Prof. Dr.

Aparecido Nicolett
PUC-SP
Aula 03
MOSFET Tipo Intensificao
(pg. 190 a 196)
Slide 1 MOSFET Tipo Intensificao
MOS Metal xido Semicondutor.
Equao de Shockley no vlida para este dispositivo.
MOSFET canal N
Canal para conduo s
existir aps aplicao
de tenso na porta.
}
A regio de fonte e dreno devem
estar alinhadas com a porta.
Slide 2 Operao Bsica e Curvas Caractersticas
Para VGS = 0 V, no existe o cana N formado por uma grande quantidade de portadores
livres, ao contrrio de um JFET canal N, onde para esta situao ID = IDSS.
Depleo dos portadores
majoritrios (lacunas) e
aproximao dos portadores
minoritrios (eltrons).
O valor de VGS necessrio para
formar a camada de inverso
chamado de Tenso de Limiar
(VT).
Slide 3 Operao Bsica - Saturao
VDS alto e VGS constante,
inicia-se o processo de
constrio (saturao). A
partir deste ponto, IDS = cte..
GS DS DG
V V V = [5.11]
Para VGS fixo, medida que
aumenta VDS, diminui VDG, o que
reduz a quantidade de portadores
livres (eltrons) nesta regio.
Slide 4 Operao Bsica - Saturao
Para VGS = 8 V, a
saturao ocorre para
VDS = 6 V.
VDS = f(VGS)
VT V V
GS DSsat
=
[5.12]
Portanto, VT = 2 V.
Para VDS > VDSsat,
MOS em saturao.
Para VDS < VDSsat,
MOS em triodo.
Slide 5 Operao Bsica - Saturao
Para VGS > VT e VDS > VDSsat, tem-se:
2
GS D
) VT V ( k I =
[5.13]
2
) ligado ( GS
D
) VT V (
) ligado ( I
k

=
[5.14]
ID (ligado)
VGS (ligado)
}
Ponto particular das curvas.
Slide 6 Operao Bsica - Saturao
ID(ligado) = 10 mA
VGS(ligado) = 8 V
K = 0,278x10
-3
A/V
2
ID = 0,278x10
-3
(VGS VT)
2
(i)
ID(ligado) = 7 mA
VGS(ligado) = 7 V
K = 0,28x10
-3
A/V
2
ID = 0,28x10
-3
(VGS VT)
2
(ii)
Slide 7 Curva de Transferncia
ID x VGS
{
ID = 0A, VGS < VT
ID = k(VGS VT)
2
, VGS > VT
Slide 8 MOSFET Tipo P
Slide 9 MOSFET Tipo P
Slide 10 Smbolos
Slide 11 Folha de Dados
Slide 12
Exemplo 5.4:
Utilizando os dados fornecidos na folha de dados da figura 5.41, e considerando uma tenso
de limiar VT = 3 V, determine:
a)K.
b)A curva de transferncia.
k = ? ID = 3 mA
VGS = 10 V
VT = 3 V