UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

UNAD

TRABAJO COLABORATIVO DOS

FASE 1

FISICA ELECTRONICA

PRESENTADO POR:
LEONARDO VALDERRAMA LOZANO

PRESENTADO A:
JORGUE LUIS ESTRADA

GRUPO:

100414_92

17 DE ABRIL DEL 2014

VILLAVICENCIO META

INTRODUCCION
El siguiente trabajo colaborativo que se presenta es sobre conductores,
semiconductores y aislantes, y manejo del simulador en el cual se maneja lo que
es teora de bandas de cada uno de los tres materiales, una lista de conductores
del de mayor calidad al de menor, los tres tipos de semiconductores existentes
que son muy tiles en nuestros tiempos y las diferentes clases de aislantes
en la segunda realizaremos la simulacin de algunos circuitos y analice los
resultados obtenidos por medio del simulador electronics workbenc
.

OBJETIVO GENERAL:
Por medio de este trabajo se promover en nosotros los futuros Ingenieros una
base slida que les permita avanzar en el estudio, que harn en las materias
posteriores, del comportamiento de los dispositivos electrnicos existentes y que
les facilite en el futuro, el acceso a la comprensin de cualquier nuevo
descubrimiento cientfico - tecnolgico.
Se procura que los estudiantes valoren la importancia de la bsqueda del
conocimiento y descubran la trascendencia de su insercin en el mundo laboral
como generadores de desarrollo tecnolgico. Le permita comprender el
funcionamiento de los nuevos dispositivos electrnicos, sus limitaciones y
aplicabilidad pues, procurndose desarrollar su capacidad de anlisis
diferenciando sus funciones de las de un tcnico. Le provea adems, las bases
para que pueda incursionar en la investigacin cientfico- tecnolgica, para
insertarse en un mundo en continuo cambio en el desarrollo tecnolgico y pueda
aplicar sus conocimientos al diseo, operacin o construccin de nuevos sistemas
de comunicacin, control o computacin o adaptarlos a cualquier demanda.

OBJETIVOS ESPECIFICOS
a. Conocer la teora bsica de los aisladores, conductores y semiconductores.
b. Analizar los diferentes tipos de diodos y su empleo en la electrnica.
c. Estudiar mediante la simulacin de circuitos electrnicos las diferentes
variantes que nos permiten realizar en el momento de elaborar un circuito

FASE 1
Solucione los siguientes cuestionamientos relacionados con los Semiconductores.
Por favor consulte otras fuentes adicionales al Mdulo del curso de Fsica
Electrnica.
1. Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un
material aislante, un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de
cada grupo.
TEORIA DE BANDAS
DEFINICION:
Al separar dos tomos (de carga n) considerablemente no interactan entre s y
sus niveles de energa se pueden considerar casi nulos, o sea, como aislados
pero al juntar estos dos tomos, sus rbitas exteriores empezaran a traslaparse y
al llegar a una interaccin bastante intensa forman dos niveles diferentes (n). Al
realizar esto con un gran nmero de tomos ocurre algo similar. Conforme los
tomos se acercan unos a otros, los diversos niveles de energa atmicos
empiezan a dividirse. A esta divisin es a lo que podemos llamar una Banda, y el
ancho de esta banda de energa que surge de un nivel de energa atmica
particular es independiente del nmero de tomos en un slido. El ancho de una
banda de energa depende slo de las interacciones de vecinos cercanos, en
tanto que el nmero de niveles dentro de la banda depende del nmero total de
partculas interactuando.
En otras palabras sera lo mismo decir que los electrones pueden ocupar un
nmero discreto de niveles de energa, pueden tener solamente aquellas energas
que caen dentro de las bandas permitidas. La banda donde se mueven
normalmente los electrones de valencia se conoce como banda de valencia, y los
electrones que se mueven libremente y conducen la corriente se mueven en la
banda de conduccin.
Conductores:
Para los conductores la banda de conduccin y la de valencia se traslapan, en
este caso, el traslape favorece ya que as los electrones se mueven por toda la
banda de conduccin. Se define un conductor elctrico como aquel material
que en el momento en el cual se pone en contacto con un cuerpo cargado
elctricamente, trasmite la electricidad a todos los puntos de su superficie.
Son elementos que contienen electrones libres en su interior por lo que
facilitan el desplazamiento de las cargas en el material. Los mejores
conductores elctricos son los metales y sus aleaciones, aunque existen
materiales no metales que tienen la propiedad de conduccin de la

electricidad, un ejemplo de esto es el grafito y la soluciones salinas. La

comisin electrnica Internacional en el ao 1913 adopto la conductividad
elctrica del cobre como una referencia para obtener la magnitud y se dice
que es reconocida a 20 grados como 0,58108 S/m, este valor es reconocido
como el valor estndar del cobre recocido o IACS, de ah en adelante la
conductividad de otros materiales se representa como un porcentaje de la
IACS. Los valores de conductividad de ciertos metales estn por debajo del
100% mientras que en el caso de otros, como la plata, tienen valores
superiores debido a su gran conductividad. Para transportar la energa
elctrica en las residencias y en otros lugares, se utiliza el cobre como
material conductor y en otras ocasiones se utiliza el aluminio, aunque la
ventaja del aluminio frente al cobre es que es un material mucho ms denso
y por lo tanto es utilizado en lneas de tensin entre de longitudes extensas,
en otros casos ms especiales se utiliza el oro como material conductor
Para los conductores la banda de conduccin y la de valencia se traslapan, en
este caso, el traslape favorece ya que as los electrones se mueven por toda la
banda de conduccin. No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas
de valencia y conduccin. Esto hace que siempre haya electrones en la banda de
conduccin, por lo que su conductividad es muy elevada. Esta conductividad
disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por efecto de las vibraciones
de los tomos de la red cristalina.
Un ejemplo son todos los metales.
Aislantes:
En este caso las bandas de valencia y conduccin se encuentran muy bien
separadas lo cual casi impide que los electrones se muevan con mayor libertad y
facilidad. Es un material con escasa capacidad de conduccin de la
electricidad, utilizado para separar conductores elctricos evitando
un cortocircuito y para mantener alejadas del usuario determinadas partes
de los sistemas elctricos que de tocarse accidentalmente cuando se
encuentran en tensin pueden producir una descarga.
El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se
establece entre las bandas de valencia y conduccin que dificulta la existencia de
electrones libres capaces de conducir la electricidad a travs del material, los
materiales empleados como "aislantes" siempre conducen algo la electricidad,
pero presentan una resistencia al paso de corriente elctrica hasta 2,5 1024
veces mayor que la de los buenos conductores elctricos como la plata o
el cobre. Un buen aislante apenas posee electrones permitiendo as el flujo
continuo y rpido de las cargas.
En este caso las bandas de valencia y conduccin se encuentran muy bien
separadas lo cual casi impide que los electrones se muevan con mayor libertad y
facilidad. La magnitud de la banda prohibida es muy grande (6 eV), de forma que
todos los electrones del cristal se encuentran en la banda de valencia incluso a
altas temperaturas por lo que, al no existir portadores de carga libres, la

conductividad elctrica del cristal es nula. Un ejemplo es el diamante, lana de

roca, lana de vidrio, poliestireno expandido, porexpan, agramiza, etc.
En los circuitos elctricos normales suelen usarse plsticos como revestimiento
aislante para los cables. Los cables muy finos, como los empleados en las
bobinas (por ejemplo, en un transformador), pueden aislarse con una capa
delgada de barniz.
El aislamiento interno de los equipos elctricos puede efectuarse con mica
o mediante fibras de vidrio con un aglutinador plstico. En los equipos
electrnicos y transformadores se emplea en ocasiones un papel especial
para aplicaciones elctricas. Las lneas de alta tensin se aslan con vidrio,
porcelana u otro material cermico
Semiconductores:
En el caso de los semiconductores estas dos bandas se encuentran separadas
por una brecha muy estrecha y esta pequea separacin hace que sea
relativamente fcil moverse, no con una gran libertad pero no les hace imposible
el movimiento.
Tipos de semiconductores
Primero que nada tenemos que definir claramente lo que es un semiconductor el
cual no es ms que un material ya sea slido o liquido con una resistividad
intermedia entre la de un conductor y la de un aislador.
Gracias a los semiconductores la tecnologa del estado slido a sido reemplazada
por completo a los tubos al vaci, estos materiales estn formados por electrones
externos de un tomo, y los cuales son conocidos como electrones de valencia.
Existen dos tipos de semiconductores los de tipo N y los de tipo P y la unin de
estos dos formando as un tercero llamado unin PN.
Semiconductor tipo n:
Este tipo de semiconductor trata de emparejar los materiales con respecto a sus
cargas y lo realiza con enlace de impurezas a ambos materiales. Por lo tanto, la
impureza puede donar cargas con carga negativa al cristal, lo cual nos explica el
nombre de tipo N (por negativo).
El material semiconductor de tipo N comercial se fabrica aadiendo a un cristal de
silicio pequeas cantidades controladas de una impureza seleccionada. A estas
impurezas tambin se les llama contaminantes, claro as se le llaman a las
impurezas que se agregan intencionalmente. Los contaminantes de tipo N ms
comunes son el fsforo, arsnico y antimonio. A estos semiconductores se les
conoce tambin como donadores, y como este nombre lo indica
estos semiconductores pasas cargas a el material que le hace falta para as

poder emparejar este material, y es por eso que se les conoce mayormente como
donadores.

Semiconductor tipo p:
El semiconductor tipo P se produce tambin comercialmente por el proceso de
contaminacin, en este caso el contaminante tiene una carga menos que el
semiconductor tipo N, entre los ms comunes podemos encontrar el aluminio,
boro, galio y el indio. Conocidos como aceptores el cual contiene espacios y
necesita que sean llenados para emparejar el material.
Semiconductor unin pn:
Al combinar los materiales de tipo P y N se obtienen datos y cosas muy curiosas
pero lo ms importante y relevante es la formacin del tipo unin PN. Una unin
se compone de tres regiones semiconductoras, la regin tipo P, una regin de
agotamiento y la regin tipo N.
La regin de agotamiento se forma al unir estos dos materiales y aqu es donde
los tomos que le sobran al tipo N pasan a llenar los espacios que deja el tipo P
as complementndose uno con otro. Lo ms importante de la unin es su
capacidad para pasar corriente en una sola direccin.
2. Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P? Qu cualidades o
caractersticas adquiere este material con respecto al semiconductor puro?
Semiconductor P.
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de compuesto, normalmente trivalente, es decir con 3
electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos, huecos). Cuando el
material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin
conocido como material aceptador.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto, haciendo
que, por difusin, uno de los tomos vecinos le ceda un electrn completando as
sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los huecos. Cada hueco est
asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor
se mantiene elctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco
se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco
se ve expuesto y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta razn un
hueco se comporta como una cierta carga positiva.

Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan

ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los
portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que
contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que
se produce de manera natural.
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s)....
Sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su
capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su
capa exterior, resulta que estos tres electrones llenarn los huecos que dejaron
los electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por
ocupar. O sea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la apricin
de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios"
sern los huecos y los electrones los portadores minoritario
Semiconductor Tipo N.
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado
aadiendo un cierto tipo de compuesto, normalmente pentavalente, es decir con 5
electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso, negativos, electrones libres).
Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms
dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente
dopante es tambin conocido como material donador ya que cede uno de sus
electrones al semiconductor. El propsito del dopaje tipo N es el de producir
abundancia de electrones libres en el material.
Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo N considrese el caso del
silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que
se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes.
Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la
tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la
red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro
enlaces covalentes y un electrn no enlazado.
Este electrn extra da como resultado la formacin de electrones libres, el
nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos,
en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los
portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de
valencia tienen un electrn extra que dar, son llamados tomos donadores.
Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion
dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una
carga elctrica neta final de cero
3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el
zner y el fotodiodo.

Diodo de conmutacin.
Diodo semiconductor diseado para presentar una transicin rpida entre el
estado conduccin y el estado de bloqueo y a la inversa.
Diodo semiconductor.
Diodo que permite el paso de la corriente de su zona p, rica en huecos, a su zona
n, rica en electrones.
Diodo de seal.
Diodo semiconductor empleado para la deteccin o tratamiento de una seal
elctrica de baja potencia.
Diodo de unin.
Diodo formado por la unin de un material semiconductor tipo n y otro
semiconductor tipo p.
Diodo Gunn.
Dispositivo semiconductor impropiamente calificado de diodo ya que no contiene
una unin sino una sucesin de tres capas tipo n ms o menos dopadas. En
presencia de campos elctricos elevados, el diodo Gunn es escenario de
oscilaciones a muy alta frecuencia.
Diodo Schottky.
Diodo formado por un contacto entre un semiconductor y un metal, lo que elimina
el almacenamiento de carga y el tiempo de recuperacin. Un diodo Schottky
puede rectificar corrientes de frecuencia superior a 300Mhz
Diodo de cuatro capas p-n-p-n utilizado en los circuitos de conmutacin rpida.
Adems, la tensin directa de este diodo es ms baja que en la de un diodo
semiconductor de dos regiones.
4. Cules son las principales caractersticas y diferencias existentes entre
un transistor NPN y uno PNP.
Determinacin del tipo de transistor:(Recordemos, negativo de la batera
transistor es del tipo NPN; si por el contrario, con esta punta conectada a la base,
nos da resistencia baja con los otras patillas del transistor, el transistor es del tipo
PNP.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del lo indica la
flecha que se ve en el grfico de cada tipo de el transistor es un dispositivo de 3

emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el
grfico de transistor.

Transistor NPN

Transistor PNP

El transistor bipolar
Es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una
cantidad de corriente por una de sus patillas (base), le entregara por otra
(emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin.
Caractersticas
Este efecto resulta en una "amplificacin de tensin", que es una de las
caractersticas ms importante de los transistores y el motivo por el cual son de
uso casi imprescindible en los montajes electrnicos. Esta amplificacin de
tensin se calcula como la relacin entre el voltaje en la resistencia de carga y la
tensin aplicada entre las junturas base emisor.
Los transistores, segn sea la tecnologa de fabricacin, se clasifican en grandes
grupos con diferentes caractersticas: Bipolares, Fet, Mosfes, Uni unin.
El estudio y anlisis de los transistores se realiza mediante el empleo de las
"curvas caractersticas del mismo, con las cuales se puede caracterizar
completamente el comportamiento o funcionamiento elctrico del transistor,
siendo sta expresada en relaciones grficas de las corrientes Ib, Ic e Ie, en
funcin de las tensiones externas y para las distintas configuraciones: Emisor
comn (EC), Base comn (BC) y Colector comn (CC).
Tambin es importante conocer los valores mx., mn. y tpico de las
caractersticas ms importantes, para poder emplear, en los clculos, el valor que
resulta ms desfavorable a fin de asegurarnos que el funcionamiento de cualquier
unidad de la muestra estar dentro de lo estipulado.
Diferencias
La diferencia principal es que los PNP su base es negativa o sea solo puedes
aplicarle a su base tensin negativa y lo NPN su base es positiva solo le puede
aplicar tensin positiva para que opere.
5. Cul es la importancia de los elementos semiconductores en el actual
desarrollo tecnolgico? Semiconductores, Presente, pasado y futuro.

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Hoy en da una gran cantidad de aparatos con aplicaciones en investigacin,

ciruga o posicionamiento llevan dentro un semiconductor. Igual que los LEDs,
esas bombillitas que ya tenemos en todos lados que consumen poco e iluminan
mucho y que se encuentran desde en los semforos de la calle hasta en los
ratones pticos de sobremesa. Los semiconductores no slo estaban por doquier,
sino que eran parte de aparatos muy diversos con aplicaciones muy distintas.
Adems, ya no slo conducen la electricidad, sino que tambin pueden recoger y
emitir luz.
Ahora bien, el mundo sigue avanzando imparable en su desarrollo tecnolgico,
pero su objetivo primordial ya no es la miniaturizacin de las cosas, no, porque la
palabra "miniaturizacin", irnicamente, se le ha quedado grande. El James Bond
del futuro no llevar una cmara de alta definicin en su alfiler de corbata,
adems llevar una impresora lser y un compartimento para guardar el ticket del
parking. Ahora el futuro est en la nanotecnologa.
El gran problema y la gran ventaja de la nanotecnologa no es que todo sea ms
pequeo y difcil de manejar, tampoco la gran disipacin que se puede producir si
se intenta pasar mucha corriente por una regin tan pequea, ni la gran friccin
que sufren los materiales por el importante valor de la relacin superficie volumen, sino que la Fsica subyacente es la Fsica Cuntica, un modelo que
puede ser complicado de manejar con sistemas sencillos y que, cuando se aplica
a cosas complejas, como se pretende con la nanotecnologa, da lugar a
fenmenos completamente inesperados o difcilmente controlables, aunque,
siempre, muy interesantes. Ivn K. Schuller; (investigador de San
Diego nacido en Rumana) "Cuando se empuja a la Ciencia para buscar cosas
aplicadas uno se encuentra aquello que espera encontrar, pero cuando se empuja
a la Ciencia para apretar los lmites de la Fsica uno se encuentra lo inesperado,
que es mucho ms interesante desde el punto de vista prctico."
As pues, la investigacin nanotecnolgica est sufriendo un autntico auge y una
gran infinidad de proyectos de Fsica del Estado Slido han sido rebautizados
slo para ponerles el prefijo "nano" en el nombre.
Ya se han conseguido nano lseres (2001) y nano diodos superconductores
(2003), sin embargo, todava falta mucho para que la realidad supere a la ficcin y
que podamos ser capaces de construir los tan citados nanos robots. Lo que s es
seguro es que los semiconductores jugarn un papel muy importante en todo
esto. Se dice mucho que los superconductores sern el futuro, pero lo cierto es
que por el momento es imposible fabricarlos a temperatura ambiente. Por lo que
los semiconductores siguen siendo un "arma de futuro". De esto se han dado
cuenta las grandes empresas y ya IBM e Intel estn trabajando en la escala del
nanmetro. Por el momento estn en el lmite de los 90 nm, pero su intencin es
llegar hasta los 15 nm.
Mirando en perspectiva, los semiconductores han recorrido un largo camino, en lo
que a sus aplicaciones se refiere. Ahora hay un nuevo horizonte, el horizonte
nanotecnolgico. No s a dnde nos llevar, pero seguro que es muy, muy lejos.

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CONCLUSIONES

Un conductor es un material a travs del cual se transfiere fcilmente la

carga.

Un aislante es un material que se resiste al flujo de carga.

Un semiconductor es un material intermedio en su capacidad para

transportar carga.

Un semiconductor tipo N contiene impurezas donadoras y electrones libres.

Un semiconductor tipo P est formado por tomos aceptores y por huecos

faltantes de electrones.

Los tipos de aislantes son dos: Elctricos y Trmicos.

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BIBLIOGRAFA

http://www.arqhys.com/construccion/conductor-electrico.html

http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor%20tipo%20P

http://conductores-semiconductores-y-aislantes_1.html

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