ( T ) e
Ec
Bande interdite Eg
Densit de porteurs intrinsques
ni = (Nv Nc )
12
Eg 2kT
Ev
Bande de valence x
23
np
= ni2
300 K
Densit de porteurs intrinsques (cm-3)
1018
Si
1014
Ec
Bande interdite Eg
1010
Ev GaAs
Bande de valence x
106 1 2 3 1000/T (K-1) 4
Si ni(300 K)=9,65x109 cm-3 -3 GaAs ni(300 K)=2,25x106 cm 24
12
Niveau de Fermi n=p
n = Nc ( T ) e (
- Ec -EF ) kT
Ec EF Ev
Bande de valence x Bande interdite Eg
E -E kT p = Nv ( T ) e( v F )
N (T) E + E v kT EF = c Ln c 2 2 Nv ( T )
EF =
Ec + E v 3 kT E + Ev m Ln h c 2 4 me 2
25

26
13
Semiconducteurs extrinsques
-----Si
------Si Si
-----Si
------27
Si
-Impurets
-Si
--
-Si
-Si
----
-Si
-Si
-Si
-Si
-Si
-Si
--
--
--
--
Donneurs
-----Si
-----Si
-----Si
-----Si
-----
-Si
-Si
-Si
-Si
IV
6C 14 Si 32 Ge 50 Sn
V
7N 15 P 33 As 51 Sb
-Si
-P+
-Si
-Si
-Si
-Si
-Si
-Si
--
--
--
-28
14
Donneurs Matriau de type n
----- -lectron - - de conduction --Si - - Si - - Si - - Si ----Si - - Si - - Si - - Si ----+ Si - - P - - Si - - Si ----Si - - Si - - Si - - Si --------nergie Bande conduction
E Ed c
+
Bande interdite
+
Eg
Ev
Bande de valence x
29
n>p
Accepteur
-----Si
-----Si
----Si
-----Si
-----
-Si
-Si
-Al
-Si
III
5B 13 Al 31 Ga 49 In
IV
6C 14 Si 32 Ge 50 Sn
-Si
-Si
-Si
-Si
-Si
-Si
-Si
-Si
--
--
--
-30
15
Accepteurs Matriau de type p
-----Si
-----Si
----Si
-----Si
-----
-Si
-Si
-Al-
-Si
Ec Ea Ev
Bande interdite Eg
-Si
-Si
-Si
-Si
Bande de valence
x
31
-Si
-Si
-Si
-Si
--
--
--
--
p>n
Matriau rel
Dopage Nd densit de donneurs Na densit daccepteurs quation de neutralit lectrique
E Ed c Ea Ev
+
Bande interdite
+
Eg
n + Na = p + Nd
Bande de valence
x
32
Si Nd>>Na matriau de type n Si Na>>Nd matriau de type p 1014 cm-3<Nd,Na<1019 cm-3
16

33
Type n temprature ambiante

Simplifications Type n
Nd>>Na0
Ec Tous les donneurs sont ioniss Ed
+ + +
++
Eg
Nd+ = Nd
Ev quation de neutralit lectrique
Bande interdite
Bande de valence
n = p + Nd = p + Nd
n>p
34
17

quation de neutralit lectrique
n = p + Nd+ = p + Nd
np = ni2 n n Nd n = 0
2
n = Nd + Nd + 4n
2
2 i
E Ed c
+ + +
++
Eg
2 i
)2
n Nd
2 i
Bande interdite
Ev
Bande de valence x
Nd ni
n Nd
et p
n>p
35

Niveau de Fermi
n = Nc ( T ) e (
- Ec -EF ) kT
d
n = Nd
Nd = Nc ( T ) e (
- Ec -EF ) kT
EF E Ec
+ + +
++
Eg
Bande interdite
Ev
Bande de valence x
EF = Ec -kT Ln (Nc ( T ) Nd)
n>p
36
18
Type n effet de la temprature
EF
+ + EF
+ + +
++ EF
T=0 K
T1>0 K
T2> T1
37

n = p + Nd+
+
Densit de donneurs ioniss Nd = Nd 1 + 2 e
(EF Ed )
kT
) )
Densit de porteurs
n = Nc ( T ) e (
- Ec -EF ) kT
E -E kT p = Nv ( T ) e( v F )
Nc ( T ) e (
- Ec -EF ) kT
E E kT E -E kT = Nv ( T ) e( v F ) + Nd 1 + 2 e( F d )
38
19

Tm TM Temprature
+ + EF
+ + + ++ EF
+ + +
++ EF
n Nd+
Rgime dionisation des donneurs
n Nd
Rgime dpuisement des donneurs
n p = ni
Rgime intrinsque
39

Niveau de Fermi
Ec (Ec +Ed )/2 Ed
(Ec +Ev )/2
40
20

n/Nd
Densit de porteurs
10+2 1 10-2 Rgime intrinsque Rgime dpuisement des donneurs
1/kT 1/kTm
1/kTM
41

n/Nd
Densit de porteurs
Nd=1014 cm-3
Nd=1016 cm-3 1/kT
42
21

43
Type p temprature ambiante

Type p
Na>>Nd0
n + Na = p Na = Na
Tous les accepteurs sont ioniss quation de neutralit lectrique
Ec Ea Ev Bande interdite Eg
p = n + Na = n + Na Na ni np = ni2
Bande de valence
p Na
et n
n Na
2 i
p>n
44
22
Type p temprature ambiante

Niveau de Fermi
E -E kT p = Nv ( T ) e( v F )
p = Na
E -E kT Na = Nv ( T ) e( v F )
Ec Ea Ev Bande interdite Eg
EF
EF = Ev +kT Ln (Nv ( T ) Na )
Bande de valence
p>n
45
Type p effet de la temprature
EF
EF
EF - -
T=0 K
T1>0 K
T2> T1
46
23

p = n + Na
Densit daccepteurs ioniss Na = Na 1 + (1 4 ) e
(Ea EF )
kT
) )
Densit de porteurs
n = Nc ( T ) e (
- Ec -EF ) kT
E -E kT p = Nv ( T ) e( v F )
Nv ( T ) e(
Ev -EF ) kT
E -E kT E E kT = Nc ( T ) e ( c F ) + Na 1 + (1 4 ) e( a F )
47

Tm TM Temprature
EF
- -
EF - -
EF - - - -
p Na
Rgime dionisation des accepteurs
p Na
Rgime dpuisement des accepteurs
n p = ni
Rgime intrinsque
48
24
Matriau semi-isolant
n + Na = p + Nd+
Si Na=Nd alors n=p=ni
E Ed c EF Ea Ev
+ -
+ -
+ -
+
Eg
ni = (Nv Nc )
12
Eg 2kT
x
49
E + Ev EF c 2
Bande de valence

50
25
n = n=
Ecmax Ec
Nc (E ) fn (E ) dE
32
EF
Bande de conduction Bande interdite Bande de valence
1 2 me 2 2 2
E ( E Ec )
c
12
1 1+e
(E-EF )
kT
dE
n = NC
2 + (E Ec ) kT d ( (E-Ec ) kT ) E-Ec ) kT ( 0 1+e n = NC 2 + u d (u) 0 1+eu
51
Rappel
Semiconducteur non dgnr
EF = Ec -kT Ln (Nc ( T ) Nd)

Nc (cm-3) 2,7x1019 1,0x1019 4,0x1017 5,0x1017
Bande de conduction Bande interdite Bande de valence
EF
Si Ge GaAs InP
Nv (cm-3) 1,1x1019 0,5x1019 1,3x1019 2,0x1019
52
26
n =
Ecmax Ec
Nc (E ) fn (E ) dE
Bande de conduction Bande interdite
EF
1 0,5
fn (E ) = 1
Bande de valence
fn (E ) =
1 1 (E EF ) 2 4kT
fn (E ) = 0
0 EF EF-2kT EF+2kT E
53

Densit dtats dans les bandes lments de physique statistique Fonction de distribution des porteurs Densit de porteurs de charge Semiconducteurs non dgnrs Semiconducteurs intrinsques Semiconducteurs extrinsques Type n Type p Semiconducteurs dgnrs Rsum
54
27
Rsum
Niveau de Fermi fn(EF)=0,5
Semiconducteur non dgnr
n = Nc ( T ) e (
- Ec -EF ) kT
E -E kT p = Nv ( T ) e( v F )
Nc, Nv densit quivalente dtats Semiconducteur intrinsque n=p=ni,EF=(Ec+Ev)/2
np = ni2
55
Rsum
Semiconducteur extrinsque temprature ambiante Type n (n>>p) Nd+ charges fixes
ni2 n Nd et p Nd EF = Ec -kT Ln (Nc ( T ) Nd) ni2 p Na et n Na EF = E v +kT Ln (Nv ( T ) Na )

56
Type p (p>>n) Na- charges fixes
Semi-isolant n=p=ni, EF=(Ec+Ev)/2
28
Rsum
Effet de la temprature
n/Nd
Densit de porteurs
10+2 1 10-2 Rgime intrinsque Rgime dpuisement des donneurs
1/kT 1/kTm
1/kTM
57
Rsum
Effet de la temprature
0,8 0,4
Niveau de Fermi
Ec
1018
EF-Ei (eV)
Nd=1012 0
Si
-0,4 -0,8 0
Na=1012 1018
Ei Ev
200
400
600
58
T (K)
29

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lments de physique statistique

N = 2,329 26,98 6,02x1023 5x1022 atomes/cm3

lments de physique statistique

lments de physique statistique

Semiconducteurs lquilibre thermodynamique

EF EF niveau de Fermi fn(EF)=0,5 quel que soit T

T=0 K T1>0 K T2> T1

EF EF niveau de Fermi fp(EF)=0,5 quel que soit T

Semiconducteurs lquilibre thermodynamique

fp(E) fn(E) Nc(E)

0,5 Nv(E) p(E) 0 Ev EF Ec n(E) E15

Semiconducteurs lquilibre thermodynamique

Semiconducteurs non dgnrs

Semiconducteurs non dgnrs

Nc densit quivalente dtats

Semiconducteurs non dgnrs

Semiconducteurs lquilibre thermodynamique

nergie Bande conduction

Densit de porteurs intrinsques

nergie Bande conduction

106 1 2 3 1000/T (K-1) 4

Si ni(300 K)=9,65x109 cm-3 -3 GaAs ni(300 K)=2,25x106 cm 24

Semiconducteurs lquilibre thermodynamique

nergie Bande conduction

Si Nd>>Na matriau de type n Si Na>>Nd matriau de type p 1014 cm-3<Nd,Na<1019 cm-3

Semiconducteurs lquilibre thermodynamique

Type n temprature ambiante

nergie Bande conduction

Ec Tous les donneurs sont ioniss Ed

Type n temprature ambiante

nergie Bande conduction

Type n temprature ambiante

nergie Bande conduction

EF = Ec -kT Ln (Nc ( T ) Nd)

Type n effet de la temprature

Type n effet de la temprature

Densit de donneurs ioniss Nd = Nd 1 + 2 e

Type n effet de la temprature

Type n effet de la temprature

(Ec +Ev )/2

Type n effet de la temprature

10+2 1 10-2 Rgime intrinsque Rgime dpuisement des donneurs

Type n effet de la temprature

Nd=1016 cm-3 1/kT

Semiconducteurs lquilibre thermodynamique

Type p temprature ambiante

quation de neutralit lectrique

Tous les accepteurs sont ioniss quation de neutralit lectrique

Type p temprature ambiante

nergie Bande conduction

Type p effet de la temprature

Type p effet de la temprature

Densit daccepteurs ioniss Na = Na 1 + (1 4 ) e

Type p effet de la temprature

Semiconducteurs lquilibre thermodynamique