EN2719: Dispositivos Eletrnicos

UFABC

Resumo P1

Teoria de Drude: eltrons livres em uma rede atmica agem como tomos de um gs 1 3 3 2 = = 2 2 Velocidade de deriva / tempo de relaxao / caminho de relaxao = = 3 Fora coulombiana = = Corrente e densidade de corrente = = = = = = = =

Lei de Ohm = Densidade de corrente + fora coulombiana = ( ) = = Condutividade eltrica = Mobilidade eltrica = Lei de Ohm (concluso) 1 = = = ( ) = ( ) = Resistncia eltrica = Resistividade eltrica = 1 1 = 2 = = 2 =
2

Um condutor possui cargas positivas () e cargas negativas () em deriva ()

Fernando Freitas Alves

fernando.freitas@aluno.ufabc.com

17/04/2014

EN2719: Dispositivos Eletrnicos

UFABC

Resumo P1

Densidade de corrente total = + = + = ( + )

1 +

Semicondutores esto em um intervalo intermedirio de condutividade que abrange os intervalos dos condutores e dos isolantes. Portanto, o que define a diferena entre eles o gap de energia ( ) que existe entre a camada de valncia e de conduo do eltron, bem como esta primeira estar totalmente cheio enquanto a ltima est vazia a 0 K para os semicondutores. A teoria de Drude no difere tais elementos, mas, pela velocidade de deriva e mobilidade eltrica: = = = 3 3

Logo, a mobilidade eltrica tem dependncia indireta com a temperatura: = () 1

Os metais possuem resistncia alta para temperaturas altas. Por outro lado, para certas temperaturas altas, os semicondutores possuem resistncia baixa. De acordo com a estrutura de bandas: Metais: Semicondutores: < 2 eV Isolantes: > 5 eV Comprimento de onda = =

De acordo com Fermi e Dirac, os eltrons se distribuem nas bandas em uma funo exponencial dependente da energia mais alta preenchida do ltimo estado a 0 K (energia de Fermi, ): () = 1 ( )/ 1

Logo, a concentrao de eltrons () e de buracos () em uma banda de conduo e de valncia, respectivamente, so dependentes dessa distribuio exponencial de Fermi-Dirac. Semicondutor intrnseco (razoavelmente puro) = = = ( )/

Fernando Freitas Alves

fernando.freitas@aluno.ufabc.com

17/04/2014

EN2719: Dispositivos Eletrnicos

UFABC

Resumo P1

= ( )/ onde e so as concentraes de estados da banda de conduo e de valncia, respectivamente, dados por: = 2 (

) 2 3/2

= 2 ( ) 2

3/2

tal que e so a massa efetiva do eltron na banda de conduo e do buraco na banda de valncia, respectivamente, dadas por: =

2 ( 2 / 2 )= 2 ( 2 / 2 )=

Logo:
2 = = .

= /2 onde: = Dividindo as concentraes

( )/ =1= = ( ) ( )/ 3/2 1 3 (2 )/ = ( + ) + ln ( ) 2 4

Como:
ln ( ) 0

temos: 1 = ( + ) 2 Semicondutores extrnsecos Semicondutores so dopados com elementos da famlia 3A ou 5A da tabela peridica para aumentar a concentrao de eltrons ou de buracos, respectivamente. Isso feito pois altera a mobilidade, e por sua vez a condutividade tambm, sem ter que alterar a temperatura. Famlia 3A: , , , , (Belas Alunas Germnicas Indo Telefonar Bom, Algum Gato Invadiu o Telhado Bebi Alcol e Ganhei uma Indigesto Tola) Famlia 5A: , , , , (Nossos Pais Assam Saborosos Bifes No Posso Assinar nada Sobre a Bblia No Possvel Assar Saborosos Biscoitos) Fernando Freitas Alves fernando.freitas@aluno.ufabc.com 17/04/2014

EN2719: Dispositivos Eletrnicos

UFABC

Resumo P1

Esses elementos so utilizados para garantir a relao de 1 eltron/buraco para 1 tomo na dopagem, o que retorna uma melhor previso dos clculos. A constante ainda existe
2 0 0 = = .

A energia de Fermi denominada para o semicondutor extrnseco e para o intrnseco. As concentraes (0 e 0 agora) so dadas pelas mesmas frmulas 0 = ( )/ } 0 = ( )/ = ( )/ 0 = ( )/ } 0 = ( )/ = ( )/ Lei da neutralidade eltrica
+ 0 + = 0 +

0 + = 0 +
+ onde e so as concentraes de dopantes portadores aceitadores (famlia 3A) e doadores (famlia 5A), respectivamente.

Semicondutores do tipo N (dopados com elementos doadores da famlia 5A) = 0 0 + 0 = 0

2 2 0 0 = 0 0 =

2 2 2 + ( ) + + ( ) + 0 = 2 2 2 2

2 2 1 2 2 2 1 + ( 0 + 0 = 0 0 = + ) + [1 + ( ) ]= 2 2 2 2 2 2 2 {

onde temos que 0 so os portadores majoritrios e 0 so os minoritrios, o que leva a: 0 = ( )/ + ln ( ) 0 = ( )/ + ln ( )

Analogamente, para semicondutores do tipo P (dopados com elementos aceitadores da famlia 3A) = 0 e

2 0 + 0 = 0 { 0 0 onde temos que 0 so os portadores majoritrios e 0 so os minoritrios, o que leva a: 0 = ( )/ + ln ( )

Fernando Freitas Alves

fernando.freitas@aluno.ufabc.com

17/04/2014

EN2719: Dispositivos Eletrnicos

UFABC

Resumo P1

0 = ( )/

+ ln (

Um diodo do tipo juno PN composto pela juno de dois semicondutores, um do tipo P e outro do tipo N. Quando se juntam, uma regio de depleo formada em uma regio limitada perto da divisa de cada um devido atrao coulombiana e a ao da difuso. Essa regio possui carga nula e delimitada pela soma das regies de cada lado: = + onde e representam, respectivamente, as regies de depleo que esto no semicondutor do tipo N e do tipo P (perceba que os ndices so invertidos). Podemos ento igualar as cargas de cada lado da regio: = = = = Logo: = ( ) = + ( ) = = = { + =

= +

Essa regio de depleo possui um potencial eletromagntico (0 ) dado pela diferena da energia do estado mais energtico da camada de conduo do semicondutor do tipo N para a energia do estado menos energtico da mesma camada do semicondutor do tipo P: = 0 = 0 Quando se aplica um potencial em polarizao direta (+ no P e no N), a barreira de potencial 0 da regio de depleo estrangulada at que o diodo vire um curto e conduza corrente, tal que: = (0 ) = ( 0 ) Caso o diodo seja polarizado inversamente ( no P e + no N), a regio de depleo aumenta e o mesmo vira uma chave aberta, impedindo a passagem de corrente, desde que no ultrapasse tenso mxima permitida, tal que: = (0 + ) Pela primeira lei de Kirchhoff, para um circuito simples composto por uma fonte ( ), um diodo () e um resistor (, para segurar a corrente e no queimar o diodo), temos: = + =

Fernando Freitas Alves

fernando.freitas@aluno.ufabc.com

17/04/2014

EN2719: Dispositivos Eletrnicos

UFABC

Resumo P1

com corrente de saturao (corrente mnima no circuito que determina o ponto quiescente, , do diodo) de: =

A variao da concentrao de portadores minoritrios ( na regio do tipo P, por exemplo) em cada regio de depleo dependente da concentrao inicial (0 , pelo exemplo), da tenso aplicada nos terminais do diodo e da localizao analisada com relao largura da depleo na regio correspondente: = 0 ( / 1) / = 0 ( / 1) / Com isso, temos que a corrente devido densidade de corrente total no sistema ( e difuso) dada por: = ( 0 + ) ( / 1) 0 = ( / 1) onde denominada a corrente de saturao e e so, respectivamente, so os coeficientes de difuso dos portadores negativos e positivos dados pelas expresses que dependem dos respectivos tempo de recombinao : = = Por essas caractersticas, os diodos so geralmente utilizados como chaves ou retificadores na eletrnica ou como fotosensores/fotorreceptores (quando em polarizao reversa). Um diodo Schottky s possui um dopante (sem juno), o que lhe confere uma resposta rpida (menor tempo de recombinao) mas um tenso de ruptura inferior. Um diodo PIN formado por uma camada intrnseca intermediria, o que lhe confere alta tenso de ruptura. Um diodo Zener trabalha especialmente em polarizao reversa por possuir uma dopagem (tipo N ou P) maior. Em polarizao reversa, ele mantm a tenso estvel igual sua tenso de ruptura (que pode chegar a valores elevados). Idealmente, em polarizao direta ele no conduz.

Fernando Freitas Alves

fernando.freitas@aluno.ufabc.com

17/04/2014