TIPOS DE EMPAQUETAMIENTOS

Tipos de Empaquetamiento: Los tipos de empaquetamientos mas comunes son:

Empaquetamiento hexagonal compacto y empaquetamiento, pero tambin puede
darse un tercer tipo en algunos metales, este es el empaquetamiento cbico centrado
en el cuerpo.
Empaquetamiento hexagonal compacto: Los tomos se disponen en capas. La
segunda capa (B) se dispone sobre los huecos de la primera capa (A). La tercera capa
se coloca sobre los huecos de la segunda de forma que coincida sobre la primera.
Ejemplos son el magnesio y el cinc.
Empaquetamiento cbico compacto: La tercera capa (C) se dispone sobre los
huecos de la segunda que coinciden con huecos de la primera. La cuarta capa
coincide con la primera. La estructura resultante est formada por cubos centrados en
la cara. Ejemplos son el aluminio, cobre, plata y oro.
Empaquetamiento cbico centrado en el cuerpo: Es una tercera estructura que
presentan algunos metales como hierro, sodio o potasio y que no es compacta. El
nmero de coordinacin es 8.
Empaquetamiento Cbica Primitiva: El nmero de coordinacin es de 6 y la
compacidad del 52%.
Funcin de Espacio Libre en Algunos tipos de Empaquetamiento: Fraccin del espacio
de la celda unitaria ocupada por los tomos, suponiendo que stos son esferas
slidas.
FRACCION DE ESPACIO LIBRE EN ALGUNOS TIPOS DE EMPAQUETAMIENTOS
Fraccin de empaquetamiento


La fraccin de empaquetamiento ( fe ) es la fraccin de
espacio ocupado en la celdilla. Matemticamente:







Si nicamente existe un tipo de tomos, y stos se
consideran esferas perfectas de radio r, entonces la fraccin
de empaquetamiento se calcular como:







Siendo
n, el nmero de tomos que contiene la celdilla
Vc, el volumen de la celdilla unidad



Si existiera ms de un tipo de tomos, entonces la
definicin ha de extenderse del modo siguiente:







Siendo
ni el nmero de tomos de la especie i
ri, el radio atmico de la especie i



El concepto de fraccin de empaquetamiento, referida a
un volumen, puede extenderse a una superficie o una
direccin, basndonos en las respectivas concentraciones
superficiales o lineales. As, definiremos la fraccin de
empaquetamiento superficial sobre el plano (h k l) como:







donde n es el nmero de tomos con centro en una
regin del plano de rea A.



Del mismo modo, la fraccin de empaquetamiento
lineal a lo largo de la direccin [h k l] se definir como:







donde n es el nmero de tomos centrados en un
segmento de longitud L sobre la direccin considerada.

DEFECTOS RETICULARES
Pueden ser:
1. Puntuales
2. Lineales
3. Superficiales
4. Volumentricos
1. Puntuales.
a. Vacancias: Hueco debido a la ausencia del tomo que se encontraba en esa
posicin de la red.
b. tomo Sustitucional e Intersticial: Se trata de la presencia de tomos extraos
(impurezas o aleantes) en puntos reticulares o en huecos de la estructura cristalina de
un metal puro, o de un cristal covalente o inico.

2. lineales.
Dislocaciones: son defectos asociados a la presencia de planos reticulares anmalos
en el cristal, tanto por su ubicacin como por su orientacin.

3. Superficiales.
a. Bordes de Grano: Los bordes de grano se crean en los metales durante la
solidificacin, cuando los cristales formados a partir de diferentes ncleos crecen
simultneamente y se encuentran unos con otros Su aspecto queda determinado por
las restricciones impuestas por el crecimiento de los granos vecinos.

b. Lmites de maclas: es un tipo especial de borde de grano respecto al cual existe una
simetra de red; los tomos de un lado de ese plano son como imgenes de los
tomos que se encuentran al otro lado.

C. Fallas de Apilamiento: Son regiones que presentan una estructura cristalina
diferente a la del metal original.

4. Volumtricos:
a. Poros
b. Grietas.
c. Inclusiones.
d. Precipitados.
a.Poros:
d.Los precipitados son segundas fases que se forman en las aleaciones metlicas
debido a la disminucin de solubilidad de las soluciones slidas. El precipitado posee
una red cristalina propia, distinta de la del cristal.

Defectos Intrnsecos: son los defectos naturales, propios del material, salto de
los propios tomos.
Equilibrio de defectos de Schotty y Frenkel: Este defecto es una combinacin entre el
defecto de vacancia e intersticial, donde un tomo que se encuentra en un lugar
normal de la estructura cristalina salta hacia un lugar intersticial dejando as una
vacancia.
Defecto de Schotty: Es un par de vacancias que se presentan en los cristales inicos,
donde se debe mantener un equilibrio en la estructura cristalina. Cuando se deja una
vacancia de un anin, tambin debe dejarlo un catin para mantener un equilibrio en la
red. Debe encontrarse la misma cantidad de aniones que de cationes.
La formacin de un defecto requiere un consumo de energa, pero conlleva un
aumento de entropa, que puede compensarla. Las concentraciones de defectos
Schottky (nS) y Frenkel (nF) pueden calcularse:
nS = N exp (-HS/2RT)
nF = (N Ni)1/2 exp (-HF/2RT)
N = nmero de posiciones reticulares
Ni = el nmero de posiciones intersticiales.
Defectos extrnsecos: Son generalmente formados por el dopado de un cristal, se
decir, provienen de impurezas, precipitados, etc.
Efectos del Dopado Sobre el Equilibrio Qumico: Si en un cristal de Si (s2p2) se
sustituyen algunos tomos por B (s2p1) la banda de valencia tendr algunos huecos
que conducirn. La conductividad ser proporcional al nmero de huecos positivos y
por eso se llama un semiconductor tipo p. Si el dopaje se hace con fsforo (s2p3) hay
electrones de ms, que ocupan parcialmente la banda de conduccin; la conductividad
ser proporcional al nmero de cargas negativas en la banda de conduccin
(semiconductor tipo n).
Conductividad Inica: En la conductividad inica, la carga es transportada por iones.
Como los iones no pueden viajar fcilmente a travs del slido, la conductividad inica
slo se da en sales fundidas o en disolucin. Las disoluciones que presentan
conductividad inica se llaman electrolticas, y los compuestos que las producen,
electrlitos.
Defectos Lineales: Son las dislocaciones, alineaciones rectas, quebradas o curvas de
tomos en los cuales uno de los enlaces posibles no existe.
Se extienden en una direccin, y afectan a una fila de puntos de red.
Dislocaciones: son defectos de la red cristalina de dimensin uno, es decir que afectan
a una fila de puntos de la red de Bravais. Las dislocaciones estn definidas por el
vector de Burgers, el cual permite pasar de un punto de la red al obtenido tras aplicar
la dislocacin al mismo. Las dislocaciones suceden con mayor probabilidad en las
direcciones compactas de un cristal y son sumamente importantes para explicar el
comportamiento elstico de los metales, as como su maleabilidad, puesto que la
deformacin plstica puede ocurrir por desplazamiento de dislocaciones.
Defectos Planares: Los defectos planares ms importantes son los planos de
deslizamiento cristalogrficos (crystallographic shear planes, CS), que es la respuesta
de xido superiores de Ti, Mo y W a deficiencia de oxigeno y las estructuras
interpenetradas (bronces de wolframio).
Superficies e Interfaces: Las superficies de borde se denominan lmites de grano,
aunque a veces ese trmino se reserva para cuando los cristales en contacto son del
mismo mineral y se llaman entonces interfases a los que son de minerales distintos.
Las superficies de dislocacin son superficies con una gran concentracin de
dislocaciones que dividen al grano en dos partes denominadas en general subgranos


Slidos amorfos
Esto significa que, si pudiramos ver el cristal a escala molecular, veramos que sus
molculas estn relativamente fijas en sus posiciones, pero la disposicin no es regular.
Algo as como si mezclramos muchas partculas de la misma forma con una melaza muy
viscosa. Las partculas tendran poca libertad de movimiento, debido a la viscosidad del
medio, pero no estaran dispuestas regularmente.
Este comportamiento del vidrio es muy caracterstico, y cuando un slido presenta un
comportamiento similar decimos que presenta comportamiento vtreo. Hay que aclarar que
no todos los slidos amorfos son vtreos.

Los materiales nanoestructurados
Incluso los materiales amorfos tienen un poco de orden de corto alcance en la
escala de longitud atmica debido a la naturaleza del enlace qumico. Por otra
parte, en cristales muy pequeos de una gran fraccin de los tomos estn
situados en o cerca de la superficie del cristal; relajacin de la superficie interfacial
y efectos distorsionan las posiciones atmicas, disminuyendo el orden estructural.
Forma amorfa tienen una mayor velocidad de disolucin en comparacin con
cualquier otra forma. Incluso las ms avanzadas tcnicas de caracterizacin
estructural, como la difraccin de rayos X y microscopa electrnica de transmisin,
tienen dificultad para distinguir entre las estructuras amorfas y cristalinas de estas
escalas de longitud.