Elektronika 1

POPIS FIZIKALNIH KONSTANTI I FORMULA

naboj elektrona q

=1,602
.
10
-19
C
masa slobodnog elektrona m
0
=9,1085
.
10
-31
kg
Planckova konstanta h = 6,625
.
10
-34
Js = 4,135
.
10
-15

eVs

Boltzmannova konstanta k = 1,380
.
10
-23
J/K
Brzina svjetlosti: c = 2,998
.
10
8
m/s
apsolutna dielektrika konstanta
0
= 8,854
.
10
-14
F/cm
relativna dielektrika konstanta (Si)=11,7, (SiO
x
) =3,9

naponski ekvivalent temperature V
T
q
kT
U
T

11609
= = &
energetski ekvivalent temperature V
T
kT E
T
e
11609
= = &

Svojstva poluvodia:

irina zabranjenog pojasa
636
10 73 , 4
17 , 1
2 4
+

=

T
T
E
G
,eV za 0<T<800 K

linearna aproksimacija T E
G
=
4
10 546 , 2 2 , 1 ,eV za 200<T<600 K

intrinsina koncntracija:

=
T
T
n
i
4 , 6965
exp
300
10 77 , 1
2 / 3
20
, cm
-3


zakon elektrike nutralnosti:
D A
N p N n + = +
zakon termodinamike ravnotee:
2
i
n p n =

koncentracija slobodnih nosioca:

=
kT
E E
N n
F G
C
exp

=
kT
E
N p
F
V
exp

efektivna gustoa kvantnih stanja u vodljivom, odn. valentnom pojasu - N
c
, N
v

2 / 3 15
10 83 , 4 T N N
v c
= =& , cm
-3


specifina vodljivost poluvodia: ( ) p n q
p n
+ =

gustoa difuzijske struje:
dx
x dn
D q J
n n
) (
=
dx
x dp
D q J
p p
) (
=
difuzijska konstanta:
T
U D = (Einsteinova relacija)
P-N spoj

kontaktni potencijal:
2
0 0
ln
i
p n
T K
n
p n
U U

=
Boltzmannove relacije:
T
n n
U
U
p p exp
0 0
=
T
p p
U
U
n n exp
0 0
=

irina osiromaenog podruja: ) (
1 1 2
0
U U
N N q
d
K
A D
B

+

=



Shockleyeva jednadba:

= 1 exp
T
S
U
U
I I
reverzna struja zasienja:
dioda s dugakim stranama

+ = + =
p
n
p
n
p
n Sp Sn S
L
p
D
L
n
D S q I I I
0
0

dioda s kratkim stranama

+ = + =
n
n
p
p
p
n Sp Sn S
w
p
D
w
n
D S q I I I
0
0


difuzijska duljina: = D L

dinamiki otpor:
S
T
d
I I
U
dI
dU
r
+
= =

kapacitet osiromaenog podruja:
B
j
d
S
C =
0


difuzijska admitancija ( ) j
U
I
Y
T
+ = 1



sunana elija:

= 1 exp
T
S L
U
U
I I I

Bipolarni tranzistor

normalno aktivno podruje:

npn pnp
pE nE E
I I I =
nE pE E
I I I + =
0 CB nC c
I I I + =
0 CB
I > 0
0 CB pC c
I I I + =
0 CB
I < 0
CBO R pE B
I I I I + =
CBO R nE B
I I I I + =
nC nE R
I I I =
pC pE R
I I I =
E
nE
I
I

=
nE
nC
I
I
=
*

E
pE
I
I
=
pE
pC
I
I
=
*

*
=

=
1


0 CB E C
I I I + =
0 CE B C
I I I + = ( )
0 0
1
CB CE
I I + =

Ebers-Mollove jednadbe:

npn tranzistor:

= 1 exp 1 exp
T
CB
CS R
T
EB
ES E
U
U
I
U
U
I I

= 1 exp 1 exp
T
CB
CS
T
EB
ES C
U
U
I
U
U
I I


ili

= 1 exp
0
T
BE
EB C R E
U
U
I I I

= 1 exp
0
T
BC
CB E C
U
U
I I I


( )
R ES EB
I I = 1
0
( )
R CS CB
I I = 1
0

CS R ES
I I =

za pnp tranzistor:
T
BE
U
U
exp ,
T
BC
U
U
exp i
ES
I ,
CS
I ,
0 EB
I ,
0 CB
I < 0


Tranzistori s efektom polja (FET):

spojni FET (JFET):

Linearno podruje:
DS
GS K
GS K
D
U
U U
U U
G I

=
2 / 1
0
0
1
Triodno podruje:

=
2 / 3
0
2 / 3
0 0
0
0
2 3
3
GS K
GS K
GS K
DS GS K
GS K
DS GS K
D
U U
U U
U U
U U U
U U
U U U
G I
Podruje zasienja:

=
2 / 3
0 0
0
0
2 3 1
3
GS K
GS K
GS K
GS K GS K
D
U U
U U
U U
U U U U
G I
dinamiki parametri:
strmina: . konst u
u
i
g
DS
GS
D
m
=

=
Triodno podruje: Podruje zasienja:

+
=
2 / 1
0
2 / 1
0
0
GS K
GS K
GS K
DS GS K
m
U U
U U
U U
U U U
G g

=
2 / 1
0
0
1
GS K
GS K
m
U U
U U
G g

izlazna dinamika vodljivost: .
1
konst u
u
i
r
g
GS
DS
D
d
d
=

= =

+
=
2 / 1
0
0
1
GS K
DS GS K
d
U U
U U U
G g

faktor naponskog pojaanja: . konst i
u
u
D
GS
DS
=

= Barkhausenova relacija:
d m
r g =

MOSFET:
DS
DS
GS GS D
U
U
U U K I

=
2
0 triodno podruje
( ) I
K
U U
D GS GS
=
2
0
2
podruje zasienja

L
W
d
K
ox
ox

=

dinamiki parametri:
Triodno podruje:

DS m
U K g = ( )
DS GS GS d
U U U K g =
0
= g r
m d

Podruje zasienja:
( )
0 GS GS m
U U K g =
0 =
d
g
, =
d
r , =