Vous êtes sur la page 1sur 5

FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA

Introducción

FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA Introducción El transistor de efecto de campo de unión (JFET) es un dispositivo
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA Introducción El transistor de efecto de campo de unión (JFET) es un dispositivo

El transistor de efecto de campo de unión (JFET) es un dispositivo electrónico notablemente diferente del transistor bipolar. Su funcionamiento se basa en el estrechamiento de una región de semiconductor llamado canal, que une los electrodos de fuente (source: S) y drenador (drain: D), debido a la formación de una zona de vaciamiento desprovista de portadores libres en la unión PN entre la zona de puerta (gate: G) y el canal. La zona de vaciamiento crece al aumentar la tensión inversa aplicada a la unión puerta-canal de modo que la conducción entre drenador y fuente se puede controlar con la tensión entre puerta y fuente (V GS ). En el JFET la unión entre puerta y canal siempre debe estar polarizada en inversa de modo que la corriente de puerta es extremadamente pequeña y se puede despreciar en la gran mayoría de los casos. Cuando la puerta se utiliza como terminal de entrada se obtienen impedancias de entrada del orden de cientos de MΩ. El transistor JFET es por lo tanto un dispositivo controlado por la tensión entre su puerta y su fuente mientras que el BJT estaba controlado por la corriente de su base.

que el BJT estaba controlado por la corriente de su base. En la figura anterior se
que el BJT estaba controlado por la corriente de su base. En la figura anterior se

que el BJT estaba controlado por la corriente de su base. En la figura anterior se

En la figura anterior se muestran las curvas características de un JFET de canal N (en particular de un BF245). En la primera gráfica se muestra la variación de la corriente de drenador, I D , en función de la tensión V DS para distintos valores de V GS . Se aprecian tres regiones de funcionamiento distintas:

CORTE: Para valores de V G S suficientemente negativos ( V G S < V P -3 voltios) la V GS suficientemente negativos (V GS < V P -3 voltios) la corriente se hace cero.

LINEAL, también llamada TRIODO: La corriente I D depente tanto de V G S como de V D S . Para I D depente tanto de V GS como de V DS . Para valores pequeños de V DS la corriente es proporcional a V DS (ver zoom). El JFET se comporta por lo tanto como una resistencia variable (r ON ) cuyo valor depende de la tensión V GS . La resistencia decrece al aumentar V GS .

SATURACION: Para valores de V D S suficientemente grandes ( V D S > V

SATURACION: Para valores de V DS suficientemente grandes (V DS > V GS V P ) la corriente se hace aproximada-

mente constante y no depende de V DS . En esta región el JFET se comporta como una fuente de corriente. No confundir esta región con la región de saturación del BJT.

En la figura de la derecha se ha representado la corriente de saturación en función de V GS . Esta gráfica se ajusta bien a un tramo de parábola que pase por cero para V GS =V P y por I DSS para V GS = 0. Obtenemos por lo tanto la siguiente ecuación

para la corriente del JFET en la región de saturación:

I DS = I DSS

2

V

P

(V GS V P ) 2 = β V

2

2

OV

Donde β = 2I DSS /V de “overdrive”.

En la siguiente figura se muestra el estado de la zona de vaciamiento de la unión puerta-canal para las tres regiones de funcionamiento. En la región de corte la zona de vaciamiento ha crecido hasta cerrar completamente el canal dejando

aislados los terminales de fuente y drenador. En la región de saturación el canal se ha cerrado en el lado del drenador pero no en el de la fuente.

2 es una constante con dimensiones de amperios/voltios 2 y V OV =V GS V P es la llamada tensión

P

V O V = V G S − V P es la llamada tensión P Las

Las distintas regiones de funcionamiento del JFET de canal N (V P < 0) se resumen en la siguiente tabla. También se

indican las regiones similares en el transistor BJT.

Región del JFET Región similar del BJT Condiciones Corriente de drenador CORTE corte < V
Región del JFET
Región similar del BJT
Condiciones
Corriente de drenador
CORTE
corte
< V P
I D = 0
V GS
2
> V P
I D = βV OV V DS − β V
V GS
2
DS
LINEAL o TRIODO
saturación
I D ≈ βV OV V DS para V DS ≈ 0
V DS < V OV
V GS > V P
2
SATURACION
activa
I D = β V
2
OV
V DS > V OV

β = 2I DSS

2

P

V

;

V OV =V GS V P

Por último, también hemos de destacar la simetría que se tiene entre los terminales de fuente y drenador. Ambos terminales se pueden intercambiar sin que ello afecte a las características de baja frecuencia del JFET (en el BJT el

colector y emisor no eran intercambiables). Por ello, en un JFET de canal N definiremos el terminal de drenador como

aquel que se encuentre al potencial más alto (en un JFET de canal P sería el del potencial más bajo). Con esta definición no tiene cabida una posible zona de “saturación inversa”.

Polarización

En el JFET de canal N la tensión V GS ha de ser negativa para que la unión de la puerta esté polarizada en inversa.

Como muy a menudo en los circuitos se dispone de una única tensión de alimentación y no es posible conectar la puerta

a una tensión menor que tierra, se recurre a elevar la tensión de la fuente mediante una resistencia en serie con ella, tal y como se muestra en la siguiente figura:

con ella, tal y como se muestra en la siguiente figura: β En este circuito, suponiendo

β
β

En este circuito, suponiendo que la tensión de drenador es suficientemente elevada para que el JFET esté en saturación, se han de cumplir simultáneamente las ecuaciones de la corriente de drenador en saturación y la de la recta de carga de la resistencia R S :

I DS = β

2

OV = I DSS

V

2

2

V

P

(V GS V P ) 2

I DS =

V S

R

S

= V GS

R

S

La resolución de este sistema de dos ecuaciones nos dará el punto de operación del transistor. Al tratarse de ecuaciones de segundo orden podemos obtener dos resultados distintos, pero uno de ellos es inválido pues dará V GS < V P (transistor en corte)

Notas:

En un JFET de canal P la corriente de drenador tiene el sentido contrario a la del JFET de canal N (En un JFET de canal P la corriente sale del drenador) y todas las tensiones tienen el signo contrario.V G S < V P (transistor en corte) Notas: Las expresiones para la corriente de

Las expresiones para la corriente de drenador en función de β y V O V van a ser las mismas que las del transistor MOSFET. β y V OV van a ser las mismas que las del transistor MOSFET. Sin embargo, en el caso del MOSFET, β y V OV se definien de forma distinta.

Problemas
Problemas
1 - Calcular I D y V D en el circuito de la figura (Prob.

1

- Calcular I D y V D en el circuito de la figura (Prob. 1) para R D = 100Ω y R D = 1kΩ. (I DSS = 10mA , V P = 3V)

- Calcular R S y R D para obtener I D = 1 mA y

- Calcular R S y R D para obtener I D = 1mA y V DS = 3V en el circuito de la figura (Prob. 2) (I DSS = 10mA , V P = 3V)

2

3 - Obtener el punto de operación del JFET de la figura (Prob. 3) (

3

- Obtener el punto de operación del JFET de la figura (Prob. 3) (I DSS = 10mA , V P = 3V)

4 - Obtener el punto de operación del JFET de la figura (Prob. 4) (

4

- Obtener el punto de operación del JFET de la figura (Prob. 4) (I DSS = 10mA , V P = 3V)

5 - Calcular el valor de R 1 y R S en el circuito de

5

- Calcular el valor de R 1 y R S en el circuito de la figura (Prob. 5) para obtener V S = 3V y V D = 6V. (I DSS = 10mA

,

V P = 3V)

6 - Calcular R 1 en el circuito de la figura (Prob. 6) para obtener

6

- Calcular R 1 en el circuito de la figura (Prob. 6) para obtener V O = 4V. (I DSS = 10mA , V P = 3V)

7 - Calcular R 2 , R S y R D en el circuito de

7

- Calcular R 2 , R S y R D en el circuito de la figura (Prob. 7) para obtener I D = 2mA y V DS1 =V DS2 = 5V. (I DSS = 8mA

,

V P = 4V)

- Calcular R 1 , R S y R D en el circuito de la

- Calcular R 1 , R S y R D en el circuito de la figura (Prob. 8) para obtener I D = 2mA , V CE = 4V y V DS2 = 5V. (I DSS = 8mA , V P = 4V, β )

8

TCEF. Problemas de polarización del JFET (2)

Problemas
Problemas
9 - Calcular el punto de operación del circuito de la figura (Prob. 9) (

9 - Calcular el punto de operación del circuito de la figura (Prob. 9) (I DSS = 8mA, V P = +4V)

10 - Calcular R 1 para obtener V o = 0 en el circuito de

10

- Calcular R 1 para obtener V o = 0 en el circuito de la figura (Prob. 10) (canal N: I DSS = 10mA, V P = 3V . canal

P: I DSS = 8mA, V P = +4V )

11 - Calcular el punto de operación del circuito de la figura (Prob. 11) (

11

- Calcular el punto de operación del circuito de la figura (Prob. 11) (I DSS = 10mA, V P = 3V )

12 - Calcular el punto de operación del circuito de la figura (Prob. 12) (JFET:

12

- Calcular el punto de operación del circuito de la figura (Prob. 12) (JFET: I DSS = 8mA, V P = +4V , BJT: β

)

13 - Calcular el punto de operación del circuito de la figura (Prob. 13) (

13

- Calcular el punto de operación del circuito de la figura (Prob. 13) (I DSS = 10mA, V P = 3V )

14 - Calcular R E en el circuito de la figura (Prob. 14) para obtener

14

- Calcular R E en el circuito de la figura (Prob. 14) para obtener V o = 5V (JFET: I DSS = 10mA, V P = 3V , BJT: