‫‪(SSD (solid-state drives‬‬

‫إن الفكرة و المكونات وراء ال‪ SSD‬ليست بجديدة على الطلق بل أنه تم تصنيع ‪ SSD‬منذ التسعينات‪ ,‬و لكن الجديد الن‬
‫لن؟ كان ذلك بعد أن عرضت شركة‬ ‫أنه يتم حاليًا تصنيعها على نطاق أكبر و تستهدف نسبة أكثر من المستخدمين‪ ,‬إذا لماذا ا ً‬
‫أبل جهازها الكمبيوتر المحمول الصغير للغاية ‪ Apple Air‬و زودته ب‪ SSD‬كوسيلة تخزين و ذلك لكبر ميزة له و هو‬
‫صغر حجمه و كان هذا على حساب تكلفته العالية و من هنا أنطلقة هوجة تصنيع ال‪ SSD‬بمساحات تناسب أستخدامها كوسيط‬
‫أساسى لتخزين البيانات‬

‫ل و لكى نعرف الفارق الجديد فى ‪ SSD‬و كيف تحتلف عن نظيرها ال‪ HDD‬يجب معرفة كيفية عمل و تكوين كل منهما‪:‬‬
‫أو ً‬

‫‪-‬تكوين الهارد ديسك‪:‬‬

 ‫الصورة مأخوذة من ويكيبديا و معدلة‬

‫يتكون الهارد ديسك من أقراص معدنيه ممغنطة )‪ (Platters‬و رؤوس القراءة و موتور لتحريك القراص ‪ .‬يتم تقسيم وجهى‬
‫كل قرص الى ‪ Sectors‬لتكون هى وحدة التخزين الساسية و تكون مساحتها ‪512‬بايت لتخزين البيانات زائد عليها بيانات‬
‫اخرى يستخدمها المتحكم فى الهارد ديسك لتحديد رقم ال‪ Sector‬و للتأكد من سلمة البيانات و يترك مساحة كافية للفصل‬
‫بين كل ‪ Sector‬و أخر و لذلك ال‪ Sector‬يخزن فعليًا أكثر من ‪ 512‬بايت‪.‬‬

‫لكى نعرف كيف يعمل الهارد ديسك لقراءة ‪ Sector‬معين فلنفرض أنه يريد أن يصل من ال‪ Sector 1‬كما فى الصورة‬
‫الى ‪ 2‬فإن الموتور يحرك القراص لكى تصل ‪ 2‬تحت الرؤوس و فى نفس الوقت يجد المتحكم فى الهارد انه يجب تحريك‬
‫الرؤوس فى ال‪ Track‬الذى تقع فيه ال‪ Sector‬و يتم القراءة من الرأس المناسبة‪.‬‬

‫هذا الوقت الذى يستغرقه ال‪ HDD‬للوصول ل‪ Sector‬معينة لقرائتها يسمى بال‪ Latency Time‬و يعتبر من أكبر‬
‫معوقات زيادة سرعة الهارد ديسك و ذلك لنه يعتمد على حركة ميكانيكية و التى لن تصل الى سرعة المكونات اللكترونية‬
‫التى تستخدمه ‪.‬‬

‫‪-‬الن سوف نعرف تكوين ال‪:SSD‬‬

‫كما هو واضح من الصورة فإن ال‪ NAND Memory‬هى وسيط لتخزين الساسى لل‪ SSD‬و لكن يمكن أستخدام ال‪NOR‬‬
‫‪ Memory‬كذلك و لكن هناك فارق كبير بين تركيب الثنين‪:‬‬

‫‪-‬فى ال‪ NOR‬يتم توصبل كل وحدة تخزين على حدى الى المتحكم)‪ (Controller‬و لذلك يتميز هذا النوع بسرعة القراءة و‬
‫الكتابة العشوائية فيفضل أستخدامه فى تخزين البرامج التى تحتاج الى سرعة كبيرة فى الحصول على البيانات‪ ,‬و لكن هذه‬
‫الطريقة فى التركيب يعيبها كثرة التوصيلت لكل خلية‪/‬وحدة تخزين مما يمنع أمكانية تكوين أحجام كبير مكثفة منها و أرتفاع‬
‫تكلفتها و عدم صلحيتها لتخزين حجم كبير من البيانات و كان هذا النوع المستخدم فى أوائل تصنيع ال‪.SSDs‬‬

‫‪ -‬أما فى ال‪ NAND‬فإن الخليا يتم توصيلها مع بعضها كل مجموعة بحجم محدد تسمى ‪ Page‬و هى أصغر وحدة للبرمجة‬
‫فى ال‪ NAND Flash‬و و يساعد ذلك على زيادة القراءة المتعاقبة) ‪ (Sequential reading‬و قلة التوصيلت فيمكن‬
‫صناعتها بكثافة عالية و قلة تكلفتها‪.‬‬

‫‪-‬الن ندخل أعمق فى تكوين ال‪: NAND Flash‬‬

 ‫تتكون الوحدة من ال‪ NAND Flash‬مجموعة من ال‪ Blocks‬حيث كل واحدة تتكون من مجموعة من ال‪ Pages‬فوق‬
‫بعضها و كل ‪ Page‬تتكون من مجموعة من الخليا‪ .‬تكون مساحة ال‪ Block‬فى الغالب ‪ 2112‬بايت حيث يستخدم منها‬
‫‪ 2048‬لتخزين البيانات و ‪ 64‬بايت لبيانات مساعدة للمتحكم تمامًا مثل ال‪ HDD‬لمعالجة الخطاء‪.‬‬

‫‪-‬الن نتعرف على كبفبة عمل الوامر الساسية على الذاكرة ‪:NAND‬‬

‫عملية القراءة تتم على أساس قراءة ال‪ Page‬كأصغر وحدة فيتم تحميل ال‪ Page‬التى يريد المستخدم قرائتها الى ال‪Data‬‬
‫‪ Register‬و بعدها أرسالها‪.‬‬

‫عملية الكتابة مثل القراءة تتم بال ‪ Page‬بعد أن يتم كتابنها فى ال‪ Data register‬يتم تخزينها فى ال‪ Page‬المناسبة‪.‬‬

‫المسح هو من أكثرعيوب ال‪ NAND Flash‬حيث أنه يجب مسح ‪ Block‬بأكمله‪.‬‬

‫‪-‬اذا الذاكرة تتكون من‪Blocks‬و ال‪ Block‬يتكون من ‪ Pages‬و ال‪ Page‬تتكون من ‪ ,Cells‬فما هى هذه الخليا ؟‬

‫هذه الخلية ما هى إل ترنزيستر ‪: MOSFET With a Floating Gate‬‬

 ‫‪ MOSFET‬هو شبه موصل يعمل كمفتاح ألكترونى ‪.‬‬

‫النوع منه ذو ال‪ Floating Gate‬يمكنه تخزين شحنه فى ال‪ Floating Gate‬بحبس اللكترونات به حتى بعد أنقطاع‬
‫مصدر الكهرباء‪ ,‬و لذلك يجعل ال ‪ NAND Memory‬ذاكرة ‪ . Nonvolatile‬من الخواص التى يجب معرفتها‪- :‬‬
‫‪ Tunneling‬و هو عندما تعبر ألكترونات عبر العازل الى‪/‬من ال‪ P‬من‪/‬الى ال ‪ Floating Gate‬و هذا هو أساس عملية‬
‫المسح و الكتابة‪ : Threshold Voltage - .‬هو الجهد الذى أذا تم تطبيقه على ال‪ Gate‬يسمح للتيار للعبور من ال‬
‫‪ Source‬الى ال‪.Drain‬‬

‫الن عند القراءة لمعرفة أذا كان هناك شحنة فى ال‪ , Floating Gate‬فأنه يتم تطبيق جهد ‪ Threhold‬المعروف أذا لم‬
‫يوجد شحنة فأذا عبر التيار الى ال‪ Drain‬فأنه ل يوجد شحنة فى ال‪ Floating Gate‬أما أذا لم تمر فأنه توجد شحنه و ذلك‬
‫لن وجودها يزيد من الجهد اللزم لمرور التيار‪.‬‬

‫عند الكتابة يتم تحريك الكترونات الى ال‪ Floating gate‬من ال‪ P-sup‬و ذلك بتطبيق جهد كبير على ال ‪Gate(Vg) t‬‬
‫فتنتقل الشحنة و هذه هى ظاهرة ال‪.Tunneling‬‬

‫عند المسح يحدث العكس‪ ,‬يتم تطبيق شحنة على ال ‪ P-sup‬فتنتقل اللكترونات اليها من ال‪.Floating Gate‬‬

‫‪-‬الن يمكننا التعرف على طريقة يمكننا بها زيادة كمية البيانات التى يمكنها أن تخزنها الخلية الواحدة‪:‬‬
 ‫عرفنا أن حسب الجهد على ال‪ Gate‬يمكن نعرفة أذا كانت هناك شحنة على ال‪ Floating gate‬أم ل‪,‬فأذا وجدت شحنة‬
‫ل من ال‪ Vth0‬الصلية الطبقة‬‫تتغير ال‪ Treshold Voltage‬التى يمر فيها التيار الى ال ‪ ,Drain‬فتكون بقيمة ‪ Vth1‬بد ً‬
‫على ال‪ , Gate‬أذا أستطعنا زيادة كمية الشحنة على ال‪ Floating gate‬يزيد الجهد الى ‪ Vth2‬هكذا ‪.Vth3‬‬

‫يمكن الستفادة من هذا أذا وفرنا مصادر طاقة ذات جهد مختلف ‪ ,‬و عند الكتابة أذا أردنا كتابة ‪ 2‬نزود ال‪ P-sup‬بمصدر‬
‫جهد أعلى من الذى كنا نستخدمه سابقًا فى الكتابة‪ ,‬فتكون شحنة ال‪ Floating gate‬أعلى و هكذا لكتابة ‪.3‬‬

‫عند القراءة‪ ,‬يتم تزويد جهد على ال‪ Gate‬أعلى من ‪ Vth2‬أذا لم يمر تيار فأنه يوجد ‪ 3‬و أذا مرت فيوجد شحنة أقل من ‪ 3‬أو‬
‫‪ 0‬فنقلل الجهد على ال‪ Gate‬حتى يمر تيار و بذلك يم تحديد المخزن حسب ال‪ Threshold Voltages‬المحددة‪.‬‬

‫تسمى هذه الطريقة ‪ ,(Multi-Level Cell(MLC :‬و الصرية التقليدية ب ‪ .(Single-Level Cell(SLC‬يعيب ال‬
‫‪ MLC‬الكثير من الخطاء تحدث نتيجة تغير الشحنة لسبب ما من على ال‪ Floating gate‬و زيادة كمية التحليل على‬
‫البيانات و لكنها تستخدم لزيادة كمية البيانات التى يمكن أن تستوعبها نفس الكمية من الخليا‪ ,‬و لهذا فهى مناسبة للمستخدميين‬
‫العاديين أم للشركات فيفضل أسنخدام ال ‪.SLC‬‬

‫الن و بعد معرفة كيفية عمل ال‪ SSD‬و تكوينه‪ ,‬نستطيع معرفة مميزاته عن ال‪ HDD‬و ذلك أنه ل يوجد ‪Latency time‬‬
‫تقريبًا فعملية القراءة تتم فى ‪ 2‬نانو ثانية و الكتابة فى ‪ 2‬ميلى ثانية بينما المسح فى ‪ 300‬ميلى ثانية طبعأ هذه الحصائيات‬
‫مختلفة حسب نوع المصنع و ستقل أن شاء ال فى المستقبل‪ ,‬و رغم كل هذا أذا قرئت مقارانات بين ال‪ HDD‬و ال‪ SSD‬على‬
‫النترنت ستجد أن ال‪ HDD‬قد يتفوق فى أغلب الحيان على مناظره ‪ ,‬و لكن ال‪ HDD‬قديم نسبيًا و لقى كمية كبيرة من‬
‫التطوير التى جعلته بهدذ المكانة و لكن أتوقع انه سوف يصل الى حد ل يستطيع زيادة سرعته‪ ,‬و ذلك كما ذكرنا لعتماده على‬
‫العمليات الميكانيكية‪ ,‬بينما ال‪ SSD‬مازال جديدًا فى السوق و سوف يحتاج الى الكثير من التطوير‪.‬‬
 ‫ل أتذكر من أى موقع هذه الصورة و لكنها من بحث صورى على جوجل‬

‫و أختم بنظرة مستقبلية لى من وجهة نظر مبرمج‪ ,‬فتخيل أن سرعة ال‪ SSD‬تزيد فى السنيين القادمة لتجعلك تتجاهل الفارق‬
‫ما بين سرعة الرام و وسيط التخزين الساسى‪ ,‬فل يوجد و قت لتحميل البيانات و تقل مشاكل قلة مساحة الرام بالنسبة للعمليات‬
‫الكبيرة‪.‬‬