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MICRO-ONDES
Daniel COURIVAUD SIGTEL - Groupe ESIEE - 2002
SOMMAIRE
1. PARAMETRES S
13
1.1.
MATRICE CARACTRISTIQUE DUN QUADRIPLE LINAIRE
1.1.1.
CONVENTIONS
1.1.2.
MATRICE IMPDANCE
1.1.2.1.
Dfinition et signification des paramtres impdance
1.1.2.2.
Impdance dentre
1.1.2.3.
Association de quadriples
1.1.3.
MATRICE ADMITTANCE
1.1.3.1.
Dfinition et signification des paramtres admittance
1.1.3.2.
Admittance dentre
1.1.3.3.
Association de quadriples
1.1.4.
MATRICE HYBRIDE
1.1.4.1.
Dfinition et signification des paramtres hybrides
1.1.4.2.
Impdance dentre
1.1.5.
MATRICE CHANE
1.1.5.1.
Dfinition et signification des paramtres
1.1.5.2.
Impdance dentre
1.1.5.3.
Association de quadriples
1.1.6.
GNRALISATION DES MULTIPLES
1.1.7.
PROBLME DES HAUTES FRQUENCES
1.2.
PARAMTRES S
1.2.1.
ONDES INCIDENTES ET RFLCHIES
1.2.2.
PARAMTRES S GNRALISS
1.2.3.
APPLICATION UN QUADRIPLE
1.2.4.
DFINITION
1.2.5.
GRAPHE DE FLUENCE
1.2.6.
COEFFICIENT DE RFLEXION
1.2.7.
NOTION DE PUISSANCE
1.2.7.1.
Le diple
1.2.7.2.
Le gnrateur
1.2.7.3.
Pertes dinsertion
1.3.
PROPRITS
1.3.1.
LA RCIPROCIT
1.3.2.
LA SYMTRIE
1.3.3.
LUNILATRALIT
1.3.4.
LIDALIT
1.3.5.
LE QUADRIPLE RCIPROQUE PASSIF SANS PERTES
1.3.6.
DCALAGE DES PLANS DE RFRENCE
1.4.
STABILIT DES QUADRIPLES
1.5.
TRANSFERT DE PUISSANCE DANS LES CIRCUITS MICROONDES
1.5.1.
PERTES PAR DSADAPTATION
1.5.2.
GAINS EN PUISSANCE DES QUADRIPLES
14
14
14
15
15
15
16
16
17
17
17
18
18
19
19
20
20
20
20
23
23
26
29
30
32
32
36
36
37
41
43
43
43
44
44
45
46
50
55
55
57
1.5.2.1.
Calcul du gain transducique avec les graphes
1.5.2.2.
Calcul littral du gain transducique
1.5.2.3.
Relations entre les gains en puissance
1.5.2.4.
Relation entre gain transducique et pertes par
dsadaptation
1.5.2.5.
Expression du gain transducique en fonction des
paramtres chane
1.5.2.6.
Gain transducique unilatral
1.5.3.
GAIN EN TENSION
1.5.3.1.
Relation entre gain en tension et gain transducique
58
60
61
2. DISPOSITIFS MICROONDES
69
2.1.
LATTNUATEUR
2.1.1.
FONCTIONNEMENT
2.1.2.
TECHNOLOGIE
2.1.2.1.
Elments localiss
2.1.2.2.
Guide donde
2.1.2.3.
Circuits intgrs
2.1.3.
APPLICATIONS
2.1.3.1.
Protection dun appareil de mesure
2.1.3.2.
Masquage dune dsadaptation
2.2.
LE DPHASEUR
2.2.1.
FONCTIONNEMENT
2.2.2.
TECHNOLOGIE
2.2.2.1.
Elments localiss
2.2.2.2.
Elments distribus
2.2.2.3.
Circuits intgrs
2.2.3.
APPLICATIONS
2.3.
LISOLATEUR
2.3.1.
FONCTIONNEMENT
2.3.2.
TECHNOLOGIE
2.3.2.1.
Technologie hybride
2.3.2.2.
Circuits intgrs
2.3.3.
APPLICATIONS
2.4.
LE CIRCULATEUR
2.4.1.
FONCTIONNEMENT
2.4.2.
TECHNOLOGIE
2.4.3.
APPLICATIONS
2.4.3.1.
Duplexage
2.4.3.2.
Amplification rsistance ngative
2.5.
DIVISEURS. COMBINEURS DE PUISSANCE
2.5.1.
FONCTIONNEMENT
2.5.2.
TECHNOLOGIE
2.5.2.1.
Diviseur rsistif
2.5.2.2.
Diviseur combineur Wilkinson
2.5.3.
APPLICATIONS
70
70
70
71
72
73
73
73
74
75
75
75
75
78
78
79
80
80
80
80
80
81
82
82
82
84
84
85
86
86
88
88
90
91
61
62
63
65
67
91
2.5.3.1.
Boucle verrouillage de phase
91
2.5.3.2.
Amplification de puissance
92
2.6.
COUPLEUR BIDIRECTIONNEL
92
2.6.1.
FONCTIONNEMENT
94
2.6.2.
TECHNOLOGIE
94
2.6.2.1.
Guides dondes
95
2.6.2.2.
Coupleur microstrip
95
2.6.3.
APPLICATIONS
95
2.6.3.1.
Contrle de niveau, asservissement
96
2.6.3.2.
Mesure dun coefficient de rflexion
97
2.7.
JONCTIONS HYBRIDES
97
2.7.1.
FONCTIONNEMENT
99
2.7.2.
TECHNOLOGIE
99
2.7.2.1.
Technologie microstrip
100
2.7.2.2.
Autres technologies
2.7.3.
CALCUL DES MATRICES S DES DISPOSITIFS PRSENTANT UN AXE
100
DE SYMTRIE
103
2.7.4.
CALCUL DE LA MATRICE S DE LA JONCTION BRANCHLINE
107
2.7.5.
APPLICATIONS
107
2.7.5.1.
Jonctions 90
109
2.7.5.2.
Jonctions 180
3. PROPAGATION SUR LES LIGNES DE TRANSMISSION
111
3.1.
3.2.
3.3.
3.4.
3.5.
3.5.1.
3.5.2.
3.5.3.
3.5.4.
3.5.5.
3.5.6.
112
115
116
117
118
119
120
122
123
124
125
PARAMTRES DESCRIPTIFS
LIGNES SANS PERTES
VITESSES DE PROPAGATION
LONGUEUR DONDE
LIGNES CHARGES
COEFFICIENTS DE RFLEXION
TAUX DONDE STATIONNAIRE
IMPDANCE DENTRE
LIGNE EN CIRCUIT OUVERT
LIGNE EN COURT CIRCUIT
TRONON DE LIGNE QUART DONDE
127
4.1.
LA LIGNE COAXIALE
4.2.
LA LIGNE MICROSTRIP
4.2.1.
IMPDANCE CARACTRISTIQUE
4.2.2.
LONGUEUR DONDE GUIDE
4.2.3.
PERTES
4.2.3.1.
Pertes dilectriques
4.2.3.2.
Pertes ohmiques
4.2.4.
DISPERSION
128
130
130
131
133
133
133
134
4.2.5.
RAYONNEMENT
4.2.6.
RSONANCE TRANSVERSE
4.2.7.
LE CIRCUIT OUVERT
4.2.8.
LES COUDES
4.2.9.
LA JONCTION DE LIGNES MICROSTRIP
4.2.10.
AUTRES DISCONTINUITS
4.3.
AUTRES LIGNES
135
135
136
136
137
139
140
141
5.1.
LABAQUE DE SMITH
5.1.1.
LA CHARGE 50 OHMS
5.1.2.
LA CHARGE CAPACITIVE
5.1.3.
LA CHARGE INDUCTIVE
5.1.4.
LE CIRCUIT RSONANT PARALLLE
5.1.5.
LE CIRCUIT RSONANT SRIE
5.1.6.
LE COURT CIRCUIT
5.1.7.
LE CIRCUIT OUVERT
5.2.
LES APPLICATIONS DE LABAQUE DE SMITH
5.2.1.
CONVERSION IMPDANCE-COEFFICIENT DE RFLEXION
5.2.2.
CONVERSION IMPDANCE ADMITTANCE
5.2.3.
IMPDANCES PARTIE RELLE NGATIVE
5.3.
LADAPTATION
5.3.1.
LADAPTATION LMENTS LOCALISS
5.3.1.1.
Linductance srie
5.3.1.2.
La capacit srie
5.3.1.3.
Linductance parallle
5.3.1.4.
La capacit parallle
5.3.1.5.
Exemple
5.3.1.6.
Notion de slectivit
5.3.1.7.
Topologies des rseaux d'adaptation
5.3.1.7.1.
Topologies srie parallle
5.3.1.7.2.
Topologies parallle srie
5.3.2.
LADAPTATION LMENTS DISTRIBUS
5.3.2.1.
Le tronon de ligne sans pertes
5.3.2.2.
Le stub court circuit
5.3.2.3.
Le stub circuit ouvert
5.3.2.4.
Le transformateur quart donde
5.3.2.5.
Le changement dimpdance de normalisation
5.3.2.6.
Adaptation simple stub
5.3.2.7.
Adaptation double stub
142
146
146
147
148
148
149
149
150
150
150
152
153
154
154
155
155
156
157
160
161
164
168
173
173
176
177
178
179
181
185
6. ANNEXES
189
6.1.
190
6.1.1.
ZIJ = F (YIJ)
6.1.2.
ZIJ = F (A, B, C, D)
6.1.3.
ZIJ = F (SIJ)
6.1.4.
YIJ = F (ZIJ)
6.1.5.
YIJ = F (A, B, C, D)
6.1.6.
YIJ = F (SIJ)
6.1.7.
A, B, C, D = F (ZIJ)
6.1.8.
A, B, C, D = F (YIJ)
6.1.9.
A, B, C, D = F (SIJ)
6.1.10.
SIJ = F (ZIJ)
6.1.11.
SIJ = F (YIJ)
6.1.12.
SIJ = F (A, B, C, D)
6.2.
QUELQUES MATRICES LMENTAIRES
6.2.1.
LIMPDANCE SRIE
6.2.2.
LADMITTANCE PARALLLE
6.2.3.
LE TRANSFORMATEUR IDAL
6.2.4.
LE TRONON DE LIGNE SANS PERTES
6.3.
LES GRAPHES DE FLUENCE
190
191
191
192
192
193
193
194
194
195
196
196
197
197
198
199
200
201
7. BIBLIOGRAPHIE
205
~
1. PARAMETRES S
')(
1.1.
I1
V1
I2
V2
*+ ,-./0 12.3
9&:
Z 11 =
V 1
I 1I 2=0
Z 12 =
V 1
I 2I 1=0
Z 21 =
V 2
I 1I 2=0
Z 22 =
V 2
I 2I 1=0
Z in = Z 11 -
Z 12 Z 21
Z L + Z 22
1.1.2.3.Association de quadriples
Z1
Z2
Figure 1-2 : Quadriples en srie
J)K
Y 11 =
I 1
V 1V 2=0
Y 12 =
I 1
V 2V 1=0
Y 21 =
I 2
V 1V 2=0
Y 22 =
I 2
V 2V 1=0
LM NOPQR STPU
[)\
1.1.3.2.Admittance dentre
Ladmittance dentre du quadriple charg par YL scrit :
Y in = Y 11 -
Y 12 Y 21
Y L + Y 22
1.1.3.3.Association de quadriples
Y1
Y2
Figure 1-3 : Quadriples en parallle
I 2 = H 21 I 1 + H 22 V 2
Sous forme matricielle :
V 1
I 1
= [H]
I 2
V 2
]^ _`abc deaf
l)m
H 11 =
V 1
I 1V 2=0
H 12 =
V 1
V 2I 1=0
H 21 =
I 2
I 1V 2=0
H 22 =
I 2
V 2I 1=0
Z in = H 11 -
no pqrst uvrw
H 12 H 21 Z L
1+ H 22 Z L
}~
I 1 = CV 2 - D I 2
Sous forme matricielle
V 1
V 2
= [C]
I 1
- I 2
1.1.5.1.Dfinition et signification des
paramtres
Les quatre paramtres chane sont dfinis comme suit :
A reprsente le gain en tension inverse lorsque la sortie est en
circuit ouvert
B et C reprsentent une impdance et une admittance de
transfert
D reprsente l'oppos du gain en courant inverse lorsque la
sortie est en court circuit.
!#&
1.1.5.2.Impdance dentre
Limpdance dentre du quadriple charge par ZL scrit
Z in =
AZL+ B
CZL+ D
1.1.5.3.Association de quadriples
C1
C3
!#&
1
Re(VI * )
2
!#&
!#&
1.2.
Paramtres S
1.2.1. Ondes incidentes et rflchies
ZS
I
ZL
VL
VS
VS
ZS + ZL
VS
ZS + ZL
!#&
(RL + RS )
RL
2
+ (X L + X S )
2(X L + X S )
((R
L + RS ) + ( X L + X S )
2 2
=0
X L = X S
PL
X L = X S
VS
RL
2 (RL + RS )2
X L = X S
RL
VS
2
(RL + RS )2 2 RL (RL + RS ) = 0
(RL + RS )4
RL = RS
ZS = Z
*
L
PL =
VS
8 RS
!#&
II
IR
ZS
VI
VR
ZL
VS
VL = V I = VS
V R = V V I = VS
Z S (Z L Z S* )
(Z S + Z S* )(Z S + Z L )
Z L Z S*
I R = I I I = VS
(Z S + Z S* )(Z S + Z L )
!#&
b j = S jk a k
k =1
!
aj =
bj =
2
Z 0 j + Z 0* j
2
I jI
I jR
I jI =
2
aj
Z 0 j + Z 0* j
I jR =
2
bj
Z 0 j + Z 0* j
I j = I jI I jR =
2
(a j b j )
Z 0 j + Z 0* j
V j = V jI + V jR = Z 0* j I jI + Z 0 j I jR =
2
(a j Z 0* j + b j Z 0 j )
*
Z0 j + Z0 j
%&
V j + Z0 j I j
2(Z 0 j + Z 0* j )
V j Z 0* j I j
2(Z 0 j + Z 0* j )
REMARQUE :
La dimension de ces paramtres a et b est une racine carre de
puissance. On verra par la suite que cette formulation permet de
traiter de faon extrmement simple les problmes de transfert de
puissance dans les circuits micro-ondes.
Lorigine de la dfinition de a et b fait appel aux courants incident et
rflchi. On les appellera donc les ondes incidente et rflchie.
Z0j, limpdance de normalisation laccs j est complexe dans le
cas gnral. Si on appelle R0j et X0j les parties relle et imaginaire
de Z0j, les paramtres a et b se mettent sous la forme suivante :
aj =
bj =
V j + Z0 j I j
2 R0 j
V j Z 0* j I j
2 R0 j
67
aj =
bj =
2 R0 j
V j R0 j I j
2 R0 j
V j + R0 I j
2 R0
V j R0 I j
2 R0
a1 =
V 1+ Z1 I1
2 Re ( Z 1 )
a2 =
V 2+ Z2 I2
2 Re ( Z 2 )
b1 =
*
V 1 - Z1 I1
2 Re ( Z 1 )
b2 =
*
V 2 - Z2 I2
2 Re ( Z 2 )
GH
I1
I2
a1 =
V 1 + R0 I 1
2 R0
a2 =
V 2 + R0 I 2
2 R0
b1 =
V 1 - R0 I 1
2 R0
b2 =
V 2 - R0 I 2
2 R0
XZY
S 11 =
b1
lorsque a 2 = 0.
a1
S 12 =
b1
lorsque a1 = 0
a2
S 21 =
b2
lorsque a 2 = 0
a1
S 22 =
b2
lorsque a 1 = 0
a2
jk
V 1 = - R0 I 1
V 2 = - R0 I 2
V j = - Z 0j I j
{Z|
I
a
V
a=
b=
V + Z0 I
2 R0
V - Z 0* I
2 R0
b V - Z 0* I Z L - Z 0*
= =
=
a V + Z0 I Z L + Z0
Le coefficient de rflexion quantifie en amplitude et en phase
lnergie rflchie par le diple. Il existe un autre formalisme, issu
de la thorie des lignes de transmission, permettant de mesurer
lnergie rflchie : le Taux dOnde Stationnaire . Cependant, celuici ne donne aucune indication sur la phase de signal rflchi. Sa
dfinition est la suivante :
TOS =
!
1+| |
1-| |
Exercice :
Que peut on dire du coefficient de rflexion et du TOS des diples
suivants : rsistance 50 , rsistance 100 , rsistance 25 , court
circuit, circuit ouvert, inductance sans perte, capacit sans perte ?
Pour un quadriple caractris par ses paramtres S et charg par
un coefficient de rflexion L, le coefficient de rflexion lentre
scrit :
in =
b1
a2
avec L =
a1
b2
a1
a2
Q
b1
in
On obtient :
in =
b1 = + S 12 S 21 L
S 11
1 - S 22 L
a1
!
21
11
22
a2
12
b1
a1
!
T = C1
[1 - L + L
1
1
1
2
P =
1
Re (V I * )
2
!
I
a
V
P =
1
2
( |a | -|b| )
2
b
S
!
ZS= ZL
Londe b rflchie par la charge se met sous la forme :
b = La
On en dduit lexpression de londe directe a :
a=
bS
1 - L S
!
Remarque :
Londe directe a peut galement tre vue comme la superposition
de plusieurs termes issus de rflexions successives sur la charge et
le gnrateur :
a = bS + bS L S + bS (L S ) +
+ bS (L S )
a=
bS
1 - L S
1
bs
!
[1 - L + L
1
1
a=
bS
1- | S |2
P av =
!
| V S |2
8 RS
1.2.7.3.Pertes dinsertion
Les pertes dinsertion dun quadriple se dfinissent comme le
rapport de la puissance dlivre la charge PL sur la puissance
disponible du gnrateur Pav.
PL
a1
a2
Q
b
PL =
1
2
2
|b2 | - |a 2 |
2
PL =
1
2
|b2 |
2
Pav =
1
2
|a1|
2
()
Les
pertes
dinsertion
dun
quadriple
insr
entre
deux
4 0 5"/#-$-6 37 8
2
2
= |S 21|
9:
1.3.
Proprits
1.3.1. La rciprocit
c = 1
Y 12 = Y 21
S 12 = S 21
A = D
Y 11 = Y 22
S 11 = S 22
E A F"@#>$>G DH I
JK
1.3.3. Lunilatralit
Lunilatralit dun quadriple est un cas particulier de non
rciprocit. Non seulement le transfert interne dnergie nest pas
identique dans les deux sens, mais en plus il est nul pour lune des
deux directions de propagation du signal. Les conditions lectriques
satisfaire sont les suivantes :
Z 12 = 0
c = 0
Y 12 = 0
S 12 = 0
V R W"Q#O$OX UY Z
[[
S12 + S 22
2
=1
g c h"b#`$`i fj k
lm
S 11 S 12 + S 12 S 22 = 0
On en dduit que les modules des paramtres S11 et S22 dun
quadriple rciproque passif sans pertes sont gaux.
La troisime relation permet dtablir une relation entre les phases
des paramtres S11 , S12 et S22. Cette relation se simplifie si le
quadriple est symtrique.
12 =
11 + 22
+
2
2
x t y"s#q$qz w{ |
}~
P1
P2
P'
[S ]
P'
[S ']
Figure 1-16: Insertion de quadriples connus aux accs du quadriple mesurer
des
accs,
associe
la
"#$
exp l2
et l2 les
[S ] = [D][S ][D]
'
[D] = 0
"#$
0
0
0
0
exp ln
"#$
1.4.
S 12 S 21 L
S 11 - S L
=
1 - S 22 L
1 - S 22 L
2 = S 22 +
S 12 S 21 S
S 22 - S S
=
1 - S 11 S
1 - S 11 S
"#$
( S 22 - S S*11 )
S 12 S 21
=
2
2
2
2
|S 22 | -| S |
|S 22 | -| S |
( S 11 - S S*22 )
S 12 S 21
=
2
2
2
2
|S 11| -| S |
|S 11| -| S |
( S 11 - S S*22 )
(Respectivement C 2 =
2
2 )
|S 11| -| S |
et de rayon R1 =
S 12 S 21
2
2
|S 22 | -| S |
(Respectivement R2 =
"#$
S 12 S 21
2
2 )
|S 11| -| S |
zo n e in s t a b le
s i |S | < 1
11
zo n e s t a b le
s i |S | > 1
11
zo n e s t a b le
/10
peut
galement
traduire
les
conditions
de
stabilit
K=
2 S12 S 21
2
> S12 S 21
1 S11
2
> S12 S 21
1 S 22
K > 1
2
2
B = 1 + S11 S 22
K > 1
S < 1
> 0
AB
1.5.
PL
P A VS
PL
PAVS
R1R
1 bS
=
2 1 S
PAVS
1
2
a1 b1
2
) = 12 a (1 )
2
(1 )(1 )
2
Ce rapport vaut :
a1
1
=
bS 1 S L
Finalement les pertes par dsadaptation scrivent :
(1 )(1 )
ML =
2
1 S L
Exemple :
Les pertes par dsadaptation entre une charge 40 et une charge
60 valent : ML = 1.04 = 0.18 dB
b1c
P in
P A VN
PL
P A VS
s1t
GT =
=
GP =
PL
1- | S |2 | S 21|2 1- | L |2
=
PAVS
(1 - S 11 S )(1 - S 22 L ) S12 S 21 S L 2
1- | S |2
1 1S
| S 21|2
1- | L |2
1 - S 22 L
1- | S |2
1 S11S
| S 21|2
1- | L |2
1 - 2 L
2
PL
1
2 1- | L |
|
=
S 21|
2
PIN 1 1 2
1 - S 22 L
PAVN
1- | S |2
1
GA =
| |2
=
2 S 21
PAVS
1- | 2|2
1 S11S
Le gain transducique est toujours infrieur ou gal au gain
disponible GA (respectivement au gain en puissance GP), lgalit
ntant assure que pour un transfert de puissance optimum en
sortie (respectivement en entre).
1.5.2.1.Calcul du gain transducique avec les
graphes
On peut tablir la formule du gain transducique en utilisant la
thorie des graphes.
{ zxx~
a1
bs
11
b1
b2
21
22
a2
12
1
2
b2 a 2
2
) = 12 b (1 )
2
PAVS
1 bS
=
2 1 S
(1 )(1 )
2
(1 )(1 ) = (
2
(1 ) S (1 )
2
21
b2 = S 21 a1 + S 22 a 2
a1 = S b1
a 2 = L b2
On en dduit :
b2
S 21
=
a1 1 S 22 L
On a galement vu (paragraphe 1.2.7.2) que londe directe mise
par un gnrateur (bS, S) vers une charge L se mettait sous la
forme :
a1 =
bS
1 - L S
a1 =
bS
1 - 1 S
a1
1
=
bS 1 - 1 S
d' o
a1
bS
(1 )(1
2
) = (1 ) S (1 )
2
21
(1 1S )(1 S 22 L ) 2
On obtient alors :
)(
1 S 1 L
1
GT =
=
2
ML
1 S L
2
PAVS =
ES
8 RS
V1 + Z S I 1
8 RS
AZ L + B + CZ S Z L + DZ S
8RS
I2
PL =
1
RL I 2
2
PL
4 RS RL
=
PAVS
AZ L + B + CZ S Z L + DZ S
G TU
G TUmax =
1
1
|2
2 |S 21
2
1-|S 11|
1-|S 22 |
un
transistor
MESFET
AsGa
possdant
les
S12=0.04 exp j 64
S22=0.52 exp j 20
1
1 S11
S 21
1
1 S 22
in
V
in
Z
2
V2 = R0 (a 2 + b2 )
On peut dfinir une forme de gain en tension du quadriple de la
faon suivante :
GV =
V2 a 2 + b2
=
V1 a1 + b1
a1
1 S 22 L
=
bS 1 (S S11 + L S 22 + S12 S 21S L ) + S S11L S 22
b1
S11 (1 S 22 L ) + S12 S 21L
=
bS 1 (S S11 + L S 22 + S12 S 21S L ) + S S11L S 22
On en dduit le gain en tension :
GV =
S 21 (1 + L )
1 S 22 L + S11 (1 S 22 L ) + S12 S 21L
Z in
(1 + in )(1 S )
V2 V2 V1
S 21 (1 + L )
=
= GV
=
VS V1 VS
Z in + Z S
2 (1 S in ) 1 S 22 L + S11 (1 S 22 L ) + S12 S 21L
!"#
$ %
&"'
($ )#!!*'+,
-.
On obtient :
1 V2
2 RL
P
GT = L =
PAVS
VS
R V2
=4 S
R L VS
2
2
=4
RS '
GV
RL
8RS
/0 1234
5 6
738
95 :422;8<=
>?
2. DISPOSITIFS MICROONDES
@A BCDE
F G
HDI
JF KECCLIMN
OP
2.1.
Lattnuateur
2.1.1. Fonctionnement
Lattnuateur
idal
est
un
quadriple
rciproque,
dissipatif
QR STUV
W X
YUZ
[W \VTT]Z^_
`ba
2.1.2.1.Elments localiss
Les structures les plus courantes sont les structures en pi et en t.
Z1
Z2
Z1
Z2
Z3
Z1=
cd efgh
i j
kgl
1 A+1
- Z3
Z in A - 1
Z2=
1 A+1
- Z3
Z out A - 1
Z3=
2
A
A - 1 Z in Z out
mi nhffolpq
r s
Pour la structure en t :
Z 1 = Z in
A+1
- Z3
A-1
Z 2 = Z out
A+1
- Z3
A-1
Z3=
2 Z in Z out A
A-1
Rs
Rp
2.1.2.2.Guide donde
Un guide donde sous la coupure met en jeu des ondes
vanescentes dont lattnuation dpend de la frquence de travail
et de la distance parcourue. En faisant varier cette distance par des
dispositifs micromtriques on rgle avec prcision lattnuation
introduite dans le signal.
tu vwxy
z {
|x}
~z yww}
2.1.2.3.Circuits intgrs
Les transistors MESFET utiliss dans les circuits intgrs MMIC
peuvent tre utiliss comme rsistance commandable pour former
des attnuateurs en pi ou en t.
2.1.3. Applications
Voici une liste non exhaustive des applications dun attnuateur.
2.1.3.1.Protection dun appareil de mesure
Un attnuateur peut tre utilis pour protger un dispositif contre les
trop fortes puissances. Il est courant dintroduire une telle protection
dans une chane de mesure o les rcepteurs sont toujours limits
en puissance dentre (analyseur de spectre, analyseur de rseau
vectoriel).
> 10 d B
40 d B m
30 dBm
max !
10 d B m
10 d B
0 dB m
|= 1
0 dB m
- 1 0 dB m
2.2.
Le dphaseur
2.2.1. Fonctionnement
S =
j
0
exp
Lorsquun tel dphaseur est insr entre deux charges gales la
rsistance de normalisation, le dphasage introduit vaut : Arg (S21)
= .
En pratique on tient compte dune ventuelle dsadaptation, dune
attnuation parasite, voire dune dpendance en fonction de la
frquence.
2.2.2. Technologie
Les dphaseurs microondes peuvent tre fixes ou variables voire
commandables par un signal logique suivant la technologie et la
topologie employes pour les concevoir.
2.2.2.1.Elments localiss
Les structures en pi, passe haut ou passe bas permettent
dapporter un dphasage positif ou ngatif.
Exemple :
On souhaite raliser un dphaseur 90 sy mtrique, sans pertes,
adapt fonctionnant la frquence de 1 GHz partir dune
topologie en pi. On prendra les conventions de la figure suivante :
3 .2 p F
8 nH
8 nH
SD =
=
exp j 90
0 j 0
CC =
y (2 + yz ) 1 + yz
CD =
j
0
3 .2 p F
8 nH
8 nH
2.2.2.2.Elments distribus
Aux frquences microondes, les dimensions du circuit ne sont ni
trs petites devant la longueur donde (comme cest le cas aux
basses frquences), ni trs grandes (comme cest le cas en
optique). Un dphasage significatif est donc apport ds que le
signal se propage sur quelques centimtres. On comprend bien
quun tronon de ligne de transmission permet de raliser cette
fonction.
Un cable coaxial dont le dilectrique central possde une
permittivit dilectrique relative de 2.1 apporte un dphasage de
2.2.3. Applications
Un dphaseur 90
Vo ie Q
+
90
Vo ie I
dans
la
partie
dmodulation
des
rcepteurs
correspondants.
2.3.
Lisolateur
2.3.1. Fonctionnement
1 0
Par dfinition, un tel dispositif est non rciproque puisquil transmet
parfaitement le signal dans un sens, alors quil lattnue infiniment
dans lautre sens.
En pratique, on tient compte dune ventuelle dsadaptation, dune
attnuation dans le sens direct, dune attnuation non infinie dans le
sens inverse et dune dpendance en fonction de la frquence.
2.3.2. Technologie
2.3.2.1.Technologie hybride
Les isolateurs passifs sont raliss partir de morceaux de ferrites
monts sur support et connectoriss. Les ferrites sont des
matriaux dont le comportement dpend de lorientation du champ
lectrique qui lui est appliqu.
2.3.2.2.Circuits intgrs
On peut utiliser les S12 des transistors MESFET pour raliser des
isolateurs MMIC qui ont lavantage davoir une taille rduite mais
prsentent linconvnient daccepter une puissance relativement
faible sous peine de destruction.
2.3.3. Applications
La principale application dun isolateur consiste protger une
source dun circuit de charge ventuellement dsadapt.
1 0 dB m
10 d B m
| . |= 1
1 0 dB m
0 mW
S=
0
1 dB
On obtient alors le diagramme de transfert de puissance suivant :
- 1 dB
10 d B m
9 dB m
| . |= 1
-1 1 d B m
- 20 d B
9 dB m
!"# $
%!
&
'# (")&*+
,-
2.4.
Le circulateur
2.4.1. Fonctionnement
/0 12345 6
73
8
95 :422;8<=
>?
Figure
2-12 :
Equivalence
circulateur charg et isolateur
entre
20 d B
0 dB
TOS
1
@A BCDEF G
HD
I
JF KECCLIMN
OQP
2.4.3. Applications
Voici une liste non exhaustive des applications mettant en jeu des
circulateurs.
2.4.3.1.Duplexage
Deux circulateurs peuvent tre utiliss pour partager une antenne
entre un metteur et un rcepteur.
R cep teu r
A n ten n e
Em e t te u r
50 o h ms
RS TUVWX Y
ZV
[
\X ]WUU^[_`
ab
R<0
In p u t
O u tp u t
cd efghi j
kg
l
mi nhffolpq
rQs
2.5.
S = S 21
0
0
0
0
S 31
La convention prise pour les accs est la suivante :
2
1
Diviseur
3
tu vwxyz {
|x
}
~z yww}
S= 0
0 S32
0
S 31 S32
La convention prise pour les accs est prcise dans la figure cidessous.
C ombineur
2.5.2. Technologie
2.5.2.1.Diviseur rsistif
En lments localiss, on peut utiliser la structure symtrique
suivante :
R
R
S 11 = S 22 = S 33 =
R - 50 / 3
R + 50
S 21 = S 31 = S 32 =
100
3(R + 50)
S = 1 / 2
0 1 / 2
1 / 2 1 / 2
0
Quel que soit laccs utilis, la puissance applique cet accs est
parfaitement divise entre les deux autres accs, sans aucune
rflexion parasite. Ceci seffectue au dtriment de la moiti de la
puissance incidente qui est dissipe dans les rsistances internes
au circuit. Les accs de sortie ne sont pas isols.
1 6.7
10 m W
16 .7
5 mW
1 6.7
2 .5 m W
.5
/4
2
70
.7
10 0
50
70
3
.7
/4
La matrice S scrit :
0 - 1/ 2 - 1/ 2
0
0
S = - 1/ 2
0
0
- 1/ 2
2.5.3. Applications
2.5.3.1.Boucle verrouillage de phase
On cherche prlever une partie du signal dun oscillateur pour
lasservir.
P LL
50 m W
1 7 dB m
100 m W
2 0 dB m
10 m W
1 0 dB m
5 mW
7 dB m
50 m W
1 7 dB m
2.6.
Coupleur bidirectionnel
2.6.1. Fonctionnement
0 S 23 S 24
S 12
S=
0 S 34
S13 S 23
0
S 14 S 24 S 34
La convention prise pour les accs est la suivante :
4
3
En dveloppant, on obtient :
S12
S12
S13
S14
+ S13 + S14
=1
+ S 23 + S 24
=1
+ S 23 + S 34
2
=1
+ S 24 + S 34
=1
2
2
2
S13 + S 23 = S14 + S 24
2
2
On en dduit :
S14 = S 23
En introduisant cette relation dans le systme dquations issu de la
relation dunitarit, on aboutit :
S12
S12
S13
S14
+ S13 + S14
=1
+ S14 + S 24
=1
+ S14 + S 34
2
=1
+ S 24 + S 34
=1
2
2
2
S13 + S14 + S 34 = 1
ce qui permet dcrire :
S12 = S 34
En rsum, un coupleur bidirectionnel prsente donc les
caractristiques suivantes :
S14 = S 23
S13 = S 24
S12 = S 34
La premire proprit est la symtrie de couplage. La troisime est
la symtrie disolation.
Dun point de vue terminologie on introduit les notions suivantes :
Pertes dinsertion
S31, S13
Couplage
S41 , S32
Isolation
S21 , S43
Directivit
S41 / S21
2.6.2. Technologie
2.6.2.1.Guides dondes
Deux tronons de guide donde rectangulaire sont superposs pour
raliser le dispositif 4 accs. Le couplage nergtique entre les
!
/4
s
w
12
50 ohms
50 ohm s
H I
CD
2.7.
Jonctions hybrides
2.7.1. Fonctionnement
0 S 23 S 24
0
S=
0
0
S13 S 23
0
0
S 14 S 24
avec
S13 = S14 = S 23 = S 24 =
1
2
YZ
0 0 1 j
1 0 0 j 1
S 90 =
2 1 j 0 0
j 1 0 0
0 0
1 0 0
S 180 =
2 1 1
1 - 1
1 - 1
0 0
0 0
1
j k
2.7.2. Technologie
2.7.2.1.Technologie microstrip
La jonction branchline est une jonction 90 forme de quatre
tronons de ligne quart donde.
35.36 |
50 |
50 |
} /4
50 |
50 |
} /4
50 |
50 |
3 5.36 |
/4
3
s
w
2
{{
1
/ 4
50
/ 4
50
/ 4
3 5.36
2
50
4
50
/ 4
2.7.2.2.Autres technologies
Aux frquences RF on ralise des jonctions partir de
transformateurs permettant ainsi de rduire la taille de ces
dispositifs. En technologie MMIC, de telles jonctions sont ralises
en lments localiss.
2.7.3. Calcul des matrices S des dispositifs
prsentant un axe de symtrie
La matrice S de ce type de structure se calcule laide de la thorie
des modes pairs et impairs. Celle ci sapplique tout dispositif 2n
accs possdant un plan de symtrie.
= S
b p n
[ ]
a p 1
b i 1
a i 1
et = S
a p n
b i n
a i n
[ ]
= S
b p 2 n
[ ]
a p n +1
a p 2 n
et
b i n +1
a i n +1
= S
b i 2 n
a i 2 n
[ ]
=
+
p
a 2 n a 2 n
a i 1
a i 2 n
et
b 1 b p 1
=
+
p
b2 n b 2 n
b i 1
b i 2 n
a p n a p 2 n
et
a i 1
a i n +1
a i n
a i 2 n
ce qui conduit
b p 1
= S
b p n
[ ]
b p n+1
= S
b p 2 n
[ ]
a p 1
b i 1
a i 1
et = S
a p n
b i n
a i n
a p 1
a p n
[ ]
et
b i n +1
=S
b i 2 n
et
a i 1
a 1 a n+1
1
i
a n
a n a 2 n
[ ]
a i 1
a i n
On en dduit :
a p 1
a 1 a n +1
=
+
p
a n
a n a 2 n
a1
) + 1 ( S p S i
2
a n
[ ] [ ]
a n +1
)
a 2 n
[ ] [ ]
bn +1
= 1 ( S p S i
2
b2 n
a1
) + 1 ( S p + S i
2
a n
a n +1
)
a 2 n
[ ] [ ]
[ ] [ ]
[S ] = 1 [S p ]+ [S i ]
[S ] [S ]
2 [S ] [S ] [S ]+ [S ]
50
3 5 .3 6
/4
/4
3 5 .3 6
50
/4
/4
50
3 5 .3 6
50
/8
3 5 .3 6
/4
QP
/8
/4
QI
50
PP
3 5 .3 6
50
PI
3 5 .3 6
/8
/8
/8
3 5 .3 6
/8
3 5 .3 6
/8
50
II
50
IP
/8
/8
/8
[S ] =
1 [S P ] + [S I ]
2 [S P ] [S I ]
[S P ] [S I ]
[S P ] + [S I ]
avec
[S P ] =
1 pp + pi
2 pp pi
pp pi
pp + pi
et
[S I ] =
1 ip + ii
2 ip ii
ip ii
ip + ii
Z0
ZC
Z0
ZC
j 1+ 2
Diple pi
j 1 2
Diple ip
Diple ii
j 1 2
( )
1 j (1 2 )
1+ j 1+ 2
j 1+ 2
normalise
Coefficient
de
rflexion
( )
1 + j (1 + 2 )
1 j 1+ 2
( )
1 + j (1 2 )
1 j 1 2
1+ j 1 2
( )
1 j (1 + 2 )
associ
1 j 0 1 0
[S ] =
2 0 1 0 j
1 0 j 0
S =
3 - 4
1
2 j( + )
3
4
j( 3 + 4 )
4 - 3
%
3
9 0
%
"#$
0
S =
j
1
A
9 0
dB
2
A
dB
50 8
En t r e
50 8
S o rt ie
&
' (
)*+, -.*/
0, 1+))2/34
j S 12
567
S =
2 - +
3
4
3 4
K
3
180
K
RF
IF
180
OL
M
RF - OL
9
: ;
<=>? @A=B
C? D><<EBFG
HIJ
N
O P
QRST UVRW
XT YSQQZW[\
]^]_
`
a b
cdef ghdi
jf kecclimn
o^o^o
Paramtres descriptifs
z = RI + L t
= GV + C
z
t
p
q r
stuv wxty
zv {uss|y}~
^
(R + jL )(G + jC ) = + j
z
z
j t
I ( z ) = (I i exp + I r exp )exp
Le terme Vi exp- reprsente londe incidente se propageant dans
le sens des z croissants. Le terme Vr exp reprsente londe
rflchie se propageant dans le sens des z dcroissants.
En ce qui concerne le courant, les termes incident et rflchi
sexpriment en fonction des tensions incidente et rflchie.
V
z
-z
j t
= - (R + jL ) I = - V i exp + V r exp exp
z
On en dduit
I =
=
-z
jt
z
V i exp -V r exp exp
R + jL
G + jC
-z
jt
z
V i exp -V r exp exp
R + jL
Z0 =
Vi
Vr
= =
Ii
Ir
R + jL
G + jC
^
3.2.
=0
= LC
L
Z0 =
C
G
R
LC 2 L + 2C
LC
L
Z0
3.3.
Vitesses de propagation
Vp =
dz
=
=
dt
1
LC
V p=
Vg=
d
d
Longueur donde
t - z = t - (z + )+ 2
On en tire
2
2v
v
=
=
0 =
c
f
g =
v
=
f
r f
0
r
3.5.
Lignes charges
exp jt
considre
une
ligne
de
transmission
dimpdance
Z , l
0
I = I + I = Vi Vr
i
r
L
Z0
Limpdance de charge ZL peut se mettre sous la forme :
ZL
VL
V i +V r
=
= Z0
= Z0
IL
V i -V r
Vr
1+ L
Vi
= Z0
Vr
1 - L
1Vi
1+
= Z L Z0
Z L+ Z0
zL =
ZL
Z0
zL =
L
(z)
z
V r exp
Vr
exp2z = L exp2z
=
-z =
Vi
V i exp
A lentre de la ligne (z = - l)
in = L exp
-2 l
VSWR =
|V i |+|V r |
1+| L |
V max
=
=
|V i |-|V r |
1-| L |
V min
1 + L2 + 2 L cos(2 z + L )
!"#$ %
&"
'
($ )#!!*'+,
-.-
@
V
/2
m ax
V m in
/4
/4
VSWR =
1+| L |
1+ L
=
= zL
1-| L |
1- L
-2 l
/0 12345 6
73
8
95 :422;8<=
-2jl
>??
Z in
1+ in
1+ L exp
= Z0
= Z0
-2jl
1 - in
1 - L exp
Z in = Z 0
Z L + j Z 0 tg l
Z 0 + j Z L tg l
Z in =
Z0
jtgl
2k
(2k + 1)
AB CDEFG H
IE
J
KG LFDDMJNO
PQR
Im (Z )
in
/ 2
3 / 2
2k
(2k + 1)
ST UVWXY Z
[W
\
]Y ^XVV_\`a
bcd
Im (Z )
in
3 / 2
/ 2
fonctionnement
possde
un
comportement
dinverseur
dimpdance.
x y z{
w
w
Z in= w
2
0
L
Z in = Z 0
ef ghijk l
mi
n
Z L + j Z 0 tgl
Z 02
=
Z 0 + j Z L tgl
ZL
ok pjhhqnrs
tuv
|} ~
4. LIGNES DE TRANSMISSION
MICROONDES
4.1.
La ligne coaxiale
C =
2 r 0
= r C0 F / m
b
ln
a
v =
1
LC0
= c
L =
1
C 0 c2
Z0 =
L
1
60
b
=
_
ln
a
C
c.C0 r
r
4.2.
La ligne microstrip
Z0 =
42.4
ln (1+ A)
= 0
par
caractre
inhomogne
de
la
propagation
dun
signal
p ro p a g a t io n
in h o m o g n e
p ro p a g a t io n
h o mo g n e
eff
eff
1+ r
2
g =
0
eff
4.2.3. Pertes
Les pertes constates lors de la propagation sur une ligne
microstrip peuvent avoir deux origines: les pertes dans le
dilectrique et les pertes dans le conducteur.
4.2.3.1.Pertes dilectriques
Le substrat sur lequel est dpos le dilectrique est caractris non
seulement par sa permittivit relative r mais galement par sa
tangente de perte tan
Les pertes dilectriques associes (en nepers par mtre) scrivent
eff
0
1
eff
.
. tan
1
1r
1-
4.2.3.2.Pertes ohmiques
La
densit
de
courant
dans
un
conducteur
dcrot
D e n s it d e
c o u ra n t
J0
J0
e
D is t a n c e
f GHz = 0.95
Z0
h r - 1
+' ,&$$-*./
0132
eff = r -
r - effdc
f
1+
f T
avec f T =
r Z0
h
effdc 2 0
c
2 r ( + h)
>: ?977@=AB
CDE
X l
L
C
PL QKIIROST
UVW
L
C' < C
diffrentes
provoque
des
discontinuits
c_ d^\\ebfg
hij
uq vpnnwtxy
z{|
4.2.10.Autres discontinuits
}"~
4.3.
Autres lignes
"
"
Labaque de Smith
= | | e xp j
"
= u + jv =
(r + jx) - 1
z -1
r2 + x2 1
2x
=
=
+ j
2
2
z+1
(r + jx) + 1 ( r + 1) + x
( r + 1) 2 + x 2
r
1
u + v2 =
2
r + 1
(r + 1 )
2
1
1
(u - 1 ) + v - = 2
x
x
2
centre
; 0 et de rayon 1 .
r +1
r+1
De mme le lieu des points partie imaginaire x constante est un
1
cercle de centre 1 ; et de rayon 1 .
x
x
Labaque de Smith est donc constitue de lensemble des cercles
partie relle dimpdance constante ( 0 < r < ) et de la partie des
"
"
Abaque de Smith
"
50 o h m s
u = 1
r2 + 2
(r + 1)2 + x 2
x= 0
P a rt ie c a p a c it iv e
r a c t a n c e s
d c ro is s a n t e s
x= 1
la
figure correspondante.
r a c t a n c e s
c ro is s a n t e s
x= 1
x= 0
P a rt ie in d u c t iv e
#
$%&'"()
*+,
50
o h ms
C
50
o h ms
7
3 82%0&096:;
50
ohms) puis
possde
un
<=>
C o u rt c irc u it
C irc u it o u v e rt
I
E JD%B&BKHLM
NOP
5.2.
|e |
z =
1+
1-
y =
[
W \V%T&T]Z^_
1-
1+
`badc
q
m rl%j&jsptu
vbwv
~ }%{&{
bd
5.3.
Ladaptation
ZS
Z L = Z *S
Z *S
ZS
ZL
!
%&
50
o h ms
!
%&
bd
C
50
o h ms
5.3.1.3.Linductance parallle
Ajouter une partie inductive une admittance revient diminuer la
susceptance de celle-ci sans changer sa conductance.
!
%&
50
o h ms
50
o h ms
!
%&
5.3.1.5.Exemple
On souhaite raliser ladaptation dun dispositif dimpdance 10 +
j 30 un gnrateur dimpdance interne 50 .
y= 1
z= 1
y'
z'
y2
z2
y1
yl
z1
50
Z L= 10 + j30
!
%&
1
2
3
3
2
!
%&
b
z = 1 + j
z = 1 - j
La partie imaginaire est compense par limpdance
z2 qui prend elle aussi deux valeurs
z2 = - j
z2 = + j
En consquence, les deux solutions suivantes sont possibles :
1
1
0 .2 + j0 .6
1
2
0 .2+ j0 .6
!
%&
3.2 p F
1 0+ j3 0 .
3.2 p F
8 nH
6 .4 p F
10 + j30 .
5.3.1.6.Notion de slectivit
Les rseaux d'adaptation sont conus l'aide de composants
ractifs (dont le comportement est dpendant de la frquence) et
introduisent donc une notion de slectivit. Sans l'apport de la CAO,
ces circuits sont gnralement conus frquence unique et sont
prvus pour fonctionner en bande troite. Le coefficient de qualit
est directement reli la slectivit de la faon suivante:
Q=
f0
f 3 dB
!" #$%&' ( )
RL
1
RS
*+-,
de
qualit.
Par
contre
l'utilisation
d'un
rseau
RL
RS
max( R L , R S )
R
>?>
zL
z= 1
z2
y
yL
J"F K$E%C&CL IM N
OP-Q
a d a p t a t io n p o s s ib le
a v e c la to p o lo g ie s rie
p a ra ll le
a d a p t a t io n p o s s ib le
a v e c la t o p o lo g ie
p a ra ll le s rie
Zone 2
Zone 1
Zone 3
de
\"X ]$W%U&U^ [_ `
abc
y =1
zL
lie u d e s c h a rg e s
c o n ju g u e s
lie u d e s c h a rg e s
p o u v a n t t re a d a p t e s
a v e c c e tt e t o p o lo g ie
n"j o$i%g&gp mq r
st-u
y =1
lie u d e s c h a rg e s
c o n ju g u e s
lie u d e s c h a rg e s
p o u v a n t t re a d a p t e s
a v e c c e t t e t o p o lo gie
"} $|%z&z
y =1
lie u d e s c h a rg e s
c o n ju g u e s
lie u d e s c h a rg e s
p o u v a n t t re a d a p t e s
a v e c c e t t e t o p o lo gie
" $%&
y =1
lie u d e s c h a rg e s
c o n ju g u e s
lie u d e s c h a rg e s
p o u v a n t t re a d a p t e s
a v e c c e t t e t o p o lo gie
" $%&
z= 1
yL
lie u d e s c h a rg e s
c o n ju g u e s
lie u d e s c h a rg e s
p o u v a n t t re a d a p t e s
a v e c c e tt e t o p o lo g ie
" $%&
z= 1
lie u d e s c h a rg e s
c o n ju g u e s
lie u d e s c h a rg e s
p o u v a n t t re a d a p t e s
a v e c c e t t e t o p o lo gie
" $%&
z= 1
lie u d e s c h a rg e s
c o n ju g u e s
lie u d e s c h a rg e s
p o u v a n t t re a d a p t e s
a v e c c e t t e t o p o lo gie
" $%&
-
z= 1
lie u d e s c h a rg e s
c o n ju g u e s
lie u d e s c h a rg e s
p o u v a n t t re a d a p t e s
a v e c c e t t e t o p o lo gie
" $%&
)
L
* = *
in
e xp
- 2 j+ l
Ve rs le g n ra t e u r
Ve rs la c h a rg e
$%'&
>
>
/8
/2
,- ./012 3405
62 71//8!59:
;<=
Exemple :
On considre un tronon de ligne 50 charg par ZL = 10 + j 30
50 Q , 90
10 + j3 0 Q
j 117
0 .7 4 e xp
-j 6 3
0.74 e xp
?@ ABCDE FGCH
IE JDBBK!HLM
NO'P
in = L exp
-j180
= 0.74 exp-j63
RS TUVWX YZV[
\X ]WUU^![_`
ab'c
Exemple
Limpdance ramene par un tronon de ligne sans perte /8 court
circuite vaut Zin = + j
/ 8 v e rs le g n ra t e u r
Z in =
Zc
jtgl
ef ghijk lmin
ok pjhhq!nrs
tu'u
Exemple
Limpdance ramene par un tronon de ligne sans perte /8 en
circuit ouvert vaut zin = - j.
/ 8 v e rs le g n ra t e u r
Z in =
Z 2c
ZL
wx yz{|} ~{
} |zz!
/ 4, 50
1 00
Z = 25
in
travailler
avec
des
lignes
dimpdance
caractristique
!
'
Exemple
On considre le circuit de la figure 5-45 :
/ 8, 25
/ 8 , 50
10 0
z
zL =
ZL
= 2
50
!
Z1 = 40 - j 30
On renormalise Z1 par rapport 25
z 1 =
Z1
= 1.6 - j1.2
25
d , 50
l , 50
!
d , 50
l , 50
30 + j7 0
zL =
ZL
= 0.6 + j1.4
50
!
labaque de Smith
l = 0.078
!
0 .2 75
, 50
0.07 8 / , 5 0
30 + j7 0
30 + j7 0
y =1
0 .2 75
, 50
0.07 8 / , 5 0
y =1
!"#$%&')(
*,+.-
d2
d 2 , 50
l 2, 50
y
d1
d 1 , 50
l 1, 50
s2
s1
12 34567 895:
; 7 <"6#4$4=&:>)?
@,A,B
d2
/ 8 , 50
d1
0.02
, 50
V
3 0 - j50
l 2, 50
y
l 1, 50
s2
s1
zL =
ZL
= 0.6 - j
50
DE FGHIJ KLHM
N J O"I#G$GP&MQ)R
S,T,U
XY Z[\]^ _`\a
b ^ c"]#[$[d&ae)f
g,h,i
/ 8 , 50
0.02
0.442
, 50
0 .3 75
, 50
3 0 - j50
3 0 - j50
, 50
y =1
/ 8 , 50
0.164
0.02
, 50
, 50
0 .1 40
, 50
y =1
tu vwxyz {|x}
~ z "y#w$w&})
6. ANNEXES
"#$&)
,,
6.1.
Z 11
Z 12
Z 21
Z 22
"#$&)
Y 22
Y
-
Y 12
Y
Y 21
Y
Y 11
Y
.,
A
C
Z 12
C
C
Z 21
1
C
Z 22
D
C
Z 11 =
Z 12 =
2 S 12
(1 - S 11 ) (1 - S 22 ) - S 12 S 21
Z 21 =
2 S 21
(1 - S 11 ) (1 - S 22 ) - S 12 S 21
Z 22 =
(1+ S 11 ) (1 - S 22 )+ S 12 S 21
(1 - S 11 ) (1 - S 22 ) - S 12 S 21
(1 - S 11 ) (1+ S 22 )+ S 12 S 21
(1 - S 11 ) (1 - S 22 ) - S 12 S 21
"#$&)
.
Y 11 =
Y 12 =
- Z 12
Z
Y 21 =
- Z 21
Z
Y 22 =
Z 11
Z
Y 11 =
Y 12 = -
C
B
Y 21 = -
1
B
Y 22 =
A
B
"#$&)
.,
Y 11 =
(1 - S 11 ) (1+ S 22 )+ S 12 S 21
(1+ S 11 ) (1+ S 22 ) - S 12 S 21
Y 12 =
- 2 S 12
(1+ S 11 ) (1+ S 22 ) - S 12 S 21
Y 21 =
- 2 S 21
(1+ S 11 ) (1+ S 22 ) - S 12 S 21
Y 22 =
(1+ S 11 ) (1 - S 22 )+ S 12 S 21
(1+ S 11 ) (1+ S 22 ) - S 12 S 21
6.1.7. A, B, C, D = f (Zij)
A =
Z 11
Z 21
B =
Z
Z 21
C =
1
Z 21
D =
Z 22
Z 21
"#$&)
6.1.8. A, B, C, D = f (Yij)
A =
B =
- Y 22
Y 21
-1
Y 21
C =
- Y
Y 21
D =
- Y 11
Y 21
6.1.9. A, B, C, D = f (Sij)
A =
(1+ S 11 )(1 - S 22 )+ S 12 S 21
2 S 21
B =
(1+ S 11 )(1+ S 22 ) - S 12 S 21
2 S 21
C =
D =
(1 - S 11 )(1 - S 22 ) - S 12 S 21
2 S 21
(1 - S 11 )(1+ S 22 )+ S 12 S 21
2 S 21
"#$&)
.,
A =
1+ S 12 S 21
2 S 21
B =
1 - S 12 S 21
2 S 21
C =
1 - S 12 S 21
2 S 21
D =
1+ S 12 S 21
2 S 21
6.1.10.Sij = f (Zij)
Les paramtres de rpartition sont relis aux paramtres
impdance par :
-1
S 11 =
( Z 11 - 1)( Z 22 + 1) - Z 12 Z 21
( Z 11 + 1)( Z 22 + 1) - Z 12 Z 21
S 12 =
2 Z 12
( Z 11 + 1)( Z 22 + 1) - Z 12 Z 21
S 21 =
2 Z 21
( Z 11 + 1)( Z 22 + 1) - Z 12 Z 21
S 22 =
( Z 11 + 1)( Z 22 - 1) - Z 12 Z 21
( Z 11 + 1)( Z 22 + 1) - Z 12 Z 21
"#$&
6.1.11.Sij = f (Yij)
Les paramtres de rpartition sont relis aux paramtres
admittance par :
-1
S 11 =
(1 - Y 11 )(1+ Y 22 )+ Y 12 Y 21
(1+ Y 11 )(1+ Y 22 ) - Y 12 Y 21
S 12 =
- 2Y 12
(1+ Y 11 )(1+ Y 22 ) - Y 12 Y 21
S 21 =
- 2Y 21
(1+ Y 11 )(1+ Y 22 ) - Y 12 Y 21
S 22 =
(1+ Y 11 )(1 - Y 22 )+ Y 12 Y 21
(1+ Y 11 )(1+ Y 22 ) - Y 12 Y 21
6.1.12.Sij = f (A, B, C, D)
S 11 =
A+ B - C - D
A+ B + C + D
S 12 =
2 c
A+ B + C + D
S 21 =
2
A+ B + C + D
S 22 =
- A+ B - C + D
A+ B+ C + D
$%&
6.2.
I2
V1
V2
1
Z
[Y] =
1
- Z
1 Z
[C] =
0 1
Z
Z + 2
[S] =
2
Z + 2
1- 2,**3!045
1
Z
1
Z
2
Z + 2
Z
Z + 2
678
6.2.2. Ladmittance
parallle
I1
I2
V1
V2
1
Y
[Z] =
1
Y
1
Y
1
Y
1 0
[C] =
Y 1
Y
- Y + 2
[S] =
2
Y + 2
9: ;<=>? @A=B
C? D><<E!BFG
2
Y + 2
Y
Y + 2
HIJ
6.2.3. Le transformateur
idal
I1
V1
I2
V2
[S] =
2n
2
n + 1
n
[C] =
0
KL MNOPQ RSOT
UQ VPNNW!TXY
2n
n + 1
1 - n2
n2 + 1
2
Z[[
I2
V1
V2
l
1
- cot l
sin l
j
[Y] =
Zc
1
- cot l
sin
cot l
[Z] = - j Z c
1
sin
l
1
sin l
cos l
[C]
=
cot l
j sin l
Z c
j Z c sin l
cos l
0 exp-jl
[S] =
exp- jl
0
\] ^_`ab cd`e
fb ga__h!eij
kll
6.3.
indpendantes
dpendantes)
sont
les
(respectivement
ondes
incidentes
(respectivement rflchies).
Un noeud est gal la somme des branches
convergeant vers lui.
mn opqrs tuqv
ws xrppy!vz{
|}~
b2
21
11
b1
22
a2
12
bs
bg
ag
aL
bL
!
bs
b1
b2
21
11
22
12
a2
!
!
7. BIBLIOGRAPHIE
!
Circuits passifs
Cepadues Editions 1988
Lo Thourel
Paul F. Combes
Ralph S. Carson
!
Peter C. L. Yip