TEORIA ELECTROMAGNETICA II

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ESCUELA DE INGENIERIA
ELECTRONICA EN
TELECOMUNICACIONES Y REDES



DIODO GUNN
DIODO GUNN HISTORIA
1954, Shockley plantea la idea de dispositivos de resistencia
negativa de dos puertas.
1961, Ridley y Watkins describen un nuevo mtodo de obtener
una movilidad diferencial negativa en semiconductores.
1962, Hilsum desarrolla un poco mas esta teoria
1963,Gunn Descubre el efecto que lleva su nombre.
Utilizando discos muy finos de GaAs(Arseniuro de Galio) tipo n.
Sin embrago Gunn no relaciono sus descubrimientos con las
teoras de Ridley y Watkins.
Finalmente, Kroemer establece que el origen de la movildad
diferencial negativa se debe al mecanismo de Ridley-Watkins e
Hilsum.
De esta forma se completa la teoria de los dispositivos de
transferencia de electrones (TED).




DIODO GUNN
La generacin de frecuencias
para el rango de microondas
se puede realizar de varias
maneras, siendo las mas
comunes el uso del Klystron,
Magnetrn, sobre todo en
aplicaciones de grandes
potencias, para otros fines lo
mas comn es el uso de
dispositivos de estado slido
como los transistores de
efecto de campo de GaAs y
diodos Gunn, sobretodo por
su tamao pequeo y bajo
consumo.

DIODO GUNN
Tambin conocido como un
dispositivo de transferencia de
electrones (TED)
Su construccin interna es a
diferencia de otros diodos en que
consta slo de material
semiconductor dopado N
Existen tres regiones: dos de
ellos estn fuertemente dopada n
en cada terminal, con una capa
delgada de material ligeramente
dopado en el medio.
Cuando se aplica un voltaje al
dispositivo, el gradiente elctrico
ser ms grande a travs de la
capa intermedia delgada
Est basado en el
descubrimiento de que
materiales semiconductores
como el Arseniuro de Galio al ser
excitados con una tensin
continua, genera frecuencias en
el espectro de las microondas,
todo esto con la particularidad de
no usar contacto hmicos


EFECTO GUNN

Este efecto es un instrumento
eficaz para la generacin de
oscilaciones en el rango de
las microondas en los materiales
semiconductores
Cuando se aplica un pequeo
voltaje continuo a travs de una
placa delgada de (GaAs) o
(GaN), sta presenta
caractersticas
de resistencia negativa.
Si esta placa es conectada a un
circuito sintonizado
(generalmente una cavidad
resonante), se producirn
oscilaciones y todo el conjunto se
puede utilizar como oscilador.
Estas oscilaciones corresponden
aproximadamente al tiempo que
los electrones necesitan para
atravesar una placa de material
tipo N cuando se aplica tensin
continua
EFECTO GUNN
Por esta razn es importante que el voltaje aplicado debe ser el
apropiado para permanecer en la regin NDR (Resistencia
Diferencial Negativa)

La frecuencia de operacin depender de la distancia que los
dominios tienen que recorrer antes que el nodo los absorba
Y en segunda instancia depender de la cantidad de voltaje
aplicado, que ser la que afecte la velocidad del dominio.

La aplicacin ms comn es la del oscilador Gunn
Esto se logra a travs del uso de lneas coaxiales, gua de ondas
u otro tipo de dispositivos.

OSCILADOR GUNN EN LINEA
COAXIAL
Oscilacin
OSCILADOR GUNN EN GUIA DE
ONDAS
DIODO GUNN
Por lo general existen 3 diseos
diferentes de osciladores:
Coaxial.
Funcionan a 15 GHz y ofrecen un
desvi de 1MHz/C aunque tienen
variantes funcionando a 35 GHz
puede ser de 1.8MHz/C
Gua de Onda:
Operan en 35 GHz y poseen una
estabilidad de 1 MHz/C
Planares
Constituyen una nueva generacin
de osciladores debido a que ya no
se utilizan cavidades, en lugar de
ello utilizan un DRO(oscilador
resonador dielctrico)
DIODO GUNN
CONCLUSIONES

El descubrimiento del efecto Gunn,
en materiales como el GaAs, permite
la generacin de microondas,
mediante el concepto de resistencia
diferencial negativa para un rango de
frecuencias comprendidos entre 5 y
140GHz.
Le energa que los electrones deben
ganar para pasar de un valle a otro es
aproximadamente de 0.36eV, esto les
permite moverse de un valle a otro y
generar as dominios Gunn, y por
tanto corrientes de oscilacin de las
microondas.
La corriente de oscilacin generada
por los electrones es amplificada,
hasta llegar a un estado y la energa
dentro de la NDR sea igual a la
disipada por la resistencia, esto se
puede entender mediante el concepto
de resistencia negativa.