Curvas caractersticas ideales del transistor bipolar

Partiendo de las ecuaciones de Ebers-Moll, se puede establecer una familia de curvas caractersticas
que representan el comportamiento del transistor bipolar en rgimen estacionario. Vamos a
considerar las caractersticas de entrada y de salida en las configuraciones de Base Comn y de
Emisor Comn.

A. Caractersticas en Base Comn del transistor PNP
I
C
(mA)
V
CB
(Volts)
I
E
= 3 mA
I
E
= 2 mA
I
E
= 1 mA
I
E
= 4 mA
1
2
3
4
+1 0 -2 -4 -6
I
E
= 0 mA
Saturacin
Zona activa
Corte
I
CBO
Caractersticas de entrada del
transistor PNP en Base Comn
Caractersticas de salida del transistor
PNP en Base Comn
-
-
-
V
EB
(V)
E
C
B
+
-
I
B

I
E
I
C

V
CB
V
EB

B
(entrada) (salida)
+
-
B. Caractersticas en Emisor Comn del transistor PNP

I
C
(mA)
V
CE
(Volts)
I
B
= 60 A
I
B
= 40 A
I
B
= 20 A
I
B
= 80 A
I
B
= 0 A
2
4
6
8
0 -2
-4 -6
Saturacin
Zona activa
Corte
I
CEO

Caractersticas de entrada del
transistor PNP en Emisor Comn
Caractersticas de salida del transistor
PNP en Emisor Comn
B
C
E
+
-
I
B

I
E

I
C

V
CE

E
V
BE

+
-
V
BE
(V)
C. Caractersticas en Base Comn del transistor NPN
E
C
B
+
-
I
B

I
E
I
C

V
CB
V
EB

B
(entrada) (salida)
+
-
I
C
(mA)
V
CB
(Volts)
I
E
= 3 mA
I
E
= 2 mA
I
E
= 1 mA
I
E
= 4 mA
1
2
3
4
-1 0 2 4 6
I
E
= 0 mA
Saturacin
Zona activa
Corte
I
CBO
Caractersticas de entrada del
transistor NPN en Base Comn
Caractersticas de salida del transistor
NPN en Base Comn
V
EB
(V)
- - - -
-
D. Caractersticas en Emisor Comn del transistor NPN
I
C
(mA)
V
CE
(Volts)
I
B
= 60 A
I
B
= 40 A
I
B
= 20 A
I
B
= 80 A
I
B
= 0 A
2
4
6
8
0 2
4 6
Saturacin
Zona activa
Corte
I
CEO

B
C
E
+
-
I
B

I
E

I
C

V
CE

E
V
BE

+
-
Caractersticas de entrada del
transistor NPN en Emisor Comn
Caractersticas de salida del transistor
NPN en Emisor Comn







Caractersticas aproximadas de entrada y salida del transistor PNP en Emisor Comn
I
C
(mA)
V
CE
(Volts)
I
B
= 60 A
I
B
= 40 A
I
B
= 20 A
I
B
= 80 A
I
B
= 0 A
2
4
6
8
0 -2 -4 -0,2 V
Saturacin
Zona activa
Corte
V
BE

I
B

-0,7 V
E
B
C
E
+
-
I
B

I
E

V
CE

V
BE

+
-
I
C

Zona activa

V
BE
<0 V
CE
<0 I
B
,I
C
>0
V
BE
-0,7 V
I
C

F
I
B
V
CE
< -0,2 V
( |V
CE
|> 0,2 V)
Zona de saturacin
(directa)
V
CE
<0 I
B
,I
C
>0
V
BE
-0,8 V
I
C
<
F
I
B

V
CE
-0,2 V

Zona de corte

|V
BE
| < 0,7 V
I
C
0


I
C
(mA)
V
CB
(V)
I
E
= 6 mA
I
E
= 4 mA
I
E
= 2 mA
I
E
= 8 mA
I
E
= 0 mA
2
4
6
8
0 -2 -4
Saturacin
Zona activa
Corte
+0,7
V
EB

I
E

0,7 V
E
C
B
+
-
I
B

I
E
I
C

V
CB
V
EB

B
+
-
Caractersticas aproximadas de entrada y salida del transistor PNP en Base Comn
Zona activa

V
EB
>0 V
CB
<0 I
E
, I
C
>0
V
EB
0,7 V
I
C

F
I
E

Zona de saturacin
(directa)
V
EB
0,8 V
I
C
<
F
I
E

V
CB
0,7 V

Zona de corte

V
EB
< 0,7 V
I
C
0





I
C
(mA)
V
CB
(V)
I
E
= 6 mA
I
E
= 4 mA
I
E
= 2 mA
I
E
= 8 mA
I
E
= 0 mA
2
4
6
8
0 2 4
Saturacin
Zona activa
Corte
-0,7
V
EB

I
E

-0,7 V
E
C
B
+
-
I
B

I
E
I
C

V
CB
V
EB

B
+
-
Caractersticas aproximadas de entrada y salida del transistor NPN en Base Comn
Regin activa
V
EB
<0 V
CB
>0 I
E
, I
C
>0
V
EB
-0,7 V
I
C

F
I
E
Regin de saturacin
V
EB
-0,8 V
I
C
<
F
I
E

V
CB
-0,7 V
Regin de corte
V
EB
> -0,7 V
I
C
0


Caractersticas aproximadas de entrada y salida del transistor NPN en Emisor Comn
I
C
(mA)
V
CE
(Volts)
I
B
= 60 A
I
B
= 40 A
I
B
= 20 A
I
B
= 80 A
I
B
= 0 A
2
4
6
8
0 2 4
0,2 V
Saturacin
Zona activa
Corte
V
BE

I
B

0,7 V
B
C
E
+
-
I
B

I
E

V
CE

E
V
BE

+
-
I
C

Zona activa
V
BE
>0 V
CE
>0 I
B
,I
C
>0
V
BE
0,7 V
I
C

F
I
B
V
CE
> 0,2 V

Zona de saturacin
(directa)
V
CE
>0 I
B
,I
C
>0
V
BE
0,8 V
I
C
<
F
I
B

V
CE
0,2 V
Zona de corte
V
BE
< 0,7 V
I
C
0