Transistores FETs

Gua N8, Tema 8

1) Sea un transistor FET de juntura y canal n. Determinar la tensin de contraccin de
saturacin y la Rd-on del dispositivo.
a!.1"
-#
cm
$%"a
&%"a
'd1.1"
1%
1(cm
!
)
DSS
% m*
+aterial, Si
-) Determinar la capacidad de compuerta para una ./s 1 ..
!) Determinar la corriente de Drenador para una ./s de 1 ..
#) Determinar la transconductancia /
m
.
%) 0allar la tensin so1re la resistencia R.
1) El dispositivo deja de conducir cuando la re/in de vaciamiento de portadores corta
completamente el canal. 2ara un FET de canal n y compuerta altamente dopada p la lon/itud
de la 3ona de vaciamiento est4 dada por,
l
n
=
(
-
(
V
"
V
)
e
)
1
-
(
N
a
N
d
(
N
a
+N
d
)
)
1
-

(
-
(
V
"
V
)
eN
d
)
1
-
5onsiderando V
0
desprecia1le 6rente a V e i/ualando l
n
al anc7o del canal a se tiene 8ue la
tensin de corte es,
V
P
=
eN
d
a
-
-
Si suponemos 8ue el canal mantiene un anc7o 6ijo 2a por una pro6undidad w y una lon/itud
L9 la resistencia del mismo estar4 dada por,
r
on
=
L
-aweN
d

e
-) &a capacidad de la compuerta es de,
C
G
=
2 wL
l
n
=2 wL
(
eN
d
-V
)
1
-
!) &a corriente de drenador para un :-FET en la re/in de saturacin est4 dada por,
I
D
=I
DSS
(
1
V
GS
V
P
)
-
#) Derivando la e;presin anterior respecto de V
GS
se o1tiene,
g
m
=I
DSS
-
(
1V
GS
/ V
P
)
1
V
P
2ara V
GS
tendiendo a cero,
g
m
=
-)
DSS
V
P
%) 5omo V
R
=V
GS
= I
D
R9 si multiplicamos la ecuacin del punto ! por R en am1os miem1ros,
V
GS
=RI
DSS
(
1
V
GS
V
P
)
-
=RI
DSS
(
1-
V
GS
V
P
+
(
V
GS
V
P
)
-
)
Reescri1iendo,
RI
DSS
V
GS
(
1+-R
I
DSS
V
P
)
+RI
DSS
(
V
GS
V
P
)
-
="
Resultados:
a e
3.00E-004 0.015 0.015 9.735E-013 1400 1.00E+015 1.60E-019
1 5.00E-003
ron C F Id
7.3959938 7440.47619 1.986E-012 3.97123407 0.002338 0.00135208
R a
1000 0.09140647 -2.3520833 5 2.338249 2.33824899
w l eps ue Nd
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