Anlise de um MosFet de enriquecimento com um multmetro.

Evitar tocar com as mos nos terminais dos Fet j que todos eles, mas especialmente os de
tecnologia MOS, so sensveis a cargas elctricas estticas que podem daniicar
permanentemente a sua estrutura interna.
!omo veriicar com um multmetro se um MosFet de enriquecimento est
em "om estado.
#amos utili$ar como e%emplo o &S'() que um *MOS de enriquecimento
+En,ancement-.
'. !olocar o comutador rotativo do multmetro na posi.o de anlise de
jun./es 0* + -.
1. !omo o MosFet de enriquecimento no tem o
canal ormado a resist2ncia indicada entre o
3reno +3- e a Fonte +S- deve ser ininita,
seja qual or a polaridade aplicada +e%cepto
na situa.o de e%istir um dodo de protec.o
interno que ique polari$ado directamente 4
onte positiva em rela.o ao dreno-.
5. !olocar a ponta de prova positiva +vermel,a- na 6ate +6- e a ponta de
prova negativa +preta- na Fonte +S- o que ir indu$ir a cria.o do
canal * entre o 3reno e a Fonte.
7. Agora, seja qual or a polaridade aplicada pelas pontas de prova aos
terminais de 3reno e de Fonte veriicamos que passou a ,aver
condu.o entre eles e uma certa resist2ncia que depende da dopagem
do material semicondutor que orma o canal.
*ota8
0ara um 0MOS de enriquecimento +En,ancement- os procedimentos so id2nticos tendo4se
s9 que trocar a polaridade das pontas de prova.
,ttp8::;;;.pro1))).pt:users:lpa <ucnio 0re$a de Ara=jo
3odo de
protec.o