Instituto Tecnolgico de Durango

ING. MECATRONICA

ELECTRNICA DIGITAL


Trabajo de Investigacin. Memorias.

CATEDRATICO: MIGUEL NGEL ESPARZA VILA

ALUMNO: No. DE CONTROL:
Juan Ramon Ramos Loera 11041140

GRUPO: 6 U



Fecha de entrega: 09 de Junio del 2014.
Memorias
Introduccin
Las memorias son por lo regular circuitos que permiten almacenar y recuperar grandes cantidades de
informacin en tiempos determinados generalmente cortos. Existe una gran cantidad de memorias, sin
embargo se pueden clasificar principalmente en dos que son la memoria primaria y las memorias
secundarias o tambin conocidas como de almacenamiento masivo, aunque son mucho ms lentas en
su acceso y recuperacin de la informacin que la memoria primaria.
Memoria.- componente imprescindible del ordenador que mantiene disponibles las instrucciones para
que el microprocesador o CPU pueda ejecutarlas. Tambin la memoria se encarga de almacenar
temporalmente el resultado de los procesos ejecutados. Son dispositivos que retienen datos
informticos durante algn intervalo de tiempo. Las memorias de computadora proporcionan una de las
principales funciones de la computacin moderna, la retencin o almacenamiento de informacin. Es
uno de los componentes fundamentales de todas las computadoras modernas que, acoplados a una
unidad central de procesamiento (CPU por su sigla en ingls, central processing unit), implementa lo
fundamental del modelo de computadora de Arquitectura de von Neumann, usado desde los aos 1940.
Se refleja una diferencia tcnica importante y significativa entre memoria y dispositivos de
almacenamiento masivo, que se ha ido diluyendo por el uso histrico de los trminos "almacenamiento
primario" (a veces "almacenamiento principal"), para memorias de acceso aleatorio, y "almacenamiento
secundario" para dispositivos de almacenamiento masivo.
La memoria de las computadoras, se clasifica en dos: memoria principal (almacenamiento primario) y
memoria secundaria (almacenamiento secundario).
La memoria principal es tambin llamada almacenamiento primario, memoria, o memoria de acceso
aleatorio (Random Access Memory RAM), cumple con tres funciones bsicas almacena los programas
del sistema operativo que permiten la operacin de la computadora, almacena todo o parte de los
programas que se estn ejecutando y por ultimo almacena los datos que estn siendo utilizados por los
programas. Datos y programas son puestos en almacenamiento primario para su procesamiento,
despus de esto son retornados a un medio de almacenamiento secundario o a una unidad de salida
predeterminada.
Internamente la memoria principal de la computadora est dividida en localidades o celdas que
representan una direccin nica, la capacidad de almacenamiento de cada direccin es usualmente fija
y puede almacenar solo un carcter (letra, nmero, o carcter especial como $, &, #, , [, *,...), cuando
los nuevos datos son almacenados en una direccin de memoria, estos borran y remplazan el contenido
anterior de las localidades de memoria, como se puede notar se requiere de espacio para almacenar las
diferentes localidades de memoria.
La velocidad y tamao son factores de importante consideracin en un sistema de cmputo, en el caso
de las memorias estos factores adquieren un valor significativo ya que la velocidad de procesamiento
est relacionado directamente con la capacidad de almacenamiento.
Funcionamiento bsico de un CPU con memorias
La CPU lee las instrucciones necesarias desde un dispositivo de entrada, las carga en la memoria y las
ejecuta. El resultado queda almacenado de nuevo en la memoria y posteriormente se podr visualizar a
travs de un perifrico de salida. Para almacenar informacin la memoria est formada por un conjunto
de casillas o clulas, llamadas posiciones de memoria, en las que coloca instrucciones y datos. Para que
el ordenador pueda acceder a los que necesite en cada momento, cada una de las posiciones de
memoria est identificada por un nmero, denominado direccin de memoria. Cada posicin de
memoria almacena un byte.
Memoria de computadoras
Como el microprocesador no es capaz por s solo de albergar la gran cantidad de memoria necesaria
para almacenar instrucciones y datos de programa (por ejemplo, el texto de un programa de
tratamiento de texto), pueden emplearse transistores como elementos de memoria en combinacin con
el microprocesador. Para proporcionar la memoria necesaria se emplean otros circuitos integrados
llamados chips de memoria de acceso aleatorio (RAM, siglas en ingls), que contienen grandes
cantidades de transistores. Existen diversos tipos de memoria de acceso aleatorio. La RAM esttica
(SRAM) conserva la informacin mientras est conectada la tensin de alimentacin, y suele emplearse
como memoria cache porque funciona a gran velocidad. Otro tipo de memoria, la RAM dinmica
(DRAM), es ms lenta que la SRAM y debe recibir electricidad peridicamente para no borrarse. La
DRAM resulta ms econmica que la SRAM y se emplea como elemento principal de memoria en la
mayora de las computadoras.
Un factor importante para medir la potencia de la memoria es la velocidad de respuesta. Se tienen tres
parmetros relacionados con la velocidad:
Tiempo de acceso, t: Es el tiempo mximo que se tarda en leer o escribir el contenido de una posicin
de memoria.
Tiempo de ciclo, t c: Es el
tiempo mnimo entre dos
lecturas consecutivas.
Ancho de Banda, AB: Es el
nmero de palabras que se
transfieren entre memoria y
CPU por unidad de tiempo: AB
= 1/t c

MEMORIA RAM (RWM)
Esta memoria permite almacenar y leer la informacin que la CPU necesita mientras est ejecutando un
programa, Adems, almacena los resultados de las operaciones efectuadas por ella. Este
almacenamiento es temporal, ya que la informacin se borra al apagar el ordenador. Es un tipo de
memoria donde la computadora guarda informacin para que pueda ser procesada ms rpidamente.
En la memoria RAM se almacena toda informacin que est siendo usada en el momento. Su capacidad
de almacenamiento se mide en megabytes y ms recientemente en gigabytes.
La informacin que contienen es renovada continuamente y cuando la computadora se reinicia o se
apaga, toda la informacin contenida se pierde, por eso es llamada memoria voltil.
En informtica, memoria basada en semiconductores que puede ser leda y escrita por el
microprocesador u otros dispositivos de hardware. Es un acrnimo del ingls Random Access Memory.
Se puede acceder a las posiciones de almacenamiento en cualquier orden. Trabaja de la siguiente forma:
los datos acceden en la RAM de forma aleatoria o se directamente desde la ubicacin en que se
encuentran sin necesidad de recorrer otras posiciones anteriores. La RAM tampoco necesita recorrer
recorre toda una secuencia de datos para dar con uno especficamente, simplemente lo busca donde
corresponde en este sentido es mucho ms rpida que la ROM.
Velocidad: la velocidad de la RAM se mide en MHz, antes se media en Nanos (Millonsima parte de un
segundo) a partir de 1995 las memorias comenzaron a trabajar al ritmo de la motherboard y se comenz
a medir la velocidad en MHz. nanosegundos y MHz. Las memorias traen inscriptos un sus chip un
nmero seguido con un guin y otro nmero. Este ltimo es el que corresponde a los Nanos y hay que
convertirlos en MHz.
17ns 60 MHz, 15ns 66Mhz, 13ns 80 MHz, 10ns 100Mhz, 8.3ns 120 MHz, 7.5ns 133Mhz.
La memoria de acceso aleatorio (en ingls: random-access memory), se utiliza como memoria de trabajo
para el sistema operativo, los programas y la mayora del software. Es all donde se cargan todas las
instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cmputo. Se denominan "de acceso
aleatorio" porque se puede leer o escribir en una posicin de memoria con un tiempo de espera igual
para cualquier posicin, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la informacin de la manera
ms rpida posible.

Hay dos tipos bsicos de memoria RAM
RAM dinmica (DRAM)
RAM esttica (SRAM)
Los dos tipos de memoria RAM se diferencian en la tecnologa que utilizan para guardar los datos, la
memoria RAM dinmica es la ms comn.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por
parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente ao se present una
memoria DRAM de 1 Kilobyte, referencia 1103 que se constituy en un hito, ya que fue la primera en ser
comercializada con xito, lo que signific el principio del fin para las memorias de ncleo magntico. En
comparacin con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos,
pero tena un desempeo mayor que la memoria de ncleos.
Una RAM puede tener diversos tamaos expresados en MegaBytes o GigaBytes y, de esta manera,
permitir usos de menor o mayor nivel. Por ejemplo, la simultaneidad en el uso de varios programas, o
bien, el incremento en la velocidad de conexin o de funcionamiento del ordenador. En general, al
adquirir una computadora, la memoria RAM viene incluida, pero a menudo puede extenderse si el
usuario quiere hacer un uso ms intensivo de la misma.
Esta la podemos dividir en dos categoras principales. La SRAM y la DRAM.
Memoria SRAM

(Static random access memory) - Memoria de acceso aleatorio
esttica) Tipo de memoria RAM. La palabra "esttica" indica que
estas memorias retienen su contenido el tiempo que reciben
energa, a diferencia de las RAM (DRAM) que necesitan
refrescarse peridicamente (SRAM no debe ser confundida con
las ROM y las memorias flash, dado que es una memoria voltil y
preserva los datos slo cuando recibe energa).
Es un tipo de memoria que es ms rpida y ms fiable que las
ms comunes DRAM.
SRAM tiene un tiempo de acceso de 10 nanosegundos, en
cambio en las DRAM es de 60 nanosegundos.
Adems, su ciclo es mucho ms corto que el de las DRAM porque no necesitan una pausa entre accesos.
Desafortunadamente estas son mucho ms caras de producir que las DRAM; debido a su alto costo las
memorias SRAM slo son usadas en pequeas memorias cach.
Esta Memoria entro en el mercado en los aos 97, y mejoro la velocidad siendo su ritmo de trabajo igual
a la velocidad de Bus (FSB) es decir que tienen la acapacidad de trabajar a la misma velocidad de mother
al que se conectan.
Estos mdulos de 168 Pines son conocidos como DIMM SDRAM PC 66 y 100, 133, obviamente si instalo
una de 133, en un mother de 100 va a funcionar a 100Mhz.
Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Esttica de
Acceso Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores
que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los
datos, mientras est alimentada, sin necesidad de circuito de
refresco. Sin embargo, s son memorias voltiles, es decir que
pierden la informacin si se les interrumpe la alimentacin elctrica.
La memoria SRAM es ms cara, pero ms rpida y con un menor
consumo (especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto, cuando es necesario
disponer de un menor tiempo de acceso, o un consumo reducido, o ambos. Debido a su compleja
estructura interna, es menos densa que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando es necesaria una
alta capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria principal de los computadores personales.
MEMORIA CACH o SRAM

La memoria cach trabaja igual que la memoria virtual, tenemos cach en el procesador, en los discos y
en el mother y nos guarda direcciones de memoria. Si ejecutamos un programa en principio, lo cerramos
y luego los volvemos a ejecutar, la memoria cach nos guarda la ubicacin (direccin) en el disco,
cuando lo ejecut, y lo que hicimos con el programa. Es mucho ms rpida cuando ya usamos un
programa
Existen 3 tipos de memoria cach:
Cache L1
Est dividido en dos bloques uno contiene las instrucciones y otro los datos y cuando se habla de su
capacidad de almacenamiento se dice que es de 2x16 Kb.
El cache L1 se encuentra dentro del interior del procesador y funciona a la misma velocidad que el micro
con capacidades que van desde 2x8 hasta 2x64Kb
Cache L2 interno y externo
La primeras memoria cach estaban ubicadas en el mother luego se construyeron en el procesador,
pero no dentro del dado del procesador por lo que es ms lento que el cach L1, mientras que el
externo lo encontramos en el mother.
La computadoras que tienen las tres tecnologas de cach van a ser ms rpidas.
Cache L3
Algunos micro soportan un nivel de cach ms el L3 que est localizado en el mother.
TABLA
Nombre

Arquitectura Pines Capacidad Velocidad
PC 66 SDRAM Dimm 64 bits 168 256Mb 66Mhz
PC 100/133
SDRAM
Dimm 64 bits 168 256Mb 100/133Mhz
PC 600/700/800 Rimm 16 bits 141 256Mb/
1Gb
800Mhz
PC 1600/2100 Dimm 64 bits 184 - 256Mb 200/266Mhz

Memoria DRAM
(Dynamic random access memory - Memoria de
acceso aleatorio dinmica). Tipo
de memoria RAM ms usada. Almacena
cada bit de datos en un capacitor separado dentro
de un circuito integrado. Dado que los capacitores
pierden carga, eventualmente la informacin se
desvanece a menos que la carga del capacitor se
refresque y cargue peridicamente (perodos
cortsimos de refresco). Por este requerimiento de
refresco es llamada memoria dinmica que es
opuesta a las SRAM y otras memorias estticas. Su ventaja sobre las SRAM es la simplicidad de su
estructura: slo un transistor y un capacitor son requeridos por bit, comparado a los cinco transistores
en las SRAM. Esto permite a las DRAM alcanzar muy alta densidad.
Las DRAM fueron creadas por el Dr. Robert Dennard en el centro de investigacin de IBM Thomas J.
Watson en 1966 y patentadas en 1968.
La memoria RAM dinmica necesita actualizarse miles de veces por segundo, mientras que la memoria
RAM esttica no necesita actualizarse, por lo que es ms rpida, aunque tambin ms cara. Ambos tipos
de memoria RAM son voltiles, es decir, que pierden su contenido cuando se apaga el equipo. Es un tipo
de memoria dinmica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los mdulos de memoria RAM y
en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinmica, ya que para
mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto perodo, en un
ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de
posiciones y que todava funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con
millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones
de bit por segundo. Es una memoria voltil, es decir cuando no hay
alimentacin elctrica, la memoria no guarda la informacin.
Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias ms
usadas en la actualidad.
La celda de memoria es la unidad bsica de cualquier memoria,
capaz de almacenar un Bit en los sistemas digitales. La construccin
de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un
transistor de efecto de campo y un condensador. El principio de funcionamiento bsico, es sencillo: una
carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un
interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con
dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la poca de los semiconductores, se
basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.
Tipo de
memoria
Significado Descripcin
Tipo RAM
RAM
"Random Access Memory",
memoria de acceso
aleatorio
Memoria primaria de la computadora, en la que
puede leerse y escribirse informacin en cualquier
momento, pero que pierde la informacin al no
tener alimentacin elctrica.
EDO RAM
"Extended Data Out
Random Access Memory",
memoria de acceso
aleatorio con salida de
datos extendida
Tecnologa opcional en las memorias RAM
utilizadas en servidores, que permite acortar el
camino de la transferencia de datos entre la
memoria y el microprocesador.
BEDO RAM
"Burst EDO Random
Access Memory", memoria
de acceso aleatorio con
salida de datos extendida
y acceso Burst
Tecnologa opcional; se trata de una memoria
EDO RAM que mejora su velocidad gracia al
acceso sin latencias a direcciones contiguas de
memoria.
DRAM
"Dinamic Random Access
Memory", memoria
dinmica de acceso
aleatorio
Es el tipo de memoria mas comn y econmica,
construida con capacitores por lo que necesitan
constantemente refrescar el dato que tengan
almacenado, haciendo el proceso hasta cierto
punto lento.
SDRAM
"Synchronous Dinamic
Random Access Memory",
memoria dinmica de
acceso aleatorio
Tecnologa DRAM que utiliza un reloj para
sincronizar con el microprocesador la entrada y
salida de datos en la memoria de un chip. Se ha
utilizado en las memorias comerciales
como SIMM, DIMM, y actualmente la familia
de memorias DDR (DDR, DDR2, DDR3, GDDR,
etc.), entran en esta clasificacin.
FPM DRAM
"Fast Page Mode Dinamic
Random Access Memory",
memoria dinmica de
paginacin de acceso
aleatorio
Tecnologa opcional en las memorias RAM
utilizadas en servidores, que aumenta el
rendimiento a las direcciones mediante pginas.
RDRAM
"Rambus DRAM", memoria
dinmica de acceso
aleatorio para tecnologa
Rambus
Memoria DRAM de alta velocidad desarrollada
para procesadores con velocidad superior a 1
GHz, en esta clasificacin se encuentra la familia
de memorias RIMM.
SRAM /
Cach
"Static Random Access
Memory", memoria
esttica de acceso
aleatorio
Memoria RAM muy veloz y relativamente cara,
construida con transistores, que no necesitan de
proceso de refresco de datos. Anteriormente
haba mdulos de memoria independientes, pero
actualmente solo seencuentra integrada dentro
de microprocesadores y discos duros para
hacerlos mas eficientes.

Memoria ROM
En informtica, memoria basada en semiconductores
que contiene instrucciones o datos que se pueden leer
pero no modificar. Para crear un chip ROM, el
diseador facilita a un fabricante de semiconductores
la informacin o las instrucciones que se van a
almacenar. El fabricante produce entonces uno o ms
chips que contienen esas instrucciones o datos. Como
crear chips ROM implica un proceso de fabricacin,
esta creacin es viable econmicamente slo si se
producen grandes cantidades de chips. Los diseos experimentales o los pequeos volmenes son ms
asequibles usando PROM o EPROM. El trmino ROM se suele referir a cualquier dispositivo de slo
lectura, incluyendo PROM y EPROM.
La memoria de solo lectura, conocida tambin como ROM (acrnimo en ingls de read-only memory), es
un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrnicos, que permite solo la
lectura de la informacin y no su escritura, independientemente de la presencia o no de una fuente de
energa.
Tipo ROM
ROM
"Read Only Memory",
memoria de solo lectura
Memoria que permite
un nmero
indeterminado
de lecturas pero no
puede ser modificada.
PROM
"Programmable Read Only
Memory", memoria
programable de
solo lectura
Memoria ROM que
permite una
programacin y
posteriormente un
nmero
indeterminado
de lecturas pero no
puede ser modificada.
EPROM
"Erasable Programmable
Read Only Memory",
memoria programable y
borrable de solo lectura
Memoria PROM que
permite
reprogramacin por
medio de un
dispositivo especial y
borrado por medio de
luz ultravioleta.
EEPROM
"Electrically Erasable
Programmable Read Only
Memory", memoria
elctricamente
programable y borrable de
sololectura
Evolucin de las memorias EROM que permite
alterar su contenido por medio de seales
elctricas. Es la ms utilizada en las
computadoras actuales para albergar el SetUp de
la computadora.


tAA: tiempo de
acceso de direccin:
desde una direccin
vlida aplicada hasta
que se dispone un
dato vlido en el bus,
con las lneas de
control asertivas.
tACS: tiempo de
acceso de chip:
desde /CS asertivo
hasta dato vlido
disponible, con la
direccin ya establecida.
tOE: tiempo de habilitacin de salida: desde habilitacin de salida /OE y /CS asertivas hasta dato vlido
disponible, con la direccin ya establecida.
tOZ: tiempo de deshabilitacin de salida: tiempo desde /CS o /OE no asertivas hasta que la salida pasa
a alta impedancia, con la direccin establecida.
tOH: tiempo de retencin de salida: tiempo de dato vlido
desde cambio de direccin con lneas de control asertivas.
Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al
menos no de manera rpida o fcil. Se utiliza principalmente
para contener el firmware (programa que est estrechamente
ligado a hardware
especfico, y es poco probable que requiera actualizaciones frecuentes) u otro contenido vital para el
funcionamiento del dispositivo, como los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los
diagnsticos.

El tipo ms simple de ROM en estado slido es de la misma antigedad que la propia tecnologa
semiconductora. Las puertas lgicas combinacionales pueden usarse en conjunto para indexar una
direccin de memoria de n bits en valores de m bits de tamao (una tabla de consultas). Con la
invencin de los circuitos integrados se desarroll la mscara ROM. La mscara ROM consista en una
cuadrcula de lneas formadas por una. Los diseadores rompieron explcitamente con las prcticas del
pasado, afirmando que enfocaba "ser un reemplazo de los discos duros", ms que tener el tradicional
uso de la ROM como una forma de almacenamiento primario no voltil. En 2007, NAND ha avanzado
bastante en su meta, ofreciendo un rendimiento comparable al de los discos duros, una mejor tolerancia
a los shocks fsicos, una miniaturizacin extrema (como por ejemplo memorias USB y tarjetas de
memoria MicroSD), y un consumo de potencia mucho ms bajo.
Es una memoria de solo lectura; en la que solo se permite leer y es permanente, es decir, al desconectar
el ordenador, la informacin no se pierde. Algunos chips de ROM tienen su contenido grabado
permanentemente desde el momento en que se fabricaron. Otros estn inicialmente en blanco y
pueden grabarse con el equipo apropiado. Estas son las memorias programables de slo lectura o PROM
(Programmable Read Only Memory). Algunas PROM pueden borrarse de nuevo empleando el equipo
apropiado para este propsito. Estas son las memorias programables de slo lectura que pueden
borrarse o EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory). En cualquiera de estos casos, los chips
de ROM, una vez instalados en un ordenador, solo pueden leerse. Las instrucciones y los datos de la
ROM permanecen all una vez que se apaga el ordenador. Cualquier intento de escribir en la ROM no
causa ningn efecto, excepto provocar un error que ser detectado por el sistema operativo. La
memoria ROM permite leer datos pero no es posible escribir sobre ella. Los datos que contiene son
instrucciones grabadas de fbrica que no pueden ser alteradas y son indispensables para el
funcionamiento de la computadora, en este tipo de memoria se localizan rutinas fijas (que nunca
pueden ni deben eliminarse) colocadas ah por el fabricante.
Su informacin fue grabada por el fabricante al construir el equipo y no desaparece al apagar el
ordenador. Esta memoria es imprescindible para el funcionamiento del ordenador y contiene
instrucciones y datos tcnicos de los distintos componentes del ordenador. Las memorias de slo lectura
(ROM, read-only memory) son, al igual que las RAM, memorias de acceso aleatorio, pero, en principio,
no pueden cambiar su contenido. Tampoco se borra la informacin de ellas si es interrumpida la
corriente, por lo tanto es una memoria no voltil.
Este tipo de memorias suele almacenar datos bsicos y la configuracin del ordenador para ser usado,
principalmente, en el arranque del mismo. Por ejemplo, la BIOS y su configuracin suele almacenarse en
este tipo de memorias.
Como la memoria RAM es ms fcil de leerse que las ROM, antes de utilizarse, suele pasarse el
contenido de la memoria ROM a la memoria RAM.
A principios de los 80 estas memorias contenan todo el sistema operativo y, por lo tanto, no eran
actualizables fcilmente; deban ser removidas fsicamente y reemplazadas por otra. Tambin este tipo
de memorias suelen utilizarse en los cartuchos de videojuegos de consolas como Super Nintendo, Mega
Drive o Game Boy.
Una memoria ROM es aquella memoria de almacenamiento que permite slo la lectura de la
informacin y no su destruccin, independientemente de la presencia o no de una fuente de energa
que la alimente.
ROM es una sigla en ingls que refiere al trmino Read Only Memory o Memoria de Slo Lectura. Se
trata de una memoria de semiconductor que facilita la conservacin de informacin que puede ser leda
pero sobre la cual no se puede destruir. A diferencia de una memoria RAM, aquellos datos contenidos
en una ROM no son destruidos ni perdidos en caso de que se interrumpa la corriente de informacin y
por eso se la llama memoria no voltil.
Las memorias ROM pueden ser clasificadas, segn su capacidad de variar su contenido, en: Memoria
PROM, Memoria EPROM, Memoria EEPROM, Memoria flash.
Memoria PROM

(Programmable Read-Only Memory - Memoria de Slo Lectura Programable).Tipo de memoria que
puede ser programada una sola vez a travs de un programador PROM. Estn compuestas de fusibles (o
anti fusibles) que slo pueden ser quemados una vez.
Una memoria PROM sin programar se encuentra con todos los fusibles sin ser quemados, o sea, valor 1.
Cada fusible quemado corresponde a un 0 produciendo una discontinuidad en el circuito. Estas
memorias se van programando aplicando pulsos elctricos.
Fue creada en 1956 por Wen Tsing Chow en Nueva York a pedido de la Fuerza Area estadounidense
para conseguir una forma segura de almacenar las constantes de los objetivos en la computadora del
misil MBI Atlas E/F. Actualmente siguen siendo utilizadas en misiles, satlites, etc.
Memoria PROM (Programable Read-Only Memory) tambin conocida como OTP (One Time
Programable). Este tipo de memoria, tambin es conocida como PROM o simplemente ROM. Los
microcontroladores con memoria OTP se pueden programar una sola vez, con algn tipo de
programador. Se utilizan en sistemas donde el programa no requiera futuras actualizaciones y para
series relativamente pequeas, donde la variante de mscara sea muy costosa, tambin para sistemas
que requieren socializacin de datos, almacenados como
constantes en la memoria de programas.
La memoria PROM es un PLD en el que las uniones en la matriz de
puertas AND es fija, siendo programables las uniones en la matriz
de puertas OR (Ver figura 5). Una PROM es un sistema
combinacional completo que permite realizar cualquier funcin
lgica con las n variables de entrada, ya que dispone de 2n
trminos productos. Estn muy bien adaptadas para aplicaciones
tales como: tablas, generadores de caracteres, convertidores de
cdigos, etc. Generalmente las PROM tienen menos entradas que
las PAL y FPLA. Se pueden encontrar PROM con capacidades
potencia de 2, que van desde las 32 hasta las 8192 palabras de 4, 8
o 16 bit de ancho.
Memoria EPROM
Estn formadas por celdas de FAMOS o transistores de puerta flotante. Cada celda viene de
fbrica sin carga, lo que es interpretado como 1. Luego se programan produciendo o no un
voltaje sobre stas (cargndolas o no). Es decir, para
crear celdas con valor 0 se les debe aplicar un voltaje,
en tanto para producir celdas con valor 1 no se debe
hacer nada.
Al ser programadas, puede borrarse su contenido al ser
expuestas a una luz ultravioleta fuerte. Esto sucede
porque los fotones de luz ultravioleta excitan los
electrones de las celdas, lo que produce que se
descarguen.
Las EPROM pueden retener los datos entre diez y veinte aos, y pueden ser ledas ilimitadas
veces.
EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM borrable
programable). Es un tipo de chip de memoria ROM inventado por el ingeniero Dov Frohman
que retiene los datos cuando la fuente de energa se apaga. En otras palabras, es no voltil. Est
formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor)
o transistores de puerta flotante. Cada uno de ellos viene de fbrica sin carga, por lo que es
ledo como un 0 (por eso una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). Se
programan mediante un dispositivo electrnico que proporciona voltajes superiores a los
normalmente utilizados en los circuitos electrnicos. Las celdas que reciben carga se leen
entonces como un 1. Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante
exposicin a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los
electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROMs se reconocen fcilmente
por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a travs de la cual se puede ver
el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.
Este tipo de memorias son borrables y se pueden rescribir en ellas, a diferencia de la RAM, al
momento de borrarlas se borra toda la memoria (no hay un borrado selectivo), es no voltil,
aunque es posible cambiar su contenido utilizando un equipo programador especial, borrando
su contenido exponiendo el dispositivo a un haz de luz ultravioleta.
Los microcontroladores con este tipo de memoria son muy fciles de identificar porque su
encapsulado es de cermica y llevan encima una ventanita de vidrio desde la cual puede verse
la oblea de silicio del microcontrolador. Se fabrican as porque la memoria EPROM es
reprogramable, pero antes debe borrase, y para ello hay que exponerla a una fuente de luz
ultravioleta, el proceso de grabacin es similar al empleado para las memorias OTP. Al aparecer
tecnologas menos costosas y ms flexibles, como las memorias EEPROM y FLASH, este tipo de
memoria han cado en desuso, se utilizaban en sistemas que requieren actualizaciones del
programa y para los
procesos de desarrollo
y puesta a punto.

En otras palabras, es no
voltil. Est formada
por celdas de FAMOS
(Floating Gate
Avalanche-Injection
Metal-Oxide
Semiconductor) o
transistores de puerta
flotante. Cada uno de
ellos viene de fbrica
sin carga, por lo que es ledo como un 0 (por eso una EPROM sin grabar se lee como FF en todas
sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrnico que proporciona voltajes
superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrnicos. Las celdas que reciben
carga se leen entonces como un 1. Una vez programada, una EPROM se puede borrar
solamente mediante exposicin a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones
de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROMs se
reconocen fcilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a travs
de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.
Los microcontroladores con este tipo de memoria son muy fciles de identificar porque su
encapsulado es de cermica y llevan encima una ventanita de vidrio desde la cual puede verse
la oblea de silicio del microcontrolador. Se fabrican as porque la memoria EPROM es
reprogramable, pero antes debe borrase, y para ello hay que exponerla a una fuente de luz
ultravioleta, el proceso de grabacin es similar al empleado para las memorias OTP. Al aparecer
tecnologas menos costosas y ms flexibles, como las memorias EEPROM y FLASH, este tipo de
memoria han cado en desuso, se utilizaban en sistemas que requieren actualizaciones del
programa y para los procesos de desarrollo y puesta a punto. Es una memoria borrable y
programable, o lo que es lo mismo reprogramable. Esto quiere decir que puede guardarse
informacin en la memoria, luego borrarla e introducir otra. Esto permite realizar de manera
sencilla modificaciones, ampliaciones y correcciones del contenido de la memoria.
La EPROM dispone, como cualquier memoria de un bus de direcciones y de un bus de datos.
Internamente cada bit se almacena en una matriz de clulas de memoria. Cuando la EPROM
est activa y en modo de lectura, se produce la decodificacin de las direcciones y el contenido
de las clulas de memoria seleccionadas se entrega a la salida.
El bus de direcciones dispone de tantas lneas como sean necesarias para seleccionar cada una
de las posiciones de memoria. Puesto que el bus de datos normalmente tiene una longitud de
palabra de 8 bits, 1 byte, cada posicin de memoria direccionada selecciona 8 clulas de
memoria a la vez. Por ejemplo una memoria de 2KB, (2048 bytes o 2048 posiciones de
memoria) dispone de un bus de 11 bits, (2 elevado a 11 son 2048) y una memoria de 32KB,
32768 bytes, tiene 15 lneas de direccin (2 elevado a 15 son 32768). La EPROM tiene tantas
celdas de memoria como bits deban alnmacenarse, as una memoria de 2KB tiene 16384 celdas
de memoria (2048x8bits).
La EPROM almacena los bits en celdas formadas a partir de transistores de tipo FAMOS
(Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) un tipo de MOSFET cuya
puerta est rodeada por xido de silicio y, en consecuencia, totalmente aislada.
La cantidad de carga elctrica almacenada sobre la puerta aislada o flotante determina que el
bit de la celda contenga un 1 o un 0; las celdas cargadas son ledas como un 0, mientras que las
que no lo estn son ledas como un 1. Tal como las EPROMs salen de fbrica, todas las celdas se
encuentran descargadas, por lo cual el bit asociado es un 1; de ah que una EPROM virgen
presente el valor hexadecimal FF en todas sus direcciones.
Cuando un bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a un 0, con la ayuda de
una tensin relativamente alta (la tensin de programacin Vpp), se crea un campo elctrico
mediante el cual algunos electrones ganan suficiente energa como para atravesar la capa que
asla la puerta flotante. En la medida que estos electrones se acumulan en la puerta flotante,
esta toma una carga negativa, lo que finalmente produce que la celda tenga un 0. Un ejemplo
de esta serie es la memoria 2716. La capacidad disponible viene definida por el "16" de los dos
ltimos dgitos de la referencia, y nos dice que tenemos 16.384 clulas de memoria y por tanto
16384 bits de capacidad. Tiene un bus de datos de 8 bits en paralelo, con lo que permite
programar 2048 bytes (2 KByte).
Otros tipos importantes son las 2732, 2764, 27128, 27256 y 27512; como en el caso de la
2716, los dgitos finales despus del "27" nos dan la capacidad de estas memorias; tenemos,
pues, capacidades de 4, 8, 16, 32 y 64 KByte.
Una EPROM viene a consumir unos 100-125 mA en modo normal, y unos 20-40 mA en modo
stanby. Dentro de esta serie se encuentran las 27CXX, que utiliza tecnologa CMOS y consumen
menos energa. Los niveles lgicos de entrada/salida son compatibles TTL. El tiempo de acceso
de la serie 2700, entendindolo como el periodo comprendido entre la carga de la direccin en
el bus de direccionamiento y la disponibilidad de los datos est comprendido entre 100 y 450
nanosegundos, siendo ms rpidas las de mayor capacidad.
/CE, (chip enable, activo a nivel bajo)
Esta entrada habilita o activa a la memoria. Sirve para disminuir el consumo de esta al entrar
en "modo de espera" o "standby". Suele utilizarse para la seleccin del dispositivo junto con
/OE. En el modo de espera se permite a la memoria funcionar con una tensin de alimentacin
reducida. En este modo la salida est en un estado de alta impedancia, independientemente
del estado de /OE.
/OE (output enable, activo a nivel bajo)
Esta entrada controla la salida y activa o desactiva los "drivers" de salida de la memoria.
Cuando es 0, el dato est disponible suponiendo que /CE ha estado a 0 y la direccin ha
permanecido estable durante un tiempo pequeo. Cuando es 1 coloca las salidas en estado de
alta impedancia.
Vpp (Tensin de programacin)
Esta entrada permite aplicar a las clulas de memoria una tensin relativamente alta y que
crea el campo elctrico que permite cargar la puerta flotante de los transistores FAMOS y as
grabar la EPROM.
Las tensiones de programacin varan en funcin tanto del dispositivo, como del fabricante,
as nos encontramos con tensiones de programacin de 12,5V, 13V, 21V y 25V. IMPORTANTE:
Superar la Vpp requerida por la EPROM en 1,5 o 2 voltios puede daarla.
PGM (Programacin)
Cuando se aplica un pulso de una duracin determinada a esta entrada es cuando se hace
efectiva la grabacin de la posicin de memoria direccionada. De hecho, en la programacin de
la EPROM puede mantenerse aplicada la Vpp o tensin de programacin y el pulso en PGM
efecta la programacin.
Algunas memorias de la serie 2700 tienen asociadas a una misma patilla ms de una seal de
control, como se ver ms adelante.
En los sistemas basados en CPU en los que se utilizan varios dispositivos que comparten un
bus de datos comn, en el caso de las EPROM, se utiliza /CE como lnea de seleccin
decodificada y /OE se conectada a la lnea de lectura del bus de control.
Memorias 2716 y 2732 de 24 patillas
TIPO bits KB Dir Dat Vpp
2716 2048x8 2KB 11 8 25v
2732 4096x8 4KB 12 8 25v
2732A 4096x8 4KB 12 8 21v
Los valores de Vpp son los ms comunes, pero hay memorias, como por ejemplo la
NMC27C16B de National Semiconductor se programa a 12,5 voltios. Tambin la R87C32 de
Rockwell se programa a 21 v. Incluso algunas antiguas como la M2716 necesitaban 28 voltios
como Vpp.
Patillas de la 2716 y 2732
Las memorias 2716 y 2732 tienen el mismo nmero de patillas pero la 2716 tiene 11 lneas de
direccin (A0 - A10) y la 2732 tiene 12 lneas de direccin (A0 - A11), esto obliga a que algunas
patillas tengan ms de una funcin, as en ambas la patilla 18 es /CE y PGM.


Memorias 2764, 27128, 27256 y 27512
TIPO bits KB Dir Dat Vpp
2764 8192x8 8KB 13 8 21v
2764A 8192x8 8KB 13 8 12,5v
27128 16384x8 16KB 14 8 21v
27128A 16384x8 16KB 14 8 12,5v
27256 32768x8 32KB 15 8 12,5v
27512 65536x8 64KB 16 8 12,5v
Memoria UVEPROM
Se programan elctricamente
Se borran exponindolas a una radiacin UV de la longitud adecuada.
Encapsulado con ventana de cuarzo para dejar pasar la luz.
Celdas de memoria MOSFET con puerta flotante.




Memoria EEPROM
Puede ser borrado y al borrarse se borra toda la
memoria, se borra mediante un pulso elctrico no
tarda en borrarse, difiere de la EPROM en que sus
datos pueden eliminarse por medio de una seal
elctrica. Fueron el sustituto natural de las
memorias EPROM, la diferencia fundamental es
que pueden ser borradas elctricamente, por lo que la ventanilla de cristal de cuarzo y los encapsulados
cermicos no son necesarios. Al disminuir los costos de los encapsulados, los microcontroladores con
este tipo de memoria se hicieron ms baratos y cmodos para trabajar que sus equivalentes con
memoria EPROM. Otra caracterstica destacable de este tipo de microcontrolador es que fue en ellos
donde comenzaron a utilizarse los sistemas de programacin en el sistema que evitan tener que sacar el
microcontrolador de la tarjeta que lo aloja para hacer actualizaciones al programa.
EEPROM son las siglas de electrically-erasable programmable read-only memory (ROM programable y
borrable elctricamente), en espaol o castellano se suele referir al hablar como EPROM y en ingls "E-
Squared-PROM". Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado
elctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante rayos ultravioletas. Aunque una
EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo puede ser borrada y reprogramada entre
100.000 y 1.000.000 de veces.
Como su nombre sugiere, una EEPROM puede ser borrada y programada con impulsos elctricos. Al ser
una pieza que se puede gestionar por estos impulsos elctricos, podemos realizar todas estas
operaciones de reprogramacin sin tener que desconectarla de la placa a la cual va conectada.
La EEPROM tambin se conoce como non-volatile memory o memoria no voltil y es debido a que
cuando se desconecta la energa, los datos almacenados en la EEPROM no sern eliminados quedando
intactos. Las EEPROM ms nuevas no tiene datos almacenados en ellas y deben ser primero
configuradas con un programador antes de ser usadas. La informacin almacenada dentro de este
dispositivo puede permanecer durante aos sin una fuente de energa elctrica.
Son usadas para almacenar informacin programable de usuario, como por ejemplo:
Informacin de programacin VCR
Informacin de programacin de CD
Informacin de usuario de productos instalados en el equipo
La EEPROM en el monitor realiza dos funciones:
Cuando encendemos un monitor se copiarn todos los datos o informacin desde la EEPROM al
microprocesador. Por ejemplo, la EEPROM dejar al microprocesador conocer las frecuencias en
las cuales el monitor funcionar.

La EEPROM se utiliza para guardar la configuracin ms reciente del monitor. La configuracin
del monitor no desaparecer aunque el monitor sea apagado. Cuando se haga un cambio en
dicha configuracin, el microprocesador actualiza estos cambios en la EEPROM. Cuando el
monitor vuelve a encenderse, los datos ya actualizados son usados para poner el monitor
operativo.

Chip de memoria que retiene su contenido sin energa. Puede borrarse, tanto dentro del computador
como externamente. Por lo general requiere ms voltaje para el borrado que el comn de +5 voltios
usado en circuitos lgicos. Funciona como RAM no voltil, pero grabar en EEPROM es mucho ms lento
que hacerlo en RAM.


Memoria Flash
Memoria flash. En el campo de las memorias reprogramables para microcontroladores, son el ltimo
avance tecnolgico en uso a gran escala, y han sustituido a los microcontroladores con memoria
EEPROM.
A las ventajas de las memorias flash se le adicionan su gran densidad respecto a sus predecesoras lo que
permite incrementar la cantidad de memoria de programas a un costo muy bajo. Pueden adems ser
programadas con las mismas tensiones de alimentacin del microcontrolador, el acceso en lectura y la
velocidad de programacin es superior, disminucin de los costos de produccin, entre otras.
FLASH EPROM
o Tambin llamadas memorias instantneas o de rfaga.
o Objetivo: disear una memoria con las ventajas de las UVPROM y EEPROM.
Operaciones de borrado y programacin ms rpidas (FLASH).
Borrado no selectivo. Permiten borrado completo o a nivel de pgina.
o La celda de memoria est compuesta por un solo transistor por lo que se fabrican con
capacidades superiores.
La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y borrar elctricamente,
son de alta densidad (gran capacidad de almacenamiento de bits). Alta densidad significa que se puede
empaquetar en una pequea superficie del chip, gran cantidad de celdas, lo que implica que cuanto
mayor sea la densidad, ms bits se pueden almacenar en un chip de tamao determinado. Sin embargo
esta rene algunas de las propiedades de las memorias anteriormente vistas, y se caracteriza por tener
alta capacidad para almacenar informacin y es de fabricacin sencilla, lo que permite fabricar modelos
de capacidad equivalente a las EPROM a menor costo que las EEPROM.
Aparte de que las memorias EPROM "Flash" tienen una entrada de escritura, mientras estn
funcionando se comportan como las EPROM normales. La nica diferencia se encuentra en como se
cargan y se borran los datos en la memoria. Mientras que durante el proceso de programacin de las
memorias EPROM convencionales se necesita una tensin bien definida durante cierto intervalo de
tiempo, y para borrar el componente hay que exponerlo a luz ultravioleta, en las E.Flash ambos procesos
estn controlados y se llevan a cabo internamente. Para tal efecto la memoria recibe una secuencia de
comandos predefinida (borrar, programar) que incluye algunas precauciones especiales (determinadas
por el fabricante) destinadas a evitar que se borre cualquier dato por error.
Durante el proceso de programacin o borrado se puede leer, mediante un comando de acceso en
"lectura", el estado de la memoria EPROM "Flash" en la misma posicin que el byte de programado o
borrado. Mientras se borra un sector se puede leer cualquier direccin que pertenezca al sector.
Actualmente, los usos de Memoria Flash se estn incrementando rpidamente. Ya sean cmaras
digitales, Asistentes Digitales Porttiles, reproductores de msica digital o telfonos celulares, todos
necesitan una forma fcil y confiable de almacenar y transportar informacin vital.

Tipo Flash
Flash NAND
"Flash NAND", el trmino
Flash es debido a la alta
velocidad que puede manejar
y NAND a un tipo de
conexin especial de sus
elementos electrnicos
(Compuerta tipo NAND)
Memoria que permite almacenar datos y mantenerlos
almacenados sin necesidad de alimentacin elctrica
hasta por 10 aos. Se utiliza en las memorias
USB , memorias SD, MemoryStick de Sony, unidades
SSD, e incluso para BIOS, etc.

Fuentes de consulta y Referencias
http://www.sites.upiicsa.ipn.mx/polilibros/portal/Polilibros/P_terminados/PolilibroF
C/Unidad_II/Unidad%20II_3.htm
http://www.ecured.cu/index.php/Memoria_(inform%C3%A1tica)
http://www.alegsa.com.ar/Dic/memoria.php
http://www.alegsa.com.ar/Dic/prom.php
http://www.informaticamoderna.com/Memorias_Dig.htm#ani
http://memorias.digitalesii.over-blog.es/
https://sites.google.com/site/electronicadigitaluvfime/5-1tipos-de-memorias-ram-
rom-dram-sram
http://marbellyscampos.blogspot.mx/2007/11/memoria-prom.html
https://mx.answers.yahoo.com/question/index?qid=20080926211611AAUyfZD
http://www.ordenadores-y-portatiles.com/eeprom.html
http://www.monografias.com/trabajos18/memorias-programables/memorias-
programables.shtml
http://lsbit.wordpress.com/2008/08/25/memorias-de-solo-lectura-rom/#more-212