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Ementa: propriedades e conceitos bsicos de interesse; estudo dos materiais e

dispositivos condutores, semicondutores, isolantes e magnticos.









Prof. Dr. Gelson Antnio Andra Brigatto
APOSTILA DA DISCIPLINA
MATERIAIS ELTRICOS
UNIVERSIDADE FEDERAL DE GOIS
ESCOLA DE ENGENHARIA ELTRICA,
MECNICA E DE COMPUTAO

II
BIBLIOGRAFIA

Bsica:
1. SCHIMIDT, Walfredo. Materiais Eltricos, Vols. I e II, Edgard Blcher, So Paulo, 1979.
2. SHACKELFORD, James F. Cincia dos Materiais, 6 Edio, Prentice-Hall, 2008.
3. CALLISTER, William D. Fundamentos da Cincia e Engenharia de Materiais, 2a Ed., Editora LTC, 2006.
4. SEDRA, Adel S., Microeletrnica, 5
o
Edio, Makron Books, 2007.
Complementar:
1. SARAIVA, Delcyr B. Materiais Eltricos, Editora Guanabara Dois, Rio de Janeiro, 1983.
2. BOYLESTAD, Robert, NASHELSKY, Louis, Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos, 6 Edio,
Prentice-Hall do Brasil Ltda, 1998.
3. HALLIDAY, D., RESNICK, R., Fsica, 4 Edio, Livros Tcnicos e Cientficos, .
4. MILLMAN, Jacob; Grabel, Arvin. Microeletrnica, Vol. I, Editora McGraw Hill, 1991.
5. COTRIM, Ademaro, Instalaes Eltricas, 4 Edio, Prentice-Hall, 2003



NDICE

CAPTULO 1: Tpicos introdutrios...............................................................................................................................1
1.1) Propriedades de interesse dos materiais ................................................................................................................1
1.1.1) Propriedades eltricas.....................................................................................................................................1
1.1.2) Propriedades magnticas ................................................................................................................................1
1.1.3) Propriedade fsicas .........................................................................................................................................1
1.1.3.1) Estado fsico ............................................................................................................................................1
1.1.3.2) Massa especfica......................................................................................................................................2
1.1.4) Propriedades mecnicas..................................................................................................................................3
1.1.4.1) Resistncia mecnica...............................................................................................................................3
1.1.4.2) Elasticidade .............................................................................................................................................3
1.1.4.3) Outras propriedades mecnicas de interesse ...........................................................................................4
1.1.5) Propriedades trmicas.....................................................................................................................................4
1.1.5.1) Dilatao trmica.....................................................................................................................................4
1.1.5.2) Condutividade trmica.............................................................................................................................5
1.1.5.3) Calor especfico.......................................................................................................................................6
1.1.6) Propriedades qumicas....................................................................................................................................7
1.1.7) Fator custo dos materiais................................................................................................................................7
1.1.7.1) Exemplo de caso: cobre versus alumnio ................................................................................................8
1.2) Conceito de bandas de energia ..............................................................................................................................9
1.2.1) Nveis de energia............................................................................................................................................9
1.2.2) Bandas de energia e classificao eltrica dos materiais..............................................................................11
1.3) Tpicos complementares.....................................................................................................................................12
1.3.1) Pilhas e baterias ............................................................................................................................................12
1.3.2) Lmpadas......................................................................................................................................................13
1.3.3) Fibra tica.....................................................................................................................................................15
1.3.4) Laser .............................................................................................................................................................16
1.3.5) Clula combustvel a hidrognio..................................................................................................................17
1.4) Exerccios propostos............................................................................................................................................17
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores .......................................................................................................20
2.1) Fenmeno da conduo eltrica ..........................................................................................................................20
2.1.1) Condutividade e resistncia eltricas............................................................................................................20
2.1.2) Fatores que influenciam na resistncia eltrica............................................................................................22
2.1.2.1) Temperatura...........................................................................................................................................22
2.1.2.2) Efeito pelicular ......................................................................................................................................23
2.1.2.3) Grau de impureza e imperfeies no material .......................................................................................25
2.2) Materiais e dispositivos condutores.....................................................................................................................25
2.2.1) Os metais e suas caractersticas....................................................................................................................25
2.2.2) Ligas metlicas.............................................................................................................................................27
2.2.3) Carvo para fins eltricos .............................................................................................................................29
2.2.4) Peas de contato ...........................................................................................................................................29
III
2.2.5) Condutores eltricos .....................................................................................................................................30
2.2.6) Resistores e resistncias ...............................................................................................................................31
2.2.7) Bimetais........................................................................................................................................................33
2.3) Tpicos complementares.....................................................................................................................................34
2.3.1) Termoeletricidade.........................................................................................................................................34
2.3.2) Supercondutividade......................................................................................................................................35
2.4) Exerccios propostos............................................................................................................................................36
CAPTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes...........................................................................................................38
3.1) Propriedades e efeitos..........................................................................................................................................38
3.1.1) Rigidez dieltrica..........................................................................................................................................38
3.1.2) Polarizao dieltrica ...................................................................................................................................38
3.1.3) Permissividade dieltrica..............................................................................................................................39
3.1.4) Capacitncia .................................................................................................................................................40
3.1.5) Perdas, fator de perdas e efeito Corona........................................................................................................40
3.2) Materiais e dispositivos isolantes ........................................................................................................................42
3.2.1) Materiais isolantes e dieltricos....................................................................................................................42
3.2.2) Isolamentos e isoladores...............................................................................................................................42
3.2.3) Capacitores ...................................................................................................................................................44
3.2.4) Eletretos e piezoeletricidade.........................................................................................................................45
3.3) Exerccios propostos............................................................................................................................................46
CAPTULO 4: Materiais e dispositivos magnticos ......................................................................................................47
4.1) Fenmenenos magnticos....................................................................................................................................47
4.1.1) Polarizao magntica..................................................................................................................................47
4.1.2) Permeabilidade magntica e classificao dos materiais .............................................................................48
4.1.3) Magnetizao................................................................................................................................................48
4.1.4) Efeito induo magntica e indutncia.........................................................................................................50
4.2) Materiais e dispositivos magnticos....................................................................................................................51
4.2.1) Materiais e ligas ferromagnticas.................................................................................................................51
4.2.2) Bobinas magnticas......................................................................................................................................52
4.2.3) Mquinas eltricas........................................................................................................................................54
4.2.4) Rels eletromecnicos e transdutores...........................................................................................................56
4.3) Exerccios propostos............................................................................................................................................57
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores ...............................................................................................58
5.1) Semicondutor intrnseco......................................................................................................................................58
5.1.1) Fenmenos de transporte..............................................................................................................................58
5.1.2) Componentes semicondutores puros ............................................................................................................61
5.2) Semicondutor extrnseco ....................................................................................................................................62
5.2.1) Classificao dos semicondutores extrnsecos .............................................................................................62
5.2.2) Condutividade em semicondutores extrnsecos............................................................................................63
5.3) Juno PN...........................................................................................................................................................64
5.3.1) Barreira de potencial e cristal PN.................................................................................................................64
5.3.2) Camada de depleo.....................................................................................................................................66
5.3.3) Modos de polarizao da juno PN............................................................................................................67
5.4) Dispositivos a cristal PN - I: diodos....................................................................................................................69
5.4.1) Smbolos, convenes e especificaes mximas ........................................................................................69
5.4.2) Caracterstica corrente-tenso ......................................................................................................................70
5.4.3) Reta de carga ................................................................................................................................................71
5.4.4) Diodos de finalidade especfica....................................................................................................................73
5.4.4.1) Zener......................................................................................................................................................73
5.4.4.2) Componentes optoeletrnicos ...............................................................................................................74
5.4.4.3) Varicap ..................................................................................................................................................76
5.4.4.4) Diodos fast recovery..............................................................................................................................77
5.4.4.5) Diodo Tnel...........................................................................................................................................78
5.4.4.6) Varistores...............................................................................................................................................78
5.4.5) Anlise de circuitos com diodos...................................................................................................................79
5.4.5.1) Modelos do diodo para grandes sinais e baixas freqncias .................................................................79
5.4.5.2) Anlise CC ............................................................................................................................................80
5.4.5.3) Anlise CA............................................................................................................................................83
5.4.5.4) Retificadores com diodos ......................................................................................................................84
5.4.5.5) Regulador de tenso com zener .............................................................................................................87
5.4.5.6) Ceifadores e grampeadores com diodos ................................................................................................89
IV
5.4.6) Modelo de diodos para pequenos sinais e altas frequncias.........................................................................94
5.5) Dispositivos a cristal PN - II: Transistor bipolar de juno ................................................................................96
5.5.1) Aspectos gerais.............................................................................................................................................96
5.5.1.1) Constituio fsica .................................................................................................................................97
5.5.1.2) Smbologia, variveis, especificaes e aparncias...............................................................................97
5.5.2) Funcionamentos do TBJ...............................................................................................................................98
5.5.2.1) Conceito de fonte de corrente controlada por corrente..........................................................................99
5.5.2.2) Modos de operao................................................................................................................................99
5.5.3) Configuraes do TBJ ................................................................................................................................100
5.5.3.1) Efeito Early..........................................................................................................................................101
5.5.3.2) Configurao base-comum (BC) .........................................................................................................102
5.5.3.3) Configurao emissor-comum (EC)....................................................................................................103
5.5.3.4) Configurao coletor comum (CC) .....................................................................................................104
5.5.3.5) Aspectos adicionais de funcionamento do TBJ...................................................................................105
5.5.4) Anlise CC de circuitos com TBJ ..............................................................................................................108
5.5.5) Tpico complementar: o fototransistor ......................................................................................................115
5.6) Exerccios propostos..........................................................................................................................................115
5.6.1) Problemas sobre diodos..............................................................................................................................116
5.6.2) Problemas sobre TBJs...............................................................................................................................118
Apndice: respostas de alguns exerccios propostos....................................................................................................121



PREFCIO

O ramo da Engenharia Eltrica espelha uma permanente seqncia de desenvolvimentos e descobertas
cientficas na rea de materiais e componentes, gerando a surpreendente evoluo no campo dos mtodos e
processos produtivos e de automatizao que se apresenta ao mundo nos dias atuais. A evoluo das Fsicas
macroscpica e microscpica, aliada capacidade do engenheiro-pesquisador, tem possibilitado aos centros
de pesquisa a avaliao mais precisa das propriedades dos materiais, determinando-lhes as condies de
variao com os parmetros do meio e definindo-lhes um amplo espectro de aplicaes e contornos.
No raro, o Engenheiro do ramo eltrotcnico solicitado para cooperar com profissionais de outras
especialidades no estabelecimento de especificaes ou caractersticas desejveis a um certo material ou
sistema a ser utilizado em novos equipamentos. Para que tal objetivo seja amplamente alcanado, torna-se
imprescindvel a habilidade tcnica e profissional aliada a um conhecimento abrangente sobre as estruturas
fsico-qumicas da matria, leis e fenmenos fsicos, propriedades e aplicabilidade dos materiais.
Materiais Eltricos uma das disciplinas do ncleo especfico do curso de Engenharia Eltrica, por
abordar uma teoria bsica para as disciplinas Instalaes Eltricas, Mquinas Eltricas e Transformadores,
Eletrnica e outras. Seu contedo visa a anlise das propriedades e fenmenos dos materiais de que so
constitudos os equipamentos e componentes eltricos/eletrnicos, e deve permitir ao aluno raciocinar em
termos de matrias primas para proceder sua adaptao a novas condies de projeto e servio ou concluir
eventualmente sobre sua substituio por outros mais adequados, conferindo ento ao aluno critrios na sua
atividade. Assim, Materiais Eltricos constitui-se em uma disciplina bsica para a adequada compreenso
dos equipamentos e componentes que sero estudados posteriormente no curso de Engenharia Eltrica.







1
CAPTULO 1: TPICOS INTRODUTRIOS

Para o estudo dos diversos materiais usualmente empregados no campo da Engenharia Eltrica, desejvel
inicialmente o conhecimento de alguns princpios gerais que governam as propriedades e fenmenos dos materiais e
conceitos sobre modelos de estrutura atmica. Estes assuntos consistem, ento, no escopo deste captulo introdutrio.


1.1) PROPRIEDADES DE INTERESSE DOS MATERIAIS

Em ltima anlise, o emprego de um material sempre justificado pelas caractersticas que apresenta. Em geral,
os materiais apresentam diversas propriedades de interesse, tais como eltricas, magnticas, mecnicas, qumicas,
fsicas e trmicas, alm de seu custo, que devem consideradas para proceder-se uma escolha criteriosa dos materiais
para determinada aplicao, ou ainda, para se concluir sobre a convenincia de sua substituio. Contudo, um material
dificilmente atende todos os aspectos desejveis para uma aplicao em estudo e a escolha deve, ento, recair naquele
com caractersticas gerais mais vantajosas. Um texto introdutrio a estas propriedades , ento, visto a seguir.

1.1.1) PROPRIEDADES ELTRICAS

Os materiais, quando submetidos a campos eltricos externos, desempenham determinados comportamentos
que definem suas propriedades eltricas e os classificam dentro das trs classes caracterizados por estes desempenhos:
condutores, semicondutores e isolantes. Em Eletrotcnica, as propriedades eltricas de maior interesse so:
Condutividade eltrica: quantifica a maior ou menor disponibilidade do material em permitir um fluxo ordenado
de cargas livres por seu meio (a chamada corrente eltrica), quando este submetido a uma diferena de potencial
(a chamada tenso eltrica). Resistividade eltrica representa a oposio a este fluxo, ou seja, expressa o inverso
da condutividade.Estas propriedades sero mais detidamente estudadas no Captulo 2.
A condutividade est diretamente relacionada com a perda de energia no material na forma de calor, conhecido
como Efeito Joule, que decorre do choque dos eltrons em movimento com os eltrons estacionrios do material,
sendo seu conhecimento essencial para aplicaes onde exige-se um transporte de energia com mnimas perdas.
Desse modo, estas propriedades so de interesse no estudo dos materiais ditos condutores e semicondutores.
Permissividade dieltrica: a propriedade que descreve e quantifica o quanto a estrutura atmica de um material
dito isolante eltrico se polariza em oposio ao adensamento de um campo eltrico externo aplicado, ou seja, a
capacidade de polarizao do material. Esta propriedade ser mais detidamente estudada no Captulo 3.
Rigidez dieltrica: a propriedade que expressa o limite mximo de diferena de potencial eltrico (tenso) por
unidade de espessura, que um material isolante pode suportar sem ter sua estrutura atmica rompida, ou ainda, a
capacidade de isolao eltrica do material. Esta propriedade ser mais detidamente estudada no Captulo 3.

1.1.2) PROPRIEDADES MAGNTICAS

Os materiais, quando submetidos a campos magnticos, exibem o fenmeno da magnetizao em consequncia
da maior ou menor polarizao da estrutura atmica do material na direo do campo aplicado, sendo esta capacidade
expressa pela propriedade permeabilidade magntica. Certos materiais exibem ainda um esgotamento em sua reao
ao campo aplicado, efeito denomindado saturao, bem como uma remanescncia magntica quando da retirada do
campo, sendo a habilidade do material em manter esta magnetizao expresso pela propriedade retentividade.
Alm disso, na presena de fluxos magnticos variantes no tempo, os materiais exibem uma capacidade de
produzir de foras eletromotrizes em sua estrutura, efeito este denominado induo magntica.
Estes assuntos sero mais detidamente estudados no Captulo 4.

1.1.3) PROPRIEDADE FSICAS

As propriedades fsicas esto relacionadas aos arranjados dos tomos constituintes dos materiais e sua estrutura
cristalina, sendo o estado fsico e a massa especfica as de maior interesse em aplicaes eletrotcnicas.

1.1.3.1) Estado fsico

O estado fsico depende da distncia entre os tomos, molculas ou ons constituintes do material. Pode ser:
Slidos: so formados por tomos ou molculas que permanecem muito prximos entre si e no se movimentam,
apenas vibram em torno da posio em que se encontram, adquirindo assim forma prpria e volume constante. De
acordo com a distribuio espacial de seus tomos, molculas ou ons, os slidos podem ser classificados em:
Captulo 1: Tpicos introdutrios
2
Arranjos cristalinos: nestes a distribuio ocorre em uma forma
geomtrica bem definida, denominada clula, que se repete em
todas as dimenses, constituindo-se na chamada rede cristalina.
As distribuies mais comuns so: sistema cbico (Figura 1.1),
compreendendo o tipo simples (silcio e germnio, etc.), de face
centrada (cobre, alumnio, prata ouro, nquel, etc.) e de corpo
centrado (ferro, tungstnio, cromo, etc.); sistema hexagonal
(zinco, magnsio, cdmio, etc.); e tetragonal (estanho, etc.).
Arranjos amorfos: nestes a distribuio dos tomos no tem uma
ordenao em suas dimenses. Exemplos: carvo e grafita.
Os slidos so os materiais de maior emprego em aplicaes
eletrotcnicas, tais os como condutores em fios, cabos, chaves e
barramentos, dieltricos em capacitores e isoladores, ncleos magnticos, estruturas de suporte, entre outros.
Lquidos: so geralmente formados por molculas um pouco mais afastadas entre si do que nos slidos e que tm
a liberdade de se movimentarem, apresentando ento volume constante mas no forma prpria. Como exemplos de
materiais lquidos usados em aplicaes eletrotcnicas tem-se solues inicas em baterias (eletrlitos), isolantes
eltricos lquidos em transformadores e chaves (leos), tintas, esmaltes, vernizes, etc.
Gasosos: so materiais formados por tomos, molculas ou ons (plasma) que permanecem mais afastados entre si
que nos slidos e lquidos e que esto sempre em movimento, no apresentando ento forma ou volume constante.
Em aplicaes eletrotcnicas so usados principalmente em lmpadas (neon, vapor de sdio, vapor de mercrio),
como meio isolante entre cabos areos (ar), em disjuntores de potncia e cabos subterrneos (SF
6
), etc.

Observao: as ligaes qumicas so unies estabelecidas entre tomos de acordo com a teoria do octeto (os tomos
alcanam a estabilidade quando adquirem oito eltrons na ltima camada, salvo excees), de forma a constiturem
molculas, que so a estrutura bsica das substncias. As ligaes qumicas ocorrem basicamente de trs formas:
Ligao inica: tipo baseada na atrao eletrosttica entre dois ons com cargas opostas, por meio da doao e
recepo de eltrons. A ligao inica formada por um metal, que possui grande eletropositividade (tendncia a
doar eltrons devido sua baixa energia de ionizao), formando um on positivo ou ction, e um ametal, que tem
grande eletronegatividade (tendncia a ganhar eltrons), formando um on negativo ou nion. Sendo assim, os ons
formados, ction e nion, se atraem devido fora eletrosttica e formam a ligao inica. Os compostos inicos
(sais e bases) so slidos nas condies ambientes e conduzem corrente eltrica quando dissolvidos ou fundidos.
Ligao covalente ou molecular: ocorre entre tomos que possuem a tendncia de realizar o compartilhamento de
eltrons em sua camada de valncia, no havendo a formao de ons, pois as estruturas cristalinas formadas so
eletronicamente neutras. Compostos moleculares podem ser encontrados nos trs estados fsicos (exemplos: silcio,
germnio, diamante, cermicas, polmeros, gua, oxignio gasoso, etc.) e no conduzem eletricidade quando puros.
Ligao metlica: ocorre entre tomos constituintes de um metal. Por ter grande tendncia a perder eltrons e
transformar-se em ctions, os eltrons das ltimas camadas de um metal saltam de seus tomos, criando ons, e
passam a se movimentar livremente por entre estes tomos, sendo no entanto simultaneamente atrados pelos ons,
o que acarreta em uma grande fora de atrao entre os tomos do material. A disposio resultante se compe de
um retculo cristalino formado por ons positivos e uma nuvem eletrnica que, no entanto, eletricamente neutro.

1.1.3.2) Massa especfica

A massa especfica (g/cm
3
) de um material a relao entre sua massa por seu volume, isto :

m
V
= (1.1)
onde, m a massa (g) e V o volume (cm
3
). A Tabela 1.1 a seguir mostra a massa especfica de alguns materiais.
Como exemplo de aplicao com interesse nesta propriedade tem-se os cabos eltricos de redes de transmisso
e distribuio, cujo peso est diretamente relacionado com as solicitaes mecnicas que estes cabos transferem s
estruturas destinadas a sua isolao e apoio (postes, torres, cruzetas, etc.). Logo, baixa massa especfica desejvel
aos materiais (metais) empregados na construo de condutores eltricos em geral, pois esta caracterstica acarreta em
estruturas de suporte menos robustas, resultando em economia de material e, portanto, de custos.

Tabela 1.1: Massa especfica de alguns materiais temperatura ambiente (20
o
C).
Material (g/cm
3
) Material (g/cm
3
) Material (g/cm
3
) Material (g/cm
3
)
leo de transformador 0,86 alumnio 2,70 manganina (Cu+Mn) 8,40 mercrio 13,55
gua 1,00 zinco 7,14 cobre 8,87 tungstnio 19,00
carbono e grafita 2,10 estanho 7,28 prata 10,50 ouro 19,29
porcelana 2,39 ferro e ao 7,86 chumbo 11,94 platina 21,40
Figura 1.1: Sistemas cbicos: (a) simples;
(b) corpo centrado, (c) face centrada.
(a) (b) (c)
Captulo 1: Tpicos introdutrios
3
1.1.4) PROPRIEDADES MECNICAS

As propriedades mecnicas definem a capacidade do material de resistir ou ser moldado por esforos mecnicos
a ele aplicados. Algumas destas propriedades de interesse so vistas a seguir.

1.1.4.1) Resistncia mecnica

A tenso mecnica () aplicada em um corpo de teste de um material qualquer a grandeza definida por:

F
A
= (1.2)
onde F a fora de trao ou compresso aplicada rea A do corpo transversal fora (unidade usual: N/mm
2
).
A propriedade resistncia mecnica de um material uma medida de capacidade deste de oferecer oposio
quando o mesmo submetido a tenses mecnicas de ruptura, definida ento como razo entre a fora limite para
esforos de trao ou compresso suportado pelo material pela rea transversal aplicao da fora
As resistncias trao e compresso apresentam valores semelhantes em diversos materiais, sendo porm a
resistncia compresso bastante inferior para materiais que apresentam um
comportamento mecnico mais quebradio. A Tabela 1.2 abaixo mostra a
resistncia trao (
t
) para alguns materiais de interesse em Eletrotcnica.
Como exemplo de aplicao com interesse nesta propriedade pode-se
citar: cabos areos (o prprio peso o submete a esforos de trao), estruturas
de suporte (postes e torres de linhas de transmisso, cruzetas, isoladores,
etc.), conexo (buchas, braadeiras, vedaes, terminais, etc.), confinamento
de equipamentos e componentes eltricos (gabinetes, carcaas de motores e
de transformadores, etc.) e estaiamento (ancoramento de estruturas por cabos,
tais como postes e torres, para prover estabilidade e equilbrio), onde devem
ser determinados os limites de resistncia mecnica dos materiais usados, tal
que os esforos mecnicos a que estes estaro submetidos no ultrapassem
seus limites mximos e comprometa a integridade fsica da estrutura.

Tabela 1.2: Resistncia trao de alguns materiais.
Material
t
(N/mm
2
) Material
t
(N/mm
2
) Material
t
(N/mm
2
)
concreto 2,07 lato (Cu+Zn) 330 manganina (Cu+Mn) 420
alumnio 91 ferro batido 345 Constantan (Cu+Ni) 460
cobre 220 ao estrutural 413 ferro fundido 620

1.1.4.2) Elasticidade

Todo corpo submetido a tenses mecnicas para esforos de trao sofre um alongamento proporcional fora
aplicada. A propriedade que descreve a capacidade de um material de sofrer alongamentos sob esforos de trao sem
sofrer uma deformao permanente aps a retirada da fora aplicada denominada elasticidade.
A Figura 1.3 mostra um grfico tpico da deformao sofrida
por um metal de comportamento dctil quando submetido a uma tenso
mecnica de trao
t
, at a ocorrncia da ruptura do metal.Pode-se
observar ento que a deformao apresenta dois estgios distintos:
a) Regio A-B: conhecida como deformao elstica, nesta os tomos
do material mantm suas posies relativas e retornam posio
original quando a tenso removida, isto , a deformao rever-
svel. Desse modo, esta regio define a propriedade elasticidade do
material, sendo o ponto B chamado limite elstico, e seu comporta-
mento regido pela Lei de Hooke, que estabelece: para pequenos
alongamentos, a tenso proporcional deformao sofrida, isto :
E = (1.3)
onde (N/m
2
) a tenso aplicada, (adimensional) a deformao sofrida, dada pela razo entre o alongamento
do material (diferena entre comprimentos final e inicial) e o seu comprimento inicial
o
, ou seja:

o
o o


= =


(1.4)
e o termo E (N/m
2
ou N/mm
2
) denominado mdulo de Young ou de elasticidade do material, que define ento a
proporcionalidade entre e . A Tabela 1.3 a seguir mostra o mdulo de elasticidade de alguns materiais.
cabo eltrico
isolador
cruzeta
estai
barra de
apoio
poste
Figura 1.2: Exemplo de elementos
submetidos a esforos mecnicos.
braadeira
parafuso

t
(N/m
2
)

limite
elstico
A
B
D
C
regio elstica
regio
plstica
tg = E
Figura 1.3: Curva tenso x deformao.
E
tenso maxima
ou de ruptura

Captulo 1: Tpicos introdutrios
4
Tabela 1.3: Mdulo de elasticidade de alguns materiais de interesse.
Material E ( x 10
10
N/m
2
) Material E ( x 10
10
N/m
2
) Material E ( x 10
10
N/m
2
)
alumnio 7,0 ferro forjado 18 a 20 ferro batido 19,29
chumbo 1,5 ferro fundido 8,5 a 10 ao estrutural 20,67
cobre 10 a 12 lato 10,5 concreto 1,38
ouro 8,1 prata 7,5 pinho amarelo 1,03

b) Regio B - E: conhecida como deformao plstica, nesta os tomos do material sofrem deslocamentos irrevers-
veis, resultando ento em deformaes permanentes. Entre os pontos B e C ocorre uma contrao lateral chamada
escoamento, caracterizado pelo aumento da deformao sem aumento de tenso. Entre os pontos C e D ocorre o
chamado encruamento, caracterizado por um novo ganho de resistncia do material. Entre os pontos D e E ocorre
a estrico, que a reduo na rea da seo transversal do corpo imediatamente antes da ruptura, sendo no ponto
D representado o limite de resistncia do material, acima do qual ocorre sua ruptura.

Exerccio 1: Um fio de comprimento 4 m e 1 cm de dimetro, submetido a uma fora de trao de 5000 N e sofre
deformao elstica at o comprimento de 4,01 m. Determine o mdulo de elasticidade do material.
Soluo
r
fio
= raio do fio = 0,5 cm = 0,005 m
Tenso aplicada ao fio:
6
2 2 2
5000
63, 66 10
0, 005
fio
F F N
A r m

= = = = , onde: r
fio
= 0,5 cm = 0,005 m
Mdulo de elasticidade:
6
o
o
63, 66 10 4
4, 01 4
E E


= = = = =

10
2, 546 10


2
E N/m

1.1.4.3) Outras propriedades mecnicas de interesse

Dentre as demais propriedades mecnicas de interesse em Engenharia, pode-se mencionar:
Maleabilidade ou plasticidade: a capacidade de um material em sofrer deformaes permanentes em todas as
direes com pouco gasto de energia, sem comprometer sua integridade fsica (sem se tornar quebradio). Esta
propriedade descreve ento a maior ou menor possibilidade do material ser reduzido a barras e chapas.
Ductibilidade: a capacidade de um material de sofrer deformaes permanentes em somente uma direo sem se
romper. Indica ento a maior ou menor possibilidade de um material ser estirado ou reduzido a fios. Exemplos: a
argila tem boa maleabilidade mas pequena ductilidade; o ouro mais dctil e malevel que o cobre ou o alumnio.
Dureza: a capacidade da estrutura fsica do material em resistir a penetrao ou ser riscado, sendo avaliada por
um teste realizado com base na diviso de uma tenso aplicada pela rea de penetrao na superfcie do material.
Tenacidade: a capacidade de um material de resistir a grandes tenses e deformaes sem ruptura, ou ainda, sua
resistncia a choques mecnicos. Dureza e tenacidade no so sinnimas porque, por exemplo, vidro e diamante
apresentam elevada dureza (difceis de serem gastos), mas de pouca resistncia a golpes (pouca tenacidade).

1.1.5) PROPRIEDADES TRMICAS

A conduo de corrente eltrica provoca a elevao de temperatura dos materiais por Efeito Joule e esta pode
atingir nveis capazes de danific-los. Alm disso, muitas das propriedades que descrevem o comportamento dos ma-
teriais so definidas com a temperatura. Assim, nas condies de projeto devem ser previstas as conseqncias da
energia trmica nos materiais utilizados, tais como sua dilatao e capacidades de conduo e absoro de calor.

1.1.5.1) Dilatao trmica

As partculas constituintes de um corpo material esto em constante estado de agitao devido energia trmica
produzida ou absorvida pelo corpo. A elevao da temperatura em um corpo meterial provoca um aumento no grau
dessa agitao, obrigando as partculas a ocupar um espao maior, o que acarreta um aumento no volume do corpo.
Assim, a propriedade dilatao trmica expressa a capacidade de um material em alterar suas dimenses fsicas quan-
do submetido a uma variao de temperatura, traduzido pelo seus coeficientes de dilatao trmica.
Dependendo das dimenses fsicas de um corpo material, pode-se considerar apenas uma determinada dimen-
so fsica relevante, onde, para um material isotrpico e que sofre pequenas variaes de temperatura, tem-se:
Variao da dimenso linear com a temperatura ou dilatao trmica linear:

o o
T = = (1.5)
Variao da dimenso superficial com a temperatura ou dilatao trmica superficial:

o o
2 S S S S T = = (1.6)
Captulo 1: Tpicos introdutrios
5
Variao da dimenso volumtrica com a temperatura ou dilatao trmica volumtrica:

o o
3 V V V V T = = (1.7)
onde: , S V so as deformaes linear, superficial e volumtrica do corpo material, respectivamente, (
o
C
-1
)
o coeficiente de dilatao linear do material do corpo;
o
(m), S
o
(m
2
) e V
o
(m
3
) so o comprimento, a rea e o volume
inicial, respectivamente; , S e V so o comprimento, a rea e o volume final, respectivamente; T = T T
o
(
o
C) a
variao de temperatura a que foi submetido o corpo, sendo T e T
o
, respectivamente, as temperaturas final e inicial.
A Tabela 1.4 mostra os valores mdios do coeficiente de dilatao linear de alguns materiais, onde observa-se
que materiais lquidos (mercrio) possuem coeficientes normalmente mais elevados que o dos slidos.
Os coeficientes de dilatao trmica so em geral positivos (material se dilata com o aumento da temperatura),
com exceo da gua, que apresenta coeficiente de dilatao negativo para temperaturas abaixo de 4
o
C, o que explica
a flutuao do gelo na gua (
gelo
= 0,91 g/cm
3
). Desse modo, o volume de um buraco num corpo slido aumenta com
a temperatura como se o mesmo fosse um slido de mesmo material do corpo, independente da espessura do corpo.
Como exemplo, o estudo destas deformaes tem grande importncia em projetos de redes eltricas, onde o
efeito da deformao trmica linear dos cabos provoca a contrao destes com a diminuio da tempertura, o que
pode ocasionar a ruptura dos mesmos, ou o seu alongamento com o aumento da tempertura, o que pode ocasionar um
contato eltrico indevido dos cabos com estruturas alheias rede (por exempo, edificaes, rvores, etc.). Por outro
lado, o efeito da dilatao trmica pode ser aproveitado como sensor de temperatura, por meio da curvatura entre dois
metais soldados de coeficientes de dilatao distintos, que constituem um dispositivo denominado bimetal.

Tabela 1.4: Coeficientes de dilatao trmica linear de alguns materiais para o intervalo entre 0 e 100
o
C.
Material ( x 10
-5

o
C
-1
) Material ( x 10
-5

o
C
-1
) Material ( x 10
-5

o
C
-1
)
mercrio 18,0 ferro 1,25 alumnio 2,40
porcelana 0,35 ao 1,36 solda (Pb+Sn) 2,51
vidro crown 0,90 cobre 1,70 estanho 2,70
tijolo 0,95 lato (Cu+Zn) 1,87 chumbo 2,94

Exerccio 2: A figura ao lado mostra uma plataforma P apoiada horizontalmente sobre dois
pilares, um de alumnio e outro de ferro. Determine os comprimentos dos pilares para que a
plataforma permanea na horizontal a qualquer temperatura.
Soluo
Seja
oFe
e
oAl
os comprimentos iniciais dos pilares temperatura inicial T
o
na qual
os pilares sero dimensionados. Logo, para que a plataforma P permanea na horizontal a
qualquer variao de temperatura T = T T
o
, duas condies devem ser satisfeitas:
1) Na temperatura T
o
deve-se ter, com base na figura, que:
o o
0, 46
Fe Al
= + (1)
2) As dilataes trmicas lineares dos pilares temperatura qualquer T devem ser iguais, ou seja:
Fe Al
= (2)
Da Tabela 1.4, sabe-se que:
Fe
= 1,25 x 10
-5

o
C
-1
e
Al
= 2,4 x 10
-5

o
C
-1
. Logo, do resultado (2) tem-se:
o o o o o o o o
( ) ( ) 1, 92
Fe Al Fe Fe Al Al Fe Fe Al Al Fe Al
T T T T = = = =
Com este resultado aplicado em (1):
o o o o
0, 46 1, 92 0, 46
Fe Al Al Al
= + = + =
o
0, 5
Al
m
e ainda:
o o
1, 92
Fe Al
= =
o
0, 96
Fe
m

1.1.5.2) Condutividade trmica

Em um meio material submetido a uma diferena de temperatura, ocorre transferncia de energia trmica da
maior para a menor temperatura, at que o corpo atinja o equilbrio trmico (temperatura uniforme). Este trnsito de
energia trmica, motivado exclusivamente por diferena de temperatura, chamado calor e ocorre de trs formas:
Por conduo trmica, atravs da agitao das partculas de um meio material (no ocorre, portanto, no vcuo);
Por conveco, atravs do deslocamento da prpria massa de um meio material (no ocorre, portanto, no vcuo);
Por irradiao trmica, atravs da emisso de radiao infra-vermelha (ocorre, portanto, no vcuo).
A conduo trmica em um meio material proporcional propriedade condutividade trmica K do material e
expressa a quantidade de calor Q (cal) transmitida perpendicularmente seo A (cm
2
) de uma amostra do material de
comprimento (cm) e submetida a uma diferena de temperatura T (
o
C) durante um certo tempo t (s), ou seja:

K A Q K A
Q T t T
t
= = =

(1.8)
onde (cal/s) expressa a quantidade de calor que atravessa a amostra do material por unidade de tempo, denominado
fluxo de calor ou corrente trmica. Definindo-se R
T
= /K A (
o
C s/cal) como a resistncia trmica da amostra, pode-se
0,46 m
Al Fe
P
Fe

Al

Q , T
1 T
2
> T
1
A

K
Captulo 1: Tpicos introdutrios
6
deduzir ento que: T = R
T
, relao esta similar Lei de Ohm da eletricidade (V = R I). Desse modo, a propriedade
condutividade trmica expressa a facilidade com que um material se deixa atravessar por um fluxo de calor, sendo a
resistncia trmica uma medida da dificuldade imposta ao trnsito da energia trmica por uma amostra do material. A
Tabela 1.5 mostra os valores da condutividade trmica de alguns materiais a 20
o
C.
O processo de conduo trmica ocorre quando as partculas da regio mais quente de um corpo, que vibram
com mais intensidade por terem maior energia trmica, transmitem parte de sua energia para outras partculas em sua
vizinhana, que passam a vibrar mais intensamente e tambm transmitem parte de sua energia para a sua vizinhana, e
assim sucessivamente. Como a maior vibrao das partculas um indicador de maior reteno de energia e menor
transferncia de calor, ento materiais de elevada condutividade trmica apresentam menor grau de vibrao de suas
partculas e podem conduzir e dissipar mais rapidamente o calor presente em sua estrutura para o meio exterior.
Em materiais fortemente coesos em sua estrutura, tais como os metais, estas foras de coeso impedem grandes
amplitudes de vibrao de seus tomos, o que acarreta em menor possibilidade de choque dos eltrons constituintes de
uma corrente eltrica no material. Logo, a condutividade trmica est relacionada com a condutividade eltrica, pois a
resistncia passagem de eletricidade e calor depende das vibraes estruturais. Logo, os metais so bons condutores
de eletricidade e calor, sendo amplamente utilizados como condutores eltricos por permitirem uma rpida dissipao
do calor produzido por Efeito Joule, e tambm como dissipadores de calor para diversos dispositivos de potncia.

Tabela 1.5: Condutividade trmica de alguns materiais de interesse a 20
o
C.
Material K (cal/
o
C cm s) Material K (cal/
o
C cm s) Material K (cal/
o
C cm s)
prata 0,970 ao 0,115 tijolo refratrio 0,000350
cobre 0,920 mercrio 0,0200 amianto 0,000200
alumnio 0,490 concreto 0,0020 l de vidro 0,000100
ferro 0,160 vidro 0,0020 ar 0,000057

Exerccio 3: A figura ao lado mostra duas barras cilndricas de materiais A e B de
mesma rea transversal, conectadas e submetidas s diferenas de temperatura entre
suas extremidades mostradas. Considerando o sistema isolado termicamente (isto ,
o calor flui apenas no interior das barras), determine a temperatura T
J
na juno das
barras. Dados dos materiais: K
A
= 0,52 cal/
o
C cm s ; K
B
= 0,02 cal/
o
C cm s.
Soluo
Sendo a temperatura maior na extremidade na barra de material A, o fluxo de calor ser no sentido A para B.
Adicionalmente, como o sistema est isolado termicamente, o fluxo de calor
A
no material A dever ser igual ao
fluxo de calor
B
no material B. Logo, da equao (1.8), tem-se:
. .
( ) ( )
0,52 0, 02
(75 ) ( 35)
10 15
A B
A B extr A J J extr B
A B
J J
K A K A
T T T T
T T
= =
= =
o
74

J
T C

O grfico mostra a distribuio da temperatura ao longo das barras, que
linear porque o fluxo de calor proporcional temperatura. No grfico observa-se
ainda que a barra B est submetida maior variao de temperatura devido ao
fato do material desta barra apresentar a maior resistncia trmica do sistema.

1.1.5.3) Calor especfico

Temperatura a grandeza fsica associada ao grau de agitao das partculas de um corpo e define o seu estado
trmico (aquecimento). Contudo, a temperatura no mede a quantidade de energia trmica do corpo, pois entre duas
amostras de mesma massa e materiais diferentes, o fato de um delas apresentar uma temperatura mais elevada no
significa necessariamente que possua maior quantidade de energia trmica, pois deste fato depender da capacidade
de absoro de calor do material. A propriedade que expressa esta capacidade denominada calor especfico.
A quantidade de calor Q (cal) que deve ser fornecido a uma amostra de massa m (g) de um material para que
sua temperatura se eleve de um valor T (
o
C) proporcional ao seu calor especfico c (cal/g
o
C), sendo dada por:
Q m c T = (1.9)
O calor especfico uma propriedade intrnseca de um material (isto , no depende de sua massa) e varia com
a temperatura. A Tabela 1.6 mostra o valor mdio do calor especfico de alguns materiais entre 0 e 100
o
C.
Assim, com base na equao (1.9), observa-se que materiais de maior calor especfico necessitam absorver
maior quantidade de calor para aumentar sua temperatura. Por exemplo, a gua absorve muito calor sem se aquecer
em demasia porque possui alto calor especfico (Tabela 1.6), o que explica o fato da potncia dos chuveiros eltricos
ser comparativamente elevada, pois necessrio dissipar uma elevada potncia no tempo (energia eltrica convertida
na forma trmica) para se obter o calor necessrio para aquecer a gua at uma temperatura desejada.
10 cm 15 cm
75
o
C 35
o
C
T
J

A B
75
o
C 35
o
C
T
J

B
75
T (
o
C)
74
35
x (cm)
10 25
T = 75 0,1 x
T = 100 2,6 x
Captulo 1: Tpicos introdutrios
7
Tabela 1.6: Calor especfico de alguns materiais.
Material c (cal/g
o
C) Material c (cal/g
o
C) Material c (cal/g
o
C) Material c (cal/g
o
C)
gua 1,00 ar 0,24 ferro 0,113 mercrio 0,033
madeira 0,42 alumnio 0,22 cobre 0,094 tungstnio 0,032
l 0,39 mica 0,21 zinco 0,093 ouro 0,032
porcelana 0,26 vidro 0,16 prata 0,056 chumbo 0,031

1.1.6) PROPRIEDADES QUMICAS

A maior parte dos materiais utilizados em instalaes e circuitos eltricos esto sujeitos a reaes qumicas ou
eletroqumicas ocasionadas pelo meio em que se encontram, que pode resultar em alteraes indesejveis em suas
caractersticas intrnsecas e estruturais. Esta reao, denominada corroso, ocorre principalmente por dois modos:
1) Corroso por dissoluo: ocorre quando o material entra em contato com um meio capaz de atuar como solvente
para o mesmo. Exemplo: cido sulfrico em contato com o zinco;
2) Corroso por oxidao eletroqumica: consiste na remoo de eltrons (denominada oxidao) dos tomos de um
material imerso em um meio favorvel reao, denominado eletrlito. Exemplo: oxidao do ferro pela umidade
(ar + gua), que leva formao do hidrxido frrico, popularmente conhecido como ferrugem.
Desse modo, a corroso constitui-se em um problema a ser evitado, sendo um aspecto de grande preocupao
em projetos eltricos, razo pela qual conveniente o conhecimento de seus principais mtodos de controle:
Proteo por isolamento: recobre-se o material a ser protegido com outro que no atacado pelo meio, tal como
o revestimento com tinta, resina ou verniz, e ainda o capeamento com metal mais resistente, como por exemplo o
revestimento de componentes de ferro com pelcula de zinco ou capa de alumnio (ferro galvanizado).
Proteo por passivao: adiciona-se ao material a ser protegido outros que o tornam mais resistente corroso,
tal como certas ligas metlicas. Exemplos: ao inoxidvel (Fe + C + Cr + Ni), bronze (Cu + Sn) e lato (Cu + Zn).
Proteo catdica: utiliza-se materiais com maior potencial de oxidao, chamados anodos de sacrifcio, para que
seja corrodo primeiro que um material de menor potencial a ser protegido. Exemplos:
Em sistemas de aterramento utiliza-se lminas de zinco para proteger as hastes de cobre;
Estruturas de ao subterrneas so protegidas colocando-se pedaos de magnsio nas proximidades.
Alcalinizao: consiste no emprego de substncias alcalinas para a neutralizao de meios materiais cidificados.

1.1.7) FATOR CUSTO DOS MATERIAIS

A escolha de um material para determinada aplicao (instalaes estruturais, componentes, ferramentas, equi-
pamentos, dispositivos, peas, maquinrios, etc.) deve ser baseada na finalidade que o material ir desempenhar nesta
aplicao e justificada pelas propriedades intrnsecas de interesse que apresenta. O fato que nenhum material supe-
rior a outros em todos os sentidos, mesmo os novos produtos, cabendo ao projetista analisar a convenincia ou no de
se empregar um ou outro. Assim, na avaliao das opes de matria prima a disposio, procura-se especificar os
materiais, conforme o caso, com as melhores propriedades eltricas, magnticas, trmicas, mecnicas, fsicas, qumi-
cas, etc. possveis, de modo a se obter um resultado final qualitativamente satisfatrio.
Contudo, em uma economia de mercado, custo e lucro so parmetros essenciais a uma empresa, que procura
avali-los e otimiz-los o mximo possvel. Se o custo no for um fator limitante, pode-se utilizar os mais vantajosos
tecnicamente e, as vezes, mais dispendiosos materiais disponveis. Porm, a concorrncia exigida pelo mercado colo-
ca muitas vezes o fator custo dos materiais em evidncia como um aspecto decisivo e limitante, porque um menor
preo da matria prima pode implicar em um produto final de maior competitividade comercial e na possibilidade de
maior lucro. O custo pode inclusive inviabilizar um projeto ou produto.
Logo, o custo, apesar de no ser uma propriedade intrnseca dos materiais, pode ser o fator decisivo na escolha
destes para determinada aplicao. O material dever ter caractersticas intrnsecas que se adeqem sua finalidade e
o custo surge como o parmetro econmico que ir ratificar o seu emprego. Assim, o fator tcnico dever ser avaliado
juntamente com o fator custo, pois um produto de menor custo final, mas que atende as especificaes e exigncias
tcnicas mnimas do mercado tem maior possibilidade de ser comercialmente competitivo.
Muitas vezes o que se procura um bom desempenho, com menor qualidade, mas a um preo baixo, e um ma-
terial inferior em qualidade, mas de custo menor, pode viabiliz-lo como o material a ser adotado, isto , deficincias
do material so compensadas pelo seu custo. Por outro lado, o aspecto qualidade pode ser um quesito valorizado e um
produto inferior qualitativamente poder ser inferior comercialmente. Um produto inicialmente barato pode se tornar
oneroso a longo prazo se no for pelo menos atualizado e durvel. O problema pode ser resumido, ento, em otimizar
a avaliao custo-benefcio dos materiais a serem empregados, pois um projeto ou produto vivel economicamente
porque tem preo competitivo e se adeqa s caractersticas mnimas exigidas.
A anlise econmica de um material pode ser complexa porque h muitos parmetros a serem avaliados. O es-
tudo da viabilidade econmica pode envolver, alm do preo do material, sua disponibilidade no mercado (volume de
Captulo 1: Tpicos introdutrios
8
extrao, produo, industrializao, manufatura, etc), facilidade de transporte (a prpria localizao da empresa pode
influenciar no custo do transporte), mo de obra qualificada disponvel, tempo de aquisio (maior agilidade na exe-
cuo de um projeto ou produto pode implicar em menor custo final), facilidade na sua reposio e manuteno, etc.
Por exemplo, caractersticas como durabilidade esto diretamente ligadas ao fator custo porque acarreta em menor
manuteno e maior tempo de reposio. Assim, toda a anlise econmica de um produto (equipamento, dispositivo,
etc.) ou projeto visa a menor necessidade de investimentos e ao maior retorno financeiro.
A escolha de materiais condutores em diversas aplicaes em engenharia um exemplo da anlise tcnica alia-
da ao fator custo. Metais nobres como ouro e prata so timos condutores de eletricidade e calor mas no so empre-
gados como fios e cabos condutores por terem preo proibitivo, alm de apresentarem baixa resistncia mecnica.
Contudo, os metais nobre apresentam grande resistncia corroso, podendo porisso serem empregados, juntamente
com suas ligas, em peas de contato que envolvam pequenas correntes e fios resistivos em medidores de preciso.

1.1.7.1) Exemplo de caso: cobre versus alumnio

Um exemplo da avaliao custo-benefcio dos materiais para emprego em engenharia refere-se comparao
entre os dois metais de uso mais intenso para aplicaes eletrotcnicas: o cobre e o alumnio.
O cobre apresenta caractersticas tcnicas mais vantajosas como condutor eltrico para instalaes eltricas em
baixa tenso e equipamentos e dispositivos (fios, cabos, mquinas eltricas, conexes diversas, etc.), pois apresenta
maior condutividade trmica (Tabela 1.5) e eltrica (vide Tabela 2.1 - Captulo 2), propriedades estas essenciais para
aplicaes onde a tenso mais baixa pode envolver correntes eltricas bastantes elevadas, alm de ser fcil de emendar
e soldar (a solda de uso mais comum, de liga de chumbo e estanho, adere facilmente ao cobre). Outro aspecto de inte-
resse do cobre para esta aplicao refere-se sua maior resistncia mecnica (Tabela 1.2), propriedade desejvel de-
vido necessidade de se realizar esforos de trao durante o guiamento de fios e cabos condutores dentros de eletro-
dutos (canalizadores de fiaes eltricas no interior de paredes ou de forma aparente).
Adicionalmente, o oxignio, por estar presente no ar, gua e gases, apresenta grande atuao junto ao metais,
excetuando-se os nobres, produzindo xidos e hidrxidos em contato com estes. O alumnio, quando em contato com
o ar, sofre corroso em sua superfcie e forma uma fina camada de xido de alumnio, que resistente corroso pela
umidade. No entanto, o xido de alumnio tambm um bom isolante eltrico, fazendo com que contatos eltricos
com fios ou cabos de alumnio sofram uma rpida deteriorao, o que torna do reparo destes contatos de custos e lo-
gstica proibitivos. Este fato representa ento uma razo adicional para a escolha do cobre como condutor eltrico em
instalaes eltricas de baixa tenso, pois ele praticamente inerte ao oxignio do ar.
O alumnio, por sua vez, o metal de maior abundncia no planeta, apresentando porisso um preo de mercado
menor que o cobre, no sofrendo problemas de furtos como este. Assim, o alumnio encontra grande aplicabilidade
como cabo condutor em linhas de transmisso e distribuio, principalmente por apresentar menor massa especfica
que o cobre (Tabela 1.1), propriedade bastante desejvel nesta aplicao por possibilitar o emprego de estruturas de
suporte menos volumosas, proporcionando ento menores custos de obra com a economia de material.
O problema de pequena resistncia mecnica do alumnio para a aplicao em linhas areas (os cabos ficam
sujeitos a grandes esforos de trao devido ao prprio peso e ao vento), atenuado com o emprego de um ncleo
(alma) de ao, que confere ao cabo de alumnio uma maior resistncia mecnica. Quanto sua difcil soldagem (a
solda comum de liga de estanho e chumbo no solda o alumnio e a camada isolante de xido de alumnio agrava este
problema), pode-se utilizar um material antioxidante para a limpeza da superfcie a ser soldada e realizar a solda com
o uso de pastas especiais (como o xido de acetileno), ou mesmo com solda eltrica (fundio das prprias partes em
alumnio para efetuar a emenda), ou ainda empregar braadeiras metlicas nessas emendas, soluo esta utilizada
particularmente em linhas de transmisso devido maior seo (bitola) dos cabos de alumnio empregados.

Exerccio 4: Compare a resistncia CC e o peso entre um fio de cobre e um cabo composto de 3 fios de alumnio de
mesmo comprimento e seo do fio de cobre. Adote T = 20 C e desconsidere o encordoamento do cabo de alumnio.
Soluo
Da Tabela 2.1 (Captulo 2):
Cu
= 1,7 x 10
-8
m a 20 C ;
Al
= 2,8 x 10
-8
m a 20 C
8
8
3
/ 3 1, 7 10
/ 3 2,8 10
fio de Cu Cu
Cu
cabo de Al Al Al
R
A
R A

= = = = 1, 82

fio de Cu
cabo de Al
R
R


Concluso 1: o fio de cobre possui maior resistncia que o cabo de alumnio.
Da Tabela 1.1:
Cu
= 8,87 g/cm
3
a 20 C ;
Al
= 2,7 g/cm
3
a 20 C
8,87
2, 7 3
fio de Cu Cu fio de Cu
cabo de Al Al cabo de Al
m V
A
m V A


= = = 1, 095

fio de Cu
cabo de Al
m
m

Concluso 2: o fio de cobre mais pesado que o cabo de alumnio.
Concluso geral: o emprego do alumnio na construo de cabos eltricos apresenta vantagens em relao ao cobre
desde que a quantidade de fios de mesma seo seja na mximo trs vezes maior para o cabo de alumnio.
Captulo 1: Tpicos introdutrios
9
1.2) CONCEITO DE BANDAS DE ENERGIA

O estudo do modelo de bandas de energia como estrutura atmica da matria se mostra importante como aux-
lio para o entendimento de alguns dos fenmenos, propriedades e classificao de materiais empregados no campo da
engenharia. Para este propsito, conveniente inicialmente adquirir uma noo sobre o conceito de nveis de energia,
cuja extenso conduz ao entendimento do conceito de bandas de energia.

1.2.1) NVEIS DE ENERGIA

A radiao eletromagntica apresenta natureza dual onda-partcula. Em particular, quando em propagao por
um meio fsico qualquer, a radiao eletromagntica apresenta comportamento ondulatrio, no sentido que se observa
fenmenos pticos, pois uma onda tem extenso e no localizada. Neste caso, o comprimento de onda (m) da
radiao tem relao inversa sua freqncia f (Hz), isto , se f ento , de modo que:
f c = (1.10)
onde c = velocidade da radiao no vcuo 3 x 10
8
m/s uma constante universal. A Tabela 1.7 mostra alguns com-
primentos para as vrias nomenclaturas dadas a estas ondas, onde 1 angstron (smbolo ) igual a 10
10
m.
A menor quantidade de energia que pode ser transferida em um processo fsico denominada quantum. Em
particular, a radiao eletromagntica uma forma de energia e seu quantum denominado fton. A energia do fton
de uma determinada radiao proporcional sua frequncia por uma constante universal, de modo que:

f
E h f = (1.11)
onde E
f
= energia do fton (Joules, J) e h = constante de Planck = 6,6262 x 10
-34
J

s. O conceito de fton resume o
comportamento corpuscular da radiao eletromagntica pois, quando detectado por algum tipo de interao com a
matria (por exemplo, um choque), ela atua como partcula (fton) no sentido que localizado. Logo, no possvel
provar o carter corpuscular e ondulatrio na mesma medida (Princpio da Complementaridade).

Tabela 1.7: Comprimentos de onda no vcuo de algumas radiaes eletromagnticas.
Nomenclatura (m) Nomenclatura () Nomenclatura ()
energia eltrica 5 x10
6
infra-vermelho 10
7
7000 azul 5000 4500
udio-freqncia 3 x10
6
1,5 x 10
4
vermelho 7000 6500 violeta 4500 4000
ondas mdias e curtas 600 6 laranja 6500 6000 ultra-violeta (UV) 4000 40
FM-TV-VHF-UHF 5 0,5 amarelo 6000 5500 raios X 40 0,1
microondas 0,5 0,001 verde 5500 5000 raios 0,1 10
-3


Um tomo isolado absorve e emite energia de forma discreta e definida. Este fato originou um modelo simplifi-
cado de estrutura atmica, proposto por Rutherford e postulado por Bohr. Neste modelo, os eltrons se movem por
determinadas rbitas permitidas em torno do ncleo sem emitir energia, denominadas nveis de energia estacionrios
ou no irradiantes. Desse modo, um eltron presente em determinado tomo poder adquirir energia apenas de forma
discreta, correspondente ao nvel em que se encontra no tomo. A Figura 1.4-a mostra uma representao grfica da
distribuio de nveis de energia discretos de um tomo, onde n = 1,2,..., o ndice do nvel (1
o
nmero quntico).








Como concluso, tem-se que os deslocamentos entre nveis para um eltron presente em determinado tomo
ocorre tambm apenas de forma quantizada, pois o eltron poder somente absorver ou emitir (irradiar) quantidades
de energia referentes diferena exata de energia entre dois nveis quaisquer do tomo.
E
1

E
k

E
m
m
k
n
fton
Figura 1.4: Representaes grficas do modelo simplificado de estrutura atmica por rbitas de energia:
(a) nveis estacionrios ou permitidos; (b) emisso e absoro de radiao (ftons) por eltron do tomo.
(a) (b)
e


ncleo
e

2
n = 1
nveis de
energia
estacionrios

E
n

E
1

E
2

E



1
fotoionizao
energia restante
e


fotoexcitao
e


Captulo 1: Tpicos introdutrios
10
O deslocamento de um eltron para um nvel permitido de maior energia representa um estado excitado para o
eltron e a absoro de energia pelo mesmo poder ocorrer de diversas formas, tais como radiao (o que chamado
fotoexcitao - Figura 1.4-b), energia trmica, choque entre eltrons e campos eltricos, com este adquirindo a energia
do nvel para o qual se deslocou. Um caso especial refere-se absoro de energia mais que suficiente para deslocar
um eltron para o ltimo nvel (n = ), onde a energia restante permite ao mesmo se deslocar para o meio exterior ao
tomo, quando diz-se que ocorreu ionizao do tomo, como por exemplo a fotoionizao (Figura 1.4-b).
Contudo, um eltron apresenta sempre a tendncia de retornar ao seu estado original (chamado nvel normal ou
fundamental) aps um certo tempo (tipicamente, 10
8
s), emitindo o excesso de energia absorvida sempre na forma de
radiao eletromagntica. Desse modo, um eltron, ao se deslocar de um nvel m de energia E
m
para um nvel k de
energia E
k
< E
m
(Figura 1.4-b), emitir ento uma radiao de energia E
m
E
k
, cujo comprimento de onda do fton
correspondente pode ser determinado com base nas equaes (1.10) e (1.11), de forma prtica dada por:

12400
m k
E E
=

(1.12)
onde a energia fornecida em eltron-volts (eV, sendo 1 eV = 1,6 x 10
19
J) e o comprimento de onda em . Logo, por
deduo, a energia necessria a um eltron se deslocar para um outro nvel permitido de maior energia deve ser igual
diferena de energia entre os dois nveis, ou seja, a equao (1.12) vlida tambm para a absoro por radiao.
O retorno de um eltron ao seu nvel fundamental pode ser diretamente ou o mesmo pode vir a ocupar nveis
intermedirios, emitindo o fton correspondente em cada etapa. No entanto, a soma das energias dos ftons emitidos
em cada etapa deve ser igual energia inicialmente absorvida, para respeitar o princpio da conservao de energia.
A energia trmica representa uma outra forma de excitao da matria. Para uma temperatura qualquer T, as
molculas ou tomo de um material absorvem uma energia K
B
T (eV), denominada energia trmica associada a uma
partcula temperatura T, onde K
B
= constante de Boltzmann = 1,38 x 10
-23
J/K = 8,62 x 10
-5
eV/K, podendo ento esta
energia ser suficiente para ionizar um tomo. Alm disso, se a energia trmica fornecida a um material for suficiente
para suplantar a chamada barreira de potencial de superfcie, ento o eltron poder ser ejetado para o meio exterior
ao material, efeito este chamado Emisso Termoinica, que se constitui no mecanismo bsico para o funcioamento
dos antigos triodos a vcuo (vlvulas), precursores dos transistores semicondutores.

Exerccio 5: A distribuio de energia do tomo de hidrognio dada por: E
n
= 13,6/n
2
(eV), n = 1,. Pede-se:
a) O eltron do tomo de hidrognio absorve um fton de comprimento de onda 973 e emite dois ftons no retorno
ao seu nvel fundamental, sendo um deles de 1216 . Determine o comprimento de onda do segundo fton.
b) Determine o comprimento de onda limite de um fton necessrio para ionizar o hidrognio e explique o resultado.
c) Explique o que acontece com o eltron se no mesmo incidido um fton de comprimento de onda 1000 .
Soluo
A figura abaixo mostra uma esquematizao da distribuio de energia de nveis de um tomo de hidrognio,
com base na equao fornecida. O hidrognio possui apenas um eltron e seu nvel fundamental , desse modo, n = 1.
a) Energia do fton absorvido: da equao (1.12), tem-se:
12400 12400
12, 75
973
m k fton absorvido
absorvido
E E E eV

= = = =
que corresponde diferena de energia entre os nveis 4 e 1.
Logo, o eltron excitado para o 4 nvel (figura). Para o seu retorno,
a energia do fton emitido conhecido (1216 ) ser dada por:
1
1
12400 12400
10, 2
1216
fton emitido
fton emitido
E eV

= = =
que corresponde diferena de energia entre os nveis 2 e 1 (figura).
Assim, o comprimento de onda do 2 fton emitido corresponde
emisso de energia entre os nveis 4 e 2 (figura):
4 2
4 2
12400 12400
0,85 ( 3, 4) E E


= = = =

2
4863
foton emitido

Da Tabela 1.7 pode-se observar ento que o eltron absorveu uma radiao ultra-violeta (973 est na faixa do
UV) e emitiu dois ftons, um UV (1216 ) e outro na faixa do azul (4863 )
b) A energia mnima para ionizar um tomo de hidrognio corresponde diferena entre os nveis 1 e . Logo:
1
12400 12400 12400
0 ( 13, 6)
mnima para ionizao
E E E

= = = =

912
limite

Da equao (1.12), observa-se que comprimento de onda e energia so inversamente proporcionais. Logo, o limite
mximo, pois a energia de um fton de comprimento maior que
limite
no suficiente para ionizar o hidrognio.
c) E
fton
= 12400/1000 = 12,4 eV. Absorvendo este fton, o eltron se deslocaria para o nvel: 13,6 + 12,4 =

1,2 eV,
que no um nvel permitido. Conclui-se ento que o eltron no absorve o fton e permanece em seu nvel.
973
1216
4863
13,6
E
n
(eV) n
1
2
3
4
3,4
1,51
0,85
0,54
5

0,0
a) b)

limite
e


Captulo 1: Tpicos introdutrios
11
1.2.2) BANDAS DE ENERGIA E CLASSIFICAO ELTRICA DOS MATERIAIS

Como visto, nveis de energia so conceitos estudados em tomos isolados, onde um eltron absorve ou emite
radiao em um espectro bem definido devido disposio bastante discreta dos seus nveis (Figura 1.4-b). Contudo,
na matria slida, onde tem-se um nmero muito grande tomos, observa-se que o espectro de energia emitido possui
uma ampla faixa de valores, correspondendo a um grande nmero de nveis prximos entre si. Com base neste fato
pode-se induzir ento que os deslocamentos de um eltron na matria slida devem ocorrer, no entre nveis, mas
entre faixas de nveis de energia permitidos bem prximos entre si, denominadas bandas de energia (Figura 1.4-b).














Assim, diferentemente de um tomo isolado, um material se comporta como se, ao se aproximar N tomos para
formar o material, cada nvel de energia original se expandisse em bandas com N subnveis muito prximos entre si
para respeitar o Princpio da Excluso de Pauli (apenas dois eltrons de spins contrrios por orbital). Entre as bandas
restam ainda regies com ausncia de nveis permitidos (Figura 1.5-b), denominadas bandas proibidas (BP).
Para estudos de fenmenos, propriedades e classificao dos materiais, apenas as duas ltimas bandas de ener-
gia permitidas, com a respectiva banda proibida entre as mesmas, apresentam aspectos de interesse (Figura 1.5-b):
Banda de valncia (BV): assim chamada por conter os eltrons de valncia dos tomos constituintes do material.
Desse modo, esta banda contem os ltimos eltrons dos tomos constituintes do material e se encontra ocupada de
eltrons. No entanto, seus eltrons podem ser excitados para a banda acima, de maior energia.
Banda de conduo (BC): assim chamada por conter nveis totalmente desocupados, onde os eltrons excitados
da BV e vindos a ocupar esta banda, adquirem grande liberdade de movimento e podem ser facilmente acelerados
por campos eltricos aplicados ao material, de modo a constituir uma corrente eltrica. Os eltrons presentes nesta
banda comportam-se, desse modo, como portadores de carga com livre movimento, denominados eltrons livres.
Gap de energia: banda proibida situada entre a BV e BC, denominada particularmente por E
G
(energia do gap).













A estrutura de bandas de energia importante para o entendimento do mecanismo da conduo de corrente
eltrica dos materiais. Como visto, na BV os eltrons podem absorver energia e se deslocarem para a BC, se tornando
livres. Neste caso, necessrio fornecer uma energia no mnimo igual do gap do material (E
G
) e, desse modo, quan-
to maior a energia do gap, maior a dificuldade em se deslocar eltrons de valncia para a BC. Assim, de acordo com a
estrutura de bandas, os materiais podem ser classificados, do ponto de vista eltrico, como:
1) Isolantes: caracterizam-se por apresentar um gap de energia elevado, em torno de 6,0 eV (Figura 1.6-a), o que
resulta em uma BV praticamente preenchida e uma BC bastante vazia devido grande dificuldade para os eltrons
da banda de valncia se deslocarem para banda de conduo sem que a energia necessria danifique o material.
Assim, estes materiais caracterizam-se por apresentar uma quantidade de eltrons livres muito pequena para se
movimentarem de forma a constituir em uma corrente eltrica utilizvel, o que eletricamente os caracterizam como
isolante eltrico, tambm denominados dieltricos em aplicaes capacitivas.
BC
BV
E
G
6 eV
Figura 1.6: Estrutura de bandas de valncia, conduo e gap de acordo
com o tipo de material: (a) isolante; (b) semicondutor; (c) condutor.
E
G
1 eV
eltrons
livres
lacunas
BV
BC
BC
BV
(a) (b) (c)
1
o

2
o

E
G
energia do gap
Banda de Conduo (BC)
Banda de Valncia (BV)
Banda Proibida (BP)
ltima banda de energia
pertencente estrutura
atmica
(a) (b)
Figura 1.5: (a) Nveis de energia em um tomo isolado; (b) expanso dos nveis em bandas em um material.
E
n
n
1
2
3
4

E
1

E
2

E
3

E
4

E


Captulo 1: Tpicos introdutrios
12
2) Semicondutores: caracterizam-se por um pequeno gap, em torno de 1 eV (Figura 1.6-b). Devido a este fato, esses
materiais apresentam a BV completamente preenchida e a BC vazia baixas temperaturas, comportando-se nestas
condies como isolante. Porm, com a elevao da temperaturas, ou sob iluminamento, alguns eltrons da BV
podem absorver energia suficiente para se moverem para a BC, de forma a gerar eltrons livres, deixando rbitas
vazias na BV, chamadas lacunas, que tambm se comportam como portadores de carga livre, resultando ento em
condies ao material para conduzir corrente por meio de dois tipos de portador de carga livre: eltrons e lacunas.
Assim, este duplo comportamento caracteriza eletricamente o material como semicondutor.
3) Condutores: carcterizam-se por apresentar um gap de energia bastante reduzido ou nulo (E
G
= 0) devido uma
superposio entre a BV e a BC (Figura 1.6-c). Neste caso, os eltrons da BV esto praticamente livres a qualquer
temperatura ou podem se deslocar para a BC com pouca absoro de energia, se tornando livres. Desse modo, esta
abundncia de eltrons livres permite ao material uma conduo de corrente utilizvel, caracterizando-o eletrica-
mente como condutor eltrico, sendo o grau de superposio um indicativo entre melhor e pior condutor.
Assim, o montante de corrente eltrica gerada em conseqncia de um campo eltrico aplicado a um material
depende do nmero de eltrons livres do material que possam ser deslocados. As energias possveis de se obter de um
campo eltrico so pequenas quando comparadas qualquer gap de energia, mas outras formas de energia, tais como
ticas ou trmicas, so dessa ordem e por isso conseguem ionizar eltrons nos materiais. Dessa forma, apesar de suas
respectivas estruturas de bandas de energia, todos os trs tipos de materiais descritos possuem eltrons livres, gerados
basicamente por energia trmica, sendo os isolantes e os semicondutores maus condutores de eletricidade por possu-
rem, mesmo assim, uma quantidade muito menor de eltrons livres quando comparados aos condutores.


1.3) TPICOS COMPLEMENTARES

O conhecimento adquirido com o estudo das diversas propriedades apresentadas pelos materiais tem possibili-
tado o desenvolvimento das mais diversas aplicaes, o que tem sido essencial para o avano tecnolgico das socie-
dades industriais atuais. Este tpico tem como objetivo, ento, dissertar sobre algumas destas aplicaes.

1.3.1) PILHAS E BATERIAS

Eletroqumica a parte da Qumica que estuda o relacionamento entre a corrente eltrica e as reaes qumicas,
sendo a corroso por oxidao um processo eletroqumico chamado de xido-reduo. A oxidao retira eltrons dos
tomos de um material, que permanecem no mesmo, e cria ons positivos (ctions), que fluem para o meio favorvel
reao, chamado eletrlito (soluo inica). A medida com que um material se oxida, isto , sua capacidade de ceder
eltrons, quantificada pelo seu potencial de oxidao ou potencial eletroqumico, dado em Volts, onde um material
ser tanto mais corrosvel (andico) quanto maior for seu potencial eletroqumico.
Quando dois materiais com diferentes potenciais de oxidao so
inseridos num meio inico e ligados externamente por um fio condutor, os
eltrons e os ons originados pela oxidao do material de maior potencial
de oxidao (anodo ou eletrodo negativo) podem, ento, fluir para o de
menor potencial (catodo ou eletrodo positivo) atravs do fio condutor
(eltrons) e eletrlito (ons), onde estes so depositados (reduo). Logo,
pode-se produzir uma circulao de corrente eltrica como resultado da
diferena de potencial eletroqumico entre materiais (Figura 1.7). Assim,
o conjunto de eletrodos e eletrlito originam a chamada pilha eletroqu-
mica ou galvnica, dispositivo que converte energia qumica em eltrica,
sendo a tenso da pilha dada pela diferena entre os potenciais de oxidao dos eletrodos.
Pilhas e baterias (conjunto de pilhas) so fontes de tenso contnua formadas por clulas constitudas de pares
anodo-catodo ligados em srie (para obter uma tenso maior) e/ou paralelo (para aumentar a capacidade de corrente, o
que chamado ampacidade), diferenciadas por diversas caracterstica como formatos e tamanhos, tenso nominal,
custo, ampacidade, densidade de energia (energia armazenada por unidade de volume), tempo de auto descarga, vida
til, etc., sendo basicamente classificadas em 2 tipos vistos a seguir: primrias e secundrias (Figura 1.8):
a) Primrias: so aquelas de difcil recarga quando os reagentes se esgotam. Alguns exemplos mais comuns:
a.1) Pilha de Leclanch: tipo mais comum, disponvel em vrios tamanhos (AAA, AA, C e D) com tenso 1,5 V,
possui pequena ampacidade, baixa vida til e emprego diversos (equipamentos eletrnicos). A pilha tipo B
uma bateria de 9V, formada pelo conjunto de 6 pilhas de Leclanch em srie de 1,5 V cada;
a.2) Pilha alcalina: semelhante pilha de Leclanch, difere desta no uso de um composto alcalino (hidrxido de
potssio) como eletrlito, que diminui a resistncia interna da pilha e permite maior ampacidade. So fabrica-
das nos mesmos tamanhos, tenso (1,5 V) e possui os mesmos empregos das pilhas de Leclanch;
a.3) Bateria de ltio: Possui alta densidade de energia, pequeno peso e tamanho, descarga constante e longo tempo
de estocagem. So usadas em calculadoras, relgios, etc. Tenso: entre 2 e 3,6 V dependendo do catodo.
Figura 1.7: Pilha galvnica simples.
e
_

catodo
ctions
eletrlito
anodo
Captulo 1: Tpicos introdutrios
13
a.4) Bateria de zinco-xido de mercrio: pilhas de alta capacidade em relao ao seu volume, descarga constante e
boa vida na estocagem. Usadas em aparelhos de audio, marca-passo, detectores, etc. Tenso: 1,2 V.
b) Secundrias: so aquelas em que as reaes qumicas so reversveis, sendo ento capazes de serem recarregadas
forando-se o processo inverso ao da descarga denominado eletrlise, que consiste na separao dos elementos
qumicos de um composto com o emprego da electricidade, conseguido com a aplicao de uma tenso externa de
mesma polaridade e maior que a tenso nominal da pilha ou bateria. So normalmente mais caras que as primrias,
mas apresenta a vantagenm no ganho de custo a longo prazo. Alguns exemplos mais comuns:
b.1) Baterias de chumbo-cido: possuem diversos tamanhos, preos comparativamente baixos e elevada auto des-
carga. Apresentam problemas de manuteno devido ao eletrlito utilizado (soluo de cido sulfrico). Tem
amplo emprego em veculos motorizados, instrumentos portteis, iluminao de reserva, no-breaks, etc.
b.2) Bateria de nquel-cdmio (NiCd): possui alta densidade de energia, ciclo de vida longo, bom desempenho a
baixas temperaturas, longa estocagem e pouca manuteno. Necessita ser carregada at sua capacidade total e
descarregada at o mnimo (efeito memria). utilizada em iluminao de emergncia, telefones sem fio, etc.
b.3) Bateria de on de ltio (Li-ion): de recente desenvolvimento, apresenta elevada ampacidade e densidade de
energia, pequeno peso, rpido carregamento e sem efeito memria. utilizada em dispositivos que requerem
elevada energia para seu funcionamento e pequeno tempo de recarga, tais como equipamentos eletrnicos
portteis (laptops, celulares, computadores pads, etc.) e veculos eltricos. Apresenta o dobro da energia que a
bateria de hidreto metlico de nquel (NiMH), esta tambm de recente desenvolvimento e empregos similares.













1.3.2) LMPADAS

Lmpadas so dispositivos tipo transdutor, que transformam energia eltrica em luminosa. Do ponto de vista
luminotcnico, as lmpadas apresentam diversas carctersticas, dentre as quais pode-se citar:
Rendimento luminoso: indica o quanto da potncia absorvida convertida luz, dado em lm/W (lm = lmens);
Reproduo de cor: indica a capacidade da lmpada em refletir fielmente as cores de um objeto ou superfcie;
Tempo de vida til: indica o nmero mdio de horas aps o qual a lmpada deixa de emitir um fluxo luminoso.
Com exceo das recentes lmpadas de LED (diodo emissor de luz), as de uso mais comum em eletrotcnica
so classificadas basicamente em duas categorias: lmpadas incandescentes e lmpadas de descarga, vistas a seguir:
a) Lmpadas incandescentes: produzem luminosidade a partir da incandescncia superior a 2000 C de um filamento
de tungstnio por corrente eltrica, contido em um bulbo de vidro preenchido por gs inerte (argnio, nitrognio ou
criptnio), para evitar a combusto ou evaporao do filamento, e conectado a uma base (tipo rosca ou baioneta)
por hastes metlicas (Figura 1.9-a). Apresentam pequena vida til (1000 horas), boa reproduo de cor e baixo
rendimento luminoso (cerca de 17 lm/W). Um aprimoramento so as chamadas lmpadas halgenas, em que o fi-
lamento contido em um ampola de quartzo contendo gases inertes e elementos halgenos (bromo ou idodo), com
a finalidade de regenerar o filamento (exemplos na Figura 1.9-c), conseguindo-se uma vida til de at 4.000 horas
e um rendimento de at 25 lm/W. Alm de iluminao de ambientes, so aplicadas tambm como fonte de luz para
secagem, aquecimento e esterilizao, sendo produzidas em diversos formatos (Figura 1.9-b).











Figura 1.8: Aparncias de pilhas e baterias: (a) alcalina; (b) ltio; (c) chumbo-cido; (d) NiCd; (e) Li-on.
(a) (b) (c) (d) (e)
base (rosca
tipo Edison)
haste
bulbo
filamento
rosca
tipo
baioneta
(a) (b) (c)
Figura 1.9: Lmpadas incandescentes: (a) aspectos fsicos; (b) formatos diversos; (c) tipo halgenas.
contatos
eltricos
Captulo 1: Tpicos introdutrios
14
b) Lmpadas de descarga: constituem-se de um envoltrio transparente e selado com certos vapores metlicos (sdio,
mercrio, etc.) e gases (argnio, nenio, etc.) em alta ou baixa presso (gases e vapores tornam-se relativamente
condutores quando rarefeitos), contendo ainda terminais (eletrodos) para contato eltrico. Produzem luminosidade
quando nos eletrodos aplicado uma tenso suficiente para ionizar o meio (plasma) e uma corrente nele gerada
(descarga), onde os eltrons dos tomos do gs ou vapor absorvem energia proveniente do choque com eltrons
constituintes da corrente, vindo a se deslocarem para nveis de maior energia e, assim, emitir uma de radiao (luz)
no retorno ao nvel fundamental. Os tipos de lmpadas de decarga mais comuns so (Figura 1.10):
b.1) Fluorescentes: constituem-se em um tubo de vidro contendo uma gota de mercrio e argnio a baixa presso.
Quando conectadas a um circuito, os eletrodos se aquecem e emitem eltrons (efeito termoinico), que inicia
a ionizao do argnio. Com a aplicao de um impulso de tenso, inicia-se a uma uma corrente que vaporiza
o mercrio e este passa a emitir radiao. Como parte dessa radiao consiste em ultravioleta, ento a parede
interna do tubo contm depositada uma substncia denominada fluorescente, que absorve esta radiao e a
converte em luz visvel. Este fato, aliada ausncia de incandescncia dos eletrodos, confere a estas lmpadas
um bom rendimento (40 a 60 lm/W) e tempo de vida til (10.000 horas). Apresentam-se em diversos formatos
(Figuras 1.10-a e b) e empregos variados, tais como iluminamento, decorao e esterilizao.
b.2) Vapor de mercrio: possuem de um tubo de quartzo contendo eletrodos de tungstnio (principais e auxiliar),
contendo um gs inerte e mercrio sob alta presso, sendo o tubo envolto por um bulbo de vidro coberto com
uma camada de p fluorescente. A partida efetuada por uma bobina, que inicia um arco entre os eletrodos
principais e auxiliar, e produz-se energia luminosa. O tempo de partida muito elevado (cerca de 8 minutos)
mas, devido ao bom espectro para reproduo de cores (luz branco-azulada), preo relativamente baixo, bom
rendimento (at 60 lm/W) e tempo de vida til (20.000 horas), so utilizadas em larga escala na iluminao de
ruas, praas, parques, estacionamentos, ptios, hangares, fbricas, postos de gasolina, campos de futebol, etc.
b.3) Vapor de sdio: semelhante s lmpadas de vapor de mercrio, utilizam o princpio da descarga em um tubo
de xido de alumnio contendo vapor de sdio, envolto por um bulbo de vidro duro. Fabricadas nas variantes
alta e baixa presso, apresentam rendimento bastante elevado (120 lm/W na verso alta presso e 200 lm/W na
verso baixa presso) e boa vida til (10000 hs), mas emitem luz quase monocromtica (amarela alaranjada),
o que resulta em um baixo ndice de reproduo de cores. So recomendadas para iluminao de exteriores e
de segurana em locais onde a acuidade visual seja importante mas sem necessidade de distino de cores, tal
como auto-estradas, aeroportos e espaos pblicos, ou ainda em situaes em que a poluio luminosa seja
uma restrio ou se pretenda reduzir a interferncia da iluminao na fauna noturna.
b.4) Vapor e multivapor metlico: possuem tubo de descarga em alta presso preenchido com mercrio, haletos
metlicos (iodeto de ndio, tlio e sdio) e gases (argnio e nenio), envolto por bulbo com p fluorescente.
Apresentam alto rendimento (120 lm/W), alto custo e mesmos empregos das lmpadas de vapor de mercrio.
b.5) Luz mista: possui este nome por constituir-se de duas fontes de luz: um tubo de descarga de mercrio e um
filamento de tungstnio ligado em srie com a finalidade adicional de limitar a corrente na lmpada. Possuem
boa vida til (10000 hs) as custas de baixa temperatura de funcionamento do filamento, resultando em baixo
rendimento (26 lm/W). Contudo, tem a vantagem de no necessitar de reator, podendo ser ligadas diretamente
rede eltrica. Apresetam boa reproduo de cores e aplicao semelhante ao das lmpadas a vapor.
b.6) Lmpadas de neon: constituem-se de um tubo de vidro contendo principalmente gs nenio a baixa presso
e emitem uma luz vermelho alaranjada, sendo o termo empregado tambm para dispositivos semelhantes que
contm outros gases nobres para produzir outras cores. So largamente empregadas como letreiros luminosos.
b.7) Lmpadas de induo: seu princpio de funcionamento semelhante aos das lmpadas de decarga, diferindo
destas pelo fato da corrente ser induzida por um campo magntico de alta frequncia (2,65 MHz) produzido
por um circuito eletrnico integrado, no necessitando de eletrodos. Devido elevada eficincia (70 lm/W) e
tempo de vida (60.000 horas), so aplicadas em iluminao de espaos pblicos e grandes galpes industriais.
















Figura 1.10: Aparncia de lmpadas de descarga: (a) fluorescentes; (b) vapor de mercrio; (c) vapor de sdio tipo
tubular; (d) vapor metlico tubular; (e) multivapor metlico; (f) mista; (g) neon; (h) induo magntica.
(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h)
espiral de induo
Captulo 1: Tpicos introdutrios
15
Comentrios:
1) Transdutores: em uma definio restrita, um dispositivo que transforma um tipo de energia em outro, utilizando
para isso um elemento sensor, como por exemplo posio, velocidade e temperatura em corrente e tenso eltrica.
2) Fluorescncia: a propriedade de certos materiais em emitir luz no espectro visvel quando expostos a radiaes
de menor comprimento de onda, por exemplo ultravioleta ou raios X. A energia da radiao incidente provoca uma
excitao de eltrons no material que, ao retornarem aos seus nveis, emitem a energia absorvida na forma de radi-
ao visvel. Assim, o fenmeno da fluorescncia s perdura enquanto existir uma fonte de radiao incidente.
3) Fosforescncia: um efeito similar fluorescncia, diferindo desta pelo fato dos eltrons excitados por radiao
voltarem lentamente para os nveis fundamentais, ou seja, emitem luz aos poucos, mesmo aps o trmino da fonte
de radiao. Materiais fosforescentes (por exemplo, sulfeto de zinco) podem ento ser aplicados para sinalizao
de dispositivos na ausncia de luz, tais como interruptores, tomadas, ponteiros de relgios e placas de trnsito.

1.3.3) FIBRA TICA

As fibras ticas tm sido intensamente empregadas como meio slido de propagao de informaes, atravs
do guiamento de ondas eletromagnticas que modulam sinais em sistemas de comunicao como telefonia e rede de
computadores. Para o entendimento do guiamento de onda na fibra tica, dois fenmenos pticos so de interesse:
1) Reflexo: quando um raio de luz, se propagando em um meio qualquer, incide em uma superfcie com um certo
ngulo
i
com a normal superfcie no ponto de incidncia, sofre um desvio de um ngulo
r
=
i
tambm com a
normal e se propaga no mesmo meio incidente, diz-se que o raio sofreu reflexo (Figura 1.11-a).
2) Refrao: quando um raio de luz, propagando-se em um meio material 1 com velocidade v
1
, incide em uma super-
fcie limitadora de um meio material 2 com um certo ngulo
1
com a normal superfcie, sofre um desvio em sua
direo e passa a se propagar no meio 2 com um certo ngulo
2
e velocidade v
2
, diz-se que o raio sofreu refrao
(Figura 1.11-b). A fronteira que delimita os meios de propagao denominado diptro. A medida quantitativa da
refrao em um meio caracterizada por seu ndice de refrao absoluto n, definido como a razo entre a veloci-
dade c da luz no vcuo e sua velocidade v de propagao da luz no meio em questo, ou seja: n = c/v. Entre dois
meios, o mais refringente aquele com maior ndice de refrao, sendo o vcuo o meio menos refringente.
Incidncia e refrao so regidos pela Lei de Snell-Descartes (Figura 1.11-b):

1 1 2
2 2 1
sen
sen
v n
v n
= = (1.13)
ou seja, a razo entre o seno dos ngulos de incidncia e refrao e entre as velocidades de propagao dos meios
uma constante igual a razo entre os ndices de refrao absolutos dos meios.
Com base na Lei de Snell-Descartes observa-se ento que, se n
2
< n
1
, ento
2
>
1
, ou seja, o raio se afasta da
normal quando propagando-se de um meio de maior para um meio de menor refringncia. Neste caso, se o ngulo
de incidncia aumentar, poder chegar a um ngulo limite
L
a partir do qual ocorre reflexo total (Figura 1.11-c).












A possibilidade de ocorrer reflexo total de um raio de luz se propagando por um material mais refringente para
um menos refringente, permite que se obtenha o efeito do guiamento de um raio de luz ao longo de um meio material.
Uma aplicao prtica deste guiamento de luz reside na chamada fibra tica, que consiste em um cabo formado basi-
camente por um ncleo cilindrico de material altamente transparente, envolvida de forma coaxial por uma casca de
material menos refringente que o ncleo, podendo apresentar ainda uma capa plstica protetora contra choques mec-
nicos (Figura 1.12-a). A casca normalmente de material plstico e o ncleo pode ser de plstico ou slica altamente
purificada. Desse modo, o sinal de luz a ser transmitido propagado atravs do ncleo por reflexo interna total no
diptro ncleo-casca (Figura 1.12-b). Atualmente, os sistemas pticos utilizam luz infravermelho, por sofrer menor
atenuao que a luz visvel, proveniente de um dispositivo semicondutor denominado LED laser.
Um sistema de transmisso por fibra ticas (Figura 1.12-c) formado basicamente por um circuito transmissor,
que converte o sinal eltrico em tico, um cabo de fibra tica como meio de propagao do sinal tico, e um circuito
receptor, que converte o sinal tico novamente em eltrico, alm de conectores responsveis pelas ligaes terminais.
O driver, que pode ser um LED laser, fornece o sinal eltrico em condies requerida pelo emissor tico, o detetor
tico pode ser um fotodiodo e a interface de sada basicamente amplifica o sinal eltrico e o regenera, se necessrio.
meio incidente
meio material
raio de
incidncia raio de
reflexo
normal (N)

i
r
Figura 1.11: Fenmenos pticos na propagao de um raio de luz: (a) reflexo; (b) refrao; (c) ngulo limite.
meio material 1 (n
1
)
meio material 2 (n
2
)
raio de
refrao
normal (N)

2
v
2
v
1
diptro
(a) (b) (c)

L
>
L
n
1
n
2
< n
1

raio de
incidncia
Captulo 1: Tpicos introdutrios
16
A fibra tica apresenta diversas vantagens como meio de comunicao, dentre as quais pode-se citar: baixa
atenuao, elevada largura de banda (maior capacidade de transmisso), imunidade a campos magnticos, baixo peso,
isolao eltrico (no produzem faiscamentos), sigilo e segurana (no permite retirada de sinais sem se danificar).











Exerccio 6: Seja um cabo de fibra tica constituda por um ncleo de ndice de refrao n
N
= 1,6 e uma casca de
ndice de refrao n
C
= 1,5. Suponha um feixe de luz incidindo na fibra proveniente do ar, num ngulo com o eixo
da fibra (figura), determine o valor limite de para que o raio se propague na fibra por reflexo interna total.
Soluo








Pela figura observa-se que o limite do ngulo um valor mximo
M
, abaixo do qual ocorre reflexo interna total
do raio no diptro ncleo-casca. Assim, aplicando-se a Lei de Snell-Descartes no ponto P
1
:
n
AR
sen(
M
) = n
N
sen() sen() = sen(
M
)/ n
N

pois n
AR
1,0. O ponto P
2
representa o limite para a ocorrncia da reflexo interna total do raio de luz. Logo:
n
N
sen(90 ) = n
C
sen(90) n
N
[sen(90) cos() sen() cos(90)] = n
C
cos() = n
C
/ n
N

Como sen
2
() + cos
2
() = 1, ento: [sen(
M
)/ n
N
]
2
+ (n
C
/ n
N
)
2
= 1
2 2 2
M C N
( ) sen n n + =

2 2 1/ 2 2 2 1/ 2
M N C M N C
( ) ( ) ( ) sen n n arcsen n n = =
Logo, para n
N
= 1,6 e n
C
= 1,5 tem-se ento que:
M
0,5905 rad 33,8

1.3.4) LASER

O laser, sigla para amplificao da luz por emisso estimulada de radiao (Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation), um feixe emergente de radiao eletromagntica cujo princpio de funcionamento, como seu
significado sugere, baseado em um fenmeno denominado emisso estimulada. Como visto, um eltron excitado
apresenta a forte tendncia de retornar ao seu nvel fundamental e, neste processo, emite a diferena de energia entre
os nveis na forma de um pacote de luz (fton). Nas escalas de tempo atmico, este retorno bastante lento. Porm, o
eltron pode ser acelerado com a incidncia de um fton, o que resulta em um fton emitido pelo eltron excitado
com o mesmo comprimento de onda e fase do fton incidido que estimulou nesse processo. Estes ftons resultantes
podem a seguir estimular outros idnticos, estes ltimos estimular outros idnticos e assim sucessivamente, em um
efeito cumulativo que resulta em uma grande quantidade de radiao idntica emergindo de um meio material.
Um mecanismo bsico de produo da luz laser consiste de
um recipiente de paredes internas espelhadas, chamado cavidade
ptica, preenchdo por um meio ativo composto por uma amostra
de material slido, lquido ou gasoso, no qual um grande nmero
de tomo so excitados devido a um bobeamento (de luz, campo
eltrico, etc.), que fornece energia a este meio (Figura 1.13). Os
eltrons excitados destes tomos produzem inicialmente ftons
que so incididos novamente sobre o material, devido superfcie
espelhada da cavidade ptica, e estimulam uma nova gerao de
ftons que tambm so re-incididos no material e assim sucessi-
vamente. Aps vrios passos, uma frao dos ftons que se mo-
vimentam na direo do eixo da cavidade, emergem por uma
abertura ou por um espelho que apresenta reflexo parcial. Essa
frao dos ftons continuamente emergente da cavidade consiste,
ento, em um feixe de luz denominado laser (Figura 1.13).
casca (n
C
= 1,5)
AR (n
AR
1,0)
ncleo (n
N
= 1,6)
90

M

P
1

P
2

fibra tica
Figura 1.12: Fibra tica: (a) constituio fsica bsica; (b) efeito guiamento de luz; (c) enlace de comunicao tico.
(a) (b) (c)
meio
ativo
cavidade
ptica
bombeamento de energia
(luz, eletricidade, etc.)
espelho
semitransparente
feixe laser
Figura 1.13: Esquema simplificado das partes
constituintes de um dispositivo laser.
superfcie
espelhada
Captulo 1: Tpicos introdutrios
17
O meio ativo define, portanto, o comprimento de onda do laser, por exemplo: Hlio-Nenio (6300 , 11500 ),
Nitrognio (3370 ), Rubi (6940 ), Neodmio-YAG (10600 ), rbio-YAG (29400 ), Hlmio-YAG (21000 ) e
Arsenieto de Glio (6000-11000 ), onde YAG um material sinttico dopado semelhante ao diamante.
Assim, o laser apresenta diversas propriedades especiais, tais como: monocromtico (as ondas eletromagnticas
que compem o feixe possuem comprimento onda bem definido), coerente (as ondas oscilam de forma sincronizada,
isto , esto em fase) e colimado (as ondas propagam-se na mesma direo de forma praticamente paralela).
Comercialmente, o laser pode ser produzido em diversas potncias (0,1 - 500 mW) de acordo com a sua vasta
aplicao, tais como: cientficas (praticamente todas as cincias experimentais tem algum emprego para o laser), tele-
comunicaes (transmisso de informao via luz acoplada a uma fibra tica), indstria e comrcio (instrumentos de
corte, soldagem e marcao de peas, confeces de moldes, impressoras, leitor de cdigo de barras, etc.), medicina e
odontologia ( instrumentos de corte cirrgicos, tratmentos de cncer, bipsias, pinas pticas, remoo de cries, etc.)
e entretenimento (LEDs, gravao e leitura de informaes em CDs e DVDs, etc.).

1.3.5) CLULA COMBUSTVEL A HIDROGNIO

Clula combustvel (Fuel Cell), tambm chamada clula a combustvel (CaC) ou clula de combustvel, um
dispositivo em que um agente redutor (combustvel) e um agente oxidante (comburente) so consumidos continu-
amente com o objetivo de converter a energia qumica da reao envolvida diretamente em energia eltrica. A estrutu-
ra bsica de uma clula combustvel constitui-se de um eletrodo negativo (anodo), que alimentado com um gs
combustvel, um eletrodo positivo (catodo), que recebe o agente oxidante, um eletrlito com a funo de transportar
ons produzidos no anodo para o ctodo, e catalizadores para acelerar as reaes eletroqumicas que ocorrem nos ele-
trodos, sendo o resultado destas reaes a produo de corrente eltrica em um circuito externo ao sistema.
O modelo de clula combustvel de maior desenvolvimento
tecnolgico utiliza hidrognio (combustvel) e oxignio (oxidante)
como reagentes, uma membrana eletroltica polimrica (PEM) condu-
tora de prtons e catalizadores de platina que revestem os eletrodos.
O hidrognio introduzido no anodo da clula oxidado (ionizado) no
catalisador e dissociado em prtons (ons H+) e eltrons. Os prtons
so conduzidos atravs da membrana para o catodo e os eltrons so
forados a percorrer o circuito externo na forma de corrente eltrica
contnua, devido a uma diferena de potencial estabelecida entre os
eletrodos (Figura 1.14). No catodo, o oxignio fornecido reage com
os prtons vindos do eletrlito e com os eltrons provenientes do
circuito externo, produzindo vapor dgua (Figura 1.14). Na prtica,
cada par eletrodos/eletrlito pode produzir uma ddp de cerca de 1 V e
diversos pares podem ser conectadas em srie, para a obteno de
maior tenso, e/ou paralelo, para a obteno de maior corrente. As
tecnologias de maior desenvolvimento na atualidade consistem nas das clulas de membranas polimricas (chamadas
PEFC), bem como nas de xido slido ou cermicos (SOFC) e nas de carbonato fundido (MCFC).
As clulas combustvel tm a vantagem de serem pouco poluentes e altamente eficientes, podendo ser utilizadas
como sistemas de emergncia e fonte de energia eltrica em aparelhos portteis (celulares, notebooks e automveis) e
em regies com carncia de rede eltrica. No entanto, o emprego do hidrognio como combustvel apresenta ainda
vrios problemas prticos a serem superados. O hidrognio altamente inflamvel, o que exige o desenvolvimento de
tecnologia para o reabastecimento seguro das clulas. Alm disso, este gs no se constitui em uma fonte primria de
energia, pois precisa ser fabricado a partir de outras fontes, tais como gasolina, gs natural, metanol, leos, biomassa
gaseificada, etc., necessitando-se para isso o consumo de outra forma de energia (por exemplo, trmica e eltrica).
Embora clulas combustvel e pilhas eletroqimicas produzam energia eltrica sem a necessidade de combusto
ou dispositivos rotativos e tenham componentes e caractersticas similares, elas diferem no sentido de que todos os
ingredientes necessrios para uma pilha ou bateria funcionar esto contidas em seu invlucro, razo pela qual so
dispositivos de armazenamento de energia. As clulas combustvel, por sua vez, empregam dois agentes qumicos
(combustvel e oxidante) que podem ser fornecidos de fontes externas ao sistema e produzir continuamente enquanto
forem mantidos o provimento destes ingredientes, isto , funcionam como dispositivos de converso de energia.


1.4) EXERCCIOS PROPOSTOS

Problema 1: Seja dois fios 1 e 2 de mesmo material e peso desprezvel. O fio 2 tem 6 cm comprimento. O fio 1 tem o
dobro do comprimento e dimetro do fio 2. No fio 1 suspenso um cubo de cobre e, no fio 2, um cubo de material M,
cuja aresta a metade do cubo de cobre (vide figura). Sabendo-se que o comprimento final do fio 1 12,08 cm e do
fio 2 6,009 cm, determine a massa especfica do material M. Considere temperatura ambiente (20
o
C).
H+
Figura 1.14: Esquema simplificado de uma
clula combustvel a hidrognio.
e
_

eletrlito
circuito
eltrico
c
a
t
o
d
o
O
2
H
2

H
2

H
2
O
+
calor
a
n
o
d
o
Captulo 1: Tpicos introdutrios
18
Problema 2: Sejam dois lquidos miscveis 1 e 2, de massas especficas 1,1 g/cm
3
e 0,9 g/cm
3
, respectivamente. Qual
a massa especfica de uma mistura homognea composta, em volume, por 60 % de lquido 1 e 40 % de lquido 2?

Problema 3: A figura fornecida mostra o grfico da deformao elstica de dois fios de materiais A e B de mesmo
comprimento e rea de seo transversal. Explique qual dos materiais possui o maior mdulo de elasticidade.

Problema 4: A figura dada mostra duas barras 1 e 2 de seo circular e materiais diferentes. Sabe-se que o dimetro
e o comprimento da barra 2 so o dobro da barra 1 e que o mdulo de elasticidade do material da barra 1 o dobro do
material da barra 2. Qual deve ser a razo F
1
/F
2
para que ambas as barras sofram o mesmo alongamento?

Problema 5: A figura fornecida mostra a variao do comprimento de duas barras de materiais A e B, em funo do
incremento de temperatura T. Compare os coeficientes de dilatao linear dos materiais e obtenha concluses.

Problema 6: Seja uma placa metlica com um furo no centro, cujas dimenses temperatura de 20
o
C so dadas na
figura dada. Determine a variao percentual da rea do furo considerando um aquecimento da placa at temperatura
de 520
o
C. Dado: coeficiente de dilatao linear do material da placa: = 2 x 10
-5

o
C
-1
.








Problema 7: A massa especfica de certo material slido igual a 5,015 g/cm
3
a 25
o
C e 5 g/cm
3
a 75
o
C. Determine
o coeficiente de dilatao trmica linear deste material, supondo este independente da temperatura.

Problema 8: A figura dada mostra dois pilares de materiais A e B temperatura inicial de 20
o
C, que suportam uma
plataforma P inclinada com um ngulo de 1
o
. Determine a temperatura final dos pilares A e B tal que a inclinao da
plataforma seja de 0
o
. Dados: coeficientes de dilatao linear dos materiais:
A
= 10
5

o
C
-1
;
B
= 4 x 10
5

o
C
-1
.

Problema 9: Uma esfera de alumnio tem, a 25
o
C , um dimetro de 5 cm. At que temperatura deve ser aquecida esta
esfera para que a mesma ainda passe por um orifcio circular de 5,03 cm de dimetro?

Problema 10: Seja, a 20
o
C, uma barra de cobre de comprimento desconhecido e uma barra de alumnio de 3,4 cm de
comprimento. Submetem-se ambas as barras a mesma variao de temperatura e observa-se que a diferena entre os
comprimentos das barras se mantm constante. Determine o comprimento da barra de cobre a 20
o
C.

Problema 11: Sejam duas barras 1 e 2 conectadas e submetidas s temperaturas em suas extremidades mostradas na
figura fornecida. Supondo as barras isoladas termicamente e desprezando a dilatao trmica das mesmas, determine a
temperatura T
J
da juno, a corrente trmica nas barras e obtenha o grfico da distribuio da temperatura ao longo
das barras. Dados: condutividade trmicas dos materiais: K
1
= 0,36 cal/
o
C cm s e K
2
= 0,15 cal/
o
C cm s.

Problema 12: Sejam 3 barras isoladas termicamente, conectadas e submetidas s temperaturas em suas extremidades
tal como mostrado na figura fornecida. A rea da seo de cada barra 1 cm
2
. Pede-se: determine a temperatura T
J
na
juno das barras, o valor e o sentido da corrente trmica em cada barra, e a resistncia trmica das barras. Dados:
condutividade trmica dos materiais: K
1
= 0,18 cal/
o
C cm s , K
2
= 0,12 cal/
o
C cm s e K
3
= 0,084 cal/
o
C cm s.

Problema 13: Certa pessoa bebe 1 litro de gua a 7
o
C. Sabendo-se que uma banana contm 90 kcal, que quantidade
de bananas esta pessoa deve ingerir para suprir sua perda de energia para a gua? Dado: temperatura corporal = 37
o
C.

Problema 14: Sejam dois corpos de materiais A e B de mesmo volume. Sabe-se que o calor especfico do material A
60% maior que do material B e a massa especfica de A 80% de B. Fornecido a mesma quantidade de calor aos
dois corpos, determine qual corpo submetido maior variao de temperatura e a diferena percentual das mesmas.

Problema 15: A figura dada mostra um sistema de 3 meios refringentes, chamado lmina de faces paralelas. Pede-se:
a) Para um raio de luz se propagando no meio 1, determine as duas condies necessrias para que exista um ngulo
limite de incidncia
L
no diptro 1, a partir do qual ocorre reflexo total do raio de luz no diptro 2.
b) Com as condies obtidas no item a), que concluso pode-se chegar caso tenha-se n
3
= n
1
?
c) Determine
L
considerando: n
1
= 1,6 , n
2
= 2 e n
3
= 1,4. Explique se este limite mnimo ou mximo.
5 cm
10 cm
0,5 cm
1 cm
Cu
M
1
2
g

(N/m
2
)

A
B
0
F
1

1
2
F
2

Problema 1 Problema 3 Problema 4 Problema 5 Problema 6
15
12
l
A
, l
B
(cm)
A
B
T(
o
C)
0
retas
paralelas
Captulo 1: Tpicos introdutrios
19











Problema 16: A figura dada mostra uma plataforma circular de dimetro 7,2 m, que flutua
em guas cuja velocidade de propagao da luz 2,4 x 10
8
m/s. Determine a profundidade
limite h
lim
abaixo do centro da plataforma, que um peixe deve estar para que no seja visto
de nenhuma posio fora dgua. Explique se o limite mnimo ou mximo.

Problema 17: Certo tomo possui um eltron situado no 1
o
nvel de energia (nvel fundamental). Este eltron absorve
um fton de comprimento de onda
ABS
e se desloca para o 4
o
nvel. Com base nestes dados, determine:
a) Quantos tipos de ftons o eltron poderia emitir no retorno ao seu nvel? Explique e esquematize sua resposta.
b) Esquematize os caminhos (combinaes de etapas) que o eltron poder percorrer no retorno ao seu nvel.
c) Se o eltron emitir apenas um fton de comprimento de onda
EMT
, qual o seu valor ? Explique sua resposta.
d) A afirmao: o eltron emite continuamente energia ao retornar ao seu nvel fundamental, de forma a obedecer a
teoria quntica, est correta? Explique sua resposta.

Problema 18: Um eltron situado no 1
o
nvel de energia de um certo tomo pode absorver ftons de 857 , 1000 e
1360 . Determine quais comprimentos de onda podero ser emitidos por este eltron no retorno ao seu nvel.

Problema 19: A energia limite de ionizao de eltrons situados no 1
o
, 2
o
e 3
o
nveis de um certo tomo so 10 eV,
6 eV e 4 eV , respectivamente. Para um eltron situado no 1
o
nvel, determine quais os comprimentos de onda que
podem ser emitidos pelo eltron na passagem do 3
o
nvel para o seu nvel fundamental?

Problema 20: A equao da distribuio de energia dos nveis de certo tomo dada por: E
n
= 36/n
2
, n = 1,. Um
eltron situado no 2
o
nvel absorve um fton de comprimento de onda
f
e se desloca para o 6
o
nvel. Pede-se:
a) O comprimento de onda
f
do fton absorvido.
b) O maior e o menor comprimento de onda de radiao que o eltron pode emitir no retorno ao seu nvel.
c) A energia de ionizao do eltron. Explique sua resposta.
d) Ao retornar ao seu nvel fundamental, o eltron emite dois ftons. Sabendo-se que os comprimentos de onda dos
ftons emitidos so menores que 5000 , qual o comprimento de onda destes ftons?
e) Explique para qual nvel de energia o eltron se deslocaria se no mesmo incidisse um fton de 2000 .
f) Se o eltron absorvesse um fton de comprimento de onda 1240 , o que aconteceria com o mesmo? Explique.

Problema 21: A energia dos sete nveis mais baixos do vapor de sdio so: 0 ; 2,1 ; 3,19 ; 3,60 ; 3,90 ; 4,10 e
4,26 eV. Um fton de comprimento de onda 3024 absorvido por um eltron de um tomo do vapor. Se 4 ftons
so emitidos no retorno do eltron ao seu nvel fundamental e o de maior comprimento de onda 30244 , quais os
comprimentos de onda dos outros ftons? Observao: considere o 1
o
nvel como o nvel fundamental do eltron.

Problema 22: Um eltron situado no 1
o
nvel de energia de certo tomo, absorve um fton de comprimento de onda

f
e se desloca para o 4
o
nvel. Ao retornar ao seu nvel fundamental, o eltron emite seguidamente trs ftons, na
seguinte seqncia: 24800 , 3100 e 1550 . Adote um nvel de energia de referncia conveniente e determine:
a) A energia dos nveis pelos quais o eltron passou no retorno ao seu nvel fundamental;
b) O comprimento de onda
f
do fton absorvido.
c) Se no eltron incidisse um fton de

2480 , para que nvel de energia o eltron se deslocaria? Explique.
d) Se no eltron incidisse um fton de

1240 , para que nvel de energia o eltron se deslocaria? Explique.

7,2 m
h
lim

1 2
10
o
C
50
o
C
T
J

3
80
o
C
30 cm
15 cm
12 cm
1 m
3 m
1
o

A
B
0,5 m
P
6 cm
110
o
C
2 1
T
J

4 cm
2

20
o
C
2,5 cm
2

8 cm
Problema 8 Problema 11 Problema 12 Problema 15
meio 1 (n
1
)
meio 2 (n
2
)
meio 3 (n
3
)
diptro 1
diptro 2

L

20
CAPTULO 2: MATERIAIS E DISPOSITIVOS CONDUTORES

Materiais condutores so definidos como todo meio que permite o estabelecimento de um fluxo ordenado de
portadores de carga livres, compatvel com a diferena de potencial aplicada. A Eletricidade e a Eletrnica utilizam-se
destes materiais para o transporte de energia na forma de corrente eltrica, de modo a desenvolver aes de comando,
acionamento, controle e transformao em outras formas de energia, tais como trmica, luminosa e de movimento.
Este captulo tem como objetivo ento realizar um estudo sobre os materiais condutores, suas caractersticas e
aplicaes em componentes eltricos, bem como dissertar sobre alguns tpicos complementares ao assunto.


2.1) FENMENO DA CONDUO ELTRICA

O fenmeno da conduo eltrica de um material qualificada pela propriedade condutividade eltrica, sendo a
chamada resistncia eltrica a quantificao desta propriedade em uma amostra do material, esta dependente ainda de
fatores prprios do material, tais como presena de impurezas e imperfeies, bem como fatores externos tais como
temperatura e frequncia da corrente que flui pela amostra material. Estes assuntos so ento abordados a seguir.

2.1.1) CONDUTIVIDADE E RESISTNCIA ELTRICAS

O movimento ordenado de portadores de carga livres em um meio material (eltrons e ons) chamado corrente
eltrica, sendo seu montante proporcional quantidade disponvel destes portadores no material. Em Eletrotcnica, no
entanto, a qualidade condutora de um material reside na sua capacidade de conduzir um fluxo de carga utilizvel, o
que se resume a no considerar como efetivas ou vlidas correntes de ordem inferior a microampres.
Como visto no Captulo 1, os materiais ditos condutores eltricos caracterizam-se por uma elevada quantidade
de eltrons na chamada banda de conduo, que apresentam porisso grande liberdade de movimento e sendo ento
denominados eltrons livres. Assim, o surgimento de uma corrente eltrica ao longo de uma amostra destes materiais
pode ser substancial devido ao grande nmero de portadores de carga livres disponvel e, portanto, utilizvel.
Seja ento uma amostra cilndrica de comprimento e rea A de certo material condutor eltrico contendo N
eltrons livres disponveis (Figura 2.1-a). Sem a presena de um agente externo amostra, estes portadores livres
apresentam um movimento totalmente randmico motivado apenas pela agitao trmica (Figura 2.1-a) e, portanto,
no se constituem em um movimento ordeando de carga eltrica em determinada direo resultante.
Contudo, o estabelecimento de um campo eltrico E no interior da amostra, em conseqncia da aplicao de
uma diferena de potencial V (tenso), impe uma fora eltrica F
el
= - e

E aos eltrons livres e determina ento um
movimento preferencial para estes portadores, que adquirem uma velocidade mdia v (Figura 2.1-b) devido a colises
com ons da rede, denominada velocidade de deriva ou de arrastamento. Como resultado, tem-se assim o surgimento
de corrente eltrica dependente do campo aplicado, denomindada ento corrente de conduo, de deriva ou de campo.












Supondo t o tempo mdio necessrio a um eltron livre percorrer a amostra de comprimento , ento pode-se
estimar o valor da velocidade mdia v dos N eltrons livres como: v = /t, por ter sentido contrrio ao eixo x. Sendo
uma corrente eltrica definida como a variao de carga no tempo (Q/t), ento a corrente eltrica I na amostra de
material condutor, resultante do movimento ordenado de seus N eltrons livres disponveis, pode ser determinada por:
( )
( / )
Q N q N e N e v
I I
t t v

= = = =


ou seja, o sentido da corrente de conduo indenpende do sinal da carga presente no material e, desse modo, resultado
igual obtido considerado-se o movimento de cargas positivas, sendo este denominado sentido convencional.
Definindo densidade de corrente de conduo, deriva ou de campo J como a corrente que flui atravs da rea A
da seo transversal ao fluxo de portadores (J = I

/A), ento a densidade de corrente na amostra ser dada por:
Figura 2.1: Fenmeno da conduo eltrica nos materiais: (a) cargas livres em movimento randmico; (b) tenso
aplicada e consequentes campo eltrico e corrente eltrica; (c) densidade de corrente de conduo resultante.
(a) (b) (c)

e < 0
v < 0

e

A

N eltrons livres

x

e

e

e

e

e

e

e
v

A

x

E

e
v

e
v

e
v

e
v

e
v

e
v

V


A

x

E , J

e > 0
v > 0

V

CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
21
I N
J e v
A A
= =


Seja n a concentrao de eltrons livres em um material, definida como o nmero de eltrons livres por unidade
de volume. Sendo o produto A o volume do condutor e h N portadores livres disponveis, ento a concentrao n
do material da amostra ser dada por: n = N / A. Assim, a densidade de corrente J pode ser determinada por:

N
J e v J n e v
A
= =

(2.1)
Seja
n
a mobilidade dos eltrons livres, definida como a velocidade mdia dos eltrons por unidade de campo
eltrico (
n
= v/E), tem-se ento que a densidade de corrente J pode ser tambm determinada por:

n
J n e v n e E E = = = (2.2)
onde a equao resultante conhecida como Lei de Ohm na forma vetorial e o termo , denominado condutividade
eltrica (unidade: S/m, S = Siemens), expressa a facilidade com que cargas livres podem fluir por um meio material
quando submetido a uma ddp, ou seja, sua capacidade em conduzir correntes de conduo, desse modo definido por:

n
n e = (2.3)
Com base na equao (2.2), observa-se ento que o vetor densidade de corrente tem sempre o sentido do vetor
campo eltrico aplicado pois, como visto, no depende do sinal do portador de carga livre considerado (Figura 2.1-c).
A chamada resistividade eltrica o parmetro que define a oposio ou dificuldade imposta por um material
circulao de corrente por seu meio e representa, portanto, a propriedade inversa condutividade, isto :

= 1/.
Como um campo eltrico definido como o gradiente de potencial eltrico aplicado a um meio material, ou
seja, a variao de potencial ao longo do meio (V/x), ento o campo E na amostra, resultante da tenso V aplicada
entre as extermidades distantes , pode ser determinada por E = V/ . Logo, manipulando-se a equao (2.2), tem-se:

1 I I V
J E V I I V R I
A A A A

= = = = = =

(2.4)
onde a equao resultante chamada Lei de Ohm na forma escalar e o termo R = /A

dependente da geometria da
amostra, chamado resistncia eltrica (Ohms, ), descreve uma avaliao quantitativa da resistividade do material.
Para o caso da amostra submetida a uma tenso constante em suas extremidades, tem-se como resultado uma
corrente tambm constante (corrente contnua, dita CC), cuja densidade de corrente ocupa uniformemente toda a rea
transversal A da amostra. Neste caso, a chamada resistncia eltrica corrente contnua R
CC
se resume a:
( ) ou ( / ) , para 1
CC CC
R R m m
A A

= = =

(2.5)
onde a segunda equao (por unidade de comprimento) tem emprego prtico na indstria de fios e cabos condutores.
Cabos eltricos consistem de um conjunto de fios de mesma seo ou no. Neste caso, como normalmente os
fios so encordoados (tranado helicoidal) para conformao mecnica, o que os fazem ser maior que o prprio cabo,
ento o comprimento dos fios deve ser corrigido por um fator de encordoamento fe, que convencionalmente ser:
Para cabos com at 3 fios: comprimento dos fios em mdia 1% maior que o cabo, ou seja, fe = 1,01.
Para cabos com mais de 3 fios: comprimento dos fios em mdia 2% maior que o cabo, ou seja, fe = 1,02.
Assim, a resistncia CC de um cabo eltrico com n
fios
de rea A
fio
cada e comprimento ser determinada por:

, ,
( ) ou ( / )
CC cabo CC cabo
fio fios fio fios
fe fe
R R m
A n A n


= =

(2.6)

Comentrios:
1) Nos condutores slidos, os portadores de carga livres so exclusivamente eltrons e nos lquidos (eletrlitos) so
exclusivamente ons. Apenas os condutores gasosos (plasmas) apresentam eltrons e ons como portadores livres.
2) A concentrao n eltrons livres nos metais aproximadamente 10
23
cm
-3
. Como comparao, nos isolantes esta
concentrao da ordem de 10
6
a 10
7
cm
-3
, e nos semicondutores ditos puros, em torno de 10
10
cm
-3
.
3) Sendo a resistncia proporcional ao comprimento, ento fios resistivos podem ser empregados como sensores de
deformao elstica de peas em equipamentos de medio, chamados extensmetros por resistncia eltrica.

Exerccio 1: Seja um fio condutor de 2,5 mm
2
conduzindo uma corrente contnua de 16 A . Supondo a concentrao
de eltrons livres no material da ordem de 10
23
cm
-3
, determine a velocidade de deriva (v) dos eltrons neste fio.
Soluo
Como: J = I/A = n e v ento: v = I/(n e A)
onde: I = 16 A ; A = 2,5 mm
2
= 2,5 x 10
-6
m
2
; n = 10
23
cm
-3
= 10
29
m
-3
; e = 1,6 x 10
-19
C
Portanto: ( )
29 19 6
16/ 10 1, 6 10 2, 5 10 v

= =
4
4 10 / v m s
A esta velocidade, um eltron necessitaria de 2500 s, ou aproximadamente 42 min, para percorrer 1 m de fio. Assim, a
velocidade de deriva muito pequena comparada com a velocidade da onda de propagao de um campo eltrico ao
longo do fio (propagao de um sinal de tenso), que cerca da velocidade das ondas eletromagnticas (3 x 10
8
m/s).
A
fio
n
fios

CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
22
2.1.2) FATORES QUE INFLUENCIAM NA RESISTNCIA ELTRICA

A resistncia eltrica dos materiais depende de alguns fatores que influenciam no valor de sua resistividade,
tais como temperatura, pureza e deformao. Outro fator refere-se freqncia do sinal de corrente eltrica aplicada
ao copo do material, que influencia diretamente na sua resistncia. Estes fatores so vistos a seguir:

2.1.2.1) Temperatura

Como observado na equao (2.3), a condutividade eltrica de um material depende da concentrao e mobili-
dade de seus eltrons livres. Em um material condutor temperatura ambiente, praticamente todos os eltrons de va-
lncia esto ionizados, isto , a concentrao n de eltrons livres constante. No entanto, a elevao da temperatura
provoca um aumento na vibrao da rede cristalina do material, o que acarreta no aumento das colises entre os el-
trons livres em movimento e os eltrons fixos da rede, resultando, ento, em reduo de velocidade e consequente
perda de mobilidade dos eltrons livres, alm de uma elevao no aqueci-
mento do corpo por Efeito Joule. Desse modo, como a concentrao de el-
trons livres praticamente constante, esta diminuio na mobilidade destes
eltrons devido elevao da temperatura, acarreta em um aumento na resis-
tividade do material e, conseqentemente, no aumento da resistncia do cor-
po do material (Figura 2.2). Esta variao da resistncia praticamente linear
na faixa que compreende a temperatura ambiente e em torno da qual residem
as temperaturas de trabalho, normalmente considerada em 20
o
C e onde so
tabeladas o valor desta propriedade intrnseca dos materiais.
Assim, analisando-se a Figura 2.2 observa-se ento que a declividade
do segmento linear da curva de variao da resistncia de um corpo de mate-
rial com a temperatura pode ser matematicamente determinada por:
T2 T1
2 1
R R R
tg
T T T

= =


Supondo desprezveis as alteraes nas dimenses fsicas do corpo material quando submetido a uma variao
de temperatura, ento dividindo-se ambos os lados da equao pela resistncia eltrica uma temperatura de refern-
cia qualquer, por exemplo T
1
(R
T1
), observa-se que as dimenses do corpo (rea e comprimento) se cancelam e, assim,
obtm-se uma constante independente da geometria do corpo e que, portanto, descreve uma caracterstica intrnseca
do material, notadamente o comportamento de sua resistividade com a temperatura. Desse modo:

T2 T1
T1
T1 T1 2 1
1
R R tg
R R T T


= =


onde o termo
T1
(unidade:
o
C
-1
) o parmetro que descreve a proporcionalidade entre resistividade e temperatura,
chamado coeficiente de variao da resistividade com a temperatura, ou coeficiente de temperatura da resistividade.
Logo, conhecidos a resistncia eltrica de um corpo material e o coeficiente de temperatura da resistividade do
material do corpo uma temperatura de referncia T
1
(isto , R
T1
e
T1
, respectivamente), ento, com base na equao
obtida, pode-se determinar a resistncia eltrica do corpo uma temperatura qualquer T
2
(R
T2
) por:
( )
T2 T1
T1 T2 T1 T1 2
T1 2 1
1
1
R R
R R T T
R T T

= = + (

(2.7)
Como os coeficientes de temperatura da resistividade dos materiais so normalmente tabelados a 20
o
C, ento,
para a temperatura de referncia T
1
= 20
o
C, tem-se que a resistncia R
T
a uma temperatura qualquer T ser dada por:
( )
T 20 20
[ 1 20 ] R R T = + (2.8)
Assim, a resistividade de um material para a temperatura T qualquer (
T
) pode ser obtida por:
( ) ( )
T 20 20 T 20 20
1 20 1 20 T T
A A
= + ( = + (


(2.9)
A Tabela 2.1 mostra a resistividade e o coeficiente de variao da resistncia com a temperatura para alguns
materiais temperatura de referncia 20
o
C. Analisando-se esta tabela, pode-se observar ento que, de acordo com o
sinal do coeficiente de temperatura, ocorrem basicamente trs tipos de comportamento para os materiais:
PTC: a resistividade eltrica aumenta com o aumento da temperatura, ou seja, o coeficiente positivo (

>

0). Este
comportamento o caso dos metais puros em geral (Tabela 2.1) e a maioria de suas ligas.
NTC: a resistividade eltrica diminui com o aumento da temperatura, ou seja, o coeficiente negativo (

<

0). Este
o caso do grafita (Tabela 2.1), de algumas ligas metlicas resistivas, dos semicondutores e dos isolantes.
Termoestvel: a resistividade praticamente no se altera com o aumento da temperatura, ou seja, o coeficiente de
temperatura muito pequeno ou nulo (

=

0). Na Tabela 2.1 tem-se como exemplo o constantan, que apresenta um
coeficiente de temperatura muito inferior em mdulo comparado a outros materiais, isto , o comportamento de
sua resistncia com a temperatura apresenta uma declividade praticamente nula.
T
1
T
2
T(
o
C)
R
T2



T
R
R ()

Figura 2.2: Variao da resistncia
eltrica com a temperatura.
0

R
T1


CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
23
Tabela 2.1: Resistividade e coeficiente de temperatura da resistividade de alguns materiais.
Condutor
o
20
( )
C
m
o
o 1
20
( )
C
C


Condutor
o
20
( )
C
m
o
o 1
20
( )
C
C


prata 1,6 x 10
-8
3,8 x 10
-3
nquel 7,8 x 10
-8
6,0 x 10
-3

cobre 1,7 x 10
-8
3,9 x 10
-3
ferro 10 x 10
-8
5,5 x 10
-3

ouro 2,4 x 10
-8
3,4 x 10
-3
platina 10,5 x 10
-8
3,0 x 10
-3

alumnio 2,8 x 10
-8
4,0 x 10
-3
constantan 50 x 10
-8
8,0 x 10
-6

tungstnio 5,0 x 10
-8
5,2 x 10
-3
grafita 14 x 10
-6
-5,0 x 10
-4


2.1.2.2) Efeito pelicular

Como concepo espacial, a densidade de corrente pode ser representada por infinitas linhas de corrente que
fluem pela rea transversal ao sentido da corrente. Para o caso de uma densidade de corrente contnua, como visto,
estas linhas de corrente se distribuem uniformemente pela rea transversal, vindo a densidade de corrente ocupar toda
a rea do condutor (exemplo na Figura 2.3-a, para uma amostra de seo circular). Assim, no clculo da resistncia
corrente contnua (R
CC
) considera-se a rea total A transversal ao fluxo, tal como definido na equao (2.5). Contudo,
este clculo pode no ser adequado para o caso da corrente eltrica no material ser variante no tempo.
Da teoria do Eletromagnetismo, sabe-se que toda corrente eltrica produz campo magntico e, desse modo, uma
corrente variante no tempo (exemplo, alternada, dita CA), produz um campo magntico tambm variante no tempo.
Sabe-se tambm que as linhas de fluxo de um campo magntico variante no tempo pode induzir uma tenso eltrica,
chamada fora eletromotriz (fem), em qualquer material imerso no campo (Lei de Faraday: fem = d/dt), inclusive
no prprio meio por onde circula a corrente. Como resultado, se o material prover um caminho fechado, ento a fem
induzida produz uma corrente eltrica, de sentido tal que se oponha ao fluxo magntico que a induziu (lei de Lenz).
Assim, seja o caso de um condutor de seo circular percorrido por uma corrente alternada. Desse modo, esta
corrente produzir um fluxo de campo magntico tambm alterando, que envolve o prprio condutor, vindo a gerar
foras eletromotrizes em seu interior (fem auto-induzida). Neste caso, cada seo infinitesimal do condutor representa
um meio material para que correntes possam ser induzidas em resposta s fems auto-induzidas. Observa-se ento que
estas correntes induzidas tendem a intensificar as linhas de corrente mais externas, mas tendem a se opor s linhas
mais internas seo transversal do condutor (Figura 2.3-b). Como resultado, os eltrons constituintes da corrente
alternada so ento forados a se deslocarem para a superfcie do condutor, o que acarreta na diminuio gradativa da
densidade de corrente da seo externa para a interna (Figura 2.3-c), fenmeno este chamado efeito pelicular ou skin.
Como quanto maior a freqncia da corrente, maior so as fems auto-induzidas (d/dt), ento maior ser o
efeito pelicular. Alm disso, quanto maior a concentrao das linhas de fluxo no interior do material (), maior sero
as fems auto induzidas e, desse modo, propriedades magnticas do material tambm influenciam no efeito pelicular.











Assim, pode-se observar que, devido ao efeito pelicular, a rea que efetivamente ocupada por uma corrente
alternada menor do que a utilizada por uma corrente contnua e, como a resistncia eltrica depende inversamente da
rea, esta desuniformidade da densidade de corrente acarreta em um aumento da resistncia do condutor passagem
de corrente alternada, que poder apresentar um valor consideravelmente maior que a obtida pela equao (2.5).
Anlises tericas tm demonstrado que, quando a dimenso da seo transversal de um condutor muito maior
que a rea efetivamente ocupada pela corrente alternada, sua densidade varia exponencialmente a partir da superfcie.
De modo a se obter uma avaliao quantitativa da resistncia apresentada por um corpo material de seo circular de
raio r, considera-se ento que a densidade da corrente alternada se concentra e distribui-se uniformemente apenas em
uma pelcula correspondente ao decrscimo em 63% da densidade de corrente em relao ao seu valor na superfcie
do material (Figura 2.3-d), cuja espessura, denominada profundidade de penetrao, determinada por:

f


= (2.10)
onde (m) o valor da profundidade de penetrao, (m) a resistividade do material, f (Hz) a freqncia do
sinal de corrente alternada que percorre o material e =
r

o
(H/m) a permeabilidade magntica do material, onde

o
a permeabilidade do vcuo (
o
= 4 x 10
-7
H/m) e
r
a chamada permeabilidade relativa do material.
Figura 2.3: (a) Densidade de corrente contnua; (b) efeitos de correntes induzidas nas linhas de corrente originais;
(c) densidade de corrente CA no uniforme e o efeito pelicular; (d) profundidade de penetrao e rea efetiva.
(a) (b) (c) (d)
2 r


area efetiva
linhas de
corrente
corrente
induzida
linha de
fluxo
magntico
J J r
pelcula
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
24
Como uma penetrao menor da densidade de corrente () expressa um efeito pelicular mais intenso, ento
observa-se da equao (2.10) que este efeito ser tanto mais pronunciado quanto menos resistivo () e mais permevel
magneticamente () for o material, e maior for a freqncia f do sinal de corrente alternada que o percorre (d/dt).
O conceito de profundidade de penetrao se mostra til por propiciar uma avaliao quantitativa da resistncia
corrente alternada com com base na equao (2.5), bastando determinar a rea da pelcula, dada aproximadamente
por 2


r

(Figura 2.3-d). Desse modo, a resistncia eltrica R
CA
que um fio condutor de seo circular de raio r
fio
e
comprimento efetivamente representa passagem de uma corrente alternada pode ser determinada por:
( ) ou ( / )
2 2
CA CA
fio fio
R R m
r r


= =

(2.11)
Similarmente, a resistncia CA de um cabo com n
fios
de raio r
fio
cada e comprimento ser determinada por:

( ) ( )
( ) ou ( / )
2 2
CA CA
fio fio fios fio fio fios
fe fe
R R m
r n r n


= =

(2.12)
Nos materiais ditos ferromagnticos (assunto do Captulo 4), o Efeito Pelicular bastante pronunciado mesmo
nas freqncias comerciais (industriais) de potncia (50 ou 60 Hz), por estes apresentarem permeabilidade magntica
elevada. Para fios e cabos de maior seco, o Efeito Pelicular tambm observado nas freqncias industriais e, para
atenuar a ao deste efeito, costuma-se utilizar o chamado cabo segmentado (mltiplos cabos isolados).
Como em sinais de freqncia elevada a parte central do condutor praticamente no ocupada pela corrente,
ento este fato aproveitado na construo de cabos anulares para transmisso de sinais de udio e rdio-frequncias
(RF), chamados coaxiais, formados por dois condutores (interno e externo) isolados eletricamente.

Comentrio: o chamado efeito de Proximidade tambm influi na resistncia devido a uma distribuio no uniforme
da corrente em um condutor, mas causado pela influncia de outro condutor prximo conduzindo corrente.

Exerccio 2: Para um cabo constitudo por 19 fios de cobre de seo circular com 0,18 cm de dimetro, pede-se:
a) A resistncia CC de um fio do cabo por metro a 50
o
C ;
b) A resistncia CC do cabo por quilmetro a 50
o
C ;
c) A resistncia CA do cabo por quilmetro a 50
o
C, para uma corrente CA de freqncia 1 MHz.
Soluo
Para o cobre, da Tabela 2.1 tem-se a 20
o
C:
Cu, 20C
= 1,7 x 10
8


m ;
Cu,

20C
= 3,9 x 10
3

o
C
-1

a) R
CC
de um fio do cabo em /m e a 50
o
C :
A resistividade est na unidade MKS. Logo, conveniente converter todos os demais dados nesta unidade.
Raio de um fio do cabo: r
fio
= 0,18 / 2 cm 0,09 cm = 9 x 10
4
m
Resistividade do cobre a 50
o
C : da equao (2.9) tem-se que:
8 3 8
, 50 , 20 , 20
[1 (50 20) ] 1, 7 10 [1 3, 9 10 30] 1, 9 10
o o o
Cu C Cu C Cu C
m

= + = +
Da equao (2.5), tem-se ento que:
( )
8
50 50
2 50
4
1, 9 10
9 10
o o
o
Cu, C Cu, C
2 CC, fio, C
fio fio

R
A r

= = =
3
50

7, 5 10
o
CC, fio, C
R
m

Este resultado pode ser tambm obtido pela equao (2.7), ou seja:
20 3
50 20 20 20
1 (50 20) 1 30 7, 5 10
o
o o
Cu, C
2 CC, fio, C CC, fio, C
fio

R R
m r


= + = + ( (

o o
Cu, C Cu, C

b) R
CC
do cabo em /km e a 50
o
C :
Sendo n
fios
= 19, deve-se considerar que o comprimento dos fios necessita ser corrigido em 2% (n
fios
> 3) devido ao
encordoamento, ou seja, fe = 1,02. Assim, da equao (2.6), tem-se que a resistncia do cabo por km ser:
( )
8 4
2 2 , 50
4
1, 02
1, 9 10 4 10
9 10 19
o
Cu C
fio fios
fe
m r n

= = =
50

0, 4
o
CC,cabo, C
R
km

c) R
CA
do cabo de 19 fios em /km a 50
o
C, para um sinal de corrente de freqncia 1 MHz (10
6
Hz) :
O cobre um material no ferromagntico (
r cobre
1) e, portanto,
cobre

o
= 4 x 10
7
H/m. A profundidade
de penetrao em 1 fio do cabo de cobre a 50
o
C, calculado pela equao (2.10), ser ento dada por:
8
, 50 5
6 7
1, 9 10
6, 9 10
10 4 10
o
Cu C
fio
cobre
m
f


= =
onde se observa portanto que:
fio
<< r
fio
(r
fio
= 0,892 x 10
3
m = 89,2 x 10
5
m, calculado no item a).
Da equao (2.12), tem-se ento que a resistncia R
CA
do cabo de cobre por km ser determinada por:
( )
o
8 3
, 50 4 5
1, 02
1, 9 10 2, 6 10
(2 ) 2 9 10 6, 9 10 19
Cu C
fio fio fios
fe
r n m

= = =
o
50
2, 6
CA,cabo , C
R
km


CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
25
2.1.2.3) Grau de impureza e imperfeies no material

Na formao de ligas metlicas, estas tendem a apresentar uma
resistividade maior que a dos metais componentes. Este fato ocorre
devido s alteraes na disposio cristalina do produto final resultante,
cuja irregularidade dificulta a passagem dos eltrons. Logo, pode-se
concluir que, quanto maior o grau de pureza de um metal, menor ser
sua resistividade. Por exemplo, na Figura 2.4 mostrado a variao da
resistividade da liga de cobre e nquel, onde nota-se que a resistividade
do Constantan maior que a do cobre e do nquel puro (Tabela 2.1).
A existncia de imperfeies na rede cristalina de um material,
comumente originadas no momento de sua cristalizao ou pela ao de
uma energia externa aplicada sua estrutura (por exemplo, a atuao de
foras mecnicas, tais como laminaes a frio e trifilao), acarretam
em deformaes que acarretam no aumento da resistividade eltrica do
material. Estas imperfeies alteram ainda algumas das caractersticas
mecnicas do material (por exemplo, aumento da dureza), podendo
estes problemas serem amenizados mediante um tratamento trmico chamado recozimento. Por exemplo, o cobre tipo
fundido apresenta resistividade menor que o laminado a frio, devido aos esforos mecnicos a que este foi submetido.

Comentrios: dentre os processos de acabamento e conformao mecnica dos materiais, pode-se citar:
Recozimento: tratamento trmico que consiste em aquecimento e resfriamento lento para alvio de tenses internas
de um material para diminuio de sua dureza devido, por exemplo, ao chamado encruamento (endurecimento).
Extruso: processo de fabricao por compresso a frio ou a quente, que consiste na sada forada de uma pea em
um molde para a obteno da forma desejada (exemplos: tubos e encapamento de fios). Provoca endurecimento.
Trifilao: processo de fabricao por deformao a frio, que consiste em forar a passagem de uma amostra de
material por uma matriz sob esforo de trao de modo a sofrer deformao plstica. Tem por objetivo reduzir a
seo do material e aumentar seu comprimento para produzir, por exemplo, fios. Este processo aumenta bastante a
resistncia trao e fadiga do material da pea, aumentando, contudo, sua dureza.
Usinagem: processo de submisso de um material bruto ao de uma mquina e/ou ferramenta, de modo a ser
trabalhado, tal como serramento, aplainamento, torneamento, fresamento, furao, eletroeroso, entre outros.
Prensagem: operao de conformao de peas baseada na compactao, com aditivos ou no, de ps granulados
de materiais inseridos no interior de uma matriz rgida ou de um molde flexvel, atravs da aplicao de presso.
Esmerilhagem: processo de desgaste e polimento de peas por meio da rotao de uma pedra circular muito dura.


2.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS CONDUTORES

Meios condutores eltricos podem ser encontrados nos trs estados fsicos da matria. Contudo, com excees
do mercrio e dos eletrlitos, que so condutores lquidos, e de gases a baixa presso e ionizados, os condutores so
geralmente slidos e, neste caso, resumem-se aos metais, suas ligas e a grafita. Este item tem o objetivo ento de fazer
um compndio sobre materiais condutores slidos e suas aplicaes em dispositivos de interesse em Eletrotcnica.

2.2.1) OS METAIS E SUAS CARACTERSTICAS

Os metais constituem-se nos materiais de maior emprego como meio condutor e resistivo para as mais diversas
aplicaes em Eletrotcnica e, dentre os seus diversos comportamentos e caractersticas, pode-se citar:
Elevada condutividade eltrica e trmica: diferentemente dos no-metais (metalides), todos os metais so bons
condutores de eletricidade e calor, e apresentam coeficiente de temperatura da resistividade positivo.
Formao de ligas: os metais possuem grande capacidade de se combinarem entre si para formar ligas.
Capacidade de deformao: os metais so bastante dcteis e maleveis devido facilidade de serem moldados com
a aplicao de esforos mecnicos a frio ou perante elevao de temperatura.
Elevada resistncia mecnica: apresentam elevada resistncia a esforos de trao, compresso e cisalhamento.
Estrutura cristalina: caracterizam-se por apresentar tomos em uma disposio regular, ordenada e repetida em
todas as dimenses, o chamado arranjo cristalino, o que explica sua elevada condutividade eltrica e trmica.
Brilho, opacidade: os metais possuem elevada capacidade de reflexo luz e mantm-se opacos at uma espessura
de 10
-3
mm. Com exceo do cobre e do ouro, os metais apresentam geralmente uma cor acinzentada clara.
Encruamento: quando deformados a frio, os metais tendem a sofrer encruamento, o que aumenta sua dureza.
Transformam-se em derivados metlicos perante certos ambientes: em contato com oxignio, sais e sob a ao de
cidos, os metais transformam-se em xidos, que geralmente so menos condutores que os metais de origem.
(x 10
-8
.m)
sentidos de maior pureza
50
60
40
7,2
20
1,7
0
100 80 60 40 20 0 % Cu
0 20 40 60 80 100 % Ni
Constantan
Figura 2.4: Variao da resistividade de
uma composio de cobre com nquel.
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
26
A seguir so descritos alguns dos metais mais utilizados em aplicaes eletrotcnicas por suas propriedades e
caractersticas de interesse, onde as resistividades, quando fornecidas, so temperatura de referncia (20
o
C):
1) Cobre: um dos metais mais importantes para aplicaes eltricas devido a diversas propriedades desejveis, den-
tre as quais se destacam: baixa resistividade (somente a prata tm valor inferior), fcil deformao a frio e a quente
(por exemplo, facilidade em ser reduzido a fios, ou seja, o cobre bastante dctil), boa maleabilidade e flexibilida-
de (facilidade para laminar), alta condutividade trmica, facilidade para emendar e soldar (o cobre aceita bem a
solda comum de chumbo-estanho), facilidade de capeamento por outros metais, boa resistncia ao dos agentes
qumicos mais comuns (resiste ao da gua, fumaas, sulfatos, carbonatos e o ar), baixa dureza, mdia resistn-
cia trao, mdio ponto de fuso (1083
o
C) e baixo preo comparado a outros metais.
Depois do ferro, o cobre o metal de maior uso na indstria eltrica. Juntamente com suas ligas, conhecidas
como bronzes e lates, apresenta diversas aplicaes de acordo com sua conformao mecnica. O cobre encruado
usado nos casos em que se exige elevada dureza, resistncia trao e pequeno desgaste, tal como peas de con-
tato, barramentos, hastes de aterramento, lminas e anis coletores em motores, etc. O cobre mole ou recozido, por
sua vez, empregado em aplicaes onde se exige boa flexibilidade, tal como em fios e cabos eltricos para baixa
tenso, enrolamentos de motores e transformadores, fios telefnicos, malhas de aterramento, etc.
A condutividade do cobre muito influenciada pela presena de impurezas. O cobre padro internacional o
tipo recozido com 99,97% de pureza, com resistividade de 1,72 x 10
-8
m.
2) Alumnio: o alumnio o terceiro metal mais usado na eletricidade, sendo inferior ao cobre, tanto eltrica quanto
mecanicamente, mas, devido grande abundncia, bem mais barato, tornando-se vivel economicamente.
um metal malevel, dctil, de pequena resistividade (porm, maior que do cobre), alta condutividade trmica,
baixo ponto de fuso (659
o
C), relativa baixa massa especfica e frgil a esforos mecnicos.
O alumnio usado em instalaes eltricas de baixa tenso apenas nos casos em que as solicitaes mecnicas
so pequenas, tais como: placas para capacitores, enrolamentos de transformadores, barras condutoras em ranhuras
de motores de induo e barramentos. Em instalaes em alta tenso, porm, o alumnio encontra aplicao em
larga escala como cabos condutores em linhas de transmisso e distribuio, podendo apresentar um ncleo (alma)
de ao para aumentar a resistncia trao do conjunto devido sua fragilidade mecnica.
O alumnnio exposto umidade sofre rpida oxidao que resulta em uma fina camada de xido de alumnio,
material altamente isolante (elevada rigidez dieltrica), mas que impede a ampliao da corroso.
O alumnio de difcil soldagem (a solda de chumbo-estanho no solda o alumnio) e para isto deve-se limpar a
superfcie a ser soldada com um material antioxidante e empregar pastas especiais (como o xido de acetileno), ou
mesmo solda eltrica (fundio do prprio alumnio para efetuar as emendas), ou ainda braadeiras metlicas para
realizar emendas, empregadas particularmente em emendas de cabos de alumnio em linhas de transmisso.
Alumnio e o cobre esto separados eletroquimicamente por 2V. Esta diferena de potencial responsvel pela
predisposio de uma juno cobre-alumnio corroso galvnica, o que pode provocar a deteriorao do contato
eltrico entre estes metais. Por essa razo, este tipo de juno precisa ser isolado contra a influncia do ambiente.
Para finalidades eletrotcnicas, usa-se o alumnio com teor mximo de 0,5% de impurezas e, para aplicaes
em eletrodos de capacitores, um alumnio mais puro, com 99,95% de pureza.
3) Ferro: metal de grande resistncia trao, compresso, cisalhamento e fadiga, grande tenacidade, alto ponto de
fuso (1530
o
C), ferromagntico (
r
em torno de 8000) e resistividade relativamente baixa (10 x 10
-8
m). Dentre
os materiais metlicos, o ferro e suas ligas (aos) ocupam um lugar de destaque na produo de equipamentos el-
tricos. Suas propriedades eltricas e magnticas, aliadas grande resistncia mecnica, dureza e plasticidade, tor-
naram-no o material ideal para lminas de ncleos de transformadores e rels, ferragens de suporte para equipa-
mentos e instalaes eltricas, produo de cabos com alta resistncia trao (exemplos: para estaiamento e como
alma de ao para cabos de alumnio), em trilhos condutores, barramentos, etc. O grande empecilho utilizao do
ferro como condutor em maior escala sua rpida e fcil corroso por oxidao e elevado efeito pelicular na con-
duo de correntes alternadas, mesmo nas freqncias industriais (50/60 Hz).
4) Prata: o material de menor resistividade a temperaturas normais (1,62 x 10
-8
m), mas sua aplicao est limi-
tada a casos especiais devido ao alto custo. Por ser o melhor condutor, o metal nobre de maior uso industrial, uti-
lizado como camada de contato hmico em cristais osciladores e semicondutores, em peas de contato eltrico e
como elo fusvel (nos casos em que a constante de tempo para a proteo do aparelho seja importante). Devido
sua grande resistncia corroso, usada tambm para proteger peas de metais mais sujeitos a este problema
(prateao) e para recobrir, por banho eletroqumico, fios de bobinas para melhorar o fator de qualidade das mes-
mas. Suas ligas so utilizadas como resistncia de aparelhos de preciso. Ponto de fuso: 960
o
C.
5) Ouro: o condutor eltrico de uso mais especial, apesar do elevado preo. Metal nobre, extremamente malevel e
dctil, de baixa resistividade (2,4 x 10
-8
m) e mdio ponto de fuso (1063
o
C), destaca-se pela sua grande estabi-
lidade qumica devido resistncia oxidao e sulfatao, e pela sua grande maleabilidade e ductilidade. Desse
modo, apresenta excelentes propriedade para a utilizao principalmente no ramo eletrnico.
O ouro usado eletricamente na rea de correntes muito baixas (casos em que qualquer oxidao poderia levar
interrupo eltrica do circuito), como o caso de peas de contato em telecomunicaes e eletrnica, sendo em-
pregado na forma pura para melhor aproveitar suas propriedades. tambm utilizado em chaves e rels de baixa
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
27
corrente de alta preciso e confiabilidade, em pelculas condutoras e em instrumentos especiais de medidas tais
como os eletroscpios (aparelhos para verificar a presena de carga eltrica esttica).
6) Platina: metal nobre bastante estvel quimicamente, de relativa baixa resistividade (10,5 x 10
-8
m) e alto ponto
de fuso (1774
o
C). relativamente mole, o que permite uma fcil deformao mecnica, bem como sua reduo a
folhas e fios muito finos. Devido alta resistncia oxidao, usado em peas de contato, anodos e fios de aque-
cimento. o metal mais adequado para a fabricao de termmetros resistivos at 1000
o
C (na faixa de -200 a 500
o
C, a platina permite a leitura mais precisa da temperatura dentre os metais), pois at essas temperaturas no sofre
deformaes estruturais, fazendo com que a resistividade varie na mesma proporo da temperatura.
7) Chumbo: metal mole e plstico, de mdia resistividade perante outros metais (21 x 10
-8
m) e de fcil soldagem.
Apresenta elevada resistncia a corroso contra a ao de gua potvel e sais, mas no resiste cidos, gua desti-
lada, vinagre, materiais orgnicos em decomposio, cal e ainda venenoso. utilizado em painis protetores con-
tra a ao de raios-X, em baterias de chumbo-cido, em ligas de solda devido ao baixo ponto de fuso (327
o
C),
como camadas ou placas protetoras contra corroso (blindagem de cabos) e elos fusveis.
8) Estanho: um metal mole, de mdia resistividade (11,4 x 10
-8
m) e baixa temperatura de fuso: 232
o
C). tem-
peratura ambiente, o estanho no se oxida, a gua no o ataca e os cidos diludos o atacam lentamente, sendo po-
risso largamente empregado como revestimento anticorrosivo em peas e hastes, bem como ingrediente de ligas, se
fundindo ao cobre para produzir os bronzes e ao chumbo para produzir soldas de uso geral.
9) Zinco: metal de baixa resistividade (6 x 10
-8
m), grande coeficiente de dilatao trmica, baixo ponto de fuso
(420
o
C) e grande estabilidade qumica no ar (forma-se, no mesmo, uma fina pelcula de xido ou carbonato de
zinco, que impede sua corroso). atacado rapidamente por cidos e bases. Em contato com outros metais e na
presena de umidade, tm facilidade de sofrer corroso galvnica e assim usado como eletrodo negativo (anodo)
em baterias eltricas e em processos de recobrimento (galvanizao) de metais em tanques de armazenamento para
proteg-los da corroso. O zinco um importante ingrediente em muitas ligas, tais como os lates.
10) Tungstnio: apresenta resistividade baixa a temperatura ambiente (5 x 10
-8
m), elevada dureza e comportamen-
to quebradio. Devido ao elevado ponto de fuso (3422
o
C), empregado como filamento em lmpadas incandes-
centes, que operam a temperaturas em torno de 2000
o
C, sendo necessrio a introduo de gs inerte (por exemplo,
argnio) para reduzir a vaporizao do filamento. tambm usado na forma pura ou em ligas para peas sujeitas a
altas temperaturas, por exemplo, eletrodos de arco eltrico.
11) Nquel: um metal de elevada dureza, temperatura de fuso (1450
o
C) e resistncia corroso (resiste bem a sais,
gases e materiais orgnicos, sendo, porm, sensvel ao do enxofre). muito utilizado como ingrediente na
obteno de aos inoxidveis, ligas termoestveis, ligas sensoras termoeltricas, ligas resistivas e ligas magnticas
(o nquel apresenta fraca magnetizao), sendo ainda usado em revestimentos anticorrosivos, fios de eletrodos, a-
nodos de baterias (nquel-cdmio), termmetros resistivos, parafusos, etc. Suas ligas so empregadas em contatos
eltricos (por exemplo, como suporte de filamento de tungstnio em lmpadas) devido sua elevada resistncia
mecnica e corroso e bom comportamento trmico. O nquel pode ser soldado ao cobre sem problemas.
12) Cromo: metal extremamente duro, de elevada resistividade em comparao a outros metais (80 x 10
-8
m), e
elevada temperatura de fuso (1920
o
C), sendo porisso amplamente empregado na fabricao de fios resistivos na
forma pura ou como liga. Alm disso, o cromo possui baixa oxidao em contato com o ar, sendo mais sensvel
ao do enxofre e de sais, permite bom polimento e sofre oxidao somente a temperaturas superiores a 500
o
C,
sendo porisso usado para proteger outros metais que se oxidam com maior facilidade (cromao).
13) Mercrio: o nico metal lquido temperatura ambiente e encontra aplicao em termmetros resistivos, lm-
padas (vapor de mercrio) e em termmetros comuns (devido ao seu alto coeficiente de dilatao trmica). Possui
comparativamente elevada resistividade (95 x 10
-8
m). Os vapores de mercrio so venenosos.
14) Cdmio: metal mole, venenoso, caro e que apresenta facilidade de sofrer corroso galvnica, tendo maior uso na
fabricao de baterias (nquel-cdmio). Resistividade: 7,5 x 10
-8
m. Temperatura de fuso: 321
o
C.

2.2.2) LIGAS METLICAS

Os materiais condutores dificilmente apresentam todas as melhores propriedades para determinada aplicao.
Alm disso, uma determinada aplicao pode necessitar que algumas propriedades dos materais sejam melhoradas
para se adequar s exigncias inerentes aplicao, sem no entanto ter prejudicada, pelo menos sensivelmente, outras
de suas propriedades desejveis. No caso dos metais, as exigncias de certas aplicaes podem ser atendidas por meio
da composio dos metais na forma de ligas, de modo a deslocar algumas propriedades para as condies desejveis.
Isso permite ento que propriedades como condutividades eltrica e trmica, dureza, flexibilidade, resistncia trao
e corroso, ductilidade, etc., possam ser alteradas de forma a atender s especificaes dos projetos de engenharia.
Assim, em eletrotcnica e eletrnica so muito freqentes os empregos de ligas metlicas, no s como condutores
eltricos, mas tambm em diversos tipos de componentes, dispositivos e equipamentos.
De acordo com suas aplicaes finais, as ligas metlicas utilizadas em eletrotcnica podem ser classificadas, em
geral, basicamente em dois tipos, discutidos a seguir: ligas condutoras e ligas resistivas.
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
28
1) Ligas condutoras: so ligas que mantm uma boa qualidade condutora de eletricidade dos metais originais e so,
desse modo, utilizadas para o transporte de energia eltrica com mnimas perdas. Exemplos:
1.1) Ligas de cobre: o cobre pode se ligar a outros metais para melhorar suas propriedades mecnicas e trmicas,
sem reduzir as condutividades eltrica e trmica. Ligas mais comuns:
1.1.1) Bronzes: o estanho adicionado ao cobre (2 a 11%) para aumentar sua dureza e resistncia corroso,
fadiga e ao desgaste por atrito, mantendo sua ductilidade. So de fcil usinagem e elsticas, sendo uti-
lizadas como condutor em terminais, contatores de chaves e fios. Com o acrscimo de fsforo, se tor-
nam mais flexveis e so utilizados como fios em terminais telefnicos.
1.1.2) Lato: liga de cobre e zinco (30%), possui boa resistncia corroso e grande resistncia trao.
empregada em barramentos de quadros e equipamentos, varas de subestaes, bornes e s vezes como
condutor. No indicado para trabalhar ao tempo devido a formao de rachaduras e uma soluo para
diminuir o problema submeter o material a um recozimento para alvio das tenses internas.
1.1.3) Outras ligas: metais como nquel e cromo so adicionados ao cobre quando se necessita aumentar sua
resistncia mecnica. Pode-se obter este resultado tambm com um condutor de cobre com ncleo de
ao, chamado Copperweld, que combina a alta condutividade do cobre com alta resistncia mecnica e
tenacidade do ao. Usos: cabos condutores e barras para aterramento.
1.2) Ligas de Alumnio: so ligas que apresentam fcil usinagem, sendo construdas para aproveitar a baixa massa
especfica do alumnio, o que possibilita estruturas de sustentao mais leves. Alguns exemplos:
1.2.1) Duralumnio: liga de elevada resistncia mecnica, aplicada em fios, cabos, tubos, barras e chapas
condutoras e na confeco de dissipadores trmicos. Composio: 4% Cu + 0,5% Mg + 0,5% Mn + Al.
1.2.2) Alumoweld: o fio de alumnio com ncleo de ao, que lhe aumenta a resistncia trao. usado co-
mo cabo pra-raios nas linhas de transmisso e fio neutro em circuitos rurais.
1.2.3) Aldrey: apresenta boas propriedades mecnicas, sendo utilizada como fios para enrolamento de motores
e transformadores e na construo de cabos leves. Composio: 0,3% Mg + 0,7% Si + Fe + Al.
1.3) Liga de chumbo e estanho: so ligas resistentes corroso e de baixo ponto de fuso (60 a 200
o
C). So uti-
lizadas largamente na produo de elos fusveis, fios de solda (60% Pb + 40% Sn), revestimento de fios e ma-
lhas de cobre ou lato, para melhorar a soldabilidade e proteo corroso, e ainda como condutor em circui-
tos impressos, onde seu baixo ponto de fuso protege os componentes de possveis superaquecimentos.
2) Ligas resistivas: so materiais que apresentam resistividades elevadas para um material condutor (entre 20 x 10
-8
e
150 x 10
-8
m), sendo porisso empregadas para fins trmicos (aquecimento), medio e controle de corrente.
Estas ligas devem possuir boas caractersticas a altas temperaturas para atender certas condies em funo de
seu emprego. Por exemplo, ligas para aquecimento devem ter elevada resistncia corroso na temperatura de tra-
balho e boas capacidades de dilatao e irradiao. Por outro lado, ligas resistivas para medio (tal como resisto-
res em instrumentos de preciso) devem ter variao quase linear de sua resistividade com a temperatura.
A seguir so comentadas algumas ligas resistivas de maior interesse:
2.1) Ligas de nquel-cromo (cromel): so ligas que apresentam elevada resistividade, que varia pouco com a
temperatura, e alta resistncia mecnica e oxidao em altas temperaturas. So fabricadas em fios ou fitas
(simples ou espiraladas) para resistncias de aquecimento em geral (tais como fornos caseiros e siderrgicos),
potencimetros de fio, cmaras trmicas, ferros de soldar e passar, estufas, foges eltricos, eletrodomsticos
(chuveiros, aquecedores de gua, etc.), termopares e reostatos (potencimetros de potncia) para controle de
correntes e de velocidade em mquinas eltricas (motores e geradores). Exemplos: Nicromo V (80% Ni +
20% Cr), Nikrothal, Kromore, Alloy A, Cromax (30% Ni + 20% Cr + 50% Fe), Nquel - Cromo 65/15, etc.
2.2) Ligas de nquel-cobre: Constantan (40% Ni + 60% Cu) liga termoestvel, empregada em termopares, re-
sistncias de preciso e resistncia para reostatos em mquinas de preciso; prata alem (18% Ni + 64% Cu +
18% Zn) - liga de boa condutividade e resistncia mecnica, utilizada em contato para chaves e contatores;
Cuprothal (44% Ni + 55% Cu + Mn) - utilizada na tecnologia de resistores de fio para altas dissipaes com
limites de temperatura de at 600
o
C; outras: Constanloy, Cupron, Advance e Copel
2.3) Outras ligas de Nquel: Invar (36% Ni + 63% Fe + Mn) - liga de baixa dilatao, usada em guias de medi-
das em aparelhos de preciso; Alumel (94% Ni + 3% Mn + 2% Al + Si) - liga dctil para fios resistivos.
2.4) Ligas de cromo-ferro: constituem-se em timas ligas para utilizao em aquecimento eltrico em geral, tais
como fornos industriais, ferro de solda, chuveiro, placas de cozinha, etc. Composio: Cr + Fe + Al + Co.
2.5) Ligas de cobre-mangans: Manganina (86% Cu + 12% Mn + 2% Ni): liga termoestvel e com elevada esta-
bilidade trmica, usada em shunt de medidores e na fabricao de resistores de preciso para instrumentos
de medio; Novo Konstatan (82,5% Cu + 12% Mn + 4% Al + 1,5% Fe): liga de baixa variao da resistivi-
dade com a temperatura, usada em resistores de medio, reostatos e para aquecimentos at 400
o
C.
2.6) Ligas de prata: ligas de alta resistividade, apresentam variao inversa da resistividade com a temperatura, o
que justifica o seu uso em circuitos de compensao dependentes da temperatura, como resistores em circui-
tos de regulao. Exemplo: ligas de Mg + Ag + Sn com, s vezes, acrscimo de germnio.
2.7) Ligas de ouro-cromo: o ouro, com pequeno acrscimo de cromo, tem sua resistividade bastante aumentada,
que atravs de adequado tratamento trmico, varia inversamente com a temperatura. Estas ligas so ento uti-
lizadas em resistores de preciso e em padres. Exemplo: liga de 2% Cr + Au.
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
29
2.2.3) CARVO PARA FINS ELTRICOS

Carvo um material constitudo por um arranjo cristalino amorfo (sem forma definida) do elemento qumico
carbono. O carvo para fins eltricos, tambm chamado grafita ou grafite, obtido do grafite natural ou do antracito,
que so reduzidos a p e compactados na forma desejada por prensagem ou extruso, podendo ser adicionado ainda
um aglomerante, e submetidos a um tratamento trmico que consiste em longos ciclos de aquecimento sob elevadas
temperaturas (em torno de 2200
o
C), geralmente atravs da passagem de corrente eltrica atravs da prpria pea.
Esse processo, chamado grafitizao, resulta em um material de facil conformao por usinagem e esmerilhagem.
Como visto na Tabela 2.1, a grafita apresenta baixa resistividade para um no-metal (1,4 x 10
-5
m) e elevado
ponto de fuso ( 3500
o
C) e, diferentemente dos metais puros, apresenta coeficiente de temperatura da resistividade
negativo (-5,0 x 10
-4
), o que favorvel para algumas aplicaes em altas temperaturas. Assim, a grafita utilizada na
tecnologia de resistores, de potencimetros de carvo e na produo de eletrodos como fontes de arco eltrico para
fornos eltricos ou como fonte descargas luminosas para, por exemplo, projetores de cinema.
Alm disso, carvo e grafita oferecem um baixo coeficiente de atrito, o que abilita estes materiais para emprego
como contato eltrico fixo em peas deslizantes, tal como em escovas de motores (Figura 2.5-a). Nesta aplicao, a
grafita das escovas, em contato com o cobre, reage com o mesmo formando um filme de material condutor chamado
patina (carbonato de cobre) sobre os contatos de cobre, que protege o mesmo contra corroso e permite um baixo
atrito entre as escovas (estticas) e o rotor (girante), resultando num bom contato eltrico.
A resistncia eltrica de um p qualquer depende do tamanho e do grau de compactao dos grnulos do p.
Este fato aproveitado em um tipo de microfone (transdutor eletro-acustico), que emprega uma cpsula contendo p
de carvo, na qual uma onda sonora (udio) provoca perturbaes em uma pelcula flexvel, chamada diafragma, que
pressiona os gro do p e altera o grau de compactao dos gros do mesmo de acordo com as pulsaes da onda
sonora e, com isso, sua resistncia. Estas variaes de resistncia so, ento, utilizadas na modulao de uma corrente
contnua que circula pelo cpsula, tal como esquematizado na Figura 2.5-b, onde um transformador pode ser tambm
empregado para amplificar o sinal de udio modulado na corrente na forma de tenso de udio.













2.2.4) PEAS DE CONTATO

Toda montagem de equipamentos e circuitos eltricos requer o emprego de uma srie de conexes entre partes
distintas para estabelecer um contato eltrico. Estas conexes podem ser realizadas por meio de emendas, soldagem,
encaixes e parafusamento para a ligao de fios, cabos, terminais, barramentos, etc., que caracterizam-se por serem
permanentes e, portanto, fixas. Porm, tambm comum a necessidade de algum dispositivo de comando, controle e
proteo para seccionamentos (aberturas e fechamentos) de contatos eltricos entre partes distintas de equipamentos e
circuitos, que so realizados momentaneamente ou por um tempo longo e caracterizam-se ento por serem mveis .
Com exceo de contatos eltricos estabelecidos com base no funcionamento de componentes semicondutores,
as aes de seccionamento so realizadas por meio de um sistema mecnico de elementos fixos e mveis de material
condutor, genericamente denominado peas de contato, que estabelecem a conexo eltrica atravs de movimento
mecnico. Assim, peas de contato encontam largo emprego nos mais diversos componentes das instalaes eltricas,
tais como interruptores, rels, disjuntores, seccionadores, botoneiras, tomadas, escovas de motores, chaves, etc.
Os materiais empregados na confeco de peas de contato devem satisfazer, por um maior tempo possvel, as
condies desejveis de funcionamento do dispositivo nos quais se encontram. Tais condies variam de funo para
funo e de ambiente para ambiente. Por exemplo, os problemas bsicos que surgem em peas de contato destinadas
telefonia so distintos das aplicaes industriais. Em geral, os problemas que as peas de contato esto sujeitas so:
1) Na conexo eltrica entre peas distintas, ocorre o problema da resistncia de contato para a passagem de corrente
de uma pea outra, pois no h um perfeito acoplamento eltrico entre as partes constituintes. Logo, todo contato
eltrico em si gera calor por Efeito Joule e, desse modo, os materiais a serem empregados devem possuir elevada
condutividade eltrica e trmica para se obter um bom acoplamento eltrico, alm de boa resistncia mecnica para
se garantir uma presso de contato adequada (quanto maior a presso do contato, melhor o acoplamento eltrico).
contatos
de carvo
contatos
metlcos
(a) (b)
Figura 2.5: (a) Contatos de carvo, chamado escovas; (b) esquema de funcionamento do microfone de carvo.
V
I
tenso de udio
sinal de
udio
movimento
grnulos de carvo
diafragma
transformador
capsula de microfone
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
30
2) As peas de contato podem estar sujeitas a um nmero muito grande de manobras de abertura e fechamento, que
sujeitam as peas a demasiadas solicitaes mecnicas que podem danific-las estruturalmente. Neste caso, os
materiais a serem empregados na confeco de peas de contato devem apresentar, alm de elevada resistncia
mecnica, tambm dureza e tenacidade para resistir s deformaes e ao desgaste o maior tempo possvel.
3) A interrupo da corrente eltrica devido a uma monobra de seccionamento pode ocasionar o surgimento de um
arco voltaico no ponto de abertura, devido presena de energia armazenada ao longo do circuito na forma de
campo magntico (por exemplo, motores), que provoca a tendncia dos eltrons em movimento de manter fechado
o circuito no ponto de abertura para anular o campo. Similarmente, um arco voltaico pode aparecer tambm no
fechamento dos contatos devido ao problema do ricochete (repulso dos contatos) pois, no breve momento de
estabelecimento do contato, so criadas condies para o surgimento de campos magnticos no circuito.
Um arco voltaico apresenta temperaturas de at 6000
o
C, suficientes para fundir as peas dos contatos ou criar
condies oxidao das mesmas. Neste caso, os materiais empregados devem apresentar um alto ponto de fuso,
boa condutividade trmica, baixa tendncia a oxidar-se em temperaturas elevadas e pequena tendncia soldagem,
para resistirem eroso do arco eltrico e ao perigo da soldadura dos contatos. Quanto ao problema do ricochete,
para reduzir a um mnimo o nmero de repulses h a necessidade de um clculo aprimorado da velocidade de
fechamento e das massas das peas, que devem ser as menores possveis.
4) As peas de contato podem estar sujeitas a ambientes de trabalho corrosivos, tais como presena de cidos, sais ou
mesmo o prprio ar atmosfrico, que atuam diversamente sobre as peas, provocando oxidao ou sulfatao, o
que deteriora o contato e, consequentemente, aumenta a resistncia de contato. Neste caso, os materiais devem
apresentar ento elevada resistncia corroso para suportar o mximo possvel o ataque do ambiente de trabalho.
5) No contato entre metais diferentes pode haver predisposio corroso galvnica devido diferena de potenciais
eletroqumicos entre as partes. Logo, as peas componentes do contato devem preferencialmente ser do mesmo
material ou, pelo menos, de pequena diferena de potenciais eletroqumicos.
6) Em peas deslizantes (por exemplo, escovas) h o problema de desgaste devido ao atrito entre as partes fixas e
mveis. Neste caso, as peas e seus contornos devem ser de material e aspecto o menos abrasivo possvel.
Assim, os materiais empregados para a fabricao de peas de contato devem apresentar qualidades necessrias
para mitigar estes problemas. O cobre normalmente empregado na forma bronzes e lates devido maior resistncia
mecnica e corroso destas ligas, sendo utilizadas em interruptores, plugues, tomadas, chaves, rels, elos, fusveis,
disjuntores contatores, etc. Os aos, por apresentarem elevada resistncia mecnica, so empregados em peas onde
so exigidos presses de contato elevadas e manobras bruscas, tal como chaves seccionadoras. Para o caso de contatos
eltricos deslizantes, emprega-se, como visto, peas de carvo devido ao seu baixo coeficiente de atrito.
Em conexes que envolvem presses de contato muito baixas e correntes reduzidas, a deteriorao do contato
se torna um problema essencial, o que exige o emprego de materiais de maior resistncia a corroso para se obter
contatos de melhor qualidade.Este ento o caso para o emprego dos metais nobres, que apresentam maior resistncia
corroso. Assim, o ouro e a prata na forma pura so utilizados como finas pelculas em torno da massa de peas
constitudas por outros metais (contatos banhados). Alm disso, os metais nobres so tambm utilizados na forma de
ligas para aumentar sua dureza e resistncia ao desgaste e eroso por arco eltrico, tais como ligas de ouro e prata,
empregadas em peas de contatos especiais em interruptores, chaves, disjuntores, botoneiras e rels, alm da platina,
que utilizada em ligas com irdio e rutnio para emprego em rels especiais e instrumentos de preciso.

2.2.5) CONDUTORES ELTRICOS

Fios e cabos eltricos constituem-se no meio condutor destinado ao transporte de energia ou transmisso de
sinais entre dois pontos de uma instalao, rede ou equipamentos eltricos. Em eletrotcnica, denomina-se usualmente
fio eltrico para um meio de seo transversal (bitola) slida ou para um conjunto de fios de pequena seo (chamado
cabinho), e cabo eltrico para um conjunto de fios condutores arranjados por encordoamento ou por um conjunto de
cabos condicionados sob a mesma capa protetora, sendo condutor eltrico o termo genrico para ambos.
Os cabos eltricos so empregados nos casos em que se faz necessria uma maior capacidade de conduo de
corrente (denominada ampacidade), com o aumento da seo transversal por meio do agrupamento de fios diversos.
Esta conformao permite um aumento de ampacidade aliado a um ganho de flexibilidade, o que facilita o guiamento
destes em condutes, canaletas e quadros de luz presentes em instalaes eltricas em geral.
Os materiais utilizados como condutores so principalmente o cobre, alumnio, prata e as ligas desses materiais.
Como cobertura isolante, emprega-se-se PVC, EPR (etileno-propileno), neoprene, XLPE (polietileno reticulado),
polistireno, borracha butlica e ainda, em aplicaes especiais, amianto, teflon, cermicas, nilon, gs hexafluoreto de
enxofre (SF
6
) e fibras orgnicas. O regime de trabalho de fios e cabos eltricos est relacionado com as caractersticas
dos materiais utilizados na sua fabricao, sendo alguns dos critrios para o dimensionamento destes: ampacidade,
tenso de isolao, temperatura mxima suportada pela isolao, condies ambientais mnimas de trabalho (poluio,
raios solares, umidade, etc.), capacidade de blindagem, resistncia mecnica a choques, etc.
Os condutores eltricos so fabricados em uma grande diversidade de tipos, segundo seus detalhes construtivos
e aplicaes finais. Algumas denominaes sobre condutores eltricos so descritas a seguir (Figura 2.6):
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
31
Fio e cabo nu: condutores sem revestimento isolante (no isolados entre si, no caso do cabo);
Fio esmaltado: condutor slido revestido em esmalte isolante. Usado na construo de bobinas eltricas;
Condutor isolado: fio ou cabo revestido apenas por uma cobertura de material isolante;
Cabo unipolar: condutor isolado com camada extra de revestimento chamada cobertura, para proteo mecnica;
Cabo multipolar: condutor setorial ou segmentado formado por dois ou mais condutores isolados entre si e sob
uma mesma capa isolante, podendo conter ainda um revestimento interno metlico de blindagem;
Cabo compactado: condutor isolado com alto grau de compactao para eliminar todos os vazios entre os fios;
Cabo anular: condutor isolado que apresenta o seu ncleo central oco ou preenchido com material isolante;
Cordel flexvel: condutor isolado ou par tranado de condutores isolados, de pequena seo e bastante flexveis.
Exemplos: par telefnico e fios de diversas cores usados em placa de circuitos e aparelhos (rdio, TV, etc.);
Cabo coaxial: cabo composto de um condutor axial de cobre envolvido por outro condutor de cobre estanhado em
forma de malha (para blindagem e referncia), separados por um isolante slido (polietileno) e cobertos por um
revestimento isolante (PVC, neoprene ou polietileno). Pode ser do tipo rgido ou flexvel.






















Comentrios:
1) Os cabos coaxiais tem aplicaes especiais (rdio e audiofreqncia, telefonia, etc.) devido ao fato de apresentarem
imunidade induo de rudos por campos eletromagnticos externos, pois o sentido das correntes nos condutores
interno e externo so contrrias, de forma que indues nestes condutores se anulam mutuamente.
2) Alguns cabos especiais apresentam um revestimento em fita metlica, com a funo de distribuir uniformemente o
campo eltrico no interior do cabo de modo a se evitar que concentraes desuniformes danifiquem o material de
isolamento e ainda atender a necessidade de se manter o campo eltrico confinado no interior do cabo para este
no perturbar eletricamente condutores vizinhos (blindagem), alm de facilitar o escoamento de correntes de curto.
3) Condutores metlicos utilizados em aterramentos requerem proteo contra corroso galvnica baseada em um
princpio: fornecer eltrons ao condutor para que o mesmo se torne catdico e as reaes de corroso deixem de
existir. Isto pode ser conseguido de duas maneiras: empregar anodos de sacrifcio ou por meio de uma fonte de
corrente contnua ligada ao condutor e terra, que fornece os eltrons necessrios ao metal evitar sua corroso.

2.2.6) RESISTORES E RESISTNCIAS

Diferentemente da preocupao de se transportar energia eltrica com mnimas perdas (como nos fios e cabos),
ou a construo de dispositivos de chaveamento (como interruptores, contatores, etc.), ou para armazenamento de
energia (como nos capacitores e indutores), ou ainda para a transformao da energia eltrica em outras formas (como
nos motores), existem diversas aplicaes eletrotcnicas em que se necessita controlar o montante de corrente eltrica
em um circuito, ou provocar quedas de tenso para adequ-la a nveis desejveis, ou ainda dissip-la na forma de
calor por Efeito Joule. Para estas aplicaes utiliza-se, ento, materiais de resistividades mais elevadas (sem contudo
ter comportamento isolante), para a construo de elementos resistivos, tais como resistores e resistncias eltricas.
Resistor (smbolos na Figura 2.7-a) o componente mais simples, comum e barato de um circuito. Diferente de
capacitores e indutores, os resistores no armazenam energia, apenas a dissipa na forma de calor, proporcionando
queda de tenso como conseqncia e, dependendo de como esto conectados, diviso de tenso e desvio de corrente.
(a)
(b)
(c)
(e)
(d)
condutor
(f) (f)
blindagens
isolao condutor
cobertura
(g)
cobertura
blindagem
(h)
malha metlica condutora
isolao
capa
condutor
Figura 2.6: Aparncias de condutores eltricos: (a) diversidade de tipos; (b) cabo nu; (c) cabo nu compactado;
(d) fio isolado; (e) cabo de pares tranados; (f) condutor unipolar; (g) condutor multipolar; (h) cabo coaxial.
isolao
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
32
A Figura 2.7-b mostra os aspectos fsicos do corpo de um resistor em corte. Os resistores so construdos em
uma base de material cermico, que recebe a cobertura resistiva que determinar o valor da resistncia e tambm uma
metalizao para a realizao de soldagem de alto ponto de fuso (~300
o
C) com os terminais metalicos do resistor,
para que os ferros de soldar comuns (ponto de fuso de 180
o
C) no abalem esta ligao. Por fim, o conjunto recebe
uma cobertura de material isolante (esmalte, epoxi, cimento, silicone, etc.) para acabamento e proteo do usurio.











Os resistores comerciais apresentam diversas especificaes fornecidas pelo fabricante. As principais consistem
no valor da resistncia em Ohms (), a potncia mxima dissipada e a tolerncia (erro percentual mximo acima ou
abaixo da resistncia nominal), que estima o grau de preciso resultante dos cuidados tecnolgicos utilizados no seu
processo de fabricao. Estes dados so indicados no corpo dos resistores por meio de dois modos:
1) Por cdigo de cores: este sistema utiliza faixas de diversas cores, pintadas no corpo do resistor a partir de uma de
suas extremidade (Figura 2.7-d), com as equivalncias numricas dadas na Tabela 2.2. As duas primeiras faixas
(denominadas X e Y) formam uma dezena e a terceira (Z) indica o nmero de zeros, tal que o valor hmico seja
dado por: XY x 10
Z
. A quarta faixa corresponde tolerncia: ouro para 5%, prata para 10% e incolor para 20%,
e a potncia est relacionado s dimenses do resistor (maior tamanho, maior potncia). Este sistema utilizado na
fabricao de resistores de menor potncia (1/8 a 4 W), cuja cobertura resistiva consiste de uma pelcula de grafite
ou matafilme (fita metlica resistiva) em um tranado helicoidal sobre o suporte cermico.
2) Diretamente impresso: este sistema utilizado em resistores de maior potncia (>4W), fabricados com fios de ligas
metlicas resistivas. Consiste na impresso direta do valor hmico sobre o corpo do resistor, na forma de dgitos
numricos combinados com uma letra para indicar o multiplicador: R (ohms), K (quiloohms), e M (megaohms),
sendo a posio da letra o indicador da vrgula no valor hmico. Exemplos: 470R equivale a 470 ; 4K7 = 4,7 k;
47K = 47 k. A potncia (at 50 W) e a tolerncia (at 20%) tambm vem impressa no corpo do resistor.

Tabela 2.2: Cdigo de cores para leitura do valor de resistores.
Cores X,Y Z Cores X,Y Z Cores X,Y Z
preto 0 0 amarelo 4 4 cinza 8 -
marrom 1 1 verde 5 5 branco 9 -
vermelho 2 2 azul 6 6 ouro - -1
laranja 3 3 roxo 7 7 prata - -2

Resistncias so elementos resistivos tambm largamente empregados, detinados a aproveitar a transformao
de energia eltrica na forma luminosa, tal como filamentos de lmpadas incandescentes, na forma de raios catdicos,
tal como em eletrodos de lmpadas de descarga, e na forma trmica por meio do efeito Joule para a obteno de calor
para aquecimentos de compostos (gua e ar atmosfrico). Para este ltimo caso, os elementos resistivos so chamados
de resistncias para aquecimento, podendo estas dissipar at milhares de Watts (exemplos de formatos na Figura 2.8).









Em relao ao comportamento trmico, os resistores tipo fio e fita metlica tem sua resistncia aumentada com
a temperatura de forma praticamente linear, enquanto que nos e pelcula de grafite diminui de forma quadrtica.
Do ponto de vista do valor hmico, os resistores e resistncias at aqui descritos so classificados como tipo
fixo, pois no possuem um mecanismo para alterao do valor da resistncia sob mesma temperatura. Neste caso, faz-
se necessrio a introduo de um elemento cursor para realizar uma varredura entre dois pontos quaiquer do elemento
resistivo, de modo a se obter um efeito de resitncia varivel. Este o emprego para os chamados potencimetros.
(a) (b) (c) (d)
Figura 2.7: Resistores: (a) smbolos esquemticos; (b) aspectos fsicos; (c) aparncias; (d) cdigo de cores.
X Y Z T
R
R
Figura 2.8: Aparncias diversas de resistncias eltricas comerciais para aquecimento.
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
33
Potencimetros (smbolos na Figura 2.9-a) so resistores do tipo varivel, constituidos de dois terminais fixos e
um terceiro conectado a um cursor mvel ajustado por boto, tal como esquematizado na Figura 2.9-b. Este arranjo
permite ento uma varredura da resistncia entre o terminal mvel e os terminais fixos, o que pode ser aproveitado
para o controle de determinado parmetro de um circuito a qualquer tempo (aparncias dadas na Figura 2.9-c). Os
chamados trimpots (aparncias dadas na Figura 2.9-d) so a denominao dada a potencimetros com a funo de
fixar um ponto de funcionamento permanente em um circuito (ajuste feito por parafuso), sendo ento classificados
como resistores tipo ajustvel. Reostatos (aparncias dadas na Figura 2.9-e), por sua vez, so potencimetros de maior
potncia, empregados na necessidades de controle de altas correntes ou elevadas dissipaes.
Estes dispositivos so fabricados em diversos formatos, tamanhos e potncia, podendo apresentar variao de
resistncia de forma linear ou logartmica, e apresentam diversas aplicaes que necessitam de ajuste na dissipao,
tais como aquecedores em estufas e fornos, limitadores de corrente em motores, divisores de tenso e corrente, cargas
variveis de circuitos, acopladores resistivos, etc. Como elemento resistivo, empregam trilhas de material grafite ou
fios metlicos enroldados sob um apoio isolante eltrico, como por exemplo uma base cermica.














2.2.7) BIMETAIS

O bimetal um artefato composto de duas lminas soldadas de metais ou ligas com diferentes coeficientes de
dilatao trmica e que, quando submetido a uma variao de temperatura, sofre um encurvamento devido diferena
de dilatao trmica entre as lminas, vindo desse modo a realizar uma fora devido ao este deslocamento mecnico.
Um bimetal constitui-se ento de um sensor de temperatura ao ter empregado sua curvatura para abrir ou fechar
contatos eltricos. A Figura 2.10-a exemplifica o funcionamento de uma pea bimetlica para o caso de elevao de
temperatura por efeito Joule devido a uma corrente eltrica na prpria pea e na Figura 2.10-b o caso da absoro de
calor externo pea. O parafuso mostrado tem a funo de ajuste de temperatura pois, quanto maior sua presso na
placa flexvel, maior a fora que o bimetal ter de exercer sobre esta placa e, portanto, maior deve ser a temperatura.
As lminas bimetlicas so fabricadas em diversos formatos, tais como retas, espirais, encurvadas e espiraladas
em hlice (aparncias na Figura 2.10-c). No par pode-se empregar diversas combinaes de metais e ligas, tais como
cobre e ao, lato (liga de cobre e zinco) e invar (liga de ferro e nquel), etc. As lminas so normalmente soldadas
por sinterizao, que consiste em um processo industrial de aglutinagem de corpos slidos por meio do aquecimento a
uma temperatura inferior de fuso dos mesmos, mas alta o suficiente para permitir uma difuso de tomos entre as
redes cristalinas dos corpos, obtendo-se com isso uma soldagem bastante resistente a deformaes.
Peas bimetlicas so largamente usadas na fabricao de termmetros (Figura 2.10-d), disjuntores e termorels
para aplicaes diversas em circuitos de controle, proteo e regulao, alm de termostatos (Figura 2.10-e), que so
dispositivos destinados a manter constante a temperatura em um sistema atravs de regulao automtica.















Figura 2.10: Pea bimetlica: (a) encurvao por corrente na prpria pea; (b) encurvao por calor exterior
pea; (c) exemplificao de formatos; (d) termmetro bimetlico; (e) aparncia e partes de um termostato.
(a) (b) (c) (d) (e)
placa metlica
flexvel
I
I
parafuso
contatos
eltricos
I
I
lmina B (
B
<
A
)
lmina A (
A
)
contatos
eltrio
pea bimetalica
conexes
eltricas
parafuso
espiral
helicoidal
calor
calor
Figura 2.9: Resistores variveis: (a) smbolos esquemticos, (b) aspectos fsicos gerais; aparncias diversas para
os tipos de resistores variveis: (c) potencimetro, (d) trimpots, (e) reostatos.
(a) (b) (c) (d) (e)
cursor
terminal
fixo terminal
do cursor
trilha
resistiva
terminal
fixo
potencimetros
de grafite
potencimetros
de fio
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
34
2.3) TPICOS COMPLEMENTARES

O comportamento dos eltrons livres possibilita o surgimento de alguns efeitos com aplicaes muito especiais
em Eletrotcnica, dentre os quais sero vistos as chamadas termoeletricidade e supercondutividade.

2.3.1) TERMOELETRICIDADE

Termoeletricidade a cincia da transformao de energia trmica diretamente em eltrica. Ela se manifesta
atravs dos efeitos Thomson, Peltier e Seebeck, descritos a seguir, que consistem na produo de tenses e correntes
eltricas por meios puramente trmicos, sendo os materiais definidos como transdutores termoeltricos.
a) Efeito Thomson: seja um metal isolado submetido a uma diferena de temperatura, com uma de suas extremidades
mantida a uma temperatura T
r
e a outra elevada a uma temperatura T
t
(Figura 2.12-a). Com a energia trmica rece-
bida, os eltrons livres da extremidade quente (T
t
) passam ento a ocupar nveis de maior energia, o que aumenta a
densidade de eltrons nesta extremidade e provoca uma diferena de concentrao de eltrons com a extremidade
fria (T
r
). Como resultado, surge no metal um fluxo de eltrons da extremidade quente (maior densidade) para a fria
(menor densidade) motivada por esta diferena de concentraes, chamada corrente de difuso, provocando ento
uma separao de carga, e portanto um campo eltrico, com a extremidade quente com falta e a fria com excesso
de eltrons. Como este campo retardador para os eltrons em movimento, a corrente de difuso quase instant-
nea, visto s perdurar enquanto atendncia ao deslocamento maior que o campo retardador criado. O efeito final
o aparecimento de uma tenso entre as extremidades do metal, chamada fem de Thomson (Figura 2.12-a), que
depende apenas da diferena de temperatura. Tal comportamento chamado Efeito Thomson.
b) Efeito Peltier: seja o caso da juno entre dois metais A e B a mesma temperatura, onde uma corrente I (sentido
das cargas negativas) flui do metal A para o metal B (Figura 2.12-b). Devido a diferenas na distribuio de ener-
gia das bandas em cada material, o fluxo de eltrons constituintes de uma corrente eltrica ocorre em diferentes n-
veis de energia em cada material a mesma temperatura. Assim, se as caractersticas do metal A permitem que se
mantenha a corrente com uma energia E
A
, enquanto no metal B necessria uma energia E
B
menor que E
A
, ocorre-
r na juno uma absoro de energia do meio na forma de calor (juno se aquece), devido aplicao direta do
princpio da conservao de energia (Figura 2.12-b). Se a corrente for invertida, ocorre efeito inverso, com dissi-
pao de calor para o meio e a juno se esfria (Figura 2.12-b). O fenmeno da liberao ou absoro de calor na
passagem de corrente eltrica entre dois materiais diferente a mesma temperatura, chamado Efeito Peltier. Como
na juno de dois metais surge uma diferena de potencial de contato (devido a uma momentnea difuso de el-
trons livres pela juno motivada por diferenas de concentrao), chamada fem de Peltier, ento uma nica juno
comporta-se como uma fonte de tenso dentro da qual h converso de energia eltrica em calor e vice-versa.
Este efeito aproveitado para a fabricao de microcoolers em pastilhas, de recente emprego como dissipador
de calor em microprocessadores, e ainda em coolers de pequena potncia para refrigerao domstica.
c) Efeito Seebeck: sejam dois metais A e B unidos em duas junes mantidas a temperaturas diferentes T
t
e T
r
< T
t

(Figura 2.12-c). Como resultado das fems Thomson e Peltier, surge ento uma ddp resultante entre os dois metais,
chamada fem de Seebeck ou fora termoeletromotriz. Como resultado adicional, surge uma corrente eltrica no
conjunto devido ao circuito fechado formado pelas junes. O aparecimento de uma ddp e conseqente corrente
eltrica entre dois metais com junes a temperaturas diferentes denominada de Efeito Seebeck, onde a fem de
Seebeck depende dos materiais usados, da diferena entre as temperaturas das junes e da qualidade do contato
entre os metais, mas independe do comprimento e da seo dos condutores metlicos, bem como da rea e da for-
ma dos contatos. Neste caso, o metais constituintes so chamados de par termoeltrico ou termoelementos.












Com a desconexo da juno do par temperatura T
r
, obtem-se ento uma fem de Seebeck entre estes terminais
e, se T
r
for mantida constante (valor de referencia), a fem de Seebeck se torna funo apenas da temperatura T
t
(valor
de teste). Assim, o efeito Seebeck aproveitado como sensor de temperatura chamado termopar. A vantagem destes
sensores reside no baixo calor especfico dos metais, pois a juno teste atinge rapidamente o equilbrio trmico com
o ponto em que se deseja medir e, assim, seguem facilmente as variaes de temperatura do local monitorado.
Figura 2.12: Esquematizao dos efeitos da termoeletricidade: (a) Thomson; (b) Peltier; (c) Seebeck.
temperatura
de teste
T
t
T
r
< T
t
fem de Peltier
E
A

E
B
< E
A

metal A metal B
calor
calor
I
I
metal A
metal B
T
t
T
r
temperatura
de referncia
fem de
Seebeck
fonte de
calor

E

(a) (b) (c)
juno aquece juno esfria
corrente
surgida
fem de Thomson
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
35
A Figura 2.13-a mostra um esquema com termopar aplicado na medio de uma temperatura de teste T
t
em
determinado local (normalmente tomada por imerso, encaixe ou contato com o meio interno ou sua superfcie). O
circuito de monitoramento mantido afastado da temperatura teste por meio de fios, chamados de compensao, de
modo a garantir que as extremidades 1 e 2 estejam sob temperatura constante T
r
. A ddp desenvolvida entre os pontos
1 e 2 torna-se ento proporcional temperatura de teste T
t
, que lida por um voltmetro, fornece em seu mostrador
valores diretamente em
o
C ou
o
F (Fahrenheit). Termopares so tambm empregados para monitorar diferenas de
temperatura por associao srie (Figura 2.13-b) ou temperatura mdia por associaes em paralelo.
Assim, os termopares tem largo empregado na indstria como sensor de temperatura em medidores (pirmetros
e termmetros), para a verificao e controle de temperatura de fornos, estufas e sistemas de aquecimento em geral,
alm de diagnstico de pontos quentes (mal contatos, falhas, etc.) em equipamentos eltricos (motores, quadros de
luz, etc.). So fabricados em diversos formatos (Figura 2.13-c), dependo da natureza dos termoelementos e de suas
resistncias ao calor e corroso. O par de emprego mais comum consiste de uma liga de nquel-cromo (perna +) e de
nquel, cobre ou platina (perna ). Outros pares: cobre (+)-constantan () e ferro (+)-constantan ().
Embora as fems sejam pequenas (por exemplo, cerca de 60 mV para o par cobre-constantan), o efeito Seebeck
pode ser explorado como gerador eltrico com pares associados em srie e paralelo, nas chamadas termopilhas.













2.3.2) SUPERCONDUTIVIDADE

Como visto, diversos fatores contribuem para a resistividade eltrica de um material, tais como imperfeies,
impurezas e vibraes da rede. No entanto, quando submetidos a uma diminuio de temperatura, alguns materiais
exibem uma variao brusca em sua resistividade para um valor imensuravelmente pequeno (Figura 2.14-a), ou uma
condutividade quase infinita, quando certa temperatura atingida, chamada temperatura crtica T
C
do material. Este
fenmeno denominado supercondutividade e os materiais que a exibem so, ento, chamados de supercondutores.
O estado supercondutor de um material, porm, corresponde a uma mudana de fase com propriedades qualita-
tivamente diferentes, que no podem ser explicadas somente com a hiptese da resistividade nula. Em 1933, Meissner
observou que, na presena de campo magntico, um material supercondutor abaixo de sua temperatura crtica expulsa
todo o fluxo magntico de seu interior (Figura 2.14-b). Esta excluso, denominada diamagnetismo, ocorrer tambm
se o campo magntico for aplicado depois de estabelecido o estado supercondutor no material. Um supercondutor age,
portanto, como um material diamagntico perfeito e estes fenmenos so chamados de Efeito Meissner.
Logo, como resultado do efeito Meissner, se um im permanente for colocado sobre uma placa supercondutora,
flutuar (Figura 2.14-c). Pode-se dizer, ento, que o campo magntico no penetra no interior da placa porque, nesta,
os eltrons de conduo apresentam movimentos totalmente desimpedidos e podem ajustar seus deslocamentos de
forma a gerar um campo magntico repulsivo o suficiente para compensar o peso do im. Para isso, portanto, devem
ser induzidas correntes eltricas na superfcie da placa supercondutores de tal forma a expulsar o campo magntico de
seu interior. Alm disso, estas correntes, por no haver resistncia aos seus deslocamentos, persistem no meio super-
condutor sem que se possa detectar seu decaimento, mesmo quando retirado a fonte do campo magntico externo (no
caso, o im). Pode-se dizer ento que o fluxo magntico externo foi mantido preso no material supercondutor.
Assim, as duas caractersticas principais dos supercondutores, explicitamente, a excluso do fluxo magntico e
a ausncia de resistncia a um fluxo de corrente, esto relacionadas entre si. necessrio haver uma corrente persis-
tente e sem resistncia para manter a excluso do fluxo enquanto houver a presena de um campo magntico externo.
Este fato demonstra a incompatibilidade entre corrente eltrica e campo magntico no estado supercondutor.
No entanto, o estado supercondutor apresenta um limite para o fluxo magntico externo, denominado campo
crtico (H
C
), acima do qual o supercondutor retorna para o seu estado normal. Alm disso, o valor do campo crtico
depende da temperatura do material supercondutor, tal como exemplifica no grfico da Figura 2.14-d. Por este grfico
nota-se ento que a temperatura necessria para se atingir o estado supercondutor diminui com aumento do campo
magntico externo e, acima de certo valor de campo crtico H
C 1
a 0 K, o material no mais atinge o seu estado super-
condutor. Pelo grfico observa-se tambm que H
C
nulo para T = T
C
e, portanto, para se observar o fenmeno da
repulso de um campo magntico, o supercondutor deve necessariamente estar abaixo de sua temperatura crtica.
Figura 2.13: Termopares: (a) esquema de medio; (b) associao srie; (c) formatos; (d) medidor comercial.
(a) (b) (c) (d)
perna -
perna +
fios de
compensao
ajuste
ddp
1
2
V
T
r

T
t
V
1
V
2
V
1
V
2
T
1


T
2
< T
1
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
36
Como visto, os metais puros so os melhores condutores eltricos em temperaturas normais de trabalho e, em
geral, aumentam sua condutividade com a diminuio da temperatura. Contudo, nem todos os metais apresentam o
fenmeno da supercondutividade e nem sempre os melhores condutores de eletricidade e calor so supercondutores.
Por exemplo, alumnio (T
C
= 1,2 K), estanho (T
C
= 3,8 K), mercrio (T
C
= 4,2 K) e chumbo (T
C
= 7,2 K) apresentam
supercondutividade, mas no ouro, prata e cobre no se verifica o estado supercondutor (T
C
< a 0 K).













At 1986 havia uma barreira na temperatura crtica, obtida com componentes intermetlicos, tal como o nibio-
germnio, que era de T
C
= 23 K. Nestes ano, Mueller e Bednorz observaram que uma nova classe de xidos exibiam
supercondutividade uma temperatura muito superior que as observadas at ento e obtiveram a quebra da barreira
com o xido de cobre (T
C
= 35 K). Desde ento, novas barreiras vm sendo estabelecidas, sendo os materiais mais
recentes empregando as chamadas terras raras (lantandeos), tais como os compostos de cobre-lantnio-brio e cobre-
lantnio-estrncio. Parece razovel, ento, que a meta a ser atingida a temperatura ambiente.
Apesar da supercondutividade a uma temperatura prtica ser hoje uma realidade, h muitos problemas a serem
superados. Por exemplo, muitos destes materiais so difceis de serem produzidos consistentemente, pois se mostram
mais resistentes em algumas direes do que em outras. So em geral ainda bastante quebradios para serem usados
como fios flexveis. Alm disso, eles exibem certas anisotropias cristalinas, fazendo um fluxo de corrente variar por
um fator de 30 dependendo da direo do fluxo, e perdem suas propriedades supercondutivas quando densidades de
corrente excedem valores crticos da ordem de 10
5
A/m
2
.
A supercondutividade encontra imensas possibilidades de aplicao, dentre as quais pode-se citar:
Transporte de cargas e passageiros por meio de trens levitados sobre campos magnticos;
Transmisso de grandes quantidades de energia com mnimas perdas, por meio de cabos supercondutores;
Blindagem contra interferncia eletromagnticas ou fluxos magnticos indesejveis;
Construo de enrolamentos supercondutores para utilizao em motores eltricos e geradores;
Aplicaes onde exigncias de espao e tempo de transmisso sejam importantes, tal como nos computadores.


2.4) EXERCCIOS PROPOSTOS

Problema 1: Seja dois cabos 1 e 2 de mesmo comprimento e materiais A e B, respectivamente. Sabe-se que o cabo 1
tem a fios, condutividade
A
e massa especfica
A
, e o cabo 2 tem b fios, condutividade
B
= 2
A
e massa especfica

B
= 5
A
. Sabe-se ainda que os fios dos cabos 1 e 2 tm mesma seo transversal. Determine a faixa de valores que
deve ter a razo a/b para que o cabo 1 tenha, simultaneamente, menor resistncia e menor peso que o cabo 2.

Problema 2: Sejam dois fios resistivos A e B de mesma seco e mesmo comprimento. Sabe-se que a condutividade
do material do fio B maior que a do fio A. Conectando-se os dois fios em srie, obtm-se uma resistncia de 10 e,
em paralelo, uma resistncia de 2,1 . Determine o valor das resistncias dos fios A e B. Explique sua resposta.

Problema 3: A figura ao lado mostra duas barras de materiais A e B submetidas aos
potenciais de tenso em suas extremidades mostradas. Determine o potencial V
J
na
juno das barras, a corrente e o grfico da distribuio de potencial ao longo das
barras. Dados: condutividades eltricas:
A
= 20 x 10
4
S/m e
B
= 120 x 10
3
S/m.

Problema 4: Seja trs barras de material resistivo, conectadas tal como mostrado na figura ao
lado. A seo de cada barra 1,2 cm
2
e as mesmas esto submetidas aos potenciais eltricos em
suas extremidades mostradas na figura. Determine o potencial na juno das barras, o valor e o
sentido da corrente eltrica em cada barra e a resistncia das barras. Dado das condutividades
eltricas:
1
= 5 x 10
4
S/m,
2
= 6,25 x 10
4
S/m e
3
= 12,5 x 10
4
S/m.
Figura 2.14: material supercondutor: (a) variao da resistividade com a temperatura; (b) Efeito Meissner;
(c) efeito de flutuao de um im permanente; (d) variao do campo crtico com a temperatura.
(a) (b) (c) (d)

im

placa
supercondutora
T > T
C
H

T
C

T (K)
(m)
0
T T
C
H

H
C
(A/m
2
)
T
C

T (K)
estado
normal
estado
super-
condutor
H
C1
0
A B
V
J

2,5 V 0,7 V
2,5 mm
2

8 cm 6 cm
1
6 V 4 V
2 V
30 m
15 m 12 m
2
3
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
37
Problema 5: A figura ao lado mostra um fio resistivo uniforme na forma de um circuito
retangular fechado. Deseja-se medir a resistncia entre dois pontos quaisquer do fio
com um ohmmetro, onde uma ponta de prova fixada no ponto O e a outra percorre o
fio. Sabendo-se que o ohmmetro mede 15 quando a ponta de prova mvel atinge o
ponto A, calcule a medida quando a ponta de prova mvel passa nos pontos B, C e D.

Problema 6: A figura fornecida mostra a variao da resistncia com a temperatura, de dois resistores R
A
e R
B
de
materiais A e B, respectivamente. Com base no grfico, determine os coeficientes de temperatura da resistividade dos
materiais A e B a 20
o
C. Explique seu raciocnio e compare os resultados.

Problema 7: O grfico dado mostra a variao da resistncia com a temperatura, de dois resistores R
A
e R
B
. Sabe-se
que a 20
o
C, a resistncia equivalente vale 50 para R
A
e R
B
em srie, e 12 para R
A
e R
B
em paralelo. Determine o
valor dos coeficientes de temperatura da resistividade dos materiais A e B a 20
o
C .

Problema 8: O grfico dado mostra a variao da resistncia equivalente entre dois resistores R
A
e R
B
em srie, em
funo da diferena de temperatura T em relao referncia 20
o
C, onde m a declividade da reta. A 20
o
C sabe-se
que R
A
= 10 e o coeficiente de temperatura da resistividade do material deste resistor 3 x 10
-4

o
C
-1
. Pede-se:
a) O coeficiente de variao da resistncia com a temperatura a 20
o
C do material do resistor R
B
, para os seguintes
valores de declividade da reta: m = 0,01 ; m = 0 e m = 0,01.
b) O que se pode concluir sobre a resistncia equivalente quando a declividade nula (m = 0)?
c) Qual a declividade limite, a partir do qual o coeficiente de temperatura do resistor R
B
negativo? Comente.

Problema 9: Para o circuito fornecido, sabe-se que, quando o resistor R
2
submetido a um aumento de temperatura,
observa-se que a luminosidade da lmpada L diminui. Explique qual o tipo de material (PTC ou NTC) do resistor R
2
.








Problema 10: Sejam dois fios resistivos A e B de mesma seo e comprimento, onde o material do fio A apresenta
maior condutividade que o material do fio B. Apesar disso, sabe-se que aplicando a mesma tenso alternada a cada
fio, observa-se que a corrente no fio A menor. Cite uma razo para isso ocorrer e explique.

Problema 11: Sabe-se que a resistividade, o coeficiente de temperatura da resistividade de certo metal a 20
o
C so,
respectivamente, 0,08 mm
2
/m e 0,004
o
C
1
, e que a permeabilidade relativa do mesmo 1000. Pede-se:
a) Calcule a resistncia CC por quilmetro a 50
o
C, de um cabo constitudo por 7 fios de 1 mm de dimetro do metal;
b) Em um fio do metal a 50
o
C, com 2 mm de dimetro e 10 m de comprimento, foi aplicado uma tenso alternada
eficaz de 2 V e nota-se que o mesmo dissipa uma potncia de 10 W. Determine a freqncia da tenso alternada.

Problema 12: Seja um resistor R
A
tipo NTC em srie com um resistor R
B
tipo PTC (figura ao lado),
de mesma resistncia e mesmo coeficiente de temperatura da resistividade (em mdulo). Para uma
certa temperatura inicial, observa-se que os resistores dissipam uma potncia total P
D
. Pede-se:
a) Explique o que acontece com a potncia P
D
se a temperatura dos fios aumentar por igual;
b) Explique o que acontece com a potncia P
D
se a fonte de tenso contnua for substituda por uma fonte de tenso
alternada de mesmo valor (valor rms da fonte CA igual ao valor da fonte CC).

Problema 13: A figura ao lado mostra um dispositivo bimetlico usado para
indicar, por meio de duas lmpadas L
1
e L
2
, se a temperatura se encontra
fora de certa faixa desejada (no caso da figura, L
1
e L
2
esto apagadas, indi-
cando temperatura dentro da faixa). No par bimetlico, o metal B o que
apresenta o maior coeficiente de dilatao trmica. Pede-se:
a) Explique qual lmpada indica temperatura abaixo da faixa;
b) Se a distncia entre os contatos eltricos fixos e o mvel aumentar, que parmetro do circuito ser ajustado?

Problema 14: Dispe-se de trs fios metlicos A, B e C. Conectando-se os fios dois a dois com juno sob o mesmo
aquecimento, mede-se com um voltmetro a tenso obtida nas extremidades em aberto (figura dada). Com o par A e
B, obtm-se 0 V, e com o par B e C, 10 mV. Determine e explique qual a leitura do voltmetro para o par C e A.
O

A B C
2x 2x
x
x
D
V
L
2

L
1

mola
bimetal
contato eltrico fixo
contato eltrico mvel
A B
V

R
A
R
B
R
eq
()
T (
o
C)
40
0
m
20
R

()
T (
o
C)
50
0
51
49,6
retas paralelas
R
B

R
A

R
A
, R
B
()
0 20 T (
o
C)
30,6
19,5
R
A

R
B

V

R
2
L


Problema 6 Problema 7 Problema 8 Problema 9
R
1

38
CAPTULO 3: MATERIAIS E DISPOSITIVOS ISOLANTES

Diferentemente dos condutores e semicondutores, empregados em Eletrotcnica basicamente para o transporte,
controle ou dissipao de energia, os materiais ditos isolantes eltricos apresentam propriedades essenciais quando se
faz necessrio manusear sem riscos ou manter separadas eletricamente partes de um circuito a potenciais diferentes,
ou ainda armazenar energia na forma de campo eltrico em decorrncia de efeitos capacitivos.
Este captulo tem ento o objetivo de introduzir alguns aspectos dos materiais isolantes e seus empregos.


3.1) PROPRIEDADES E EFEITOS

Como visto no Captulo 1, os materiais classificados eletricamente como isolantes apresentam um elevado gap
de energia (em torno de 6 eV), o que resulta em baixas concentraes de eltrons livres (em torno de 10
6
cm
3
) em
relao aos condutores (em torno de 10
23
cm
3
). Consequentemente, os materiais isolantes apresentam uma elevada
resistividade eltrica (da ordem de 10
8
a 10
15
m) em comparao aos metais (em torno de 10
-7
m), o que implica
em conduo de eletricidade praticamente nula quando submetidos a tenses compatveis. Este carter isolante destes
materiais implica ento em aplicaes distintas dos condutores e semicondutores e, desse modo, outras propriedades
mais compatveis com suas utilidades devem ser estudadas para melhor descrever suas qualidades.

3.1.1) RIGIDEZ DIELTRICA

A propriedade rigidez dieltrica descrita como o limite de tenso por unidade de espessura, acima do qual um
material perde bruscamente sua capacidade de isolao e permite a passagem de corrente eltrica por sua estrutura,
resultando normalmente em sua inutilizao. Expressa, portanto, a qualidade isolante de um material, representada
por sua capacidade de se opor uma descarga eltrica por seu meio sem se danificar.
Assim, para uma amostra de material isolante de espessura d e que suporta uma tenso mxima V
max
antes de se
romper, a rigidez dieltrica E
max
(unidade usual: kV/mm.) do material pode ser determinada experimentalmente por:

max
max
V
E
d
= (3.1)
Esta propriedade um parmetro essencial para a avaliao dos materais a serem usados com a finalidade de
manter eletricamente isoladas partes ou superfcies a potenciais diferentes, tais como componentes de instalaes
eltricas (fios, cabos, chaves em geral, condutes, barramentos, etc.), estruturas de suporte para partes energizadas,
compartimentos de dispositivos eltricos, etc. A Tabela 3.1 mostra a rigidez dieltrica de alguns materiais isolantes.

Tabela 3.1: Rigidez dieltrica de alguns materiais a 20
o
C.
Material E
mx
(kV/mm) Material E
mx
(kV/mm) Material E
mx
(kV/mm)
ar seco 3 EPR 53 vidros 7,5 a 30
poliestireno 20 mica 60 porcelana 100
polietileno 21 teflon 60 a 173 leo de silicone 10 a 15
PVC 50 polietileno reticulado 65 leo mineral 15 a 280

3.1.2) POLARIZAO DIELTRICA

Materiais condutores, notadamente os metais, apresentam uma induo de certa carga eltrica em sua superfcie
quando mergulhados em um campo eltrico, decorrente do fcil deslocamento de seus eltrons livres em resposta
fora exercida sobre os mesmos pelo campo externo, o que resulta em uma separao de carga entre as superfcies e
um campo nulo em seu interior (Figura 3.1-a). Materiais dieltricos apresentam comportamento similar, porm, como
praticamente no possuem cargas livres, sua reao ao campo externo deve-se dar por meio de um outro mecanismo.
tomos constituem-se basicamente por um ncleo positivo (prtons) e uma coroa negativa (eltrons). Logo, em
agrupamentos de tomos (molculas) pode-se definir um centro de carga, tanto para as cargas positivas como para
as negativas, cuja posio define os dois tipos de molcula constituintes da matria: polar e apolar (no-polar). O caso
de no coincidncia dos centros de carga positiva e negativa constitui-se em separao de carga e um campo eltrico
natural ocorre entre os centros de carga, resultando no chamado dipolo eltrico permanente ou natural, o que define as
molculas polares (Figura 3.1-b) e os dieltricos polares. O caso de coincidncia dos centros de carga no ocorre um
dipolo resultante e define as molculas apolares (Figura 3.1-c) e os dieltricos no-polares. Contudo, em presena de
um campo eltrico externo, a reao de ambos os tipos de dieltricos essencialmente a mesma (Figuras 3.1-b e c).
Em um dieltrico polar, os dipolos naturais se encontram orientados ao acaso e se anulam mutuamente. No
entanto, a presena de um campo eltrico externo exerce uma fora nos dipolos naturais, podendo vir a orient-los
CAPTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes
39
(polarizao) na direo do campo (Figura 3.1-b). Para o caso de um dieltrico no-polar, a presena de um campo
externo exerce foras sobre os centros de carga das molculas, o que pode acarretar em separao e alinhamento dos
centros de carga na direo do campo, resultando no chamado dipolo induzido (Figura 1.3-c). Em ambos os casos, a
polarizao tanto mais intensa quanto maior for campo aplicado e o processo reversvel, isto , quando cessado o
campo, os dipolos naturais retornam s suas orientaes originais e os induzidos so desfeitos, de modo que a carga
resultante por volume permanece nula. Alm disso, a polarizao no total, sendo impedida pela agitao trmica.
Assim, para um dieltrico qualquer imerso em um campo eltrico, este campo polariza as molculas polares ou
apolares do dieltrico com a orientao de seus dipolos naturais ou induzidos na direo do campo (Figura 3.1-d).
Como esta polarizao deve ocorrer com o deslocamento dos centros de carga positivos no sentido do campo e dos
centros de carga negativos no sentido oposto, ento pode-se observar que a orientao do campo eltrico dos dipolos
ocorre no sentido contrrio ao campo externo. Como consequncia, o campo externo sofre ento um enfraquecimento
no interior do diltrico devido oposio dos dipolos (Figura 3.1-e) e tem-se a induo de camadas superficiais de
cargas positivas e negativas na superfcie do dieltrico provenientes de dipolos orientados. Assim, pode-se concluir
que a reao de um dieltrico ao campo externo similar ao observado nos condutores metlicos.













3.1.3) PERMISSIVIDADE DIELTRICA

A propriedade que descreve o maior ou menor grau de polarizao de um dieltrico em presena de um campo
eltrico externo, ou ainda, a capacidade de um dieltrico em reagir ao adensamento do fluxo de campo eltrico por sua
estrutura chamada permissividade dieltrica (). Desse modo, quanto menor o adensamento (ou enfraquecimento)
do campo eltrico externo no interior do dieltrico, maior a sua permissividade pois maior a polarizao de seus
dipolos eltricos (naturais ou induzidos) contrrios ao campo externo. Unidade usual: F/m, F = Farad.
A permissividade dieltrica do ar ou vcuo (
o
= 8,854 x 10
-12
F/m) uma constante universal, sendo porisso
empregada para quantificar esta propriedade dos dieltricos por meio do termo permissividade relativa (
r
), definido
como a relao entre a permissividade do material e a permissividade
o
do vcuo, ou seja:

o
r

= (3.2)
sendo
r
, portanto, adimensional. A permissividade relativa tambm denominada constante dieltrica (K), definida
como a relao entre a capacitncia C (F) de um capacitor preenchido por um material dieltrico e a capacitncia C
o

de um capacitor de iguais dimenses, com o dieltrico substitudo pelo ar ou vcuo, ou seja:

o
C
K
C
= (3.3)
Alm da temperatura, a permissividade dieltrica dos materiais depende da freqncia de utilizao, em virtude
da impossibilidade dos dipolos permanentes acompanharem a variao do campo eltrico aplicado, ocorrendo apenas
a chamada polarizao eletrnica (criao de dipolos induzidos), o que resulta em uma queda no valor da constante
dieltrica. Logo, em dispositivos como capacitores, que dependem da permissividade dieltrica, pode ocorrer que,
quanto maior for a freqncia do sinal, menor a possibilidade do mesmo armazenar campo eltrico. A Tabela 3.2 a
seguir apresenta a constante dieltrica de alguns dieltricos temperatura de 25 C e na faixa de 60 Hz a 1 MHz.

Tabela 3.2: Constantes dieltricas de alguns materiais isolantes.
Material K Material K Material K
ar puro e seco ~ 1,0 leo de transformador 2,5 vidro 5 a 10
porcelana 5,7 xido de alumnio 7,0 borracha EPR 2,6
polietileno 2,26 poliestireno 2,56 papel encerado 3,1
mica 5,0 a 7,8 quartzo 4,0 ebonite 2 a 2,8
PVC 2,6 a 6,5 xido de tntalo 11 araldite 3,6
Figura 3.1: Polarizao: (a) condutor eltrico (metal), (b) molcula polar, (c) molcula apolar, (d) polarizao
de um dieltrico submetido a um campo eltrico externo; (e) reao do dieltrico ao adensamento do campo.
(a) (b) (c) (d) (e)
E
ext

E
int
= 0
E
ext
E
ext

dipolo
eltrico
natural
dipolo
induzido
E
ext
E
ext

CAPTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes
40
3.1.4) CAPACITNCIA

Seja um condutor eltrico isolado com certa carga Q armazenada, resultando em um potencial V em relao a
um referencial qualquer. Observa-se que, se a carga sofrer uma variao para nQ, o potencial do condutor se altera
para nV, tal que a razo Q/V se matem constante. Esta relao entre carga e potencial representa uma qualidade do
condutor denominada capacitncia (C), ou efeito capacitivo, tal que Q/V = C, que dependente da forma geomtrica do
condutor e do meio isolante que o envolve. Desse modo, por extenso, efeitos capacitivos surgem entre quaisquer
superfcies a potenciais diferentes, tal como entre cabos a tenses diferentes e entre estes e suas estruturas de apoio.
Seja ento, por exemplo, um condutor A imerso em certo meio dieltrico, carregado com uma carga positiva Q
sob um potencial V em relao referncia terra (Figura 3.2-a), resultando em uma capacitncia C. Se em presena do
condutor A for colocado um segundo condutor B aterrado e isolado de A pelo meio dieltrico, pode-se observar que o
campo eltrico criado pelas cargas em A induziro cargas negativas em B, o que acarreta uma queda de potencial no
prprio condutor A devido influncia das cargas induzidas em B (Figura 3.2-b). Uma diminuio na distncia entre
os condutores aumenta a carga induzida em B e, portanto, aumenta a queda de potencial no condutor A. Logo, para o
condutor A atingir novamente o potencial V deve-se acrescentar mais cargas positivas ao mesmo, ou seja, a presena
do condutor B permite ao condutor A armazenar uma maior quantidade de carga sob mesmo potencial. Desse modo, a
capacitncia do condutor A aumenta em conjunto com o condutor B. Assim, a capacitncia do conjunto ser tanto
maior quanto maior for a induo em B e atinge o valor mximo para a mesma distncia entre os condutores quando
ocorre induo total, isto , a carga eltrica em ambos condutores se tornam iguais e de sinais opostos.
Seja agora na Figura 3.2-c o exemplo de um conjunto constitudo por duas placas condutoras separadas pelo
dieltrico ar e carregadas com cargas iguais e opostas +Q e Q produzidas pela induo total, o que estabelece um
campo eltrico E e resulta uma ddp V
o
entre as placas. Com a introduo de um material dieltrico de permissividade
dieltrica maior que o ar, ocorrer ento um enfraquecimento do campo eltrico estabelecido pelas cargas das placas,
devido maior capacidade de polarizao de dipolos do dieltrico no sentido contrrio ao campo, o que resulta em um
decrscimo na ddp para um valor V < V
o
(Figura 3.2-d). Este enfraquecimento permite, portanto, o aumento da carga
eltrica nas placas de modo a obter a mesma ddp V
o
inicial, ou seja, pode-se armazenar mais carga e, portanto, mais
energia na forma de campo eltrico para a mesma tenso. Assim, conclui-se que a capacitncia de um conjunto de
condutores ser tanto maior quanto maior for a permissividade dieltrica do meio isolante empregado.
Um conjunto constitudo por duas superfcies condutoras separadas por um dieltrico e com a funo especfica
de reter cargas eltricas de modo a armazenar energia na forma de campo eltrico, denominado capacitor, sendo a
capacitncia, portanto, a grandeza que descreve esta funo do capacitor. O meio dieltrico pode ser o ar ou o vcuo,
mas o emprego de um dieltrico slido de maior permissividade permite obter um capacitor de maior capacitncia
para as mesmas dimenses (conforme descrito acima), alm de apresentar vantagens adicionais como:
1) O emprego de um dieltrico slido resolve o problema mecnico decorrente da necessidade de se manter duas ou
mais superfcies condutoras separadas por pequenas distncias entre elas sem se tocarem efetivamente;
2) Como a rigidez de um dieltrico slido normalmente maior que a do ar, ento maior a tenso mxima que o
capacitor poder suportar sem se danificar e, portanto, maior ser a possibilidade de armazenamento de carga.
















3.1.5) PERDAS, FATOR DE PERDAS E EFEITO CORONA

A eficincia da capacidade de isolao dos isolantes depende da finalidade e das condies de sua aplicao.
Em geral, estes materiais esto sujeitos a reduo de desempenho devido a condicionantes como:
Fatores em excesso como incidncia de luz, salinidade e presena de gases corrosivos no ar, dissipao de calor e
absoro de gua devido porosidade do material (a chamada higroscopia), podem acelerar o envelhecimento do
dieltrico e aumentar suas perdas, alm de reduzir seu poder de isolao e vida til.
-Q
(a) (b) (c) (d)
Figura 3.2: Efeitos capacitivos: (a) condutor isolado; (b) conjunto de condutores com induo parcial;
(c) conjunto de condutores com induo total; (d) introduo de dieltrico de maior permissividade.
A (C = Q/V)
Q
V
E
Q
V
0 V
B
0 V
meio di-
eltrico
A (C = Q/V)
+Q
V < V
o

E
meio dieltrico de
permissividade

>

o

-Q +Q
V
o

E
meio dieltrico ar
(permissividade

o
)
CAPTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes
41
Regime de trabalho imprprio (tempo prolongado de aplicao de tenso elevada) e impulsos de tenso podem
acarretar em perdas por dissipao de calor na resistncia de corpo do material isolante;
A ao do ambiente sobre o isolante (exemplos: umidade e impurezas depositadas), pode resultar em caminhos
hmicos para a circulao de correntes de fuga superficial, o que tambm representa perdas;
Na polarizao de um dieltrico, a energia requerida para a orientao dos dipolos pode no retornar totalmente
ao sistema quando da retirada do campo eltrico aplicado, o que representa uma situao com energia entregue e no
devolvida e portanto perdas. Este tipo de perdas proveniente de dois efeitos presentes nos materiais isolantes:
1) Histerese eltrica: os dipolos orientados no retornam completamente s suas posies originais aps a retirada do
campo. Estes atrasos, conhecido como histerese, necessitam ento de perda de energia para serem desfeitos.
2) Absoro dieltrica: os dieltricos podem absorver carga quando submetidos a campos eltricos, comportando-se
como um material eletrizado por alguns minutos. Certos dieltricos podem apresentar uma absoro irreversvel,
comportamento este aproveitado em materiais especiais chamados eletretos, vistos mais adiante.
O conjunto destas perdas caracteriza ento o melhor ou pior dieltrico. Como o vcuo ausncia de matria,
este no sofre envelhecimento e polarizao. O vcuo , por conseguinte, o nico exemplo de dieltrico ideal.
Da teoria de Circuitos Eltricos, sabe-se que a corrente e a tenso CA aplicadas a um capacitor esto defasadas,
sendo no capacitor perfeito a corrente adiantada de 90
o
em relao tenso. Na prtica, porm, o ngulo de defasagem
menor que 90
o
de um valor (Figura 3.3) devido s perdas dissipadas no dieltrico, que comportam-se ento como
resistncias. O termo ento denominado ngulo de perdas do capacitor, sendo que sua tangente (tg ) define o
chamado fator de perdas do dieltrico. Este fator descreve, assim, uma medida da energia perdida ou dissipada na
estrutura do dieltrico e o ngulo caracteriza essa qualidade do dieltrico, ou seja, quanto menor o seu valor, menor
so suas perdas, maior ser o efeito capacitivo e menor o defasamento entre tenso e corrente em um capacitor.
A Tabela 3.3 mostra o fator de perdas de alguns materiais na freqncia de 1 kHz a 25
o
C.

Tabela 3.3: Fator de perdas de alguns materiais.
Isolante tg Isolante tg
PVC 0,06 EPR 0,007
porcelanas 0,04 polietileno 0,003
papel 0,02 Mica 0,002

Quando a densidade de campo eltrico em condutores energizados a alta tenso e imersos no ar excedem um
determinado valor, surgem regies com partculas de ar ligeiramente ionizadas ao redor dos condutores, o que cria
condies para a promoo de pequenas descargas eltricas do condutor para o ar. Estas descargas constituem-se no
chamado efeito Corona (Figura 3.4-a), sendo ento um fenmeno relativamente comum em linhas de transmisso e
subestaes devido s altas tenses necessrias ao transporte de grandes quantidades de energia eltrica.
Alm do nvel de tenso aplicada (CA ou CC), o efeito Corona influenciado pelas condies do ar (umidade,
temperatura, presso e poluio) e pelo formato do condutor empregado devido ao chamado efeito das pontas, pois o
campo eltrico se intensifica em regies com formas retas ou pontiagudas de um condutor energizado (Figura 3.4-b).
O efeito Corona tem como produtos a transformao de energia eltrica em emisses luminosas de cor violeta
plida devido formao de gs oznio, emisso de radiao em rdio-frequncias, alm de rudo audvel devido a
vibraes no condutor. Desse modo, este efeito representa perdas e necessita ser mitigado o mximo possvel.
Assim, as perdas resultantes da ocorrncia de corona em sistemas de alta tenso obrigam os projetistas desses
sistemas a tomar cuidados especiais no espaamento entre barramentos e cabos, dimensionamento de chaves de alta
tenso e aumento dos raios de curvatura dos cabos na passagem pelas ferragens das torres de sustentao (postes e
linhas). Alm disso, comum o emprego dos chamados atenuadores de efeito Corona para mitigar o efeito das pontas,
que consistem de condutores em formato circular (Figura 3.4-c), projetados para aumentar a uniformidade do campo
eltrico em volta de barramentos, isoladores (Figura 3.4-d), ancoragens e sutentaes energizadas.














Figura 3.3: ngulo de perdas ().
I
C
V
C I
C
ideal
I
C
V
C

90 -
alta
tenso
campo
eltrico
Figura 3.4: (a) Visualizao de efeito Corona em linha de transmisso; (b) esquematizao do efeito das
pontas e produo de descarga corona; (c) atenuadores anti-corona; (d) isolador com anel anti-corona.
(a) (b) (c) (d)
decarga corona
anel
anti-corona
CAPTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes
42
3.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS ISOLANTES

Como mencionado, os materiais isolantes encontram emprego em Eletrotcnica para desempenhar amplas fun-
es, tais como isolamento eltrico, fabricao de capacitores e proteo mecnica contra esforos. O termo isolante
geralmente conferido aos materiais empregados na funo de isolao eltrica e o termo dieltrico designado para o
material isolante aplicado em estudos e aplicaes de efeitos capacitivos, tais como capacitores.

3.2.1) MATERIAIS ISOLANTES E DIELTRICOS

Os materiais isolantes e dieltricos se diferenciam em diversas propriedade e caractersticas, tais como rigidez,
permissividade, dureza, elasticidade, fator de perdas, etc., e podem ser encontrados nos trs estados fsicos da matria.
A seguir so apresentados alguns destes materiais de aplicao mais comum em componentes e sistemas eltricos:
Isolantes gasosos: o ar, por ter custo nulo, amplamente aproveitado como isolante em redes de transmisso e
distribuio. Outro exemplo o hexafluoreto de enxofre (SF
6
), gs de altssima rigidez dieltrica, sendo usado na
construo de cabos subterrneos e em isolamentos de disjuntores de potncia em subestaes abrigadas.
Fibras naturais: so materiais baratos e de grande flexibilidade, porm de elevada higroscopia, sendo usados em
suportes isolantes, revestimento de cabos e capacitores. Exemplos: papel, algodo e seda impregnados com leos.
Cermicas: materiais de elevada constante e rigidez dieltricas, so usados em isoladores em todas as tenses e em
capacitores de baixa e alta tenso. Exemplos: xido de alumnio, titanato de brio, porcelana e esteatite.
Resinas plsticas: so de boa rigidez, baixo fator de perda, no higroscpicos e resistentes ao calor. Empregos:
revestimento de fios e cabos, encapsulamentos, capacitores, peas isolantes e ncleos de bobinas. Materiais: XLPE
(polietileno reticulado), polister, polistireno, PVC (cloreto de polivinila), teflon, araldite, baquelite etc.
Dieltricos lquidos: so leos isolantes (exemplos: leos minerais e de silicone, Askarel, etc.) e geralmente atuam
em duas funes: refrigerao e isolao. O efeito refrigerante consiste em retirar o calor gerado por efeito Joule
internamente a um equipamento e transferi-lo aos radiadores de calor, mantendo admissveis os nveis de aqueci-
mento do equipamento. So usados em transformadores e disjuntores a leo (isolamento entre terminais e enrola-
mentos). Outros usos: impregnar papis usados como dieltricos em capacitores (capacitores a leo).
Tintas e vernizes: so compostos qumicos de resinas sintticas (exemplos: Alkanex, Formex, Permafil, etc.). Tem
importante emprego na tecnologia de isolao de componentes eletrnicos, tais como: esmaltao de fios e cabos
condutores, isolao de laminados ferromagnticos, circuitos impressos, proteo geral de superfcies, etc.
Borrachas sintticas: so materiais elsticos, de boa resistncia a agentes qumicos e elevada rigidez dieltrica.
So usadas como capa externa protetora de cabos e em isoladores polimricos. Exemplos: silicone, neoprene, EPR
(etileno-propileno), EPDM (etileno propileno dieno monmero) e borracha butlica.
Mica: material mineral cristalino de alta rigidez dieltrica e baixo fator de perdas. usada como dieltrico em
capacitores e como isolante nas ligaes entre transistores de alta potncia e dissipadores trmicos.
Vidros: apresentam elevada rigidez e estabilidade umidade. Emprego: isoladores em redes de transmisso.
Outros: xido de tntalo e mylar (dieltricos em capacitores), madeira (cruzetas em postes de distribuio), etc.

3.2.2) ISOLAMENTOS E ISOLADORES

Componentes energizados (conhecidos como partes vivas) de circuitos eltricos em geral (instalaes tipo
industriais, comerciais e residenciais, sistemas de transmisso e distribuio, subestaes, etc.) representam perigo
segurana de pessoas e patrimnio, necessitando ento estarem suspensos eletricamente do meio que os cerca, papel
este desempenhado por diversos tipos de revestimentos e dispositivos isolantes empregados nos circuitos.
Isolamento o termo geral para revestimentos empregados como capas protetoras para isolar eletricamente
partes energizadas, bem como dotar estas de resistncia a alguns problemas, tais como: perdas, choques eltricos,
corroso por oxidao ou dissoluo, abraso, inflamabilidade, umidade e fungos (exemplos na Figura 3.5).
A espessura de isolamento simples de um fio ou cabo dimensionada obedecendo a condio de que o campo
eltrico na superfcie do isolamento seja nulo. A equao para o clculo dessa espessura dada por (figura 3.5-a):
( ) ( )
max max
exp / 1 d a V a E ( =

(3.4)
onde: a (mm) o raio do fio condutor, d (mm) a espessura do material isolante (Figura 3.5-a), V
max
(V) a tenso
mxima de trabalho do fio e E
max
(V/mm) a rigidez dieltrica do material isolante empregado.
Em geral, o isolamento de fios e cabos so classificam-se, segundo sua natureza, em:
Isolamento estratificado: composto de camadas isolantes geralmente impregnados, utilizados para isolao acima
de 1000 V. Exemplos: papel impregnado com leo e com interstcios ocupados com gs sob presso (gas filled).
Isolamento slido: usados em todos os nveis de tenso e compreende os materiais orgnicos naturais e polmeros,
alm de amianto, cermicas, teflon, naylon e ebonite para aplicaes especiais. Os polmeros se dividem em:
Termoplsticos: caracterizam-se por mudana de estado com a temperatura (quando queimados, se derretem).
Mxima temperatura de trabalho: 170
o
C. Exemplos: polistireno, polietileno, PVC, naylon, etc.
CAPTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes
43
Termofixos: so mais resistentes e carbonizam-se quando queimados, mas tornam-se quebradios com o tempo.
Temperatura mxima de trabalho: 250
o
C. Exemplos: borracha butlica, EPR, XLPE, neoprene, etc.
Alguns cabos para aplicaes especiais apresentam uma capa com ao protetora contra agentes qumicos ex-
ternos, microorganismos, raios solares, etc.), que pode ser de PVC ou chumbo. Em cabos de alta tenso so usados
ainda uma complementao diltrica, que visa aumentar sua rigidez dieltrica devido aos elevados campos eltricos.













Isoladores so dispositivos empregados como suporte isolante eltrico para o guiamento de fios e cabos em
instalaes eltricas de baixa a alta tenso, bem como para barramentos, conexes diversas e chaves em geral.
Os isoladores so especialmente construdos para assegurar um isolamento eltrico adequado e apresentar boas
caractersiticas mecnicas, devendo ainda ser capazes de fazer o mximo uso do poder isolante do ar que os envolve.
Com estes propsitos, so ento projetados de forma a apresentar contornos fsicos o mais longo possvel, de modo a
assegurar uma distribuio balanceada de potenciais e minimizar a acumulao de linhas campo eltrico, objetivando
impedir o rompimento da isolao por arcos eltricos em sua estrutura (perfurao) ou pelo ar (descarga externa).
Alm disso, como a presena de poros e fissuras facilita o acmulo de sujeira (p, fuligem, sal, etc.) e gua, o
que possibilita o surgimento de correntes de fuga, os isoladores normalmente apresentam uma superfcie altamente
polida ou vitrificada, com a finalidade de diminuir a possibilidade de um curto-circuito por sua superfcie.
Adicionalmente, os isoladores devem apresentar tambm elevada dureza e tenacidade devido s solicitaes
mecnicas a que esto sujeitos (foras sobre eixo de fixao ou apoio), que lhe so transmitidos devido ao prprio
peso dos cabos, presso dos ventos sobre os cabos e a atos de vandalismo.
Os isoladores apresentam diversas especificaes, dentre as quais pode-se citar (Figura 3.6):
Material do corpo isolante: porcelana (argila, quartzo, alumina, etc.), vidro temperado e compsitos polimricos
(EPDM, EPR, silicone, plsticos, etc.), podendo estes ltimos ser construdos sob um basto rgido isolante.
Tipo da pea isolante: podem ser construdos em uma nica pea, chamados tipo monocorpo ou de barra longa,
cujo comprimento determina o nvel de isolamento desejado, ou em diverdas peas tipo disco, denominados tipo
multicorpo, que permitem a conexo entre si em longas cadeias para se adequar ao nvel de isolamento desejado.
Tipo de apoio: diferem pelo tipo de fixao na estrutura de apoio, feito basicamente de 3 maneiras:
Isoladores de pino: contm em seu interior um furo rosqueado para permitir a introduo de um pino de ao com
cabea de chumbo filetada, sobre o qual se atarracha o isolador estrutura por arruela e porca.
Isoladores tipo pilar: so construdos em uma nica pea ou conter um ncleo de material isolante mais rgido,
com base metlica fixa de altra resistncia mecnica, que acoplada estrutura por arruela e porca.
Isoladores de suspenso: so essencialmente do tipo multicorpo, para permitir grande flexibilidade ao vento do
conjunto. Alm do corpo isolante (normalmente vidro ou porcelana), estes isoladores apresentam ferragens em
seu eixo para o engate entre peas, de modo a propciar boa resistncia trao. So o tipo de maior importncia
para redes de transmisso de energia eltrica, pois ajustam-se facilmente s condies de servio impostas.
Caractersticas mecnicas: carga mxima de trabalho, resistncia ao impacto e resistncia aos choques trmicos.
Caractersticas eltricas: tenses disruptivas, tenso de perfurao, tenso de radio-interferncia e corona, etc.












(a) (b) (c) (d)
Figura 3.6: (a) Isoladores cermicos; (b) isoladores de vidro; (c) isoladores polimricos; (d) cadeia de isoladores.
tipo
pino
tipo
pilar
tipo
disco
a
d
condutor
isolante
eletroduto
caixa de
passagem
condutores
isolados
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 3.5: Aplicaes de revestimentos isolantes: (a) dimensionamento de capa isolante simples; (b) instalao
eltrica; (c) cobertura de conjunto plug-tomada; (d) fita isolante; (e) luvas protetoras (borracha e couro).
CAPTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes
44
3.2.3) CAPACITORES

Capacitores so dispositivos largamente empregados em circuitos eltricos e eletrnicos para desempenhar
diversas funes, tais como: circuitos de armazenamento de energia, circuitos tanque ressonantes (sintonizadores),
atenuadores, filtros, circuitos de acoplamento com bloqueio de corrente contnua, partida de motores, desacopladores,
elementos de correo de fator de potncia, defasadores, supressores de transitrios, divisores de tenso capacitivos,
conformadores de onda e temporizadores em osciladores (aproveitamento da constante de tempo RC).
Como visto anteriormente, capacitores (smbolos esquemticos na Figura 3.7-a) so dispositivos construdos
especificamente para aproveitar a capacidade de um conjunto de superfcies condutoras isolados entre si por um meio
dieltrico, em armazenar energia na forma de campo eltrico em decorrncia da reteno de cargas eltricas nestas
superfcies, sendo a capacitncia obtida pelo conjunto a medida desta capacidade de armazenamento.
Como tambm visto anteriormente, a induo de cargas eltricas depende do acoplamento entre as superfcies
condutoras e da capacidade de polarizao do dieltrico empregado, no sentido de que, quanto mais prximas e maior
a rea das superfcies e da permissividade do dieltrico, maior ser a capacitncia conseguida pelo conjunto. Assim,
para um capacitor simples constitudo por duas placas paralelas (Figura 3.7-b), a capacitncia ser dada por:

A
C
d
= (3.5)
Os capacitores apresentam diversas especificaes fsicas e tcnicas, dentre as quais pode-se citar:
Capacitncia nominal: expresso em Farads (F), pode variar de picofarads (pF) at centenas de milifarads (mF).
Tipo: so especificaes de natureza fsica do capacitor, sendo as mais comuns:
Dieltrico empregado: gs (ar, SF
6
), cermicas (xido de alumnio, porcelana, mica), leos, papel impregnado,
xido de tntalo, fibra de vidro, plsticos (polister, mylar), etc.
Natureza da capacitor: podem ser fixos, variveis e ajustveis. Nos fixos, o valor nominal determinado pelo
fabricante. Nos variveis e ajustveis, a capacitncia necessria obtida variando-se por rotao o acoplamento
e a distncia entre as placas, para o ajuste de algum parmetro desejvel do circuito. Os variveis (Figura 3.7-c)
so usados onde necessrio a fixao contnua do valor da capacitncia. Os ajustveis, conhecidos como
trimmers (Figura 3.7-d) so empregados para a fixao de um nico ponto de funcionamento do circuito.
Formato: podem ser de placas paralelas, disco, cilindros concntricos, espiral, etc.
Polarizao: os no polarizados (mica, cermico, polister, etc) independem de como so ligados no circuito, e
os polarizados (eletrolticos) possuem sinais (+/) para seus terminais, que devem ser respeitados.
Tenso nominal ou de trabalho: o valor mximo da tenso eficaz suportada continuamente pelo dieltrico, acima
do qual pode ocorrer elevada absoro dieltrica e o risco de carbonizao por centelhamento ou descarga.
Tolerncia: expressa o erro mximo encontrado no valor da capacitncia nominal.
Classe de perdas: os capacitores so classificados em de baixa perda e alta estabilidade (mica, vidro, cermicos,
polistireno), mdia perda (papel, plsticos) e de perdas altas e altos valores (eletrolticos).













As especificaes so indicadas pelo fabricante em catlogos tcnicos e o valor da capacitncia, tolerncia e
tenso nominal podem vir impressos no corpo do capacitor. A tolerncia pode estar expressa de forma direta ou na
atravs de um cdigo com letras maisculas: F = 1%, H = 2,5%, J = 5%, K = 10% e M = 20%. A capacitncia pode
estar expressa diretamente (exemplo: 0.01 nF / 5 % / 600 V) ou de diversas formas, dentre as quais pode-se citar:
Especificao em picofarads (pF): exemplo: 5,6 J = 5,6 pF / 5 % ; .22 K = 0,22 nF = 220 pF / 10%.
Especificao em microfarads (F): apresenta tambm a tenso nominal. Exemplo: .01 250V = 0,01 F / 250 V.
Especificao com algarismos em picofarads (pF): emprega um cdigo com trs nmeros XYZ, onde XY forma a
dezena e Z a potncia de 10, tal que: XY x 10
Z
pF. Exemplo: 474 = 47 x 10
4
pF = 470 x 10
-9
F = 470 nF.
Especificao em picofarads (pF) com a letra K simbolizando vezes 10
3
e como posio de vrgula na dezena.
Exemplos: 10K = 10 x 10
3
pF = 10 nF ; 4K7 = 4,7 x 10
3
pF = 4,7 nF.
O antigo cdigo dos capacitores de polister constitudo de cinco faixas de cores X-Y-Z-T-M (do topo para os
terminais), onde l-se: XY x 10
Z
pF (cdigo de cores igual ao dos resistores - Tabela 2.2), T = tolerncia (cdigo:
preto = 20%, branco = 10%) e M = tenso nominal (vermelho = 250 V, amarelo = 400 V, azul = 630 V).
C
C

A
d
(a) (b) (c) (d)
Figura 3.7: (a) Smbolos esquemticos do capacitor; (b) esquema de um capacitor de placas paralelas;
(c) aparncia de um antigo capacitor varivel a dieltrico ar; (d) aparncias de trimmers capacitivos.
CAPTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes
45
Capacitores comerciais so frequentemente denominados de acordo com o material empregado como dieltrico
e apresentam diversos formatos de encapsulamento (Figura 3.8), sendo os mais comuns listados a seguir:
a) Capacitores de polister metalizado: so construdos por duas lminas de alumnio isoladas por tiras de polister e
enrolados sobre si mesmos. Apresentam baixo fator de perdas, insensibilidade umidade e grande estabilidade,
sendo usados em circuitos de baixa e alta freqncia. Valores entre 1 nF e 10 F e tenses nominais at 500 V.
b) Capacitores eletrolticos: consistem basicamente de uma folha metlica de alumnio (placa positiva), coberta por
uma fina camada de xido de alumnio depositado por eletrlise, que por sua vez est em contato com uma folha
de papel impregnada por um eletrlito lquido ou uma pasta, sendo esta ltima solidria a outra folha metlica
(placa negativa). Apresentam capacitncia entre alguns microfarads a 10 mF com tenses de trabalho at 600 V,
sendo ento usados onde uma grande capacitncia se faz necessria. Apresentam fator de perda aprecivel. Podem
ser polarizados (indicao no corpo) e, neste caso, so utilizados em circuitos nos quais a componente contnua
bem superior componente alternada (por exemplo, em retificadores) ou em circuitos de corrente contnua pura.
c) Capacitores cermicos: so fabricados normalmente na forma de disco ou basto, possuindo altssima constante
dieltrica. Possuem valor de 1 pF a 0,5 F e podem atingir tenses de trabalho de at 10 KV. Apresentam fator de
perdas pequeno (< 10
-4
) em freqncias elevadas. Os trimmers cermicos so obtidos nos valores de 1 a 45 pF.
d) Capacitor de Mica: constitudo de camadas alternadas de mica e metal prensadas. Apresenta capacitncia da ordem
de picofaradas, alta tenso de trabalho e indutncia reduzida. Apresenta tambm fator de perdas baixo em altas
freqncias, sendo por isso bastante utilizado em circuitos de freqncia elevada.
e) Capacitores a leo: usa como dieltrico papel impregnado de leo mineral ou sinttico. Podem atingir at 30 F.
Possuem boas caractersticas, desempenho e vida til longa. So aplicados em circuitos de baixas freqncias.
f) Capacitores de tntalo: so compactos, de baixa tenso e apresentam capacitncias at 100 F.
g) Capacitores de polipropileno: apresentam baixa perda, alta tenso e resistente a avarias. Fabricado em picofarads.
h) Capacitores de poliestireno: apresentam geralmente capacitncia na escala de picofarads.




















3.2.4) ELETRETOS E PIEZOELETRICIDADE

Os chamados eletretos so materiais dieltricos capazes de manter uma carga eltrica esttica em sua estrutura
por um longo perodo de tempo sem sofrer decaimento, comportando-se ento como se estivessem permanentemente
eletrizados e emitindo campo eltrico. So fabricados por injeo de eltrons em certos dieltricos que apresentam
armadilhas para estes (exemplos: teflon e mylar), conseguindo-se eletretos de grande estabilidade (meia-vida longa).
Devido a esta capacidade de absoro de carga, os eletretos so usados como transdutores eletromecnicos em
diversas aplicaes tecnolgicas, tais como microfones, detetores de ultra- som, xerografia e dosimetria.
Por exemplo, os chamados microfones de eletreto (Figura 3.9) so transdutores eletro-acsticos constituidos
por uma placa metlica fixa a pequena distncia de uma folha de eletreto metalizada, se assemelhando a um capacitor
de placas paralelas permanentemente carregado devido induo pelo eletreto de carga eltrica na folha metalizada e
na placa metlica. Um sinal de udio (som) incidente por uma abertura no topo da capsula causa uma vibrao na
folha de eletreto em relao placa metlica, o que altera dinamicamente a distncia entre as mesmas e, portanto,
altera a tenso do efeito capacitivo (V = Q/C = Q d/ A), convertendo ento o sinal de udio em tenso, que por sua
vez injetado em um transistor de efeito de campo (FET) para pr-amplificao. Estes microfones caracterizam-se
por serem pequenos, baratos, bastante sensveis e possuir uma larga faixa de resposta em frequncia (30 Hz a 30 kHz),
sendo ento largamente empregados em celulares, laptops, gravadores de voz, etc. Podem apresentar 2 ou 3 terminais,
so polarizados (+/) e requerem uma fonte de tenso externa para o funcionamento do FET (mnimo 2 V).
Figura 3.8: Aparncia de alguns capacitores: (a) poliester; (b) eletrolticos; (c) cermicos; (d) mica;
(e) a leo; (f) tntalo; (g) polipropileno; (h) poliestireno; (i) policarbonato; (j) capacitores de potncia.
(b)
(e)
(f)
(h)
(a)
(c)
(j)
(i)
(d)
(g)
CAPTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes
46










Certos cristais isolantes polares (quartzo monocristalino, titanato de brio, titanato de chumbo, etc.) exibem um
efeito denominado eletroestrico, que consiste na gerao de uma diferena de potencial eltrico entre as duas faces
do cristal submetido a uma presso, trao ou toro, ocasionada devido ao deslocamento dos dipolos eltricos em
relao s suas posies normais (Figura 3.10-b). Este fenmeno conhecido como efeito piezoeltrico (do grego
piezo, que significa presso) e reversvel (a ddp desaparece na retirada dos esforos). O efeito reverso tambm
ocorre, isto , quando um cristal piezoeltrico submetido a uma tenso eltrica entre suas faces, o mesmo se deforma
elasticamente e gera com isso uma presso mecnica na direo do campo eltrico aplicado (Figura 3.10-c).
Essa capacidade dos cristais piezoeltricos em converter energia mecnica em eltrica, e vice-versa, consiste
ento em um transdutor eletromecnico, sendo largamente aproveitados em medidores de presso (Figura 3.10-d),
osciladores a cristal (Figura 3.10-e), microfones, isqueiros, acendedores de fogo, fones auriculares, acelermetros,
sensores (transmisso/recepo) ultrassnicos para captao de vibraes e deteco de imperfeies em slidos, etc.
O chamado oscilador de cristal um circuito eletrnico que utiliza a ressonncia de um cristal piezo (quartzo),
para criar um sinal eltrico com uma frequncia bastante precisa e comumente usada para medir com mais exatido o
tempo em microcontroladores, relgios, bem como para estabilizar frequncias de transmissores de rdio.
O chamado microfone de cristal consiste basicamente de uma placa de material piezoeltrico entre duas placas
metlicas (Figura 3.10-f), onde a presso das ondas sonoras provocam vibraes no cristal por meio de um diafragma,
o que se traduz em uma tenso de udio de sada, sendo um transdutor ativo por produzir uma tenso por si mesmo.












3.3) EXERCCIOS PROPOSTOS

Problema 1: Deseja-se isolar para 20 kV um cabo com 1 cm de dimetro, empregando um material isolante de rigidez
dieltrica 10 V/m. Determine a espessura limite do isolamento. Explique se o limite mnimo ou mximo.

Problema 2: A figura ao lado mostra um circuito CC em regime permanente, contendo um
capacitor inicialmente com certo dieltrico de constante dieltrica maior que do ar. Retirado o
dieltrico do capacitor, explique o que acontecer com a carga, a capacitncia e a tenso no
capacitor em regime permanente se: (a) a chave k mantida fechada durante a retirada do
dieltrico e (b) se a chave k aberta antes da retirada do dieltrico slido.

Problema 3: Dispe-se de dois dieltricos 1 e 2 para construir um capacitor de placas paralelas com 25 cm
2
de rea,
que dever apresentar capacitncia de 2 nF e suportar pelo menos uma ddp de 500 V em seus terminais. Sabe-se que a
rigidez dieltrica dos materiais 1 e 2 so 16 kV/mm e 10 kV/mm, respectivamente, e as permissividades relativas so
2,5 e 5, respectivamente. Determine se um dos dieltricos pode ser empregado para a construo do capacitor.

Problema 4: A afirmao o emprego de um material isolante de maior rigidez dieltrica aumenta a capacitncia de
um capacitor de iguais dimenses correta? Explique.

V C
k
R
FET
placa
metlica
folha de
eletreto com
cobertura
metlica
cobertura porosa
terminais
capsula
Figura 3.9: Microfone de eletreto: (a) esquema construtivo; (b) smbolos; (c) aprncias.
(a) (b) (c)
(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h)
V
F
V
F
Figura 3.10: (a) Cristal piezo no tensionado; (b) efeito piezoeltrico; (c) efeito piezoeltrico reverso; (d) transdutor
de fora; (e) oscilador de cristal; microfone de cristal: (f) esquema de funcionamento, (g) aparncia; (h) smbolo.
dipolo eltrico
sinal de
udio
tenso
de udio
diafragma

47
CAPTULO 4: MATERIAIS E DISPOSITIVOS MAGNTICOS

Diferentemente dos condutores, semicondutores e isolantes, que apresentam qualidades desejveis perante a
campos eltricos, os materiais ditos magnticos devem sua aplicao em Eletrotcnica a comportamentos favorveis
para interagir com campos magnticos e permitir o acoplamento magntico entre circuitos, essenciais na gerao e
aproveitamento da corrente eltrica, bem como na viabilizao de diversos tipos de sistemas e equipamentos eletro-
mecnicos que contam com efeitos magnticos em seus componentes para o seu funcionamento.
O objetivo deste captulo consiste, ento, em conhecer alguns aspectos destes materiais e seus dispositivos.


4.1) FENMENENOS MAGNTICOS

A capacidade de reao de um meio material quando mergulhado em um campo magntico aplicado, bem como
o efeito da interao entre circuitos por acoplamento magntico resumem os chamado fenmenos magnticos.

4.1.1) POLARIZAO MAGNTICA

Sabe-se que campos magnticos de orientaes contrrias tendem a se repelir mutuamente e que toda carga
eltrica executando um movimento produz campo magntico. Sabe-se tambm que os tomos e molculas esto em
constante estado de agitao trmica e que seus eltrons executam dois tipos de movimento eletrnico: orbital e spin.
A natureza magntica dos materiais depende de propriedades inerentes de sua estrutura atmica e reside em trs
fenmenos que descrevem a forma com que se deixam polarizar perante a linhas de fluxo de campo magntico:
Diamagnetismo: o movimento angular dos eltrons em torno do ncleo (movimento orbital) confere um carter
magntico aos tomos e quando um material submetido a um campo magntico, a fora magntica deste campo
afeta a propriedade magntica dos tomos ao se opor ao movimento orbital dos eltrons. Como conseqncia, o
campo magntico repelido pelos tomos do material, propriedade conhecida como diamagnetismo, comum ento
a todos os materiais. Esta repulso diamagntica bastante fraca devido constante agitao trmica dos tomos
em direes caticas, de modo as propriedades magnticas dos tomos tenderem a se neutralizar mutuamente.
Paramagnetismo: de modo similar, o momento angular dos eltrons em torno do seu eixo (spin) fazem com que
cada eltron atue ento como um diminuto im, que tendem em cada nvel de energia a formar pares girando em
direes opostas (spins emparelhados). Os eltrons presentes nos tomos podem, desse modo, ser divididos em
dois grupos de spins contrrios. Logo, o carter magntico de um tomo, como um todo, est associado a ambos os
movimentos eletrnicos (orbital e spin). A presena de desequilbrios entre os efeitos orbital e spin, cujo resultado
excede a repulso do diamagnetismo, faz com que os tomos se comportem como diminutos ms permanentes,
que tendem a se polarizar no sentido das linhas de fluxo de um campo magntico aplicado, facilitano ento a circu-
lao desta linhas pelo meio. A propriedade de um material exibir esta capacidade denominada paramagnetismo,
que tambm se mostra bastante fraca devido agitao trmica dos tomos, podendo vir o material a apresentar
um efeito polarizao magntica praticamente nulo e tornando-o indiferente ao campo magntico aplicado.
Ferromagnetismo: como mencionado, a estrutura atmica da matria apresenta eltrons com spins emparelhados.
Certos materiais, no entanto, apresentam um desequilbrio entre os grupos de eltrons de spins contrrios em seus
tomos, devido a presena de nveis de energia com spins incompletos causado por nmeros mpares de eltrons.
Como consequncia, este desequilbrio resulta em tomos magneticamente polarizados que se comportam como
minsculos ms permanentes, cujo efeito se estende a toda uma diminuta regio denominada domnio magntico
devido concateno dos tomos do material e onde observa-se ento um vetor-campo de orientao magntica
resultante denominado dipolo magntico (Figura 4.1-a), vindo os materiais a exibirem a propriedade denominada
ferromagnetismo. Neste caso, a concatenao de efeitos magnticos em regies do material resulta em vetores-
campo pouco sensveis agitao trmica e uma estrutura atmica com grande quantidade de dipolos magnticos
naturais que confere ao material uma capacidade de reao intensa a campos magnticos aplicados.
A orientao dos domnios magnticos normalmente se estabelece de forma totalmente aleatoria pelo material e
seus efeitos tendem a se anular mutamente. Porm, quando expostos ao de um campo magntico, um elevado
nmero de domnios podem ter seus dipolos facilmente rearranjados (polarizados) no sentido das linhas de fluxo
do campo aplicado (Figura 4.1-b). Um material que exibe o ferromagnetismo constitui-se ento em um caminho
permevel a um campo magntico, ao atrair (ou ser atrado) fortemente as linhas de fluxo deste campo.
Alm disso, quanto maior a intensidade do campo magntico aplicado, maior a fora aplicada aos dipolos do
material e maior o nmero de domnios orientados. Esta capacidade de polarizao apresenta ento um limite,
quando todos os dipolos se encontram orientados (Figura 4.1-c) e o material exibe a chamada saturao magntica.
Contudo, com a retirada do campo magntico, alguns dipolos podem no retornar sua orientao original, isto ,
resta uma magnetizao remanescente, quando diz-se que ocorreu uma imantao no material (Figura 4.1-d). Esta
remanescncia magntica representa atrasos na reorientao dos dipolos e resulta em um efeito chamado histerese.
CAPTULO 4: Materiais e dispositivos magnticos
48













4.1.2) PERMEABILIDADE MAGNTICA E CLASSIFICAO DOS MATERIAIS

A propriedade que expressa a maior ou menor capacidade de polarizao da estrutura atmica de um material
na direo das linhas de um fluxo de campo magntico aplicado, de modo a se deixar atravessar por estas linhas,
denominada permeabilidade magntica (unidade: H/m, H = Henry) do material.
O vcuo, sendo ausncia de matria, considerado o meio material ideal por no interagir a campos magnticos
aplicados, sendo sua permeabilidade (
o
) uma constante universal, dada por:
o
= 4 x 10
-7
H/m. A permeabilidade do
vcuo pode ento ser utilizada como referncia para expressar o comportamento magntico dos materiais em geral,
por meio de um parmetro denominado permeabilidade relativa
r
(adimensional), definida por:

o
r

= (4.1)
onde a permeabilidade magntica do meio material em estudo.
A permeabilidade magntica tem, assim, conceito similar condutividade eltrica, originando-se o conceito de
circuito magntico, sendo a relutividade a propriedade que expressa o comportamento oposto (similar resistividade)
e a relutncia a oposico de um corpo material ao fluxo de campo magntico (similar resistncia eltrica).
Conforme visto anteriormente, quando imersos em um fluxo de campo magntico, verifica-se que os materiais
apresentam basicamente quatro tipos de reaes, o que define sua classificao magntica:
1) Indiferente: o material praticamente no exerce ao sobre as linhas de fluxo magntico que o intercepta, sendo sua
permeabilidade considerada referncia e igual ao do vcuo (
r
= 1). Exemplos: ar, cobre, madeira, etc.
2) Diamagntico: o material afasta ligeiramente as linhas de fluxo magntico que o intercepta devido ao predomnio
de seu diamagnetismo natural. A permeabilidade magntica destes materiais , portanto, ligeiramente menor que
do vcuo (
r
< 1). Exemplos: prata (
r
= 1 20 x 10
6
), zinco (
r
= 1 10 x 10
6
), etc.
3) Paramagntico: o material fracamente atrado pelas linhas de campo magntico aplicado devido ao comporta-
mento de dipolo magntico de seus tomos. Apresenta ento permeabilidade ligeiramente maior que
o
(
r
> 1).
Exemplos: alumnio (
r
= 1 + 22 x 10
6
), platina (
r
= 1 + 33 x 10
5
), etc.
4) Ferromagntico: o material fortemente atrado pelo campo magntico devido presena de domnios magnticos
naturais, que se orientam de forma intensa no sentido das linhas de fluxo. Apresenta ento permeabilidade muito
superior a
o
(
r
>> 1). O termo ferromagntico vem do fato do ferro ser, por excelncia, o principal material para
aplicaes magnticas. Como visto, estes materiais caracterizam-se tambm por apresentar saturao e reteno
magnticas. Exemplos: ferro fundido (
r
= 800), nquel (
r
= 50), cobalto (
r
= 60), etc.

4.1.3) MAGNETIZAO

O fenmeno da resposta de um matrial como meio de propagao de campos magnticos externos aplicados
denominado magnetizao. Este comportamento usualmente expresso pela relao entre a densidade de linhas de
campo magntico B (Wb/m
2
= T, Wb = Webers, T = Tesla), que flui pelo material em resposta a um campo magntico
aplicado de intensidade H (A/m) atravs da permeabilidade magntica do meio material, ou seja:
B H = (4.2)
Como medida da magnetizao, a equao (4.2) mostra ento que a quantidade de linhas de fluxo magntico
que um material se deixa atravessar (B) proporcional intensidade do campo magntico (H) aplicado de acordo com
sua permeabilidade magntica (), ou seja, quanto mais permevel for o material, maior a concentrao de linhas de
campo por este meio. Desse modo, uma forma prtica de expressar o comportamento magntico dos materiais reside
na forma grfica, contemplando a variao da densidade de fluxo no material em funo da intensidade de campo
aplicado (curvas B x H), denominada curva de magnetizao do material (Figura 4.2-a).
Como visto anteriormente, os materiais no-ferromagnticos (diamagnticos, paramagnticos e indiferentes)
praticamente no interagem com o fluxo magntico circulante. Como conseqncia, aumentos na intensidade de um
Figura 4.1: (a) Representao de domnios e diplos magnticos; (b) polarizao parcial na presena de campo
magntico externo; (c) polarizao total do material (saturao); (d) remanescncia magntica (imantao).
(a) (b) (c) (d)
dipolo
magntico
B
domnio
magntico
B
material
ferro-
magntico
CAPTULO 4: Materiais e dispositivos magnticos
49
campo magntico aplicado se reflete de forma fraca e praticamente linear no aumento de linhas de campo pelo meio,
resultando em densidades de campo baixas e ausncia de saturao (Figura 4.2-a). Logo, estes materiais so tambm
conhecidos como meios no-saturveis. Como conseqncia adicional desta fraca reao, o material apresenta uma
densidade de fluxo magntico nulo (B = 0) com a retirada do campo magntico aplicado (H = 0), no apresentando
ento uma remanescncia magntica (Figura 4.2-a). Logo, pode-se concluir que a permeabilidade magntica destes
materiais se mantm constante e independente do campo magntico aplicado (declividade da reta) e, desse modo, a
equao (4.2) pode ser definida em toda a curva de magnetizao do material.
Os materiais ferromagnticos, por sua vez, apresentam uma forte interao com campos magnticos circulantes
devido existncia de domnios magnticos naturais, que se polarizam em grande nmero no sentido das linhas de
fluxo do campo aplicado. Como as dificuldades oferecidas orientao dos domnio so diferentes em intensidade,
ento inicialmente ocorrem baixas densidades de fluxo no material devido a uma certa inrcia na polarizao de seus
dipolos, aumentando porm de forma exponencial a medida que a intensidade do campo magntico se eleva. Como
conseqncia, a densidade de fluxo magntico nestes materiais pode alcanar nveis bastante elevados comparado aos
meios no-ferromagnticos (Figura 4.2-a). Alm disso, como o nmero de domnios magnticos limitado, ento a
intensidade do campo aplicado pode atingir nveis nos quais os domnios se encontram praticamente orientados em
sua totalidade e, desse modo, aumentos de intensidade de campo magntico no mais se refletem na densidade de
fluxo magntico, que se mantm constante (Figura 4.2-a). Esta situao , como mencionado, denominada saturao
e, assim, os materiais ferromagnticos so tambm conhecidos como meios saturveis.
A polarizao magntica confere ento um comportamento no linear curva de magnetizao dos materiais
ferromagnticos (Figura 4.2-a). Assim, conclui-se que a permeabilidade magntica dos meios ferromagnticos varia
em funo da intensidade de campo aplicado e uma medida da permeabilidade destes materiais necessita ser obtida
experimentalmente por meio do levantamento da relao = B/H em todos os pontos de sua curva de magnetizao,
ou seja, a equao (4.2) s pode ser definida pontualmente nesta curva.
A magnetizao dos meios ferromagnticos apresenta ainda um efeito residual. Todo material tende a se opor, a
cada instante, tanto ao crescimento quanto ao decrescimento de um fluxo de campo magntico por sua estrutura e, no
caso de um meio ferromagntico, sua reao retirada do campo ser ento no sentido de manter a orientao de seus
domnios magnticos. Como conseqncia, o material pode no se desmagnetizar completamente (B 0) quando da
retirada do campo externo (H = 0), resultando, como mencionado, em uma magnetizao residual (Br) no material
(Figura 4.2-a). Esta remanescncia magntica, denominada imantao, ser tanto mais pronunciada quanto maior for a
intensidade do campo magntico aplicado, pois maior ser o nmero de domnios que permanecem orientados.
Alm disso, a presena de um resduo de polarizao implica tambm que um campo magntico de intensidade
Hc e sentido oposto ao inicialmente aplicado (H < 0), chamada fora coercitiva, (Figura 4.2-a), deve ser aplicado para
se obter a desmagnetizao do material ou seja, promover o retorno os dipolos de polarizao remanescente s suas
orientaes originais. Como o resduo na proporo do nmero de domnios que permanecem polarizados, ento a
fora coercitiva aumenta na proporo do magnetismo residual, sem, contudo, ser dependente deste.
Os montantes de magnetismo residual e fora coercitiva expressam uma propriedade do material denominada
retentividade magntica, definida ento como a maior ou menor habilidade do material em reter uma magnetizao
permanente quando da retirada do campo externo, ou seja, sua capacidade de se manter imantado.
















Assim, para o caso de um material ferromagntico submetido a um campo magntico alternado de determinada
intensidade, seus dipolos so orientados nos dois sentidos do fluxo magntico e promovem um magnetismo residual e
correspondente fora coercitiva de montantes iguais e sinais contrrios. Como consequncia, o comportamento da
densidade de fluxo magntico no material perfaz um ciclo fechado ao longo do tempo de sua magnetizao alternada.
Como a remanescncia magntica representa um atraso na polarizao de dipolos magnticos no sentido contrrio,
efeito conhecido como histerese, ento a forma grfica deste comportamento cclico da magnetizao dos materiais
ferromagnticos chamada lao ou ciclo de histerese magntica (Figura 4.2-b). Se a intensidade do campo alternado
aplicado for suficientemente elevada, o correspondente ciclo de histerese pode apresentar tambm o efeito saturao
(a) (b)
Figura 4.2: (a) Exemplificao de curvas de magnetizao; (b) ciclos de histerese magntica.
saturao
ciclo de
histerese
B (Wb/m
2
)
H (A/m)
Br
- Hc H (A/m)
B (Wb/m
2
)
meio
ferromantico
meio no
ferromagntico
0
saturao
curva normal de
magnetizao
magnetismo
residual
fora
coercitiva
CAPTULO 4: Materiais e dispositivos magnticos
50
do material (Figura 4.2-b). Alm disso, campos magnticos de intensidades distintas resultam em comportamentos
cclicos distintos e, desse modo, diversos laos de histerese podem ser obtidos, sendo o conjunto de pontos de mxima
densidade de fluxo dos laos chamado curva normal de magnetizao do material (Figura 4.2-b). A rea de um lao
de histerese expressa, portanto, a medida da propriedade retentividade do material.
A remanescncia magntica pode tambm ser interpretada como sendo a parte da energia entregue e que no
devolvida ao sistema gerador do campo aplicado, e a fora coercitiva como um gasto de energia deste sistema para
desmagnetizar o material. Logo, a magnetizao residual e sua correspondente fora coercitiva em si representam
gastos para o sistema, denominadas perdas por histerese, sendo ento a rea do ciclo de histerese uma medida destas
perdas (quanto maior a rea, maior as perdas). Assim, em aplicaes como motores e transformadores, onde a eficin-
cia um aspecto fundamental, procura-se ento empregar materiais que apresentam laos de histerese de menor rea
possvel. Contudo, materiais de elevada retentividade magntica, ou seja, fceis de serem magnetizados (elevado
magnetismo residual) e difceis de serem desmagnetizados (elevada fora coercitiva), encontram amplo emprego na
obteno de ms permanentes e dispositivos de armazenamento de informaes (fitas e cartes magnticos, etc.).

4.1.4) EFEITO INDUO MAGNTICA E INDUTNCIA

Como mencionado no Captulo 2, a incidncia em qualquer material de linhas de fluxo magntico () variante
no tempo induz no mesmo uma tenso eltrica tambm variante no tempo, chamada fora eletromotriz (fem), sendo o
fenmeno expresso pela Lei de Faraday (fem = - d/dt) e conhecido como induo magntica ou eletromagntica.
Um fluxo magntico variante no tempo pode ser estabelecido por ms naturais ou artificiais em movimento
(giratrio, linear, etc.), e tambm por tenses variantes no tempo denominados sinais (por exemplo, tenso alternada,
rdio-frequncias, etc), que produzem, como conseqncia, um movimento de cargas (eltrons livres) na forma de
sinais de corrente variantes no tempo e esta, por conseguinte, campos magnticos tambm variantes no tempo.
Assim, para um condutor percorrido por um sinal de corrente, o campo magntico variante no tempo produzido
pode induzir foras eletromotrizes em qualquer dispositivo imerso no campo tal que haja uma concatenao de fluxo
(Figura 4.3-a), inclusive no prprio condutor por onde circula a corrente. Adicionalmente, caso o dispositivo prover
um caminho fechado, ento a fem induz tambm uma corrente em seu interior (Figura 4.3-b). Contudo, devido Lei
de Lenz (sinal negativo da equao de Faraday), a fem induzida, e consequentemente a corrente induzida e seu fluxo
magntico gerado, agem em oposio variao do fluxo magntico que as produziu, ou sejal, se este fluxo aumenta,
uma fem induzida no sentido de se opor a este crescimento e, se houver um caminho fechado, a corrente induzida
produz um fluxo magntico em sentido oposto ao fluxo original (caso apresentado na Figura 4.3-b). Se diminui, uma
uma fem induzida no sentido de evitar esta queda e o fluxo gerado pela corrente induzida tem o mesmo sentido do
fluxo original. Assim, para o caso do prprio condutor, a fem induzida chamada de fora contra-eletromotriz (fcem).
A capacidade de induo de foras eletromotrizes conhecida por indutncia (unidade: Henry), onde chama-se
de indutncia prpria de um dispositivo capacidade de induo de uma fem em si mesmo (fcem), e de indutncia
mtua a capacidade de induo de uma fem em um material prximo ao dispositivo. O efeito indutivo relaciona ento
a corrente eltrica circulante e o fluxo magntico e est, portanto, presente em todos os circuitos eltricos.
A consequncia do fenmeno da induo magntica na magnetizao alternada de materiais ferromagnticos
reside no surgimento de perdas trmicas devido ao fato destes materiais serem basicamente condutores eltricos (com
exceo das chamadas ferrites) e, desse modo, foras eletromotrizes podem ser induzidas em seu interior, o que induz
a circulao de correntes eltricas em seu interior (Figura 4.3-c), que o aquecem por efeito Joule. Estas correntes in-
duzidas no material so chamadas de correntes parasitas ou de Foucault, sendo as perdas associadas denominadas
perdas no ferro ou de Foucault. Um mtodo para mitigar este problema consiste na laminao longitudinalmente
direo do fluxo magntico para obter-se placas ou chapas, que so isoladas eletricamente por um esmalte isolante e
posteriormente agrupadas para formar os chamados ncleos laminados (Figura 4.3-d). Esta medida acarreta em maior
dificuldade para a induo de correntes parasitas devido diminuio do livre caminho de circulao destas correntes
no material (Figura 4.3-c), o que resulta na reduo de seu montante e, desse modo, em seu efeito de perdas.












corrente
parasita
linha de fluxo
magntico
alternado
lminao


corrente induzida
dispositivo prximo

fem
induzida

sinal de
corrente


(a) (b) (c) (d)
ncleo ferro-
magntico
Figura 4.3: (a) Efeito induo magntica; (b) corrente induzida; (c) perdas de Foucault; (d) ncleo laminado.
fluxo
concatenado

CAPTULO 4: Materiais e dispositivos magnticos
51
4.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS MAGNTICOS

As diversas aplicaes do magnetismo em Eletrotcnica fazem uso do fenmeno da induo magntica, o que
pode requerer materiais de elevada permeabilidade para se obter um maior efeito indutivo no prprio condutor ou para
se estabelecer um guiamento de linhas de fluxo mais intenso para o acoplamento magntico entre circuitos. Logo,
dispositivos como indutores, motores, geradores, transformadores, rels, etc., dependem da aplicao destes materiais.

4.2.1) MATERIAIS E LIGAS FERROMAGNTICAS

Como mencionado, os materiais ferromagnticos apresentam grande capacidade de polarizao no sentido do
fluxo de um campo magntico aplicado (
r
>> 1), sendo porisso considerados os mais importantes para aplicaes
magnticas. O exemplo mais antigo de material ferromagntico a chamada magnetita (0
4
Fe
3
).
Estes materiais apresentam comportamento magntico favorvel com a temperatura, com sua permeabilidade
aumentando at temperaturas inferiores a um certo valor denominado Ponto Curie, acima do qual passam a exibir
comportamento paramagntico (exemplos: ferro: 770
o
C; cobalto: 1131
o
C; nquel: 358
o
C). Contudo, a ocorrncia de
regimes de trabalho imprprios submetem os materiais ferromagnticos a temperaturas acima de suas especificaes
de projeto, o que tende a faz-los desenvolver a chamada fadiga magntica, caracterizada por um envelhecimento ao
longo do tempo que reduz sua permeabilidade magntica e aumenta suas perdas por histerese.
O ferromagnetismo raro na matria, sendo os exemplos de substncias que exibem esta propriedade se resu-
mindo ao ferro, que o principal componente para a produo de materiais ferromagnticos usados comercialmente,
alm do cobalto e nquel. O ferro puro, embora apresente perdas por histerese relativamente baixas, tem seu emprego
restrito a circuitos de corrente contnua devido condutividade eltrica elevada, que favorece as perdas de Foucault.
Contudo, com sua laminao e o emprego na forma de ligas para melhorar algumas de suas propriedades, o ferro se
torna apto para aplicaes que envolvam tambm corrente alternada e de sinais. Algumas destas ligas so:
1) Ligas de ferro-silcio: o acrscimo de pequenas quantidades de silcio (at 6,5%), alm de tratamentos trmicos,
confere ao ferro aumentos de resistividade (o que reduz as perdas por correntes parasitas), diminuio de fadiga
magntica e aumento na permeabilidade e intensidade de saturao, mantendo reduzidas as perdas por histerese.
So materiais baratos e largamente empregados como ncleo magntico em motores, transformadores, rels,
geradores, etc., normalmente fabricados sob a forma de chapas isoladas entre si para diminuir correntes parasitas.
O acrscimo de silcio torna o ferro mais quebradio, razo pela qual a porcentagem de silcio limitada. Em
mquinas estticas (transformadores) empregam-se normalmente ncleos com porcentagens mais altas de silcio e
em mquinas rotativas (motores e geradores), porcentagens mais baixas. Uma variao na fabricao destas ligas
refere-se a chapas de ferro-silcio de gro orientado, usadas na tecnologia de ncleos de transformadores para uso
em telefonia, eletrnica e comunicao, e para transformadores monofsicos e trifsicos de elevada potncia.
3) Ligas de ferro-nquel: caracterizam-se por uma elevada permeabilidade (
r
at 100.000) e baixa resistividade. So
empregadas principalmente em telecomunicaes e na fabricao de ncleos para rels, bobinas, transformadores
de rdiofreqncia e blindagens magnticas. Nomes comerciais: Permalloy, Nicalloy, Mumetal etc.
Grupo 1: ligas com at 35 % de nquel. Estas ligas so classificadas em trs grandes grupos:
Grupo 2: ligas com nquel ente 35 % e 50 %. Nomes comerciais: Hypernik, Anhyster, Permalloy-45, Nicalloy, etc.
Caracterizam-se por baixa resistividade e permeabilidades maiores que as ligas do grupo 1.
Grupo 3: ligas constudas por 80% de nquel em mdia. Nomes comerciais: Mumetal (76 Ni, 17 Fe, 5 Cu, 2 Cr),
Permalloy-78 (78,5 % de nquel). Essas ligas possuem elevada permeabilidade (em torno de 100.000).
2) Ligas de ferro-cobalto: apresentam elevado ponto de saturao e alta permeabilidade. Nomes comerciais: Hyperco
e Permendur. Tm particular uso nos ncleos de alto-falantes dinmicos e membranas de cpsulas telefnicas.
4) Ferrites: constituem-se de ncleos compactados e sinterizados, contendo uma mistura de ps, basicamente xido
de ferro (material cermico) com acrscimos diversos de nquel, zinco, mangans, magnsio e silcio, alm de uma
resina aglomerante (polisterol ou goma-laca), que tem a funo de colar os gros do p. Caracterizam por uma
elevada resistividade eltrica (faixa entre 1 e 10
6
m) e com boas caractersticas magnticas. So ento usadas
como ncleos de transformadores e indutores que operam em circuitos de altas freqncias (por exemplo, filtros
de rdio freqncia), devido ao fato das perdas por Foucault se acentuarem quanto maior a freqncia do fluxo
magntico (conseqncia da lei de Faraday). Outros exemplos: ferrites base de nquel-zinco e mangans-zinco.
5) Ligas para ms permanentes: caracterizam-se por apresentar laos de histerese bastante largos (horizontalmente e
verticalmente), que no se alteram sensivelmente perante variaes de temperatura e aes de foras mecnicas.
So fabricadas de modo a apresentar a maioria dos dipolos j orientados em determinado sentido, razo pela qual
apresentam uma imantao inerente. Exemplos: ligas de ao-carbono, Alnico, Ticonal, Vicalloy, etc.

Comentrio: a capacidade dos materiais ferromagnticos em atrair linhas de fluxo magntico pode ser aproveitada na
necessidade de se proteger um dispositivo contra influncias magnticas externas, chamada blindagem magntica,
utilizando-se o princpio da relutncia mnima: quando dois materiais de permeabilidades diferentes apresentam-se
como caminhos para um fluxo magntico, este se dirige para o de maior permeabilidade ou menor relutncia.
CAPTULO 4: Materiais e dispositivos magnticos
52
4.2.2) BOBINAS MAGNTICAS

Na exemplificao de um campo magntico produzido por corrente em um fio condutor dado na Figura 4.3-a,
pode-se observar as linhas de fluxo se distribuem ao longo de seu comprimento. No caso de correntes variantes no
tempo, este espalhamento das linhas de fluxo magntico acarreta em um fraco efeito indutivo no fio, o que ameniza a
induo de foras eletromotrizes indesejveis no mesmo e em circuitos prximos a ele.
No entanto, aplicaes magnticas em geral baseiam seu funcionamento no estabelecimento de campos magn-
ticos intensos para desempenhar sua funo, o que implica ento na diminuio do volume ocupado pelo campo ao
redor do fio de modo a aumentar a densidade de fluxo magntico. Neste caso, o tranado helicoidal de um fio para a
construo da chamada bobina magntica (Figura 4.4-a), permite que as linhas de fluxo magntico se fundem entre si
e passem a concatenar-se com as voltas dadas pelo tranado helicoidal, as chamadas espiras, obtendo-se assim uma
maior concentrao de campo magntico e, no caso de sinais de corrente, a induo de foras contra-eletromotrizes
mais intensas no fio (Figura 4.4-a), resultando assim em um aumento na indutncia prpria do fio.
Bobinas magnticas constituem-se ento de um fio condutor eltrico isolado (normalmente cobre) enrolado em
camada nica ou em vrias camadas, e construdos com a finalidade especfica de armazenar energia eltrica na forma
de campo magntico em seu interior (neste caso tambm chamada eletroim), de modo a executar alguma funo.
Desse modo, bobinas magnticas so os dispositivos que introduzem a grandeza indutncia nos circuitos eltricos,
onde esta recebe o smbolo L e cuja unidade de medida, como mencionado anteriormente, em dado em Henry (H).
Uma bobina pode ter sua capacidade de armazenamento de energia aumentada para uma mesma corrente (i) por
meio da intensificao das linhas de fluxo magntico () devido a um aumento em sua indutncia (equacionalmente:
= L i). Como quanto maior a quantidade de voltas do fio (espiras) maior o fluxo magntico concatenado para a
mesma corrente, ento maior a fora contra-eletromotriz (fcem) induzida na bobina resultante (Figura 4.4-b), ou
seja, a indutncia apresentada por uma bobina aumenta proporcionalmente ao nmero de sua espiras.
Alm disso, uma bobina pode ser construda sem um apoio em seu eixo, chamado ncleo de ar, ou sobre um
ncleo slido de material ferromagntico ou no, que oferece um suporte mecnico para a bobina para o caso de, por
exemplo, o fio ser muito fino. Contudo, o emprego de um ncleo ferromagntico oferece um caminho mais permevel
magneticamente ao fluxo de campo em relao ao ar ou outros materiais, permitindo ento um aumento nas linhas de
fluxo para a mesma corrente, que passam tambm a circular mais junto bobina, resultando assim em um aumento na
densidade de fluxo magntico (Figura 4.4-c) e, por conseguinte, em um aumento adicional na indutncia da bobina
Como linhas de fluxo magntico perfazem um caminho fechado no espao, ento a complementao do circuito
magntico com o emprego de ncleos ferromagnticos em formatos chamados U e I para formar um ncleo no
formato O, fornece um caminho completo e mais permevel magneticamente para as linhas de fluxo, permitindo
ento um aumento nas linhas de fluxo para a mesma corrente e a induo de uma fora contra-eletromotriz ainda mais
intensa na bobina (Figura 4.4-d), o que resulta em um aumento adicional em sua indutncia.
















Em Eletrotcnica, as bobinas magnticas (smbolos esquemticos na Figura 4.5-a) so tambm chamadas de
indutores e choques, no caso de circuitos eltricos em geral (exemplos de aparncias na Figura 4.5-b) e enrolamentos
no caso das chamadas mquinas eltricas. Algumas caractersticas construtivas gerais de bobinas magnticas so:
1) Bobinamento: tipos tubular e panqueca (de uma ou vrias camadas), tipo honeycomb e tipo toroidal.
2) Ncleo: para altas indutncias requeridas, emprega-se material ferromagntico (ferro-silcio, ligas ferromagnticas
em geral e ferrites). Para aplicaes com indutncias menores, pode-se utilizar ncleo de ar ou um material no
ferromagntico (cermica, baquelite, papelo, plstico, etc.) para prover suporte no caso de fios muitos finos.
3) Circuito magntico: tipo aberto (I e U) ou fechado (tipo O). Indutores com ncleo tipo O so chamados reatores.
4) Valor fixo, varivel e ajustvel: nos tipo fixos a indutncia fixada pelo fabricante. Os tipos ajustveis (trimmers
indutivos) consistem de pequenas bobinas que utilizam-se de ncleos cilndricos de ferrite que se deslocam por
Figura 4.4: Aumento do efeito indutivo (indutncia) em um fio: (a) formato de bobina; (b) aumento no nmero
de espiras; (c) acrscimo de ncleo ferromagntico em I; (d) acrscimo de ncleo ferromagntico em U+I = O.
(a) (b) (c) (d)

i

fcem

ncleo
em I

i

fcem

ncleo
em U

i

fcem

i

fcem

espira
sinal de corrente


ar

ar

ar




CAPTULO 4: Materiais e dispositivos magnticos
53
rosqueamento, o que provoca uma mudana na permeabilidade do meio interno da bobina e, conseqentemente, de
sua indutncia. Nos tipos variveis, a alterao da indutncia pode ser tambm conseguida atravs de mltiplos
terminais da bobina, chamados taps, que permitem alteraes no nmero de espiras. Outro tipo varivel consiste
de reatores com ncleos magnticos contendo pequenos intervalos de ar, chamados gaps, onde a indutncia pode
ser ajustada a partir da saturao do meio magntico, quando o fluxo magntico se torna praticamente constante
(a permeabilidade limita-se do ar) e a indutncia L do conjunto passa a variar inversamente com a corrente i na
bobina (eqacionalmente: L =

/

i), sendo porisso denominados reatores saturveis.
Alm de caractersticas construtivas, a indutncia de uma bobina definida tambm pela faixa de freqncia
em que ir atuar. Bobinas com poucas espiras e ncleo de ar ou ferrite so geralmente usadas em circuitos de sinais de
alta freqncia, ou que trabalham com variaes muito rpidas de corrente. Para circuitos com sinais de mdia e baixa
freqncia so utilizadas bobinas com grande nmero de espiras e ncleo de ferrite ou liga ferromagntica laminada.












Como mencionado, uma fem induzida no prprio condutor pelo qual circula uma corrente variante no tempo
(fcem), age em oposio a esta corrente devido Lei de Lenz. Este efeito, interpretado ento como uma resistncia
passagem da corrente, expresso por uma grandeza chamada reatncia indutiva X
L
, dada desse modo em ohms ().
Como quanto maior a frequncia f do sinal de corrente (d/dt) e a indutncia L da bobina, maior a fcem induzida,
ento maior ser a oposio corrente, ou seja, a reatncia indutiva X
L
depende diretamente da indutncia prpria da
bobina e da freqncia angular do sinal de corrente (equacionalmente: X
L
= 2fL). Como segundo efeito da reatncia
indutiva, tem-se tambm que essa oposio atrasa o aumento ou a diminuio de corrente em ralao fcem induzida
na bobina, ou seja, a corrente se torna atrasada no tempo em relao tenso nos terminais da bobina. Por outro lado,
se a bobina conectada a uma fonte de tenso contnua, ento a corrente circulante e o fluxo magntico sero tambm
contnuos e, desse modo, a reatncia ser nula e a oposio corrente limita-se resistncia do fio.
Na prtica, alm de sua indutncia prpria e a resistncia do fio, uma bobina pode apresentar tambm alguns
efeitos indesejveis, que requerem alguma medida para a sua mitigao, dentre os quais pode-se citar:
Fluxos magnticos variveis no tempo podem causar acoplamentos magnticos indevidos entre a bobina e outros
componentes, em consequncia da indutncia mtua. Este problema pode ser eliminado envolvendo a bobina com
um invlucro metlico (normalmente de alumnio) ligado ao terra do circuito, no qual so induzidas correntes que
geram campos magnticos em oposio ao fluxo magntico da bobina, o que resulta ento em um efeito blindagem
devido ao confinamento do campo magntico no invlucro. No entanto, estas correntes induzidas na blindagem
representam perdas, que podem ser mitigadas posicionando-se o invlucro suficientemente distante da bobina.
Uma bobina pode apresentar diversos efeitos capacitivos entre espiras, entre camadas de espiras, entre espiras e o
suporte (chassi) e entre bobina e blindagem (quando houver). Estes efeitos capacitivos configuram-se ento em
uma reatncia capacitiva para a bobina, que apresenta valor desprezvel em baixas freqncias, mas que se torna
comparvel reatncia indutiva em altas freqncias e iguais na chamada freqncia de ressonncia, situao em
que a bobina se torna um tanque ressonante (efeito aproveitado em algumas aplicaes) e, acima desta, a bobina
tende a comportar-se como um curto-circuito. Existem, contudo, configuraes especiais de bobinamentos que so
destinados a reduzir estes efeitos capacitivos, tais como o de dupla camada escalonado e o de tipo panqueca.
Bobinas magnticas possuem um extenso campo de aplicaes. Alm de motores, geradores, transformadores
e indores diversos, a gerao de campo magntico circulante de bobinas so empregadas tambm em sensores, fontes
chaveadas, transmissores e receptores de rdio, rels, eletroms, equipamentos de ressonncia magntica, radares de
velocidade de veculos, trancas eltricas, etc., bem como em antigas aplicaes tais como reatores magnticos para
lmpadas fluorescentes e meios de leitura e gravao de informaes (fitas K7, de vdeo, disquetes, etc.).
Como a reatncia indutiva aumenta com a frequncia, ento os indutores podem ser empregados como filtro de
sinais (por exemplo, para eliminar ruidos induzidos em um circuito). Por exemplo, choques de RF (radiofreqncia)
so bobinas construdas para trabalhar principalmente como filtro srie (filtro de linha) no bloqueio passagem de
sinais com frequncias maior que uma especificada, ou seja, acima desta freqncia, o indutor apresenta uma alta
reatncia indutiva e dificulta a passagem destes sinais, sendo o circuito que o emprega chamado filtro passa-baixa.
Estas bobinas so normalmente envolvidas em ncleos cilndricos ou toroidais de ferrite de alta permeabilidade e
encapsuladas em epoxi, com cobertura de esmalte vinlico (aparncia na Figura 4.5-b-7).
(a) (b)
L
L
Figura 4.5: (a) Smbolos esquemticos de bobinas magnticas; (b) tipos de indutores: 1- ncleo de ar, 2- toroidal,
3- ncleo de ferro laminado, 4- ncleo plstico, 5- ncleo de ferrite, 6- bobina tipo honeycomb, 7- choque de RF.
ncleo no-
ferromagntico
L
L
ncleo ferro-
magntico 1 2 3 4 5 6 7
CAPTULO 4: Materiais e dispositivos magnticos
54
4.2.3) MQUINAS ELTRICAS

Em Eletrotcnica, o termo mquinas eltricas refere-se a dispositivos destinados transferncia ou converso
de energia eltrica entre circuitos distintos e acoplados magnticamente, sendo classificadas em dois tipos: mquinas
fixas ou estticas (chamados transformadores) e girantes ou rotativas (chamados motores e geradores).
Transformadores so equipamentos eltricos que fazem uso do efeito indutncia mtua para a transferncia de
energia eltrica entre bobinas, chamadas enrolamentos. Um transformador constitu-se basicamente de dois (ou mais)
enrolamentos que compartilham um mesmo ncleo (normalmente ferromagntico), de modo a possibilitar que linhas
de fluxo magntico geradas em uma delas se concatenem com as espiras da outra bobina (Figura 4.6-a). Assim, se em
uma das bobinas (chamada enrolamento primrio) for aplicado um sinal de tenso (por exemplo, alternado), este far
circular uma corrente variante no tempo nesta bobina, cujo fluxo magntico gerado induz na mesma uma fcem V
P

(tenso primria) e uma fem V
S
(tenso secundria) na outra bobina (enrolamento secundrio), propiciando ento um
isolamento eltrico e um acoplamento magntico entre circuitos distintos (Figura 4.6-a).
Como visto, a tenso induzida em uma bobina aumenta com o seu nmero de espiras. Quando o acoplamento
magntico entre bobinas idealmente total, a relao entre as tenses primria (V
P
) e secundria (V
S
) proporcional
razo entre o nmero de espiras do enrolamento primrio (N
P
) e secundrio (N
S
), a chamada relao de transformao:

P P
S S
V N
V N
= (4.3)
Assim, se N
P
> N
S
, o transformador do tipo abaixador de tenso (V
P
> V
S
) e, se N
P
< N
S
, do tipo elevador de
tenso (V
P
< V
S
). Existem tambm os transformadores cuja relao de transformao igual a 1, usados quando se
deseja manter a mesma tenso entre o primrio e o secundrio, isolando eletricamente, porm, um circuito do outro.
Outra caracterstica dos transformadores reside em seu ganho de potncia aproximadamente unitrio, isto , a
potncia requerida no secundrio refletida no primrio. Isto significa dizer que, por exemplo, num transformador
elevador de tenso, o aumento da tenso no secundrio em relao ao primrio, acompanhada por uma diminuio
de corrente no secundrio em relao ao primrio (equacionalmente: P = V
P
I
P
= V
S
I
S
). Este comportamento
implica tambm que, para o circuito conectado ao primrio, o transformador representa uma impedncia baixa, pois a
corrente do primrio comparativamente alta, ao passo que, para o circuito conectado ao secundrio, o transformador
representa uma impedncia pequena (corrente comparativamente elevada). Esta caracterstica dos transformadores
usada em circuitos de pequeno sinal e baixa potncia para executar uma funo chamada casamento de impedncias.
Assim, os transformadores (smbolos esquemticos na Figura 4.6-b) so fundamentais para a transmisso de
energia eltrica em diferentes tenses e correntes, bem como para modificar impedncia de circuitos eltricos. Estes
equipamentos so fabricados em diversos tamanhos (Figura 4.6-c) com base em suas diversas classificaes: nvel de
tenso (alta, mdia e baixa), finalidade (transformadores de fora, de distribuio, de potencial, de corrente, etc.),
numero de fases (monofsico e polifsico), tipo de ncleo (ferromagntico ou de ar), nmero de bobinas, etc.
Em baixas freqncias (50/60 Hz) so empregados transformadores de mdia e alta tenso em redes eltricas de
transmisso e distribuio, desde a gerao at a carga. Os de baixa tenso so utilizados pelos consumidores finais na
converso de voltagem (110/220 V) e os de mltiplos taps no enrolamento secundrio usados para suprir diferentes
tenses requeridas por diferentes equipamentos (exemplo: 220/6+6 V). Os chamados transformadores de potencial e
de corrente so usados para adequar tenso e corrente, respectivamente, aos nveis requeridos por medidores. Existem
ainda os chamados autotransformadores, constitudos de uma nica bobina em um ncleo ferromagntico e de trs
terminais para a fixao das tenses primria e secundria, sendo mais baratos e mais leves que um transformador de
enrolamento duplo padro, no fornecendo, entretanto, isolamento eltrico entre circuitos.
Para pequenos sinais de altas freqncias, tais como os de udio e radiofrequncia (RF), os transformadores so
empregados para acoplamentos (casamento de impedncias) entre estgios de amplificadores, entre amplificadores e
auto-falantes, entre microfones e amplificadores e ainda em recepo de sinais em equipamentos de rdio, TV e radar
com forma de acoplar o sinal da antena receptora/transmissora para estes equipamentos e de antena para antena.














ncleo ferro-
magntico
com tap
central
auto-
transformador
ncleo
de ar
Figura 4.6: (a) esquema de um transformador; (b) smbolos esquemticos; (c) aparncias de transformadores.
(a) (b) (c)
N
P V
P
i

N
S V
S
CAPTULO 4: Materiais e dispositivos magnticos
55
Motores eltricos so mquinas destinadas transformao (converso) de energia eltrica em mecnica. Seu
princpio de funcionamento baseia-se no surgimento de uma fora mecnica sobre um eletrom ou im permanente
com liberdade de movimento em torno de um eixo, proveniente da tendncia destes em alinhar seu campo ao interagir
com campos magnticos externos produzidos tambm por eletroms ou ims permanentes fixos em uma estrutura
esttica. Esta tendncia de movimento em torno de um eixo constitui-se ento em um torque rotacional, que pode ser
aproveitado para imprimir movimento em outros mecanismos acoplados ao eixo, tais como esteiras, engrenagens, ps,
polias, hlices, outros enrolamentos e ims permanentes, etc., de inmeras aplicaes em Eletrotcnica.
Para o caso de eletroms, esta tendncia ao alinhamento de campos intensificada pelo surgimento de uma
fora perpendicular ao fio quando este conduz corrente eltrica e est imerso em um fluxo magntico (Figura 4.7-a),
chamada fora magntica ou de Lorentz (F
mag
). Esta fora surge quando uma carga eltrica q em movimento com
velocidade v atravessa um campo magntico de induo B transversal a v (Figura 4.7-a), tal que:

mag
F q v B =

(4.4)
Assim, como mquinas rotativas, os motores eltricos (smbolos esquemticos na Figura 4.7-b) so constitudos
por partes fixas (estticas) e mveis (girantes), sendo o principal elemento da parte fixa chamado estator e da parte
mvel chamado rotor. Dependendo do tipo do motor, o estator e o rotor podem se constituir de um im permanente ou
enrolamentos instalados em ranhuras de um ncleo ferromagntico e com acesso ou no por conexes eltricas, sendo
o espao entre eles chamado entreferro. O rotor normalmente montado sobre um eixo macio de ao apoiado sobre
mancais (tambm chamados rolamentos) e o conjunto suportado por um invlucro chamado carcaa (Figura 4.7-c).
Os motores eltricos apresentam diversas vantagens comparados a outros tipos de motores, tais como custo
reduzido, bom rendimento e grande versatilidade de adaptao a cargas dos mais diversos tipos, sendo construdos
nos mais variados modelos para diferentes aplicaes (Figura 4.7-d). So mquinas largamente empregadas em linhas
de produo industriais (esteiras, prensas, compressores, bobinadoras, sistemas de bombeamento, etc.), sistemas de
arrefecimento (ventiladores, evaporadores e exaustores) e aparelhos eletrodomsticos (geladeiras, mquinas de lavar,
liquidificadores, ventiladores, etc.), alm de carros eltricos e equipamentos mdicos, odontolgicos e hospitalares.
Os chamados motores CA (corrente alternada) so os mais utilizados devido ao fato da distribuio de energia
eltrica ser feita em tenso alternada e esta propiciar um efeito de campo girante. Os motores CA apresentam diversas
caractersticas construtivas, podendo ser monofsicos (1) ou trifsicos (3), e dividem-se basicamente em dois tipos:
Motor sncrono: caracteriza-se por apresentar velocidade constante e independente da carga aplicada ao seu eixo.
So geralmente caros, sendo utilizados na necessidade de velocidades estveis sob a ao de cargas variveis ou
quando se requer grande potncia com torque constante. Podem ser trifsicos ou monofsicos, sendo estes ltimos
subdivididos ainda nos tipos im permanente, histerese, relutncia e de posio angular (motores de passo).
Motor assncrono ou de induo: caracterizam-se por apresentar velocidade ligeiramente varivel com a carga
mecnica aplicada ao seu eixo, efeito conhecido como escorregamento. Devido sua grande simplicidade, baixo
custo, robustez e de ser possvel controlar sua velocidade com o auxlio de conversores de freqncia, o motor
mais utilizado de todos, sendo adequado para quase todos os tipos de acionamentos encontrados na prtica. Estes
motores so subdivididos em trifsicos (MIT) dos tipos rotor em gaiola e rotor bobinado, e em monofsicos (MIM)
dos tipos rotor em gaiola (tipos fase dividida, capacitor de partida e plos sombreados) e rotor bobinado.
Os chamados motores CC (corrente contnua) compem-se de estator formado por enrolamentos ou por um im
permanente e o rotor por enrolamentos conectados a um anel condutor segmentado por material isolante, chamado
comutador, este montado sobre o eixo do rotor e alimentados por escovas, que so peas de carvo responsveis por
conduzir a energia para o enrolamento do rotor. Dividem-se nos tipos im permanente com ou sem escova (motor CC
brushless), srie e shunt paralelo. Estes motores caracterizam-se por propiciar uma fcil variao de velociade, porm,
devido a custos e problemas com fascamentos, tm sido substitudos por motores de induo nestas aplicaes.

















motor de induo 3
estator
rotor
motores de
passo
motores CC
motor de induo 1
e-
B


mag
F


I
N S
mag
F


mag
F

I
B


M
M
Figura 4.7: Motores eltricos: (a) princpio de funcionamento e esquema de atuao da fora magntica em um
fio; (b) smbolos esquemticos; (c) motor em corte e partes principais; (d) aparncias de tipos diversos.
(a) (b) (c) (d)
eixo
mancal
conexes eltricas
carcaa
ventilador
entreferro
CAPTULO 4: Materiais e dispositivos magnticos
56
Os geradores eltricos, por sua vez, so mquinas rotativas baseadas no efeito da indutncia mtua (similar aos
transformadores), destinadas transformao de energia mecnica de movimento em energia eltrica. Desse modo, os
geradores operam de modo contrrio aos motores, sendo que na maioria dos casos diferem destes apenas por detalhes
construtivos, alm do tipo de dispositivo acoplado ao eixo do rotor, que consiste em uma mquina chamada turbina.
Uma turbina usada para captar a energia mecnica contida em um fluido em movimento e convert-la em
tenso/corrente eltrica, sendo esta energia chamada fonte primria de energia. A turbina rotacionada quando suas
ps so submetidas a presses mecnicas oriundas da passagem do fludo, que pode ser um fluxo de gua (exemplo de
turbina e gerador hidrulico na Figura 4.8-a) ou de vento (Figura 4.8-b), bem como substncias em expanso devido
ao aquecimento a altas temperaturas, tais como gases (turbinas a gs) e vapor dgua (turbinas a vapor).
Os geradores eltricos recebem classificaes similares aos motores, ou seja, existem geradores de corrente
alternada (sncronos ou de induo) e de corrente contnua, monofsicos ou polifsicos, sendo construdos com as
mais diversas capacidades, desde pequenas potncias, os chamados grupos geradores (Figura 4.8-c), at as grandes
centrais geradoras. Em geradores de corrente aternada, o rotor consiste de um m permanente ou um eletroim, onde
a rotao da turbina provoca um efeito de campo magntico variante no tempo para os enrolamentos do estator, desse
modo ocorrendo o efeito induo magntica de foras eletromotrizes no estator que, ao ser conectado a um circuito,
leva a circulao de correntes eltricas. Em geradores de corrente contnua, o estator formado por ims permanentes
e, com a rotao do rotor, ocorre um efeito de campo magntico variante no tempo para os enrolamentos do rotor,
sendo neste induzida uma fem que, ao ser acoplado a um circuito, leva a circulao de correntes eltricas.














4.2.4) RELS ELETROMECNICOS E TRANSDUTORES

Rels eletromecnicos so dispositivos constitudos basicamente por um eletrom formado por ncleo ferro-
magntico envolto por uma bobina, separado eletricamente de uma lmina metlica flexvel (ou uma lmina metlica
rgida conectada a uma mola de rearme), esta contendo tambm uma pea de material ferromagntico e ainda dois
terminais metlicos: um fixo, denominado central (C), e um mvel. Este terminal mvel, por sua vez, pode estabele-
cer uma conexo eltrica com um par de contatos metlicos fixos de acordo com a flexo ou no da lmina metlica
(Figura 4.9-a), chamados normalmente fechado (NF) e normalmente aberto (NA).
O mecanismo de atuao do rel eletromecnico reside ento na flexo de sua lmina metlica, esta ocasionda
pela atrao magntica entre o ncleo da bobina e a pea ferromagntica da lmina metlica. Logo, se corrente na
bobina do rel for nula, ou insuficiente para gerar um campo magntico forte o bastante para atrair a lmina metlica
flexvel, ento o terminal mvel permanece conectado eletricamente ao contato NF (Figura 4.9-a) e, se a corrente na
bobina superar um valor mnimo tal que o campo magntico produzido seja suficiente para atrair a lmina metlica,
ento a flexo desta resulta na interrupo do contato NF e o fechamento do terminal mvel com o contato NA. Logo,
o rel pode ser entendido como uma chave liga/desliga acionada eletricamenente por algum circuito controlador.
A grande vantagem dos rels eletromecnicos (smbolos esquemticos na Figura 4.9-b) reside em propiciar
uma isolao eltrica entre dois circuitos de potncias distintas: o de controle conectado bobina, que pode ser de
baixa potncia (pequenas tenses e correntes), e o circuito conectado entre os terminais C e NA ou NF (ou ambos) do
rel (circuito controlado), este podendo ser de maior potncia (tenses correntes mais elevadas). Adicionalmente,
ambos os circuitos podem ser AC ou CC, sendo que, no caso da bobina ser energizada em tenso CC, um diodo
frequentemente instalado em paralelo bobina para dissipar a energia armazenada em seu campo magntico.
De acordo com o efeito desejado, um rel pode ento ser empregado para obedecer duas lgicas:
Lgica normalmente fechado: onde o circuito controlado conectado entre os terminais C e NF e deve permanecer
funcionando enquanto a corrente no circuito controlador no atingir o valor limite que faz a lmina metlica atuar;
Lgica normalmente aberto: onde o circuito controlado conectado entre os terminais C e NA e s dever ser
acionado quando a corrente no circuito controlador for no mnimo o valor limite que faz a lmina metlica atuar;
O rel eletromecnico (aparncias na Figura 4.9-c) um dispositivo com vrias aplicaes em comutao de
circuitos eltricos em geral, tal como acionamentos de cargas eltricas (motores, resistncias, capacitores, lmpadas,
estator
rotor
fluxo
de gua
ps
distribuidoras
eixo da
turbina
turbina (tipo
Kaplan)
Figura 4.8: (a) partes de um gerador hidrulico; (b) turbina elica; (c) grupo gerador (a diesel ou gs natural).
(a) (b) (c)
ps da
turbina
CAPTULO 4: Materiais e dispositivos magnticos
57
compressores, bombas dgua, bicos injetores, etc.), alm de controles em linhas de produo, sistemas de acesso (tal
como catracas), sistemas de movimentao (portas, janelas, etc.), processos fabricao, composies de trens, etc.
Como mencionado no Captulo 1, transdutores so dispositivos que transformam um tipo de energia em outro.
Neste sentido, motores e geradores constituem-se em transdutores do tipo eletromecnico, assim como microfones e
auto-falantes que empregam o magnetismo para seu funcionamento e certos sensores chamados magnetoestrictivos.
Os chamados microfones de bobina mvel ou dinmicos, constituem-se basicamente de um m envolto por um
conjunto diafragma-bobina com liberdade de movimento (Figura 4.9-d). O diafragma consiste de uma membrana fina
e elstica e o im empregado pode ser natural ou artificial, tal como o neodymium. Como o diafragma est ligado
bobina e esta est mergulhada dentro do campo magntico do m, ento um sinal de udio (som) provoca vibraes
na membrana, que as transmite bobina e esta passa a interpretar o campo magntico do im como sendo varivel,
resultando assim na induo de uma fem nos terminais da bobina proporcional s ondas de som (Figura 4.9-d).
Os chamados auto-falantes de bobina mvel, por sua vez, so dispositivos que apresentam construo similar
ao dos microfones dinmicos, apresentando ento um princpio de funcionamento inverso ao destes, isto , convertem
o sinal eltrico (tenso/corrente) injetado na bobina em vibraes no diafragma, vindo este a executar um movimento
de compresso e descompresso do ar em sua volta, que se propagam pelo meio e constituem-se no som emitido.
Magnetoestrico um fenmeno em que certos materiais ferromagnticos, denominados magnetoestrictivos,
apresentam leves deformaes elsticas quando submetidos a um campo magntico e, no modo inverso, apresentam
acentuada reduo em sua permeabilidade magntica quando submetidos a deformaes elsticas devido a esforos de
trao e compresso. Ambos os efeitos so reversveis, sendo explorados em diversos componentes transdutores ele-
tromecnicos para aplicao em sistemas de controle de presso (Figura 4.9-e), em prensas automticas e medidores
de deformaes. Exemplos de materiais magnetoestrictivos so o nquel, que em finas pastilhas apresenta elevada
magnetoestrico, alm do o ferro e ligas de ferro, o cromo e o cobalto.














4.3) EXERCCIOS PROPOSTOS

Problema 1: Seja uma fonte de tenso alternada alimentando uma bobina com ncleo de ar, quando observa-se uma
certa corrente no circuito. Introduzindo-se um ncleo de material A observa-se que a corrente permanece a mesma e
introduzindo-se um ncleo de material B, observa-se que a corrente aumenta. A interpretao do ocorrido: o material
A provavelmente indiferente e o material B provavelmente ferromagntico aceitvel? Explique.

Problema 2: O circuito dado ao lado um indicador visual de temperatura, que
utiliza um resistor tipo NTC como sensor para detectar ultrpassagem de um certo
valor limite para a temperatura. Explique ento qual lmpada (L
1
ou L
2
) indica
temperatura acima e abaixo deste valor limite.

Problema 3: O circuito dado ao lado emprega uma fonte de tenso alternada v
o
para
alimentar um transformador com dois taps (1 e 2) no enrolamento secundrio e que
alimenta um lmpada L com a chave k inicialmente na posio 1. Pede-se:
a) Explique o que acontece com o brilho emitido pela lmpada L quando a chave k
comutada para a posio 2.
b) Elevando-se a tenso da fonte v
o
observa-se que, a partir de certos valores de tenso, o brilho emitido pela lmpada
praticamente no mais aumentava. Explique uma possvel causa.
c) A fonte v
o
substituda por uma fonte de tenso continua e observa-se que a lmpada no acende. Explique.



sensor
pisto
pneumtico
terminais
da bobina
NF
NA
C
contatos eltricos
lmina metlica
flexvel
ncleos ferro-
magnticos
NF
NA
C
Figura 4.9: Rels: (a) detalhes construtivos, (b) smbolos esquemticos, (c) aparncias; (d) detalhes construtivos
do microfone dinmico; (e) dispositivo sensor de posio linear magnetoestrictivo para aplicaes hidrulicas.
(a) (b) (c) (d) (e)
NF
NA
C
im
sinal de adio
bobina
mvel
onda de
udio
diafragma
1
2
k
L
v
o

NF
NA
C
NTC
V
1

V
2

L
1

L
2


58
CAPTULO 5: MATERIAIS E DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

No ramo da Eletrotcnica, Eletrnica a cincia e tecnologia do controle de cargas eltricas num gs, vcuo ou
material slido. Sua histria divide-se basicamente em dois perodos: o primeiro, conhecido como a era dos tubos a
vcuo (as chamadas vlvulas), baseavam-se no aproveitamento do fenmeno da emisso termoinica e apresentam o
inconveniente de consumir muita energia, e o segundo, conhecido como a era dos transistores, fundamentado em
componentes construdos a base de certos materiais slidos chamados semicondutores. Desse modo, para diferenciar
este ltimo da tecnologia dos tubos a vcuo, a teoria dos semicondutores conhecida como Fsica do Estado Slido.
Assim, o estudo dos semicondutores se mostra muito importante em razo do seu emprego em larga escala na
construo dos mais diversos tipos de componentes bsicos para processar sinais eltricos nos sistemas de comutao,
comunicao, computao e controle, tais como diodos, transistores bipolares de juno (TBJs), transistores de efeito
de campo (FET's), tiristores (SCR, Diac e Triac), termosensores, fotosensores, clulas solares e circuitos integrados.


5.1) SEMICONDUTOR INTRNSECO

Como mencionado no Captulo 1, os mateiriais semicondutores caracterizam-se por apresentar um pequeno gap
entre as bandas de valncia e conduo, em torno de 1 eV, fato que acarreta em concentraes de portadores livres
bem inferiores ao dos condutores (~10
23
cm
-3
), mas superior ao dos isolantes (~10
6
cm
-3
), resultando ento em uma
semicondutncia. No entanto, o valor desta semicondutncia um critrio insuficiente, pois no define totalmente o
comportamento funcional dos materiais e ligas pertencentes a esse grupo, pois pode-se obter substncias e misturas de
materiais que atendem a essa concentrao de portadores livres, mas que no tem comportamento semicondutor.
Adicionalmente, a estrutura atmica tambm no define o comportamento semicondutor, pois estanho, silcio,
germnio e carbono pertencem ao grupo IV-A e, apesar desta semelhana, o estanho condutor, silcio e germnio
so semicondutores e o carbono na forma cristalina (diamante) um isolante. Alm disso, ao contrrio dos metais, os
semicondutores apresentam dependncia inversa da resistividade com a temperatura ( < 0), devido ao pequeno gap.
Os semicondutores de maior emprego na fabricao de componentes de uso geral so principalmente o silcio e
o germnio. Contudo, devido a limitaes de temperatura e capacidade de tenso e corrente do germnio, atualmente
h um amplo predomnio dos dispositivos de silcio, razo pela qual a discusso mais geral neste captulo limitar-se-
a este material. Assim, o breve estudo apresentar a seguir sobre o fenmeno da conduo eltrica nos semicondutores
ser baseado no silcio, devido s razes j mencionadas e a serem ainda discutidas.
Para aplicaes de finalidade mais especficas, encontram-se ainda um amplo emprego de outros tipos de semi-
condutores, tais como o arsenieto de glio, selnio, glio, sulfeto de cdmio, fosfeto de ndio e nitreto de glio.

5.1.1) FENMENOS DE TRANSPORTE

O principal diferencial dos semicondutores com relao aos condutores e isolantes reside dois caminhos de
corrente, resultando em dois tipos de carga livre, definidos mais vistos adiante).
Um tomo silcio isolado apresenta quatro eltrons em sua camada de valncia (tomo tetravalente) e, para ser
quimicamente estvel, necessita de oito eltrons nesta camada. Os tomos deste elemento podem ento posicionarem-
se entre outros quatro tomos e formar ligaes covalentes com o compartilhando de um eltron com cada vizinho,
obtendo-se, desse modo, um total de oito eltrons na rbita de valncia (Figura 5.1-a). Esta disposio constitui-se
num slido onde os tomos se arranjam na configurao chamada rede cristalina, ou seja, o silcio um cristal.















Figura 5.1: (a) Estrutura bidimensional de um cristal de silcio; (b) representao do silcio por bandas
de energia a baixas temperaturas; (c) conduo eltrica nula no cristal de silcio a baixas temperaturas.
Bandas
totalmente
preenchidas
(a) (b) (c)
ligao
covalente
eltrons de
valncia
ons de
silcio
+4
+4 +4
+4
+4
BV
BC
V
S

I = 0
energia
silcio puro
a baixas
temperaturas
2
o
banda
1
o
banda
contatos eltricos
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
59
Como visto no Captulo 2, um condutor eltrico submetido a uma diferena de potencial, capaz de conduzir
correntes utilizveis devido grande quantidade de eltrons livres presentes no material. Logo, para um cristal de
silcio, este tambm depender da existncia de eltrons que possam se deslocar pelo material de modo a se constituir
corrente. No entanto, a pouca disponibilidade de energia trmica a baixas temperaturas (por exemplo, 0 K), faz com
que os eltrons de valncia do silcio fiquem fortemente presos aos seus tomo para formar de ligaes covalentes e,
desse modo, a banda de valncia permanece totalmente preeenchida e a de conduo vazia (Figura 5.1-b). Assim, o
cristal de silcio comporta-se como isolante a baixas temperaturas e no conduz corrente em resposta a um diferena
de potencial aplicado (Figura 5.1-c) devido ao fato dos eltrons no poderem se deslocar pelo material, pois no h
rbitas disponveis na banda de valncia para se moverem e a banda de conduo no apresenta eltrons livres.
Porm, para temperatura mais elevadas ou normais (por exemplo, ambiente), a energia trmica recebida pelo
cristal quebra ligaes covalentes e, desse modo, eltrons de valncia se deslocam para a banda de conduo, vindo a
se tornarem lives, e deixam certas vacncias na banda de valncia constitudas por ligaes covalentes incompletas,
denominadas lacunas ou buracos (Figura 5.2-a). A importncia da definio de lacuna que esta constitui-se em um
conceito terico de portador de carga livre pois, como ser visto, seu comportamento comparvel ao do eltron livre.
Como cada eltron que se desloca para a banda de conduo deixa uma lacuna na banda de valncia, o conjunto
criado chamado par eltron-lacuna (Figura 5.2-b). O aumento de temperatura no semicondutor provoca ento um
aumento da densidade de pares eltron-lacuna mas, como um eltron tende sempre a retornar ao seu nvel de energia
original (vide Captulo 1), ocorrem tambm recombinaes entre eltrons e lacunas e pares so destrudos. Assim,
pode-se conseguir um nmero limitado de portadores de carga livres em um semicondutor devido energia trmica.
Seja um bloco de silcio a temperaturas normais e submetido a uma ddp, que gera um campo eltrico em seu
interior. Seja tambm um par eltron-lacuna criado por energia trmica, representada na Figura 5.2-c com a letra A.
Os eltrons livres originados por energia trmica podem ento se deslocar em sentido contrrio ao campo aplicado e
constituir uma corrente na banda de conduo do material (Figura 5.2-c), se assemelhando conduo dos metais.
Contudo, por meio de um mecanismo distinto, as lacunas tambm se locomovem devido ao campo eltrico e
conceitualmente participam da conduo de corrente. Quando uma ligao est incompleta de modo a existir uma
lacuna, uma pequena variao de energia fornecida por um campo eltrico pode fazer com que um eltron situado em
uma rbita de valncia vizinha (representado em B na Figura 5.2-c) possa se deslocar para esta lacuna e deixar sua
ligao covalente incompleta em B, gerando ento uma lacuna em seu lugar. O mesmo pode acontecer ao eltron em
uma rbita de valncia vizinha em C que, ao preencher a lacuna em B, cria uma lacuna em C e assim sucessivamente.
Logo, as lacunas se movem no sentido contrrio aos dos eltrons da BV (Figura 5.2-c), ou seja, lacunas podem ser
tambm consideradas portadores de carga livres, porm de carga positiva, fato comprovado pelo chamado Efeito Hall.
Assim, as bandas de valncia e conduo representam dois percursos ao longo do qual os eltrons podem se
deslocar dentro de um cristal semicondutor, com as lacunas no sentido contrrio (Figuras 5.2-d). Portanto, pode-se
dizer que os eltrons das bandas de valncia e conduo representam dois tipos de cargas livres, sendo este o principal
motivo dos semicondutores serem diferentes dos metais. Contudo, apesar das lacunas no se constiturem fisicamente
em uma carga eltrica, pois representam apenas ligaes covalentes incompletas, normalmente adota-se as lacunas, no
lugar dos eltrons de valncia, como o segundo tipo de portador de carga livre dos semicondutores, conveno esta
que tem o objetivo de facilitar a definio e estudo dos chamados semicondutores extrnsecos.

















Seja n (eltrons livres/cm
3
) a concentrao de eltrons livres e p (lacunas/cm
3
) a concentrao de lacunas.
Como a energia trmica produz estes portadores ao pares, ento em um semicondutor dito intrnseco, como o caso
do tipo puro, o nmero de lacunas se iguala ao de eltrons livres a qualquer temperatura, resultando ento que:

i
n p n = = (5.1)
onde n
i
(portadores livres/cm
3
), chamada concentrao intrnseca do material, dependente da temperatura devido ao
fato do nmero de pares eltron-lacuna aumentar com a temperatura, sendo tal comportamento expresso por:
Figura 5.2: (a) Silcio puro em temperatura ambiente, quebra de ligao covalente e criao de par eltron-lacuna;
(b) representao por bandas de energia; (c) esquema de conduo dos portadores livres; (d) correntes resultantes.
(a) (b) (c) (d)
2
o
banda
BV
BC
eltron
livre
V
S

I 0
ligao
covalente
desfeita
lacuna
+4
+4 +4
+4
+4
eltron
deslocado
para a BC
par electron-lacuna
lacuna
energia
1
o
banda
lacunas na BV
eltrons na BV e BC
energia
BV
BC
E
A B C D
silcio a T >> 0 K
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
60

2 3
o
GO
B
E
K T
i
n A T e

= (5.2)
onde A
o
(cm
-6
K
-3
) uma constante do material independente da temperatura, E
GO
(eV) a largura da banda proibida a
0 K (ou a energia necessria para desfazer a ligao covalente) e K
B
= 8,62 x 10
-5
eV/K a constante de Boltzmann.
Desse modo, os semicondutores intrnsecos apresentam uma grande sensibilidade temperatura. Por exemplo,
a condutividade do silcio puro aumenta aproximadamente 8% por grau de temperatura. Na temperatura ambiente, no
entanto, um cristal de silcio puro praticamente no tem portadores livres se comparado ao germnio, sendo esta a
principal razo que fez o silcio tornar-se superior ao germnio na fabricao de componentes semicondutores, pois
este comportamento acarreta em menor sensibilidade com a temperatura para o silcio.
Como visto no Captulo 2, a condutividade eltrica dos materiais, expressa na equao (2.3), proporcional
concentrao de eltrons livres. No caso dos semicondutores, porm, como tanto os eltrons livres quanto as lacunas
contribuem para o processo da conduo de corrente eltrica, ento a expresso matemtica da condutividade (S/m)
para estes materiais deve ser ampliada de modo a contemplar ambos os tipos de portadores de carga livres, ou seja:
( )
n p n p
n e p e e n p = + = + (5.3)
onde
p
a velocidade mdia da lacunas por unidade de campo eltrico, ou seja, a mobilidade das lacunas.
Como tambm visto no Captulo 2, a densidade de corrente de conduo J (A/m
2
) nos materiais proporcional
ao campo eltrico E (V/m) aplicado ao mesmo, isto , J = E. Logo, para os semicondutores, tem-se:
( )
n p
J E e n p E = = + (5.4)
Sendo n = p = n
i
no caso dos semicondutores intrnsecos, ento a expresso matemtica da condutividadade e
da densidade de corrente de conduo para estes materiais se resume, respectivamente, a:
( )
i n p
e n = + (5.5)
( )
i n p
J e n E = + (5.6)
Na Tabela 5.1, que mostra algumas propriedades de interesse para o silcio, observa-se que a mobilidade dos
eltrons livres (
n
) maior que a de lacunas (
p
). Esta diferena docorre do fato dos eltrons de valncia dependerem
da existncia de ligaes incompletas na banda de valncia (lacunas) para poderem se deslocar pelo cristal, enquanto
que os eltrons livres tm uma grande quantidade de nveis de energia na banda de conduo a sua disposio.

Tabela 5.1: Algumas propriedades de interesse para o silcio.
Propriedade Valor Propriedade valor
nmero atmico 14 densidade de tomos do cristal (cm
-3
) 5 x 10
22

constante A
o
(cm
-6
K
-3
) 5,23 x 10
35
constante de difuso de eltrons livres D
n
a 300 K (cm
2
/s) 34
E
GO
(E
G
a 0 K) em eV 1,21 constante de difuso de lacunas D
p
a 300 K (cm
2
/s) 13
E
G
a 300 K em eV 1,12
p
a 300 K (cm
2
/V

s) 500
n
i
a 300 K (cm
-3
) 1,5 x 10
10

n
a 300 K (cm
2
/V

s) 1300

Baseado nos dados da Tabela 5.1, pode-se ento obter uma estimativa para o valor da resistividade do silcio
puro na temperatura ambiente de trabalho (
300K
). Empregando a equao (5.5), tem-se ento que:
19 10 6
300 i 300 300 300
5
300 6
300
( ) 1, 6 10 1, 5 10 (1300 500) 4, 32 10 /
1 1
Logo: 2, 3 10 2300
4, 32 10
K K n K p K
K
K
e n S cm
cm m

= + = + =
= = =

Por este resultado verifica-se ento que a resistividade do silcio puro mesmo temperatura ambiente bastante
elevada comparada aos metais (em torno de 10
7
m), pois a concentrao intrnseca n
i
do silcio puro temperatura
ambiente (1,5 x 10
10
cm
3
, Tabela 5.1) mais prxima da observada em materiais isolantes (em torno de 10
6
cm
3
).
Esta baixa concentrao de portadores livres do silcio pode ser verificada, com base na Tabela 5.1, pelo fato da
sua densidade de tomos por cm
3
ser da ordem de 10
22
e sua concentrao intrnseca n
i
na temperatura ambiente ser da
ordem de 10
10
portadores livres por cm
3
, significando que apenas 1 em cada 10
12
tomos de silcio contribui com um
par eltron-lacuna. Como resultado, um semicondutor intrnseco no apresenta portadores de carga livres nem causas
suficientes para produzir uma corrente utilizvel para a maioria dos circuitos prticos.
Alm disso, o adequado funcionamento dos circuitos eltricos requer que o comportamento dos componentes
presentes no circuito no se alterem demasiadamente perante agentes externos. Logo, o semicondutor intrnseco no
indicado para o emprego direto na construo de componentes para circuitos eletro-eletrnicos devido sua excessiva
sensibilidade com a temperatura, com exceo da aplicao em dispositivos sensores.
Como ser visto mais adiante no estudo dos semicondutores extrnsecos, a mitigao destas deficincias do
semicondutor puro consiste na introduo de tomos de certas impurezas, denominada dopagem, de modo a aumentar
a quantidade de um dos tipos de portadores livres (eltrons ou lacunas), o que contribui para elevar a condutividade
do semicondutor em relao ao intrnseco, bem como deminuir sua dependncia com a temperatura.
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
61
5.1.2) COMPONENTES SEMICONDUTORES PUROS

Diversas aplicaes eletro-eletrnicas necessitam realizar o controle sobre alguma varivel fsica externa ao
circuito ou processo, empregando para isso dispositivos sensores (transdutores) para o monitoramento da varivel
fsica e converso da mesma em grandezas eltricas. Desse modo, os componentes sensores devem ser constitudos de
materiais nos quais alguma de suas propriedades eltricas sofre alterao perante um estmulo externo.
Como mencionado, a condutividade dos semicondutores puros se caracteriza por uma elevada dependncia da
temperatura, onde a energia trmica fornecida ao material pode facilmente deslocar eltrons de valncia para a banda
de conduo de modo a criar pares eltron-lacuna. Dessa forma, os semicondutores puros podem ser explorados em
certos dispositivos transdutores sensveis ao da temperatura chamados de termistores.
Termistores (smbolo esquemtico na 5.3-a) so componentes que se comportam como resistores variveis com
a temperatura. Devido ao comportamento de sua condutividade com a temperatura, os termistores semicondutores
apresentam ento variao da resistncia inversa com a temperatura (ou seja, so do tipo NTC), com diminuio da
resistncia da ordem de 3% por
o
C, sendo muito mais sensveis que os metais. Termistores comerciais (aparncia na
Figura 5.3-b) so obtidos de xidos metlicos diversos, tais como de nquel, mangans, cobre, zinco, etc
Os termistores so, por isso, usados como sensores de temperatura para aes de monitoramento e controle de
variaes de temperatura em circuitos, processos e ambientes. Por exemplo, uma aplicao prtica dos termistores
em rels de proteo de motores, onde o aquecimento destes tem correlao com a corrente admissvel, atravs do
Efeito Joule. Desse modo, em caso de sobrecorrente no motor, o sobreaquecimento resultante permite ao termistor
interpretar esta condio adversa para o rel e este, se necessrio, comandar o desligamento do motor.
Outras aplicaes dos termistores so em medio e controle automtico de temperatura em fornos, estufas e na
estabilizao do ponto de operao de circuitos submetidos a grandes variaes de temperatura ambiente.












A quebra de ligaes qumicas nos materiais pode tambm ser conseguida atravs da incidncia de radiao
eletromagntica. Como os semicondutores caracterizam-se por apresentar um pequeno gap de energia entre as bandas
de valncia e conduo, ento pode-se obter pares eltron-lacuna tambm com a incidncia de energia luminosa sobre
o material, o que resulta em sensores de luminosidade chamados fotorresistores ou fotocondutores.
Fotorresistores (smbolo esquemtico na Figura 5.3-c, onde as setas indicam o sentido da radiao) so ento
componentes semicondutores que tem sua resistncia diminuda quando sobre o mesmo incide-se uma radiao, que
quebra ligaes covalentes produzindo pares eltron-lacuna em excesso queles gerados pela temperatura ambiente.
So, portanto, transdutores que convertem energia luminosa na forma eltrica (sensores de luz). O chamado LDR
(light dependent resistor) um exemplo de fotorresistor, cuja aparncia mostrado na Figura 5.3-d.
Fotorresistores comerciais so chamados de clulas fotocondutivas, utilizados para a medio da quantidade de
iluminao em circuitos de controle ou de registro de uma modulao de intensidade luminosa. O fotorresistor de
maior aplicao a clula de sulfeto de cdmio dopada com um pouco de prata, antimnio ou ndio. As vantagens
destas clulas so sua alta capacidade de dissipao (300 mW), excelente sensibilidade no espectro visvel e baixa
resistncia quando estimulados pela luz (em escurido, acima dos 1 M e com luz forte, inferior a 1 k), podendo
controlar, por exemplo, um circuito de vrios watts operando um rel diretamente. Outros materiais so o sulfeto de
chumbo, que apresenta um mximo na curva de sensibilidade em 29000 , sendo, desse modo, usado para deteco
de infravermelho, e selnio, que sensvel em toda faixa do espectro visvel, particularmente perto do azul.
Um fotorresistor um dispositivo seletivo de freqncia. Como visto no Captulo 1, tem-se que o comprimento
de onda () de um fton de energia E
f
(eV) pode ser determinado por: = 12400/E
f
. Considerando que a energia
mnima de um fton necessria para a excitao de um eltron da banda de valncia para a de conduo a energia do
gap E
G
, ento h um comprimento de onda de corte
C
= 12400/E
G
para a criao de eltrons livres por fotoexcitao,
pois se o fton incidente for de comprimento de onda >
C
ento E
f
< E
G
e tal fton no desloca um eltron de
valncia para a banda de conduo. Como exemplo, a Figura 5.3-e mostra a curva de sensibilidade espectral para o
silcio, onde a regio grifada corresponde faixa de luz visvel. Como E
G
1 eV para o silcio, ento
C
12400 ,
que se situa na faixa do infravermelho (Tabela 1.7). Pelo grfico pode-se observar tambm que a resposta atinge um
valor mximo de sensibilidade, ou seja, a resposta espectral depende da radiao incidente
Figura 5.3: Termistor: (a) smbolo esquemtico, (b) aparncia; fotorresistor: (c) smbolo
esquemtico; (d) aparncia de um LDR; (e) exemplo de resposta espectral (silcio).
T
(a) (b) (c) (d) (e)
Resposta relativa (%)
4000 8000 12400 ()

C
0

25

50

75

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
62
5.2) SEMICONDUTOR EXTRNSECO

Quando em um cristal semicondutor puro so introduzidos outros materiais tal que produza um predomnio de
apenas um dos portadores de carga livres, este passa a ser denominado semicondutor extrnseco. Este expediente,
chamado dopagem, consiste na introduo, por processo tecnolgico sofisticado, de tomos de impurezas com teor
cuidadosamente controlado para produzir a perfeita difuso dos tomos no semicondutor, com a funo de aumentar a
condutividade do material semicondutor puro e diminuir sua dependncia com a temperatura.
O nvel usual de dopagem do silcio da ordem de 1 tomo de impureza por 10
6
a 10
8
tomos de silcio. Assim,
a maioria de suas propriedades permanecem as mesmas e apenas suas propriedades eltricas mudam acentuadamente.

5.2.1) CLASSIFICAO DOS SEMICONDUTORES EXTRNSECOS

A dopagem tem como objetivo introduzir artificialmente um desequilbrio entre as concentraes de eltrons
livres e lacunas (n p), criados aos pares nos semicondutores intrnsecos sob influncia apenas da energia trmica. De
acordo com o tipo de impureza introduzida, obtem-se ento duas classificaes para os semicondutores extrnsecos:
Tipo P: resultam da introduo de tomos de elementos qumicos trivalentes, chamadas impurezas aceitadoras ou
tipo P, que estabelecem o predomnio de lacunas no semicondutor;
Tipo N: resultam da introduo de tomos de elementos qumicos pentavalentes, chamadas impurezas doadoras ou
tipo N, que estabelecem no semicondutor o predomnio de eltrons livres.
Assim, os semicondutores tipo P so obtidos dopando-se tomos com 3 eltrons na banda de valncia (tomos
trivalentes) em um cristal de silcio intrnseco. Com este artifcio, pode-se aumentar o nmero de lacunas na banda de
valncia do material, devido ao fato do tomo de impureza trivalente formar trs ligaes covalentes com trs tomos
de silcio vizinhos, restando uma ligao covalente incompleta (Figura 5.4-a), o que se constitui em uma lacuna. Esta
ligao incompleta pode ento receber um eltron vindo da banda de conduo e, desse modo, a impureza chamada
aceitadora. Os materiais normalmente empregados como impurezas aceitadoras so o alumnio, o boro e o glio.
Logo, alm de aumentar o nmero de lacunas, as impurezas tipo P fazem decrescer a quantidade de eltrons
livres existentes no semicondutor intrnseco, pois ocorre tambm uma maior taxa de recombinao devido maior
presena de lacunas. Assim, nos semicondutores tipo P denomina-se os eltrons livres de portadores minoritrios e as
lacunas de portadores majoritrios. A Figura 5.4-b exemplifica um esquema de bandas de energia para um cristal
semicondutor dopado com impureza aceitadora, onde observa-se um grande nmero de lacunas na banda de valncia,
produzido principalmente pela dopagem, e um nmero comparativamente bastante menor de eltrons livres na banda
de conduo, estes produzidos apenas pela energia trmica fornecida pelo ambiente ao material.
Por outro lado, os semicondutores tipo N so obtidos dopando-se tomos com 5 eltrons na banda de valncia
(tomos pentavalentes) em um cristal de silcio intrnseco, resultando no aumento do nmero de eltrons na banda de
conduo deste material. Neste caso, isto ocorre porque um tomo de impureza pentavalente forma quatro ligaes
covalentes com quatro tomos de silcio vizinhos, atingindo ento oito eltrons na sua banda de valncia e se tornando
estvel. O quinto eltron do tomo pentavalente precisa, ento, se deslocar para a banda de conduo (Figura 5.4-c) e,
desse modo, a impureza chamada doadora. Exemplos de impurezas doadoras so o arsnio, o antimnio e o fsforo.
Similarmente, alm de aumentar o nmero de eltrons livres, as impurezas tipo N fazem decrescer a quantidade
de lacunas exitentes no semicondutor intrnseco, pois h uma maior taxa de recombinao devido maior presena de
eltrons livres. Desse modo, nos semicondutores tipo N, os eltrons livres so denominados portadores majoritrios e
as lacunas de portadores minoritrios. A Figura 5.4-d mostra as bandas de energia de um cristal dopado com impureza
doadora, onde observa-se ento um grande nmero de eltrons na banda de conduo, criados principalmente pela
dopagem, e um nmero bem inferior de lacunas na banda de valncia, criadas apenas pela energia trmica fornecida.
















Figura 5.4: Criao de portadores livres por dopagem em um cristal de silcio: (a) tipo P; (b) representao por
bandas do predomnio de lacunas no semicondugor tipo P; (c) tipo N; (d) predomnio de eltrons livres no tipo N.
(a) (b) (c) (d)
eltron
livre
on de
impureza
doadora
+4
+4 +5
+4
+4
energia
BV
BC
energia
BV
BC
ligao
covalente no
completada
on de
impureza
aceitadora
+4
+4 +3
+4
+4
lacuna
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
63
5.2.2) CONDUTIVIDADE EM SEMICONDUTORES EXTRNSECOS

Como mencionado, a criao de portadores majoritrios por dopagem faz decrescer o nmero de minoritrios
por recombinao entre os mesmos. Em condies de equilbrio trmico (criao de pares eltron-lacuna constante),
verifica-se que a relao entre o aumento de majoritrios e a diminuio de minoritrios linearmente proporcional.
Logo, pode-se inferir que, independentemente de pureza ou dopagem do semicondutor, o produto das concentraes
de eltrons livres e lacunas se mantm constante e igual ao quadrado da concentrao intrnseca n
i
(como tambm
visto, n = p = n
i
para este caso). Esta relao, chamada lei da ao de massas, definida ento por:

2
i
n p n = (5.7)
Seja um cristal semicondutor uniformemente dopado com N
D
tomos doadores e N
A
tomos aceitadores. Como
um tomo doador se torna um on positivo ao ceder eltron, assim como um tomo aceitador se torna um on negativo
ao receber eltron, ento estas impurezas produzem uma concentrao N
D
(tomos/cm
3
) de ons positivos, bem como
uma concentrao N
A
(tomos/cm
3
) de ons negativos. Adicionalmente, na ausncia de eletrizao, um material deve
manter sua concentrao de cargas positivas totais (no caso, lacunas + ons positivos) igual concentrao de cargas
negativas totais (eltrons livres + ons negativos) para obedecer a lei da neutralidade de carga, esta dada ento por:

D A
p N n N + = + (5.8)
Seja um semicondutor tipo P. Considerando-se que neste material no h impurezas doadoras (N
D
= 0) e que a
concentrao de lacunas muito maior que a de eltrons livres (p >> n), ento a equao (5.8) se reduz a:

P A
p N (5.9)
onde o ndice P adicionado para caracterizar o tipo de material. Logo, observa-se que a concentrao de majoritrios
(lacunas) no material resulta proximamente igual concentrao de tomos aceitadores(N
D
) fornecidos pela dopagem.
Pela Lei da Ao de Massas, a concentrao de minoritrios (no caso, eltrons livres) ser ento dada por:

2 2
i i
P
P A
n n
n
p N
= = (5.10)
Assim, como p
P
>> n
P
, ento a expresso matemtica da condutividade dada pela equao (5.3) e da densidade
de corrente dada pela equao (5.4) para o semicondutor tipo P passam a contemplar apenas lacunas, isto :

P P p
p e = (5.11)

P P P p
J E p e E = = (5.12)
onde
P
a condutividade eltrica e J
P
a densidade de corrente de conduo de lacunas para o material tipo P.
Analogamente, para um semicondutor tipo N, onde N
A
= 0 e n >> p

, tem-se que a equao (5.8) se reduz a:

N D
n N (5.13)
onde o ndice N adicionado para caracterizar o material. Neste caso, observa-se que a concentrao de majoritrios
(eltrons livres) resulta proximamente igual concentrao de tomos doadores (N
D
) fornecidos pela dopagem.
Pela Lei da Ao de Massas, a concentrao de portadores minoritrios (lacunas) ser ento dada por:

2 2
i i
N
N D
n n
p
n N
= = (5.14)
Similarmente, como n
N
>> p
N
, ento a condutividade dada pela equao (5.3) e a densidade de corrente dada
pela equao (5.4) para o semicondutor tipo N devem agora a contemplar apenas eltrons livres, isto :

N N n
n e = (5.15)

N N N n
J E n e E = = (5.16)
onde
N
a condutividade eltrica e J
N
a densidade de corrente de conduo de eltrons livres para o material tipo N.
Assim, com base nas equaes de densidade de corrente para os semicondutores extrnsecos, observa-se que a
conduo de corrente em uma amostra destes materiais, em resposta a uma ddp aplicada, ser constituda basicamente
por portadores majoritrios. Alm disso, os clculos do exerccio a seguir mostram a eficcia da dopagem no aumento
da condutividade eltrica dos semicondutores extrnsecos em comparao ao tipo intrnseco.

Exerccio 1: Seja uma amostra de silcio tipo N, cuja dopagem uniforme consiste de 1 tomo de impureza doadora
para cada 10
8
tomos de silcio. Determine a resistividade do silcio a 300 K e compare com o caso intrnseco.
Soluo
Da Tabela 5.1 tem-se que a concentrao de tomos para o cristal de silcio de 5 x 10
22
tomos/cm
3
. Como a
dopagem uniforme consiste em 1 tomo de impureza para cada 10
8
tomos de silcio, ento em cada cm
3
do material
h 5 x 10
14
tomos de impureza. Logo, a concentrao de tomos doadores ser de N
D
= 5 x 10
14
tomos/cm
3
. Assim:
Da equao (5.13), tem-se ento que: n
N
N
D
= 5 x 10
14
eltrons livres/cm
3

Seja n
i
= 1,5 x 10
10
cm
-3
a 300 K (Tabela 5.1) na equao (5.14):
( )
2
10
2
5
14 3
1, 5 10
4, 5 10
5 10
i
N
N
n lacunas
p
n cm

= = =
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
64
Da equao (5.15), tem-se ento que:
14 19
, 300 , 300
5 10 1, 6 10 1300
N K N n K
n e

= =

-2
, 300 , 300
= 0,104 / = 10, 4 / 9, 62 10
N K N K
S cm S m m
Pode-se observar ento que a resistividade da amostra tipo N (9,62 x 10
-2
m) consideravelmente menor que a
do silcio puro obtido anteriormente (2300 m), sendo a razo entre ambos dada por:
, 300 ,
2
, 300 ,
amosta intrnseca
amosta extrnseca
2300
24000
9, 62 10
Si K
Si K

=

Logo, este exerccio ilustra uma sensvel reduo na resistividade do silcio por um fator de 24000, conseguida
com apenas 1 tomo de impureza substituindo 1 tomo de silcio em 10
8
, quando a concentrao de eltrons livres
passa de n = n
i
= 1,5 x 10
10
cm
-3
do tipo intrnseco para n
N
= 5 x 10
14
cm
-3
na amostra extrnseca.
Devido lei de ao de massas, dada pela equao (5.7), observa-se tambm que um aumento da concentrao
intrnsica n
i
com a temperatura, dada pela equao (5.2), deve exercer um efeito sobre as concentraes de portadores
livres nos semicondutores extrnsecos. Nestes materiais, como visto, os portadores majoritrios so em nmero muito
maior que os minoritrios. Desse modo, quando esta amostra de semicondutor extrnseco submetida a um aumento
de temperatura, a energia trmica cria pares eltron-lacuna que ocasiona um impacto mais perceptvel nos portadores
minoritrios, devido ao seu menor nmero, do que nos majoritrios. Assim, conclui-se que a concentrao portadores
majoritrios permanece praticamente constante e o aumento na concentrao intrnseca resume-se aos minoritrios.
Alm disso, o aumento de temperatura provoca uma maior agitao trmica da estrutura atmica dos materiais,
o que acarreta em perda de mobilidade dos portadores livres no semicondutor devido ao nmero maior de colises.
No entanto, como a concentrao de portadores majoritrios nos semicondutores extrnsecos , como mencionado,
praticamente constante devido dopagem, ento esta reduo de mobilidade resulta em um segundo efeito para estes
materiais, que o decrscimo da condutividade com a temperatura, comportamento este mais prximo dos condutoes.

Comentrios:
1) Se, por exemplo, em um cristal tipo P, com concentrao N
A
de tomos aceitadores, for acrescentada N
D
impurezas
doadoras, tal que N
D
> N
A
, ento o cristal passa de tipo P para tipo N e vice-versa. Se ambas as dopagens forem
iguais, o material permanece intrnseco porque os eltrons livres e lacunas gerados pela dopagem se recombinam,
no originando portadores adicionais. Sobre uma amostra de determinado tipo pode-se ento criar sucessivamente
ilhas do outro tipo, o que amplamente utilizado na construo dos dispositivos eletrnicos.
2) A resistncia de uma amostra de semicondutor chamada resistncia de corpo. Ela obedece a Lei de Ohm, isto , a
tenso aplicada amostra proporcional corrente eltrica que a percorre, atravs de uma constante dependente
da temperatura, que sua resistncia. Como, quanto maior a dopagem, mais portadores livres so criados, ento
tem-se que a resistncia de corpo do semicondutor extrnseco diminui com a dopagem.


5.3) JUNO PN

Os semicondutores extrnsecos constituem-se em materiais de maior condutividade e menor dependncia da
temperatura em relao forma intrnseca, mas que no apresentam finalidade prtica em separado. Contudo, quando
combinados formam a chamada juno PN, que se constitui no bloco construtivo bsico que fundamenta a operao
dos dispositivos semicondutores ao desempenhar o efeito fundamental na Eletrnica, que o controle de carga.

5.3.1) BARREIRA DE POTENCIAL E CRISTAL PN

Como visto no Captulo 2, correntes de conduo constituem-se no deslocamento de portadores de carga livres
em resposta a um campo eltrico aplicado em um material submetido a uma diferena de potencial eltrico. Como
tambm visto no Captulo 2 atravs do efeito Thomson, o transporte de carga eltrica pode ainda ocorrer por meio de
um mecanismo chamado difuso, que motivado por diferenas de densidade de portadores livres em um material,
onde o sentido do fluxo de portadores livres surge da regio de maior para a de menor densidade do material.
A densidade de corrente de difuso definida como proporcional ao gradiente de concentrao do portador de
carga livre e de um parmetro caracterstico do material, chamada constante de difuso, que expressa uma medida da
mobilidade do portador de carga no material. Como o gradiente um vetor que determina o sentido de crescimento de
uma funo, ento a corrente de difuso de um portador de carga livre e o seu gradiente tem sentidos contrrios.
Sendo a dopagem um processo artificial de introduo de portadores de carga, pode-se desse modo produzir
semicondutores extrnsecos com dopagem no uniforme, o que resulta em diferenas de concentraes de majoritrios
nos materiais. Logo, a corrente eltrica nestes materiais pode ter origens do tipo conduo e difuso.
Assim, a definio da densidade de corrente total de lacunas para um semicondutor tipo P, dada pela equao
(5.12), deve ser expandida para acrescentar tambm a parcela referente corrente de difuso de lacunas, ou seja:
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
65

P p p
dp
J p e E e D
dx
= (5.17)
onde dp/dx e D
p
(cm
2
/s) so, respectivamente, o gradiente e a constante de difuso de lacunas no semicondutor, onde o
sinal negativo da densidade de corrente de difuso deve-se ao fato da carga eltrica e das lacunas ser positiva mas o
gradiente de lacunas ter, como mencionado, sentido contrrio ao do fluxo de lacunas por difuso.
Analogamente, a definio da densidade de corrente total de eltrons livres para um semicondutor tipo N, dada
pela equao (5.16), deve ser expandida para acrescentar a parcela referente corrente de difuso de eltrons livres:

N n n
dn
J n e E e D
dx
= + (5.18)
onde dn/dx e D
n
(cm
2
/s) so, respectivamente, o gradiente e a constante de difuso de eltrons livres no semicondutor.
O sinal positivo deve-se, neste caso, ao fato da carga e do eltron e do gradiente de difuso serem ambos negativos.
Mobilidade e difuso so fenmenos termodinmicos estatsticos, de modo que as constantes de difuso (D
p
e
D
n
) e as mobilidades das cargas (
p
e
n
) no so independentes e esto relacionadas entre si pela Relao de Einstein:

p
n
T
p n
D
D
V

= = (5.19)
em que V
T
= T/11600 (V) uma medida da energia trmica em um material, chamado potencial termodinmico ou
equivalente volt de temperatura, onde T a temperatura do material, dado em Kelvins.
Seja ento uma amostra de semicondutor tipo P isolada, em equilbrio trmico e dopada com concentrao p(x)
de lacunas que diminui com a dimenso x da amostra (Figura 5.5-a). Logo, nesta amostra h a tendncia de ocorrer
uma corrente de difuso de lacunas da regio de maior para a de menor concentrao de lacunas (Figura 5.5-b).
No entanto, como a amostra est isolada, a corrente total na mesma deve ser nula e, desse modo, a corrente de
difuso tem de ser anulada por outra igual e de sentido contrrio. Como esta corrente contrria no pode ser do tipo
difuso, visto seu sentido ser da regio de menor para a de maior concentrao, ento a mesma deve necessariamente
ser do tipo conduo (Figura 5.5-b). Contudo, para que possa existir, esta corrente de conduo necessita, como visto,
de um campo eltrico, desse modo criado e orientado da regio de menor para a de maior concentrao (Figura 5.5-b)
para ser acelerante para a conduo de lacunas (carga positiva). Observa-se ento que este campo eltrico criado ser
retardador para a difuso de lacunas e, portanto, o responsvel pelo anulamento da corrente total na amostra.
Assim, pode-se concluir que, para uma amostra semicondutora extrnseca com dopagem no uniforme, um
gadiente de potencial dV/dx (campo eltrico) deve existir em seu interior de forma a funcionar como uma barreira de
potencial contra a tendncia de difuso de uma corrente de majoritrios no material (Figura 5.5-b).
















Para se obter uma medida desta barreira de potencial, pode-se fazer J
P
= 0 na equao (5.17), considerando-se
que a amostra, estando isolada, sua densidade corrente nula. Empregando-se a relao de Einstein, obtem-se ento:
1
0
p
T
P p p
p
D
V dp dp dp
J p e E e D E E
dx p dx p dx

= = = =
onde o campo eltrico resultante E pode ser determinado se conhecida a concentrao de dopagem p(x).
Sendo um campo eltrico definido como a variao de potencial eltrico V ao longo de uma distncia x , tal que
E = - dV/dx, pode-se integrar este resultado desde um ponto qualquer x
1
, de concentrao p
1
e potencial V
1
, at um
ponto qualquer x
2
de concentrao p
2
e potencial V
2
(Figura 5.5-a), obtendo-se ento:
2 2
1 1
1
V p
T
T T
V p
V dV dp dp
E dV V dV V dp
dx p dx p p
= = = =



1
2 1 21
2
T
p
V V V V n
p
| |
= =
|
\
(5.20)
Figura 5.5: (a) Representao de amostra tipo P com densidade de lacunas no uniforme; (b) consequncias da
dopagem no uniforme na amostra; (c) o cristal PN e seu efeito densidade de carga no uniforme entre substratos.
dp/dx
0 x x
1
x
2
p
1
p
2
< p
1

(a) (b) (c)
V
21
= V
o
1 A
p N
substrato P substrato N
0 x
juno PN
2
2
i
D
n
p
N

corrente de difuso
de majoritrios
formado por lacunas
E
x
1
x
2
V
1
V
2

barreira de potencial
corrente de
difuso de
lacunas
corrente de
conduo de
lacunas
barreira de potencial
contra a difuso de lacunas
E
V
21
0 x x
1
x
2
V
1 V
2
< V
1

dV/dx

corrente de conduo
de minorittios
formado por lacunas
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
66
que define a diferena de potencial entre os dois pontos x
1
e x
2
e expressa, portanto, a medida da barreira de potencial
entre estes pontos. Nota-se ento a barreira independe da distncia entre os pontos, apenas de suas concentrao.
Similarmente, com J
N
= 0 na equao (5.18) e procedendo-se como anteriormente, obtem-se para o material N:

2
21
1
T
n
V V n
n
| |
=
|
\
(5.21)
A Figura 5.5-c mostra o chamado cristal PN, constitudo por uma regio com concentrao uniforme de N
A

tomos aceitadores, chamada substrato ou regio P, e uma segunda regio com concentrao uniforme de N
D
tomos
doadores, chamada substrato ou regio N, cuja fronteira entre ambas denominada juno PN. Apesar da dopagem
uniforme em cada substrato, pode-se observar ento que a concentrao de lacunas varia do lado P, onde portador
majoritrio, para o lado N, onde portador minoritrio, ou ainda, que a concentrao de eltrons livres varia do lado
N (majoritrio) para o lado P (minoritrio). Logo, devido a esta diferena de concentraes de portadores livres, pode-
se concluir que o cristal PN constitui-se em um caso particular de semicondutor com dopagem no uniforme e, desse
modo, uma barreira de potencial, denominada potencial de contato V
o
, surge entre os dois substratos (Figura 5.5-c).
Como resultado, uma corrente de difuso de lacunas do lado P (majoritrio) para o lado N (minoritrio) deve
ser equilibrada por uma corrente de conduo de lacunas do lado N para o lado P, estabelecendo-se ento um campo
de barreira de potencial eltrico do lado N para o lado P (Figura 5.5-c). Assim, conclui-se que a barreira de potencial
produz um efeito retardador (contrrio) para a difuso de majoritrios, porm acelerante (a favor) para a conduo de
minoritrios. Resultado igual pode ser observado racionando-se em termos de eltrons livres.
Considerando-se ento um ponto qualquer x
1
no substrato P, com concentrao p
1
de lacunas e um outro ponto
qualquer x
2
no substrato N com concentrao p
2
de lacunas (Figura 5.5-c), da equao (5.9) pode-se considerar ento
que p
1
= N
A
(majoritrio no lado P) e da equao (5.14) pode-se considerar que p
2
= n
i
2
/N
D
(minoritrio no lado N).
Da equao (5.20), tem-se ento que a barreira de potencial V
o
(chamado potencial de contato) ser determinada por:

21 o 2
i
A D
T
N N
V V V n
n
| |
= =
|
\
(5.22)
Similarmente para os eltrons livres, considerando-se um ponto x
1
no substrato P com concentrao n
1
= n
i
2
/N
A

(minoritrio no lado P) e um ponto x
2
no substrato N com concentrao n
2
= N
D
(majoritrio no lado N), ento da
equao (5.21) tem-se que o potencial de contato a barreira de potencial V
o
ser determinada por:
o 2
i
A D
T
N N
V V n
n
| |
=
|
\

que o mesmo resultado da equao (5.22), como teria de se esperar.
Portanto, a diferena de concentraes de portadores propiciado por um cristal PN acarreta em uma diferena
de potencial V
o
entre os substratos, que impede a difuso de majoritrios atravs da juno PN. Conclui-se ento que
os majoritrios s conseguiro se difundir atravs da juno se for vencida esta barreira de potencial.

Exerccio 2: Calcule o valor da barreira de potencial V
o
em um cristal PN de silcio a 300 K, considerando ambas as
regies P e N com dopagens iguais de 1 tomo de impureza por 10
8
tomos de silcio.
Soluo
Como visto no Exerccio 1, a dopagem de 1 tomo de impureza em 10
8
tomos de silcio produz a concentrao
de tomos doadores (para o substrato N) e aceitadores (para o substrato P) da ordem de 5 x 10
14
tomos/cm
3
. Logo:
N
D
= N
A
= 5 x 10
14
cm
-3
. Com n
i
= 1,5 x 10
10
portadores/cm
3
(Tabela 5.1) na equao (5.22), tem-se ento que:
( )
14 14
o 2 2 2
10
i i
300 5 10 5 10
11600 11600
1, 5 10
A D A D
T
N N N N T
V V n n n
n n

| |
| | | |
|
= = =
| |
|
\ \
\
o
0, 54 V V
Este resultado coerente com o observado na prtica para valores de barreira de potencial de um cristal PN de
silcio, tipicamente entre 0,5 e 0,7 V. Para um cristal PN de germnio, os valores tpicos situam-se em torno de 0,2 V.

5.3.2) CAMADA DE DEPLEO

A formao do cristal PN apresenta um efeito motivado por difuso de eltrons atravs da juno, que resulta
em uma regio em torno da juno chamada camada de depleo onde confinado a barreira de potencial do cristal.
Seja a representao de um cristal PN no instante de sua formao, seus ons de impurezas e seus portadores
majoritrios mostrada na Figura 5.6-a. Devido diferena de concentrao de portadores livres entre os substratos P e
N, inicialmente ocorre ento uma pequena difuso de eltrons livres prximo da juno da regio N para a regio P.
No entanto, ao sairem a regio N, estes eltrons deixam tomos de impureza com 1 eltron em falta (ons positivos) e,
ao entrarem na regio P e se tornarem minoritrios, podem facilmente sofrer recombinao com lacunas prximas
juno, cujos tomos de impureza associados s lacunas passam a ter 1 eltron em excesso (ons negativos). Assim,
com estas recombinaes, a regio prxima juno vai se tornando esgotada de portadores livres, restando apenas
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
67
camadas de ons fixos na estrutura do cristal e resultando na chamada regio ou camada de depleo (Figura 5.6-b).
Resultado igual pode ser obtido com este raciocnio aplicado para a difuso de lacunas da regio P para a regio N.
Como ons so tambm portadores de carga e as camadas de ons fixos nos substratos P e N so de sinais con-
trrios, ento na camada de depleo surge um campo eltrico E no sentido da regio N para a regio P (Figura 5.6-b).
Este campo eltrico criado na camada de depleo , portanto, retardador para os majoritrios, ou seja, se consitui em
uma barreira de potencial contra a difuso destes portadores atravs da juno. Assim, a regio de depleo aumenta
com cada portador majoritrio que atravessa a juno, at que o campo eltrico criado nesta regio se torne intensa o
suficiente para cessar a difuso dos majoritrios e a largura da camada de depleo se estabiliza.
Contudo, pode-se observar tambm que o campo eltrico da camada de depleo acelerante para os portado-
res minoritrios em cada substrato, ou seja, eltrons livres no lado P so impelidos a atravessar a juno para o lado N
por este campo, assim como lacunas no lado N so impelidas a atravessar para o lado P. Estes fluxos de minoritrios
constituem-se, desse modo, em correntes de conduo devido ao campo eltrico acelerante. Porm, como o cristal PN
est isolado, ento a corrente total no cristal tem de ser nula, ou seja, como estudado no item 5.3.1, uma corrente de
conduo de minoritrios que tende a atravessar a juno ser anulada por uma corrente de difuso de majoritrios.
Devido a este fato, pode-se concluir ento que o campo eltrico responsvel pela barreira de potencial contra a difuso
de portadores majoritrios no cristal PN se encontra confinado em sua regio de depleo e, desse modo, a variao
do potencial V
o
da barreira se limita camada de depleo do cristal (Figura 5.6-c).
Por fim, um aspecto importante para a largura da camada de depleo a sua dependncia do nvel de dopagem
dos substratos. Quanto mais densamente dopado um substrato, maior a concentrao de ons de impureza e, assim,
maior a taxa de recombinao de portadores livres prxima juno e menor a largura de depleo no substrato.













5.3.3) MODOS DE POLARIZAO DA JUNO PN

A caracterstica eltrica essencial de uma juno PN sua ao unidirecional, no sentido de que, aplicando-se
convenientemente uma ddp entre os terminais do cristal PN, pode-se obter a conduo de uma grande quantidade de
portadores livres em um sentido de corrente e praticamente eliminar esta passagem no sentido contrrio.
Este efeito decorre da aplicao de um campo eltrico no cristal PN de modo a se opor ou favorecer o campo da
barreira de potencial, resultando ento em uma perturbao no equilbrio entre as correntes de difuso de majoritrios
e conduo de minoritrios estabelecido no cristal PN isolado, com resultados distintos de montantes de corrente visto
a concentrao de majoritrios ser bem maior que a de minoritrios em cada substrato. Assim, com a aplicao de
uma tenso eltrica entre os terminais do cristal PN, obtem-se dois modos de polarizao possveis para a juno PN:
1) Polarizao direta: um cristal PN encontra-se polarizado diretamente quando o potencial eltrico no terminal do
substrato P maior que o potencial eltrico no terminal do substrato N, tal como exemplificado na Figura 5.7-a.
Logo, sendo o potencial no substrato P maior que no substrato N, esta ddp, chamada tenso direta, estabelece
um campo eltrico E
apl
no interior do cristal no sentido P para N, que contrrio ao campo eltrico da barreira de
potencial da regio de depleo (Figura 5.7-a), o que favorece a difuso dos majoritrios atravs da juno.
Assim, se a ddp aplicada for maior que a barreira de potencial V
o
, ento os majoritrios nos lados e N (eltrons
livres) e P (lacunas) adquirem energia suficiente para vencer a barreira e atravessar a juno (Figura 5.7-a), onde
se tornam minoritrios, o que chamado injeo de minoritrios. Sendo lacunas e eltrons livres cargas de sinais
contrrios, a difuso de majoritrios atravs da juno constitui-se ento em uma corrente no mesmo sentido, de P
para N no sentido convencional. Desse modo, em polarizao direta e a partir de um certo valor de tenso, o cristal
PN passa a conduzir uma corrente resultante formada por majoritrios, chamada corrente direta (Figura 5.7-a), que
pode ser utilizvel, visto o nmero de portadores livres disponvel ser substancial. Alm disso, quanto maior a ddp
aplicada ao cristal, mais portadores majoritrios conseguem atravessar a juno e maior ser a corrente direta.
Um esquema por bandas de energia representa outra forma de visualizao da conduo eltrica no cristal PN.
A Figura 5.7-b mostra um diagrama das bandas de valncia e conduo de um cristal PN, sendo as energias das
bandas no substrato N menores pelo fato da barreira de potencial fornecer mais energia s bandas do substrato P,
onde o prprio desnvel caracteriza a barreira de potencial. Assim, com a energia fornecida pelo campo eltrico
Figura 5.6: (a) Cristal PN no instante de sua formao; (b) criao da regio de depleo; (c) barreira de potencial.
substrato P substrato N
lacuna
eltron
livre
ons
doadores
ons
aceitadores
(a) (b) (c)
camada de depleo
E
x
E
N P
V
o
x
V

substrato P substrato N
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
68
aplicado, os eltrons do substrato N podem passar para o lado P tanto na BC como na BV (deixando uma lacuna
no seu lugar, o que constitui-se na difuso de lacunas). Na BC, o eltron livre pode percorrer todo o substrato P at
o seu terminal ou, sendo minoritrio neste substato, pode ainda se recombinar com as lacunas e percorrer o restante
substrato P como eltron de valncia at o seu terminal (Figura 5.7-b). Alm disso, com base no Captulo 1, tem-se
ento que a ocorrncia de recombinaes implica na emisso pelos eltrons do excesso de energia na forma de ra-
diao (Figura 5.7-b), efeito este explorado nos chamados diodos emissores de luz (LEDs), vistos mais adiante.
A corrente direta limitada pela chamada resistncia de corpo do cristal, formada basicamente pela resistncia
dos substratos e da regio de depleo. Logo, a queda de tenso total entre os terminais do cristal PN ser, ento,
composta pela barreira de potencial mais a queda em sua resistncia de corpo. Alm disso, a potencia dissipada na
resistncia de corpo impe um limite para o fluxo de majoritrios, chamada corrente direta mxima (I
F
).














1) Polarizao reversa: um cristal PN encontra-se polarizado reversamente quando o potencial eltrico no terminal
do substrato N maior que o potencial eltrico no terminal do substrato P, tal como exemplificado na Figura 5.8-a.
Desse modo, a ddp aplicada, chamada tenso reversa, estabelece um campo eltrico E
apl
de N para P, ou seja,
no mesmo sentido do campo da barreira de potencial (Figura 5.8-a), o que favorece a conduo de minoritrios.
Isto resulta numa corrente reversa e constante formada por portadores minoritrios atravs da juno e de direo
oposta verificada na polarizao direta (do lado N para o lado P), denominada corrente de saturao reversa I
S
. O
valor constante e o termo saturao vem do fato da concentrao minoritrios ser, como mencionado, limitada pela
gerao trmica. Assim, o cristal PN em polarizao reversa conduz uma corrente praticamente desprezvel, visto
o nmero de portadores livres disponvel para a constituir a corrente reversa (minoritrios) ser muito pequeno.
Outro efeito da polarizao reversa reside no controle da largura da camada de depleo. Isto ocorre devido ao
fato das lacunas no lado P serem atradas para o potencial negativo do terminal substrato P, assim como os eltrons
livres do lado N serem atrados para o potencial positivo do terminal do substrato N, resultando ento mais ons
positivos e negativos prximos juno e, portanto, um aumento da camada de depleo (Figura 5.8-a). A largura
da regio de depleo ser, portanto, tanto maior quanto maior a polarizao reversa aplicada ao cristal PN.
A polarizao reversa, contudo, apresenta um limite chamado tenso de ruptura BV (breakdown voltage), a
partir do qual a corrente reversa aumenta intensamente devido a efeitos cumulativos e cristal PN pode se danificar.
Um dos efeitos ocorre quando portadores minoritrios, ao entrarem na camada de depleo, colidem com ons da
estrutura cristalina e cedem energia para quebrar ligaes covalentes, criando ento novos pares eltron-lacuna
que, ao receberem energia do campo aplicado, podem tambm colidir com outros ons da rede cristalina, gerar
mais pares e assim sucessivamente, resultando num processo chamado multiplicao em avalanche. Outro meca-
nismo consiste no chamado efeito Zener, onde prprio campo eltrico reverso aplicado poder exercer uma fora
intensa o suficiente para extrair eltrons da rede cristalina e criar sussesivamente pares eltron-lacuna.














Figura 5.7: Cristal PN em polarizao direta: (a) circuito de polarizao simplificado e corrente de
difuso de majoritrios (corrente direta); (b) representao do efeito conduo por bandas de energia.
(a) (b)
juno PN
P N
BC
radiao
barreira de
potencial
E
apl
corrente direta V
S

E
E
apl

P N
portador
majoritrio
portador
majoritrio
energia
BV
Figura 5.8: Cristal PN em polarizao reversa: (a) circuito de polarizao simplificado e corrente de
conduo de minoritrios (corrente de saturao reversa); (b) representao por bandas de energia.

(a) (b)
I
S
V
S

E
E
apl

portador
minoritrio
portador
minoritrio
P N
BC
barreira
de
potencial
E
apl

P N
BV
energia
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
69
Assim, a barreira de potencial permite ao cristal PN conduzir bem no sentido P N (sentido convencional),
onde a corrente resultante ser constituda por majoritrios, e praticamente no o fazer no sentido contrrio (N P),
pois a corrente ser constituda por minoritrios. Esta caracterstica conduo-no conduo (ON-OFF) da juno PN
a base construtiva de diversos dispositivos eletrnicos, tais como diodos e transistores de juno, vistos a seguir.


5.4) DISPOSITIVOS A CRISTAL PN - I: DIODOS

Como princpio fundamental da Eletrnica, um controle de corrente eltrica pode ser conseguido em sua forma
mais simples por meio de uma chave liga-desliga, ou seja, por um dispositivo com comportamento unidirecional. Os
componentes eletrnicos que executam esta funo so chamados diodos e seu desenvolvimento remonta ao sculo
XIX com os antigos diodos de cristal e terminicos, at o atual predomnio dos diodos a semicondutor.
Assim, devido capacidade de conduzir facilmente em polarizao direta, se comportando como uma chave
fechada, e de praticamente no conduzir em polarizao reversa, se comportando como uma chave aberta, um simples
cristal PN constitui-se ento em um dispositivo conhecido como diodo de juno bipolar, ou simplesmente diodo.
Diodos semicondutores so componentes eletrnicos passivos, no sentido de que sua corrente no pode ser
controlada a qualquer tempo. Alm disso, devido ao comportamento conduo-no conduo, chamada caracterstica
retificadora, a principal aplicao dos diodos reside na transformao de sinais alternados (sinais que invertem seu
sentido no tempo) em sinais contnuos (sem inverso) ou mesmo constantes (CC), chamados circuitos retificadores.
Esta capacidade de deformao de sinal significa tambm que os diodos no so componentes lineares (aqueles em
que, aplicada uma tenso senoidal, o corrente resultante por ele tambm ter comportamento senoidal).
O estudo que se segue ser feito mais detidamente para o diodo dito de finalidade geral, alm de outros tipos.

5.4.1) SMBOLOS, CONVENES E ESPECIFICAES MXIMAS

Os smbolos esquemticos do diodo de juno bipolar apresentam o formato de uma seta (Figura 5.9-a), que
indica explicitamente o sentido preferencial de conduo do diodo, ou seja, o sentido convencional da corrente direta
(P N). Como o substrato N do cristal contribui com eltrons para a formao de corrente direta, seu terminal
chamado catodo (K) e, como a regio P recebe estes eltrons, seu terminal denominado anodo (A). Tais notaes
podem ser acrescentadas ao smbolo do diodo como indicativos de seus terminais (Figura 5.9-b).
Alm disso, sendo o diodo um dispositivo polarizado, conveniente adotar uma conveno para a corrente no
diodo (I
D
) e ddp entre seus terminais (V
D
), que so normalmente os sentidos da corrente e tenso direta (Figura 5.9-b),
onde assumem valores positivos. Em polarizao reversa, portanto, I
D
e V
D
devem assumir valores negativos.
Desse modo, a potncia P
D
dissipada no diodo o produto da tenso V
D
e corrente I
D
em seus terminais, isto :

D D D
P V I = (5.23)
Supondo V
A
o potencial eltrico no terminal anodo e V
K
o potencial no terminal catodo do diodo (Figura 5.9-b),
ento a tenso V
D
nos terminais do diodo poder ser determinada por:

D A K
V V V = (5.24)
Os materiais semicondutores utilizados na fabricao de diodos de juno so basicamente o silcio, empregado
para uso geral em retificadores, circuitos lgicos, limitadores, fixadores, proteo de componentes, etc. (exemplos:
1N4148, 1N914 e srie 1N4000), e o germnio (exemplos: AA119, 1N60 e OA90), este utilizado em circuitos de
pequenos sinais e altas freqncias (exemplo: detectores de RF). Os diodos so fabricados em diversos formatos e
potncias (Figuras 5.9-c e d), podendo o encapsulamento apresentar uma faixa em uma das extremidade para indicar o
terminal catodo (Figura 5.9-c) ou o prprio smbolo do diodo como indicativo de seus terminais (Figura 5.9-d).














(a) (b) (c) (d)
Figura 5.9: Diodos de juno bipolar: (a) smbolos esquemticos, (b) nomenclaturas e convenes;
aparncias diversas: (c) diodos retificadores de pequena potncia, (d) diodos retificadores de potncia.
P N
K A
V
D

I
D

V
K
V
A

faixa
indicativa
do catodo
terminal
catodo (K)
terminal
anodo (A)
P N
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
70
Como componente de circuitos eltricos, um diodo de juno deve ser projetado de modo a no ultrapassar
certos limites para no se danificar (carbonizao) e ficar em curto-circuito ou aberto. Como visto anteriormente, o
cristal PN, e por conseguinte o diodo de juno, apresenta basicamente duas especificaes mximas:
1) Corrente direta mxima (I
F
): a mxima corrente suportada pelo diodo quando em polarizao direta, podendo esta
especificao ser apresentada como potncia mxima. As folhas de dados dos fabricantes (data sheets) definem
duas classes: grandes sinais (potncia maior que 0,5 W) e pequenos sinais (potncia menor que 0,5 W). Assim, um
diodo est quase sempre conectado em srie a um resistor limitador de corrente, para manter sua corrente abaixo
da mxima especificada. Exemplos: 1N914 (potncia mxima = 250 mW); srie 1N4000 (I
F
= 1,0 A).
2) Tenso de ruptura (BV): como mencionado, a tenso mxima suportada pelo diodo em polarizao reversa (com
exceo do diodo Zener, visto mais adiante). As folhas de dados apresentam vrias nomenclaturas para a tenso de
ruptura, tais como: PIV, PRV, V
RM
, V
RWM
, V
(BR)
. Exemplos: 1N4001 (BV = 50 V), 1N4004 (BV = 400 V).

5.4.2) CARACTERSTICA CORRENTE-TENSO

Tenso e corrente so grandezas facilmente mensurveis nos terminais de qualquer componente eltrico. Desse
modo, uma forma de se conhecer o princpio de funcionamento de um dispositivo reside no levantamento da chamada
caracterstica corrente-tenso, tambm chamada caracterstica I-V, que expressa de forma grfica o comportamento da
corrente eltrica conduzida pelo dispositivo, em funo da tenso aplicada em seus terminais.
Assim, considerando as convenes adotadas para corrente e tenso no diodo (Figura 5.9-b), o 1 quadrante da
caracterstica I-V do diodo refere-se ao seu comportamento em polarizao direta (V
D
e I
D
positivos), e o 3 quadrante
(V
D
e I
D
negativos) refere-se ao seu comportamento em polarizao reversa (Figura 5.10-a). Logo, a Figura 5.10-b
mostra a caracterstica corrente-tenso tpica levantada para um diodo de juno comum.
Na caracterstica I-V do diodo observa-se ento um comportamento coerente com o observado para o cristal PN
em polarizao direta e reversa, vistos no item 5.3.3. Em polarizao direta, a conduo de corrente direta no diodo s
ocorre a partir de valores de tenso superiores ao da barreira de potencial do cristal, que podem ser sintetizados em
um valor limite V

denominado tenso de limiar, acima da qual se considera que o diodo efetivamente conduz uma
corrente utilizvel. Alm disso, observa-se uma certa inrcia inicial para os majoritrios reagirem ao campo eltrico
aplicado, a partir da qual a corrente direta passa a aumentar intensamente at o valor mximo I
F
ser atingido, o que
explica o comportamento no-linear (na verdade, exponencial) da corrente direta (Figura 5.10-b). Similarmente, em
polarizao reversa verifica-se que o diodo conduz uma corrente praticamente desprezvel (a mencionada corrente de
saturao reversa I
S
), at que o limite de ruptura BV da tenso reversa seja atingido (Figura 5.10-b).
Assim, com base na caracterstica I-V, pode-se delimitar 2 regies de operao para o diodo (Figura 5.10-b):
1) Regio de conduo: a tenso direta aplicada superior ao limiar de conduo do diodo, ou seja, V
D
> V

. Como
nesta regio o diodo conduz uma corrente utilizvel, a mesma corresponde ao chamado modo conduo do diodo.
2) Regio de corte: a tenso direta aplicada no mximo igual ao limiar de conduo e a tenso reversa no atinge o
limiar de ruptura, ou seja, BV < V
D
V

. Como nesta regio o diodo praticamente no conduz, se comportando
como uma chave aberta, a mesma corresponde ao chamado modo corte ou bloqueio do diodo.
Visto que as correntes e tenses direta e reversa distinguem entre si por vrias ordens de grandeza, freqente a
utilizao de escalas distintas para representar a caracterstica I-V, como exemplificado na Figura 5.10-c. Alm disso,
como os materiais semicondutores so bastante dependentes da energia trmica ambiente, as caractersticas I-V dos
diodos so normalmente levantadas para uma determinada temperatura de referncia.















Uma propriedade prtica do cristal PN que a juno se relaciona com grandezas acessveis em seus terminais.
Assim, a equao que expressa o comportamento da caracterstica I-V nas regies de conduo e bloqueio, chamada
equao de Shockley, se relaciona com a ddp V
D
e sua corrente I
D
nos terminais do diodo, sendo dada por:
Figura 5.10: Caracterstica corrente-tenso de um diodo de juno: (a) definio dos quadrantes de polarizao,
(b) comportamento e definio das regies de operao; (c) exemplificao das ordens de grandeza nos eixos.
(a) (b) (c)

0,5
1 quadrante
polarizao
direta
V
D
> 0 , I
D
> 0
I
D

V
D
3 quadrante
polarizao
reversa
V
D
< 0 , I
D
< 0
0
I
D

V
D

0 V


I
F

-BV
I
S

regio de
corte
regio
de
conduo
I
D
(A)
V
D
(V)
1 nA
0,5
0
-10 -20 -100
1,0
I
S

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
71

1
D
T D S
V
V I I
e

| |
=
|

\
(5.25)
onde V
T
(V) o j mencionado potencial termodinmico (V
T
= T/11600, T em Kelvins) e o termo um parmetro
admensional dependente do semicondutor, utilizado como ajuste para o comportamento exponencial da regio de
conduo. Para o silcio, por exemplo, o termo adotado prximo de 2 quando deseja-se um especificao mais
suave para o comportamento exponencial, e se aproxima de 1 para comportamentos exponenciais mais acentuados.
Alm disso, um exame da equao (5.25) mostra que:
1) Na regio de conduo, onde V
D
>> V
T
, tem-se que: exp(V
D
/V
T
) >> 1. Nesse caso, a equao (5.25) se resume a:

D
T
D S
V
V
I I e

= (5.26)
ou seja, a corrente direta varia exponencialmente com a tenso aplicada quando em conduo (Figura 5.10-b).
2) Na regio de corte, onde V
D
< 0 e |V
D
| >> V
T
, tem-se: exp(- V
D
/V
T
) << 1 e a equao (5.25) se resume a: I
D
= I
S
,
isto , a corrente no diodo se resume o valor de saturao reversa, de sentido contrrio ao da corrente direta.
Como mencionado, a temperatura influencia na caracterstica corrente-tenso do diodo e a equao (5.25), que
traduz esta caracterstica, apresenta duas grandezas, V
T
e I
S
, dependentes da temperatura. A equao para V
T
exprime
por si sua relao funcional com a temperatura. Em relao corrente de saturao, dados experimentais mostram que
I
S
aumenta 7 % para cada aumento de 1 C na temperatura do diodo. Logo, para um aumento de 10 C, I
S
aumenta de
(1,07)
10
, cujo valor aproximadamente 2. Conclui-se ento que I
S
duplica com qualquer elevao de temperatura igual
a 10 C. Assim, conhecida a corrente I
S
temperatura T
o
, pode-se determinar I
S
a qualquer temperatura T por:

o
10
o
( ) ( ) 2
T T
S S
I T I T

= (5.27)
Do exposto observa-se ento que a corrente no diodo aumenta com a temperatura e
conclui-se que a tenso necessria para um diodo conduzir a mesma corrente direta diminui
com o aumento da temperatura do diodo (figura ao lado). Tipicamente, para cada aumento de
1
o
C na temperatura do diodo, tem-se, em decorrncia, uma queda de tenso direta da ordem
de 2,5 mV/
o
C. Logo, a ddp V
D
(T) em um diodo uma temperatura qualquer T, necessria para
que o mesmo conduza a mesma corrente quando submetido a uma ddp V
D
(T
o
) temperatura
de referncia T
o
pode ser determinada atravs da equao:

o o
( ) ( ) 0, 0025 ( )
D D
V T V T T T = (5.28)
Diodos de silcio apresentam temperatura mxima de trabalho em torno de 150
o
C e os diodos de germnio em
torno de 100
o
C, o que representa uma outra justificativa para o predomnio do silcio em relao ao germnio.

Exerccio 3: Determine a variao de tenso aplicada em um diodo de silcio a 300 K, necessria para que a corrente
direta aumente 10 vezes. Considere os valores extremos para o parmetro de ajuste exponencial ().
Soluo
Com visto na equao (5.26), o diodo exibe um comportamento exponencial no modo conduo. Desse modo,
considerando-se dois pontos quaisquer de sua caracterstica (figura), tem-se ento:
1 2
1 2
ponto 1: ; ponto 2:
D D
T T
D S D S
V V
V V
I I I I e e

= =
Como o aumento de corrente deve ser 10 vezes ento: I
D2
= 10 I
D1
. Logo:
2 1 2 1
2 1
2 1
2 1
2 1 2 1
10 10 10
10 (10)
300
(10) 0, 06
11600
D D D D
T T T T
D D
T
D D S S
D D T
D D D D
V V V V
V V V V
V V
V
I I I I
V V V n
V V n V V
e e e e
e

= = =
= =
=


Assim, para = 2 (extremo superior), tem-se: V
D2
- V
D1
= 0,12 V = 120 mV
E para = 1 (extremo inferior), tem-se: V
D2
- V
D1
= 0,06 V = 60 mV
Portanto, para um comportamento exponencial suave ( 2), a variao na tenso do
diodo necessria para aumentar em 10 vezes sua corrente de 120 mV e, se considerado
um comportamento exponencial acentuado ( 1), apenas 60 mV.

5.4.3) RETA DE CARGA

Os fabricantes de componentes eletrnicos frequentemente fornecem catlogos com dados de seus produtos,
chamados data sheets. Com um destes dados consistindo de grficos das caractersticas I-V do componente ento, por
um mtodo grfico, pode-se determinar sua corrente e tenso com o auxlio de uma equao obtida do circuito que
contemple a corrente e a tenso no componente como variveis, chamada linha ou reta de carga do circuito.
V
D1
V
D2

I
D2

1

I
D

I
D1

2

comportamento exponencial
mais suave ( 2)
V
D1
V
D2

1

I
D

I
D1

2

V
D

V
D

comportamento exponencial
mais acentuado ( 1)
I
D2

I
D
V
D
T
1
> T
2
> T
3
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
72
Assim, seja como exemplo o circuito da Figura 5.11-a, onde uma fonte de tenso CC de valor V
S
alimenta um
resistor limitador de corrente R e um diodo de juno D. Como o diodo est polarizado diretamente pela fonte V
S
, sua
caracterstica I-V nesta regio apresentada na Figura 5.11-b. Sejam V
D
e I
D
, respectivamente, a tenso e a corrente
no diodo. Aplicando a Lei de Kirchoff das Tenses (LKT) no circuito, a expresso matemtica de I
D
ser dada por:
0
S D
S D D D
V V
V R I V I
R

= =
Considerando I
D
e V
D
como as variveis da equao obtida, observa-se que estas possuem uma relao linear, o
que define a equao de uma reta que se constitui na reta de carga do circuito. Alm disso, como I
D
e V
D
so tambm
as mesmas variveis da caracterstica I-V do diodo, ento pode-se traar a reta no grfico da caracterstica, tal como
mostrado na Figura 5.11-b. Sendo a reta de carga uma representao do circuito e a caracterstica I-V a representao
do funcionamento do diodo no circuito, ento ambas tem de ser satisfeitas simultaneamente. Assim, o ponto Q de
interseco entre os dois grficos (Figura 5.11-b), chamado ponto de operao, funcionamento ou de repouso, o
nico que satisfaz esta exigncia, sendo ento a corrente e a tenso no diodo dados, respectivamente, pelos valores I
DQ

e V
DQ
obtidos dos eixos da caracterstica I-V do diodo fornecida pelo fabricante (Figura 5.11-b).
Analisando a Figura 5.11-b pode-se observar que a inclinao da reta de carga e suas interseces com os eixos
dependem apenas de V
S
e R, significando que o ponto de operao pode sofrer alteraes se houver variaes nestes
parmetros. Estas alteraes esto representadas na Figura 5.11-c, onde nota-se que o aumento de V
S
acarreta em retas
de carga paralelas e I
D
aumenta com V
S
, e na Figura 5.11-d nota-se que um aumento de R acarreta em reduo para I
D
.














Exerccio 4: Para o circuito e segmento de polarizao direta da caracterstica I-V do diodo dados a seguir, pede-se:
a) Para V
S
= 10 V, determine a potncia consumida no resistor de 5 e no diodo, e a potncia fornecida pela fonte V
S
.
b) Para o resistor de 4 substitudo por um curto-circuito, determine o valor da fonte V
S
necessria para que seja
obtido o mesmo ponto de operao do diodo adquirido no item a).
c) Para V
S
= 2 V, determine a potncia dissipada no diodo.












Soluo
a) Para o clculo das potncias, necessrio determinar a corrente e/ou queda de tenso nos componentes do circuito.
Como do diodo conhece-se apenas sua caracterstica I-V, ento ser necessrio preliminarmente determinar o seu
ponto de operao com auxlio de uma equao contemplando I
D
e V
D
como variveis (reta de carga do circuito):
Aplicando a Lei de Kirchoff das Correntes (LKC) no n (a), tem-se: I
1
= I
2
+ I
D
(1)
Para V
S
= 10 V, aplicando LKT na malha (A) do circuito e empregando o resultado (1), tem-se:
( )
1 2 2 2 2
10 20 5 0 10 20 5 0 0, 4 0,8 (2)
D D
I I I I I I I = + = =
Aplicando LKT na malha (B) do circuito e empregando o resultado (2), tem-se:
( )
2
5 4 0 5 0, 4 0,8 4 0 0, 25 0,125 (3)
D D D D D D D
I V I I V I I V = = =
A equao (3) apresenta uma relao linear entre I
D
e V
D
e constitui-se, portanto, na reta de carga do circuito.
Como para traar uma reta so necessrios a determinao de pelo menos dois pontos, tem-se:
20
I
D

V
D

5 4
I
1

I
2

V
S

(a)
(A) (B)
V
D
0

V
S3
/R
V
S2
/R
V
S1
/R
V
S1
V
S2
V
S3

V
D
0

V
S
/R
1
Q
1
V
S
/R
2
V
S
/R
3
V
S

I
D
(a) (b) (c) (d)
Q
2
Q
3
V
S3
> V
S2
> V
S1

R
3
> R
2
> R
1

Figura 5.11: (a) Circuito simples com diodo; (b) 1 quadrante da caracterstica I-V do diodo, reta de carga e ponto
de operao; mudana do ponto de operao do diodo para as situaes: (c ) V
S
variando, (d) R variando.
V
D
I
D
V
S
R

V
DQ
V
S
I
DQ
V
S
R

V
D
0

Q

reta de carga

Q
1
Q
2
Q
3
I
D
I
D
I
D
(mA)
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2
V
D
(V)
0
50
100
150
200
Q
2

Q
1

reta b
reta a
140
0,88
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
73
para: V
D
= 0,4 V I
D
= 0,2 A = 200 mA ; para: V
D
= 1,2 V I
D
= 0,1 A = 100 mA
Com estes dois pontos pode-se ento traar a reta de carga na caracterstica I-V do diodo (reta a na figura) e
na interseco destas obtm-se o ponto de operao (Q
1
) do diodo: V
DQ1
= 0,88 V , I
DQ1
= 140 mA = 0,14 A
Logo, da equao (2), tem-se:
2 1 2
0, 4 0,8 0, 4 0,8 0, 4 0,8 0,14 0, 288
D DQ
I I I I A = = = =
E da equo (1), tem-se:
1 2 2 1 1
0, 288 0,14 0, 428
D DQ
I I I I I I A = + = + = + =
Assim:
2 2
2
5 5 0, 288 I = =
5
0, 418 P W ,
1 1
0,88 0,14
DQ DQ
V I = = 0,123
D
P W

1
10 0, 428
S
V I = = 4, 28
fonte
P W
b) Definindo-se o valor da fonte V
S
como incgnita e substituindo-se o resistor de 4 por um curto-circuito (0 )
ento, considerando-se o ponto de operao V
D
= 0,88 V e I
D
= 0,14 A
para o diodo obtido no item a), tem-se o circuito ao lado. Assim:
Aplicando LKT na malha (A) do circuito, tem-se:
2 2
5 0,88 0 0,176 (1) I I A = =
Aplicando LKC no n (a) do circuito e com o resultado (1), tem-se:
1 2 1
0,14 0,176 0,14 0,316 (2) I I I A = + = + =
Aplicando LKT na malha externa e com o resultado (2), tem-se:
1
20 0,88 0 20 0, 316 0,88
S S
V I V = = + 7, 2
S
V V = == =
c) Para V
S
= 2 V e procedendo-se como no item a), obtm-se a reta de carga I
D
= 0,05 0,125 V
D
(reta b) e o ponto
de operao Q
2
: V
DQ2
= 0,4 V e I
DQ2
= 0 A. Conclui-se ento que o diodo se encontra no bloqueio e P
D
= 0 W .

5.4.4) DIODOS DE FINALIDADE ESPECFICA

A funo retificadora consiste na aplicao bsica dos diodos devido ao natural efeito da barreira de potencial
para com a conduo de portadores de carga livres atravs da juno PN. Contudo, aumentos no nvel de dopagem
superiores aos praticados para os diodos comuns ocasionam alteraes no comportamento da caracterstica I-V de um
cristal PN, que resultam em efeitos e aplicaes distintos da funo retificadora. Alm disso, uma juno PN pode ser
construda por diversos tipos de semicondutores, alguns dos quais caracterizados por uma transparncia propagao
de radiao eletromagntica, o que tambm resultam em aplicaes distintas. Assim, o aproveitamento destes efeitos
origina outros componentes a cristal PN, chamados diodos de finalidade especfica, alguns dos quais vistos a seguir.

5.4.4.1) Zener

Como visto anteriormente, diodos de aplicao geral no so projetados para suportar tenses superiores a de
ruptura. Contudo, fatores construtivos como maior dopagem e melhor dissipao de calor, podem oferecer condies
para um cristal PN suportar tambm esta condio, como o caso do chamado diodo zener (smbolos esquemticos na
Figura 5.12-a e aparncias na Figura 5.12-b). A Figura 5.12-c mostra uma caracterstica I-V tpica do zener, onde
nota-se ento que, alm das regies de conduo e corte, este diodo pode operar intencionalmente tambm na ruptura.
Na caracterstica I-V do zener pode-se observar que suas regies de conduo e corte se assemelham as de um
diodo comum e, na regio de ruptura (quando V
D
< -BV), a caracterstica apresenta um joelho de tenso a partir do
qual a tenso reversa atinge um certo valor -V
Z
e a corrente reversa um certo valor -I
ZK
, onde a tenso reversa se torna
praticamente contante at o limite -I
ZM
da corrente reversa, quando o zener se danifica (Figura 5.12-c).
Este comportamento em que pequenas variaes de tenso so acompanhadas por grandes variaes de corrente
chamado funo regulao de tenso e constitui-se na principal aplicao do zener. Neste caso, a funo regulao
do zener s efetivamente alcanada quando o mesmo levado ruptura, com a tenso reversa atingindo o valor V
Z
,
chamado tenso de regulao, e a corrente reversa se restringindo ao valor mnimo I
ZK
, abaixo do qual o diodo zener
perde sua funo regulao (volta para o corte), e ao valor mximo I
ZM
, acima do qual o zener se danifica.












(a) (b) (c)
Figura 5.12: Diodo Zener: (a) smbolos esquemticos; (b) aparencias diversas; (c) caracterstica I-V.
I
D

V
D

0
-BV
regio de
corte
regio de
conduo
regio de
ruptura
joelho de
tenso

-I
ZM
-V
Z
-I
ZK
V


funo regulao
de tenso

20
0,14 A
5
0,88 V
I
1

I
2

V
S

(a)
(A)
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
74
Assim, a potncia P
Z
dissipada no diodo zener na ruptura pode ser determinada aproximadamente por:

Z Z Z
P V I = (5.29)
onde I
Z
a corrente do zener na ruptura, tal que I
ZK
I
Z
I
ZM
. Com a especificao da potncia mxima P
ZM
do zener
na ruptura fornecida pelo fabricante pode-se ento determinar a corrente mxima I
ZM
por: I
ZM
= P
ZM
/V
Z
. Com relao
a I
ZK
, costuma-se utilizar uma regra prtica que consiste em adotar para I
ZK
um valor de 10 a 20% do valor de I
ZM
.
Zeners comercialmente disponveis apresentam tenso de regulao entre 2 e 200 V e potncia entre e 50 W.
Exemplos: srie BZX79C da Phillips: BZX79C5V2 (tenso de regulao = 5,2 V), BZX79C12V (12 V), etc.

5.4.4.2) Componentes optoeletrnicos

Alm das funes retificao e regulao de tenso, o comportamento do cristal PN pode ser aproveitado para
outras finalidades, tal como a aptoeletrnica, teconlogia que emprega mecanismos de converso de energia eltrica
em luminosa e vice-versa, sendo os dispositivos com esta finalidade denominados componentes optoeletrnicos.
O mecanismo de converso de luz em energia eltrica chamado Efeito Fotovoltaico e, similar ao LDR, dois
dispositivos a cristal PN so baseados neste efeito: o fotodiodo e a clula solar. O efeito inverso (energia eltrica em
luminosa) chamado Eletroluminescncia, sendo os diodos emissores de luz e o diodo laser exemplos de dispositivos
baseados neste mecanismo. Alm disso, estes dispositivos podem ser associados nos chamados optoaclopadores.
Como visto anteriormente, em um cristal PN em conduo, os eltrons livres do substrato N, ao migrarem para
o substrato P, podem facilmente se recombinar com as lacunas por serem minoritrios neste substrato e, na passagem
da banda de conduo para a banda de valncia, emitem o excesso de energia na forma de radiaes eletromagnticas
(Figura 5.13-a). Nos diodos comuns esta energia quase toda dissipada na forma de calor porque os semicondutores
empregados (silcio e germnio) so opacos passagem de luz. Porm, nos diodos emissores de luz, chamados LEDs
(Light-Emitting Diode), a maior parte desta energia luminosa pode ser irradiada para o meio exterior ao cristal PN
devido sua construo se basear em materiais semicondutores translcidos (transparentes) a estas radiaes. Assim,
os LED`s so sempre polarizados diretamente e levados conduo para produzir luz utilizvel, sendo sua intensidade
tanto maior quanto maior a tenso direta aplicada, pois maior a corrente e, por conseguinte, a taxa de recombinao.
Sendo a frequncia da radiao dependente direta de sua energia (como visto no Captulo 1, E
f
= h f), ento na
Figura 5.13-a pode-se observar tambm que a radiao emitida pelo diodo LED depende essencialmente do gap de
energia entre as bandas de valncia e conduo (E
G
) e, desse modo, do semicondutor empregado em sua construo.
A luz emitida pelos LED`s no monocromtica (como em um laser), mas em uma faixa espectral bastante
estreira, o que pode distingui-los pela cor da luz emitida, variando do infra-vermelho at a cor azul. So construdos
com base no arsenieto de glio (GaAs), de onde obtm-se o LED infra-vermelho e, com a adio de fsforo (ou ndio)
para formar o fosfato arsenieto de glio (GaAsP), consegue-se gaps de energia maiores, obtndo-se ento LEDs de
luz visvel (vermelho, laranja, amarelo, at a cor verde), sendo no LED azul empregado o nitreto de glio.
A Figura 5.13-b mostra os smbolos esquemticos do LED, onde as setas simbolizam o sentido da radiao, e
algumas de suas aparncias so apresentadas na Figura 5.13-c. Exemplos de LEDs comerciais so as sries TIL da
Texas Instrument (exemplo: TIL221), srie CQV (Philips) e srie LD (Icotron).
Os LED`s apresentam quedas de tenso direta tpicas em torno de 1,5 a 2,5 V, pequena tenso de ruptura (5 V),
correntes diretas mximas at 100 mA ou potncia mxima at 0,2 W. A Figura 5.13-d mostra um circuito simples de
polarizao, onde um resistor R deve acompanhar o LED para proteg-lo de sua especificao de corrente mxima.
Os LEDs substituram as lmpadas incandescentes em vrias aplicaes devido sua baixa tenso, vida longa
e rpido chaveamento liga-desliga. Os LEDs de infra-vermelho so teis na aplicao que exijam luz no visvel, tais
como sistemas de controle, alarmes e sensores de presena. Os de luz visvel so empregados em equipamentos para
para indicar avisos, nveis de intensidade, exibio de dgitos e letras (indicador de 7 segmentos, Figura 5.13-e), etc.
Alm disso, o recente invento do LED azul tornou possvel a construo de lmpadas de luz branca e telas de TV e
computadores, com as vantagens de grande vida til e baixo consumo. Outra aplicao deste dispositivo consiste no
chamado LED laser (aparncia na Figura 5.13-f), que constitui-se de um LED que produz luz coerente a partir de um
cristal PN formado por faces paralelas polidas de modo a funcionar como uma cavidade ressonante, sendo comumente
empregados em dispositivos de leitura e armazenamento pticos e sistemas de comunicao ptica de alta velocidade.










Figura 5.13: Diodo emissor de luz: (a) mecanismo de emisso; (b) smbolos esquemticos; (c) aparncias
diversas; (d) circuito de polarizao; (e) mostrador de sete segmentos; (f) aparncia de um diodo laser.
(a) (b) (c) (d) (e) (f)
B
A
C
D
E
F
G
BV
E
G

BC
energia
emitida
P N
+V
S
R

RGB

A K
bicolor

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
75
Como tambm visto anteriormente, a incidncia de energia em um semicondutor, por exemplo luminosa, pode
acarretar em quebras de ligaes covalentes e na criao pares eltron-lacuna, o que ocasiona um aumento relevante
no nmero de minoritrios mas no de majoritrios. Alem disso, viu-se tambm que a corrente reversa formada por
um fluxo de minoritrios. Por estes fatos conclui-se ento que pode-se construir um componente tipo fotodetector com
base em um cristal PN, cuja corrente reversa controlada por luz incidente no cristal. Este dispositivo, denominado
fotodiodo, deve ento ser polarizado reversamente para poder desempenhar a funo de fotodetector e, similar ao
fotorresistor, se constitui tambm em um dispositivo seletivo de frequncia, pois sua sensibilidade luz indicente
depende da energia do gap entre as bandas de valncia e conduo.
Um fotodiodo consiste basicamente de um cristal PN, cujo invlucro opaco apresenta uma janela para permitir
a incidncia de uma energia luminosa diretamente sobre a regio da juno (Figura 5.14-a), de modo a produzir pares
eltron-lacuna proporcional radiao incidente. A razo para isso que portadores gerados distante da juno PN
apresentam maior probabilidade de se recombinarem antes que consigam atravessar camada de depleo e alcanar o
outro substrato. A Figura 5.14-b mostra os smbolos esquemticos do fotodiodo, onde as setas simbolizam o sentido
da radiao, e na Figura 5.14-c algumas aparncias encontradas para estes dispositivos.
Com o fotodiodo polarizado reversamente (exemplo de circuito na Figura 5.14-d, onde R o resistor limitador
de corrente), ento a Figura 5.14-e mostra a caracterstica I-V tpica de um fotodiodo (situada no 3 quadrante devido
polarizao reversa), sendo os termos L
1
e L
2
referentes a nveis de radiao incidente (W/m
2
) sobre a juno, onde
o comportamento quase constante da corrente com a tenso reversa aplicada deve-se gerao limitada de pares com
o iluminamento. Assim, pode-se observar que a quantidade de radiao incidente exerce um controle sobre o montan-
te de corrente reversa no cristal PN, resultando ento em um efeito detector para a luz.
Os materiais normalmente empregados para a construo de fotodiodos so germnio, silcio e selnio, sendo a
corrente reversa tpica da ordem de dezenas de A. Os empregos mais comuns para os fotodiodos so em chaves e
controles pticos, sensores de luz e leitores pticos (cdigo de barras, CDROM, etc.).











Na caracterstica I-V apresentada na Figura 5.14-e pode-se observar tambm que a corrente reversa no cristal
PN sob iluminamento no se reduz a zero quando da retirada da tenso reversa (V
D
= 0), sendo necessrio a aplicao
de uma tenso direta para anular esta corrente (I
D
= 0). Como este anulamento pode ser tambm conseguido com os
terminais do cristal PN em aberto, ento observa-se que em um cristal PN sob iluminamento pode-se obter uma tenso
eltrica entre seus terminais, denominada potencial fotovoltaico (Figura 5.14-e). Alm disso, como nesta regio da
caracterstica I-V (4 quadrante) tem-se que: V
D
> 0 e I
D
< 0, ou seja, tenso e corrente adquirem o mesmo sentido,
ento o cristal passa a se comportar como um elemento ativo de circuitos, isto , que fornece energia eltrica.
O aproveitamento da tenso entre os terminais de um cristal PN sob iluminamento originou um dispositivo
conversor fotoeltrico, chamado clula fotovoltaica ou clula solar, que emprega, desse modo, a luz solar como fonte
de energia primria para a produo de eletricidade. A Figura 5.15-a mostra um esquema construtivo de uma clula
solar, formada por uma fina camada de material tipo N sobre um substrato P, de modo a permitir que a maior parte da
radiao incidente no substrato N consiga atingir a regio prxima juno PN. Com isto, consegue-se a criao de
portadores minoritrios em cada substrato, que podem ser acelerados pela camada de depleo e migrar para o outro
substrato, resultando ento em um efeito de separao de carga e originando o referido potencial fotovoltaico. Assim,
com a conexo de uma carga entre os terminais da clula, ocorre ento a circulao de uma corrente externamente ao
cristal, formada por portadores minoritrios criados pela energia luminosa sobre sua juno PN.
Seja V
V
a tenso em uma clula solar sob iluminamento e I
V
a corrente resultante da conexo de uma carga R
L

entre seus terminais (Figura 5.15-a). Logo, a potncia P
V
fornecida pela clula carga ser dada por: P
V
= V
V
I
V
. Seja
ainda a caracterstica I-V de uma clula solar para diferentes radiaes incidentes L
3
> L
2
> L
1
(Figura 5.15-b). Pode-se
observar ento que, se V
V
= 0 (terminais em curto), ento P
V
= 0, e se I
V
= 0 (terminais em aberto), ento P
V
= 0, ou
seja, a potncia de sada da clula nula para os valores extremos de carga. Assim, uma reta de carga pode definir a
mxima potncia que clula solar poder fornecer para uma determinada radiao incidente (Figura 5.15-b).
As clulas solares (smbolos esquemticos na Figura 5.15-c, onde as setas indicam o sentido da radiao, e sua
aparncia na Figura 5.15-d) so fabricadas, em sua maioria, empregando o silcio como material base, com potencial
fotovoltaico tpico de 0,6 V, sendo as tecnologias de construo de clulas atualmente existentes classificadas em:
Silcio monocristalino: historicamente a mais usada, devido sua fabricao ser processo bem constitudo. So, em
geral, as que apresentam as maiores eficincias, podendo chegar a 18%.
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 5.14: Fotodiodo: (a) aspectos, (b) smbolos, (c) aparncias, (d) polarizao, (e) caracterstica I-V.
luz

janela

A

K

P
N
invlucro
opaco

+V
S
R
sem luz
I
D
(A)

V
D
(V)
L
1


L
2
> L
1


potenciais
fotovoltaicos

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
76
Silcio policristalino: possuem eficincia inferior s clulas de silcio monocristalino (13%), sendo contudo mais
baratas que estas por exigirem um processo de fabricao menos rigoroso e oneroso.
Silcio amorfo: difere das demais por apresentar alto grau de desordem na estrutura dos tomos e baixa eficincia
na converso de energia comparada aos outros tipos (7%), que ainda se reduz ao longo da vida til. No entanto,
seu processo de fabricao o mais simples e barato e apresenta a possibilidade de fabricao com grandes reas.
As clulas fotovoltaicas e o conjunto destas (baterias solares) apresentam largo emprego como fonte de energia
em satlites, calculadoras, relgios, carregadores de baterias em locais de difcil acesso da rede normal, sinalizao de
ruas, sensores de monitoramento, proteo contra corroso catdica, estaes repetidoras de comunicaes, etc.














O acoplamento de circuitos por meio de um sinal tico propicia uma isolao eltrica entre estes circuitos, pois
o nico contato entre estes um feixe de luz e, desse modo, possvel o controle um circuito de alta tenso e potncia
(circuito de sada) por um circuito de tenso e potncia inferiores (de entrada). Neste caso, emprega-se os chamados
optoacopladores, dispositivos que associam um componente emissor e um fotodetetor em um mesmo invlucro.
O optoacoplador de diodos (smbolo na Figura 5.16-a e aparncias na Figura 5.16-b) um dispositivo formado
por um LED (normalmente, infra-vermelho) no lado de entrada e um fotodiodo no lado de sada. A Figura 5.16-c
mostra o esquema de um circuito de controle com optoacoplador de diodos, onde a fonte V
1
determina a luz emitida
pelo LED atravs da tenso V
ENT
estabelecida pela corrente I
1
e esta luz, ao atingir o fotodiodo, define ento a corrente
I
2
fornecida pela fonte V
2
. Sendo a tenso de sada do optoacoplador (V
SADA
) dada por: V
SADA
= V
2
R
2
I
2
ento, se a
tenso de entrada V
1
(ou o resistor R
1
) variar, I
1
ir alterar a quantidade de luz emitida pelo LED e, consequentemente,
o fotodiodo estabelecer esta mudana na corrente I
2
de sada e, consequentemente, no valor de V
SADA
.












5.4.4.3) Varicap

Como visto anteriormente, uma das consequncias da polarizao reversa em um cristal PN reside no desloca-
mento de portadores majoritrios em direo aos terminais, o que acarreta em um aumento da camada de depleo do
cristal. Como a camada de depleo se caracteriza pela ausncia de portadores livres, ento esta situao pode ser
entendida como um efeito capacitivo, com os substratos P e N funcionando como placas de um capacitor com cargas
armazendas (majoritrios) e a camada de depleo como o dieltrico entre as placas (Figura 5.17-a).
Este efeito capacitivo, chamado capacitncia de transio (C
T
), de barreira ou de juno, pode ser definido por:
C
T
= A/W, onde onde W a largura da regio de depleo, A a rea da juno e a permissividade dieltrica do
semicondutor (Figura 5.17-a). Como tambm visto, quanto maior a tenso reversa aplicada ao cristal, maior ser sua
camada de depleo. Desse modo, tem-se que a largura W da camada de depleo modulada pela tenso reversa e,
sendo a capacitncia de transio inversamente proporcional largura W, ento tem-se que este efeito capacitivo ser
tanto maior quanto menor for a tenso reversa aplicada (Figura 5.17-b). Assim, qualquer cristal PN exibe este efeito
capacitivo, podendo ser aproveitado para a obteno de capacitores que variam automaticamente sua capacitncia
com a tenso aplicada, sem a necessidade de movimentos mecnicos de placas condutoras.
(a) (b) (c)

Figura 5.16: Optoacoplador: (b) smbolo esquemtico; (c) aparncias; (d) exemplo de circuito controlador
R
1
I
1
V
ENT
V
1
circuito de entrada circuito de sada
R
2
I
2
V
SAIDA
V
2
Figura 5.15: Clula fotovoltaica: (a) aspectos construtivos, variveis de tenso e corrente e conexo carga;
(b) exemplo de caracterstica I-V e definio de ponto de operao; (c) smbolos esquemticos; (d) aparncia.
(a) (b) (c) (d)

N
P e-
e+
grade metlica
base metlica
V
V
R
L
I
V
0,6

V
V
(V)
I
V
(A)
L
1
L
2
L
3
(W/m
2
)
1,0

1,5

2,0

P
V
(W)
ponto de
mxima
potncia

reta de
carga

L
3
> L
2
> L
1

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
77
Este comportamento de capacitncia controlada por tenso ento empregado na construo de um diodo com
a finalidade de explorar este efeito, chamado varicap, varactor ou epicap (smbolo esquemtico na Figura 5.17-c e
aparncias na Figura 5.17-d), que apresenta uma rea de juno grande e ainda um nvel de dopagem especificamente
dimensionado para maximizar este efeito capacitivo. O varicap ento largamente empregado na montagem dos
chamados circuitos tanques ressonantes (princpio em que se baseia a sintonia de um sinal de onda eletromagntica)
para a recepo de sinais em rdios, TVs, celulares e outros equipamentos de comunicao.














5.4.4.4) Diodos fast recovery

Como visto anteriormente, a corrente direta em um cristal PN polarizado diretamente constitui-se na difuso de
portadores majoritrios entre os substratos P e N, isto , lacunas do lado P para o lado N e eltrons livres do lado N
para o P, vindo ento a se tornarem minoritrios no outro substrato (injeo de minoritrios).
Seja, por exemplo, a difuso de eltrons livres em um cristal PN em conduo (Figura 5.18-a). Sendo portador
minoritrio no lado P, ocorre ento um certo perodo, chamado tempo de vida mdio, para que os eltrons injetados se
recombinem com lacunas no lado P, o que se constitui no restabelecimento de ligaes covalentes. Na ocorrncia de
uma reduo na tenso direta aplicada, ou mesmo uma inverso de polaridade (Figura 5.18-b), os eltrons injetados
que se recombinaram ficam presos estrutura cristalina do lado P, porm os que ainda no sofreram recombinao
devem retornar ao substrato de origem (lado N) para que sejam estabelecidas as condies de operao do cristal PN.
Assim, os eltrons no recombinados representam uma carga eltrica excedente acumulada no lado P que deve ser
desfeita, constituindo-se ento em um efeito capacitivo chamado capacitncia de difuso ou de armazenamento (C
D
).
Racionnio igual pode ser feito com a difuso de lacunas. Como quanto maior maior a corrente direta, maior o nmero
de cargas armazenadas, ento este efeito capacitivo depender do ponto de operao do cristal PN em conduo.
Logo, a comutao de um cristal PN da conduo para o corte (comutao ON-OFF) exibe um comportamento
transitrio para poder estabelecer as condies reversas de equilbrio. Inicialmente, a inverso de polaridade no pode
ser acompanhada antes do descarregamento da capacitncia de difuso, necessitando de um intervalo, denominado
tempo de armazenamento (t
a
), para que as cargas acumuladas se reduzam a zero. Este movimento de carga produz,
ento, uma considervel corrente reversa transitria, por ser formada por majoritrios, que ser tanto maior e mais
prolongada quanto maior o tempo de vida mdio dos portadores injetados. Alm disso, depois do anulamento das
cargas excedentes, ocorre ainda um pequeno perodo, chamado tempo de transio (t
t
), para que a camada de depleo
do cristal aumente e a intensidade da corrente diminua at o nvel da corrente de saturao reversa. O intervalo total
para o estabelecimento das condies reversas denominado tempo de recuperao reversa (t
rr
), definido ento como
a soma dos intervalos de tempos de armazenamento e transio, isto : t
rr
= t
a
+ t
t
.
Como conseqncia, o tempo de comutao reversa de um diodo pode ser relevante se o perodo do sinal de
tenso de polarizao for muito pequeno (isto , de elevada frequncia), o que faz o diodo conduzir uma parte, ou o
total, do semiciclo reverso do sinal. Nestes casos, faz-se necessrio o emprego de diodos ditos de comutao rpida,
denominados fast recovery, sendo o diodo Schottky um exemplo destes componentes de finalidade especial.
O chamado diodo Schottky (smbolo esquemtico na Figura 5.18-c e aparncias na Figura 5.18-d) constitui-se
de uma juno metal-semicondutor (Figura 5.18-e), formado por um substrato metlico (alumnio, ouro, platina ou
prata) e um substrato semicondutor (silcio ou arsenieto de glio) tipo N pouco dopado. Este tipo de juno tambm
apresenta uma caracterstica retificadora como conseqncia de uma barreira de potencial, denominada barreira de
Schottky, ocasionada por uma diferena de concentraes de portadores devido ao fato do metal apresentar uma maior
concentrao de eltrons livres que o semicondutor. Como metais no possuem lacunas, ou seja, nos dois substratos
s existem eltrons livres como portadores majoritrios, ento no ocorre um acmulo de carga nos substratos e o
efeito da capacitncia de difuso nula. Desse modo, o tempo de recuperao reversa deste diodo se resume ao de
transio, pois o tempo de armazenamento inexistente. Assim, o diodo schottky caracteriza-se por apresentar uma
rpida comutao ON-OFF relativamente aos de juno PN, com tempos de recuperao reversa de ordem menor que
ns, o que o habilita para aplicao em circuitos que trabalham com sinais eltricos de variao elevada, tais como
computadores e retificadores de pequenos sinais e altas freqncias da ordem de at 300 MHz.
(a) (b) (c) (d)

Figura 5.17: (a) Efeito capacitivo em um cristal PN em polarizao reversa; (b) variao da capacitncia
de transio com a tenso reversa aplicada; varicap: (c) smbolo esquemtico, (d) aparncias diversas.
tenso reversa (V) 0
C
T
(F)
W
P N


A

camada de
depleo

cargas ar-
mazenadas

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
78











5.4.4.5) Diodo Tnel

Cristais PN construdos com alta densidade de dopagem (em
torno de 1 tomo de impureza por 10
3
tomos de silcio), apresentam
uma camada de depleo muito estreita (na faixa de algumas dezenas
de tomos de espessura). Neste caso, a barreira de potencial se torna
fraca o suficiente para que exista uma grande probabilidade de eltrons
penetrarem a camada de depleo e migrarem para o outro substrato,
sem a necessidade destes vencerem a barreira de potencial da juno.
Este comportamento consiste em um fenmeno da Mecnica Quntica
conhecido como tunelamento ou efeito tnel e o diodo construdo para
aproveitar este efeito conhecido como diodo tnel ou Esaki (smbolo
esquemtico na Figura 5.19-a e aparncia na Figura 5.19-b). Materiais
empregados: germnio e arsenieto de glio.
Devido ao efeito tunelamento, a caracterstiva I-V do diodo tnel (Figura 5.19-c) se mostra bastante distorcida,
com o cristal PN apresentando uma conduo imediata em ambos os sentidos de corrente e, em polarizao direta,
apresentando uma diminuio da corrente dentro de uma faixa de elevao da tenso aplicada, comportamento este
conhecido como regio de resistncia negativa, que se constitui na mais importante caracterstica do diodo tnel.
Como o efeito tnel ocorre velocidade da luz, ento o diodo tnel apresenta alta velocidade de chaveamento,
podendo ser empregado tanto como oscilador quanto como amplificador em uma larga faixa de frequncias (acima de
1 GHz), o que o torna indicado para circuitos de alta frequncia tais como osciladores, comutadores e amplificadores
de microondas. Os diodos tnel so pouco usados atualmente. As principais desvantagens so a baixa potncia e o
custo, fatores que apresentam vantagens em outras tecnologias (por exemplo, o diodo Gunn).

5.4.4.6) Varistores

Descargas atmosfricas e chaveamento de cargas reativas podem ocasionar perturbaes transitrias nos condu-
tores de alimentao, tais como sobretenses rpidas, que podem danificar equipamentos mais sensveis. Neste caso, o
emprego de supressores entre condutores e equipamentos se fazem necessrios para mitigar este problema.
Os chamados varistores so um tipo de
filtro (smbolo esquemtico na Figura 5.20-a e
aparncas nas Figuras 5.20-b e c), empregados
para limitar (grampear) sinais de tenso de
alimentao a partir de um certo valor nominal,
propiciando ento proteo a um equipamento
contra sobretenses transitrias na rede.
O tipo mais comum so os varistores de
xidos metlicos (MOV), contendo pequenos
gros de xido de zinco (ZnO) orientados ran-
domicamente e sinterizados com uma pequena
quantidade de outros xidos metlicos (tais
como cobalto, mangans e bismuto). Outros
materiais empregados so o dixido de estanho
(SnO
2
) e dixido de titnio (TiO
2
).
A fronteira entre cada gro de xido metlico comporta-se como a uma juno retificadora, equivalendo-se
eletricamente ento em uma rede de diodos um de costas para o outro, cada par em paralelo a muitos outros pares.
Quando em operao normal, em que baixas ou moderadas tenses nos dois sentidos de conduo so aplicadas em
seus terminais (eletrodos), o varistor praticamente no conduz uma corrente utilizvel, comportando ento como uma
chave aberta. Porm, quando atingido o seu limite de grampeamento (clamping voltage), o varistor passa a conduzir
Figura 5.19: Diodo tnel: (a) smbolo;
(b) aparncia; (c) caracterstica I-V.
V
D

(a) (b) (c)
regio de
resistncia
negativa
I
D

I
P

I
V

V
P
V
V
P N
carga acumulada
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 5.18: (a) Difuso de eltrons livres no cristal PN em conduo; (b) efeito de acmulo de carga na comutao
reversa e descarregamento do efeito capacitivo; diodo schottky: (c) smbolo, (d) aparncias diversas, (e) estrutura.
juno
A K
metal
semi-
condutor
P N
difuso de
majoritrios
e-
Figura 5.20: Varistores: (a) smbolo esquemtico; (b) aparncias
diversas; (c) aparncia do tipo alta tenso; (d) caracterstica I-V.
(a) (b) (c) (d)
V

I
-BV
BV
sobretenso
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
79
intensamente nos dois sentidos de conduo, devido ruptura de seus diodos causada por uma combinao de efeitos
(emisso terminica e tunelamento), resultando em um comportamento de baixa resistncia.
Assim, a caracterstica I-V de um varistor (Figura 5.20-d) mostra que este dispositivo apresenta um efeito de
ceifamento de picos de tenso quando ultrapassado os seus limites de ruptura nos dois sentidos de conduo, sendo
ento conectado em paralelo a cargas ou equipamentos para limitar sobretenses que possam danific-los. Logo, os
varistores so empregados para proteger tanto equipamentos de pequena potncia (fontes de alimentao, reatores
eletrnicos, sistemas no-break, etc.), quanto grandes conjuntos de carga em postes e subestaes.
Contudo, o varistor no prov proteo quando sobretenses so mantidas por um longo perodo, pois a energia
trmica dissipada no mesmo pode ultrapassar sua capacidade e causar sua queima, necessitando-se ento de sensores
para medir o seu calor e, se necessrio, acionar uma chave para seccionar o equipamento da rede eltrica.

5.4.5) ANLISE DE CIRCUITOS COM DIODOS

A teoria de Circuitos Eltricos constitui-se na principal ferramenta para a anlise qualitativa de circuitos e seus
fundamentos baseiam-se no pressuposto de que todos os componentes presentes so lineares. Contudo, esta teoria
pode ser empregada mesmo em circuitos contendo dispositivos no-lineares, desde que estes sejam representados por
circuitos equivalentes que representam o seu comportamento, denominados modelos. Este modelo so baseados na
linearizao por partes da caracterstica I-V dos dispositivos no lineares e construdos por meio da combinao de 5
componentes bsicos ideais e lineares: resistor, capacitor, indutor e fontes de tenso e corrente. Os modelos acarretam
ento em resultados no exatos, mas deve-se lembrar que so teis como estimativa do comportamento do circuito.
Assim, na soluo de circuitos com diodos pela teoria de Circuitos Eltricos pode-se empregar modelos que
representem o funcionamento do diodo de forma aproximada e linear. Os modelos mais utilizados so os chamados
para grandes sinais, que normalmente so de baixas freqncias, em que os valores de queda de tenso nos diodos no
so significativos perante a amplitude do sinal e os erros introduzidos nos clculos so desprezveis. Contudo, caso os
nveis de limiar do diodo sejam compatveis com a amplitude do sinal, ento outros modelos devem ser empregados.
O comportamento no-linear do diodo implica que os modelos para cada modo de operao so distintos. Alm
disso, a anlise do circuito depende tambm do tipo de sinal de tenso que alimenta o circuito, pois se as fontes so
todas do tipo contnua (CC) ento cada diodo presente no circuito estar operando em apenas um modo de operao e,
se ao menos uma fonte for variante no tempo, ento cada diodo poder operar em mais de um modo de operao.

5.4.5.1) Modelos do diodo para grandes sinais e baixas freqncias

Como mencionado, a construo de modelos para o diodo requer a linearizao por partes de sua caracterstica
corrente-tenso. Isto consiste na aproximao por segmentos de reta para os modo de operao do diodo (conduo e
corte), cujo comportamento ento traduzido por componentes eltricos lineares e ideais. Desse modo, pode-se adotar
basicamente as seguintes consideraes para a definio dos modelos de operao do diodo (Figura 5.21):
1) Modelo no corte ou bloqueio: como a corrente reversa do diodo praticamente desprezvel, considerara-se ento
que a regio de corte pode ser linearizada por uma reta representando corrente nula e tenso varivel. Assim, o
modelo para o diodo no corte consiste de uma chave aberta onde a tenso V
D
entre seus terminais a nica varivel
acessvel, independentemente do modelo escolhido para o diodo em conduo (Figura 5.21).
2) Modelo em conduo: o modelo a ser adotado para um diodo em conduo depender da amplitude do sinal de
tenso que alimenta o circuito e da preciso exigida nos resultados da anlise do circuito. Desse modo, os modelos
esquemticos para o diodo em conduo consistem basicamente em trs alternativas:
2.1) Diodo ideal: o modelo ideal do diodo expressa o comportamento de uma chave liga-desliga (ON-OFF), no
sentido de que ele age como um curto-circuito (chave fechada) quando operando em conduo, e como um
circuito aberto (chave aberta) quando operando no corte (Figura 5.21-a). Assim, observa-se que, quando em
conduo, a corrente I
D
do diodo ideal pode assumir qualquer valor positivo, isto , I
D
> 0, e, quando no corte,
a tenso V
D
em seus terminais pode assumir qualquer valor negativo, isto , V
D
0. O modelo ideal pode ser
empregado para propiciar uma compreenso inical do funcionamento de circuitos com diodos porque no
preciso se preocupar com os efeitos de barreira de potencial e comportamento exponencial do cristal PN.
2.2) Aproximado do real: este modelo baseia-se em uma maior aproximao da regio de conduo ao empregar
um segmento de reta que considera ambos os efeitos da barreira e o comportamento exponencial, traduzida
por uma fonte de tenso CC representando um valor de limiar V

, em srie com uma resistncia R
f
de valor
igual ao inverso da declividade (tg ) da reta (Figura 5.21-b). Nestte caso, observa-se ento que a corrente I
D

no diodo pode assumir qualquer valor positivo quando operando em conduo, isto , I
D
> 0, e a tenso V
D
em
seus terminais pode assumir qualquer valor igual ou menor que o de limiar quando em corte, isto , V
D
V.
Desse modo, a ddp V
D
entre os terminais do diodo em conduo com base nesse modelo ser ento dada por:
V
D
= V

+ R
f
I
D
, que , afinal, a equao do segmento de reta que modela a regio de conduo. Este modelo
pode ser empregado quando as quedas de tenso no diodo so comparveis ao das fontes de sinais de tenso
do circuito, sendo necessria ento uma aproximao mais exata daquela propiciada pelo modelo ideal.
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
80
2.3) Aproximado do real simplificado: este modelo reside em uma simplificao do modelo aproximado do real,
ao considerar uma tenso de limiar em um ponto centralizado da regio de conduo do diodo e desprezar o
comportamento exponencial da regio de conduo, tal que a declividade para o segmento de reta seja infinita
(tg ). Desse modo, o resistor srie R
f
do modelo aproximado do real ter valor nulo (R
f
= 1/tg = 0 )
e o modelo se resume a uma fonte de tenso CC que representa um valor de limiar V

(Figura 5.21-c). Pode-se
observar, contudo, que as condies de operao permanecem, isto , a corrente I
D
no diodo pode assumir
qualquer valor positivo (I
D
> 0) quando em conduo, e qualquer valor de tenso menor ou igual ao de limiar
quando em corte (V
D
V.). Igualmente ao modelo aproximado do real, este modelo pode ser empregado
quando as quedas de tenso no diodo so comparveis ao dos sinais de tenso que alimentam o circuito.













5.4.5.2) Anlise CC

Fontes de tenso contnuas caracterizam-se por apresentar um valor constante ao longo do tempo. Logo, em
circuitos eltricos onde todas as fontes de tenso so do tipo contnuas, chamados circuitos CC, as quedas de tenso e
correntes nos demais componentes do circuito em regime permanente tambm so constantes no tempo.
Desse modo, para a anlise de circuitos CC contendo diodos, pode-se concluir que cada diodo estar tambm
funcionando em um nico ponto de operao constante no tempo. Contudo, em uma verificao inicial do esquema
eltrico do circuito, o modo de operao (conduo ou corte) em que se encontra o ponto de operao de cada diodo
pode no estar claramente identificvel. Assim, para a anlise de um circuito CC com diodos, pode ser necessrio
preliminarmente descobrir em qual regio de operao se encontra os diodos, o que acarreta na necessidade de se
fazer suposies para o funcionamento de cada diodo e testar a veracidade destas suposies (a chamada prova).
Assim, a tcnica de anlise de circuitos CC contendo diodos compe-se de um mtodo de suposio e prova, na
qual deve-se admitir uma hiptese sobre o estado de cada diodo e testar se a mesma verdadeira ou falsa, at que se
encontre a suposio verdadeira, onde os resultados da anlise do circuito devero fornecer esta indicao.
Em linhas gerais, a anlise CC consiste ento dos seguintes passos (fluxograma suscinto na Figura 5.22):
1) Inicialmente, deve-se determinar o nmero de suposies gerais possveis quando h mais de um diodo presente no
circuito. Estas suposies gerais so compostas por hipteses parciais admitidas para cada diodo individualmente.
Como cada diodo poder funcionar em dois modos de operao, tem-se ento que o nmero total de suposies
gerais existentes poder ser determinado por 2
n
, sendo n o nmero de diodos presentes no circuito.
2) Preliminarmente aos clculos do circuito, conveniente realizar uma anlise da disposio dos diodos e demais
componentes do circuito para discernir, dentre as suposies gerais existentes, quais so as realmente possveis, o
que elimina clculos desnecessrios com hipteses improvveis. O mtodo de anlise CC de circuitos com diodos
se limitar ento em determinar qual dessas suposies gerais restantes possveis a verdadeira.
3) Para uma dada suposio geral possvel, substitui-se cada diodo por um modelo equivalente, vistos na Figura 5.21,
de acordo com a preciso exigida nos resultados. Com estas substituies, ento todo o circuito se torna linear e,
assim, pode-se proceder com os clculos de tenses e correntes pela teoria de Circuitos Eltricos.
Com base nas condies de operao de cada modo de operao, verificada na definio dos modelos do diodo
(item 5.4.5.2), ento, de acordo com a suposio geral e o modelo adotado (ideal ou aproximados), tem-se :
3.1) A hiptese do diodo se encontrar em conduo ser verdadeira se I
D
> 0. Logo, a hiptese ser falsa caso
contrrio (ou seja, I
D
0) e, neste caso, deve-se testar outra suposio geral possvel.
3.2) A hiptese do diodo se encontrar no corte ser verdadeira se V
D
V

(modelos aproximados) ou V
D
0
(modelo ideal). Logo, a hiptese ser falsa caso contrrio (isto , se V
D
> V

para os modelos aproximados
ou V
D
> 0 pra o modelo ideal) e, neste caso, deve-se testar outras suposies possveis.
3.3) Deve-se observar que uma suposio geral verdadeira somente se todas as hipteses parciais que a compem
so verdadeiras. Logo, se durante os clculos se obter um resultado comprovando que determinada hiptese
parcial falsa, ento pode-se interromper os clculos e partir para a anlise de outra suposio geral possvel.
4) O processo de suposio e prova da anlise CC se encerra ento quando a suposio geral verdadeira encontrada
e, com a identificao do funcionamento dos diodos, pode-se por fim determinar os demais clculos pedidos.
Figura 5.21: Modelos do diodo: (a) ideal; (b) aproximado do real; (c) aproximado do real simplificado.
(a) (b) (c)

I
D

V
D

0
V



A
K
V


R
f
I
D

A
K
V
D

1
f
R
tg
=
I
D

V
D

0
V


A
K
V


I
D

A
K
V
D

I
D

V
D

0
V


A
K
V
D

A
K
I
D

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
81










Exerccio 5: Para o circuito e caracterstica corrente-tenso linearizada dos diodos empregados, fornecidos a seguir,
determine o valor da tenso de sada V
o
do circuito para os seguintes casos de fontes de tenso de entrada V
1
e V
2
:
(a) V
1
= V
2
= 5 V ; (b) V
1
= V
2
= 0 V ; (c) V
1
= 0 V e V
2
= 5 V









Soluo
A esquematizao do circuito fornecido bastante utilizada para tornar sua representao mais simples, onde os
potenciais V
1
, V
2
e 5 V indicam fontes de tenso em relao referncia 0 V, que est implcita. Como estas fontes so
contnuas, ento a resoluo do circuito consiste na anlise CC de circuitos com diodos. Alm disso, com base na
caracterstica I-V linearizada pode-se obter os modelos em conduo e corte dos diodos, mostrados na figura.
O circuito apresenta dois diodos comuns (n = 2) e, portanto, existem 2
n
= 2
2
= 4 suposies gerais: D
1
e D
2
em
conduo, D
1
em conduo e D
2
no corte, D
1
no corte e D
2
em conduo, e D
1
e D
2
no corte. Adicionalmente, pode-se
observar que, se as fontes V
1
e V
2
apresentarem o mesmo nvel de tenso, ento os ramos do circuito com diodos sero
eletricamente iguais e conclui-se que os diodos estaro funcionando necessariamente no mesmo modo de operao.
(a) V
1
= V
2
= 5,0 V :
Com base na anlise preliminar, sendo ambas as fontes V
1
e V
2
iguais, ento os diodos tem modos de operao
iguais. Logo, h 2 hipteses gerais possveis: D
1
e D
2
em conduo, e D
1
e D
2
no corte. Testes:











Suposio geral 1: D
1
e D
2
em conduo
Substituindo-se o modelo fornecido dos diodos em conduo, obtm-se o circuito da figura (a). Como os
ramos com diodos so iguais, ento pode-se definir que: I
D1
= I
D2
e a corrente I ser dada por: I = 2 I
D1
.
Aplicando LKT (Lei de Kirchoff das Tenses) na malha 1 tem-se:
1 1 1
5 4700 2 0, 7 300 5 0 72 0
D D D
I I I A = = <
Como I
D1
= I
D2
< 0 ento, de acordo com regra 3.1), esta hiptese geral falsa. Desse modo, deve-se
prosseguir com o mtodo de suposio e prova e testar outras hipteses gerais possveis.
Suposio geral 2: D
1
e D
2
no corte
Substituindo-se o modelo fornecido dos diodos no corte, obtm-se o circuito da figura (b). Similarmente,
como os ramos com diodos so iguais, pode-se definir ento que: V
D1
= V
D2
.
Aplicando LKT na malha 1, tem-se:
1 1
5 5 0 0 0, 7
D D
V V V V = = <
Como V
D1
= V
D2
< 0,7 V e de acordo com regra 3.2), tem-se ento que ambas as hipteses parciais so
verdadeiras e, portanto, a suposio geral verdadeira. Assim, aplicando LKT na malha externa, tem-se:
5 V
o
= 0 V
o
= 5 V
Clculos:
anlise de
circuitos
no
Hiptese
verdadeira?
(prova)
sim
Analise preliminar
(hipteses possveis
para os diodos)
Demais
clculos
Fazer uma hiptese
dentre as possveis
e aplicar modelos
Figura 5.22: Fluxograma sucinto do mtodo de suposio e prova da anlise CC de circuitos contendo diodos.
300
I
D1

1
A
K
0,7 V
300
I
D2

4,7 k
I = 2 I
D1

V
o
A
K
300
V
D1

1
A
K
300
4,7 k
V
o
V
D2

I = 0 I
D1
= 0 I
D2
= 0
(a)

(b)

5 V
A
K
0,7 V
5 V 5 V
5 V
5 V 5 V
+ 5 V
300
300
V
1

V
2

4,7 k
V
o

D
1

D
2

I
D

0
0,7
A
K
V
D

A
K
0,7 V
I
D

I
D

V
D
(V)
0
0,7
modelo no corte modelo em conduo
V
D
(V)
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
82
(b) V
1
= V
2
= 0 V :
Novamente, com base na anlise preliminar, sendo ambas as fontes V
1
e V
2
iguais, ento os diodos tem modos
de operao iguais e, desse modo, h 2 hipteses gerais possveis: D
1
e D
2
em conduo, e D
1
e D
2
no corte.
Contudo, o fato de no ter excitao de tenso no lado do catodo dos diodos (V
1
= V
2
= 0 V), leva-se a concluir
que, sendo a fonte fixa de 5 V suficiente para fazer os diodos D
1
e D
2
conduzir por ser maior que os seus limiares
(0,7 V), ento a hiptese geral D
1
e D
2
em conduo aparenta ser a nica provvel. Teste:
Suposio geral: D
1
e D
2
em conduo
Substituindo-se o modelo para os diodos em conduo,
obtm-se o circuito da figura ao lado (fonte de tenso nula
modelada como um curto-circuito). Como os ramos com
diodos so iguais, ento pode-se observar que: I
D1
= I
D2
e
a corrente I pode ser definida como: I = 2 I
D1
.
Aplicando LKT na malha 1 tem-se:
1 1
1
5 4700 2 0, 7 300 0
0, 44 0
D D
D
I I
I mA
=
= >

Como I
D1
= I
D2
> 0 e tambm de acordo com regra 3.1), tem-se ento que ambas as hipteses parciais so
verdadeiras e, portanto, a suposio geral verdadeira. Assim, aplicando LKT na malha externa, tem-se:
3
1 o o
5 4700 2 0 5 4700 2 0, 44 10
D
I V V

= =
o
= 0, 86 V V
(c) V
1
= 0 V e V
2
= 5 V
Com base no valor das fontes V
1
e V
2
e nas suposies gerais verdadeiras encontradas para os casos (a) e (b),
pode-se supor ento que o diodo D
1
provavelmente est em conduo e D
2
provavelmente est no corte. Teste:
Suposio geral: D
1
em conduo e D
2
no corte
Substituindo-se o modelo do diodo D
1
em conduo e do diodo D
2
no corte, obtm-se o circuito ao lado.
Neste caso, tem-se que I
D2
= 0 e, portanto, I = I
D1
.
Aplicando LKT na malha 1, tem-se:
1 1
1
5 4700 0, 7 300 0
0,86 0
D D
D
I I
I mA
=
= >

Aplicando LKT na malha 2, tem-se:
1 2
3
2
2
300 0, 7 5 0
300 0,86 10 0, 7 5
4, 04 0, 7
D D
D
D
I V
V
V V V


+ =
= +
= <

Como I
D1
> 0 ento, de acordo com a regra 3.1), a hiptese parcial D
1
em conduo verdadeira. Alm
disso, sendo V
D2
< 0,7 V ento, com base na regra 3.2), a hiptese parcial D
2
no corte tambm verdadeira.
Logo, a suposio geral verdadeira. Assim, aplicando LKT na malha externa, tem-se:
3
1 o o
5 4700 0 5 4700 0,86 10
D
I V V

= =
o
= 0, 96 V V
Obs: Neste exerccio nota-se que a sada V
o
tem valores distintos conforme o estado das entradas V
1
e V
2
: se ambas
forem altas (5 V), a sada tambm ser alta (5 V - caso a) e se uma ou ambas forem baixas (0 V), a sada tambm
ser baixa (0,86 V - caso b, e 0,96 V - caso c). Conclui-se ento o circuito tem comportamento de porta lgica AND.

Exerccio 6: Para o circuito e caracterstica I-V linearizada do LED empregado a seguir, sabe-se que a especificao
de corrente direta mxima do LED 100 mA. Determine a faixa de valores do resistor R para que o LED emita luz.







Soluo
Para o LED emitir luz, deve-se ento supor que o mesmo esteja em conduo, tal que I
D
> 0. Neste caso, o LED
no pode ter ultrapassada sua especificao de corrente mxima, ou seja, I
D
< 0,1 A. Assim, o problema consiste em
obter a faixa de valores para o resistor R, tal que I
D
permanea no intervalo: 0 < I
D
< 0,1 A. Substiuindo-se o modelo
fornecido para o LED em conduo (circuito ao lado), tem-se que:
LKC (Lei de Kirchoff das Correntes) no n (a): I
1
= I
D
+ I
2
(1)
Aplicando LKT na malha (A) e com o resultado (1), tem-se:
( )
1 2
2
9 50 1, 5 9 0 9 50 1, 5 9 0
59 50 7, 5 (2)
D D D
D
I I I I I
I I
= + =
+ =

300
I
D1

1
300
I
D1

4,7 k
I = 2 I
D1

V
o
5 V
A
K
0,7 V
A
K
0,7 V
A
K
I
D2
= 0
1
A
K
0,7 V
300
I
D1

4,7 k
I = I
D1

V
o
V
D2

2
300
5 V
5 V
R
9 V
50
1,5 V
9

I
1

I
D

I
2

A
K
(A)
(a)
(B)
R
9 V
20
I
D
(mA)
V
D
(V)
0
1,5
A
K
V
D

modelo no corte
modelo em conduo
2,22
80
A
K
1,5 V
9

I
D

I
D
(mA)
V
D
(V)
0
1,5 2,22
80
0, 72 / 0, 08 9
f
R = =
LED
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
83
LKT na malha (B):
2 2
9 1, 5
9 1,5 0 (3)
D
D
I
I R I I
R
+
+ = =
Aplicando o resultado (3) em (2), tem-se:
( )
2
9 1, 5
7, 5 75
59 50 7, 5 59 50 7, 5
59 450
D
D D D
I
R
I I I I
R R
+

+ = + = =
+

Portanto: Para I
D
> 0 :
7, 5 75
0 7, 5 75 0
59 450
R
R
R

> >
+
> 10 R
pois, como R > 0 (no h resistor de valor negativo), ento o denominador da frao sempre positivo.
Para I
D
< 0,1 A :
7, 5 75
0,1 7, 5 75 5, 9 45
59 450
R
R R
R

< < +
+
< 75 R
Interpretao do resultado: como o LED e o resistor R esto em paralelo, ento o resistor R divide a corrente da fonte
com o LED. Desse modo tem-se que, se R < 10 , ento o resistor R desvia toda a corrente da fonte e no permite
que o LED entre em conduo, e se R > 75 , ento a corrente desviada para o LED suficiente para faz-lo queimar.

5.4.5.3) Anlise CA

Fontes de tenso variantes no tempo, chamados sinais, caracterizam-se por apresentar alteraes em seu valor
ao longo do tempo, podendo conter inclusive inverso de polaridade. Desse modo, as quedas de tenso e correntes nos
demais componentes do circuito em regime permanente tambm apresentam comportamento variante no tempo.
Assim, em circuitos com diodos onde pelo menos uma fonte do circuito for variante no tempo (por exemplo,
fonte alternada, dita CA), conclui-se que um diodo poder funcionar em mais de uma regio de operao devido ao
comportamento variante no tempo da fonte, ou ainda, vrios diodos presentes no circuito podero assumir mais de
uma combinao possvel de modos de operao. Neste caso, tem-se ento que mais de uma suposio geral possvel
para o comportamento dos diodos poder ocorrer no circuito, razo pela qual a estratgia da suposio e prova da
anlise CC se mostra inadequada e necessita ser adaptada para esta situao, resultando na chamada anlise CA.
A anlise CA de circuitos contendo diodos e fontes de sinais consiste em determinar, para cada suposio geral
possvel, uma equao, denominada caracterstica de transferncia, que expressa o comportamento do sinal do circuito
que se quer estudar, chamada varivel de sada, em funo dos dos sinais aplicados ao circuito, chamadas variveis de
entrada. Alm disso, como cada suposio geral apresenta condies para a sua veracidade, ento deve-se determinar
tambm as condies impostas s variveis de entrada para que a caracterstica de transferncia seja verdadeira.
Caractersticas de transferncia (CT) constituem-se ento em uma relao matemtica entre variveis de entrada
e sada de um circuito. Por exemplo, para o circuito qualquer dado na Figura 5.23-a, onde a fonte de tenso v
S
a
varivel de entrada e o sinal de tenso v
o
a varivel de sada, ento a caracterstica de transferncia constitui-se em
uma equao que contempla o comportamento da sada v
o
em funo da entrada v
S
, isto , v
o
= f(v
S
). Assim, se entrada
v
S
se altera, a caracterstica de transferncia determinar que alteraes sofrer a varivel de sada v
o
.
Alm disso, para circuitos eltricos lineares, as caractersticas de transferncia cujas variveis de entrada e sada
sejam tenses e/ou correntes, constituiem-se em equaes de retas do tipo: y = m x + b, onde o valor da declividade da
reta (m) informa como o sinal de entrada refletido na sada: igualmente (Figura 5.23-b), atenuado (Figura 5.23-c) ou
amplificado (Figura 5.23-d), sendo ainda um sinal negativo a indicao de inverso de fase na sada (Figura 5.23-e).















Em linhas gerais, a anlise CA consiste ento dos seguintes passos (fluxograma suscinto na Figura 5.24):
1) Admitir suposies gerais sobre o funcionamento dos diodos. Em certos casos, uma anlise do circuito possibilita
determinar quais das suposies gerais existentes so realmente possveis.
2) Aplicar os modelos aproximados ou ideal e resolver o circuito pela teoria de Circuitos Eltricos (Leis de Kirchoff).
v
S

v
o


v
S

v
o

v
S

v
o


v
S

v
o


Figura 5.23: (a) Variveis de entrada e sada de um circuito qualquer; grfico de caractersticas de transferncia e
consequncias de sua declividade no sinal de sada: (b) igualdade, (c) atenuao, (d) amplificao, (e) inverso.
v
S
v
o

circuito
qualquer
= 45 0
o
< < 45 45 < < 90 > 90

(a) (b) (c) (d) (e)
varivel de
entrada
varivel
de sada
m = tg = 1 0 < m < 1 m > 1 m < 0

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
84
3) Para cada hiptese feita, determinar a caracterstica de transferncia e a condio para que a mesma seja verdadeira.
As condies so determinadas com base nas mesmas regras vistas para a anlise CC, isto :
Modo conduo: I
D
> 0 (para os modelos ideal e aproximados);
Modo corte ou bloqueio: V
D
V

(modelos aproximados) ou V
D
0 (diodo ideal).
Cabe aqui tecer algumas recomendaes para os clculos:
3.1) A equao de uma caracterstica de transferncia deve ser obtida de modo que as nicas incgnitas sejam as
variveis de entrada e sada, com os demais parmetros da equao sendo constantes;
3.2) As condies obtidas para cada suposio geral possvel so impostas apenas s variveis de entrada, ou seja,
independem da varivel de sada do circuito escolhida para estudo;
3.3) Como o comportamento da caracterstica I-V do diodo (e conseqentemente seus modelos) contnua, isto ,
no apresenta descontinuidades, ento tanto as caractersticas de transferncia quanto as respectivas condies
devem necessariamente ser contguas (complementares) em seus limites. Este fato pode ser utilizado para se
testar se os resultados do clculo das caractersticas e respectivas condies esto corretos.
4) Obter os demais resultados, normalmente a forma de onda do sinal de sada para um determinado sinal de entrada.










O comportamento de chave ON-OFF dos diodos explorado em diversas classes de circuitos para modificar as
formas das ondas eltricas. A seguir,so introduzidos os fundamentos de alguns tipos destes circuitos.

5.4.5.4) Retificadores com diodos

Retificadores so circuitos utilizados para converter tenso alternada (e conseqentemente corrente alternada),
que geralmente se dispe, em tenso (corrente) contnua, que a maioria dos sistemas eletrnicos requer.
Inicialmente, seja o circuito simples dado na Figura 5.25-a, constitudo por uma fonte de sinal de tenso v
S
que
alimenta uma resistncia de carga R
L
atravs de um diodo D, conhecido como retificador de meia.












Sendo o sinal v
S
a varivel de entrada e considerando o sinal de tenso v
L
na carga como a varivel de sada do
circuito ento, adotando-se como exemplo o modelo aproximado do real simplificado para o diodo, tem-se:
Suposio 1: D em conduo
Substituindo-se o modelo aproximado do real simplificado para o modo em conduo do diodo (Figura 5.25-b)
e aplicando-se LKT na malha do circuito, obtem-se:

0 0 condio
S
S L D D
L
v V
v V R i i
R

= = > >
S
v V
que a condio para que esta suposio seja verdadeira. Logo, a equao da tenso de sada v
L
ser dada por:
( )
caracterstica de transferncia
S
L L D L
L
v V
v R i R
R

= = = -
L S
v v V
que a caracterstica de transferncia do circuito para o diodo em conduo, pois a equao expressa a tenso de
sada v
L
em funo apenas da entrada v
S
, sendo o valor de limiar V um parmetro constante e conhecido.
Logo, quando a entrada satisfaz a condio v
S
> V

, ento o diodo D entra em conduo e a caracterstica de


transferncia obtida pode ser utilizada para se determinar o comportamento da sada de acordo com o sinal entrada.
Analise preliminar
(hipteses possveis
para os diodos)
Fazer uma
hiptese dentre
as possveis e
aplicar modelos
Clculos: anlise de
circuitos (caracterstica
de transferncia e
respectiva condio)
Demais
clculos
sim
Todas as
hipteses
possveis?
no
Figura 5.24: Fluxograma simplificado da mtodologia de anlise CA de circuitos contendo diodos.
(a) (b) (c)

Figura 5.25: Retificador de meia-onda com diodo: (a) esquema do circuito; (b) circuito para
o clculo do modo em conduo do diodo; (c) circuito para o modo em bloqueio do diodo.
R
L

i
D

v
L
v
S
R
L
v
L
v
S

A K
V

R
L
v
L
v
S

A K
v
D D
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
85
Suposio 2: D no corte
Substituindo-se o modelo no corte do diodo (Figura 5.25-c), observa-se que a corrente no circuito nula. Logo,
a equao da sada v
L
ser dada por: v
L
= R
L
i
D
v
L
= 0 V caracterstica de transferncia
Aplicando-se LKT na malha do circuito, tem-se: v
S
v
D
v
L
= 0 v
S
= v
D

Como deve-se satisfazer v
D
V

para o diodo no corte, ento tem-se: v


S
V

condio
Logo, quando a condio v
S
V

satisfeita, ento o diodo D entra no corte e a caracterstica de transferncia


obtida pode ser utilizada para se determinar o comportamento da sada de acordo com o sinal entrada.
Teste da veracidade dos resultados: basedo na recomendao 3.3 da anlise CA ento, analisando-se os resultados
observa-se que as duas condies obtidas para as operaes do diodo (v
S
> V

e v
S
V

) so complementares.
Alm disso, introduzindo-se o ponto de fronteira entre as duas condies (v
S
= V

) na caracterstica de transferncia
para o diodo em conduo (v
L
= v
S
V

= V

= 0), obtm-se resultado igual quando este ponto aplicado


na CT para o diodo no corte (v
L
= 0). Desse modo, conclui-se que os resultados esto corretos.
Assim, supondo-se como varivel de entrada uma fonte de sinal alternado sendoidal v
S
= V
m
sen(t) ento, com
base nas caractersticas de transferncia e respectivas condies obtidas, pode-se determinar o comportamento da
sada v
L
para esta entrada, mostrado na Figura 5.26-a. Observa-se ento que o circuito converte tenso de entrada CA
para uma tenso CC pulsante, pois a tenso v
L
sempre positiva ou nula, sendo o processo de converso CA para CC,
como mencionado, chamado retificao. Como a tenso surge na carga em apenas meio ciclo do sinal de entrada,
ento a corrente flui na carga somente em um sentido e o circuito porisso chamado retificador de meia onda.















Alm disso, na Figura 5.26-a observa-se tambm que o diodo D no inicia sua conduo quando t = 0, mas a
partir de um certo ngulo
i
, chamado ngulo de conduo de corrente, exigido para que a tenso da fonte v
S
se iguale
tenso de limiar V

de modo a vencer a barreira de potencial do cristal PN. Logo, quando t =


i
, tem-se:

( ) ( )
S m m i i
m
V
v V sen t V V sen arcsen
V

| |
= = =
|
\
(5.30)
Com base na equao (5.30) observa-se ento que, quanto maior o valor mximo do sinal de entrada (V
m
) em
relao ao limiar do diodo (V

), menor ser o ngulo de conduo


i
. Logo, se V
m
>> V

ento
i
0 e conclui-se que a
tenso de limiar pode ser desprezada e o diodo pode ser modelado como ideal. Neste caso, considerando-se V

= 0 V
chega-se ao modelo do diodo ideal e as caractersticas de transferncia e respectivas condies sero agora dadas por:
Suposio D em conduo: v
L
= v
S
(caracterstica de transferncia), para v
S
> 0 (condio)
Suposio D no corte: v
L
= 0 (caracterstica de transferncia), para v
S
0 (condio)
o que resulta ento no comportamento da sada v
L
para a entrada v
S
senoidal mostrado na Figura 5.26-b.
No entanto, os circuitos eletrnicos normalmente exigem tenses CC constantes e os sinais assim retificados
consistem ainda de grandes ondulaes na forma de pulsos e que, portanto, devem ser eliminados o mximo possvel
para um nvel praticamente constante, o que pode ser conseguido com a introduo de um filtro capacitivo no circuito.
A Figura 5.27-a mostra ento o retificador de meia onda com um capacitor introduzido em paralelo com a resistncia
de carga, onde observa-se, desse modo, que a tenso de sada v
L
na carga passa a ser a tenso do capacitor.
Para o estudo do efeito filtragem do capacitor, a Figura 5.27-b mostra a forma de onda da tenso de carga v
L

considerando o diodo D modelado como ideal, uma entrada senodial v
S
= V
m
sen(t) e uma chave k que se fecha no
instante t = 0 s para a entrada. Observa-se ento que, no primeiro quarto de ciclo do sinal de entrada v
S
(0 /2), o
diodo entra em conduo e a tenso no capacitor acompanha a entrada v
S
, com o capacitor carregando-se at V
m
, ou
seja, v
L
= V
m
(Figura 5.27-b). Porm, entre os instantes /2 e t
1
, a entrada v
S
, que polariza o anodo do diodo, passa a
diminuir e se torna menor que a tenso no capacitor, que polariza o catodo do diodo, o que ocasiona o bloqueio do
diodo (pois V
A
< V
K
). Esta ocorrncia permite ento que o capacitor se descarrega sobre a carga R
L
. No instante t
1
, a
entrada v
S
se iguala tenso no capacitor, pondo novamente o diodo em conduo e a fonte v
S
comea novamente a
v
S
, v
L

(a) (b)
Figura 5.26: Formas de onda de entrada e sada do retificador de meia-onda para: (a) modelo
aproximado do diodo real, com identificao do ngulo de conduo; (b) modelo do diodo ideal.

i
0 2 3 t

- V
m
V
m
V

V
m
- V

v
S
, v
L

0 2 3 t

- V
m
V
m
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
86
carregar o capacitor (v
L
segue novamente a entrada v
S
) at o instante 5/2, onde novamente o diodo entra em corte, e
assim sucessivamente o processo se repete (Figura 5.27-b). A forma de onda de tenso v
L
na carga resulta ento em
comportamento aproximadamente constante, contendo ainda uma ondulao, denominada ripple (Figura 5.27-b), que
surge devido ao descarregamento/carregamento do capacitor. Resultado similar pode ser conseguido considerando-se
um modelo aproximado do real para o diodo, apresentado na Figura 5.27-c, onde observa-se a tenso no capacitor, e
por conseguinte na carga R
L
, no segue totalmente a entrada v
S
devido queda de tenso no diodo.













A forma de onda na sada do retificador assim constitudo pode ainda no ser adequada para alimentar cargas
que exigem uma tenso CC constante devido a presena de um ripple pronunciado. Neste caso, como o ripple o
resultado do processo de descarregamento do capacitor na carga, ento deve-se buscar uma reduo na descarga do
mesmo. Pode-se observar ento que, no intervalo de descarregamento,
o capacitor C e o resistor de carga R
L
se constituem em um circuito
autnomo e, da teoria de Circuitos Eltricos, sabe-se que a descarga
do capacitor se d atravs de uma constante de tempo = R
L
C. Como
uma constante de tempo pequena comparada ao perodo da entrada v
S

implica em uma descarga mais rpida e, por coneguinte, um ripple
maior, ento deve-se aumentar a constante de tempo para reduzir ao
mximo o ripple. Desse modo, para aumentar a constante de tempo,
pode-se aumentar o valor da capacitncia C, pois um capacitor maior
implica em maior armazenamento de carga e maior capacidade de
fornecimento de energia resistncia de carga e, portanto, um menor
descarregamento, podendo-se at mesmo praticamente eliminar o ripple (Figura 5.28). Similarmente, a outra forma de
reduo do ripple consiste ento no aumento da resistncia de carga R
L
(por exemplo, conexo de equipamentos ou
aparelhos de menor potncia de consumo), o que acarreta na diminuio da corrente de descarga do capacitor.
Como pode-se observar na Figura 5.27, o carregamento do capacitor no retificador de meia-onda ocorre apenas
quando a fonte de entrada v
S
volta a ser novamente positiva. Este fato sugere que, se o semiciclo negativo da fonte v
S

tambm for aproveitado para o carregamento do capacitor, ento consegue-se uma maior eficincia na retificao de
um sinal de tenso, pois o nvel de ondulao do ripple ser menor, ou ainda, pode-se empregar capacitores menores,
tal que o tempo de descarga seja menor. Neste caso, emprega-se os chamados retificadores de onda completa, o que
mais comum, divididos basicamente em dois tipos: meia amplitude e amplitude completa em ponte.
A Figura 5.29-a mostra um circuito retificador que emprega um transformador em cujo secundrio se encontra
disponvel um divisor igual de espiras, o chamado tap central (center tap). Empregando-se o tap central, pode-se
ento utilizar meia amplitude da tenso de entrada para se construir dois retificadores de meia-onda, um para cada
semiciclo (positivo e negativo) do sinal de entrada, de modo a desviar estes semiciclos para que incidem no capacitor
sempre no mesmo sentido (Figura 5.29-b). Desse modo, os dois semicilos so aproveitados na alimentao da carga e
o capacitor demorar um tempo menor para ser novamente carregado, o que reduz os nveis de ripple. Este circuito
pode, desse modo, ser denominado retificador de onda-completa e de meia-amplitude.












Figura 5.28: Atenuao do ripple na carga
como resultado do aumento da capacitncia.
v
S
, v
L

0

t

V
m
C
3
> C
2
> C
1

C
3

C
1

C
2

(a) (b)
Figura 5.29: (a) Retificador de onda completa e meia amplitude; (b) forma de onda de sada na carga.
R
L
C
v
S
/2
v
S
/2
v
L

v
P

v
S
, v
L

0

t

V
m
-V
m
V
m
/2
v
L
com
capacitor
v
L
sem
capacitor
transformador
abaixador
(a) (b) (c)
Figura 5.27: (a) Circuito retificador de meia onda contendo capacior de filtro; forma de onda da tenso de carga
v
L
e formao do ripple, considerando o modelo do diodo como: (b) diodo ideal, (c) aproximado do real.
R
L
v
L

v
S

C
v
S
, v
L

0 /2 3/2

t

V
m
ripple
t
1
v
S
, v
L

0 /2 3/2

t

V
m
t = 0 s
k
D
descarregamento do capacitor
V
L

carregamento do capacitor
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
87
Similarmente, a Figura 5.30-a mostra um circuito retificador que emprega agora a tenso entre os terminais
extremos do enrolamento secundrio do transformador, ou seja, a amplitude total do sinal de entrada. Neste caso,
utiliza-se um conjunto de 4 diodos conectados em um formato denominado ponte, de modo a promover o desvio de
ambos os semiciclos positivo e negativo da tenso entrada para que incidam no capacitor sempre no mesmo sentido
(Figura 5.30-b). Do mesmo modo, com os dois semicilos aproveitados na alimentao da carga, o capacitor demorar
um tempo menor para ser novamente carregado, o que reduz os nveis de ripple. Este circuito , desse modo, chamado
retificador de onda completa em ponte. Por ser bastante comum a construo destes retificadores, a Figura 5.30-c
mostra ento a aparncia de um CI (circuito integrado) contendo uma ponte de diodos.












O filtro capacitivo empregado at aqui o mais simples e, na necessidade de uma filtragem maior, pode-se
empregar configuraes mais eficientes, tais como as mostradas nas Figuras 5.31-a e b. Estes filtros baseiam-se no
fato de todo sinal peridico no senoidal, como o caso das ondulaes de ripple, poder ser decomposto em sinais
senoidais de freqncia mltipla de um certo valor fundamental (por exemplo, 60 Hz), chamadas harmnicas. Assim,
como a impedncia de um indutor aumenta com a freqncia e de um capacitor diminui, ento o elemento indutor
tende a bloquear as senoides de maior freqncia e o elemento capacitor desvia de volta fonte outras senoides de
maior freqncia, restando para a carga apenas a componentes CC e as de menor freqncia do sinal de ripple.
Quando um projeto de retificador no atende sozinho todos os requisitos de corrente que a carga exige, pode-se
empregar ainda certos CIs chamados reguladores de tenso, que possuem apenas trs terminais (Figura 5.31-c) e tm
como exigncia apenas que seja aplicada uma tenso na entrada (pino 1) pelo menos 3 V acima da tenso que se
deseja na sua sada para a carga (pino 3). Uma srie popular destes reguladores a 78XX, onde XX o valor da
tenso de regulao. Exemplos: 7806 e 7812, com tenso de sada regulada em 6 e 12 V, respectivamente.












5.4.5.5) Regulador de tenso com zener

Reguladores de tenso so circuitos construdos com a finalidade de manter a tenso em sua sada praticamente
constante, independentemente de ondulaes presentes na tenso de entrada e mudanas no valor de carga. Devido
funo regulao de tenso na ruptura, os diodos zener podem ento ser empregados nestes circuitos para fornecer um
nvel de tenso constante para a carga, alm de outras aplicaes onde se exija uma referncia de tenso. Zeners so
porisso classificados como diodos de finalidade especfica por ter aplicao distinta dos didodos retificadores.
Assim, como estudado no item 5.4.4.1, um zener na rutura apresenta um valor de tenso V
Z
de comportamento
praticamente constante (Figura 5.32-a). Desse modo, com base em sua caracterstica I-V, o zener na ruptura pode ser
modelado por uma fonte de tenso de valor -V
Z
percorrida por uma corrente I
Z
< 0 (Figura 5.32-a). No entanto, um
modelo alternativo mais til para este caso consiste em inverter os terminais e o valor da fonte, resultando ento em
uma modelo esquemtico constitudo por uma fonte de tenso V
Z
percorrida por uma corrente I
Z
> 0 (Figura 5.32-a).
Seja ento o circuito regulador simples com zener mostrado na Figura 5.32-b, onde a fonte CC de tenso de
entrada V
S
pode se constituir de um retificador com filtro capacitivo, que pode oscilar entre um valor mnimo V
SMIN
e
mximo V
SMAX
devido ao ripple presente na sada do retificador. A carga do circuito consiste um uma resistncia R
L

(a) (b) (c)
Figura 5.30: (a) Retificador de onda completa em ponte; (b) forma de onda de sada; (c) CI em ponte comercial.
R
L

C
v
S

v
L

v
S
, v
L

0

t

V
m
-V
m
v
L
com capacitor
v
L
sem
capacitor
transformador
abaixador
v
P

L
(a) (b) (c)
Figura 5.31: Filtragem: (a) LC em L, (b) LC em ; (c) fonte CC com CI regulador de tenso comercial.
CI regulador de tenso

C
1 3
2
C
L
C C R
L
R
L

R
L

progresso do sinal at a carga

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
88
que tambm variar e adquirir qualquer valor entre um mnimo R
LMIN
e um mximo R
LMAX
. O zener D
Z
conectado em
paralelo resistncia de carga R
L
e se encontra reversamente polarizado pela fonte V
S
e esta deve desse modo fornecer
condies de levar o zener ruptura. A resistncia R
S
empregada para desacoplar a fonte V
S
da tenso de carga V
L
,
de modo a forencer condies para que o zener desempenhe sua funo regulao, tal que necessariamente: V
L
< V
S
.
Alm disso, a resistncia R
S
apresenta uma finalidade adicional de limitar a corrente da fonte para proteger o zener.













Supondo o zener na ruptura, pode-se ento substitu-lo pelo modelo nesta regio de operao tal que I
Z
> 0 e
obtem-se o esquema de circuito apresentado na Figura 5.32. Neste caso, a tenso na carga R
L
adquire o valor de tenso
do zener na ruptura, isto : V
L
= V
Z
. No entanto, com base na Figura 5.32-a, tem-se que a funo regulao de tenso
do Zener, independente de variaes na carga R
L
e/ou mudanas no valor da tenso de entrada V
S
, s poder ocorrer
efetivamente se a corrente I
Z
no zener satisfazer duas condies impostas por seus limites de operao:
1. I
Z
I
ZK
, isto , a corrente I
Z
do zener na ruptura deve ser no mnimo igual a I
ZK
, pois abaixo deste valor o zener
volta para a regio de corte e perde, desse modo, sua funo regulao de tenso;
2. I
Z
I
ZM
, isto , a corrente I
Z
do zener na ruptura deve ser no mximo igual a I
ZM
, pois acima deste valor o zener se
danifica, perdendo tambm sua funo regulao por resultar em curto ou aberto ao se queimar.
A forma de verificao dessas duas condies
consiste em estudar os piores casos que podem acon-
tecer no circuito para o zener sair da ruptura. Para
isso, sero inicialmente equacionadas as correntes no
circuito. Seja ento I
S
a corrente fornecida pela fonte
V
S
, I
Z
a corrente no Zener na ruptura e I
L
a corrente
consumida na carga R
L
(Figura 5.33). Desse modo:
LKT na malha de entrada (malha da fonte):
0
S Z
S S S Z S
S
V V
V R I V I
R

= =
onde observa-se que I
S
no depende de variaes na carga R
L
, mas apenas da tenso de entrada V
S
.
LKT na malha de sada (malha de carga): 0
Z
Z L L L
L
V
V R I I
R
= =
onde observa-se que I
L
no depende de variaes na entrada V
S
, mas apenas da carga R
L
.
Aplicando LKC no n (a), a corrente I
Z
no Zener ser, ento:
S Z Z
Z S L
S L
V V V
I I I
R R

= =
onde conclui-se ento que I
Z
depende das variaes em V
S
e R
L
para executar sua funo regulao.
Assim, como I
Z
= I
S
I
L
, estudando-se as piores casos para a corrente do zener na ruptura, tem-se ento que:
a) A corrente mnima no zener (I
ZMIN
) ocorre se quando I
S
da fonte mnima (isto , quando V
S
= V
SMIN
) e I
L
na carga
mxima (isto , R
L
= R
LMIN
). Da condio 1, tem-se ento que a pior condio atingida quando I
ZMIN
= I
ZK
. Logo:

SMIN Z Z
ZMIN SMIN LMAX ZK ZK
S LMIN
V V V
I I I I I
R R

= = = (5.31)
que se constitui no caso limite para o Zener no perder a funo regulao de tenso.
b) A corrente mxima no zener (I
ZMAX
) ocorre quando I
S
da fonte mxima (isto , quando V
S
= V
SMAX
) e I
L
da carga
mnima (isto , R
L
= R
LMAX
). Da condio 2, tem-se que ento a pior condio atingida quando I
ZMAX
= I
ZM
. Logo:

SMAX Z Z
ZMAX SMAX LMIN ZM ZM
S LMAX
V V V
I I I I I
R R

= = = (5.32)
que se constitui no caso limite para o Zener no se danificar
Uma condio de projeto desejvel para o regulador com Zener que a corrente mxima I
SMAX
atingida pela
fonte V
S
seja menor que o parmetro I
ZM
do Zener empregado, ou seja, I
SMAX
< I
ZM
. Como isso, tem-se que a carga
poder operar a vazio (em aberto) pois, no caso limite para o Zener no se danificar, como I
SMAX
I
LMIN
= I
ZM
ento,
mesmo se a corrente I
LMIN
na carga for nula, a corrente mxima no Zener no poder atingir o seu limite mximo I
ZM
.
malha de entrada malha de sada
Figura 5.33: O regulador com zener e seus parmetros.
R
L

V
S

R
S

V
Z

I
Z

A
K
I
S
I
L

(a)
R
LMAX

R
LMIN


I
ZK

I
ZM


V
SMAX

V
SMIN


(a) (b)
Figura 5.32: (a) Modelos do diodo zener na ruptura; (b) esquema de um circuito regulador de tenso com zener.
I
D

V
D

0
-I
ZM
-V
Z
-I
ZK
A
K
-V
Z

I
Z
< 0
A
V
Z

I
Z
> 0
K
R
L

R
S

D
Z

VZ

V
S

v
S

C
D
V
S

V
SMAX

V
SMIN

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
89
Exerccio 7: Deseja-se projetar um circuito regulador de tenso com zener para manter a tenso em 6 V em uma carga
R
L
= 900 300 e, para isso, dispe-se de um zener com as especificaes: V
Z
= 6 V, I
ZK
= 20 mA e I
ZM
= 120 mA,
alm de um resistor limitador R
S
= 20 . Determine a faixa de tenso limitante dentro da qual dever ser construdo a
fonte de entrada V
S
para que no ocorra perda de regulao de tenso na carga R
L
pelo zener empregado no projeto.
Soluo
O problema consiste ento em determinar os limites V
SMIN
V
S
V
SMAX
tal que I
ZK
I
Z
I
ZM
, ou seja, estudar
os piores casos para o Zener manter a regulao da tenso na resistncia de carga R
L
. Assim:
Com os dados fornecidos para a carga a ser atendida pelo circuito regulador, sabe-se ento que:
R
L
= 900 300 R
LMIN
= 600 e R
LMAX
= 1200
Do pior caso para a condio 1, I
SMIN
I
LMAX
= I
ZK
, tem-se:
6 6
0, 02
20 600
SMIN Z SMIN Z
ZK
S LMIN
V V V V
I
R R

= = = 6, 6
SMIN
V V
Do pior caso para a condio 2, I
SMAX
I
LMIN
= I
ZM
, tem-se:
6 6
0,12
20 1200
SMAX Z SMAX Z
ZM
S LMAX
V V V V
I
R R

= = = 8, 5
SMAX
V V

Exerccio 8: Deseja-se construir um regulador de tenso com zener a partir de uma fonte de entrada V
S
= 10 10% V,
para suprir em 5 V uma carga R
L
que pode funcionar a vazio ou consumir uma potncia mxima de 0,6 W. Para isso,
dispe-se de um zener com as especificaes na ruptura: V
Z
= 5 V , I
ZK
= 40 mA , I
ZM
= 400 mA. Determine a faixa
de valores dentro da qual dever ser escolhido um resistor R
S
para que o Zener consiga regular a tenso na carga R
L
.
Soluo
O problema consiste ento em determinar os limites R
SMIN
R
S
R
SMAX
tal que I
ZK
I
Z
I
ZM
. Logo:
Com os dados de carga, sabe-se ento que:
Operao a vazio: R
LMAX
I
LMIN
= 0 A

0, 6
, onde: 0, 6 0,12
5
LMAX
LMAX L LMAX Z LMAX LMAX LMAX
Z
P
P V I V I P W I A
V
= = = = = =
Com os dados da fonte, sabe-se ento que: V
S
= 10 10% V V
SMIN
= 9 V e V
SMAX
= 11 V
Do pior caso para a condio 1, I
SMIN
I
LMAX
= I
ZK
, tem-se que I
SMIN
ocorre quando R
S
= R
SMAX
. Assim:
9 5
0,12 0, 04
SMIN Z
LMAX ZK
SMAX SMAX
V V
I I
R R

= = = 25
SMAX
R
Do pior caso para a condio 2, I
SMAX
I
LMIN
= I
ZM
, tem-se que I
SMAX
ocorre quando R
S
= R
SMIN
. Assim:
11 5
0 0, 4
SMAX Z
LMIN ZM
SMIN SMIN
V V
I I
R R

= = = 15
SMIN
R

5.4.5.6) Ceifadores e grampeadores com diodos

O comportamento liga-desliga dos diodos pode tambm ser aproveitado para selecionar uma parte do sinal de
de entrada a ser transferido para a sada de um circuito, acima ou abaixo, ou ambos, de um nvel CC de referncia
proporcionado, por exemplo, por uma fonte de tenso contnua. Circuitos com estes comportamentos, denominados
ceifadores, seguem ento uma lgica de limitao ou deteco do sinal de entrada para a sada.
A forma como um diodo est conectado no circuito define qual parte do sinal de entrada, acima ou abaixo do
nvel de referncia, ser transferida sada. A polaridade da fonte de tenso de tenso CC de referncia, por sua vez,
define se o sinal de entrada ser ceifado em um nvel positivo ou negativo. Assim, com a combinao da lgica de
ceifamento e o nvel de referncia obtm-se a parte do sinal de entrada transferido para a sada, o que ento pode ser
implementado segundo dois efeitos que definem os trs tipos de circuitos ceifadores com diodos:
Limitadores ou grampos: so circuitos que selecionam a parte do sinal de entrada abaixo de um nvel de referncia
positivo, chamado grampo positivo ou +, ou acima de um nvel de referncia negativo, chamado grampo negativo
ou . As Figuras 5.34-a e b exemplificam os grampos + e com diodos de forma ideal e sem carga.
Deterores de pico: so circuitos que selecionam uma parte do sinal de entrada acima de um nvel de referncia
positivo, chamado detetor de pico positivo ou +, ou abaixo de um nvel de referncia negativo, chamado detetor de
pico negativo ou . As Figuras 5.34-c e d exemplificam detores + e com diodos de forma ideal e sem carga.
Fixadores: so circuitos que empregam a associao de um grampo + e um grampo (ou ainda, um grampo + e
um detetor de pico +, ou um grampo e um detetor de pico ), de modo a selecionar um intervalo (faixa) do sinal
de entrada. A Figura 5.34-e mostra uma exemplificao de circuito fixador com diodos de forma ideal e sem carga.
Assim, circuitos ceifadores so empregados para deformar a forma de onda de um sinal requerida por alguma
aplicao. Por exemplo, grampos e fixadores podem ser empregados na proteo de cargas e detetores de pico como
contador de eventos de ultrapassagem de um nvel de referncia especfico por parte do sinal de entrada.
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
90
Outra aplicao do efeito chave dos diodos reside na introduo de um nvel CC no sinal de entrada para a
sada, em circuitos denominados grampeadores CC ( exemplo ideal e sem carga na Figura 5.34-f).


























Exerccio 9: Para o circuito ao lado, onde v
S
o sinal de entrada e v
L
a varivel de
estudo (sada), determine as caractersticas de transferncia e respectivas condies.
A seguir, determine a forma de onda da tenso de sada v
L
considerando um sinal de
onda triangular com amplitude 12 V para a tenso de entrada v
S
.
Dados do diodo: V

= 0,7 V e R
f
= 0 (modelo aproximado do real simplificado).
Soluo
Analisando-se o circuito observa-se que, apesar da presena de uma fonte CC (5 V), a tenso variante no tempo
v
S
poder polarizar o diodo D em seus dois modos de operao. Logo, trata-se de anlise CA de circuitos com diodos.
Como h apenas um diodo no circuito, ento h 2 suposies possveis: D em conduo e D no corte.










Suposio 1: D em conduo
Com o modelo do diodo em conduo, obtm-se o esquema da figura (A). Aplicando LKT na malha 2, tem-se:
5 0, 7 0 caracterstica de transferncia
L L
v + = = 5, 7 v V
e ainda: 300 5, 7 300 0, 019 19
L L L L
v i i i A mA = = = =
Aplicando LKT na malha 1, tem-se:
5, 7
200 0, 7 5 0
200
S
S
v
v i i

= =
Aplicando LKC no n (a) e lembrando-se que i
D
> 0 a condio do diodo em conduo, tem-se que:
3
5, 7
19 10 0 condio
200
S
D L D L
v
i i i i i i

= + = = > > 9, 5
S
v V
Suposio 2: D no corte
Com o modelo do diodo no corte, obtm-se o esquema da figura (B). Aplicando LKT na malha externa, tem-se:
200 300 0
500
S
S L L L
v
v i i i = =
200
v
S

D
5V
300 v
L

R
v
S

D
V
R

grampo +
V
R

-V
R

Figura 5.34: Esquemas simplicados de circuitos grampo, detetores de pico, fixador e grampeador CC com diodos.
V
R

-V
R

R
v
S

D
V
R

detetor de pico +
R
v
S

D
V
R

grampo
R
v
S

D
V
R

detetor de pico
R
v
S

D
1
V
R1

fixador com grampo + e grampo
V
R1

D
2
V
R2
V
R2

v
S

grampeador CC +
D

C

V
m
-V
m
2V
m
(a)
(c)
(e)
(b)
(d)
(f)
200
v
S

(a)
5V
300 v
L

A
K
0,7 V
(1) (2)
i

i
D
i
L
v
S

5V
v
L

A
K
(1)
i
L
i
L
(A) (B)
v
D

200
300
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
91
Logo: 300 300 caracterstica de transferncia
500
S
L L
v
v i = = 0, 6
L S
v v = == =
Aplicando LKT na malha 1 e como v
D
0,7 V a condio do diodo no corte (segundo o modelo dado), tem-se:
5 0 5 0, 6 5 0, 7 condio
D L D L D S
v v v v v v V + = = = 9, 5
S
v V
Teste de veracidade: com base nos resultados observa-se que as condies obtidas (v
S
> 9,5 V e v
S
9,5 V) so
complementares e ainda, introduzindo-se o ponto de fronteira (v
S
= 9,5 V) nas duas caractersticas, obtm-se o
mesmo resultado (v
L
= 5,7 V). Assim, conclui-se que os resultados esto corretos.
Determinada as caracterticas de transferncia e respectivas condies, a figura ao
lado mostra ento a forma de onda da sada v
L
para o sinal da entrada v
S
fornecido.
Observa-se ento que o circuito apresenta comportamento similar a um grampo +,
porm com considervel atenuao do sinal de entrada na sada (v
L
= 0,6 v
S
). Isto
se deve ao fato do resistor limitador de corrente (200 ) ser comparvel carga
do circuito (300 ), o que no se constitui na realidade prtica, pois normalmente
a resistncia limitadora projetada para ser bem menor que a de carga.

Exerccio 10: Determine a forma de onda da tenso no diodo D do circuito do exerccio 9 para a mesma entrada v
S.

Soluo
A mudana da varivel do circuito a ser estudada implica ento em nova relao entrada-saida. Desse modo, as
caractersticas de transferncia devem ser novamente calculadas considerando a tenso nos terminais do diodo (v
D
)
como varivel de sada do circuito. Alm disso, sendo as condies impostas
apenas varivel de entrada v
S
e independentes da varivel de sada, ento estas
permanecem as mesmas obtidas no exerccio 9. Assim, com os novos clculos,
obtm-se: , para e , para 0, 7 9, 5 0, 6 5 9, 5
D S D S S
v V v V v v v V = > = = > = = > = = > = .
Contudo, particularmente para este exerccio, a forma de onda da tenso
no diodo pode ser diretamente determinada com auxlio da forma de onda da
tenso v
L
obtida no exerccio 9. Neste caso, considerando a tenso v
D
no diodo
como uma varivel (circuito ao lado) e aplicando-se LKT na malha de 1 do
circuito, obtm-se ento: 5 0
D L
v v + = 5
D L
v v = = = = .
Assim, como a forma de onda de tenso da varivel v
L
conhecida do
exerccio 9, pode-se obter a forma de onda da tenso v
D
no diodo resolvendo
graficamente a equao v
D
= v
L
5, o que apresentado na figura ao lado.

Exerccio 11: Para o circuito dado a seguir, determine a forma de onda da tenso de sada v
L
para um sinal de tenso
de entrada v
S
= 5 sen(t). Dados dos diodos: V

= 0,6 V e R
f
= 0 (modelo aproximado do real simplificado).
Soluo









O circuito apresenta dois diodos comuns (n = 2) e, portanto, existem 2
n
= 2
2
= 4 suposies gerais: D
1
e D
2
em
conduo, D
1
em conduo e D
2
no corte, D
1
no corte e D
2
em conduo, e D
1
e D
2
no corte.
Contudo, analisando-se a disposio dos diodos e das fontes CC, observa-se que a suposio geral D
1
e D
2
em
conduo no possvel pois, supondo os diodos ideais, se ambos estivessem em conduo (chave fechada), a tenso
v
L
na carga apresentaria dois valores proporcionados pelas fontes CC: 3 V e -3 V, o que circuitalmente impossvel.
Como a fonte v
S
variante no tempo, deve-se ento fazer a anlise CA com as trs suposies gerais restantes.
Suposio geral 1: D
1
em conduo e D
2
no corte
Substituindo-se o diodo D
1
pelo modelo em conduo e D
2
pelo modelo no corte, obtm-se o circuito (A).
Aplicando LKT na malha formada pelos pontos a-b-c-d do circuito (vide figura), obtm-se:
3 0, 6 0 caracterstica de transferncia
L
v + = = 3, 6
L
v V
e ainda:
4 4 4
10 3, 6 10 3, 6 10
L L L L
v i i i A

= = =
Aplicando LKT na malha 1, obtm-se:
3, 6
10 0, 6 3 0
10
S
S
v
v i i

= =
Aplicando LKC no n (a) e considerando i
D 1
> 0 como condio para o diodo D
1
em conduo, obtm-se:
12
-12
0 2 3 t
5,7
v
S
, v
L
(V)
-7,2
9,5
200
v
S

D
5V
300 v
L

v
D

(1)
-12,2
0 t
5,7
v
L
, v
D
(V)
7,2
0,7
-5
10
v
S

3V
v
L

D
1

3V
D
2

10 k
(A)
(1)
10
v
S

3V
v
L

3V
i
D1

i i
L

v
D2

(a) (b)
(d)
(c)
10 k
(2)
A
K
0,6V
K
A
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
92
4
1 1
3, 6
3, 6 10 0 3, 6036 3, 6 condio
10
S
D L D L S
v
i i i i i i v

= + = = > > > 3, 6


S
v V
Aplicando LKT na malha 2 e considerando v
D2
0,6 V como condio para o diodo D
2
no corte, obtm-se:
2 2
3 0, 6 3 0 6, 6 0, 6
D D
v v V V + + + = = <
ou seja, a hiptese D
2
no corte verdadeira para qualquer valor v
S
> 3,6 V da tenso de entrada.









Suposio geral 2: D
1
e D
2
no corte
Substituindo-se o modelo dos diodos no corte, obtm-se o circuito (B).
Aplicando LKT na malha externa, obtm-se:
4
10 10 0
10010
S
S L L L
v
v i i i = =
e ainda:
4 10000
10 caracterstica de transferncia
10010
L L S S
v i v v = = =
L S
v v
LKT na malha 1 e considerando v
D1
0,6 V como condio do modelo para o diodo D
1
no corte, tem-se:
1 1
10
10 3 0 3 3 0, 6 3, 6 (condio 1)
10010
S L D D S S S S
v i v v v v v v V = =
LKT na malha a-b-c-d e considerando v
D2
0,6 V como condio do modelo para o diodo D
2
no corte, tem-se:
2 2
10
10 3 0 3 3 0, 6 3, 6 (condio 2)
10010
S L D D S S S S
v i v v v v v v V + + = = +
Logo, com o conjunto verdade para as condies 1 e 2 obtidas, tem-se: 3,6 v
S
3,6 V condio.
Suposio geral 3: D
1
no corte e D
2
em conduo
Substituindo-se o diodo D
1
pelo modelo no corte e D
2
pelo modelo em conduo, obtm-se o circuito (C).
LKT na malha 2: 3 0, 6 0 caracterstica de transferncia
L
v = = 3, 6
L
v V
e ainda:
4 4 4
10 3, 6 10 3, 6 10
L L L L
v i i i A

= = =
LKT na malha a-b-c-d, obtm-se:
3, 6
10 0, 6 3 0
10
S
S
v
v i i
+
+ + = =
LKC no n (b) e considerando i
D2
> 0 como a condio para o diodo D
2
em conduo, obtm-se:
4
2 2
3, 6
3, 6 10 0 3, 6036 3, 6 condio
10
S
D L D L S
v
i i i i i i v

+
+ = = = > < 3, 6
S
v V < < < <
LKT na malha 1 e considerando a condio v
D1
0,6 V:
1 1
3 0, 6 3 0 6, 6 0, 6
D D
v v V V + + + = = < ,
ou seja, a hiptese D
1
no corte verdadeira para qualquer valor 3, 6
S
v V < da tenso de entrada.
Teste: como tanto as caractersitcas de transferncia quanto as condies
so complementares, conclui-se ento que os resultados esto corretos.
Baseado nas caracterticas de transferncia e respectivas condies, a figura
ao lado mostra o comportamento da sada v
L
para a entrada v
S
fornecida.
Em comparao ao resultado do exerccio 9, observa-se ento que o circuito
aqui estudado apresenta um comportamento de ceifador (no caso, circuito
fixador) praticamente ideal, devido ao fato do resistor limitador de corrente
(10 ) ser bem menor que a resistncia carga (10 k) neste circuito.

Exerccio 12: Para o circuito e caracterstica corrente-tenso linearizada dos zeners empregados (zener ideal), dados a
seguir, determine a forma de onda da sada v
L
para um sinal de entrada v
S
= 30 sen(t).







(B)
(1)
10
v
S

3V
v
L

3V
v
D1

i
L

(a) (b)
(d)
(c)
10 k
A
K
K
A
v
D2

i

(C)
(2)
10
v
S

3V
v
L

3V
v
D1

i
L

(a) (b)
(d)
(c)
10 k
A
K
i
D2

K
A
0,6V
(1)
5
0 2 3 t
v
S
, v
L
(V)
- 5
3,6
- 3,6
15
v
S
v
L

D
Z1

20 k
D
Z2

I
D

V
D
(V)
0
A
K
v
D

A
K
I
D

- 20
I
D

V
D
(V)
0
- 20
K
A
20 V
I
Z

ruptura
corte
conduo
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
93
Soluo
Como visto, um zener apresenta 3 modos de operao (conduo, corte e ruptura). Assim, com a presenca de 2
zeners no circuito (n = 2), existem ento 3
n
= 3
2
= 9 combinaes que definem as suposies gerais (tabela abaixo).
Sabe-se tambm que um zener conduz nos dois sentidos de corrente (conduo e ruptura). Contudo, como os
zeners esto em srie ento, se um estiver no corte, o outro tambm estar no
corte tal que a corrente em ambos seja nula, ou seja, se admitido um zener no
corte, ento o outro no poder estar em conduo ou na ruptura.
Alm disso, analisando-se a disposio dos zeners no circuito pode-se
observar que os mesmos tem polarizaes contrrias. Desse modo, se um
zener se encontra em conduo, o outro necessariamente estar na ruptura, e
vice-versa, para que ambos os diodos estejam conduzindo simultaneamente.
Assim, pode-se concluir que, das 9 suposies gerais existentes para a
operao dos zeners, apenas 3 so possveis (tabela): D
Z1
em conduo e D
Z2

na ruptura, D
Z1
e D
Z2
no corte, e D
Z1
em ruptura e D
Z2
em conduo.
Novamente, como a entrada v
S
variante no tempo, deve-se realizar a
anlise CA das suposies gerais possveis. Para os zeners na ruptura, conveniente empregar o modelo alternativo
(terminais e fonte invertidos), pois desse modo pode-se julgar os modos conduo e ruptura pela mesma regra:

i
Z
> 0.












Suposio geral 1: D
Z1
em conduo e D
Z2
em ruptura Figura (A)
LKT na malha 2: 20 0 caracterstica de transferncia
L
v = = 20
L
v V
E ainda:
3 3 3
20 10 20 20 10 10
L L L L
v i i i A

= = =
LKT na malha 1:
20
15 20 0
15
S
S
v
v i i

= =
LKC no n (a) e considerando i
Z
> 0 como condio para ambos os zeners em conduo e ruptura, obtm-se:
3
20
10 0 20, 015 20 condio
15
S
Z L Z L S
v
i i i i i i v

= + = = > > 20
S
v V > >> >
Suposio geral 2: D
Z1
em ruptura e D
Z2
em conduo Figura (B)
LKT na malha 2: 20 0 caracterstica de transferncia
L
v + = = 20
L
v V
E ainda:
3 3 3
20 10 20 20 10 10
L L L L
v i i i A

= = =
LKT na malha 1:
20
15 20 0
15
S
S
v
v i i
+
+ = =
LKC no n (a) e considerando i
Z
> 0 como condio para ambos os zeners em conduo e ruptura, obtm-se:
3
20
10 0 20, 015 20 condio
15
S
Z L Z L S
v
i i i i i i v

+
+ = = = > < 20
S
v V < < < <
Suposio geral 3: D
Z1
e D
Z2
no corte Figura (C)
LKT na malha externa:
3
15 20 10 0
20015
S
S L L L
v
v i i i = =
E ainda:
3 20000
20 10 caracterstica de transferncia
20015
L L S S
v i v v = = =
L S
v v
LKT na malha 1:
2 1 1 2 1 2
0 (1)
DZ DZ L DZ DZ L DZ DZ S
v v v v v v v v v + = = =
O julgamento das condies no corte para os zeners deve ser realizado com auxlio do resultado (1). Para isso,
tem-se que as condies para D
Z1
e D
Z2
no corte so, respectivamente, - 20 v
DZ1
0 V e - 20 v
DZ2
0 V. Logo,
manipulando convenientemente estas inequaes, tem-se como resultado:
1 1 1
2 2 2
1 2
20 0 20 0 20 0
20 0 ( 1) 20 0 0 20
20 20 (2)
DZ DZ DZ
DZ DZ DZ
DZ DZ
v v v
v v v
v v V


+





D
Z1
D
Z2
Possvel ?
conduo conduo no
conduo corte no
conduo ruptura sim
corte conduo no
corte corte sim
corte ruptura no
ruptura conduo sim
ruptura corte no
ruptura ruptura no
(1)
i
(a)
(2)
15
v
S

v
L

20 k
(A) (B) (C)
i
Z

K
A
20 V
i
L
(1)
i
(a)
(2)
15
v
S
v
L

20 k
A
K
20 V
i
Z

i
L
(1)
15
v
S
v
L

20 k
i
L
A
K
v
DZ1

K
A
v
DZ2

K
A
A
K
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
94
Logo, com os resultados (1) e (2), tem-se:
1 2
20 20 condio
DZ DZ
v v 20 20
S
v V
Teste: como tanto as caractersitcas de transferncia quanto as condies
so complementares, conclui-se ento que os resultados esto corretos.
Baseado nas caracterticas de transferncia e respectivas condies, a figura
ao lado mostra o comportamento da sada v
L
para a entrada v
S
fornecida.
Observa-se ento que o circuito estudado neste exerccio tambm apresenta
o comportamento de um fixador praticamente ideal, similar ao circuito do
exerccio 11, pelo fato do resistor limitador de corrente (no caso, 15 ) ser
bem inferior ao valor da resistncia carga (no caso 20 k). O circuito deste
exerccio se mostra mais simples de implementar por necessitar apenas de
dois zeners para desempenhar o mesmo efeito dos dois diodos e duas fontes do exerccio 11. Contudo, a faixa da
entrada a ser transferida para a sada do circuito deste exerccio esto fixados pela tenso de regulao dos zeners
mas, se as fontes CC de referncia do circuito do exerccio 11 forem variveis, ento este se mostra mais verstil,
por permitir que a faixa da entrada a ser transferida para a sada possa ser ajustada a qualquer tempo.

Exerccio 13: Com base nos resultados do exerccio 12, desenhe o grfico da caracterstica de transferncia total do
circuito e obtenha por mtodo grfico a forma de onda da sada v
L
para o mesmo sinal de entrada v
S
fornecido.
Soluo
As caractersticas de transferncia parciais
e respectivas condies obtidas no exerccio 12
so novamente escritas a seguir:
v
L
= 20 V quando v
S
> 20 V
v
L
= v
S
quando 20 v
S
20 V
v
L
= 20 V quando v
S
< 20 V
Desse modo, com base nestas equaes e
inequaes, pode-se desenhar um grfico da sada
v
L
em funo da entrada v
S
(figura ao lado), o que
resulta assim no comportamento grfico da carac-
terstica de transferncia total do circuito.
O mtodo de obteno da forma de onda
da sada v
L
a partir do grfico da caracterstica de
transferncia resume-se ento em desenhar ponto
a ponto a forma de onda da sada por meio da
correspondncia entre o sinal de entrada v
S
e o
comportamento da caracterstica (cada instante de
tempo da entrada v
S
apresenta um valor na sada v
L
no mesmo instante), tal como demonstrado na figura acima.

5.4.6) MODELO DE DIODOS PARA PEQUENOS SINAIS E ALTAS FREQUNCIAS

Os chamados pequenos sinais se caracterizam por apresentar uma amplitude relativamente baixa, da ordem de
at algumas centenas de mV, e normalmente representam informaes que devem ser repassadas fielmente carga de
um circuito e que, porisso, no devem sofrer deformaes significativas em sua propagao pelo circuito.
Em circuitos com diodos onde esto presentes fontes de pequenos sinais, pode-se ento ser necessrio garantir
que estes sinais no sofram retificao, de modo a alterar sua forma de onda, ou ainda, que a amplitude destes sinais
seja pequena comparada aos nveis de limiar dos diodos, sofrendo ento um bloqueio por no conseguir por si s levar
os diodos conduo. Nestes casos, ao pequeno sinal normalmente usa-se adicionar um nvel CC de valor suficiente,
com a funo de levar um diodo a um ponto de operao conveniente em sua regio de conduo, permitindo ento ao
pequeno sinal passar por este diodo e se propagar para o restante do circuito. Como conseqncia, o pequeno sinal ir
perceber (enxergar) um comportamento apenas incremental para o diodo em conduo e, desse modo, os modelos
vistos anteriormente so insatisfatrios para representar o diodo em conduo para o pequeno sinal.
Seja ento o circuito da Figura 5.35-a, onde a fonte v
S
= V
m
sen(t) representa um sinal de pequena amplitude,
tal que seu valor mximo V
m
menor que a tenso de limiar V

do diodo empregado no circuito, ou seja, a fonte v


S
no
poder isoladamente levar o diodo conduo. Assim, como mencionado anteriormente, ao pequeno sinal v
S
deve ser
acrescentado um nvel CC, representado por uma fonte de tenso constante V
R
(Figura 5.35-a), de valor suficiente
para conseguir vencer a barreira de potencial e levar o diodo a operar em sua regio de conduo.
A Figura 5.35-b mostra ento a conseqncia da tenso total formada pelo grande sinal V
R
e o pequeno sinal v
S
,
sobre a caracterstica corrente-tenso do diodo em sua regio de conduo. O ponto de operao Q, estabelecido pela
fonte V
R
, efunciona como um ponto de repouso e os valores Q
max
e Q
min
consitem nos pontos de operao mximo e
mnimo, respectivamente, alcanados pelo diodo devido a parcela de pequeno sinal v
S
. Logo, a regio na qual oscila o
ponto de operao do diodo o que representa o comportamento do mesmo percebido pelo pequeno sinal v
S
.
30
0 2 3 t
v
S
, v
L
(V)
- 30
20
- 20
30
t
1

v
L
(V)
- 30
20
- 20
- 20
v
S
(V)
v
S
(V)
v
L
(V)
0
0 0
t
t
t
2

t
3

t
4

/2
3/2

2
t
1
t
2

3
2
t
3
t
4


2

2
= 1
- 20
20
20
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
95















Na Figura 5.35-b observa-se ento que a fonte contante V
R
estabelece no diodo uma corrente fixa I
DQ
para uma
tenso de polarizao V
DQ
aplicada. Como a regio de oscilao da caracterstica I-V em torno do ponto de repouso Q
aproximadamente linear, ento um modelo do diodo em conduo para pequenos sinais pode ser obtido com base na
derivada dI
D
/dV
D
no ponto Q (gradiente) da funo que expressa o comportamento do diodo em conduo, dada pela
equao (5.26), resultando na definio de uma condutncia incremental g
d
, desse modo dada por:


1 1

DQ
D
T T
V
V
DQ V V D
d S S d
D T T T
Q
Q
I
d I
g I I g
dV V V V
e e
(
(
= = = = (
(
(



pois observa-se que: I
DQ
= I
S
exp(V
DQ
/V
T
) estabelecida pela fonte V
R
. Assim, o modelo do diodo para pequenos sinais
pode ser expresso por uma resistncia incremental r
d
referente ao inverso da condutncia incremental g
d
, tal que

1
T
d
d DQ
V
r
g I
= = (5.33)
Com base na equao (5.33) observa-se ento que, quanto mais fortemente for polarizado o diodo em conduo
pela fonte V
R
, maior ser a corrente I
DQ
do ponto de repouso e menor ser a resistncia incremental r
d
percebida pelo
pequeno sinal, resultando em menor atenuao sofrida pelo sinal ao passar pelo diodo. Outra razo para se estabelecer
pontos de repouso com uma polarizao forte para o diodo em conduo reside em seu comportamento no linear
para baixas correntes, que pode resultar em maiores distores do pequeno sinal em relao a regies de correntes
mais elevadas, onde o comportamento da caractersitca I-V do diodo em conduo mais linear (Figura 5.35-c).
Assim, tem-se agora que os modelos de diodos percebidos por cada componente da tenso total aplicada ao
circuito (V
R
+ v
S
) so lineares e, portanto, todo o circuito linear. Neste caso, pode-se separar o circuito em dois por
superposio de efeitos (Figura 5.36), cada qual considerando uma componente, onde no circuito da Figura 5.36-a
emprega-se um modelo do diodo para grandes sinais pois a fonte V
R
a responsvel em levar o diodo conduo, e
no circuito da Figura 5.36-b da fonte v
S
o diodo representado, ento, apenas por seu modelo para pequenos sinais.
Desse modo, a tenso total na carga R
L
ser finalmente dada por:
L L D LQ LCA L DQ L DCA
v R i V v R I R i = = + = + .











Exerccio 14: Para o circuito fornecido a seguir, considere um diodo de silcio ( = 2) a 20 C e v
S
= 0,2 sen(t).
Adote V

= 0,6 V e R
f
= 10 para o modelo em conduo do diodo e determine o sinal de tenso total na carga.







Figura 5.36: Superposio de efeitos na anlise de circuitos com pequenos sinais: polarizao (a) CC e (b) CA.
V
R

v
S

R
L

D
v
L

i
D
I
DQ

A K
V

R
f
V
R
R
L

V
LQ

i
DCA

A K
r
d
R
L

v
LCA

v
S

9 V
v
S

2 k
D
v
L
I
DQ

A K
0,6 V 10
V
LQ

i
DCA

A K
r
d
v
LCA

v
S

9 V
2 k 2 k
(a) (b) (c)
Figura 5.35: (a) circuito com fonte de pequeno sinal v
S
e de polarizao V
R
; (b) obteno do modelo equivalente
incremental do diodo para o pequeno sinal; (c) dependncia do ponto de repouso na deformao de um sinal.
V
R

v
S

R
L

D
v
L

I
D

V
D

I
D

Q
D
d
D
Q
d I
g
dV
=
V
D
V


t
v
S

A K
r
d

0
0
Q
1

Q
2

Q
max

Q
min

V
DQ

I
DQ

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
96
Soluo
Determinao do nvel de polarizao (ponto Q): aplicando LKT no circuito CC, tem-se:
9 0, 6 10 2000 0 4,18
DQ DQ DQ
I I I mA = =
A tenso na carga devido ao grande sinal ser ento:
3
2000 2000 4,18 10 8, 36
LQ DQ
V I V

= = =
Determinao da resistncia incremental r
d
do modelo do diodo para pequenos sinais:
3
20 273 2
12
11600 11600 4,18 10
T
d d
DQ DQ
V
T
r r
I I

+
= = = =
Determinao da corrente para o circuito de pequeno sinal: aplicando LKT no circuito CA, tem-se:
( )
( )
0, 2
2000 0 0, 0994
12 2000 2012
S
S d DCA DCA DCA
sen t v
v r i i i sen t mA

= = = =
+

A tenso na carga devido ao pequeno sinal ser ento: 2000 0,1988 ( ) ( )
LCA DCA
v i sen t V = =
Portanto, o sinal de tenso total na carga ser dado por: v
L
= V
LQ
+ v
LCA
v
L
= 8,36 + 0,1988 sen( t) V

Como visto no item 5.4.4.4, um cristal PN quando em conduo direta apresenta um efeito capacitivo chamado
capacitncia de difuso (C
D
), resultante do acmulo de carga minoritria excedente na vizinhana da juno. Este
comportamento de carga acumulada se torna relevante quanto maior for a frequncia do sinal de tenso aplicado ao
cristal, devido ao menor tempo para os minoritrios injetados retornarem ao substrato de origem. Como geralmente
pequenos sinais so de altas freqncias, ento o modelo do diodo para estes sinais deve contemplar tambm o efeito
da capacitncia de difuso, visto essa representar um caminho adicional para a circulao de corrente no cristal PN.
Seja ento Q a carga acumulada em certo instante em um diodo em conduo. Como tambm mencionado, os
portadores minoritrios injetados em cada lado de um cristal PN em conduo demora um certo perodo para sofrer
recombinao, chamado tempo de vida mdio . Como a prpria corrente direta I
D
uma medida da taxa com que os
minoritrios injetados desaparecem nos processos de recombinao, a mesma proporcional carga armazenada Q de
minoritrios excedentes, podendo ser definida como: I
D
= Q /.
Sendo a resistncia incremental r
d
definida em torno do ponto de repouso
Q, ento o efeito capacitivo deve ser tambm definido para o limite tendendo ao
ponto Q. Assim, em um diodo onde um sinal aplicado eleva a tenso direta em um
valor V
D
, o aumento da injeo de minoritrios acarreta em uma variao Q na
carga acumulada na juno. A variao Q/V
D
em torno do ponto de operao Q
do diodo define ento a capacitncia de difuso C
D
, dada ento por:
( )
D D
D d
D D D
Q Q Q
d I d I d Q
C g
dV dV dV


( ( (
= = = =
( ( (


onde Q = I
D
e g
d
a referida condutncia incremental do diodo percebida pelo
pequeno sinal. Desse modo, tem-se que a capacitncia de difuso C
D
pode ento ser determinada por:

DQ
D
T
I
C
V

= (5.34)
O modelo completo do diodo para o pequeno sinal constitui-se ento na resistncia incremental r
d
em paralelo
(configurao de acrscimo de efeito) com a capacitncia de difuso C
D
(Figura 5.37). Assim, com base no conceito
de reatncia capacitiva, tem-se que em baixas freqncias, a reatncia X
C
ser elevada e sua contribuio corrente no
diodo pequena, mas, em altas freqncias, X
C
ser pequena e sua contribuio ser comparativamente elevada.


5.5) DISPOSITIVOS A CRISTAL PN - II: TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO

O transistor bipolar de juno constitui-se em outro importante dispositivo semicondutor, empregado tanto em
comutao (chaveamento) como amplificao de sinais. Foi desenvolvido nos Laboratrios da Bell em 1947, vindo a
substituir as vlvulas termoinicas (que consumiam muita energia) nos equipamentos eletrnicos da poca, bem como
possibilitar novas inovaes teconolgicas, tais como microprocessadores, microcontroladores e circuitos integrados.
Assim, praticamente todos os equipamentos eltricos projetados atualmente fazem uso destes componentes.

5.5.1) ASPECTOS GERAIS

Um transistor bipolar de juno consiste basicamente em um cristal de silcio ou germnio subdividido em trs
substratos, com seus respectivos terminais, sendo porisso considerado um triodo. Tal como nos diodos, os transistores
bipolares de juno de silcio so mais amplamente empregados que os de germnio, por oferecerem especificaes
de tenso e corrente mais elevadas, menor sensibilidade temperatura e menores correntes reversas.
A K
r
d
C
D
Figura 5.37: Modelo do diodo
em conduo para pequenos
sinais e altas freqncias.
1
2
C
D
X
f C
=
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
97
5.5.1.1) Constituio fsica

O transistor bipolar de juno, conhecido como TBJ ou BJT, constitu-se de um substrato semicondutor tipo P
entre dois substratos tipo N, chamado TBJ NPN, ou por um substrato tipo N entre dois substratos tipo P, denominado
TBJ PNP. A Figura 5.38-a e b mostram ento os trs substratos constituintes de um TBJ (NPN ou PNP), conhecidos
como emissor (com terminal denominado E), base (terminal B) e coletor (terminal C), que diferem entre si por nveis
de dopagem, dimenses e funes distintas. Alguns aspectos fsicos destes substratos so:
Emissor: o substrato mais densamente dopado dos trs, porque sua funo fornecer os portadores de carga
(eltrons livres ou lacunas) para o funcionamento do TBJ. Possui tamanho intermedirio entre a base e o coletor.
Base: o substrato de menor dopagem e de menor dimenso dos trs, pois sua funo permitir que a maioria dos
portadores livres injetados pelo substrato emissor alcance o substrato coletor.
Coletor: apresenta dopagem intermediria entre a do emissor e da base e sua funo coletar os portadores livres
da base vindos do emissor. Possui a maior dimenso dos substratos por necessitar dissipar mais calor.
Na Figura 5.38-a observa-se ento que os substratos do TBJ formam 2 junes PN que se assemelham a diodos:
1) A juno emissor-base (J
E
), que compe o chamado diodo emissor entre os terminais do emissor e da base;
2) A juno coletor-base (J
C
), que compe o chamado diodo coletor entre os terminais do coletor e da base.
Desse modo, cada juno PN apresenta suas respectivas regies de depleo, chamadas emissor-base ou EB, e
coletor-base ou BC (Figura 5.38-b). Devido ao fato do substrato emissor ser o de maior nvel de dopagem, observa-se
tambm que a largura da regio de depleo EB menor que a CB pois, como visto, quanto mais densamente dopado
um substrato, maior a concentrao de ons prximos juno e menor a camada de depleo (Figura 5.38-b).












5.5.1.2) Smbologia, variveis, especificaes e aparncias

O smbolo esquemtico do transistor bipolar de juno apresenta uma seta que identifica o terminal emissor e o
sentido da corrente neste terminal quando o diodo emissor do TBJ est operando em sua regio de conduo. Assim,
para o caso do TBJ tipo NPN, o substrato emissor injeta eltrons (majoritrios neste substrato) com o diodo emissor
do TBJ em conduo, o que corresponde a uma corrente contrria no sentido convencional das cargas positivas e,
assim, a seta aponta para fora no smbolo (Figura 5.39-a). Similarmente para o TBJ PNP, o substrato emissor injeta
lacunas (majoritrios) com o diodo emissor em conduo e, sendo lacunas cargas positivas, o sentido desta corrente
corresponde ao convencional e, portanto, a seta aponta para dentro no smbolo (Figura 5.39-b).
Por disponibilizar trs terminais, pode-se inferir ento que o TBJ apresentar trs variveis de corrente e trs de
tenso, resultando ento em seis variveis acessveis em seus terminais (exemplificao na Figura 5.39-c), a saber:
a) As correntes no terminal emissor (I
E
), coletor (I
C
) e base (I
B
). Como o substrato emissor tem a funo de fornecer
os portadores livres para o TBJ funcionar, ento tem-se em seu funcionamento normal que:

E C B
I I I = + (5.35)
Assim, se o sentido destas correntes forem invertidos, ento as mesmas passam a ter sinais contrrios.
b) As tenses entre o coletor e o emissor (V
CE
ou V
EC
), entre o coletor e a base (V
CB
ou V
BC
) e entre a base e o emissor
(V
BE
ou V
EB
). Desse modo, tem-se ento que: V
CE
=

V
EC
, V
CB
=

V
BC
e V
BE
=

V
EB
.











terminal
emissor (E)
NPN PNP
Figura 5.39: Smbolos esquemticos do TBJ: (a) NPN e (b) PNP; (c) variveis de tenso e corrente do TBJ.
(a) (b) (c)
terminal
coletor (C)
terminal
base (B)
I
B

I
E

I
C

V
CE

V
BE

V
CB

C
B
E
I
B

I
E

I
C

V
EC

V
EB

V
BC

C
B
E
Figura 5.38: Constituio fsica e nomenclaturas do TBJ: (a) substratos e diodos; (b) regies de depleo.
emissor base coletor
N P N
P N P
E
B
C
diodo
emissor
diodo
coletor
regio de depleo
emissor-base (EB)
E
B
C
emissor base coletor
N P N
P N P
regio de depleo
coletor-base (CB)
J
C
J
E
(a) (b)
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
98
As especificaes de fabricao dos TBJs NPN e PNP de mesmo tipo so semelhantes, sendo suas aplicaes
em um circuito dependente da convenincia determinada pelas condies de projeto. As diferenas bsicas so:
Como o fluxo de majoritrios ser de lacunas no PNP e de eltrons livres no NPN, ento pode-se observar que o
sentido positivo das correntes e tenses envolvidas no funcionamento do PNP oposto ao do NPN para as mesmas
condies de operao (Figura 5.39-c). Conclui-se ento que os TBJs NPN e PNP so complementares, podendo
os mesmos serem empregados em conjunto em determinadas aplicaes, tal como chaveamentos;
Como observado na Tabela 5.1, a mobilidade dos eltrons livres (
n
) maior que a de lacunas (
p
). Logo, entre
dois TBJs NPN e PNP de especificaes iguais, o tipo PNP apresentar tempos de comutao maiores, isto , so
mais lentos que o tipo NPN, pois a corrente no mesmo necessita passar por dois substratos tipo P.
A folha de dados (data sheets) do fabricante dos TBJs apresenta diversas informaes referentes a limites de
potncia, tenso, corrente e temperatura, bem como formatos e encapsulamentos. Algumas destas especificaes so:
Capacidade de dissipao: os TBJs so classificados basicamente em dois grupos quanto potncia dissipada: de
pequeno sinal (at 0,5 W) e de potncia (acima 0,5 W), onde o encapsulamento destes ltimos podem apresentar
furos para encaixe em uma massa de metal (geralmente de alumnio) para facilitar a dissipao de calor.
A potncia dissipada por um TBJ pode ser determinada aproximadamente por:
(NPN) ; (PNP)
TBJ CE C TBJ EC C
P V I P V I = = (5.36)
Em geral, os TBJs so utilizados tanto em amplificao de sinais como em chaveamentos, sendo os de maior
potncia comumente empregados em estgios finais de amplificao e na comutao de cargas mais elevadas.
Ganhos de corrente: estas especificaes expressam relaes entre correntes do TBJ, sendo os chamados ganhos
de corrente direta (
F
e
F
, definidos mais adiante) os mais importantes. Os TBJs de menor potncia normalmente
apresentam ganhos de corrente maiores que os de maior potncia devido s suas aplicaes mais usuais.
Limites de ruptura: alm da capacidade de dissipao mxima, os TBJs apresentam ainda diversas especificaes
limites, tais como a corrente mxima de coletor (I
CM
) e as tenses mximas de ruptura reversa: BV
CEO
(tenso de
ruptura entre coletor e emissor com base em aberto), BV
CBO
(tenso de ruptura entre coletor e base com o emissor
em aberto) e BV
EBO
(tenso de ruptura entre emissor e base com o coletor em aberto).
Correntes reversas: dentre estas especificaes, pode-se citar: I
CBO
(corrente reversa de coletor para a base com o
emissor em aberto) e I
CEO
(corrente reversa de coletor para o emissor com a base em aberto).
Os TBJ's apresentam diversas aparncias de encapsulamento (exemplos na Figura 5.40). A nomenclatura dos de
origem norte-americana utiliza apenas a sigla 2N para a sua codificao (exemplo: 2N2222, 2N3055 e 2N2906).
A nomenclatura europia se mostra mais completa, por utilizar duas letras em sua codificao: 1
o
letra (tipo do
semicondutor): A = germnio, B = silcio; 2
o
letra: C = uso geral e udio, D = potncia e F = rdio-freqncia.
Exemplos: tipos NPN: BC548, BD135 e BF494; tipos PNP: BC558, BD136 e BF495.












A identificao dos terminais de um TBJ pode ser obtida por meio de folhas de dados ou empregando bornes de
teste disponveis em alguns multmetros, que indicam um ganho de corrente direta (
F
) mdio quando os terminais do
TBJ em teste esto corretamente conectados aos bornes. Com a opo de teste de diodos de alguns multmetros, s
possvel testar os diodos do TBJ e, neste caso, pode-se identificar apenas o terminal da base.
Os TBJ's podem ser submetidos a excessos de tenso, corrente ou potncia mxima especificadas, que podem
danificar seus diodos colocando-os em curto ou aberto, alm de provocar outros problemas. Logo, comum o teste
com os TBJ's, que podem ser feitos com medidores especiais que identificam correntes de fuga demasiadas, ganhos de
correntes baixos e tenses de ruptura insuficientes, mas com multmetros comuns pode-se realizar alguns testes:
Com o teste de diodos pode-se identificar as condies dos diodos, que devem indicar uma tenso de limiar tpica;
Com um ohmmetro pode-se medir a resistncia entre os terminais coletor e emissor, que deve ser da ordem de
M, ou a razo entre as resistncias reversa e direta dos diodos, que deve ser maior que 1000.

5.5.2) FUNCIONAMENTOS DO TBJ

Os modos de operao de um TBJ dependem da polarizao de seus diodos e se assemelha em certas condies
a uma fonte de corrente controlada por corrente, razo pela qual conveniente o estudo deste dispositivo hipottico.
Figura 5.40: Aparncias diversas de alguns tipos de transistores bipolares de juno.
TBJs de pequeno sinal TBJs de potncia
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
99
5.5.2.1) Conceito de fonte de corrente controlada por corrente

Fontes controladas so dispositivos que apresentam um de seus parmetros, designado como varivel de sada,
controlado por outro de seus parmetros, designado como varivel de entrada, que podem ser empregadas como chave
controlada e, dependendo dos resistores de polarizao e do ganho de corrente, tambm na amplificao de sinais.
Uma fonte de corrente controlada por corrente (FCCC) constitui-se de
um dispositivo com trs terminais, um dos quais conectado em comum aos
outros dois, de modo a estabelecer pelo menos duas malhas, entendidas como
malha de entrada, ou de controle, e de sada, ou controlada, na qual o valor
da sua corrente de sada controlado por sua corrente de entrada.
A Figura 5.41 mostra um exemplo de circuito contendo uma fonte de
corrente controlada por corrente, onde as correntes I
1
e I
2
= I
1
( = ganho
de corrente) so as variveis de corrente de entrada e sada, respectivamente,
da fonte controlada, e V
o
= V
2
R
2
I
2
a tenso de sada desta fonte.
Analisando o circuito da Figura 5.41, pode-se observar que:
a) Se I
2
>> I
1
tem-se ento um ganho de corrente >> 1. Nesse caso, a fonte
pode ser aproveitada para a amplificao de sinais aplicados na entrada.
b) Se V
1
= 0 tem-se que I
1
= I
2
= 0 e a tenso de sada V
o
ser igual tenso
da fonte V
2
. Desse modo, a fonte controlada comporta-se como uma chave aberta para a malha de sada.
c) Se I
1
estabelecer um valor para I
2
tal que que V
o
= V
2
R
2
I
2
= 0 ento a fonte controlada comporta-se como uma
chave fechada para a sada. Assim, as observaes b e c representam a aplicao da fonte como chave liga-desliga.

5.5.2.2) Modos de operao

Como mencionado, o TBJ constitui-se de duas junes PN e respectivas regies de depleo, que compem os
seus diodos emissor e coletor. Consequentemente, cada diodo do TBJ apresenta uma barreira de potencial em suas
respectivas regies de depleo, que podem ser sintetizadas num determinado valor de limiar V

. Desse modo, pode-se


polarizar estes diodos em conduo ou corte dependendo da tenso aplicada em seus terminais (acima ou abaixo do
limiar). Assim, tem-se quatro combinaes de polarizao simultnea dos diodos do TBJ (esquemas simplificados na
Figura 5.42), o que definem os seus quatro modos de operao (resumo na Tabela 5.2), vistos a seguir:

















1) Corte ou bloqueio: este modo de operao atingido quando ambos os diodos emissor e coletor do TBJ esto
polarizados no corte, com tenso em seus terminais menor ou igual aos respectivos limiares, (Figura 5.42-a), ou
mesmo reversas. Logo, visto os diodos estarem no corte, as correntes no TBJ so praticamente nulas (da ordem de
correntes reversas) e o TBJ opera ento como uma chave aberta entre qualquer de seus terminais.
2) Ativo direto: este modo de operao atingido com o diodo emissor polarizado em conduo e o diodo coletor no
corte, tal que a tenso aplicada nos terminais emissor e base (diodo emissor) seja maior que seu nvel de limiar e
uma tenso entre os terminais coletor e base (diodo coletor) menor ou igual ao seu limiar (Figura 5.42-b).
A Figura 5.43-a exemplifica o mecanismo de conduo do TBJ no modo ativo direto, com base no tipo NPN.
Com o diodo emissor em conduo, tem-se ento uma corrente direta no terminal emissor (I
E
) onde eltrons livres
do substrato emissor tipo N (majoritrios) so injetados no substrato base P e tornam-se minoritrios. Como a base
levemente dopada e bastante fina, neste substrato ocorre uma pequena captura destes portadores injetados devido
s recombinaes dos eltrons livres com lacunas da base, vindo estes a se constituirem em uma pequena corrente
no terminal da base (I
B
). Como o campo eltrico em uma camada de depleo acelerante para os minoritrios e o
Figura 5.41: Circuito com fonte de
corrente controlada por corrente.
I
1

FCCC
V
1

R
1

1 2
3 3
V
2

R
2

V
o

I
1
I
2
= I
1


malha de
entrada
malha de
sada
Figura 5.42: Esquemas simplificados da polarizao dos diodos para a obteno dos modos de operao do TBJ.
corte ou bloqueio ativo direto saturado ativo reverso
N P N
C E
B
V V

V V


P N P
C E
B
V V

V V


N P N
C E
B
V V

V > V


P N P
C E
B
V > V

V V


N P N
C E
B
V > V

V > V


P N P
C E
B
V > V

V > V


N P N
C E
B
V > V

V V


P N P
C E
B
V V

V > V


(a) (b) (c) (d)
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
100
diodo coletor est no corte, ento os eltrons livres injetados pelo emissor na base que no sofreram recombinao,
so atrados para o substrato coletor devido a este campo acelerante (Figura 5.43-a) e se constituiro ento em uma
corrente reversa de minoritrios no diodo coletor que resulta na corrente do terminal coletor (I
C
), tal que, como
mencionado, a soma de I
C
e I
B
resulta em I
E
. Logo, apesar da corrente de coletor ser do tipo reversa, esta ser
comparvel a I
E
(por ser I
B
ser pequena), pois os minoritrios da base so os majoritrios vindos do emissor.
Como conseqncia, tem-se idealmente que, se a tenso direta no diodo emissor for mantida, ento a corrente
de emissor no se altera e, como as correntes de base e coletor so formadas pelos majoritrios vindos do substrato
emissor, ento estas tambm no se alteram, independentemente de alteraes na tenso reversa do diodo coletor.
Logo, pode-se concluir ento que no modo ativo direto um TBJ funciona efetivamente como uma fonte de corrente
controlada por corrente, sendo neste modo de operao definidos os seus ganhos de corrente (vistos mais adiante).
A Figura 5.43-b mostra este mecanismo sob o ponto de vista das bandas de energia. Com o diodo emissor em
conduo, ento eltrons livres do substrato emissor adquirem energia suficiente para ocupar rbitas disponveis na
banda de conduo da base (I
E
). Alguns desses eltrons injetados podem se recombinar com lacunas da base e fluir
como eltron de valncia para o terminal da base (I
B
), mas a grande maioria apresenta vida mdia suficiente para
alcanar a juno coletor-base, ocupar rbitas disponveis na banda de conduo no substrato coletor e fluir para o
seu terminal (I
C
). Outro aspecto mostrado que, com o diodo coletor no corte, a banda de conduo no coletor est
a um nvel abaixo da banda de conduo da base, sendo esta diferena tanto maior quanto maior a tenso reversa
no diodo coletor. Logo, ao penetrar no substrato coletor, os eltrons liberam energia, principalmente na forma de
calor (Figura 5.43-b). Esta a razo para o coletor ser o maior substrato, pois deve ser capaz de dissipar esse calor.














3) Saturado: este modo de operao do TBJ atingido quando ambos os diodos emissor e coletor so polarizados em
conduo (Figura 5.42-c). Como o diodo coletor tambm levado conduo, ocorre ento que a corrente reversa
do diodo coletor do TBJ, quando no modo ativo direto, passa a sofrer uma oposio devido ao diodo coletor tender
tambm a conduzir uma corrente direta. Logo, a denominao para este modo de operao decorre devido perda
do controle da corrente de coletor pela corrente de emissor obtida no modo ativo direto, ou seja, alteraes em I
E

no so mais refletidos integralmente em I
C
, e diz-se ento que o TBJ saturou. Assim, o sentido das correntes no
TBJ mantm os mesmos do ativo direto (Figura 5.43-a), pois a corrente no diodo coletor necessita antes anular a
corrente reversa causada pelo modo ativo direto, para poder conduzir uma corrente direta.
4) Modo ativo reverso: este modo de operao atingido quando o diodo emissor est no corte e o diodo coletor em
conduo (Figura 5.42-d). Pode-se observar ento que estas polarizaes so contrrias ao do modo ativo direto,
ou seja, o substrato coletor executa a funo do substrato emissor (fornecer portadores ao funcionamento do TBJ),
e vice-versa. Apesar de tambm funcionar como fonte de corrente controlada por corrente, este modo de operao
apresenta ganhos de corrente baixos devido inverso de funes, sendo raramente empregado (apenas algumas
aplicaes em circuitos digitais e de comutao analgica), razo pela qual no ser abordado nesta apostila.

Tabela 5.2: Polarizaes dos diodos emissor e coletor do TBJ e conseqentes modos de operao.
MODOS DE OPERAO DO TBJ
DIODOS DO TBJ
Corte ou Bloqueio Ativo Direto Saturado Ativo Reverso
Diodo emissor (J
E
) corte conduo conduo corte
Diodo coletor (J
C
) corte corte conduo conduo

5.5.3) CONFIGURAES DO TBJ

Sendo o TBJ um dispositivo de trs terminais (emissor, base e coletor), este fato implica ento que pelo menos
duas malhas so necessrias para sua polarizao em um circuito, em uma das quais se distingue por conter a carga do
circuito, denominada malha de sada (ou controlada), e na outra por conter o montante de corrente que determina o
comportamento do TBJ (modo de operao), denominada malha de entrada (ou de controle).
BV
BC
emissor base coletor
N P N
liberao
de calor
J
E
J
C

recombinao
E

N P N

B
campos das barreiras de potencial

e

C

I
E
I
C
I
B
Figura 5.43: Mecanismo de conduo dos modos ativo direto e saturado de um TBJ NPN.
E

C

B
(a) (b)
I
E
I
B
I
C
e

e

energia
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
101
Logo, pode-se entender que a malha de entrada conter um terminal do TBJ que conduzir a corrente de entrada
do circuito e a malha de sada outro terminal do TBJ que conduzir a corrente de sada. Assim, esta composio de
malhas de polarizao implica que um terceiro terminal do TBJ ser comum s malhas de entrada e sada, sendo este
fato o que define as chamadas configuraes do TBJ vistos a seguir (esquemas simplificados na Figura 5.44), onde
tem-se que o terminal da base no pode ser escolhido para compor a malha de sada, pois esta opo acarreta em um
circuito ineficiente por ter uma corrente relativamente elevada (I
E
ou I
C
) controlando uma corrente bem menor (I
B
):
1) Configurao Base Comum (BC): a corrente de emissor a de entrada e a corrente de coletor a de sada do TBJ,
ou seja, o terminal da base comum aos terminais do emissor e do coletor (Figura 5.44-a). Como I
C
I
E
ento
pode-se eventualmente empregar a corrente de emissor como sada e a de coletor como entrada do circuito.
2) Configurao Emissor Comum (EC): a corrente de base a corrente de entrada do TBJ e a corrente de coletor a
de sada, ou seja, o terminal do emissor comum aos terminais da base e do coletor (Figura 5.44-b);
3) Configurao Coletor Comum (CC): a corrente de base a corrente de entrada do TBJ e a corrente de emissor a
de sada, ou seja, o terminal do coletor comum aos terminais da base e do emissor (Figura 5.44-c).
Como o funcionamento de um TBJ depende apenas de como esto polarizados os seus diodos emissor e coletor,
ento os modos de operao do TBJ podem ser alcanados em qualquer das trs configuraes possveis, ou seja, os
modos de operao independem da configurao empregada, diferindo, no entanto, quanto ao ganhos de corrente do
TBJ envolvidos no funcionamento do circuito, devido s diferentes composies de correntes de entrada e sada.














Similarmente ao visto para o diodo, o comportamento do TBJ pode ser visualizado por meio de grficos que
relacionam variveis de corrente e tenso mensurveis em seus terminais (caractersticas I-V). Como o TBJ apresenta
seis parmetros a estudar (trs variveis de corrente e trs variveis de tenso), ento o grfico destas caractersticas se
mostram mais complexos que os estudados para os diodos, pois dependem da configurao empregada, do tipo de
malha (entrada ou sada) e de ser necessrio fixar uma terceira varivel do TBJ para se estabelecer uma condio de
funcionamento bsica para o mesmo. Como mencionado, o modo ativo reverso apresenta pouca utilidade prtica,
razo pela qual o mesmo no ser abordado nas anlises de configuraes do TBJ estudadas mais adiante.
Como tambm ser visto, as curvas das caractersticas I-V do TBJ apresentam certos deslocamentos devido ao
chamado efeito Early, visto a seguir, que determina um comportamento um pouco diferente do idealizado.

5.5.3.1) Efeito Early

Como visto na Figura 5.38-b, o TBJ possui duas regies de depleo: emissor-base (EB), que compe o diodo
emissor, e coletor-base (CB), que compe o diodo coletor. Pode-se observar ento que a largura da base entre as duas
regies a que efetivamente possui portadores de carga livres, sendo desse modo chamada de largura efetiva da base.
Como tambm visto anteriormente, a largura de uma camada de depleo praticamente no se altera quando o
cristal PN polarizado diretamente e aumenta quando este polarizado reversamente. Logo, conclui-se que a largura
efetiva da base do TBJ pode aumentar ou diminuir de acordo com a polarizao reversa nos diodos emissor e coletor.
Assim, supondo um TBJ na regio ativa direta, isto , com seu diodo emissor em conduo e seu diodo coletor
no corte, pode-se considerar ento que a largura efetiva da base modulada devido apenas polarizao reversa do
diodo coletor, diminuindo com um aumento na tenso aplicada neste diodo e vice-versa. Esta modulao da largura da
base, conhecida por efeito Early, acarreta basicamente em trs efeitos para o funcionamento do TBJ:
1) A diminuio da largura efetiva da base provoca um aumento na concentrao de portadores majoritrios neste
substrato, o que acarreta em um aumento na diferena de concentraes de portadores entre os substratos emissor e
base. Como correntes de difuso so proporcionais a diferenas de concentrao, ento a corrente de emissor I
E
,
sendo do tipo direta e, portanto, de difuso, se elevar com o aumento da tenso reversa no diodo coletor;
2) O estreitamento da largura da base provoca tambm um aumento no tempo de vida mdio dos portadores injetados
na base para chegar at o coletor, devido ao menor caminho que os mesmos devem percorrer neste substrato. Este
aumento no tempo de vida mdio dos portadores injetados acarreta ento em menor possibilidade de recombinao
(a) (b) (c)
Figura 5.44: Esquemas simplificados das configuraes dos TBJs NPN e PNP: (a) BC; (b) EC; (c) CC.
I
E
I
C

I
B

I
C

I
C

I
B

I
E

I
B

I
E

I
B

I
E
I
C

malha de
entrada
malha de
sada
malha de
entrada
malha de
sada
malha de
sada
malha de
sada
malha de
sada
malha de
sada
B
B
E C
malha de
entrada
malha de
entrada
malha de
entrada
malha de
entrada
B
E C
B
B
B
E
E
E
E
C
C
C
C
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
102
destes com os majoritrios da base, o que causa uma diminuio da corrente de base I
B
e um aumento na corrente
de coletor I
C
, que se aproxima mais da corrente de emissor I
E
com o aumento da tenso reversa no diodo coletor.
3) Para tenses reversas muito elevadas no diodo coletor, a largura efetiva da base pode se reduzir a zero, ou seja, a
regio de depleo emissor-base alcana a de coletor-base
,
o que causa uma corrente de emissor excessivamente
elevada a ponto de levar o TBJ ruptura e queima, efeito este conhecido como perfurao ou punch-through.
Como conseqncia do efeito Early, os ganhos de corrente definidos para a regio ativa direta do TBJ (
F
e
F
,
vistos a seguir) no so constantes e acarretam em alguns desvios nas caractersticas I-V das configuraes do TBJ.

5.5.3.2) Configurao base-comum (BC)

Para o entendimento do comportamento de um TBJ na configurao base comum, ser empregado um circuito
simples contendo um TBJ PNP como exemplificao. Para um TBJ NPN, a anlise anloga.
Seja o circuito de polarizao de um TBJ PNP apresentado na Figura 5.45-a, onde observa-se que o terminal da
base do TBJ comum s malhas de entrada e sada do circuito, ou seja, o TBJ encontra-se polarizado na configurao
base comum. Com base no esquema de tenses e correntes do circuito, pode-se observar ento que:
A ddp V
EB
aplicada ao TBJ pela fonte V
E
resulta em uma tenso direta no diodo emissor do TBJ. Considerando
uma tenso de limiar para este diodo em torno de 0,5 V, tem-se desse modo que, se V
EB
0,5 V ento I
E
= 0 A e o
diodo emissor se encontra no corte e, se V
EB
> 0,5 V ento I
E
> 0 A e o diodo emissor se encontra em conduo.
Similarmente, observa-se que a ddp V
BC
aplicada ao TBJ pela fonte V
C
resulta em uma tenso reversa no diodo
coletor do TBJ. Desse modo, considerando tambm uma tenso de limiar para este diodo em torno de 0,5 V, tem-se
ento que o diodo coletor se encontra no corte quando V
BC
0,5 V e entra em conduo se V
BC
< 0,5 V.














Assim, com base nestas observaes, pode-se agora realizar um estudo das caractersticas corrente-tenso de
entrada e sada para o entendimento do funcionamento do TBJ em base comum, visto a seguir:
(1) Caracterstica de entrada: no circuito da Figura 5.45-a observa-se que a corrente de emissor I
E
e a tenso V
EB
no
diodo emissor residem nas variveis de entrada do TBJ, ou seja, curvas I
E
x V
EB
constituem-se na caracterstica I-V
de entrada do TBJ PNP em base comum, onde a tenso no diodo coletor (V
BC
) a varivel fixada (Figura 5.45-b).
Observa-se ento que o grfico representa a caracterstica I-V de um diodo (diodo emissor) polarizado diretamente
e que a caracterstica de entrada consiste em um conjunto de curvas que se distinguem entre si pela tenso reversa
V
BC
fixada. Tal comportamento se deve ao Efeito Early, pois observa-se que, para um valor fixo de V
EB
, ocorre um
crescimento na corrente de emissor I
E
quando se eleva a tenso reversa V
BC
no diodo coletor (Figura 5.45-b).
(2) Caracterstica de sada: no circuito da Figura 5.45-a observa-se que a corrente de coletor I
C
e a tenso V
BC
no
diodo coletor residem nas variveis de sada do TBJ, ou seja, curvas I
C
x V
BC
constituem-se na caracterstica I-V de
sada do TBJ PNP em base comum, sendo a corrente de emissor I
E
a varivel fixada (Figura 5.45-c). Observa-se
ento que esta caracterstica constitui-se de infinitas curvas, distintas de acordo com a corrente direta I
E
fixada para
o diodo emissor, onde pode-se distinguir as trs regies de operao com aplicaes prticas para um TBJ:
(2.1) Regio de corte ou bloqueio: corresponde regio da caracterstica situada abaixo da curva para I
E
= 0 A
(diodo emissor no corte) e V
BC
0,5 V (diodo coletor no corte), pois estas so, como visto, as condies que
caracterizam o modo corte ou bloqueio de um TBJ (Figura 5.45-c). Como I
E
= 0 A consiste em desconectar o
terminal emissor do circuito, ento a corrente do TBJ no corte definida por um valor I
CBO
, que refere-se a j
mencionada corrente reversa de coletor para a base com o emissor em aberto. Alm disso, observa-se que a
tenso reversa V
BC
pode se elevar at um valor limite BV
CBO
de ruptura (por punch-through), a j tambm
mencionada tenso de ruptura entre coletor e base com o emissor aberto (Figura 5.45-c).
(2.2) Regio ativa direta: corresponde regio da caracterstica de sada situada tal que I
E
> 0 A (diodo emissor
em conduo) e V
BC
0,5 V (diodo coletor no corte), o que caracteriza, como visto, as condies para o
modo ativo direto de um TBJ, e que se estende at os limites de ruptura (Figura 5.45-c). Como tambm visto
anteriormente, no modo ativo direto ocorre um efeito de controle de corrente e, neste caso, pode-se definir
uma relao de ganho entres as correntes de sada e entrada do TBJ, desse modo dada por:
Figura 5.45: (a) Circuito com TBJ PNP para estudo da configurao base comum; (b) caracterstica I-V de entrada
em base comum tpica para um PNP; (c) caracterstica I-V de sada em base comum tipificada para um PNP.
(a) (b) (c)
P
E C
B
P
N
V
E

R
E

I
E
I
C

R
C

V
C

entrada sada
I
B

V
EB
V
BC

I
E

V
EB

V
BC3

V
BC1

0,5
0
regio de corte
I
E
= 0 A
I
E
= 10 mA
I
C
(mA)
I
E
= 20 mA
I
E
= 30 mA
30
20
10
- 0,5
regio
ativa
direta
regio de
saturao
V
BC
(V)
0
V
BC3
> V
BC2
> V
BC1

I
CBO

ruptura
BV
CBO

V
BC2

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
103

C
F
E
I
I
= (5.37)
onde
F
conhecido como o ganho de corrente direta em base comum. Logo, pode-se definir que: I
C
=
F
I
E
e
como I
C
I
E
(visto anteriormente), ento
F
1 (exemplo:
F
= 0,995). devido a este comportamento de
fonte controlada que o TBJ pode efetivamente executar uma funo amplificadora.
Na Figura 5.45-c observa-se ainda que as curvas na regio ativa direra apresentam uma leve inclinao.
Este fato deve-se tambm ao Efeito Early pois, como visto, o aumento da tenso reversa V
BC
no diodo coletor
provoca uma diminuio das recombinaes na base, o que acarrete em um aumento na corrente de coletor I
C
,
que se aproxima mais da corrente de emissor I
E
fixada (Figura 5.45-c). Logo, conclui-se que o ganho
F
no
constante e aumenta (se aproxima de 1) com o aumento da tenso reversa no diodo coletor.
(2.3) Regio de saturao: corresponde regio da caracterstica tal que ambos os diodos emissor e coletor do
TBJ se encontram em conduo, ou seja, I
E
> 0 A e V
BC
< 0,5 V, o que define, como visto, as condies para
o modo saturado de um TBJ (Figura 5.45-c). Observa-se que esta regio caracteriza-se por um decrscimo na
corrente de coletor I
C
, pois o diodo coletor do TBJ, estando em conduo, tambm tender a conduzir uma
corrente direta, precisando para isso reduzir a zero a injeo de portadores vindos da base, que se constitui,
como visto, em uma corrente reversa para o diodo coletor. Logo, este fato acarreta na perda do controle de
corrente estabelecido no modo ativo direto e, desse modo, a relao I
C
=
F
I
E
no se aplica para esta regio.

5.5.3.3) Configurao emissor-comum (EC)

Para o entendimento do comportamento de um TBJ na configurao emissor comum, ser empregado, como
exemplicao, um circuito simples contendo um TBJ NPN. Para um TBJ PNP, a anlise anloga.
Seja o circuito de polarizao de um TBJ NPN visto na Figura 5.46-a, onde observa-se que o terminal emissor
do TBJ comum s malhas de entrada e sada do circuito, ou seja, o TBJ encontra-se polarizado na configurao
emissor comum. Com base no esquema de tenses e correntes do circuito, pode-se observar ento que:
A ddp V
BE
no TBJ aplicada pela fonte V
B
reside na tenso direta no diodo emissor. Logo, como visto no estudo da
configurao base comum, tem-se que, se V
BE
0,5 V, ento o diodo emissor se encontra no corte e I
B
= 0 A (pois
I
E
= 0 A) e ainda, se V
BE
> 0,5 V, ento o diodo emissor se encontra em conduo e I
B
> 0 A (pois I
E
> 0 A).
Com base na polaridade das ddps entre terminais do TBJ pode-se definir que: V
CE
= V
BE
V
BC
, onde V
BC
reside na
tenso direta do diodo coletor. Considerando um valor tpico V
BE
= 0,7 V para o diodo emissor em conduo e uma
tenso de limiar V
BC
= 0,5 V para o diodo coletor, tem-se que: V
CE
= 0,7 0,5 =

0,2 V. Logo, pode-se inferir que,
mantido o diodo emissor em conduo (V
BE
= 0,7 V = cte) ento, se V
CE
0,2 V, tem-se que V
BC
0,5 V e o diodo
coletor entra no corte. Para assegurar esta situao, normalmente adota-se o limite V
CE
= 0,3 V para o diodo coletor
entrar decididamente no corte. Assim, com o diodo emissor seguramente em conduo, pode-se concluir que, para
V
CE
0,3 V , o diodo coletor se encontra no corte e, para V
CE
< 0,3 V, o diodo coletor se encontra em conduo.













Assim, com base nestas observaes, pode-se agora realizar um estudo das caractersticas corrente-tenso de
entrada e sada para o entendimento do funcionamento do TBJ em emissor comum, visto a seguir:
(1) Caracterstica de entrada: no circuito da Figura 5.46-a observa-se que a corrente de base I
B
e a tenso V
EB
no
diodo emissor constituem-se nas variveis de entrada do TBJ, ou seja, curvas I
B
x V
BE
resultam na caracterstica I-V
de entrada do TBJ NPN em emissor comum, sendo a tenso entre os terminais coletor e emissor (V
CE
) a varivel
fixada (Figura 5.46-b). Tal como visto no estudo da configurao base comum, pode-se novamente observar que as
curvas representam a caracterstica I-V do diodo emissor em polarizao direta e que as mesmas se constituem em
um conjunto que se distinguem com a tenso V
CE
fixada. Tal comportamento se deve tambm ao Efeito Early, pois
um aumento em V
CE
, como observado, implica em um aumento na polarizao no corte do diodo coletor, o que
acarreta em uma diminuio da corrente de base I
B
devido diminuio da recombinao na base. Logo, para um
valor fixo de V
BE
, ocorre um decrescimento na corrente de base I
B
quando se eleva a tenso V
CE
(Figura 5.46-b).
Figura 5.46: (a) Circuito com TBJ NPN para estudo da configurao emissor comum; (b) caracterstica I-V de
entrada em emissor comum de um PNP; (c) caracterstica I-V de sada em emissor comum tipificada para um NPN.
(a) (b) (c)
N
E
C
B
P
N
V
B

R
B

I
E

I
C

R
C

entrada sada
I
B

V
BE

V
BC

I
B

V
BE

V
CE1

V
CE3

0,5
0
regio de corte
I
B
= 0 A
I
B
= 0,1 mA
I
C
(mA)
I
B
= 0,2 mA
I
B
= 0,3 mA
30
20
10
0,3
regio
ativa
direta
regio de
saturao
V
CE
(V)
0
V
CE3
> V
CE2
> V
CE1

I
CEO

ruptura
BV
CEO

V
CE2

V
C

V
CE

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
104
(2) Caracterstica de sada: com base no circuito da Figura 5.46-a observa-se que a corrente de coletor I
C
e a tenso
V
CE
residem nas variveis de sada do TBJ, ou seja, curvas I
C
x V
CE
constituem-se na caracterstica I-V de sada do
TBJ NPN em emissor comum, sendo a corrente de base I
B
a varivel fixada (Figura 5.46-c). Similar ao visto para a
configurao base comum, observa-se que esta caracterstica constitui-se de infinitas curvas, distintas de acordo
com a corrente I
B
fixada, onde pode-se distinguir as trs regies de operao com aplicaes prticas para um TBJ:
(2.1) Regio de corte ou bloqueio: corresponde regio da caracterstica situada abaixo da curva para I
B
= 0 A
(diodo emissor no corte) e V
CE
0,3 V (diodo coletor no corte), que caracterizam o modo corte de um TBJ
(Figura 5.46-c). Como I
B
= 0 A consiste em desconectar o terminal base do circuito, ento a corrente do TBJ
no corte definida por um valor I
CEO
, a j mencionada corrente reversa de coletor para o emissor com a base
em aberto. Alm disso, observa-se que a tenso reversa V
CE
pode se elevar at um valor limite de ruptura
BV
CEO
, a j mencionada tenso de ruptura entre coletor e emissor com a base em aberto (Figura 5.45-c).
(2.2) Regio ativa direta: corresponde regio da caracterstica de sada situada tal que I
B
> 0 A (diodo emissor
em conduo) e V
CE
0,3 V (diodo coletor no corte), que caracterizam as condies para o modo ativo direto
de um TBJ, e que se estende at os limites de ruptura (Figura 5.46-c). Como visto anteriormente e similar ao
definido para a configurao base comum, no modo ativo direto ocorre um efeito de controle de corrente e
pode-se definir uma relao de ganho entres as correntes de sada e entrada do TBJ, desse modo dada por:

C
F
B
I
I
= (5.38)
onde
F
denominado ganho de corrente direta em emissor comum, tambm conhecido como ganho
CC
ou
h
FE
(distinto do ganho CA, dito h
fe
), tal que I
C
=
F
I
B
para esta regio. Como visto anteriormente, I
C
>> I
B
e,
desse modo,
F
>> 1 (exemplo:
F
= 200). Como tambm relatado para a configurao base comum, neste
comportamento de fonte controlada que o TBJ pode efetivamente executar uma funo amplificadora.
Como I
E
= I
C
+ I
B
ento aplicando-se as equaes (5.37) e (5.38) nesta relao, tem-se que os ganhos de
corrente direta
F
e
F
no so independentes e podem ser relacionados por:

1
F
F
F

(5.39)
Similar ao visto para a configurao base comum, nesta regio da caracterstica de sada pode-se observar
que as curvas apresentam uma inclinao, devido tambm ao Efeito Early, pois um aumento de V
CE
provoca
um aumento da polarizao no corte do diodo coletor, o que reduz a largura efetiva da base e, com isso, I
C

aumenta. Logo, o ganho de corrente
F
no constante e, a rigor, a relao I
C
=
F
I
B
s vale pontualmente.
Pode-se observar tambm que as inclinaes das curvas de sada para a configurao emissor comum so
maiores que em base comum, de onde se conclui que o ganho
F
mais sensvel ao Efeito Early. Este fato
pode ser exemplificado supondo uma ligeira variao no ganho
F
, de 0,995 para 0,996 (aumento de 0,1%), o
que acarreta, de acordo com a equao (5.39), em uma variao no ganho
F
de 200 para 250 (aumento de
25%). Assim, como
F
apresenta grande tolerncia, os projetos de circuitos com TBJs no devem exigir um
valor exato para este ganho e devem ser desenvolvidos de modo a no depender demais deste parmetro.
(2.2) Regio de saturao: corresponde regio da caracterstica tal que ambos os diodos emissor e coletor do
TBJ se encontram em conduo, ou seja, I
B
> 0 A e V
CE
< 0,3 V, definindo as condies para o modo saturado
de um TBJ (Figura 5.46-c). Similar ao visto no estudo da configurao base comum, observa-se nesta regio
um decrscimo na corrente de coletor I
C
devido tendncia do diodo coletor do TBJ conduzir uma corrente
tambm direta por ser levado conduo, o que acarreta na perda do controle de corrente estabelecido no
modo ativo direto e, desse modo, a relao I
C
=
F
I
B
tambm no se aplica para esta regio.

5.5.3.4) Configurao coletor comum (CC)

A identificao da configurao coletor comum menos trivial que as anteriores, devido forma com que um
TBJ se encontra polarizado em um circuito, na qual o terminal do coletor
no se mostra claramente como comum s malhas de entrada e sada,
necessitando ento da observao de algumas caractersticas do circuito.
Como exemplificao, a Figura 5.47 ao lado mostra um circuito de
polarizao de um TBJ NPN, onde pode-se observar que:
O terminal coletor do TBJ est conectado diretamente fonte V
C
da
malha de sada, significando que o potencial no coletor funciona como
uma referncia de tenso para os terminais base e emissor do TBJ;
A conexo do coletor fonte implica que a carga do circuito dever
ser desempenhada pelo resistor R
E
conectado ao terminal emissor e,
desse modo, sua tenso representa o sinal de sada do circuito.
Estas observaes determinam ento que a corrente de base I
B
se
constitui na corrente de entrada e a corrente de emissor I
E
, por alimentar a carga R
E
, se constituui na corrente de sada
E
C
B
R
E

I
E

entrada sada
I
B

V
B

V
C

R
B

V
sada

Figura 5.47: Circuito simples com TBJ
NPN na configurao coletor comum.
V
BE

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
105
do circuito. Assim, estas constataes identificam que o TBJ NPN do circuito se encontra polarizado na configurao
coletor comum. Neste caso, como I
C
I
E
,

ento tem-se que as relaes entre a corrente de entrada I
B
e a de sada I
E

so bastante similares das observadas para um TBJ na configurao emissor comum e, desse modo, as caractersticas
I-V de entrada e sada em coletor comum so basicamente as mesmas das obtidas em emissor comum.
Alm disso, como I
C
=
F
I
B
, dada pela equao (5.38), e I
E
= I
C
+ I
B
, ento pode-se definir que a relao de
ganho entre as correntes de sada I
E
e de entrada I
B
na regio ativa direta do TBJ ser dada por:
( ) 1
E F B
I I = + (5.40)
Com base na Figura 5.47, pode-se ainda observar que, sendo I
B
pequena, ento a queda de tenso no resistor R
B

tambm ser pequena e, se a tenso V
BE
for bem inferior ao valor da tenso de entrada V
B
, ento o circuito adquire
caracterstica de ganho de tenso (razo entre a tenso de sada V
sada
e a de entrada V
B
) aproximadamente unitrio.
Esta caracterstica faz esta configurao ser tambm denominada de seguidor do emissor, que encontra utilidade em
acoplamentos entre fontes de sinal e cargas para a obteno de um efeito chamado casamento de impedncias.

5.5.3.5) Aspectos adicionais de funcionamento do TBJ

Por se tratar de um componente eletrnico, um TBJ normalmente requer a aplicao de uma tenso contnua
para a sua polarizao em determinado ponto de operao. Um circuito eletrnico usualmente dispe de apenas uma
fonte de tenso CC para a polarizao e fornecimento de potncia aos seus componentes e, na presena de um TBJ no
circuito, a mesma fonte deve ento ser empregada para alimentar tanto a malha de entrada como a de sada do TBJ.
Assim, circuitos eletrnicos so usualmente implementados por meio de trilhas condutoras para a distribuio
dos nveis de tenso fornecidos por uma fonte CC ao longo do circuito, sendo o potencial positivo da fonte distribudo
pela chamada linha do positivo e o potencial 0 V pela
chamada linha de referncia. Alm disso, em alguns
circuitos podem ser necessrios o estabelecimento de
trs nveis de tenso (positivo, referncia e negativo),
com o emprego da chamada fonte simtrica.
Como exemplo, para o caso de um TBJ NPN
em emissor comum, tem-se que seus terminais base e
coletor devem ser levado linha do positivo, com o
terminal emissor levado linha de referncia, para
que estes terminais conduzam as correntes no sentido
esperado em funcionamento normal (Figura 5.48-a).
Como o sentido das correntes no PNP contrrio ao
do NPN, tem-se ento que o terminal emissor deve
ser levado linha do positivo, com os terminais base e coletor levados linha de referncia, para que o sentido das
correntes nestes terminais tambm sejam o esperado (Figura 5.48-a). No caso da necessidade de se polarizar um TBJ
entre as linhas de referncia e do negativo de um circuito, as conexes seguem a mesma lgica (Figura 5.48-b).
Tal como realizado com diodos, a identificao do modo de operao de um TBJ pode ser obtido por mtodo
grfico, com o auxlio de uma caracterstica I-V de sada fornecida pelo fabricante e de uma equao que representa a
reta de carga do circuito em que se encontra o TBJ. Como uma caracterstica I-V de sada apresenta infinitas curvas
de acordo com a corrente de entrada fixada, ento um primeiro passo neste mtodo consiste em determinar o valor da
corrente de entrada do TBJ para identificar em qual curva da caracterstica o TBJ se encontra. Como a curva apresenta
infinitos pontos ento a interseco desta com a reta de carga determina por fim o ponto de operao do TBJ.
Como exemplo, seja o circuito de polarizao de um TBJ NPN dado na Figura 5.49-a e a caracterstica I-V de
sada em emissor comum do TBJ empregado (Figura 5.49-b). Aplicando LKT na malha de sada do circuito obtm-se
que relao entre I
C
e V
CE
ser dada por: I
C
= (V
C
V
CE
)/R
C
, que a reta de carga do circuito. Assim, supondo que a
corrente de base (varivel fixada) seja determinada em um valor I
B1
ento, traando-se a reta de carga no grfico da
caracterstica, tem-se que a interseco entre a curva referente a I
B1
e a reta de carga define o ponto de operao Q do
TBJ empregado e, portanto, os valores de I
CQ
e V
CEQ
do TBJ no circuito (Figura 5.49-b). Neste caso, observa-se que o
ponto de operao Q determina que o TBJ est trabalhando no modo ativo direto, onde pode-se determinar tambm o
ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ neste ponto, dado desse modo por:
F
= I
CQ
/I
B1
.
Similarmente, caso o valor da corrente de base do TBJ fosse determinada em um valor I
B3
, ento tem-se o ponto
de operao Q deteminando que o TBJ se encontra no modo saturado e, caso a corrente de base fosse nula (I
B
= 0),
tem-se o ponto de operao Q determinando que o TBJ se encontra no modo corte ou bloqueio (Figura 5.49-b).
Conclui-se ento que o funcionamento do TBJ caminha por meio de retas de carga, onde os modos de operao
podem ser atingidos atravs da mudana de algum parmetro do circuito. Conclui-se tambm que um TBJ no pode
comutar diretamente do modo corte para o saturado (e vice-versa), ou seja, estas regies de operao no podem ser
alcanadas sem que o ponto de operao do TBJ transite momentneamente pela regio ativa direta.
Por exemplo, como o resistor R
B
do circuito da Figura 5.49-a controla a corrente de base I
B
do TBJ ento, para
um valor bem elevado de R
B
(R
B
), tem-se uma corrente de base praticamente nula (I
B
0) e, como a reta de
linha do positivo
linha de referncia
E
C
C
E
B
B
I
B

I
C
I
E

I
C

I
B

I
E

Figura 5.48: Linhas de tenso e de referncia em circuitos e
esquemas simplificados de conexo dos TBJs NPN e PNP.
linha de referncia
linha do negativo
E
C
C
E
B
B
I
B

I
C
I
E

I
C

I
B

I
E

(a) (b)
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
106
carga no dependente de R
B
(vide equao da reta), tem-se que o TBJ se encontra no corte (Figura 5.49-c). Porm,
diminuindo-se gradativamente o valor de R
B
, obtem-se um aumento na corrente de base I
B
e, desse modo, tem-se que o
ponto de operao do TBJ muda gradativamente at a saturao atravs da regio ativa direta (Figura 5.49-c). Assim,
para levar um TBJ ao corte e asaturao, pode-se empregar, respectivamente, o maior e o menor resistor R
B
possvel.














Como mencionado, um TBJ apresenta essencialmente duas aplicaes prticas: chaveamento e amplificao.
Estas funcionalidades so fundamentadas basicamente nas particularidades de comportamento das caractersticas I-V
de sada do TBJ em cada configurao, e uma discusso destas aplicaes apresentada a seguir:
1) TBJ como chave liga/desliga: o efeito chave do TBJ aplicado em circuitos comutadores e digitais, e consiste no
aproveitamento das condies de tenso e corrente de sada do TBJ polarizado em seus modos saturado e corte.
Esta aplicao se mostra eficiente na configurao emissor comum pois, basedo na Figura 5.49-b, observa-se que:
O modo saturado do TBJ em emissor comum (Q) apresenta uma tenso de sada (V
CE
) bem pequena e, assim, o
TBJ comporta-se praticamente como uma chave fechada para a sada. Esta condio no se mostra eficiente em
base comum, pois uma tenso de sada (V
BC
) nula do TBJ se encontra na regio ativa direta (Figura 5.45-c);
O modo corte do TBJ em emissor comum (Q) apresenta uma corrente de sada bem pequena (I
C
= I
CEO
0) e,
assim, observa-se que TBJ comporta-se praticamente como uma chave aberta para a sada.
A facilidade para se controlar a pequena corrente de base do TBJ (I
B
) resulta em sua aplicabilidade como chave
em emissor comum, pois basta estabelecer condies no circuito tal que a corrente de base seja praticamente nula
(por exemplo, com uma tenso no terminal da base insuficiente para conduzir o diodo emissor) para levar o TBJ ao
corte (chave averta), e uma corrente de base suficientemente alta (por exemplo, com o resistor R
B
suficientemente
pequeno) para levar o TBJ saturao (chave fechada). Como a caracterstica I-V de sada em coletor comum
semelhante de emissor comum, ento o efeito chave tambm se mostra eficiente na configurao coletor comum.
2) TBJ como amplificador de sinal: o efeito amplificao aplicado em circuitos analgicos e requer um ganho de
potncia para o sinal de sada, o que implica na obteno de um ganho de corrente ou tenso ou ambos (P = V I).
Alm disso, necessrio que o sinal de entrada sofra pouca distoro na sada, o que implica na necessidade de um
controle de corrente para que o sinal de sada acompanhe as variaes no sinal de entrada. Assim, como as regies
de operao saturao e corte do TBJ podem deformar (atenuar) o sinal na sada por no terem espao suficiente
na caractertica I-V de sada para realizar este acompanhamento, ento polarizando na regio ativa direta que se
obtm um controle de corrente e que se emprega, como mencionado, o TBJ para o efeito amplificao.
Apesar de apresentarem ganhos de corrente distintos, as trs configuraes do TBJ apresentam propriedades de
funcionamento desejveis para aplicao em circuitos amplificadores, sendo algumas relatadas a seguir:
Configurao base comum (BC):
Apresenta ganho de corrente baixo (
F
1), mas pode-se obter um bom ganho de tenso, o que proporciona
um ganho de potncia maior que a configurao coletor comum e menor que a configurao emissor comum;
Apresenta baixa resistncia de entrada e alta resistncia de sada.
Configurao emissor comum (EC):
Proporciona tanto ganho de tenso como de corrente (
F
) elevados e, portanto, o maior ganho de potncia;
Apresenta mdia resistncia de entrada e alta resistncia de sada;
Causa inverso de fase (defasagem de 180) entre o sinal de entrada e o de sada (Figura 5.49-d).
Configurao coletor comum (CC):
Apresenta baixo ganho de tenso (< 1) mas alto ganho de corrente (
F
+1) e, assim, bom ganho de potncia;
Apresenta alta resistncia de entrada e baixa resistncia de sada.
Com relao configurao base comum de um TBJ, como a corrente de coletor (sada) na regio ativa direta
praticamente controlada pela corrente de emissor (entrada), pois
F
1 mesmo com interferncia do efeito Early,
ento tem-se uma situao em que uma alterao na carga do circuito praticamente no se reflete na corrente de
entrada do TBJ no ativo direto, o que entende-se como se a entrada se encontrasse isolada da carga. Circuitos com
este comportamento so classificados como um tipo de isolador chamado buffer.
Figura 5.49: (a) Circuito exemplo; (b) pontos de operao estabelecidos pela reta de carga do circuito; (c) controle
do ponto de operao do TBJ via R
B
; (d) inverso de fase em EC; (e) TBJ como chave; (f) TBJ como amplificador.
(a) (b) (c) (d) (e) (f)
I
CQ

I
B
= 0
I
C

V
CE

0
I
B1
I
B2
I
B3
V
CEQ

Q
Q
Q
reta de
carga
C
C
V
R

V
C

R
B

R
C

I
B

I
C

V
CE

V
C

I
B
= 0
I
C

V
CE

0
I
B1
I
B2
I
B3
C
C
V
R

V
C

R
B

R
C

V
C

R
B

R
C

V
C

0,7 V
V
B

R
E

R
C

V
C

V
B

0,7 V
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
107
Uma forma de distinguir o emprego de um TBJ como chave ou como amplificador consiste em caracterizar o
tipo de fonte que alimenta a base. Um TBJ com resistor na base e emissor aterrado (Figura 5.49-e) o identifica como
chave. Isto porque a alimentao da base age mais como uma fonte de corrente fixa pois, como V
BE
pequena (em
torno de 0,7 V), a maior parte da tenso V
B
incide no resistor R
B
e, desse modo, com a corrente de base fixada por V
B
e
R
B
, pode-se facilmente levar o TBJ saturao ou ao corte controlando a corrente de base pela fonte V
B
. Por outro
lado, uma fonte V
B
alimentando diretamente a base e o emissor aterrado por um resistor (Figura 5.49-f), identifica o
TBJ como amplificador. Isto porque, exceto pela pequena queda de tenso no diodo emissor (V
BE
), a maior parte da
tenso V
B
incide no resistor R
E
, isto , o emissor est amarrado (o que chamado bootstrap) tenso de entrada, o
que produz uma corrente de emissor bem estvel e, portanto, um ponto de operao firme na regio ativa direta.

Exerccio 15: O circuito dado emprega um seletor para a escolha do resistor de controle da corrente de base no TBJ
NPN empregado, onde: R
1
= 3,3 k, R
2
= 5,5 k e R
3
= 1 M. Com auxlio da caracterstica I-V de sada fornecida,
determine o ponto de operao do TBJ para cada posio do seletor. Caso o ponto se encontre na regio ativa direta,
determine as demais variveis do TBJ e os ganhos de corrente direta. Considere um V
BE
tpico de 0,7 V.














Soluo
Como mencionado, a interseco entre a curva correspondente corrente de base da caracterstica I-V de sada
do TBJ com a reta de carga do circuito determina o seu ponto de operao (I
CQ
e V
CEQ
). Com o circuito fornecido
redesenhado ao lado, onde o resistor R
B
representa a opo do seletor e a fonte de polarizao CC (4 V) distribuda
para melhor visualizao das malhas de entrada e sada, tem-se ento que.
LKT na malha de entrada:
3, 3
4 0, 7 0 (1)
B B B
B
R I I
R
= =
LKT na malha de sada:
4
4 20 0
20
CE
C CE C
V
I V I

= =
que se constitui, portanto, na reta de carga do circuito e pode-se traa-la na
na caractersitca I-V do TBJ bastando determinar dois pontos, por exemplo:
V
CE
= 0 V I
C
= 200 mA ; I
C
= 0 A V
CE
= 4 V
Seletor na posio 1: R
B
= R
1
= 3,3 k. Logo, do resultado (1) tem-se: I
B
= 1 mA. Com a interseco da curva da
referente corrente de base 1 mA com a reta de carga obtm-se o ponto 1, mostrado no grfico. Conclui-se ento
que o TBJ se encontra na regio de saturao e o ponto de operao dado por: V
CEQ
0,2 V e I
CQ
190 mA.
Seletor na posio 2: R
B
= R
2
= 5,5 k e do resultado (1) obtm-se I
B
= 0,6 mA e o ponto de operao 2 mostrado
no grfico. Conclui-se ento que o TBJ se encontra na regio ativa direta com: V
CEQ
1,6 V e I
CQ
120 mA.
Assim, as demais variveis de tenso e corrente do TBJ sero dados por:
Da equao (5.35), tem-se:
3 3
120 10 0, 6 10
E C B CQ B
I I I I I

= + = + = + = 120, 6
E
I mA
Aplicando LKT no TBJ, tem-se: 0, 7 0 0, 7
CB CE CB CEQ
V V V V + = = = 0, 9
CB
V V
Para os ganhos de corrente direta do TBJ (
F
e
F
) no ponto de operao, tem-se:
Da equao (5.37), obtm-se:
0,120
0,1206
C
F
E
I
I
= = 0, 995
F

Da equao (5.38), obtm-se:
3
3
120 10
0, 6 10
C
F
E
I
I

= = 200
F
= == =
ou ainda, da equao (5.39), obtm-se:
0, 995
200
1 1 0, 995
F
F
F

= =


Seletor na posio 3: R
B
= R
2
= 1,0 M e do resultado (1) obtm-se I
B
= 3,3 A 0 A e o ponto de operao 3
mostrado no grfico. Conclui-se ento que o TBJ se encontra na regio de corte com: V
CEQ
4 V e I
CQ
0 A.
20
+ 4 V
R
1
R
2
R
3

1
2
3
I
E

I
B

4 V
R
B

0,7 V
4 V
20
V
CE

I
C

entrada sada
V
CB

I
B
= 0,8 (mA)
0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 V
CE
(V)
0
I
B
= 1 mA
1
2
I
C
(mA)
210
180
150
120
90
60
30
I
B
= 0,6 (mA)
I
B
= 0,4 (mA)
I
B
= 0,2 (mA)
I
B
= 0 (mA)
3
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
108
5.5.4) ANLISE CC DE CIRCUITOS COM TBJ

Tal como estudado na teoria dos diodos, a anlise de circuitos com TBJs necessita da construo de modelos
esquemticos (circuitos equivalentes) para cada modo de operao, contendo componentes lineares e ideais de modo a
possibilitar a realizao de clculos pela teoria de Circuitos Eltricos. Similarmente, para a anlise CC de circuitos
com TBJs necessrio determinar em qual modo de operao os mesmos se encontram, o que consiste em admitir
hipteses sobre o funcionamento dos TBJs e provar, por meio de regras, a veracidade da hiptese feita.
Semelhante ao visto na teoria dos diodos, estes modelos e provas so baseados na linearizao por partes de
caractersticas corrente-tenso do TBJ. Como o TBJ apresenta caractersticas I-V de entrada e sada distintas, ento a
construo de modelos esquemticos para cada modo de operao do TBJ deve compor-se de modelos parciais do
funcionamento do TBJ em cada caracterstica. Contudo, como o funcionamento do TBJ independe da configurao
em que o mesmo se encontra, ento os modelos e provas so vlidos qualquer que seja a configurao empregada no
circuito. Alm disso, como o sentido das correntes e tenses em um PNP so opostos s de um NPN, ento pode-se
construir modelos para um tipo de TBJ e, com inverso de sentidos, obter modelos para o outro tipo.
Desse modo, adotando-se as caractersticas corrente-tenso de entrada e sada do TBJ NPN em emissor comum
como objeto de anlise para a construo de modelos esquemticos para os modos de operao do NPN ento, lineari-
zando-se por partes cada caracterstica I-V do TBJ (Figura 5.50), pode-se considerar que:
Caractersitca I-V de entrada: como visto, o grfico I
B
x V
BE
contempla o comportamento do diodo emissor em
polarizao direta. Como um diodo conduz com tenses acima do limiar (0,5 V ) ento pode-se adotar uma tenso
de entrada V
BE
(tenso no diodo emissor) fixa no valor tpico de 0,7 V e abaixo deste valor entende-se que o diodo
emissor conduz uma corrente desprezvel e pode-se adotar uma corrente de entrada I
B
nula. Estas consideraes
resultam na caracterstica I-V de entrada linearizada mostrada na Figura 5.50 e pode-se ento estabelecer que:
Regio de conduo: o modelo para o diodo emissor em conduo constitui-se de uma fonte CC de 0,7 V entre
os terminais base-emissor do diodo, conduzindo uma corrente de base I
B
resultante (Figura 5.50);
Regio de corte: o modelo para o diodo emissor no corte constitui-se de uma chave aberta entre os terminais
base-emissor do diodo, que apresenta uma tenso V
BE
resultante entre os terminais (Figura 5.50).
Caractersitca I-V de sada: como visto, o grfico I
C
x V
CE
apresenta o comportamento das regies de operao
saturao, ativo direto e corte do TBJ. Como a tenso de sada V
CE
apresenta um valor bem pequeno na regio de
saturao (< 0,3 V), ento pode-se consider-la praticamente nula nesta regio. Alm disso, para clculos prticos
pode-se considerar desprezvel o efeito pelicular e, desse modo, na regio ativa direta entende-se que a corrente de
sada I
C
apresenta um valor constante e independente da tenso de sada V
CE
, o que define um ganho de corrente
F
(e por conseguinte
F
) constante nesta regio. Por fim, sendo a corrente de sada I
C
praticamente desprezvel na
regio de corte, ento pode-se considera-la nula nesta regio. Estas consideraes resultam na caracterstica I-V de
sada linearizada mostrada na Figura 5.50 e pode-se ento estabelecer que:
Regio de saturao: o modelo para o comportamento do TBJ nesta regio constitui-se de uma chave fechada
entre os terminais coletor e emissor, conduzindo uma corrente de coletor I
C
resultante (Figura 5.50);
Regio ativa direta: sendo I
C
constante e independente de V
CE
, o modelo para o TBJ nesta regio constitui-se
ento de uma fonte de corrente controlada por corrente entre os terminais coletor e emissor, de valor I
C
=
F
I
B

(ou por conseguinte I
C
=
F
I
E
), com uma tenso V
CE
resultante entre os terminais (Figura 5.50);
Regio de corte: o modelo para o comportamento do TBJ nesta regio constitui-se de uma chave aberta entre os
terminais coletor e emissor, com uma tenso V
CE
resultante entre os terminais (Figura 5.50).


















Figura 5.50: Linearizao das caractersticas I-V de entrada e sada do NPN em EC e construo dos modelos.
I
C

V
CE
0
C
E
I
C

B
E
0,7 V
I
B

I
B

V
BE
(V) 0,5
0
0,7
B
E
V
BE

C
E
V
CE

valor tpico
C
E

F
I
B

(
F
I
E
)
I
C

V
CE

modo saturado
B
E
0,7 V
I
B
C I
C

I
E

modo corte
B
E
I
B
= 0 C I
C
= 0
I
E
= 0



V
CE


V
BE

F
I
B

(
F
I
E
)
B
E
0,7 V
I
B
C I
C

I
E

V
CE

modo ativo direto
caracterstica I-V de entrada caracterstica I-V de sada
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
109
Com base nestas consideraes, na Figura 5.50 observa-se ento que o modelo do diodo emissor em conduo
compe-se com o modelo da regio de saturao da caracterstica de sada para formar o modelo esquemtico para o
modo saturado do TBJ NPN, bem como compe-se como o modelo na regio ativa direta para formar o modelo do
TBJ NPN no modo ativo direto. Similarmente, os modelos do diodo emissor no corte compe-se com o modelo da
regio de corte da caracterstica de sada para formar o modelo do modo corte do TBJ NPN. Assim, a Figura 5.51
apresenta modelos esquemticos construdos para os modos de operao do TBJ NPN, bem como as formulaes
bsicas para a anlise de circuitos com base na teoria estudada. Por finalidade prtica, na Figura 5.51 so apresentados
tambm os modelos sobre o smbolo do TBJ NPN, que incorpora as consideraes apresentadas.




















Como mencionado, o sentido das correntes e tenses para um PNP so opostos s de um NPN (o transistor PNP
o complemento do NPN). Assim, para a obteno dos modelos para os modos de operao do PNP, basta inverter os
sentidos das correntes e tenses dos modelos para os modos de operao do NPN, o que apresentado na Figura 5.52.




















Como tambm mencionado, na anlise CC de circuitos com TBJ's necessrio admitir hipteses sobre o modo
de operao de cada TBJ, aplicar o modelo esquemtico correspondente, processar os clculos pela teoria de Circuitos
Eltricos e provar as hipteses at a obteno da hiptese verdadeira. Tal como visto para os diodos, a definio dos
critrios de julgamento das hipteses baseada nas caractersticas I-V do TBJ. Desse modo, pode-se estabelecer que:
1) Modo ativo direto: com base na caracterstica I-V de sada linearizada em emissor comum (Figura 5.50), pode-se
observar que a tenso de sada V
CE
assume qualquer valor positivo para o TBJ NPN. Logo, a hiptese para o TBJ
NPN operando no modo ativo direto verdadeira se V
CE
> 0, e falsa caso V
CE
0. Por deduo, tem-se ento que a
hiptese para o TBJ PNP operando no modo ativo direto verdadeira se V
EC
> 0, e falsa caso V
EC
0.
2) Modo corte: com base na caracterstica I-V de entrada para o TBJ NPN em emissor comum (Figura 5.50), pode-se
observar que uma tenso de entrada V
BE
menor que o limiar (0,5 V) leva o diodo emissor ao corte. Logo, a hiptese
Figura 5.51: Modelos de polarizao CC e equacionamento bsico para os modos de operao do TBJ NPN.

F
I
B

(
F
I
E
)
V
BE

B I
B

I
C

I
E
= I
C
+ I
B

C
E
0 V
B
E
0,7 V
I
B

C
B I
B

I
C
=
F
I
B
=
F
I
E


I
E
= I
C
+ I
B
= (
F
+ 1) I
B


C
E
V
CE

V
CE

I
C
=
F
I
B
I
C
=
F
I
E

I
E
= I
C
+ I
B
= (
F
+ 1) I
B


B
E
0,7 V
I
B

C I
C

I
E
= I
C
+ I
B


0,7 V 0,7 V
V
CB

V
CB

B
C
E
B
E
C
I
E
= 0

I
B
= 0

I
C
= 0

I
B
= 0
V
CE

I
C
= 0

I
E
= 0

V
BE

V
CE

V
CB

0,7 V
0,7 V
V
CB

MODO SATURADO MODO ATIVO DIRETO MODO CORTE
Figura 5.52: Modelos de polarizao CC e equacionamento bsico para os modos de operao do TBJ PNP.

F
I
B

(
F
I
E
)
B I
B

I
C

I
E
= I
C
+ I
B

E
C
0 V
B
E
0,7 V
I
B

C
B I
B

I
C
=
F
I
B
=
F
I
E


I
E
= I
C
+ I
B
= (
F
+ 1) I
B


E
C
V
EC

V
EC

I
C
=
F
I
B
I
C
=
F
I
E

I
E
= I
C
+ I
B
= (
F
+ 1) I
B


B
E
0,7 V
I
B

C
I
C

I
E
= I
C
+ I
B


0,7 V
0,7 V
V
BC

B
E
C
B
E
C
I
E
= 0

I
B
= 0

I
C
= 0

I
B
= 0

I
E
= 0

V
EB

V
EC

0,7 V
0,7 V
V
BC

MODO SATURADO MODO ATIVO DIRETO MODO CORTE
V
BC

I
C
= 0

V
EC

V
EB

V
BC

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
110
do TBJ NPN operando no modo corte verdadeira se V
BE
0,5 V e falsa se V
CE
> 0,5 V. Por deduo, a hiptese
para o TBJ PNP operando no modo corte verdadeira V
EB
0,5 V e falsa se V
EB
> 0,5 V.
3) Modo saturado: para o melhor entendimento do critrio de prova para o TBJ no modo saturado, ser analisado a
caracterstica I-V de sada linearizada do TBJ NPN em emissor comum fornecida na figura abaixo.
Seja I
Bcalc
e I
Ccalc
as correntes de base e coletor, respectivamente, obtidas nos
clculos do circuito com o TBJ na hiptese saturado. Analisando-se a caracterstica
I-V de sada (figura ao lado), pode-se observar ento que, para cada curva corres-
pondente a uma corrente de base, h uma correspondente corrente de coletor na
regio ativa direta. Desse modo, para o valor da corrente de coletor I
Ccalc
existe
uma curva na regio ativa direta da caracterstica correspondente a uma corrente de
base I
Bmin
(figura). Considerando um ganho de corrente
F
para o TBJ ento, de
acordo com a equao (5.38), tem-se que o valor de I
Bmin
pode ser calculado por:

Ccalc
Bmin
F
I
I

= (5.41)
Similarmente, na caracterstica I-V de sada tambm existe uma curva correspondente corrente de base I
Bcalc
.
Pode-se observar ento que o par I
Ccalc
e I
Bcalc
existe no funcionamento do TBJ apenas se o valor de I
Bcalc
for maior
que I
Bmin
(figura), pois o ponto de operao, dado pela interseco entre a curva referente a I
Bcalc
e o valor I
Ccalc

(ponto 1), se encontra claramente na regio de saturao. Logo, a hiptese para um TBJ (NPN ou PNP) operando
no modo saturado verdadeira se I
Bcalc
I
Bmin
e falsa caso I
Bcalc
< I
Bmin
. Assim, I
Bmin
pode ser entendida como a
corrente mnima para saturar um TBJ para uma determinada corrente de coletor I
C
qualquer.

Exerccio 16: Para o circuito com TBJ NPN fornecido ao lado, sabe-se que o ganho de corrente
direta em base comum do TBJ empregado igual a 0,99. Determine:
a) As variveis de corrente e tenso do TBJ considerando R
C
= 50 e R
B
= 6,6 k.
b) As variveis de corrente e tenso do TBJ considerando R
C
= 50 e R
B
= 3,3 k.
c) O valor limite de R
B
para o TBJ saturar. Explique se mnimo ou mximo. Dado: R
C
= 50 .
d) O valor limite de R
C
para o TBJ permanecer no ativo direto e explique. Dado: R
B
= 6,6 k.
Soluo
Sendo
F
= 0,99 (ganho de corrente direta em base comum do TBJ) ento, de acordo com a equao (5.39), o
ganho de corrente direta em emissor comum (
F
) do TBJ empregado ser dado por:
0, 99
99
1 1 0, 99
F
F
F

= = =


a) Para determinar as variveis de corrente e tenso do TBJ necessrio descobrir primeiramente em qual modo de
operao o mesmo se encontra, o que consiste no mtodo da suposio e prova. Analisando o circuito, observa-se
que a fonte de 4 V seguramente suficiente para levar o diodo emissor do TBJ conduo. Logo, conclui-se que o
TBJ somente poder estar operando no modo ativo direto ou no modo saturado. Assim:
Suposio 1: TBJ no modo saturado
Considerando R
C
=

50 e R
B
=

6,6 k e aplicando-se o modelo esquemtico do TBJ NPN para o modo
saturado, obtm-se o circuito mostrado na figura ao lado.
LKT na malha de entrada:
4 6600 0, 7 0 0, 5
B B Bcalc
I I I mA = = =
LKT na malha de sada: 4 50 0 0, 08
C C Ccalc
I I I A = = =
Logo, da equao (5.41), tem-se:
0, 08
0,81
99
Ccalc
Bmin
F
I
I mA

= =
Como I
Bcalc
< I
Bmin
, conclui-se ento que a suposio falsa.
Suposio 2: TBJ no modo ativo direto
Aplicando-se o modelo do TBJ NPN o modo ativo direto,
obtm-se o circuito mostrado na figura ao lado.
LKT na malha de entrada:
4 6600 0, 7 0
B
I = 0, 5
B
I mA = == =
Corrente de coletor:
3
99 0, 5 10
F B
I

= = = 49, 5
C
I mA
LKT na malha de sada:
3
4 50 0 4 50 49, 5 10
C CE
I V

= = 1, 53
CE
V V
Como V
CE
> 0, ento conclui-se que a suposio TBJ no ativo direto verdadeira.
Clculo das demais variveis de tenso e corrente:
3
100 100 0, 5 10
B
I

= = = 50
E
I mA ; 0, 7 1, 53 0, 7
CE
V = = = 0, 83
CB
V V
I
Bcalc
< I
Bmin
I
Bcalc
> I
Bmin
I
C calc

I
C

V
CE

regio ativa direta regio de
saturao
1
I
Bmin
+ 4 V
R
B

R
C

6,6 k
entrada sada
I
B
I
C
B
E
0,7 V 50
4 V
4 V
I
E

C
6,6 k
entrada sada
I
B
B
E
0,7 V 50
4 V
4 V
C
99 I
B

V
CE

I
C
= 99 I
B

I
E
= 100 I
B


V
CB

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
111
b) As condies de polarizao do TBJ e problema (suposio e prova) so similares s do item a). Assim:
Suposio 1: TBJ no modo ativo direto
Considerando R
C
=

50 e R
B
=

3,3 k e aplicando-se o
modelo esquemtico do TBJ NPN para o modo ativo direto,
obtm-se o circuito mostrado na figura ao lado.
LKT na malha de entrada:
4 3300 0, 7 0 1, 0
B B
I I mA = =
LKT na malha de sada:
3
4 50 99 0 4 50 99 10 0, 95 0
B CE CE
I V V V

= = = < suposio falsa


Suposio 2: TBJ no modo saturado
Considerando R
C
=

50 e R
B
=

8,6 k e aplicando-se o modelo esquemtico do TBJ NPN para o modo
saturado, obtm-se o circuito mostrado na figura ao lado.
LKT na malha de entrada:
4 3300 0, 7 0
B Bcalc
I I = = = 1, 0
B
I mA
LKT na malha de sada:
4 50 0
C Ccalc
I I = = = 0, 08
C
I A
Logo, da equao (5.41), tem-se: 0,81
Ccalc
Bmin
F
I
I mA

=
Como I
Bcalc
> I
Bmin
, conclui-se ento que a suposio TBJ saturado verdadeira.
Clculo das demais variveis de tenso e corrente: 0, 08 0, 001
E C B
I I I = + = + = 0, 081
E
I A
c) Como o TBJ se encontra no modo ativo direto para R
B
= 6,6 k (item a) e no modo saturado para R
B
= 3,3 k
(item b), ento espera-se um limite de R
B
entre estes valores para o TBJ saturar (3,3 k < R
B limite
< 6,6 k).
Seja R
C
=

50 e R
B
uma incgnita. Admitindo-se o TBJ no modo saturado e aplicando-se o modelo para este
modo de operao, obtm-se o circuito mostrado na figura ao lado.
LKT na malha de entrada:
3, 3
4 0, 7 0
B B B Bcalc
B
R I I I
R
= = =
LKT na malha de sada: 4 50 0 0, 08
C C Ccalc
I I I A = = =
Logo, da equao (5.41), tem-se: 0,81
Ccalc
Bmin
F
I
I mA

=
Como deve-se satisfazer a condio I
Bcalc
I
Bmin
para que o TBJ esteja saturado, ento tem-se que:
3
min
3, 3
0,81 10 4083,8 4084 4084
Bcalc B B B
B
I I R R
R


Logo, R
B limite
= 4084 e conclui-se, pela inequao obtida, que este limite mximo, pois um valor
menor acarreta em uma corrente I
B calc
maior que o mnimo para saturar o TBJ (I
B min
). Resultado igual pode
ser obtido com o TBJ admitido no ativo direto e julgada a condio V
CE
0 para que a hiptese seja falsa.
d) Seja R
B
=

6,6 k e R
C
uma incgnita. Admitido o TBJ operando no modo no ativo direto e aplicando-se o modelo
equivalente, obtm-se o circuito mostrado na figura ao lado.
LKT na malha de entrada:
4 6600 0, 7 0 0, 5 (1)
B B
I I mA = =
LKT na malha de sada:
4 99 0 4 99
C B CE CE C B
R I V V R I = =
Como deve-se satisfazer a condio V
CE
> 0

para o TBJ no
modo ativo direto ento, com o resultado (1), tem-se:
3
4
4 99 0 81 81
99 0, 5 10
C B C C
R I R R


> < <
Logo, R
C limite
= 81 e, com base na inequao obtida, conclui-se que o
limite mximo, pois um valor menor que o limite acarreta em uma tenso
entre os terminais coletor e emissor (V
CE
) positiva.
Com base nos resultados do item a (ponto 1), a caracterstica de sada da
figura ao lado demonstra a influncia do resistor R
C
no estabelecimento do
ponto de operao do TBJ at o limite para a regio ativa direta (ponto 2).
Resultado igual pode ser obtido com o TBJ admitido saturado e julgada
a condio I
Bcalc
< I
Bmin
para que a hiptese seja falsa.
3,3 k
entrada sada
I
B
B
E
0,7 V 50
4 V
4 V
C
99 I
B

V
CE

I
C
= 99 I
B

I
E
= 100 I
B


3,3 k
entrada sada
I
B
I
C
B
E
0,7 V 50
4 V
4 V
I
E

C
0,7 V
R
B

entrada sada
I
B
I
C
B
E
0,7 V 50
4 V
4 V
I
E

C
6,6 k
entrada sada
I
B
B
E
0,7 V
R
C

4 V
4 V
C
99 I
B

V
CE

I
C
= 99 I
B

I
C
(mA)
V
CE
(V)
0
I
B
= 0,5 mA
1,53 4
1 2
4
CE
C
C
V
I
R

=
4
C
R

4
50

4
81

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
112
Exerccio 17: Para o circuito fornecido abaixo, determine a relao entre os resistores R
B
e R
C
para que o voltmetro,
considerado ideal, apresente uma leitura de 2 V. Dado: ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ = 200.










Soluo
Este circuito similar ao do exerccio 16 e trata-se da polarizao de um TBJ PNP na configurao emissor
comum, sendo esta a disposio usual de um PNP, isto , teminal emissor conectado linha do positivo (Figura 5.48).
Como o voltmetro mede uma tenso de 2 V entre os terminais emissor e coletor do TBJ PNP, ento tem-se
que: V
EC
= 2 V > 0 e, desse modo, conclui-se que o TBJ est operando no modo ativo direto. Aplicando-se ento o
modelo do PNP no modo ativo direto (usando a representao prtica do modelo sobre o smbolo) e considerando a
tenso V
CE
(e por conseguinte V
BC
) conhecida, obtm-se o circuito mostrado acima. Assim:
LKT na malha entrada:
1, 3
1, 3 1, 3 200 0 (1)
200
B B C C B B C B B
B C
R I R I R I R I I
R R
= = =


LKT na malha de sada:
4
6 2 4 200 0 (2)
200
C C C B B
C
R I R I I
R
= = =
Igualando-se os resultados (1) e (2), tem-se ento:
1, 3 4
200 200
B C C
R R R
=

265
B
C
R
R
= == =
Este resultado coerente pois a pequena corrente de base necessita ser limitada por uma resistncia mais elevada.

Exerccio 18: Para o circuito fornecido abaixo, determine a potncia dissipada no TBJ. Dado:
F
= 249.









Soluo
Este circuito apresenta algumas variaes interessantes para a configurao emissor comum, notadamente:
O terminal emissor do TBJ NPN conectado linha do negativo e terminal coletor linha de referncia, o que
um esquema tambm usual, pois equivale ligao do coletor linha do positivo e o emissor referncia;
O circuito apresenta a base do TBJ diretamente conectado ao coletor por um resistor (5 k) e, desse modo, o diodo
coletor do TBJ encontra-se em paralelo com o resistor. Neste caso, se diodo emissor do TBJ estiver em conduo,
ento haver uma corrente na base e, qualquer que seja o seu valor, a queda de tenso no resistor sempre polariza
reversamente o diodo coletor do TBJ e, desse modo, com o diodo emissor em conduo e o diodo coletor no corte,
o TBJ estar necessariamente no modo ativo direto. Esta conexo, denominada polarizao com realimentao do
coletor ou realimentao negativa, muito utilizada por oferecer boa estabilidade s variaes de ganho do TBJ.
O circuito apresenta um resistor conectado ao terminal emissor do TBJ (20 ). Como visto anteriormente, isto
garante que, se um sinal injetado na base variar, o sinal no emissor tambm varia, ou seja, a tenso no emissor est
amarrada (bootstrap) tenso da base, o que proporciona uma corrente de emissor, e por conseguinte de coletor,
quase imune s variaes de ganho do TBJ, sendo tambm muito utilizada para opera-lo na regio ativa direta.
Como a fonte de 9 V suficiente para levar o diodo emissor do TBJ conduo, ento conclui-se que o mesmo
est operando no modo ativo direto. Aplicando-se o modelo do NPN para este modo de operao (empregando a
representao prtica sobre o smbolo), tem-se ento o circuito rearranjado na figura acima. Assim:
LKT na malha de entrada: 9 5000 0, 7 20 8, 3 5000 20 250 0 0,83
B E B B B
I I I I I mA = = =
LKT na malha de sada:
3
9 20 250 9 20 250 0,83 10 0 4,85
CE B CE CE
V I V V V

= = =
Como I
C
= 249

I
B
, tem-se ento:
3
249 0,83 10 0, 207
C C
I I A

=
De acordo com a equao (5.36), tem-se que a potncia dissipada no TBJ ser dada por:
4,85 0, 207 1, 004 1 1
TBJ CE C
P V I W W = = =
TBJ
P W
+ 6 V
R
B

R
C

V
R
B

R
C

I
B

entrada sada
0,7 V
2 V
I
C
= 200

I
B

6 V 1,3 V
I
E

9 V
20
5 k
+ 9 V
20
5 k
20
5 k
entrada
I
E
= 250

I
B

sada
V
CE

0,7 V
V
CB

9 V
I
C
= 249

I
B

I
B

9 V
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
113
Exerccio 19: Para o circuito fornecido abaixo, sabe-se que o ganho
F
do TBJ empregado 100. Pede-se:
a) Determine o valor limite do resistor R para cortar o TBJ. Explique se o limite mnimo ou mximo.
b) Determine o valor limite do resistor R para saturar o TBJ. Explique se o limite mnimo ou mximo.










Soluo
O circuito apresenta um esquema de divisor de tenso formado por dois resistores (5 k e R) para a polarizao
da base do TBJ NPN empregado. Este efeito pode ser verificado no circuito rearranjado na figura (a), onde a tenso
da fonte de 5 V se divide entre os resistores de 5 k e R, sendo a tenso neste ltimo a que polariza a base do TBJ.
No circuito da figura (a) observa-se tambm que o divisor de tenso introduz uma terceira malha no circuito.
Contudo, o esquema pode ser simplificado isolando-se o circuito tracejado e obtendo-se o equivalente de Thevenin
entre os pontos A e B deste circuito, o que mostrado no esquema da figura (b), onde R
TH
e V
TH
(tenso e resistncia
de Thevenin do circuito isolado, respectivamente) so determinados por:
V
TH
: ddp entre os terminais A e B do circuito isolado:
5 5
(1)
5000 5000
TH TH
R
V R I R V
R R
= = =
+ +

R
TH
: resistncia equivalente entre os terminais A e B do circuito isolado, com as fontes curto-circuitadas:
5000
5 // (2)
5000
TH TH
R
R k R R
R
= =
+

a) Como visto, a condio para um TBJ no corte V
BE
0,5 V. Com base no circuito da figura (b), observa-se ento
que um valor para a tenso de Thevenin (V
TH
) menor que 0,5 V no ser suficiente para levar o diodo emissor do
TBJ conduo e, portanto, o TBJ se encontrar no corte. Assim, julgando esta condio, tem-se:
5
0, 5 0, 5 4, 5 2500 555, 56 556 556
5000
TH
R
V V R R R
R

+

Logo, R
limite
= 556 e, com base na inequao obtida, conclui-se ento que o limite mximo, pois um valor
menor provoca uma tenso no resistor R (V
TH
) insuficiente para levar o diodo emissor do TBJ conduo e resulta
que o resistor R desvia para a referncia de toda a corrente fornecida pela fonte de 5 V.
b) Como mencionado no exemplo 16, um valor limite para o TBJ operar na saturao pode ser tambm obtido com o
TBJ admitido no ativo direto e julgada a condio V
CE
0 para que a hiptese seja falsa.
Assim, admitindo-se o TBJ no ativo direto e aplicando-se na figura (b) o modelo do TBJ NPN para este modo
de operao, obtm-se o circuito mostrado na figura ao lado. Desse modo, tem-se:
LKT na malha de entrada: 0, 7 20 101 0
TH TH B B
V R I I =
0, 7
(3)
2020
TH
B
TH
V
I
R

=
+

LKT na malha de sada: 5 80 100 20 101 0
B B
I I =
5 10.020
CE B
V I =
Logo, para que esta hiptese seja falsa (e o TBJ se encontre na
verdade na saturao), deve-se julgar V
CE
0. Assim:
3
0 5 10.020 0 0, 5 10
CE CE B B
V V I I

=
Introduzindo-se o resultado (3) nesta inequao, obtm-se:
3 3 3
0, 7
0, 5 10 0, 5 10 0, 5 10 1, 71
2020
TH
B TH TH
TH
V
I V R
R


+

Aplicando-se os resultados (1) e (2) na inequao obtida, obtm-se finalmente:
3 3
5 5000
0, 5 10 1, 71 0, 5 10 1, 71 10,8
5000 5000
TH TH
R R
V R R k
R R


+ +

Desse modo, R
limite
= 10,8 k para o TBJ saturar e, com base na inequao obtida, conclui-se que o limite
mnimo pois, com um valor maior, o resistor R desvia para a base uma corrente suficiente para saturar o TBJ.
Com os resultados dos itens a) e b) conclui-se que, para a faixa 556 R 10,8 k , o TBJ opera no ativo
direto, pois o ponto de operao do TBJ migra do corte para a saturao passando pela regio ativa direta.
20
R
TH

80
V
TH

5 V
0,7 V
I
B

I
E
= 101 I
B

entrada sada
V
CE

I
C
= 100 I
B

+ 5 V
20
5 k
80
R
20
5 k
80
R
circuito a ser equivalenciado
5 V
5 V
A
B
20
R
TH

80
V
TH

5 V
(a) (b)
I
V
BE

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
114
Para confirmar o resultado obtido, admitindo-se o TBJ saturado e aplicando-se na figura (b) o modelo do TBJ
NPN para este modo de operao, obtm-se o circuito mostrado na figura abaixo. Desse modo, tem-se:
LKT na malha de entrada: ( ) 0, 7 20 0
TH TH B C B
V R I I I + =
( ) 20 20 0, 7 (4)
TH B C TH
R I I V + + =
LKT na malha de sada: ( ) 5 80 20 0
C C B
I I I + =
20 100 5 (5)
B C
I I + =
Resolvendo o sistema de equaes (4) e (5), obtm-se:
1, 7 0, 05 0, 2 1,14
;
16 16
TH TH TH
B Bcalc C Ccalc
TH TH
V R V
I I I I
R R
+
= = = =
+ +

Como deve-se satisfazer a condio I
Bcalc
I
Bmin
para que o TBJ esteja saturado, ento tem-se que:
min
2
1, 7 0, 05 0, 2 1,14
1
16 100 16
100 1600 171 0, 05 2738 0
Ccalc
TH TH TH
Bcalc B Bcalc
F TH TH
TH TH TH TH TH
I
V R V
I I I
R R
V R V R R


+

+ +
+

Aplicando-se os resultados (1) e (2) na inequao obtida, tem-se finalmente que:
2
5 5000 5 5000 5000
100 1600 171 0, 05 2738 0
5000 5000 5000 5000 5000
R R R R R
R R R R R

| |
+
|
+ + + + +
\

2
0, 395 4294 68450 0 R R
Resolvendo-se a inequao de 2 grau obtida, obtm-se: R 10,8 k e R 15,92 . Como no existe
resistncia negativa, ento tem-se que: R
limite
= 10,8 k , resultado igual ao obtido anteriormente.

Exerccio 20: O circuito fornecido a seguir um melhoramento do regulador de tenso com zener. O TBJ aqui o
elemento de controle de tenso e trabalha firmemente na regio ativa direta devido ao resistor de 50 (realimentao
negativa), sendo o zener um elemento de referncia de tenso. Neste regulador, a carga R
L
pode funcionar a vazio ou
dissipar uma potncia mxima de 500 mW e o ganho
F
do TBJ 99. Determinar a faixa de tenso da entrada V
S
para
que a tenso V
L
da carga seja regulada em 5 V. Dados do Zener: V
Z
= 5,7 V, I
ZK
= 15 mA e I
ZM
= 100 mA.








Soluo
Dados da carga R
L
: Operao a vazio: R
L max

P
L max
= 0,5 W
2 2
2
max min
min max
5
50
0, 5
L L
L L
L L
V V
P R
R P
= = = =
LKC no n 1: (1)
R B Z Z R B
I I I I I I = + =
LKT na malha de entrada:
5, 7
50 5, 7 0 (2)
50
S
S R R
V
V I I

= =
LKT na malha de sada:
0, 05
5, 7 0, 7 100 0 (3)
L B B
L
R I I
R
= =
Introduzindo-se os resultados (2) e (3) na equao (1), tem-se:
5, 7 0, 05
50
S
Z R B
L
V
I I I
R

= =
Assim, analizando-se os piores casos para o zener operar na sua funo regulao, tem-se:
Pior caso 1:
min min max Z R B ZK
I I I I = = , onde I
ZK
= 15 mA
min min
min
5, 7 5, 7
0, 05 0, 05
0, 015
50 50 50
S S
L
V V
R

= = =
min
6, 5
S
V V
Pior caso 2:
max max min Z R B ZM
I I I I = = , onde I
ZM
= 100 mA
max max
max
5, 7 5, 7
0, 05 0, 05
0,1
50 50
S S
L
V V
R

= = =

max
10, 7
S
V V
20
R
TH

80
V
TH

5 V
0,7 V
I
B

I
E
= I
C
+ I
B

I
C

entrada sada
0 V
R
L

V
L

50
V
S

D
Z

R
L

50
V
S

0,7 V
I
E
= 100 I
B

I
R

I
B

I
Z

5,7 V
entrada sada
1
V
L

A
K
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
115
5.5.5) TPICO COMPLEMENTAR: O FOTOTRANSISTOR

O fototransistor um dispositivo sensor de luminosidade (optoeletrnico), similar aos demais componentes
fotocondutores vistos anteriormente (LDR e fotodiodo), porm composto por trs substratos (emissor, base e coletor)
e no qual uma radiao incidente por uma janela, ao atingir a regio da juno coletor-base, causa uma combinao
dos efeitos transistor e fotoeltrico (Figura 5.53-a). Assim, o fototransistor (smbolo esquemtico na Figura 5.53-b)
constitui-se da combinao de dois diodos semelhante ao transistor bipolar de juno. O substrato base, por ter apenas
a funo de controle de corrente, mais comumente desprovido de terminal externo, o que resulta em um dispositivo
com apenas dois terminais acessveis, o coletor e o emissor (aparncias na Figura 5.53-c).














A Figura 5.53-d mostra a caracterstica corrente-tenso de um fototransistor, onde as curvas so levantadas para
diferentes intensidades luminosas H (W/cm
2
). Na caracterstica I-V tambm traada uma reta de carga e pode-se,
ento, observar um princpio de funcionamento semelhante a de um TBJ em emissor comum.
A ausncia de luz incidente (H = 0) estabelece um ponto de operao no fototransistor no qual a corrente de
coletor I
C
se mostra bastante reduzida, sendo formada apenas por portadores livres criados normalmente por gerao
trmica. Neste ponto entende-se ento que o fototransistor se encontra no bloqueio (Figura 5.53-d).
Contudo, a presena de radiao incidente na juno coletor-base acarreta na criao de portadores minoritrios
adicionais na base por fotogerao, fazendo com que a quantidade de portadores minoritrios injetados pelo emissor
na base aumente de modo a possibilitar uma corrente reversa no diodo coletor do fototransistor (como visto, o diodo
coletor conduz corrente reversa em funcionamento normal). Como quanto maior a intensidade de luz incidente, mais
portadores adicionais so gerados e, portanto, maior a corrente circulante no fototransistor, ento tem-se um efeito
controle de corrente por luz, similar regio ativa direta de um TBJ. Assim, a incidncia de luz causa uma diminuio
da tenso entre os terminais coletor e emissor (V
CE
) em decorrncia do aumento na corrente de coletor I
C
e entende-se
ento que o fototransistor encontra-se em seu modo de operao ativo direto (Figura 5.53-d).
Por fim, com o aumento na radiao incidente na juno coletor-base do fototransistor pode-se alcanar o limite
de gerao de portadores livres na base, o que acarreta na perda do controle de corrente por luz, similar regio de
saturao de um TBJ, e entende-se ento que o fototransistor encontra-se saturado (Figura 5.53-d).
Para o modo ativo direto do fototransistor, a injeo de minoritrios na base pelo emissor pode ser entendida
como uma corrente injetada na base e, desse modo, observa-se que a corrente produzida pela radiao incidente
multiplicada por um ganho de corrente direta
F
devido ao efeito controle de corrente. Logo, a principal vantagem do
fototransistor em relao ao fotodiodo est na sensibilidade do ganho, pois a mesma intensidade de luz incidente pode
produzir
F
mais corrente no fototransistor que no fotodiodo. Contudo, devido ao fato de possuir duas junes PN e,
desse modo, apresentar efeitos capacitivos mais pronunciados, a velocidade de comutao do fototransistor inferior
ao do fotodiodo. Assim, fotodiodos apresentam correntes tpicas da ordem de A e comutam em ns, sendo aplicados
onde se exija um rpido chaveamento (tal como sistemas de comunicao digitais por fibra tica), e o fototransistor
apresenta correntes tpicas da ordem de mA e comutam em s, sendo aplicados em sistemas que exijam uma elevada
sensibilidade devido posio mais distante do dispositivo emissor ou superfcie emissora (tais como em controles
remotos, sensores de presena, leitores de cdigos de barra, sistemas de contagem em processos industriais, etc.).
A Figura 5.53-e mostra um circuito optoacoplador que emprega um par LED-fototransistor, sendo seu princpio
de funcionamento similar ao dispositivo LED-fotodiodo visto anteriormente, com semelhaentes vantagens na isolao
eltrica e diferenas de potncia entre circuitos de entrada (circuito controlador) e sada (circuito controlado).


5.6) EXERCCIOS PROPOSTOS

Este item tem como objetivo propor diversos exerccios envolvendo circuitos polarizadores contendo diodos e
TBJ, para melhor entendimento e fixao dos conceitos vistos na teoria destes componentes.
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 5.53: Fototransistor: (a) constituio fsica; (b) smbolos esquemticos; (c) aparncias diversas;
(d) caracterstica corrente-tenso e reta de carga; (e) circuito com optoacoplador LED-fototransistor.
P
C
E
N
N
E C
I
C
(mA)
H

=

0 W/cm
2
V
CE
(V)
H
1

H
2

H
3

H
3
> H
2
> H
1

R
1
R
2
V
1
V
2
circuito de
controle

circuito
controlado

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
116
5.6.1) PROBLEMAS SOBRE DIODOS

Problema 1: Para um diodo de juno PN de silcio (considerar = 2) a 20
o
C, determinar:
a) A tenso reversa para que a corrente atinja 95 % do seu valor de saturao.
b) A razo, em mdulo, entre as correntes direta e reversa, para uma tenso direta e reversa de 0,2 V, respectivamente.
c) Se a corrente de saturao reversa no diodo for 10 nA, quais sero as correntes diretas para as tenses de 0,5 V, 0,6
V e 0,7 V aplicadas aos terminais do diodo?
d) Se I
S
= 1 nA, qual ser a tenso aplicada ao diodo para um corrente direta de 2,5 A ?
e) Se I
D
= 70 mA quando V
D
= 0,65 V a 20
o
C, determine o valor da corrente de saturao para a temperatura de 50
o
C.

Problema 2: Um diodo est funcionando a uma tenso direta de 0,7 V. Qual a relao entre as correntes mxima e
mnima neste diodo numa gama de temperaturas entre 55 e 100
o
C ? Considere = 2.

Problema 3: Determine a cor de um diodo emissor de luz, cuja energia do gap 2 eV.

Problema 4: Diodos LEDs caracterizam-se por apresentar pequena tenso reversa mxima, em tor-
no de 5 V. Explique porque o arranjo ao lado, onde um LED conectado em paralelo a um diodo,
pode evitar a queima do LED devido a uma eventual aplicao de tenso reversa..

Problema 5: Montou-se o circuito fornecido e observou-se uma leitura de 5 V no voltmetro. Pergunta-se: h algum
problema no circuito? Se sim, explique um possvel causa. Se no, explique o funcionamento do circuito.

Problema 6: Para o circuito fornecido, determine a potncia dissipada no diodo D e no resistor de 9 . Considere o
modelo aproximado do real para o diodo, onde: V

= 0,5 V , R
f
= 5 .

Problema 7: O circuito dado possui o comportamento de uma porta lgica OR. Determine a tenso de sada V
o
, para
as seguintes entradas: a) V
1
= V
2
= 5 V ; b) V
1
= V
2
= 0 V ; c) V
1
= 5 V e V
2
= 0 V
Considere o modelo aproximado do real simplificado os diodos D
1
e D
2
, onde: V

= 0,7 V.









Problema 8: Para o circuito fornecido, determine o valor limite da razo entre os resistores R
1
e R
2
para que o LED
emita luz. Adotar modelo aproximado do real simplificado para o LED, onde: V

= 1,6 V.

Problema 9: Para o circuito dado, sabe-se que a corrente direta mxima do LED empregado 75 mA. Determine a
faixa de valores para o resistor R tal que o LED emita luz e explique o que acontece com o LED se os limites da faixa
forem ultrapassados. Adotar modelo aproximado do real simplificado para o LED, onde: V

= 1,5 V.

Problema 10: O circuito fornecido um indicador visual de temperatura atravs do brilho de um LED, que emprega
um termistor NTC como sensor de temperatura. Explique a relao entre temperatura do termistor e brilho do LED.









Problema 11: Montou-se um circuito retificador para alimentar aparelhos de rdio (figura dada). Explique o que
acontecer com o ripple da tenso de sada com relao a: 1) Volume do som ; 2) Tamanho (potncia) dos aparelhos.

Problema 12: O circuito dado uma aplicao prtica de controle de luminosidade ambiente atravs do emprego de
um diodo, um interruptor do tipo duplo e uma lmpada incandescente L. Explique o funcionamento do circuito.
Problema 5 Problema 6 Problema 7

+V
1
4,8 k
D
1
200
+V
2
D
2
200
+V
o
4 V
1
9
D
4 V
V
10
10
D
10 V
Problema 8 Problema 9 Problema 10

R
20
9 V
LED
T
R
V
S

LED
R
1
4 V
LED
R
2
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
117
Problema 13: Para o circuito dado e caractersticas I-V linearizadas dos diodos empregados, pede-se:
a) Obtenha o modelo esquemtico dos diodos para cada modo de operao.
b) Dentre as hipteses existentes para os modos de operao dos diodos, explique quais so as realmente possveis.
c) Determine as caractersticas de transferncia do circuito e respectivas condies.
d) Determine a forma de onda da tenso de sada v
L
na carga, para um sinal de tenso de entrada v
S
= 15 sen(t) .










Problema 14: Montou-se um circuito regulador de tenso com Zener para fixar a tenso na carga R
L
em 3 V (circuito
dado) e com um osciloscpio obteve-se a forma de onda da tenso da entrada V
S
(tela fornecida). As especificaes do
Zener empregado no circuito so: I
ZK
= 50 mA, V
Z
= 3 V e P
Z
= 600 mW. Determine a faixa de valores da resistncia
de carga R
L
para que o circuito consiga efetivamente regular a tenso na carga em 3 V.

Problema 15: Deseja-se montar um regulador de tenso com Zener para fixar em 16 V a tenso em uma carga R
L
.
Para isso, sero necessrios o emprego de dois diodos Zener (figura dada), cujas especificaes so:
Zener D
Z1
: V
Z
= 9 V , I
ZK
= 5 mA , I
ZM
= 100 mA
Zener D
Z2
: V
Z
= 7 V , I
ZK
= 3 mA , I
ZM
= 90 mA
A carga R
L
poder operar a vazio ou dissipar uma potncia mxima de 1,0 W. Determine a faixa de tenso de entrada
V
S
para que ocorra efetivamente uma regulao de tenso na carga R
L
em 16 V . Explique o clculo realizado.

Problema 16: Deseja-se construir um regulador Zener (figura dada) com o objetivo de regular a tenso na resistncia
em uma carga R
L
em 13 V. Para isso, dispe-se de cinco tipos de Zeners (01 de cada), para serem usados em ligao
srie, cujas especificaes na ruptura so descritas a seguir:
Zener 1 : V
Z
= 6 V , I
ZK
= 3,2 mA , I
ZM
= 33 mA
Zener 2 : V
Z
= 5 V , I
ZK
= 3,5 mA , I
ZM
= 36 mA
Zener 3 : V
Z
= 2 V , I
ZK
= 2,5 mA , I
ZM
= 34 mA
Zener 4 : V
Z
= 3 V , I
ZK
= 4,0 mA , I
ZM
= 35 mA
Zener 5 : V
Z
= 8 V , I
ZK
= 3,0 mA , I
ZM
= 40 mA
A tenso de entrada V
S
pode variar entre 14 e 15 V e a carga R
L
entre 800 e 2 k. Determine se h uma combinao
possvel desses Zeners para efetivamente regular a tenso na carga R
L
em 13 V e explique o clculo realizado.










Problema 17: A figura dada apresenta duas relaes grficas da varivel de sada v
o
em funo da varivel de entrada
v
S
, que expressam a caracterstica de transferncia geral de determinados circuitos. Para cada grfico, pede-se:
a) Determine as equaes da caracterstica de transferncia e respectivas condies.
b) Com base no valor da declividade das retas (), interprete como o sinal de entrada refletido na sada.
c) Obtenha a forma de onda da sada v
o
para uma entrada v
S
= 10 sen(t).

Problema 18: A figura fornecida mostra a representao de um determinado circuito eltrico, onde v
S
o sinal de
entrada e as variveis v
1
e v
2
so os sinais de sada de interesse do circuito, bem como as equaes da caracterstica de
transferncia e respectivas condies para a sada v
1
e a relao entre as sadas v
1
e v
2
. Pede-se:
a) Determine o valor das constantes a e b. Explique o clculo realizado.
b) Explique o significado da constante a obtido no item a).
c) Desenhe o grfico da caracterstica de transferncia com base nas equaes fornecidas.
d) Desenhe a forma de onda do sinal de sada v
1
para o sinal de entrada v
S
fornecido (forma de onda triangular).
e) Idem para o sinal de sada v
2
.
Problema 11 Problema 12 Problema 13

v
S

C
D
220 V
S
1

S
2

L
200
v
S

800
D
D
Z
I
D

V
D

diodo D
I
D

V
D
(V)
diodo D
Z
-10
v
L

Problema 14 Problema 15 Problema 16

40
V
S
R
L

D
Z
Escala: 2V/div
50
V
S
R
L

D
Z
40
V
S
R
L

D
Z2
D
Z1
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
118









Problema 19: O circuito retificador fornecido conhecido como duplicador de tenso, pois o valor mximo da fonte
de entrada duplicado na sada. Explique o funcionamento do circuito. Para melhor entendimento do funcionamento
do circuito, sugere-se a implementao do mesmo em um programa de simulao computacional, tipo PSPICE.

Problema 20: O circuito dado um retificador que apresenta o efeito de fonte simtrica em sua sada. Explique o
funcionamento do circuito. Para melhor entendimento do circuito, sugere-se sua implementao no PSPICE.











5.6.2) PROBLEMAS SOBRE TBJS

Problema 1: Para o circuito fornecido, sabe-se que o ganho de corrente direta em base comum do TBJ empregado
0,996. Prove em qual regio de operao se encontra o TBJ e determine a potncia fornecida pela fonte de tenso.

Problema 2: Para o circuito dado, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ empregado
150. Prove em qual regio de operao se encontra o TBJ e determine sua potncia dissipada.

Problema 3: Para o circuito fornecido, pede-se:
a) O modo de operao do TBJ empregado est explcito no circuito. Explique.
b) Determine o valor do resistor R
E
tal que a leitura do ampermetro, considerado ideal, seja 200 mA.
Dado: ganho de corrente direta em base comum do TBJ empregado = 0,995.













Problema 4: Para o circuito fornecido, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ empregado
100. Determine a leitura do voltmetro presente no circuito.

Problema 5 Para o circuito fornecido, sabe-se que o ganho
F
do TBJ empregado vale 100. Pede-se:
a) Determine o valor dos potenciais V
1
e V
2
, sabendo-se que: R
C
= 500 , R
E
= 1 k.
b) Determine o valor de R
C
que acarretar em V
1
= 0 V . Dado: R
E
= 1 k
c) Determine o valor de R
E
que acarretar em V
2
= 0 V. Dado: R
C
= 500 .

Problema 6: Para o circuito fornecido, sabe-se que a leitura do voltmetro ideal V vale 7 V. Determine a regio de
operao do TBJ e o valor da fonte V
C
do circuito. Dado:
F
do TBJ empregado =

0,99.
-12
12
0 2 t
v
S
(V)
Problema 17 Problema 18
+v
S

+ v
1

+ v
2

1
1
1
2 1
4 se: 5
se: 6 5
se: 6
3
S
S S
S
v v
v a v v
v b v
v v
= >

= <

=

v
o
(V)
0 v
S
(V)
= 0,5 = - 0,5
0 v
S
(V)
v
o
(V)
= 2 = - 2
Problema 19 Problema 20

v
S

C
1
D
1
D
2
C
2
V
o

D
1
D
3
C
1
D
2
D
4
C
1
+V
C

0 V
V
C

+ 9 V
100
30 k
100
Problema 1 Problema 2 Problema 3
+ 6 V
100
10 k
R
E

2,3 k
12 V
A
CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
119













Problema 7: Para o circuito fornecido, o modo de operao do TBJ empregado est explcito. Explique qual este
modo de operao e determine a o valor do resistor R
E
tal que a leitura do ampermetro seja 0,77 mA.

Problema 8: Para o circuito fornecido, determine o valor limite do resistor R
B
para que o TBJ atue na regio ativa
direta. Explique se este limite mnimo ou mximo. Dado: ganho
F
do TBJ empregado = 0,98.

Problema 9: Para o circuito dado, sabe-se que o ampermetro ideal A mede 1,0 mA e que ambos os diodos coletor e
emissor do TBJ empregado esto em conduo. Determine o valor do resistor R
C
. Dado:
F
do TBJ empregado = 200.

Problema 10: Para o circuito dado, sabe-se que o ganho
F
do TBJ empregado 125. Pede-se:
a) Determine o valor de R
B
tal que a ddp entre o coletor e o emissor do TBJ seja 1,0 V . Dado: R
C
= 40 .
b) Determine o valor de R
C
tal que a ddp entre o coletor e a base do TBJ seja 1,3 V. Adote R
B
obtido no item a).













Problema 11: O circuito dado um indicador visual de luminosidade atravs de uma lmpada L, que emprega um
LDR como sensor de luz. Explique a relao entre a luminosidade incidida no LDR e a luz emitida pela lmpada.

Problema 12: O circuito fornecido trata-se de um simples indicador visual de luminosidade atravs do brilho de um
LED, que emprega um LDR como sensor de nvel de luminosidade. Pede-se:
a) Explique a relao entre a luz incidente no LDR e brilho proporcionado pelo LED.
b) No circuito percebe-se que, a partir de uma certa intensidade de luz incidida no LDR, a intensidade da luz emitida
pelo LED praticamente no mais se alterava. Cite um possvel motivo e explique.

Problema 13: O circuito dado contm um TBJ NPN polarizado em determinado ponto de operao. Deseja-se trocar
este TBJ por um equivalente do tipo PNP, conectando seus terminais emissor, base e coletor nos mesmos do NPN.
Explique que adequao deve-se realizar no circuito para que o PNP funcione no mesmo ponto de operao do NPN.











Problema 4 Problema 5 Problema 6
+ 4 V
1 k
9 k
100
V
+ 15 V
44 k
R
C

+ V
1
+ V
2
15 V
+ 5 V
R
E

V
C

7 k
60
100
V
Problema 7 Problema 8 Problema 9 Problema 10
+ 10 V
R
B

200
400
+ 14 V
100
3,2 k
R
C

A
+ 9 V
100
R
B

R
C

+ 4 V
R
E

14

A
Problema 11 Problema 12 Problema 13
+ V
C
R
C

R
E

R
1

R
2

+ V
C

R
E

LED
LDR
R
V
2
L

LDR
V
1

CAPTULO 5: Materiais e dispositivos semicondutores
120
Problema 14: Montou-se o circuito fornecido e verificou-se que a leitura do voltmetro V, em perfeito estado, 0 V.
Foram feitas, ento, 4 suposies para explicar o problema: 1) o resistor de 5 k pode estar em aberto; 2) o resistor de
8 k pode estar em curto-circuito; 3) o resistor de 200 pode estar em aberto; 4) o resistor de 100 pode estar em
curto-circuito. Investigue cada uma destas suposies e explique se so palusveis ou no.

Problema 15: Montou-se o circuito fornecido e observou-se que o voltmetro, em perfeito estado, media 0 V. Pergun-
ta-se: com apenas esta observao pode-se concluir desde j que o circuito apresenta problemas? Se sim, cite e expli-
que duas possveis causas com componentes do circuito. Se no, explique porque.

Problema 16: Montou-se o circuito dado e passou-se a variar o potencimetro R
P
, quando observou-se que, abaixo
de um certo valor para o potencimetro, a leitura do voltmetro praticamente no mais se alterava. Sabendo-se que
todos os componentes do circuito esto em perfeito estado, explique a razo para ocorrer esta observao.
























+ 10 V

5 k

V
8 k

200

100

Problema 14 Problema 15 Problema 16
+ 0,4 V

10 k

V
250

150

+ 10 V

V
300

200

R
P



121
APNDICE A: RESPOSTAS DE ALGUNS PROBLEMAS PROPOSTOS


CAPTULO 1

[1] 7,983 g/cm
3
[2] 1,02 g/cm
3
[3] Material A
[4] F
1
/F
2
= 1 [5]
A
/
B
= 0,8 [6] Aumento de 2%
[7] 2 x 10
-5

o
C
-1
[8] T
final
= 171,8
o
C
[9] 275,8
o
C [10] 4,8 cm
[12] T
J
= 30
o
C ; barra 1: 0,3 cal/s , R
T1
= 66,67
o
Cs/cal ;
[13] 1/3 de uma banana
[14] A variao na temperatura do material B ser 28% maior que na do material A
[15] a) n
2
> n
3
; n
1
> n
3

b) nunca haver reflexo total no diptro 2 ;
c)
L
= 61,04
o
= limite mnimo (qualquer ngulo de incidncia maior que
L
haver reflexo total no diptro 2)
[16] h
lim
= 2,7 m = limite mximo
[18] 857 ; 1000 ; 1360 ; 5990,3 ; 2317,8 ; 3780,5
[19] 2066,67 ; 6200 ; 3100
[20] a) 1550 b) 28181,8 ; 1550 c) 9 eV d) 4133,33 ; 2480
[21] 24800 ; 11376,15 ; 5904,76
[22] a) 12,5 eV ; 12 eV ; 8 eV , para referncia 0 eV no nvel 1 b) 992


CAPTULO 2

[1] 2 < a/b < 5
[2] R
A
= 7 ; R
B
= 3
[4] V
juno
= 4 V ; I
1
= I
3
= 1 A , I
2
= 0 A ; R
1
= R
2
= R
3
= 2
[5] R
B
= 24 ; R
C
= 27 ; R
D
= 26,25
[6]
A, 20 C
= 4 x 10
-4

o
C
-1
;
B, 20 C
= 3,89 x 10
-4

o
C
-1

[7]
A, 20 C
= 0,001
o
C
-1
;
B, 20 C
= 0,00125
o
C
-1

[8] a) = 2,33 x 10
-4

o
C
-1
, = 10
-4

o
C
-1
, = 4,33 x 10
-4

o
C
-1

c) m = 0,003
[11] a) R
CC, cabo, 50 C
= 16,62 /km ; b) f = 178,57 Hz [14] ddp
C-A
= 10 mV


CAPTULO 3

[1] 2,46 mm
[2] a) C , Q , V
capacitor
= V ; b) C , Q = constante , V
capacitor

[3] V
max 1
= 442 V , V
max 2
= 553 V apenas o dieltrico 2


CAPTULO 5

PROBLEMAS SOBRE DIODOS

[1] a) - 0,15 V b) 52,5 c) 0,2 mA ; 1,44 mA ; 10,45 mA d) 0,395 V e) 1,447 A
[2] I
Dmax
/I
Dmin
= 20
[3] laranja
[6] P
9
= 1,44 W ; P
D
= 0 W
[7] a) 4,21 V ; b) 0 V ; c) 4,13 V
[8] R
1
/

R
2
< 1,5
[9] 50 R < 100
[14] R
L min
= 120 ; R
L max

[15] 18,7 V
S
19,6 V
[16] Zeners 2 e 5
x(cm)
V (volts)
2,5
1,7
0,7
V = 2,5 - 0,1 x
V = 18,2 - x
6
0
8 14
[3] V
J
= 1,7 V ; 5 A
x (cm)
T (
o
C)
110
80
20
T = 110 - 5 x
0 6 14
T = 125 - 7,5 x
[11] T
J
= 80
o
C ; = 4,5 cal/s
-15
0 2 t
15
v
S
, v
L
(V)
10
-12
v
S

12,5
v
L

[13]
d)
b) conduo ruptura
corte - corte
c) v
L
= 10 V
para: v
S
> 12,5 V
v
L
= 0,8 v
S

para: v
S
12,5 V

b) - conduo ruptura
- corte - corte
APNDICE: Respostas de alguns problemas propostos
122
PROBLEMAS SOBRE TBJS

[1] V
CE


4,14 V > 0 TBJ no modo ativo direto ; P
fonte
0,22 W
[2] I
Bcalc
= 0,53 mA , I
Bmin
= 0,4 mA I
Bcalc
> I
Bmin
e TBJ no modo saturado ; P
TBJ
0 W
[3] b) R
E
= 45
[4] TBJ no bloqueio ; leitura do voltmetro = 4 V
[5] a) V
1
= 8,35 V ; V
2
= 1,57 V ; b) R
C
= 1,13 k ; c) R
E
= 1,52 k
[6] TBJ no modo ativo direto ; V
C
= 16 V
[7] R
E
65
[8] R
Blimite
= 17,528 k (limite mnimo)
[9] R
C
= 39
[10] a) R
B
= 5,66 k ; b) R
C
= 22,4
[14] 1) plausvel ; 2) plausvel ; 3) no plausvel ; 4) plausvel