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Lois de llectrocintique
1 Courant lectrique
1.1 Notion de courant
Un conducteur est un matriau contenant des charges libres capables de se dplacer. Dans
les lectrolytes les charges mobiles sont des ions. Dans les autres conducteurs, les charges sont
des lectrons. Un courant lectrique existe quand une charge q est transfre dun point
un autre du conducteur. Lintensit du courant, linstant t, est reprsente par le dbit des
charges.
) seconde ( dt
) coulomb ( dQ
) ampre ( I =

Pour des raisons historiques, le sens conventionnel dun courant positif est celui du dpla-
cement de charges positives. Il est donc oppos la direction de dplacements des lectrons.
1.2 Vecteur densit de courant
Le courant peut sexprimer en fonction de la
vitesse des charges mobiles. On considre un
conducteur de section dS. Soit n le nombre de
charges mobiles par unit de volume et v
!
leur
vitesse. Pendant la dure dt, la charge dQ qui
traverse la section dS est gale :
S d . dt . v . S d . dt . v . e . n dQ
!
!
!
!
= =

On dfinit le vecteur densit de courant par :
v . j
!
!
=

Lintensit du courant travers un conducteur de section totale A scrit donc :

= =
) A (
S d . j
dt
dQ
I
! !

1.3 Loi dOhm
Dans un conducteur, on constate que la densit de courant est relie au champ lectrique
par la relation :
E . j
! !
=

La constante , fonction de la nature du matriau, est la conductivit. On utilise plutt
pour caractriser le matriau sa rsistivit
S / I
E 1
=

= .
Pour un conducteur de longueur L, de section constante S, on dfinit la rsistance R par :
dS
Vdt
E
S
L
R =

Si VA et VB dsignent les potentiels de deux points A et B distant de L dans le conducteur,
la norme du champ lectrique est gale E =(VA VB)/L.
L
V V
S
I
. j .
j
E
B A

= = =

=
On peut crire cette relation sous la forme plus habituelle suivante (loi dOhm) :
I . R V V
B A
=

Les tensions sexpriment en volts (V), les intensits en ampres (A) et les rsistances en
ohms ().
La loi dOhm traduit la dpendance de leffet (le courant ou dplacement des charges) la
cause (le champ lectrique E auquel correspond une diffrence de potentiel ou tension) en
fonction du matriau caractris par sa rsistance.

Cette dpendance est rarement linaire. Pour de nombreux composants
lectroniques, les caractristiques (courbes du courant en fonction de la tension) ne
sont pas des droites. Pour les mtaux et les semi-conducteurs, la rsistance est
fonction de la temprature.


La rsistivit sexprime en ohm.mtre (.m).
La gamme de rsistivit des matriaux est trs grande :
Mtaux Semi-conducteurs (300K) Isolants

Argent : 1,47.10
8
.m Silicium : 2400 .m Verre : 10
10
10
14
.m

Cuivre : 1,72.10
8
.m Germanium : 0,5 .m Mica : 10
11
10
15
.m

Aluminium : 2,63.10
8
.m

Eau : 0,1 10
5
.m
1.4 Vitesse des lectrons dans un conducteur
On considre un fil de cuivre de section 10 mm parcouru par un courant de 30 A. Comme
chaque atome de cuivre possde deux lectrons mobiles, il y a environ n =8.5 10
28
lectrons
libres par m
3
. La densit de courant j = n.e.v vaut 30.10
5
A/m. La valeur de la vitesse de
dplacement des lectrons est donc voisine de 210 m/s.
Cette vitesse tant trs faible, lamplitude des dplacements des lectrons pour un courant
alternatif est elle aussi trs petite.
2 Lois fondamentales de llectrocintique
2.1 Rgimes permanents et quasi-permanents
Le rgime permanent est celui qui existe aprs la fin des phnomnes transitoires qui se
produisent lors de la mise sous tension dun circuit.
Si une grandeur lectrique G est fonction du temps, il existe a priori des phnomnes de
propagation dans le circuit et G est en fait une fonction du temps et de lespace : G =f(t, x).
Mais si les dimensions du circuit sont ngligeables devant la longueur donde associe au
phnomne, on peut ngliger la propagation. Par exemple, pour une frquence de 1 MHz, la
longueur donde associe ( =c/f) est voisine de 300 m. Ce nest que pour des frquences
suprieures 1 GHz que la dimension des circuits devient comparable celle de la longueur
donde.
Dans lapproximation, dite des tats quasi-permanents, on admet que G est seulement
fonction du temps. Il ny a pas accumulation des charges dans certains points du circuit : un
instant donn, lintensit est la mme en tous les points dun conducteur donn.
2.2 Lois de Kirchhoff
1

Dans lapproximation des tats quasi-permanents, on peut formuler les deux lois suivantes :
Aux bifurcations (nuds) dun circuit, il y a conservation de la charge lectrique et donc de
la somme algbrique des intensits :
I

= 0
Dans une chane de conducteurs il y a additivit des diffrences de potentiels :
U U U
AC AB BC
= +

Ces deux lois, appeles aussi loi des nuds et loi des mailles, sont les lois fondamentales de
llectrocintique et elles permettent (en principe) ltude de tous les circuits lectriques
constitus de diples.
3 Diples lectriques
3.1 Dfinition
Cest un conducteur qui possde une borne dentre et une borne
de sortie du courant.
Il est caractris par deux grandeurs algbriques : lintensit qui le
traverse I et la tension entre ses bornes UAB = UA UB
3.2 Conventions de signe
La principale difficult rencontre par les nophytes est lcriture correcte des signes.
Par convention on pose que dans un circuit orient, le courant est positif si des charges
positives se dplacent dans le sens positif.
Pour les diffrences de potentiel, il existe deux possibilits de choix. Nous utiliserons la
convention dite convention rcepteur qui est la plus intuitive car avec cette convention, un
courant positif provoque une chute de tension dans le diple plac entre A et B.
On reprsente les tensions par une flche oriente des potentiels faibles vers les potentiels
levs. Ainsi sur la figure, on a UA >UB.
Avec cette convention, lexpression de la loi dOhm est UA UB = R.I ; (avec lautre
convention, la loi dOhm scrit UA UB = R.I).
En cas doute dans la mise en uvre, retenez que :

Dans un rcepteur, les charges scoulent des potentiels levs vers les potentiels
faibles : les flches reprsentatives de la tension et du courant sont de sens
contraires.
Dans un gnrateur, la situation est inverse et les flches reprsentatives du courant et de la
tension sont alors de mme sens.
3.3 Caractristique dun diple
Dans un diple, courant et tension sont lis par les relations rciproques :
U =f (I) et I =g(U)
Les graphes correspondants dans les plans (U, I) et (I, U) sont les caractristiques du diple.

1
Gustav Kirchhoff (physicien allemand) 1824-1887
A B
U
I
Di pl e
AB
Dans la reprsentation U = f (I), on met en avant la loi des mailles et les gnrateurs de
tension. Dans la reprsentation I = g(U), on met en avant la loi des nuds et les gnrateurs
de courant.
3.4 Classification des diples
" "" " Diples actifs et passifs
Un diple passif consomme de lnergie. Sa caractristique passe par lorigine. (I =0 si U =0).
Un diple actif fournit de lnergie au circuit dans lequel il est connect.
Le diple 1 est actif, 2 et 3 sont passifs.
" "" " Diples symtriques
La caractristique est symtrique par rapport lorigine.
Un diple symtrique est toujours passif. Son
fonctionnement nest pas modifi si on inverse le sens du
courant : il nest pas polaris. Sur la figure 2, le diple n
2 est symtrique.
" "" " Diples linaires
La caractristique est une droite dquation :
U = a.I + b ou I = p.U + q
En lectronique, on utilise de nombreux diples non linaires. Les circuits qui contiennent ces
diples ne peuvent, en gnral, pas tre tudis avec des mthodes analytiques rigoureuses. La
connaissance des caractristiques permet alors lanalyse de ces circuits avec des mthodes
graphiques.
3.5 Diples linaires idaux
" "" " Rsistance
2
(Fig. 3-a).
La loi dOhm qui traduit la dpendance entre courant et tension, scrit :
U = R.I I = G.U
R est la rsistance dont la valeur sexprime en ohms ().
G est la conductance dont la valeur sexprime en siemens (S).
Si la valeur de la rsistance est fonction du courant, elle est non linaire. Cest le cas pour les
rsistances mtalliques, les varistances, les photorsistances
" "" " Source de tension idale (Fig. 3-b).
La tension U entre ses bornes, gale E (force lectromotrice du gnrateur), est
indpendante du courant quelle dlivre. Pour les sources relles, la tension de sortie diminue

2
En franais le mme mot (rsistance) dsigne lobjet et sa valeur. Certains auteurs nomment lobjet un
rsistor ou rsisteur .
U
1
2
3
I
Fig. 2
Fig 3-a Fig 3-b
U
U
I
E
Fig 3-c
I
U
I
U
I
A B
U
AB
E
A B
I
J
J
A B
AB
si le courant dbit augmente. Les accumulateurs au plomb, les alimentations stabilises de
laboratoire sont de bonnes approximations des sources de tension idales.
Une pile lectrochimique usage prsente une forte rsistance interne : sa tension diminue
ds quelle dbite dans une charge.
" "" " Source de courant idale (Fig. 3-c).
Le courant de sortie I, gal J le courant lectromoteur du gnrateur, est indpendant de
la tension entre les bornes de la source. La rsistance interne est infinie. Il nexiste pas dans la
vie courante de modle de source de courant. Il est possible de simuler une source de courant
en plaant en srie une source de tension et une rsistance beaucoup plus grande que la
charge. Des circuits lectroniques simples permettent de raliser des sources de courant qui
dbitent un courant pratiquement indpendant de la charge.

Un gnrateur idal doit se comporter comme un rcepteur idal quand on inverse le
sens du courant qui le traverse. Les gnrateurs rels ne sont en gnral pas
rversibles. On risque de faire exploser une pile en essayant de la recharger !
" "" " Modlisation dun diple linaire quelconque
La modlisation dun diple consiste le remplacer par un circuit quivalent (rpondant aux
mmes quations) constitu de diples idaux.
U
0
0
U
I
I

Fig. 4
Lquation de la caractristique dun diple linaire est de
la forme :
U = a.I + b ou I = a.U + b
Cette caractristique coupe les axes aux points :
(U0, 0) et (0, I0).
Si le diple est passif alors U0 et I0 sont nuls.
Pour un gnrateur, U0 est la tension vide (courant dbit nul) et I0 est le courant de court-
circuit.
" "" " Modlisation dun gnrateur linaire
On peut utiliser les deux modles quivalents suivants :
Modle source de tension
On pose E =U0 et R =U0/I0 et donc :
U E R I = .

On peut remplacer le diple par une source
de tension idale de f.e.m. E en srie avec
une rsistance R.
U
R
A
B
E
AB
I

Fig. 5-a
Modle source de courant
On pose J =I0 et G =I0/U0 et donc :
I J G U = .

On peut remplacer le diple par une source de
courant idale dintensit J en parallle avec
une rsistance R.
G.U
A
B
J
I

Fig. 5-b
Ces deux reprsentations sont duales :
G =1/R J =E/R R =1/G E =R.J
Si les diples ainsi modliss sont des gnrateurs purs, la rsistance R se nomme la
rsistance interne du gnrateur. Elle est nulle pour un gnrateur de tension idal et infinie
pour un gnrateur de courant idal. E est la force lectromotrice (f.e.m.) vide cest--dire
sans charge entre A et B.
J est le courant de court-circuit, cest--dire le courant qui circule dans un conducteur de
rsistance nulle plac entre A et B.
En lectronique de nombreux dispositifs se comportent comme des gnrateurs de courant,
on privilgie alors la reprsentation I =g(U).
" "" " Rsistances statiques et dynamiques
Pour un diple non linaire, on peut dfinir en chaque point
de sa caractristique :
une rsistance statique
P
P
St
I
U
R

= (en bleu) et
une rsistance dynamique
P
P
Dy
dI
dU
R

= (en vert)
Dans les rgions linaires de la caractristique, la rsistance dynamique du diple est
constante.
3.6 Point de fonctionnement dun circuit
On associe un diple rcepteur D un gnrateur et on veut dterminer quel est le courant qui
circule dans ce diple.
Fig 7
La caractristique du gnrateur U =E RI (ou I =J G.U) est une droite (en noir) que lon
nomme droite de charge. Lintersection de la caractristique (en rouge) du diple D [U =f(I)
ou I =g(U)] avec la droite de charge dfinit le point de fonctionnement.
Ses coordonnes sont U (tension aux bornes de D) et I (courant qui le traverse).
Cette construction graphique est bien sr inutile si le diple D est linaire car alors :
U =E R.I =D.I
4 Association de diples
On se propose de dterminer le diple quivalent lassociation de plusieurs diples
lmentaires. On doit envisager les deux types dassociation suivants :
4.1 Association srie
Le courant qui traverse les diples associs est le mme ; il y
a additivit des tensions aux bornes des diples. Pour des
rsistances linaires, on a :
U U R I
k k
= =

.
La rsistance du diple quivalent est donc gale la somme
des rsistances en srie :
R R
k
=


Avec des diples non linaires, on peut construire point par
point la caractristique du diple quivalent en utilisant
U
P
I
Fig. 6
E
D
r
o
i
t
e

d
e

c
h
a
r
g
e
U
J
I
I I
R R
Pf
J E
U
D D
U
A
B C
U
U U
AC
AB
BC
I
D1 D2
U
I
D1 D2 Dq
ladditivit des tensions aux bornes des deux diples. UAC =UAB +UBC
4.2 Association parallle
La tension U aux bornes des k diples associs est la mme et il y a
additivit des courants qui traversent ces diples.
Pour des rsistances linaires, on peut crire :
I I G U
k k
= =

. G G
k
=



La rsistance quivalente deux rsistances en parallle est donc telle que :
1 1 1
1 2
1 2
1 2
R R R
R
R R
R R
= + =
+
.

La rsistance quivalente des rsistances en parallle est donc plus petite que la plus petite
des rsistances associes.
Lutilisation de rsistances en parallle est lorigine de nombreuses erreurs de calcul.
Cliquez ici pour faire quelques exercices sur les rsistances en parallles.

Pour des diples non linaires, on peut construire point par point la caractristique du diple
quivalent en utilisant ladditivit des courants dans les deux diples.
4.3 Diviseur de tension idal
Si le courant i qui est driv en A est ngligeable devant le
courant I qui circule dans la rsistance R1, on peut crire que :
VA =R2(I i) R2.I
De la relation VCC =R1.I +R2(I i) (R1 +R2).I
On tire :
CC
2 1
2
A
V
R R
R
V
+
=

Ce circuit trs simple est dusage frquent en lectronique. Un potentiomtre non charg
constitue un diviseur de tension idal.
Cliquez ici pour examiner en dtail le principe du diviseur de tension.
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A B
U
AB
I1
I2
Vcc
R2
R1
A
I-i
i
I
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Rseaux linaires
1 Dfinitions
Un rseau lectrique linaire est un ensemble de diples linaires, relis par des
conducteurs de rsistance ngligeable. On suppose que le rseau contient au moins un
gnrateur. Un rseau est constitu de b branches connectes par n nuds et formant m
mailles .
" Un nud est un point de jonction de plusieurs conducteurs.
" Une branche est une portion de circuit entre deux nuds.
" Une maille est un parcours ferm, constitu de branches et ne passant quune seule fois
par un nud donn.
EXEMPLES.
1-a Pour ce rseau, on a b =1, n =0, m =1.
1-b : b =3, EADG, EG, EBCG.
n =2, E et G.
m =3, AEGDA, EBCGE, ABCDA.
1-c : b =5, EADG, EF, EG, FG, FBCG.
n =3, E, F, G.
m =6, AEGDA, EFGE, FBCGF, AFGDA, EBCGE, ABCD.
1-d : b =6, AB, BC, CD, DA, BD, AeC.
n =4, A, B, C, D.
m =7, ABDA, BCDB, ABCDA, ABCeA, ADCeA, ABDCeA, ADBCeA.
2 Rseaux en rgime permanent
Connaissant les f.e.m. des gnrateurs et les rsistances du rseau, rsoudre celui-ci cest
dterminer lintensit du courant qui circule dans chacune des branches.
2.1 Mthode gnrale de rsolution
Il existe b branches dans le rseau donc b courants inconnus. Les n nuds et les m mailles
donnent a priori n + m quations. Comme en gnral n + m > b, il faut trouver un systme
complet de b quations linairement indpendantes.
Comme il existe n 1 nuds indpendants, il faut tudier M = b n + 1 mailles.
" "" " quations pour les nuds
Le nud dindice k est la jonction de p branches (dindice j) parcourues par des courants I
j
k
.
A A E E F
e
A
C D D G G D
Fig 1-a Fig 1-b Fig 1-c Fig 1-d
D
C
C
C
A
B B B B
La loi de conservation de llectricit (premire loi de Kirchhoff) scrit sous la forme
algbrique suivante :
I
j
k
j
p
=
=

0
1
(1)
" "" " quations des mailles
La maille dindice k contient q branches. La diffrence de potentiel entre les extrmits de
la branche j scrit U
j
k
.
Comme la maille constitue un parcours ferm, on a (seconde loi de Kirchhoff) :
U
j
k
j
q
=
=

0
1
(2)
En procdant uniquement des regroupements en srie, on peut transformer toute branche j de
la maille k en un gnrateur de f.e.m. E
j
k
en srie avec une rsistance R
j
k
parcourue par le
courant I
j
k
. (Si la branche ne contient pas de gnrateur alors E
j
k
=0). La loi des mailles peut
donc aussi scrire sous la forme :
E R I
j
k
j
q
j
k
j
q
j
k
= =

=
1 1
0 . (3)
Les sommes sont des sommes algbriques et lcriture correcte des signes des diffrences
de potentiel constitue la seule difficult du problme.

La mthode la plus rationnelle consiste faire le choix dun sens de parcours sur la
maille tudie (choix arbitraire) et choisir pour chaque branche un sens pour le
courant. La f.e.m. dun gnrateur est compte avec le signe de la borne par laquelle
on entre dans celui-ci. Les d.d.p. aux bornes des rsistances sont positives si le
courant dans la branche a le mme sens que le sens de parcours et ngatives dans le
cas contraire. On crit que la somme des tensions est nulle. Si lissue du calcul, on
obtient pour le courant dune branche une valeur ngative, cest que le courant rel
de cette branche circule dans le sens oppos celui qui a t choisi
1
..
On obtient un systme linaire de M quations M inconnues de la forme :
M M
M
M 2
2
M 1
1
M
2 M
M
2 2
2
2 1
1
2
1 M
M
1 2
2
1 1
1
1
E I . R I . R I . R
E I . R I . R I . R
E I . R I . R I . R
= + + +
= + + +
= + + +
!
!
!
(4)
qui peut scrire sous la forme matricielle suivante :
[R].(I) =(V) (5)
[R] est une MM matrice dont la dimension des lments est celle dune rsistance. (I) et
(V) sont des vecteurs colonnes M lments.
2.2 Rsolution du systme
" En multipliant gauche la matrice [R] par son inverse, on tire :

1
Si la branche contient un rcepteur polaris, il faut faire l'tude pour les deux sens du courant. Selon celui-ci, le
rcepteur se comporte soit comme un rcepteur soit comme un gnrateur.
) U ].( G [ ) I (
) U ].( G [ ) V ].( R [ ) I ].( R ].[ R [
1 1
=
= =


La dimension des lments de [G] est celle dune conductance. La valeur du courant dans
la branche j est donc :
I G U
j j
i
i
i
M
=
=

.
1
(6)
" Il est aussi possible dutiliser la mthode de Kramer pour la rsolution du systme. Si est
le dterminant de la matrice [R],
j
le dterminant de la matrice obtenue en remplaant la j
e

colonne de [R] par la colonne (V), on a :
I
j
j
=


" Si M =2, il est plus simple dutiliser la mthode de substitution pour rsoudre le systme.
" Ds que M est suprieur 3, la rsolution manuelle du systme est fastidieuse. On cherche
alors mettre en oeuvre les mthodes de simplification des rseaux qui permettent de
ntudier que les branches pertinentes.
2.3 Loi de Pouillet
2

Dans le cas o le rseau ne comporte quune maille, il est
possible de transformer le circuit initial en un circuit ne
comportant quun seul gnrateur, dont la f.e.m. est la somme
algbrique des f.e.m. des gnrateurs de la maille (

=
k
k
E E )
et une seule rsistance

=
k
k
R R .
Lintensit dans le circuit est donc :
I
E
R
E
R
k
k
= =


Cette relation constitue la loi de Pouillet.
2.4 Exemples
a Mthode gnrale
On cherche les courants dans toutes les branches du circuit de la figure 3.
Le choix du sens des courants dans les 5 branches est arbitraire. Il y a pour cet exemple trois
courants calculer I
1
, I
2
et I
3

car la loi des nuds en B et C donne : I
4
=I
1

I
2
et I
5
=I
2
I
3

Fig. 3
+


2
Claude Pouillet (physicien franais) 1790-1868
E
I
R
Fig. 2
Les flches en pointills violets indiquent les sens de parcours, choisis arbitrairement, des 3
mailles tudies.
Pour la maille ABFGA, on obtient :
(V
A
V
B
) +(V
B
V
F
) +(V
F
V
G
) +(V
G
V
A
) =0
Soit : 4 +6.(I
1
I
2
) +1 +2.(I
1
) =0
De mme : 6.(I
1
I
2
) +3.(I
2
) +7.(I
2
I
3
) =0 (maille FBCEF)
7(I
2
I
3
) +4.(I
3
) 6 =0 (maille ECDE)
Dou la reprsentation matricielle du systme :

6
0
3
I
I
I
.
11 7 0
7 16 6
0 6 8
3
2
1

Pour rsoudre ce systme linaire, il suffit dinverser la matrice : on la transpose, puis on
remplace dans la transpose chaque terme par son cofacteur(attention au signe) divis par le
dterminant. On peut aussi utiliser un logiciel spcialis.
Cliquez ici pour rsoudre cet exemple.

6
0
3
.
92 56 42
56 88 66
42 66 127
620
1
I
I
I
3
2
1

Rsolution par la mthode de Kramer : (pour obtenir la variable k, on divise le dterminant
de la matrice obtenue en remplaant la k
e
colonne par la colonne des constantes par le
dterminant de la matrice initiale.
A 093 , 1
620
678
I ; A 861 , 0
620
534
I ; A 021 , 1
620
633
11 7 0
7 16 6
0 6 8
11 7 6
7 16 0
0 6 3
I
3 2 1
= = = = = =

=
REMARQUE : Comme I
5
=0,232 A est ngatif, le courant dans la branche CE circule dans le
sens contraire celui de la flche de la figure 3. Les courants rels I
2
et I
3
circulent dans le
sens contraire des flches.
b Mthode par substitutions
On cherche dterminer V
AM

Mise en quation :
I
3
=I
1
+I
2

maille BAMB : 20.I
1
+10.I
2
= 12 (a)
maille CMAC : 10.I
1
+25.I
2
=20 (b)
Rsolution :
De la diffrence (a) 2.(b), on tire :
40.I
2
= 52 soit I
2
= 1,3 A.
V
AM
=R
AM
.I
3
= 0,5 V.
et donc : I
1
=1,25 A et I
3
= 0,05
fig. 4
3 Thorme de Millman
3

On considre un nud A auquel aboutissent k branches ; les
potentiels V
i
des extrmits des branches sont tous dfinis par
rapport un mme potentiel de rfrence V
ref
;
R
i
est la rsistance de la branche i et G
i
sa conductance.
La loi des nuds scrit :
0 I I I I
k 2 1
k
1 i
i
= + + + =

=
!
0
R
V V
R
V V
R
V V
k
A k
2
A 2
1
A 1
=

+ +

!
0 G ). V V ( G ). V V ( G ). V V (
k A k 2 A 2 1 A 1
= + + + !

=
i i i A
G . V G . V
Le potentiel du point A par rapport celui de la rfrence commune est donc :

=
i
i
i
i i
A
G
G . V
V
(8)
EXEMPLE : Sur le schma de la figure 4, on prend le point M comme origine des potentiels. On
a donc V
B
=12 V, V
C
= 20 V, V
M
=0.
V
AM
=V
V V V
V
A
B C M
=
+ +
+ +
=
10 15 10
1
10
1
15
1
10
05 ,
Remarques :
Soit I
k
le courant dans la branche k. Il peut tre intressant dcrire le thorme de Millman
sous la forme suivante :

+
=
k i
i
k i
i i k
A
G
G . V I
V
Le thorme de Millman (qui est une autre faon dcrire la loi des nuds) permet dans de
nombreux cas de rsoudre rapidement un rseau mais il faut lappliquer correctement :

Lors de la mise en uvre, ne pas oublier de faire figurer au dnominateur les
branches dont le potentiel de lextrmit est nul !
4 Thorme de superposition
Ce thorme dcoule directement de la linarit des quations de Kirchhoff : un diple
constitu de diples linaires est un diple linaire. Dans un rseau linaire, il est possible de
remplacer un ensemble de diples par un diple quivalent. La relation (6) montre que le
courant I
j
dans une branche est la somme de termes de la forme G U
j
k
k
. , les G
j
k
ayant la
dimension dune conductance.

Lintensit du courant dans une branche dun rseau comprenant plusieurs
gnrateurs est la somme des intensits, que ferait passer, dans cette branche,
chaque gnrateur considr isolment comme actif, les autres gnrateurs du
rseau tant alors passifs.

3
J acob Millman (physicien amricain) contemporain
R1
Ik
I3
I2
I1
VA
Vk
V3
V2
V1
Rk
R3
Vref
R2
fig.5
Rendre passif un gnrateur, cest le remplacer par sa rsistance interne.
EXEMPLE : Sur le schma de la figure 4, on remplace successivement chaque gnrateur par un
court-circuit.

Si E
2
=0 la rsistance quivalente entre A et
M est (15 // 10 ) =6
U
1
est la tension aux bornes dune rsistance
de 6 dans un circuit de rsistance totale
gale 16 aliment par une tension E
1
.
U
1
=12.6/(10 +6) =4,5 V
Si E
1
=0 la rsistance quivalente entre A et
M est (10 // 10 ) =5
La tension U
2
induite entre A et M par le
seul gnrateur E
2
est gale :
U
2
= 20.5/(15 +5) = 5 V
On en dduit : V
AM
=U
1
+U
2
= 0,5 V
Cliquez ici pour faire dautres exercices sur le principe de superposition.
5 Circuits quivalents
5.1 Thorme de Thvenin
4

On considre un rseau comprenant des diples actifs et passifs et on sintresse au
fonctionnement dun diple D particulier. Il est travers par un courant I et la d.d.p. entre ses
bornes est U.
Supposons que D soit isol du reste du rseau. Si ce reste de rseau est actif, la f.e.m.
mesure entre A et B vaut E
T
: cest la tension en circuit ouvert. Sil est rendu passif cest--
dire si les gnrateurs sont remplacs par leurs rsistances internes, la rsistance mesure entre
A et B vaut R
T
. On remplace D par une source de tension idale de f.e.m. U. Daprs le
thorme de superposition, le fonctionnement du circuit est inchang. Le courant I est la
superposition dun courant I
P
correspondant la passivation de toutes les sources autres que U
et dun courant I
A
o seule la source U est passive : I =I
P
+I
A

Si le gnrateur qui remplace D est seul tre actif le reste du
rseau est quivalent R
T
: I
P
= U/R
T

Si on passive ce gnrateur, il est quivalent une rsistance
nulle : le reste du rseau dbite dans ce fil le courant I
A
=E
T
/R
T

Ce courant est le courant de court-circuit entre A et B.
I =I
A
+I
P
=E
T
/R
T
U/R
T
Lquation du circuit quivalent est donc :
U = E .I
T T
R

Cette quation est celle dun gnrateur de tension que lon nomme le gnrateur de Thvenin
du circuit. Les deux circuits de la figure 7 sont quivalents et lapplication de la loi de Pouillet
au circuit de droite donne de faon triviale : E
T
=(R
T
+D).I

4
Louis Thvenin (physicien franais) 1857-1926
Diple
activ
Rseau
passiv
A
B
U
I
P
Fig. 6
Diple
passiv
Rseau
activ
I
A
A
B

Fig. 7

Un rseau linaire, vu entre deux bornes A et B, peut tre remplac par un
gnrateur de tension de f.e.m. E
T
et de rsistance interne R
T
.
E
T
est la d.d.p. mesure vide entre A et B.
R
T
est la rsistance mesure entre A et B quand D est retir du circuit et que
tous les gnrateurs du rseau sont remplacs par leurs rsistances internes.
5.2 Thorme de Norton
Cest la transformation duale de celle de Thvenin. La source de tension (E
T
, R
T
) est
remplace par une source de courant (I
N
, R
N
).

Fig. 8
Si on remplace D par un court-circuit, le courant qui circule entre A et B est :
I
N
=E
T
/R
T
=E
T
/R
N
=E
T
.G
N

R
N
est la rsistance entre A et B quand les gnrateurs du rseau sont passivs.
Lquation du circuit quivalent est donc :
I = I G
N N
.U


Un rseau linaire, vu entre deux bornes A et B, peut tre remplac par une source
de courant dintensit I
N
et de rsistance interne R
N
.
I
N
est le courant de court-circuit entre A et B.
R
T
est la rsistance mesure entre A et B quand D est retir du circuit et que
tous les gnrateurs du rseau sont remplacs par leurs rsistances internes.
La connaissance dun modle quivalent permet la dduction immdiate du modle dual
car R
T
= R
N

Les paramtres des gnrateurs quivalents sont relis par :
N T T
I . R E =

Quand on tudie un diple particulier dun rseau, les mthodes de Thvenin et de Norton
sont trs efficaces car elles permettent de remplacer un circuit complexe par un circuit
lmentaire dans lequel les calculs sont immdiats.
5.3 Exemples dapplication
On cherche, en utilisant des quivalents Thvenin et Norton du circuit de la figure 4,
dterminer U =V
AM

quivalent Thvenin
La partie du circuit situe droite de AM (maille ACMA) est remplace par le gnrateur E
T
,
R
T
. La rsistance R
T
est celle qui est vue entre A et M quand E
2
est remplac par un court-
circuit : R
T
=(10 // 15 ) =6 .
La tension E
T
est la d.d.p. entre A et M quand la partie gauche du circuit est dbranche. Cest
la chute de tension dans la rsistance R
AM
qui est alimente par le gnrateur E
2
en srie avec
R
AC
: E
T
= 20.{10/(10+15)} = 8 V.
On forme ainsi une maille unique dans laquelle le courant est gal :
I =(12 +8) / (10 +6) =1,25 A.
Fig. 8

On en dduit V
AM
=V
AB
+V
BM
= 10.1,25 +12 = 0,5 V
quivalent Norton
On remplace le gnrateur E
1
et la rsistance entre BA par le gnrateur de Norton quivalent
(I
1
=12/10 =1,2 A et R
1
=10 ). On fait de mme pour le gnrateur E
2
: I
2
= 20/15 =
4/3 A et R
2
=15 . Lensemble est quivalent un gnrateur de courant I =I
1
+I
2
qui dbite
dans une rsistance R
0
quivalente (10 // 15 // 10 ) soit 30/8 . La d.d.p. entre A et M
est donc : R
0
.I = 0,5 V.
On peut noter sur cet exemple la complte analogie entre les thormes de Norton et de
Millman.

Cliquez ici pour faire dautres exercices.
6 Thorme de Kennelly
5

La transformation suivante est parfois utilise pour la simplification de circuits comportant
des drivations.
quivalence toile-triangle
Les deux circuits de la figure 11 sont quivalents si les valeurs de leurs rsistances sont lies
par les relations indiques ci-dessous.

Fig. 11
Le passage de la structure triangle (ABC) la structure toile (OABC) sobtient par les
relations :
Si on dconnecte le point A, il doit y avoir galit des impdances entre B et C.
Z
23
=R
2
+R
3
=R
23
// (R
12
+R
13
).

5
Arthur Kennelly (physicien amricain) 1861-1939
On tire les trois galits suivantes :
R R
R R R R
R R R
2 3
12 23 13 23
12 23 13
+ =
+
+ +
; R R
R R R R
R R R
2 1
12 23 13 12
12 23 13
+ =
+
+ +
; R R
R R R R
R R R
1 3
12 13 13 23
12 23 13
+ =
+
+ +

En sommant les 2 premires galits et en retranchant la 3
e
, on dduit :
23 12 12
13 23
3
23 12 12
23 12
2
23 12 12
13 12
1
R R R
R . R
R
R R R
R . R
R
R R R
R . R
R
+ +
=
+ +
=
+ +
=

Pour la transformation inverse, on relie B et C : la conductance entre A et B-C scrit alors :
3 1 3 2 2 1
3 2
13 12 a
R R R R R R
R R
R
1
R
1
Z
1
+ +
+
= + = ( Z
a
=R
12
// R
13
ou R
1
+(R
2
// R
3
)
On calcule de mme 1/Z
b
et 1/Z
c
et lon calcule 1/Z
a
+1/Z
b
1/Z
c

Il vient :
1 3 3 2 2 1
2
13
R R R R R R
R 2
R
2
+ +
= soit : ...
R
R R R R R R
R
2
1 3 3 2 2 1
13
+ +
=
On peut aussi crire que :
23
1 23 13 12
23 13 12
1 3 3 2 2 1
R
R
S
: comme Mais .
R R R
R R R
R R R R R R S =
+ +
= + + =
on dduit : R
R R R R R R
R
23
1 2 2 3 3 1
1
=
+ +
...
Les relations rciproques sont quivalentes : !
3 2 1
3 2
23
G G G
G G
G
+ +
=
Cliquez ici pour tester ces relations.
7 Conclusion
Les diffrentes mthodes tudies sont quivalentes mais pour ltude dun rseau
particulier certaines sont mieux adaptes que dautres. La principale difficult de ce type de
problmes est de trouver la mthode la plus pertinente. La mthode de Millman, souvent trs
efficace, nest pas la panace et la mthode de Thvenin doit tre utilise aussi souvent que
possible car elle permet de transformer des circuits complexes en des circuits types
lmentaires. La mise en uvre simultane de plusieurs mthodes peut aussi savrer utile.

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Diples en rgime transitoire
1 Relations courant tension
Sil existe une relation linaire entre la tension u(t) et le courant i(t) dans un diple, celui-
ci est linaire . Rappelons les relations entre u(t) et i(t) pour les diples passifs usuels.
" "" " Rsistances
La loi dOhm donne : U(t) =R.I(t) R en ohms ()
" "" " Inductances
De la loi de Lenz, on tire :
(
(

dt ) t ( U
L
1
) t ( I
dt
) t ( dI
L ) t ( U L en henrys (H)
" "" " Condensateurs
De dQ(t) =C.dU(t), on tire :
(
(

dt ) t ( I
C
1
) t ( U
dt
) t ( dU
C ) t ( I C en farads (F)
2 Diples passifs linaires en rgime variable
Soit un circuit constitu de diples passifs linaires soumis une tension de commande
V(t) et la variable y(t) dont la nature (intensit, charge) est fonction du problme considr.
On peut crire, pour ce circuit, une quation diffrentielle dont tous les coefficients a
i
sont
constants et dont la forme gnrale est :
a
0
.y + a
1
.y + a
2
.y + ... + a
n
.y
(n)
= k.V(t)
On montre en analyse que la solution de cette quation est du type :
y(t) = y
1
(t) + y
2
(t)
y
1
(t) est la solution gnrale de lquation sans second membre.
y
2
(t) est une solution particulire de lquation avec second membre.

Physiquement, y
1
(t) correspond au rgime libre cest--dire au fonctionnement du
circuit sans contraintes extrieures.
y
2
(t) correspond au rgime forc dont la nature est la mme que celle de
lexcitation V(t) qui est impose au circuit.
Aprs un rgime transitoire dont la dure est fonction des constantes de temps du
circuit, on obtient le rgime permanent.
Le systme est dit du premier ordre si lquation diffrentielle obtenue est du premier
degr, du second ordre si elle est du second degr ...
3 Systmes du premier ordre
3.1 Charge et dcharge dun condensateur
" Charge
R
R
R
I
I
I
I
I
E
V
C
G
G
E
E
U
Fig 1
On se place dans le cas le plus gnral : R
E
est une
rsistance qui tient compte de la rsistance de fuite
du condensateur R
F

et de la rsistance de charge
ventuelle R
U
. (R
E
=R
U
// R
F
).
Le gnrateur utilis pour la charge est modlis par
un gnrateur idal de f.e.m. E et de rsistance
interne R
G
.
Mthode des mailles
I
G
=I +I
E
=I +V/R
E

I =dQ/dt =C.dV/dt
E =V +R
G
.I
G
=
V +R
G
.C.dV/dt +V.R
G
/R
E

V
dt
dV
RC
R
R
E : on tire ,
R
1
R
1
R
1
: posant en Donc
dt
dV
C
R R
R . R
V
R R
R . E
dt
dV
. C . R
R
R R
. V E
G E G
G E
E G
G E
E
G
E
G E
+ +
+
+
+
+

,
_


Mthode de Thvenin
R
E
V
C
T
T

Le gnrateur quivalent qui est reli au condensateur est caractris
par :
E
T
=E.R
E
/(R
E
+
R
G
) R =R
T
=R
E
.R
G
/(R
E
+R
G
)
E
T
=V +R
T
.I
dt
dV
R.C + V =
R
R
E
G
(1)
" La solution gnrale de lquation sans second membre est :
0 =V +R.C.dV/dt
dV/V =1/R.C. dt
Si A dsigne une constante arbitraire, la solution de cette quation (1
er
ordre) est :
( ) V A t RC .exp / (2)
Comme une quantit dlectricit est le produit dune capacit par une tension, en utilisant les
quations dites aux dimensions , on tire :
[Q] =[C].[V] =[ I ].[T] [C].[R].[ I ] =[ I ].[T] [R].[C] =[T]
RC qui a la dimension dun temps est la constante de temps du circuit.
" Solution particulire de lquation avec second membre :
Si V est constant alors dV/dt =0.
V =E.R/R
G
est donc une solution. Elle correspond au rgime permanent : la charge du
condensateur est alors termine.
" Solution complte de lquation diffrentielle : V(t) =A exp(t/RC) +E.R/R
G
(3)
" Solution physique de lquation diffrentielle :
Pour obtenir la solution du problme physique, il faut prciser les conditions initiales de
celui-ci. Si lon suppose le condensateur totalement dcharg lors de la mise sous tension du
montage : en t =0, on a alors V =0.
La valeur de la constante A est donc : A =E.R/R
G
. On en dduit :
V
E.R
R
e
G
t
RC

_
,

1 (4)
La dure ncessaire la charge totale est donc infinie. En pratique, cherchons au bout de
combien de temps la charge atteint sa valeur finale un millime prs :
si (V V)/V =10
3
alors : exp(t/RC) =1/1000.
t/RC =Ln 1000 t 6,9.RC
Au bout de t 7. , la charge ne diffre de la charge finale que de 0,001. On peut considrer la
charge du condensateur termine.
Cliquez ici pour visualiser le fonctionnement du circuit.
Graphes de la tension V et des divers courants :
I
E
=
V/R
E

I
E.R
R R
e
E
R R
e
E
E G
t
E G
t

_
,

+

_
,


.
1 1


I C
dV
dt
E.
R
e
E.R
R R
R
R
e
G
t
E G
E
t

_
,



.

I I I
E.R
R R
R
R
e
G E
E G
E
G
t
+ +

_
,

.
1


Bien noter sur ces graphiques les valeurs limites
des tensions et courants et les valeurs des pentes des
tangentes lorigine.


Un condensateur dcharg se comporte au dbut de la charge comme un court-
circuit pour lalimentation. Seule la rsistance R
G
limite alors la valeur du courant..
" Dcharge
Le condensateur est isol du gnrateur et se dcharge dans sa rsistance
de fuite R
F
et dans la rsistance de charge R
U
. On pose R
E
=R
U
// R
F

R
E
.I V =0
I = dQ/dt (Le condensateur se dcharge : dQ est ngatif !)
V = R
E
C.dV/dt V =A.exp(t/R
E
C)
En t =0, on a : V =V
0
La solution de lquation est donc :
) C R / t exp( . V V
E 0


t
V
= R C
= R C

t
I
i
i
i
G
G
G
E E G
ER/R
E/R
R +R
E
R
I
V
C
E
Fig. 3
3.2 tablissement du courant dans une inductance
V
I
2
1
V
E L
R
L
R
Fig 4
Selon la position de linverseur, on aura soit le
rgime libre (position 2) soit le rgime forc
(position 1). Avec les notations de la figure 4, on a :
E =V
R
+V
L

Soit : E R I L
dI
dt
+ .
REGIME LIBRE (E =0)
On obtient dans ce cas :
dI
dt
R
L
I
dI
I
dt
avec
L
R
+ 0

:
Exercice : Montrer que la constante a la dimension dun temps.
La solution du rgime libre est : I(t) =A.exp( t/)
La condition initiale est : I
(t =0)
=I(0) =U
0
/R. Donc :
I t I e et V t L
dI
dt
L I
e RI e
t
L
t t
( ) . ( )
.
.

0
0
0


t
V
= L / R
= L / R
R .I o

t
I
I o = U o / R
Fig. 5

Bien noter que si la fonction I(t) est continue, la fonction V
L
(t) est discontinue.
REGIME FORCE (E 0)
Si I
(t =0)
=0, on obtient (inverseur en position 1) :
I t
E
R
e et V E.e
t
L
t
( )

_
,


1


Le courant dans le circuit tend vers E/R ; la tension aux bornes de linductance tend vers zro.
3.3 Particularits des systmes du premier ordre
Ces systmes satisfont une quation diffrentielle du premier ordre coefficients constants
de la forme :
dG t
dt
G t
H
( ) ( )
+


Pour le rgime libre, H est nul et en rgime forc continu H est constant.
La solution est de la forme :
G t G e H
t
( ) ( ). . +

0



Cette solution dpend dune constante G(0) fonction des conditions initiales et
dun paramtre (la constante de temps), caractristique du circuit.
4 Systmes du second ordre
4.1 Le circuit R, L, C srie
Le condensateur C du circuit R, L, C suivant est charg par un gnrateur auxiliaire qui est
ensuite dconnect par K1.
R
V
I
K2 K1
V
V
E L
R
L
C
C

Fig. 6
La charge initiale du condensateur est :
q
0
=C.E
Si K2 est ferm et K1 ouvert, on a :
V
C
+V
L
+V
R
=0
On obtient lquation :
0
C
q
dt
dq
. R
dt
q d
L 0 I . R
dt
dI
L
C
q
2
2
+ + + +
On pose :
LC
R
L
Q
L
R
R
L Q

0
2 0 0
1
2
2 ; ;
Q est le facteur de qualit et le facteur damortissement.
Lquation devient :
d q
dt Q
dq
dt
q
2
2
0
0
2
0 + +

. .
En cherchant des solutions de la forme q(t) =A.e
rt
, on obtient lquation dite quation
caractristique suivante :
r
Q
r
2 0
0
2
0 + +

.
Ses racines sont :
r
Q Q
Q
R
L
12
0 0 2
2 2
1 4
2
,
t t t


La solution gnrale de lquation est de la forme :
) e . A e . A .( e e . A e . A ) t ( q
t .
2
t .
1
t t r
2
t r
1
2 1

+ +
La constante de temps est ici : =1/ =2L/R. Il faut connatre deux conditions initiales.
Selon le signe de , la nature des solutions diffre.
" "" " > 0 (Q < ou R
L
C
> 2 ) (amortissement fort)
Les deux racines sont relles. On pose :

0
2
2
0
2
1
1
4Q

Les conditions initiales sont q(t =0) =q
0
et I(t =0) =0
2 1 2 2 1 1 2 1 0
A ). ( A ). ( A . r A . r 0 A A q + + + +
On tire :
1
]
1

+ + +

t t t
e ). ( e ). ( e
2
q
) t ( q
0

Comme
2 2 2
0
2
, on obtient :
I t q e e e
t t t
( )

0
0
2
2



Ce rgime de fonctionnement est le rgime apriodique. Le systme revient son tat
dquilibre (q =0, i =0) sans oscillations.
t T o
I
t
q

Fig. 7
EXERCICE : Montrer que T
0
1
2

_
,

ln


" "" " = 0 (Q =) (amortissement critique)
Il y a une racine double r =
La solution gnrale est de la forme :
q t A t A e
r t
( ) ( . . ). +
1 2

Avec les conditions initiales prcdentes, on obtient :
( ) q t q t e I t q t e
t t
( ) . ( ) . . +

0 0
2
1


Le rgime de fonctionnement est apriodique et critique. Cest un rgime limite qui est
obtenu en diminuant la valeur de R jusqu la valeur R
C
L
C
2 .
" "" " < 0 (Q > ou R
L
C
< 2 ) (amortissement faible)
On pose
2
0
2 2
. Les deux racines sont imaginaires conjugues et valent :
r j j
12 0
2 2
,
t t
Toujours avec les mmes conditions initiales (q
(t =0)
=q
0
, i
(t =0)
=0), on obtient :
] e ). j ( e ). j [(
j 2
e
q ) t ( q
t j t j
t
0


+ + +


Fig. 8
Et en posant tg =/ et donc cos =/
0
(car 1 +tg =1/cos), on a :
q
0
t
1 /
T
q
q
0
.exp(-t)
) t cos( . e q ) t cos(
j 2
e
q ) t ( q
t 0
0
t
0




On obtient un rgime oscillant amorti pseudopriodique ( cause de lamortissement le
phnomne nest pas exactement rptitif) caractris par une pseudopriode T =2/ et par
le terme damortissement .
" "" " R = 0 (amortissement nul)
Lquation se rsume :
d q
dt
q q t q t
2
2
0
2
0 0
0 + . ( ) cos
Le rgime est sinusodal (priodique, non amorti). La priode est : T =2/
0
.

Cliquez ici pour tester le fonctionnement du circuit RLC srie en rgime libre.
4.2 Rgime forc du systme
La solution est la somme du rgime propre et dune solution particulire du rgime forc.
En rgime forc, la puissance fournie par le gnrateur est rpartie dans les trois diples :
( ) P E.I t R I t I t V V R I
d
dt
L I
q
C
L C
+ + + +

_
,
( ) . ( ) ( ). . .
2 2 1
2
2 1
2
2

En rgime propre, E =0 ; lnergie est emmagasine de faon successive dans linductance
et dans le condensateur.
4.3 Particularits des systmes du second ordre
Ces systmes satisfont une quation diffrentielle du second ordre coefficients constants
de la forme :
d G t
dt
dG t
dt
G t H
2
2
0
2
2
( ) ( )
. ( ) + +
Pour le rgime libre H est nul et en rgime forc continu, H est constant.

Cette solution dpend de deux conditions initiales et de deux paramtres et
0

caractristiques du circuit.
Selon les valeurs relatives de
0
et de , on obtient diffrents rgimes de fonctionnement :
Rgime apriodique si lamortissement est fort.
Rgime critique pour une valeur limite de lamortissement.
Rgime pseudopriodique si lamortissement est faible.
Rgime priodique si lamortissement est nul.

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Diples en rgime sinusodal
1 Pourquoi privilgier les courants sinusodaux ?
1.1 Fonctions priodiques et fonctions sinusodales
On dmontre que toute fonction f(t), priodique de priode T et satisfaisant certaines
conditions de continuit et de drivabilit, peut se dcomposer en une somme de fonctions
sinusodales dite srie de FOURIER
1
:
f t a a
nt
T
b
nt
T
n
n n
( ) ( cos sin ) = + +
=

0
1
2 2

=
T
0
n
T
0
n
T
0
0
dt
T
nt 2
sin ). t ( f
T
2
b dt
T
nt 2
cos ). t ( f
T
2
a dt ). t ( f
T
1
a : avec

Fig. 1
A titre dexemple, on a reprsent les trois premiers
termes du dveloppement en srie de Fourier dune
fonction triangle :

=
+
+

=
0 n
2
n
t . ) 1 n 2 sin(
) 1 n 2 (
) 1 (
) t ( f
La convergence est assez rapide. Pour la fonction
crneau, reprsente par :

=
+
+
=
0 n
t . ) 1 n 2 sin(
) 1 n 2 (
1
) t ( f
la convergence est par contre trs lente.
La rponse dun systme linaire une fonction priodique est la somme des rponses aux
fonctions sinusodales constituant le dveloppement en srie de Fourier de cette fonction. En
consquence, on peut privilgier ltude de la rponse des circuits une excitation
sinusodale. La rponse une fonction priodique sera obtenue en faisant la somme des
rponses du circuit aux diffrents termes (nomms harmoniques) de sa dcomposition en srie
de Fourier.
Cliquez ici pour visualiser dautres dcompositions de signaux en srie de Fourier.
Dautre part, pour des raisons conomiques et pratiques, lnergie lectrique est distribue
sous la forme de courants sinusodaux (de frquence 50 Hz). En effet, les pertes lies au
transport sont proportionnelles au carr de lintensit : pour les diminuer il faut donc,
puissance constante, augmenter la tension. Or il existe un dispositif, le transformateur, qui
permet de modifier avec des pertes faibles la tension dun courant variable dans le temps.
Dans les centrales lectriques, on utilise comme gnrateurs des alternateurs (machines
tournantes) qui dlivrent une tension sinusodale. Des transformateurs lvent la tension de
transport quelques centaines de milliers de volts. Au voisinage des utilisateurs, dautres
transformateurs abaissent la tension des valeurs permettant une exploitation sans danger.

1
J oseph Fourier (mathmaticien franais) 1769-1830
Pour les applications qui ncessitent une tension continue, on procde la transformation
du courant alternatif en un courant continu.
Cliquez ici pour analyser le problme du transport de lnergie lectrique.
1.2 Rgime permanent sinusodal
Dans le chapitre prcdent, on a tudi la rponse des circuits du premier ordre et du
second ordre en rgime libre et en rgime forc continu. Dans le cas dune excitation
sinusodale, la solution sera encore la somme dune solution correspondant au rgime libre et
dune solution correspondant au rgime forc. Aprs une certaine dure, fonction des
constantes de temps du circuit, le rgime libre est compltement amorti et le rgime transitoire
cde la place au rgime permanent.

Dans ce qui suit, seul le rgime permanent est pris en compte.
Cliquez ici pour examiner les rgimes transitoires dun circuit RLC srie.
2 Reprsentation des grandeurs sinusodales
2.1 Dfinitions
Soit la grandeur sinusodale h(t) = H.sin( t + )
Sa valeur instantane est h(t).
Sa valeur maximum ou valeur crte est H.
Sa pulsation est . La priode est T =2/. La frquence est f =1/T=/2.
est sa phase.
La valeur moyenne <G>dune grandeur priodique g(t) est dfinie par :

=
T
0
dt ). t ( g
T
1
) t ( g
La valeur moyenne est donc le premier terme de la srie de Fourier. Pour une grandeur
sinusodale, la valeur moyenne <H>est nulle.
La valeur efficace G
eff
dune grandeur g(t) est dfinie par :
G g t
eff
=
2
( )
Cest la valeur que devrait avoir un signal continu pour produire les mmes effets
thermiques que le signal considr.
Pour une grandeur sinusodale, on a :
2
H
dt
2
) t ( 2 cos 1
T
H
dt ). t ( in s . H
T
1
H
T
0
2 T
0
2 2
eff
=

+
=

+ =
T


Fig. 2
La phase est dfinie par rapport une rfrence
arbitraire.
Dans le cas de plusieurs signaux de mme frquence,
lun deux est utilis comme origine pour les phases.
Une priode entire correspond un dphasage de 2.
2.2 Reprsentation de Fresnel
A la grandeur scalaire m(t) =M.cos(t), on associe le vecteur OM
de module M qui tourne autour de O avec la vitesse t. m(t) est la
projection de OM sur laxe Ox.
A une seconde grandeur p(t) =P.cos(t +) est associ un vecteur
OP dphas de par rapport au vecteur OM.
Dans cette reprsentation, on associe donc des vecteurs tournants aux
grandeurs lectriques sinusodales (courants et tensions). On utilise les proprits gom-
triques de la figure obtenue pour la rsolution du problme.
Par exemple, pour effectuer la somme de deux tensions, on fait la somme vectorielle de
leurs vecteurs reprsentatifs. La tension rsultante est la projection du vecteur obtenu sur
laxe Ox. Cette construction donne aussi les phases relatives des diverses grandeurs.
La reprsentation de Fresnel, trs utilise en optique physique, nest facilement exploitable
en lectricit que pour des circuits trs simples.
Cliquez ici pour voir une animation sur la reprsentation de Fresnel.
2.3 Reprsentation complexe
Lanalogie entre le plan de Fresnel et le plan complexe conduit naturellement reprsenter
les vecteurs tournants associs aux grandeurs lectriques sinusodales par des grandeurs
imaginaires.
NOTATIONS :
Une grandeur complexe G sera note G* et son complexe conjugu G*.
Les intensits tant souvent nommes avec la lettre i, pour viter toute confusion le symbole
des imaginaires est not en lectricit avec un j : j
2
= 1 ; j e
j
=
/2

La partie relle de G* est note (G*), la partie imaginaire est note : (G*)
Au vecteur OG du plan xOy, on associe le nombre complexe G*
G* = (G*) +j.(G*)
Ainsi lintensit i(t) =I.cos(t), on fait correspondre i(t)* =I.exp(jt)
A la tension v(t) =V cos(t +), on fait correspondre v(t)* =V.exp(jt +)
Dans la suite, nous prendrons lintensit comme origine des phases.

La grandeur physique est la partie relle de la grandeur complexe associe.
En effet : i(t) =I.cos(t) =(i*) =(I.exp(jt))
De mme : v(t) =V.cos(t +) =(v*) =(V.exp{j(t +)})
" "" " Amplitude complexe
Soit v(t)* =V.exp(jt +). On pose V*.exp(jt) =V.exp(jt +)
On dfinit ainsi lamplitude complexe V* =V.exp(j) =V.cos() +j.V.sin()
" "" " Impdance complexe
Par analogie avec la loi dOHM, on dfinit limpdance complexe Z*, dun diple, comme
tant le quotient de v(t)* par i(t)* :
Z* =v*/ i* =V.exp(j(t +)) / I.exp(jt) =Z.exp(j)
Z* = Z.cos( ) + j.Z.sin( ) = R + j.X
Fig. 3

R =Z.cos() est une rsistance ; X =Z.sin() est une ractance.


Le module de limpdance est Z = Z Z *. * ; la phase de limpdance est .
On a galement : ) V , I ( avec
R
X
tg et X R Z
2 2
! !
= = + =
" "" " Admittance complexe
Par analogie avec la conductance G =1/R, on dfinit ladmittance complexe
Y
Z Z
e
j
*
*
= =

1 1

=G +j.B (G est une conductance et B une susceptance). On a :
Y
R jX
R jX
R X
G
R
R X
et B
X
R X
*
=
+
=

+
=
+
=

+
1
2 2 2 2 2 2

2.4 Rseaux linaires en rgime sinusodal
La reprsentation complexe tant linaire, on a :
* t j *
H j ) He (
dt
d
) H (
dt
d
= =



A une drivation par rapport au temps, on associe un produit par j. De mme si le
temps est la variable, une intgration, on associe une division par j.
Les lois de Kirchhoff et celles qui en dcoulent sappliquent aux reprsentations complexes :
Il suffit de remplacer dans ltude des rseaux aliments par un signal sinusodal les
rsistances, condensateurs, inductances (domaine temporel : variable t) par leurs impdances
(domaine frquentiel : variable ).
Lquation diffrentielle associe au circuit est remplace par une quation polynomiale en
beaucoup plus simple tudier.
Les lois dassociation tablies pour les rsistances sappliquent aux impdances : il y a
additivit des impdances en srie et des admittances en parallle.
3 Diples passifs linaires en rgime sinusodal
3.1 Rsistances
v(t) =R.i(t) donc v* =R.i* or v* =Z*.i* Donc : Z* = R = Z
Limpdance dune rsistance pure est gale sa rsistance. Le courant est en phase avec
la tension.
Une rsistance relle peut prsenter une composante inductive en srie (cas des rsistances
bobines) et une petite composante capacitive en parallle. Les effets de cette dernire seront
sensibles uniquement aux hautes frquences.
3.2 Condensateurs
" CONDENSATEUR IDEAL
Par dfinition de lintensit, on a : i(t) =dQ(t)/dt =C.dV(t)/dt
La reprsentation complexe donne : v* =V.exp(jt) dv*/dt =jV.exp(jt)
Soit : i* =jCv* =v*.C.exp(j/2)
2
j
*
C
e
C
1
jC
1
Z

=


Dans un condensateur idal le courant est en avance de /2 sur la tension.
" CONDENSATEUR REEL :
Lisolement du dilectrique dun condensateur nest jamais parfait : la lgre conduction
induite est reprsente par une rsistance R, place en parallle sur un condensateur idal.
I I
2 1
U

Fig. 4
Y* =1/R +jC =Y.exp(j) =Y.cos +jY.sin
* Y . * Y Y
R / ) jRC 1 ( * Y ; R / ) jRC 1 ( * Y
2
=
= + =

Y.cos =1/R Y.sin =C tg =RC
On peut aussi utiliser la reprsentation de Fresnel. Le courant I1 dans la rsistance est en
phase avec la tension V, par contre, le courant I2 est en avance de /2 sur V.
Le courant total est : I =I1 +I2
On en dduit le graphe ci-contre.
On peut poser :
tg =1/RC
est langle de perte du condensateur. Pour un
condensateur de bonne qualit et ayant donc une
trs grande rsistance de fuite, cet angle est trs
petit.

Fig. 5

Fig. 6
Le circuit parallle sera utilis pour modliser les
condensateurs ayant de faibles pertes.
Pour les condensateurs de qualit mdiocre, on utilisera par
contre un modle srie.
EXERCICE :
Calculer R et C en fonction de R et C.
" ASSOCIATION DE CONDENSATEURS
En srie : Limpdance du condensateur quivalent est :
ZEq =Z1 +Z2 =1/C1
+1/C2
=1/CEq
=
+
C
C C
C C
Eq
1 2
1 2
.

En parallle : YEq =Y1 +Y2 CEq =C1 +C2
On retrouve ainsi les rsultats classiques tablis en lectrostatique.
3.3 Inductances
" INDUCTANCE IDEALE
Aux bornes dune inductance, tension et courant sont lis par : v(t) =L.di(t)/dt
v* =Ldi*/dt =jL.i*. On en dduit lexpression de limpdance complexe :
Z*
L
=jL = L.e
j/2

Dans une inductance pure, le courant est en retard de /2 sur la tension.
" INDUCTANCE REELLE
Le bobinage dune inductance prsente toujours une rsistance et une capacit parasites.
Pour diminuer cette dernire, on est amen effectuer des bobinages nid dabeille dont les
spires sont perpendiculaires. Leffet de peau augmente la rsistance du bobinage en haute
I



=

V
j
C

frquence. Pour en limiter les consquences, on ralise des bobinages en utilisant du fil
multibrins ou fil de Linz.
On reprsente en gnral une inductance relle par une inductance idale en srie avec
une rsistance, mais un schma parallle peut aussi tre utilis.
EXERCICE :
Calculer R et L du modle parallle en fonction de R et L du modle srie.
3.4 Conclusions
Ltude du rgime permanent sinusodal est grandement facilite par la reprsentation
complexe. Il nest plus ncessaire dcrire les quations diffrentielles des mailles. Il suffit de
considrer les chutes de tension dans les diverses impdances crites sous leur forme
complexe. Par exemple, pour le circuit R, L, C srie du chapitre prcdent aliment par une
tension sinusodale, on aura :
* v * i jL
jC
* i
* Ri t cos V
dt
) t ( di
L dt ) t ( i
C
1
) t ( Ri = +

+ = +

+
Cliquez ici pour tudier ce circuit en rgime permanent sinusodal.
Ltude des rgimes transitoires dans les circuits lectriques linaires est facilite par
lutilisation du calcul symbolique (transformation de Laplace) qui fait aussi correspondre
une quation diffrentielle une quation polynomiale. Cette transformation suppose des
dveloppements mathmatiques qui sortent du cadre fix pour ce cours et ne sera pas tudie.
4 Puissance dissipe dans les diples passifs
4.1 Dfinitions
On dfinit la puissance instantane par : p(t) =v(t).i(t)
Soit un diple dimpdance complexe Z* = Z.e
j
=R +jX.
Le courant dans le diple est : i(t) =I.cos(t) i* =I.e
jt

La tension entre ses bornes est : v* =Z*.i* v* = Z.e
j
.I.e
jt

v* =Z.I.e
j (t +)
=(R +jX).I.e
jt

v(t) =(v*) =R.I.cos t X.I.sin t
La puissance dissipe dans le diple tant p(t) =v(t).i(t) , on a :
p(t) =R.I.cost X.I.sin t.cos t
p(t) =.R.I.(1 +cos 2t) .X.I.sin 2.t
On dfinit :
la puissance active : pA =+.R.I.(1 +cos 2.t)
la puissance ractive : pR = .X.I.sin 2.t
p(t) = pA + pR
pA =PA.(1 +cos 2.t) avec PA =+.R.I =+.V.I.cos
pR =PR.sin 2.t avec PR = .X.I = .V.I.sin
4.2 Puissance moyenne dans un diple
Contrairement la tension moyenne, la puissance moyenne dissipe en rgime sinusodal
nest pas nulle :

+ =

=
=

+ =

=
T
0
2
T
0
A A
T
0
2
T
0
R R
T
0
R A
T
0
dt ). t 2 cos 1 .( I . R
T 2
1
dt . p
T
1
P
0 dt . t 2 sin I . X
T 2
1
dt . p
T
1
P
dt ). p p (
T
1
dt . p
T
1
P

A 2
1
2
2
1
P cos . I . V I . R . P = = = > <

En rgime sinusodal, mme si la puissance ractive dissipe dans un diple est nulle,
lintensit du courant qui circule dans les fils dalimentation ne lest pas. Il y a donc des pertes
en ligne induites. Cest pourquoi les distributeurs pnalisent les consommateurs dont
linstallation prsente une faible valeur du cos.
4.3 Puissances complexes
On dfinit la puissance complexe par : p v i * *. * =
1
2

p* =.V.I.e
j
=V.I.cos +.j.V.I.sin =PA j.PR
Donc : p* = P + j.P
A R

*) i . * v * i . * v ( *) p * p ( P
*) i . * v * i . * v ( *) p * p ( P
j 4
1
2
1
R
4
1
2
1
A
= =
+ = + =

4.4 Adaptation dimpdance en puissance
On recherche les conditions de transmission optimale de la puissance entre un gnrateur
modlis par un gnrateur idal en srie avec une impdance ZS et une charge dimpdance
ZU.

Fig. 7
I E Z Z
S U
* * * *
/ ( ) = +
V E Z Z Z
U S U
* * * * *
. / ( ) = +
La puissance active est donc :
*) i . * v * i . * v ( P
4
1
A
+ =
) Z Z ).( Z Z (
Z Z
E
4
1
P
*
U
*
S
*
U
*
S
*
U
*
U 2
A
+ +
+
=
) jX R jX )(R jX R jX (R
2.R
4
E
P
U U S S U U S S
U
2
A
+ + + +
=
2
U S
2
U S
U
2
A
) X (X ) R (R
R
2
E
P
+ + +
=
La puissance est maximale si le dnominateur est minimal.
Ceci est obtenu en faisant : XU = XS. On rappelle que si une rsistance est toujours positive,
une ractance peut tre positive ou ngative.
Lexpression de la puissance est alors uniquement fonction de RU et RS. La puissance sera
maximale si :
dPa
dR
0
U
= .
dPa
dR
E
2
(R R ) 2.R (R R )
(R R )
E
2
R R
(R R )
U
2
S U
2
U U S
S U
4
2
S U
S U
3
=
+ +
+

=

+


Cette drive sannule si RU =RS. En tenant compte de la condition sur les ractances, on
obtient donc une transmission de puissance optimale si limpdance de la charge est le
complexe conjugu de celle de la source. Quand cette condition est ralise, il y a adaptation
des impdances en puissance.
Pour un circuit aliment en courant continu les impdances sont relles et la transmission
de puissance est optimale quand la rsistance du rcepteur est gale celle de la source.
On peut noter que lorsque les impdances sont adaptes, la puissance perdue dans
limpdance de source est gale la puissance utilisable dans la charge.
REMARQUE :
La condition obtenue correspond une adaptation des puissances. Si lon souhaite par
contre obtenir une tension maximale entre les bornes de la charge, puisque
VU =E.ZU/(ZU +ZS), il faut videmment que limpdance de cette charge soit la plus grande
possible et que limpdance de la source soit la plus petite possible. On ralise alors une
adaptation dimpdance en tension.

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U
t
U
t
U
t
I
I
I
Relations de phase pour les diples idaux


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Quadriples lectriques
1 Dfinition des quadriples
De nombreux circuits peuvent tre reprsents par une bote munie de deux bornes
dentre et de deux bornes de sortie, que lon nomme quadriple
1
.

I1
U1 U2
I2

Fig. 1
Il est souvent possible de dcomposer un dispositif
lectrique ou lectronique complexe en un ensemble de
modules fonctionnels qui sont des quadriples. Ces modules
sont ensuite associs en cascade : les grandeurs de sortie de
lun constituent les grandeurs dentre du suivant.
Ltude des quadriples linaires est facilite par lusage du calcul matriciel. Cette
reprsentation des circuits est galement bien adapte aux mthodes de calcul numrique
modernes.
Quatre grandeurs lectriques caractrisent un quadriple : le courant I1 et la tension U1
dentre, le courant I2 et la tension U2 de sortie. Par convention, on donne le sens positif aux
courants qui pntrent dans le quadriple.
CAS PARTICULIER : Le triple
Une borne dentre est alors commune avec une borne de sortie.
Les transistors sont modlisables par des triples.

Fig. 2

2 Exemples de quadriples
" "" " Quadriple srie
I1
Z
V1 V2
I2

Fig. 3
Il contient une seule impdance. La loi des mailles donne :
V2 =V1 Z.I1 et I
2
= I
1

Soit sous forme matricielle :
V
I
Z V
I
2
2
1
1

1
]
1

1
]
1

1
]
1
1
0 1
.
On peut noter que pour ce quadriple, le dterminant de la matrice liant les grandeurs dentre
aux grandeurs de sortie est gal 1.
" Quadriple parallle
I1
I
Z
V1 V2
I2

Fig. 4
V2 =V1 ; I
1
+I
2
=I ; I
2
=V
1
/Z I
1

Soit sous forme matricielle :
V
I
0 V
I
2
2
1
1

1
]
1

1
]
1

1
]
1
1
1
1
Z
.
Ici encore, le dterminant de la matrice est gal 1.

1
Ne pas confondre avec les quadruples de llectrostatique.
I1
U1 U2
I2
" Transformateur idal en rgime sinusodal (cf 8)
On nglige toutes les pertes (rsistives et dues aux courants de Foucault).
I1
V1
L1 L2
M
V2
I2

Fig. 5
V
1
=L
1
.dI
1
/dt +M.dI
2
/dt
V
2
=M.dI
1
/dt +L
2
.dI
2
/dt
V
1
=jL
1
..I
1
+jM..I
2

V
2
=jM..I
1
+jL
2
..I
2

V
V
M I
I
2
1
1
2

1
]
1

1
]
1

1
]
1
j
L
M L
. .
1
2

3 Matrices reprsentatives des quadriples

I1
V1 V2
I2

Fig. 6
Pour les quadriples ne contenant que des diples linaires les
4 grandeurs fondamentales V
1
, V
2
, I
1
et I
2
sont lies par des
quations linaires.
Plusieurs reprsentations matricielles sont possibles et le choix
de lune de celles-ci sera fait en fonction du problme tudi.
" Matrice impdance
V
V
Z Z
Z Z
I
I
1
2
11 12
21 22
1
2

1
]
1

1
]
1

1
]
1
.
On exprime les tensions en fonction des courants. Les lments
de la matrice ont la dimension dimpdances.
" Matrice admittance
I
I
Y Y
Y Y
V
V
1
2
11 12
21 22
1
2

1
]
1

1
]
1

1
]
1
.
On exprime les courants en fonction des tensions. Les lments
de la matrice ont la dimension dadmittances.
" Matrice de transfert
V
I
T T
T T
V
2
2
11 12
21 22
1
1

1
]
1

1
]
1

1
]
1
.
I

On exprime les grandeurs de sortie en fonction des grandeurs
dentre. T
11
est un nombre, T
12
est une impdance, T
21
une
admittance et T
22
un nombre.
Bien noter dans cette reprsentation le signe moins affect I
1
.
La matrice inverse de la matrice de transfert donne les paramtres dentre en fonction des
paramtres de sortie.
" Matrice hybride
V
I
H H
H H
I
1
2
11 12
21 22
1
2

1
]
1

1
]
1

1
]
1
.
V

Lintrt de cette reprsentation apparat lors de ltude des
transistors.
H11 est une impdance, H12 est un nombre, H21 un nombre et H22 une admittance.
On utilise parfois la matrice [G] =[H]
1

Les relations tant linaires, il est facile de dduire les coefficients dune reprsentation
partir de ceux dune autre.
" Caractristiques des quadriples passifs
Ce sont les rseaux de courbes qui reprsentent les variations des tensions en fonction des
courants. Par exemple, pour le rseau V1 =g(I1), on prendra I2 ou V2 comme paramtre :
chaque courbe de ce rseau est trace pour une valeur donne et constante de I2 (ou de V2).
" Proprit des quadriples passifs
Soit un quadriple passif dont la tension dentre est E et le courant de court-circuit en
sortie est I
S
. Daprs le thorme de rciprocit, le courant dans lentre en court-circuit est
I
E
=I
S
si la tension de sortie est E.
I1 Ie
E
E
Is I2

Fig. 7
Les relations entre sortie pour la matrice de transfert scrivent :
V T V T I
I T V T I
2 11 1 12 1
2 21 1 22 1



Sortie en court-circuit :
0
11 12 1
21 22 1


T E T I
I T E T I
S

Entre en court-circuit :
E T I
I T I
E
E


0
0
12
2 22

Lgalit I
E
=I
S
implique que : (T) = T11.T22 T12.T21 = 1.
Des calculs analogues montrent que pour un quadriple passif on a aussi :
Z21 =Z12 et H21 = H12
4 Associations de quadriples
" Association en cascade
Les deux sorties du premier sont relies aux deux entres du second. On utilise les matrices de
transfert [T1] et [T2] des deux quadriples associs.
I1 I1
V1
Q1 Q2 Q
V'1
V0
V2 V1
V2
I0 I'1
I2 I2

Fig. 8
[ ] [ ]
1
]
1

1
]
1

1
]
1

1
]
1

1
1
2
2
2
1
1
1
0
0
' I
' V
. T
I
V
I
V
. T
I
V

V1 =V0 I1 = I0
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ]
1 2 Eq
1
1
1 2
2
2
T . T T
I
V
. T . T
I
V

1
]
1


1
]
1


La matrice de transfert du quadriple quivalent est donc gale au produit de la seconde
matrice de transfert par la premire. Attention car ce produit nest pas commutatif !
APPLICATIONS :
Quadriple en T
On considre lassociation de trois quadriples en cascade et on recherche la matrice de
transfert quivalente.
I1
Z1
T1 T2 T3
Z3
Z2
U1 U2
I2

Fig. 9
[TEq] =[T3].[T2].[T1] (Attention lordre !)
[ ] [ ]
1
]
1

1
]
1

1
0 1
T
1 0
Z 1
T
2
Z
1
2
1
1


[ ]
1
1
1
1
]
1

+
+ + +

2
1
2
2
3 1
3 1
2
3
Eq
Z
Z
1
Z
1
Z
Z Z
Z Z
Z
Z
1
T
Quadriple en

I1
Z1
T1 T2 T3
Z3
Z2
U1 U2
I2

Fig. 10
[TEq] =[T3].[T2].[T1]
[ ] [ ]
1
]
1

1
]
1

1 0
Z 1
T
1
0 1
T
2
2
Z
1
1
1

[ ]
1
1
1
1
]
1

+ + +
+

3
2
3 1
2
1 3
2
1
2
Eq
Z
Z
1
Z Z
Z
Z
1
Z
1
Z
Z
Z
1
T
" Association en srie
Dans ce cas, il y a additivit des tensions aux bornes des quadriples ; les courants sont
identiques. On en dduit simplement la matrice impdance quivalente.
V'
V''
V
Q'
Q''
Fig. 11
[V] =[Z].[I]
[V] =[Z].[I]
[V] =[V] +[V]
[I] =[I] =[I]
[Z] = [Z] + [Z]
" Association en parallle
I
I''
I'
Q'
Q''
Fig. 12
Il y a additivit des courants et identit des tensions :
la matrice admittance du quadriple quivalent est
la somme des matrices admittance des 2
quadriples :
[Y] = [Y] + [Y]
5 Grandeurs fondamentales des quadriples
Il est possible de dfinir pour un quadriple des grandeurs caractristiques comme les
impdances dentre et de sortie, et les gains en tension, courant et puissance.
" Impdance dentre
Cest limpdance ZE =VE /IE vue lentre quand la sortie est charge par une impdance ZU.
On utilise la matrice impdance du quadriple.
I1
V1 V2
Zu
I2

Fig. 13
V1 =Z11.I1 +Z12.I2
V2 =Z21.I1 +Z22.I2 = ZU.I2
I2(ZU +Z22) = Z21.I1
I2 = Z21.I1/(Z22 +ZU)
V1 =I1.{Z11 - Z12.Z21/(Z22 +ZU)}
Z Z
Z Z
Z Z
E
U

+
11
12 21
22
.

" Impdance de sortie
Cest limpdance ZS =VS /IS vue la sortie quand lentre est ferme par une impdance ZG
qui est limpdance du gnrateur.
I1
V1 V2
Zg
I2

Fig. 14
Un calcul analogue au prcdent donne :

Z Z
Z Z
Z Z
S

+
22
12 21
11
.
G

" Gain en tension
Cest le quotient de la tension de sortie par la tension dentre : A
V
=V
2
/ V
1

V
2
=T
11
.V
1
T
12
.I
1

I
2
=T
21
.V
1
T
22
.I
1
Or : V
2
= ZU.I
2

T
22
.I
1
=T
21
.V
1
I
2
=T
21
.V
1
+V
2
/ ZU
V
2
=T
11
.V
1
(T
12
.T
21
/ T
22
).V
1
T
12
.V
2
/ T
22
.ZU
Cas particulier : les quadriples passifs
On a alors : (T) =1
22
1
22
21 12 22 11
1
U 22
12
2
T
V
T
T . T T . T
V
Z . T
T
1 V

,
_

,
_

+
12 22 U
U
v
T .T Z
Z
A
+


Si ZU = (quadriple non charg) alors : A
V
=1 / T
22
.
6 Schmas quivalents des quadriples linaires
On remplace le quadriple tudi par un circuit quivalent (dont les quations sont les
mmes que celles du circuit tudi), mais dans lequel entre et sortie sont spares. Plusieurs
schmas de quadriples quivalents sont utiliss :
" Paramtres impdances
I Z
11 1
12 21
2
2 1
2
1
22
V
I
V
Z .I Z .I
Z

Fig. 15
Le circuit quivalent comporte des impdances et des
gnrateurs de tension.
V
1
=Z
11
.I
1
+Z
12
.I
2


V
2
=Z
21
.I
1
+Z
22
.I
2

" Paramtres admittances
I
2 1
2
2
22
21
11
12
1
1
Y Y
V
I
V
Y .V Y .V

Fig. 16
Le circuit quivalent comporte des admittances et des
gnrateurs de courant.
I
1
=Y
11
.V
1
+Y
12
.V
2

I
2
=Y
21
.V
1
+Y
22
.V
2

" Paramtres hybrides
I
1 21
12 2
2
22
2 1
11
1
H
V
I
V
H .V
H .I
1/H

Fig. 17
Pour le modle hybride, on obtient :
V
1
=H
11
.I
1
+H
12
.V
2

I
2
=H
21
.I
1
+H
22
.V
2
Attention aux dimensions des paramtres :
H11 =Impdance, H12 =Nombre
" Modle amplificateur dun quadriple linaire
I1
V1
Av.V1
V2
Ze
Zs
I2

Fig. 18
Dans ce modle, le circuit dentre est rduit
limpdance dentre ZE. Celui de sortie comporte un
gnrateur de tension de f.e.m. AV.VE en srie avec
limpdance de sortie ZS.
V1 =ZE.I1
V2 =AV.V1 +ZS.I2
7 Schmas quivalents des quadriples non linaires
Les composants utiliss en lectronique sont trs souvent non linaires et une tude
analytique rigoureuse du circuit est alors impossible. Pour tudier le comportement du circuit,
on peut utiliser des mthodes graphiques.
Supposons connues les caractristiques dun quadriple non linaire : ce sont les rseaux de
courbes V1 =f(I1, I2) et V2 =g(I1, I2). Par exemple dans le plan V1, I1 on trace le rseau des
courbes V1 =f(I1) en prenant la valeur du courant I2 comme paramtre. De mme dans le plan
V1, I2 , on trace le rseau des courbes V1 =g(I2) en prenant la valeur de I1 comme paramtre.
On impose lentre les valeurs de V1 et de I1 ; les valeurs de sortie sont V2 et I2. Ces 4
valeurs dfinissent le point de repos ou point de fonctionnement. Comment volue ce point si
I1 varie de dI1 ?

I1
V1
V
v
1
1
i
I
PF
I2=cte

Fig. 19
Au voisinage du point de repos, on peut crire les variation
des valeurs statiques :
2
C I
2
2
1
C I
1
2
2
2
C I
2
1
1
C I
1
1
1
.dI
I
V
.dI
I
V
V d
.dI
I
V
.dI
I
V
V d
1 2
1 2

,
_

,
_

,
_

,
_


Les drives partielles
PF
i
i
I
V

,
_

sont les pentes des tangentes aux caractristiques au voisinage


du point de repos et ont la dimension dune impdance :
dV z .dI z .dI
dV z .dI z .dI
1 11 1 12 2
2 21 1 22 2
+
+

'


Les paramtres z
ij
sont les drives des paramtres statiques Z
ij
au voisinage du point de
repos : ce sont des paramtres dynamiques . Cette notation des diffrentielles est
rigoureuse mais lourde utiliser.

En lectronique, on note la diffrentielle dA de la grandeur A avec la lettre
minuscule a.
La minuscule a correspond la variation de la grandeur statique reprsente par A.
Ainsi, en posant v1 =dV1 ; i1 =dI1 , on obtient pour la matrice impdance :
v z .i z .i
v z .i z .i
1 11 1 12 2
2 21 1 22 2
+
+

'


Dans une rgion o les caractristiques sont linaires, ce modle permet une reprsentation
correcte des proprits du quadriple. Il est galement possible de modliser le quadriple par
un circuit linaire quivalent dont les valeurs sont celles du quadriple au voisinage du point
de fonctionnement. Ainsi pour le modle hybride, on obtient (comparer avec la figure 17) :
i
1 21
12 2
2
22
2
1
11 1 h
v
i
v
h .v
h .i
1/h

Fig. 20
v
1
=h
11
.i
1
+h
12
.v
2

i
2
=h
21
.i
1
+h
22
.v
2

Ne pas confondre les Hij et les hij.
8 Exemple de quadriple : le transformateur idal
On admet que les inductances sont des solnodes de section S ayant N1 et N2 spires, des
longueurs !
1 et !
2 et que les pertes sont ngligeables. Si
1 est le flux dinduction travers
lenroulement primaire, on a :

1 1 1 2 1 1 1 2 1
1 1
2
2 2
+ + L I MI N BS N B S B
N I
B
N I
; ;

! !

L
SN
M
SN N
L k N M k N N L L
1
1
2
1 2
1 1
2
1 2 1 2


! !
; ; . .
Avec ces hypothses, on obtient en rgime sinusodal :
I1
U1
L1 L2
M
U2
Zu
I2

V
1
=jL
1
..I
1
+jM..I
2

V
2
=jM..I
1
+jL
2
..I
2

V
V
M I
I
2
1
1
2

1
]
1

1
]
1

1
]
1
j
L
M L
. .
1
2

A partir de lexpression de la matrice Z du transformateur, on dtermine lexpression de
limpdance vue lentre quand le transformateur est charg par une impdance Zu.
Z Z
Z Z
Z Zu
jL
M
jL Zu
E

+
+
+
11
12 21
22
1
2 2
2

. Soit : Z
jL Zu
Zu jL
E

+
1
2


Cette impdance est quivalente une impdance Zu.L
1
/L
2
en parallle avec une
impdance jL
1
. Si le produit L
1
est assez grand, limpdance prsente par le
transformateur charg est donc Zu.L
1
/L
2
=Zu.(N
1
/N
2
)
2
=Zu.n
2
. (n =N
1
/N
2
est le rapport de
transformation).
Le transformateur permet donc ladaptation en puissance des impdances entre une source
dimpdance Zs et une charge dimpdance Zu. Il suffit dutiliser un transformateur de rapport
n
2
=Zs/Zu.
REMARQUE : Comme on nglige les pertes, ce quadriple passif possde un gain en puissance
gal 1. Le gain en tension peut tre suprieur ou infrieur 1 (transformateur lvateur ou
abaisseur de tension).
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Filtres passifs
1 Les diagrammes de Bode
1.1 Fonction de transfert
De nombreux circuits lectriques peuvent tre reprsents par des quadriples. Une
caractristique importante dun quadriple est sa rponse en frquence. Un circuit dont la
rponse en fonction de la frquence nest pas constante est un filtre. En rgime sinusodal, on
le caractrise par sa fonction de transfert complexe qui est le quotient de la tension de sortie
vS* par la tension dentre vE* :
H*(j) =vS* /vE* H*(j) =G().e
j()

G est la norme du gain en tension : G() =|vS
|/ |vE
|
est le dphasage : () =Arg(vS*) Arg(vE*)
Un filtre passif rel dissipe toujours de lnergie et la puissance disponible la sortie est
toujours infrieure la puissance applique lentre.
1.2 Dcibels
En acoustique physiologique, on constate que la sensation est proportionnelle au
logarithme de la pression acoustique. Ceci a conduit la dfinition dchelles logarithmiques
pour la mesure des gains. Les gains en dcibels sont dfinis par :
" "" " Gain en tension : G()dB =20.Log10(G()).
" "" " Gain en puissance : P()dB =10.Log10(P()).
VALEURS REMARQUABLES :
Soit G un gain en puissance gal 2. Le gain G correspondant en dcibels est :
G =10.Log10(2) =3,01 dB 3 dB.
Si G =4, G =6,02 dB 6dB.
Si G =, G = 3 dB
Une multiplication du gain par 2 correspond une augmentation de 3 dB.
Une division du gain par 2 correspond une diminution de 3 dB.
Soit G un gain en puissance gal 10. G =10.Log10(10) =10 dB.
Si G =10
6
, G =60 dB.
Si G =10
3
, G = 30 dB...
Pour les tensions, une multiplication du gain par 2 correspond +6 dB.
INTERET :
Les gains en tension sont souvent trs petits et lutilisation des dcibels permet de
manipuler des nombres plus grands.
Soient deux tages en cascade de gains G1 =P1/P0 et G2 =P2/P1 ; le gain total G =P2/P0
est donc gal au produit G1.G2 des gains des tages. Si les gains sont exprims en dcibels,
le gain total est la somme des gains :
G =G1 +G2

1.3 Frquence de coupure
On dfinit la frquence de coupure
C dun systme comme tant celle pour laquelle le
gain maximum en tension est divis par 2.
G(
C) =G
Max
/ 2
Or Log( 2) =0,1505 3/20. On peut donc aussi dfinir la frquence de coupure comme la
frquence qui correspond une diminution de 3 dB du gain maximum.
G(
C) =G
Max


3 dB
1.4 Diagrammes de Bode
La gamme des frquences appliques aux montages lectriques tant trs large, lors du
trac des fonctions de transfert, on utilise une chelle logarithmique pour laxe des
frquences. Soit f0 une frquence caractristique dun systme (par exemple une frquence de
coupure). Les diagrammes de Bode de ce systme sont les courbes du gain (en dB) et de la
phase de la fonction de transfert, en fonction de Log(f/f0) =Log(/
0).
La reprsentation de Bode utilise donc pour les abscisses une chelle logarithmique en
coordonnes rduites et pour les ordonnes une chelle en dcibels.
Le trac rigoureux dune fonction de transfert est souvent une opration fastidieuse et dans
de nombreux cas une reprsentation approximative est suffisante. Les courbes sont en gnral
traces sous leur forme asymptotique.
1
0

Fig. 1
Les diagrammes de Bode prsentent galement un autre intrt. Partant dune fonction de
transfert donne, on la modifie pour lcrire sous la forme du produit H(j) =A.H1(j).H2(j)
dans lequel A est une constante et H1(j), H2(j) des fonctions simples dont le graphe de Bode
est connu. Les expressions du gain et de la phase deviennent :
G Log A G G
dB dB dB
A
( ) ( ) ( )
( ) ...
...
+ + +
+ + +
1 2
1 2


Le terme gnral tant la somme des termes de la dcomposition, il suffit pour obtenir le
graphe du systme tudi deffectuer la somme des divers graphes qui correspondent ces
termes. Comme dans beaucoup de cas, il est possible de dcomposer la fonction de transfert
du systme en un produit de fonctions de transfert du premier ordre, nous allons examiner
celles-ci en dtail.
2 Fonctions de transfert du premier ordre
2.1 Filtres lmentaires
Filtres passe-bas
Pour le circuit non charg, la rsistance et le condensateur se
comportent comme un diviseur de tension idal et :
Vs
Ve jRC

+
1
1

On pose
C =1/RC et x =/
C.
Fig. 2
La fonction de transfert du quadriple devient :
S
E

jx 1
1
) / ( j 1
1
V
V
C E
S
+


On retrouve rapidement ce rsultat en remarquant que pour une frquence nulle le
condensateur a une impdance infinie : le gain vaut 1. Pour une frquence infinie, son
impdance est nulle : le gain vaut 0.
G
Vs
Ve
x

+
1
1
2
. Si x =1 alors G =1 2 /
f
c
=1/2RC est donc la frquence de coupure de ce circuit
qui attnue les hautes frquences.
= ArcTg(x). Si x =1 alors = 45
Pour x =0,1, = 6
Pour x =10, = 84
Pour le diagramme asymptotique, on considre que la phase
varie de 0 90 sur deux dcades.

Fig 3
En remplaant la rsistance par une inductance L, le condensateur par une rsistance et en
posant
c
=R/L, on obtient la mme fonction de transfert.
Filtres passe-haut
Pour le circuit non charg, on a :
Vs
Ve
jRC
jRC

1

On pose
c
=1/RC et x =/
c
.
Fig 4
La fonction de transfert devient :
x / j 1
1
jx 1
jx
) / ( j 1
) / ( j
V
V
C
C
E
S


En remplaant la rsistance par une inductance L, le condensateur par une rsistance R et en
posant
c
=R/L, on obtient la mme fonction de transfert.
On obtient cette fois un filtre qui attnue les basses frquences. A frquence nulle
limpdance du condensateur est infinie : le gain est nul. Il est gal 1 pour une frquence
infinie.
2.2 Fonctions de transfert du premier ordre
Un systme est dit du premier ordre si sa fonction de transfert ne contient que des
constantes et la premire puissance de . Pour caractriser laxe des frquences, on utilise
soit la dcade soit loctave.
Une dcade correspond une multiplication de la frquence par 10.
Une octave correspond un doublement de la frquence.
Rampe
Cest la plus simple des fonctions de transfert du premier :
H(
j
) =j/
C G =/
c
et =/2.
Son diagramme de Bode est une droite dont la pente est 20 dB par dcade.
En effet si 10 alors G10
=G

+20 dB.
Cette pente vaut aussi 6 dB par octave (G2
=G

+6 dB).

Filtre passe-bas
Si x =/
c
la fonction de transfert est :
jx 1
1
) jx ( H ) j ( H
+


Fig 5
Pour x <<1 G(x) =1.
Pour x >>1 G(x) =1/x.
Le diagramme asymptotique se limite deux droites
de pentes 0 et 20 dB par dcade.
La phase varie de 0 pour x =0,1 90 pour x =10.
Elle est gale 45 pour la frquence de coupure.
Filtre passe-haut

Fig 6
En posant x =/
c
, la fonction de transfert scrit :
x / j 1
1
jx 1
jx
) jx ( H ) j ( H

+

Pour x <<1 G(x) =x
Pour x >>1 G(x) =1.
Le diagramme asymptotique se limite deux droites de pentes 0 et +20 dB par dcade. La
phase varie de 90 pour x =0,1 0 pour x =10. Elle est gale 45 pour la frquence de
coupure.
3 Fonctions de transfert du second ordre
Pour les systmes du second ordre, la fonction de transfert contient des termes en . On
trouve trois fonctions fondamentales :
La fonction passe-bas :
2
b
) jx ( Q / jx 1
1
A ) j ( H
+ +

La fonction passe-haut :
2
2
h
) jx ( Q / jx 1
) jx (
A ) j ( H
+ +

La fonction passe-bande :
2
B
) jx ( Q / jx 1
Q / jx
A ) j ( H
+ +

Q est le coefficient de surtension et x =/
0 avec
0 la pulsation propre.
Un phnomne de rsonance apparat, dautant plus marqu que Q est grand et les courbes
de gain peuvent scarter sensiblement des formes asymptotiques au voisinage de =
0.
Ainsi pour le filtre passe-bas (Fig 7), la forme asymptotique nest utilisable que pour les
valeurs de Q infrieures 0,5. Dans ce cas, on a :
pour x <<1, G(x) A (0 dB si A =1)
pour x >>1, G
(x)
A/x (pente de 40dB/dcade).
La phase vaut 90 pour x =1 et varie de 0 pour x=0 180 pour x infini.
Pour les amortissements trs forts, H(j) peut se dcomposer en un produit de fonctions de
transfert du premier ordre. Le systme se comporte comme une cascade de cellules du
premier ordre ayant des frquences de coupures diffrentes.

Q =0,05
Q =1

Fig 7
La courbe de rponse du filtre passe-haut est symtrique de la courbe du passe-bas par
rapport la droite x =1. A titre dexercice, tracer la courbe asymptotique du gain pour un
filtre passe-bande du second ordre quand Q est petit et vrifier que les asymptotes ont des
pentes de +20 dB et 20 dB.
Filtre passe-bande bande large
Pour de nombreux systmes, la fonction de transfert peut scrire sous la forme :
+

j
.
j
j
A H
M
M
m
) j (

M m
m
) j (
/ j 1
1
.
/ j 1
/ j
A H
+ +


La fonction de transfert est le produit de trois
fonctions.
Le gain moyen A (constant).
Un passe-haut (coupure
m).
Un passe-bas (coupure
M).
La bande passante est donc :
M
m


Fig. 8
Le diagramme asymptotique est construit par addition de trois droites de pentes +20 dB
par dcade, 0 et 20 dB par dcade. La partie horizontale du diagramme correspond au gain
moyen qui vaut 20.Log(A).
Si la frquence de coupure haute
M est beaucoup plus grande que la frquence de coupure
basse
m alors la bande passante est gale
M.
4 Mthodes dtudes des filtres
4.1 Mthode gnrale
Un certain nombre de filtres peuvent se dcomposer en quadriples lmentaires mis en
cascade : il est alors possible de calculer la matrice de transfert (T) du filtre et den dduire la
fonction de transfert. Pour les quadriples passifs, on a (T) =1. La fonction de transfert du
filtre charg par limpdance ZU est alors donne par :
12 22 U
U
T .T Z
Z
H
+


Si ZU = (quadriple non charg) alors : H =1 / T
22
.

Si cette mthode est particulirement bien adapte au calcul numrique des filtres, elle est
souvent trs lourde mettre en uvre pour la dtermination de la forme littrale de la fonction
de transfert et on prfre souvent utiliser les mthodes utilises pour ltude des rseaux.
4.2 Exemple : filtres en treillis
On va montrer que ces deux structures de filtres sont quivalentes en calculant leurs matrices
impdances.
Z1
Z2 Z1
V2 V1
I2 I1
A B
C D
Z1
Z1
Z2 Z2
V2 V1
I2 I1
A B
C D
Z1
2

fig 9
Circuit en T :
Le courant qui circule dans limpdance (Z2 Z1) est I1 +I2.
Dans le circuit dentre, on a : V1 =Z1I1 +(Z2 Z1).( I1 +I2)
Dans le circuit de sortie, on a : V2 =Z1I2 +(Z2 Z1).( I1 +I2)
On tire : [ ]
1
]
1

+
+

2 1 1 2
1 2 2 1
Z Z Z Z
Z Z Z Z
2
1
Z
Treillis
1
er
mthode.
Pour ce quadriple I1 =I2 et V1 +Z2.I1 V2 +Z2.I1 =0
Soit I1 =(V1 +V2)/2Z2.
Et donc :

,
_

1
]
1

,
_

2
1
2 2
1
V
V
1 1
1 1
Z 2
1
I
I

Pour le second quadriple, on a :
I1 = I2 et V1 +Z1.I1 +V2 +Z1.I1 =0
Lexpression de sa matrice admittance est :

,
_

1
]
1

,
_

2
1
1 2
1
V
V
1 1
1 1
Z 2
1
I
I

fig 10
En reliant les deux quadriples en parallle, on obtient le treillis. La matrice admittance du
treillis est dont gale la somme des matrices admittances des deux quadriples associs soit :
[ ] [ ] [ ]
1
]
1

+
+

1
1
1
1
]
1

+
+


2 1 1 2
1 2 2 1 1
2 1 1 2
1 2 2 1
Z Z Z Z
Z Z Z Z
2
1
Y Z
Z
1
Z
1
Z
1
Z
1
Z
1
Z
1
Z
1
Z
1
2
1
Y
Vrifier que lexpression de la matrice de transfert est : [ ]
1
]
1

11
22
12
Z 1
Z Z
Z
1
T
On peut voir sur cet exemple que la mthode matricielle est lourde utiliser.
2
e
mthode.
On redessine le treillis sous la forme dun pont.
Z2 Z2
V2 V1
I2 I1
Z1
V2 V1
I2 I1 Z1

Si I3 est le courant entre A et B, le courant entre A et C est
(I1 I3), le courant entre Cet D est (I1 I3 I2).
Entre B et D le courant est I3 +I2 .
La ddp entre A et D scrit :
(en passant par C) V1 =Z2. (I1 I3) +Z1.(I1 I3 I2)
(en passant par B) V1 =Z1.I3 +Z2.(I3 +I2)
On tire : 2.I3 =I1 I2
Et : V1 =(Z1 +Z2).I1 +(Z2 Z1).I2
V2 =VB VC =(VB VA) +(VA VC) =
Z1.I3 +Z2.(I1 I3)
fig 11
V2 = .Z1.( I1 I2) +.Z2.( I1 +I2) V2 =.(Z2 Z1).I1 +.(Z1 +Z2).I2
Les deux quadriples ayant la mme matrice impdance sont quivalents.
4.3 Filtres en T
Lapplication de la mthode gnrale donne ici :
I1
Z1
T1 T2 T3
Z3
Z2
U1 U2
I2

Fig. 12
[ ] [ ]
1
]
1

1
]
1

1
0 1
T
1 0
Z 1
T
2
Z
1
2
1
1

[ ]
1
1
1
1
]
1

+
+ + +

2
1
2
2
3 1
3 1
2
3
Eq
Z
Z
1
Z
1
Z
Z Z
Z Z
Z
Z
1
T
Il faut noter que pour un filtre en T non charg, la valeur et la nature de Z3 est sans effet.
Si Z1 et Z3 sont des condensateurs et Z2 une rsistance, le filtre est un passe-haut.
Si Z1 et Z3 sont des rsistances et Z2 un condensateur, le filtre est un passe-bas.
Cliquer ici pour accder au programme de visualisation des fonction de transfert.
4.4 Filtres en Pi

I1
Z1
T1 T2 T3
Z3
Z2
U1 U2
I2

Fig. 13
[ ] [ ]
1
]
1

1
]
1

1 0
Z 1
T
1
0 1
T
2
2
Z
1
1
1

[ ]
1
1
1
1
]
1

+ + +
+

3
2
3 1
2
1 3
2
1
2
Eq
Z
Z
1
Z Z
Z
Z
1
Z
1
Z
Z
Z
1
T
Remarques :
Le thorme de Kennelly permet de transformer le circuit en T (toile) en Pi (triangle) et
rciproquement.
Si Z1 est infinie, on obtient un filtre en L.
Vrifier que la matrice de transfert dun filtre en L est gale : [ ]
1
1
]
1

3
2
3
2
Eq
Z
Z
1
Z
1
Z 1
T
4.5 Filtres en double L
On associe en cascade deux cellules du premier ordre :
deux passe-bas : on obtient un passe-bas du second ordre.
deux passe-haut : on obtient un passe-haut du second ordre.
Z1
A
B
C
D
V1
I1
V2
I2
Z2
Z2
Z1
I3

un passe-bas et un passe-haut : on obtient un passe-bande. Dans ce cas montrer que lordre
des deux filtres nest pas indiffrent.

I1
Z1 Z3
Z4 U1 U2
I2
Z2

Fig. 14
Vrifier que pour le double L, la matrice de transfert est :
[ ]
1
1
1
1
]
1

,
_

,
_

+ + + +
+ + +

4
3
2
1
4
1
4 2 4 2
2
3 1
3 1
2
3
Eq
Z
Z
1
Z
Z
1
Z
Z
Z Z
1
Z
1
Z
1
Z
Z Z
Z Z
Z
Z
1
T
Il est souvent plus simple de faire le calcul direct de la fonction de transfert.
Etudier pour des filtres non chargs les cas suivants :
Z1 =R, Z2 =C1, Z3 =C2, Z4 =R.
Z1 =C1, Z2 =R, Z3 =R, Z4 =C2.
Envisager les deux cas si C1 =C2, C1 >>C2 et C1 <<C2.
Cliquer ici pour accder au programme de visualisation des fonction de transfert.
On peut aussi envisager de mettre en cascade N =2, 3, cellules en L identiques. On obtient
alors des filtres dordre N.
Par exemple on considre N cellules passe-bas identiques du premier ordre en cascade. On
pose x =RC. La fonction de transfert de chaque cellule est H =1/(1 +jx). La fonction de
transfert total est HN =1/(1 +jx)
N
. On en dduit que G =1/(1 +x)
N
. La frquence de
coupure de lensemble se produit pour 1 2 x
N 1
.
4.6 Filtres en T pont
Avec le thorme de Kennelly, on peut transformer le triangle Z1, Z3, Z4 en toile (fig 15-b)
En posant Z0 =Z1 +Z2 +Z4, on trouve :
0
3 1
C
0
4 3
B
0
4 1
A
Z
Z Z
Z
Z
Z Z
Z
Z
Z Z
Z
On peut aussi transformer ltoile Z1, Z2, Z3 en triangle (fig 15-c).
On retrouve soit la configuration en T soit celle en Pi.
I1
zc
zb
Z2
U1
U2
C
za
I1
Z4
zc
zb
U1 U2
I2
za
I1
Z4
Z3
Z2 U1 U2
I2
Z1
b
c a
I2
A
B

Fig. 15
Montrer que la configuration ou que Z4 est une inductance (L,r) ; Z1 et Z3 sont des
condensateurs et Z2 est une rsistance donne un filtre coupe bande. (faire ltude pour le filtre
non charg).
On considre le filtre de la figure 15-b charg par une impdance ZU. Pour calculer le gain en
tension, on peut utiliser le thorme de Thvenin. Pour obtenir la fem du gnrateur, on
dconnecte ZU. On tire :
C 2 A
C 2
1 Th
Z Z Z
Z Z
U E
+ +
+
. Limpdance du gnrateur est donne
par :
( )
C 2 A
C 2 A
B Th
Z Z Z
Z Z . Z
Z Z
+ +
+
+ . La tension de sortie est donc :
Th U
U
Th 2
Z Z
Z
E U
+


4.7 Filtres en double T pont
I1
z6
z5
U1
U2
I2
z1
I1
ze
zc
zb
U1
U2
I2
za
z3
z2
z4
zf zd

Fig. 16
Avec le thorme de Kennelly, on peut transformer ltoile Z1, Z2, Z3 en un triangle ZD, ZE,ZF
puis transformer ltoile Z4, Z5, Z6 en un triangle ZA, ZB,ZC. En remplaant les paires ZA-ZD,
ZB-ZE, ZC-ZF par les impdances quivalentes, on obtient finalement un Pi simple.
4.8 Filtres de structure Hartley-Colpitts

I1
Z1 Z3
Z4 U1 U2
I2
Z2

Fig. 17
Dans les deux cas Z1 est une rsistance.
Pour le filtre de Colpitts, Z2 est une inductance L, Z3 et Z4
deux condensateurs de capacits C1 et C2.
On pose :
C =C1C2/(C1 +C2), K =C/C2,
0 =1/LC, Q =RC
0.
Vrifier que :
) / / ( jQ 1
K
H
0 0
+

Pour le filtre de Hartley, Z2 est une capacit C, Z3 et Z4 deux inductances L1 et L2.
On pose :
L =L1 +L2, K =L2/L,
0 =1/LC, Q =RC
0. Vrifier que lexpression de la fonction de
transfert est identique celle du filtre de Colpitts.
4.9 Filtre de structure Wien

I1
R
R
C
U1 U2
I2
C

Fig. 18
On pose : x =RC. Montrer que la fonction de transfert est :
( )( ) x jk 1 x jk 1
jx
x jx 3 1
jx
H
2 1
2
+ +

+

on a : k1k2 =1 =P et k1 +k2 =3 =S.
k1 et k2 sont solution de lquation u - Su +P =0.
On tire : ( ) ( ) 5 3 2 1 k , 5 3 2 1 k
2 1
+
On peut dcomposer la fonction de transfert de ce filtre (passe-bande du second ordre)
comme le produit dune fonction passe-bas 1/(1 +jk1x) par une fonction passe-haut jx/(1 +
jk2x). Les frquences de coupures basse et haute sont donnes par 1/k1RC et 1/k2RC.
Cliquer ici pour accder au programme de visualisation des fonction de transfert.

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Les ponts de mesure
Les ponts ont t trs utiliss pour la mesure des rsistances, inductances et capacits voire
des frquences jusque dans les annes 1975. Les progrs de llectronique les ont rendus peu
peu obsoltes pour les applications de mtrologie. Toutefois la structure en pont reste
utilise dans de nombreux montages et son tude prsente galement un intrt pdagogique.
1 Pont de Wheatstone
1.1 Pont lquilibre
On associe quatre rsistances R
1
R
4
selon le schma ci-contre.
R
C
est la rsistance dun dtecteur plac entre C et D (diagonale
du pont).Le pont est aliment entre A et B par un gnrateur de
f.e.m. E.
On dit que le pont est quilibr quand la diffrence de potentiel
entre les nuds C et D est nulle. Quand cette condition est
ralise, il ne circule aucun courant dans la branche CD. Les
courants i
1
et i
2
dune part et i
3
et i
4
dautre part sont gaux.
E = (R
1
+ R
2
)i
1
= (R
3
+ R
4
)i
3

A lquilibre : V
AC
= V
AD
= R
1
.i
1
= R
3
.i
3

3 2 4 1
4 3
3
2 1
1
R R R R
R R
E R
R R
E R
=
+
=
+

Lquilibre du pont est ralis quand les produits en croix des rsistances sont gaux.
En pratique, on place la rsistance inconnue en R
1
. R
2
est une rsistance connue ajustable et
R
3
et R
4
sont des rsistances fixes dont on connat le rapport (K = R
3
/R
4
). Le dtecteur est un
galvanomtre ou un comparateur lectronique. A lquilibre, R
1
= K.R
2
.
Cliquer ici pour accder au programme de simulation dun pont de Wheatstone.
1.2 Pont dsquilibr
La mthode la plus simple pour tudier le pont hors quilibre est de chercher lquivalent
Thvenin du circuit entre les bornes Cet D.
On retire R
C
: V
CB
= E.R
2
/(R
1
+ R
2
) ; V
DB
= E.R
4
/(R
3
+ R
4
) . La f.e.m. du gnrateur de
Thvenin est dont gale :

+
= =
4 3
4
2 1
2
CD T
R R
R
R R
R
E V E
Si la rsistance interne du gnrateur E est ngligeable, la rsistance du gnrateur quivalent
est gale (R
1
// R
2
) en srie avec (R
3
// R
4
) :
4 3
4 3
2 1
2 1
T
R R
R R
R R
R R
R
+
+
+
=
Dans beaucoup dasservissements utilisant des capteurs rsistifs, on utilise cette structure en
pont. Le capteur est plac dans une branche, les trois autres branches sont ralises avec des
rsistances fixes. Le signal derreur est la tension de dsquilibre du pont.
Cliquer ici pour accder au programme sur les gnrateurs de Thvenin.
(Etudier le circuit n 3)
E
A B
C
D
Rc
R3 R4
R2 R1
i
2
i
3
i
1
i
4
2 Ponts en courant alternatif
A la place du gnrateur continu, on utilise un gnrateur basse frquence et on remplace les
rsistances par des impdances. Les calculs raliss pour le pont de Wheatstone restent
valides condition de remplacer les rsistances par des impdances complexes.
Lquilibre du pont est ralis quand les produits en croix des impdances sont gaux.
En gnral, deux diples seront des rsistances pures de prcision. Le troisime sera
limpdance inconnue et le quatrime sera constitu de condensateurs de prcision associ
des rsistances des prcision. On vite de travailler avec des inductances car leur valeur varie
avec la frquence. Les possibilits dassociations sont assez nombreuses et nous allons
examiner les plus utilises.
2.1 Ponts P/Q
Dans les ponts P/Q , Z
3
et Z
4
sont des rsistances pures.
Z
1
= R
X
+ jX
X
est limpdance inconnue, Z
2
= R + jX est une
impdance variable et connue.
Lgalit des parties relles implique : P.R = Q.R
X
.
Celle des parties imaginaires implique P.X = Q.X
X
.
Soit :
R
X
= R.P/Q et X
X
= X.P/Q.
X
X
et X sont de mme signe : ce sont donc des impdances de
mme nature.
Le pont de Sauty.
Avec des condensateurs de bonne qualit (rsistance srie du condensateur R
X
ngligeable), il
est souvent inutile dutiliser une rsistance R avec le condensateur talon. Lquilibre est
obtenu en modifiant le rapport P/Q et alors C
X
= C.Q/P
Cliquer ici pour accder au programme de simulation dun pont de Sauty.
Le pont de Nernst.
Avec des condensateurs prsentant des fuites importantes, on utilise un pont P/Q parallle. Z
2

est un condensateur talon en parallle avec une rsistance R. Pour le condensateur tudier,
on utilise le modle parallle.
Exercice : montrer que R
X
= R.P/Q et que C
X
= C.Q/P (mmes relations que pour le pont de
Sauty).
2.2 Ponts P.Q
Dans les ponts P.Q , Z
3
= P et Z
4
= Q sont des rsistances pures.
Z
1
= R
X
+ jX
X
est limpdance inconnue, Z
2
= R + jX est une impdance variable et connue.
On a donc : P.Q = (R
X
+ jX
X
)( R + jX) = R.R
X
X.X
X
+ j(R.X
X
+ R
X
.X)
Donc P.Q = R.R
X
X.X
X
et R
X
/R = X
X
/X : Z
1
et Z
3
sont des diples de nature diffrentes.
Le pont de Maxwell.
Z
1
est une inductance inconnue ayant un facteur de
qualit Q = L/R mdiocre : on utilise donc le modle
srie. Z
3
est un condensateur ajustable en parallle
avec une rsistance ajustable.
A lquilibre, on a : R
X
= P.Q/R et L
X
= P.Q.C.
Il est souvent difficile dquilibrer un tel pont et on
procde souvent en deux tapes.
On commence par alimenter le pont en continu. Le
condensateur possde alors une impdance infinie et
linductance une impdance nulle.
E
C
P
R
Rx
D
Lx
Q
E
Cx
P Q
R Rx
D
C
A lquilibre, on obtient R
X
= R comme dans un pont de Wheatstone classique. Sans modifier
R, on alimente ensuite le pont en alternatif et on modifie C pour obtenir lquilibre.
Cliquer ici pour accder au programme de simulation dun pont de Maxwell.
Le pont de Hay.
Dans ce pont, on utilise le modle parallle pour linductance (inductances ayant un bon
facteur de qualit). Z
3
est un condensateur ajustable en srie avec une rsistance ajustable.
Montrer que les conditions dquilibre sont les mmes que celles du pont de Maxwell.
Selon le modle utilis pour linductance, les valeurs de L sont pratiquement identiques mais
par contre les valeurs de la rsistance sont trs diffrentes (faibles pour le modle srie et trs
grandes pour le modle parallle).
2.3 Ponts P.C (ponts de Owen)
Dans les ponts P.C , Z
3
= P est une rsistance pure ;
Z
4
est un condensateur idal.
Z
1
= R
X
+ jL
X
(modle srie) ou Z
1
= (R
X
// jL
X
)
(modle parallle) est une inductance inconnue, Z
2
est
une impdance variable.
Si on utilise le modle srie pour linductance, Z
2
est un
condensateur variable C
V
en srie avec une rsistance
ajustable R. Si on utilise le modle parallle pour
linductance, Z
2
est un condensateur variable C
V
en
parallle avec une rsistance ajustable R.
Montrer que dans les deux cas, on a :
R
X
= P.C/C
V
et L
X
= P.C.R
Ici encore, les ordres de grandeur des valeurs de R
X
sont trs diffrentes selon le modle
choisi.
2.4 Ponts P/C (ponts de Schring)
Dans les ponts P/C , Z
3
= P est une rsistance pure ;
Z
2
est un condensateur idal.
Z
1
= R
X
+ 1/jC
X
(modle srie) ou Z
1
= (R
X
// 1/jC
X
)
(modle parallle) est un condensateur inconnue, Z
4
est
une impdance variable.
Si on utilise le modle srie pour le condensateur, Z
4
est
un condensateur variable C
V
en parallle avec une
rsistance ajustable R. Si on utilise le modle parallle
pour le condensateur, Z
4
est un condensateur variable
C
V
en srie avec une rsistance ajustable R.
Montrer que dans les deux cas, on a :
R
X
= C
V
.P/C et C
X
= R.P/C
2.5 Pont de Robinson)
On considre un pont de Nernst dans lequel on fait
P = 2Q et C
X
= C. Les deux rsistances R sont couples
et possdent une commande unique.
Montrer qu lquilibre, on a : = 1/RC
Lappareil peut tre gradu directement en frquence.


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E
C
P
R
Rx
D
Lx
Cv
E
C
P
R
Rx
D
Cx
Cv
E
R
R
D
C
C
Q P = 2Q
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Les semi-conducteurs
1 Conduction lectrique
Dans le modle classique, un corps est isolant sil ne contient pas dlectrons mobiles. Dans un
conducteur, des lectrons sont peu lis aux noyaux et peuvent se dplacer dans le rseau cristallin.
Si n est la densit des lectrons libres, v leur vitesse moyenne, dans une barre de longueur L, de
section S avec une tension V entre les extrmits, la densit de courant J = I/S est gale J = n.e.v.
La vitesse des lectrons est proportionnelle la force laquelle ils sont soumis donc au champ
lectrique E = V/L. Si dsigne la mobilit, on a : v = .E
J = n.e..E = .E = E/
Le modle classique a t remplac par le modle quantique des bandes dnergie. Dans latome
isol les lectrons occupent des niveaux dnergie discrets. Dans un cristal, par suite des interactions
entre les atomes, ces niveaux discrets slargissent et les lectrons occupent des bandes dnergie
permises spares par des bandes interdites. La rpartition des lectrons dans les niveaux obit
aux lois de la thermodynamique statistique. Au zro absolu, seuls sont peupls les niveaux de plus
basse nergie.
Dans les isolants, les bandes dnergie les plus faibles sont entirement pleines. La hauteur de la
bande interdite est grande ( 5 eV). Il ny a pas de niveaux dnergie accessibles et pas de
conduction. Par exemple, la rsistivit du diamant est = 1.10
12

.m et celle du mica varie entre
10
10
.m et 10
15
.m.
Dans les conducteurs, la dernire bande occupe est partiellement remplie : il existe beaucoup
de niveaux disponibles et la conduction est grande. Pour des mtaux bons conducteurs, on obtient :

Ag
= 1,6.10
8
.m ;
Cu
= 1,7.10
8
.m ;
Al
= 2,8.10
8
.m
Pour les semi-conducteurs, le taux de remplissage de la dernire bande occupe est soit trs
faible soit trs important. La hauteur de la bande interdite est faible ( 1 eV). La conduction est
faible et varie beaucoup avec la temprature. Pour le silicium et le germanium, on mesure 300 K :

Si
= 2400 .m ;
Ge
= 0,5 .m
E
n
e
r
g
i
e
Isolant Conducteur
Bande interdite
Semi-conducteurs

Fig. 1
2 Semi-conducteurs
2.1 Structure des semi-conducteurs
Fig. 2 Diamant

La structure du silicium et du germanium est la mme que celle du
diamant (cubique Fd3m). Chaque atome est li 4 voisins placs
aux sommets dun ttradre par une liaison covalente : Ces
lments sont ttravalent .
La figure 3 correspond une reprsentation sur un plan de la
structure. Les traits figurent les lectrons de valence.
La thorie des bandes applique aux semi-conducteurs amne
considrer une bande de valence entirement pleine qui est
spare dune bande de conduction par une bande interdite
distante de lnergie E.

Fig 3
Si on apporte une nergie thermique ou lumineuse suffisante un
lectron, il peut passer de la bande de valence la bande de
conduction avec une probabilit P proportionnelle :
exp(E / kT)
E est lcart en nergie sparant les deux bandes.
T la temprature absolue.
k = 1,38.10

23
JK
-1
est la constante de Boltzmann.
Pour T = 300 K , kT = 0,0025 eV
Diamant E = 7 eV ; Silicium E = 1,12 eV ; Germanium E = 0,7 eV.
Dans un semi-conducteur, E est assez faible pour autoriser, temprature ambiante, le passage
dun petit nombre dlectrons de la bande de valence vers la bande de conduction.
2.2 Conduction par lectron et par trou
Si une liaison de valence est brise (agitation thermique,
photon ...) llectron devient mobile : il laisse un excs de charge
positive le trou (symbolis par un + dans un carr). Cette lacune
va tre comble par un lectron voisin libr par agitation thermique
et qui va son tour laisser un trou : ceux-ci semblent se dplacer
dans le rseau. Aux lectrons (masse positive, charge ngative)
correspondent des trous (masse ngative, charge positive). Le
dplacement des trous tant un processus deux tapes, leur
mobilit dans le rseau est plus faible que celle des lectrons.

Trous et lectrons constituent les porteurs libres intrinsques dont le nombre est fonction de la
temprature. La neutralit lectrique du matriau impose que les trous et les lectrons soient en
nombres identiques (n
i
et p
i
).
Pour le silicium pur 300 K, on mesure : ni = pi = 1,5.10
10
.cm
3
. Ce nombre est trs faible si on le
compare au nombre des atomes.
Toujours pour le silicium pur 300 K, les mobilits sont :

n
= 12.10
6
.mV
1
s
1
et
p
= 5.10
6
.mV
1
s
1
.
La conductivit intrinsque du matriau = e(n
i
.
n
+ p
i
.
p
) est trs faible.
Fig. 4
2.3 Semi-conducteurs dops ou extrinsques
Dans un matriau pur, on introduit des impurets par dopage. Pour que celui-ci soit contrlable, il
faut que le degr de puret initial global soit suprieur au taux du dopage. Les taux de dopage utiliss
sont de lordre de 10

8
10

11
. Une mole de silicium (28 g) correspond 6,023.10
23
atomes et la
densit du silicium est voisine de 7 : 1 cm
3
de silicium contient donc environ 1,5.10
23
atomes. Avec
un taux de dopage de lordre 10
10
, il y a environ 1,5.10
13

atomes dimpuret par cm
3
.
r r Dopage de type N
As
Si

Fig. 5
On introduit dans la matrice de silicium des atomes dimpurets
pentavalents tels que le phosphore P, larsenic As et lantimoine
Sb.
Chaque atome dimpuret amne un lectron de valence
supplmentaire. Cet lectron est peu li au noyau (E 0,01 eV) et
passe aisment dans la bande de conduction. La conductivit du
matriau (conductivit extrinsque) devient cause du taux de
dopage, trs suprieure celle du matriau pur. Les atomes
pentavalents ou donneurs deviennent des ions positifs aprs le
passage des lectrons excdentaires dans la bande de conduction.
Les donnes numriques prcdentes montrent que le nombre des lectrons dans le matriau,
fonction du taux de dopage, est suprieur au nombre des trous, fonction de la temprature, dun
facteur suprieur 10
3
. La conduction dite de type N (ngative) est assure par des lectrons. Les
lectrons sont les porteurs majoritaires.
r r Type P
On introduit dans le rseau une impuret trivalente : bore B, aluminium Al, gallium Ga, indium
In. Il manque limpuret un lectron de valence pour assurer les 4 liaisons avec les atomes de
silicium voisins. Un faible apport dnergie ( 0,05 eV) suffit pour quun lectron dun silicium voisin
soit capt par limpuret : il y a formation dun trou peu li et donc mobile. Les atomes trivalents
(accepteurs) deviennent des ions ngatifs par capture dun lectron. Compte tenu des taux de
dopage, ces trous sont beaucoup plus nombreux que les porteurs intrinsques du cristal pur. La
conduction de type P (positive) est assure par des trous.
Les trous sont les porteurs majoritaires.
2.4 Bandes dnergie des semi-conducteurs dops
Type N Type P
Bande de
conduction
Donneurs
Bande de
valence
T = 0 K T = 300 K
Bande de
conduction
Accepteurs
Bande de
valence
T = 0 K T = 300 K
Les atomes de pentavalents (donneurs) introduisent
des charges positives dans le rseau, charges qui
attirent les lectrons en crant ainsi de nouveaux
niveaux dont lnergie est lgrement infrieure
ceux de la bande de conduction du matriau pur. Si
on lve la temprature, ces lectrons peuvent
passer dans la bande de conduction.
Les atomes de trivalents (accepteurs), introduisent des
trous dans la bande de valence. Si on lve la
temprature, ces trous se comportent comme des
charges positives libres.
3 La jonction P-N
3.1 Jonction non polarise
Une jonction est constitue par la runion de deux morceaux de semi-conducteurs dops P et N
(jonction P-N). Les connexions avec le milieu extrieur sont ralises par des contacts mtalliques.
Par construction, les jonctions entre mtal et semi-conducteur sont purement ohmiques (non
redresseuses).
En pratique, on part dune plaque de silicium dope N sur laquelle on cre en gnral par
diffusion une zone dope P. On sait donner la zone de sparation entre les deux matriaux nomme
la zone de transition, une paisseur trs faible (typiquement 0,5 m). Dans cette zone, les taux de
dopages et donc le nombre de porteurs libres varient avec la distance.
u Dans la zone P les porteurs majoritaires sont les trous.
Les atomes accepteurs constituent un rseau dions ngatifs.
De mme dans la zone N les porteurs majoritaires sont les
lectrons. Les atomes donneurs constituent un rseau dions
positifs.
Les trous ont tendance gagner la zone N o ils se
recombinent avec des lectrons. De mme des lectrons de
la zone N vont combler des trous de la zone P.
Dans la zone de transition existe une charge despace due
aux charges non compenses des noyaux des impurets. En
labsence dune polarisation externe, existe un champ
lectrique interne qui soppose au mouvement des
porteurs majoritaires mais qui acclre les minoritaires. Il
existe au niveau de la jonction une barrire de potentiel dont
la hauteur est la diffrence entre les niveaux dnergie des
accepteurs et des donneurs.
Les porteurs minoritaires induisent le courant de
diffusion ; les porteurs majoritaires crent le courant
de saturation. En labsence de polarisation, ces deux
courants sont gaux.

u La diode se comporte comme un condensateur dont le
ple est la zone P et le ple + est la zone N. La zone de
transition ne contenant pas de porteurs mobiles constitue le
dilectrique de ce condensateur.
3.2 Jonction P-N polarise en inverse
Eext
Eint
P
N

Fig. 7
Dans cette situation, le champ lectrique externe cr par le
gnrateur de f.e.m. V
inv
sajoute au champ interne de la jonction : la
hauteur de la barrire de potentiel augmente. On montre que
lpaisseur d de la zone de transition est proportionnelle
inv
V .
Seul un courant de minoritaires est possible travers la jonction.
Cest le courant inverse ou courant de fuite.
A temprature ambiante, ce courant est trs faible (100 nA). Comme il dpend du nombre des
minoritaires, il est fonction de la temprature : pour le silicium, il est ngligeable en dessous de 110C
Concentration
Electrons
Trous
Densit de charge
Champ lectrique
Fig. 6
mais il devient si important au-dessus de 175C quil interdit le fonctionnement de la jonction en
diode. Pour le germanium le fonctionnement est impossible au-dessus de 85C.
3.3 Jonction P-N polarise en direct
Eext
Eint
P
N

Fig. 8
Dans cette situation le champ externe cr par le gnrateur
soppose au champ interne. Ds que le champ externe dpasse le
champ interne, un courant des majoritaires stablit travers la
jonction. Il existe pour une jonction P-N une tension de seuil qui
est caractristique du matriau :
Si : Vs 0,55 V
Ge : Vs 0,15 V
0 0
Pour des raisons historiques lies aux analogies entre les diodes et les redresseurs vide et
gaz, on nomme la zone P anode et la zone N cathode ..
3.4 Caractristiques courant-tension

Fig. 9
Caractristique directe
En dessous du seuil V
S
le courant est trs faible. Au-del,
on montre que le courant diode est li au courant de
saturation par :
I I e
D Sat
eV
kT
=

1
Le courant I
Sat
est appel courant inverse car si la diode
est polarise en inverse (V < 0) I
D
= I
Sat
. Ce courant
rsulte du dbit des charges (trous thermognrs et
lectrons) qui traversent la jonction sous laction du
champ lectrique. Pour une jonction de surface S, le
courant de saturation est donn par :
I A S e
Sat
W
kT
=

. .

(A est une constante fonction du dopage).
Pour une diode de signal au silicium, 300 K, I
Sat
est de lordre de 10 nA.
Toujours 300 K, = k.T / e 26 mV.
Au-del de la tension de seuil, on a : I
D
I
Sat
.exp(V / ).
La rsistance dynamique de la diode est alors donne par :
) mA (
) (
V
Sat
I
26
r
I
e . I
1
dV
dI
r
1
=

= =


Caractristique inverse
Si la temprature est faible, la caractristique est pratiquement confondue avec laxe I = 0. Le
courant inverse I
Inv
tant un courant de minoritaires crot avec la temprature.
Au-del dune certaine valeur de V
Inv
, il y a claquage de la jonction par effet davalanche.
Lpaisseur de la jonction tant trs faible, mme avec des potentiels peu levs, le champ lectrique
au niveau de la jonction peut tre trs grand. Sous leffet de ces champs intenses (E > 10
5
V.cm
1
),
il y a ionisation des atomes et production dlectrons, qui sont eux-mmes acclrs et qui
provoquent de nouvelles ionisations (avalanche) qui rendent la jonction conductrice : si rien ne limite
le courant, il y a destruction de la jonction par emballement thermique. La tension inverse admissible
varie selon les diodes entre 50 V et 2000 V.
3.5 Claquage inverse Zener
Pour des diodes trs fortement dopes et dont la zone de transition est trs mince, le champ
lectrique peut provoquer la rupture directe de liaisons covalentes et le passage dlectrons de la
bande de valence dans la bande de conduction. Pour des champs de lordre de 2.10
7
V.cm
1
, la
tension de claquage est de lordre de 6 V pour des diodes trs dopes. Le courant inverse crot
alors brutalement. Leffet est rversible et non destructif. La jonction prsente aprs le claquage
une rsistance dynamique trs faible.
Les diodes Zener ont un dopage important et en agissant sur lpaisseur de la zone de transition,
on peut ajuster la valeur de la tension (dite tension de Zener) au-del de laquelle se produit le
claquage entre 3 V et 200 V.
3.6 Limites dutilisation des diodes
La puissance dissipe dans une diode est gale au produit I.V
AK
. Lchauffement
correspondant produit par leffet Joule ne doit pas amener la temprature de la jonction au-dessus
dune valeur limite, fonction de la nature du matriau, afin que le courant inverse ne dpasse pas des
valeurs inacceptables. Pour le silicium cette temprature est de lordre de 185C.
La tension inverse doit rester infrieure la tension de claquage. Les diodes de redressement
sont peu dopes pour avoir une bonne tenue en inverse.
Le courant direct maximum admissible est conditionn par la puissance maximum que peut
dissiper la diode. Selon la surface de la jonction, le courant direct admissible peut varier entre
quelques milliampres pour une diode de signal et quelques dizaines dampres pour une diode de
puissance.

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La diode
1 La diode : un diple non linaire
1.1 Diode idale
Cest un diple lectrique unidirectionnel dont les bornes sont
lanode (A) et la cathode (K).
En polarisation directe cest--dire si U
A
> U
K
la rsistance de la
diode est nulle. Elle se comporte alors comme un interrupteur ferm.
En polarisation inverse (U
A
< U
K
), on a : R = . La diode est
quivalente un interrupteur ouvert.
Une diode idale ne dissipe donc aucune puissance.
1.2 Diode relle semi-conducteur
Lanode est la zone P dune jonction P-N. La zone de type N est la
cathode. En polarisation inverse, le courant inverse est trs faible
mais il crot rapidement avec la temprature de la jonction.
En polarisation directe, au-del de la tension de seuil (V
S
0,6 V
pour le silicium), la diode est conductrice. On peut dfinir en chaque
point P de la caractristique une rsistance statique (trait bleu) :
R
S
= V/I et une rsistance dynamique (trait vert) : r
D
= dV/dI.
Au-del de la tension de seuil, la rsistance dynamique est sensiblement constante.
1.3 Association de diodes
r r En srie : la caractristique du diple quivalent sobtient graphiquement en considrant que la
tension aux bornes de lensemble est la somme des tensions aux bornes des deux diodes. (Fig. 3)
On peut aussi utiliser cette construction pour tudier lassociation dune diode avec un autre
diple passif comme par exemple une rsistance pure.
U
I
D1
D2
Deq
DD
Fig. 3

r r En parallle : on peut utiliser une construction analogue en considrant cette fois quil y a
additivit des courants dans les deux diples. Lassociation en parallle des deux diodes ne prsente
aucun intrt pratique car tout le courant traverse la diode dont la tension de seuil est la plus faible.
1.4 Point de fonctionnement dune diode
On utilise la droite de charge du gnrateur. Lintersection de cette droite avec la caractristique
de la diode donne le point de fonctionnement.
U
U Cathode
Anode
I
I
Fig. 1
U
U seuil
P
I
mA
nA
Fig. 2
U
Vo
Pf
I
Vo
V
S
R
4-b : Circuit quivalent
Vo
U
D
I R
Fig. 4
R
D

V
0
R.I = V
AK
= U
1.5 Modlisation des diodes relles
Vs Vs
1/Rd
I I I

Fig. 5
Plusieurs modles sont utilisables pour les diodes jonction
P-N. Dans tous ces modles on suppose la rsistance
dynamique de la diode constante et gale R
D
.

On peut prendre R
D
= 0 et V
S
0, R
D
0 et V
S
= 0, R
D
0
et V
S
0. (Voir fig. 4-b)
2 Redressement du courant alternatif
2.1 Redressement simple alternance
La diode, prsentant une rsistance pratiquement infinie lorsquelle est polarise en inverse, peut tre
utilise pour obtenir un courant unidirectionnel partir dun courant alternatif tel que le courant
sinuso dal.
U
V moyen
t
e = Vsin t
D
U
Ru
R
Fig. 6
V
S

Dans le circuit de la figure 6, la diode est passante quand le potentiel de son anode est suprieur
de 0,6 V celui de sa cathode. Si on nglige les effets dus la tension de seuil, la charge Ru est
traverse par du courant uniquement pendant les alternances positives.
On pose : R
T
= R
diode
+ R
gn

e = V.sint = R
T
.I + U
Or : e = (R
T
+ R
U
).I
Si e > 0 R
diode
0 donc U = e.R
U
/(R
U
+ R
T
)
Si e < 0 R
diode
donc U = 0
Pour une tension sinuso dale dont une seule alternance est redresse, la valeur moyenne de la
tension est gale :

= =
V
T
2
T
V 2
t cos
T
V
dt . t sin . V
T
1
U
2 / T
0
2 / T
0

2.2 Redressement double alternance
r r Avec 2 diodes
Pour procder au redressement des deux alternances, il faut utiliser un transformateur ayant deux
enroulements secondaires identiques relis en srie et qui dlivre deux tensions opposes : e
1
= V.sin
t et e
2
= e
1
. Le point commun aux deux enroulements sert de rfrence de potentiel.
e1
I
D1
D2
U
Ru
e2
U
V moyen
t
Fig. 7

Si e
1
> 0 alors e
2
< 0 : la diode D
1
conduit et la diode D
2
est bloque. Lors de la demi-
alternance suivante, la situation est inverse. Le courant dans la charge Ru est unidirectionnel. Dans
ce montage, la tension inverse maximum supporte par chaque diode est 2V. (la tension inverse
supporte par la diode bloque est e
1
+ e
2
)
En rgime sinuso dal on a :
Eff
V
2
2
V 2
U

=
Cliquez ici pour voir une animation du fonctionnement du circuit.
r r Avec 4 diodes
La mthode prcdente ne ncessite que deux diodes mais impose lutilisation dun
transformateur spcial point milieu. Lutilisation de 4 diodes permet lemploi dun transformateur
conventionnel. Ce montage constitue le pont de Gratz. Il est commercialis sous la forme dun
dispositif compact muni de 4 bornes. Pendant chaque alternance 2 diodes sont conductrices : la
chute de tension dans le pont vaut 2 fois la tension seuil.
Mais dans ce cas, chaque diode nest soumise en inverse
qu la tension V.
Il nest pas indispensable dutiliser un transformateur mais
alors il ny a plus disolation galvanique entre le secteur et
le reste du montage.
Sur la figure, le trait en gris indique le parcours du courant pendant les
alternances positives.
Les flches en pointills correspondent aux alternances ngatives.

Cliquez ici pour voir une animation du fonctionnement du circuit.
2.3 Filtrage
La tension obtenue aprs redressement est unidirectionnelle mais elle nest pas continue. Le
signal obtenu est priodique ; il contient une composante continue (la valeur moyenne du signal) et
des harmoniques que lon dsire annuler : on fait suivre la cellule de redressement par un filtre qui
supprime les hautes frquences.
Le filtrage le plus simple fait appel un seul condensateur plac en parallle sur la charge et qui
se comporte comme un rservoir dnergie.
Priode de charge du condensateur :
Ds que V
A
> V
K
la diode est passante : le
condensateur se charge rapidement car la rsistance
de la diode est trs infrieure celle de la charge. On
peut dfinir la constante de temps de charge
c
= C.R
diode
. La tension crte atteinte aux bornes du
condensateur est gale V V
AK
: on admet que la
+
Ru

Fig. 8
U
e = Vsin t
D
fig 9
U

Ru R
C
rsistance de la charge est assez grande pour pouvoir ngliger le courant de dcharge dans R
U

devant le courant de charge.
Cliquez ici pour voir une animation du fonctionnement du circuit.
Dcharge du condensateur :
Ds que V
A
< V
K
, le gnrateur est isol de la charge par la
diode qui est bloque. Le condensateur se dcharge dans R
U

avec une constante de temps R
U
.C.
La qualit du filtrage est dautant meilleure que le courant de
dcharge est faible : il faut utiliser des condensateurs de capacit
leve pour obtenir une constante de temps de dcharge aussi
leve que possible.
Cliquez ici pour tudier une simulation de ce circuit.

Ondulation rsiduelle :
Le calcul rigoureux de lamplitude des variations de la tension de sortie est souvent impossible.
Puisque I(t) = C.dV(t)/dt, on a, en supposant I(t) constant :
dV = (I / C).dt
Comme valeur de dt, on peut prendre la priode du phnomne. Cette estimation est pessimiste car
la charge du condensateur dbute avant la fin de la priode. Lordre de grandeur de la tension
dondulation est donc V
I
C f
Ond
=
.
pour un redressement simple alternance dune tension de
frquence f. Londulation est nulle si la charge est infinie car le condensateur reste alors charg la
tension crte. Il est possible damliorer le lissage de la tension de sortie en utilisant un
redressement double alternance et en utilisant un filtre plus complexe (cellules en PI, en T, en L
comportant galement des rsistances ou des inductances) ou en faisant suivre les cellules de
redressement et de filtrage par une cellule active nomme rgulateur de tension .
2.4 Doubleurs de tension
Il existe diffrents dispositifs utilisant des diodes et qui permettent dobtenir une tension redresse
damplitude suprieure la valeur maximum de la tension dalimentation sinuso dale. Comme
exemple, dcrivons le doubleur Latour.
Le condensateur suprieur se charge pendant les alternances
positives et le condensateur infrieur pendant les alternances
ngatives. En sortie, la tension est de lordre de deux fois la tension
dalimentation. En prenant, comme potentiel de rfrence, le point
commun aux deux condensateurs, on dispose dune alimentation
symtrique U
Fig. 10
3 Autres applications des diodes
La liste suivante qui nest pas limitative donne un aperu des nombreuses applications des diodes
dans les montages lectroniques.
r Dtection (Fig. 11a)
La diode transmet en sortie les tensions positives suprieures sa tension de seuil. A cause de cet
effet de seuil, les diodes sont rarement utilises seules dans les circuits dtecteurs. On peut ajouter au
signal tudi une composante continue qui placera la zone de travail de la diode au-del du seuil.
U
t
U
U
a
b
c d
+12 V
E
E
Accu 3,6 V
S
C
h
a
r
g
e
Alim.
5 V

Fig. 11
r Porte logique (Fig. 11b)
En cas de coupure de lalimentation principale, un accumulateur de sauvegarde prend
automatiquement le relais et alimente la charge.
r Ecrteur (Fig. 11c)
La charge du montage figure le circuit dentre dun amplificateur dont la tension dentre doit
imprativement rester infrieure 1 V. Tant que la tension dentre reste infrieure la tension de
seuil, les diodes prsentent une impdance infinie. Si la tension de seuil est dpasse une des deux
diodes entre en conduction et protge ainsi des surcharges lentre de lamplificateur.
r Protection de contact (Fig. 11d)
Louverture dun circuit inductif pose le problme du courant de rupture qui dgrade les contacts
cause de la cration dun arc entre ceux-ci. La diode monte en parallle sur la bobine permet la
dissipation de lnergie emmagasine dans celle-ci et protge ainsi les contacts.
4 Diodes spciales
4.1 Diodes faible capacit
La jonction P-N polarise en inverse se comporte comme une capacit. Cette capacit parasite de
la diode perturbe son fonctionnement en haute frquence. Pour rduire la capacit on diminue la
surface de la jonction (diodes pointe dor ou microjonction). La capacit ainsi obtenue est une
fraction de picofarad.
4.2 Diodes de commutation
Pour une diode polarise, il y a concentration des porteurs minoritaires de part et dautre de la
jonction. Les concentrations sont diffrentes pour une polarisation en direct ou en inverse. Lors
dune transition, les porteurs en excs doivent retraverser la jonction (temps de dstockage). Puis le
passage dun tat lautre ncessite le temps que les nouveaux minoritaires mettent diffuser
travers la jonction (temps de transition). La dure totale de linversion (temps de recouvrement t
R
)
peut atteindre 1 s pour les diodes de puissance. Pour les diodes de commutation rapide (t
R
1 ns),
on utilise de lor comme dopant afin de diminuer la dure des temps de recombinaison des porteurs
de charges.
4.3 Diodes Schottky
Les fils de connexion avec la jonction de la diode doivent former des liaisons non directionnelles
(ohmiques). Ceci est ralis en crant une zone trs dope (N
+
ou P
+
) au voisinage du conducteur
mtallique. Dans les diodes Schottky, la jonction P-N est remplace par la
jonction dun mtal avec un semi-conducteur peu dop (de type N car les
porteurs sont plus mobiles). Si le mtal (anode) est positif par rapport la zone
N (cathode) la jonction est conductrice. Cette diode qui ne fait intervenir quun
seul type de porteurs, prsente une capacit beaucoup plus faible que les diodes classiques. Ces
diodes ont une faible tension de seuil ( 0,25V) et elles ont des temps de recouvrement trs brefs (il
ny a pas de minoritaires dans un mtal). On peut donner la jonction une surface importante ce qui
autorise le passage de courants intenses.
4.4 Diodes varicaps
La zone vide de porteurs dune jonction polarise en inverse voit son paisseur augmenter si on
augmente la tension inverse. Cette zone joue le rle du dilectrique dun condensateur. Si lpaisseur
de cette zone augmente la capacit diminue car C= .S/e. On obtient un condensateur dont la
capacit est fonction de la tension inverse applique selon une loi du type : C C
C
V
inv
= +
+
0
1
1 2

Si on insre une telle diode dans un circuit oscillant, on peut rgler la frquence de rsonance du
circuit en agissant sur la tension de commande de la diode au lieu dagir mcaniquement sur un
condensateur variable.
4.5 Diodes Zener
r r Caractristiques
Si lpaisseur de la jonction est faible et si le taux de dopage est important, on obtient des diodes
qui prsentent un courant inverse intense au-del dune valeur V
Z
de la tension inverse qui est la
tension de coude ou de Zener.
Le claquage inverse de la jonction rsulte soit dun claquage
par avalanche par ionisations dans la zone de dpltion par les
porteurs, soit dun claquage par effet Zener qui correspond au
passage des lectrons de la bande de valence la bande de
conduction sous leffet du champ lectrique.
Si la construction de la diode permet la dissipation de la
puissance dgage, le claquage est rversible. On obtient
alors une diode Zener. Sa caractristique directe est identique
celle dune diode classique.
Pour les diodes Zener avec V
Z
6 V, la rsistance
dynamique est voisine de quelques ohms et le coude trs
brutal. (claquage par avalanche). Pour V
Z
< 6 V le coude est
arrondi car il y a claquage par effet Zener. Si V
Z
est trs suprieur 6 V la rsistance dynamique
augmente. Selon le courant dbit, la tension aux bornes de la diode sera dautant plus stable que la
rsistance dynamique de celle-ci sera faible. Les diodes tunnels sont des diodes Zener dont le
dopage est si grand que la tension inverse est nulle. Leur caractristique prsentant une zone de
pente ngative ces diodes sont utilises dans des circuits oscillateurs.
r r Stabilisation de tension
Il est possible de raliser un stabilisateur de tension en utilisant une diode Zener. On suppose que le
courant inverse I
Z
dans la diode est tel que le point de fonctionnement est situ dans la partie linaire
de la caractristique. Il est alors possible de modliser la diode par lassociation dune source de
tension V
Z
en srie avec une rsistance R
Z
(rsistance dynamique inverse de la diode).
E
Iz
Iu
Dz
U
Ru
R

Fig. 13
E
Iz
Rz
Iu
Vz
U
Ru
R

Fig. 14
Fig. 12
Remplaons le gnrateur (tension E et rsistance R) et la rsistance de charge par leur quivalent
Thvenin : E E
Ru
R Ru
R
R Ru
R Ru
T T
=
+
=
+
;
.
.
Le point de fonctionnement de la diode est obtenu en cherchant
lintersection de sa caractristique U = V
Z
+ R
Z
.I
Z
avec la droite de
charge dquation U = E
T
R
T
.I
Z
.
On retrouve graphiquement le fait que le systme ne fonctionne que
si E
T
> V
Z
.

Fig 15 Cliquez ici pour tudier ce circuit.
Rz = 0. Si la charge varie, (stabilisation amont) les courants dans la charge et dans la diode varient
mais U reste constant car la pente de la droite de charge varie. De mme si la tension du gnrateur
varie (stabilisation aval) U reste galement constant car la droite de charge se dplace paralllement
elle-mme.
Rz 0. U varie avec les paramtres extrieurs. Pour la stabilisation aval (variation E = e de E), on
peut dterminer u= U en recherchant les intersections de la caractristique avec les droites de
charge qui correspondent aux valeurs extrmes de E. Il est plus efficace dtudier le schma
quivalent au montage en rgime de petits signaux. Le gnrateur est remplac par un gnrateur de
f.e.m. E = e, la diode par sa rsistance R
Z
puisque V
Z
est constant.
e
Rz
u
Ru
R


u = U = r.i
avec r = Ru.R
Z
/(Ru + R
Z
) et i = e/(R + r)
Comme R
Z
est petit, r R
Z
. On en dduit :
u = e.R
Z
/(R + R
Z
)
La stabilisation est dautant meilleure que R
Z
est petite.
Fig 16
REMARQUES :
La puissance (P
Z
= U
Z
.I
Z
) dissipe dans la diode doit toujours rester infrieure la puissance
maximale autorise. V
Z
varie avec la temprature et pour certaines applications, il est ncessaire
den tenir compte.
Il est possible dobtenir une stabilisation beaucoup plus efficace en utilisant des montages
transistors ou des rgulateurs tripodes intgrs.

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U
E V
P
I
Z
Z
F
T
R > 0
Z
R = 0
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Le transistor bipolaire
1 Gnralits
1.1 Structure dun transistor
La juxtaposition de deux jonctions P-N conduit au transistor

1
(de langlais transfert resistor)
jonctions dans lequel interviennent les deux types de porteurs d'o lappellation de transistor
bipolaire. Dautres types de transistors (transistor effet de champ, transistor unijonction)
seront tudis ultrieurement.
On doit envisager les configurations NPN et PNP. Les trois
lectrodes dun transistor bipolaire se nomment : metteur,
base et collecteur. Pour un NPN on a :
un metteur (zone N) fortement dop,
une base (zone P) trs mince et faiblement dope,
un collecteur (zone N) peu dop.
La structure relle est trs diffrente du schma de principe et
dpend de la mthode de fabrication du transistor (alliage,
diffusion, pitaxie).
Du fait des diffrences de dopage entre lmetteur et le
collecteur, le transistor ne fonctionne pas comme deux diodes
montes tte-bche.
Sur le schma lectrique du transistor une flche marque la jonction base-metteur. Cette
flche est oriente dans le sens o la jonction base-metteur est passante.
1.2 Courants travers les jonctions
I
I
I I
I
I
be
bc
ec0 ce0
eb0
cb0

Fig. 2
On mesure les courants entre deux lectrodes relies un
gnrateur quand la troisime est dconnecte.
Jonction Base-Emetteur.
En polarisation directe, I
BE
est intense. Par contre en
polarisation inverse I
EB0
est trs faible.
Jonction Base-Collecteur.
En polarisation directe, I
BC
est intense. En polarisation inverse
I
CB0
est trs trs faible.
En effet, le dopage du collecteur tant faible celui-ci contient
peu de porteurs libres.
Espace Emetteur-Collecteur.
Si la jonction BE est polarise en inverse, I
EC0
est trs faible
mais on a : I
EC0
>I
EB0

Si la jonction BE est polarise en direct, on mesure un I
CE0
trs
faible avec :
I
CE0
>I
EB0
>>I
CB0



1
Invent en 1948 par Bardeen, Brattain et Shockley (Prix Nobel en 1956)
Fig. 1
E
C
B B
C
E
Collecteur
Emetteur
Base
PNP NPN
P
N
"
Le transistor ne fonctionne donc pas de manire symtrique. Le collecteur et
lmetteur ayant des taux de dopage trs diffrents ne peuvent pas tre permuts.
2 Effet transistor
2.1 Etude exprimentale
Par convention on considre les courants qui pntrent dans le transistor comme tant positifs.
La conservation de la charge donne :
I
C
+ I
B
+ I
E
= 0
Ib
Ic

Fig. 3
On utilise un transistor NPN dont on polarise les lectrodes pour
faire en sorte que : V
E
< V
B
< V
C
La jonction BE est donc polarise en direct et la jonction BC en
inverse. Pour un transistor, on a mesur :
I
E
= 100 mA, I
C
=99 mA I
B
=1 mA
Le courant dmetteur traverse presque totalement la base et la jonction BC, pourtant
polarise en inverse, pour parvenir au collecteur.
REMARQUE : Pour un transistor PNP, il faut inverser tous les sens des courants et la polarit
des gnrateurs pour obtenir V
E
>V
B
>V
C
2.2 Interprtation du fonctionnement
Emetteur N
Electrons
Trous
(minoritaires)
Crations
de paires
Recombinaisons
Base P Collecteur N
Ie
Ie
Ie
Ie
Ib
Icb0

(1)
Fig 4
Par construction la base est trs mince et faiblement dope. Par contre lmetteur est trs
dop et contient donc beaucoup de porteurs majoritaires.
La jonction BE est polarise en direct : il y a diffusion dlectrons de lmetteur vers la base et
diffusion de trous dans le sens inverse. Il y a des recombinaisons lectrons-trous dans la base
mais comme le nombre dlectrons injects est trs suprieur au nombre de trous et comme la
base est trs mince (e <1 m), beaucoup dlectrons chappent aux recombinaisons, sont
acclrs par le champ interne de la jonction base-collecteur et traversent cette jonction.
A ct du courant de majoritaires existe un courant beaucoup
plus faible de minoritaires (I
CB0
) qui est fonction de la
temprature. La largeur de la zone appauvrie en porteurs de la
jonction BC qui est polarise en inverse diminue si V
BE
restant
constant la valeur de
CE
V augmente.
Fig. 5
N
lectrons
injects
(mis)
jonction
B-C
N P
lectrons
collects
champ
interne
2.3 Relations fondamentales
Avec les notations de la figure 4, le courant de collecteur scrit :
I
C
= .I
E
+I
CB0

=1 ( petit). Pour le transistor de lexemple du 2.1, =0,99
De plus : I
C
+I
B
+I
E
=0
I
C
= (I
C
+I
B
) +I
CB0
I
C
(1 ) =.I
B
+I
CB0

I I I
C B CB
=

1
1
1
0
On pose :

=
1 1
donc : +1=
1

B 0 CB B C
I . I ). 1 ( I . I + + =

"
Le courant collecteur est sensiblement gal fois le courant de base.
Si I
B
=0 alors I
C
=( +1).I
CB0
=I
CE0
. Le courant I
CB0
rsulte dun courant de minoritaires
qui se recombinent au niveau de la base et du courant inverse de la jonction CB. Il varie
fortement avec la temprature : pour le silicium il double tous les 10C. Mais comme il vaut
seulement quelques nanoampres la temprature ambiante ces transistors sont utilisables
jusqu environ 200C.
3 Rseaux de caractristiques
Pour caractriser compltement le fonctionnement dun transistor, il faut dterminer 6
grandeurs : I
C
, I
B
, I
E
et V
CE
, V
BE
, V
BC
.
Les relations : I
C
+I
B
+I
E
=0 et V
CE
+V
BE
+V
BC
=0 font quen fait quatre de ces grandeurs
sont indpendantes.
On considre le transistor comme un quadriple dont une lectrode est commune lentre et
la sortie. Trois montages sont donc envisager :
Base commune utilis en haute frquence et qui ne sera pas tudi ici
Collecteur commun utilis en adaptation dimpdance
Emetteur commun utilis en amplification et le plus commun.
3.1 Le montage metteur commun

I
I
V
V
CE
BE
B C

Fig. 6
Les bornes d'entre du triple sont la base et lmetteur ; les
grandeurs dentre sont : I
B
et V
BE
.
La sortie se fait entre le collecteur et lmetteur ; les grandeurs
correspondantes sont : I
C
et V
CE
.
On utilise les paramtres hybrides dont lintrt sera justifi aprs
la description des caractristiques.
V
I
H H
H H
.
I
V
BE
C
11 12
21 22
B
CE


3.2 Montage pour le relev des caractristiques
Pour procder au relev des caractristiques, on utilise le montage ci-dessous. Les
paramtres dentre I
B
et V
BE
sont maintenus constants et on mesure I
C
lorsque V
CE
varie. On
constate avec ce montage linfluence de la temprature sur les valeurs mesures. Pour limiter
l'auto-chauffement du transistor par le courant du collecteur, il ne faut appliquer les tensions
que pendant la dure de la mesure.
I
V
I
V
B
C
CE
BE
Rp
R
A
mV
V
mA
G2
G1 =5 V
Fig 7
3.3 Rseaux des caractristiques
On tudie un transistor au silicium de faible puissance. Pour les transistors au silicium la
tension de seuil de la jonction metteur-base est voisine de 0,6 V.
# Rseau de sortie
Cest le rseau I
C
=f(V
CE
) avec I
B
comme paramtre (coefficient H
22
).
Dans ce rseau (trac en rouge), on distingue 3 zones :
$ V
CE
<0,25 V V
CB
=V
CE
V
EB
=0,25 V 0,65 V = 0,4 V
La jonction BC est polarise en direct : I
C
varie linairement avec V
CE
.
$ V
CE
grand : il y a claquage inverse de la jonction et croissance du courant par avalanche. Il
est souvent destructif ! Sur le schma seule la premire caractristique a t prolonge
jusquau claquage. Selon les transistors la tension de claquage varie de 30 V 250 V.
$ V
CE
intermdiaires : le courant collecteur est donn par la relation :
I
C
=.I
B
+I
CE0
+k.V
CE

Il y a une lgre croissance du courant avec V
CE
. Plus cette tension crot et plus la zone o les
recombinaisons lectrons-trous se produisent est troite. Cette dpendance du courant
collecteur avec la tension de sortie se nomme leffet Early. Les prolongements des parties
rectilignes des caractristiques vers les V
CE
ngatifs coupent laxe I
C
=0 au point V
CE
=V
Early

( 50 100 V)
Fig 8 : partir des valeurs de deux grandeurs, on peut dduire celles des deux autres
I
V
V
V
V
V
5
I
I
I
I
10
500
V
(mA)
(V)
=0
=0
>0,65 V
=8 V
(A)
=20 A
=60 A
=60 A
(mV)
CE0
CE
CE
CE
CE
CE
B
B
B
B
BE
I
C
En pratique, on utilisera la relation simplifie : I
C
=.I
B

est le gain en courant du transistor. Suivant le type des transistors et les conditions de
fabrication, sa valeur varie entre 20 et 500. Le gain des transistors de puissance est faible. Des
transistors de mme rfrence peuvent avoir des gains trs diffrents. Le gain varie avec le
courant collecteur, la tension V
CE
et la temprature (terme I
CE0
). La diminution de la largeur
de base utile quand V
CE
crot limite les possibilits de recombinaisons lectron-trou et fait
crotre trs lgrement . Mais si par exemple varie de 0,995 0,996 alors varie de 200
250.
La valeur leve de justifie les deux approximations suivantes souvent utilises dans les
calculs : I
B
<< I
C
I
E
I
C

I
B
tant fois plus faible que I
C

, on peut considrer en premire approximation que la
puissance dissipe dans le transistor est : P =V
CE
.I
C
.
Si la temprature augmente I
CE0
crot et tout le rseau se translate vers les I
C
croissants. I
C

augmentant, la puissance dissipe au niveau du collecteur crot et la temprature du transistor
augmente : si on ne limite pas ce phnomne cumulatif, le transistor peut tre dtruit par
emballement thermique.
# Rseau de transfert en courant
Cest le rseau I
C
=f(I
B
) avec V
CE
comme paramtre (coefficient H
21
).
Ce rseau est constitu par un ventail de courbes presque linaires passant par le point
I
B
=0 et I
C
=I
CE0
. (I
C
=.I
B
+I
CE0
).
# Rseau dentre
Cest le rseau I
B
=f(V
BE
) avec V
CE
comme paramtre (coefficient H
11
-1
).
Ds que V
CE
est suprieur 0,65 V, toutes les courbes sont pratiquement confondues car
linfluence de la tension de sortie sur le courant dentre est ngligeable. La courbe est
identique la caractristique dune diode qui est constitue par la jonction base metteur.
Pour un transistor au silicium, V
BE
varie trs peu et reste voisin de la tension de seuil de la
jonction base-metteur soit 0,65 V.
# Rseau de transfert en tension
Cest le rseau V
BE
=f(V
CE
) avec I
B
comme paramtre (coefficient H
12
).
On constate que les variations de la tension de sortie sont sans effet sur la tension dentre.
4 Paramtres en h, circuit quivalent
4.1 Dfinition des paramtres
Lexamen des caractristiques du transistor montre quil existe des zones o son
comportement est pratiquement linaire. Si lon choisit le point de fonctionnement dans ces
zones linaires, on peut crire que les variations des grandeurs dentre et de sortie (notes
avec des minuscules !) sont relies par les relations :
v
i
h h
h h
.
i
v
BE
C
11 12
21 22
B
CE


Les paramtres h
ij
de cette matrice hybride sont les drivs des paramtres H
ij
au voisinage
du point de fonctionnement tudi.
4.2 Interprtation des paramtres
# h
11
=v
BE
/ i
B
V
CE
=Constante.
Cest la rsistance dentre du transistor. Cest aussi la pente de la caractristique
dentre.
On a vu que pour une diode le courant direct est : I
B
I
Sat
.exp(e.V
BE

/ kT).
Donc h
11
=dV
BE
/dI
B
=(kT/e).(1/ I
B
). Comme I
C
.I
B
, on en dduit la relation suivante
valable temprature ambiante pour tous les transistors.
h
I
h I
C
C 11 11
26

( en , en mA)
# h
21
=i
C
/ i
B
V
CE
=Constante.
Cest le gain en courant du transistor. Il est trs voisin de qui est la pente de la
caractristique de transfert en courant.
# h
22
=i
C
/ v
CE
I
B
=Constante.
Cest ladmittance de sortie du transistor. Elle est en gnral faible et correspond la
pente des caractristiques du rseau de sortie ; h
22
est fonction du courant collecteur ; h
22
1

est de lordre de 20 k pour des courants collecteurs de lordre de quelques milliampres.
# h
12
=v
BE
/ v
CE
I
B
=Constante.
Cest la pente des caractristiques du rseau de transfert en tension. Ce paramtre tant
voisin de zro (typiquement 10
5
10
6
) sera toujours nglig.
4.3 Schma quivalent simplifi
En fait, il existe des capacits entre les lectrodes dun transistor. Ces capacits sont faibles
et prsentent en basse frquence des impdances si grandes que lon peut ngliger leurs effets.
Par contre en haute frquence, les impdances de ces capacits parasites modifient le
fonctionnement du transistor.
Si on nglige les capacits entre les lectrodes,
on obtient le schma quivalent suivant, valable
uniquement en basse frquence, qui est la
traduction graphique du modle hybride du
transistor. Il relie donc les variations des grandeurs
dentre et de sortie.
On suppose que le transistor est plac son point de
fonctionnement, dans la zone linaire des
caractristiques, par application de potentiels
continus convenables sur les trois lectrodes.
Cette opration se nomme la polarisation du
transistor.
Comme h
12
est voisin de 0 et que h
22
est petit, on
peut encore simplifier le schma. Dans ce modle, le
transistor se ramne un circuit dentre qui est la
rsistance h
11
et un circuit de sortie constitu par
un gnrateur de courant i
C
=i
B
.
Les variations du courant de sortie sont gales fois celles du courant dentre.

"
Le transistor bipolaire est un amplificateur de courant..
4.4 Pente dun transistor
On dfinit la pente s dun transistor par le rapport dI
C
/ dV
BE

v
v
h
B C
E E
h
h .v
h
h
.i
.i
h
1
v
v
i
i
i
i
i i i
BE
BE
11
11
12 CE
21
21
B
B
22
CE
CE
C
C
B
B
B E C
Fig. 9
s
i
v
C
BE
=
h
h
21
11

En effet, dans le modle simplifi, on a : i
C
=h
21
.i
B
et v
BE
=h
11
.i
B

De plus h
11
=kT/e.I
B
. Donc : s =h
21
/(kT/e.I
B
) =h
21
.I
B
/(kT/e) =e.I
C
/kT
A temprature ambiante, la pente dun transistor quelconque est :
s I
mA V C mA ( / ) ( )
. = 38
Linverse de la pente est le quotient v
BE
/i
E
=h
11
.i
B
/h
21
.i
B
. Il correspond donc la
rsistance dynamique de la diode dentre et il est not r
E
=h
11
/ h
21
.
Sa valeur 300 K est r
E
=26 .
5 Conclusions
Pour un transistor bipolaire polaris correctement (V
E
<V
B
<V
C
pour un NPN), les
courants base et collecteur sont relis par la relation : I
C
=.I
B
; les variations des courants
base et collecteur sont relies par : i
C
=h
21
.i
B
. Les valeurs statique et dynamique h
21
du gain
en courant sont voisines.
Le gain varie avec le courant collecteur et avec la temprature (dans un rapport pouvant
atteindre 5 ou 6 dans les cas dfavorables).
La rsistance dentre diminue avec le courant collecteur. De lordre de 1 k pour un
transistor petits signaux elle est seulement de lordre de la dizaine dohms pour les
transistors de puissance. La rsistance de sortie est relativement grande ( 20 k) et on peut
souvent la ngliger dans les calculs sans commettre une erreur importante.
Les relations I
C
=.I
B
et I
B
I
Sat
.exp(e.V
BE

/ kT) donnent la dpendance entre le courant
collecteur et la tension dentre.
Quand V
BE
crot de 60 mV, I
C
est multipli par un facteur 10 !
"
Au voisinage du point de fonctionnement, on peut considrer la tension base-
metteur comme constante et gale un seuil de diode soit 0,65 V pour un
transistor au silicium.
A cause de la dispersion importante des valeurs du gain en courant et de ses possibles
variations en cours de fonctionnement, les montages calculs pour une valeur particulire du
gain sont de mauvais montages : le remplacement du transistor impose galement celui des
composants priphriques utiliss pour le polariser correctement.

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Substrat p
Base p (0,7m)
Emetteur n+ Isolement p+
Collecteur n
Contact (Al)
Coupe transversale d'un transistor de type
"planar" ralis par diffusion
transistor
de puissance
transistor
petits signaux

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Montage metteur commun
1 Polarisation dun transistor
1.1 Rle de la polarisation
La polarisation a pour rle de placer le point de fonctionnement du transistor dans une zone o ses
caractristiques sont linaires.
Ub
Uc
Rc
Rg

Fig 1
Pour cela, on applique sur les trois lectrodes du transistor des
potentiels continus de valeurs convenables.
Nous allons tudier les montages dans lesquels llectrode
commune est lmetteur.
En entre, on impose I
B
et V
BE
et en sortie, on dduit I
C
et V
CE
.
1.2 Point de fonctionnement
A partir des rseaux de caractristiques, il est ais de dterminer le point de fonctionnement.
V
V
V V
I
I
I
I
d
r
o
it
e

d
e

c
h
a
r
g
e

s
t
a
t
i
q
u
e
d
r
o
i
t
e

d
'
a
t
t
a
q
u
e

s
t
a
t
i
q
u
e
2
1
BF
BE
BEF
B
CF
C
CEF CE
Fig 2
La connaissance du point de repos lentre permet de dduire, via la caractristique de transfert
en courant, la valeur du courant de sortie et donc de dterminer le point de repos en sortie .
r En entre, le gnrateur U
B
dbite dans la rsistance R
G
et dans la jonction base-metteur du
transistor. Comme les caractristiques dentre sont confondues ds que V
CE
> 0,65 V, le point
dentre est dfini par lintersection de la caractristique dentre du transistor avec la droite de charge
de ce gnrateur. Lquation de cette droite, dite droite dattaque est : V
BE
= U
B
R
B
.I
B

r La connaissance du point dentre (I
BF
, V
BEF
) permet la dtermination, via le rseau de transfert en
courant, du courant de sortie I
CF
.
r En sortie, lquation de la droite de charge du gnrateur U
C
qui dbite dans R
C
et dans lespace
collecteur metteur du transistor est :
V
CE
= U
C
R
C
.I
C

Lintersection de la caractristique de sortie du transistor (correspondant au courant I
BF
dentre) avec
la droite de charge de ce gnrateur dfinit le point de repos en sortie caractris par I
CF
et V
CEF

1.3 Ralisations pratiques de la polarisation
Le montage de la figure 1 est fonctionnel, mais il ncessite deux sources de tension. En pratique, les
montages utilisent un seul gnrateur continu.
r r Polarisation par rsistance de base
Si ce montage est trs simple, il est aussi sensible la drive thermique. En effet : I
C
= I
B
+ I
CE0
. Un
accroissement du courant I
C
entrane une lvation de temprature de la jonction BC et un
accroissement de I
CE0
et par suite de I
C
.
Ce type de polarisation ne devrait jamaistre employ pour un transistor utilis en amplificateur. Nous
verrons ultrieurement quil est tolrable pour un transistor utilis en commutation.
E C
B
M
E
Rc
Rb

Fig 3
La loi des mailles permet dcrire :
V
BE
= E R
B
.I
B
(avec V
BE
0,65 V)
I
B
= (E V
BE
)/R
B
E/R
B

Pour le circuit de sortie, on peut crire :
V
CE
= E R
C
.I
C

r r Polarisation par raction dmetteur
E
M
Rc Rb
Ic
Ie
Re

Fig 4
Lintroduction dune rsistance entre lmetteur et la masse est une
faon de compenser les variations de . Si le gain augmente, I
C
et donc
I
E
augmentent. Le potentiel dmetteur (V
EM
= R
E
.I
C
) crot ainsi que le
potentiel de base (V
BE
0,65 V) ce qui diminue ainsi le courant base
puisque I
B
= (E V
BM
)/R
B
.
Le mot raction signifie quune grandeur de sortie (I
C
) fait varier
une grandeur dentre (I
B
).
Llment de raction (commun lentre et la sortie) est ici la
rsistance dmetteur.
r r Polarisation par raction de collecteur
E
M
Rc
Rb
Ic

Fig. 5
Si le gain augmente, I
C
augmente donc V
CE
diminue (en effet V
CE
= E
R
C
.I
C
) ainsi que la diffrence de potentiel aux bornes de la rsistance de
base. Le courant base diminue et contrebalance laccroissement du gain.
Cette mthode, bien que meilleure que la prcdente, nest pas trs
satisfaisante.
r r Par pont de base et rsistance dmetteur
Pour rendre indpendant le courant collecteur des variations du gain, on utilise un diviseur de tension
nomm pont de base .

E
M
R R
I
I
I
I
R
R
1
1
C
C
E
B
E
2

Fig. 6
Le pont diviseur maintient constant V
BM
condition que les variations du
courant base puissent tre ngliges devant le courant I
1
qui circule dans
les rsistances du pont de base. V
BM
= R
2
.I
1

V
BM
= V
BE
+ V
EM
et V
BE
(0,65 V).
I
E
= V
EM
/R
E
= (R
2
.I
1
0,65)/R
E

Mais comme I
B
<< I
C

on a : I
C
I
E

La valeur de I
C
est indpendante du gain.

F
En imposant le potentiel de la base, on impose le potentiel de lmetteur donc le courant
dmetteur et donc le courant de collecteur.
REMARQUE :

Et
E
Rc Ic
Re
Rt
Ib
Fig. 7
En remplaant R
1
et R
2
par le gnrateur de Thvenin
quivalent, on tire :
2 1
2 1
T
2 1
2
T
R R
R . R
R ;
R R
R
E E
+
=
+
=
Soit : V
BM
= E
T
R
T
.I
B


Si I
B
<< I
1
alors V
BM
= E
T

2 Transistor en rgime variable
Daprs le principe de superposition, il est possible de sparer ltude du rgime continu
(polarisation) de celle du rgime variable.
Le transistor est plac, par la polarisation, dans une zone o ses caractristiques sont linaires (I
BF
,
V
BEF
, I
CF
et V
CEF
). On applique sur sa base un signal variable qui va provoquer des variations i
B
du
courant base I
BF
. Ces variations sont amplifies par le transistor et son courant de sortie I
C
prsente des
variations i
C
par rapport la valeur au repos I
CF
. Le gnrateur continu E permet la polarisation. Cest
aussi lui qui fournira lnergie ncessaire lamplification du signal.
2.1 Schma du montage utilis

E
Rc R1
Re
Cd
Cs
Ce
I1 Ic
Ie
M
R2 ve
vs

Fig. 8
On utilise une polarisation par pont de base et rsistance
dmetteur.
C
E
et C
S
sont des condensateurs de liaison. Leur rle est
de permettre le passage des signaux dentre et de sortie
sans que les potentiels continus prsents sur la base et le
collecteur du transistor influent sur le fonctionnement du
gnrateur et de ltage suivant. Leur impdance infinie en
continu doit tre trs faible en rgime variable. On utilise des
condensateurs polariss de forte valeur (> 50F) pour que
leurs impdances restent trs faibles mme pour les basses
frquences.
La rsistance dmetteur R
E
est ncessaire pour polariser correctement le transistor, mais sa
prsence diminue beaucoup le gain en rgime variable. On place, en parallle cette rsistance, un
condensateur de forte valeur (C
D
) qui se comporte comme un court-circuit en alternatif et comme une
impdance infinie en continu. C
D
est un condensateur de dcouplage. Ce montage est nomm
metteur commun dcoupl .
La tension de repos entre le collecteur et lmetteur est choisie pour obtenir V
CEF
= E/2. Ce choix
sera justifi ultrieurement.
Les valeurs des rsistances du montage sont calcules pour obtenir le point de fonctionnement choisi.
La valeur du courant de collecteur I
CF
est choisie en fonction de lapplication envisage (et des tages
qui peuvent suivre).
Pour la droite de charge, on a : V
CE
= E R
C
.I
C
+ R
E
.I
E
. Comme I
B
<< I
C
, cette relation scrit :
V
CE
= E (R
C
+ R
E
).I
C

Exprimentalement, on constate que la stabilisation thermique du montage est satisfaisante quand le
potentiel dmetteur est tel que : E/10 < V
EM
< E/4. Cette condition permet de choisir R
E
et den
dduire la valeur de R
C
.
La rsistance totale R
1
+ R
2
du pont diviseur de la base est choisie pour que le courant base soit
ngligeable devant celui qui traverse le pont (I
1
). Comme dautre part on a : V
EM
= R
E
.I
E
= R
E
.I
C
et
V
BM
= V
BE
+ V
EM
avec V
BE
0,65 V, on en dduit la valeur de R
2
.
Le choix du courant dans le pont diviseur rsulte dun compromis. I
1
doit tre grand devant I
B
ce qui
suppose dutiliser des rsistances R
1
et R
2
faibles, mais comme on le verra par la suite on diminue alors
limpdance dentre du montage. Enfin lnergie prleve au gnrateur pour la polarisation nest pas
de lnergie utile et il faut la limiter au maximum en augmentant R
1
et R
2
.
2.2 Droite dattaque instantane
On applique lentre, donc entre la base et lmetteur, une tension g(t) qui est le signal que lon
souhaite amplifier.

ve ve g g
Rp
Rg R
Fig. 9
On peut remplacer les rsistances du pont de base par
R
P
= R
1
.R
2
/(R
1
+ R
2
) et dterminer ensuite g(t) et R du
gnrateur de Thvenin quivalent. Un tel modle est
valable en rgime variable car limpdance des
condensateurs est alors ngligeable.

Lquation de la droite dattaque est donc :
v
BE
(t) = g(t) R.i
B
(t)
Le point de fonctionnement instantan est
dfini par lintersection de la droite dattaque
avec la caractristique dentre. Cette droite
dattaque se dplace au cours du temps.
Elle possde une pente constante R et passe
par le point V
BE
(t) = g(t).
On en dduit graphiquement les variations de
v
BE
et de i
B
en fonction du temps. Si la
caractristique dentre nest pas linaire et si
on applique une tension g(t) sinuso dale, la
tension v
BE
(t) nest pas sinuso dale. Il y a
distorsion du signal.




D
r
o
i
t
e

d
'a
t
t
a
q
u
e

i
n
s
t
a
n
t
a
n

e
C
actr
s
ar
i tiq
ue d
' entr
e
I
i
I
V
BE
t
g(t)
v
BE
B
B
C
Fig.10
2.3 Attaque en courant, attaque en tension
Si R est faible alors v
BE
g(courbes 1). On fait une attaque en tension.
Le risque de distorsion du signal est important car la droite dattaque
passera au cours du fonctionnement dans la zone du coude de la
caractristique.
Si R est grand (courbes 2) alors : I
B
g/R.
On fait une attaque en courant. La droite dattaque est presque verticale et
les risques de distorsion sont plus faibles.
Fig 11
2.4 Etude graphique du fonctionnement
Lquation de la droite de charge est : V
CE
= E (R
C
+ R
E
).I
C
. Pour le rgime variable, la rsistance
R
E
est mise en court-circuit par le condensateur de dcouplage. La droite de charge pour les signaux
variables nomme droite de charge dynamique a donc pour quation :
v
CE
= U R
C
.i
C

Elle passe par le point de fonctionnement (V
CEF,
I
CF
). On a donc : U = V
CEF
+ R
C
.I
CF
Le point dentre instantan tant connu (cf. 2.2), le point de sortie instantan dans le rseau de sortie
se dduit partir du rseau de transfert en courant.
V
V
V
V
I
I
I
I
BF
C
B
CEF
CE
BE
BEF
CF
V
I
C
CE
Fig. 12
Distorsions
par crtage
Blocage
Saturation

Il faut noter que les tensions dentre et de sortie sont en opposition de phase. La tension de sortie est
comprise entre 0 et U. Si lamplitude du signal dentre est trop importante, il y aura un crtage du
signal de sortie. Pour obtenir la plus grande plage possible de variation de la tension de sortie sans
dformation du signal, il faut donc choisir le point de polarisation sensiblement au milieu de la droite de
charge. Ceci justifie le choix initial de V
CEF
= E.
Cliquez ici pour examiner en dtail le fonctionnement du montage.
REMARQUE : Le choix du point de polarisation du montage de la figure 12 est incorrect. Du fait de la
petitesse du courant de repos, la droite dattaque coupe la caractristique dentre dans sa partie
coude. Il en rsulte une distorsion importante du signal de sortie.
2.5 Schmas quivalents
BE
2
1
V
I
B
En accord avec le principe de superposition, nous avons spar ltude des signaux continus
correspondant la polarisation du transistor de celle des signaux variables avec le temps et qui
contiennent linformation utile.
Pour modliser lamplificateur, on utilisera deux schmas diffrents. Pour tablir le premier (Fig. 14)
qui correspond au rgime continu, on doit remplacer les condensateurs par des impdances infinies.
Pour le schma aux variations les condensateurs tant de forte valeur seront remplacs par des
courts-circuits. Conformment au principe de superposition les gnrateurs de tension continue seront
remplacs par leurs rsistances internes (Fig 15). Le circuit quivalent final (Fig. 16) est obtenu en
remplaant le transistor par son circuit quivalent simplifi. On symbolise par R
U
limpdance de charge
du montage qui peut tre limpdance dentre de ltage suivant.

E
Rc R1
Re
Cd
Cs
Ce
R2
vs

Fig 13 : Schma thorique de lamplificateur
E
Rc R1
Re R2

Fig 14 : Schma simplifi en continu

Rc R1
Re R2
vs

Fig 15 : Schma simplifi en rgime variable
Ce circuit simplifi permet de dcrire le
fonctionnement du montage en rgime variable.
Les valeurs h
11
, h
21
et h
22
retenues pour la
modlisation du transistor correspondent au
point de repos du montage impos par la
polarisation du circuit.
Ce schma prsente lintrt de sparer les
grandeurs dentre et de sortie.
v
h
B
Rg
R1 R2 Rc Ru
C
E
h .i h
1
v
i i i
i
e
11
21 B 22
S
C S B
g
Fig 16
F
Ce schma correspond uniquement au rgime variable. Son utilisation pour ltude en
rgime continu est exclure.
3 Paramtres de lamplificateur
Le schma quivalent permet de modliser lamplificateur par le quadriple de la figure 17. Pour
dterminer ses paramtres fondamentaux, on peut donc utiliser les formules gnrales du chapitre 5. Le
calcul direct est plus simple. On distinguera les paramtres du transistor de ceux du montage.
r r Rsistance dentre
v Transistor seul R
E
= v
E
/i
B
R
E
= h
11

v Montage R
E
= v
E
/i
G
R
E
= (R
1
// R
2
// h
11
)
La rsistance dentre R
E
est donc infrieure h
11
.
De plus on voit que les rsistances du pont de polarisation diminuent encore limpdance dentre : leurs
valeurs ne doivent pas tre trop petites.
ie ze
ze
A .ve
A .ve
zs
zs
ve
v
v
ve
vs
is

Fig 17
Dans le montage metteur commun dcoupl, R
E
est de lordre du k.
r r Rsistance de sortie
v Transistor seul R
S
= v
S
/i
C
. R
S
= h
22
-1

v Montage R
S
= v
S
/i
S
R
S
= (R
U
// R
C
// h
22
-1
)
La rsistance de sortie R
S
est infrieure la rsistance de collecteur R
C
.
Dans le montage metteur commun dcoupl, R
S
est de lordre du k.
r r Gain en tension
A
V
= v
S
/v
E

v
S
= Ru.i
S
= R
S
.i
C
= h
21
.Rs.i
B
. De plus : v
E
= h
11
.i
B

A =
V
=
h Rs
h
s R
S
21
11
.
.
A
V
est donc du mme ordre de grandeur que h
21
.
A
V
est ngatif : la tension de sortie est en opposition de phase avec la tension dentre.
F
Un tage amplificateur metteur commun dcoupl est caractris par des rsistances
dentre et de sortie moyennes et par un gain en tension important et ngatif.
REMARQUES
Le gain du montage non charg (R
S
= R
C
) est indpendant du courant I
C
de polarisation quand le
montage est polaris V
CC
/2. En effet dans ce cas R
C
.I
C
= V
CC
/2 et :
A
h R
h
h R I
h I
V
C C C
B
= =
21
11
21
11
. . .
. .
.
A temprature ambiante h
11
.I
B
25 mV, h
21
et donc : A
V
20 V
CC
Le quotient h
11
/ h
21
est la rsistance dynamique de la diode dentre r
E
. On peut considrer que le
circuit de sortie (de rsistance R
S
) et le circuit dentre (de rsistance r
E
) sont parcourus par le mme
courant (i
C
). Le gain en tension est donc gal au rapport de ces rsistances.

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Principes de la raction
1 Structure dun montage raction
Il est possible de modifier les performances dun systme en superposant au signal dentre
tout ou partie du signal de sortie. On constitue ainsi un montage raction . Si le signal
ramen sur lentre a le mme signe, la raction est positive ; sinon, on a une raction ngative
ou contre-raction ou rtroaction (en anglais feed-back). Dans un montage raction, on
distingue trois parties :
+

Action H
Raction K
e =K.s
e
r
s

Fig. 1
une chane daction qui commande la charge ; elle
est en gnral peu fidle et sensible aux perturba-
tions. Sa fonction de transfert est H.
la chane de raction de gain K.
le mlangeur.
Lensemble forme un circuit boucl.
2 Formule de Black
On se limitera ici ltude des signaux sinusodaux. Toutes les grandeurs sont complexes
et fonction de (s =s(j)). La tension la sortie du mlangeur est :
=e e
R
.
Soit H la fonction de transfert ou gain en boucle ouverte de la chane daction.
La tension de sortie est : s =H.
Sil ny a pas de raction : e
R
=0 s =H.e
Sil y a raction : e
R
=K.s s =H. =H(e e
R
) =H.(e K.s)
On en dduit : s =e.H/(1 +HK).
Si lon pose s/e =H, on tire la relation connue sous le nom de formule de Black
1
.
H . K 1
H
' H
+
=
" Si 1 +KH <1 H >H. La raction est positive.
Un systme raction positive est instable : quand le signal dentre crot, la croissance du
signal de sortie induit une nouvelle augmentation du signal dentre : le signal de sortie di-
verge jusqu' ce que la saturation ou le blocage viennent limiter son amplitude.
CAS PARTICULIER : 1 +H.K =0
H est alors infini : on obtient un systme oscillateur qui fournit un signal de sortie en
labsence de signal dentre. Pour obtenir un oscillateur stable, il faut trouver une mthode

1
Quand en 1928 S. A. Black a voulu faire breveter le principe de la raction ngative, sa demande a t rejete,
car son ide estime sans intrt !
qui rende le produit H.K rigoureusement gal 1 une fois que les oscillations sont d-
clenches. Cette condition est nomme critre de Barkhausen .
" Si 1 +K.H >1 H <H. La raction est ngative. A priori il ny a pas de problmes de
stabilit. Nous allons examiner les consquences de la contre-raction sur le fonctionne-
ment des circuits.
CAS PARTICULIER : K.H >>1
Le gain du systme boucl devient alors H 1/K. Le gain ne dpend plus de la chane
daction mais seulement de la chane de contre-raction. Si la rponse de celle-ci est li-
naire, la rponse du systme boucl est linaire.
3 Amliorations induites par la contre-raction
La contre-raction permet damliorer les performances globales dun systme. Elle permet
dassurer la constance du gain une valeur indpendante des constituants de la chane
daction, elle rduit les distorsions et amliore la bande passante.
3.1 Distorsion damplitude
Cest la variation du gain avec . Elle est caractrise par le rapport dH/H.
En boucle ferme et si K est indpendant de , on peut crire :
KH 1
KdH
H
dH
KH 1
) KH 1 ( d
H
dH
' H
' dH
+
=
+
+
=
H
dH
KH 1
1
H
dH
KH 1
KH KH 1
' H
' dH
+
=
+
+
=
Dans le cas dune contre-raction, on a : (1 +KH) >1 :
#
La contre-raction diminue la distorsion damplitude..
3.2 Distorsion de phase
Si le dphasage entre les signaux dentre et de sortie varie avec , il y a distorsion de phase.
On suppose que H =a +jb =A.exp(j.)

=A.cos +j.A.sin et que K est rel. Sans contre-
raction, on a : =arctg(b/a).
jKb Ka 1
jb a
KH 1
H
' H
+ +
+
=
+
=
Donc : =arctg(b/a) arctg(Kb/(1 +Ka))
Si le terme b varie avec , varie moins vite que :
#
La contre-raction diminue la distorsion de phase.
3.3 Bande passante
Ltude sera faite dans le cas dun systme du second ordre ayant une frquence de coupure
basse f
1
et une frquence de coupure haute f
2
suffisamment distinctes pour que lon puisse
crire la fonction de transfert sous la forme dun produit de fonctions du premier ordre. Les
expressions des fonctions de transfert en boucle ouverte, cest--dire sans contre-raction, sont
donc:
2
0
HF
1
0
BF
f / f . j 1
H
H : bas passe ;
f / jf 1
H
H : haut passe
+
=

=
Avec contre-raction, en basse frquence, on a :
H
H
KH
K
H
KH jf f
H
jf f
H
jf f
'
.
/
/
/
=
+
=
+
=
+

1
1
1
0
1
0
1
1
1
0
0 1

Si on pose :
H'
H
1 KH
H
f '
f
1 KH
f
0
0
0
0
1
1
0
1
=
+
<
=
+
<

On peut crire : H'
H'
1 j
f '
f
0
1
=


On obtient nouveau un systme du premier ordre mais dont la frquence de coupure est
plus petite. Le gain du systme boucl est diminu.
En effectuant le mme calcul en haute frquence, on tire :
H'
H'
1 j
f
f '
avec H'
H
1 KH
H et f ' f 1 KH f
0
2
0
0
0
0 2 2 0
=
+
=
+
< = + > ( )
2

Cette fois la frquence de coupure augmente.
#
La contre-raction diminue le gain mais augmente la bande passante.
" REMARQUE :
En gnral on a : f
1
<<f
2
. Soit GB le produit du gain par la bande passante.
Sans la contre-raction : GB =H
0
.(f
2
f
1
) H
0
.f
2

Avec la contre-raction : GB H
0
.f
2
=H
0
.f
2
#
Pour les systmes boucls du premier ordre, le produit gain-bande passante est prati-
quement indpendant du taux de contre-raction
3.4 Autres effets de la contre-raction
La raction ngative diminue galement la distorsion harmonique. Celle-ci rsulte de la
prsence, dans le signal de sortie, de frquences qui ne sont pas prsentes dans le signal
dentre. Cet effet provient du comportement non linaire de certains composants du systme.
Supposons par exemple que le courant collecteur dun transistor soit reli la tension dentre
par une relation du type :
i
C
=A.v
BE
+B.v
BE
2
+... Si la tension dentre est de la forme v
BE
=Vcost, le courant de
sortie va contenir des termes en
2
donc de pulsation 2.
En rgle gnrale, la tension de sortie s peut sexprimer comme la somme dune tension utile
H.(e K.s) et dune tension de dfauts d. On en dduit que :
s
H e
K H
d
K H
=
+
+
+
.
. . 1 1

La rtroaction diminue la tension parasite en sortie.
4 Les diffrents types de contre-raction
On peut envisager de raliser la contre-raction en tension ou en courant avec un couplage
parallle ou srie. On aboutit aux quatre montages suivants :
Sans CR
+

2
0

d
B
/
d

c
a
d
e
Avec CR
G (dB)
f
1
2 1
f ' f
Log(f)
Fig. 2
Amplifi-
cateur
Raction
Ve
Vr
V1 Vs

Amplifi-
cateur
Raction
Ie
Ir
I1 Vs

Fig. 3-a : Tension-srie Fig. 3-b : Tension-parallle
Amplifi-
cateur
Raction
Ve
Vr
V1 Is

Amplifi-
cateur
Raction
Ie
Ir
I1 Is

Fig. 3-c : Courant-srie Fig. 3-d : Courant-parallle
On peut aussi envisager des configurations plus complexes avec plusieurs tages
damplification et des boucles de raction partielles, totales ou mixtes dont lanalyse peut se
rvler dlicate. Globalement les avantages apports par la contre-raction compensent
largement la diminution du gain.
4.1 Le montage tension-srie
Ce mode de contre-raction tant trs souvent utilis dans les amplificateurs sera tudi
plus en dtail afin de montrer comment ce type de couplage modifie les performances du sys-
tme.
4.1.1 Amplificateur sans raction
I
E
E
E
S
S
S
U
E
I
V H.V
V
Z
Z
Z

Fig. 4
Lamplificateur est modlis par une impdance
dentre Z
E
et en sortie par un gnrateur de gain H
et dimpdance Z
S
:
V
E
=Z
E
.I
E

V
S
=H.V
E
+Z
S
.I
S

4.1.2 Amplificateur avec raction
On suppose que le courant prlev par la chane de raction est ngligeable.
I
E
S S
S
U
1
0
R
E
E
V
I
I
V
V
1
H.V
V
Z
Z
Z
K

Fig 5
V
S
=H.V
1
+Z
S
.(I
S
I
0
) H.V
1
+Z
S
.I
S

V
S
= Z
U
.I
S
I
S
= V
S
/Z
U

V
S
=H.V
1
Z
S
.V
S
/Z
U

On pose : =Z
S
/Z
U

V
S
=H.V
1
/(1 +)
V
R
=K.V
S
=K.HV
1
/(1 +)
V
E
=V
1
+V
R
=V
1
.{1 +K.H/(1 +)}
V
E
=Z
E
.I
E
or V
1
=Z
E
.I
E

Limpdance dentre vaut :
Z
K H
Z
E E
'
.
= +
+

1
1

=Z
S
/Z
U
vaut un pour un systme adapt en puissance et zro pour un systme adapt en
tension.
V
1
=V
E
V
R
=V
E
K.V
S
.
Or : V
S
=H.V
1
+Z
S
.I
S
=H.(V
E
K.V
S
) +Z
S
.I
S

S S E S
S
E S
I . ' Z V '. H I
H . K 1
Z
V
H . K 1
H
V + =
+
+
+
=
Le schma quivalent du systme boucl est donc :
I
E
E
E
S
S
S
U
E
I
V
H'.V
V
Z'
Z'
Z

Fig 6
Avec ce type de contre-raction, le gain en tension dcrot,
limpdance dentre augmente et limpdance de sortie
diminue.
Ce montage ralise donc une adaptation dimpdance
entre lentre et la sortie.
4.2 Autres montages
Comme exercice, on pourra reprendre le calcul prcdent pour les trois autres types de
montage. En utilisant pour les gains H et K les expressions du tableau, montrer que le gain du
systme boucl est toujours H/(1 +K.H) et retrouver les valeurs des impdances dentre et de
sortie.
Couplage Z
Entre
Z
Sortie
H K
Systme rsultant
Tension-srie Z
E
(1 +K.H) Z
S
/(1 +K.H) V
S
/V
1
V
R
/V
S

Amplificateur de tension
Tension // Z
E
/(1 +K.H) Z
S
/(1 +K.H) V
S
/I
1
I
R
/V
S

Convertisseur
courant-tension
Courant-srie Z
E
(1 +K.H) Z
S
(1 +K.H) I
S
/V
1
V
R
/I
S

Convertisseur
tension-courant
Courant // Z
E
/(1 +K.H) Z
S
(1 +K.H) I
S
/I
1
I
R
/I
S

Amplificateur de courant


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Amplificateurs un tage
1 Les montages metteur commun
1.1 Emetteur dcoupl
" "" " Schma de principe
Ce montage a dj t tudi dans le chapitre 9. La
rsistance dmetteur R
E
introduit une contre-raction
en courant continu pour la stabilisation thermique du
transistor. Un condensateur de dcouplage C
D
est plac
en parallle sur la rsistance dmetteur R
E
et permet
de rendre linfluence de celle-ci ngligeable pour les
signaux variables.




" "" " Schma quivalent du montage
v
h
B
Rg
R1 R2 Rc Ru
C
E
h .i h
1
v
i i i
i
e
11
21 B 22
S
C S
B
g

Fig 2
Pour obtenir le schma quivalent en r-
gime de petits signaux variables, on rem-
place les gnrateurs continus par leurs
rsistances internes et les condensateurs
de forte valeur par un court-circuit. On
peut ensuite redessiner le circuit pour
mieux faire apparatre les lments
dentre et de sortie et faciliter le calcul
des paramtres de lamplificateur
Dans ce montage, lmetteur est la masse pour les signaux variables.
" "" " Paramtres de lamplificateur
Impdance dentre
Comme v
E
=h
11
.i
B
, la rsistance du transistor seul est : Z
E
=h
11
. Lexamen du schma qui-
valent montre que celle du montage est Z
E
=(R
1
// R
2
// h
11
). Par suite : Z
E
< h
11

Impdance de sortie
La tension de sortie est : v
S
= R
U
.i
S
= Z
S
.i
C
= Z
S
.h
21
.i
B
.
La rsistance du transistor seul est Z
S
=h
22
1
et celle du montage Z
S
=v
S
/i
S

Z
S
= (R
U
// R
C
// h
22
1
)
Gain en tension
Le gain en tension est gal :
S
11
S 21
E
S
V
Z . s
h
Z . h
v
v
A = = =
Pour les transistors bipolaires et pour un courant collecteur de lordre de 10 mA, h
11
est de
lordre de 1 k ainsi que Z
S
. Le gain en tension est donc du mme ordre de grandeur que le
E
R
1
R
C
C
C
R
v
R
C
2
U
D
S
E
S
R
E
fig. 1
gain en courant du transistor h
21
. A
V
est ngatif : la tension de sortie est en opposition de
phase avec la tension dentre. Limpdance dentre est infrieure h
11
. Le produit I
C
.h
11

tant sensiblement constant, limpdance dentre du montage metteur commun dcoupl se-
ra toujours infrieure 1 k.
Le gain est important mais la rsistance dentre est moyenne ou faible.
1.2 Emetteur non dcoupl
" "" " Montage
Ce montage diffre du prcdent par la suppression du
condensateur de dcouplage de la rsistance dmetteur.
Pour les signaux variables, il nest plus possible de
considrer que lmetteur est au potentiel de la masse. La
rsistance dmetteur, parcourue par le courant i
C
+i
B
,
introduit dans le circuit une contre-raction en tension qui
modifie compltement les performances de ltage.


Fig. 3
" "" " Circuit quivalent
v
v
h
B
Rg
R1 R2
Rc Ru
C
h .i h
1
v
i
i
i i
i
e
CR
11
21 B 22
S
C
E
S
B
g
Fig. 4
La modlisation du transistor, conduit au
schma quivalent suivant. Il permet, en
tudiant le circuit dentre puis celui de
sortie, le calcul direct des paramtres de
lamplificateur.
La tension dentre est cette fois :
v
E
=v
BE
+v
CR

" "" " Paramtres de lamplificateur
v
E
=h
11
.i
B
+R
E
.(i
B
+i
C
) =h
11
.i
B
+R
E
.(h
21
+1).i
B

Impdance dentre
Transistor seul : Z
E
T
=v
E
/i
E
=h
11
+R
E
.(h
21
+1) Z
E
T
>>h
11

Montage : Z
E
M

=Z
E
T
// (R
1
// R
2
)
La rsistance dentre est infrieure la plus petite de ces 3 rsistances.
Impdance de sortie
Pour le montage, on a : Z
S
=v
S
/i
S
; Z
S
={R
U
// R
C
// (R
E
+h
22
1
)}
Gain en tension :
A
V
=v
S
/v
E

v
S
= R
U
.i
S
= Z
S
.i
C
= Z
S
.h
21
.i
B

A
Z h
h R h
Z
R
V
S
E
S
E
=
+ +

.
.( )
21
11 21
1

REMARQUES
La tension de contre-raction v
CR
=R
E
.(h
21
+1).i
B
est proportionnelle la tension de
sortie (v
CR
/v
S
R
E
/Z
S
).
E
R
1
R
C
C
R
v
R
C
2
U S
E
S
R
E
R
E
.h
21
est beaucoup plus grand que h
11
. Donc : A
V
Z
S
/R
E
. Pour un amplificateur non
charg Z
S
=R
C
et A
V
R
C
/R
E
. Le gain du montage ne dpend plus du gain du transis-
tor mais seulement des composants priphriques.
Limpdance dentre est trs suprieure h
11
.
Pour obtenir une stabilisation thermique satisfaisante R
E
sera au minimum gale
R
C
/10. Le gain de ltage sera donc de lordre de la dizaine.
On retrouve les rsultats gnraux tablis pour la contre-raction tension-srie. La
comparaison de ces rsultats avec ceux obtenus pour le montage metteur commun non
dcoupl montre bien linfluence du condensateur de dcouplage et de la contre-raction qui
permet de raliser un montage dont les performances deviennent indpendantes des
composants actifs utiliss.
#
Le gain A
V
est bien plus petit que pour le circuit rsistance d'metteur dcouple.
Par contre la rsistance d'entre est beaucoup plus grande. Elle est toutefois limite
par la prsence des rsistances de polarisation..
1.3 Le montage bootstrap
Pour remdier la diminution de la rsistance dentre du montage par le pont de
polarisation, on peut utiliser le montage bootstrap
1
. Dans ce montage, la rsistance R
B
est
de lordre de 30 100 k.
E
R
R
R
R
C
C
C
R
v
A
R
R
R h
R
Ic
R
v
v
B
E
A
E
B
B
1
2
E
C
S
S
S
11 B
C
E
E
1
2

Fig. 5-a : Schma du montage Fig. 5-b : Schma quivalent (1
e
tape)
Sur le circuit quivalent, on note que R
B
est en parallle avec h
11
. Or R
B
>>h
11
, la rsistance
quivalente est de lordre de h
11
. On obtient le schma de ltape 2.
Comme R
E
<<(R
1
// R
2
), on peut encore simplifier le schma quivalent pour aboutir au
schma simplifi 5-d. A partir de celui-ci, on peut crire :
v
E
=h
11
.i
B
+R
E
.(i
B
+i
C
) =h
11
.i
B
+R
E
.(h
21
+1).i
B

R
R
h
E
R
I
R
v
B
E
R
h
R'
B E C
v
E
1 2
11
C
C S
C
I
C
11
v
S
E
v
E

Fig. 5-c : Schma quivalent (2
e
tape) Fig. 5-d : Schma quivalent (3
e
tape)
Rsistance dentre du montage
Z
E
=v
E
/i
E
=h
11
+R
E
.(h
21
+1). Cette fois, on a Z
E
>>h
11
!

1
Bootstrap : mot anglais dont la traduction est tire-botte. Allusion lutopie qui consiste se dcoller du sol en
tirant sur la tige de ses bottes.
Gain en tension
A
V
=v
S
/v
E
; v
S
= R
C
.i
C
= R
C
.h
21
.i
B

A
R h
h R h
R
R
v
C
E
C
E
=
+ +

.
.( )
21
11 21
1

Le montage bootstrap permet dliminer linfluence des rsistances du pont de polarisation et
dobtenir la fois une rsistance dentre importante et un gain en tension de lordre de 10.
2 Le montage collecteur commun
2.1 Schma de principe

V
V
I
B
E
EC
BC
I

Fig. 6
Llectrode commune est le collecteur.
Les grandeurs dentre sont : V
BC
et I
B
, celles de sortie
sont : V
EC
et I
E
.
Avant denvisager la ralisation pratique du montage,
examinons les deux circuits reprsents par les figures 7-a
et 7-b.
V
V
E
s
M
U
V
V
s
M
U
E

Fig. 7-a Fig. 7-b
Pour le montage 7-a, on a : v
E
=V
BC
; v
S
=V
EC

V
BC
=V
BM
+V
MC
=V
BM
U v
E
=V
BC
=V
BM
(U est constant).
V
EC
=V
EM
+V
MC
=V
EM
U v
S
=V
EM

et pour le montage 7-b : v
E
=V
BM
; v
S
=V
EM

Pour les deux montages, il y a identit des variations des tensions dentre et de sortie. Le
second qui utilise le ple moins du gnrateur (cas des NPN) comme rfrence des potentiels
sera le seul utilis.
2.2 Polarisation
U
R
R v
R
R
C
E
C
s
s
U
1
2
G
e
C
R
R

Fig 8
Comme pour le montage metteur commun, on
impose le potentiel de la base pour stabiliser le po-
tentiel de lmetteur donc le courant dmetteur et
par suite le courant de collecteur.
Si le courant de base peut tre nglig devant le
courant dans le pont de base, on a : V
BM

E.R
2
/(R
1
+R
2
) et : V
EM
=V
BM
V
BE
.
Pour un transistor au silicium V
BE
0,65 V. On en
dduit : I
E
=V
EM
/R
E

2.3 Circuits quivalents
Pour tablir le schma quivalent du montage, on procde en deux tapes. Le schma qui-
valent habituel du transistor est modifi pour tenir compte du fait que dans ce montage, pour
le rgime variable, le collecteur est au potentiel de la masse.

v
h
B
Rg
R1
R2
Re Ru
C
h .i
h
1
v
i
i
i
E
11
21 B
22
S
C
E
B
h
R

R
R R
I I
v
Vc-r
v
e
s
BB E
E
U E
1
11
2
B E
C

Fig 9-a : 1
e
tape Fig 9-b : 2
e
tape
On posera, si ncessaire et pour tenir compte des rsistances de sortie du transistor et de
charge du montage,
E
=(R
E
// h
22
1

// R
U
). La rsistance de sortie tant commune lentre et
la sortie du circuit introduit une contre-raction.
2.4 Paramtres du montage
On supposera que R
G
limpdance interne du gnrateur est ngligeable devant les autres
rsistances.
Impdances dentre
v
E
={h
11
+(h
21
+1).
E
}.i
B

Pour le transistor seul, on a : Z
E
=h
11
+(h
21
+1).
E
h
21

E

Pour le montage, on a donc : Z
E
=(h
11
+(h
21
+1).
E
) // R
1
// R
2

Gain en tension
v
S
=(h
21
+1).
E
.i
B

A
V
=v
S
/v
E
=(h
21
+1).
E
/(h
11
+(h
21
+1).
E
)
Le gain en tension est positif et lgrement infrieur lunit. La contre-raction est ici
particulirement nergique !
A
V
= 1
Si lon tient compte des rsistances de polarisation, il faut remplacer h
21

E
par (h
21

E
// R
1

// R
2
). Lexpression du gain devient :
A
V
=(h
21

E
// R
1
// R
2
)/{R
G
+h
11
+(h
21

E
// R
1
// R
2
)}
Impdance de sortie
Pour faire un calcul rigoureux, il faut crire que cette rsistance est le
quotient de la tension de sortie vide par le courant de court-circuit.
En effet, on peut modliser le circuit de lamplificateur par un gn-
rateur de tension de valeur A
V
.v
E
en srie avec une impdance Z
S
. Si
la tension de sortie vide (sans charge) est V
S0
et le courant de court-
circuit est i
CC
, alors :
CC 0 S S
i / V Z =
Lquivalent Thvenin du circuit dentre est un gnrateur de fem v
T
en srie avec la rsis-
tance R
0
=(R
G
// R
1
// R
2
)
Si la sortie est en court-circuit, on a :
i
CC
=i
C
=h
21
.i
B
=h
21
.v
T
/(R
0
+h
11
)
La tension de sortie vide (R
U
dconnecte) est la tension
aux bornes de R
E
pour un circuit comportant un gnrateur v
T

qui dbite dans la srie de rsistances R
0
, h
11
et h
21
.R
E

Donc : v
S0
=v
T
. h
21
.R
E
/(R
0
+h
11
+h
21
.R
E
)
Z
v
I
C-C
S
S
v e
A
Entre
Fig. 10
.v
h
R
R
0 11
T
CC
E
v
vs
I ve
Fig. 11
Z
v
i
v h R
R h h R
R h
h v
R h
h
h R
S
S
cc
T E
E T
E
= =
+ +
+
=
+
0 21
0 11 21
0 11
21
0 11
21
21
. .
. .
/ / .
Limpdance de sortie est donc faible car Z
S
<<h
11
et Z
S
<R
E

Dans ce cas, il y a une contre-raction totale car V
CR
=V
S
.
#
Le montage collecteur commun est caractris par un gain en tension positif , lg-
rement infrieur lunit , par une impdance dentre grande et par une impdance
de sortie faible. Cest un adaptateur dimpdance.
Ce montage est appel suiveur car la tension de sortie reproduit exactement les
variations de la tension dentre. Il peut tre plac entre un gnrateur de tension incapable
cause de son impdance interne de dbiter du courant et une charge de basse impdance. Si le
gain en tension est unitaire, les gains en courant et en puissance, voisins du rapport entre les
impdances dentre et de sortie, sont grands.
3 Bande passante des amplificateurs
" "" " Rponse en basse frquence
Les condensateurs de liaison et de dcouplage de lamplificateur limitent sa rponse aux
basses frquences. Il est possible de modliser lamplificateur par le schma suivant qui inclut
les condensateurs de liaison dentre et de sortie. Le circuit dentre se comporte comme un
filtre RC passe-haut dont la fonction de transfert est :
v
v
R
R R
R R C
e
g
e
e g
e g
=
+
+ +

2
1
2
1/ ( )

v
v
A.v
Rg
Re
Rs
C1 C2
Ru v
e
g
e
S
G 1 2
2
0

d
B
4
0

d
B



Fig 12-a : Circuit quivalent Fig12-b : Courbe de gain
En posant K
1
=R
E
C
1

1
et en utilisant la pulsation de coupure
1 1
1 = + / ( ) R R C
g e
, on ob-
tient :
H
K K
( )
.
( / )



=
+
=
+
1
2
1
2
1
1
2
1

Si les circuits dentre et de sortie se comportent comme des filtres indpendants, en posant

2 2
1 = + / ( ) R R C
S U
et K
2
=R
S
C
2

2
, on obtient :
H
K K
( )
.
( / ) ( / )


=
+ +
1 2
1
2
2
2
1 1

Limpdance dentre tant en gnral beaucoup plus grande que celle de sortie, on a

2
>
1
. Le systme se comporte comme un filtre passe-haut dont la frquence de coupure est

2
. De mme pour le montage metteur commun dcoupl, les condensateurs de dcouplages
C
D
introduisent une frquence de coupure basse supplmentaire
3
=1/R
D
C
D
.
Pour obtenir une frquence de coupure basse assez petite, on est conduit utiliser des
condensateurs de liaison et de dcouplage de capacits comprises entre 1 F et 100 F. Ceci
suppose lutilisation de condensateurs lectrolytiques au tantale ou en aluminium.
" "" " Rponse aux frquences intermdiaires
Pour les frquences intermdiaires linfluence des condensateurs de liaison et de dcou-
plage est ngligeable. Le gain est constant et lamplificateur est dit non slectif.
" "" " Rponse en haute frquence
En haute frquence leffet des capacits parasites prsentes entre les lectrodes du
transistor nest plus ngligeable. Les circuits quivalents aux circuits dentre et de sortie sont
des filtres passe-bas. Une tude analogue celle faite pour les basses frquences permet de
dfinir une frquence de coupure haute.
" "" " Bande passante
Cest la diffrence entre les frquences de coupures hautes et basses. Lors de la mise en
cascade de plusieurs tages, il faut noter que la bande passante rsultante est infrieure la
plus petite des bandes passantes individuelles. La contre-raction est une mthode efficace
pour accrotre la bande passante globale.
Les amplificateurs tudis dans ce chapitre se comportent sensiblement comme des filtres
passe-bande du 1
e
ordre. Pour ces montages, le taux de contre-raction tant indpendant de la
frquence la courbe de rponse est plate. Si lon souhaite obtenir une rponse slective, pour
compenser par exemple celle du capteur dentre, il faut utiliser un terme de rtroaction fonc-
tion de la frquence.
" "" " Rponse un chelon de tension
On considre un amplificateur de gain A dont la frquence de coupure haute est f
H
et pou-
vant tre assimil un filtre passe-bas du 1
e
ordre dont la constante de temps est gale 1/
H
.
Sa rponse un chelon de tension Ve est donc gale
: ) e 1 ( Ve . A Vs
t
H

= .
(En pratique on utilise un signal rectangulaire pour effectuer la
mesure.)
On caractrise le temps de monte par la dure T que
met la sortie pour passer de la valeur 0,1.A.Ve la valeur
0,9.A.Ve.
Pour dterminer la valeur de T, on peut crire :
9 ln T
) T t ( exp( 1 , 0 ) e 1 .( Ve . A Ve . A . 9 , 0
) t exp( 9 , 0 ) e 1 .( Ve . A Ve . A . 1 , 0
H
H
) T t (
H
t
H
H
=

+ = =
= =
+


Soit :
F H H
f
35 , 0
f 2
2 , 2 2 , 2
T =

= T / 35 , 0 f
H

Pour ce type damplificateur, la simple mesure du temps de monte permet de dterminer
la frquence de coupure haute et donc la valeur de la bande passante. On constate que cette
relation donne un ordre de grandeur correct de la bande passante pour tous les types
damplificateurs. Ceci rsulte du fait quun signal rectangulaire tant trs riche en
harmoniques dordres levs permet de tester les performances des amplificateurs en haute
frquence.
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t
1
0,1
0,9
t
T
Vs/A.Ve
Ve
Fig. 13

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Montages plusieurs transistors
1 Amplificateurs plusieurs tages
Dans de nombreux amplificateurs, on cherche obtenir un grand gain, une impdance
dentre leve (afin de ne pas perturber la source du signal) et une impdance de sortie faible
pour agir sur lactionneur final (haut-parleur, moteur dasservissement ...). Un amplificateur
un seul tage ne permet pas, en gnral, de raliser ces objectifs. On sera amen associer
plusieurs tages en cascade.
Par exemple, la ralisation dun amplificateur grand gain et de grande bande passante B
P

est dlicate. Il est assez simple, par contre, de fabriquer un amplificateur de gain faible A
0

ayant la bande passante B
P
. La mise en cascade de deux de ces amplificateurs permet
dobtenir un systme dont le gain sera A
1
=A
0
2
et dont la bande passante sera lgrement inf-
rieure B
P
.
Le principal problme rencontr lors de lassociation dtages amplificateurs est celui de
ladaptation de leurs impdances. Ainsi dans le cas dune amplification en tension, il faut que
limpdance dentre de ltage soit beaucoup plus grande que limpdance de sortie de
ltage prcdent. Pour une amplification de puissance, il faut que limpdance de sortie de
ltage soit voisine de celle de la charge. La liaison entre les tages successifs pose galement
des difficults.
1.1 Amplificateurs liaison directe
Relier directement la sortie dun tage lentre du suivant est a priori la mthode la plus
simple pour effectuer la liaison. En fait, ce mode de liaison pose de nombreux problmes.
Examinons le schma 1-a. Le potentiel continu du point A est voisin de .V
CC
. Par contre,
celui de B est voisin de 0,65 V. La runion de A et B provoque un court-circuit de lespace
metteur collecteur du premier transistor qui cesse alors de fonctionner correctement.

A
B
?
V
CC

Fig 1-a
A B
V
1
2
CC
R
R

Fig 1-b
Le schma 1-b donne une mthode pour faire fonctionner le montage :
Un pont de rsistance permet de polariser lmetteur du second transistor un potentiel
gal celui du collecteur du premier. A et B peuvent alors tre relis sans problme.
Le principal avantage des montages liaison directe est quils offrent la possibilit
damplifier les tensions continues. Mais ils sont de ce fait trs sensibles la drive thermique
des transistors : la drive des premiers tages est amplifie par les tages suivants au mme ti-
tre que le signal.


EXERCICE :
0 V
0 V
9,1 k
9,1 k
4,3 k
4,7 k
1,3 V
4,2 V
0,7 V
10 V
10 V
3,5 V
20 V
750
1,5 k
100 k
100 k

Fig 2. Vrifier partir du schma les valeurs des potentiels continus et montrer que le gain de
lensemble est voisin de 35. (Le pont diviseur ajustable en sortie permet de fixer le potentiel de
sortie 0V en labsence de signal sur lentre).
1.2 Liaison par condensateur entre deux tages
Selon le mode de polarisation retenu, diffrents montages sont possibles. Comme exemple,
tudions rapidement le schma de la figure 3-a qui associe deux tages metteur commun
non dcoupl. Pour les frquences intermdiaires, le schma quivalent du montage (3-b) est
trs simple :
C
V
V
V
V
R R
R
C1 C2
E2 E1
1
e
CC
s
R

Fig 3-a
h h
11 11
B1
E1
C1
B2
E2
C2

Fig 3-b
Le pont de base des deux tages est choisi pour obtenir un point de fonctionnement au mi-
lieu de la droite de charge. On suppose que les deux transistors sont identiques et que
R
B1
=R
1
// R
2
. Comme la charge dun tage dpend de limpdance dentre de ltage sui-
vant, il est conseill de commencer ltude par le dernier tage et de remonter vers le gnra-
teur dentre. Limpdance de sortie du 2
e
tage est R
C2
. Son impdance dentre est gale :
(R
B2
// (h
11
+(h
21
+1).R
E2
) (R
B2
// h
21
.R
E2
).
Son gain en tension est gal :
2 E
2 C
2 E 21 11
2 C 21
2 V
R
R
R ). 1 h ( h
R h
A
+ +

= .
Limpdance de sortie du premier tage est donc R
S1
=(R
C1
// R
B2
// h
21
.R
E2
). Son gain est
A
V1
R
S1
/R
E1
et son impdance dentre est : (R
B1
// h
21
.R
E1
).
Lensemble est donc quivalent un amplificateur de gain A
V
=A
V1
.A
V2
.
EXERCICE :
Reprendre cette tude en envisageant les trois cas suivants :
R
E1
est dcouple par un condensateur.
R
E2
est dcouple par un condensateur.
R
E1
et R
E2
sont dcouples.
Pour le 2
e
cas, on notera que le dcouplage de la rsistance R
E2
diminue beaucoup
limpdance de sortie du premier tage qui voit alors son gain seffondrer.

Il est vident que ce mode de liaison ne permet pas lamplification des tensions continues.
La frquence de coupure infrieure est fonction des valeurs des condensateurs, la frquence de
coupure haute est limite par les capacits parasites.
1.3 Liaison par transformateur
La liaison par transformateur a t trs employe dans les amplificateurs tubes et au dbut
de lutilisation des transistors car elle permet une adaptation aise des impdances. Les pro-
blmes de bande passante, dencombrement et de cot des transformateurs font que ce mode
de liaison est devenu obsolte.
Nous avons montr que limpdance vue lentre dun transformateur charg par une r-
sistance Z
U
est gale Z
E
=(j.L
1
. // Z
U
.L
1
/L
2
). Si n dsigne le rapport entre les nombres des
spires du primaire et du secondaire du transformateur, on a : n =L
1
/L
2
. Pour des frquences
assez grandes, on peut considrer que limpdance dentre du transformateur est Z
E
=n.Z
U
.
Comme exemple, envisageons ltage final dun amplificateur transformateur en classe A.
Supposons que limpdance de la charge est Z
U
=5 et que la tension dalimentation V
CC
est
20 V. Si la charge est introduite directement dans le collecteur du transistor, le courant de re-
pos de celui-ci sera voisin de V
CC
/.Z
U
soit 2 A.
Zu
n2 n1
Vcc

Fig 4-a

Fig 4-b
Si L
1
est grand devant n.Z
U
, on peut considrer que le transistor dbite dans une imp-
dance n.Z
U
. On dsire utiliser un transistor de faible puissance avec un courant de repos gal
10 mA, limpdance vue par le transistor doit tre 1000 . Le rapport de transformation doit
donc valoir n =1000/5 =200 (n 14).
2 Montage Darlington
2.1 Principe
B
E
C
T
T
1
2
Fig 5
Ce montage est constitu par lassociation de deux transis-
tors T
1
et T
2
de mme type (deux PNP ou deux NPN). T
2
est
un transistor de puissance donc de gain en courant petit et
dont limpdance dentre h
11
pour le courant nominal est
faible ; T
1
est un transistor dusage gnral de gain normal.
La base du transistor T
2
est relie lmetteur de T
1
et les
deux collecteurs sont relis.
Lensemble est un dispositif trois lectrodes quivalent un transistor unique dont on va d-
terminer les paramtres.
2.2 Schma quivalent
Gain en courant du transistor quivalent
Pour le transistor T
1
: i
C
=h
21
.i
B
i
E
=(h
21
+1).i
B

Pour le transistor T
2
: i
B
=i
E
=(h
21
+1).i
B

i
C
=h
21
.i
B
=h
21
.(h
21
+1).i
B


i
C
h
21
. h
21
.i
B
Le gain du transistor quivalent est gal au produit des gains
des deux transistors.
Impdance dentre
V
BE
=h
11
.i
B
+h
11
.i
B
={h
11
+h
11
(h
21
+1)}.i
B

Comme h
21
>>1 on obtient : Z
Ent
=V
BE
/i
B
h
11
+h
21
.h
11

h
11
=h
21
.kT/e.I
C
; h
11
=h
21
.kT/e.I
C
; I
C
=h
21
.I
B
h
21
.I
C

h
11
=h
21
.kT/e.h
21
.I
C
=h
11
/h
21
Z
Ent
2.h
11


Limpdance dentre du transistor quivalent est sensiblement gale au double de celle du
transistor T
1
. Elle est beaucoup plus grande que celle dun transistor de puissance.
AVANTAGES : Le montage Darlington permet dobtenir un transistor quivalent ayant un grand
gain, une impdance dentre normale et capable de dissiper la mme puissance que le transis-
tor T
2
.
INCONVENIENTS : La tension dentre correspond deux seuils de diodes. Le courant inverse
du transistor quivalent est beaucoup plus grand que celui des transistors utiliss puisque
I
CE0
=.I
CE0
+I
CE0
.
Les constructeurs fournissent des Darlington intgrs dans un botier unique lors de la fa-
brication et dont le gain en courant est typiquement de lordre de 2000.
2.3 Pseudo-Darlington (paire de Sziklai)
La fabrication des transistors de puissance PNP est plus complexe que celle des NPN. En re-
liant un transistor PNP de faible puissance un transistor de puissance NPN selon le montage
du pseudo-Darlington, on constitue un systme quivalent un PNP de puissance.
B
E C
T
2
1
T

B
E C
I
B
C
I

Fig 7

EXERCICE :
Vrifier que la polarisation des deux transistors est correcte et justifier le nom des lectrodes
du transistor quivalent.
3 Gnrateur de courant constant
3.1 Principe du montage
Dans la vie courante, on rencontre de nombreux gnrateurs de tension. Les gnrateurs de
courant apparaissent beaucoup plus abstraits. Il est cependant trs simple de raliser ce type de
gnrateur avec un transistor et une diode Zener.
Le potentiel de la base du transistor est gal V
Z
(tension de Zener de la diode qui est polari-
se par la rsistance de limitation R
Z
).


E
R
R
R
I
Z
E
E
Z
C
C
I
E
B
M

V
BM
=V
Z

V
EM
=V
EB
+V
BM
=V
Z
V
BE

V
EM
V
Z
0,65 V (transistor silicium)
V
EM
=R
E
.I
E

I
E
=(V
Z
0,65)/R
E
.
Mais I
C
=I
E
+I
B
I
E
. La constance de I
E
implique celle de I
C
.


"
Le courant qui circule dans la rsistance R
C
de collecteur est donc constant et ind-
pendant de la valeur de celle-ci.
DOMAINE DE VALIDITE :
Lquation de la droite de charge du gnrateur scrit : V
CE
=E (R
C
.I
C
+R
E
.I
C
)
Si R
C
augmente, V
CE
diminue mais ne peut devenir ngatif. Le courant dans R
C
ne reste cons-
tant que si R
C
reste infrieure une valeur maximale R
CMax
qui correspond la saturation du
transistor. Par contre R
C
peut tre nulle.
Cliquez ici pour tudier plus en dtail le fonctionnement de ce circuit.
AUTRES REALISATIONS DE GENERATEURS DE COURANT CONSTANT :
Dans le circuit de gauche de la figure 9, on utilise simplement un pont diviseur rsistan-
ces. La stabilisation est moins bonne quavec une diode Zener.
E
Rc
R2
R1
Re

E
Rc
R1
Re

Fig 9
Dans le montage de droite, on utilise 3 diodes en srie
pour polariser la base dont le potentiel est : E
3.0,65 V.
Lemploi dun transistor PNP permet de connecter la
charge entre le collecteur et la masse. Pour ce mon-
tage, le courant collecteur vaut donc : I
C
1,3/R
E

3.2 Miroir de courant
Le courant du montage prcdent est lgrement sensible aux variations de temprature du
transistor et de la diode Zener. Pour minimiser cet effet, il faut trier les composants afin que
leurs drives en temprature soient les mmes.
E
Ru
Rc
Re Re1
I
1 2
I

Fig 10
Il est plus simple dutiliser le circuit ci-contre qui utilise deux
transistors identiques. On utilise uniquement la jonction base-
metteur du premier transistor.
Les deux V
BE
sont identiques donc :
V
EM
=R
E1
.I
1
=R
E
.I
2

I
2
/I
1
=R
E1
/R
E

Si de plus les rsistances dmetteur sont identiques, on a :
I
2
=I
1
.
On appelle ce montage un miroir de courant.
4 Principe des amplificateurs diffrentiels
4.1 Principe
Si le principe des amplificateurs diffrentiels est connu depuis longtemps, ils ne sont utili-
ss de manire courante que depuis lapparition de llectronique intgre qui permet de

fabriquer facilement des transistors identiques et dont la d-
rive thermique au cours du fonctionnement est la mme. Un
amplificateur diffrentiel comporte deux entres et une ou
deux sorties. Il amplifie la diffrence de potentiel qui existe
entre les deux entres. Pour un amplificateur idal, on a :
V
S
=A.(e
2
e
1
)

4.2 Modes de lamplificateur
La tension de sortie dun amplificateur diffrentiel rel est galement fonction de la somme
des tensions dentre et en fait, il faut crire que :
V
S
=A
D
.(e
2
e
1
) +.A
C
.(e
2
+e
1
)
A
D
est le gain diffrentiel et A
C
le gain de mode commun.
Soient e
1
et e
2
les signaux utiles prsents sur les deux entres de lamplificateur (lun
des deux peut tre nul). Sils sont parasits par le mme bruit X, celui-ci nest pas amplifi par
un amplificateur idal.
Par contre, si le gain de mode commun nest pas nul, ce signal parasite se retrouve dans le
signal de sortie qui est alors :
V
S
=A
D
.(e
2
e
1
) +.A
C
.(e
2
+e
1
+2.X)
On sefforce donc pour les amplificateurs diffrentiels rendre le rapport A
D
/A
C
qui est appe-
l rapport de rejection du mode commun, aussi grand que possible.
4.3 Amplificateur couplage dmetteur
On utilise deux transistors identiques (on les dit apparis ou appairs) monts en met-
teur commun. La rsistance dmetteur est commune aux deux transistors. Le montage pos-
sde deux entres (E
1
et E
2
) et deux sorties (S
1
et S
2
).
Les schmas quivalents qui seront utiliss ici ne sont pas des schmas aux variations
car les grandeurs dentre peuvent tre continues. Le gnrateur dalimentation ne doit donc
pas tre remplac par sa rsistance interne.
# ## # Calcul des gains diffrentiel et de mode commun :
Sortie entre S
1
et S
2

U
u
S
E
1
1
1 2
2
2
S
E
u
Rc
P
M
Rc
Re

Fig 12
Le point M est pris comme origine des potentiels.
Avec les notations de la figure 13, on a :
u
1
=h
11
.i
1
+U
PM

u
2
=h
11
.i
2
+U
PM

u
1
u
2
=h
11
.(i
1
i
2
) (1)
U
S1
=U R
C
.i
C1
=U R
C
.h
21
.i
1

U
S2
=U R
C
.h
21
.i
2

U
S1
U
S2
= R
C
.h
21
.(i
1
i
2
) (2)

Si la tension de sortie est prleve entre les points S
1
et S
2
, le gain de mode commun est nul.
Le gain diffrentiel est gal au quotient (U
S1
U
S2
)/(u
1
u
2
).
A
h R
h
A
D
C
C
= =
21
11
0
.

1
E
E
V
2
S

Sortie entre S
1
et la masse

U
u
1
1
1 2
2
2
C1
S1
1
11
u
i
i
S
h
E
S
E
u
Rc
P
M
Rc
Re

U
S1
=U R
C
.h
21
.i
1

U
PM
=h
21
.R
E
.(i
1
+i
2
)
u
1
+u
2
=h
11
.(i
1
+i
2
) +2.U
PM

Comme les courants dans les bases sont beaucoup
plus petits que les courants des metteurs, on a :
u
1
+u
2
2.U
PM
=2.h
21
.R
E
.(i
1
+i
2
)
Fig 13
u
u
i
i
S
h h
E
1
1
1
11 11
1
2
2
2
E
C C
C1
S1
S
R R
R
E
u
P
M


Fig 14 : Schma aux variations
On tire :
i
1
+i
2
=(u
1
+u
2
)/2.h
21
.R
E

i
1
i
2
=(u
1
u
2
)/h
11


Donc :
2.i
1
=(u
1
- u
2
)/h
11
+(u
1
+u
2
)/2.h
21
.R
E


Et par suite :
U
S1
=U R
C
.h
21
.i
1
=U R
C
.h
21
.(u
1
u
2
)/2.h
11
.R
C
(u
1
+u
2
)/2.R
E

La tension dalimentation tant constante, on en dduit les valeurs des gains :
A
h R
h
A
R
R
D
C
C
C
E
= =
1
2
1
2
21
11
.

Le gain diffrentiel est moiti plus faible que si la sortie est faite entre S
1
et S
2
et le mode
commun est ici important.
Le montage avec la sortie entre S
1
et S
2
est a priori sduisant mais il est dlicat mettre en
uvre. Aucune des sorties ntant au potentiel de la masse, cet tage est difficile coupler di-
rectement avec les tages suivants. Il faut, par exemple, utiliser un couplage par un transfor-
mateur dont le primaire est connect entre S
1
et S
2
et dont une borne du secondaire est relie
la masse.
4.4 Amplificateur source de courant constant
Dans le montage prcdent, le mode commun rsulte du couplage des deux transistors par
la rsistance dmetteur. Pour liminer ce couplage, on utilise un transistor mont en gnra-
teur de courant constant pour alimenter les metteurs.
U
u
S
E
1
1
1 2
2
2
S
E
u
Rc
P
Rc
Re

U
u
i
S
h
E
1
1
1
1
11
2
2
2
S
E
u
Rc
P
M
Rc

Fig 15-a Fig 15-b
Soit I
0
ce courant. I
0
= (I
E1
+I
E2
) (I
C1
+I
C2
)
Calcul de la tension de sortie entre les points S
1
et S
2
:

u
1
=h
11
.i
1
+U
PM

u
2
=h
11
.i
2
+U
PM

u
1
u
2
=h
11
.(i
1
i
2
)
Soit : i
1
i
2
=(u
1
u
2
)/h
11

(a)
Le gnrateur de courant constant fournit le courant I
0
:
h
21
.(i
1
+i
2
) =I
0
.
i
1
+i
2
=I
0
/h
21
(b)
U
S1
=U R
C
.h
21
.i
1

U
S2
=U R
C
.h
21
.i
2

U
S1
U
S2
= h
21
.R
C
.(i
1
i
2
)
On en dduit les valeurs des gains diffrentiel et de mode commun :
0 A ;
h
R . h
A
C
11
C 21
D
= =
Pour une utilisation entre les deux sorties le mode commun est nul.
Calcul de la tension de sortie entre S
1
et la masse :
La somme des quations (a) et (b) donne :
2.i
1
=(u
1
u
2
)/h
11
+I
0
/h
21

Leur diffrence donne :
2.i
2
= (u
1
u
2
)/h
11
+I
0
/h
21

U
S1
=U R
C
.h
21
.i
1

U
S2
=U R
C
.h
21
.i
2

U
S1
=U .R
C
.h
21
.(u
1
u
2
)/.h
11
.R
C
.I
0

U
S2
=U +.R
C
.h
21
.(u
1
u
2
)/.h
11
.R
C
.I
0

Lexpression des gains est donc :
0 A ;
h
R . h
2
1
A
C
11
C 21
D
= =
Lutilisation dune source de courant constant permet de remplacer la rsistance dmetteur
par la rsistance interne du gnrateur de courant, cest--dire par une rsistance trs grande ce
qui annule pratiquement la composante de mode commun. Les amplificateurs diffrentiels
dont le mode commun est ngligeable permettent lamplification de signaux faibles (continus
ou variables) mme en prsence de bruits importants. Les calculs qui ont t effectus suppo-
sent lidentit parfaite des deux transistors. La ralisation de ce type damplificateurs partir
de composants discrets est dlicate. Il faut faire un tri trs soign des transistors et assurer leur
couplage thermique afin de limiter les effets des drives en temprature. Lutilisation des
composants intgrs a permis la banalisation de ce type damplificateurs qui constituent le
cur des amplificateurs oprationnels.
4.5 Application : multiplieur deux cadrans
On considre un amplificateur diffrentiel (T
1
, T
2
) aliment par un miroir de courant form
par T
3
et T
4
. Le courant dmetteur de la paire T
1
, T
2
est donc proportionnel la tension v
2
.
Comme le gain diffrentiel est A
D
= h
21
R
C
/h
11
= s.R
C
et comme la pente (Chapitre 8, 4.4)
dun transistor est proportionnelle au courant collecteur, on a donc : A
D
=k
1
.I
E
=k
2
.v
2
. Le si-
gnal rcupr entre les collecteurs de la paire T
1
, T
2
est appliqu un amplificateur opration-
nel mont en amplificateur diffrentiel (voir le chapitre 14, 6) afin de minimiser leffet des
composantes de mode commun. Le signal de sortie est donc gal :

2 1 1 D
1
2
K H
1
2
S
v . v . K v . A .
R
R
) V V (
R
R
v = = =
-V
v
K
v
1 2
CC
H
T
Rc Rc
R
Rb
Rb
V
3
T 4
T
2
T
Vs =Kv .v
+

R1
R1
R2
R2
v
1
v
2
X
K
Vs
1
2
1
EE

La tension de sortie est donc proportionnelle au produit des tensions dentre. Ce montage
ne fonctionne que si v
2
est suprieure la tension de seuil de T
3
. Pour pouvoir effectuer le
produit de tensions quelconques, il faut utiliser des montages plus labors appels
multiplicateurs quatre quadrants. Des multiplicateurs totalement intgrs sont maintenant
disponibles.
4.6 Rgulateur de tension
Pour amliorer la qualit du filtrage dune alimentation et pour stabiliser sa tension de sor-
tie, on peut utiliser le montage suivant :
+
R1 Rz
Dz
R2
C
h
a
r
g
e
C
h
a
r
g
e
I
Ve Vs
Vz
Fig. 17
Rz

La tension non rgule V
E
alimente le circuit. La diode Zener D
Z
polarise par la rsistance
R
Z
impose le potentiel de base dun transistor T nomm ballast . Le potentiel dmetteur de
T est donc gal V
S
=V
Z
V
BE
et devient indpendant de la valeur de la charge. Le transistor
T dissipe une puissance gale I.(V
E
V
S
).
Dans ce montage simple V
S
dpend des variations de V
BE
avec la temprature.
On peut amliorer la qualit de la rgulation en utilisant un amplificateur diffrentiel de gain
A. Sa tension de sortie est V
S
=A(V
Z
R
2
.V
S
/(R
1
+R
2
)).
On pose =R
2
/(R
1
+R
2
). Donc : V
S
V
S
=A.V
Z
AV
S
V
S
=AV
Z
/(1 +A)
Comme le produit A est trs suprieur un, on a V
S
V
Z
/.
Ce type de rgulateur est disponible sous forme de circuits monolithiques nomms
rgulateurs tripodes qui sont dots en plus de protections contre les surcharges thermiques et
lectriques.

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Lamplificateur oprationnel
1 Gnralits
Les amplificateurs oprationnels ont t conus initialement pour la rsolution analogique
de problmes numriques tels que ltude d'quations diffrentielles dont les solutions
analytiques sont inconnues. Le dveloppement des calculateurs numriques a rendu caduc
lusage de ces calculateurs analogiques.
Les amplificateurs oprationnels ont dabord t raliss avec des composants discrets.
L'lectronique intgre permet actuellement la fabrication damplificateurs dont les
performances sont excellentes, la mise en uvre aise et le cot modique
1
. Ils ne ncessitent
que peu de composants priphriques et les problmes dlicats de polarisation des
amplificateurs raliss avec des composants discrets sont limins. Ils sont maintenant utiliss
dans de nombreux domaines de llectronique analogique.
" Caractristiques des amplificateurs oprationnels
Pratiquement tous les amplificateurs oprationnels ont la mme structure interne : ce sont
des circuits monolithiques dont une puce de silicium constitue le substrat commun. Ils
comportent en entre un amplificateur diffrentiel suivi dun tage adaptateur dimpdance ;
lamplificateur de sortie, de type push-pull, fonctionne en classe B. Toutes les liaisons sont
directes.
Ce sont des amplificateurs diffrentiels qui sont caractriss par :
Un gain en tension trs important :
D
= 10
5
10
7
.
Une impdance dentre trs grande : R
E
10
5
10
12
.
Une impdance dentre de mode commun trs grande : R
EMC
10
8
10
12
.
Une impdance de sortie faible : R
S
10 500 .
La rejection du mode commun (
D
/
MC
) est trs grande.
La rponse en frquence va du continu jusqu des frquences assez leves : le produit
gain-bande passante peut dpasser 100 MHz.
Ils possdent deux entres notes +(lentre non inverseuse) et (lentre inverseuse) mais
ont une seule sortie.
Ils utilisent, sauf exception, deux alimentations +U et U, symtriques par rapport la
masse. Ces alimentations seront omises sur les schmas.
" Caractristiques damplificateurs dusage courant
Ce sont des circuits moyenne intgration. Le circuit quivalent du A 741 contient 24
transistors, 11 rsistances et un condensateur.
A 741C TL 081C
Gain en tension (boucle ouverte) 200000 200000
Courant dentre 80 nA 30 pA
Rsistance dentre 2.10
6
10
12

Frquence avec gain =1 1 MHz 3 MHz
Vitesse de rponse (Slew rate) 0,5 V/s 13 V/s
Etage dentre bipolaire TEC jonction
" Modlisation dun amplificateur oprationnel

1
Le premier amplificateur intgr (le A 709) a t commercialis en 1965 par Fairchild.
On peut utiliser le schma quivalent de la figure 1 qui met en vidence lamplificateur
diffrentiel dentre et ses rsistances.
Vs
Rs
Ve
v+
v
.Ve
Re
Re(MC)
+U (Alim)
+

U
Vs
Ve
Sat
Sat
+U (Alim)
+
U
V
+V
fig. 2
fig. 1

La tension de sortie dun amplificateur diffrentiel est donne par :
V
S
=
D
.(v
+
v

) +
MC
.(v
+
+v

)
Ces amplificateurs sont conus pour avoir un gain de mode commun
MC
aussi faible que
possible afin de ne pas amplifier les signaux prsents sur les deux entres la fois (mode
commun) et qui correspondent en gnral un bruit parasite.
" Saturation des amplificateurs oprationnels
La tension de sortie peut varier entre les valeurs extrmes +V
Sat
et V
Sat
(tensions de
saturation) qui sont lgrement infrieures aux tensions dalimentation. Le gain tant trs
grand, la saturation de la sortie est obtenue pour des tensions dentre trs faibles. Avec
V
Sat
=12 V et =10
5
, =v
+
v

= 0,12 mV.
$
Dans les montages amplificateurs, lamplificateur oprationnel ne sera jamais utilis
en boucle ouverte afin de ne pas atteindre la saturation.
2 Amplificateur oprationnel et contre-raction
" Contre-raction en tension
Le signal est appliqu sur lentre +. Sur lentre inverseuse, et donc en opposition de phase
avec le signal dentre, on envoie la fraction .V
S
du signal de sortie. Avec un rseau de
raction passif, on a : V
S
=.v
E
=.(V
E
.V
S
) V
S
=.V
E
/(1 +.)
Si est trs grand devant , la fonction de transfert devient :
V
S
/V
E
=1/
Vs
Ve


Fig. 3
Si le gain en boucle ouverte est trs suprieur celui de la
boucle de contre-raction, alors le gain en tension du systme
boucl ne dpend que du gain de cette boucle de rtroaction.
Les performances du systme boucl deviennent alors
indpendantes de celles de lamplificateur.
" Contre-raction en courant
Vs
Ve2
Ve1

R2 R1
A
i

Fig. 4
La sortie est boucle sur lentre inverseuse par une rsistance
R
2
: V
S
=.(V
E2
V
A
)
Le courant dentre en A dans lamplificateur oprationnel
tant trs faible (< 1 A) est ngligeable devant celui qui
circule dans R
1
et R
2
.
V
A
V
E1
=R
1
.i =R
1
.(V
S
V
E1
)/(R
1
+R
2
)
On pose : =R
1
/(R
1
+R
2
)
V
A
V
E1
=.(V
S
V
E1
) V
A
=.V
S
+(1 ).V
E1

Or V
S
=.(V
E2
V
A
)
V
S
=.V
E2
.V
S
.(1 ).V
E1

)) 1 ( V V ((
1
V
1 E 2 E S

+

=
(1)
Si le gain est infini, lexpression de la tension de sortie devient :
V
S
=[V
E2
V
E1
.(1 )] /
3 Fonctionnement des amplificateurs oprationnels
3.1 Lamplificateur oprationnel idal
Un amplificateur est considr comme idal si lon peut admettre que son gain est infini,
que ses impdances dentre sont infinies et que sa rsistance de sortie est nulle. ( =,
Z
E
=, Z
EMC
=, Z
S
=0)
CONSEQUENCES
La tension de sortie tant finie, la tension dentre e doit tre nulle.
Les impdances dentre tant infinies, les courants dentre sont nuls.
$
V V
I I
+
+
= =
= =
e 0
0
(2)
Si la tension dentre e nest pas nulle, la tension de sortie prend sa valeur maximale qui
est la tension de saturation de lamplificateur.
V
S
=+V
Sat
si e >0 ; V
S
= V
Sat
si e <0
$
Un amplificateur oprationnel idal utilis avec une raction ngative fonctionne en
rgime amplificateur. Ses deux entres sont alors au mme potentiel. Si on lutilise
avec une raction positive, il fonctionne en rgime de saturation. Les potentiels des
entres peuvent tre diffrents.
3.2 Lamplificateur oprationnel rel
Le gain de lamplificateur oprationnel est fini et fonction de la frquence du signal. Le
gain du systme ne dpend pas uniquement de la boucle de raction.
Lamplificateur contient des gnrateurs de tension et de courant parasites qui modifient la
tension de sortie.
La bande passante est limite et dpend du gain du systme boucl.
Lamplificateur ne peut dlivrer en sortie quune puissance limite.
Du fait de ces imperfections, le fonctionnement dun amplificateur rel diffre de celui dun
amplificateur idal dans un certain nombre de domaines.
" Problmes lis la valeur finie du gain
Lexpression du gain est donne par : )) 1 ( V V ((
1
V
1 E 2 E S

+

=
Si on suppose que : = V
S
={V
E2
V
E1
.(1 )}/.
On introduit ainsi une erreur relative : =(V
S
V
S
)/V
S
=1/.
EXEMPLE : On utilise le multiplicateur inverseur de la figure 7. (V
E2
=0)
On prend : R
1
=10 k et R
2
=100 k.
Dans le modle idal, on a : A
V
=V
S
/V
E1
= 10 et =1/11.
Si =1000, on comment une erreur =1/. =11. 10
3
=1,1%
" Problmes lis aux tensions doffset
2


2
En lectronique offset peut se traduire par dcalage
A cause des imperfections des amplificateurs oprationnels, la tension de sortie nest pas
nulle quand les deux entres sont au mme potentiel. Si ce phnomne prsente un
inconvnient, on peut le corriger en introduisant un dsquilibre de lamplificateur, ajustable
de lextrieur, afin dobtenir une tension nulle en sortie lorsque les deux entres sont places
au mme potentiel.
" Problmes doffset lis aux courants dentre
En fait les courants dentre I
B1
et I
B2
ne sont pas nuls et de plus ils ne sont pas identiques
pour les deux entres. Considrons le circuit de la figure 5 ; si lamplificateur oprationnel est
idal, sa tension de sortie est nulle.
Soit V
S
la tension de sortie de lamplificateur rel. V
+
= R
3
.I
B2
; I
1
=I
0
+I
B1
, donc :
Vs
Ib2
I0
I1
Ib1

R2
R3
R1
A

Fig. 5
(V
S
V

)/R
2
=V

/R
1
+I
B1

V
S
.R
1
V

.R
1
V

.R
2
=I
B1
.R
1
.R
2

Vs =I
B1
.R
2
+V

.(R
1
+R
2
)/R
1

Mais pour lamplificateur on a : V
+
=V


V
S
=I
B1
.R
2
{(R
1
+R
2
)/R
1
}.R
3
.I
B2

On peut minimiser la valeur de la tension de sortie parasite V
S

en faisant : R
3
=R
1
.R
2
/(R
1
+R
2
).
R
3
=(R
1
// R
2
). Cest galement limpdance vue par lentre
de lamplificateur.
$ Pour minimiser linfluence des courants doffset, il faut placer des impdances
identiques sur chaque entre.
" Rponse en frquence
On peut, en premire approximation, considrer que les amplificateurs oprationnels rels se
comportent comme des systmes du premier ordre ayant une frquence de coupure
infrieure voisine de 10 Hz et dont le produit GB gain-bande passante en systme boucl
est constant.
En premire approximation, le gain scrit :
C
f / f . j 1
A
+
= (3)
A est le gain en continu et f
C
la frquence de coupure. Au-del
de f
C
, le gain diminue de 20 dB par dcade. Il est gal 1 pour
une frquence f
T
dont la valeur correspond au produit GB. Pour
certains amplificateurs oprationnels le comportement en
frquence peut tre amlior en ajoutant des composants
externes. Une grandeur prendre galement en compte est le temps de monte (Slew rate en
anglais) qui caractrise la rapidit de la rponse en sortie une variation brutale de la tension
dentre. Il sexprime en V/s.
Le modle de lamplificateur idal est satisfaisant tant que la valeur du gain en boucle
ouverte reste trs suprieur celui de la boucle de rtroaction, cest--dire aux basses
frquences. Quand cette condition nest plus ralise, il faut reprendre ltude du circuit en
utilisant la valeur du gain donne par la relation (3).
Nous allons examiner diverses possibilits dutilisation des amplificateurs oprationnels en
utilisant le modle idal. Pour dterminer la fonction de transfert, on peut utiliser la relation
gnrale (1) mais le calcul direct est souvent plus rapide.
4 Utilisation de lentre non inverseuse
% %% % Multiplicateur
Le signal amplifier est appliqu sur lentre +. Pour diminuer linfluence des courants
dentre, on ajoute sur cette entre une rsistance R
0
=R
1
// R
2
. Avec un amplificateur idal, il
G (dB)
A
f f
T C
est inutile de la prendre en compte puisque le courant qui la traverse est nul. On a donc :
V
+
=V
E
.
Comme la raction est ngative, on peut crire que : V
+
=V

=V
A
.

Vs
Ve
+

R2
R1
R0
A

Fig.7
Le courant dentre tant ngligeable, lapplication du thorme
de Millman au point A donne :
E
1 2
1 2 S
A
V
R / 1 R / 1
R / 0 R / V
V =
+
+
=
On en dduit : V
R
R
V
S E
= +
!
"
#
$
%
&
1
2
1
.
Le gain est positif et toujours suprieur 1.
Avec un amplificateur oprationnel idal limpdance dentre
du montage est infinie.
Si la tension dentre V
E
est trop grande, il y aura saturation de la sortie : la relation
prcdente nest valable que si V
S
<V
Sat
.
La frquence du signal dentre doit tre infrieure une frquence limite qui est fonction
du gain. Par exemple avec un amplificateur de produit gain-bande passante gal 20 MHz, et
un rapport R
2
/R
1
gal 100, la frquence de coupure sera voisine de 200 kHz.
Cliquez ici pour visualiser le fonctionnement du circuit.
% %% % Circuit suiveur
La sortie est relie lentre inverseuse. Comme =V
+
V

=0, V
E
=V
+
=V


Vs
Ve
+


Fig. 8
V
S
=V
E
: le gain est unitaire.
En premire analyse ce montage ne prsente aucun intrt mais on
constate que son impdance dentre Z
E
est trs grande et son
impdance de sortie Z
S
trs faible. La sortie ne prlevant aucune
puissance sur le circuit dentre ne perturbe pas celui-ci.
Ce montage constitue un adaptateur dimpdance de gain unit.
5 Utilisation de lentre inverseuse
5.1 Multiplicateur
Pour compenser les effets des courants dentre, on relie lentre non inverseuse la masse
par une rsistance R
3
=R
1
// R
2
. Le courant qui circule dans cette rsistance tant trs faible,
le potentiel de lentre +est celui de la masse. Le potentiel du point A est galement nul car
V
+
=V

, mais limpdance entre le point A et la masse nest pas nulle. On dit que ce point est
une masse virtuelle.
Vs
Ve
I0
I1
+

R2
R3
R1
A
Fig. 9
I
1
=(V
A
V
S
)/R
2
I
0
=(V
E
V
A
)/R
1

Le courant vers lentre est nul donc : I
0
=I
1

Comme V
A
=V
+
=0, on tire :
I
0
=V
E
/R
1
= V
S
/R
2
V
R
R
V
S E
=
2
1

Le gain est ngatif. Il y a un dphasage de entre lentre
et la sortie en rgime sinusodal.
Le courant dentre du montage tant I
0
, limpdance
dentre est gale R
1
.
Cliquez ici pour visualiser le fonctionnement du circuit.
5.2 Sommateur
Si lamplificateur oprationnel est idal le courant dans R
P
est nul et V

=V
+
=0
On pose : I
S
=(V
S
V
A
)/R
0

I
1
=(V
1
V
A
)/R
1
I
2
=(V
2
V
A
)/R
2

Or : I
A
=0 et V
A
=0
V
S
/R
0
= (V
1
/R
1
+V
2
/R
2
)
V R
V
R
V
R
S
= +
!
"
#
$
%
& 0
1
1
2
2
.
En choisissant R
1
=R
2
=R
0
, on obtient V
S
= (V
1
+V
2
).
Toujours pour compenser les effets des courants dentre, il est conseill de relier lentre non
inverseuse la masse par une rsistance R
P
=(R
0
// R
1
// R
2
).
Ce montage est souvent utilis comme mlangeur de signaux.
Cliquez ici pour visualiser le fonctionnement du circuit.
5.3 Intgrateur idal
Le signal dentre est V
E
(t). Dans le modle idal, V
A
=0 ; donc : i(t) =V
E
(t)/R
Vs
Ve(t)
i(t)
u(t)
+

R
R'
C
A
Fig. 11
Le courant dans le condensateur est :
i(t) = C.dV
S
/dt
dV
dt RC
V
S
E
=
1

Par intgration, on tire :
V K
RC
V d
S E
t
=
'
(
)
1
0
( ).
En fait, ce montage ne fonctionne pas correctement : le faible courant dentre de
lamplificateur produit dans R une chute de tension qui est elle aussi intgre : la sortie se
sature car le condensateur reste charg. Pour obtenir une intgration satisfaisante, on peut
placer une rsistance R en parallle sur C afin de permettre lcoulement de son courant de
dcharge. Cette rsistance doit tre assez grande pour ne pas perturber lintgrateur mais pas
trop pour pouvoir jouer son rle. En pratique on prend R 10.R.
5.4 Drivateur idal
Par permutation du condensateur et de la rsistance, on obtient un drivateur.
Vs
Ve(t)
i(t)
+

R R'
C
A
Fig. 12
Le courant dans le condensateur est :
i(t) =dQ(t)/dt =C.dV
E
(t)/dt
Cest aussi le courant qui circule dans la rsistance R :
V
S
(t) =R.i(t)
Donc :V t RC
dV t
dt
S
E
( ) .
( )
=
La tension de sortie est proportionnelle la drive de la tension dentre. En pratique, R
et C sont choisis en fonction de la frquence du signal pour obtenir un gain compris entre 0,1
et 10. Ce montage est insensible la drive mais il a tendance osciller en haute frquence.
Pour y remdier, on peut placer une rsistance R en srie avec le condensateur (R <R/10)
qui limitera le gain aux frquences leves et donc les possibilits doscillation.
5.5 Convertisseur tension-courant
On utilise le fait que les courants qui circulent dans la rsistance R et dans une charge,
place entre A et la sortie, sont identiques. V
A
=0 I =V
E
/R
V
V
V
+

R
R
I
R
A
1
1
2
R
S 2
P
0
I
2
S
Fig. 10
Vs Ve
I
+

R
A
Charge
Fig. 13
Ce courant est donc indpendant de la nature et de la
valeur de limpdance de la charge. Le montage est
quivalent un gnrateur de courant command par
une tension. La ralisation pratique dun tel
convertisseur scarte souvent de ce schma de principe
car le courant de sortie de lamplificateur oprationnel
est limit.
Ve
+

R
R
R
R
Charge
Fig. 14

Pour ce montage, nomm source de Howland, montrer
que si les 4 rsistances R sont gales, le courant dans la
charge est gal :
I = V
E
/R

5.6 Convertisseur courant-tension
Vs
I
+

R
A
Fig. 15
On relie le point A un gnrateur de courant
dintensit I. On a donc :
V
S
= R.I
Le montage se comporte en gnrateur de tension
command par un courant.
Un tel montage peut tre utilis pour amplifier le courant dune photodiode.
6 Amplificateur diffrentiel
A cause des problmes de saturation il est impossible dutiliser directement un amplificateur
oprationnel comme amplificateur diffrentiel. On utilise souvent le montage de la figure 16.
Comme il ny a pas de courant prlev par lentre non
inverseuse, R
1
et R
2
constituent un diviseur de tension idal
pour la tension V
2
: I
0
=V
2
/(R
1
+R
2
).
On tire :V
+
=V
2
.R
2
/(R
1
+R
2
). De mme, on a :
I =(V
S
V

) /R
2
=(V

V
1
)/R
1

V
S
/R
2
=V

/R
2
+V

/R
1
V
1
/R
1

V
R
R R
R .R
.V .
R
R R
V
R
V
R
R
(V V )
S
2
1 2
1 2
2
2
1 2
1
1
2
1
2
=
+
+
=
S 1

Les impdances vues par les deux gnrateurs sont gales R
1
+R
2
.
7 Lamplificateur oprationnel en rgime de saturation
7.1 Comparateur simple
Envisageons un amplificateur dont lentre est au potentiel V
0
.
On sait que V
S
=.(v
+
v

)
Le gain est trs grand ( >10
5
)
Pour un cart trs faible entre les potentiels
des deux entres, on aboutit la saturation
de la sortie.
Vs
Ve
V0
+

Fig. 17
Si V
+
>V

V
S
=+V
Sat
+U et si V
+
<V

V
S
= V
Sat
U
Si les entres ne sont pas des potentiels trs voisins la sortie est sature.
Lcart entre les tensions de saturation positive et ngative est fonction de la structure interne
de lamplificateur oprationnel utilis. Cet cart, qui est en gnral faible, sera dans la suite
nglig.
Selon que la tension V
E
est suprieure ou infrieure la tension de consigne V
0
, le
potentiel de la sortie est U. Le comparateur est utilis dans de nombreux montages en
particulier dans les asservissements. Si le signal dentre est une tension gnre par un
Vs
V2
V1
+

R1
R1
R2
R2
A
fig. 16
capteur, ce dispositif permet de commander en mode tout ou rien un actionneur reli la
sortie de lamplificateur.
Des amplificateurs oprationnels sont conus de manire spcifique pour cette application
qui ncessite des temps de monte aussi petits que possible.
7.2 Comparateur hystrsis ou trigger
3
de Schmitt
V
Ref
est un potentiel constant qui sert de rfrence. La sortie est relie lentre non
inverseuse par la rsistance R
2
: la raction est donc positive.
Vs
Ve
V
Ref
+

R1
I
R3
R2
A
B

Fig. 18
I =(V
S
V
Ref
)/(R
1
+R
2
)
V
A
=V
Ref
+R
1
.I
V
A
=V
Ref
+(V
S
V
Ref
).R
1
/(R
1
+R
2
)
On fait crotre V
E
partir dune valeur trs ngative. Au
dpart, on a donc : V
S
=+U
V
+

=V
A
=V
Ref
+(U V
Ref
).R
1
/(R
1
+R
2
).
Quand le potentiel de B devient suprieur celui de A, la
tension de sortie devient U.
Il existe donc une tension de seuil V
1
au-del de laquelle le systme change dtat.
V
1
=V
Ref
+(U V
Ref
).R
1
/(R
1
+R
2
). On fait ensuite dcrotre V
E
partir dune valeur positive.
Initialement, on a : V
S
= U.
Comme prcdemment, on a basculement du systme pour
une tension de seuil V
2
V
1
telle que :
V
2
=V
Ref
(U +V
Ref
).R
1
/(R
1
+R
2
).
Les valeurs des deux tensions de basculement tant
diffrentes, on dit que le systme prsente un hystrsis.

Cliquez ici pour visualiser le fonctionnement du circuit.
" APPLICATIONS
Avec un comparateur simple, si la tension dentre fluctue, le systme bascule un
certain nombre de fois avant de se figer dans un tat. Avec un comparateur hystrsis, le
systme noscille pas si lcart entre les seuils est suprieur lamplitude des fluctuations
du signal dentre.
Si la tension dentre est un signal sinusodal damplitude suffisante, la tension de
sortie est un signal rectangulaire damplitude 2U.
7.3 Multivibrateur astable
On ralise le circuit de la figure 21 dans lequel R
2
introduit une raction positive.
Lamplificateur fonctionne donc en rgime de saturation.

3
Trigger : gachette, dtente, dclencheur. Ce montage sappelle galement bascule de Schmitt.
Ve
V1
Seuil haut
Seuil bas
Seuil unique
t
V2

Fig. 20

V
S
2
E
1
V
V
V
U
+U
Fig. 19
Vs
+

R1
I
C
I'
R3
R2
A
B
Fig. 21
V
V
A
B

" Principe du fonctionnement
Si V
A
>V
B
, on a : V
S
=+U. Le condensateur C se charge travers R
3
. Le potentiel du
point B crot jusqu la valeur V
A
(R
1
et R
2
forment un pont diviseur), puis le montage
bascule et alors V
S
= U.
Le potentiel de A devient ngatif et donc : V
A
<V
B
. Le condensateur se dcharge travers
R
3
. V
B
dcrot jusqu' ce quil devienne infrieur V
A
et le montage bascule nouveau. Le
systme oscille indfiniment entre ces deux tats (astable) avec une priode fonction des
valeurs des lments du circuit.
Cliquez ici pour visualiser le fonctionnement du circuit.
" Calcul de la priode
On suppose que initialement V
S
=+U
V
A
=V
S
.R
1
/(R
1
+R
2
) (a)
R
3
.I =V
S
V
B
=R
3
.C.d(V
B
)/dt (b)
La solution gnrale de lquation (b) est : V
B
=K.exp( t/) avec =R
3
C
Une solution particulire est : V
B
=V
S
=+U
La solution gnrale est donc : V
B
=+U +K.exp( t/)
On prend comme origine des temps, linstant o le systme a bascul ; en t =0 on a :
V
B
(0) = V
A
= U.R
1
/(R
1
+R
2
)
K =V
B
(0) U = U.[1 +R
1
/(R
1
++R
2
)] = U.(2.R
1
+R
2
)/(R
1
+R
2
)
V U U
R R
R R
e
B
t
=
+
+

2
1 2
1 2


En t =0 : V
B
= U.R
1
/(R
1
+R
2
) ; V
B
croit jusqu t =t
1
=T/2 pour atteindre la valeur
V
B
=+U.R
1
/(R
1
+R
2
)
U.R
1
/(R
1
+R
2
) =U U.[(2.R
1
+R
2
)/(R
1
+R
2
)].exp( t
1
/)
[(2.R
1
+R
2
)/(R
1
+R
2
)].exp( t
1
/) =R
2
/(R
1
+R
2
)
(2.R
1
+R
2
).exp( t
1
/) =R
2
exp(t
1
/) =1 +2.R
1
/R
2

t
1
=.Ln(1 +2.R
1
/R
2
)
Lexpression de la priode est donc : T R C Ln
R
R
= +
!
"
#
$
%
&
2 1
2
3
1
2
.
Ce circuit constitue un oscillateur et gnre une tension rectangulaire. Ici encore il importe
dutiliser un amplificateur oprationnel dont le temps de monte est le plus petit possible.
8 Simulation dimpdances
8.1 Rsistance ngative
Vs
Ve
+

R1
I
I'
R
R1
A
B
Fig. 22
Dans le circuit, R
1
introduit une raction ngative et
R une raction positive.
Soient V
E
et I les tension et courant dentre.
V
E
V
S
=R.I
V
E
=V
+
=V

=R
1
.I
Or V
S
=2.R
1
.I
Donc V
S
=2 V
E

R.I =V
E
V
S
=V
E
2.V
E
= V
E

On en dduit : V
E
= R.I
Limpdance prsente par le circuit correspond une rsistance de valeur R.
Ceci traduit le fait que le circuit fournit de lnergie au montage auquel il est connect. Une
rsistance positive consomme de lnergie.
8.2 Multiplicateur de capacit
On suppose que lamplificateur oprationnel est idal.
Vs
Ve
+

R2
i
I
C
I i
R1
A
B
Fig. 23
V
A
=V
B
=0
V
E
=i/jC V
S
= R
1
.i
V
S
= jR
1
.C .V
E

De plus : V
E
V
S
=R
2
.(I i)
La valeur du courant dentre est donc :
I =i +(I i) =jCV
E
+(V
E
V
S
)/R
2

I =jCV
E
+V
E
/R
2
+jR
1
.C V
E
/R
2

I V
R
jC
R
R
E
= + +
!
"
#
$
%
&
!
"
#
$
%
&
.
1
1
2
1
2

On en dduit la valeur de ladmittance dentre :Y
R
jC
R
R
E
= + +
!
"
#
$
%
&
1
1
2
1
2
.
$ Ce circuit est quivalent une rsistance R
2
en parallle avec un condensateur dont la
capacit vaut C' =C.(1 +R
1
/R
2
). Il permet de simuler une capacit de grande valeur.
8.3 Simulateur dinductance
Par rapport au montage prcdent, on permute C et R
1

Vs
Ve
+

R2
i
I
C
I i
R1
A
B

Fig. 24
V
A
=V
B
=0
I =i +(I i)
V
E
=R
1
.i V
S
= i/jC
V
S
= V
E
/jC..R
1

V
E
V
S
=R
2
.(I i)
I =i +(I i). =V
E
/R
1
+(V
E
V
S
)/R
2

On en dduit la valeur du courant I.
I
R R jC R R
E
= + +
!
"
#
$
%
&
V .
1 1 1
1 2 1 2


La valeur de ladmittance quivalente est :Y
e
R R jC R R r jL
= + + = +
1 1 1 1 1
1 2 1 2


$ Ce circuit est quivalent une rsistance r =(R
1
// R
2
) en parallle avec une inductance
L =C.R
1
.R
2
. Il permet de simuler une inductance de grande valeur en utilisant un
condensateur.
9 Oscillateur sinusodal
Dans un amplificateur de gain H soumis une raction positive damplitude K, la fonction
de transfert est (formule de Black) H =H/(1 KH). Si KH =1 alors H est infini. La tension
de sortie nest pas nulle mme si la tension dentre lest.

On peut aussi considrer que : V
S
=V
E
=KHV
S

Cette quation admet comme solutions :
V
S
=0 ou KH =1.
Si cette condition nest satisfaite pour une seule frquence, on obtient un oscillateur
sinusodal. Le gain doit tre ajust pour que lon obtienne la compensation exacte des pertes
introduites par la cellule de raction. Un gain plus lev entranerait la saturation de
lamplificateur et un gain plus faible larrt des oscillations.
" Oscillateur pont de Wien
Limpdance prsente par C en parallle avec R est : Z =R/(1 +jR.C.)
V
1
=R
2
.I V
2
=(R
1
+R
2
).I V
2
/V
1
=(R
1
+R
2
)/R
2

On suppose quune tension sinusodale apparat dans le circuit. Aux bornes du quadriple de
raction, on a alors :
V2 V1 V1
+

R1
I
C
C
I'
R
R2
A
B
R

V R
jC
R
jRC
I V
R I
jC R
2 1
1
1 1
= + +
+
!
"
#
$
%
&
=
+
. '
. '

V
V
R
jC
R
jC R
R
jC R
jC R
jC
R
jC R
R
jC R
2
1
1
1
1
1
1
1
=
+ +
+
+
=
+
+
+
+


V
V
R C jRC
jRC
2
1
2 2 2
1 3
=
+


Il y aura apparition doscillations si :
R R
R
R C jRC
jRC
R C
jRC
2 1
2
2 2 2 2 2 2
1 3
3
1 +
=
+
= +


En identifiant les parties relles et imaginaires, on tire :
R
1
=2.R
2
et (1 RC) =0
Si la 1
e
condition est satisfaite, le systme oscille avec la pulsation =1/RC.
Si le gain est insuffisant loscillation cesse ; sil est trop grand, il y a saturation. En
pratique, on utilise pour la rsistance R
2
un lment non linaire dont la rsistance crot avec
le courant qui la traverse afin de stabiliser le gain. Si V
2
crot, le courant i crot ainsi que R
2
ce
qui induit une diminution de V
2
.
10 Filtres actifs
Les filtres raliss partir de diples passifs introduisent une attnuation du signal.
Lemploi des amplificateurs oprationnels permet de raliser simplement des filtres RC actifs
dont les caractristiques sont quivalentes celles des filtres LC passifs. Il existe un nombre
considrable de filtres actifs diffrents classs selon la forme de leur fonction de transfert en
filtres de Butterworth, de Tchebychev, de Bessel ... Des ouvrages entiers sont consacrs leur
tude. Nous examinerons seulement quelques exemples simples.
" EXEMPLE DE FILTRE DU PREMIER ORDRE
Soient Z
C
limpdance complexe du condensateur et Z
2
limpdance qui relie le point A et la
sortie : Z
2
=R
2
Z
C
/(R
2
+Z
C
) =R
2
/(1 +jR
2
C )
La fonction de transfert est donc (cf 5.1) : H = R
2
/R
1
(1 +jR
2
C )
Fig. 25
On pose H
0
=R
2
/R
1
et
c
=1/R
2
.C
H =H
0
/(1 +j/
c
) =H
0
/(1 +jx)
Ce circuit constitue un filtre passe-bas dont le gain est :
G H
H
C
= =
+
0
2
1 ( / )

Sa frquence de coupure (H =H
0
/ 2) est
C
. Si la rsistance R
2

est trop grande, le montage se comporte alors en intgrateur
(cf 5.3).
" EXEMPLE DE FILTRE DU SECOND ORDRE (SALLEN ET KEY)
Vs
Ve(t)
+

R R
C
A
B
C

Fig. 27
Lamplificateur est mont en suiveur : V
A
=V
S

Lapplication du thorme de Millman en A et B donne :
V
R
V
R Z
B
S
C
= +
!
"
#
$
%
&
1 1
et
V
R Z
V
R
V
R
V
Z
B
C
E S S
C
2 1
+
!
"
#
$
%
&
= + +
On en dduit :
V
V R
Z
R
Z
S
E
C C
=
+ +
1
1
2
2
2
. En posant
0
=1/RC et x =/
0
, on tire :
2
) jx 1 (
1
) j ( H
+
= soit : H
x
=
+
1
1
2

Cest donc un filtre passe-bas du second ordre dont les deux ples sont identiques. En
permutant les deux rsistances et les deux condensateurs on obtient un passe-haut. En
permutant un condensateur et une rsistance on obtient un passe-bande. Pour obtenir des
filtres dordre plus levs, on met plusieurs cellules (dont les frquences de coupure sont
diffrentes) en cascade.
Cliquez ici pour visualiser le fonctionnement du circuit.
On peut donner un gain ce filtre en modifiant la rtroaction.
Vs
Ve(t)
+

R1
R2
R R
C
C

Fig. 28
On pose k =(R
1
+R
2
)/R
2
. Un calcul analogue au
prcdent donne, pour la fonction de transfert,
lexpression :
) k 3 ( x . j x 1
k
) j ( H
+
=
Selon la valeur de k le comportement du filtre est
modifi.
Si k =1,586, on a la mme rponse (plate avant la coupure) que pour le circuit
prcdent. (type Butterworth)
Si k <1,586, le dphasage varie linairement avec . (type Bessel)
Si k >1,586, la coupure est plus marque mais il y a des oscillations avant celle-ci.
(type Tchebychev)
11 Gnrateur de fonctions
De nombreux circuits peuvent tre considrs comme des blocs fonctionnels associables en
cascade. Comme exemple examinons le principe des gnrateurs de fonctions qui sont des
montages produisant au moins deux formes dondes diffrentes.
Vs
Ve(t)
+

R1
R2
C
A
V1 V
A
Vs
+
+

R
C
R2
R1

Fig. 29
V
1
S
+U
U
u+
u
V

Le premier amplificateur mont en bascule de Schmitt produit une tension rectangulaire et
le second, mont en intgrateur gnre une tension triangulaire.
La tension de sortie V
1
de la bascule est U. Il circule dans les rsistances R
1
et R
2
un courant
I =(V
1
V)/(R
1
+R
2
). La chute de tension dans la rsistance R
1
est donc : V
A
V =R
1
.(V
1

V)/(R
1
+R
2
). La bascule change dtat quand le potentiel de A sannule donc pour des
valeurs V =u
+
=U.R
1
/R
2
et V =u

= U.R
1
/R
2
.
Lorsque la sortie de la bascule est au niveau bas ( U), lintgrateur dlivre une rampe linaire
croissante. Quand la tension atteint la valeur u
+
, elle provoque le basculement du trigger qui
voit sa sortie passer au niveau haut. Lintgrateur gnre une rampe dcroissante jusqu' la
valeur u

o un nouveau basculement se produit.


12 Amplificateur dinstrumentation
Les constructeurs proposent maintenant des amplificateurs monolithiques intgrs dont la
structure interne est donne par la figure 30.
E
E
S
R
R R
R R
R
R
1
0 0
0 0
G
2
1
2
+
+
+

Fig 30

Ce sont des amplificateurs diffrentiels qui
prsentent lavantage davoir une impdance
dentre trs grande. On pourra comparer avec le
montage du 6.
Montrer que la tension de sortie est donne par la
relation suivante :
V
R R
R
E E
S
G
= +
+ !
"
#
$
%
&
1
1 2
2 1
* +

13 Redresseur sans seuil
Considrons le montage de la figure 31. Si la diode est polarise en inverse, sa rsistance
est si grande que lamplificateur fonctionne en boucle ouverte : si la tension dentre est
ngative, la tension de sortie est ngative et gale V
sat
. Ds que la tension dentre devient
positive, la tension de sortie tend vers +V
sat

Lorsque que sa tension de seuil est dpasse,
la diode conduit et sa rsistance devient
petite : le montage se comporte alors comme
un amplificateur de gain gal : 1 +R
2
/R
1
.
La fonction de transfert totale du systme
(courbe grise) est celle dun redresseur
simple alternance avec gain mais sans seuil :
la tension de seuil de la diode est en effet divise par le gain en boucle ouverte de
lamplificateur.
Conclusions
Nous avons prsent une liste non limitative dapplications des amplificateurs
oprationnels. Avec le modle de lamplificateur idal les calculs sont simples. A titre
Vsat
Ve
+

R1 R2
Fig. 31
Vs
Ve
Vs
dexercice ltudiant est invit reprendre les dmonstrations en utilisant dautres mthodes
que celles qui ont t utilises.
Toutefois le modle de lamplificateur idal connat des limites principalement pour les
hautes frquences. Il faut alors utiliser les formules gnrales et les calculs deviennent souvent
complexes mme pour des montages simples.


THEOREME DE MILLMAN ET AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS

Lutilisation du thorme de Millman permet souvent dobtenir rapidement la solution des
problmes relatifs aux amplificateurs idaux. Il convient toutefois de lappliquer correctement !
R
R
Is
A
C
B
R
R
R
1
V
V
1
1 2
S

Fig 32
Au point B, il est lgitime dcrire que
R / 2
R / V R / V
V
A 1
B
+
=
car les courants dentre dans
lamplificateur sont ngligeables.
Par contre, il ne faut pas oublier de tenir compte du courant de sortie qui lui nest pas ngligeable.
Ainsi lcriture correcte du thorme au point A est :
V
V R V R Is
R R
A
B C
=
+ +
+
/ /
/ /
1
1
1 1

Lutilisation du thorme de Millman la sortie dun amplificateur oprationnel ne donnera en
gnral aucune information exploitable car le courant de sortie nest pas connu ce stade du calcul.



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Lamplification de puissance
1 Puissance, rendement
La finalit des amplificateurs est la commande dun actionneur (haut-parleur, moteur, in-
ductance, rsistance ...) sans dformation du signal appliqu en entre.
Dans ltude dun amplificateur de puissance, il faudra souvent faire des compromis entre
la recherche de la qualit de la reproduction et des considrations conomiques (cot,
rendement). Dans cette prsentation des principes de lamplification de puissance, nous nous
limiterons ltude de charges ohmiques pures.
" Rendement dun amplificateur
Lalimentation du montage fournit une puissance totale P
F
qui se rpartit entre la puissance
utile P
U
dissipe dans la charge et P
D
dissipe, en pure perte, dans lamplificateur. La
puissance P
C
, fournie par le circuit de commande, est en gnral ngligeable devant celle
provenant de lalimentation.
On peut dfinir :
La puissance moyenne utile :
(

T
0
T
0
dt . i . v
T
1
dt ). t ( pu
T
1
Pu
Le gain en puissance : Gp =P
U
/P
C

Le rendement : =P
U
/(P
C
+P
F
)
P
U
/P
F
2 Classes de fonctionnement
Soient un transistor et sa droite de charge. Selon la position du point de repos, on dfinit
des classes de fonctionnement diffrentes.
Classe A : Lors du fonctionnement, il ny a ni saturation ni
blocage. Le point de repos idal est le point A situ au milieu
de la droite de charge.
Classe B : Le transistor est conducteur pendant exactement
une demi-priode. Le point de repos idal est le point B tel que
I
C
=0 et V
CE
=E.
Classe AB : En pratique, il est difficile dobtenir un fonction-
nement en classe B, cest--dire avec un courant de repos ri-
goureusement nul. Il est plus simple de polariser le transistor
en maintenant un lger courant collecteur au repos (point AB).
Classe C : Dans cette classe de fonctionnement, le transistor est conducteur pendant moins
dune demi-priode.
3 La classe A avec une charge rsistive
Avec un montage metteur commun et une charge purement ohmique, le point de fonc-
tionnement idal est situ au milieu de la droite de charge.
Le courant de repos est I =E/2.R
C
et la tension de repos est V
CE
=E/2.
Commande
Pf
Pd
Pu
Pc
Amplificateur Utilisation
Alimentation
Fig. 1
Ic
A
B
AB
Vce
Fig. 2
E
Rc (Charge)
Polarisation
et signal
Ic
A
E E/2
E/2Rc
Vce
Fig. 3

" Puissance utile dissipe dans la charge
En rgime sinusodal, la tension v(t) et le courant i(t) de sortie scrivent :
v(t) =E/2 +V
S
.sin t ; i(t) =E/2.R
C
+V
S
/R
C
.sin t
La puissance dissipe dans la charge est donc :
(

,
_

+
,
_

+
(


T
0
C
S
C
S
T
0
dt t sin
R
V
R 2
E
t sin . V
2
E
T
1
dt ). t ( i ). t ( v
T
1
Pu
P
U
=E/4.R
C
+V
S
/2.R
C

Le premier terme est constant et seul le second terme contient une information. Lexpression
de la puissance utile est donc :
Pu
V
R
S
C

2
2.

" Puissance fournie par lalimentation
Le courant dlivr par lalimentation est le courant de sortie i(t).
C
2
T
0
C
S
C
T
0
R 2
E
dt t sin
R
V
R 2
E
E
T
1
dt ). t ( i . E
T
1
Pf
(

,
_

+
(


" Puissance dissipe dans le transistor
Cest la diffrence entre la puissance fournie par le gnrateur et la puissance dissipe dans
la charge.
P
T
=P
F
P
U
=E/2R
C
V
S
/2.R
C

On constate que la puissance dissipe dans le transistor est maximale en labsence de signal.
" Rendement utile
Cest le quotient de la puissance utile par la puissance fournie par lalimentation.
=V
S
/E
Or lamplitude maximale de la tension de sortie est V
S
=E/2. Pour viter la distorsion en
sortie, il faut toujours rester en de de cette valeur. Donc pour ce type damplificateur on a :
25%
La conception des amplificateurs classe A est simple et leurs performances sont excellentes
surtout au niveau de la linarit et de la distorsion mais leur rendement est trs mauvais.
Lutilisation dun transformateur de sortie permet de doubler le rendement car il ny a plus de
signal continu dans la charge mais introduit dautres problmes (bande passante, saturation du
transformateur).
4 La classe B
4.1 Principe
On utilise une paire de transistors complmentaires, cest--dire un transistor de type NPN
et un de type PNP de mme gain, en montage collecteur commun. On se limite ici ltude de
ltage final de lamplificateur. Lamplification en tension du signal initial est assure par des
tages situs en amont.
1
G
2
R
E
E
Ru
T E
G
T Ic
Transistor T1
Ib
B
Vce
Vbe Fig. 4

Les deux transistors sont polariss, par le dernier tage amont, pour obtenir un courant de
repos nul (point B). Chaque transistor est donc bloqu pendant une demi-priode : T
1
nest
conducteur que pendant les alternances positives de la tension dentre. Il est donc ncessaire
dutiliser deux transistors complmentaires avec deux alimentations continues symtriques par
rapport la masse. Le courant qui circule dans la charge est fourni alternativement par les
deux transistors.
Ce montage est connu sous le nom de push-pull
1
.
Pour augmenter le gain en puissance, on peut utiliser une paire de transistors Darlington
complmentaires.
Soient
1
et
2
les gains en courant des deux transis-
tors.
T
1
est conducteur quand e
G
est >0. Il est bloqu pour
les tensions dentre ngatives et satur si V
S
>E.
I
C
=
1
.I
B
et V
S
=R
U
.I
S
R
U
.I
C

V
S
=R
U
.(
1
+1).I
B
En entre, on a :
e
G
+R
G
.I
B
+V
BE
+R
U
.I
S
=0
En ngligeant V
BE
, on tire :
e
G
+R
G
.I
B
+R
U
.( +1).I
B
=0
I
B
e
G
/(Ru.
1
+R
G
)
V
S
=e
G
R
G
.I
B

Le montage tant un collecteur commun, on a pour les alternances positives :
V
R
R R
e
S
U
U G
G

1
1

T
2
est conducteur pendant les alternances ngatives (e
G
<0). On tire de mme :
V
R
R R
e
S
U
U G
G

2
2

Les deux transistors doivent avoir le mme gain pour que les caractristiques de transfert
aient la mme pente et que lamplification des deux alternances soit symtrique. Si cette
condition est effectivement ralise, le signal dentre est reproduit sans distorsion.
4.2 Rendement en classe B
Le courant dans la charge est : I
S
=V
S
/R
U

La puissance utile est donc : P
U
=V
S
/2.R
U


1
To push : pousser ; to pull : tirer. Evoque un mouvement de balancement.
Vs
Transistor T1
Saturation
Blocage
Transistor T2
G
a
i
n

d
i
f
f

r
e
n
t
+E
E
eg
Fig. 5
Si I
1
et I
2
sont les courants de collecteur des deux transistors, la puissance fournie par
lalimentation est : P
F
=E.I
1
E.I
2

P
T
E.
V
R
t dt E.
V
R
t dt
E.V
R T
E.V
R
F
S S
T
S S
T
T

'


1 2 2
0
2
2
sin . sin .
.
.
.



Le rendement est donc gal a :



V
R
R
E V
V
E
S
S
S
2
2 2 4 .
.
. .
.
.

Il est maximal lorsque V
S
atteint sa valeur maximale V
S
=E
Le rendement maximal en classe B est donc : =/4 78,5 %
A puissance de sortie gale, ce montage permet dutiliser des transistors moins puissants
que ceux ncessits par un montage en classe A.
4.3 Distorsion de croisement
Les jonctions metteur base ne sont passantes que
si la tension dentre est suprieure leur tension de
seuil.
En ralit, la caractristique de transfert V
S
=f (e
G
)
prsente un palier. V
S
est nul pour les tensions
dentre infrieures la tension de seuil. En sortie, il y
a une dformation importante du signal car au
voisinage du point de repos, le systme fonctionne en
classe C. Ceci correspond la distorsion de
croisement. Compte tenu de la valeur de la tension de seuil ( 0,7 V), la distorsion est trs
importante, ce qui interdit un fonctionnement en classe B pure.
Le montage ci-dessous donne le principe dun autre mode de
polarisation qui permet de supprimer ce type de distorsion. On
utilise deux diodes dont les tensions de seuil V
0
sont gales la
tension de seuil V
BE0
des transistors. Les rsistances R
1
et R
2

ont des valeurs assez petites pour que les diodes soient
polarises par un courant important, ce qui place leur point de
fonctionnement dans la zone linaire et cela pour toute valeur
de la tension dentre comprise entre t E.
Les diodes restent en effet conductrices si le courant qui les
traverse reste positif. On modifie ainsi le point de polarisation des transistors qui conduisent
pour une tension dentre pratiquement nulle.
Ces conditions de fonctionnement sont difficiles ob-
tenir et, en pratique, on utilise des diodes dont la tension
de seuil est suprieure celle des transistors. Ceux-ci sont
donc toujours passants et prsentent un faible courant de
repos I
0
(fonctionnement en classe AB). Dans la charge,
ces courants sont opposs et on doit ajuster R
1
pour que le
courant de repos dans R
U
soit nul.
Une autre mthode utilise pour annuler les effets de la
distorsion de croisement consiste utiliser un amplificateur oprationnel avec une contre-
raction totale.
Vs
Transistor T1
Transistor T2
Classe C
+E
E Fig. 6
1
2
2
E
1
E
Ru
T
R
T R
Fig. 7
T
E
E
Ru
T
+
2
1
E
S
V
V
Fig. 8
Dans ce montage, le gain sajuste pour maintenir lgalit des tensions dentre et de sortie
et cela mme pour des tensions dentre trs faibles. Cette contre-raction nergique de
lamplificateur oprationnel permet une rduction pratiquement complte de la distorsion de
croisement.
4.4 Montage condensateur
Les montages prcdents utilisent tous une alimentation
double. Ce mode dalimentation nest pas toujours possible et
dun point de vue conomique il est plus avantageux de
travailler avec une alimentation unique. Le montage suivant
qui utilise un condensateur en srie avec la charge est trs
utilis. En effet, si on place un condensateur de forte valeur en
srie avec la charge, celui-ci se comporte pendant les
alternances positives comme un rcepteur de tension et se
charge la tension E/2. Pendant les alternances ngatives du
signal ce condensateur restitue lnergie emmagasine et se
comporte comme un gnrateur de tension de f.e.m. E/2.
4.5 Amplificateurs intgrs
Les fabricants offrent un large choix damplificateurs de puissance intgrs dont les
performances sont trs satisfaisantes et dont la mise en uvre est simple car seul un petit
nombre de composants priphriques est ncessaire.
A titre dexemple, la figure 10 reproduit un schma
dapplication du circuit TDA 1020 qui permet de fournir
une puissance de 7 W dans une charge de 4 . La structure
interne de ltage final correspond celle dcrite au 4.4.
Les condensateurs de 0,1 F et de 100 F sont des
condensateurs de dcouplage en basse frquence et la
chane 2,7 - 0,1 F est un rseau de compensation en
frquence.

REMARQUES
Les circuits rels sont en gnral plus complexes que les schmas de principe qui ont t
dcrits ici. Ainsi on ajoute souvent des circuits lectroniques de protection car un court-circuit
au niveau de la charge entrane la destruction immdiate des transistors de puissance par
emballement thermique. Une protection par fusible est illusoire car la dure ncessaire sa
coupure est trop grande pour empcher la destruction du transistor.

Dans les circuits de puissance, il faut maintenir la temprature des jonctions des transistors
de ltage final des valeurs infrieures 180C. Lors de la fabrication le collecteur est plac
en contact thermique troit par brasure avec le botier mtallique du transistor. De plus les
transistors de puissance sont fixs sur des radiateurs qui sont refroidis par convection naturelle
ou force.

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C
E
Ru
T
R
T R
1
2 2
1
Fig. 9
+

1
0

k
4
100 F
2,7
0,1 F
1 mF
14 V
Fig. 10
0,1 F

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Le transistor en commutation
1 Principe
On considre un transistor branch en metteur commun avec une polarisation par
rsistance de base R
B
. Un inverseur (figure 1-a) permet de relier la rsistance R
B
soit au
gnrateur E soit la masse.
E
C
B
M
Vs
E
Rc
Rb
E
E
B
E
/
R
c
C
Ic
Vce
Fig. 2 Fig. 3 Fig. 1
A
E 0
E

Les quations des droites dattaque et de charge (figure 1-b) sont :
V
BE
=E R
B
.I
B
( 0,6 V) I
B
=(E V
BE
)/R
B
E/R
B
et V
CE
=E R
C
.I
C
On peut en dduire la position du point de fonctionnement du montage en fonction de
lintensit du courant base. La tension de sortie est V
CE
=V
S
.
" En rgime amplificateur, on place le point de fonctionnement au milieu de la droite de
charge (point C). La relation I
C
.I
B
permet de dduire le courant collecteur de la valeur
du courant base et 0 <V
S
<E.
" Si le courant base est nul, le courant collecteur est nul (I
C
.I
B
) et V
S
=E (point A). Le
transistor est bloqu.
La base contient alors un excs de porteurs minoritaires.
" Si le courant base est trs intense, le courant collecteur est lev mais il ne peut dpasser la
valeur I
CMax
=E/R
C
: quand on fait crotre I
B
au-del de la valeur I
BMax
=E/.R
C
, la tension
V
CE
devient trs faible (point B). Elle est comprise entre 20 mV et 200 mV selon lintensit
du courant base.
La base est alors sature en porteurs majoritaires et la relation I
C
.I
B
nest plus valide.
La jonction base collecteur est alors polarise en direct (V
BC
=V
BE
+V
EC
est voisin
de 0,6 V 0,2V =0,4 V). On dit que le transistor est satur.
Cette condition est satisfaite quand la valeur de la rsistance de base R
B
est infrieure
.R
C
. Pour un transistor satur, on a :
R
B
< .R
C
V
S
0 I
C
E/R
C

Un transistor fonctionne en rgime de commutation quand son courant base est soit trs
faible (transistor bloqu) soit trs intense (transistor satur). Vis--vis du gnrateur et de la
rsistance de collecteur, le transistor satur se comporte comme un interrupteur ferm et le
transistor bloqu comme un interrupteur ouvert (voir la figure 2). Dans ce type de
fonctionnement, la puissance P =V
CE
.I
C
dissipe dans le transistor est toujours faible.
La dure de la commutation entre les deux tats dpend du temps ncessaire lcoulement
des porteurs en excs dans la base. Les transistors utiliss en commutation sont conus pour
que cette dure soit la plus faible possible.
INVERSEUR LOGIQUE : Si lentre du montage (rsistance R
B
) est relie E, la tension de sortie
V
S
est nulle. Si lentre est relie la masse, V
S
=E. Si lon convient de dsigner par 0
une tension nulle et par 1 une tension gale E, on constate que le montage tudi
constitue un inverseur logique.
Nous allons tudier plusieurs fonctions de base de llectronique ralises avec des
transistors fonctionnant en rgime de commutation. Ces montages qui ont deux tages coupls
par raction positive possdent deux tats. Selon la nature du couplage, on distingue :
Le bistable ou bascule : les deux tats sont stables.
Le multivibrateur astable : les deux tats sont instables.
Le monostable : seul un tat est stable.
Aujourdhui, ces fonctions sont ralises par des circuits intgrs spcifiques et lobjectif
de cette tude sera surtout didactique. Nous commencerons par rappeler le fonctionnement du
circuit drivateur.
2 Circuit drivateur
On utilise un circuit RC aliment par une tension en crneaux U
E
(t).
" "" " Etude analytique
Soient u(t) la tension aux bornes du condensateur et i(t) le courant dans la rsistance. On
considre que limpdance de la charge est infinie.
U
E
+u +R.i =0
I =dQ/dt =C.du/dt
u +R.C.du/dt =U
E
On pose RC =. La solution est :
u =U
E
+A.exp( t/)

U
S
=R.I =R.C.A[ 1/RC.exp( t/)] U
S
(t) = A.exp( t/)
Pour obtenir la solution gnrale, on utilise la condition initiale : u(0) =U
E
+A
La tension dentre U
E
passe de 0 E.

u(0) =0 =E +A ; donc : A = E et U
S
(t) =E.exp( t/)
Aprs la transition, la tension de sortie dcrot de E 0 avec une constante de temps
=R.C
La tension dentre U
E
passe de E 0
u(0) =E =A ; donc A =E et U
S
(t) = E.exp( t/)
Aprs la transition, la tension de sortie crot de E 0 avec une constante de temps
=R.C.
Pour que le signal de sortie U
S
soit la drive du signal dentre, il faudrait que ce soit une
impulsion de largeur nulle (pic de Dirac). On sapproche de cette condition en choisissant R et
C pour que le produit R.C soit trs infrieur la priode du signal rectangulaire dentre. Le
montage donne des impulsions positives sur les fronts montants du signal dentre et
ngatives pour les fronts descendants.
" "" " Etude qualitative
Pour comprendre le fonctionnement du circuit, il nest pas indispensable deffectuer ces
calculs.
La tension dentre passe de 0 E
Larmature dentre du condensateur C est au potentiel +E et comme sa charge ne varie
pas instantanment, juste aprs la transition du potentiel dentre, le potentiel de son
E
R
C
Ue
Ue
Us
Us
u(t)
i(t)
Fig. 3
armature de sortie est galement +E. Le condensateur se charge ensuite rapidement si
RC <<T. Le courant dans la rsistance sannule et alors U
S
=0.
La tension dentre passe de E 0
Avant la transition, le condensateur est charg. Le potentiel de larmature dentre A
E
est E
et celui de larmature de sortie A
S
est nul. Lors de la transition la charge ne varie pas. Si le
potentiel de A
E
sannule, celui de A
S
devient gal E. Ensuite, le condensateur se
dcharge rapidement dans R.
Cliquez ici pour tudier le fonctionnement de ce circuit.
3 Le circuit bistable
Ce circuit possde deux tats stables et il faut une intervention extrieure pour changer
dtat. Le circuit bistable est galement connu sous les noms suivants : bascule, montage
Eccles-J ordan, flip-flop.
" "" " Schma du circuit utilis
Les deux tages du montage de la figure 4 sont en principe identiques. La commande du
bistable peut tre assure par un gnrateur dimpulsions ou par un gnrateur rectangulaire
suivi du drivateur dcrit ci-dessus.
" "" " Fonctionnement du circuit
Dans ltat initial, T
1
est satur et T
2
est bloqu. Le
potentiel du collecteur de T
1
est pratiquement gal son
potentiel dmetteur. Par contre, le potentiel du collecteur
de T
2
est gal U. Les rsistances R
1
et R
2
dune part et R
3

et R
4
dautre part constituent des ponts diviseurs de tension
qui relient la sortie dun tage lentre de lautre avec une
raction positive.
Le potentiel de base du transistor T
1
est donc : V
B1

U.R
1
/(R
1
+R
2
). Ce potentiel est suprieur au potentiel
dmetteur V
EM
de T
1
qui est satur :V
B2

V
EM
.R
4
/(R
4
+R
3
) <V
EM

Le transistor T
2
ayant le potentiel de sa base infrieur au potentiel de son metteur est donc
bien bloqu. Ltat ainsi obtenu est stable.
Les deux diodes du circuit dentre bloquent les signaux positifs.
BASCULEMENT : Si une impulsion ngative arrive sur les deux bases, elle bloque T
1
et elle est
sans effet sur T
2
qui est dj bloqu. Le potentiel V
C1
du collecteur du transistor T
1
crot.
Cette variation est transmise par le pont de rsistances R
1
-R
2
sur la base de T
2
qui se sature. T
2

tant conducteur, son potentiel de collecteur devient voisin de V
E
et le potentiel de la base de
T
1
devient infrieur V
E
: T
1
se bloque et reste dans ce nouvel tat mme aprs disparition de
limpulsion de commande. Un condensateur de dcouplage permet de maintenir constant le
potentiel de lmetteur pendant les transitions. Des condensateurs peuvent tre placs en
parallle sur R
2
et R
3
pour amliorer la vitesse de basculement.
Un bistable conserve linformation qui a t applique sur son entre et constitue
donc une cellule mmoire.
Quand on applique en entre le signal issu dun drivateur command par un signal
rectangulaire, seules les impulsions ngatives provoquent le basculement du circuit. Le
potentiel de chaque collecteur va tre un potentiel rectangulaire ayant une priode double de
celle du signal appliqu lentre.
Une bascule constitue galement un diviseur de frquence.
U
R R
T
1
E
2
2
1 4
R R
T
Entre
R
R
R
3
C1
C2
Fig. 4
4 Bascules seuil
" Objet du montage
Ce sont des bascules qui changent dtat quand la tension de commande dpasse une
certaine valeur qui est la tension de seuil. Le modle le plus utilis est le trigger
1
de Schmitt.
Seule lentre du second tage est couple la sortie du premier qui reoit les signaux de
commande.
" Fonctionnement du montage
Les rsistances R
1
et R
2
constituent un pont de base pour le transistor T
2
. Les valeurs des
rsistances R
C1
, R
C2
et R
E
sont choisies pour que T
2
soit fortement satur quand T
1
est bloqu
(le potentiel de collecteur de T
1
est alors voisin de U).
Dans ltat initial, qui est ltat stable du systme, le
transistor T
1
est bloqu et T
2
est satur. La valeur de la
rsistance R
C1
est nettement plus petite que celles de R
1
et
R
2
. Soit V
E
le potentiel commun des deux metteurs.
Dans cet tat, la tension de sortie (collecteur de T
2
qui est
satur) est gale U
0
=V
E
avec :
V V V
U R
R R
V
E B BE BE
=
+

2
2
1 2
.
.
Quand la tension dentre V
1
dpasse la valeur U
0
+V
BE
,
le transistor T
1
se met conduire et le potentiel de son collecteur diminue tandis que le
potentiel des metteurs varie jusqu une valeur U U R R R
E C E 1 1
+ . / ! ". Le potentiel de base
du transistor T
2
diminue ainsi que ses courants collecteur et metteur.
Le potentiel V
E
diminue ce qui contribue augmenter la conduction de T
1
. Il y a un effet
cumulatif qui entrane le basculement dfinitif du systme. La diminution de la tension
dentre en-dessous de la valeur U +V
1 BE
produira leffet inverse.
" Hystrsis
Par un choix convenable des rsistances, il est possible davoir des tensions de seuil
diffrentes pour les valeurs croissantes et dcroissantes de la tension dentre. Le systme
prsente alors de lhystrsis. Les applications des bascules seuil (mise en forme de signaux,
anti-rebonds) ont t examines au chapitre 14.
5 Le multivibrateur astable
Dans le multivibrateur astable, la sortie de chaque tage est relie lentre de lautre par
une liaison capacitive. Ce montage tant un oscillateur ne ncessite pas de circuit de
commande.
" Schma du circuit utilis
Les deux transistors sont coupls par deux condensateurs
qui relient le collecteur de lun la base de lautre. Cest
donc un montage raction positive.
Les valeurs des rsistances sont choisies pour assurer la
saturation complte des transistors. (R
B1
<.R
C1
).
En pratique, on prendra R
B
>10.R
C1


Cliquez ici pour voir une animation du fonctionnement de ce circuit.

1
To trigger =dclencher.
1
2
2
S
E
1
U
R
V
V
T
R
V
T
Entre
R R
R
E
C1 C2
1
Fig. 5
U
T
1
1
B1
2
2
C1
C C
R
R
T
R
R
Fig. 6
C2
B2
" Fonctionnement
Au temps t
1
, on admet que T
1
est bloqu et que T
2
est satur. En t
1
, on suppose que la base
de T
1
devient lgrement positive : T
1
se sature et son potentiel de collecteur diminue
brutalement Une impulsion de tension ngative est gnre sur ce collecteur. Comme le
potentiel V
C1
passe de U 0, le potentiel V
B2
passe de V
BE
(voisin de 0,6 V) U +V
BE
car la
charge Q =C
1
.U du condensateur na pas le temps de varier pendant la dure de la transition.
Le potentiel de la base de T
2
devenant ngatif, celui-ci se bloque.
Le potentiel de son collecteur crot vers U.
Le condensateur C
2
se charge travers R
C2
et lespace base
metteur du transistor T
1
(qui est alors satur) avec une
constante de temps gale
2
=R
C2
.C
2
.
Le potentiel de la base de T
1
reste lgrement positif ce qui
assure le maintien de sa saturation.
Aprs le blocage de T
2
, le potentiel de sa base V
B2
crot de U
+V
BE
V
BE
avec une constante de temps
1
=R
B2
.C
1
car le
condensateur C
1
se charge travers R
B2
et lespace collecteur metteur de T
1
qui est satur.
Quand V
B2
dpasse la tension de seuil V
BE
le systme bascule vers son autre tat.
Le systme oscille en permanence entre ces deux tats
instables. La figure 8 reprsente lvolution des potentiels
des collecteurs et des bases des deux transistors en fonction
du temps.
La saturation est trs rapide mais le blocage est progressif
cause de la dure de charge des condensateurs travers les
rsistances de collecteurs.
Sur chaque collecteur, on obtient un signal de sortie qui est
pratiquement rectangulaire. La priode et le rapport cyclique
(rapport entre les dure des tats hauts et des tats bas) sont
des fonctions des valeurs des rsistances des bases et des
condensateurs de couplage.

" Calcul approch de la priode du multivibrateur
Dans ce calcul, on suppose que la tension de seuil V
BE
des
jonctions base metteur et la tension de saturation des
transistors sont nulles. On prend comme origine des temps linstant auquel T
1
se sature.
U
u(t)
i(t)
U
+ +
C C
R
1
B2
1
Fig. 9
R
C1
V =0
V =0
V =U .
V =U
B2
B2
C1
B2
t =0 t =0

Lquation de la charge de C
1
est : R
B2
.i(t) +u(t) =U
i(t)
dQ
dt
C
du(t)
dt
1
= = R C
du t
dt
u t U
B2 1
. .
( )
( ) + = .
( )
( )
du t
dt
u t U + =
Les solutions gnrales et particulires sont : u t A e et u t U
t
1 2
( ) . ( ) = =


En t =0 +, u(0) = U. Donc : U =A +U et u t U e
t
( ) . . =
#
$
%
&
'
(

1 2


Le systme bascule dans lautre tat au temps t
1
tel que : u(t
1
) =V
B2
=0
U
T
1
1
B1
2
2
C1
C C
R
R
T
R
R
Fig. 7a
C2
B2
Bloqu Satur
U
U
U+
V
V
V
B1
C2
B2
V
BE
V
C1
Fig. 8
V
BE

2
1
On en dduit que : =exp(t
1
/)
t
1
/ =Log(2) 0,69135. Donc : t
1
0,7.
On calcule de mme la dure de la saturation de T
2
. La priode doscillation du multivibrateur
astable est donc voisine de :
) C . R C . R ( 7 , 0 T
2 1 B 1 2 B
+ =
Cette valeur est approche car le basculement se produit en ralit quand le potentiel de
base dpasse la tension de seuil de la jonction base metteur.
6 Le circuit monostable
Le monostable possde sensiblement la mme structure que le multivibrateur astable. Il y a
simplement remplacement dune liaison capacitive par une liaison rsistive.
Dans ltat initial, le transistor T
1
est bloqu est T
2
est satur.
Le potentiel de collecteur de T
1
est donc : V
C1
=U et les
potentiels des armatures du condensateur C valent U et V
BE
.
Si on applique une tension positive sur la base du transistor
T
1
, il se sature et V
C1
=V
SAT
0.
Pendant la dure de la transition entre les deux tats, la charge
du condensateur C ne varie pas. Larmature dont le potentiel
valait U passe un potentiel nul. Le potentiel de lautre
armature et donc V
B2
passent de V
BE
la valeur V
BE
U ce qui bloque le transistor T
2
. Cet
tat nest pas un tat stable. Le condensateur se charge travers R
B2
et lespace metteur
collecteur de T
1
qui est alors passant. Le potentiel
de la base de T2 crot avec une constante de temps
voisine de C.R
B2
. Lorsque V
B2
dpasse la tension
de seuil de la diode dentre de T
2
, celui-ci se
sature : la dure de limpulsion qui apparat sur la
sortie est donc uniquement fonction des valeurs de
C et de R
B2
.
Un calcul semblable celui qui a t effectu pour
le circuit astable montre que la dure de
limpulsion de sortie est sensiblement gale :
D =0,7.R
B2
.C
Pour que le systme fonctionne ainsi, il est
ncessaire que D soit infrieur la dure de la
demi-priode du signal de commande. Quand cette
condition nest pas ralise, la tension de sortie
reproduit les variations de la tension de commande.
REMARQUE : Avec le montage utilis, le gnrateur dentre est charg uniquement par la diode dentre du
transistor T
1
et son fonctionnement risque dtre perturb par cette charge qui est trs faible quand la jonction est
passante.
Cliquez ici pour voir une animation du fonctionnement de ce circuit.
Des circuits intgrs spcifiques sont maintenant utiliss pour raliser les fonctions dcrites
dans ce chapitre. Le circuit NE 555 permet en particulier de raliser trs simplement des
multivibrateurs et des monostables avec seulement quelques composants priphriques.
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U
T
1
C2
2
B1
R
R
T
Entre
Sortie
R
R
Fig. 9
B2
C1
U
V
U
U
V
V
V
V
Fig. 10
C2
B2
C1
BE
B1

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Les transistors effet de champ
A TRANSISTORS JONCTION (JFET)
1 Structure
Contrairement aux transistors bipolaires dont le fonctionnement repose sur deux types de
porteurs les trous et les lectrons, les transistors unipolaires fonctionnent avec un seul type de
charges, les trous ou les lectrons. Le transistor effet de champ jonction est un premier
exemple de transistor unipolaire.
Sur un substrat (P
+
) trs fortement dop, on
diffuse une zone dope N : le canal. Au centre du
dispositif, on diffuse une grille nomme aussi
porte ou gate, dope P
+
relie au substrat et de
part et d'autre de cette grille, deux lots trs
fortement dopes N
+
: la source (zone dentre
des lectrons dans le dispositif) et le drain (zone
de sortie des charges). Il existe aussi des J FET
(acronyme pour J unction Field Effect Transistor)
ayant un canal P qui sont complmentaires des
transistors canal N.
Pour ces transistors canal P, toutes les tensions et
les courants sont inverser.


Le symbole utilis pour les reprsenter est donn ci-dessous. Le trait qui correspond au
canal est continu. La grille et le canal forment une jonction
PN ; la flche correspondante est oriente dans le sens passant
de cette jonction. Sur les schmas, elle est parfois dcale du
ct de la source.



2 Fonctionnement
2.1 Etude exprimentale
On procde au relev des caractristiques en utilisant le montage ci-aprs. En
fonctionnement normal la jonction grillecanal est polarise en inverse : le courant dentre I
G

est trs faible et les courants drain et source sont identiques.
D D
G G
S S
Canal N Canal P
Fig. 2
P+
Canal N
Substrat P+
Mur
d'isolement
Source Drain Grille
N+
N+
Fig 1
Dans le rseau des caractristiques de sortie I
D
=f(V
DS
), on observe quatre zones
diffrentes. Une zone linaire dite rsistive, un coude, une zone de saturation (I
D
constant) et
une zone davalanche.
mV
V
GS
V
V
Rsis Coude Saturation Avalanche
Ugs =0
Ugs =1,5
Ugs =3
Ugs =6
U
G
Fig. 3
DS
DS
R
G
I
D
I
DSS
I
D

2.2 Interprtation du fonctionnement
" Zone rsistive
Dans une jonction polarise en inverse existe une zone isolante (sans porteurs libres) dont
l'paisseur e est fonction de la tension inverse (e k V
GS
). Cette zone isolante qui
correspond aux jonctions grille-canal et substrat-canal diminue la largeur effective du canal.
N+
N
N+
P+
P+
S G D
Substrat
N+
N
N+
P+
P+
S G D
Substrat
Fig. 4-b Fig. 4-a
-3V -1V

Pour les tensions V
DS
faibles, le canal se comporte comme une rsistance ohmique dont la
valeur est fonction de sa section et donc de la tension inverse entre la grille et la source. Le
J FET est alors quivalent une rsistance commande par une tension. Pour une valeur V
P

suffisamment ngative de V
GS
, la conduction sannule. On dit que le canal est pinc et que
V
P
est la tension de pincement.
" Zone du coude
La largeur de la zone isolante est galement influence par la
tension entre le drain et la source. Du ct de la source sa largeur
est : e
1
=k V
GS
.
Du ct du drain, elle est : e
2
=k V
GD
. Quand V
DS
augmente, la
valeur du courant drain rsulte de deux phnomnes comptitifs :
une croissance lie au caractre ohmique du canal et une
diminution lie au pincement progressif de ce canal.

" Zone de saturation
Dans cette zone tout accroissement de V
DS
qui augmenterait le courant I
D
augmente aussi le
pincement. Quand le canal se pince, la densit du courant augmente jusqu' ce que les porteurs
atteignent leur vitesse limite : le courant drain reste constant et le transistor est dit satur. La
valeur maximum de I
D
pour V
GS
=0, qui correspond au pincement du canal est note I
DSS
.
" Zone d'avalanche
Elle rsulte d'un claquage inverse de la jonction drain-grille. Ce claquage est destructeur du
dispositif si rien ne limite le courant drain.
N+
N
N+
P+
P+
S
0 1 2
5
G D
Substrat
Fig. 5
" Influence de la temprature
La largeur de la zone de dpltion diminue avec la temprature ce qui induit une croissance
du courant drain. Mais la mobilit des porteurs diminue avec la temprature. Cest le second
effet qui est prpondrant pour les courants drain levs et il ny a pas de risque
demballement thermique avec les transistors effet de champ.
3 Rseaux de caractristiques
3.1 Rseau d'entre
Ig

Fig. 6
Les transistors J FET doivent uniquement tre utiliss avec des
tensions V
GS
ngatives et infrieures la tension de claquage
inverse.
La caractristique dentre est celle dune diode polarise en
inverse. On a donc toujours :
0 I
G
=
3.2 Rseau de sortie
Id
Idss
Uds
Ugs
Ugs =0
Ugs =1,5
Ugs =3
Ugs =6
6
Up

Fig. 7
Cest le rseau des courbes I
D
=f(V
DS
) avec
V
GS
=Constante.
Ce rseau est caractris par trois rgions utiles :
la rgion ohmique,
la zone de coude,
la zone de saturation.
Dans cette zone, on note une lgre croissance de
I
D
avec V
DS
car la longueur effective du canal
diminue.
3.3 Rseau de transfert ou de transconductance
Ce rseau correspond aux courbes I
D
=f(V
GS
) pour V
DS
=Constante.
Les caractristiques sont des droites pour la partie ohmique. Dans la zone de saturation
pour les valeurs suprieures de V
DS
, la caractristique est parabolique et on peut crire en
premire approximation que :
2
P
GS
DSS D
V
V
1 I I

=

Les J FET sont caractriss par une grande dispersion des valeurs des paramtres. Pour un
mme type, le courant drain maximum I
DSS
et la tension V
GS
de pincement V
P
peuvent varier
dun facteur 4 5. Ainsi pour un 2N 5459, on note les valeurs suivantes :
4 mA <I
DSS
<16 mA et 2 V >V
P
> 8 V.
4 Polarisation des transistors effet de champ
A cause de cette dispersion des paramtres, il est impossible de rgler le point de
fonctionnement en imposant le potentiel de grille car I
D
peut varier de manire trop importante
pour un V
GS
donn.
EXERCICE : en utilisant lexpression de I
D
en fonction des valeurs de I
DSS
et de V
P
montrer que
pour un 2N 5459, on a : 1ma <I
D
<12 mA si on choisit V
GS
= 1 V.
4.1 Polarisation automatique
R
R
R
R
D
G
S
S
V
E

Fig. 8
Id
Idss
Uds Ugs
Ugs =0
1,5
3
Ugs =6
6

La grille est relie la masse par une rsistance R
G
de forte valeur. Comme le courant grille
est nul, le potentiel de grille est nul. Le courant drain produit dans la rsistance de source une
chute de tension gale R
S
.I
D
. La tension grille-source vaut donc : V
GS
=V
GM
V
SM
=
R
S
.I
D
. La grille est bien ngative par rapport la source.
Lquation de la droite dattaque est : V
GS
= R
S
.I
D

et celle de la droite de charge est : V
DS
=E (R
S
+R
D
).I
D

L'intersection de I
D
= V
GS
/R
S
avec la caractristique de transfert dfinit la tension V
GS
et la
valeur de I
D
. Lintersection de la droite de charge et de la caractristique qui correspond V
GS

donne la valeur de V
DS
.
Si le courant drain augmente, la chute de tension dans la rsistance de source augmente ce
qui diminue la conduction du canal et donc le courant drain. Il y a une contre-raction qui
stabilise le point de fonctionnement.
4.2 Polarisation par pont diviseur
On utilise comme pour les transistors bipolaires une polarisation par pont de base et
rsistance de source.
R
V
R
1
2
D
DD
S
R
R

Fig. 9
Le potentiel appliqu la grille est :
V
GM
=R
2
/(R
1
+R
2
)
Le potentiel de la source est V
SM
=R
S
.I
D
. Comme V
SM
=V
GM

V
GS
, la valeur du courant drain est donc : I
D
=(V
GM
V
GS
)/R
S
.
Si lon prend V
GM
beaucoup plus grand que V
GS
, la stabilisation
sera assure.
Si lon souhaite une stabilisation parfaite, il est possible dutiliser
un transistor bipolaire mont en source de courant constant dont la
charge sera constitue par le transistor effet de champ.
5 Schma quivalent en petits signaux
Lexamen des caractristiques dun J FET polaris dans la zone de saturation montre que
les quations qui rgissent le fonctionnement sont :
En entre : i
G
=0
En sortie : i
D
=s
S
.v
GS
+1/.v
DS
.
On dfinit la pente ou transconductance par : s
I
V
i
v
D
GS
D
GS
V Const
DS
= =
!
"
#
$
%
&
=


et la rsistance interne par : = =
!
"
#
$
%
&
=

V
I
v
i
DS
D
DS
D
V Const
GS

En utilisant la relation I
D
=I
DSS
.(1 V
GS
/V
P
), on obtient lexpression suivante pour la valeur
de la pente :
S
G D
v v
i
R

s.v
GS DS
D
D
S
GS

Fig. 10
s 2.I . 1
V
V
.
1
V
DSS
GS
P P
=
!
"
#
$
%
&
!
"
#
$
%
&

Pour les transistors petits signaux les valeurs
typiques de la pente et de la rsistance interne
sont :
s quelques mA/V 10 k 100 k
En entre, on applique une tension V
GS
et le courant consomm est nul. En sortie le FET se
comporte comme un gnrateur de courant dintensit s.v
GS
en parallle avec une rsistance .
Ce schma simplifi permet dinterprter le fonctionnement des J FET monts en
amplificateur.
La caractristique de transconductance tant parabolique les FET dforment les signaux de
grande amplitude. Il faut satisfaire la condition i
D
<<I
D
pour limiter la distorsion du signal.
On prend souvent i
D
I
D
/10.
Comme pour les transistors bipolaires trois montages peuvent tre envisags. Le montage
grille commune ne sera pas tudi car il nest pratiquement pas utilis.
6 Montage source commune
Avec une polarisation automatique ou par pont de grille, il faut introduire une rsistance de
source dont la prsence diminue le gain de ltage. Il est possible de placer en parallle sur la
rsistance R
S
un condensateur de dcouplage. Pour les signaux variables la source est alors au
potentiel de la masse.
R
R
R
R
D
G
S
S
V

Fig. 11
Le schma quivalent du montage est alors le mme
que celui du transistor. La rsistance de sortie est :
R
OUT
=
DS
// R
D
// R
U

La tension dentre est v
E
=v
GS

Le gain en tension est donc :
v
S
= R
OUT
.i
D
=s.R
OUT
.v
GS

A
V
= s.R
OUT

Ce montage est donc caractris par une trs grande impdance dentre, une impdance de
sortie moyenne et un gain en tension moyen et ngatif : il existe un dphasage de 180 entre
lentre et la sortie.
MONTAGE NON DECOUPLE :
Soit r
S
la partie non dcouple de la rsistance de source (R
S
=R
S
+r
S
). La tension dentre
est alors : v
E
=s.v
GS
+r
S
.i
D
=s.v
GS
+r
S
. s.v
GS
=v
GS
(1 +s.r
S
).
Le gain en tension devient : A
V
= s.R
D
/(1 +s.r
S
) R
D
/r
S

Lutilisation de la notion de transconductance ou pente permet de mettre en vidence
lanalogie qui existe entre les montages source commune et les montages metteur commun.
7 Montage drain commun
Le signal de sortie est prlev aux bornes de la rsistance de source.
Limpdance de sortie est :
S
=R
S
//
DS
//R
U

La tension de sortie est : v
S
=s.v
GS
En entre, on a : v
GS
=v
GM
v
SM
=v
E
v
S

v
S
=s.
S
(v
E
v
S
) v
S
(1 +s.
S
) =s.
S
.
.
v
E

R
R
R
G
S
S
V
Fig. 12
S
D
v v
R
R
R
s.v
e S
DS
G
U
GS
G
R
S

La valeur du gain en tension est donc : A =
s.
(1 + s . )
< 1
V
S
S


Limpdance d'entre est : Z
E
=R
G

Le calcul de limpdance de sortie est un peu plus dlicat. Par dfinition, celle-ci est gale
au quotient de la tension de sortie vide par le courant de court-circuit :
Z =
V
i
=
A .v
i

S
S
CC
V E
CC
et i
CC
=s.v
GS
=s.(v
E
v
S
).
Si la sortie est en court-circuit, la tension de sortie est nulle et donc i
cc
=s.v
E

Z =
s.
1+s.
.v
s.v
=
1 + s.
<
S
S
S
E
E
S
S
S


!
"
#
$
%
&

Ce montage est caractris par un gain en tension lgrement infrieur lunit, une trs
grande impdance dentre et une impdance de sortie faible. Cest un montage adaptateur
d'impdance.
8 Applications spcifiques des FET
" Interrupteur analogique
On considre un FET dont la source est la masse. Pour une
tension V
GS
nulle, le transistor tant satur prsente une
rsistance R
DS
faible ( 100 ). Si par contre V
GS
est trs
ngatif il est bloqu et la rsistance R
DS
est trs grande. Cette
proprit est trs utilise dans les interrupteurs analogiques
qui permettent la commutation de signaux alternatifs.
On utilise soit la connexion shunt soit la connexion
srie . Dans les deux cas linterrupteur nest pas parfait et
prsente une rsistance R
DS
.
Le modle srie peut tre utilis comme hacheur de signal : les signaux lentement
variables avec le temps sont difficiles amplifier. On
applique sur la grille une tension de commande
rectangulaire variant entre 0 et la tension de blocage du
FET. On transforme ainsi le signal dentre continu en
un signal alternatif rectangulaire dont la frquence est
celle du gnrateur de commande. Il est alors possible
dutiliser un amplificateur alternatif conventionnel pour
amplifier le signal. On effectue ensuite un redressement
pour obtenir limage amplifie du signal original.

" Rsistance commande par une tension
Dans la rgion ohmique, la rsistance drain-source R
DS
est fonction de la valeur de V
GS
. Plus
cette tension est ngative et plus R
DS
est grand. Pour V
GS
nul, la valeur de R
DS
est voisine
Saturation
Blocage
Id
Vds
Vgs =0
Fig. 13
Entre Sortie
Comm
Comm
Fig. 14
Entre Sortie
dune centaine dohms. Si la tension aux bornes de R
DS
est infrieure 100 mV, le FET peut
tre utilis avec des tensions alternatives. On peut utiliser cette rsistance commande en
tension pour stabiliser le taux de raction dans un oscillateur.
" Rsistance non linaire
Un transistor dont la grille est relie au drain se comporte comme une rsistance non linaire
dont la caractristique est le lieu des points tels que V
DS
=V
GS
.
" Source de courant
On trouve dans les catalogues des constructeurs des diodes courant constant qui sont en fait
des transistors effet de champ dont la grille est relie la source.
Cette diode se comporte comme un gnrateur de courant
constant gal I
DSS
(gamme 0,2 5 mA) et de rsistance interne R
(gamme 20 M 200 k). La chute de tension dans la diode doit
rester infrieure la tension de claquage du transistor.
9 Comparaison avec les transistors bipolaires
Il existe beaucoup danalogies entre les montages amplificateurs raliss soit avec des FET
soit avec des transistors jonction. Les montages source commune se comportent comme les
montages metteur commun et les montages drain commun comme les montages
collecteur commun.
" Les avantages des FET sont :
une grande rsistance dentre
le faible niveau de bruit li au fait quil ny a quun seul type de porteurs et donc pas de
recombinaisons.
" Les inconvnients des FET sont :
une faible pente
le manque de linarit
la grande dispersion des caractristiques
la polarit oppose des tensions V
DS
et V
GS
qui interdit les liaisons directes entre tages.
Dans les montages amplificateurs, les FET seront principalement utiliss dans ltage
dentre. On profite de leur grande impdance dentre qui permet de ne pas perturber la
source. Dans ce premier tage lamplitude des signaux est petite et de ce fait linfluence de la
non linarit du transistor est minime si la polarisation est correcte. Pour les tages suivants,
on utilisera des transistors bipolaires qui autorisent une plus grande dynamique au niveau de
lamplitude des signaux.
B TRANSISTORS METAL OXYDE (MOSFET)
1 Structure
MOSFET est un acronyme pour Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor .
Les MOSFET ou transistors MOS sont des transistors effet de champ dont la grille
mtallique est totalement isole du canal par une mince couche isolante doxyde de silicium
(SiO
2
) dpaisseur voisine de 0,1 m.
La grille, la couche de silice et le canal constituent un condensateur dont la polarisation
peut modifier la conductivit du canal. Le changement peut rsulter soit dune modification de
la concentration en porteurs majoritaires et lon a des MOS canal diffus ou dpltion,
soit dune modification de la concentration en porteurs minoritaires et lon a alors des MOS
canal induit ou enrichissement.
I =I
DSS
Pour ce type de transistors le courant dentre est nul puisque que la grille est isole. La
rsistance dentre est toujours suprieure 10
10
.
2 MOS canal diffus
2.1 Structure et fonctionnement
Sur un substrat (B) dop P sont diffuses deux zones trs
dopes N
+
formant le drain et la source relies par un canal dop
N. Il existe galement des MOS avec un canal P et qui
fonctionnent avec des tensions et des courants opposs ceux
ayant un canal N.
Sur le symbole utilis pour la reprsentation des MOS canal
diffus, le canal est reprsent par un trait continu. Une flche
figure la jonction substrat-canal, elle est oriente dans le sens
passant de la diode. Les quatre lectrodes peuvent tre
accessibles mais le substrat et la source peuvent tre relis en
interne.
N
B
G
S
D
P
Vgs =0 Vgs <0 Vgs >0
Id <Id0 Id >Id0
Fig.16

Pour un potentiel V
GS
nul et sous laction de la tension drain-source, un courant drain I
D

circule dans le canal. Sa section diminue quand on se rapproche du drain. Si V
GS
est ngatif,
on induit par effet capacitif des charges positives dans le canal et donc des recombinaisons : la
population en lectrons diminue et la conduction du canal diminue. Le potentiel du canal est
d'autant plus positif que l'on se rapproche du drain. Au contraire, si V
GS
est positif la zone
appauvrie en porteurs rgresse dans le canal et le courant drain augmente. Selon la valeur de la
tension grille-source, le canal est plus ou moins conducteur.
2.2 Caractristiques
Pour les tensions V
GS
positives, il y a un accroissement
du nombre de porteurs libres dans le canal
(enrichissement) et pour les tensions V
GS
ngatives, on a
un appauvrissement. Lexpression du courant drain est
comme pour un J FET donne par :
I I
V
V
D DSS
GS
P
=
!
"
#
$
%
&
1
2

mais cette fois V
GS
peut tre positif ou ngatif.
La polarisation de ce type de transistor est
particulirement simple car on peut le polariser avec la
Id
Uds
Ugs
+0V
+2V
+4V
2V
4V
Mos canal N diffus (appauvrissement)
Fig. 17
N+
P
N+ N
Source Grille Drain
Substrat
Canal
B
D
G
G
S
S
Silice
Mtal
D
Fig. 15
grille la masse (V
GS
=0). On peut galement utiliser les mmes mthodes de polarisation
que pour les J FET. Les applications de ce type de transistor sont les mmes que celles des
transistors effet de champ jonction.
3 MOS canal induit
3.1 Structure et fonctionnement
N+
N+
D
B
S
G
Canal
induit
P
D
D
G
G
S
S
Fig. 18

Pour ce type de transistor il ny a pas de canal cr lors de la fabrication. Pour les tensions
de grille V
GB
ngatives, la jonction drain-substrat est bloque et le courant drain I
D
est nul. Les
seuls porteurs libres dans la zone P sont des lectrons dorigine thermique. Si V
GB
est assez
positif, les charges ngatives du matriau P se regroupent au voisinage de la grille et forment
une couche conductrice entre le drain et la source. Cette couche se comporte comme une zone
N qui est induite dans la zone P par inversion de la population des porteurs.
La tension de seuil minimale pour induire un canal est note V
th
(th est mis pour threshold
= seuil). Si V
GB
crot au-del du seuil, la section du canal augmente et I
D
crot. Par
construction le substrat est souvent reli la source et V
GB
est alors gal V
GS
. Sur le symbole
des MOS canal induit, le canal est reprsent par un trait discontinu. Une flche indique le
sens pour lequel la jonction substrat-canal est passante. Il existe galement des transistors
complmentaires dans lesquels le canal induit est de type P.
3.2 Caractristiques
Les caractristiques de sortie de ce type de transistor ont
laspect habituel de celles des transistors effet de
champ.
La caractristique de transconductance est parabolique et
son quation est de la forme :
I
D
=K(V
GS
V
th
).
Les tensions de commande et de sortie ont cette fois le
mme signe : la liaison directe est possible entre les
tages successifs.
4 Utilisations des transistors MOS
4.1 Gnralits
La couche de silice qui isole la grille de commande est tellement mince quelle sera
dtruite par une tension grille-source excessive. Le simple fait dapporter des charges statiques
sur la grille peut provoquer la destruction du dispositif. En effet la capacit du condensateur
grille-silice-canal est si petite que mme des quantits minimes dlectricit peuvent crer des
champs lectriques suprieurs au seuil de claquage de lisolant. Ce claquage est irrversible et
destructeur.
Id
Uds
Ugs
+6V
+8V
+4V
+2V
Mos canal N induit (enrichissement)
Fig. 19
La manipulation des transistors MOS suppose quelques prcautions telles que la mise la
masse des oprateurs, lusage de conditionnements conducteurs, lemploi de plans de travail
conducteurs, lutilisation danneaux conducteurs reliant les lectrodes qui sont retirs aprs
soudure du composant sur le circuit. Ces transistors sont souvent protgs par une diode Zener
incorpore lors de la fabrication entre la source et la grille. Linconvnient de cette protection
trs efficace est quelle diminue beaucoup la rsistance dentre.
$ $$ $ Avantages des transistors MOS
Leur principal avantage est la rsistance d'entre qui est trs grande Re 10
12
Pour un
transistor effet de champ jonction, la rsistance dentre est de lordre de 10
8
.
Le bruit intrinsque est toujours trs faible.
Ce type de transistor est simple fabriquer et par suite peu onreux.
La densit dintgration autorise par ce type de composant est trs importante : on dpasse
aujourdhui le nombre de 10
7
transistors sur une seule puce.
$ $$ $ Inconvnients des transistors MOS
La vitesse de commutation est plus faible que celle des transistors bipolaires.
La pente est faible.
La dispersion des paramtres est leve.
Il est ncessaire de prvoir une protection des entres.
4.2 Utilisations des transistors MOS
Ce sont les mmes que celles des J FET : ils sont utiliss en amplification et en
commutation. Avec des MOS dont les quatre lectrodes sont accessibles on peut raliser des
commutateurs srie performants.
Si U
GB
=V
BB
0 le MOS est bloqu. La rsistance R
DS
est
suprieure 10
10
ce qui correspond un circuit ouvert.
Si U
GB
=V
DD
>0 est grand, le MOS est conducteur et R
DS
vaut
quelques ohms.
Le transistor constitue un relais statique dont la puissance de
commande est ngligeable.
Ces commutateurs sont beaucoup utiliss dans les hacheurs de signaux et dans les
multiplexeurs (circuits qui permettent de relier successivement plusieurs signaux lentre
dun mme dispositif).
Les transistors MOS sont aussi trs utiliss en commutation logique pour la ralisation de
portes. Ils sont simples fabriquer. La dissipation thermique et la consommation sont trs
faibles ce qui autorise une trs forte intgration et la ralisation de systmes aliments avec
des piles miniatures. Toutefois pour les applications de commutation, on prfre utiliser des
paires de transistors complmentaires dites CMOS . (Le C correspond Complementary)
5 Transistors CMOS
Le circuit de base de cette technologie est linverseur CMOS.
Si lentre est au niveau logique 1 (E =+V
DD
) le transistor Q
1

(canal P) est bloqu et le transistor Q
2
(canal N) est satur. Le
potentiel de la sortie S est donc gal V
BB
qui correspond au niveau
logique 0.
A contrario quand lentre est au niveau logique 0 (E = V
BB
) le
transistor Q
1
est satur et le transistor Q
2
est bloqu. La sortie S est au
potentiel +V
DD
.
D
B
S
Entre Sortie
Vbb
+Vdd
Commande
Fig. 20
(N)
(P)
Q1
Q2
Entre
Sortie
Vbb
+Vdd
Fig. 21
On ralise ainsi un inverseur logique. En dehors des priodes de transition un seul
transistor est passant et de ce fait aucun courant ne circule entre V
DD
et V
BB
.
Cest pour cette raison que la consommation des circuits est
aussi faible.
Lors des priodes de transition, il apparat une impulsion de
courant entre V
DD
et V
BB
. Elle est due la charge des
condensateurs quivalents aux entres des transistors suivants.
Si la consommation est pratiquement nulle en basse frquence
(fractions de mW), elle crot avec la vitesse de fonctionnement
du circuit. En haute frquence, la consommation peut devenir
comparable celle de circuits raliss avec des transistors
bipolaires.

Il est aussi possible de constituer des amplificateurs avec une paire
de CMOS ; le transistor de type P est polaris par un potentiel
continu constant appliqu sur sa grille. Il se comporte alors comme
une rsistance qui constitue la rsistance de charge du transistor de
type N.
La surface occupe sur une puce par un transistor est bien plus faible
que celle occupe par une rsistance do lintrt du montage.

Fig. 23

6 Transistors V-MOS
Dans ce type de transistor structure verticale, le
substrat joue le rle du drain. Quand la tension V
GS
est
suprieure la tension de seuil, un large canal N est
induit dans la zone P de la rainure du V par inversion
de population. Pour ce type de transistor le courant
drain peut atteindre plusieurs ampres et contrairement
aux MOS conventionnels la pente est constante et
voisine de 0,25 A/V.
De plus ils ont lavantage davoir une drive
thermique faible. Quand la temprature augmente leur
courant drain diminue. Il ny a donc aucun risque
demballement thermique avec ce type de transistor.
Leur temps de commutation est bref et comme les
capacits internes sont petites ils sont utilisables
jusqu plus de 500 MHz.

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Uem
Usm
Id2
Id1
Vdd
0V
Fig. 22
(N)
(P)
Q1
Q2
Potentiel de
polarisation
Sortie
Vbb
+Vdd
Entre du
signal
D
N+
N (pitaxie)
Canal induit
N+
P
S
Silice
G
+
+
+

Fig. 24