El transistor de uni-unin (unijunction transistor) o UJT esta constituido por dos regiones

contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En la figura 1.1.a
aparece la estructura f!sica de este dispositi"o. El emisor esta fuertemente dopado con
impure#as p y la regin n d$bilmente dopado con n. %or ello& la resistencia entre las dos
bases& '(( o resistencia interbase& es ele"ada (de ) a 1*+,-estando el emisor abierto).
El modelo e.ui"alente representado en la figura 1.1.b esta constituido por un diodo .ue
excita la unin de dos resistencias internas& '1 y '& .ue "erifican '((/'10'. 1uando
el diodo no conduce& la ca!da de tensin en '1 (21) se puede expresar como
(1.1*)
en donde 2((1 es
la diferencia de
tensin entre las bases del UJT y -es el factor de di"isin de tensin conocido como
relacin intrnseca.
1omo se di3o antes este es un dispositi"o de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y
la (ase1 y el "olta3e al .ue ocurre este disparo est4 dado por la frmula: 2olta3e de
disparo / 2p / *.5 0 n x 2((1
6onde:
- n / intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
- 2((1 / 2olta3e entre las dos bases
2e : Tension de emisor
2p : Tension de disparo