2

i
n p n =
3
2 3
2
G
T
E
E
i
n CT e cm

( =

(intrinsina koncentracija)
3
15 3
2
7, 2 10 C cm K

(
=
(


10 3
: 1, 45 10
i
Si n cm

=
13 3
: 2, 4 10
i
Ge n cm

=
6 3
: 1, 79 10
i
GaAs n cm

= T=300K

[ ]
5 7 2
1,175 9, 025 10 3, 05 10
G
E T T eV

= (irina zabranjenog pojasa)

: 1,124
G
Si E eV = : 0, 67
G
Ge E eV = : 1, 43
G
GaAs E eV = T=300K

[ ] [ ] [ ]
11605
T
kT T
E kT J eV eV
q
= = = (energetski ekvivalent temperature) [ ]
23
1, 381 10 / k J K

=

A D
n N p N + = +

( ) ( ) ( )
c n
dn E E f E dE = (raspodjela elektrona u vodljivom pojasu)

3
2
3
8 2
( )
c
c c
m
E E E
h

= (funkcija gustoe kvantnih stanja u vodljivom pojasu)

1
( )
exp
n
Fn
f E
E E
kT
=
| |
|
\
(fermijeva funkcija za elektrone u vodljivom pojasu)

e
G F
E E
kT
c
n N

= (koncentracija elektrona u vodljivom pojasu)

3
2
2
2
2
c
c
m kT
N
h
| |
=
|
\
(efektvina gustoa kvantnih stanja

c
E - energija dna vodljivog pojasa
c
m - efektivna masa elektrona
h - Planckova konstanta

( ) ( ) ( )
v p
dp E E f E dE = (raspodjela upljina u valentnom pojasu)

3
2
3
8 2
( )
v
v v
m
E E E
h

= (funkcija gustoe kvantnih stanja u valentnom pojasu)

1
( )
exp
p
Fp
f E
E E
kT
=
| |
|
\
(fermijeva funkcija za elektrone u vodljivom pojasu)

v
E - energija vrha valentnog pojasa
v
m - efektivna masa upljine
h - Planckova konstanta

e
F
E
kT
v
p N

= (koncentracija upljina u valentnom pojasu)
3
2
2
2
2
v
v
m kT
N
h
| |
=
|
\
(efektvina gustoa kvantnih stanja)

f
z
e
m
u
n
i
c
@
e
t
f
o
s
.
h
r


Fermijeva razina:
2
G
Fi
E
E = (intr.) ln
D A
Fn Fi
i
N N
E E kT
n
| |
= +
|
\
(N-tip) ln
A D
Fp Fi
i
N N
E E kT
n
| |
=
|
\
(P-tip)

Driftne brzine: n
n
v F =

p
p
v F =


, p n
- pokretljivost upljina / elektrona

max min
min
1
A D
ref
N N
N

= +
| |
+
+
|
|
\
T=300K

[ ]
( ) /
n p
q n p S cm = + (vodljivost) ( )
n p n p
dn dp
J F q n p F qD qD
dx dx
= = + =
dU
F
dx
=





2
min
( / ) cm Vs
2
max
( / ) cm Vs
3
( )
ref
N cm

n 80 1430
1,12
17
10
0,72
p 45 460
2,23
17
10
0,72
fzemunic@etfos.hr