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Circuitos Microelectronices i ANALISIS YY Dts ENO NUL) f Constantes fisicas Cantidad Simbolo Valor Constante de Boltzmann k 1.38066 x 10° I/K ‘Carga elemental q 1.60218 x 10°" C Masa en reposo del electrén me 9.1095 x 10>" kg Electrén volt ev TeV = 1.60218 x 10°") Permitividad del espacio libre 6 8.85418 x 10" F/em 8.854 x 107! F/m Constante de Planck h 6.62617 X 10-™ Is ‘Velocidad de la luz en el vacio c 3.0 x 10! em/s = 3 x 108 m/s Voliaje térmico a 300 K IT /q 0.0259. V Factores de conversién y prefijos Unidad Simbolo — Conversién Frecuencia angular o nf tps (radianes/s) Frecuencia f f= @/27 Hz (cielos/s) ‘Micrén, mictémetro am 1076 m = 107 cm = 107mm Mil mil 107? ent = 25.4 um Temperatura, grado Celsius “Cc °C =K — 273.15" femto f x 19 pico P x 10°? nano a x 107% micro, » x we mili m x10? kilo k x 108 mega M x 108 giga G x10? tera, T x 107 b i Propiedades titiles del silicio cristalino, del germanio y del arseniuro de galio Arseniuro Propiedad de galio (a 300 K) Silicio Germanio (GaAs) Nimero atémico 4 32 Galio: 31 Arsénico: 33 ‘4tomos/em? 5x 10” 4a x 108 442 x 108 Constante dicléctrica relativa, ¢, 118 158 1B Hueco de energia, F, (eV) 112 0.66 Lan Movilidad electr6hica, jz,(cm*/V-s) 1500 3900 8500 Movilidad de los huccos, #4,(cm?/V-s) 480, 1900 400 n, nominal = p; (nimero/cm') 15 x 10! 24x 10 1.8 x 10° Punto de fusién, °C 1420 936 1238 Pardmetros importantes tipicos del BJT a 300 K (temperatura de ambiente) Parametro npn (sustrato) pnp (lateral) Be 200 50 30 Br 2 4 3 V (volts) 150 30 50 V, (volts) 07 0.55 0.55 J (amperes) 2x 1078 lol ax ry (ohms) 200 100 300 ‘Modelos de PSpice Nombre det Dispositivo dispositive Modelo Orden numérico de los nodos Diodo D DUIS = 1,N =) Anodo, cétodo BIT npn Q NPN(BF = BIS = Js) Colector, base, emisor BIT pnp Q PNP(BF = BIS = 1s) Colector, base, emisor JET de canal n J NSE(VTO ~ Vp BETA = Kk) Drenaje, compuerta, fuente SFET de canal p J PIF(VTO = —VpBETA =|K|) Drenaje, compuerta, fuente MOSFET de canal M NMOS(VTO = ¥, KP = 2K) Drenaje, compuerta, fuente, Sustrato MOSFET de canal p M PMOS(VTO = V,KP=2|K)) __Drenaje, compuerta, fuerite, sustraio Circuitos Microelectrénicos andlisis y disefio MUHAMMAD H. RASHID, P#_D., PENG., C.ENG., FELLOW IEE University of Florida International Thomson Editores México @ Albany @ Bonn @ Boston ® Johannesburgo @ Londres @ Madrid @ Melbourne @ Nueva York Paris @ San Francisco @ San Juan, PR @Santiago @ S20 Paulo ® Singapur @ Tokio @ Toronto ® Washington ‘Traduccién del libro: Microelectronic Circuits. Analysis and Design, publicado en inglés por Brooks/Cole Publishing © 1999 Brooks/Cole Publishing Company, a Thomson Learning Company ISBN 0-534-95174-0 Gircuitos microelectrinicos. Andlisis y diseno ISBN 968-7529-79-2 Derechos reservados respecto a la edicién en espatiol © 2000 por International Thomson Editores, S. A. de C. V. International Thomson Editores, S. A. de C. V. es una empresa de - i México y América Central América del Sur Séneca $3, Colonia Polanco Tel. (54-1 1)4325-2236 México, D.F. 11560 Fax (54-1 1)4328-1829 Tel. (525) 281-2906 thomson@pop ba.net Fax (525) 281-2656 Buenos Aires, ARGENTINA clientes @mail.internet.com.mx MEXICO Espaiia Tel. (3491) 446-3350 EI Caribe Fax (3491) 445-6218 Tel. (787) 758-7580 itesparaninfo pedidos@mad servicom.es Fax (787) 758-7573 Madrid, ESPANA 102154.1127@compuserve.com Hato Rey, PUERTO RICO Traduccién Rodolfo Navarro Salas y Gabriel Sanchez Garcia Traductores profesionales Revisién técnica Edmundo G. Urbina Medal Universidad Autonoma Metropolitana-letapalapa Director editorial y de produecién: Miguel Ange! Toledo Castellanos dito de desarrotio: Gloria Leticia Medina Vigil Editor de produccion: René Garay Argueta Correccién de estilo: Mario Alberto Mier Calixto Tipografia: Pag & Tips Lecturas: Luis Aguilar y Jess Vallejo 9876543210 ovina Queda prohibida la reproduccién o transmision total o parcial del texto de la presente obra bajo cualesquiera formas, electrénica 0 mecénica, incluyendo el fotocopiade, el almacenamiento en algin sistema de recuperacién de informacién, 0 el grabado, sin el consentimiento previo y por escrito del editor. All rights reserved. No part of this work covered by the copyright hereon may be reproduced or used in any form or by any means graphic, electronic. or mechanical, including photocopying, recording, taping or information storage and retrieval systems— without the written permission of the publisher Impreso en México Printed in Mexico uco 7 Introduccién ala electrénica yeldiseio capture 2 Diodos Contenido Prefacio xvi 12 14 15 16 WT 18 19 22 23 Introduccién 1 Historia de la electronica 1 Sistemas electrnicos 3 Sensores 3 Actuadores 3 Sefiales electrénicas y notacién 4 Convertidores analégico a digital 5 Convertidores digital a analégicn 6 Notacién 6 Clasificacién de los sistemas electrénicos. 7 Especificaciones de las sistemas electrénicos 9 Especificaciones de la respuesta transitoria 9 Distorsién 10 Especificaciones de frecuencia 10 Especiicaciones de cd y sefal pequefia 11 Disefio de sistemas electrénicos 12 Disefio de circuitos electrénicos 14 CComparacion entre andlsisy diseio 14 Definici6n del diseio de ingenieria 15 Proceso de disefo a nivel decireito 16 Benetficios que se obtienen al estudiar desde una perspectiva del disefio 19 ‘Tipos de proyectos de diseio 20 Informe de disco 21 Dispositivos electrénicos 21 iodos semiconduciores 22 ‘Transistores de unin bipolar 22 ‘Transistores de efecto de campo 22 REFERENCIAS 26 Prostemas 26 Introduccién 27 Diodos ideales 28 Caracteristicas de transferencia de los circuitos con diodos 31 2.10 24 242 243 214 245 Diodos reales 32 Funcionamiento fisico de los diodos de unién 32 Unign del diodo 32 Condicién de polarizacién directa 34 Condicién de polarizacion inversa 34 Condicién de ruptura 34 Caracteristicas de los diodos reales 35 Determinacién de las constantes del diodo 37 Efectos dela temperatura 39 Anélisis de circuitos con diodos reales 41 Método grafico 42 ‘Método de aproximacion 42 Método iterative 42 Modelado de diodos reales 44 Modelo de ed con caida de voltaje constante 44 Modelo de ed lineal por seeciones 44 Modelo de ca de baja frecuencia 46 Modelo de ca de alta frecuencia $1 Modelo del diodo en PSpicefSPICE 53 Diodos zener 56 Regulador zener 37 Disefio de un regulador zener 59 Limitadores zener 62 Efectos de la temperatura en 0s diodos zener 65 Diodos emisores de luz 66 Diodos de barrera Schottky 66 Disipacién nominal de potencia 67 Hojas de datos técnicos para diodos 69 RESUMEN 73 REFERENCIAS 73 PREGUNTAS DE REPASO 73, PROBLEMAS 74 cariruto 3 BA Introduccidn 81 Aplicaciones de los diodos | 3.2 ‘Rectificadores de diodo 81 33 34 35 36 37 38 Rectificadores monofésicos de media onda 82 Rectificadores monofasicos de onda completa con derivacién central Rectificadores monofésicos con puente de onda complet 94 Filtros de salida para rectificadores 99 FiltrosL 99 FiltrosC 102 Filtros LC 106 Recortadores 109 Recortadores en paralclo 109 Recortadores en serie 110 Circuitos de fijacion 112 Cireuitos de fijacién de nivel con corrimiento Ajo 112 Cireuitos de fijacién de nivel con corrimiento variable 113 Detectores de picos y demoduladores 116 Multiplicadores de voltaje 120 Duplicadores de voltaje 120 ‘Trplicadores y cuatrplicadores de voltsje 121 Generadores de funcién 123 RESUMEN 126 RereRENcas 126 PREGUNTAS DE REPASO 126 PROBLEMAS 127 ConTENto0 89 carituro 4 Introduccion alos ampifiadares Dispositivos de amplificacion 43 4s a7 49 410 5. 52 53 133 de un amplificador 134 iaen voltaic 134 fen cortiente 135 Gaancinen potencia 135 ‘Gnancia logaritmica 135 esistencias de entrada y de salida 136 ‘Sauracion del amplificador 136 No linealidad de los amplificadores 138 pos de amplificadores 140 ‘Amplificadores de volije 140 ‘Amplificadores de corrieme 144 ‘Amplificadores de transconductaneia 148 ‘Amplificadores de transimpedancia 150 Modelos de PSpice/SPICE para amplificadores 151 ‘Amplificador de voltaje 152 ‘Amplificador de corriente 152 ‘Amplificador de transconductancia 152 ‘Amplificador de transimpedancia 152 Relaciones de ganancia 152 “Ampliicadores de voltae y de corviente 152 “Ampificadores de voliaje y de transconductancia 153 “Amplificadores de voltae y de transimpedancia 153 Amplificadores en cascada 154 ‘Amplificadores de voltae on cascada 154 “Amplificadotes de corviente en cascada 155 IntroducciGn a los amplificadores con transistores 156 ‘Transistores de unién bipolar 156 ‘Transistores de efecto de campo 161 Respuesta en frecuencia de los amplificadores 165 Caracteristica pasabajas 166 Caracteristica pasaaltas 168 Caracterstica pasabanda 170 Relacion entre la gananciay el ancho de banda 171 Teorema de Miller 172 Disefio de un amplificador 175 RESuMEN 178 PREGUNTAS DE REPASO 178 Proptemas 179 Tniroducciin 185 ‘Transistores de unién bipolar 186 ‘Caractersticas de entrada y de salida 186 Modelos del BIT 188 Polarizacién con ed de los BIT 192 Diseio de circuitos de polarizacién 193 ‘Amplificadores en configuracin de emisor comin 196 Seguidores de emisor 201 “Amplificadores en configuraci6n de base comén 205 ‘Amplificadores con cargas activas 209 ‘Transistores de efecto de campo 214 ‘MOSFET incrementales 215 MOSFET decrementales 218 ‘Transistores de efecto de campo de unién 22! vii ii captruro 6 Introduecién a los splficadores operacionales Modelos FET 223 Polarizacin de los FET 227 ‘Amplificadores de fuente comin 233 Amplificadores de drenaje comin 237 ‘Ampilificadores de compuerta comin 240 ‘Amplificadores FET con cargas actives 242 5.4 Comparacién entre FET y BJT 245 5.5 Disefio de amplificadores 245 Disefio de amplificadores con BIT 246 Disefo de amplficadores con FET 249 RESUMEN 252 REFERENCIAS 252 PREGUNTAS DE REPASO 252 PROBLEMAS 253, Introduccién 267 62 Caracteristicas de los amplificadotes operacionales ideales 268 63 Modelos de PSpice/SPICE de amplificadores operacionales 270 Modelo lineal de ed 271 Modeto lineal deca 272 Macromodelo no lineal 273 6A Anilisis de circuitos con amplificadores operacionales ideales Amplificadotes no inversores 274 Amplificadores inversores 277 Amplificadores diferenciales 279 65 Aplicaciones de los amplificadores operacionales 281 Integradores 281 Diferenciadores 286 “Amplificadores de insirumentacién 289 “Amplificadores sumadores no inversores 291 Amplifcadores sumadores inversores 292 Ammplificadores sumadores-restadores 293, Excitadores de optoacoplador 296 Fotodeteciores 296 Convertidores volie-corriente 297 Votumetros decd 298 Milivolimetros decd 298 Convertidores de impedancia negativa 299 Fuentes de corrente constante 300 Integradores no inversores 301 Simuladores de indvetancia 302 Seguidores autoelevados de voltaje con acoplamiento de ca 303, 6.6 Circuitos con amplificadores operacionales y diodos 304 Detectores de la sefal mais positive 305 Detectores de precisiin de voltaje pico 305 Rectificadores de precisiOn de media onda 306 Rectificadores de precisi6n de onda completa 307 CCireuitos de fjacion de precision 308 Limitadores de voltaje fio 309 Limitadores de voltje ajustable 310 imitadores de voltaje zener 315 Limitadores de transici6n abrupta 316 6.7 _Diseiio de circuitos con amplificadores operacionales 319 RESUMEN 321 REFERENCIAS 321 PREGUNTAS DE REPASO 321 PRopLemas 322 carituro 7, Caracteristicas de los amplifcadores operacionales reales ‘CONTENIDO ix Introducci6n 329 72 Estructura interna de los amplificadores operacionales 329 73 Pardmetros de los amplificadores operacionales reales 330 Resistencia de enada 331 Resistencia de salida 331 Capacitancia de enrada 331 Relacién de rechazo de modo comin 331 CGananciaen vole de seal grande 333, “Tiempo de levantaiento 333 GGanancia en voliaje de laroabierto y ancho de banda 334 Velocidad derespuesia 338 Limites del votiaje de entrada 339 Limites el volaje de sala 339 Volije de offset de entrada 339 Corriente de polarzacién de entrata 341 Coniente de offset de entrada 343 Relacign de rechazo con varacionesenla fuente de alimentacion 345, Deriva térmica 345 7.4 Ajuste del voltaje de offset 347 7.5 Medicién de los parametros de offset 349 RESUMEN 350 REFERENCIAS 350 PREGUNTAS DE REPASO 350 PRORLEMAS 351 Bl Introduccién 353 Modelo y respuesta en frecuencia de los BIT 354 ‘Modelo de alta frecuencia 354 Modelo de PSpice/SPICE de sefial pequesia 356 Respuesta en frecuencia de los BIT 356 8.3 Modelo y respuesta en frecuencia de los FET 360 Modelo y respuesta en frecuencia de los FET 360 Modelo y respuesta en frecuencia de los MOSFET 361 Modelo de PSpice/SPICE de sefial pequefia 363 84 Grificas de Bode 364 ‘Amplificadores pasabajas 365 Amplificadores pasaaltas 366 ‘Amplificadores pasabanda 367 8.5 Respuesta en frecuencia de un amplificador 368 Frecuencias de corte bajas 369 Frecuencias de corte altas 370 8.6 Métodos del cortocircuito y del valor cero para determinar las frecuencias de corte 374 Método del cortocitcuito 374 Método del valor cero 376 Ganancia en voltaje de media banda 378 8.7 Respuesta en frecuencia de amplificadores con BIT de emisor comin 378 recuencias de corte bajas 378 Frecvencias de corte altas 380 8.8 Respuesta en frecuencia de amplificadores con BIT de colector comin 384 recuencias de corte bajas 385 Frecuencias de corte altes 386 8.9 _ Respuesta en frecuencia de amplificadores con BIT de base comin 388 Frecuencias de corte bajas 388 Frecuencias de corte altas 390 ‘ConTENIDO 8.10 Respuesta en frecuencia de amplificadores con FET 391 ‘Amplifcadores de fuente comin 392 Ampiificadores de drenaje comin 395 Amplifcadores de compuerta comin 397 8.11 Amplificadores de varias etapas 399 8.12 Respuesta en frecuencia de circuitos con amplificadores operacionales 406 Respuesta en frecuencia de ctcuitos inegradores construidos con ampliicadores operacionales 406 Respuesta en frecuencia de ctcuits diferenciadores construidos con amplificadores coperacionales 408 8.13 Diseito de la respuesta en frecuencia 410 RESUMEN 410 REFERENCIAS 41 i PREGUNTAS DE REPASO 41 PROBLEMAS 411 ' 10 9 94 Introduccién 421 Fillros activos | __ 9.2 Filtros activos comparados con los filtros pasives 421 9.3 Tipos de fltros actives 422 9.4 La funci6n bicuadrética 424 95 Filtros Butterworth 425 Funcién de Butterworth para n=2 426 Funcin de Butterworth paran=3 426 9.6 Filtros pasabajas 427 Filtros pasabajas de primer orden 427 Filtros pasabajas de segundo orden 429 Filtros Butterworth pasabajas 433 9.7 Filtros pasaaltas 436 Filtros pasaaltas de primer orden 436 Filtros pasaaltas de segundo orden 437 Filtros Butterworth pasaaltas 440 9.8 Filtros pasabanda 442 Filiros pasabanda de banda ancha 443 Filtros pasabanda de banda angosta 445 9.9 Filtros de rechazo de banda 448 Filtrossupresores de banda ancha 448 Filtos supresores de banda angosia 451 9.40 Filtros pasatodas 453 9.11 Filtros de capacitor conmutado 484 Resistores de capacitor conmutado 454 Integradores de capacitor conmutado 456 Filtro universal de capacitor conmutado 456 9.42 Recomendaciones para el discfio de filtros 458 RESUMEN 459 REFERENCIAS 459 PREGUNTAS DE REPASO 459 PROBLEMAS 460 cartturo 10 10.1 Introdu 463 Ampliicadores | 10.2 Retroalimentacién 464 retroalimentados ' 10,3 Analisis de la retroalimentacin 465 Sensibilidad ala ganancia 467 Sensibilidad al factor de retroalimentacién 467 Respuesta en frecuencia 468 Distorsién 470 10.4 Topologias de retroalimentacién 472 10.5 Analisis de amplificadotes retroalimentados 474 CONTENIDO a 10.6 RetroalimentaciGn serie-paralelo 476 ‘Aniliss de una re ideal de retroalimentacion serie-paralelo 477 ‘Analisis de una red préctica de retroalimentacién seri-parelo 479 10.7 Retroalimentacién serie-serie 485 ‘Andlisis de una red ideal de retroalimentacin serie-serie 486 ‘Analisis de una red préctica de retroalimentaciGn serie-serie 487 10.8 _Retroalimentacién paralelo-paralelo 493 ‘Analisis de una red ideal de rettoalimentacién paraleto-paralelo 494 Anslisis de una red prictica de retralimentacin paralelo-paralelo 496 10.9 RetroalimentaciGn paralclo-serie 502 ‘Analisis de una red ideal de retralimentacin paralelo-serie $03 ‘Analisis de una red préctiea de retroalimentaciin paralelo-serie $03 10.10 Disefio de circuitos retroalimentados 506 10.11 Anilisis de estabilidad S11 Polos e inestabilidad 512 CCiterio de estabitidad de Nyquist 514 Estabilidad elativa 516 Efectos del margen de fase 517 La estabilidad mediante gréficas de Bode 518 WO.12 Técnicas de compensacién 521 ‘Adicin de un polo dominante 521 Modiicacién del polo dominante 523 Compensacién de Miller y separacién de polos 524 Modiicacin de ta trayectoria de retroalimentacién 526 RESUMEN 529 REFERENCIAS 530 PREOUNTAS DE REPASO. 530 PROBLEMAS 531 carirovo 1 11a Introduccién 541 Oscitadores | 11.2 Principios de operacién de los osciladores $42 capiruso 12 Introduccién a la electronica digital Estabilidad en la frecuencia 544 Estabilidad en la amplitud $45 113 Osciladores de corrimiento de fase 545 114 Osciladores de cuadratura $49 115 Osciladores trifésicos 551 116 Osciladores de puente de Wien 852 117 Osciladores de Colpitts 556 118 Osciladores de Hartley 562 19 Osciladores de cristal 564 11.10 Osciladores sintonizados por filtro activo S68 TLAT Disefto de osciladores 571 RESUMEN 572 ReveRENCIAS 572 PREGUNTAS DE REPASO 572 PRooLemas 573, 121 Introduccién $77 12.2 Estados Wégicos S77 12.3 Compuertas I6gicas 578 12.4 Pardmetros de desempefio de las compuertas l6gicas $80 Caracteristica de wansfereneia de voltae $80 Margenes de ruido 581 Factor de carga de saliday factor de carga de entrada 582 Retraso de propagaciin 584 xii caviruto 13 Fuentes actions y amplificadores diferenciales Disipacién de potencia 585 Producto retraso-potencia 587 12.5 Inversores NMOS 588. Inversor NMOS con carga incremental 588 Inversor NMOS con carga decremental 595 Comparacin de inversores NMOS 601 12.6 Circuitos légicos NMOS 602 ‘Compuertas NMOS de transmision 602 ‘Compuertas NMOS NOR 602 ‘Compuertas NMOS NAND 603 12.7 Inversores CMOS 603 12.8. Circuitos l6gicos CMOS 608 ‘Compuertas CMOS de transmision 608 ‘Compuertas CMOS NOR y NAND 610 Familias CMOS 611 12.9 Comparacién entre las compuertas CMOS y las NMOS 611 12.10 Inversores BIT 612 Caracteristicas de transferencia de voltaje 612 Caracteristcas de conmutacién 613 12.11 Compuertas l6gicas transistor-transistor (TTL) 617 ‘Compuertas TTL estindar 618 CCompuertas TTL NAND de alta velocidad 624 Compuertas NAND Schottky TTL 628 12.12 Compuertas légicas OR/NOR de emisor acoplado (ECL) 630 12.13 Inversores BICMOS 636 Retraso de propagacion 637 12.14 Interfaz de compuertas I6gicas 638 Cievitos CMOS excitados por circuitos TTL 639 Circuitos TTL excitados por circuitos CMOS 641 12.15 Comparacién de compuertas logicas 641 12.16 Disefio de circuitos ldgicos 643 RESUMEN 645 REFERENCIAS 645, PREGUNTAS DE REPASO 645 PROBLEMAS 646 13.1 Introduccién 655 13.2. Estructura interna de los amplificadores diferenciales 656 13.3. Fuentes de corriente BIT 657 Puente bisica de corrente 657 Fuente bisica modificada de corviente 659 Fuente de corriente Widlar 661 Fuente de corriente cascode 664 Fuente de comriente Wilson 665 Fuentes de corriente miltiples 669 13.4 Fuentes de corriente JFET — 670 13.5 Fuentes de corriente MOSFET 671 Fuente bésica de corriente 671 Fuentes de corriente multiples 674 Fuente de corriente cascode 674 Fuente de comriente Wilson 675 13.6 Disefio de fuentes de corriente activas 676 13.7 Fuentes de voltaje activas 676 ‘Transformacién de impedancia 677 Retroalimentacién negativa 677 Retroalimentacién negativa y transformaciGn de impedancia 678 ‘CoNTENIDO irui0 14 Amplificadores de potencia CoNTENIDO xiii 13.8 Caracteristicas de los amplificadores diferenciales 679 13.9 Amplificadores diferenciales BIT 681 Caracteristicas de transferencia de ed 681 Andlisis de sefal pequefia 683 13.10 Amplificadores diferenciales BJT con cargas activas 689 Anétisis de sefal pequeiia 690 Amplificadordiferencial con espejo de cortiente modificado 692 Amplificadordiferencial cascode 693 13.11 Amplificadores diferenciales JFET 695 Par diferencial JFET 695 Pas diferencial JFET con carga activa 702 13.12 Amplificadores diferenciales MOS 702 Par diferencial NMOS 703 Par diferencial MOS con carga activa 705 13.13. Amplificadores diferenciales BICMOS 708 CComparaciones entre amplificadores con BIT y amplificadores con CMOS 708 Amplificadores BICMOS 709 ‘Amplificadores BICMOS en cascode 710 13.14 Respuesta en frecuencia de los amplificadores diferenciales 713, BAIS. Disefio de amplificadores diferenciales 715 ResuMEN 715 REFERENCIAS 715 PREGUNTAS DE REPASO 715 PRoBLeMas 716 141 Introduccién 723 ¥4.2_Clasificacién de los amplificadores de potencia 724 14.3 Seguidores de emisor 725 Caracteristca de transferencia 726 Formas dela sefal 726 Potencia de salida y eficiencia 726 144 Amplificadores clase A 729 ‘Amplificador de emisor comin bisico 729 Amplificadores de emisor comin 732 ‘Ampliicador con carga acoplada por transformador 733 145 Amplificadores clase B en contrafase 735, ‘Amplificadores complementarios en contrafase 735 ‘Amplficador en contrafase con carga acoplada por transtormador 740 14.6 Amplificadores clase AB complementarios en contrafase 744 Caracteristca de tansferencia 744 Potencia de silida y eficiencia 745 Polarizacién con diodos 745 Polarizacién con diodos y con una fuente activa de corriente 746 Polarizacion con un muliplicador Vpg 749 147 Amplificadores clase AB cuasicomplementarios en contrafase 752 14.8 Amplificadores clase AB en contrafase acoplados por transformador 753 14.9 Proteccidn contra cortocircuito y proteccién térmica 754 Proteccién contra cortocircuitos 755 ProtecciGn térmica 755 14.10 Amplificadores operacionales de potencia. 756 ‘Amplificadores de potencia de circuitointegrado 756 ‘Amplifcador de puente 759 14.11 Consideraciones térmicas 760 Resistencia térmica 760 Disipacién de calor y fujo de calor 760 Disipacién de potencia en funcién de la temperatura 761 xiv ConTeNIDo VA12_Diseio de amplificadores de potencia 763 RESUMEN 763 REFERENCIAS 763 PREGUNTAS DE REPASO 763 PROBLEMAS 764 earirov 15 5A Tnroduccién 767 ‘Amplifcadores | 15.2 Estructura interna de los amplificadores operacionales 767 ‘eperaconsies "15.3 Parémetros de los amplificadores operacionales 768 Comiente de polarizacién de entrada 769 Corriente de offset de entrada 769 Volta de offset de entrada y deriva térmica de voltaje 769 Relacign de rechazo en modo comin 771 Resistencia de entrada 772 Resistencia de salida 775 Respuesta en frecuencia 775, Rapid. de respuesta 778 15.4 Amplificadores operacionales JFET 779 ‘Amplficador operacional JFET LHO022 780 Amplificador operacional SFET LRS11 781 ‘Amplificador operacional JFET LH0062 784 Amplificador operacional JFET LH0032__785 15.5 Amplificadores operacionales CMOS 787 ‘Amplificador operacional CMOS MC14573_ 787 ‘Amplificador operacional TLC1078 790 15.6 Amplificadotes operacionales BICMOS 792 ‘Amplifcador operacional BiCMOS CA3130 792 Amplifcador operacional BICMOS CA3140_ 793 15.7 Amplificadores operacionales BIT 795 ‘Amplifcador operacional BITLMI24 795 Amplificador operacional BIT LM741 796 15.8 Anilisis del amplificador operacional LM741_ 798 Anilisis de ed 798 Analisis de sefal pequefia de ca 803 Anilisis de la respuesta en frecuencia 811 Circuito equivalente de sefil pequefia 812 15.9 Disefio de amplificadores operacionales 812 Resumen 813, REFERENCIAS 813, PREGUNTAS DE REPASO. 814 PRostemas Sid cariruco 16 16.1 _Introdu 817 Circuitos integrados | 16.2 Comparadores 817 analégicos y sus Diferencias entre comparadores y amplificadores operacionales 818 aplicaciones ‘Conexién en el lado de salida 818 Comparadores de umbral 819 16.3 Detectores de cruce por cero 821 16.4 Disparadores Schmitt 822 Disparador Schmitt inversor 822 Disparador Schmitt no inversor 825 Disparador Schmitt con voltaje de referencia 826 Efectos dela histéresis sobre el voltae de salida 827 16.5 Generadores de onda cuadrada 829 16.6 Generadores de onda triangular 833 Aven ces ConTENIDO 16.7 Generadores de onda diente de sierra 836 16.8 Osciladores controlados por voltaje 839 Modo de carga 840 Modo de descarga 840 Realizacién del circuito 840 ELVCONBSE-565 842 16.9 Temporizador 555 844 Diagrama de blogues funcional 844 Maltivibrador monoestable 845 ‘Aplicaciones de los multvibradores monoestables 847 Multivibrador astable 849 Aplicaciones de los multivibradores astables 851 16.10 Lazo amarrado por fase (PLL) 855, Detector de fase 856 Circuito integrado de lazo amarrado por fase 857 ‘Aplicaciones del PLLS65 859 16.11 Convertidores de voltaje a frecuencia y de frecuencia a voliaje Convertidor VF 863, Convertidor FV 867 16.12 Circuitos de muestreo y retencin 870 Circuitos de muestreo y retencién construidos con amplificadores ‘peracionales 871 Cirouitosintegrados de muestreo y retencion 872 16.13 Convertidores digital a analégico 873 ‘Convertidor D/A con resistor ponderado 873 Convertidor D/A con red de escaleraR-2R 874 Convertidores D/A de circuito integrado 876 16.14 Convertidores anal6gico a digital 879 Convertidor A/D de aproximaciones sucesivas $79 Convertidores A/D de citcuito integrado $81 16.15 Disefio de circuitos integrados analdgicos 883 RESUMEN 883, REFERENCIAS 883 PREGUNTAS DE REPASO 884 PROBLEMAS 885 ‘Apéndice A: Introduccién a PSpice 887 ‘Apéndice B: Revisién de circvitos bésicos 913 ‘Apéndice C: Modelo hibrido del BUT a frecuencia baja 983 ‘Apéndice D: Modelo de Ebers-Moll para transistores de unién bipolar ‘Apéndice E: Componentes pasivos 963 ‘Apéndice F: Problemas de disefio 969 Respuestas a ejercicios seleccionados 971 fndice 977 Acerca del autor 991 xv 362 957 Prefacio 08 dispositivos semiconductores y 1os circuitos integrados son los pilares de la tec- nologia moderna, motivo por el cual el estudio de la clectrénica, que trata con las ccaracteristicas y aplicaciones de aquellos, es una parte fundamental del plan de es- ‘dios de las carreras de ingenierfa eléctrica o ingenieria en computaci6n. Tradicionalmen- te, en muchas universidades y escuelas el curso bésico de electrénica tenfa una duracién de tn afio (dos semestres). Sin embargo, con el surgimiento de nuevas tecnologias y la nece- sidad de ofrecer una educaci6n universitaria mas general, los departamentos de ingenierfa eléctrica se han visto presionados para reducir el estudio de la electrénica bdsica a un cur so de un semestre, Este libro se disea6 para utilizarse en un curso de uno o dos semestres; el nico prerrequisito es un curso en andlisis basico de circuits. Un curso de un semestre puede abarcar los capitulos 1 a 11, en los que se presentan las técnicas bésicas para el and- lisis de citcuitos electr6nicos utilizando circuitos integrados como ejemplos. En un curso de dos semestres, ef segundo de ellos deberd concentrarse en el andlisis detallado de los dis- positives y circuitos que hay dentro de los CI. Los objetivos de estudio en este libro son los siguientes: ‘+ Presentar las caracteristicas basicas de los dispositivos semiconductores de uso mas comin en los circuitos integrados. ‘* Desarrollar habilidades en el andlisis y disefio de circuitos anal6gicos y digitales. ‘© Familiarizar 2 los estudiantes con varios elementos del proceso de disefio en inge- nierfa, entre los que se incluyen la formulacién de especificaciones, e andlisis de soluciones alternativas, la sintesis, Ia toma de decisiones, las iteraciones, la consi- deracién de Factores de costo y aspectos de tolerancia. El libro adopta un enfoque descendente para ef estudio de la clecirénica, en lugar de seguir uno ascendente. En este siltimo enfoque, primero se estudian las caracterfsticas de los dispositivos semiconductores y de los CI, y después se presentan las aplicaciones de los Cl; este enfoque, por lo general, requiere de un afio de ensefianza, pues resulta necesario ccubrir todos los aspectos esenciales con la finalidad de dar alos estudiantes un conocimien- to general de los circuitos y sistemas electrGnicos. En el enfoque descendente, que es l ut lizado en este libro, primero se introducen las caracteristicas ideales de los Cl para estable- cer con ello las técnicas de disefio y andlisis, después se presentan las caracteristicas y el funcionamiento de los dispositivos y circuitos contenidos en los CI para comprender las imperfecciones y limitaciones de ésios. Este enfoque tiene la ventaja de permitirle al pro- fesor cubrir Gnicamente las técnicas y circuits bésicos en el primer semestre, sin entrar en detalles en lo que respecta a los dispositivos discretos. Si el plan de estudios lo permite, el curso puede continuar en el segundo semestre con un andlisis detallado de los dispositivos discretos. PREFACIO xvi Después de la introduccién al proceso de diseito del capitulo 1 el libro puede dividir- se en cinco partes: ‘© Capitulos 2 y 3, que estudian a los diodos y sus apticaciones ‘© Capitulos 4 a 7, referentes a dispositivos de amplificacisn y amplificadores ‘© Capitulos 8 a 11, que tratan las caracteristicas y los anélisis de circuitos electr6ni- cos ‘+ Capftulos 12, que estudia las compuertas l6gicas digitales ‘© Capitulos 13 a 16, que tratan sobre circuitos integrados y sus aplicaciones En los apéndices también se incluye un repaso del andlisis bésico de circuitos y una in- troduccién a PSpice. ‘La tecnologia moderna de semiconductores ha evolucionado a grado tal que muchos circuitos analdgicos y digitales estén disponibles ahora en forma de circuitos integrados. ‘Los fabricantes de estos circuitos proporcionan notas de aplicacién, que pueden utilizarse para implantar las funciones del circuito. Sin embargo, el conocimiento de las caracterfsti- tas y operacidn de los dispositivos internos de los Ci es fundamental para comprender las Timitaciones de estos CI cuando se interconectan como bloques bisicos en los disefios de circuito, Este conocimiento también sirve como base para el desarrollo de generaciones fu- turas de Ch ‘Si bien la tendencia en la tecnologia de los CI sugiere que el diseiio de circuitos dis- cretos podria desaparecet en ef futuro, los amplificadores con transistores (de grande y muy grande escala de integracién) continuarén siendo los bloques bésicos de los CT. Por esta rae Z6n, en el capitulo 5 se estudian los amplificadores con transistores, después de la presen- tacién de los tipos y especificaciones generales de los amplificadores en el capitulo 4. Co- imo los diodos son los bloques bisicos de muchos circuitos electrGnicos y Tas téenicas para tl andlisis de diodos son similares a las de los amplificadores con transistores, os diodos y ‘sus aplicaciones se tratan con detalle en los capftulos 2 y 3, ‘Las deducciones mateméticas se mantienen a un minimo mediante el uso de modelos aproximados de circuito para amplificadores operacionales, transistores y diodas. La im- portancia de estas aproximaciones se establece por medio de! anslisis aistido por compu: Tadora, mediante PSpice. Los circuits importantes se analizan en ejemplos resueltos con Ia finalidad de presentar las téenicas bisicas y dar énfasis a 10s efectos de la variacién de pardmetros. Las preguntas de repaso y 1os problemas que aparecen al final de cada capitu- To ponen a prucba el aprendizaje del estudiante de los conceptos desarrollados en ese capi- tulo, Las respuestas a los problemas seleccionados se encuentran en la parte final del libro, ‘En la prictica, las clases y los experimentos de laboratorio se realizan de manera con currente, Si los resultados experimentales que obtienen los estudiantes difieren de las ca: facteristicas ideales, debido a las limitaciones précticas de los circuitos integrados. es pro- bable que ellos se desconcierten, Esto puede solucionarse con uns explicacin breve de las causas de las discrepancias. Sin embargo, los resultados experimentales no serdn muy di ferentes de los obtenidos de manera te6rica ‘Los critetios que se utilizan en el ABET (Accreditation Board of Engineering and Technology) requieren la integraciGn del disefo y el uso de la computadiora en el plan de ‘estudios, Una vez que los estudiantes satisfacen otros requisitos del ABET en mateméticas, Ciencias basicas, ciencias de la ingenier‘a, optativas de humanidades y optativas generales, rho quedan muchos cursos para saisfacer el requisto de disefio. La falta de oportunidades para eréditos de diseto en el plan de estudios de ingenieria es una preocupacién comin. En genera, Ta electrGnica es el primer cutso de ingenieriaeléctrica en el que se integran los Componentes de disefio y el uso de la computadora. Este libro esté estructurado para per- mnitir que el contenido de disefo constituya al menos cincuenta por ciento del curso, y la iintegracién del uso de la computadora se hace con el empleo de PSpice: Muchos de los tjemplos de disefto utilizan PSpice para veriticar los requerimientos de disefio, minis {que Ia gran cantidad de ejemplos de disefioasistido por computadora ilustran ta utiidad oe TEs pC como herramientas de disefio, en particular en casos en los que las variables de di- sefio estén sujetas a tolerancias y desviaciones en los componentes. PREFACIO ‘Como autor tengo una deuda de agradecimiento con el equipo de PWS Publishing, Bill | Barter, Leslie Bondaryk, Elise Kaiser, Tricia Kelly. Sally Lifland y Mary T. Stone por su | gufa y apoyo, También quiero dar las gracias a los revisores por sus comentarios y suge- rencias: Dr. William T. Baumann Virginia Polytechnic Institute y State University Dr. Paul J. Benkeser Georgia Institute of Technology Dr. Alok K, Berry George Mason University Dr. Michael A. Bridgwood Dr. Constantine Hatziadoniu Southern Illinois University Dr. Bruce P. Johnson University of Nevada-Reno Dr. Frank Kornbaumn South Dakota State University Dr. John A. McNeill Worcester Polytechnic Institute Clemson University Dr. Nadeem N. Bunni Clarkson University Dr. Wai-Kai Chen University of Illinois en Chicago Dr. Shirshak K. Dhali Southern Iinois University Dr. Muhammed Farooq West Virginia University Institute of Technology Dr. Bahram Nabet Drexel University Dr. Jack R. Smith University of Florida Dr. Robert D. Strattan University of Tulsa Mi agradecimiento para el doctor Shirshak K, Dhali por revisar el manuscrito comple- to y al doctor Muhammed Umar Faroog por preparar el Solutions Manual *(Manual de So- Luciones). Los dos proporcionaron comentarios muy titles. El libro fue preparado durante mi estancia en la King Fahd University of Petroleum & Minerals (KFUPM), en Dharanm, Arabia Saudita, y quiero dar las gracias a la KFUPM por ‘brindarme un ambiente académico y creativo. Finalmente, gracias a mi familia por su pa cciencia, mientras estaba ocupado en éste y otros proyectos. Cualquier comentario y sugerencias con respecto al libro son bienvenidos. Deben en- viarse a: Dr. Muhammad H. Rashid Profesor y director U/UWE Joint Program in Electrical Engineering University of West Florida 11000 University Parkway Pensacola, FL 32514-5754 USA correo electrénico: mrashid@uwf.edu Web: hup:liwwa.ee.uwfedu + Nota del editor: Este material slo est disponible en inglés para los profesores que lilicen esta obra como texto en su clase, Solicite mayor informacién a alguno de nests representantes ee Introduccién a la electrénica y el disefio Contenido del capitulo Introduecién 1.7 Disefio de sistemas electrénicos Historia de la electrénica 18 Disefio de citcuitos electrénicos 13 Sistemas electrnicos 1.9 Dispositivos clectrénicos 14 Sehales electrSnicas y notacién 15. Clasificacién de los sistemas clectrénicos REFERENCIAS b PROBLEMAS 1.6 Especificaciones de los sistemas electrénicos 11 La electronica se encuentra en nuestra vida diaria en forma de teléfonos, receptores de ra- Introduccién dio, televisores, equipo de audio, aparatos domésticos, computadoras y equipo para control ¥y automatizaci6n industrial. La electrGnica se ha convertido tanto en un estimlo como en tuna parte integral del crecimiento y desarrollo tecnolégico actual. El campo de la electré- nica esté relacionado con el diseo y Tas aplicaciones de los dispositivos electrénicos. ‘A continuaeién se definen los objetivos de aprendizaje de este capitulo: + Establecer un panorama del desarrollo hist6rico de la electrénica + Aprender acerca de los sistemas electrénicos y sus clasificaciones + Comprender cémo esté constituido el disefio de ingenierfa + Aprender acerca del proceso de disefio de los circuitos y sistemas electrénicos + Desarrollar un conocimiento basico de los dispositivos electrénicos 1.2 La era de la electronica comenz6 con la invencién del primer dispositive amplificador: ef Historia de triodo de vacio, realizado por Fleming en 1904. A este invento siguié el desarrollo del dio- Ia electronica do de punto de contacto de estado sdlido, por parte de Pickard, en 1906, los primeros cir- cuitos de radio que utilizaban diodos y triodos, entre 1907 y 1927; el receptor superhete~ rodino de Armstrong, en 1920; la demostracién de la televisidn, en 1925; el dispositive de efecto de campo de Lilienfield, en 1925; la modulacién fm de Armstrong, en 1933, y del radar, en 1940. FIGURA 1.1 Evolucién desde 10s (ubos de vacfo hasta la microelectr6nica TABLA LL Niveles de integraci6n CAPfTuLO 1» — INTRODUCCION A LA ELECTRONICA Y EL DISENO La primera revolucién de la electrénica comenz6 en 1947 con la invenci6n del transis: tor de silicio por Bardeen, Bratain y Shockley en los laboratorios de la compaia Bell Tele- phone. La mayor parte de las tecnologias electr6nicas avanzadas que existen en la actuali- dad tienen sus bases en este invento; tal es el caso de la microelectrénica modema que ha evolucionado, con el paso de los afios, a partir de los semiconductores. Esta revolucién fue seguida por la primera demostraci6n de la televisi6n en color en 1950, y la invencién del transistor unipolar de efecto de campo pot Shockley, en 1952. La siguiente innovacién se presenté en 1956, cuando los Laboratorios Bel! desarrolla- ron el transistor de disparo pnpn, también conocido come tirisior 0 rectficador controla- do de silicio (RCS). La segunda revolucin de la electrénica inicié con el desarrollo de un tiristor comercial realizado por la General Electric, en 1958. Este fue el comienzo de una ‘nueva era para las aplicaciones de la electronica en las reas de procesamiento 0 acondicio- namiento de potencia, conocida como electrénica de potencia. Desde entonces, se han desarrollado muchas clases de dispositivos semiconductores de potencia y técnicas de con. version, El primer circuito integrado (CD) fue desarrollado en 1958, en forma simulténea por Kilby en la compafifa Texas Instruments y los investigadores Noyce y Moore en Fairchild ‘Semiconductor, Inc.; esto marcé el inicio de una nueva fase en la revolucién de la microe- lectrdnica. Este invento fue seguido por el desarrollo del primer circuito integrado comer- cial para un amplificador operacional, el ».A709, de la compatifa Fairchild Semiconductor, ‘en 1968; e! microprocesador 4004 de Inte, en 1971; el microprocesador de 8 bits de Intel, en 1972, yel circuito integrado de memoria gigabit de Intel, en 1995. En la figura t.1 se mues- tra la evoluci6n, desde los tubos de vacfo, hasta la microelectrénica. El desarrollo de tos ci ‘cuitos integrados continia en la actualidad, como un esfuerzo para alcanzar circuitos inte- grados con una mayor densidad y una menor disipacién de potencia; en la tabla 1.1 se ‘muestran los niveles histricos de integraci6n en tos circuitos. ‘Cantidad de componentes Fecha | Grado de integracién cn el circuito integrado ‘Asis 50 | Componentes discretos 1a ‘Ajios 60 | lntegracién a pequefa escala (SSI) ‘Menor a 10? 1966 Integraci6n a mediana escala (MSD De 10? a 10° 1969 Integraci6n a gran escala (LSD) De 10? a to* 1975 TIntegracién a muy grande escala (VLSI) } De 10*a 10? ‘Atos 90 | Integracién a ultra gran escala (ULSI) | Mayor a 10° ASPEGTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 1.2 Desde la invencién del primer dispositivo amplificador, el tubo de vacio, en 1904, el campo de Ia electrénica ha evolucionado con mucha rapide. En la actualidad, los cireuitos integra dos a ultra gran escala (ULSD contienen més de 10? componentes en la oblea de silici. SECCION 3» SISTEMAS ELECTRONICOS 3 1.3 Sistemas electronicos FIGURA 1.2 Sistemas electrénicos Sensores Actuadores ’ Un sistema electrénico es un arreglo de dispositivos y componentes electr6nicos que tiene tun conjunto definido de entradas y salidas. Mediante el uso de transistores (trans-resisto res) como dispositivos, el sistema toma Ia informacién en forma de sefales de entrada (0, sencillamente, entradas), realiza operaciones con estas sefiales, y luego produce sefiales de salida (0 salidas), De acuerdo con el tipo de aplicacisn, los sistemas electrénicos pueden clasificarse como: de comunicacién, de electrénica médica, de instrumentacién y de con- trol 0 computarizado. En la figura 1.2(a) se muestra el diagrama de bloques de un receptor de radio de FM. La antena acta como elemento de deteccién y Ia sefial de entrada que proviene de ella es pequeiia, por to comiin del orden de microvolts; su amplitud y nivel de potencia son ampli- ficados por el sistema electrénico antes de alimentar al altavor. En la figura 1.2(b) se mues- tra un diagrama de bloques de un instrumento indicador de temperatura. La satida excita al instrumento indicador. El sensor de temperatura produce un voltaje pequefio, normalmen- te del orden de milivolts por aumento en la unidad de temperatura, por encima de 0 grados (por ejemplo, | mV/*C). Ambos sistemas toman fa entrada de un sensor, la procesan y pro- ducen una salida que excita a un actuador. ee electraico (4) Receptor de radio Set Hee. Ha (b) Instrumento indicador de temperatura Un sistema electrénico debe comunicarse con dispositivos de entrada y de salida, Las ‘entradas y las salidas, por lo general, tienen forma de sefiales eléctricas. Las seftales de en trada pueden obtenerse de la medicién de variables fisicas tales como la temperatura 0 el nivel de Iiquidos, y las salidas pueden utilizarse para provocar variaciones en otras varia- bles fisicas, como en el caso de los elementos indicadores y calentadotes. Con frecuencia, los sistemas electrénicos utilizan sensores para captar variables extemas de entrada y actuadores para controlar variables externas de salida, Los sensores y los actuadores se co- ‘nocen también con el nombre de transductores. El altavor es un ejemplo de un transductor que convierte una sefial electrénica en sonido, Existen muchas clases de sensores, entre los que se incluyen: ‘Termistores y termopares, para medir temperatura Fototransistores y fotodiodos, utilizados en la medici6n de ta luz Sensores de esfuerzo y materiales piezoeléctricos, para medir fuerza Potenciémetros, sensores inductivos y codificadores absolutos de posicién, con los ‘cuales se mide el desplazamiento + Generadores tacométricos, acelerémettos y sensores de efecto Doppler, para medir movimiento + Micréfonos, para medir sonido Los actuadores producen una salida no eléctrica a partir de una sefial eléctrica, Existen mu- cchas clases de actuadores, como: + Calentadores resistivos, para producir calor * Diodos emisores de luz (LED) y controles variables de intensidad, utilizados en el control de la cantidad de luz 1.4 Sefiales electronicas y notacion FIGURA 1 Sefiaies electrénicas CAPYULO 1» INTRODUCCION ALA ELECTRONICA ¥ EL DISENO + Solenoides, para producir fuerza + Medidores, para indicar desplazamicnto + Motores eléctricos, que se utilizan en la produccién de movimiento o velocidad + Altavoces y transductores ultras6nicos, para produeir sonido ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 1.3 Un sistema electrinico esté formado por dispositivos y componentes electtbnicos. El siste~ ma proceéa sefales electronicas y acta como una interfase entre los sensores (que se en- ccuentran en el lado de entrada) y los actuadores (situados en el lado de sada). ‘= Los sensores convierten variables fisicas en sees eléetricas; mientras que los acwuadares, ‘convierten sefiaes eléetricas en variables fisicas. A menudo, los sensores y los actuadores se ‘conocen con el nombre de transductores, Las sefiales electrénicas pueden dividirse en dos categorias: anaidgica y digital, Una seval analégica tiene un intervalo continuo de amplitudes con respecto al tiempo, como se indi- can la figura 1.3(a). Una sefial digital implica s6lo valores discretos de voltaje con respec- to al tiempo, como se muestra en la figura 1.3(c). Una sefial digital tiene sdlo dos valores, que representan el estado 1 16gico (nivel alto) y el estado 0 16gico (nivel bajo). Para dar ca- bida a variaciones en los valores de los componentes, la temperatura y el ruido (o sefales extrafias), normalmente al estado 1 légico se le signa cualquier voltaje entre 2 y 5 V. El es- tado 0 l6gico se puede asignar a cualquier voltaje que se encuentre entre 0 y 0.8 V, 4 Ampliad 4 3 2 alae) o_l ret (a) Seal analégica 4 : 3 : 1 | Teed ° ace 7 () Sei de mucstreo Nivel lgico Lootiiitooorooriio () Sei digital Por lo general, la sefial de salida de un sensor es analigica, y con frecuencia los actua- dores necesitan una entrada anal6gica para producir la salida deseada. La seftal anal6gica puede convertirse en digital, y viceversa. Los circuitos electrénicos que realizan estas con- Convertidores analégico a digital FIGURA 1.4 ‘Conversién del tipo ‘anal6gico a digital SECCION 14» SENALES ELECTRONICAS Y NOTACION 5 versiones se conocen como convertidores analégico a digital (A/D) y convertidores digital a analégico (DIA). Un convertidor A/D convierte una sefial anaidgica en digital y proporciona una interfase en- tte las sefiales analogicas y digitales. Consideremos el voltajc anal6gico de enirada de la fi- gura 1.4(a). La sefial de entrada se muesirea en intervalos periédicos que estén determi- nados por el tiempo de muestreo T,, asignando un namero binario de m bits (by, by...b,) a cada muestra, como se indica en la figura 1,4(b) para n = 3. El niimero binario de n bits es una fraccién binaria que representa la relacién que existe entre el voltaje desconocido de ‘entrada vy el voltaje de escala completa Vzs del convertidor. Para n = 3, cada fracci6n bi aria es Vjs/2" = Ves/8. En la figura 1.4(c) se muestra el voltaje de salida de un convert dor AD de 3 bits. Sefal mueseada () Seal muestrada m4 “10 J for decane (LS8) 101 a 100 ou oro 01 000 eee Vis Ys” Bes” Yes eee cea (0 Sanda boa (@) Bror de cuanicacign En la figura 1.4(c) se muesira la reiaciGn enirada-salida, la cual indica que mientras el voltaje de entrada aumenta desde 0 hasta el voltaje de escala compieta, la salida binaria cambia desde 000 hasta 111. Sin embargo, el nimero binario permaiece constante para un intervalo de voltajes de entrada igual de Vzg/2" (= Veg/8 para n = 3), que es igual al valor I det bit menos significativo (LSB, por sus sigias en inglés) del convertidor A/D. Por con~ siguiente, conforme aumenta el voltaje de entrada, la salida binaria proporcionard primero tun error negativo y luego un error positive, como se muestra en la figura 1.4(d), Este error, conocido como error de cuantizacidn, se puede reducit si se aumenta el nimero de bits m Convertidores digital a analégico FIGURA 1.5 Convertidor digital Notacion ‘a analégico CAPfTuLo 1» INTRODUCCION A LA ELECTRONICA ¥ EL DISENO Por tanto, el error de cuantizacién se puede definir como el voltaje mas pequefio que pue- de cambiar el bit menos significativo (LSB) de la salida binaria de 0 a 1. El error de cuan- tizacién también se conoce como la resolucién del convertidor, y esta determinado por la siguiente expresi6n Vise = Vero = Ves/2" (Lt) donde Vzs es el voltaje de mayor escala del convertidor. Por ejemplo, el voltae Vip Pa ra un convertidor de 8 bits es Vise = Yes" ‘Un convertidor D/A toma una sefial de entrada que tiene forma binaria y produce un vol- taje 0 corriente de salida en forma analégica (0 continua). En la figura 1.5 se muestra el diagrama de bloques de un convertidor D/A de 1 bits formado por los digitos binarios (b), ‘bp...b,). Se supone que el convertidor genera la fraccién binaria, ta cual se multiplica por el voltaje de escala completa Ves para obtener el voltaje de salida, expresado por Vo = (B27 + by27? + by273 +. + 2g (1.2) donde el i-ésimo digito binario puede ser b, = 0.0 b, (MSB). Por ejemplo, para V; 5Vin cidn (1.2) se tiene que Vo= (UX 241X274 0X2 KS =375V 728 = 19,53 mV = 20mV 1 y by es el bit mas significativo 3, y la palabra binaria bb,bs = 110, de la ecua- La seftal analégica se representa, por lo general, con un sfmbolo y un subindice. El simbo- lo y el subindice pueden ser letras maysisculas 0 minisculas, de acuerdo con Ta convenciGn que se muestra en la tabla 1.2. Por ejemplo, consideremos el circuito de la figura 1.6¢@). cu- ya entrada consiste en un voltaje de ed Vey = 5V y un voltaje de ca vay = 2 sen wt En la figura 1.6(b) se muestran los voltajes instanténeos. Las definiciones dc tos simbolos de vol taje y corriente son las siguientes: 1. Vopy Iep Son valores de cd; las variables y los subindices se escriben con ma- yaisculas, Vep = 5V Top = Veo/Ry = 5 mA 2. vg ig Son valores instantineos de ca: las variables y los subsndices se escriben con mindsculas. Yap = Mae = 2800 ot = 2sen wt mA (pant Ry = 1 kM) 3. vagy in Son valores instanténeos totales; las variables se escriben con mindsculas y los subsndices con mayésculas. vag = Veo + Yup = 5+ 25en ot ig = lop + ig = SMA + 2sen wt mA (para Ry, = 1 KO) 4, Vyy. fy son valores totales de las magnitudes; las variables se escriben con ma- yisculas y los subindices con mintisculas. Vag = VEEP = 5.20 I= VPH(V2F = 5.20 mA SECCION 1,5 > CLASIFICACION DE LOS SISTEMAS ELECTRONICOS 7 FIGURA 16 Notacién para las sefales clectrénicas a S gL te Meo to ; (©) Votaeinstanténeo TABLA 1.2 ; Defnicin desimbolosy | Definicién Cantidad | Subindice ] Ejemplo subindices Valor de ed de ta sefat Mayuscula | Mayiscula | Vp Valor de ca de la sefial Miniscula | Miniscula | vg ‘Valor instanténeo total dela sefal (ed ya) | Mindseula | Mayiscuia |» Variable comple, fasor 0 valor rms de la seal | Mayéscula | Miniscule | Vy ASPEGTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 1.4 + Enisten dos clases de sefiles elecuSnicas:analégicasy digitales. Una sefal anal6gica puc- de convertirse en digital y viceversa. + Se utiliza un sfmboto en minisculas para representar una cantidad instanténea y un sfmbolo en maySsculas para representa valores de dy ems. El subindice en minisculas se utiliza para representarcantidades instanténeas deca y ms, mientras que el subindice en mayéscu- las se usa para representa el valor total, el cual incluye cantidades de cay cd LS La forma como se procesa una sefial en un sistema electrénico depende de la naturaleza de Clasificacion de los | ls seales de entrada, de los equerimientos de sida de tos atuadores y de ls requ ist mientos globales del funcionamiento. Sin embargo, existen ciertas funciones que son sistemas ‘comunes a una gran cantidad de sistemas; entre ellas se encuentran la amplificacién, ta adi electrénicos ci6n y sustracci6n de sefiales, la integraci6n y diferenciacién de sefiales, y el filtrado. Algu- ngs sistemas requieren una secuencia de operaciones, tales como el conteo, la temporiza- cidn, el ajuste, el restablecimiento y la toma de decisiones, Ademés, puede ser necesaria la ‘generacién de sefiales senoidales 0 de cualquier otra clase dentro de un sistema. ‘Los sistemas electrénicos tienen su aplicacién cn automdviles, equipos caseros de en- tretenimiento, equipo para oficina y comunicacién, equipos médicos, entre otras dreas; tam n ayudan a mantener estilos de vida de slta tecnologia. Con frecuencia, los sistemas electrénicos se clasifican de acuerdo con su tipo de aplicacién: + Electronica automotriz, ‘+ Blectrdnica de comunicacién + Electrénica de consumo + Blectrénica industrial + Electrénica de instrumentacién + Mecatr6nica + Electrénica médica Electrénica de oficina El campo de la electrénica se divide en tres éreas diferentes, segiin la clase de sefiales y cl procesamiento que requieren los sistemas electrénicos. La electrénica analdgica trata principalmente sobre la operacin y las aplicaciones de los transistores como dispositivos de amplificacidn. Las sefiales de entrada y las de salida toman un intervalo continuo de valores de amplitud con respecto al tiempo. La funcién de FIGURA 1.7 Efectos dei mio en las, sefales analdgicas y digitales CAPITULO 1» INTRODUCCION A LA ELECTRONICA Y EL DISENO la electrénica analégica es transporiar y procesar ta informacién que est& contenida en una sefial anal6gica de entrada, con una caniicad minima de distorsién. La electrénica digital se retaciona en torma principal con la operacién y las aplicacio- nes de los transistores como dispositivos de conmutacién en sus estados de “encendido” y “apagado”. Las seftales de entrada y salida son settales de puisos discontinuos que ocurren cn instantes iguaimente espaciados en el tiempo. La funcién de la electrénica digital es transportar y procesar la informacion que esté contenida en la sefial digital de entrada, con una cantidad minima de ervor y con ia mayor velocidad posible. La electrénica de potencia trata sobre la operaciGn y las aplicaciones de los dispositivos semiconductores de potencia, enire elios los transistores de potencia, tales como conmuta- dores de “encendido” y “apagado” para et conirol y conversiGn de la potencia eléctrica. La clectrSnica analogica, la digital o ambas, se utitizan para generar sefiaies dz control para los dispositivos de conmutacién, para obtener las esirategias de conversiGn deseadas (por ejemn- plo, ca/ed, ca/ca, ed/ca 0 ed/ed) con la maxima eficiencia de conversién y una cantidad mi- nima de distorsién en las formas de onda. La enicada a un sistema electrdnico de potencia es un voltaje (0 corriente) de alimentacién de ca 0 de cd. La electrénica de potencia est enfocada principalmente al contenido y la calidad de la potencia, mis que ala informacion contenida en una sefial. Por ejemplo, un circuito elecirSnico de potencia puede proporcio- nar una alimentaci6n estable de cd, digaros, 12 V a un sistema anal6gico y 5 V a ua siste- ‘ma digital, con una alimentacién de ca 120 V a 60 Hz. La microelectrénica nos ha proporcionado la habilidad para generar y procesar sefiales, de control a una velocidad increfble. La electrénica de potencia nos ha dado la capacidad de formar y controlar grandes cantidades de potencia con un elevado nivel de eficiencia (entre 1 94 y el 99%). La mayor parte de las aplicaciones potenciales de la electr6nica de poten: ccia estén origindndose de la unidn de la microelectrénica (el cerebro) com la electrénica de potencia (el misculo). Adenids, esta ditima ha surgido como una disciplina distinta y est revolucionando el concepto de procesamiento y acondicionamiento de potencia para ei control y Ia automatizacién industrial de potencia ‘Muchos sistemas electronicos utilizan técnicas anaidgicas y digitales. Cada método de implantacién tiene sus propias ventajas y desventajas, las cuales se presentan en la siguiente lista + Es comin que el ruido esté presente en los circuitos electrénicos, Se define como una sefial extrafia que se genera debido a la agitacidn térmica de los electrones de un resistor, al acoplamiento inductivo 0 capacitivo de sefiales que provienen de otros sistemas, u otras fuentes. El ruido se aftade directamente a las sefiales anal6gicas y, por consiguiente, las afecta; esto puede comprobarse cn la figura 1.7(a). Por lo tanto, cl ruido es amplificado en las etapas amplificadoras subsecuentes. Como las sefiales digitales tienen s6lo dos niveles (alto 0 bajo), el ruido no afectaré a la salida digital, como se muestra en la figura 1.7(b), y puede eliminarse efectivamente de las sefales digitales. + Un circuito analégico necesita menos componentes que un circuito digital para rea- lizar una funcién determinada. Sin embargo, un circuito analdgico requiere con fre- ccuencia de capacitores de valor eievado o inductores que no pueden fabricarse en un to integrado. + La implantacién de un circuito digital en circuitos iniegrados tiende a ser més facil que la de un circuito anal6gico, aunque puede ser mas compleja que en el caso de un a ALR (a) Seda analoglea mas raido () Seba dugital mas ruido SECCION 1.6 > _ESPECIFICACIONES DE LOS SISTEMAS ELECTRONICOS 9 Circuito analdgico. Sin embargo, Ia calidad y la velocidad de los cireuitos digitales son superiores para el procesamiento de las sefiales. + Los sistemas analégicos estan disefiados para desarrollar funciones u operaciones es- pecificas, mientras que los sistemnas digitales pueden adaptarse a diferentes tareas sos. «+ En general, las sefiales que provienen de los sensores y las que van a los actuadores ‘en los sistemas electr6nicos son de tipo analégico. Si una sefial de entrada tiene una rmagnitud de bajo nivel y debe procesarse a frecuencias muy clevadas, entonces se requiere la técnica analGgica. Para obtener un funcionamiento y un disefio Gptimos, con frecuencia se utilizan los enfoques digital y analégico, ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCIO! Laclectr6nica puede clasificarse en tes éreas: anal6gica, digital y de potencia. Esta ciasifi- caci6n se basa principaimente en el tipo de procesamiento de la sefial. A menudo, los siste- ‘mas electrénicos se clasifican de acuerdo con el tipo de aplicacié, como la electr6nica mé- dica, la electrénica de consumo, eteétera. 1.6 Especificaciones de los sistemas electrénicos Especificaciones de la respuesta transitoria FIGURA 18. Respuesta de un cireuito a tun puso Un sistema electrénico, por lo comin, se diseia para que realice ciertas funciones u opera- ciones. El desempeiio de un sistema electrénico se especifica 0 se evalia en funciGn del vol taje, de la corriente, de la impedancia, de la potencia, del tiempo y de ta frecuencia en la en- trada y en la salida del sistema, Los pardmetros de desempefio incluyen las especificaciones de Ja respuesta transitoria, de distorsi6n, de frecuencia y especificaciones cd y de sefial pequetia Las especificaciones de la respuesta transitoria se refieren a la sefial de salida que genera tun circuito como respuesta a una sefal especifica de entrada, cominmente una sefial de pul- 0s repetitivos, como se muestra en la figura 1.8(a). Por lo general, ta sefal de salida exhi- be en cada ciclo un tiempo de retraso ty, un tiempo de levantamiento 1, un tiempo de cencendido faye, un tiempo de caida t; y un tiempo de apagado f,,, como se muestra en la f gura 1.8(b). Dependiendo del factor de amortiguamiento del circuito, la respuesta puede presentar un disparamiento antes de llegar a la condicisn de estado-estable como se mues- tra en la curva discontinua de la figura 1.8(b). A continuacién se definen los tiempos que estén asociados con una sefal de salida: + Tiempo de retraso ty, es el tiempo que transcurre antes de que el circuito pueda res- ponder a cualquier seftal de entrada. + Tiempo de levantamiento f, es el tiempo que requiere la salida para aumentar del 10 al 90% de su valor final (alto). + Tiempo de encendido tag, es el tiempo durante el cua el circuito se encuentra com- pletamente encendido y Tunciona de manera normal 1" | or Treas) (@) Eatrada % _ Bispacaniento fhe 08} on Figaro seen () Salida 10 Distorsién FIGURA 1.9 Algunos ejemplos de distorsién Especificaciones de frecuencia CaPfTULO 1» INTRODUCCION A LA ELECTRONICA Y EL DISENO *+ Tiempo de catda tq es el tiempo que se requiere para que la salida disminuya del 90 al 10% de su valor inicial (alto). * Tiempo de apagado t,y, €5 el tiempo durante el cual el circuito esta completamente apagado, sin operar. Por Io tanto, el periodo de conmutacisn T es TH tg + Ot beget hy t hy (2.3) y la frecuencia de conmutacién es f = 1/7. Estos tiempos limitan la velocidad maxima de conmutacién fgg, de un circuito. Por ejemplo, la frecuencia maxima de conmutacién de un circuito con ty = 1 usy t, = 4= 2pses Frnts = Wty + f+ 1) = US ps = 200 kHe Con frecuencia, una sefial se distorsiona mientras pasa por las diferentes etapas de un tema electr6nico. La distorsién puede adoptar diversas apariencias y alterar la forma, la arn- plitud, ta frecuencia o la fase de una sefal. En la figura 1.9 se muestran algunos ejemplos de distorsion: en la parte (b) se observa el recorte de la forma de onda senoidal original de la parte (a) debido a la limitaci6n de la fuente de alimentacién; en la parte (c) se mues- ta la distorsién de cruce debida a la falta de efectividad del circuito cerca del cruce por ce- 10, y en la parte (d) se ve la distorsiGn arménica debida a las caracteristicas no lineales de 10s dispositivos electrénicos. Es comin que se aplique en Ia entrada de un circuito una sefial senoidal con una frecuencia espeeffica, y luego se midan las componentes fundamentales y arménicas de la sefial de salida. La cantidad de distorsién se especifica como la distorsién arménica total (THD, pot sus siglas en inglés), que indica la relacién que existe entre el valor rms de la componente arménica y el valor mms de la componente fundamental (en 1a frecuencia de la entrada senoidal). La THD debe ser tan baja como sea posible, Recone | —+ 0 Hea 9) reas) (2) Onda senoidal () Recorte yp, Distocsia "© “armdnica Hen) () Distorsién de cruce (4) Distorsin arménica El intervalo de frecuencias de las sefiales electrénicas varia amptiamente, segiin la aplica- _ESPECIFICACIONES DE LOS SISTEMAS ELECTRONICOS n ‘Tipo de sefal ‘Ancho de banda Sefales s{smicas 1.4200 Hz Electrocardiogramas 0.05 a 100 Hz Sefiales de audio 20 Hz a 15 kHz Sefales de video edad? MHz Sefiales de radio am 540 a 1600 kHz Sefiles de radar 1 a 100 MHz Sefiales de televisién VHF 54 a 60 MH. Sefiales de radio fm 88 a 806 MHz Sefales de television UHF 470 a 806 MHz Seriales de teléfono celular 824.4 891.5 MHz Seitales de televisin via satélite 3.7242GHz Sefales de comunicacién por microondss | 150GHz Yo ¥, Sistema tecnico | Yo Ke ti siento) (a) Circuito () Respuesta en frecuencia Para una frecuencia de operacién dentro del intervalo de ancho de banda, la ganancia cen voltaje se define como v, Ania v (1.4) donde V, y V, son los valores rms de los voltajes de entrada y de salida, respectivamente La impedancia de entrada se define como (1s) donde f, es el valor rms de la corriente de entrada del cireuito. Con frecuencia, Z, se cono- ce como la resistencia de entrada de sefial pequefia R,, porque la salida es casi independien- te de la frecuencia a la mitad de ta banda. La idea es que R, debe tender hacia el infinito La resistencia equivalente de Thévenin vista desde el lado de salida se especifica como la resistencia de salida R,, fa cual, idealmente, deberd ser cero. Las especificaciones de ed y de sefial pequefia incluyen el voltaje de la fuente de alimenta- in de od, Vec, las corrientes de polarizacién de od (que se requieren para activar y ope- rat los transistores) y la disipaci6n de potencia Pp (requerimiento de potencia de la fuente de alimentacién de cd). Con frecuencia se especifica la ganancia en voltaje (el cociente del voltaje de salida vo entre el voltaje de entrada »)). Si la relacién voy es lineal, como se muestra en la figura 1.11(a), y el circuito opera en un punto de polarizacién Q, la ganancia en voltaje esté dada por la expresi6n Ay= 8 6) ‘A menudo, Ay se conoce como ganancia en voltaje a seftal grande. La curva caracteris: fica de los transistores es no lincal, como se muestra en la figura 1.11(b), y el circuito fun- ciona en un punto de operacién de polarizacidn, el punto Q. Para que la relacién vo-y; sea 2 FIGURA 1.11 Caracteristicas de sefal grande y de sefial pequefia CAPITULO 1» — INTRODUCCION ALA ELECTRONICA ¥ EL DISENO (@) Relacién tneal () Relacién no tinea cesencialmente lineal se hace que la sefial de entrada varie sobre un intervalo pequefo, Enton- ces, la ganancia en voltaje se conace como ganancia a seful pequefa A,, expresada por a7 enc puto 0 Los circuitos electrénicos, en especial los amplificadores, funcionan por lo general s0- bre un intervalo précticamente lineal de la caracteristica. Para una frecuencia de operacién que esté dentro del ancho de banda del circuito, A, = Ayia. donde A,,y €s la ganancia a fre- cuencia media del amplificador. ASPECTOS PRINCIPALS DE. LA SECCION 1.6 Los 3s parémetros que describen el comportamiento de los circuitos y sistemas eleetrénivos por lo comin incluyen las especificaciones de la respuesta transitoria, la distorsi6, la fre- ‘cucneia y las especificaciones de sefal pequeia y sefial grande. 175 Disefio de sistemas electronicos Los sistemas de ingenier‘a han aumentado cada vez més su complejidad. Por consiguiente. es muy deseable que los ingenieros tengan las habilidades necesarias para analizar, sinteti- zar y disefiar sistemas complejos. Un disefio transforma las especificaciones en circuitos ‘que satisfacen tales especificaciones. FI disefio de un sistema es un reto que involucra mu- cchas variables. Pueden utilizarse diferentes enfoques para implantar las mismas especifica *” Diodo ay ‘Cétodo (@) Simboto ()Ioterruptar controtado Los transistores de unién bipolar (BJT), desarrollados en la década de los atios cincuenta, son los dispositivos mas antiguos que se utilizan para la amplificacién de sefales. Se cuenta ‘con dos tipos de transistores: npn y pnp. En las figuras 1.23(a) y 1.23(b) estén representa ‘dos sus simbolos. Un transistor de unin bipolar tiene tres terminales: el emisor (E), la base (B) y el colecior (C). La punta de flecha del emisor identifica al transistor como un dispo- sitivo pnp o npn. Los voltajes Vag ¥ Vc Son necesarios para activar y polarizar al transis- tor en la forma adecuada, en sus modos normales de operaci6n. ‘Un BIT es un dispositivo controlado por corriente, y su corriente de colector (salida), ic depende de la corriente de base ig, como se muestra en la figura 1.23(c). La unién base cemisor se comporta como un diodo y puede representarse con un diodo. Por lo tanto, un cambio pequefio en la corriente de base i, provoca un cambio amplificado en la corriente de colector i, €s decir, fe = Beiy as) donde By es la ganancia en corriente de cd del transistor. En la figura 1.23(4), se muestra el modelo de sefal pequefia de un BIT. En el capitulo 5 se analizardn las caracterfsticas y Jos modelos de los transistores bipolares. ck, Re lem le*h + PHO " om cana pm le (2) teansistor npn (b) Transistor pap (©) Modelo de cd (@) Modelo de sefial pequefia Los transistores de efecto de campo (FET) representan la siguiente generacidn de transis- tores después de los BJT. Un FET tiene tres terminales: el drenaje (D), la compuerta (G) y la fuente (S). La corriente de salida de un FET esté controlada por un campo eléctrico que FIGURA 1.24 ‘MOSFET incremental SECCION 1.9» —_DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 23 depende del voltaje de control de la compuerta, El FET opera como un dispositive contro- lado por voltaje, es decir, la corriente de drenaje (salida) depende del voltaje de entrada de la compuerta. Existen tres tipos de FET: transistores de efecto de campo de metal-Sxido- semiconductor incrementales (MOSFET incremental, por sus siglas en inglés), transistores, de efecto de campo de metal-6xido-semiconductor decrementales (MOSFET decremental) y transistores de efecto de campo de unién (JPET, por sus siglas en inglés). En el capitulo 5 se analizardn las earacteristicas y los modelos de los FET. MOSFET incrementales Hay dos clases de estos dispositivos: de canal n y de canal p, En las figuras 1.24(a) y 1.24(b) estén representados sus simbolos respectivos. La punta de flecha del sustrato indica el tipo: p 0 n. Por lo comiin, el sustrato B se conecta en la termi- nal de la fuente. Gracias a la accin de un campo eléctrico se induce un canal. Como lo indican las lineas interrumpidas que van del drenaje a la fuente, no existe un canal fisico entre estos iltimos. Los voltajes vcs = Vos ¥ Vop S0n necesarios para activar y polarizar en forma adecuada un FET en sus modos norinales de operacién. La corriente de compuer- ta ig es muy pequeia, précticamente cero. La corriente de drenaje (salida) ip depende det voltaje compuerta-fuente vgg, como se muestra en la figura 1.24(c), y esta determinada por io = Ky(vas~ Vara ics! 21M (1.19) donde K, = constante del MOSFET, en A/V? V, = voltaje de umbral de! MOSFET, en V vos ¥ V; Son positives para los MOSFET incrementales de tipo n, y negativos para los dispositivos MOSFET incrementales de tipo p. El valor de vgs debe ser mayor que el de V, ppara que pueda fluir cualquier corriente de drenaje. Es decir,|¥s| > IVj|. Por ejemplo. K, = 20 mA/V?, V, = 1.5 V (para un MOSFET de canal »), y vas = 3 V, de la ecuaci6n (1.10) se tiene que ip = 20 mA X (3 = 1.5? = 45 mA () Modelo de ed para el canal MOSFET decrementales Hay dos clases de MOSFET decrementales: de canal n y de canal p. En las figuras 1.25(a) y 1.25(b) estén representados sus simbolos respectivos. Co- ‘mo lo indican las Kineas continuas que van del drenaje a la fuente, existe un canal fisico en- tre estos tiltimos. Sin embargo, el canal puede aumentar 0 disminuir debido a la accion de ‘un campo eléctrico. Los voltajes vgs (= Vos)¥ Vpp polarizan en forma adecuada a los FET ‘en sus modos normales de operaciGn, La corriente de compuerta ig es pricticamente cero, FIGURA 1.25 MOSFET decremental CAPITULO 1» INTRODUCCION A LA ELECTRONICA Y EL DISENO La corriente de drenaje (salida) ip depende del voltaje compucrta-fuente vgs, como se muestra en la figura 1.25(c), y esté determinada por K (ves ~ ¥)" aay wr oe(1-") para Ihc =lvpl (12) donde — K, = constante del MOSFET, en A/V? pss = K,V3, la corriente de drenaje en vgs = V, = voltaje de apagado del MOSFET, en V Vpes el voltae en el cual el canal fuente-drenaje estéefectivamente apagado y no fuye corriente de drenaje. V, es negativo para los MOSFET decrementales tipo n, y €5 positivo para los dispositivos MOSFET decrementales tipo p. El voltaje ves puede ser positive 0 ne- gativo, pero su magnitud no puede exceder el valor de |V,| = voy {€) Modelo de cd para el canal FET de unién (JFET) Existen dos clases de FET de unin; de canal n y de canal p. En las figuras 1.26(a) y 1.26(b) se’representan sus simbolos respectivos. La unién compuerta- fuente se comporta como un diodo que esté polarizado en inversa. Como lo indican tas Iineas continuas que van del drenaje a la fuente, existe un canal fisico entre estos ultimos. La corriente de drenaje esté controlada por la influencia de 1a accién de un campo eléctri- co. Los voltajes vgs (=Ves) ¥ Vop Polarizan apropiadamente a los JFET en sus modos rormales de operaciGn. Existe una pequefia corriente de compuerta ig del orden de mi- ceroamperes. La corriente de drenaje (salida) ip depende del voltaje compuerta-fuente 5, ‘como se muestra en la figura 1.26(c), y esté dada por la expresién 2 ip toss (1 -3) para [vosl = |¥4l (1.13) f donde —Ipss = corriente de drenaje cuando vgs = 0, en A Vy = voltaje de apagado del JFET, en V V, es el voltaje en el que el canal drenaje-fuente estéefectivamente apagado, y no Ruye corriente de drenaje. V, es negativo para los JFET de tipo n, y positive para los FET de ti po p. El voltaje vgs es negativo para los JFET de tipo n, y positivo para los JFET de tipo p, pero su magnitud no puede exceder el valor de Vp, Por ejemplo, si pss = 20™mA, V, = ~3V (para un JEET de canal n), y vgs = 1.5 V, de la ecuacién (1.13) se tiene que ip = 20 mA X (1 — 1.53)? = 5 mA FIGURA 1.26 Dispositivos JFET FIGURA 1.27 Caracteristicas de transferencia y modelo de sefial pequefia de los FET SECCION 1.9» — DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 25 (© Modelo decd para cl canal n Caracteristicas de transferencia La caracteristica de transferencia de un FET describe larelacién que existe entre la corriente de drenaje ip y el voltaje compuerta-fuente vgs. En Ja figura 1.27(a) se muestra la curva caracteristica para todas las clases de FET: La pendien- te de la curva caracteristica ip-¥s proporciona la transconductancia de sefial pequetia 9 la cual se define como to as) VG | ent puro 2 Por lo tanto, la corriente de drenaje de sefial pequetia ig se puede hallar con la siguiente expresin fa = BmYos (Ls) donde vgs es el voltaje compuerta-fuente de sefal pequefia. Los FET pueden representarse mediante e! modelo de sefial pequefia, como se muestra en la figura 1.27(6) aaa “od ( a Se ame: is (a) Caracteristicas de transferencia (b) Modelo de seiial pequetia para los FET 'ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 1.9 ‘+ Los dispositivos electrénicos consttuyen la parte medular de la electrOnica, Hay tres cate- orias de dispositivos electrénicas: diodos semiconductores, transistores de unién bipolar (BIT) y tansistores de efecto de campo (FET). + El diodo actia como un interruptor, que puede estar encendido 0 apagado segiin sea el vol taje a través de sus terminales. El BJT es un dispositivo controlado por corriente que puede funcionar como interruptor o como amplificador. El FET es un dispositive controlado por voltaje que puede funcionar como un interruptor o como amplificador. 26 CAapfTULO 1» INTRODUCCION A LA ELECTRONICA Y EL DISENO Referencias 1 BB. Blanchard y W. J. Fabrycky, Systeme Engineering and Analysis. Englewood Cliffs, NJ: Pren- tice Hall Inc., 1990. John Burkhardt, Lecture Notes on the Art of Design. Fort Wayne: The Indiana Universty-Purdue University Fort Wayne, 1996. Criteria for Accrediting Programs in Engineering in the United States. Baltimore, MD: Engineering Accreditation Commission of the Accreditation Board for Engineering and Technology (EAC/ABET), 1996. Robert L. McConnell, Wils L. Cooley, y N. T: Middleton, Electrical Engineering Design Compen- dium. Reading, MA; Addison-Wesley Publishing, 1993. John G. Webster, Teaching Design in Electrical Engineering. Piscataway. NJ: The Institute of Elec- trical and Blectronics Engineers, Inc., 1990. Richaed C. Jaeger, Microelectronic Circuit Design. Nueva York: MeGraw Hill, 1997, capitulo 1 PW, Tuinenga, SPICE—A Guide to Circuit Simulation and Analysis Using PSpice. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall Inc., 1995. MH Rashid, SPICE for Circuits ond Electronics Using PSpice. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall Tnc., 1995. Marc E, Hemiter, Schematic Capture with Microsim PSpice. Englewood Chifs, NJ: Prentice Hall Inc., 1996, Problemas 12 13 14 1s 16 7 18 19 110 Disefiar un circuito para medir un voltaje de cd en el intervalo de 0 a 400 V. Para obtener una defte- ‘xin de escala completa, el cuadro mévil consume 100 WA y presenta una caida de | V (cd) entre sus terminales. La precisién debe ser superior al 2%, La corriente de entrada desde la fuente debe ser ‘menor que I mA. Disedie un circuito que suministre 6 V a una carga, a partir de una alimentacién de 24 V. La corrien- te de carga debe ser 5 A. La precisin debe ser superior al 5%. Disefie un circuito que proporcione 60 W a $0 V a una témpara resistive, a partir de una linea de ali- imentacién de ca de 120 V + 10% a 60 Hz. El circuito debe ser eficiente con relacion al consumo de ‘energia; es decir, debe consumir la rinima cantidad de potencia, Disefie un circuito para cargar un capacitor de 2 wF a partir de un voltaje de alimentacion de od de 24 V. La corriente de carga debe limitarse a 1 mA. La precisin debe ser superior al 5%. Los voltajes de entrada y de salida de un amplificador son y= Ssen (100m +307)mV yy 400 sen (10002¢ + 90°) mV Calcul la magnitudy la fase de la ganancia en voltaje del amplificador. En un MOSFET de canal n, K, = 20 mA/V? y ¥, = 15 V. Si el voltaje compuerta-fuente es vos = 3 V.ealeule la transconductancia de sefial pee gq del MOSFET. En un JFET de canal, Iss = 20 mA,y V, = ~3V. Sil voltae compuerta-uente es vgs = = 1.5 V- ‘aleul la transconductanela de sefial peqvetia gq del JPET. Suponga que los dispostivos estén en saturacin. Lacorriente de base de un transistor bipolar es ig = 2(1 + sen 2000) mA y la ganancia en corrien- te del transistor es fp = 100. {Cues son los valores de Tp ge He © ic? ara un transistor bipolar los voltajes colector-emisor son Ve = 6 V y Yq = ~100 sen (200070) IV. los votajes base-emisor son Vag ~ 0.7 Vy Ye = {sen (2000nt) m¥. (a) Determine las expresiones para Yee ¥ Ya (b) Caleue la gunancia en volaje de seal pequetia Ay Para un FET, os voliajes drenaje-fuente son Vpg = 6 V y Yay = ~50 sen (100021) mv, y los volla- jes compuerta-fuente son Veg = 3 Vy vg = 2 Sen (1000) mY. (a) Determine las expresiones para Yo, ¥ Yas () Calcule la gananciaen volaje de seal pequefia A, Diodos Contenido del capitulo 2 ntroduccién 29 Anilisis de circuitos con diodos reales 22 Diodos ideales 2.10 Modelado de diodos reales 23 Caracteristicas de transferencia de los 2.11 Diodos zener circuitos con diodos: 2.12 Diodos emisores de luz 24 Diodos reales 2.13 Diodos de barrera Schottky 25 Funcionamiento fisico de los diodos de 2.14 — Disipacién nominal de potencia niga 2.15 Hojas de datos técnicos para diodos 26 Caracteristicas de los diodos reales 27 Determinacién de tas constantes del diodo RESUMEN > REFERENCIAS 28 Efectos de la temperatura PREGUNTAS DE REPASO b PROBLEMAS 2.1 I El diodo es un dispositivo semiconductor de dos terminales que ofrece una baja resistencia Introduccién del orden de los m® en una direccisn y una alta resistencia del orden de los GO en a otra. Por tanto, el diodo facta el flujo de corriente en s6lo una direccién. El diodo es el disposi- tivo electrénico més simple, y ¢s el componente bésico de muchos circuitos y sistemas elec- Uwénicos. En este capftulo se analizan las caracteristicas de los diodos y sus modelos mediante el anilisis de un circuito con diodes El diodo exhibe una relacién no lineal entre el vottaje a través de sus terminales y la corriente que circula por él. No obstante, el analisis de un diodo se simplifica con la supo- sicién de una caracteristica ideal. Los resultados de este andlisis simplificado son tiles para comprender el funcionamiento de los circuitos con diodos, y son aceptables en mu- ‘chos casos précticos, sobre todo en la etapa inicial de disci y andlisis. Si se requieren resultados més precisos, pueden usarse modelos de circuitos lineales que representen la ccaracterfstica no lineal de los diodos. Por lo general se uilizan estos modelos al evaluar el desempefio de los circuitos con diodos. Sin embargo, cuando se requiere més precisién, es comin utilizar ef modelado la simulaciGn asistidos por computadora. Los objetivos de aprendizaje de este capitulo son los siguientes: «+ Entender las caractertsticas ideales y reales de los diodos semiconductores + Comprender el principio de funcionamiento de los diodos semiconductores y sus aplicaciones como dispositivos interruptores 27 Carfruto2 = DIoDOs + Aprender los modelos de circuitos de un diodo y los métodos para analizar circuitos ‘con diodos + Estudiar las caracteristicas de los diodos zener y sus aplicaciones como reguladores de voltaje En Ja figura 2.1(a) se representa el simbolo de un diodo semiconductor, Sus dos terminales ‘son el &nodo y el cétodo. Si el voltae en el dnodo se mantiene positive con respecto al céto- do, el diodo conduce y ofrece una pequefia resistencia. Se dice entonces que el diodo est polarizado directamente, y se comporta como un cortocircuito, como se muestra en a fi- ura 2.1(b). Si el voltaje en el 4nodo se mantiene negativo con respecto al cétodo, el diodo ofrece alta resistencia, Se dice entonces que el diodo esté polarizado inversamente, y se comporta como un circuito abierto, como se ilustra en la figura 2.1(c). Por consiguiente, un diodo ideal ofrece una resistencia cero y una caida de voltaje cero en la direccidn directa. En direccién inversa, ofrece una resistencia infinita con una corriente cero, FIGURA 2.1. Caracteristica de un diodo ideal Raye Roo ip Sh oe LL 2.2 Diodos ideales B.Anodo fo” Jie w YD todo ‘G Tey \ 's 3 K (@) Diode encendido {€) Diodo apagado (@) Caracterstica ¥4 ideal El diodo ideal se comporta como un cortocitcuito en la regién directa de conduccién (vp = 0), como circuito abierto en la regidn inversa de no conducci6n (ip = 0). La carac- teristica v-ide un diodo ideal se muestra en la figura 2.1(d). Ya que el voltaje en sentido di- recto tiende a ser mayor que cero, [a corriente en sentido directo a través del diodo tiende ser infinita, En la préctica, sin embargo, el diodo se conecta a otros elementos del circui- {o, tales como resistencias, por lo que su corriente directa se limita a un valor conocido. EJEMPLO 2.1 SOLUCION Circuito con diodos para implantar la funcién W6gica OR En la figura 2.2 se ilustra un circuito ‘con diodos capaz de generar una funcién logica OR. La convencién logica positiva denota el 0 logi- ‘co con OV, y un I lgico con un voltaje positive, por lo general de 5 V. Muestre Ia tabla de verdad aque ilustra la salida logica FIGURA22 Circuito : Vipin OR con dodo yep} ——2€ \s AB Si atmbas entradas tienen OV (es decit, Vy = OV y Vg ~ OV), ambos diodos estan apagados y la salida Vo serd de 0V (00 l6gico). Si V0 Yq (o ambos) tienen un rive alto (+5 V),e dodo cores- pondiente (Dj 0 D; © ambos) conducirs cori, y el volaje de salida ser alt: estos, Vo = $V: SECCION22 » —DIODOS IDEALES 29 Como se verd més adelante, el diodo real tiene una caida de voltaje finita de aproximadamente 0.7 V, y el voltaje de salida serd de alrededor de S ~ 0.7 = 4,3 V (0 | I6gico). La tabla de verdad que ilus- tra la funcién logica estdrepresentada en la tabla 2.1 TABLA 2.1 Tabla de verdad del ejemplo 2.1 Voltajes Niveles ldgicos Va. Ye ve [aA 8 C ov ow ow i}o 0 0 ov sv ov Jo 1 1 sv wi oo 4av} i oot sv sy avr td EVEMPLO 2.2 SOLUCION Circuito con diodos para implantar la funciéa lagica AND En la figura 2.3 se muestra un circ to con diodos que puede generar una funcién légica AND. La convencién légice positiva denota un O légico con 0'V y un I égico con un voltae positivo, por lo general de 5 V. Muestre la tabla de ver- dad que ilusra la salida logica. FIGURA23 Circuito Tégico AND con diode ~5V ® ey Si Ia entrada Va 0 Vp (o ambas) es de 0 V, el diodo correspondiente (D, 0 Dz © ambos) conduciré corriente, y el voltaje de salida seré de 0 V. En la préctica, el diodo tiene una caida de voltae finita ‘de unos 0.7 V. y el voltae de salida ser8 aproximadamente de 0.7 V (0 0 légico). Si ambas entradas son altas (esto es, Vy = 5 Vy Vg = 5 V), ambos diodes estar polarizados a la inversa (apagados). el voltae de salida seré alto, es decir, Ve = 5 V. La salida sera un | l6gico. En la tabla 2.2 se mucs- {ra la tabla de verdad de una compuertalégica AND. TABLA2.2 Tabla de verdad del ejemplo 2.2 Voltajes Niveles logicos VA EoV Vea | Anes, ov ov. omy [oo oo osv ow jo 1 oO sv ow ow jt 0 Oo svoosy sv ft at > NOTA: Sibien es posible uiizar diodos para desempetarfunciones Logica, os ciruitos log «0s con diodos son lentos y, por tanto, rara vez se uilzan en la précica. En el capitulo 12 se verd que el desempefio de muchas familias logicas ¢s superior. CapfruLo 2» —Dioos EVEMPLO 2.3 IF SOLUCION Aplicacién como diode rectificador El voltaje de entrada det circuito con diodo expuesto en ta f- sgura 2.4. €5 vg = v, = Vq sen a, Dicho voltae tiene una componente de cd cero; esto es, Vs = Oy /g + vy = vg Trace las formas de onda del voliaje de salida vg y el voltaje en el diodo vp. FIGURA24 Circuito Durante el intervalo 0 = ar 0 Yo vs Sivs $0 En la figura 2.6(c), el voltaje de salida vg es igual al voltaje de entrada cuando el diodo con- duce. Esto es, vo = {’s Sivs > Ye '0 = \Wasivs = Ve En la figura 2.6(4), el voltaje de salida vp se queda como Vg (esto es, permanece fijo en Vp) ‘cuando el diodo conduce. Cuando el diodo esté apagado, el volta de salida es igual al vol- taje de entrada. Asi, v= [Yesivs> Ve 0 = lye sing SVQ En la figura 2.6 también se mucstran las caracteristicas de transferencia representativas, Db, os ae ee a codions = 1 seaeceell eee % o o 0 val /fediene = 1 entice = %, % © @ 32 CaPituLo2 > — Diopos ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2.3 Lacaracteristica de transferencia relaciona el voltaje de salida con el voltaje de entrada y 00) depende de la magnitud ni de la forma de onda de este sltimo, 2.4» Diodos reales La caracteristica que distingue a un diodo real de uno ideal, es que cl diodo real experimen ‘a una caida de voltae finita cuando conduce. Esta caida se encuentra por lo general den tro del intervalo de 0.5 V a 0.7 V. Si el voltaje de entrada a un circuito con diodos es sufi- Cientemente elevado, esta pequeta caida se puede pasar por alto. Sin embargo, la cafda de voltaje puede provocar un error significativo en circuitos electrénicos, por lo que hay que tener en cuenta la caracteristica del diodo al evaluar el desempefio de circuitos con diodos. Para comprender la caracteristica de un diodo real, es necesario entender su Funcionamien- to fisico. 2.5% Funcionamiento fisico de los diodos de unin Uni6n del diodo Los diodos de unidn se fabrican con materiales semiconductores. A un semiconductor puro se le ama material intrinseco, en el que las concentraciones de electrones 7 y huecos p son iguales. Un hueco es la ausencia de un electrén en un enlace covalente, y es semejante a luna carga positiva independiente. Las corrientes inducidas en semiconductores puros son muy pequetias. Los semiconductores més utilizados son los de silicio, de germanio y de ar- seniuro de galio, Los materiales de silicio cuestan menos que los de germanio y permiten que los diodos operen a temperaturas més altas. Por esta raz6n, ya casi no se utilizan los diodos de germanio, Los diodos de arseniuro de galio (GaAs, por sus siglas en inglés) pue- den funcionar a velocidades de conmutacién més altas y a frecuencias més altas que los diodos de silicio, y por eso se les preficre, Sin embargo, los materiales de arseniuro de ga- Tio son més caros que los de silicio y més dificites de fabricar, asi que por regla general se utilizan sélo en aplicaciones de alta frecuencia. Se espera que los dispositivos GaAs ad- ‘quieran cada vez. mas importancia en los citcuitos electrénicos. Para incrementar la conductividad, en los semiconductores puros se introducen cantida- des controladas de materiales, conocidos como impurezas, con lo que se ctean electrones li- bres o huecos. El proceso de agregar cantidades cuidadosamente controladas de impurezas a los semiconductores puros se conoce como impurificacién. Un semiconductor al que se le hhan agregado impurezas se conoce como extrinseco. Por lo general se utilizan dos tipos de impurezas: tipo n (como antimonio, fésforo y arsénico), ¥ tipo p (como boro, galio ¢ indio). Las impurezas tipo n son materiales pentavalentes, con cinco electrones de valencia en la capa extema del tomo. La adicién de una cantidad controlada de una impureza tipo nal icio 0 al germanio, hace que un electrén se vincule débilmente al dtomo paterno, porque cuatro electrones bastan para completar un enlace covalente, A temperatura ambiente, existe suficiente energia para provocar que el electrn redundante se desprenda de su Sto- ‘mo paterno; de esta manera se genera un electr6n libre. Este electron puede moverse alea- {oriamente en ¢l interior del cristal semiconductor. Por consiguiente, una impureza ti dona elecirones libres al semiconductor; por esta raz6n, a menudo se le conoce como do- nador de impureza. El étomo de impureza originalmente era neutro, y la remocin del elec~ ‘én redundante hace que el étomo de impureza exhiba una carga positiva igual a +e, y que permanezca fijo en la rejilla de cristal de la estructura. En la figura 2.7(a) se muestra un semiconductor tipo n. Observe que los huecos también estan presentes en los materiales se- ‘miconductores tipo n imperfectos debido a las agitaciones térmicas de los electrones y los, hhuecos en el interior de los materiales. Por consiguiente, en un semiconductor tipo n, los elec- {rones son los portadores mayoritarios, y los huecos los minoritarios. Las impurezas tipo p son materiales trivalentes, con tres electrones de valencia en Ia capa extema del étomo. La adicién de una impureza tipo p al silicio o al germanio provo- SECCION 25 > — FUNCIONAMIENTO FISICO DE LOS DIODOS DE UNION 33, FIGURA 2.7 Semiconductores tipo y tipo p lca redundant acco wiso (eyamiso ‘éoiment at Re x Seiimene Soe pte (2) Atomo de impurezas tipo (b) Atome de impureza tipo p_ © com carga postiva ‘con carga negativa sion fof IDR tipon k Regién de aguamieato fo =), © © ca un vacio para un electrén cerca del étomo de impureza, ya que se requieren cuatro elec: trones para completar enlaces covalentes. Un vacio para un electrén es como un hueco, el cual equivale a una carga positiva +e. A temperatura ambiente, existe suficiente energia para hacer que un electrén cercano ocupe el vacio existente, lo que a su vez provoca un ‘acio en otra parte. De esta manera, el hueco se mueve aleatoriamente en el interior del cris- tal semiconductor. Por consiguiente, una impureza tipo p acepta electrones libres, y se le ‘conoce como aceptor de impureza. Con el electrén que gana, cl étomo de impureza exhibe ‘una carga ~ e, y permanece fija en la rejilla de cristal de 1a estructura. En la figura 2.7(b) se ‘muestra un semiconductor tipo p. En un semiconductor tipo p, Ios huecos son los portado- res mayoritarios, y los electrones los minoritarios. Para considerar el principio de funcionamiento de un diodo, se supondré que se colo- ca un material tipo p en un lado de un cristal de un material semiconductor puro, y que se ‘coloca un material tipo m en el otro lado, como se muestra en la figura 2.7(c). (Est bargo, no es la manera de hacer un diodo.) A temperatura ambiente, los electrones, que son los portadores mayoritarios en la regién n se difunden del lado tipo 7 al lado tipo pi los hue- cos, que son los portadores mayoritarios en la regién p, se difunden de! lado tipo p al lado tipo n. Los electrones y los huecos se recombinan cerca de la uniGn y, por consiguiente, se anulan entre sf. En cada lado de la unién habré cargas opuestas, lo que crea una regién de ‘agotamiento, o regién de carga espacial, como se muestra en la figura 2.7(d). Bajo condi- clones de equilibrio térmico, no habré mas electrones o huecos que crucen la unin, ‘Debido a la presencia de cargas opuestas en cada lado de la unin, se establece un cam- po eléctrico a través de ésta. La barrera de potencial resultante V,, que se forma porque el Tado tipo n esté a un potencial mayor que el Lado tipo p, impide cualquier flujo de portado- ‘res mayoritarios hacia el otro lado. En la figura 2.7(e) se muestra la variaci6n del potencial a través de la uni6n. ‘A causa de la barrera de potencial ¥;, los electrones, que son los portadores minorita- rios en el lado p, cruzan Ia unién hacia el lado n; los huecos, los portadores minoritarios en ‘l lado n, cruzan la unién hacia el lado p. De esta manera, fluye una corriente provocada por los portadores minoritarios (huecos) del lado n hacia el lado p, que se conoce como co- rriente de deriva Iyg. Asimismo, una corriente conocida como corriente de difusién Ing flu- ye del lado p hacia el lado n, provocada por los electrones mayoritarios. En condiciones de cequilibrio, 1a corriente resultante es cero. En consecuencia, estas dos corrientes (Ie € fon) son iguales y fluyen en direcciones opuestas, es decir, Tor = —lor Condicién de polarizacién directa FIGURA 2. Unign pn con polarizacion directa Condicién de polarizacién inversa FIGUBA29 Unig pn con polarizacién inversa Condicion de ruptura Cartruto2 » —Diopos Se dice que una unién tiene polarizacién directa si l lado p se hace positivo con respecto al lado n, tal como se ilustra en la figura 2.8(a). Si se incrementa ct voltaje aplicado Yp, la barrera de potencial se reduce a V; ~ vp, como se muestra en la figura 2.8(b), y un gran nd- ‘mero de huecos fluyen del lado p al lado n, De la misma manera, fluye un gran nimero de electrones del lado 7 al lado p. La corriente en el diodo resultante €s ahora ip = Ine - Jpg. Conforme Ia corriente del diodo fp s¢ incrementa, las resistencias Ghmicas del lado p y del lado n provocan una significativa caida de voltaje en serie, Si vp se incrementa aiin més, la mayor parte de este incremento se pierde como una cafda de voltaje en serie, Asf, el ancho de la regién de agotamiento se reduce con el incremento del voltaje en polarizacién direc- ta, La harrera de potencial no se reduce proporcionalmente, aunque puede llegar a set cero. Regia de Bae poten section Iii Jor: Toor inp Tom Reraiane | ie te [: ‘aaa reac Regn aga a © Se dice que cierta unin tiene polatizaciGn inversa cuando el lado n se hace positive con respecto al lado p, tal como se ilustra en la figura 2.9(a). Si se incremental voltaje inverso py la barrera de potencial se incrementa a V, + vp, como se muestra en la figura 2.9(b) Los huecos del lado p y los electrones del lado n no pueden cruzar la uniGn, y la corriente de difusi6n [pe provocada por los portadores mayoritarios es insignificante. Sin embargo, a causa de la barrera de potencial més alta, los huecos minoritarios del lado n cruzan con facilidad fa unién hacia el lado p y los electrones minoritarios del lado p cruzan ta unién hacia el lado-n. Por tanto, la corriente fluye solamente a causa de los portadores minorita- tios. El flujo de corriente inverta se debe a la corriente de detiva Ipg. la cual se conoce como corriente de saturacién (0 de fuga) inversa, denotada por /s como en la ecuacién (2.1). Regn de Banea de poencisl, agoumieno Resa ‘oe ' =f nici Teor | ipp Tipo yop Regi nde agotamiesto @ © La cantidad de portadores minoritarios disponible es muy pequefia y, por consiguiente, la cortiente resultante también lo es, del orden de los picoamperes. La produccién de porta- dores minoritarios depende de la temperatura. Por tanto, siel voltaje inverso vp se incremen- {a alin més, la corriente del diodo permanece casi constante hasta que se alcanza una condi- cin de ruptura, Sin embargo, si se incrementa la temperatura, fa corriente inversa del diodo también se incrementa, por lo que el ancho de la regidn de agotamiento se inerementa a in- crementarse el voltaje aplicado. Si el voltaje inverso se mantiene suficientemente alto, el campo clécirico de la capa de ago- tamiento Hlega a ser tan fuerte como para romper los enlaces covalentes de los étomos de SECCION 2.6» — CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS REALES 35, silicio (o de germanio), lo que produce una gran cantidad de pares electr6n-hueco por todo el cristal semiconductor. Estos electrones y huecos producen un gran flujo de corriente in- versa. La region de agotamiento (a menudo llamada regidn de carga espacial) Mega a ser tan ancha que las colisiones son menos probables, aunque el cada vez mds intenso campo eléctrico dispone de la fuerza para romper directamente los enlaces. Este fenémeno se lla- ima efecto de tunelizacin o efecto zener. El mecanismo se conoce como ruptura zener. Los clecirones y los huecos anulan a su vez las cargas negativas y positivas de la region de ago- tamiento, y la barrera de potencial de la unién virtualmente se elimina. La cotriente inver- ‘sa esté limitada entonces tnicamente por el citcuito externo, mientras que el voltaje termi- nal inverso permanece casi constante, en un valor igual al voltae zener Vz Cuando el campo eléctrico llega a ser suficientemente fuerte, los electrones del lado p se aceleran a través del cristal y chocan con los enlaces covalentes no rotos, con fuerza su- ficiente para romperlos. Los electrones gencrados por los choques pueden adquirir suficien- te energia cinética para chocar con otros enlaces no rotos, también con la fuerza suficiente para romperlos, Este efecto acumulativo, que produce una gran cantidad de flujo de corrien- te no controlado, se conoce como ruptura en avalancha. En la préctica, no hay distipcidn entre los efectos zener y en avalancha, porque ambos Hevan a una gran corriente inversa. Cuando ocurre una ruptura con Vz <5 V (como en uniones excesivamente impurificadas) se trata de una ruptura zener, Cuando ocurre con Vz >7V (aproximadamente), es una ruptura en avalancha. Cuando fa unién se rompe con un voltaje entre 5 y 7 V, la ruptura puede ser zener 0 en avalancha, o una combinacién de las dos. ‘ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2.5 + Se crean electrones libres (en material tipo n) y huecos (en material tipo p) agregando can- tidades controladas de impurezas tipo n y p, respectivamente, a semiconductores puros + Un diodo semiconductor puede concebirse como formado al emparedar un cristal tinico eon ‘ua material p por un lado y un material n por el otro. + Siun diodo tiene polarizacin directa, la hartera de potencial se reduce y una gran cantidad ‘de huecos fluyen det lado p hacia el lado n. Asimismo, fluye una gran cantidad de electro- nes del lado m hacia el lado p. La resistencia dhmica del diodo Hega a ser muy pequefia en condiciones de polarizacién directa. + Sin diodo tiene polarizacién inversa, la barrera de potencial se incrementa. Los huevos del lado p y los electrones del lado n no pueden cruzar la uai6n. La resistencia Ghmica del dio- do llega ser muy alta. Sin embargo, un voltaje inverso suficientemente alto puede provocar tuna ruptura en avalancha, 2.6 Caracteristicas de los diodos reales En la figura 2.10 se muestra la caracteristica voltaje-cortiente (v-i) de un diodo real. Esta caracteristica, que puede aproximarse con una ecuacién conocida como ecuacién de Shoc- ley, esté dada por ip = [ger - 1) ea donde corriente que circula por el diodo, en A voltaje del diodo con el énodo positivo con respecto al cétodo, en V Ig = cortiente de fuga (0 de saturaci6n inversa) por lo general del orden de 1A alo" A constante empirica conocida como coeficiente de emisién 0 factor de idealidad, cuyo valor varia desde | hasta 2 FIGURA210 Caractetistica de un diodo reat CapiruLo2 —» —_Diovos El cocficiente de emisi6n m depende del material y de la construcci6n fisica del diodo. Para diodos de germanio se considera que m es igual a 1. Para diodos de silicio, el valor pronos- ticado de n es 2, con corrientes muy pequefias 0 grandes, aunque para la mayor parte de los diodos reales de silicio el valor de n esta dentro del intervalo de 1.1 1.8. Vz de la ecuacién (2.1) es una constante llamada voltaje térmico, y esté dada por KT, v, = A 22) q donde q = carga del electrén = 1.6022 1079 coulomb (C) Tx = temperatura absoluta en grados Kelvin = 273 + Teens & = constante de Boltzmann = 1.3806 X 10-” J por grado Kelvin ‘A.una temperatura de 25 °C en la uni6n, la ecuacién (2.2) da el valor de Vz como ' AT _ (0.3806 x 1079273 + 25) _ _ Tr ~258mV q 1.6022 x 10" Tose y ‘A.una temperatura especifica, la corriente de fuga /s permanece constante para un dio~ do dado. Para diodos de sefal pequetia (0 de baja potencia), el valor tipico de Is es 10° A. [La caracteristica del diodo de la figura 2.10 se puede dividir en tres regiones, como sigue: regidn de polarizacién directa, donde vp > 0 regiGn de polarizacién inversa, donde vp <0 regién de ruptura, donde vp < — Vex. Regién de polarizacién directa: En esta regién, vp > 0. La corriemte en el diodo ip es muy pequeiia cuando el voltaje del diodo vp es menor que un valor espectfico Vrp, conocido como unbral de voltaje, voltaje de activacién 0 voltaje de encendido (por lo ge- neal, de 0.7 V). El diodo conduce completamente cuando vp es mayor que Vzp. Por tanto, el umbral de voltaje es el voltaje con el cual un diodo con polarizacidn directa empieza a conducir Supéngase que se aplica un pequefio voltaje directo de vp = 0.1 V a un diodo dem = 1 ‘A temperatura ambiente, Vz = 25.8 mV. A partir de la ecuacién (2.1), se determina la co- rriente del diodo ip como Ig(et/ V4 — 1) = L6fe01/E * 059 — 1) = 1548.23 - 1) = 48.231, con 2.1% de error ‘np EEE eee eee SECCION 2.7» DETERMINACION DE LAS CONSTANTES DEL DIOD0 37 Por consiguiente, para vp > 0.1 V, que es el caso general, ip >> fy ¥ ta eeuaci6n (2.1) puede aproximarse dentro de un 2.1% de error mediante ip = Lge'0/™M ~ 1) = Het!" 23) Regién de polarizacién inversa: En esta regién, vp <0, estos, vp es negativo Si |vo] >> Vr. lo cual ocurre para vp <0. V, el término exponencial de Ia ecuacién (2.1) se vuelve insignificantemente pequeto comparado con la unidad, y la corriente en el diodo ig llega a ser p= tye bl/*¥4 ym ly ar lo cual indica que la corriente en el diodo jp permanece constante en la direccién inversa, yy su magnitud es igual a la de Is. Region de ruptura: En esta regidn el voltae inverso es alto, por lo general mayor que 100 V. Si la magnitud del voltaje inverso excede un voltaje especifico conocide como vol- taje de ruptura Vp, la corriente inversa correspondiente Jyy se incrementa répidamente, con un pequefio cambio del voltje inverso més allé de Vi. El funcionamiento en la region de ruptura no destruye el diodo, siempre que la disipacién de potencia (Pp = vpip) se man tenga dentro del nivel de seguridad especificado en la hoja de datos técnicos del fabricante. Sin embargo, es necesario limitar la corriente inversa en la regidn de ruptura de modo que la disipacién de potencia quede dentro de un intervalo admisible. ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2.6 {Un diodo real exhibe una caracterstica v-i no lineal, la cual puede representarse con la eoua- cin de Shockley. + La curva caracteristica v-i de un diodo puede dividirse en tres regiones: de polarizacién di recta, de polarizacién inversa y de suptura. Por lo comin, el diodo funciona en la region de. polarizacién directa 0 en la de potarizacién inversa 2.7 W Las constantes del diodo Is n pueden determinarse con datos ~i medidos experimental Is en Determinacién mente o con la caracteristca »-, Hay varios pasos que deben seguirse. Si se toma el loga- Fee eeenateg ano catural (basen ambos membres d= a enaién 2, scene del diodo Tecae We lo cual, después de las simplificaciones, da el voltae del diodo vp a ‘pb Yo = avy in (2) as) s Si el logaritmo natural de base e se convierte al logaritmo de base 10, la ecuaciGn (2.5) se transforma en = 23nV5 log (2) 26) is Jo cual indica que el voltaje en el diodo vp es una funcién no lineal de la corriente det dio- do ip, Si fpy €5 la cortiente en el diodo correspondiente al voltaje en el diodo Vp 18 ecua- cidn (2.5) da vay = an! en 38 FIGURA 2.11 Grifica de la caracterfstica i del diodo trazada en una ‘scala semilogaritmica Cariruto 2» Diovos Asimismo, si Vpges el voltaje en el diodo correspondiente a la corriente en el diodo Ip2, s¢ obtiene h Von = V4 In (2) 2.8) s Por consiguiente, la diferencia de los voltajes del diodo se puede expresar por medio de I Vpn ~ Yor = 0Ve ln (2) - 29) Is que puede convertirse en el logaritmo de base 10 como I Yoo ~ Yor = 239V5 Hos (2) (2.10) fon Esto demuestra que para un cambio de una década (es decir, un factor de 10) de la corrien- teen el diodo [py = 10/py, el voltaje del diodo cambia 2.3nVz, Por tanto, la ecuacién (2.6) ise como yp = 23nV log ip — 2.3nVy log fy ean la grifica de esta ecuacién se raza en una escala semilogarftmica con vp en el eje vert- cal lineal e ip en eleje logaritmico horizontal, 1a caracteristica serd una Ifnea recta con pen- diente +2.3nV- por década de corriente, y su ecvacidn tend la forma de una ecuacién de linea recta estandar; esto es, ysmr-e donde ¢ = 23nV log Is ‘m= 2.3nVz por década de corriente La gréfica de la ecuaci6n (2.11) esté representada en la figura 2.11 23nV log (ls) Jofen mA) Por consiguiente, con base en Tos resultados experimentales de un diodo desconocido, la prifica de a caracterfstica v-i puede trazarse en una escala semilogaritmica, Los valores de Is y n pueden calcularse como sigue: Paso 1. Trace la grifica vp en funcidn de ip en una escala semilogaritmica, como se mues- tra en la figura 2.11. Paso 2. Halle la pendiente m por década del cambio de cortiente Paso 3. Determine el coeficiente de emisidn n con el valor conocido de m: esto es, 23V, 2.3 % 0.0258 Paso 4. Determine el punto de interseccién ¢ en el eje vp, SECCION 2.8» — EFECTOS DE LA TEMPERATURA 39 Paso 5. Calcule el valor de fs con 2.3nVy log Is = ¢ Una vee que se determinan fos valores de Is y n, el voltaje de diodo vp puede expresarse explicitamente como una funcién de la corriente del diodo ip como en la ecuacién (2.5). EJEMPLO 2.4 SOLUCION Determinacién de las constantes del diodo Los valores medidos de un diodo, a una temperatura de unién de 25 °C, estén dados por (OSV a ly=SHa von ey tata Determinar (a) el coeficiente de emision my (b) le corrente de fuga Ts Voy = 05 V com fp: = 5 WA y Voy = 0.6 V con Ipg = 100 WA. A 25 °C, Vp = 25.8 mv. (a) Con la ecuacidn (2.9), ) © 06-05 = myn (SOR) Ay SHA la cual da nVq. = 0.03338 y m = 0.03338/Vq = 0.03338/(25.8 x 107?) = 1.294; (6) Con la ecuacién (2.5), ) 0.03338 In ta cual da fy = 1.56193 x 107A, 'ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECt N27 ‘Las constantes del diodo J; y n pueden determinarse trazando la gréfica de la caracteristiea ‘4 de un diodo en una escala semilogaritmica. 2.8 Efectos de la temperatura Lacorriente de fuga /g depende de la temperatura de unién 7, (en grados celsius), y se in- ‘crementa a razén de aproximadamente +7.2%/°C en cl caso de diodos de siticio 0 germa- rio. Por tanto, si se suman los incrementos por cada grado de aumento de la temperatura de unién hasta 10 °C, se obtiene I(T, = 10) = Igll + 0.072 + 0.072 + 0.072%) + (0.072? + 0.072%) + (0.072 + 0.0724) + (0.0724 + 0.0725) + (0.0725 + 0.072% + (0.0726 + 0.0727) + (0.0727 + 0.0728) + (0.072 + 0.072°) + 0.072 + 0.072!) ~ 2s esto €5, Is casi se duplica por cada 10 °C de aumento de temperatura, y se puede relacionar ‘con cualquier cambio de temperatura por medio de Ig) = LT )A0 19 = (TT) 2.12) donde [,(T,) es la cortiente de fuga a la temperatura T,, La sustitucion de Vz = KT,/q en fa ecuaci6n (2.5) da la dependencia en la temperatura del voltaje del diodo en condiciones de polarizacién directa, esto es, neR aay (2) (2.13) ty q ds a ap Ee EE eee ee eee 40 CapfruLo2 » —DIoDos la cual, después de derivar yp con sespecto aT, da cay tt ,(2)- “ES pe aa (\Ms als aT, 273+T, Is dT {que disminuye con la temperatura 7, con vp constante. Con una corriente de diodo dada ip, €l voltaje del diodo vp disminuye con la temperatura, La dependencia con respecto a la ter- peratura de la caracteristica del diodo en condiciones de polarizacién directa se muestra en ¥ Vy dl B ats (2.14) la figura 2.12. FIGURA 2.12 Dependeneia eon respecto h ‘ala temperatura de la a corriente del diodo Ip fa TT Voy < Yon < You 0 Vips Frma\Vioi\ Vox Yor Vou El umbral de voltaje Vp también depende de la temperatura 7, Conforme aumenta la temperatura, Vp disminuye, y viceversa. Vp. el cual guarda una relacién aproximada- ‘mente lineal con la temperatura 7, esté dado por Vro(T}) = Vro(Ts) + KyelT ~ 7.) (2.8) donde 7, = temperatura de unién de 25 °C TT, = nueva temperatura de unién, en °C Vyp(T,) = umbral de voltaje a la temperatura de unién T,, el cual es de 0.7 V para un diodo de silicio, de 0.3 V para un diodo de germanio y de ‘0.3 V para un diodo Schottky (analizado en la seccién 2.9) Vro(T;) = umbeal de voltae a la nueva temperatura de unién 7, Kc = coeficiente de temperatura, en V/°C, el cual es -2.5 mV /°C para tun diodo de germanio, ~2 mV /°C para un diodo de silicio y -1.5 mV/°C para un diodo Schottky EJEMPLO 2.5 Jp Determinacién de ta dependencia con respecto a ta temperatura del umbral de voltaje El ‘umbral de volije Vep de un diodo de sliio es de 0:7 V, a 25 °C, Determine entonces el umbral de voltae Vzp 2 (a) 7, = 100 °C y (b) T, = ~ 100°C. SOLUCION | AT. = 25°C, Vrp(T,) = 0:7 V.EI coctciente de temperatura det silico es Kye (a) AT, = 100°C, con a ecuaci6n (2.15), 2mV/°C. VapT) = Vao(To) + KrolT ~ Te) 50.7 ~ 2% 10-? x (100 ~ 25) = 0.55V {b) AT, = —100°C, con la ecuacién (2.15), Vyo(T) = Yep\Ta) * KredT, ~ To) 7 = 2x 1073 x (100 ~ 25) = 095 V Por tanto, un cambio de temperatura puede provocar un cambio significativo en el valor de Vp EEE EEE eee eee eee SECCION 2.9 > — ANALISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS REALES 4a EJEMPLO 2.6 Dp Determinaciin de ta dependencia con respecto ala temperatura de la corriente del diodo Ls ‘corriente de fuga de un diodo de silicio es Ig = 107 A, a 25 °C, y el coeficiente de emision es n= 2-La temperatura de unin de operaciGn es T, = 60 °C. Determine entonces (a) la corrente de fuga Is y (b) la comiente de diodo jp con vp = 0.8 V. SOLUCION Ig = 10° AaT, = 25°C, T, = 60°Cy vp = 08 V. (@)De acuerdo con la ecuacién (2.12), el valor de Iga T, = 60°C es Ig, = 60) = Bg T2987) m= 1079 x 2018-29. = 1131. 1O-PA (D)A Ty = 273 + 60 = 333 °K, ln ecuacién (2.2) da 1.3806 x 10°73 x (273 + 60) Vp = SEK — 1:3806 10 OO 5) 258.69 mi ie 1.6022 x 10°™ ae Con ta ecuacién (2.3) se determina la coriente de diodo ip: fp fet! = 131 x 1079 x e280 = 1284 mA "ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2.8, ~ La coriente de fuga /g aumenta a raz6n de aproximadamente +7.2%/°C en los diodos de silicio 0 germanio. + Tanto el voltae del diodo vp como el umbral de voltaje Vzp disminayen con la temperatura 29 El diodo se utiliza como parte de un circuito electrénico, y la corriente del diodo ip se vuel- Antlisis vve dependiente de otros elementos del circuito. En la figura 2.13 se muestra un circuito sim- de circuitos con diodos reales FIGURA 2.13 Circuito simple con diodo ple de diodo, Con la ley del voltae de Kirchhoff (LVK), la fuente de voltaje de Vs ip pue- de expresarse como Vs= vp + Ruip Ja cual origina la corriente del diodo ip, como 2.16) Como el diodo se va a polarizar directamente, la corriente del diodo ip se relaciona con el voltaje del diodo vp, de acuerdo con la ecuacién de Shockley, pn igerol™ = 1) 2.47) la cual demuestra que ip depende de vp, que a su vez depende de ip, Por tanto, las ecuacio- nes (2.16) y (2.17) pueden resolverse para vp ¢ /p mediante cualesquiera de los siguientes métodos: método grafico, método de aproximaciGn 0 método iterativo. Eee eee eee 42 CaptruLo2 >» —Diovos Método gréfico Suponga que vp es positivo. La ecuacién (2.17) representa entonces la caracteristca del diodo en la direccién de polarizacin directa. La ecuaci6n (2.16) corresponde a una linea recta con pendiente -I/R,_y representa la caracterfstica de carga, conocida como recta de ‘carga. Si las ecuaciones (2.16) y (2.17) se trazan en una sola grifica, como se muestra en Ia figura 2.14, la caracterfstica del diodo corta la linea de carga en el punto Q, el cual es el punto de operacidn de! diodo. Las coordenadas de este punto Q dan el voltaje de polariza- ibn del diodo Vog (0 simplemente Vp) y la corriente de polarizacién del diodo Ipq (0 sim- plemente Ip). Este enfoque grafico no es un método de andlisis conveniente y, por tanto, tara vez se utiliza en el andlisis de circuitos con diodos. Sin embargo, ayuda a comprender el concepto de punto Q y el mecanismo de andlisis de circuitos con diodos. FIGURA 2.14 Método grafico de andlisis Caracertica de un odo en la diseccida & de polarizaion desta og = bo vm A ve % Yoo = Yo Método Para resolver las ecuaciones (2.16) y (2.17) mediante el método de aproximacién, suponga de aproximacién {que el diodo tiene una caida de voltaje constante igual al umbral de voltaje Vp, es deci, ¥p = Vr con lo que la caracteristica de diodo se muestra de manera aproximada como tuna linea vertical en la figura 2.15. El umbral de voltaje Vzp de los diodos de sefial peque- wigurazas ja queda dentro del intervalo de 0.5 V a 1.0 V. La caida de voltaje en diodos de silicio es ‘Coucerisicn _aroximadamente ¥p = Vz) = 0.7 V, mientras que en diodos de germanio ¢s ¥p = Vp = aproximada de undiodo 03 V. Con el valor aproximado de vp se determina a corriente del diodo ip por medio de la ecuacidn (2.16), como sigue: Vs — vp _ Vg ~ 0.7003 para germanio a Re (2.48) ip= TeV % —_Como ejemplo, sean Vs = 10 V, yp = Vap = 0.7 Vy Ry = 1 KO. Lucgo, In corriente de operacién fp llega a set fy = ip = (10 -0.7)/(1 kM) = 9.3 mA. Este método ofrece una soluci6n aproximada y no toma en cuenta la caracterfstica no lineal descrita por la ecuacién (2.17). Sin embargo, esta aproximacién es adecuada en mu- 1 cchas aplicaciones, y es «til como punto de partida en el diseiio de un circuito. Método iterativo El método iterativo utiliza una solucién iterativa para determinar los valores de ip ¥ Yps partir de la recta de carga de la ecuacién (2.16) y la caracteristica no lineal del diodo de la ecuacién (2.17). En primer lugar, se supone un valor pequefio de vp y se utiliza la ecuaciGn (2.16) para hallar un valor aproximado de ip, el cual se utiliza después para calcular una mejor aproximacién del voltaje del diodo vp con la ecuacién (2.17). Esto completa una ite- racién; las iteraciones continuan hasta que se obtiene la precisién deseada. Los pasos que se sigue son: Paso 1. Comenzar con un punto arbitrario a, como se muestra en la figura 2.16, y suponer tun valor fijo de vp (por ejemplo, 0.7 V) a un valor especifico de fp, Paso 2. Localizar el punto b calculando el valor de ip a partir de la caracteristica de carga descrita por Ia ecuacién (2.16). Paso 3. Identificar el punto ¢ calculando un valor modificado de vp a partir de 1a caracte~ ristica de diodo descrita por las ecuaciones (2.17) 0 (2.9). Esto completa una iteraci6n. Paso 4. Localizar el punto d calculando el valor de ip a partir de la caracterfstica de diodo descrita por la ecuacién (2.16). FIGURA 2.16 ‘Trayectorias para el método iterativo SECCION 2.9.» ANALISIS DE CIRCUTTOS CON PIODOS REALES 43 Paso 5. Identificar el punto ¢ calculando un valor modificado de vp a partir de la caracte- istica de diodo descrita por la ecuacidn (2.17). Esto completa dos iteraciones. Paso 6. Localizar el punto f caleulando el valor de ip a partir de la caracteristca de diodo descrita por la ccuacién (2.16) Paso 7. Identificar el punto g calculando un valor modificado de vp a partir de la caracte- ristica de diodo descrita por las ecuaciones (2.17) 0 (2.9). Esto completa tres iteraciones. Este proceso continda hasta que los valores de ip y vp convergen hacia el interior del inter- valo de precisién deseado. Caracteratica de un 7 iodo en la direecion & de polarizacion direct. Punto Q tof Recta de carga EYEMPLO 2.7 SOLUCION Determinacién del punto Q de un circuito con diodes En el circuito con diodos mostrado en la figura 2.13, R, = 1 kSLy Vs = 10 V. El coeficionte de emisién es n = 1.84 y la corriente de fuga es Ig = 2682 x 10° A, Emplee el método iterativo para caleular el punto Q (0 punto de operacicn), ccuyas coordenadas son Vp ¢ I. Suponga una caida de voltae del diodo aproximada de vp = 0.61 V con ip = 1 mA, y una temperatura de unién de 25 °C. Ulice slo tres iteraciones. Ry = 1 KO, n= 1.84, Vy = 25.8 mV y yp = 061 V con iy = 1 mA, Iteracin 1: Suponga vp = 0.61 V e ip = I mA. De la ecuaci6n (2.16), Vs ~ vp)/R, = (10 ~ 0.61)/(1 KO) = 9.39. mA ‘nme Segiin la ecuaci6n (2.9), el nuevo valor de vp es Yoimaewy = ¥p + Vr It Gopaeoy/i0) 0.64 + 1.84 X 0.0258 In (9.39/1) = 0.7163 V Iteracién 2: Suponga los valores de vp ¢ p de la iteraci6n anterior. Esto €5, 4p = Ypjquem) = 0.7163 V © i ™ fgquevs) = 9.39 mA. De la ecuscién (2.16), Foxauevoy = (V5 — ¥p)/R, = (10 ~ 0.7163)/(1 kM) = 9.284 mA Seguin la ecuaci6n (2.9), el nuevo valor de vp es ¥ + AV 5 Cipro) 0.7163 + 1.84 x 0.0258 In (9.284/9.39) = 0.7158 V eraciém 3: Suponge los valores de vp ¢ ip de Ia iteraci6n anterior, eSt0€5, yp = Yoyeaney = 0.7158 V © in = fnguees) = 9.284 mA. De Ia ecuacisn (2.16), ‘ngaveny = (Vg ~ ¥p)/Ry, = (10 ~ 0.7158)/(1 kM) ~ 9.284 mA ‘Segén la ccuacién (2.9), el nuevo valor de ¥p ¢s Yoyeeeo) Yom) = > + AV IO Cipjauney/i0) = 0.7158 + 1,84 x 0.0258 In 9.284 /9.284) = 0.7158 V Por consiguiente, después de tes iteraciones, Vi = Yoyaueuoy = 0:7158 V € Ip = inyere) = 9.284 mA, ‘Obsérvese que los resultados dela iteracién 3 no difleren en forma significativa de los deta iteracion 2. De hecho, ya no era necesaria Ia iteracidn 3 epee AEE EEE eee eee ey 44 Carfruto2 + DIODOS > NOTA: Seuilizaron espuestas de cuatro digits pra contol into Ios erores de calle com NOTA de ueraciones necesria pa legar ata solve, En realidad, los resstores ene tle rancias y tal vez no se requiers tal precsiGn. ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2.9 El andlisis de un circuito con diodos implica la solucién de la ecuacién no lineal de! diodo, + El método grafico rara vez se utiliza, 1 Et método aproximado da resultados aceptables en la mayor parte de las aplicaciones 1 Er método iterative da resultados precisos; sin embargo, tiende a ser largo y laborioso en él ‘caso de circuitos complejos. 2.10 En la prictica, en un circuito se utiliza mds de un diodo. Por consiguiente, Jos circuitos con Modelado | ciodos se vuelven complejos y su andlisis mediants los métodos grafico 0 iterativo es muy diodos real Tango y laboriso, Para simplificar el andlisis y el disco de circuits con diodos, el diodo con diodos reales puede representarse mediante uno de los siguientes modelos: ‘modelo de cd con caida de Moltaje constante, modelo de cd lineal por secciones, modelo de ca de baja frecuencia, mo delo de ca de alta frecuencia o modelo SPICE. Modelo de cd EI modelo de cd con caida de voltaje constante presupone que el diodo en conduccién tie- con caida de voltaje ne una cafda de voltaje vp que permanece casi constante y es independiente de la corriente ‘Tol diodo, Por consiguiente, Ia caracteristica del diodo se transforma en una recta vertical constante Gue pasa por cl umbral de volla¢; esto 5, %p = Vzp- El punto @ se calcula agregando 1s essa de carga a la caracterstica aproximada del diode, como se muestra en la Figura 2.11 (a). El voltaje del diodo vp se expresa como sigue: ae {yo para vp = Vay >= {0° parayy < Veo En ta figura 2.17(b) se muestra el modelo del circuito. El valor tipico de Vp es 07 N pare srs de silicioy 0.3 V para diodos de germanio, Con este modelo, la corrente del diode ig se obtiene con la ecuacién V5— V5 ‘1 ~ re 2.19) i 249) FIGURA 2.17 Modelo de ed con caida, carsceristicn de voltae constante soroxmada i Punto Q Vo= Yo ye (2) Punto Q () Modelo Modelo de cd lineal La caida de voltaje a través de un diodo real se incrementa con su corrinte, La caracteris- por secciones sel aiodo puede representrse en forma aproximada por medio de una eafda de volts je fin Vzp yuna linea recta, como se muestra en la figura 2182). La linea recta a oma en FIGURA 2.18 Modelo de ed lineal por seeciones SECCION 2.10» — MODELADO DE DIODOS REALES 45 ‘cuenta la dependencia con respecto a ta corriente de la caida de voltaje, y representa una resistencia fija Rp, la cual permanece constante. La linea a puede pasar a lo més por dos puntos; en general se dibuja tangente a la caracteristica de diodo en el punto Q estimado. Este modelo representa la caracteristica del diodo aproximadamente por medio de dos sec- ciones: una fija y una dependiente de la corriente. En la figura 2.18(b) se muestra una re- presentacién lineal por secciones del diodo. Los pasos para determinar los parémetros del modelo son los siguientes: Paso 1, Dibujar una recta tangente a la seccién dependiente de la corriente de la caracterts- tica del diodo en condiciones de polarizacién directa en el punto Q estimado. En general, cs aceptable Ia linea que mejor se ajuste a ta parte dependiente de la corriente. Paso 2. Usar el punto de interseccién en el eje vp como Ia cafda fija Vrp. Paso 3. Elegir una corriente adecuada ix en el eje ip de la recta tangent a, y leer el volta- je correspondiente vx en el eje vp. Es comin seleccionar ix como la corriente méxima del iodo; esto es, ix = foymesy = ¥s/R.- Paso 4. Calcular la resistencia Rp, la cual es el inverso de la pendiente de la inea tangente, sy M4 ona =-xX—P (2.20) Aly lem el punto @ estimado ee fcstuapaine i 7 extn = 2 ‘ aoe ie Re DEA { 2 ee Ss z +l Ym fon : Riga We R otra neater Panto g ) Modelo Este modelo determina el valor de R, en el punto Q, y no toma en cuenta la forma real de la caracterfstica del diodo en otros puntos. Por consiguiente, si el punto @ cambia como consecuencia de las variaciones de la resistencia de carga R, 0 del voltaje de la fuente de cd Vs, el valor de Rp también to hard, Sin embargo, el modelo por secciones es bastante sa- tisfactorio en la mayor parte de las aplicaciones, Con este modclo, y aplicando la LKY, se cobtiene que la corriente del diodo ip, de la figura 2.18(b), esté dada por Vp + Rpip + Ruin 20 Ia cual da la corriente de diodo ify como (2.22) EJEMPLO 2.8 Determinacién del punto Q de un circuito con diodos mediante diferentes métodos El circuito ‘con diodo mostrado en la figura 2.1%(a) tiene Vs = 10 V y Ry = 1 kA. La caracteristica de! diodo se muestra en la figura 2,19(b). Determine el voltaje del diodo vp, la cortiente del diodo ip y el voliaje de carga vo, por medio de (a) modelo de cd lineal por secciones y (b) modelo de ed con caida de vol- {aje constant SOLUCION Modelo de ca de baja frecuencia CaPiruLo 2» Dives EIGURA 2.19 Circuito con diodo del ejemplo 2.8 ig(en mA) ‘oh 8 6 % Caracteristica | tangeote ca : ‘el died, A Tend puno 1a 2 tei i ie a p02 08 06 G8 Vio (2 Circuito (0) Caracteristica 0 mA. V5 (a) Si se siguen tos pasos del método aproximado descrito en la seccidn 2.9, la recta tangente da 0 y Ry = 1 KA Por tanto, ipgmsy = Vo/Ry, = 10/1 KO Vap = 0.6V y by = 08 V con ix lpm) = 10 MA. De aeverdo con la ecuaci6n (2.20), a resis- tencia Rp dela seocidn dependiente dela corrente es Ry = (ox — Vapilix = (08 ~ 0.6)/(10 mA) = 20.0 Segin la figura 2.18(b. la corsiene de dio es p= Ve ~ Wyp)/ARy + Rp) = (10 ~ 0.69/41 KO + 20) = 9.22 ma De la figura 2.18(b, el vollaje de diodo es vp = Vip * Roy = 0.6 + 20 x 9.22% 107 Asi, el voltae de carga es s~ Yo 0 ~ 0.784 = 9.216 (b) Al utilizar la ecuacién (2.19) para el modelo de ed con caida constante de Ia figura 2.17(6), s€ obtiene la corriente del diodo Ig = (Vg ~ Vpp)/Ry, = (10 ~ 0.61/(1 KO) = 94 mA El volije de carga es to" Vg ~ Vp = 10-06 = 9.4 con un error de (9.4 ~ 9.216)/9.4 = 1.96%, comparado con el modelo lineal por secciones. NOTA: Si el voliaje de alimentacion Vs es mucho mayor que la caida de voltaje del diodo vp, el ‘modelo de cd con caida constante da resultados aceplables, Si el voltaje de diodo vp es comparable ‘con el voltaje de alimentacién Vs, el modelo de ed lineal por seeciones, que da mejores resultados, es aceplable en la mayor parte de las aplicaciones. En circuitos electrénicos, una fuente de ed es la que por fo comin estableve el punto de ‘operacién de ed de los dispositivos electrénicos, incluidos los diodos, y por lo general des- pués se superpone una sefal de ca sobre el punto de operacién. Ast, el punto de operacién, formado por una componente de od y una sefial de ca, cambia con la magnitud de la seal de ca. Como la caracterfstica ip en funcién de vp de un diodo es no lineal, ta corriente det diodo iy también cambia de manera no lineal con el voltaje de la sefial de ca. Generalmen- te, la magnitud de la sefial de ca es pequefia, asf que el punto de operacién cambia s6lo en tuna pequeiia cantidad, Por tanto, la pendiente de la caracteristica (Aip en funcién de Byp) ‘se puede aproximar linealmente, Bajo esta condicién, ¢1 diodo puede representarse como tuna resistencia para determinar la respuesta del circuto a esta sefal pequefia de ca. Esto es, la caracteristica no lineal del diodo puede linealizarse en el punto de operacién. El modelo : de sefial pequetia se utiliza mucho en el andlisis y el disefio de circuitos electr6nicos para ‘obtener su comportamiento con sefial pequefia. ee ee OOO OCC ee ed SECCION 2.10» — MODELADO DE DIODOS REALES a7 En la figura 2.20(a) se muestra un circuito con diodo con una fuente de ed Vp, fa cual cestablece el punto de operacién en Q, definido por las coordenadas Vp € Ip. Si a Vo Se Su~ perpone un voltaje senoidal v, de amplitud pequefia, el punto de operacién cambiaré de ‘acuerdo con las variaciones en el tiempo de la sefal de ca v4, Por consiguiente, si el volta- je del diodo varia entre Vip + Vx ¥ Vp ~ Vw la corriente del diodo correspondiente to ha- rd entre Ip + Aip/2 € Ip ~ ip/2. Esto se ilustra en la figura 2.20(b), donde se supone que el cambio en la corriente de ca del diodo ig ¢s aproximadamente senoidal, como respuesta ‘aun Voltaje senoidal vy, Sin embargo, la caracteristica del diodo es no lineal, y ta corriente del diodo se distorsionaré un poco. FIGURA 2.20 Modelo de ca de baja frecuencia i Sra = vq 800 0 (@) Circuito 1 xo a Sra Ro (@) Salida producida porta ca "superpussta a voltaje deed {@) Modelo de ca Bajo condiciones de sefal pequea, la caracterfstica del diodo alrededor del punto @ puede aproximarse por medio de una linea recta, y puede modelarse mediante una resister ccia llamada resistencia dindmica o resistencia de ca ra, la cual esté definida por 1 f._ Mp 14,82 (2.23) 4 vp] enet pune o donde gs la transconductancia de seal pequefie del diodo y depende de la pendiente de Ia caracteristica del diodo en el punto de operaciGn. Como r4 se obtiene a parti de la pen- diente de la caracteristica del digdo en el punto Q, su valor debe ser igual al de Ry de la fi- ‘gura 2.18(b) Determinacién de rg mediante diferenciacién Si se conoce e} punto de operacién (Vp, Ip) ~ ‘para una caracterfstica del diodo y una recta de carga dadas, el valor de r (= Rp) se obtie- ne directamente considerando un cambio en el voltaje del diodo alrededor del punto de ope- racién, Si Avp y Aip son pequetios y tienden a cero, la ecuacién (2.23) se transforma en 1 Ho | " (2.24) 4¥%y | en et punto 0 Si vp > 0.1 V, que es el caso general cuando c! diodo opera en la direccién de polarizaci6n directa, entonces la corriente del diodo ip esté relacionada con el voltaje del diodo vp me- diante [ip = felerO( Yt — 1) = geo 225) i —_——. enn Ee EEE Eee ee eee CM 35 peer tps Ise sD 48 ApiTuLo2 » ropes A v tp ¢Tp 2 Ts EY) Sustituyendo jp de la ecuacién (2.25) en la ecuacién (2.24) y derivando ip con respecto a vp, se obtiene L_ dip 1 p/n, ints Sancta Eye eya (2.26) ra dep ‘en el punto Q wy Vy sal Ia cual da la resistencia de ca (ry = Rp) en el punto de operacién (Vp, Ip). Esto es, Lavy nv rg = Ry eert sto que Ip = fy \ (2.27) Sage erge ia eee oe EE ane 0.0258 ~ SESE a 25C y conn (2.28) iD [Notese que, segin la ecuacién (2.27), la determinacién de la resistencia de ca requiere la El umbral de votaje del diodo es Vap = Vp ~ Roly = 1.193 - 39x 55.2 mv =098V (©) Segimn la ecuacin (2.27), la resistencia de ca de sefal peque'ia es 147 Vg [Ip = 1% 288 MV/(SS2X 10-9) = 05.0. > NOTA: La diferencia entre rg y Rp se debe al hecho de que el diodo cumple la ecuacién de Shockley, micntras que los valores incinidos en la tabla de datos se citan sin hacer caso de cual- ‘quier otta relacién EJEMPLO 2.10 y SOLUCION ‘Analisis de sefial pequefia de un circuito con diode En el circuito con diodo mostrado en la igu- ra 2.22, Vj = 10, Vq = SO mV y R, = 1 KO Emplee el punto Q determinado en el ejemplo 27 ‘para calcular ef voltae instanténeo de! diodo vp, Supéngase un coeficiente de emisién de m = 1.84. FIGURA 2.22 Circuito con diodo del ejemplo 2.10 Vz = 25.8 mV, n= 1.84, Vo = 10 y R= KO, Las iteraciones del andlisis det punto Q del ejem- plo 2.7 dieron Vi = 0.7158 V e /p = 9.284 mA. Con la ecuaci6n (2.27) se obtiene la resistencia de Vig/ Ip = 1.84 X 25.8 x 1073 /(9.284 x 1079) = 5.11.0 Em la figura 2.23 se muestra el circuito equivalente de ca. De acuerdo com la cegla del divisor de vol- taje, el volige de ca vg del diodo es ¥;, sen a (235) sal = SH 50x 107 sen wt = 3 sen ot sein 9% 0 0.2542 x 107 FIGURA 2.23 Circuito equivalente de ca del diodo . Modelo de ca de alta frecuencia FIGURA 2.24 Relacién carga-voltaje de la regién de agotamiento SECCION 2.10» — MODELADO DE DIODOS REALES 51 Por consiguiente, el vollaje instanténeo del diodo vp ¢s la suma de Vp y vy. Esto es, Vp tg 7158 + 0.2542 X 1079 sen wt V Hasta aqut se ha considerado el comportamiento estético de un diodo, Un diodo real, sin ‘embargo, exhibe algunos efectos capacitivos que no es necesario incorporar en cualquier modelo de alta frecuencia para obtener la respuesta en el tiempo de un circuito con diodos, Se ha visto que existe una capa de agotamiento en la unidn pn de los diodos polarizada in- vversamente, esto es, existe una region con escasez de portadores, que separa dos regiones de relativamente buena conductividad, Por tanto, en esencia se tiene una capacitor de pla- ‘cas paralelas, con cl silicio como dieléctrico. Ademés, existe una inyeccién de una gran cantidad de portadores minoritarios bajo condiciones de polarizacién directa, por lo que se ddan dos tipos de capacitancias: de agotamiento y de difusion. Capacitancia de agotamiento Una capa cargada positivamente se separa de una capa cargada negativamente mediante una distancia muy pequefa, pero finita. Conforme cambia cl voltaje a través de 1a uni6n pn, también cambia la carga almacenada en la capa de ago- tamiento, Esto se muestra en la figura 2.24 para una relacién q-v no lineal. La capacitancia de agotamiento relaciona el cambio que experimenta la carga (Aq,) en la regiGn con esca- sez de portadores con el cambio del voltaje de polarizacién Avp, y esté dada por dq, -4¥1 | enc punto etimado Q vp = Vo Ja. cual puede expresarse como Go ; (2.36) a= ¥p/¥" donde im esel coeficiente de gradiente de unién, cuyo valor se encuentra dentro del interva- lo de 0.332055. Vp es el voltaje de polarizacién nado a cétodo, que serd positivo en la direecion de polarizacién directa, y negativo en ta direccién inversa ¥, es la barrera de potencial con voltaje exter cero aplicado al diodo, y se conoce como potencial interno, que esté en funcién del tipo de material semiconductor, el grado de impurificacién y la temperatura de unién. Para un diodo de silicio, V; = 0.5,V a0. V, y para un diodo de germanio, V; ~ 0.2 Va 0.6 V. jes la capacitancia de agotamiento cuando et voltae externo a través del diodo es cero. La capacitancia de agotamiento también se conoce como capacitancia de transici6n. El valor de C, ¢s directamente proporcional a la seccién transversal de la unin del diodo, y se encuentra dentro del intervalo 0.1 a 100 pF. Obsérvese que, segtin la ecuacién (2.36), ‘Carga dela capa desgotamien’. 4, gendieste = C, a 82 FIGURA 2.25 Concentraciones en exceso de portadores minoritarios cerca del borde de la capa de agotamiento CarfruLo2 > —Diopos 1a capacitancia de agotamiento C; puede variar cambiando el voltaje inverso ~vo 4 través del diodo. La capacidad de cambiar una capacitancia variando un voltae se puede explotar ten algunas aplicaciones. Los diodos disefiados para tales aplicaciones se aman varactores ‘o varicaps, segin se les use. Esta capacitancia de agotamiento puede usarse para sintonizar adios de EM. circuitos de televisiGn, osciladores de microondas y otros circuitos en los que tuna pequefia variacin de la capacitancia tiene un cambio significativo en la frecuencia, En estas aplicaciones, se conecta un diodo con polarizacién inversa en paralelo con el capa- itor externo de un circuito RLC paralelo, de modo que la frecuencia de resonancia esté dada por —— (2.3% fe aac + Gy”? ee donde G, varfa debido al voltaje de polarizacisn inversa (—vp) del diodo. Los valores tfpicos de C, son 10 a 100 pF con voltajes inversos de 3.a 25 V. L es lainductancia del circuito RLC paralelo. es la capacitancia del circuito RLC paralelo. Capacitancia de difusién Cuando la unién tiene polarizacién directa, la region de ago- tamiento se estrecha y la capacitancia de agotamiento se incrementa porque el voltaje de polarizaci6n vp es positivo. Sin embargo, una gran cantidad de portadores minoritarios son inyectados en la unién bajo la condiciGn de polarizaciGn directa, Por ello, habré un exceso de portadores de carga minoritarios cerca de la capa de agotamiento, lo que provocard un efecto de almacenamiento de mucha carga. El exceso de concentracién seré més alto cerca del borde de la capa de agotamiento y disminuiré exponencialmente hacia cero con la dis- tancia a la uniGn. Esto se muestra en la figura 2.25, donde p, es la concentracién de huecos en la regiGn n, y n, la de electrones en la regién p. Si el voltaje aplicado al diodo cambia, las cargas de los portadores minoritarios almacenadas en las regiones py n también cam- bian, y alcanzardn una nueva condicién de estado estable. Por consiguiente, una unién pn polarizada directamente exhibird un efecto capacitivo a consecuencia de Ia escasez de car- zas de portadores minoritarios. Como estas cargas serdn proporcionales a la corriente det diodo fp, la ecuaci6n de Shockley, ecuacién (2.1), se puede aplicar para relacionar la carga qm Con el voltaje de polarizacién directa vp, dada por Gy = 4586"! = 1) (2.38) donde qq 5 la carga constante proporcional ala cortiente de fuga (o de saturacién inversa) Ig. Por consiguiente, la caracteristica q-v de un diodo polatizado directamente es no lineal, y se puede modelar por medio de una capacitancia de sefial pequefia C, conocida como ca- pacitancia de difusion. Asi, den | he Cs en el punto estimado Q Region p Neen eee ee eee eee eee eee ee ee ee EEE Eee eee eee See ee ee SECCION 2.10» — MODELADO DE DIODOS REALES 53 to que indica que Cy es proporcional al valor de dq, + qo: En la condicién de polarizacién inversa, Cy = 0. En la condicién de polarizacién directa, sin embargo, el valor de Cy es aproximadamente proporcional a la corriente de polarizaci6n de cd fy (en el punto Q). Asi, Cy estd dada por Cam Kalo donde K, es una constante y Cy es directamente proporcional a la seccién transversal de la unién del diodo, que por lo general es del orden de 10 pF a 100 pF. Modelo de polarizacién directa: Un diodo con polarizacién directa exhibe dos c: pacitancias: de difusién Cy y de capa de agotamiento C;, Estas capacitancias afectarsn las aplicaciones de alta frecuencia de los diodos. Para el modelo de alta frecuencia de un dio- do con polarizacién directa, como el que se muestra en la figura 2.26(a), los parémetros del modelo estdn dados por 1Vy an s So- wit eae: Ca= Kalo Por eemplo, Si Gg = 4 BR, V; = 0.75 V, m = 0.333 y Vp = 0.7158 V, entonces C, 11.18 PE, Modelo de polarizacién inversa: La resistencia de ca de seftal pequefta ry en la direccién inversa es muy alta, del orden de varios MQ, por lo que se puede suponer que es muy grande, tendiendo a infinito, La capacitancia de difusién Cy, que depende de la corriente del diodo, es insignificante en la direccién inversa, debido que la corriente in- versa es muy pequefia. Para’el modelo de ca de alta frecuencia de un diodo polarizado inversamente, cuya resistencia en la direccidn inversa ¢$ r. como se muestra en la figura 2.26(b), los parémetros del modelo estén dados por cy=0 ie ce ee 3 a v/Km Por ejemplo, si Cj. = 4 pF, V; = 0.75 V, m = 0.333 y Vp = —20V, entonces C, para V) <0 FIGURA 2.26 A In Modelo deca deala. = + L frecuencia 4 Ba GG fu ow EG a K Te (a) Direes6n directa () Dircciéniversa Modelo del diodo PSpice/SPICE utiliza una fuente de corriente que depende del voltaje, como se muestra en en PSpice/SPICE 1a figura 2.27(a). r,¢s la resistencia en serie, conocida como resistencia volumétrica (0 pa- résita), la cual se debe a la resistencia del semiconductor y depende de la cantidad de impurezas. Es pertinente enfatizar que la figura 2.27(a) es un modelo de diodo no lineal, ‘mientras que el modelo de cd con caida constante, el modelo de cd lineal por secciones y cel modelo de ca de baja frecuencia son lineales. 4 FIGURA 2.27 Modelo de PSpice/SPICE del diodo FIGURA 2.28 Representacién TABLE del iodo CariruLo 2» © Diopos + iol 3 2 Ie, gee de - Tatoo Tease (@) Modelo de seal grande —(b) Modelo de seal pequeia En primer luget, PSpice/SPICE determina el punto de polarizacicn de od, y ensegui- da calcula el parmetro del modelo de sefial pequefia mostrado en la figura 2.27(b). C; es ‘una funcién no lineal det voltaje del diodo vp, y su valor es igual a C, = daj/dvp, donde a, es la carga de la capa de agotamiento, PSpice/SPICE genera los pardmetros de sefial pe- quefia a partir del punto de operaciGn, y ajusta los valores de ry y C, para la condicién di- recta 0 inversa. En PSpice/SPICE la caracteristica del diodo se puede describir en un enun- ciado Model o en una representacién tabular. Enunciado Model: El enunciado Model de PSpice /SPICE de un diodo tiene Ia forma general MODEL ONRME D (PIAAL 2A? PRB even donde DNAME es el nombre del modelo, el cual puede comenzar con cualquier carécter, ‘aunque por lo general esté limitado a 8 caracteres. D es el simbolo de tipo para diodos, PI, P2,... y Al, A2,... son las pardmetros del modelo y sus valores, respectivamente. Los pa- metros del modelo se encuentran en el archivo de biblioteca de PSpice/SPICE, o pueden ‘obtenerse a partir de la hoja de datos técnicos [1]. Por ejemplo, una sentencia tipica para tun diodo DiN4148 es la siguiente: poet, OINEL4B © (1542. 682N Nel. 836 RSH. S564 IA*C4.17M HETAD EOAL11 ¥ CQOe4P He. 2099 We, 5 Fon, $ ISReL,S6SN MRE? BYA1OOU TE=11.588) Representacién tabular: La representacin TABLE esta disponible solo en PSpice. Permite describir la caracteristica v-i, y su forma general es Eenane> Nt Re TABLE ( E es el nombre de una fuente de voltaje controlada por voltaje, y N+ y N~ son Jos nodos positivo y negativo de la fuente de voltae, respectivamente. La palabra reserva- da TABLE indica que la relaci6n est4 descrita por una tabla de datos. La tabla se compone de pares de valores: <(entrada) valor> y <(salida) valor>. El primer valor de un par es la entrada, y el segundo, la salida correspondiente. La es el valor de entrada; se utiliza para hallar la salida correspondiente a partir de una tabla de busqueda. Si un valor de entrada queda entre dos valores, la salida se obtiene mediante interpolacién lineal. Si la ‘entrada queda fuera del intervalo de la tabla, entonces se supone que la salida permanece constante ¢ igual al valor correspondiente a la entrada més pequefia 0 mas grande. La caracterfstica del diodo se representa por medio de una fuente de voltaje controla- dda por corriente (por ejemplo, HD). Esto es, el diodo es remplazado por una fuente de vol- taje HD en serie con una fuente de voltae fcticia VX de 0 V. VX actiia como amperfmetro ¥y mide la corsiente en el diodo. Esto se muestra en la figura 2.28. HD se relaciona con fp {es decir, I(VX)] mediante una tabla. La representacién con PSpice de ta caracterfstica del diodo del ejemplo 2.9 se da a continuacién: m2 300 ov sige 1a corriente del diode 10 MD 1 2 TABLE {L1¥RI) = (0, 0.5) (108, 0.87) (20m, 0.98) (30n, 1.058) + (400, 1.138) ($0, 1.173) (€0, 1.212) 170, 1.25) (800, 1.5) (3800, 3.0 SECCION 2.10» — MODELADO DE DIODOS REALES 58. EJEMPLO 2.11 SOLUCION » Modelo y anlisis con PSpice/SPICE de un diodo Los parsmetros del circuito con diode mostra- do en la figura 2.22 son: Vg = 10, Vq, = 50 mV a1 KElz, R = LkQy Vp = 25.8 mV. Supéngase tun coeficiente de emisién de m = 1.84. (@) Utiizar PSpice/SPICB para generar el punto Q, los pardmetros de seflal pequefia y trazar ia gré- fica del voltae de salida instantineo vo = vp, (b) Comparar los resultados con los del ejemplo 2.10. Asmanse tos parémetros de modelo del dio- do DINAI48: Vs = 10V, Vq = SOmVy Ry = 10. (a) De acuerdo con el ejemplo 2.7, los valores del punto Q son Vp = 0.7158 V e Ip = 9.284 mA. EI Circuito con diodo para fa simulacién con PSpice se muestra en la figura 2.29. El listado del archivo del circuito es el siguiente: Ejenplo 2.11 Un eircuito de diode vs 1 0 SiN (av Sty Liam) vss 3.1 oc tov 23K pi 2 0 pinnae WOOEL DINGLME O(LS=2.6028 CJO-4P Me.3993. We1.036 We.5 av=100 + ravetgo0 Tret1.sem Paranetros de wedelo det diode sANyOR 205 DHS bedlisis transitorio e inpresién del punto de operacién prone + Rosprozesador de griticos END La simmulacién con PSpice da el punto de polarizacién y los parémetos de seflal pequefa six uientes: 1D 9.286-03 Jp =9.28mA vo 7.18e-8 Vp = 718 mV ray. §.538000 r= 553.0 car 2,108-09 C= 21oF En Ia figura 2.30 se muesra la grifica generada por PSpice dela respuesta transitora, la cual da Vp = 718.35 mV y Yypea) = Pag) = 600-52 HV/2 = 300.3 WY. Por tanto, 3003 nV (b) El ejemplo 2.10 da Vp = 0.7158 V, fp = 9.284 mA, rq = 5.11.0, Vagicoy = 254.2 nV, los cuales son muy parecidas @ los resultados obter vg = 3003 X 10° sen wey regen 254.2 x 10° sen wry ‘con PSpice. TCU Aas! FIGURA 2.30 Gréfica de PSpice del ejemplo 2.11 Cireuito con diodo para simulacién con PSpice/SPICE CaPiTuLO2 » Diodes ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2.10 EI modelo de ed con cafda constante presupone: ida de voltae jaa través del diodo. Da un resultado répido, pero aproximado. Es adecuado para determinar ef comportamiento aproximado de un creuito, sobre todo en la etapa incial de! dseho. + El modelo lineal por secciones divide la caracerstica no lineal en dos partes: un voltaje de ced fio y una caida de voltae, que depende de lacorrente a través de una resistencia ja. La resistencia se obtiene dibujando la recta de mejor ajuste que pase por el punto Q estimado cena eccién que depende dela cortiente. Este modelo es de uso comin en el andisis de ci- cuitos con diodos, y da resultados razonables en la mayor parte de las aplicaciones. + El modelo de ca de baja frecuencia representa el comportamiento de un diodo en respuesta ‘una varaciGn del punto O provocada por una sefial pequeia. Se modela mediante una re- sistencia de seial pequeiadibujada como una tangents en el punto Q y que depende de la comrenteen el diodo, La resistencia puede ser aproximada por la del modelo lineal por see- clones. Por tanto ese modelo puede considerarse como una extensin del modelo linea. + El modelo de ca de alta frecuencia representa la respuesta del diodoa la frecuencia median te Ia incorporacién de dos capacitancias de unin (de difusi6n y de capa de agotamiento) en ‘el modelo de ca de baja frecuencia. La.capacitancia de capa de agotamiento depende del vol- taje del diodo, Pero la capacitanca de difusi es directamente proporcional la coriente del diodo, y esté presente s6lo en la direcci6n directa + PSpice/SPICE genera un modelo complejo pero preciso. Sin embargo, se tienen que definir fos pardmetros del modelo, los que pueden obtenerse dela biblioteca de PSpice/SPICE 0 del fabricante. También se pueden determinar a partir de la caracteristca del diodo 241 Diodos zener Si el voltaje inverso de un diodo excede un voltaje especifico, denominado voltaje de rup- tura, el diodo operaré en la region de ruptura. En esta region, la corriente inversa del dio- do se incrementa con mucha rapidez. El voltaje del diodo permanece casi constante, y es independiente de la corriente del diodo. Sin embargo, el funcionamiento en la region de ruptura no serd desiructivo, siempre que la corriente del diodo se limite a un valor seguro por medio de un circuito externo, de modo que la disipacién de potencia en el diodo se en- cuentre dentro de los limites permisibles especificados por el fabricante y el diodo no se sobrecaliente. Un diodo que esté especialmente disefiado para tener una caracteristica muy marcada cen la regi6n de ruptura es el diodo zener. El simbolo de un diodo zener est representado en la figura 2.31(@), y su caracteristica v-i aparece en la figura 2.31(b). Vzx ¢s el voltaje de FIGURA231 Caracteristica de los diodos zener Cy + D = > » Rp » Re Veo * Var issue eee ceed (© Direccibn directa (@) Direecl6n inversa (b) Caracteristica zener Regulador zener SECCION 2.11» — DIODOS ZENER 57 rodilla, ¢ /2x €s su corriente correspondiente, El diodo zener se especifica mediante su vol- taje de ruptura, llamado voltaje zener (o voltaje de referencia) Vz, a una corriente de prue- 'ba especificada Iz = Izy. Izimsx) €S 1a corriente méxima que el diodo zener puede soportar sin que se rebasen los limites de disipacién de potencia permisibles. I7qyay es la cortiente minima, ligeramente por debajo de la rodilla de la curva caracteristica, a la cual el diodo exhibe fa ruptura inversa. ‘Las caracterfsticas directa e inversa de un diodo zener se representan por medio de una flecha, La flecha apunta en la direccin positiva de la corriente i. En la direccién directa, el diodo zener se comporta como un diodo normal; su circuito equivalente se muestra en la figura 2.31(c). En la direccion inversa, ofrece una resistencia muy alta y actia como un dio- do normal con polarizacin inversa con yo] < Vz, y como un diodo de baja resistencia con Ivpl > Vo. Por ejemplo, considérese un diodo zener con un voltaje nominal V, = SV + 2V. Con 3 V'< |yp| < 5 V en la dreccién inversa, el diodo exhibir por lo comtn un efecto ze- net. Con 5 V < Vz <7 V, la ruptura se podria deber al efecto zener, al efecto de avalancha a una combinacién de los dos. La caracteristica inversa (zener) de la figura 2.31(b) se puede representar de manera aproximada por medio de un modelo lineal por secciones. con un voltje fio Vzo y un diodo ideal en serie con la resistencia Rz. En la figura 2.31(d) se muestra el circuito equi: valente de la acciGn zener con \vp| > Vz. Rz depende del inverso de a pendiente de la ca- racteristica zener y se define como ay, ay, easel =a 239) i Nave Alo |parupe0 € yd Ry también se llama resistencia zener. El valor de R, permanece casi constante a lo largo de un amplio intervalo de la caracteristica zener. Sin embargo, su valor cambia con mucha rapidez cerca del punto de rodilla. Por tanto, el diodo zener debe operarse lejos de ese punto. El valor tipico de Rz.es de unas cudntas decenas de ohms, pero se inerementa con la corrien- te ip, Enel punto de rodilla de la caracteristica zener, Ry tiene un valor grande, por lo ge- neral de 3 kQ. La corriente zener i(= —i) puede relacionarse con Vzq y Rz por medio de ¥2 = Vag + Rein 2.40) ‘Se puede considerar que un diodo zener ofrece una resistencia variable, cuyo valor cambia con la cortiente, de modo que la caida de voltaje a través de las terminales permanece cons- tante, Por consiguiente, también se le conoce como diodo de referencia de voltaje, El valor de Ry, es muy pequefio. Asi pues, el voltaje zener vz es casi independiente de la corriente inversa del diodo ip = ~iz, Debido a la caracterfstica de voltaje constante en la regién de ruptura, el diodo zener puede emplearse como regulador de voltaje. El regulador mantiene un voltaje de salida casi constante, aun cuando el voltaje de alimentaciGn de cd y la corrien- te de carga pueden variar dentro de un amplio intervalo, En la figura 2.32(a) esté represen tado un regulador de voltaje zener. El regulador de voltaje zener también se conoce como regulador en paralelo, porque el diodo zener se conecta en paralelo con la carga R,. El va- FIGURA 2.32. Regulador zener en paralelo ms fe pee Ke a wz 2 3 % (@ Cireaito () Circuito equivalete CaPituLo2 » Dios lor de fa resistencia R, debe ser tal que el diodo pueda funcionar en la regién de ruptura, en todo el intervalo de voltajes de entrada vs y de variaciones de la corriente de carga i Si el diodo zener es remplazado por su modelo lineal por secciones con Vzo y Ra, Se obtiene el circuito equivalente mostrado en la figura 2.32(b). Si el vollaje de alimentacién vg varfa, entonces la corriente zener iz variaré por la presencia de Rz, 10 que provoca un ‘cambio del voltaje de salida. Este cambio del voltaje de salida est4 definido por un factor Mamado regulacién de linea, el cual esté relacionado con R, y Re: by R, Regulaci6n de linea = —~2 = — “2 41) Avs Ra +R, Si la corviente de carga i, s¢ incrementa, entonces la corriente zener iz disminuird por la presencia de Rz, lo que provoca una disminucién del voltaje de salida, Esta variacién det voltaje de salida esté definida por un factor llamado regulacién de carga, el cual esta rela- cionado con Ry y Rz: Av Regulacién de carga = = ai, —(Rz 8) (2.42) CCualquier cambio del voltaje zener Vzq hard que se incremente el voltaje de salida. La va- riacién del voltaje de salida estd definida por un factor lamado regulacién zener, el cual es- 1 relacionado con Ry y Rz: Any Regulacién zener = — Wyo Re +R, Por lo tanto, aplicando el teorema de superposicién, puede determinarse el voltaje de sali- da efectivo vo del regulador de la figura 2.32(b) como sigue: (2.43) EJEMPLO 2.12 SOLUCION Disefio de un regulador zener_ Los parimetros del diedo zener del circuito regulador de voltaje de fa figura 2.32(a), son: Vz = 4:7 V con una corriente de prueba Izy = 53 mA, Ry = 8 Dy Rew = 500.0 con Fzx = } mA. El voltaje de alimentaciin es vs = Vj + 12+ 2Vy R, = 2200. (a) Determiner los valores méximo y minimo del voltaje de salida vg, bajo la condicin de no carga R=, (b) Hallar los valores maximo y minimo del volaje de salida, con una resistencia de carga R, = 4700. (©) Caleular el valor nominal del voltae de salida vo, con una resistencia de carga R= 100.0. (@) Determinar el valor minimo de Ry, con et que el diodo zener funciona en la regién de ruptura, Con la ecuacién (2.40), se tiene Yeo fy ~ Roig = 47 ~ 8X S3mA=428V (a) Para Ry = «, la corriente zener es, ig.= Ws — Vap)/ (Ry, +R) = (12 ~ 4.28)/(8 * 220) = 33.86 ma El voltae de salida es Yo = Vp + Ryiz = 428 + 8 X 33.86 mA = 4.55 V SECCION 2.11» DIODOS ZENER 59 (b) Un cambio en el voltaje de alimentacién AVs = cual se obtiene con la ecuacién (2.41): 2 V hard que cambie el voltae de salida, e1 Avocaimentisn) = AvsRe/(Ry, + R,) = (£2V x 8)/(8 + 220) = £70.18 mV El valor nominal de la corriente de carga es é, = Vz/R,, = 4.7/470 = 10 mA. Un cambio de la co- rriente de carga de Ai, = 10 mA también hari que cambie el voltae de salida, el cual puede calcu. larse con la ecuacién (2.42): (RzlIRD = Bi, Por consiguiente, os valores méximo y mfnimo del voltae de salida pueden hallarse por medio de Avo¢ear) (8||220) X 10 mA = =77.19 mV Voumssime) = 4.55 + 70.18 mV = 77.19 mV = 4.54V voininino) = 455 ~ 70.18 mV ~ 77.19 mV = 4.40 (© El valor nominal dela corriente de carga esi, = Vz/R, = 47/100 = 47 mA, lo cual noes po- sible, porque fa corriente maxima que puede circular por R es de slo 33.86 mA. Asi pues, el diodo ener staré apagado, y el volaje de sla ser cl vole através de Ry. Esto es, 100 100-12 = 37 100 + 330 |? aeons (@) Para que el diodo zenec funcione en la regién de ruptura, la corriente méxima que puede circu- lar por R,, esté dada por (suponga que zg = Hz en Vz = Veo) 24s) = (10 ~ 4.28)/220 — 1 mA = 25 mA Por consiguiente, el valor minimo de R,, que garantiza el funcionamiento en la regién de ruptura lo da “20. as) Tn Recon) = 4.28/(25 ma) = 171.20 Disefio de un Si iz es la corriente zener e i, es la corriente de carga, el valor de la resistencia R, se dever- regulador zener mina mediante ati, 2.46) Para garantizar el funcionamiento del diodo zener en la regiGn de ruptura en el peor de los casos, el regulador se debe disefiar para que haga lo siguiente: 1. Garantizar que la corriente zener excederd iziqiq) cuando cl voltaje de alimentacién sea minimo Vejmia) ¥ la corriente de carga Sea méxima i,q.) Para determninar Ry se aplica la ecuacién (2.46) Veuniny ~ Vzo + Rai pr, = “unin — Wao * Releine) ar eatey + Foy 2. Garantizar que la corriente zener no excederd izimsy Cuando el voltaje de alimen- tacién sea maximo Vejnia) ¥ 1a Corriente de carga sea mfnima iy qiqy- COM la ecua- ign (2.46) se determina Ry: Vsimixy — V20 + Retarmsx)) (2.48) Fax) * ‘esa CartruLo2 > — Diovos Si se iguala R, de Ia ecuacién (2.47) con R, de ta ecuacién (2.48), se obtiene ta relacién de la corriente zener méxima en funcién de las vatiaciones de Vs ¢ i,. Por ello, stay ~ Veo ~ Rziz rims izemany * Lemmy) (Vsimaxy ~ V0 ~ Rekzcmaay) zim) + ‘Lemisy) (2.49) ‘Como regla general, la corriente zener minima izjqiq) por lo comin se limita al 10% de la corriente zener méxima iziqay, Pata garantizar el funcionamiento en la regién de ruptura, por lo que Een = 91% izemsxy (2.50) EJEMPLO 2.13 o SOLUCION Diseo de un regulador zener Los parémetros de un diodo zener de 63 V para el circuitoregula- dor de voliaje de la figura 232a), son: Vz = 63 V con Izy = 40 mA y Rz = 2 0. El voltae de alimentacién vs = Vz puede variar ene 12.V y 18 V. La coriente de carga minima es de O mA. La corriente del diodo 2ener minim tia €5 | MA. La disipacion de potencia Pzjqay del diodo zener no debe exceder de 750 mW a 25 °C. Determine (a) el valor méximo permisble de la coniente 2e- net igimtay(b) el valor de Rs que limita la corriente zener igqgq al Valor determinado en el inciso (a). (6) la disipacin de potencia Pp de R, y (d) la corrente de carga maxima iq Vz = 6.3 V con izy = 40 MA, igniny = OMA © izqus) = 1 mA, Con la ecuacién (2.40), e obtiene Vag) = Vz.— Ryig = 63-2 40 mA = 6.22 (@) La disipacién de potencia mixima Priqis de un diodo zener es izimaxV'z = 0.75 W “imax Ye = 0.75/63 = 119 mA Pimtss ° Froese (b) La corriente zener iz Hega a ser maxima cuando el voltaje de alimentacién es méximo y la corriente de carga ¢s minima; esto es, Vsingy) = 18 V € inguin) = 119 mA. De la ecuacién (2.48), Vente) Yao ~ Ralzimss) 18 ~ 622 ~ 2x 119 mA Hermasy * baie) T9mA +0 = 96.9.0 (© Ladisipacion de potencia Pp de R, es i Pp * (izimntsy + SimindYsimix)~ V20 ~ Rz!zoensx) = 119 mA X (18 ~ 622 = 2X 119mA) = 1.373 W La disipacin de potencia de R, para el peor de los casos ocurriré cuando la carga esté en corto- » —Diopos FIGURA 2.33 Regulador de voltaje RIGURA 2.34 Gréficas PSpice del zener para simulacién con PSpice ejemplo 2.14 my Ao % Ry DIN7SO ARVAL) Pardmeteos: RVAL 94 (b) La grifica PSpice del voltaic de salida vo en funcién del voltae de alimentacién se muestra en la figura 2.34. La accién zener comienza con un voltae de salida de Yq = 4.74 V, cercano al valor es- perado de 4.7 V. La caracteristica zener mostrada en la figura 2.31(b) puede aproximarse por medio de la ca- racteristica lineal por secciones de la figura 2.35(a). En la polarizaciGn directa, el diodo zener se comporta como un diodo normal, y se puede representar con un modelo lineal por secciones, con voltaje Vzp y resistencia Rp. En la figura 2.35(b) se ilustra el modelo de un iodo zener en las direcciones directa ¢ inversa, La cortiente a través de un diodo zener se expresa como sigue: 0 para Va < ¥p < Vay para vp = Vap Para Y= —Vzo) Los valores de Rz y Rp son muy pequefios (por lo general, de 20 92) y pueden omitir- seen la mayorfa de los andlisis. La caracterfstica de la figura 2.35(b) puede ser representa- dda mediante la caracteristica zener ideal mostrada en la figura 2.35(c). De esta manera, el ddiodo zener forma un limitador natural. Si el diodo zener es remplazado con su caracte- ristica ideal (esto es, omitiendo Rp y Rz), el circuito de la figura 2.35(b) se puede simplifi- ‘car al circuito de la figura 2.36(a). Para un voltaje de alimentacién positivo vg > Vzp, el voltaje de salida vo se limitard a Vp. Sin embargo, una entrada de alimentaciOn negativa ¥5 5 ~Vap limitard el voltae de salida vo a Vp, En la figura 2.36(b) esté representada la ccaracteristica de transferencia aproximada de un limitador zener; se trata de un limitador asimétrico. Ro Yeo Ovo Yoo. Vp’ je td rsa (©) Modelo (©) Coracteretea SECCION 211» — Dionos ZENER 63 FIGURA 2.36 Limitador asimétrico pendiente = 1 (®) Modelo El limitador simétrico se obtiene mediante la conexién de dos diodos zener en seri ‘modo que uno se oponga al otro, como se ve en la figura 2.37(a). Si se remplaza cada dio- do zener con su modelo, como se muestra en la figura 2.35(b), se crea el circuito equiva- lente de un timitador zener, el cual se ilustra en la figura 2.37(b), Si vs > (Vip + Vzo). los diodos Dy y Dy se comportan como cortocircuitos y pueden ser remplazados por un diodo Ainico equivalente en serie, con un voltaje Vp + Vz y una resistencia Ry + Rz. Asimismo, cuando vs < —(Vzp + Vzp). los diodos D, y Dg pueden ser remplazados por un diodo en serie con un voltaje Vrp + Vao y una resistencia Rp + Rz, Este arreglo se muestra en Ia fi- ura 2.37(c). Si se supone un diado zener ideal, de modo que los valores de Rp y Rz son insignificantes, a figura 2.37(c) se reduce a la figura 2.37(d). La caractistica de transferen- ia (vp en funcién de v) de un limitador zener simétrico se muestra en la figura 2.37(c). FIGURA 2.37 _Limitador zener simétrico 8 aaa : x x 1 a7 (0 Create (9) Ciao equate V0 + Yi ~We0 + Veo) () Cireuito simpiteado (4) Circuito aproximade () Caracteristica de transterencla CaPituLo 2» —Diovos EJEMPLO 2.15 FF SOLUCION Anilisis de seial pequeiia de un limitador zener y verificacién con PSpice/SPICE Los paréme- ttos de fos diodos zener del limitador zener simeitico de la figura 2.37(8), son: Rp = 50.0, Viz, 0.7.V, Ry = 20 Dy Vz = 4.7 V con Izy = 20 mA. El valor de la resistencia limitadora dela corien- te R,€5 kA. El voltaje de entrada af limitador es ca, en lugar de ed, y est dado por v5 = v4 > 15 sen (20000) (a) Determinar el voltaje de salida instantineo vp (=vp) y la corriente pico del diodo Ipsec: (b) Usar PSpice/SPICE para trazar la grifica del voltaje de salida instantineo vo, Considerar 10s pa metros del modelo PSpice /SPICE del diodo zener DIN750: TS*880.5E-18 =1 CJOALISP We.75 BV=4.7 TBI 0.285 (a) Ry = 50.9, Vip = 0.7 V, Ry = 20.0, Vz = 4.7V,R, = UROL vg = 15 sen (200077). Con la ‘ecuacién (2.40), se obtiene Voy = Vg ~ Rely = 4.7 = 20 20mA = 43V Existen cuatro intervalos posibles, seguin el valor de vs Si 15 sen 2000mt = Voo + Vip = 5, entonces 20001 = sen~{5/15} 34 ad Intervalo 1: Este intervalo es vilide cuando 0 $ v5 Vag + Vp) ip=0 Yo = He = 1S sen(2000z1) para 0< 200m = 0.36 y (mr ~ 034) < 200m » — Dropos Rjemplo 2.16 On coqulador de diode zener WS 10 0 207 ‘ton 25 100 + para dos temperatures de snién fs12K ot 0 2 oiNrs0 O08 DIITSD (159880.56-18 NL W975 + Bved.7 10¥~20, 205K) + parimetros del modelo de dodo zener 2c ¥5 0 20¥ 0.050 4 Rarrido de od para v5 708 # Posprocesador de. gréfic ex FIGURA 2.41 FIGURA 2.42 Regulador de diodo 2ener Grificas de PSpice del ejemplo 2.16 para sirnulacién con PSpice a 10 1 a 2 Dik x pinrsn 2S % 0 En Ia figura 2.42 se representan las grficas producidas por PSpice det voltaje de salida vo en {uncidn del voltae de alimentacién vs, las cuales demuestran que la temperatura de la unién alecta ligeramente el voltae zener. Por ejemplo, cuando vg = $V, vo = 4.3025 V a 25 °C, y 4.2336 V a 100°C. ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2. EE diodo zener se comporta como un diodo normal en la direccisn ditecta. En ta direccign ‘versa, mantiene un voltaje casi consiante bajo varias condiciones de carga si su votaje es mayor que el voltae zener, *+ El diodo zener real tiene una resistencia zener fnia, y el voltaje zener varia ligeramente con Ja corriente zener. + En general, cualquier cambio de la temperatura de la unign hace que cambie el voltae zener. 212 t Diodos emisores de luz Un diodo emisor de luz (0 LED, por sus siglas en inglés) es un tipo especial de diodo se- miconductor que emite luz cuando esté en polarizacién directa. La intensidad de la luz es aproximadamente proporcional a la corriente directa del diodo ip. Los diodos emisores de {uz por lo comtin se utilizan en aplicaciones de bajo costo, como calculadoras, cémaras, aparatos eléctricos y tableros de instrumentos para autor6viles. 2.13 i Diodos de barrera Schottky En los diodos de unién se forma un “contacto shmico” cuando se introducen al material se- miconductor demasiadas impurezas. Debido al comportamiento de contacto Shmico, Ja ‘caida de voltaje en polarizacién directa de un diodo de unién es por lo general de 0.7 V. y la capacitancia de agotamiento C, limita el funcionamiento a alta frecuencia. Si se coloca ‘una capa delgada de aluminio sabre silicio tipo n ligeramente impurificado, se forma una unién rectificadora entre el metal y el semiconductor. Esta unién rectficadora se llama ba- Sp eee ee SSeS eee eee Cee eee ee eee eee SECCION 2.14» —_DISIPACION NOMINAL DE POTENCIA o rrera Schottky y el dioso resultante se denomina diodo de barrera Schottky (SBD, pot sus ‘iglas en inglés). Por consiguiente, el SBD se forma con un metal adecuado y un semicon- ductor tipo n. ‘La estructura bisica de un SBD esté representada en la figura 2.43(a) y su simbolo en la figura 2.43(b). El contacto éhmico se forma con el aluminio y ta regiGn n* que contiene tun exceso de impurezas. La caracteristica v-i es similar a la del diodo de unién pm, y cum- ple la eeuacién de Shockley. Como consecuencia de los altos valores de Us y del coeficiente fe emisidn n, la caracteristica de polarizacién directa se desplaza a la izquierda con respec- toa lade un diodo de unin, Este desplazamiento se muestra en la figura 2.44, La caida de ‘voltaje en condiciones de polarizacién directa de un SBD es mucho més baja que la de un diodo de uni6n pr, pues es de alrededor de 0.3 V en comparacién con 0.7 V para un diodo de unién pn. ee FIGURA2.43, Boreca Contacte Diodo de barrera Schottky Schoty Metal hico Susan 7 a — Sesto p : (a) Rstrvctura sica () Simbolo FIGURA 2.44 En un diodo de unién pa, un gran ntimero de electrones excedentes cruzan la unién ba- Caracterisica de un diodo de jo condiciones de polarizacidn directa, esto es, a través de la unién ocurre una inyeccién de tartera Schottky glectrones a un alto nivel, Por el contrario, en un SBD la inyecci6n de electrones entre el metal y los materiales n* es de un nivel muy bajo. Por lo tanto, el SBD funciona en condi- Cones de inyecci6n de bajo nivel como un dispositive portador de curgas mayoritarias, y se elimina el tiempo de almacenamiento minoritario, La capacitancia de difusién Cy ¢s i8- significante en un SBD. Solo la capacitancia de agotamiento C, aparece en el modelo de al- ta frecuencia, Por consiguiente, el SBD puede funcionar a una frecuencia més alta que un iodo de unin, y es varios érdenes de magnitud més répido en aplicaciones de conmuta- cin o interrupeién. "ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2.13 ~ En un diodo de barrera Schottky (SBD) se forma una unién tectificadora colocando unt ca- ‘pa delgada de aluminio sobre siticio tipo m igeramente impurificado. «+ La caida de voltae directo de un SBD es mucho més baja que la de un diodo de unién pri es aproximadamente de 0.3 V en comparacién con 0.7 V para un diodo de unién pn «+ Un SBD opera en condiciones de inyecci6n de bajo nivel como un dispositive portador de cargas mayoritaria, y el tiempo de almacenamiento minaritaio se elimina, La eapacitancia de difusién Cy es insignificant. 2.14 En funcionamiento normal, a temperatura de la unién de un diodo se eleva a consecuencia Disipacin | dels disipacién de potencia. Los materiales semiconducoys ene ‘bajos puntos de fusién. La temperatura de unin, especficada por el fabricante, por lo general se limita a un valor nominal de de seguridad del orden de 150 a 200 °C para diodos de silicio, y de 60 a 110 ¢C para dio- potentcia dos de germanio, La disipaci6n de potencia de un diodo se calcula con Ja couacion Py= lop 283) La disipacién de potencia de un diodo de sefal pequefia es baja (del orden de los mW), ¥ la temperatura de unign por lo comiin no rebasa el valor méximo permsible especificado 68 FIGURA 2.45, Curva de reduccién de aisipacién de potencia- temperatura Cartruto2 » — Dropos por el fabricante. Sin embargo, ¢s comiin que los diodos de potencia sean montados sobre un disipador de calor. La funcién de un disipador de calor es transmitir el calor al ambiente (es- toes, al material que circunda al dispositivo), para mantener la temperatura de unién de los diodos de potencia por debajo del valor méximo permisible. El aumento en estado estable de a temperatura de unién con respecto a la temperatura del medio ambiente, determinada experimentalmente, es proporcional a la disipacidn de potencia, es decir, 87 = T,- T= Po as) donde 7, = temperatura de unin, en °C temperatura ambiental, en °C = resistencia térmica desde la unién hasta el ambiente, en °C/W Si la disipacién de potencia Pp excede el valor maximo permisible, la temperatura de ‘unin rebasara la temperatura maxima permisible, La excesiva disipacidn de potencia pue- de dafiar un diodo. La disipacin de potencia permisible en la unin Pp se obtiene reorde- nando la ecuacién (2.54) Py (25) 4, jin pe lo cual indica que la disipacién de potencia permisible aumenta si la temperatura ambien- tal 7, disminuye por debajo de la temperatura normal de 25 °C. Sin embargo, en la précti- NOTA: Para permitir un margen de seguridad, los discfiadores deben garantizar que lus valores de coperacién de volaj, corriente y disipacién de potencia sean, por lo menos, 20 a 30% menores que tos valores nominales maximos publicados, Para aplicaciones militares, la reduccidn puede ser hasta de 50%. 70 FIGURA 2.46 Hoja de datos técnicos para iodos (Derechos reservados de Motorola. Reproducida ‘con autorizacin.) Cartruto 2» —Diopos 1n4001 a 1N4007 @ moronora RECTIFICADORES DE USO GENERAL tama‘io subministura, rectificadores montados, axiotmente sobre un conductor para uses generales de baja potencia. RECTIICADORES DE Stic 'MONTADOS SOBRE UN ‘CONDUCTOR nu ruse oe ‘lowovces VALORES MAxneOS i i sas "las nes rapes Vina te pn imane detanae | Ver | s0 | 10 [20 20} eo | 00100] vrs aba 8 ial ite ao em + rmontna Peanonia, | Vg | 0 {120240 cn 20 oon Vets sonunen 0 ata RUS ne aon | 96] 0 [2 | ea | | 70D] ae Corn areca mci to Bronado inccinca cam | iy |x 0 (gepaceasgancondcine | ay |x ——»-20 (pe eo) —Be] snp 153 +115 > “CARACTERISTICAS ELECTRICAS. Garactriacay condiciones Sinbar [ Tipo [sr [Orig] Cals tae rect rtanen waaay [asa | 1 (es WA Ty= 25°C) Fun 5 aia ao porno 8H | ran ae cueneameig OAS ee, pie rae) Tore ra io ora ea oes he 8 5 eles arene ners proved de cab Sagie | ay tmbsna f= 108.7, = 75°C, prs oo ‘canon Got pads) “ae ee DEE camacrenicas weedeat {NCAPSULADO aks roto partes ‘esenaTina wis Dt ConoucTon hata PRORESITS De SLDADURL 350°. {4a canon dren 1 gen 43 on ‘CABADG: ea oem enone coi soma 6 FOLAMDAD Cts nda po at cor PeS0'0«0 pans aptiracnr) peareuaco not bene ipo 2 FIGURA 247 © Hoja de datos téznicos para ie ‘iados zener (Derechos : reservados de Motorola. Reproducida con autorizacin) SECCION 2.15» — HOJAS DE DATOS TECNICOS PARA DIODOS nm 1n4728,A 1N4764,A ) MOTOROLA ‘010005 REGULADORES ZENER 110006 ZENER DE CRISTAL DE SILICO, 1G 1.0WATY, 39-100 VOLTS LHERMETICAMENTE SELLADOS, DE UN WATT + tetera do woes compo: 39a 10 vols + xpi 00-1 a penton eraptae canna + Conse Hoo ds puns de corsion + Condiusedn nia metahirpcamenie + roqutpasvado con mitre oe 6 datos det daar para tm peores condiciones Las noas de dels nine del cleaidor eran lao dol me porta dos eacutescon'awlomaconposorinds, Ls caves Iie 3 ‘Sates rogrua'tan el unto err ae caacnscas cal aspen — 9 Gan prntottar ot eaten "por dees cabo” ‘VALORES MAXIMOS. Conailon nonce ‘Simnoie_ [Vator | Uniaod Dispeckn Ge paenca OTC | Pp | to | Wan ‘Red por enema de 50°C 657_| mre aera orp nga | Tots Pore +70] -e smunyounnee |” CARACTERISTICAS MECANICAS, {ENCAPSULADO: Dp oda cvs hernias, TEMPERATURA WA EX LAS PUNTAS DE CONENON PARA PROPOSTOS OE 'SOLDADURA 30°C 41/16 on eaesune aa 10 soprdcn AcABADO: Tote an pertinent sen mss 8 cob cn Ra Connie olneresoaaes. FPOLARIDAD: Coon nado pc banda ao, Gado funont a oto ret ‘ats es poo maser ‘pomcson oe MONTAGE: canaser. 'IGURA1.CURVA De REDUCCI DE LA POTENCA Cow RESPECTOD (ALATEMPERATURA cues ‘soe 1.96 spcaN T0008 LOS EGLAMENTOSY NOTAS ‘as0ios CON LOS. PranciPOs 00-41 OF JEOEC 2 POLAROAD DENOTADA POR LA 1 TEMPERATURA DEL CONCUCTOR 1) ee acon CAPAC MAIL DE POTENGI MAIS) 2. oMETA Det ‘conoveTOR NO ‘owtrouoe OeNTRO OE im “don ace paras on DEG SMENSON 2 FIGURA 2.47 Hoja de datos técnicos para — Diovos 1N4728 a 1N4764, A “CARACTERISTICAS ELECTRICAS(T,= 25°C 4 manos que equal conto Ye = BV n= 200 mA pa ase oo TR | Cone ‘mpedancia erat moe Eernente Cova swore | eotn | sepreae wet rise, rponim | “bone vr mein | le Me | tema (Romy | @lome2ya) | ma Boe | ok | malaax veka | toms) aces a8 e wo | te | im ie | a were a S wo | is | is | vo Nara ee © we [te | oe | ae inna Es s gw | i] wm 2 | te teas a a mo | i | 36 be rie eS a wo | te | ao foo tier 38 3h we_| os | to oe Te 3 2 cn a ra nr fd & wo | os | to te | tae neree 2 a mo | | 35 st io war 2 ° mam sa ae fae ineres ‘ is me | ox] Se ue 2 tera? B ts mo_|_ 3 | so ea. Bs ara 2 1 a wo] a2] 50167 2 me a tes a mo | cs | so 2 1% mero 2 oS = mo | ss| So 2a % erst = rd 5 woo | os | $0 me 0 ner 2 3 S ooo | ea | 50 ier 138 ers 3 73 = tooo] oa f so zz 1 west 2 es & tow | Sa] so ier us inarss 3 “ % to | oa] $0 iy He ie 2 $8 & te | SB] so me 2 eres % 3] 1 ae] 8s | 50 as = ines 2 to | is Fe a a 3 ‘ereo S a | ao | ce) S97 & meet 5 3 | fo | Ga | so ao 2 nara e 33 | ae too | tas | $0 ae s eit a ze |e goo | ca] fo fe S ieee 10 2s | ase woo | cas | sa to & Nota, Oma enc ne pe Ls nine uigo OES on tea oes na et en 9 Hl ‘ae 1% Tai a ego wees er ondary etc cone 0 pa NOTA mde ene ee) oo pan ota suc cunassetn etree mere ‘Mn awcotey yee ete aoe acu cae NOTA cto ninguna pec en ag ht ae an Seto at el ora. cat nth omen de i lea econo encase cago e ‘Shere settings crusted ep 30> ‘Bis atin newoveuas Sconce towel ene 96 (3 toes anenbue wcnega rel asta gn st ran pea ROTA DE APUCAGION ime ain ora en ots nn en ao ‘tos more canrea loner erin os to (rae tacos pr ex swar Se een Spe Tamora dolce, sas cna spi out ‘ays mica tdi aan iM Pom Sc pen, inte ce ya te phe eS ‘Kenascn capo Pero gew garde toaao-c Wpe a SEperypecra asic cnn damon ts ‘Steps i erat pda aden an rst cera eam ender nena pts pence Stopcahe aan rs ac prot po co ‘Sucenorane yn ose eve ne sa Some se mega oe gtr 8 oer ‘como stare e mpi na se ean eso ‘ee eacr nate Gnetarad Ge, etetptea ues 20 sna a co an eae 0 ge co fondo npn er cs a ts eo ‘Sauet puna smasher ng emma Sof (arvor evans Vy in sve oe Whe, lca eget le ia ba Tatoon "Econ ce cari do mp a a a, ‘ngs ncn erg yan ots ese Boa ‘Mane eames Puma ey mpc, aor (vcs scm bas ern ee Tos hme etna nen as fr 5 Sen nt lnm co aime [itotonare ates pees pessoa Coat probe te vaso sae ens CAPITULO 2» PREGUNTAS DE REPASO 73 Resumen El diodo es un dispositive semiconductor de dos terminales. Ofrece una resistencia muy baja en la ireccién directa, y una resistencia muy alta en la direccién inversa. El andlisis de cireuitos con diodos se simplifca al suponer un modelo de diodo ideal, en el que la resistencia en la condicion de polarizacién directa es cero y la resistencia en la direcein inversa es muy grande; es decir, iende a infnito El diodo real exhibe una caracterstica no lineal; su anslisis requiere un método grifico 0 itera- tivo, Para linealizar la caracteristica del diodo con el propésito de aplicar las t£cnicas de los circuitos lineales, el diodo real por lo comiin es representado por medio de (a) una cafda de voltaje eonstante de ed Van, (b) tn modelo de ed lineal por secciones, (¢) una resistencia de ca de sefal pequefia ry 0 (@) un modelo de ca de alta frecuencia. En un diodo zener, se conirola la rupturainversa y el voltge zener es el voltaje de ruptura inver- so, La caracteristica del diodo depende de la temperatura de funcionamiento, y la corriente de fuga ‘casi se duplica por cada 10 °C de ineremento de la temperatura de uniéo, Referencias M. H. Rashid, SPICE for Circuits and Electronics Using PSpice. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, Inc., 1995. M. H. Rashid, Electronics Circuit Design Using Electronics Workbench. Boston: PWS Publishing, 1998, C.G. Fonstad, Microelectronic Devices and Circuits. Nueva York: MeGraw-Hill, Ine. 1994, AS. Seda y K. C. Smith, Microelectronic Circuits. Filadelfia: Saunders College Publishing, 1991 D.A, Neamen, Electronic Circuit Analysis and Design. Boston: Irwin Publishing, 1996. A. R. Hambley, Electronics—A Top-Down Approach to Computer-Aided Circuit Design. Nueva York: MacMillan Publishing Co,, 1994. M. S. Ghausi, Electronic Devices and Circuits: Discrete and Integrated. Nueva York: Holt, Rinehart and Winston, 1985, P.R Gray y RG. Meyer, Analysis and Design of Integrated Circuits. Nueva York: John Wiley and Sons, Inc., 1992. Preguntas de repaso ay eee 10. 0 2. B. M4 15. 16. RBBEBSES {Qué es un diodo? {iQue es Ta caracreristica de un diodo ideal? (Qué es un rectificador? (Qué es la introduccién de impurezas o impurificaci6n” {Qué es la regién de agotamiento de un diodo? {.Cuéles son los portadores minoritarios en materiales tipo p? {.Cuales son 10s portadores mayoritarios en materiales tipo p? {Cusles son los portadores minoritarios en materiales tipo n? {.Cuales son los portadores mayori ios en materiales ipo n? {Que son as caracersticas directa c inverse de un diodo real? {Cail es la regin de polarizacién directa de un dodo? Cul ola region de potarzacin iversa de un diodo? Cul es la regién de ruptuca de un diodo? {Cuil es el efecto de ta temperatura de unign en la caracteritca del iodo? {Cues son los tres métodos para analiza circuits con diodes? {En qué consist el modelo de ca de baja frecuencia de un diodo? Que es la resistencia de ca de un diodo? Zn qué consiste el modelo de cade alta frecuencia de un diodo? {én qué consist el modelo PSpice/SPICE de un diodo? iQue es un diodo zener? {Que es el volaje zener? {Qué cs un reguladoren paratelo? {Qué es una resistencia zones? Qué esi resistencia volumeirca de un diodo? ” CaPITULO2 » —Diopos EI simbolo EJ) indica que se trata de un problema de disefo. > 2.2 Diados ideates 2.1 Halle el voltaje vo y la corriente ig del citcuito con diodos de la figura P2.1 FIGURA P2.1 sin sv >, » % tov jaa 2.2 Determine el voliaje vg y la corriente ig del circuito con diodos de la figura P2.2. Figura P22 aa wv > : af 3 ” sen 23 Halle el vollaje vo y la comriente ig, del circuto con diodos de la figura P2.3. FIGURA P2.3 > 2.3. Caracterfstica de transferencia de os circuites con diodos 24 Trace la gréfica de la caracteristica de transferencia (vo en funcién de vs) del circuito con diodos de la figura P2.4, si el voltaje de entrada vs cambia de 010 V, en inctementos de 2 V, 28 26 27 29 2.10 2a CaptruLo2 » ~—-PROBLEMAS FIGURA P24 “Trace la grfica de la caracteristica de wansferencia (vp en funcin de v) del circuit con diodes de Te Rgura P23, el voltae de entrada vs cambia de ~10 V a 10V, en incrementos de 2 V FIGURA P25, 12.7. Determinacién de las constantes del diodo Los valores medidos de un diodo a la temperatura de unién 7) = 25°C son 065V con ly = 10 pA o= lo8V — conlo=1mA Determine (a) el coeficiente de emisién m y (b) la corriente de fuga Is 2.8 Efectos de la temperatura El umbral de voltaje de un diodo de slicio es Vp Vqp (a) a7, = 125°C y (b) T, = ~150°C, a ccriente de fuga de un diodo de silico ex /g = 5X 10"'# a, = 25 °C ol evens oe aoe cm emperatra de unign es , ~ 90°C Determine (a) ls corsiente de fuge Is ¥ ©) le corrente del diodo ig eon un voltae det diodo vp = 09 V" 75 V 425°C. Determine el umbral de voliaje 2.9. Anilisis de circuitos com diodos reales Tine circuit repecsenado en In ign 2.13, R= 4 kfhy Vs = 15 V. El coefclnte de emision sn 8. Use el método iterative para calcularel panto Q (o punto de operaci6n), cayas ‘coordenadas von Vo fy, Suponga una cafa de voltae ene dodo aproximada de vp = 0.75 V con io = 0.1 mA. Suponga, edemés, una temperatura de unin de 25 °C. Use soo tres teracionss Resuelva our vez el problema 2.9 mediante el métado de aproximacién con Vp = 0.75 V. Los pardmetros del ciruito mostrado en la figura 2.13 son: RL = VOY Vp 10 V. La siguiente ‘ccuacign desenbe la caracteristica del diodo ip = Ko = 5X 107%} (fp en amperes y vo en volts) Determine los valores de Vo ¢ lp en e pun Q (o punta de operacién) por medio de (0) el méiodo iterativo y (b) el método grafico. 76 242 243 24 2as 216 27 248 219 Captruto2 > —Diopos 2.10 Modelado de diodos reales El ircuito mostrado en la figura 2.19(a) tiene Vs = 15 V y R, = 2.5 kQ En la figura 2.19(b) se mues ig le aracteristica del diodo, Determine el voliaje del diodo vp, fa coriente del dio ip el volaye de carga Vo por medio de (a) el modelo de ed lineal por secciones y (b) el modelo de od con eaita constante Bn el circuito dete figura 222, Vs = 12-V, Vm = 150 mV y Ry = 5 k12 Suponga un coeicente de cmision n = 18, una caida de voltae del diodo vp = 0.75 V con ip = 05 mA'y Vy = 258 mV a Bar aemberatura de unign de 25 °C. Determine (a) el punto Q (Vp, Jp) (b) los parsimetres (Vy. Ro) el modelo de ed lineal por seceiones y (c) el voltae instantineo del iodo ny Ereireuito dela figura 2.2 iene V5 = 12V, Vq = 150 mV, Ry = $ KO Vz = 25.8 mV. Suponga yn gocfciente de emisién n = 2. Use PSpice/SPICE (a) para calculate punto Qy los pardrence ds eft peuela, y (b) para trazar Ia gefica del voltae instantineo vp = vp. Utilice los partmetros ‘del modelo PSpice/SPICE del diodo DIN4148: if 1502682 CHOMP He.3919 W.5 B”=100 IB 000 TTL. A8 EL circuito mostrado en la figura 2.13 tiene Vs iodo, que se obtiene mediante mediciones pr IBV y RL = 1.5 kA. La caracteristica directa det ctieas, puede representarse com los siguientes datos: 75 | 90] 10s 173 | 1212 | 12s Determine, (a) el punto Q (Vp, I), (b) la resistencia Ry y el umbral de voltaje Vp y () la vesistene cia de ca de sefal pequeia r,. Suponga n= 1 y Vy = 25.8 mV. Bl cicuito mostrado en la figura 2.13 tiene R, = 1 kAy Vp la caracteristica del diodo fy = KyB = 5 x 107 fycmay | of is] 30 %»)_| 0s | 087 | 098 45] 60 1.058 | Ln, 10 V. La siguiente ecuaciGn describe Gp en amperes y vp en vos) Determine (a) el voltje del diodo Vp, () In coriente dl iodo yy () el vole de carga Vo {La caractristica del diodo de la figura P2.17 est deserita por KsB= 5X 10-5 Gig en amperes y vp en volts) Determine, (a) 10s valores de Vi € fp en el punto @ (0 punto de operacis de seal pequeta ry y (e) el voltae de salida rs Vsgn,y .(b) la resistencia de ca FIGURA P2.17 c a ira: $ip- nF = Dt {FR + ° Om ems aioKe nen 1S sora $” Lvs ov La caracteristica del circuito de la figura P2.17 satisface la ecuacién de Shockley, con una corriente de fuga Is = 2.682 x 10° A, a 25°C, y un coeficiente de emisién n = 1.8 Use PSpice/SPICE (a) para caleular el punto @ y los parémetros de seal pequetiay (b) para taza la grfica del volaje de Salida instintaneo vp = vp. Utiice los pardmetros del modelo PSpice/SPICE: 15-2.6620 me,3333 We, BV-100 rBveI00 1.540 CHOS1ORF Het. En la figura P2.19 se representa un circuito con diodos. La caracter(stica de! diodo esté dada por ip = 5 107% Cipen amperes y vp en volts) = 220 221 22 223 224 CaPiruLo 2» PROBLEMAS 7 Determine (a) los valores de Vi Jp en el punto Q, (b) la resistencia de ca de seal pequeia rg. (€) ef umbral de voltaje Vp y (4) el voltaje de salida rms Vsinsy FIGURA P2.19 La caracterfstica del diodo de la figuea P2.19 satisface la ecuacién de Shockley, con una corriente de fuga Js = 2.682 X 10"? A, a 25°C, y un coeficiente de emisién n = 1.8. Use PSpice/SPICE para (a) calcular el punto Q y los pardmetros de seiial pequefiay (b)trazar la gréfica del voltaje de salida instanténeo vg, Utilice los pardmetros del modelo PSpice/SPICE: 592.6828 me.2933. 9.5 BYALOOV rBveLOO THEIL. SON c ope 1.6 En la figura P2.21 se representa un circuito con diodos. Use PSpice/SPICE para (a) determinar el voltaje y las corrientes de operacisn del diodo y (b) determinar los parémetros de sefial pequefia de tos diodos, El voltaje de alimentacién V, es de 12 V. Use los valores predeterminados para los pars ‘metros de! modelo PSpice/SPICE. FIGURA P2.21 En la figura P2.22 se muestra un ciccuito con diodos. Use PSpice/SPICE para (a) determinar el vol taj y las corrientes de operacién del diodo y (b) determinar los parimetros de sefal pequena de los diodos. El voltaje de alimentacién Vs es de 12 V. Use los valores predeterminados para los paréme- ros del modelo PSpice/SPICE de los diodes. FIGURA P2.22 ae A vec 1k 500.0 500.0 Fw av Los parimetros de un diodo de unisa son: V; = 0.8 V, Go = 5 py m= 0.5. Caleule et valor del vol~ taje inverso del diodo Vy que produce una capacitancia de agotaraiento C, = 2 pF. ‘Se conecta un diodo de unin en paralelo con el capacitor de un circuito RLC en paralelo, cuyos pa rémettos son: C= I pF, L = 2 wHy R= | kO. Los parémetsos del diodo son: ¥, = 0.7 V. Co = 1-5 pF y m = 0.4, Calcule el valor del voltaje inverso del diodo Vp que produce una resonancia en pa ralelo a f, = 50 MHz. 225 226 227 229 230 p21 CapiTuLo 2» Dropos Se conecta un diodo de unién en paralelo con el capacitor de un circuito RLC en paralelo, cuyos rametros son: C= 5 pF. L= | wHy R= 1 kM. Los parémetros del diodo son; ¥; = 0.8 V. Cp 5 pF y m= 04 y Vp = 25 V. Calcule ef porcentaje del cambio de la frecuencia de resonancia en paralelo f, que resulta si Vp cambia 20%. 2.41 Diados zener Los parimetros del diodo zener del circuito regulador de voltaje de la figura 2.32(a), son: Vz = 6.8.V con lpr = 37 mA, Ry = 3.5 Dy Rex = 700 Mon [zx = | mA. El voltaje de alimentacién es Vs= 1S =3VyR, = 500 (a) Determine el valor nominal del voltae de salida vg bajo la condicin sin carga Ry = =. (b) Calcule fos valores méximo y minimo del voltae de salida para una resistencia de carga R, = 5700. (©) Determine el valor nominal del voltaje de salida vq para una resistencia de carga Ry, = 100.0. (€) Calcule el valor minimo de R, con el cual el diodo zener funciona en la region de ruptura Los pardmetras del diodo zener del circuito regulador de voltaje de la figura 2.32(a), son: Vp 73V con Igy = 34 mA, Ry = 5 Me [zx = 0.5 mA. El voltaje de alimentacién vs varia entre 10 V y 24 V. La corriente de carga minima i, es de O mA. La corriente del diodo zener minima iziy €8 d€ mA. La disipacién de potencia méxima Pajqgy del diodo zener no debe ser mayor de | W'a 25 °C. Determine (a) el valor méximo permisible de la corriente 2ener izjm4a-(b) el valor de Rs que limita Ja corriente zener Iziq4q al valor determinado en el inciso (a), (c) la disipacién de potencia Pp de Rg y (@) la cortiente de carga maxima Mints; Los pardmetros del diodo zener del regulador de voltaje de la figura 232(a) son: Vz = 5.1 V con Iq = 49 MA, Rr = 7 Me Ing = U mA. El voltae de alimentacién vs varia de 12 V a 18 V, y la co rmiente de carga i, cambia de 0 mA a 20 mA. (a) Determine et valor de la resistencia R, y su disipacién de potencia, (b) Use PSpice/SPICE para verificar sus resultados trazando la gréfica del voltaje de salida vo en funcién del voltaje de alimentacién vs. Use los pardmetros dei modelo PSpice /SPICE: 15=2.6820 COMP M3333. VIS. 1 Kavegsq rent sen ueL.8 Los parémetros del diodo zener del circuito regulador de la figura 2.32(a) son: Vz = 6.2 V con Jy = 41 mA, Ry = 29 fox = | mA. El volte de alimentacién vs varia de 12 a 18 V, y la corriente de carga i, cambia de 0 mA a 10 mA. Determine la corriente zener minima izjqum ¥ 1a Corriente 28- ner maxima ign) del diodo y Su disipacién de potencia méxima Pr, yay Consnere R, = 270.0. Los parémetros de los diodos zener del limitador zener simétrico de la figure 2.37(a) son: Rp 150.9, Vp = 09 V, Rr = 5 Oy Vz = 68 V con fzr = 20 mA. El valor de la resistencia limitado~ rade la corriente R, es de 1.5 kA. El voltae de alimentacin al limitador es de ca, y esté dado por vs ¥, = 20 sen (200071) ¥. (a) Determine el voltaje de sala instemténeo vp y la corriente pico del diodo land) (b) Use PSpice /SPICE para trazar la gréfica del voltae de sada instanténeo vo, Use los parsmetros de! modelo PSpice/SPICE: 1592.682 CuD=AP 3333 VE 5 BY=6.8V zave20M 11,540 Me) ‘Se construye un véltmetro de ed con un cuadro mévil de ed, como se muestra en la figura P2.31. La ddeflexién de escala completa del cuadro es de 150 WA, y su resistencia interna Ry, es de 100 9. Bl voltae zener Ves de 10 V y la resistencia zener Ry es insignificante. Se requiere que el véltmetro smida 220 V a la deflexién de escala completa. FIGURA P2.31 Ry & 150 nA para deficnién de escla completa 232 233 238 CaPiruLo 2» PROBLEMAS 79 (a) Disefie et volimetro determinando los valores de Ry y Ry (b) Use PSpice/SPICE para verificar el disefio trazando la grifica de la corriemte del cuatro Iq en funciGn del voltaje de alimentacién Vs. Use los parémetros del modelo PSpice SPICE: 15926826 CODSHP Me.2099 VUe.5. BVELOY TBV=20M TP=I1.S6N Nel El voltae zener del regulador asimétrico de la figura 2.32(a) es Vz = 63 V con fpr = 20 mA. Lare- sistencialimitadora dela corriente Res de 1.5 ky la resistencia de carga R, es muy grande, ya que tiende a infinito El voltae de alimentacién vg varia de 0 V a 30 V. Use PSpice/SPICE para raza la grifica del volaje de salida vo en funcién del voltaje de entrada vga 7, = 25°C y T, = 150 °C. Use Jos pardmetros del modelo PSpice/SPICE: 1542.6828 CoDetP Me.2222 Yoe.S BVE6.IV TBV=20M TAIT. SAN Nel El volaje zener del regulador simétrco dela figura 237(a) es Vz = 6.3 Von Izy = 20 mA, La re- sistencialimitadora de la corriente R, es de 1.5 Kf la resistencia de carga Res muy grande, ya que ‘iende a infinito. El voltae de alimentacién vg vara de 0 V a 30 V. Use PSpice/SPICE pare taza la srafica del voluje de salda vo en funcidn del voliaje de entrada vga T; = 25 °C y 7, = 150 °C. Use los pardmetros del modelo PSpice/SPICE: 1902.68 CQO=4P He.3I9 Wed BHe6.30 om TILL, SAN NEL Dos diodos zener se concctan como se muestra en la figura P2.34. La corriente del diodo en la diree- ‘cin directa esté descrita por ip = et - 1) donde Vz = 0.026 ¢ Is = 5 X 107" A. El voltaje de alimentacién vs ¢s de 7.5 V. El voltaje zener Vz de cada diodo es de 6.7 V y la resistencia zener Res insignificante. La caida de voltaje en condicio- ries de polarizacién directa Vip de cada diodo es de 0.8 V. Determine, (a) la expresién para el vol- tae en cada diodo vp y vg (b) los voltajes de operacién de tos diodos Vpy y Vn2,¥ (€) la corrien- te del diodo Ip. FIGURA P2.34 wt 4 mE vo AD, En la figura P2.35 esté representado un regulador zener. Use PSpice/SPICE para trazar la gréfica de la caracterstica de transferencia entre vo y vs. Ys Varia de -18 V a 18 V, en increrentos de 0.5 V. Los parametros del modelo PSpice/SPICE de los diodos zener son: 15=2,682H CADSAP Me_3333 We, $ BV=6.5Y 1BV=20M TALS Hed FIGURA P2.35 R 25k "sO een 2.12 Diodes emisores de luz Disefie un eireuito con LED, de modo que la corriente del diodo Ip sca de | mA. Suponga un coefi- ciente de emisién n = 2, una corriente de fuga fs = 107"? y Vp = 25.8 mV a una temperatura de ‘unidn de 25 °C. Aplicaciones de los diodos Contenido del capitulo 3. Introduccién 3.7 Multiplicadores de voltaje 32 Retificadores de diodo 3.8 Generadores de funcién 33. Filtros de salida para rectificadores 34 — Recortadores 35 Circuitos de fijacién RESUMEN » REFERENCIAS 3.6 Detectores de picos y demoduladores PREGUNTAS DE REPASO > PROBLEMAS 3.1 En el capftulo 2 se mencioné que un diodo ofrece una resistencia muy baja en una direc- Introduccién cin y una resistencia muy alta en la otra lo que permite el fécit flujo de corriente en s6lo una direccién. En este capitulo se ilustran las aplicaciones de los diodos en circuitos confor- adores de onda. Para simplificar los ejemplos, se supondran diodos ideales; esto ¢s, diodos a través de los cuales la caida de voltaje es cero, en lugar del valor peculiar de 0.7 V. Los objetivas de aprendizaje en este capitulo son los siguientes: = Aprender algunos usos de los diodos en la conformaciGn de setales + Aprender a analizar y disefiar eircuitos con diodos, bajo la suposiciOn de caida de voltaje cero + Comprender el disefio de los rectificadores para producir un voltaje de alimentacién de ed a partir de un voltaje de alimentacién de ca + Aprender acerca de los diferentes tipos de fltros de salida para rectficadores, y a de- terminar los valores de los componentes de un filtro con el propésito de limitar, aun valor especificado, el contenido de rizo en la salida de od 3.2 El uso més comiin de los diodos es como rectificadores. El rectificador convigrte un volta Rectificadores | _ je de ca-en un voltaje unidirecsional que se utiliza como fuente de alimentacion de cd en de diodo ‘muchos circuitos electrénicos, como los de radio, calculadoras y amplificadores estereofs- nicos. El rectificador también se conoce como convertidor ca-cd. Los rectificadores se cla- 81 Rectificadores monofiisicos de media onda IGURA 3.1 Rectifieador monofésico de media onda CAPITULO 3» APLICACIONES DE LOS DIODOS sifican con base en el voltaje de alimentacién de entrada de ca en dos tipos: rectificadores ‘monofésicos, en los que el voltaje de entrada de ca ¢s una fuente monofésica, y trifsicos, en los que el voltaje de entrada de ca es tna fuente trifésica [2]. Los rectificadores trifési- cos, que por lo general se utilizan en aplicaciones de alta potencia, quedan fuera del alcance de este libro. Los siguientes rectificadores monofésicos son de uso comin en circuitos elec- trénicos: rectificadores monofésicos de media onda, rectificadores monofésicos de onda ‘completa con derivacién central y rectificadores monofésicos de onda completa con puente. En [a figura 3.1(a) se muestra el diagrama del circuito de un rectificador monofésico de me- dia onda, Considere un voltaje de entrada senoidal vs = v, = Vq sen at, donde w = 2mft y es la frecuencia del voltaje de entrada. Por lo tanto, no hay componente de ed en et voltaje de salida; esto es, Vs = Oy vs = Ve + ¥ = vy Como vs es positivo desde wt = 0 hasta a y negativo desde w1 = 7 hasta 2, la operacién del rectificador se divide en dos intervalos: intervalo 1 ¢ intervalo 2. El intervalo 1 es 0 = wt 1 durante el semiciclo positivo del voltaje de entrada. El diodo D, conduce y se comporta como un cortocircuito, como se muestra en la figura 3.1(b). El voltaje de entrada aparece a través de la resistencia de carga Ry; esto es, el vol- taje de salida es, vo = Vy senwt para < wt = 7 El intervalo 2 ¢s a < wt 2m durante el semiciclo negativo del voltaje de entrada, El diodo D se polariza a la inversa y se comporta como un circuito abierto, como se repre- senta en la figura 3.1(b). El voltaje de salida vo se vuelve cero; es decir, Yo =O param < wt <2 Las formas de onda del voltaje de entrada, el voltaje de salida y el voltaje det diodo, es (@) Cireuito lig = ot Ha wos (e) Formas de: wane - (@) Formas de onda AS OCs AS» ‘ 2y, cary rs0 Yaa an () Circuits equivalentes (@) Votaje de rico SECCION 3.2» RECTIFICADORES DE DIODO 83. tn ifustradas en Ta figura 3.1(€). Cuando el diodo D, conduce, su voliaje se vuelve cero. ‘Cuando el diodo se polariza a Ia inversa, la corriente del diodo se vuelve cero y et diodo tie rhe que soportar el voltaje de entrada. El voltaje pico inverso (PIV, por sus siglas en inglés) {que debe soportar e! diodo es igual al voltaje pico de entrada Vy. El voltaje del lado del dniodo ‘es de ca, mientras que del cétodo es de ed; es decir, el diodo convierte el voltaje de ca en ed El voltaje de salida promedio Vij S¢ calcula con la siguiente ecuaci6n: ae (e ie Vin Yuet = Fg [ ¥o dor) xf Voy sencot (wt) == 0318Vq, (3.1) por consiguiente, la corriente de carga promedio faq) Para una carga resistiva es 18V, =n 2) mR OR, El voltaje rms de salida Ve €Sté dado por vam =[es [dant = Lota araen|”” 0m OSV, y la corriente rms de carga logs) POT Ga) ‘Obsérvese en la figuta 3.1(c) que el voltaje de salida es pulsétl y contiene rizos. En la préctica, es comtn requerir un filtro a la salida del rectficador para alisar el voltaje de sa- lida de od. Con frecuencia se conoce el contenido de rizo del voltaje de salida. Se puede considerar que el voltaje de salida esté formado por dos componentes: voltae de rizo y vol- {ajc promedio. El voltaje instantineo de rizo v, que es la diferencia entre vo y Vag, S©ilus- tra en la figura 3.1(d). Bl valor de v, se puede expresar como Us — Vigen) = Vm S000 ~ Veja) ara 0 S wt Sm {var Bae se ere ee Sea Viana) €l voltaje rms de rizo. En tal cas0, Vrimay S€ Puede relacionar con Vaca) ¥ i » Vesams) POF Medio de a E Vicansy + Yowear = Vets) eae ca ° Viarms) = Votoms) ~ Veee 66) sustituyendo Vp, de la ecuacién (3.1) en la ecuacién (3.3), se obtiene Vinny = Varco 2. que luego se aplica a la ecvacién (3.6) para obtener Veins at ye ee (f-1] =121V ye) 7 ay Wt im y2 4 Vm. = FE Yoon © Bao) = a (5 El contenido de rizo del voltaje de salida se mide mediante un factor conocido como {factor de rizo FR, el cual se define como 121M a) v, Yao v, FR 210 121% (38) tea) tcc) > NOTA: Este valor numérico de FR = 121% s6lo es vilido para el rectificador monoftsico de me dia onda. CaPfruLo 3» APLICACIONES DE LOS DIODOS La potencia de salida de ca Pcs €S la potencia promedio, y se define como 2 otams) ®t = Voremsyfocms) o%) 1 pe Pacey = 3a [ ARR, dwt) = La potencia de salida de cd Pray ests definila por Paces = Vasa ea) En general, es mis pequefia que Py.) porque los valores rms son mas grandes que Jos valores (de ed) promedio. Es comiin que la eficacia de un rectificador al entregar potencia de salida de ed se mida mediante la eficiencia de la rectficacién ‘ta cual se define como _ Paes Vacate. Ym/tP/R ca) Vaiesxems) — Vey/20°/R > NOTA: Este valor numérico de 1m = 40.5% s6lo se aplica al rectficador monotésico de media onda. Gan Por lo general, los rectificadores se alimentan mediante un transformador con un vol- taje de entrada de ca fijo de 120 V (rms), para satisfacer el requerimiento de voltaje de salida, En la figura 3.2(a) estd representado este circuito. Si se supone que es un transfor- ‘maddor ideal, entonces el voltaje rms en el primario V, se relaciona con el voltaje rms en el secundario V, por medio de la relacién de vueltas n, como sigue (3.12) vy, N, donde N, ¢s el nimero de vueltas del devanado primatio, y N, es el nlimero de vueltas det devanado secundasio. FIGURA 3.2 ml = mi Rectificador de media onda con ian erngl factiseraoatel pad Rinne transformador en la entrada 4)” wales Smo % BM (@) Rectificador con (®) Teanstormador transformader de entrada > NoTAS: 1. Sil rectificador se conecta a un cargador de baterias, Pua €8 la potencia dri transferida ala bar teria, Como Prey €8 MAYOE GUE Pryccy 12 Pyeaids = Poe) ~ Poses 9€ encarga de calentar la bate~ ria, Sin embargo, para una carga esistiva, Ia potencia de ca Pye Hega 2 ser la potencia de salida promedio y produce el calor efectivo, 2. Lacorriente promedio que circula por el lado de la entrada de un transformador ideal ser Iygy/" Por lo comnén, el transformador se disefia para que funcione con una fuente de ca senoidal, de mo- do que el nécleo magnético del transformador se activa y desactiva en cada ciclo, El flujo de cortiente uniditeccional a través del transformador puede hacer que el nticleo de éste se satur. Por consiguiente, este circuito es adecuado sélo para usos de muy baja potencia, por fo general de decenas de watts, 3. A menos que se indique lo contrario el voltje de entrada de ca siempre se especifica en valores rms, de modo que Vz, = V21 SECCION 3.2» — RECTIFICADORES DE DI0DO 85 BJEMPLO 3.1 F SOLUCION Citculo de los pardmetros del desempetio de un rectificador monofésico de media onda El rec- tificador monofésico de media onda de la figura 3.2(a) se alimenta con una fuente de 120 V a 60 Hz, a través del transformador reductor de la figura 3.2(b), cuya relaién de vueltas es m= 10:1. Lare- Sistencia de carga R; es de 5 0. Determine (a) el votaje de salida promedio Vaca. (b) la coriente de carga promedio ley () el Voltaje rms de carga Veg (2) a cotriente rms de Carga Iogrmy (€) el factor de rizo del voltaje de salida, (fel volaje ras de 120 Vey (8) laconiente promo del diodo Togramy (h) la corriente rms del diodo Im. 0) el vokaje pico iverso del diodo, Q) la potencia de sala promedio Pay (K) la potencia de salda de od Puy y () la frecuencia f, del voltae de rizo ae salida El voltaje en el primario del transformador es V, = 120 V. Segtn la ecuacién (3.12), el voliaje en ef secundario del transformador es V, = V,/n = 120/10 = 12-V.Bl voltaje de entrada pico del rectifi- ceador es Vq = V2V, = VEX 12 = 1697 (a) Con la ecuacion 3.1, Voges) = 0318 Vy = 0.318 X 1697 (b) Con la ecuacion (3.2), Tees) * Voyan/ RL = 5.4/5 = 1.08 A () Con la ecuacisn (3.3), Voums) = 0.5 Vq = 0.5 X 1697 = 849 {@) Con la ecuacion (3.4), Teams) = Vounsy/ i, = 8.49/5 = 1.7 A (@) Con la ecuacién (3.8) FR = 1.21 0 121%. (© Con la ecuacién (3.8), Veena) = FR X Votan) = 1215.4 = s3V (g) Laccorriente promedio del diode Ippon €8 igual ala de carga; €810.8, farm) = face) = 1.08 A. Gh) La corriente rms del diodo Apna € i2ual a lade carga. Esto €5,Ipums) = ens) = 1-7 A. @ PIV = Va = 1697, (i) De la ecuacién 3.9), Page) = Bony B= OI? XS = ASW (k) De la ecuacién (3.10), Poca) = Vases) = 54 X 1,08 = 5.83 W () Obsérvese en la figura 3.1(d) que la frecuencia del voltaje de rizo de salida es igual ala frecuen- cia de entrada, f, = f = 60 He. EJEMPLO 3.2 , SOLUCION Componentes de Fourier del voltaje de salida de un rectificador monofisico de media onda El rectificador monofésico de media onda de la figura 3.I(a) esté conectado a una fuente de V, = 120V 60 Hz, Exprese, el voltae de salida instanténeo vot) mediante una serie de Fourie. E] voltae de salida vg puede describirse por medio de [iene pan 0s ws 7 *o* lo paca a = 20 nr CAPITULO 3» )=— APLICACIONES DE LOS DIODOS- Ia cual puede expresarse mediante una sere de Fowier como Vol) ~ Vacs + 3) (a,sennd +6, cos no) donde @ eas ee re o Youo =F [Y= SE] vase e+ [ae EPP sosennoao= 2 [yg sendsennos pans i 0 pwan= 2.345.000. : eee 1 £["sgsnmae-t ae j)oman = 2.46 0 param = 1,35, ‘Cuando se insertan los valores de a, y b, en la ecuacién (3.13), fa expresion para el voltaje ins- tantineo de salida vo se convierte en: V, 82m 60% nd a Vig Voy Vm TP seman ~ 2 cos 2ur — 75 eos dor = 5 cos bw ~ Vea On Dens De donde V, = V2 x 120" 169.7V y w= 29x 60 98 Daw? > NOTA: La ecuacién (3.14) contiene componentes seno y caseno, los cuales se conocen como ar- ‘ménicos. Con excepeiGn del término seno, sélo estin presentes los armdnicos pares, y sus ‘magnitudes disminuyen con el orden de la frecuencia del arménico. EJEMPLO 3.3 a SOLUCION Aplicacién del rectificador monofisico como cargador de baterfas El rectificador monotésico puede utilizarse como cargador de baterfas, como se muestra en la figura 3.3(a). La capacidad de ia baterfa es de 100 watt-hora, y su voltaje es E = 12 V. La corriente de carga promedio debe ser Foxes) = 5 A- El voltae de entrada de ca al primario es V, = 120 V (rms) a 60 Hz, y la relacin de ‘vueltas del transformador es = 2:1 (@) Calcular el Angulo Sen que el diodo concduce, la resistencia de limitacin de corriente R, la disi- pacién de potencia Py de R, el tiempo de carga h en horas, laeficiencia dela rectificacign ny y el vol- taje pico inverso del diodo. (b) Utiizar PSpice/SPICE para trazar las grificas de Pac) ¥ Pays) COmO funciones del tiempo. To- ‘mar como pardmetros del modelo los correspondientes al diodo DENS 148: 502.682", uO: m.3333 W5.5 8¥e100 TovaLOOU THT. SO (2) Siel voltae del secundario es v, > E, el diodo D, conduce. El angulo 6, para que el diodo co- ‘mience a conducir puede obtenerse a partir de la siguiente condicién Vp sen 84 G15) SECCION 3.2» RECTIFICADORES DE DIODO 87 FIGURA 3.3. Cargador de baterfas vs Vq sen @ RD . i . () Cireaito El diodo Dy se apaga cuando vs < E, lo que sucede cuando a T= 4H La comriente de carga io, la cual se muestra en Ia figura 3.36), se calcula mediante ig SE a a8 Ey Os p= Z % para 6 = 85 6 16) v/a = 120/2 = 60, Viv, = VE« 60 = 8485 puesto que V, De la ecuaci6n (3.15), 8, = sen”! (12/84.85) = 8.13° 0 0.1419 rad; por tanto, @, = 1808.13 = 171.87" El intervalo en que el diodo conduce se conoce como dngulo de conduccién y est4 dado por 6 = 0-8, = 171.87 -8.13 = 163.74" La corriente de carga promedi Ipgyony © 1 piers Vqsen@ —E tua [ a 1 Fg Me 608 8, + 2, — WEI aan de donde puede calcularse la resistencia de limitacién R como aoe Ptlgoa 1 Bax [2¥,, 08 9, + 20, ~ aE] [2X 84.85 cos 819° + 2X 12 X 0.1619 ~ aX 12] = 4.26 CAPITULO 3» APLICACIONES DE LOS DIODOS La corriente rms de la baterfa Iggy & 1 (V_sen8 ~ EP a “all “eee amy ~“Bsenan,-aygtowe] ga la cual da feguay ® VOTAT = 8.2.A. La disipacion de potencia en R es Pq = Bao = 822% 426 = 2864.8 La potencia proporcionada ala batera Pyga €8 Pata = Elygy) = 12% 5 = 60 on 100 watt-horas, AP ge) ~ 100 . f= 100/ Peg) ~ 100/60 = 1.667 hr Laeficiencia de la rectificaciin np es Potencia entrogada ala bateria_ Pood « Potcocia oil de entrada Pg) + Pq 60+ 2864 me, 7.32% EL voltaje pico inverso del diodo es PIV = Va, + E= 84.85 + 12 = 96.85 V (®) En la figura 3.4 estd representado el circuito cargador de baterfas para simulacién con PSpice. Puesto que la inductancia es proporcional al nimero de welts, ls inductaneas de fuga en el prima- rio y en el secundario del transformador de entrada son seleccionadas con una relacion de 2°(0 4) a 1, esto es, Ly = 40 mH y Ly = 10 mH para un transformador lineal. El listado del circuito, el cual utiliza una fuente de voltaje conteolada por voltaje con una resistencia de entrada R, para representar el transformador, se muestra a continuacién, (no se muestra en el esquema). Eyenplo 3.3 Cargador de baterias wwe LD SIN (Ov 168.70 60 ath aL toes 2 Una resistencia my alta ms 2 0 1005 2 Fuente de voltaje centroteca por voltae Bo? 3 426 Resistencia Linitadora we 4 0 0c LW 2 Woltaje de 1a bateria 3 tlw 1 Wdelo del diodo OINSLA9 WODEL DINELEE O(25=2. 682 CIOM® He.3933 Je, 5 BYELOO eI 1oy-1000 FT-11.54N) + Pordpetros del nodelo det diode aan 10 804s 2 anilisis transitorio ROR Posprocesaser gcifico FIGURA3.4 Circuito cargador de baterias para simulacién con PSpice R k lag TX, 4260 D, DINGS. vo UY Rectificadores monofisicos de onda completa con derivacién central SECCION 3.2» — RECTIFICADORES DE DIODO 89 En la figura 3.5 se muestran las grficas producidas por PSpice de lume Ps) ¥ Poems £0 18 1 Fegy = TA, Paty ~ 53.5 W Y Pa) = 86.1 W. El valor de Fn > ual ala coriente rms ravee de la resisencia Res deci, 1(R). Estas grafcasaleancan sus valores de estado estabe des- ‘ués de un intervalo transitorio de 80 ms, aproximadamente. FIGURA 3.5. Grificas producidas por PSpice para el ejemplo 3.3 Para un rectificador de media onda, ef voltaje promedio (0 de ed) es de s6l0 0.318 Viq. El voltaje de salida de un rectificador de onda completa es el doble, y ocurre al combinar dos rectificadores de media onda, como se muestra en la figura 3.6(a), Como v, es positive des- de wt = Ohasta 1, y negativo desde «wt = a hasta 27, la operacién del rectificador se di- Vide en dos intervalos: el intervalo 1 y et intervalo 2. El intervalo 1 es 0 < wt = m durante el semiciclo positivo del voltaje de entrada, El diodo Dy esté polarizado a Ia inversa y se comporta como un circuite abierto, tal como se representa en la figura 3.6(b). El voltaje pico inverso PIV del diodo D2 €8 2V—. El diodo D, conduce y se comporta como un cortocircuito, El voltaje en la mitad del secundario vg = Vy Sen wf aparece a través de Ia resistencia de carga Ry, ¢s decir, el voltaje de salida se transforma en vo =Vmsenwt para0S wt sm El intervalo 2 es a = wt 2rrdurante el semiciclo negativo del voltaje de entrada. 1 iodo D; esté polarizado a la inversa y se comporta como un circuito abiert, tal como se representa en la figura 3.6(c). El voltaje pico inverso PIV del diodo D, también es 2Vq.. El diodo D, conduce y se comporta como un cortocireuito. El voltaje negative de la mitad del secundario vs = Vi, sen cf aparece a través de la resistencia de carga Ry. asi, el voltaje de salida es Vo = —Vm Sen ot para S wt S 2m El voltaje de salida instanténeo vq durante el intervalo 2 es idéntico al del intervalo 1 En a figura 3.6(¢) se muestran las formas de onda de los voltajes de entrada y salida, Aho- ra es necesario determinar el voltaje promedio y el contenido de rizo. Al igual que con el rectificador de media onda, puede considerarse que el voltaje de salida de un rectificador de onda completa esta formado por dos componentes: un voltaje de rizo y un voltaje pro- ‘medio. El voltaje instanténeo de rizo v,, el cual es la diferencia entre vo y Vojegy $€ ilustra cena figura 3.6(e), El voltaje de salida promedio Vzq) Se calcula con la siguiente ecuacién: ahi 27" iy Vaeo~ 3 | vodton = & [ Vgsener dias) == ~0636¥y, 20) 90 CAPITULO3 —» APLICACIONES DE LOS DIODOS FIGURA3.6 Rectificador de onda completa con un transformador con derivacisn central ip 42) Chrute encentat , aegado 4 4 Ry & mh AN (@) Formas de onda “Ob “OK etary Dyenceaddo (b) Circuito equivalente (c) Circuito equivalente para ys>0 para yy <0 (e) Vottaje de rizo de salida Este, es dos veces el voltaje de salida promedio de un rectificador de media onda, V, nee) = 0.318Vq. Por consiguiente, la corriente de carga promedio /zjeq) Para una carga tesistiva se calcula con la ecuacién (3.21): Vos) 2¥qy _ 0636¥5, L Yow) 2¥y Fates) = 21) Rm, OR, El voltaje rns de salida Vijmy €St4 dado por * a 72 [2[ deo -[2 fi Rar? or awn] G22) ‘comparado con Ves) = 0.5Vjq para un rectificador de media onda. En consecuencia, la corriente rims de carga Isgms) eSt4 dada por Vorms) _ 0.707V, logins) =e 3.23) x Rx Para determinar el factor de rizo debe calcularse el contenido de rizo. El voltaje instén- tanco de rizo v,, el cual se muestra en la figura 3.6(e), puede expresarse como ¥5 — Vegeu) = Vin SN t ~ Veeg) para < wt — RECTIFICADORES DE DIODO 93 (@) Expresar el voltaje de salida instanténeo vo(#) por medio de una serie de Fourier. (b) Usar PSpice/SPICE para caleular los componentes arménicas del voltaje de salida. Utilice los pardmetros prestablecidos del diodo. (9) 2V, = 120 x 2/10 = 24Vy ¥,= 12V. Vy = VV, da vo puede deseribirse dela siguiente manera ( cel que, por medio de una serie de Fourier, se expresa como = Vix 12 = 1697 V. I voltae de sal Vi, Senet para0 Swi Vg Senent para mS ots 2a % Vol0) = Vigeg* 3 Caqsennd + Bcos nl) donde @ oi = Deft = 3771 , eee ee 2v, Vouen= Fe f, Y= ae | Meson ad = —™ at i 2 [” sysenno a0 = 4} [, Vn send sen n0d0 + {7 —W send sen 20 do LP vossmare2 [gamba eee ee 4V, para n= 24,6)... ‘Cuando los valores de ay y b, se inserian en la ecuacién (3.13), la expresién para el voltae de salida instantineo vo se transforma en Wy 330) 7 Gan ans et onde V = V2 X 120 = 1697 V y w= 20 x 60 = 317 rad/s Ta eeuacisn (3.20) da Vagay = 2Vq/ t= 2 X 1657/1 = 108 V. Las magnitudes pico de los ‘componentes arménicos son Vaigen) = WVq/307= 4 161/30" =72.¥ AV, /ISer= 4X 1697/15 = 144V 4Vg/35 = 4 1697/352= 0617V AVI630 = 4 X 1697/630r= 0343 V ‘Obsérvese que el voltae de salida vo contiene séto arménicos pares. y el segundo arménico es ‘el dominante a una frecvencia f= 2f = 120 Hz. Vaesies) Vessco) Vuipco) (b) El cirewito rectificador monofésico de onda completa con derivacién central para simulacién con PSpice se muestra en la figura 3.7. El wansformador con derivaciGn central sc modela por medio de tuna fuente de voltaje controlada por voliaje, El listado del archivo del circuito se muestra a continua ci6n. Ejenplo 3.5 Rectiticador nonafisico de onda completa con derivacton central we G0 Stw (ow 169.79 sone) alk 01M ta cesistencia euy alta fet 0 3 ot 0 0.1 fuente de voltaje conteolada por voltaje eet 2 0 1 ° 2 Fuente de voltaje cont rolads por veltaje mo 4 0S m2 4 DO 4 Wodelo det diode 0x00 Rectificadores monofiisicos con puente de onda completa CAPITULO» APLICACIONES DE Los DIOos 3 4 mw #008 ow0 o + Ueiliza parimetros preestablecidos del maxelo de diode ‘TAY 10S 32.395; Anblisis eransitorie FOUR e082 (4) # AndLisis de Rourter del yoltaje de saliaa roa 2 osprocesador gzéfico x0 {os resultados del anilisis de Fourier obtenidos con PSpice son los siguientes. Los vax lores calculados manualmente se muestran a la derecha entre paréntesis FOORZER COMPONENTS OF TRASIENT RESHONSE ¥/81:2) OC COMPONENTS B.TS7EEIE Yoygy@B.787 © 1198 vy HARONTC FREGUENCY FOURIER NORMALIZED pase NomtaLteno 0. ae (SOMEONE —cComFONENT (055) pAASE. (086) 2 S-aooee01 2.7278-02 ,o00K600 8. 7e9b+ot 9 oonesae, 2 d.topese2 6.828800 2.3256002 -9. 0166401 -2.2098-00 aay 3 Lenoerez 2.05802 9.9928-01 4s. ssne+00 4 2.d00ne02 4. 1996000 4. 3988v0r -2.7636000 ay 5 S000es02 ——2.6586-02 9. 2508601 -7. 9755401 g.hecevoo & —-3.e00ee02 4068-011 teserot <9. t77Ev01 a anzeoen (0617 vy 2 4.200gs02 2.576802 9.468801 -7.6036401 4 iBeEoL § —— ¢.a00Ee02 ——2.anaB-0L 9.069800 -2. 3916001 -<-orseo00 (033) 5 S.4006402 ——2.4478-028.9728-01=7.2548V01 4 sa8eu0 TOTAL HARMONIC DISTORTION= 2,3649608+08 PERCENT NOTA: En los valores ealeulados no se toman en cuenta la cadas del volaje del diodo, mientras {he la simalacién con PSpice presupone una caractertstica de diodo real. Esto explia las diferens “entre 10s valores obtenidos con PSpice y los valores calculados manualmente Fn la figura 3.8() se muestra un rectifcador monofésico con puente de onda complet, el {ual requiere cuatro diodos. Las ventajas de este recificador son que no necesita un trans. {ormasjor del lado dela entrada y que el PIV nominal de los diodos es Vy. Sus desventajas Son que no proporciona aislamiento eléctrico y que requiere mas diodos que la version con derivacion central. Sin embargo, es comdn utilizar un transformador de entrada para saie, facer cl requerimiento de voltae de slida. Como vs es positivo desde wt = 0 hasta m, negativo desde wt = m hasta 27, la operaci6n del circuito puede dividitse en dos interve. los: el intervalo 1 y el intervalo 2. Et intervato | ¢s 0 = wt = a durante el semiciclo positivo del voliaje de entrada vg, Los diodes Ds y Da estén poarizados a a inversa, como se muesraen la igura 3 8(b).El voltae Pico inverso PIV de los diodos Dy y Dy €S Vay por lo que los diodos D, y D, conducen, El voltaje de entrada vs = Vay Sen wt parece a través de la resistencia de carga Ry. es de. cir, el voltaje de salida es Yo =Vmsenwt paraOs ats 7 Eh intervalo 2es w = aw < 2a-durante el semiciclo negativo del voltae de entrada vy {Los diodos D, y D, estén polarizados ala inversa, como se muestra en la figura 3.8(c). EI ‘oltaje pico inverso PIV de los diodos D, yD; ¢5 Vy Los diodos D; y Dy conducen y se comportan como cortocircutos. El valor negativo del voltaje vs = Vm Sen eot aparece a ta. vés de la resistencia de carga R,. Es decir, el voltaje de salida es Yo = —Vq Sen wt params wt < 2a Las formas de onda de los voltajes de entrada y salida se muestran en la figura 3.8(2). EI voltaje de rizo de ta salida se ilustra en la figura 3.8(e). Las ecuaciones deducidas con anterioridad para un transformador monofasico de onda complota con derivacidn central también son vélidas para el rectificador con puente, eaeearCN NEN ae SECCION 3.2» — RECTIFICADORES DE DIODO 95 FIGURA 3.8. Rectifcador monofisico de puente de onda completa De () Circuito equivatente para y5>0 (@) Circuito equivalente para ys <0 (@) Volinje de rizo de satida EJEMPLO 3.6 SOLUCION Parimetros de desempeio de un reetificador monofésico con puente de onda completa El rec- tificador monofésico con puente de onda completa de la figura 3.8(a) es alimentado por una fuente de 120 V a 60 He através de un wansformador con una relacién de vults m = 10:1. La resistencia de carga R, es de 5 02. Determine (u) el voltaje de salida promedio Vay (b) la coriente de carga pro- medio lygay (6) el voltae rms de carga Voumay () la eoeriente rms de carga Iaeyy (factor de tizo FR del voltae de salida, (D el voltgje rms de riz0 Vjgqay (8) 1 corriente promedio del diodo Tyqramy (B) Ha Cotiente rms de! dodo Toy (el voltae pico inverso PIV del diodo, Q) la poten- cade sald papmedio (0 ca) Py. (Ja poteneia de salida de 6d Py Cla Frecuencia J, del vo taje de rizo de la salida El volaje rms del primasio del transformador es V, = 120V. De averdo con la ecunién (3.12, el Woltje rms del secundaio del tansformador es V,'= Vp/n = 120/10 = 12 V. El voltae pico del e- cundaio es Vg = V2x 121697 (a) De a ecuacion (3.20), = 0636¥,, Yor 0.636 x 16.97 = 108 (b) De la ecuacién (3.21), Tyce) = Voscay/ Bt. = 108/5 = 2.168 (© De la ecuscién (3.22), Votan) = O.TOTV , = 0:107 X 1697 = 12V CAPITULO > APLICACIONES DE LOS DIODOs (a) De ta ecuacién (3.23), Togamsy = Vogemsy/ Ri, = 12/5 = 24 (©) De la ecuaciéa (3.26), FR = 0.483, 0 48.3%, (0 De ta ecuacién (3.25), Vggasy 7 FR X Voygg) ~ 0.483 X 108 = 5:22V (@) La comtiente de carga fuye por uno de los diodos dela parte superior (Dy © Da), pr la carga y luego por uno de ts diodos inferiores (D, 0 D,). Pr lo tanto, Muye la misma corrente por dos dio- dos, os cuales conducen. La corriente promedio del diodo Jppm Ser4 la mitad de la cortiente de carga, es deci fxpiom) = fvo/2 = 2-16/2 = 1.08 A. (h) La copriente rms del diodo fama Ser8 1/\V2 veces la corriente rms de carga. Es eit, fone) = Toun V2 = 24/2 = 17. ( PIV = Vq= 16.979. G Dea cevacién (3.27), =2 foams Pres) sR, = 2.4)? x =23W (k) De Ia ecuacién (3.28), Popes) * Voy toyen = WD fy = 2f = 2% 60 = 120 Hz. 108x216 = 2333 W NOTA: Los resultados de ios ejemplos 3.4 y 3.6 son idémticos, excepto en que el PIV de un rect ficador con puente ¢s PIV = Va, = 16.97 V, mientras que el de un rectficador con derivacion central 2 PIV = 2Vq, = 33.94 V, para el mismo Vygay = 10.8 V. Come hay cuatio diodos, las corrientes de los diodes de este ejemplo son diferentes a las del ejemplo 3.4. EVEMPLO 3.7 F SOLUCION Caracteristica de transferencia (la salida en funcién de Ia entrada) de un rectificador monofé- sico con puente En a figura 3.9 se usta un recificador monofésico con puente, La resistencia de carga Ry, €5 de 4.5 KA. La resistencia de la fuente Ry es de 500 0. {a) Determinar la caraceristica de transferencia (¥p en funcién de v3) del rectificador. {(b) Usae PSpice/SPICE para trazar la gréfica de la caracteristica de transferencia con vs = —10V 8 10 V. Use los parémetros de modelo del diodo DINSI48: 1542,6228 COOP e.3339 WE.S BID TOVeIOQ TT=LI.St FIGURA 3.9 Circuito rectificador monofisico con puente para simulacién con PSpice R soon An Ae an S askog”? (2) R, = 4.5 kOLy Rg = 500.9. Cuando el voltaje de entrada vs es positivo, sto fos diodos Dy y Dz conducen. Bl voliaje de salida vp se obtiene aplicando la regla del divisor de voltae, es deci, yo = ¥oRL/Ry, + R) = ve(AS KO /(AS KO + 500) ° = 0.9%. para ys \ i SECCION 3:2» RECTIFICADORES DE DIODO 7 Si el voltae de entrada ves negativo, slo los diodos D; y Dy conducen. El volaje de salida vp se obtiene de Yo” W9RL MR + R) = ~¥g(8.5 D/A kA + 500 La caracerstica de trnsferencia se muestra en la figura 3103) () El listado del archivo del cireuito se muestra a continuacisn ~0.9v5 paravs <0 pjenplo 3.7 Rectificador nenotésico con puente ve 1 0 0 SY + woltaje decd de Sv 8s 2 500 a 44K 3 ° 3 ol o1nants 7 Hedelo del diode pIMLts ve pins 03 piesa ne 4 2 Nee MODEL DINA}48 D(ZS+2.6828 CODRAP Me.3333 We.S BY=100 4 Tav=1000 TH=11.54m) + Pardmetros del. modelo de dodo be vs -10V 100 0.1¥ 1 harrido de ca desde ~10 V hasta 10°¥ 9088 2 ospracesador qrético fn la figura 3.10(b) se muestra la grifica generada por PSpice de vo en funcin de vs. La 2008 muerta alrededor de 0 V (entre 0.75 Vy ~ 0.75 V) se debe a las caidas de voltaje a través de los diodos. La caracterstica debe ser simétrica. FIGURA 3.10. Caracterfstica de ‘sansferencia del ejemplo 3.7 EJEMPLO 3:8 SOLUCION Aplicacién de un rectificador monofésico con puente como véttmetro de ea El wéltmetro deca se construye con un cuadro mévil de ed y un rectticador con puente, como se muestra en la figura 3.11(@). La resistencia del cuadro es Ry = 100 11 con una corriente promedio de fq, = 100 mA para lograr una deftexiGn de escala completa. La resistencia limitadora de ta corriente es R= | KO. (a) Determinar el valor rms del voltae de entrada de ca V, que produce una deflexién de escala com- pleta, si el voltaje de entrada vs es senoidal. {(b) Si se uiliza este cuadro para medir el valor ms de un voltae de entrada con forma de onda trian- gular, como el que se muestra cn la figura 3.11(b), calcula el factor de coreccién K que necesttaapli- ccagse la lectura del medidor. Ryy = 100.0, R = 1 kM Ty, = 100 mA. CAPITULO 3» APLICACIONES DE LOS DIODOS FIGURA 3.11 Véltmetzo de ca a ord Ff () Voltaje de entrada © = a: Ze (@) Cireait Sree eee tae (6) Vetaje de slid (@) El vlr pico Vq de un voltae seoial est elacionao con su valor ns V, por Vq = V3V, El Vola pomedio de medidor Vay calcula aplicando la rea de divisor de vol ent la re Sitencis fy Ree R ¥, mcs = Re Ry Vo Con el Vacay = 2Vq/1 de a eoucién (3.20, a correntepromedto del medidor Iya €8 Mo eee ava cuaveN, Ree, ReR, eR ERD La lectura 0, del medidor, ue es proporciona a la correntepromedio det medidor fay dae voltaje rms de entrada, es decir, auc 3) 6, = Rilguay = 632) donde K, sel factor de escala del medidor.Susttuyendo Iggy dela ecuacién (331), se obtiene Ky avi, “GTR de donde el valor de la constante K, es x, = Tt Re 633) 1 We (LX 10° + 100) Wi Por tanto, con la ecuacién (3.32) puede calcularse el voltaje ems V, de la entrada que produce la deflexiGn de escala completa. Es decir, V, = Kilmies) = 1221.8 x 100 x 10-3 = 1222.V (b) Si se aplica una forma de onda triangular vs con un valor pico Vq al rectificador con puente, el voltaje de salida vg 2s el que se muestra en la figura 3.11(c). El voltaje ms de entrada V, del voltje triangular puede e@leularse con la siguiente expresion (después se realiza la integracion) (3.34) El voltaje de salida promedio Vega es ie 335) : ii c Yass 000 Fa, G/2 "2 SECCION 3.3.» FILTROS DE SALIDA PARA RECTIFICADORES 99 Sustiuyendo Via = Vn/2s I corrente promedio del medidor Iya es Wagaya +R, Rt Ry RFR) om La lectuta 6, det medidor debe ser una medida de vole rms de entrada. Susiuyendo Ky de la ccuacién (3.33) € lngy dela ecuacisn (3.36), se obiene eae ets Ma) ac Vaseera ela vtmet = —Gy7q BR, + Ry)” 4V2 pero Ja ecuacign (3.34) indica que el valor ems es V, = Vq/'VE. Si K es el factor de careccidn, en ass = 37) ‘KO, = Vn as ta que, después dela sustiucdn de 0, en ls ecuscién (3.37) da el valor det factor de coreeién K v, (338) Por consiguiente, en el medidor se leeré KV, (como onda senoidal) = 1.0396 x 122.2 = 127,04 V, con una deflexién de escala completa con la forma de onda triangular. ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 3.2 Los diodos pueden usarse como rectificadores; es decir, para convert voltaje de ea en vol- taj de ed + El voltaje de salida de un rectificador tiene contenido arménico, el cual se mide mediante el factor arménico FR + Elrectficador de media onda tiene mas contenido arménico que uno de onda completa. No ‘obstante, es simple y por lo general se utiliza para salidas de baja potencia del orden de los 10 W. El reetificador con derivacién central y elrecificador con puente por lo comin se uti- lizan para salidas del orden de los 100 W y I kW, respestivamente + En forma general, se utiliza un transformador de entrada para aislar la carga de la fuente y también para elevar o reducir el voltae. 3.3 Filtros de salida para rectificadores Filtros L En las ecuaciones (3.14) y (3.30) el voltaje de salida del rectficador tiene un componente de cd (Vq/7 0 2Vm/'7) ¥ otf08 componentes cosenoidales de varias frecuencias. Las mag- nitudes de los componentes cosencidales se llaman arménicos, idealmente, la salida debe set cd pura; estos arménicos son indeseables. Es comin utilizar filtros para alisar el volta- je de salida. Como la alimentacién de entrada a estos filtros es de cd, se conocen como fil- ‘ros de ed. Por lo general se emplean tres tipos de filtros de cd: filtros L,filtros C y filtros LC. En general, los fitros Ly LC se utilizan en aplicaciones de alta potencia, como las fuentes de alimentacién de cd. En circuitos integrados, casi siempre se utilizanfiltros C. El inductor, que es un elemento que almacena energia, trata de mantener una corriente constante a través de la carga, de modo que la variacién del voltaje de salida sea baja. Su- péngase que se conecta un inductor de resistencia interna cero en serie con la resistencia de carga Ry, de un rectificador con puente. En la figura 3.12(a) se muestra este circuito. A las frecuencias de rizo, la inductancia ofrece una alta impedancia y el rizo de ta corriente de carga se reduce. Los circuitos equivalentes de los componentes de ed y arménicos se mues- tran en las figuras 3.12(b) y 3.12(c), respectivamente. La impedancia de carga est& dada por 2= y+ j(nwl) = VR, + (wl) Lt, ee donde , = tan! (newb /R,) oa 100 FIGURA Rectificador monofésico de puente con filtro L CAPETULO3 > APLICACIONES DE LOS DIODOS t at fo do, ‘onal "6 RBV0 Vacs Re QMom a, | Dd, + | a et I (0) Create 0) Geis deecd—() Cicae ea Si se dividen los componentes del voltaje de salida vp de la ecuacién (3.30), que dependen de la frecuencia, entre la impedancia Z de la ecuacién (3.39), se obtiene la corriente instan- tinea de carga i; 08 nwt ~ $y, 1 7 ts (Din VRE (nk? donde Iycq) Se obtiene dividiendo Veja entre la resistencia de carga Ry, es decir, Io = Fegesy > 41) Ve) 2¥in R mR, Considérense sélo los dos primeros componentes arménicos, ¢ ignérense los de mayor orden. Sean I,24qs) € oaimnsy las Corrientes rms del segundo y cuarto componentes arméni- cos, respectivamente. Como estas cotrientes son valores rms, la corriente rms de rizo resul- tante Igy) 8¢ calcula con la suma de los valores cuadraticas medios de f52¢msy € louima ES decir, I a 2 Foams) * Ke ‘oa(rms) G42) erm) Con esta relacién-y dividiendo los valores pico de la ecuacién (3.41) entre V7 para con- vertirlos en valores rms, se obtiene la corriente rms de 1120 Iygq,) Con la ecuacisn (3.42): 2 ae ae xf rem) 2 Lat? + wks? 3. 1p Vm Fe al (3.43) mA(RP + (GeaL.)y/? EJEMPLO 3.9 > SOLUCION Diseio de un filtro L de salida El rectficador monofésico con puente de la figura 3.12(a) es a mentado directamente por una fuente de 120 V a 60 Hz, con un transformador de entrada 10:1. El voltae de salida promedio es Vaca) = 9 V. La resistencia de carga es Ry, = 500 0. (a) Disenar un filtro L, de modo que la corriente rms de 1320 Ip) S€ limite a menos del 5% de hy ‘Supéngase que el segundo arménico /yzina) €8 ¢! dominante, y que los efectos de los arménicos de ‘mayor orden son insignificantes. (b) Usar PSpice/SPICE para verficar el disefiocon una gréfica de la corriente de salida. Usar los pa metros preestablecidos del Viv, Vix 12 = 17, Jes) = Veco Re = 9/500 = 09 mA aon) = 3% Sel) = 0.05 09 mA = 13 mA (@ Como Voy Supéngase que la corriente de rzo es aproximadamente senoidal. Entonces, la corriente de rizo pico es V2 veces 6 alt Gg Ee Se, Iugen) = V2% lyn = VIX 09 mA = 13 mA SECCION 3.3.» FILTROS DE SALIDA PARA RECTIFICADORES 101 La corriente-de tizo pico a pico Iggy 68 dos veees el valor de Fay POF tanto, Taggs = 2 * Inpaoy = 2% 13 mA = 2.6 mA Considérese slo el armmGnico de orden més bajo; es decir,» = 2. La ecuacién (3.43) da 4¥q, 1 cms) * I ams)” Jian + ai * factor de vio FR, de a oriented slid et dado poe Toacenes) 4Ven 1 Tuco Vaate + OalF2* 3 WV a4 4/2 x3 xD) oan 1+ Qul/R, 1 + Quk/R,Y la cual se resuelve para determingr el valor de L con los valores conocidos de Ri, = 500.9, f = 60 Hz y FR, = 5% = 0.05, estoes, 474 Vina : 1+ Qel/R* 4714? = (0.05)? X [1 + 2X2 x 60 x mL /S0071 L=62H FIGURA 3.13 Circuito rectifieador de puente con filtro L para simulacién con PSpice (b) En la figura (3.13) se muestra el cireuito reetficador con puente con un filtro L. para ta simnula- ciéa con PSpice. Este dlkimo permite determinar la corriente que pasa por fos resistores, (RL). No tos necesario disponer de una Fuente de voltae fcticia VX = OV. A continuacién se muestra et ista- do del archivo del circuito usando diodos ideales. ryenplo 3.9 Rectificador de puente A con un £iltco L ww, 1 sim (av nv Gon) Voltaje pico va = 17 Loa 3 eR m3 4 500 bos wow ide La corriente de cargt bot mo + Modelo del dicco D#00 $8 Ow 03 0 2 D0 bes Loo Mo0Es, O00 0 1 faténetean prestableides del maGelo do choo ‘ ‘Tal 100 604s aniisis transitorio } FOUR 602 T (VR) 1 dadlisis de foorier de la corsuente ce cage i Roa > Rospeocesador gratico x0 Se TTT T RESET EEEEE ESSE eee ea 102 Filtros C CAPITULO 3» APLICACIONES DE Los DIODOS La gréfica producida por PSpice de la corrente de carga ig, mostrada en la figura 3.14, dala co- sriente de rizo pico a pico como lygp) = 19.546 ~ 16.808 = 2738 mA, comparada con el Valor co. ‘ulado de Fapp) = 26 mA. La diferencia entre los valores es el resultado de ignorar los armonices de hayor orden al determinar el valor de L, y también al hecho de que PSpice utiliza diodos reales en Inear de ideales con resistencia cero en condiciones de polarizacin directa. Con diodos idesies, PS. Dic aria 2.88 mA. La coriente de cd obienida con PSpice es yaa = (19.546. + 16,808)/2 = 18.18 mA. que ¢s cercano al valor caleulado de 18 mA. Esto se debe a que nose incluyé el efecio del inductor L. FIGURA 3.14 Grifica generada por PSpice para el ejemplo 3.9 EI capacitor también es un elemento que almacena energfa; trata de mantener un voltaje Constante, con lo que se evita cualquier cambio del voltaje a través de la carga, Puede co. nectarse un capacitor C a través de la carga para mantener un voltae de salida continuo vg, ‘como se representa en ia figura 3.15(a). En condiciones estables, el capacitor tendrd un vere FIGURA 3.15 Rectifcador de puente con filtro C ad eI + fo) Carga () Descarga (6) Corriente de alimentacién 2S eS oar enero SECCION 3.3.» FILTROS DE SALIDA PARA RECTIFICADORES 103 taje finito. Cuando la magnitud del voltaje de alimentacién instanténeo vs sea mayor que la del voltaje instanténeo del capacitor vc, los diodos (D, y D2, 0 D3 y Dy) conducen, y el ca- pacitor sc carga con la fuente. Sin embargo, si la magnitud del voltaje vs se reduce por de- bajo de la del voltaje instanténeo del capacitor vc, los diodos (D; y D>. 0 Ds y Dy) se po- Jarizan a la inversa y el capacitor C se descarga a través de la resistencia de carga Ry, El voltaje del capacitor ve varfa entre un valor minimo Vejqia) ¥ un valor maximo Veenggy Las formas de onda del voltaje de salida vo y del voltaje de rizo v, se ilustran en la figura 3.15(b). Si f es la frecuencia de la fuente, el periodo del voltaje de entrada es T= 1A/f. ara un rectificador monofisico de media onda, el periodo del voltaje de rizo de sali- 4a es el periodo T del voltaje de alimentacién. Sin embargo, para un rectificador monofé- sico de onda completa, el periodo del voltaje de rizo de salida es 7/2. Para deducir una ex- presién explicita para el factor de rizo FR del voltaje de salida, supéngase lo siguiente: + 1 es el tiempo de carga del capacitor C. © t; es el tiempo de descarga del capacitor C. ea tag = {T/2_ Partun retificador de onda completa 1 *O=\r para.un rectificador de media onda + El tiempo de carga f, es muy pequetio comparado con el tiempo de descarga f,. Es decir, en general, f, >> t, y mds especificamente, f,=T/2—h~T/2 para un rectificador de onda completa oT para un fectificador de media onda EI circuito equivalente durante la carga se muestra en la figura 3.15(c). El capacitor se ‘carga casi en forma instantdnea al voltaje de alimentacién vs. El capacitor C se carga aprox madamente al voltaje de alimentaci6n pico Vjy de modo que ¥e{F = f:) = Vay Bn la figura 3.15(d) se muestra el circuito equivalente durante la descarga. El capacitor se descarga de ‘manera exponencial a través de R,. Cuando uno de los pares de diodos conduce, el capacitor C consume un pulso de la corriente de carga de la fuente de ca, como se muestra en la figura 3.15(e). Por consiguiente, el rectificador genera corrientes armdnicas en la fuente de ca. Para ‘aplicaciones de alta potencia, es comtin requerir un filtro de entrada para reducir la cantidad de inyeccién de arménicos en la fuente de ca. Por lo tanto, se utiliza el rectficador con un filtro C s6lo para aplicaciones de baja pote Si se redefine el origen del tiempo (¢ = 0) como el inicio del intervalo 1, la cortiente de descarga puede obtenerse de $fiowt ~ velt = 0) + Ryig = 0 la que, con la condicién inicial de volt = 1,) = Vay J ¥, fg = he WIFE para ty St Ut, +) L El voltaje de salida instanténeo vo (o de capacitor) durante el periodo de descarga pue- de obtenerse de Vol) = Ryig = Ve RE G45) El voltaje de rizo pico a pico Vagpy &S Viggo) = Yl! =A) 7 Volt = fy +) = Vag ~ Ve 2 BE 0 ve H/RS) 3.46) 104 CAPITULO 3» APLICACIONES DE LOS DIODES Puesto que e”* = 1x, la ecuacién (3.46) puede simplificarse de la siguiente manera — pe 2) Yala < Vx para un rectificador i: al '* Re)” RC 27R,C de onda completa Gan) ‘pp V, : para un recticador Fe ane 3.48) Por consiguente, el voltae de salda pomedio Vggg 88 Vigl4PRUC — 1) para un rectificador — a YRC yR,e deoniacomplea — O*%) Vou Vag 2PRLC ~ 1) i 1" Ya para un eicador 9 5p RC de media onda Supéngase que el voltaje de rizo es aproximadamente una onda senoidal. En este caso, cel voltaje rms de riz0 V;iqny) del voltaje de salida se calcula dividiendo el voltaje de tizo pico centre V2: Yocpe) _ Yn para un rectficador aa ee 2V2— 4V2fR,C de onda completa GSI) arate para un rectificador : HRC de media onda est EI factor de rizo FR del voltaje de salida se calcula de la siguiente manera Yeon) -__Ym_, 7RE _s___N__ Veet) 4V2fR, Va(RLC= VD V2CAFRLC- 1) 1 para un rectificador V2tafR,.C — 1) de onda completa (3.53) a L eee ees para un rectificador V2fRC de media onda (3.54) EYEMPLO 3.10 DP Diseiio de un filtro C de salida El rectificador monofisico con puente de onda completa de la fi- gura 3.15(a) es alimentado en forma directa por una fuente de 120 V a 60 Hz, con wa transformador de entrada 10-1. El vollaje de salida promedi es Vagq) ~ 15 V. La resistencia de carga es Ry = 500 0. (a) Disefiar un filtro C, de modo que el voltaje rms de riz0 Vigna quede dentro del 5% de Voie (b) Con el valor de C determinado en el incso (a, calclar el voltae de sida real Vag ¥€l volta je del capacitor, si se desconccta la resistencia de carga Ry (©) Verificar el disefio con PSpice,trazando la grfica del voltae de salida instantineo vo, Utilice tos pardmetcos preestablecidos del diodo. sowucton | (9 ¥q= V3,= VEX 12 = 17V, y RF = 5% = 005 Veena) 7 5% 46 Vagy, * 005 X 15 = 075 V ‘Supéngase que el voltaje de rizo es aproximadamente senoidal. En tal caso, el volte de rizo pico es Vacs) © VI % Veann) = VEX 075 = 1.06 EL voltae de rizo pico a pico Vay & = 2X Veins Yeon SECCION 3.3» FILTROS DE SALIDA PARA RECTIFICADORES 105 ‘A partir de la ecuaciét (3.53), s¢ obtiene el factor de rizo FR del voltaje de salida de un rectif- cador de onda completa: 1 FRo Wyayeic— 0) de la que se despeja C para dar 1 1 t 1 ie aa! Tal sxaram |! Exess] tee (b) A partir de la ecuacién (3.49), se obtiene el voltae de carga promedio Vig) COMO 7 Vigegy VD = ne fol FX 60 X 500 X 1262 x 10 = 1TH 112-1588 Si se desconecta la resistencia de carga Ry. el capacitor se carga al voltae de entrada pico Vy Por consiguiente, el volte de salida promedio sin carga es Vegan cargas = Yn = 17 Si se conecta la carga, el voltae de salida promedio Va.q) cambia de 17 V a 15.88 V. Por lo ge neral este cambio de voltaje se especifica por medio de un factor conocido como regulacian de vol- taje, el cual se define como Vauin expo ~ Vem cx Regulacion del volaje = ~senen®)— Vee cana, Vegenss) = (17 ~ 15.88)/15.8 (c) En la figura 3,16 se ilustra el circuito rectificador monofésico de puente con an filtro C para la simulacién con PSpice. Ellistado del archivo del circuito es el siguiente, 7.05% Byenplo 2.10 Rectiticedor de puente con un fiteo © vs 1 0 SIN (ov 11 60H); Woltaje pico 17 ¥ c 2 3 R62 m2 3 500 m1 2 Dw Hodel0 del diets Dea p30 ttm oy 02 (bm bt om WooEL 0100 0 + pardnatcos preestablecides del nodeLo de oiodo ‘aR 200 60M 1 andlisis transitorio FOUR 6082. ¥(2,3) | Analisis oe Foorier del voltaje ce salica PROBE 1 Rospeocesador grafico m0 FIGURA 3.16 Circuito rectiicador monofisico de puente con filtro C para simulaci6n con PSpice 1 2 QV vo La grafica de vo generada por PSpice, mostrada en la Figura 3.17 (que se obtuvo con el modelo de PSpice del diodo IN4148), da el voltaje de rizo pico a pico como Vapp) = 1.46 V (1.25 V con > 1/(nw0) Por lo general, esta condicién se satisface con una raz6n de 1:10, por lo que, 10 rw Bajo esta condicién, R, se puede ignorar, el efecto de la resistencia de carga R, es in- significante. Por tanto, la figura 3.18(b) se reduce a la figura 3.18(c). Con la regla del divisor de voltae se calcula el valor rms del n-ésimo componente arm6nico del voltaje, que aparece en la salida, de la siguicnte manera R 1 v. Bsr) H1 = (eay?Le] “omerns) ‘ntems) aes SECCION 3.3» _FILTROS DE SALIDA PARA RECTIFICADORES 107 donde Vayyqna) €8 el Voltaje rms n-ésimo arménico de las ecuaciones (3.14) 0 (3.30). Si se ignoran los arménicos de mayor orden y el segundo arménico Mega a ser el dominante, Veaians) © transforma en el voltaje de rizo de salida, y la ecuaci6n (3.57) se escribe como 1 Vaamsy = Yims) = Tr Ga 5ECT Yorems) a Con el valor de C de la ecuacién (3.56) se calcula el valor de L para un valor especifica- 40.de Vins EJEMPLO 3.11 SOLUCION Disedo de un filtro LC de salida El rectificador monofésico con puente de la Figura 3.18(a) es ali- ‘mentado directamente por una fuente de 120 V a 60 Hz, con un transformador de entrada 10:1. La resistencia de carga es Ry = 500 (@)Disefiar un filtro LC, de modo que el voltaje rims de rizo Viena esté dentro del 5% de Vera {b) Verifcar el disefio con PSpice/SPICE, wrazando la grética del voltaje de salida instanténeo vo, Uilice tos pardmetros preestablecidos del diodo. (a) f= 60 Haz, « = 2nf = 377 radls, Ry = 5000, y RE = 5% = 005. Viv, = V3 x 120 Veet) = Vf = 2% AT) Vigna} = 5% de Vacs) = 0.05 X 10.8 = 0.54.V Suponga que el voltaje de ‘esté dado por 5 aproximadamente senoidal, Entonces, el voltae de rizo pico Veg) = VEX guy = VEX 058 = EE viaje de a0 pio a pico Vagy 8 = 2% 076=152V 76 =2xy v, 9) raion Considérese sto el arménico dominante; es decir, cl segundo arménico, De acuerdo con la ‘ecuaci6n (3.30), el valor rms del segundo arménico es 4V, Veaumay = ee atoms) = Van ‘Con n = 2, el valor de C calculado con la ecuaci6n (3.56) es el siguiente: C= 10/(neoR,) = 10/2 X 377 X 500) = 26.53 UF Con las ecuaciones (3.58) y (3:20), se calcula el factor de rizo FR del voltaje de salida de la si- ‘guiente manera ¥ ¥, sv, faomsy Notions) L ‘a EH Hae iia FR Tg l= (nay Lel™ 2¥q, ” [1 = ar EC|* 3V2n ™ WV, va/3 T= (atc ] de la cual se puede despejar f: [v2 1 vi eee eee +1) = 0.69H ware (ee (2 X 377 x 26.53 X 10 [sans | (b) En Ia figura 3.19 se muestra el circuito rectificador monofésico de puente con un filtro LC, para Ja simulaeién con PSpice. El listado del archivo del circuito es el siguiente: Bjenplo 2.11 Rectificader de puente con un filtro Ut vs 1 0 SIN (OV ITV eORE] —; Voltaye pico de 17 V Lo? 8 0.698 ce 3 26.5308 m4 3 300 bo 2 ow odel9 ded odo 0400 108 CAPITULO 3» APLICACIONES DE Los DIODOS. me 30 mee 00 2 op D3 2 ow. *OoEL 400 D 4 Parinetros preestablecides del nodelo de aiodo TRAN 10U 60H # Anhlisis transstorio FOUR 120K2 ve4,3) 4 Anblisie de Fourier del veltaye de satida Rone 2 Posprocesador grafico B80 FIGURA 3.19 Circuito rectificador monofésico {de puente con filtro LC para simulacién con PSpice © {a arifica vo generada por PSpice, mostrada en a figura 3.20, da un voliaje de izo pico a pico Veg = 1.41 V. Comparado con el valor calelado de 1.52 V. Existe un eror de |.1V. el cual surge Pot varios factores, como el hecho de ignorar los arménicos de mayor orden, no considerar el efecro en paralelo FIGURA 3.21 Circuitos recortadores en paralelo El recortador es un circuito limitador; bésicamente, es una extensidn del rectificador de me- dia onda, La salida de un circuito recortador aparece como si una parte de la sefal de sal- dda se hubiera interrumpido (recortado). Aunque el voltaje de entrada puede tener cualquier forma de onda, se supondré que el voltaje de entrada es sencidal, vs = Vi Sen wt, para des- cribir el voltaje de salida, Los recortadores se clasfican en dos tipos: recortadores en pa- ralelo y recortadores en serie. Un recortador en que el diodo esta conectado a través de las terminales de salida se cono- ce como recortador en paralelo porque el diodo esté en paratelo (0 en derivacién) con la ‘carga. En una conexién en derivaciGn, los elementos estan conectados en paralelo, de tal manera que cada elemento lleva una corriente diferente, En la figura 3.21 estén representa- dos algunos ejemplos de circuitos recortadores en parslelo y sus formas de onda de salida ‘correspondientes. La resistencia R limita ta corriente en el diodo cuando éste conduce, El iodo se puede conectar en serie 0 en paralelo con la carga. Al determinar la forma de onda de salida de un recortador, es importante tenet en cuenta que et diodo concuce sélo si el voltaje del énodo es mayor que el del edtodo. Dy encendido 1, apazndo Dyencendido @ ‘Cuando el diodo D; de la figura 3.21(a) estd apagado, el voltaje de salida instanténeo 1g es igual al voltaje de entrada instanténeo vs. El diodo Dy conduce en la parte del serie helo positivo, durante ef cual el voltaje de entrada instanténeo vs es mayor que el voltaje de la baterfa E Por otra parte, el diodo D, de la figura 3.21(b) conduce cuando e! voltaye de tenteada es metior que el Voltaje de la baterfa Ey Si bien las formas de onda de los dos cir- cuitos son idénticas, como se ve en la figura 3.21(c), el diodo Dp de la figura 3.21(b) per manece encendido por més tiempo que el diodo D, de la figura 3.21(a). Por esta razén, se prefiere el recortador de la figura 3.21(a), y no el de la figura 3.21(b). Recortadores en serie FIGURA 3.22 Circuitos, recortadores en serie CAPETULO3 APLICACIONES DE LOS DIODOS El diodo D, de la figura 3.21(4) conduce la mayor parte del tiempo, y se apaga en la arte que corresponde al semiciclo positivo, durante ef cual el voltaje de entrada instanté- neo vs es mayor que el voltaje de la baterfa E,. Las formas de onda de salida de los recor- tadores de las figuras 3.21 (d) y 3.21(€) son idénticas, como se puede ver en la figura 3.21(f), Los circuitos de las figuras 3.21(a) y 3.21(d) (con &, invertida, y ahora denominada E>) pueden combinarse para formar un recortador de dos niveles, como se ve en la figura 3.21(g). Los voltajes positivo y negativo se limitan a E, y E,, respectivamente, como se ‘muestra en la figura 3.21(h). Note que una terminal de la baterfa de los recortadores de la figura 3.21 es comin a tierra El recortador en que el diodo forma un circuito en serie con las terminales de salida se co- oce como recortador en serie, La resistencia limitadora de la corriente R puede utilizarse ‘como carga, tal como se ilustra en la figura 3.22(a). Si se invierte la direcciGn de la bateria, {a parte negativa de la onda senoidal se recorta tal como se muestra en la figura 3.22(b). Si se invierte la direcci6n del diodo, el recorte es el opuesto al dela figura 3.22(a); esta situa- in se muestra en la figura 3.22(c). La diferencia de potencial entre las terminales A y B de la baterfa debe ser E). Pero la terminal B no puede estar a un potencial cero o de tierra. Por consiguiente, estos circuitos requieren un voltaje de cd (0 baterfa) aislado de £. Obsér- vese que el nivel cero del voltaje de salida vo es diferente del nivel del voltaje de entrada Ys. ¥ que se desplaza una cantidad igual a Ey. “8 RQ % 8 RZ © EJEMPLO 3.12 Disefio de un circuito recortador El circuito recortador representado en la figura 3.23(a) es ali- ‘mentado por el voltaje de entrada de la figura 3.23(b). Bl voltaje de la bateria es E, = 10 V. La Corriente pico Frypce) del diodo tiene que limitarse a 30 mA. Determnine (a) el valor de la resistencia R, (b) la corriente promedio det diado Ipgrony ¥ 12 Corriente rms del diodo Iyyemay Y (€) la disipacion de potencia Py de la resistencia R. SOLUCION SECCION 3.4 » RECORTADORES m1 FIGURA 3.23. Circuito recortador Vp = 20! ; ls 0 aoe a Teams) =Vq 2 -20V- () Circuito ) Volta de entrada Inge) = 30 mA y E, = 10-V. tmaginese una Ninea en E) = 10'V en la gréfica de v5 de la figura 3.2300). (a) Durante el periodo 0 = 1 = 1, voliaje de entrada vy es de 20 V. El diodo Dy se polarza ala iavers y el vollaje de sala vo lega ase igual al voltaj de salida vs. Est0€5, v9 = ¥s = 20. Du rante el periodo t, = # (1, +), el diodo D, adquiere polarizacin directa y conduce. El volte de salida vo se fijaa E, = 10 V. En la figura 3.24(a) se israel cireuito de conducei6n: la forma de on- 4a del voltaje de salida, en la figura 3.24(b). La corrieme pico del diodo Ippo €8 : Yq * £, _ 20+10 once) = B Con gps) = 30 mA, R= (20 + 10)/30 mA = 1 KO. @) La cortiene promedio del diodo Ippon) 1 pita Togieo'a _ 30.mA x 6 ms ated, +h 4ms+Oms fagee = 18mA La corriente rms del diod0 Ipjmn) & oop V7 Fe = 30 mA Vo mA/10 mA = 23.28 mA (© Entonces, Paik = (23.24 X 10°)? X 1K = 0.54 W FIGURA 3.24 Circuito de conduccién y formas de onda del ejemplo 3.12 R * by apaato 20} D, condace 10) 0 apie or 20! (4) Cirevite de conduceién () Voliaje de salida ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 3. El recortador de diodo puede suprimir una parte de su voltae de salida + Siel diodo forma un circuito en serie con la carga, se llama recortador en sere, Si forma un cireuito en paralelo con la carga, se denomina recortador en paralel. + El voltaje de salida de un recortador se calcula de la siguiente manera: CAPITULO» APLICACIONES DE LOS DIODOS Paso 1. Trazar un lazo que gire en el sentido de las manecillas del reloj para determinat la po- laridad de la bateria. Si se encuentra primero la terminal positiva de la bateria, entonces Es ppsitivo. Si se encuentra primero la terminal negativa, entonces E, es negative. Paso 2. Trazar una linea por +E, en la grifica del voltaje de entrada. Paso 3. Localizar la parte donde el diodo conduce. En seguida, recortar la parte apropiada del ‘oltaje de entrada, segin el estado del diodo (encendido o apagado), para obtenes el voltaje de salida vo. Paso 4. Dibujar el voltae de satida final Circuitos de fijacién de nivel con corrimiento fijo FIGURA 3.25, Circuito de fjacién de nivel con corrimiento fjo El circuito de fijaci6n simplemente desplaza la forma de onda de salida a un nivel de ed di ferente. Por €s0, se conoce como circuito de corrimiento de nivel. La forma de las ondas de entrada y de salida son idénticas, excepto en que el nivel de ed aparece desplazado, El voltaje de entrada puede tener cualquier fortna. Sin embargo, se supondré que el voltaje de entrada es senoidal, vs = Vj Sen wt. Los circuitos de fijacién o sujetadores se clasifican en dos tipos: de corrimiento fijo y de corrimiento variable. Tal como se ilustra en la figura.3.25, un citcuito de fijacién de nivel con corrimiento fijo desplaza el voltaje de salida en una cantidad +V,, con respecto al nivel cero, Considérese el circuito de fijacidn de nivel de la figura 3.25(a). Tan pronto como se conecta el voltaje de entrada vs, el diode D, conduce durante el primer cuarto del ciclo positivo del voltae de entrada, y el capacitor C se carga casi de inmediato al voltaje de entrada pico Vy. Pero el voltaje de salida serd cero, vo 0, Elcircuito alcanza la condicién de estado estable con un © 4) Circuito con voltae de entrada variable (@) Cireuiea Volisje de salida Circuitos de fijacin de nivel con corrimiento variable SECCION3.5 > —CIRCUITOS DE FIJACION 13 voltaje Vp, @ través del capacitor C, como se ilustra en Ia figura 3.25(a). Por consiguiente, después del primer cuarto de ciclo, et voltae del capacitor es vc = Vy y el voltaje de sa- lida v9 es Vo = Ys — YC = M5 — Vm = Vop S60 w= Vpy = Veen wt 1) para we = ar/2 como se muestra en la figura 3.25(b). ‘Supéngase que el voltaje de entrada vs disminuye por debajo del voltaje pico inicial Vp (por ejemplo, 20 V) a un nuevo valor pico Vey (Por ejemplo, 10 V). Esta situacién se muestra en la figura 3.25(c). El voltaje del diodo ahora es vo = vs ~ ¥c = 10 sen at - 20, cl cual es negativo para todo wt, y el diodo se polariza a la inversa. El voltaje del capacitor ro se puede ajustar al nuevo valor Vj, porque ¢! diodo D, ahora estd polarizado a la in- versa, y no hay una trayectoria de descarga para el capacitor. El voltaje de salida es vo Vm — Vint Sen wt, en lugar de vo = Vm(Sen wt — 1) como se esperaba. Para permitir que el'voltaje del capacitor se ajuste al cambio en el voltaje pico de Ia entrada, se conecta una resistencia R a través del diodo D,, como se ilustra en la figura 3.25(4). Si el voltaje de en- trada disminuye a un nuevo valor pico, el capacitor C se descarga lentamente a través de la resistencia R. De manera similar, si el voltaje de entrada aumenta a un nuevo pico, el capa- citor se carga a través de la resistencia R. Sin embargo, el voltaje a través del capacitor debe permanecer més o menos constante durante todo el periodo. Los valores de Ry C deben seleccionarse de modo que la constante de tiempo t = RC sea lo suficientemente grande para garantizar que el voltaje del capacitor no cambie de manera significativa dentro de un periodo T del voltaje de entrada, En general, esta condici6n se satisface si la constante de tiempo 7 se hace igual a diez veces el periodo 7. Esto es, 7 = 107- Si se invierte la direccién del diodo D,, como se muestra en Ia figura 3.25(e), el diode se polariza a la inversa durante el primer semiciclo positivo del voltaje de entrada, y el vol- taje de serd igual al voltaje de entrada, vo = vs. El diado D, conduce durante el primer semiciclo negativo del voltaje de entrada. El capacitor C se carga casi instanténea- mente al voltaje de entrada pico negativo —Vqy y el voltaje de salida se vuelve cero, vg = 0. Este proceso se completa durante el primer ciclo, y el circuito alcanza una condicién es- table con un voltaje de entrada -V, a través del capacitor C. Después del primer ciclo, el voltaje del capacitor permanece constante en vc = —Vjy El voltae de salida vo, bajo la ‘condicién de estado estable, llega a ser Vo Ye — YEH 15 — (— Va) = Vg 800 wt — Vy = Vo(sen wt + 1) para wt = 37/2 ‘como se muestra en la figura 3.25(f). Por consiguiente, la inversiOn de la direcci6n del do hace que la salida se invierta con un corrimiento en fase de 7 NOTA: | Sie ignora el intervalo tansitori inicial, el cual se requiere para que el capacitor se car- gue y opere de manera normal, la forma de onda de salida del circuito de fijacidn de la figura 3.25(0) se vuelve positiva con respecto ala dela figura 3.25(b). Ast, uno desplaza la seal de entrada en Ia diteccién positiva, y el otro, en la direccién negatva, El voltaje de salida vp puede desplazar a un valor predefinido al introducir una baterfa con tun voltaje E,. El tipo de circuito de fijacién representado en la figura 3.26 desplaza el vo!- taje de salida en una cantidad +V,, * E, con respecto al nivel cero. Considérese el circui- to de fijacién de la figura 3.26(a). El capacitor C se carga @ vc = Vey ~ Ey durante el primer ‘cuarto de ciclo positivo del voltaje de entrada, y el voltaje de salida instanténco vo, bajo condiciGn estable, llega a ser. - a “= vo = Vg — Ve Vp $00 F ~ Vig ~ Ei) = Vm S00 OE — Vg + Ey para wt =m/2 El capacitor C de la figura 3.26(b) se carga a vc = ~(Vjq + E;) durante el primer cuar- to del ciclo negativo del voltaje de entrada. Se cargaré instantaneamente a E;, en = 0. Ast, el voltaje de salida instanténco vo, bajo condiciones de estado estable, llega a set vo = ¥5 — Ve = Vp Sen at + (Vq + Ey) = Vy sen wt Vy + Ey para at & 3/2 4 CAPITULO3 APLICACIONES DE Los DIODOS FIGURA 3.26 va Ey CCireuitos de fijacion de Aivel de corrimiento variable q+ E) i onan eauiran Lee)” 10 = Ma SEN 9+ Va +E, Xe > Vat E cen %s K J % Yad Neen aor ef —\ It El capacitor C de Ia figura 3.26(c) se carga a ve = (Vj + £) durante el primer cuar- {0 del ciclo positivo del voltae de entrada. El voaje de sida instantineo vq’ bajo condi, ciones de estado estable, lega a ser YO= 5 ~ We = VSN WF ~ (Vy + Ey) = Vg 20 WF~ Veg +E, para wt 2/2 FF capacitor C de la figura 3.26(4) se carga a ve = —(Vpq~ E;) durante el primer cuar- GX ciclo negativo de votaje de entrada, El voltae de sallda instantineo vp, bajo Cond cciones de estado estable, llega a ser YOM ¥s~ Yom Van Sem tt + (Yq + Ei) = Vn Sem ot + Vy = E, para wt = 3n/2 eee BJEMPLO 3.13 Diseio de wn creuito de ljcion voltae de entrada val circuit de facidn dela Ggura3.27(a) : ae renal feetangula, come se iista ena gua 3.270). La coniente pico del diodo lpg, ha de limitarse a 0.5 A. (2) Disetar el circuito de fijacién determinando el vote pico inverso PIV del diode y los valores de Rs, Ry C. SOLUCION SECCION 3.5» CIRCUITOS DE FJACION 1s (b) Usar PSpice/SPICE para trazar la gréfica del voltaje de salida vo, Utilice las parémetros del iodo DIN4148: 1542, 6828 CWDe4P Me.3393 We,$ BURIED TaveIOOU THeIL. Sew FIGURA 3.27 Circuito del ejemplo 3.13 Ye Sie av i— te AnH 7 6 14 F HE * ten we) c D, -10] 1_____ % ® %0 oe 5 6 we rena (a) Cireaito fa : -35 (b) Formas de onda (2) foggea) = 0.5 A. El periodo T de la forma de onda de entrada es T= 1, + f= 6 ms +8 ms 14 ms. PIV = =¥g + ve = Ey = 10-4 25 — 5 = 30V para 6 ms 515 14 me La contiente pico del diode lpg) €8 ogpes) = (20+ E,)/R, ° R,= 20+ E))/ lopeny = 20+ 91/05 = 50 Sea r= (R+R,JC= LOT = 10 X 14 ms = 140 ms. Se selecciona un valor adecuado de C. Sea C= 0.1 uF, entonces RE R= 7/C = (140 X 107)/0.1 X 10°) = L4 MO con la que se obtiene & = 1.4 MQ ~ R, = 14MM ~ 50.0~ 1.4 M0. (b) El cireuito de fijacién para la simulacién con PSpice se ilustra en la figura 3.28. El listado del ar- chivo del circuito es el siguiente: Ejemplo 3.13 Circuito de fijaciéa vs {0 PULSE (-10v 20" Ov 105 10 aH 10%) el 2s © 2 3 oUF Roy 0 tte uo + ew 2 Woltaje de Ja baterta pod pinnae Wodele del diedo DIN#1t8 FIGURA 3.28 Circuito de fjaci6n para simulacién con PSpice 116 CAPITULO 3» APLICACIONES DE LOS DIOS, MOGED, DINED 48 D(E5=2.6028 COREP Hr.3393 We.S B¥R100 © reverony Treit.s8) 1 Paténeteoe el nedelo de dios rams 100 15K foslisis teansitorio PROBE osprocesador grafico eno La gréfica vo generada por PSpice y que se muestra en la figura 3.29, da el voltae de satida pico 1 pico como Vyyy) = 30:22 V, comparado con el valor caleulado de 30 V. FIGURA 3.29 Grifica generada por PSpice para el ejemplo 3.13 ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 3.5 “El circuito de fijacién puede desplazar la forma de onda de salida a un nivel de ed diferen- te, en una cantidad fija 0 variable con respecto al nivel cero. «+ Inicialmente, el capacitor se carga por conducto del diodo al voltaje de entrada pico duran- te el semiciclo positivo 0 negativo del voltae de entrada. Una vez terminado el proceso de ‘carga inicial, el voltae del capacitor queda en serie con el voltae de entrada. Ast, el voltaje de salida se convierte en la suma del voltaje de entrada y el votje del capacitor. es deci, el voltae del capacitor se suma (o se resta) al voltaje de entrada para producir el voltaje de salida. «+ El voltaje de salida de un circuito de fjaci6n se calcula de la siguiente manera Paso 1. Comenzar con el intervalo de tiempo del voltae de entrada, de modo que el diodo adquiera polarizacion directa. En seguida, determinar la magnitod y la diceccién del voltaje inicial del capacitor V, = + Vq * Ey. Paso 2, Sumar(o restar) este voltaje del capacitor al voltaje de entrada instanténeo vs, para ‘obtener el voltaje de salida instanténeo vo, Paso 3. Luego, trazar el voltaje de salida instanténeo, Para trazar solo el voltaje de salida de cstado estable, simplemente se desplaza el volta de salida una distancia igual al valor ini- cial del voltae del capacitor, obtenido en el paso 1 3.6 Detectores de picos xy demoduladores El rectificador de media onda mostrado en la figura 3.30(a) puede emplearse como detec tor de pico de sefiales. Considérese un voltaje de entrada senoidal, vs = V,, sen wt. Durante el primer cuarto de ciclo, el voltaje de entrada aumenta, el capacitor C se carga casi de ‘mediato al voltaje de entrada y el voltaje del capacitor (o de salida) vo sigue al voltaje de entrada vs hasta que el vs instanténeo alcanza el valor de Vi, en el tiempo f = 1/2, Cuan- do el voltaje de entrada trata de disminuir, el diodo D, adquiere polarizacion inversa y el FIGURA 3.30. Detector de picos SECCION 3.6» —DETECTORES DE PICOS Y DEMODULADORES 17 (a) Cireaito (b) Voltaje de salida capacitor C se descarga a través de la resistencia R. Si se define el tiempo t = ¢, cuando C se carga a Vy €l voltaje de salida (o del capacitor) vo, que se reduce exponencialmente, adopta la forma Vol = Voy para, <6 (t, +4) 59) La forma de onda del voltaje de salida se ilustra en la figura 3.30(b). Si la constante de tiempo r= RC es muy pequefia, el capacitor pierde su voltaje con mucha rapidez y no tie- ne tiempo de eargarse a Vz. El voltaje de salida se vuelve discontinuo y no es una repre- sentacién fiel de la seftal de entrada pico. Por otra parte, si la constante de tiempo Tes muy grande, el voltaje de salida no experimenta un cambio répido al cambiar el valor pico Vi, 1/f, donde f = frecuencia de voltaje de alimentacién, entonces el capacitor C, no tiene tiempo de descargarse a través de R, y el voltaje en el capacitor C, permanece en Vay. El intervalo 3 es a7 S wt = 37/2. La polaridad del voltaje de entrada es negativa. El diodo D, se apaga y el diodo D; conduce, El voltaje de salida vo, que es igual al voltaje a FIGURA 3.35. Circuito uplicador de voltaje de ‘onda completa Triplicadores y cuatriplicadores de voltaje SECCION 3.7» — MULTIPLICADORES DE VOLTAJE ri través del capacitor C2, se vuelve vq = voy ~ Vs = Vin~ Ve_ Sen ct. En wt = 317/2, el vol- taje de salida se vuelve 2Vjq y el capacitor C, se carga a 2Vsy El intervalo 4 ¢s 37/2 wt = 2m, Los diodos D, y D2 se apagan. El voltaje en el ca~ pacitor Cy es vc, = Vqy y en el capacitor Cs, vey = 2Vjy- Sin embargo, se ha supuesto que cel capacitor C; actia como la fuente de voltaje de Vm ¥ que contribuye a cargar C3. De he- ‘cho, C, y C; forman un circuito en serie y comparten 2Vjq. as que el voltaje en el capaci tor Cy serd menor que 2V,, y se requiere un par de ciclos antes de que se alcance la condi- cidn estable. Las formas de onda de los voltajes de entrada y salida instanténeos se ilustran en la fi- gura 3.34(b). Si se invierten las direcciones de los diodos, como se ve en la figura 3.34(c), las polaridades del voltaje de salida también se invierten. Si se conecta una resistencia de carga R a través del capacitor C,, el voltaje de salida se reduce durante el intervalo de tiem- po en el que D, esta apagado, y se eleva cuando D; esté encendido, por lo que se requiere ‘mis iempo para alcanzar la condicién de estado estable. En la figura 3.35 se ilustra un circuito duplicador de voltaje de onda completa. Durante cl primer cuarto de ciclo, vg es positivo, el diodo D, conduce y el diodo D; se toma pola- rizaci6n inversa, lo que provoca que el capacitor C, se cargue a vc, = Vj, con las polarida- des mostradas. Durante el tercer cuarto de ciclo, vs es negativo, el diodo D, adquiere polari- zacién inversa y el diodo D, conduce. De este modo, el capacitor C, se carga a vox = V, ccon las polaridades mostradas. El voltaje de salida de estado estable, después de un ciclo completo, €s vo = 2Vj, Si se conecta una resistencia de carga R a través de la salida, la ca- pacitancia efectiva vista por la carga es C = C; || C, la cual sera menor que C; para el ci ‘cuito duplicador de media onda de la figura 3.34(a). Un valor més bajo de la capacitancia ‘efectiva indica un filtrado mas deficiente que el proporcionado por un filtro de un solo ca- pacitor. El voltaje pico inverso PIV de los diodos de las figuras 3.34 y 3.35 €$ 2Viq Dr Pueden conectarse en cascada dos duplicadores de media onda para multiplicar por tres © por cuatro el voltaje de entrada pico Vj, como se muestra en la figura 3.36(a). Notese que deberin conectarse resistencias, las cuales no se muestran, a través de los diodos Dy, D; y Dy, de modo que el circuito pueda manejar los picos variables del voltaje de entrada. Du- rante el primer cuarto de ciclo (0 = wt = 17/2) del voltaje de entrada vs, el capacitor C; se carga a Va través de D,. Durante el tercer cuarto de ciclo (a = wt = 37/2), el capacitor Cy se carga a 2V,, por medio de C, y D3. Durante el quinto cuarto de ciclo (27 = wt S 52/2), el capacitor C, se carga a 2V,, a través de C;, C, y D3, Durante el séptimo cuarto de ciclo (37'S wr < 71/2), el capacitor C, se carga a 2Vq por medio de C,, Cz, C3 y Dy Dependiendo de las conexiones de salida, el voltaje de salida de estado estable puede ser Vey 2Vqy 3Vq 0 Vy. Los voltajes de salida instanténeos a través de varias terminales se ilustran en la figura 3.36(b) (por ejemplo, voy = Yer» Yor = Yer Y03 = Yes ¥ Yos = Yea) Si se utilizan mAs secciones de diodo y capacitor, cada capacitor se cargard a 2V,,, El voltaje pico inverso PIV de cada diodo es PIV = 2Vjy por lo que deben completarse un par de ci- clos antes de que se alcancen las condiciones de estado estable. 1 CAPITULO 3» APLICACIONES DE Los DIODOS HIGURA 3.36 Triplcador y cuatplicador de voltae EJEMPLO 3.15 SOLUCION Era figura 3.37 estérepresentado el crcuito cuatriplcador de voltae para la simulacién con PSpice. El listado del archivo del circuito se muestra a continuacion FIGURA 3.57 Circuito cuatriplicador de voliaje para simulacién con PSpice as ; IP G ; ; 4 DA oY AL o, 2 Ee oe] | ahe PLP Sjemplo 3.15 custeiplicador de veltaje YS 5 0 sw (ov 20y. iKHa) # Yoltaje pico 20 v $1 our 20 2 our 313 ur hz 4 one ot to pinnae 7 Modelo Gel diode o1ntn4s 21 owns 0s 3 2 olntiae SECCION 3.8 » GENERADORES DE FUNCION 123 pea a ome MODEL DIWEL4B D(15=2.682N CaO=4P He.3333 TWe.5 BYML0D . eve1000 TT-11.588), 1 Parinetros del nodele de died ‘Taw 1005 1648 » dablisis transitocio roa, 1 Posprocenador grafico a Las grificas vq producidas por PSpice y mostradas en ta figura 3.38 dan el voltaje de salida pi- £0 como Vargien) = 76.59 V, comparado con el valor calculado de 4V,, = 4 x 20 = 80 V, por lo que se requieren dos ciclos para alcanzar las condiciones de estado estable. FIGURA 3.38 Grificas producidas por PSpice ‘para el ejemplo 3.15 ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 3.7 + El circuito de fijaci6n de diodo seguido por un detector de voltajes pico puede usarse para ‘multiplicar el voltae de entrada pico Vq por un factor de dos, tes 0 més, + Cada detector de picos agrega 2Vq 3.8 Generadores de funcién Los diodos se pueden emplear para generar y sintetizar funciones de punto de excitacién, las que se conocen como relaciones v-i de circuitos de dos puertos. En la figura 3.39{1) se ‘muestran algunos circuitos con diodo para generar funciones. En la deduccién de las fun- ciones de transferencia es importante tener en cuenta que un diodo conduce s6lo cuando esté bajo condiciones de polarizacién directa, y estd apagado bajo condiciones de polariza- cién inversa. Los pasos siguientes son de utilidad en el andlisis de las caracterfsticas de los, generadores de funcién con diodos. Paso 1. Para determinar si el diodo esté bajo condiciones de polarizacién directa o inver- sa, sup6ngase que el diodo est polarizado a la inversa, y determinese el voltaje dnodo a cf- todo Vax del diodo abierto, Paso 2. Si Vax €5 positivo, la suposicién de que el diodo esté bajo condiciones de polari- zacién inversa ¢s correcta; proseguir con el andlisis. Paso 3. Si Vax €s negativo, la suposiciGn de que el diodo esté polarizado a la inversa es in- correcta. Remplace el diodo con un cortocircuito y analice nuevamente. 18 CAPITULO 3» APLICACIONES DE LOS DIODOs FIGURA 3.39. Circuitos con diodos para generacién de funcién Te ® >, io : o> 0 Hy veo 4 a pendone = > rs ; © @ vo Ve ae © ® EJEMPLO 3.16 SOLUCION SECCION3.8 (GENERADORES DE FUNCION 125, Determinacién de Ia funcién de transferencia de un cireuito con diodo En la figura 3.40(a) se ilustra un circuito con diodo, Los pardmetros del circuito son Ry = 50, Ry = 1.25 kM, Ry= 1 kM, v= 5Vy v= BV, (a) Trazar la grifica de la relacién v-i del circuit. (b) Con PSpice/SPICE, trazar la grifica de la caracteristica de transferencia con vs = 0 a 10 V. Urtiice los pardmetros del diodo DINSI48: 1562.6826 CuDe40 2.9993 vedo Tavet000 17=11.56N FIGURA.3.40 Circuito con diodes para generacién de funciéa i, em mA) IP ie yy ny » Sm sun rosin Z us sv ( Circuito » (a) Sing < = 5. lo diods D y Dy plaza aa inves. La covient een i 65 geibett SRS S15-< vg<8¥,el dod Dy condce yl dod Dest blo condiciones de olarizacién ner sa La comics db coed ig et mA 338 RR % +h) Bos om Si rg> 8, ls diode Dy y Dy concen, La conieme deena secu ela siguiente woe RR La relacién v-i se muestra en la figura 3.40(b}.. (b) Bl generador de funcién para simulaci6n con PSpice se ilustra en la figura 3.41. EI listado del ar- cchivo del circuito es cl siguiente: jenplo 3.18 Generador de funcién con diodes ws 1 0 0 10 2 Woltaje de cd de 10 v wo 2 ) Mide La corriente de enteada moe oo 6 0 0c Wy fl 20 5 fo 3 ¢ 125K Bos 6K pL o2 3 LNA + Modelo del diodo o1Ne148 or 2 5 ointide WODEL DINELEE O(ESH2. 6820 CJOMGP He. 3533 YI.S BUAIOO + 8¥ei000 TT=11.Sin) ; Parinetros deb nodelo de APLICACIONES DE LOS DIODOS Repita el problema 3.20 con la carga de la figura P3.21, C = 100 uF y R= 19. FIGURA P3.21 Toca) Re Repita el problema 3.20 con la carga de ta figura P3.22, L = S mH y Ry, = 1.5 kf. FIGURA P3.22 3.4 Recortadores El circuito recortador de la figura 3.23(a) es alimentado por el voltaje de entrada representado en la figura 3.23(0) El voltaje de a bateria es Ey = 20 V. La corviente pico del di0d0 fog S€ limita a '50 mA. Determine, (a) el valor dela resistencia R,(b) la coriente promedio del di0d0 Foyrny ¥ 18 cortionte rms del diodo Iyymuy ¥ (6) 12 isipacion de potencia Py de la resistencia R. El circuito recortador mostrado en la figura 3.21(a) es alimentado por un volaje de entrada senoidal vy = 20 sen (2000). El votaje de la baterfa es B, = 5 V. La corriente pico de diodo Moy) 8€ Nt de limitar a 10 mA. (@) Determine el valor de la resistencia &, la corcente promedio del iodo Ioypgay la corriente rms {de di0do Ipjny ¥ la disipaci6n de potencia Pa de la resistencia R. (b) Con PSpice/SPICE, trace la grfica de la coriente de diodo. Use los parémetros del modelo preestablevi. 3.5 Circuitos de fijacion EL voltae de entrada vs al circuit de fijacién de Ia figura 3.27(a) es un voliaje senoidal vs = 30 sen (200077). La eorriente pico del diodo Fp S€ tiene que limitar a 0.5 A. Suponga que £) = 5V y ‘que se conecta una resistencia limitadora R, en serie con C. (a) Disefc el circuito de fijacién determinando el voltae pico inverso PIV del diodo y los valores de RRC (b) Use PSpice/SPICE para trazar la grifica del volte de salida vo, Use fos parimetros del mode- to preestablecido. BI voltaje de entrada vg al circuito de fjaciOn de Is figura 3.27(a) es vs = 20 sen (200071) La co rriente pico de diodo Apypics $e tiene que limitar a 0.5 A. Suponga que E, = 5 V y que se conecta una resistencia R, en serie con C para limitar la corriente de diodo, (a) Diseie el circuito de fijaciin determinando el voltaje pico inverso PIV del diodo y los valores de RyRy C. (b) Use PSpice/SPICE para trazar la gréfica del voltaje de salida Vo. Use los parémetros del mode~ lo preestablecido, 3.6 Detectores de picos y demoduladores La frecuencia portadora f, de una sefial de radio es de 250 kHz, y la frecuencia moduladora fy de 10 kHz. La resistencia de earga R del detector es de 10 KO. (2) Diseie un demodulador para la forma de onda de la figura 3.31(a), determinando el valor de 18 capacitancia C. 328 3.29 3.30 331 332 CaptTuLO 3» — PROBLEMAS 131 (b) Use PSpice/SPICE para trazar la gréfica del voltaje de salida vo con un indice de modulacién M = 05; un voltaje modulador pico Vj = 20 V. Use los pardmetras de! modelo preestablecido, Repita el problema 3,27(b), con ua indice de modutacién M = | 3.7 Multiplicadores de voltaje {Use PSpice/SPICE para raza la grifica del voltae de salida vo del dupicador de voltae de ta figu- a 334(€) Suponga ¥, = 10 sen 120my C, = C= C, = Cy = 0.1 uF. Use los parimetros del mo- delo preestablecido. {Use PSpice/SPICE para trazar la grifica del voltae de salida voy (= cq) del cuatriplicador de votta- je dela figure 3.36(a). Suponga v5 = 10 sen 120ar y Cy = C, = Cy = Cy = 0.01 WF. Las resist {ias que se conectan a través de los diodos D,, Dp y Dy son Ry = Ry = Ry = SMO (no se muestran. Use los parimetros del modelo prestablecido ‘3.8 Generadores de funciones Los parimetros de! circuito dela figura 3.40(a) son: Ry = TOKO, R, = SKA, Ry~ 250, Vj = 4V y¥, = 10V. (a) Trace ta grfica de la relacin vi del circuito (b) Use PSpice/SPICE para trazar la grfica dela caracteristica de transferencia con vg = Oa 12V. Use fos pardmetros del modelo preestablecido. En la figura P3.32 se muestra un cireuito con diodo. Los parémetros del circuito son R = 1 kM y E=4v. (a) Deduzca una expresion para la caracteristica i del circuit. Trace la grfca de Ia caracteristica (b) Use PSpice/SPICE para verificar los resultados, razando la gréfica de la caracteristica vi, con vg = ~5:V.a 10 V. Use los parimetros del modelo preestableci FIGURA P3.32 wie. ole ‘Bn la figura P3.33 se muestra una carateristica i que representa una ley cuadritica (a) Diseie un cireuito con diodo para generar esia caracterstica. (by Use PSpice/SPICE para verificar el disefo, trazando la gréfica de la caracteristica vi, Use los pardmetros de! modelo preestablecido. FIGURA P3.33 i(enmad Introduccién a los amplificadores Contenido del capttulo 41 Introduccién 48 Respuesta en frecuencia 42 — Caracteristicas de un amplificador de los amplificadores 43 Tipos de amplificadores 49 — Teorema de Miller 44 Modelos de PSpice/SPICE 4.10 Disefio de un amplificador para amplificadores 45 Relaciones de ganancia 46 Amplificadores en cascada [RESUMEN > PREGUNTAS DE REPASO 47 Introduccién a los amplificadores > PRoBLeMas con transistores, 41 Las sefiales de salida de los transductores son débiles [dentro del rango de los microvolts Introduccion (UY) 0 los milivolts (mV)] y poseen una cantidad de energia muy pequetia, Por lo general, estas sefiales son de magnitud muy pequefia como para ser procesadas de manera confiable para realizar cualquier funcién stl, El procesamiento de las sefales es mucho més facil si {a magnitud de Ia sefal es grande (en el rango de los volts), En casi todos los sistemas elec ‘rGnicos se utilizan amplificadores para incrementar la intensidad de una sefial débil. El am- plificador esté compuesto por uno 0 més dispositivos amplificadores y su complejidad depende del nimero de dispositives de amplificaciGn. Para analizar un circuito complejo integrado por varios amplificadores, con frecuencia se requiere un modeto que represente el comportamiento terminal de cada amplificador. Los objetivos de aprendizaje de este capitulo son los siguientes + Familiarizarse con las caracteristicas, los tipos, los modelos de circuito y las aplica- cciones de los amplificadores «+ Aprender a definir las caracterfsticas de disefio de un amplificador para que cumpla ‘con los requerimientos de entrada y salida de una aplicacién en particular + Familiarizarse con los dispositivos de amplificacién tales como transistores y sus aplicaciones en amplificadores + Familiarizarse con el teorema de Miller y sus aplicaciones para el andlisis de ampli- ficadores retroalimentados 133 134 CAPITULO 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES 4.2 Caracteristicas de un amplificador Ganancia en voltaje FIGURA 4.1 ‘Simboto de un amplificador Ganancia FIGURA 4.2 Amplificador de voltaje El amplificador puede ser considerado como una red de dos puertos, uno de entrada y uno de salida. Se representa por medio del simbolo del circuito mostrado en la figura 4.1, el cual indica la direccién del flujo de ta seal, del lado de la entrada al lado de la salida, Por lo ‘comin, una de las terminales de entrada se conecta a una de las terminals para formar una tierra comiin, El voltaje (0 corviente) de salida estérelacionado con el voltaje (0 corriente) de entrada mediante un pardmetro de ganancia. Si la sefiat de salida es directamente pro- porcional a la sefial de entrada, de tal modo que fa salida sea una replica exacta de la sefial de entrada, se dice que el amplificador es un amplificador lineal, Si cambia la onda de sa- lida, se considera que se produce una distorsién, lo cual es indescable. Se dice entonces que el amplificador es un amplificador no lineal. Las caracteristicas de los amplificadores se de- finen mediante varios parémetros, los cuales se describen en las secciones siguientes. Si el voltaje de entrada a un amplificador lineal es vj, entonces e! amplificador produce un voltaje de salida vo, el cual es una téplica amplificada de v, En la figura 4.2(a) se ilustra esta situacién para un amplificador con una resistencia de carga R,, La ganancia en volta Je A, del amplificador se define como voltaje de salida vo ‘Voltaje de entrada vy Ganancia en voltaje Ay = 4p La caracteristica de transferencia, mostrada en la figura 4.2(b), es ina linea recta con pen- diente Ay. Por lo tanto, si se aplica una sefial de entrada de ed, v; = Vj, el voltaje de salida €5 v9 = Vo = Ay¥ y el amplificador opera en el punto Q. La ganancia en voltaje de cd se vuelve entonces Ay = Vo/V;. Sin embargo, si se superpone una sefial senoidal pequetia ¥, = Va sen at sobre ¥;, como se muestra en la figura 4.2(c), el voltaje de salida llega a ser ” v Sa, (2) Ampliteador de voltae (b) Caraceristica de transfereacia () Setal pequeta superpuesta (c) Voltaje de said de seal pequeta sobre la seal de od Ganancia en corriente Ganancia F logaritmica SECCION 4.2» — CARACTERISTICAS DE UN AMPLIFICADOR 135 vo = Vo + vy La ganancia en voltaje de ca de sefal pequefia es A, = Avo/Av, = viv. Por tanto, un voltaje de entrada de scfial pequefia v, produce un voltaje de salida de serial pe- quefia correspondiente v, = A,Vjy sen wt, tal que vo = Vo + AyY, = Vo + AWsy SEM wt Esto se ilustra en la figura 4.2(d). Por consiguiente, se tienen dos ganancias en voltaje: una de ed y una de sefial pequefa, Para un amplificador lineal, las dos ganancias son iguales, es decir, Ay = Ay y la ganancia de sefial pequefia se conoce simplemente como ganancia en voltaje. Si ies la corriente que el amplificador extrae de la fuente de sefial, ¢ ig es la corriente que cl amplificador entrega a la carga R,, entonces la ganancia en corriente A, del amplifica- dor se define como corriente de carga io, ‘Corriente de entr Ganancia en corriente Ay (42) i La caracteristica de transferencia es similar a la que se muestra en la figura 4.2(b). Para un amplificador lineal, la ganancia de ed es igual a la gamancia de sefial pequeia: A, = Aig/Aiy = i/i. Es decir, A; = A, por lo que la ganancia de sefal pequefia se conoce co- mo ganancia en corriente. Un amplificador proporciona a la carga una mayor potencia que la que recibe de la fuente de sefial. Por Io tanto, el amplificador tiene una ganancia en potencia Ay, definida por potencia de carga Py Gananciaen potencia A, = Farencia de enad Fy (43) = “oe (aa) Después de la sustituciGn de A, i, la ecuacién (4.4) se escribe como Ap = AVAL (48) Por consiguiemte, la ganancia en potencia es el producto de la ganancia en voltaje por la ga- nancia en corriente Las ganancias de los amplificadores pueden expresarse como cantidades dimensionales © con unidades (V/V para una ganancia en voltaje, A/A para una ganancia en cortiente ‘0 W/W para una ganancia en potencia). Por lo general, sus valores son muy grandes y abar can varios Grdenes de magnitud. No es conveniente trazar la gréfica de esos nimeros tan grandes en funci6n de otros parémetros. Es comin que las ganancias se expresen en térmi- ‘nos de logaritmos, de la siguiente manera: “YA VR, p Ganancia en potencia en dB = 10 log 4, = 10 w8y0(F) = 10 log 9 ¥ & 20109 9(“2) + 10 tono(@) Yi Le donde R, es la resistencia de entrada del amplificador. El término 20 logye(¥%/¥) se conoce ‘como ganancia en voltaje en 4B del amplificador. Esto es, Ganancia en voltaje en decibeles = 20 tog |A,| con R, = Ry, La ganancia en potencia también puede expresarse en funcién de las corrientes de entrada y de salida: Pu) BRL Canaria en poi en d= 10154, «1016 (24) = Whoo 4 R =20 toto 2) + 10108, (#) Resistencias de entrada y de salida Saturacién del amplificador CAPITULO 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES El término 20 logyo (g/i)} se conoce como ganancia en corriente del amplificador en dB. Esto es, Ganancia en corriente en decibeles = 20 tog |, SiR, = Ry, la ganai teen 4B. Es decir, en potencia en dB es igual a las ganancias en voltaje y en corrien- Ganancia en potencia en dB = Ganancia en voltaje en dB = Ganancia en corriente en dB Algunos amplificadores, como los operacionales, tienen una ganancia en voltaje muy alta la cual se da en dB. Por ejemplo, en lugar de escribir A, = 10° V/V, se acostumbra escribir 100 dB, lo cual es igual a 20 log 10°. NOTAS: 1. Si hay una diferencia de fase de 180° entre los voltajes (0 corrientes) de entrada y salida, enton- ces la ganancia en volte A, (0 en corriente A,) es negativa. Por tanto, se debe usar el valor abso. tuto de A, (0 de A,) para calcula la gananca en dB. Sin embargo, la ganancia en potencia Ay siem- pre es positiva. 2. Sil valor absoluto de la ganancia en volte (0 en corriente) ¢s menor que uno, se dice entonces ue la salida esté atenuada, en lugar de amplificada, y la ganancia en dB es negativa La resistencia de entrada R, es una medida de ta corriente extraida por et amplificador. Es a raz6n del voltaje de entrada entre la corriente de entrada: 46) La resistencia de salida R, es la resistencia intema vista desde las terminales de salida de ‘un amplificador; es decir, la resistencia equivalente de Thévenin. El amplificador necesita una fuente (o fuentes) de alimentacién de cd, de modo que pueda establecerse un punto de operacién, como se muestra en la figura 4.2(b), que permita una variacién de la sefial de salida como respuesta a un pequefio cambio de la sefial de entrada, La fuente (o fuentes) de ed suministra la potencia entregada a la carga, asi como cualquier otra potencia disipada como calor dentro del amplificador mismo. En la figura 4.3(a) se ilustra un amplificador con dos fuentes de potencia, Voc y Veg. ioc € Jeg son las corrientes cextrafdas de las fuentes de od Voc y Veg, respectivamente. La terminal A se conecta al Ia- do positivo de una fuente de ed, Vcc; la B, al lado negativo de la fuente de cd, Veg. El vol- taje de salida del amplificador no puede exceder el limite de saturacién positive Vogmgsy ¥ ‘no puede ser menor que el limite de saturacién negativo Voynaay FIGURA 4.3 Fuentes de alimentacién de un amplificador y saturacién (8) Amplitcador con fuentes de cd () Brecto de ta satueacién SECCION 4.2 > — CARACTERISTICAS DE UN AMPLIFICADOR 137 Por lo general, cada uno de los dos limites de saturacién queda dentro de 1 0 2.V del correspondiente suministro de potencia. Este hecho es el resultado de los circuitos internos de los amplificadores y del comportamiento no lineal de los dispositivos de amplificacién. Por consiguiente, para evitar la distorsién del voltae de salida tal como se ilustra en la fi ura 4.3(b), el voltaje de entrada debe mantenerse dentro de! intervalo definide por Yomi « yy “ows an Siempre que el amplificador funcione dentro de los limites de saturacién, la ganancia en vollaje es lineal. La potencia entregada por las fuentes de ed es Pea = Veclec + Vestee (48) y la potencia P, entregada por la sefial de entrada es pequefia comparada con Ps. Por lo tanto, la eficiencia 7 de un amplificador se define como cienia del amplifeador y = ————Poenein de cares F_—___ (49) potencia entregada por las fuentes de cd Puy Laeficiencia de un amplificador oscila entre 25 y 80%, segin e! tipo de amplificador. En tl caso de amplificadores con una sefial de entrada muy baja (milivolts © microvolts), la Consideracién primordial es la ganancia en voltae, y no la efciencia. Por otra parte, para mplificadores de potencia, a eficiencia es la principal consideraién, porgue el amplifica- dor ha de proporcionar la potencia mixima a la carga (como tos altavoces de un amplifi- cador de sonido). EJEMPLO 4.1 SOLUCION Céteulo de tos parimetros de un amplificador Los valores de sefal pequeia del amplificador Tineal de la figura 4 3(a) son: v, = 20-sen 400 (mV), i, = 1 sen 400r (HA), vp = 7.5 sen 400¢ (V) y Ru = 05 KM Los valores de od son: Voc = Vee ~ 12V € lec = lee = 10 mA. Determine, enton ‘es, a) los valores de los parémetros del amplificador Ay. Ai, Ap Y R;;(D) Ia potencia entregada por las fuentes de ed Pay In ficiencia de potencia my (¢) el valor maximo del voltae de entrada, de ‘modo que el amplificadar funcione dentro de os limites de saturaci6n. Vie * 20 MV, Vag) = 7S V © iagicsy = 1 HA (a)La corriente de carga es ig = vol = 7.5 sen 4001/0.5 kM = 15 X 107 sen 400 15 sen 4001 (mA) La ganancia en voltae ¢5 Ay = Yost) oi) La ganancia en corrente es Ai biped La ganancia en potencia es A, = 375 = 15k = S625 KW/W (0 10 log 5625 k = 67.5 4B) La resistencia de entrada es R, = Vipin Hie = 20 mV /1 WA = 20 KO (b)La potencia suministrada por las fuentes de ca es Rea Vocloc + Veelen = 2% 12 % 10 mA= 240 mW = 75. V/20mV = 375 V/V (0 20 log 375 = 51.48 €B) line = 1S MA/1WA= ISKA/A (0 200g 15 k = 83.52.48) 1a potencia de carga es PL = (agian! V Miagpenl' VD) = 1S V/V IMIS ma/V3) = 56.25 mW 138 No linealidad de los amplificadores CAPITULO 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES La potencia de entrada es P, = (ypeolV Dlg! VO = (20 mV/V300 A) V3) = 100 La eficiencia de potencia es 1 = Py [Peg = 56.25 mW/240 mW = 23.4% (On vista de que Ayman = Yoonsy = Yoo = Yer © Yyniy = 12.V/375 = 32 mV €l limite del voltaje de entrada maximo es 0 vyqgx; = 32 mV, ye! limite del voltaje de entrada mf- AMO €S Yimin) = ~Yymis) = ~32 MV. Los amplificadores reales exhiben una earacteristica no lineal, provoceda por dispositivos ‘no lineales como los transistores (analizados en la seccién 4.7 y en el capitulo 5), Para el amplificador de la figura 4.4(a) con una fuente de od, tl caracteristica no lineal se muestra cn [a figura 4.4(b). Afortunadamente, existe una regién intermedia en el voltaje de salida donde la. ganancia permanece casi constante. Si puede hacerse que el amplificador funcio- ne en esta regién, entonces una pequefia variacién del voltaje de entrada provocard una variacién casi lineal del voltaje de salida, y la ganancia permaneceré aproximadamente constante. Este objetivo se logea polarizando el amplificador para que funcione en un pun- to de equilibrio, generalmente denominado punto Q, el cual tiene un voltaje de entrada de ced V, y un voltaje de salida de ed correspondiente Vo, Si se superpone un pequefio voltaje de entrada v(t) = Vy Sen at sobre el voltaje de entrada de cd ¥, como se muestra en la fi gura 4.4(b), el voltaje de entrada total es ¥4(0) = Vp + uf) = Vy + Vey sen a To que hace que el punto de operacién suba o baje a lo largo de la caracteristica de transfe- rencia en toro al punto Q. Este movimiento provoca un voltaje de salida correspondiente variable con el tiempo vol) = Vo + volt) {tes suficientemente pequefio, entonces v,(0) ¢sdirectamente proporcional a (1), asf que ¥(8) = Ayy() = AV, Sen cot donde A, es la pendiente de la caracteristica de transferencia en el punto Q; es decir, ave ‘ayy Por consiguiemte, ya que la sefial de entrada se mantiene suficientemente pequefia, el am- plificador exhibe una caracterfstica casi lineal. Sin embargo, cs de esperarse que el aumento dde la magnitud de la sefal de entrada provoque una distorsién del voltaje de salida, e inclu so una saturaciGn. A, se conoce como ganancia en voltaje de sefial pequefa (0 simplemen- te ganancia en voltaje) del amplificador; no debe confundirse con la ganancia de cd, la cual esté definida por sxe pone 2 (4.10) Ag = Ay = 72| cnet pumoo ay “ Por tanto, puede concluirse que el andlisis y l diseiio de un amplificador no lineal involu- cra dos sefiales: una sefial de ed y una de ca. No obstante, las caracteristicas de un amplifi cador se describen mediante su comportamiento en respuesta a una sefial de entrada de ca pequefia. NOTA: En los amplificadores reales, el punto Q se establece intemnamente, y los amplificadores funciona con una sefal pequefia de entrada, La sefal de entrada v, se superpone al punto Q (el cual se compone de Vo y ¥) para producir un voliaje de salida de seal pequefav, SECCION 4.2» — CARACTERISTICAS DE UN AMPLIFICADOR 139 FIGURA 4.4 “0 No lineatidad de un v. pecans amplificador fas a (2) Amplieador no lineal (b) Caracteristicas no lineates EJEMPLO 4.2 Jp Célculo de los parametros limitantes de un amplificador no lineal Los valores medidos de! am plificador de Ia figura 44(a) son: vo = 43 V con y= 18 mY, vo = 5V con y= 20:mV y ¥o = S.8V. con = 22 mV. El voltaje de alimentacién de cd es Voc = 9 Vyy los limites de saturacién son 2V = vo =8V. (a) Determinar la ganancia en voltae de sefal pequefia A, {b) Obtener Ia ganancia en voltae de ed Avy (© Determinar los limites del voltae de entrada SOLUCION Sea el punto Q vo = 5 V con vy = 20 mV. En tal caso Avo = vo{con ¥ Ay, = vi(eon 12 mV) — vo(con = 18 mV) = 5.8 — 4. 5.8 V) ~ v(eon vo = 43V) = 22. mV ~ 18 my 1sV mv (9) La ganancia en voltae de sefial pequefia es A, = Avo/Ayj=15V/4 mV = 375 V/V (051.48 6B) (&) La ganancia en voltaje de od es Aca =5V/20mV =250V/V (04796dB) (©) Los limites del voltae de entrada v, son = (0 ~ Voumey/Ay S % ~ 20 mv = (Younis) ~ Yo/Ay Esto es, (2—5)/Ay = 4-20 mV = (8-5)/Ay, 0-8 mV 5 ¥,~ 20 mV = 8 mY. lo cual da 182mV = ys 28 mV. ‘ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 4.2 + El desempeno de un amplificador esté descrito por su ganancia en voltae, ganancia en co- rriente, ganancia en potencia, csistencia de entrada y resistencia de salida + Las ganancias de un amplificador tienen magnitudes muy grandes, expresadas en decibeles (4B). «+ La gamancia en potencia es muy grande porque la potencia de la sefial es muy baja. La fuer- tc (o fuentes) de potencia de od proporciona potencia ala carga. + Se requiere una fuente (o fuentes) de potencia de od para establecer un punto Q. Después se superpone la fuente de sefial pequefa a Ta entrada de cd, de modo que cl punto de operacisn ‘puede subir o bajar alrededor del punto Q, obteniéndose en la salida una réplica amplifiea- dda de la fuente de sefal, Siempre y cuando la fuente de se7al sea suficientemente pequen, cel amplificador no lineal exhibe una caracteristica casi fineal. «+ La fuente (0 fuentes) de potencia de ed establece el Ifmite o limites de saturaci6n de un am plificador. Existen dos tipos de ganancia: una ganancia de ed y una ganancia de ca de sefal pequeta La ganancia de sefial pequefia por lo comain se conoce como la ganancia del amplificadot CAPITULO 4 > INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES 43 Tipos 1s de amplificadores Amplificadores de voltaje j La sefial de entrada a un amplificador puede ser una fuente de voltaje o una fuente de corrien- te. La salida de un amplificador puede ser una fuente de voltaje o una fuente de corriente. Por tanto, existen cuatro posibles combinaciones de entrada y salida: ¥-v, i-i, vie é-v. Con ‘base em Las relaciones de entrada y salida, los amplificadores se clasifican en: amplificado- res de voltaje, amplificadores de corriente, amplificadores de tansconductancia y amplifi- cadores de transimpedancia, Un amplificador cuyo voltaje es proporcional a su voltaje de entrada se conace como am- plificador de voltaje. La sefal de entrada es una fuente de voltaje; la salida del amplifica- dor también es una fuente de voltaje, Este amplificador se conoce como fuente de voltaje ‘controlada por voltaje (FVCV): en la figura 4.5(a) se muestra un ejemplo. El amplificador esté conectado entre una fuente de voltae v, y una resistencia de carga R,. Ry es la resis- fencia de la fuente. A,, es la ganancia en voltaje con la resistencia de carga Ry desco- nectada, y se conoce como ganancia en voltaje a circuito abierto, R, es la resistencia de salida dei amplificador, Ademés de amplificar una sefial de voltae, el amplificador de vol- taje puede tener otros usos, como simular una resistencia negativa (ejemplo 4.4) o multipli- car la capacitancia (ejemplo 4.5). FIGURA 4.5 Ainplificador de voltaje + ne : F Tampiscnor| _sepun _| etapa ce 7 ve [ies — aa suas fe Fuente (@) Circuito equivalente de seal pequeiia de un ampliicador de voltae ‘Amplicador carga () Postbtereslisacién El voltae de salida de un amplificador de voltae se obtiene por medio de la regla del divisor de voltaj: R MME SE RL+R, % = FRE (42) De acuerdo con esta regla, el voltaje de entrada al amplificador v, esté relacionado con el voltaje de la seftal y, por R; Re," Sustituyendo v, de la ecuacién (4,13) en la (4.12), se obtiene la ganancia en voltaje efecti- va A,, la cual se define como la relacién de v, respecto de v,, esto (4.13) AyoR RL in Avo (4.14) RFRR, FR) CT RIRMI ARR) 7 La ganancia en corriente A, la cual se define como la relacién de la corriente de salida iy respecto de la corriente de entrada i, (= j,), esté dada por Avot Avo eesteellat eels eval 415) Lt Ry y/R ORL +R, La ganancia en potencia es el producto de la ganancia en voltaje por la ganancia en cortien- te. Es decir, Ay = AVAL (410) SECCION 4.3» TIPOS DE AMPLIFICADORES 11 Obsérvese que, de acuerdo con la ecuacién (4.14), la resistencia de la fuente R, ¥ 1 re- sistencia de salida R, reducen la ganancia en voltaje efectiva A,. Un amplificador de volta- je debe disefiarse para que tenga una resistencia de entrada R, mucho mayor que la resis- tencia de la fuente R,, de modo que R, << R,, La reduccién de la ganancia también puede inimizarse si se disefia un amplificador con un valor muy pequeto de R,, de tal modo que R, << Ry, Un amplificador de voltae ideal tiene R, = Oy R, = ©, de modo que no hay re- duceién de la ganancia en voltaje. Es decir, A, = Avg ¥ la ecuacién (4.14) se transforma en Ahi (47) En la mayor parte de las realizaciones de amplificadores de voltaje en circuitos inte igrados es deseable una entrada diferencial. desde el punto de vista del desempefio. La rea- Tizacién de una FVCV por lo comiin comienza con una entrada diferencial para producir tuna alta resistencia de entrada seguida por una etapa de salida para producir una baja resi. tencia de salida. En ta figura 4.5(b) se ilustra este circuito. Si el amplificador diferencial tiene suficiente ganancia, entonces s6lo se requiete la etapa de salida para producir una baja resistencia de salida, Si se requiere mas ganancia, entonces se necesitard una segunda eta~ pa. Las especificaciones de la FVCV y el criterio del disefiador de! cireuito son los facto- tes principales en la seleccién de ta realizacién. EJEMPLO 4.3 SOLUCION Catculo de las especificaciones de diseiio de un amplificador de voltaje Se requiere un amplifi- ‘cador de voltaje para amplifcar la sefal de salida proveniente de un receptor de comunicacién que produce una sedal de vollaje v, = 20 mV con una resistencia interna R, ~ LS kM. La resistencia de targa es Ry = 15 KO. El voltaje de salida deseado es v, = 10 V. El amplificador no debe consumie is de 1 4A del receptor. La variacién del voltaje de salida cuando es desconectada Ia carga debe Ser ‘menor que 0.5%. Determine, entonces, las especificaciones de disefio del amplificator de voltae. Como la corriente de entrada es i, <1 jA, la resistencia de entrada del amplificador puede calcu larse de k, fig = 20 mV/1 BA = 20K la cual da R, 220K ~ R= 20KO = SKA = 18540 La variacin de! voltaje de salids, que depende de la relacién Rq/Ry, puede obtenerse de ay, Rk (4.18) Ja cual, con Ave/vy = 0.5% y R, = 15 kM, da R, = 75 O. La ganancia en voltae efectiva deseada es A, = vefv, = 10/20 mV = 500 V/V (0 53.98 dB). La ganancia en voltae a circuito abierto se cealeula con la ecuaci6n (4.14) Ao = tw i $00 = TERRI RR)” UF SKS WU F871 ° Aye = SHB V/V (0 547 6B) Las especificaciones del amplificador son: R, = 18.5 KO, R, = 75 Wy Avy = 543 V/V (0 54.7 4B). EJEMPLO 4.4 D Creacién de una resistencia negativa con un amplificador de voltaje Se eonecia una resistencia entre las trminales de entrada y slida de un amplificador de voltae, como se iustra en lx Bure 44.6 La seal de vollaje de entrada es v, = 20 maV con una resistencia interna R, = 15 KO. (a) Deducir una expresién para la resistencia de entrada R, = ¥i/ie (b) Calcular R, ¢ i, con R, = SOKM, Ry = 75.9, Ayy = 2y R= 10 KO. (© Disefar un cireuto ampificador que simule una resistencia negativa, de modo que la coriente Geentada extrada de la fuente sea [i,] = 25 mA 142 SOLUCION CAPITULO 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES Pucsto que la resistencia R esta conectada entre las terminales de entrada y sada del amplificador de voltaje, esto permite que se retroalimente una coriente de la terminal de salida ala terminal de en trada. Esto es, i = i, ~ig La resistencia R se llama resistencia de retroalimentacidn. (Los amplifica- dores tetroalimentados se analizan en el capitulo 10.) (a) Aplicando LKC (ley de Kirehhotf de la corriente) en el nodo A de la figura 4.6, se obtiene 4 Ae RER, Rt {a cual da la resistencia de entrada R, como 1 TPR FO ARF RY (b) Con R; = 50 KO, Ry = 75.0, Ayy = 2y R= 10 KO, la ecuacin (4.19) da como resultado t 1/50) + (1 = 2)/C10K + 75) Por tanto, la coriente de entrada esi, = »,/(R, + R,} (©) Con i, = ~2.5 wA, se requiere R, +B, = Wi Ry “8k — R= -8k-15k (4.19) R= 12.62 40, 20 mV/(1S k 12.62 k) = ~1.8 pA 20 mV/=25 uA = ~8 kA. Bstoes, 9.5 KO FIGURA 46 Amplificador de voliie FIGUEA 4.7 _Amplificador de volaje con resistencia de retroalimentacién R ‘deal del ejemplo 4.4 a wn Nodo A e eee Supéngase que se tiene un amplificador de voltae ideal; esto es, Ry = «©, Ry = 0. La figura 4.6 se reduce a la figura 4.7. La ecuacién (4.19) se vuelve (4.20) Si el amplificador tiene una ganancia en voltaje positiva Ay, = 2, la resisencia de entrada R, es el negativo de R. Esto es, la ecuacién (4.20) da come resultado RR 21) para R, = -9.5 KO, se necesita R = 9.5 KO. NOTA: | Una resistencia negativa significa que la corriente que pasa por la resistencia se reduce ‘cuando el voltaje aumenta. Esto es, la pendiente de la caractefstica de transferencia entre vei es ne Bativa. Para un voltae aplicado dado, la corriente fluye en la ditecctén opuesta a la de una resisten cia positiva. En lugar de absorber potencia de una fuente de entrada, la resistencia negativa propor= ciona potencia ata fuente. En el andlisis de un circuito con resistencia negativa se aplican las leyes usuales de los circuitos, excepto que R es templazada por -R. La resistencia negativa se utiliza €0 aplicaciones como osciladores y filtros actives. SECCION 4.3 > —TIPOS DE AMPLIFICADORES 143, SOLUCION (Cultiplicacién de capacitancia Se conecta un capacitor C entre las terminales de entrada y salida de un amplificador de voltgje, como se muestra en la figura 4.8(a). Et voltaje de entrada pico es Vgpica) = 20 mV con una resistencia inverna R, = 1.5 kf, y la frecuencia de fa seal es f, = 100 Hz. (a) Deducie una expresiGn para la impedancia de entrada Z, = Vi/ty (b) Si se utiliza un amplificador ideal, como el de la figura 4.8(b), calcular Z, € , con C = 0.01 pF Y Avg = —100, Esto es, Ry = y Ry = 0. FIGURA 48 _Amplifcador de vllaje con capacitor de retalimentacin C 4. ¢ hc hk [Rasa A] poh na R eae | % y % Ant a Aad S pe = p= ae eat ae a8 (2) Amputcado de vote (©) Amplicadar de oka ideal ‘Como la respuesta (0 impedancia) del capacitor de retroalimentacin C depende de la frecuencia, to dos los voltajes y todas las corrientes son cantidades fascrales,y tienen tanto magnitud como éngu- lo de fase. Se utilizarén valores rms para todos los voltajes y las corrientes. () Si se aplica LKC en el nodo A, y se expresan ios voltajes y las corrientes en el dominio s de La- place, se tiene vo | R 169) = 10) + KG la cual da la impedancia de entrada Z, como Yo t Aare earn entre (422) ‘zy R= 0, como se ilustra en la figura 4.8(6), la ecuaciGn (4.22) se reduce @ (423) donde la capacitanciaefectva ente las terminales A y Bes C= CUA) am) CObsérvese que en el dominio de la frecuencia s = jo Con Avy = 100 C= 0.01 pF, C= 001 X (1 + 100) = 101 x 0.01 = 1.01 wF ‘Com ta impedancia de la resistencia R, es Ry lade ia capacitancia C, es Ze, (Joo) = ~j[(wC,)la mpedancia de entrada registrada por la sefal de entrada es Uj) = R, + Zog(jo) = 15k ~ j/(2mr X 100 He x 1.01 EY 5k ~ j(1576) = 2.176 2-46." kA. Por tanto, a corriente de entrada absorbida de ta fuente es ia V/2, (20 mV /VB)/(2.176 £-46.4° kD) = 6.5 246.4" HA 148 Amoplificadores Un amplificador cuya corriente de salida es proporcior CaPiruLo 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES > NOTA: Sila gananciaen voltaje A, es negativa (es decir, A,, < 1), entonces C, > C y hay multi- plicacién de capacitancia (que se analiza en el apéndice B). Por tanto, a capacitancia efectiva C, en tre las terminales A y B puede incrementarse por medio de un amplificador de voltae, Esto es, un ‘capacitor con una pequeiia capacitancia conectado entre la terminales de entrada y salida de un am- plificador de voltaje crea una capacitancia efectiva mucho mis grande entre las terminales de entrada Ay B. C, se conoce como capacitancia de Miller. En los capitulos 8 y 9 se veré que la capacitancia de Miller desempefia un papel dominante en el disefo de la respuesta a alta frecuencia de los ampli ficadores y en el disetio de filtros actives. 11a su corriente de entrada, se co- de corriente nnoce como amplificador de corriente, Su entrada es una fuente de corriente, como se mues- tra en Ia figura 4.9(a), con una resistencia de carga Ry. Un amplificador de corriente se tepresenta por medio de una fuente de corriente controlada por corriente (FCCC), como se ‘muestra en la figura 4.9(b). Aj, se denomina ganancia en corriente en cortocircuito (0 sim- plemente ganancia en corriente) con las terminales de salida puestas en cortocircuito. R, es la resistencia de entrada y R, es la resistencia de salida. Es comin utilizar el amplificador de corriente para proporcionar una ganancia en voltaje modesta, pero con una importante ganancia en corriente, de modo que éste absorba poca potencia de la fuente de sefial y centregue una gran cantidad de potencia a la carga, Este tipo de amplificador a menudo se conoce como amplificador de potencia. El amplificador de corriente también puede uti zarse en aplicaciones como ta simulaciGn de una resistencia negativa (ejemplo 4.7) 0 una inductancia (ejemplo 4.8). FIGURA 49 Amplificador de corriente eee EN fe ¥ ——_, fe lif. ali hi iy 1 &S » cea 6 KS ou wS DN" Se Sa /Amptodr| —segunda soeriente + 224 | decomieme | SP* a . Fuente Carga solenoide be ~~ oad (u)Represetsclin de vtnje (0) Ampliiador de corct represented por una FCCC (0) Poheeaact6n La corriente de salida i, del amplificador se obtiene con la regla del divisor de corriente, R 0 Au RRL (4.25) La comriente de entrada i, del amplificador esté relacionada con la cortiente de la fuente de sefal i, por (426) RFR, endo j, de la ecuacién (4.26) en la (4.25), se obtiene la ganancia en corriente efec- . la cual se define como la relacion de i, respecto de i,. Es decir, 4 - __AisRRy Ais (azn i, RF RIR, ERD OF R/RIU+ RR) La ganancia en voltaje A,. la cual se define como la relacién del voltaje de salida v, respec 10 del voltaje de entrada v,, esté dada por ‘AL 4 A (428) aR, R La ganancia en potencia es el producto de la ganancia en voltaje por la ganancia en corrien- te. Estos, WA am SECCION 4.3» — TIPOS DE AMPLIFICADORES us Obsérvese que, de acuerdo con la ecuacién (4.27), los valores grandes de Ia resisten- cia de entrada R, y la resistencia de carga R, reducen la ganancia en corriente efectiva A, La resistencia de entrada Rj de un amplificador de corriente debe ser mucho menor que la resistencia de la fuente R, de modo que R; << R,. La disminucién de la ganancia también puede minimizarse disefiando el amplificador de manera que la relacién R,/R, sea muy pe- ueia; es decir, Ry >> Ry, Pot consiguiente, un amplificador de corriente ideal tiene R = y R, = 0, de modo que en éste no hay reducci6n de la ganancia en corriente. Es decir, Aig ¥ la ecuaci6n (4.27) se convierte en Ais (430) La realizacién de una FCCC puede comenzar con una entrada diferencial, como se ‘muestra en la figura 4.9(c). Se requicre una segunda etapa porque el amplificador diferen- cial de corriemte tiene una baja ganancia en corriente, Es posible que se requiera una etapa de salida para producir una resistencia de salida grande. SOLUCION Cétculo de las especificaciones de diseiio de un ampliicador de corriente Se requiere un ampli- ficador de corriente para amplificar ta seal de salida de un transductor que produce una coriente constante i, = | mA con una resistencia interna variable desde R, = 1.5 kO hasta R, = 10k. La corriente de salida deseada esi, = 0.5 A con una resistencia de carga variable desde B, = 10.0 has- 1 R,, = 120. La variacion dela cortente de salida debe mantenerse dentro de 3%. Determine entonces, las especticaciones de disefo del amplificador de cortiente. ‘Como la variacién de la corriente de entrada debe mantenerse dentro de +3%, la variacién de la ga nancia efectiva A, también debe limitarse a +3%. De acuerdo con la ecuaciéa (4.27), la variacién de A, depende de Ai, R, y Ry, Sup6ngase que cada una de ellas contribuye por igual ala variaciGn; es ‘decir, cada una contribuye con *1%. La ganancia nominal de corriente en cortociccuito es Ay = ig/i, SmA/1A = 500 A/A. Por tanto el valor de R, que mantiene la variacién de la gananecia positiva dentro del 1% con la variacién de R, desde 10.0 hasta 120 0, es aproximadamente 059 Fe Re K+ +120 ls cual da R, = 10.88 KO cuando se despeja R, De manera similar, el valor de R, que marine Ia varicion dela ganancia denso del 1 con la vrgeon de R, desde 15 KEY hasta 10 ks calevla de manera aproximada con Wok 15k orem ~ iSkrR 0.99 la cual da R, = 17.86 0 cuando se despeja R,. Por o tanto, las especificaciones del amplifieador son Aj, = SODA/A + 1%, R= 10.88 kD y R= 17.86 0. El cambio exacto en A, se obtiene dela siguiente manera AA, Mis 1 aR 1 AR 4 i) Ag TF R IRR, 1FR/R, R EJEMPLO 4.7 Creacidn de una resistencia negativa con un amplificador de corriente Se conecta una resisten- cia R a un amplificador de corriente, como se muestra en fa figura 4.10, FIGURA 4.10 a ay Arplificador de + ]t ‘ ccorriente con RS Davi VP resistencia de 2 rewoalimentacién R “ 7 gh 146 SOLUCION CAPtTULO 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES (a) Deducir una expresign para la resistencia de entrada Ry = (b) Disefar un citcuito amplificador que simule una resistencia negativa R, = ~10 kA. LLa resistencia de retroalimentscién R permite que se retroalimente del lado de salida al lado de en- ttada un voltaje proporcional a la corriente de carga ig, de modo que ve = vj ~ vy = %~ RU ~ i) (a) Sila fuente de corriente se convierte en una fuente de voltaje, la figura 4.10 puede ser remplaza dda por la figura 4.11(@). Si se aplica la LKV alrededor det lazo II de la figura 4.1), se obtiene Ailiy = Rolo + Bulg — Rl, ~ 6.) = Ry + Ry, + Rhy — Ri, i fa.cual da Ago +R R+R +R 3p Al aplicar la LKV alrededor del espiral I de ta figura 4.1 (2), se obtiene = Ri + RU, ~ i.) = (B+ RY, Ri, Si se sustituye i, de Ia ecuacién (4.31) en la ecuacién anter cia de entrada Ry 1 se simplifca, se obtione la resisten- AgRy + 8 R+R +R fang ue Meaee TH (R, + BYR, R+R-R R+R-R (432) En el caso de una fuente de corriente, R, es pequeria y R, ¢s grande. Por consiguiente, el valor de Ry es negativo. FIGURA 4.11 Representaciones del amplificador de corriente del ejemplo 4.7 Dai“ 2 a W® 2d» % us Ru f Co) Representcin de vole (0) Amplicador de corsets esl (b) La ecuaciGn de diseto s idéntica ala ecuaci6n (4.21); no obstante, se deduciré de nuevo, Supéo- ‘ase un ampiificador de corriente ideal con R, = Oy R, =. La figura 4.11(a) se reduce ala figura 4.11(b), En tal caso, la ecuscidn (4.32) se reduce a R= RU Ay) 433) Para una ganancia en corriente positiva con Aj,> 1, R, se vuelve negativa,y con Ay, = 2, la ccuacion (4.33) da Rak 434) Con R, = ~10 KO, se requiere R= 10 KO. Por tanto, un amplificador de coriente ideal con Ay, = 2 R = 10.k0 simula una resistencia ne> sativa NOTA: La ccuacién (4.34) es similar a la ecuacién (4.21). En consecuencia, puede simularse und resistencia negativa empleando un amplifcador de corriente 0 un ampliicador de voltaje. Si se 60 nectara una impedancia Z en lugar de una resistencia R, el amplificador seria un simulador de immpe- ddancia negativa (véase el ejemplo 4.8. SECCION 4.3» —TIPOS DE AMPLIFICADORES 147 SOLUCION Creaciéa de un inductor con un amplificador de corriente Supsngase que la resistencia R del amplificador de corriente de la figura 4.11(b) se remplaza por una impedancia Z, compuesta de RC y-R. En Ia figura 4.12 se ilusia este circuito con A,, = 2, convirtiendo la fuente de corriente a fuente ‘de voltae, Vs. FIGURA4.12 _Amplificador de corriente ‘con impedancia de retroalimentacién Z R, by + « z kr ita ed (a) Dedueir una expresin para la impedancia de entrada Z,(s) = Vi(s)/1(S), donde s es el operador de Laplace. Obsérvese que -R puede ser generada por otto amplificador de corriente, como el que se ‘muestra en Ia figura 4.11(b) con A,, = 2. (b) Disenar un ciecuito amplificador que simule una inductancia L, = 10 mH. (©) Con PSpice/SPICE, calcular la impedancia de entrada Z, a frecuencias desde | kf¥z hasta 5 kHz, ‘con un ineremento lineal de | KHz. Usar una fuente dependiente PSpice/SPICE tipo F (véase Ia sec- cin 4.4). (a) Con una ganancia en cortiente de Aj, = 2 y sustituyendo R con la impedancia Z(s), puede apli- cearse la ecuacién (4.34) para determinar laimpedancia de entrada en el dominio de Laplace. yo

INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES FIGURA4A3 _Cutcuito giador del ejemplo 4.8 TABLA4.1 Voli pico en funcién . het de ta Frecuencia anes FRECUENCIA] VM() VPC) 10006403 | 62838-02 9.08+01 20006403 | 1257-01 9.06401 30008403 | 1.885E-01 9.0E+01 4 4000E+03 | 2513E-01 9.0E+01 F.= 2h) 50006+03 | 3.142801 9.0401 ° 501K nso? 1 Fece con Ais? = 2 Ac UM 19 1K 10K 2 andLisis de ce desde 1 tte hasta 10 te anne AC wil) YPC 1 Impelne 12 magnitud det voltaje y 50 0 2 angula oe fase en el sodo 2, en el archivo de salica En la tabla 4.1 se muestan el vollgje pico de eatrada en cf nodo I, VMC!),y su angulo de fase, (1). Con f = 1 KHz, Z, = VM(1)/IS = 62836.-02/10"? = 62.83 0, y el valor dela inductancia es Ly 62,83/(2m x 1000) = 10 mH. Con f = 5H, Z,= VM(I)/IS = 3.1428-01/10"? = 3142.0, yyel valor de Ia inductancia es L, = 318.2/(2r x 5000) = 10 mH > NOTA: El vollaje de entrada en el nodo | es directamente proporcional ala frecuencia, Por con siguiente la impedancia de entrada es inductivay el circuito simula una inductancia Amplificadores Un ampliticador que recibe una senal de voltaje come entrada y que proporciona una seal de transconductancia de corriente como salida se llama amplificador de transconductancia: en la figura 4.14(a) se muestra un ejemplo, Puede representarse por medio de una fuente de corriente controla- da por voltaje (CCV), como se muestra en la figura 4,14(b). El amplificador se conecta entre una fuente de voltaje », y una resistencia de carga Ry. El parémetro de ganancia Guy gue es la relaci6n de la corriente de salida en cortocircuito respecto al voltaje de entrada, se llama transconductancia en cortocircuito. De acuerdo con la regla del divisor de cortien- te, la corriente de salida i, es 19 = Gas pe 437 (438) | amptiicador | _ Segunda —"*, Vifencil | — capa Fucate Amplificador de Carga Fuene Ampliicador Carga anszonductanc solenoide (2) Amplifcador de transconductancia (@) Modelo de transconductancia (©) Posible realizaciéa FIGURA 4.15 Equilibrio de impedancia centre dos circuites SECCION 43 > —TIPOS DE AMPLIFICADORES 149 Sustituyendo v, de la ecuacién (4.38) en la (4.37) se obtiene la ganancia en transconductan- cia efectiva Gq como Gago, G, Gm = RF RMR, FRY ORR MIF RIRD @) en voltaje efectiva A, es igh GagRRLR, Gok, . RF RR, + RY” UF RIRAIFRTR (4.40) ‘Obsérvese que, de acuerdo con la ecuacién (439), a resistencia de la fuente R, y la re- sistencia de la carga R, reducen la ganancia en transconductancia efectiva G.,. Un ampli- ficador de transconductancia debe ofrecer una alta resistencia de entrada R,, de modo que R, >> Ry. ¥ una muy alta resistencia de salida R,, de manera que R, >> RL, Por tanto, un amplificador de transconductancia ideal tiene Ry = % y R, = ®, de modo que en éste no se reduce la ganancia en voltaje. Es deci, Gp, = Gm ¥ ia ecuacidn (4.39) se convierte en iy = Goes (441) La cealizaci6n de una FCCV puede comenzar con una entrada diferencial, como se muestra en la figura 4.14(c). Como la resistencia de salida de un amplificador diferencial es razonablemente alta, una etapa diferencial debe ser adecuada. Sin embargo, si se requie- re més ganancia, puede agregarse una segunda etapa. Puede usarse un amplificador de transconductancia pata eliminar la interaccién entre dos circuitos, como se muestra en la figura 4.15. El amplificador se conecta entre el medi- dor y el detector de picas. El amplificador debe ofrecer una resistencia muy alta al detec- tor; al mismo tiempo. la corriente en el medidor debe ser proporcional al voltaje pico. El capacitor vigila continuamente el valor pico Vj, de la seftal de entrada. Este valor pico es indicado por el medidor, cuya lectura depende de la corriente que fluye por él, Esta técni- ca se utiliza con frecuencia en circuitos electrénicos para aislar dos cireuitos entre si ® Gur, ZR WD % grande) Amplitcador —-Madidor de carga EJEMPLO 4.9 SOLUCION Célculo de las espesificaciones de disefio de un amplificador de transconductancia Se requie- ‘re un amplificador de transconductancia para registrar el voltaje pico del circuito de la figura 4.15. El registrador de salida requiere 10 mA para una lectura de 1 cm, y se tequiere una lectura de 10 em. +£2% para vn voltae de entrada pico de 100 V. La resistencia de entrada del registrador varia desde Ry = 100.0 hasta R, = 500 O. La frecuencia del voltgje de entrada es f, = | kHz, (a) Determinar el valor de la capacitancia C, (b) Obtener las especificaciones de disefio del ampiificador de transconductancia. (a) El capacitor C se carga al voltaje de entrada pico cuando el diodo conduce, y se descarga a través del amplificador cuando el diodo esté apagado, Supdngase que la constante de tiempo de descarge 7 (=CR,) esté relacionada con la frecuencia de entrada por la relacion + = 10/f, Con f, = 1 KHz, CR, = 10/(1 kHz) = 10 ms, Sea C = 0.01 pif, entonces, R, = 10 ms/0.01 wF = 1 MO. 150 Amoplificadores de transimpedancia CAPITULO 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES uesto que la varacin dela sada debe mantenerse dentro de un +24, a variacibn de la rans- ‘conductancia efetiva G, también debe mantenerse en un +2%. De acuerdo con la ecuacién (4:39), Gas ¥ R, contribuyen ala variacién de Gy. Supéngase que cada una de ellas conuribuye en forma cequivalente ala variacién: es decir cada una aporta 1%, Obsérvese que no hay resistencia de fuen- te: R, = 0. La ganancia en transcondactancia nominal es Ging = fh = (10 em/100 VY{LO mA/ em) = 1 mA/V = 1% Deeste modo, el valorde R, que mantiene la variaciGn dela ganancia dentro del 1% con ls variacn de Ry, desde 100 hasta $00.0, se obtiene de la siguiente manera Re K+ 100” R, + 500 R 0.99 In cual da R, = 39.5 KO. cuando se despeja ,. Por lo tanto, las espeificaciones del amplificador son Ge = VMAYV £ 1%, R= EMO Ry = 39.5 KO. La sefial de entrada a un amplificador de transimpedancia es una fuente de corriente, y su salida es una fuente de voltaje. Este puede representarse como una fuente de voltaje con- tolada por corriente (FVCC), como se ilustra en la figura 4.16(a). El parémetro de ganan- ia Zyo €5 la relacién del voltaje de salida del circuito abierto respecto de la corriente de entrada, y se denomina transimpedancia a circuito abierto (o simplemente transimpe dancia), El voltaje de salida v, esté relacionado con é, como se indica a continuaci6n: Zoi atk, (4.42) La cortiente de entrada i, del amplificador estérelacionada con i, de la siguiente manera k Rt! (43) Sustituyendo i, de la ecuacién (4.43) en la (4.42), se obtiene la transimpedancia cfectiva 2, Zao LRe a AR aay +R YR +R) UFR IRKIeRRD | M La gananca en vole efetiva A, es oy aR Zao pete Re ak as BR, RF RNR, FR) La resistencia de entrada R, de un amplificador de tansimpedancia debe ser mucho ‘menor que la resistencia de fa fuente R,; y la resistencia de salida R,, mucho menor que I resistencia de carga R,. En un amplifcador de transconductancia ideal, R, = 0 y Ry = 0 Es decir, Zuo! (4.46) FIGURA 4.16 Amplificador de transimpedancia + " + A A* I pte cae EASE OD Zuh MZ ee | —+ | bm bas Feene Ampere (2) Modelo de amptiicador de transimpedancia (b) Pesible ealizactin SECCION 4.4» — MODELOS DE PSPICE/SPICE PARA AMPLIFICADORES 151 La realizacién de una FVCC puede comenzar con una entrada diferencial de corrien- te, como se ilustra en Ia figura 4.16(b). Si la etapa de salida ofrece una alta resistencia de ‘entrada y una baja resistencia de salida, y la ganancia es adecuada, entonces puede no ser necesaria una segunda ctapa. EJEMPLO 4.10 o SOLUCION Célculo de las especificaciones de disedo de un amplificador de transimpedancia Se utiliza un amplificador de transimpedancia para registrar la corriente cn cortocircuito de un transductor que te- ne una resistencia interna desconocida; el registrador requiere 10 V para una leciura de 1 em, La lectuta det registrador debe ser 10 em 2% para una corriente de entrada de | A. La resistencia de entrada del registrador varia desde R = 5 KO hasta R, = 20 kO. Determine, entonces, las especif- caciones de disefio del amplificador de transimpedancia Como ta variacién de la salida debe mantenerse dentro de +2%, la variaciOn de la transimpedancia efectiva Zp, también debe limizarse a *2%. De acuerdo con la ecuaciGn (4.44), Zyq y Ry, contsibuyen ala variacién de Z. Supdngase que cada una de ellas contribuye por igual a la variacién; es decir, cada una contribuye con 1%. Puesto que no se conoce Ia resistencia de la fuente, se supondri que lia resistencia de entrada es muy pequeia, es decir, tiende a cero (por ejemplo, R, = 10 0). La ganancia en transimpedancia nominal es 10.V/1.emy10 cm/1 A) = 100V/A = 1% Por tanto, el valor de R, que mantiene la variacin de la gananeia dentro det 1% con la variacin de R, desde'5 KS? hasta 20 KO, se obtiene de la siguiente manera 099 la eval da Ry S 67.6 Q. Por consiguiente, las especificaciones para el amplificador son: Zn ID V/A * 1%, R, = 676 Dy R, = 100. TABLA 42 ‘Caracteristicas de los amplificadores ideales ‘ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 4.3, ‘+ Los amplificadores se clasifican en cuatro tipos: de voltae, de corrente, de transconductan cia y de transimpedancia, En la tabla 4.2 estén resumidas sus caracteristicas, + Los amplificadores se utiizan en aplicaciones como muliplicacién de capacitancia, erea- ci6n de resistencia negativa y simulacién de inductancia. + Para establecer las especificaciones de disefio de un amplificador se tienen que identficar la ganancia, la resistencia de entrada y la resistencia de salida ‘Tipo de amplificador —Ganancia__Resistencia de entrada R Resistencia de salida R, Voltaje AglV/N) = 0 Corriente AMAIA) 0 = Transconductancia ——G,(A/V) = 2 ‘Transimpedancia Zo /A) 0 0 44% Modelos de PSpice/SPICE para amplificadores En PSpice/SPICE pueden modelarse amplificadores como fuentes controladas lineales, Sin ‘embargo, estos modelos no exhiben las caracteristicas no lineales de los amplificadores rea tes, Los resultados dados por PSpice/SPICE deben ser interpretados en relacién con los if mites précticos de un tipo particular de amplificador. En el caso de una fuente controlada por corriente se inserta una fuente de voltae ficticia de 0 V (es decir, V, = 0 V) para me- dir la corriente de control, la cual da la corriente o voltaje de salida. Se supone que !a co- ‘riente de control fluye del nod positivo de V,, pasando por la fuente de voltaje V,, hacia el nodo negativo de V,. 152 Amplificador de vollaje FIGURA 4.17 Fuentes dependientes Amplificador de corriente Amplificador de transconductancia Amplificador de transimpedancia 45 Relaciones de ganancia Amplificadores de voltaje y de corriente CAPITULO 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES BI amplificador de voltaje puede modelarse como una fuente de voltaje controlada por vol- taje (FVCV). El simbolo de una FVCY, tal como se muestra en la figura 4.17(a),es E.La | forma lineal es i Renonbro> Ne We NCH NC= cralor oe Ja gananci2 en woltaje> N+ y N= son los nodos de salida positivo y negativo, respectivamente, NC+ y NC~ son los nodos positivo y negativo, respectivamente, del voltaje de control Nee Ne NCH Ne + ane ; ov yw Se, ey, % FV9 S k, y Ne“ L_—n- wes Ne @ evey & rece NC Ne NCH Ne i FL : ov x w 3a Daw % any R ‘ ewe nN NCW No (@ Feey (@ Fvec El amplificador de corriente puede modelarse come una fuente de corriente controlada por corriente (FCCC). EI simboto de una FCCC, tal como se muestra en la figura 4.17(b), es F La forma lineal es ve cvalor de 16 ganancia en corciante> N+ y N= son los nodos positive y negativo, respectivamente, de la fuente de corriente El amplificador de wansconductancia puede modelarse como una fuente de corriente con- trolada por vollaje (FCCV). EI sfmbolo de una FCCY, tal como se muestra en la figura 4.17(0),€8 G. La forma lineal es esonbne> WH Ne HCE NC= Gealor de To tranecondutancis> N+ y N~ son los nodos de salida positivo y negativo, respectivamente, NC+ y NC~ son los nodos positive y negativo, respectivamente, del voltaje de control El amplificador de transimpedancia puede modelarse como una fuente de voltaje controlar 4a por comtiente (FVCC). El simbolo de una FVCC, tal como se muestra en la figura 4.17(d), €s H. La forma lineal es Henonbee> Ms Ne UK ceaioe de La transimpednciay N+ y N~ son los nodos positivo y negativo, respectivamente, de la fuente de voltaje. Si bien existen cuatro tipos de amplificadores y cada uno se representa por medio de su mo- delo de circuito, cualquier amplificador puede representarse con cualquiera de los otras es modelos. Los pardmetros de un modelo estén relacionados con los de otros modelos: por ejemplo, la ganancia en voltae a circuito abierto A,, de un amplificador de voltaje puede rela ionarse CON Ass, Gyy ¥ Zo iguatando los voltaes a circuito abierto de los diversos modelos ‘Con las ecuaciones (4.17) y (4.30), se obtiene = Away, — AighiRa, aa? “Amplificadores de * poltaje y de transconductancia Amplificadores de voltaje y de transimpedancia SECCION 45 > RELACIONES DE GANANCIA 153 ‘Sustituyendo ¥; = iR,, se obtiene Ro Ay = Aig ae (4.48) WR De las ecuaciones (4.17) y (4.41), se obtiene ¥y = Ayghi = fay = GraiRo Por tanto, Ayo = Guay (4.49) De las ecuaciones (4.17) y (4.46), se obtiene v= Aut = Zn‘ (450) Puesto que v; = i, la ecuacién (4.50) da sy Las ecuaciones (4.48), (4.49), (4.50) y (4.51) pueden aplicarse para relacionar cualquiera (de dos) de los pardimett0s Avg Ais Gms ¥ Ze EJEMPLO 4.11 Céleulo de la ganancia en voltaje, (ransconductancia o transimpedancia equivalentes Los parimetros del amplificador de corriente de la gua 4.9(b) son: i, = 5 mA, R, = 15 KO, Aj, = 250, 10.0.8, = [k®y Ry = 10.0. Calcule, entonces, los valores de los amplificadores de voltae, mnsconductancia y transimpedancia equivalentes. SOLUCION A, R= 15 KO, Ay = 250, 8 = 50.02, R= UKM, y Ry, = 10D. De lac. (4.48), Ro /R, = 250% 14/50 = S000A/A Entonces, Gps = fo/¥s = Ayis/ Ri, = Aig/Ry = 250/50 = 5 A/V Zoe = Voli, = AgiiBy/iy= AgRy = 250% 1k = 250 ko Las resistencias de entrada salida y carga no cambin: R, = 50, Ry = 1 Ky R, = 10.0, En la figura 4.18 se muestran las representaciones equivaentes FIGURA 4.18. Representaciones equivalentes de un amplificador = + =] + + @M % 4 Daw Fe aS" O ad lL 7 i Alsr |e are Ry - + 5 aR Ree OD ® , MRA Pals — RZ (©) Ampliicador de transconductancia equivalente (@ Ampliicador de transimpedancia equivalente 154 CAPITULO 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES 4.6 Amplificadores en cascada Amplificadores de voltaje en cascada Por lo general, un amplifcador por si solo ao puede cumplir con las especificaciones de go nancia, resistencia de entrada y resistencia de salida. Para satisfacerlas, con frecuencia se Conectan en cascada dos 0 més amplificadores. Puede usarse cualquier combinacién de los caatro tipos de amplificadores. Para ejemplifiar, se analizardn amplificadores de voltaje en cascada y amplificadores de corriente en cascada Los amplificadores de voltae se conectan en cascada para incrementar la ganancia total en woltaje, Considérense tres amplificadores de vollaje en cascada, como se usta en la figue fa-4.19(a). La gananeia total en voltaje a citcuito abierto A,. de los amplificadores en cas- cada es A (4.52) Si Aye Ap y Aya son las ganancias en volte de la etapas 1, 2y 3, respectivamente, de mo- do que rg = Aaya, Mas = AyaMa ¥ Ye = Ava entonces la ecuacin (4.52) se convierte en Avg = Ay Avaya (4.53) a cual indica que la ganancia total en voltaje a circuito abierto es el producto de las ganan- clas individuales de cada etapa, Si a resistencia de salida de cada etapa es insignificante, de modo que Roy = Roa = Ros entonces fa ganancia en vollaje de cada etapa es igual a su ganancia en voltaje a cireuito abierto. Es decir, ol Via =Avetir — %9 = Awaaz Mo = Avostis FIGURA4.19 Amplificadores de voltaje conectados en cascada RTS i Ru Feente ' t 1 rapa 2 () Ampliicador de vltajeequivalente ‘La ganancia total en voltaje a circuito abierto Ay, de Ia ecuacién (4 53) esta dada entonces por Ayo = AvorAvatAvos a5) Por tanto, los res amplficadores de voltaje pueden representarse por medio de un solo at plificador de voltae equivalente con una ganancia en voltae Ay Ry = Rosy Ri = Rar como se muestra en la figura 4.19(b). SECCION 4.6 > AMPLIFICADORES EN CASCADA 155 lificadores de Los amplificadores de corriente pueden conectarse en cascada para aumentar la ganancia te en cascada en corriente efectiva, Considérense los tes amplificadores de corriente en cascada mostra- dos en la figura 4.20(a). Su ganancia total en cortiente en cortocircuito A,, es ca (4.85) Si la resistencia de salida de cada etapa es muy alta, es decir, tiende a infinito, entonces Ror = Roa = Ros y Ani ig = Aiala ty = Ashe Entonces la ecuacién (4.55) se convierte en Ais = AistMisaAiss (4.56) Jo cual evidencia que la ganancia total en cortocircuito es el producto de tas ganancias in- dividuales de cada etapa. Por lo tanto, los tres amplificadores de corriente pueden represen- tarse mediante un solo amplificador de corriente equivatente con una ganancia en corrien- te Aj,. como se muestra en la figura 4.20(b).0 FIGURA 4.20 Amplificadores de corriente conectados en cascada 1 L L 1 Tre rs = aad [ar] a a a 4 i i WD KZiw nd D> FS tv Re ta Ry MD Zin we ! ‘rasa FA ‘ ‘aan Fi 1 ] i : i 4=1 = ia ie Fuente] Eps | 1 Bupa 2 napa 3 {Corea () Ampliicador de tes etapas 7 = Di RZ RoR » & = ecard (©) Amplicador de corrienteequivatente EJEMPLO 4.12 J Cilculo de parémetros de amplifcadores de volijeen cascada Los parémeirs de los ampli cadores de voltaje en cascada dela figura 4.19(a) son: R, = 2 KA, Ray = Ryy = Rys = 2000, Ry Rig = Ris = Ri, = LS KM Avg = Aya = Ayay = 80. Caleule, entonces, (a) la ganancia foal en vo taje a cireuito abieri Ay, * ve/, (b) la ganancia en votaje efeciva A, = va/¥, (6) la ganancia to: tal en corriente A, = ig/4, y (d) la ganancia en potencia A, = Pc/P, SOLUCION (a) Con la ecuacién (4.12) se calcula la ganancia en voltaje de la ctapa I y la etapa 2, de la siguien: te manera Ay, = Agg = Ayn Ba/ Rin + Rey) = 80 X 15 K/(1S k + 200) = 70.588 V/V De acuerdo con la ecuaci6n (4.53), la ganancia total en voltaje a circuito abierto de los amplificado- res en cascada es gg = Yala * Audra saa = (70.588) * 80 198 616 V/V [para 20 X log (398 616) = 112,01 dB] 156 CAPITULO 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES (b) Para calcular la ganancia en voltaje efectiva A,, de la fuente a la carga, se tienen que inclui las resistencias de la fuente y la carga. Con la ecuacidn (4.14), se obtiene i‘ AyRR, —__-WREIGX ISX 15k YR FRO, +R) SKF 2WTS K+ 200) = 150737 V/V [0 103.5648) (©) La ganancia total en corriente A, de los amplificadores en cascada es Rt R, 150 737 VV a Rane eRe “15k = 351 T20A/A fo 20 log (351 720) = 110.9 dB) (4) La gananciaen potencia Aes Ap = PUP, = 4,4, = 53X10 [0103.56 + 1109) = 214.46 dB] ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 4.6 Con frecuencia se conectan amplificadores en cascada para satisfacer las necesidades de ge- nancia, resistencia de entrada y resistencia de sali. *+ La ganancia total en cortocircuito de los amplificadores en cascada es el producto de las ga nnancias individuales de la diversas etapas. 4.7 Introduccién a los amplificadores con transistores Transistores de unién bipolar FIGURA 4.21 Transistor de uni6n bipolar En as secciones anteriores se consideré a un amplificador como un dispositive de entrada y salida, Un amplificador electrnico se compone de uno o mds dispositivos de amplifica- isn, como los transistores. La caracteristica de un amplificador depende de los tipos de dispositivos que utiliza. Los transistores son la parte fundamental de fos amplificadores, Los transistores se analizarin con mis detalle en el capitulo 5; esta seccién es una intro- duccién al tema, Aunque existen varios tipos de transistores, en general se clasifican en dos tipos: transistores de unién bipolar y transistores de efecto de campo. Un transistor de unién bipolar (BJT) es un dispositivo no lineal de tres terminales; en la fi _gura 4.21(a) se muestra el simbolo Q, de un transistor tipo npn, Las terminales se conocen como colecior (C), emisor (E) y base (B). Aun cuando es un dispositivo no lineal, ef BIT es capaz de producir una amplificacién lineal con una entrada de sefial pequefta, siempre que las variaciones de sefial pequefla de los voltajes y las corrientes ocurran alrededor de! punto de polarizacién, o punto Q, el cual es establecido por los voltajes Vpe y Voc. La co- riente en el colector depende de la corriente en la base, y ésta exhibe las caracterfsticas de tun amplificador de corriente. El comportamiento de sefial pequena de los BJT puede repre~ sentarse de manera aproximada mediante el modelo de circuito de la figura 4.21(b), donde rg Be son la resistencia de entrada de sefal peque’ia y la ganancia en cortiente, respect vVamente. El valor de Br varia entre 100 y 1000; el valor tipico de r, es | k®. El dispositivo también ofrece una resistencia de salida r,, por lo general de 100 kA, que con frecuencia se omite en los caleulos manuales. (2) Polariacién del BIT SECCION 4.7» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES 157 Caileulo de los paréimetros de un amplificador de BJT de emisor comin Se conecta una resis- tencia Ry al citcuito amplificador de BIT de la figuea 4.2\(a); su citewto equivalente de ca de sefal pequefia se ilustra en la figura 4.22(a). La salida se toma de la terminal colestor. Los parémetros del BIT son: r_ = hye = 1-5 KO, 75 = fy = 100, Determine, entonces, tos parimetros A... Ry y R, dde un ampificador de voltaje equivalence, como se muestra en la figura 4.22(b). eon Re = 5 kM y Ry = 0 y 5000. FIGURA 4.22 Amplificador de BIT con una resistencia Re en el emisor ae ati te (2) Amplicader de BJT () Amplifcador de voltae equivatente Si se remplaza el transistor con su modelo de sefial pequeiia de la figura 4.21(b) (suponiendo que ry = >). se obtione Ia figura 4.23(a) Al aplicar la LKV alrededor del lazo I, se obtiene 11 Fay + Bele = aly + Rell + Boy Ja cual da la resistencia de entrada R, como ry * Rell +B) «sn see eee para Re 500.0 15Ka para Re El voltae de said va través de Rees Refiply = “Reli/®, ta cual da la ganancia en voltaje Ay, como R R PrRe ___ BeBe. (458) oR F Ra(l > By) -9.6N/V para Re loo 5 k/32k 100 x 5/15 k= ~33333 V/V para Re, FIGURA 4.23. Circuito equivalente de un amplificador de BIT con una resistencia Re en el emisor 1b) Determinacion de Ry 158 CAPiTULO 4 >» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORFS Para determinar la resistencia de salida Ry, que es la resistencia equivalente de Thévenin, necesita aplicarse un voltaje de prueba », en el lado de salida, como se muestra en la figura 4.23(b). La re- lacién del voltaje de prueba v, respecto de la corriente de prucba i, da R,, la que, por simple inspec- cida es Re = SKM. > NOTAS: 1. En la figura 4.21(a) se muestra un circvito de uso comin para amplificadores de BST, Un ampli- ficador con esta configuracién se conoce como amplificador de emisor comuin (EC). La resisten- fa Ry en el emisor de un BIT incrementa la resistencia de entrada R, en Rg(1 + Bp). Sin embar- 0, también reduce la ganancia en voltaje efectiva. Por tant, si se desea una alla resistencia de entrada, se hace que el BIT funcione con una resistencia en el emisor. De lo contrario, Ry se man. tiene en cero para una ganancia en voliaje maxima 2. La ganancia en voltaje es directamente proporcional a los valores de Rey Br: 3. La ganancia en voltaje es negativa; es decir, existe un cortimiento en fase de 180°. EJEMPLO 4.14 Jp Cilculo de los parémetros de un seguidor de emisor Se conecta una resistencia Re. la terminal del emisor de un BFT, en lugar de havero a la terminal de colector,y a salida se toma desde la ter- 3! del erisor. En la figura 4.24(a) se muesta el cizcuito equivalente de ca de seal pequefa. Los pardiettos del BIT son: 75 = hy = 1.5KO, ry = © By = 100. Caleular los parimets Aye. Ray R, del amplificador de vol equivalete mosiado en la figura 4 24(b) con Re = 500.0 y 240. FIGURA 4.24 Seguidor de emisor de BIT (2) Kmisor de () Circuito equivatente SOLUCION Si se remplaza el transistor con su modelo de sefial pequefa de la figura 4.21(b) (suponiendo que 1, = ®), se obticne la figura 4.25(a), Al aplicar la LKV alrededor del lazo I. se obtiene = ryiy + Rpie ~ Pulp + Rell + By Ja cual dala resistencia de entrada R, como ryt Rel + Bp) 459) 1.5 k + 500 X (1+ 100) = 52k para Re 203.5 para Re FIGURA 4.25 Circuito equivalente de un seguidor de emisor del BJT = re Dac 1 oxi Noo A 1 eS % Re 55 ea + Bom] + Beal] aoe (2) Circuito equivalent de sefial pequefia (b) Determinactén de R, SECCION 4.7» _ INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES 159 El voltaje de slidav, a wavés de Re es We = Rede = Rell + Bedly = RECT + Bev /R, Ja cual da la ganancia en votaje Ay como vy Rel +B Rell + 6p) 1 OR Rt Bp try Dre Bp | 500 (1 + 100) ry (4.60) (S00 oc OW) aaL se eumerectrecienea: 0.993 para Re = 2k Para determinar la resistencia de salida, que es la resistencia equivalents de Thévenin, se aplica un voltaje de prueba v, en la salida y se pone en cortocircuito todas las fuentes de voltae independien- fes, como se muestra en la figura 4.25(b). La telacién del voltaje de prucba v, respecto de la cozrien- te de prueba i, da la resistencia de salida R,, Al aplicar la LKC en el node A, se obtiene le + iy + Bply ~ ig + (1 + Bpiy Como ¥ = Rede ¥ Ye = —raiy entonces Rell __ [500] 41.5 / 104 = [axtask/io1y 1+ Bp NOTAS: 1. El amplificador de la figura 4.24(a) se conoce como seguidor de emisor. La resistencia Re en el cemisor de un BIT incrementa la resistencia de entrada R, en Re(1 + By). Sin embargo, reduce la resistencia de salida a rg(1— By), aproximadamente 2. La ganancia en volte es aproximadamente igual 2 1, es decir, el voltje de salida es aproxima- ‘damente igual al voltae en el emisor (de uhf su nombre de seguidor de emisor) 3. Sila resistencia de la fuente de una sefial es mucho mayor que la resistencia de La carga, enton ces, al conectar la fuente en forma directa ala carga, se obtiene una atenvacion significativa de la sefal, El seguidor de emisor, que ofrece una resistencia de entrada mucho mayor que la resisten- cia de la fuente y una resistencia de salida mucho menor que Ia resistencia de carga, puede actuar como etapa de separacién entre Ia carga y la fuente, Un seguidor de emisor se conoce coma am= plificador de separacién EJEMPLO 4.15 SOLUCION Cileuto de los parimetros de un amplificador de BJT de base comiin Se conecta una resisten- cia Ry ala terminal del emisor de un BUT, y la seial de entrada v, se eonecta ala terminal del emisor Yy no a la terminal de la base. Este circuito se muestra en la figura 4.264a) para voltajes de ed. El cir Cuito equivalente de ca de seal pequefia se muestra en la figura 4.26(). La sada se toma de la ter- ‘minal del colector. Los parémetros del BIT son rz = 1.5 KSLy By = 100. Determine, entonces, los pardmetros A,o. Re y R, del amplificador de voltae equivalente, como se ilusta en la figura 4.26(c) con Ro = 5A y Re = 500 0. Si se remplaza el transistor dela figura 4.26(b) con ef modelo de senal pequena de Ia figura 4.21(6) (Guponiendo que r, = ©), se obtiene la figura 4.27. Al aplicar la LKC en el nodo A. se obtiene + Bpdiy v,/Rg en la ecuacién anterior, se obtiene + Bem ~ iy Bel -v/ree ‘Sustituyendo 160 CAPITULO 4» INTRODUCCION A Los AMPLIFICADORES FIGURA 4.26 Configuracién de un amplificador de BIT de base comin se 21a, © eB | Re : wR 4a) Coniguracién de base com () Equivalent de ea (c) Amplitcadar equvatente FIGURA 4.27 Circuito equivalente del ejemplo 4.15 la cual da la resistencia de entrada R, como poll 3) 500 | (1.5 k/ (1 + 100)) 44.0. EL voltae de sala v, a través de Re 6s % = ~ReBrly ~ Roel la cual da la ganancia de voltaje A,, como Hsia = 100 x $k/1Sk = 3333V/V donde gm = Br/r, €8 a transconductancia de! transistor de sefial pequeiia. Por inspeccin, la esi tencia de salida Ry es: Ry = Rc = 5kO. > Noras: 1. En a figura 4.26(a) Voc, Vey Vg establecen el punto de polarzacién, aunque en la péctca se ut liza slo una fuente decd para polrizar el amplfcador. En realidad, el cansstor nunca s riza con tres fuentes de alimentacién. El circuito se utiliza s6lo para ilustrar 1a ganancia en voltajé ‘Ac lacesistencia de entrada R, del amplificador de base comin (est tema se analiza ene 2 tulo 3) 2. El amplificador del BIT como el que se iustra en ia figura 4.26() se conoce como amplifader dle base comin (BC). La resistencia Re en ta terminal del erisor reduce Ia resistencia de ented Transistores de efecto de campo FIGURA 4.28 Transistor de efecto de campo SECCION 4.7» _ INTRODUCCION 4 LOS AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES 161 El valor de R, depende principalmente de los valores de los parimetros del transistor [es decir, ra/(1 + By]. y es mucho menor que el del amplificador de emisor comiin o el del seguidor de 3. La ganancia en voltae es directamente proporcional alos valores de Re y Bp. aunque no hay co- rrimiento de fase, es decir, no hay signo negativ. El transistor de efecto de campo (FET, por sus siglas en inglés) es un dispositivo no lineal de tres terminates; su simbolo, My, se muestra en la figura 4.28(a). Las terminales se cono- cen como drenaje (D), fuente (S) y compuerta (G). Con una entrada de sefial pequeiia se jobtiene una amplificacién lineal, cuando el transistor funciona en tomo del punto de pola- rizacién, 0 punto Q, el cual es establecido por los voltajes Vos ¥ Vp. La cortiente de dre- naje depende del voltaje compuerta-fuente vcs, y e! FET exhibe las caracteristicas de un amplificador de transconductancia, El comportamiento de sefial pequefia de los FET puede representatse, aproximadamente, mediante el modelo de circuito de la figura 4,28(b), don- de gy es la ganancia en transconductancia de seflal pequefa. La resistencia de entrada es muy grande, del orden de los M®, y puede suponerse infinita en la mayoria de las aplica- ciones. A menudo se puede omitir la resistencia de salida r, de un FET, que por lo general es de 100 kA. (2) Polarizacién det FET () Circuita equivalente de seal poqueta EVEMPLO 4.16 OF SOLUCION Calculo de los pardmetros de un amplificador del FET de fuente comin Se conecta una resis: {encia R,, al cireuito amplificador del FET representado en la figura 4.28(a); el cixeuito equivalente de ca de sefal pequefia se ilustra en la figura 4.29(a), La salida se toma de la terminal del dresije Los parametros del FET son gm = 20 mA/V y re = =, La resistencia Rp es de 10 kA. Determine, entonces, fos pardmettOs Ayo, R, y R, del amplificador de voltaje equivalente, como se muestra en la figura 4.29(6), con Ry = Oy 1 kO. FIGURA 4.29 Amplificador del FET con una resistencia de fuente Ry, (2) Amplifcador det FET (bo) Amplificador de voltae equivalente Si se remplaza el transistor con el modelo de sefal pequefia de la figura 4.28(b), se obtiene la Figura 4.30(a), Con Ia LK aplicada alrededor del lazo I, se obtiene n= Mes t Raia t My + RaBntgs +1 + RSM (4.61) El volta de salida a través de Ry es Roja Rosey 162 CAPiTULO 4 > ENTRODUCCION A 108 AMPLIFICADORES Sus uyendo v,, de la ecuacién (4.61) y simplificando, se obtiene la ganancia en voltae Ay’ ¥, Ron 1 Ree (4.62) { 10k x 20ma/V TERR BMA/V ~ ~9S2V/V_ para Ry = 1k =200V/V para Ry = 0 = 10k x 20mA/V FIGURA 4.30 Circuito equivalente de un ampliicador de FET con una resistencia de fuente Ry, %y $ (a) Circuito equivatente de ca de sefal pe () Determinacién de Ry El eircuito de prueba para determinar la resistencia de salida, que es la resistencia equivalente de Thé- venin R,, se muestra en la Rigura 4.30). La relacién del voltae de prueba v, respecto de la corrien. te de prueba i, da R, que, por inspeccidn, es de 10 k0. 1, La figura 4.29(a) es un circuito muy comin para amplificadores dle FET: Un amplificador con es- ta configuracién se conoce como amplificador de fuente comin (CS, por sus sighas en inglés). La resistencia R, conectada a la fuente del FET reduce Ia ganancia en voltae etectiva. Ry debe ser ‘cero para una ganancia en voltaje maxima, 2, La ganancia en voltaje es directamente proporcional a los valores de Ro y 8. EJEMPLO 4.17 SOLUCION Cateulo de tos parémetros de un seguidor de fuente Se conects una resistencia Ry ala fuente de tun FET, y no a la verminal del drenaje,y la salida se toma de la terminal de la fuente. El circuito equi- valente de ca de seal pequetta se muestra en la figura 4.31(a). Los pardmetros del FET son gm = 20 mA/V y 7, = =. Determine, entoness, los pardmetros Ave, Ry y R, del amplificador de voltaje equi- valente, como se muestra en la Agura 4.31(b), con Ry = 500 y 2 kD FIGURA 4.31 Seguidor de fuente de FET (a) Seguidor de fuente de FET (6) Ampliicadar de vltaje equivatente ‘Si se remplaza el transistor con el modelo de sefial pequetia de la figura 4.28(b), se obtiene la igus 4.32(a). Al aplicar la LKV alrededor del lazo I, se obtiene SECCION 4.7» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES 163 El voltaje de salida v, a través de Ry es Reig = Rye ps ¥9) ta qu, despuds de simplifcarla, da la ganancinen voltae A RS “TF Rite (4.63) 300 x 20ma/¥ : = {1 ¥ 500% 20 mA7V ae 0.98 para R, = 2k. FIGURA 4.32 Circuito equivalente de un seguidor de fuente de FET (4) Circuito equivalente de ca (0) Determinacién de Ry e seal pequetia Para determinar la resistencia de salida R,, que es la resistencia equivalente de Thévenin, se aplica un voltaje de prucba v, en la salida y se ponen en cortocircuito todas las fuentes de voitaje independien- tes, com se ilustra en la figura 4,32(b). La relaciéa del voltae de prueba », respecto de la corriente de prueba i, da R,, Se escribe Rufig + ig) = Rulig * BY) lle ~ Bald la que, después de simplificara, da la resistencia de salida Ry: fa (4.64) V+ Re Ben al 300 3 FRx 20 AAT 4545.0 para Ry, = 500.0 38.78.0 para Ry = 20 > Nora 1 Elampliicador dela figura 432(a) se conace como seguidor de fuente La cesistencia Ry reduce ta resistencia de slida a Ry/(1 + Rag). aproximadamente 2. La ganancia en voltaje es aproximadamente igual a 1. 3, Se utliza un seguidor de fuente como etapa de separacion entre Ia carga y la fuente dela seal FF! seguidor de fuente también se conoce como amplificador de separa EJEMPLO 4.18 He Ciiteuto de los parémetros de un amplificador de compuerta comin Se conecta una resistencia Rj, ala terminal de la fuente de un FETT, y la sefial de entrada v, se conecta a la terminal de ta fuente ¥y n0 a la terminal de la compuerta, Este circuito se muestra en la figura 4.33(a), La saida se toma de Ta terminal del drenaje, El cirvito equivalente de ca de sefial pequefa se ilustra en la figura 4.33(b). 164 SOLUCION CAPITULO 4 > INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES FIGURA 4.33. Configuracién de un amplificador de FET de’compuerta com = too () Configuraciéa de compuerta comin) Equivalente deca) Ampliicador equivalente Ve Los pardmetros del FET son gq, = 20 mA/V y r_ = &. La resistencia Rp es de 5 kf2, Determine, en- tonces, os parémetros A,q, R,¥ R, del amplificador de voltaje equivalente, como se muestra en la f= gura 4.33(¢), con Ry = kA Si se remplaza el transistor con el modelo de seal pequetia de la igura 4.28(b), se obtiene la figura 434, Al aplicar la LKC en el nodo A, se obtiene i= bee Baer Sustituyendo iy = —vpy/Ry,Y Ygy = —¥j en la ecuacin anterior, se obtiene By, Sates * Bah Ja cual da la resistencia de entrada R como noel) = 1K F1/20ma/V FIGURA 4.34 Circuito equivalente de sefial pequefia del ejemplo 4.18 Nodo A ” \s Sen El voltaje de salida v, a través de Rp es %o= ~RyBatgs = afm Ja cual da la ganancia en voltaje Avg como B= sak 20 ma/V x 5 KO. 0 v/V donde gq se denomina la transconductancia del FET. Por inspeecisn, R, = Ry = 5 KO. feces gece geese cece Eee EEE SECCION 4.8» RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LOS AMPLIFICADORES 165 > NOTAS: 1, La figura 4.33(a) muestra los voltajes de ed Vpp ¥ Vax que establecen el punto de polarizacién, aunque en la prictica se utiliza s6lo una fuente de ed para polarizar el amplificador (este tema se analiza en el capitulo 5) 2 Un amplificador de FET con ta configuracién mostrada en la figura 4.33(a) se conoce come am: plificador de compueria comiin (CG, por sus siglas en inglés). La resistencia Ry conectada a ta ‘terminal de la fuente reduce la resistencia de entrada R, El valor de R, depende principalmente de tos valores de los pardmetros del transistor (es decir, 1/gjq).¥ eS mucho menor que el del ampli ficador de fuente comiin o el del seguidor de fuente. 3. La ganancia en voltaje es directamente proporcional a los valores de Ry y gu Aunque no hay Co- rimiento en fase, es decir, no hay signo negativo, ASPECTOS PRINGIPALES DE LA SECCION 4.7 Li 105 transistores son Ta parte fundamental de los amplificadores. El BIT es un dispositive ccontrolado por corriente, y su corriente de salida depende de la corriente en la base (entra- da). El FET es un dispositivo controlado por volta, y su corriente de salida depende det voltaje compuerta-fuente (entrada) + Segin la configuracién del circuito, pueden emplearse transistores para obtener una alta ga rnancia en voltaje 0 en corriente, una alta resistencia de entrada o una baja resistencia de sa- lida + El amplificador de transistor puede actuar como etapa de separacién entre la resistencia de ‘una fuente de alta impedancia y una carga de baja impedancia 4.8 ‘Hasta aqui, se ha supuesto que no existen elementos reactivos en ¢] amplificador, y que la Respuesta en ganancia del amplificador permanece constante para todas las frecuencias. Sin embargo, de | la ganancia de tos amplificadores reales depende de la frecuencia, ¢ incluso las impedan- frecuencia de los cias de entrada y salida de los amplificadores cambian con la frecuencia, Si wes la frecuen- amplificadores ia de la sefial de entrada en rad/s, Ia senoide de salida V,(w) puede ser de amplitud y fase diferentes de las de la senoide de entrada V(w). La ganancia en voltaje A\(u) = V,(w)/¥i() tiene magnitud y éngulo de fase. Si se aplica una sefal senoidal con una frecuencia especi- fica a la entrada de un amplificador, la salida debe ser una senoide de la misma frecuencia La respuesta en frecuencia de un amplificador se refiere a la amplitud de la senoide de sa- lida y a su fase con respecto a la senoide de entrada (véase el apéndice B). E1 amplificador funciona en un punto Q de ed y esté sujeto a dos tipos de sefales: de cay de ed. A menudo, se conectan varios amplificadores en cascada por medio de capaci- tores de acoplamiento, como se muestra en la figura 4.35, de modo que la sefial de ca pro- veniente de la fuente pueda ir de una etapa a la siguiente, al mismo tiempo que se bloquea la sefal de cd. Por consiguiente, los voltajes de polarizacién de ed de los amplificadores no afectan a la fuente de la sefial, alas etapas adyacentes o a la carga. Estos amplificadores en cascada se conocen como amplificadores con acoplamiento capacitivo (o de ca). Sin em bargo, en circuitos integrados, los amplificadores se conectan directamente, como se mues- tra en Ia figura 4.36, porque los capacitores no pueden fabricarse en forma integrada; tales amplificadores se denominan amplificadores con acoplamiento directo (0 de cd). FIGURA 435 copie Acopamins oe Amplificadorcs con: bent oe ‘cane Claas: de salida acoplamiento capacitive G « Gg ee LACH [t+ amen Segunda «| capa tap & 166 FIGURA 4.36 ‘Amplificadores con acoplamienta directo Caracteristica pasabajas CAPITULO 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES mee : ieee | ine go | LoS "| tape apa GR Gy.Cq Gy son capacitecis de dispositive, rasta ode ambos pos A bajas frecuencias, los capacitores de acoplamiento, que son del orden de 10 ye, ofre- cen una reactancia alta, del orden de | kO, y atendan fa fuente de la sefia. A altas frecuen- cias, estos capacitores ofrecen una reactancia de orden de 1 © y, por lo tanto, funcionan como cortocircuitos. Por consiguiente, los amplificadores con acoplamiento de ca dejan pa- sar s6lo sefiales de alta frecuencia, En los amplificadores con acoplamiento de cd no hay capacitores de acoplamiento. Sin embargo, la presencia de capacitores pequefios, del orden de | pF, se debe a las capacitan- cias internas de los dispositivos de amplificacidn y también a la capacitancia pardsita (que es la que introducen los conductores del circuito) entre los conductores portadores de la se- jal y la tierra, La respuesta en frecuencia de un amplificador depende del tipo de acopla- miento. Un amplificador puede exhibir una de tres caracteristicas en frecuencia: pasabajas, pasaaltas y pasabanda Considérese el amplificador de transductancia mostrado en la figura 4.37(a). Cy, que est conectado a través de la carga R,, podria ser la capacitancia de slida del amplificador 0 la capacitancia pardsita entre la terminal de salida y la tierra. Cz forma una trayectoria pare- Tela a la sefial que fluye del amplificador a la carga R,. El voltaje de salida en el dominio de Laplace es vos ~ Goa (OR,M 1 Cask TGR, MO) (468) Con la regla del divisor de voltaje, se obtiene Vs) = V,R,/(R, + R), que, después de sus tituirse en la ecuacién (4,65), da la ganancia en voltaje como vss) GusRR, AMO VRE RMI + SRD ta La ecuacién (4.66) puede escribirse en forma general como A ia) Avimedi) (4.67) Ags) = Meet Aditi « T+st, 1458/04 Gn, donde Ava) = ~ Gest 4.68) = OR, (4.69) oy = 1/7, = 1/CR, (4.70) En el dominio de la frecuencia, s = jw, y la ecuacién (4.67) se transforma en Avimediad AGe) = am) 1+ jo/oy Por lo tanto, la magnitud |A,(ja)| puede obtenerse de erie am [1+ (@/oyPl/? |A,Geo) SECCION 4.8 > RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LOS AMPLIFICADORES 167 y el Angulo de fase ¢ de A,(j) esté dado por 6 = -tan™" (w/oy) 4.73) Para w << wy, SupOngase qUe A ny 1. Es decir, 14,0) | = Avioedia) = | 20 logy |4,Uie)| ~0 o=0 Por consiguiente, a una frecuencia baja, la grifica de la magnitud de A,(j) es aproxima- damente una linea recta horizontal en 0 dB. Para cw >> i, JA,Gia)} ~ oy /o 20 logy |A,Uie) | = 20 logy (4/0) ba -n/2 Para w= wy {AGio)| = v2 20 log jg|A,(jeo)| = 20 logo (1/V2) = —3 dB b= -0/4 Considérese una frecuencia alta w = w,, de modo que w, >> wy. La magnitud es 20 logig (y/o) con w ® @}. Con @ = 10a, 1a magnitud es 20 logy (4y¢/100). El cambio en magnitud es 20 logy (2; / 10w4,) ~ 20 logyg (4/424) = 20 logyg (1/10) = —20 dB Si la frecuencia se duplica de modo que w = 2a, el cambio en magnitud se vuelve 20 logy (cy /20,) ~ 20 logyg (w/e) = 20 logyg (1/2) = —6 dB La respuesta en frecuencia se muestra en la figura 4,37(b). Si Ia frecuencia se dupl incremento sobre el ee de la frecuencia se llama incremento de octava. Si la frecuencia se incrementa en un miiltiplo de 10, el ineremento se denomina incremento de década. Si la frecuencia se inerementa en una década, ta magnitud cambia en -20 dB. y la gréfica de FIGURA 4.37 Amplificador pasabajas —20 dBidboada 0 ~6aBiectva (en grades) ph a eee t 10 1 | on ' 45°} — % 4. i i (2) Circuito pasabajas (b) Respuesta at frecuencia Caracteristica pasaaltas CAPITULO 4 > INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES: {a magnitud es una Vines recta con una pendiente de ~20 dB/década (0 6 dB /octava), Pop fonsiguientc ta curva dela magnitud queda definida por dos asintota, las cuales eruzan cg [a Frecuencia de esquina oy La diferencia entre la curva real dela magnitudy la curva age totica es més grande en la frecuencia de corte, El error se calcula sustituyendo w on lugar de on. sto es AsC)| = 1/V2 y 20 logig(1/V2 = —3 dB, Este errr es simétino on fespecto a la frecuencia de corte (0 de esquina), la cual se define como la frecuencia en ue Ia magnitud de la ganancia se reduce a 70.7% de Ja ganancia constant. La frecuenels de cotte también se condce como frecuencia de 3 dB (o de media potencia).La gananeis en Noltae se reduce conforme In frecuencia aumenta més alla de wy, Pata fecuencias SES, la Eanancia casi es independine de la frecuencia, Un amplifcador con este tips, ds respuesta se conoce como amplificador pasabaias. Ageia ¢ la ganancia en la barn, ¢ aso o de media band El ancho de banda (BW) de un ampliticador se define comme ef interalo de Feecuencias en el que (a ganancia permanece dentro de 3 dB (29.3%) dela ga, nancia Constante Ayinajay Esto €8, BW = ay, En general, Jos amplificadores de senslec ic video se acoplan en cd, y las frecuencias varian de 0 (ed) a 4.5 MHz Considérese el amplifcador de transconductancia de la figura 4.38(a) C, es el capacitor de aislamiento entre la fuente de la seal y el amplificador El voaje de salida en ef dominie de Laplace es Vo) = Gag Ys) (474) Pe acuerdo con la regla del divisor de voltae, el voltaje Vi) est relacionado con Vs) por fl 7 si, RR + 78G, ~ TseRR, +R) Yeo V0) (475) Sustimyendo V,(s) de Ia ecuacidn (4.75) en la (4.74), se obtiene la ganancia en voltaje =F Ry sC UR, +R) Ls Bi Ri 8 ee 476 RR, "Te sCR, +R) FIGURA 438 Amplifcador pssaaas 20 ¢ | AU" en en) OF 34B i ~10 1 iis ABidécada | | -an bo “bien “0 | ~59 Bee ee een ace eat i i i oS eae Ee Dew RL (a) Circuito pasaatas (8) Respuesta en frecuencia SECCION 4.8» — RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LOS AMPLY, 169 La ecuacién (4.76) se escribe de manera general como Avermedia T — Avtmedi® Animes aa am donde (4278) y= CUR, +R) (4.79) oy = 1/4 = 1/ICR, + RD) (4.80) Enel dominio de la fecuencia, s = ju, y la ecuacién (4:77) se transforma en Arai i? Ai) = ere’ 4.81 10 joe a, oe De este modo, la magnitud |4,(ja)| esté dada por Arcnetin? A,Gw)| = 4.82) Geil = Sega (4.2) y el Angulo de fase ¢ de A,(ja) es 6 = 90" — tan! (w/a) (4.83) Supéngase que Ayimediay = 1. Para @ << a. A Ue) | = 20 10819 LACH) | Por consiguiente, cuando la frecuencia se incrementa en una década, la magnitud sufte un cambio de +20 dB. La grifica de la magnitud de A, (jo) es una linea recta con una pendien- te de +20 dB/década (0 +6 dB /octava). Para w >> w, [A ,Cie)| = Avnet 1 20 logy |A,Cio)| = 0 ono Por consiguiente, a una frecuencia alta la grafica de la magnitud es una recta horizontal que pasa por 0.dB. Con w = a, la\ay 20 logy 0/V2) La respuesta en frecuencia se muestra en la figura 4.38(b). Este circuito deja pasar s6lo las seiiales de alta frecuencia, y la amplitud es baja a bajas frecuencias. La ganancia en voltaje varia con la frecuencia cuando « << ay, Cuando w >> a, la ganancia es casi independien- te de la frecuencia. Este tipo de amplificador se conoce como amplificador pasaattas, «a se conoce como frecuencia de corte (de esquina, de 3 dB 0 de media potencia), y Aves ces la ganancia en la banda de paso o de media banda, Obsérvese que a frecuencias suficien- temente altas, la caracteristica pasaaltas de los amplificadores reales tiende a atenuarse de- bido a las eapacitancias internas de fos dispositivas de amplificacién 170 Caracteristica { pasabanda CAPITULO 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES Un amplificador con acoplamiento capacitive tiene tanto capacitores de acoplamiento como capacitores asociaddos con los dispositivos (0 capacitores parésitos). Si se conectan C; y Cy, como se muestra en la figura 4.39(a), el circuito exhibe una caracteristica pasabanda, Al sustituir V6) de la ecuacién (4.75) en la (4.65), se obiene la ganancia en voltaje como ¥, 8) _ Gas RiR, SCR, + RD i a VO RAR, TSC (RFR) F5CR, i la cual se escribe en forma general como AYs) = Asma’ cee (4.85) GF aM + s/o) , As) = En ef dominio de la frecuencia, 5 = jw, y la ecuacidn (4.85) se transforma en Avion Pee rere (4.86) = Tse a Ml + jo/ay) Por tanto, la magnitud |A,(jw) se calcula de la siguiente manera Aveta? A\Go) | = > 7 F (4.87) ear + FIL + (o/eoy? I? 7 yeel Angulo de fase ¢ de A, (ji) esté dado por = 90° = tan”! (w/e) ~ tan! (w/a) (4.88) La ganancia en voltaje permanece casi constante siempre que a, < o < wy. En la figura 4.39(b) se muestra el comportamiento en frecuencia. Este es un circuito pasabanda, y Avimedi) & la ganancia de la frecuencia central (0 de la banda de paso). El ancho de ban- da (BW), que es el intervalo de frecuencias en el que la ganancia permanece dentro de un margen de 3 dB (29.3%) respecto de la ganancia constamte Aye €8 POF tanto la diferen- cia entre las frecuencias de corte. Esto es, BW = wy — 0. ObSErvESE GUE Avimeia) NOES la ganancia de cd, porque, bajo condiciones de cd, el capacitor C, esté en circuito abierto yy no hay voltaje de salida. Generalmente, los amplificadores de audio tienen acoplamiento ‘de ca, porque el intervalo de frecuencia de las sefales de audio es de 20 Hz a 15 kHz. La fuew te de la sefial de audio y Ios altavoces se afslan por medio de capacitores de acoplamiento Si se acorta el ancho de banda de un amplificador pasabanda, de modo ue la ganan- cia Tlegue al pico alrededor de una frecuencia en particular (Ilamada frecuencia central) y se reduzca en ambos lados de esta frecuencia, como se muestra en la figura 4.39(c), el am- plificador se denomina amplificador sintonizado. En general, este tipo de amplificadores se utilizan en la parte frontal de los receptores de radio y televisi6n. La frecuencia cental fe de un amplificador sintonizado puede ajustarse para que coincida con la frecuencia de un canal determinado, de modo que se capten las sefiales de ese canal, y se atenden 0 se supt- ‘man las de otros canales. FIGURA 4.39 Amplificador pasabanda Aue A 707 % | /; — ow L Ane fun ae Fenty 9 feted prenteh () Circuito pasabanda (b) Respuesta en frecuencia, (eo) Respuesta del filtro sintniso® EJEMPLO 4.19 SOLUCION wi SECCION 4.8» RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LOS AMPLIFICADORES im Con «w = 2nf, la ganancia en voltaje de un amplificador pasabajas se expresa como Aime) ae eter (4.89) WO Tithe donde fy es la frecuencia de corte (0 de 3 dB), en Hz. Si f >> fy la ecuacién (4.89) se reduce a Aveneiay Avene Sit A,Go) = = (4.90) ily oF La magnitud de esta ganancia se vuelve unitaria (o de 0 dB) cuando f = fyy. Esto es. Fou = Avie fi 91) donde fy, se denomina ancho de banda de ganancia unitaria. A menudo, el ancho de banda (BW) se cta como el intervalo de frecuencia en que la ganancia en vottaje |A,(ju){ es uni taria. El ancho de banda de ganancia unitaria de un amplificador pasabanda eS Aymeay (Fu ~FL). Es importante notar que, de acuerdo con la ecuacién (4.91), el producto ganancia- ancho de banda de un amplificador permanece constante Cateulo de tos capacitores de acoplamicnto para satistacer las especificaciones de frecuencia Un amplificador de voltaje debe tener una ganancia en voliaje de eango medi dé A,matgy = ~200 cen elrango de frecuencia de | kHz 2 100 kHz. La resistencia de la fuente es R, = 2KA1y la resisten- ia de carga es R, = 10 KO. (a) Determinar las especificaciones del amplificado y los valores del capacitor de acoplamiento Cy ¥ del capacitor en paralelo C, mostrados en la figura 4.39(). (b) Con PSpice/SPICE, verifcar el disefo con una grfica de la respuesta en trecuencia [A] en funeidn de la frecuencia. (a) Seleccionar un amplificador de transconductancia con R, = I MM y R, = %. Con la ecuacién (4.78), se calcula el valor de Gy ae da Aveaan) ~ ~200. Esto es, Gg, = Avimal +R) 200% 2K IMO = RR TOR x TO ™ Con fy = 100 kHz, la ecuaei6n (4.70) da el valor requerido de C3 como 1/Qz X 100 kHz x 100) 1/ Ryo) = V/ Omg 159.15 pF Con fi, = I Kl, a ecuacién (4,80) da el valor requerido de C; como C= MR, # Roy (b) Bl circuito para la simulacién eon PS; chivo del circuito es el siguiente: 1 /l2mf(R, + RY) ~ 1/L2m X 1 kHz X (2+ 1 MO] = 158.84 pF ce/SPICE se muestra en la figura 4.40. El listado del ar Ejemplo 4.19 Respuesta on frecuans de un ampliticadae vs 1 0 AC Inv Volteje pate el andlisis de ca Ril om cl 23 1se.eege ai 3 0 Nes al 403 02m fuente oe corriente controlads par veltaje 2 4 0 1s8.159F mL 40 10K Ac LEN 102 100s IMEsHe farrido de feecuencia de 100 #2 1 e908 4 Rosprocesador grafico Caplin INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES FIGURA 440. Citc Ze (0) Ampliteadrrevoaientade (0) auivalet eBiler Si Aye es Ia ganancia en voltaje a circuito abierto del amplificador, el voltaje de salida V, esté relacionado con el voltaje de entrada V, por Vy = AygY (492) La comtiente de entrada J, del amplificador de la figura 4.42(a) es (493) La sustitucién de V, de la ecuacién (4.93) en la (4.92) da y - Mia Awhi (2) (494) % % La impedancia de entrada Z, del eircuito de la figura 4.42(b) debe ser igual ala del circu to de la figura 4.42(a), y se calcula con la ecuacién (4:94): 4 (495) (4.96) Son Nolte 2 y(-—F “~) a qd, La impedancia de salida Zoq, del citcuito de la figura 4.42(b) debe ser igual a la del circui- to de la figura 4.42(a), y se calcula con la ecuacién (4.97): (4.98) >» NOTAS: 1. Las ecuaciones (4,95) y (4.98) se deducen con la suposicién de que el amplificador de voltaje es ideal, y de que la ganancia en voltaje A,, a eircuito abierto puede determinarse sin conectar la im- ppedancia Z;. Es deci, la impedancia de entrada R, del amplificador de la figura 4.42(a) es muy alta, tiende a infnito; la resistencia de salida R, es muy pequefia y tiende a cero, por tanto no afec~ tan el andlisis. Zi, ¥ Zon S¢ denominan impedancias de Midler. 174 CartruLo 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES 2. El teorema de Miller es aplicable siempre que el amplificador no tenga una fuente independien- te. La ganancia en voliaje A,, a circuito abierto del amplificador debe ser negativa, de modo que 1 ~ A,, sea una cantidad positiva, De otra manera, Zyq tiene un valor negativo. EJEMPLO 4.20. WF Uiliacin dl tcorema de Miler para determina as fecutnias de cote Se ene uh ce pactorde C= 00 nants de bso deena de anpiar com emu Sen agua 4% Lo pets dlampiicdon on y= 823010) Re AD US fessunin dee ness = ily lve de pee = TOAD (a) Usr el oem de Miler pra esaeiasde o ( Ezonar na epi pr gman en nc den sera A) * V/V FIGURA 4.43 Amplificador retroalimentado | SOLUCION (a) Se tiene i Ay _ 10K x ~S02 VR ER, WKN OD =300 Si se remplaza C con su capacitancia de Miller, se obtiene el circuito equivalente de la Agura 4.48, Al sustituir Z; = 1/j2fC en la ecuaciGn (4.95), se obtiene lo Soa (4.99) @ PxfOl A) PeICy oan dde donde la capacitancia de Miller Cjq a wavés de la entrada es Cy = CU = AY) = 0.01 WE X (1 + 500) = 0.01% SOL = 5.01 WE Al sustituir Zy = 1/j27fC en la ecuacién (4.98), se obtiene Zee : (4.100) TBafCU = 7A) ~ Date, de donde la capacitancia de Miller Coy través de la sada es Com = CU = A 001 uF x (1 + 1/500) = 001 BF FIGURA 4.44 Circuito equivalente de Miller del ejemplo 4.20 Gon La constante de tiempo 7; para Cj se obtiene por inspeccidn, debido a que Cp se descarga (st la fuente V, se pone en cortocircuito) a través de la combinaciGn en paralelo de R, y R,(véase el apét- i dive B), Estoes, n=, OU AF x (2k) 100 k) = 9.824 ms (RNR) 4.10 Diserio de un amplificador SECCION 4.10 > — DISERO DE UN AMPLIFICADOR 175 La primera frecuencia de corte es &} = 1/7 = 1/9824 ms = 101.8 rad/s Tia constante de tiempo rs pra Cy también se obtiene por ispeccign, Ya QUE Cy 5 descarga {sila fuente V, se pone en coricieuito) a través de Ia combinacién en paraleto de Ry Ry. Est, 14 = Cyg(Rel R,) = 001 wx (5010 &) = 049% ps 1/0.498 ys = 2.01 x 106 rad/s. Por consiguiente, TOL8 rad/s (0 16.2 Hz) y BW = wy, = 101.8 rad/s La segunda frecuencia de corte es ay = 1/1 la frecuencia de conte (0 de 3 dB) es ay = 0 (0 162 Hz), (b) De acuerdo con la ecuacién (4.14), la ganancia de media banda Ayays) (Con los capacitores en Circuito abierto) es ARR, =$02 x 100k X 10k Aimee) TR RR, + Ry)” K+ 1OOKKIOK + 50) = 897 Por lo tanto la ganancia en funci6n de la frecuencia Aja) €3 V4) 897 (410) Aytjw) = YE © __=89.7 10) "V.cjo) (+ ja WLAN + jo 201 x 10 NOTAS: 1. El valor de C es de s6lo 0.01 4. Sin embargo, su efecto en fa respuesta en frecuencia es Cp, 5.01 yF. Por tanto, si se conecta un capacitor entre las terminales de entrada y salida de un am- plificador con una ganancia en voltaje negativa, este capacitor tiene un efecto dominate, y redu. ‘ce la frecuencia de corte alta de una manera sigaificativa, 2, El transistor BIT tiene una capacitancia de unin entre la base y el colector. Cuando se utiliza en luna configuracién de emisor comin, la ganancia en voltaje se vuelve negativa, Asimismo, ia ca pacitancia de unién queda conectada entre las terminales de entrada y salida del amplifiador. Como consecuencia del efecto de Miller, esta capacitancia disminuye la frecuencia de corte alta del amplificador de una manera signficativa. 3. Sin embargo, en el caso de un ampliicador de base comin, la ganancia es positiva, y ademas ta ‘capacitancia de la unin base-colector no aparece ente las terminals de entrada y salida del am- pilificador. Por consiguiente, no hay efecto de Miller (esto es, no hay muliplicacién de la capaci- tancia), y la frecuencia de corte alta es mucho mas alta que la de un amplificador de emisor ‘comin, Si bien e} amplificader de base comin tiene una baja resistencia de entrada, es comin ui- lizarlo en aplicaciones de alta frecuencia, Hasta aqui se ha considerado a los amplificadores como partes de un sistema. Pucden co- nectarse en cascada varios amplificadores para satisfacer algunas especificaciones de dise- fio. Sin embargo, vistos desde los lados de entrada y salida, fos amplificadores en cascada pueden representarse por medio de un solo amplificador equivalente, es decir, el amplifica- dor puede estar formado por uno 0 més amplificadores. En este momento, el disefio del amplificador se haré a nivel de sistema y no a nivel de los componentes internos del ampti- ficador mismo, que es el tema del capitulo 5. En este capitulo se han ilustrado varios ejem- plos de disco relacionados con diferentes aspectos. Dada la topologta del circuito, el di- seffo consiste principalmente en determinar los valores de los componentes. A menudo, el disefiador tiene que seleccionar la topologia del circuito, que por lo general requiere la eva- luaci6n de soluciones altemnativas, Se recomienda la siguiente secuencia (0 proceso) para el disefio de amplificadores a nivel de sistema. Paso 1. Estudiar el problema de diseiio. Paso 2. Identificar las especificaciones de disefio: requcrimientos de resistencia de entra- da, resistencia de salida, ganancia y ancho de banda. Paso 3. Establecer una estrategia de disefio y determinar la solucién mediante un diagra- rma funcional de bloques. Identificar el tipo y nimero de amplificadores que se utlizarén Evalie algunos métodos altemativos para resolver el problema, Paso 4. Hallar la solucién a nivel del circuito con medios como topologias de circuito y andlisis manuales, utilizando modelos ideales de amplificador. Es posible que se requiera tun andlisis y una sintesis para determinar los valores de los componente. | | | 176 CAPITULO 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES Paso 5. Evaluar el disefio mediante modelos de amplificador mas reales y, de ser necesa- rio, modificar los valores del diseti. Paso 6. Realizar una verificacién por medio de PSpice/SPICE con un modelo de circuito complejo, y obtener los resultados para el peor de los casos mediante variaciones de los pa- rametros y componentes (modificar el disefio, si se requiere). Paso 7, Obtener una estimacién del costo del proyecto, ¢ idear un plan para el arreglo de los componentes de modo que el proyecto requiera el minimo tiempo de fabricaciGn y su costo sea el mAs bajo posible. Paso 8. Construir un prototipo en e! Laboratorio y tomar mediciones para verificatlo. Si es necesario, modifique el EJEMPLO 4.21 Ilustracion de los pasos de disefio Dos sefales provienen de dos transductores diferentes: ¥) = a 180 a 200 mV con Ry, = 2KO y vp = 150.2 170 mV con Ryz = 2 KN. Amplifique entonces el vol {aje diferencial, de modo que el volaje de salida sea v = 200(v, ~ v) La variacin de la ganancia debe ser menor que 3%. La resistencia de carga es R, = 5k. Ahora, determine las expecificacio. nes del amplificador SOLUCION Paso 1. Estudiar el problema de disefio. »; = 180-200 mV con Ry, = 2M, y ¥; = 150-170 mV con Ry = 20. Paso 2. Identificar las especificaciones de disefio. A, ~ 200 + 34%, R= 5 KO; no hay limite pare el ancho de banda Paso 3. Establecer una estrategia de disefo y determinar Ia solucién mediante un diagrama funcio- nal de bloques. Como el lado de entrada va a recibir dos sefales de volaj, cuya diferencia se vaa mplifica, se requiere un amplificador de voltae diferencial en la etapa de entrada. La sala de la etapa podria ser un voltaje o una corrente, que seria amplificada por una etapa de ganancia, como se rouestra en la figura 4.45(2), Paso 4, Hallar la solucin a nivel de cireito, Se utilizarén dos amplificadores de transconductan- cia idénticos para que produzcan una ganancia diferencial, ya que permite sumar (0 restar) dos co FIGURA 4.45 _Etapas del diseno para el amplificador del ejemplo 4.21 Ry F | Amptiieadoe Bugade | f nivel de cireuito dierencial fanancia | (a) Diageama de bloques de la solucin (©) Amphifieadores con resistencias de entrada y salida SECCION 4.10» DISENO DE UN AMPLIFICADOR 7 rientes en un nodo. También se utilizard un amplificador de transresistencia en el lado de la satida, pata que produzea la ganancia en voltaje deseada con una resistencia de salida baja. Este circuito se muestra en la figura 4.45(b). Si se suponen amplificadores ideales Con Gig) * Ga ® Gay €l voltae je de salida es Y= Gust ~ msi¥22 m9 ~ ZnoFns™1 — Y2) de donde yg = ZpxgGmay- COM Gyys = 20 MA/Y, se obtione Zeya = Ava Gays = (200/20) mA/V = ORV /A Paso 5. Evaluat of diseno. Considérense amplificadores reales con resistencias de entrada y salida ‘como se muestra en la figura 4.45(c). Con la ecuacisn (4.40), se calcula la ganancia en voltae A, efectiva mediante (Rye = Rel) Ru Ae RyRy Ree Rig RL + RQ ‘Como A, cambia con las variaciones de RR, Roa: Zee ¥ Gn: $€ Permitiré una variacion de 0.5% para cada una de ellas, de modo que la variaciin total se limite a £2.54, Considere que Ray. Ry ¥ Ry no cambian fu Fu 0998 Rit Ry Ry tik la cual da Ry = Rly = 398 KO. k 5k _ = o.995 Rt Ry SEER In cual da Ry = 25.10. ‘Supongase que Ry, = Roy = 200 KO. Como Ry, = (Rex) . 1 took Ry +Ry” WRTE, de donde Rg = 502 0 0.995 FIGURA 4.46 Circuito pata simulacign con PSpice del ejemplo 4.21 Paso 6. Verificar con PSpice/ SPICE. Bl listado del archivo de PSpice para el cireuito mostrado en la figora 4.46 es el siguiente: jenplo 4.21 Anplificador difecenciat vst 1 0 0c 200a¥ + vontage wt esl 1 2% an 2 0 3988 ys 30 Or 150a¥ vortase vse m2 4K ane ¢ 0 3584 + Gonaneis en teansconductancia an as 2 0 20 50 4 0 20 Ganancla en teanscandhetaneia 5 4 10K 178 CAPITULO 4 =» = INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES: mw sew vise 1a corlente de entraay en a etaps 2 Be 6 0 se nooo mw te + Gmaneia en temeinpetneia te 788s Los resultados de a simulacin con PSpce son los siguientes: vom vounase wom OUTAE= uD OLTIE« woop RUM (ty 200042) 880 SO ts smc) amo) OF El voltaje de said es vy = 9.8796 V y A, = 9.8508 V/(200 mV ~ 150 mV) = 19702 Paso 7. Estima los costs. ‘Dos amplificadores de wansconductaeia idéticos pra la etapa difeencial: Gy = 20mA/V 1205590, Ry 2 398 KM y Ry > 200 KA. Coste esimad 1.50 dlares Un amplifeadoc de eransesistencia para a ctapa de ganancis:Zqy = 1OKV/A = OS. Re = 502 fy Roy's 25.1 2. Costa esinade 1 dar Dos fuentes de almentacin dec: Voc “Vex = 12. : Resumen Es comin que os amplicadores se especifiquen en trminos de so ganancia, resistencia de entrada y vesstencia de salida Los ampliicadoes se clasifican en cuato lipo de vol, de coriente, de transoonduetanca y de tansimpedancia. Las relaciones de ganancia de los diversos amplicadres pueden relacinarse ene si. Ademds de amplificar seals, los amplifcadotessiven como Blogues Bisios en ots apcaciones, como igualalon de impedancas, simulaciGn de resistencia negti ‘tmnulacion de inductaneiay mulupliactn de eapactanca, A menudo se ulizan amplifeadores en cascada para aumentar i ganancia Wt Los amplifcadoesuilizan ansistores como dispositive de apifieacin. Los Wansstors ti sen captctanciasintenasy capacitors de acoplamiento para asa las sefales dela fuente y de a nga de las sehales deca La ganancade los amplincadores rales vara con I reevencia dela foe fe gue produce is scfales los ampliieadoes se cesfican con base en su respuesta en fesuenia Come pasabajas 0 pasabanda Preguntas T. gCudles son los pardmetrs de un amplicador? de repaso 2. {Cush es el objetivo del plarizacion de ed de un amplificador? 3. {Cuiles son tos cuatro tipos de ampliieadores? 4 Cuiles el modelo de creuito de un amplifcador de voltae? 5 {Qué es la gananciaen voltae a cicuio abit de un amplifcador de vole? 6 {Cuil eset efecto de la resistencia de a fuente en la gananciaen voltae efectva de un ampliadbe fe voltae? 7. {Qué es un amplicador de vole ideal? 8 {Cale el modelo de crcuito de un amplificador de coriete? 9, {Quées la ganancia en coca en cortocireito de un ampliicador de corinte? 10. {Cudl es el efecto de la resistencia de la fuente sobre la ganancia en corriente efectiva de un ampli: tador de cortente? 11, {Quées un ampliiador de corrente ideal? 12. (Cues el modelo de crcuito de un ampliicador de tansconductancs? 13. {Qué es la wansconductanca en corociruito de un amplifcaor® 14, Cudles el efecto de Ia resistencia de la fuente sobre la ganancia total en voltae de un amplifialet de wansconductancia? 18. (Qué a transimpedancia a citeito abierto de un amplifcalor? 16. (Cuil esl efecode la resistencia de a fuente sobre Ia gananciaencorrieneefectiva de un amp ‘calor de transimpedancia? 7, 18. 19. 24 at 42 43 4a 48 46 a7 48 49 CapiruLo 4» PROBLEMAS 179 :Qué es un amplificador de transimpedancia ideal? {Cuil es cl efecto sobre la ganancia total de conectar amplificadores en cascada? {Cuil es el principio de la simulacién de resistencia negativa? 2Qué es un girador? .QUé es la respuesta en frecuencia de un amplificador? El simbolo I} indica que se trata de un problema de diseio. 4.2 Caracteristicas de un amplificador Los valores de sefal pequefa medidos del amplificador lineal iustrado en la Agura 43a) son bs siguientes: v, = 50 X 1073 sen 10001, i; = 1X 10-%sen 1000m, v, = 6.5 sen 10001 y R= SMO. Los valores de cd on Voc = Vee = 15VcIoc = lez = 15 mA, Determine (a) ls valores de Tos parimetros del amplificador 4, 4,,Ap y Ry (b) la potencia proporcionada Pg por las fuentes de ed ¥ lnfiioncia de ptencia ny () el valor maximo del voltae de enirada, de eso que el amplifica- dor funcione dentro de los limites de sateracion Los valores medidos del amplifcador no lineal de a figura 4.4) som: ve 35V cony = 24 mVy vo = 58V con v= 27 mV. El volaje dealimentack 131, y los limites de satucaciin son 2V = ¥o U1 V. 21 my. de cd es Voc = (a) Determine la ganancia en voltaje de sefal pequefia A, (by Odtenga la ganancia en vollaje de cd Ag (€) Determine los limites del voltaje de entrada ¥ CObtenga la ganancia en potencia A, det amplificador con los siguientes valores, fa) v9 = 2. = EMV, R, = 1O0KMy Re = 10K (b) fo = 100 mA, fy = 1 mA, R, = 100M R= TKO 4.3 Tipos de amplificadores El amplificador de voltaje representado en Ia figura 4.5(a) tiene una ganancia en voltae a circuit abierto A, = 150, na resistencia de entrada R, = 1.8 Ky una resistencia de sabia R, = 50. El mplificalor excita una carga Ry, = 47 KO. El voltage de la fuerte es v, = 100 mV con tna resisten- cia de la fuente R, = 200 0. (a) Caleule ta ganancia en voltae efectiva A, cia en potencia A, = Pi /Py (b) Con PSpice/SPICE, verifique los resultados del inciso (2). Para el amplificador del problema 4.4, cual debera ser la resistencia de carga Ry, para que se trans fiera la potencia maxima ala carga? Calcule la potencia (0 carga) de sala maxima Pan ‘Cuando se conecta una resistencia de carga Ry = 1.5 k®% ala sala de un amplificador de voltae, el \oltaje de salida se reduce en 15%. {Cul es la resistencia de salida R, del amplificador? El amplificador de voltae ilustrado en la figura 4.5(a) tiene una ganancia en voltae a citcuito abier- oA, = 200, una resistencia de entrada 8, = 100 k®y una resistencia de salida R, = 20 0. Bl vol- taje de la fuente es v, = 50 mV, la resistencia de la fuente es R, = 1.5 Kf y la resistencia de carga es Ki, = 22.0, Caleule (a) el voltae de salida v,, (b) la potencia de sali P, (6 la ganancia en volta jeefectiva A, = v4/vy (@) In ganancia en corriente A, = g/g y (e) la ganancia en potencia A PUP Se requiese un amplificador para amplificar la sefial de salida de un transductor que produce una se- Fal de voltaje = [0 mV con una resistencia interna R, = 2.5 KO. La resistencia de carga Ry es vax fiable y cambia desde 2 kO hasta 10 kQ. El voltaje de sada deseado es ¥, = 5 ¥. Ei amphiicador tno debe consumir més de | jA del ansductor. La variacién del volaje de salida cuando se desco~ necta la carga no debe ser menor que 0.5%. Determine las espectficaciones de diseho del ampli- ficador. Se requiere un amplifcador para producir una ganancia en voltaje A, = 100 1.5%. La resistencia de la fuente R, es variable, entre 500 Oy 5 KO, y la resistencia de carge Ry, cambia entre 5 KM y 20, 2, Determine las especificaciones de diseto det amplificador /v a ganancia en corriente A, =i, yt ganan 190 BD 10 au 412 413 a4 41s 416 4a7 448 439 CaPfruLo 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES El citeuito con diodo de fa figura 4.10 se utiliza para cargar un capacitor a casi el doble del voltae de alimentacién vg = 5 V, es decir, vo = 1.95vg, La resistencia de la fuente es R, = 5&0, La corrien te de carga pico debe limitarse 2 100 mA, y la carga debe completarse 1 ms después de que se ciera el interruptor (a) Disefe un cireuito que sea capaz de realizar esta tarea para encontrar el elemento desconocido. (b) Con PSpice, verfique los resultados det inciso (a) ‘(Sugerencia: Use una resistencia negativa y considere un diodo ide.) FIGURA P4.10 Disene un ciruito ampliicador que sioule una resistencia negativa R de ~5 KO FE amplificador de corrente mostrado en la figura 4.9(b) tiene una ganancia en corrente en cortcit cuite Ay, = 200, una resistencia de entrada R, = 150 0. y una resistencia de salida Ry resistencia de carga es Ry, = 100 0. La cottiente de aimentacién de entrada es f una resistencia de fuente fy igual 2 47 KO. (a) Calcul la ganancia en coriente A, = i potencia Ay = Py/P, El amplificador de corniente mostrado en fa figura 4.9(b) iene una ganancia en corrente en cortcie: cuito Ai, = 100, una resistencia de entrada R, = 50 0, una resistencia de sida Ry = 22 KO y una resistencia de carga Ry, = 150 0. La corriente de alimentaciOn de entrada esi, = 50 mA con una re sistencia de fuente Ry igual a 100 KO. Caleule la corriente de sali ig El amplificador de corriente mostrado en la Fgura 4.90) tiene una coriente de fuente , = $A, ona resistencia de fuente R, = 100 kM y una resistencia de entrade Rj = 50-0. La coment de salide en cortocireuto es i, = 100 mA con R, =O, yel voltae de saida de cicuitoabiertoc& vg = 12 V con Ry = > La resistencia de carga e= Ry, = 2.7 kX. Caleule (a) la ganancia en voltaje Ay = voy (©) la ganancia en corriente A, = 6/i ¥ (ela ganancia en potencia Ay = Py/P, Se requiere un amplifcador para amplificar la seal de sada de un transductor que produce una co trieme constante j, = 100 4A con una resistencia intema variable desde R, = 10 KO asta R 100 kM La corriente de salida deseada es i, = 20 mA con una resistencia de carga variable desde R, 20.0 hasta R, = 500.0. La variacion deta cortiente de salida se debe mantener dentro de 3% Determine las especificaciones de disetio del amplificador Se requiere un amplificador para product una gananci en coionte A, = 50 1.5%. Laresistenci Ge fa fuente es R, = 100 KAY la resistencia de carga es Ry = 100.0. Determine Ins espeifcaccne de disefo del amplicador. (a) Disesie un cireuito amplificador que simule una inductanciaL igual a $0 ml. () Use PSpice para veritiar el diet. La capacitancia del circuito girador mosteado en a figura 4.12 ¢8 © = 100 pF. Determine el valor ta resistencia R que produce una inductancia efectiva igual a 15 mH. os amplificadores de transconductancia ideales se conectan uno despues de otro como se must cen la figura P4.19, iy la ganancia en voltaje A, = va/¥, 9 la ganancia en FIGURA P4.19 420 421 423 425 426 427 428 429 CaPtruLo 4 > PROBLEMAS 181 (a) Halle la relacién entre el volije de entrada y las corrientes de entrada, y determine la impedan- cia de entrada Z, = ¥i/l (b) Si vy = 1 sen (200021), C = 0.1 nF y G, = G, = 3 mA/V. use PSpice/SPICE para trazar la réfica de la respuesta transitoria del vottaje de salida v,(#) en un itervalo de tiempo de 0 a 1.5 ms, con incrementos de 15 us. Se require un amplificador de transconductancia para registrar el voltae pico del cgguito de la figu- ra 4.15, El registrador necesita 5 mA para una lectora de I em, y ésta debe ser 20 cm *2% con un ‘oltaje pico de entrada de 170 V. La resistencia de entrada del registrador varia desde Ry, = 20 has ta R,, = 500 0. La frecuencia del voltaje de entrada es f, = 60 kHz (a) Determine el valor de fa eapacitancia C (b) Determine las especificaciones de dise6o del amplificador de transeonductancin. Se requiere un amplificador para producir una ganancia en transconductancia Z,, = 20 mA/V * 2%. La resistencia de la fuente es R, = | KO y Ia resistencia de carga es R, = 200 2. Determine las es- pecificaciones de disefo del amplificador. Se utiliza un amplificador para medir una seal de voltaje de ed v, = 0 V a 10 V con una resistencia ie fuente R, variable, entre 2 kA y $ kO. La salida det amplificador es un medidor que proporciona ‘una deflexion de escala completa con una Corriente 1, = 100 mA con una resistencia Ry entre 20 92 ¥y 100 0. Determine las especificaciones de diseiio del amplifcador. | amplificador de transimpedancia ilustrado en la figura 4.16(a) tiene una transimpedancia Zyy 0.5 KV/A, una resistencia de entrada R, = 1.5 KO y una resistencia de salida R, = 4.7 kA. La co: rmiente de la fuente de entrada es i, = 50 mA con una resistencia de la fuente R, = 10 kM La resis: tencia de carga es Ry, = 4.7 KO Caloule la ganancia en corriente A, ~ f/ig y la ganancia en voltaje AL Sol ¥e Se utiliza un amplifieador de transimpedancia para registrar la corriente en cortocircuito de un tans: ductor que tiene una resistencia interna desconocida; su salida es un registrador que requiere 10 V para una lectura de 2 em. La lectura del repistrador debe ser 20 em * 2% para una corriente de en- trada de 100 mA, La resistencia de entrada del regisrador varfa desde R, = 2 KO hasta Ry = 10 KO. Determine las especificaciones de disefio del amplificador Se utiliza un amplificador de transimpedancia para medir una sefa de corriente de od i, = 0a 500 mA ‘con una resistencia de la fuente R, = 100 kE2, La salida del amplificador es un medidor que da una ddefiexién de escala completa con un voltae de ve = 5 * 2% V y cuya resistencia es Ry = 20 KO. Determine las especificaciones de disefio del amplificador, 4.5. Relaciones de ganancia Los pardmetros del amplificador de voltaje de la figura 4.5(a) son: v, = 100 mV, R, 250, R, = SOKA, Ry = 1 KMy R, = 10 KO. Caleule los valores de los amplificadores de corriente de transconductancia y de transimpedancia equivalentes. Los pardmetros de! amplificador de transconductancia de la figura 4.14(b) son: v, = 100 mV, R 2K, Gig, = 20 MALY, R, = 1ODKM, R = 2KDy R, = 200 £2. Caleule los valores de los ampif adores de voltae, de corriente y de transimpedancia equivalentes, 4.6 Amplificadores en cascada Los pardmetros de fos amplficadores de voltaje conectads en cascada de la figura 4.19(a) son: Ry = 200 LOD, Roy = Reg ™ Rays = 100.04 Ryy = Rip = Ry = RL = 25 KAY Ast = Asgz ~ Avs = 50 (a) Calcate la ganancia en voltae a circuito abierto total A, = ¥4/, 1a gananeia en voltaje efectiva Ay = voy la ganancia en corriente total A, ~ ég/iy y Ta ganancia en potencia Ay = Pi/P, (by Con PSpice/SPICE, verfique los resultados del inciso (@) Los pardmeitos de los amplificadores de voltaje conectados en cascada de la figura 4.19{a) son: 7200 KO, Roy = Ryy = 10092, Rys = 300.2, Ry = Ry = Ry = 25K, A, = 1SKAY Ayes = Auaa = Ags = 80. (a) Caleule la ganancia total en voltaje Ayg = ¥4/¥% a ganancia total en cortiente A, = io/iy Y la 88 rancia en potencia A, = Pu/P; (b) Con PSpice/SPICE, verfique los resultados del inciso (3), nr eee eee ee eee eee eee eee eee eee eee 182 430 431 DB 432 DB 43s 434 BD 43s 436 437 438 CAPITULO 4» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES Los parémetros de los amplifcadores de corriente conectados en cascada de Ia figura 4.20(a) son Boa 20K, Rey = Rag = Rey = AT KO Ry = Ra = Ris = Ry = 100 DY Ay = Aig = As = 100. {a) Caleute la ganancia en correnteefectiva A nancia en porencia A, = P./Py (b) Con PSpice/SPICE, verfique los resultados del inciso (a. Un amplificador de trinsconductancia se conecta en cascada con un ampificador de ransimpedan cia, como se muesira en la figura P4.31, Los pardmetros Son: R, = SKA. Ry = SOKO, Rey = 200.0, Zo, = IORV/A, Ry = 1 MOL, Rey = 100KD, Ry = 1 KAY Gy = 20mA/V (a) Caleule ta ganancia en volsje total a circuito a¥eto Avy = ¥a/% la Banancia en voltae eft va Ac = vefus la gananeta total en cortiente A, = Zy/i,y la ganancia en potencia Ay = Py /P (b) Con PSpice SPICE, verifiqu los resultados del inciso (a). FIGURA P431 4.7 Introduccién a los amplificadores con transistores Disefeun amplificador de BJT, como se muesiraen l figura 4.21(a), pata produc una gamancia en voltae sin carga A,, = ~20, Considere un BJT cov ry = 2&0. r, = ¥ By = 130. ise un seguidor de emisor de BIT, como se lusts en la figura 4.24), para sgualar una fuente de dita tmpedaneia con una carga de baja impedancia. El ampliicador debe tener una ganancia mayor gue 0.9 yuna resistencia de entrada R, = 50 KA con una carga R, = 20 KO, Considere un BIT con Fe 2KD, 1 = = Be = 150. Disede un amplfiador de FET. como se usta en ls igura 4.28, para producir una resistencia de cntada R, = | MOL y una ganancia en vollaje Sin Ca1B@ Ay = ~20. Considere un FET con Bm = 40mAV yr. = & Disese un seguidor de fuente de FET, como se represents en la figura 431), para igualar una fuer ree sta impedancia con una carga de baja impedanci Elamplificador debe tener una ganancia ra. fjorque 0.) una esstoncia de entrada R = 500 k@2 con una carga Ri, = 400: Consiere un FET Con fig = 40 A/V y Ty = 4.8 Respuesta en frecuencia de los amplificadores Se requiere que el amplificador de vollaje de la figura 4.39(a) tenga una ganancia en voltae de rat {omedio Avgmasn = 504 ch intervalo de frecuencia de 10 kHz.a SO KHz, La resistencia dela fen tees R= 1 kal y la resistencia de carga es Ry = 5 KO. {@» Determine las especificaciones del amplificador, asf como los valores del capacitor de acopl mento C, y del capacitor en paralelo C (b) Con PSpice/SPICE, verifique el disei cen funcién de la frecuencia. Le gananciaen voltaje de un ampliieador es ‘ay = =i 0) = TT00 + feo 10 + je Cafcue (a) las frecuencias de corte fi, Jy (b) el ancho de banda BW ‘en JB para la frecuencia central dela banda trazando la grdfica de la respuesta en frecuencia | Ata) fiy~ fy © la ganancit La ganancia en voltaje de un amplificador es sip) 1+ jw/100 CCalcule la frecuencia que define el ancho de banda BW, si (a) 14,)l Ao) 10 y tb) (Aja) | = 50 439 440 441 aan CAPITULO4 > PROBLEMAS 183 En la figura P4.39 se muestra un amplificador de tansconductancia pasabajas. Los pardmeitos del 1 UF, R, = 5 KO, Gy, = 20 mA/V.R, = 500 Ky R, = 50 KO, Calcule el an- cho de banda de ganancia unitaris fay = AyimasnSn c0M (8) Ry = UKE (BYR, = 10 KO FIGURA P4.39 49° Teorema de Miller Se coneeta un capavtor C de 10 nF entre los lados de entada y sala de un amplificador, como se muestra en la figura 4.43, Los parimetros del ampliicador son Ay, = ~1000, R, = 100 fy R, = 200 KAD La resistencia dela fuente es R, = 5 KAD la resistencia de la carga es Ry, = 5 kO. (a) Use el teorema de Miler para determinar las feeueneias de corte. (b) Exprese la ganancia en funci6a de la frecuencia A,(ju) = V,(j0)/V.G0) Se conecta un capacitor C de 0.1 uF entre los lados de entrada y slida de un amplificador, como se muestra en la figira P441(a). Determine la capacitancia de Miller equivalence a C, vista por Ia fuen- te, como se muestra en la figura P4106), cOM (a) Ay = ~200y 0D} Ang = =! FIGURA P4.4t Re 4 Aut o o 2MM, R,, Se conecta una resistencia Ry a tavés de la entrada y Ia salida de un amplificador fen la figura P4.42. Los pardmetros del citcuito son: R, = 1 KO, Avy = ~2 * 10°, R, 75.0, Ry = KAY Ry = SKA (@) Use et teorema de Miller para determ (b) Con PSpice/SPICE, veritique los resultados del inciso (a). ar la gananecia en voltaje efestiva Ay = vo/ Ye FIGURA P4.42 ’ Contenido del capitulo S.A Introduccién 5.2 Transistores de unin bipolar 5.3 Transistores de efecto de campo RESUMEN > REFERENCIAS 54 Comparacién entre FET y BJT PREGUNTAS DE REPASO b PROBLEMAS 5.5 Disefio de amplificadores 5.1 5 Introduccién En el capitulo 4 se estudiaron las caracteristicas de un amplificador desde la perspectiva de entrada-salida, y se determinaron las especificaciones de amplificadores que satisfacen ciertos requisitos de entrada y salida, Ademés, se observs que los transistores pueden conectarse con otros elementos del circuito para generar una ganancia en voltae. Las re: sistencias de entrada y salida dependen de la configuracién: de emisor comin (fuente comin), de seguidor de emisor (drenaje comiin), 0 de base comiin (compuerta comin), En su interior, los amplificadores utilizan uno o mds transistores como dispositivos de ampli- ficacidn, los cuales se polarizan con una sola fuente de alimentacidn de cd para que trabajen adecuadamente en un punto Q deseado. Por medio de transistores, pueden construirse ‘amplificadores que den una ganancia en voltaje (0 en corriente), una alta impedancia de en- ttada, y una alta (0 baja) impedancia de salida. El comportamiento terminal de un ampli cador depende de los tipos de dispositivos utilizados en su disco, Los transistores son dispositivos activos con caracteristicas altamente no lineales. Por tanto, para analizar y disefiar circuitos transistorizados, se requieren modelos de transisto- res. Para crear modelos precisos es necesario tener un conocimiento detallado de la opera- ccidn fisica de los transistores y sus pardmetros, asi como una poderosa técnica analitica. Un circuito puede analizarse con facilidad por medio de modelos simples, aunque en general existe un intercambio entre precisidn y complejidad. No obstante, un modelo simple siem- pre es stil para obtener los valores aproximados de los elementos del circuito que se usarén enel disefio y en el desempetio aproximado de los elementos para la evaluacién del circui- to. Los detalles de funcionamiento, caracteristicas, polarizacién y modelado de transistores ‘estan fuera del alcance de este texto [1-3]. En este capitulo se analizaré el funcionamiento 185 ' CAPITULO 5 —» —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION y las caracteristicas externas de los transistores de unidn bipolar y de efecto de campo que utilizan modelos lineales sencillos. Los abjetivos de aprendizaje de este capitulo son los siguientes, + Conocer los tipos de transistores, sus caractenfticas y su funcionamiento, * Analizar y disefiar citcuitos de polarizaciGn de transistores. + Determinar los parametros del modelo de seal pequefta de transistors. + Analizar y disefiar amplificadotes de transistores. + Conocer las configuraciones de los circuitos de amplificadores de transistores, y sus ventajas y desventajas relativas. NOTA: Todos los resultados obtenidos con PSpice que aparecen en el libro, provienen de la eje- ccucidn de la simulacién con los archivos esquemdticos (SCH). Al ejecutar la simulacin con los archivos de descripeién de circuito(.CIR), es posible obtener resultados diferentes, puesto que la ver sid pata estudiantes de PSpice dispone de un nimero limitado de dispositivos y modelos activos, 5.2 Transistores de union bipolar FIGURA 5.1 Bstructuras basicas y simbolos de los BIT Caracteristicas de entrada y de salida El transistor de unidn bipolar (BIT), desarrollado en los afios sesenta, fue el primer dispo- sitivo utitizado para amplificar seitales. Consiste en un cristal de silicio (0 germanio) al cual se le han agregado impurezas, de modo tal que queda intercalada una capa de silicio tipo p (0 tipo n) entre dos capas de silico tipo n (0 tipo p). Por consiguiente, existen dos tipos de transistores: npn y pnp. Las estructuras bésicas de los transistores mon y pnp se muestran en las figuras 5.1(a) y 5.1(b). Un BIT puede verse como dos uniones pn conectadas una contra otra. Se le llama bipolar porque la carga en el dispositive es transportada por dos portadores de diferente polaridad (huccos y electrones). A menudo, el BIT se designa sim- plemente como transistor. Dispone de tres terminales, conocidas como emisor (E), base (B) y colector (C). En las figuras 5.1(¢) y 5-1(@) se muestran los simbolos. La direccién de la flecha en el emisor determina si el transistor es de tipo npn o pnp, como se ilustra en las fi guras 5.1(0) y 5.1(@) fee [secre | corto P| cater ptr [owe ae] [ane m | emis P| emir su — Coe z (2) Trantor po apt (0) Transistor ip pap) Simbolo.npn_—_( Simba pap EL transistor debe polarizarse para iniciar apropiadamente el flujo de cortiente. En la figs +a 5.2 se representa esta polarizacién mediante el uso de dos fuentes de alimentaci6n de cd, Veo y Ven. Esta configuracidn no se utiliza en la practica; se muestra sélo para ilustrar las caracteristicas del transistor. Un circuito de polarizacién real emplea s6lo una fuente de al- mentaci6n de ed para polarizar el transistor; esta configuracién se analiza més adelante e la presente seccién. Re funciona como resistencia de carga. Cada una de las tres terminales del transistor puede clasificarse como terminal de e trada, terminal de salida y terminal comin, Existen tres configuraciones posibles: (a) 4° emisor comin (EC), en la cual el emisor es la terminal comin; (b) de colector comin (CC) © seguidor de emisor, en la que el colector es la terminal comun, y (c) de base comtin (BCs cn la cual fa base es la terminal comin. La configuracién BC no se utiliza tanto como I FIGURA 5.2 én de wransistores (a) Caracteritica de entrada SECCION 5.2» —TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR 187 (©) Potarizacién pnp otras dos, El transistor puede describirse mediante dos caractersticas: una de entrada y una de salida, La caracteristica de entrada es similar a la de un diodo con polarizacién directa si el emisor es la terminal comdin; en la figura 5.3(a) se representa fa caracteristica de en- trada de los transistores pn y pnp. En la figura 5,3(b) se ilustra una caracteristica de entrada representativa de un BIT. vee i son positivos en tos transistores npn, y negativos en los transistores pnp. Si la corrien- te de la base iy se mantiene constante, entonces la corriente dei colector ic se incrementa- «a con el voltae colector-emisor veg hasta que la cortiente del colectot se sature; esto es, hasta que alcance un nivel en el que cualquier incremento de vor, no provoque un cambio significativo en la cortiente del colector. La earacteristica de salida se divide en tres regio nes: una regién activa, una region de saturaciGn y una regién de corte. El transistor puede uusarse como interruptor en la region de saturacin porque vce es bajo (Por lo general, de 0.3 V). Tanto en la regién activa como en la de saturacién, la unin base-emisor esté con polarizacién directa, y vpe ~ 0.7. En la regidn activa, O < vag < Yee Y ¥eg (= Yee ~ Yat) > 0; esto es, la unién base-emisor esté con polarizacidn directa, y la uniGn colector-base, ccon inversa, ‘Todos los transistores presentan una alta impedancia (o resistencia) de sala. La operacidn en la regiGn activa puede amplificarsefales con un minima de ditorsién, por- ‘que la caracteristica de salida es aproximadamente lineal Un transistor es un dispositivo controlado por cortiente. La corriente del colector ic es~ ti relacionada con la corriente de la base ig mediante un factor de amplificacién de corrien- te en polarizacién directa Bp, el cual se define como 1) FIGURA 5.3 Caracteristicas de entrada y de salida eit Rec decas lity“ Cancteristica se cntrada Recta de carga, —1/Ry ecore ac (bara npn) eg (eames) ye (bara pep) ° Vega re) (Carsten desta 188 Modelos del BJT CAPITULO — © —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION By también es conocido como ganancia en corriente de cd de un transistor, y su valor en general va de 50 a 350. La corriente del colector est relacionada con ta del emisor me- diante el factor de amplificacién de corriente en polarizacién directa en cortocircuito a, definido como og (6.2) 4 | veg = constate Fl valor de a va de 0.9 a 0.99, y se relaciona con Bp de esta manera ag = 63) T+ Bp Por consiguiente, ic ¢ ig pueden relacionarse con ig como sigue: ic = Belg 64) fe= tp t fo = iy + Brin = + Bolin 63) Al utilizar la ley de Kirchhoff del voltaje (LKV) alrededor del Lazo formado por Veo, Re, el emisor y el colector, puede relacionarse la corriente del colector ic con vog median- tela expresion Voo = Yer + ice con la cual se obtiene la dependencia de ta corriente del colector con la resistencia de car- 8a Re, y que puede reordenarse para dar la siguiente relacién, conocida come ecuacién de Ta recta de carga: Voc _ Me foc _ Vee ice EF 66) co Re La ecuacién (5.6) da veg = 0 €0n ic = Voc/ReY Yer = Vee 60M ic = 0, La intersecci¢n de la recta de carga con la caracteristica de satida da cl punto de opetacidn (0 punto Q), el ‘cual esta definido por tres pardmetros: ig, ic Y Ver. Ast, para un valor dado de i, puede Hlarse el valor de ig y, en tal caso, la recta de carga da el valor de veg. Como la caracteris tica base-emisor es similar a la de un diodo, la relacidn de Shockley, dada por la ecuacion (2.1), puede aplicarse para expresar las corrientes del colector y el emisor en funci6n del Voltaje base-emisor como sigue: ic*ig= ‘feo (2) : ‘| en donde J, es la corriente de saturacién, cuyos valores van de 10°!? a 10”! A, dependiendo del tamaio del dispositive, y Vz es el voltaje térmico, con valor de 25.8 mV a 25 °C. El propésito de un amplificador es convertir una seftal de entrada de amplitud pequefia en una seital de salida de amplitud diferente, minimizando al mismo tiempo cualquier distor- si6n introducida por el amplificador. Si la entrada es una onda senoidal, la salida también debe serlo. Si se superpone una sefial pequeiia de ca Yye al voltaje de potarizacién de cd Vee de base del transistor, la corriente de la base /y cambia en una pequefia cantidad jy, 10 que dard como resultado un cambio amplificado i, (“i por la ganancia en corriente) en la co- rriente del colector fe. Este cambio haré que el punto de operaci6n se mueva hacia arriba © hacia abajo a lo largo de la recta de carga, alrededor del punto Q. Sin embargo, una sefal de ca demasiado grande, leva al transistor tanto hacia la region de saturacién (a la i2quierda del eje vce) como hacia la regién de corte (a la derecha del eje vce). Por consiguiente, el disci y el andlisis de un amplificador implica dos seftales: una de ed y otra de ca. El ané lisis de ed localiza el punto Q definido por fe, ly ¥ Vog: Bn el analisis de ca, se requiere Ut modelo de ca de sefal pequefia de un BIT alrededor del punto 0. SECCION 5.2» —‘TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR 189 Modelo de cd lineal Los modelos de ed lineales se utilizan para determinar el punto de operacién (o punto Q) de un BJT. La unién base-emisor, que se encuentra en polarizacién directa en la regién activa, puede representarse mediante un diodo en polarizacién directa, como se muestra en la figura 5.4(a). La unién colector-base, la cual se encuentra en polar zacidn inversa, puede representarse por medio de un circuito abiesto. La corriente de la base varia con el voliaje base a emisor, como se ilustra en la caracteristica de entrada en la figu: ra 5.3(a). La caractertstica de entrada se remplaza con un modelo lineal por secciones con la resistencia Rog en serie con una fuente de voltaje Vag, cuyo valor oscila entre 0.5 V y 0.8 V, como se muestra en la figura 5.4(b). La pendiente finita de la caracteristica de salida puede representarse agregando un resistor de salida r, entre las terminales del colector y el emisor. En la mayor parte de las aplicaciones, este modelo puede representarse de una ma~ nera aproximada como se ve en la figura 5.4), suponiendo que Rye = Oy y = = FIGURA 5.4 Models lncals dec de wansistresbipolores a “ & “ eae C8 cw © fin Be. md D brie Sr. tee Dom | itd E e be E Te (8) Modelo de diodo (0) Modelo de ed (6) Modelo simple Modelo de ca de seal pequefla Los modelos de cd lineales se utilizan para determinar el punto Q: sin embargo, para determinar la ganancia en voltaje o en potencia se utiliza un modelo de ca cuando el transistor opera como amplificador en la regis activa. Si se apli ca un pequefio voltaje senoidal de entrada vge = Vip Sen 0” mientras el transistor opera en Ja regién activa, el potencial de la base sera vg = Va + Ype ¥ la corriente de la base co- rrespondiente sera jg = fp + fp. La respectiva corriente del colector serd ic = Je + ig, como se ilustra en la figura 5.5(a). La resistencia de ca de sefial pequefia ryy vista pOr vp, setd el FIGURAS.5 BIT con un voltaje de entrada de sefial pequefia cg (para npn) 3 (para pnp) (a) Modelo de seal pequeiia con seis de ed (b) Formas de onda de entrada y de salida 190 CAPETULOS —» —_DISPOSITIVOS DF AMPLIFICACION inverso de fa pendiente de la caracteristica jg ~ vgs €n el punto Q (Ip, Vee), como se ilus- tea en la figura 5.5(b). Esto es, r, se obtiene dividiendo ig de la ecuaci6n (5.7) entre Br. y 68) Si la comiente de la base fg oscila entre Ig + ipo) € fa — feipeoy la cortiente del colecior ic oscilard entre Ie + ie yea) € Le ~ feiguay En Consecuencia, el voltaje colector-emisor veg cambiard desde Ver ~ Yergico Ata Vex * Yxiieny COMO Se ilusita también en Ta figura 5.5(b). La corriente del colector de sefial pequena /, dependers de la ganancia en corriente de ca.a sefal pequefia 8, definida por 69) ig Lat punto Q ia cual puede considerarse aproximadamente igual a la ganancia en corriente de cd en la ‘mayor parte de las aplicaciones. Esto es, Br = Br. La cortiente del colector puede relacionarse con el voltaje base-emisor mediante la transconductancia gq definida por ae dic ues 6.10) Yee Mae | at panto g Ve =F A a vanes 61H donde ta detivada se evalia en el punto Q. Le caracteristica de salida en la regién activa muestra una pendiente finita que representa una resistencia de salida definida por sti dig Tce Mee donde V, es una constante conocida como voltaje de Early, cuyo valor oscila entre 100 ¥ y 200 V, Seguin el transistor [5]. El valor de r, es grande (del orden de 50 kQ) y puede omi- tirse en muchos andlisis. ‘Cualquier incremento de Veg aumenta él ancho de la capa de agotamiento del colec- tor; en consecuencia, el ancho efectivo de fa base se redujo, lo que provoca una disminu cidn de Ig. La disminuciGn de fy debida al incremento de Voe puede modelarse por medio de una resistencia colector-base r,. El valor de r,, puede aproximarse por medio de r,, = 10r,B%, el cual es muy grande comparado con r-¥ Fas ¥ pot lo comin no se incluye en el modelo de transistor, sobre todo en céleulos manuales. De este modo, el comportamiento de sefial pequefia de un transistor puede modelarse por medio de una resistencia de entrada r.,, una cortiente de colector dependiente de la cortiente de base i, = Brig junto con una resistencia de salida 7, y una resistencia colector base r,,. Este modelo, representado en la figura 5.6(a), puede aproximarse como se must en Ia figura 5.6(b). Las representaciones de transconductancia se muestran en las figuras 5.6(c) y 5.6(d). Si la fuente de corriente de Norton se transforma en una fuente de volta dde Thévenin, la figura 5.6(c) se transforma en la figura 5.6(e), donde 145 ~ 8m ‘Obsérvese que las unidades de los pardmetros del modelo de la figura 5.6(a) son dife rentes. Los fabricantes de BIT casi siempre especifican parémetros hibridos de emisor om” min, fos que corresponden al modelo hibrido mostrado en la figura 5.6(0) Los pardmets son los siguientes (véase también el apéndice C): le fc 7 6.12) sl punto Q hig (er,) es la resistencia de entrada en cortocircuito (0 resistencia de entrada) ge (2B) €8 la relacién de corriente de transferencia directa en cortocircuito (0 gana cia de corriente de sefial pequefia). SECCION 5.2» —"TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR 191 FIGURA 5.6 Modelo de ca de sefal pequefia de un BIT eee ie ig Be ij Be c n 3 Bin Bre é re Bi ‘ te eee (@) Modelo de genancio en corsente (Madea waprosimade Be C a cbt 2c ~ 3h foe eo Qa me JZ Din fon Meets = Pee = Te - Te E (@) Modela de transconductancia aproximado (6) Most de ganancia n voltae (© Modelo hibeide ye €8 la relacién de voltaje inverso a circuito abierto (0 razén de retroalimentacién de voltae), la cual toma en cuenta el efecto de vce en ig. Esta razdn es muy pequefa: por lo general, su valor es de 0.5 x 1074, r,, representa el efecto de hy, hog (B/r,) 8 la admitancia de salida a cércuito abierto (0 admitancia de salida) de la uuniGn CE. Esta también es muy pequetia; normalmente, su valores de 10°° . Con frecuencia, hye ¥ hye pueden omitirse en el modelo del cireuito sin una pérdida impor- tante de precisién, sobre todo en célculos manuales. BI subindice e de los pardmetros ft in- dica que estos parametros hfbridos provienen de una configuracién de emisor comin ‘Modelo PSpice/SPICE PSpice/SPICE genera un modelo BIT complejo, siempre que se den varios parimetros fisicos. El simbolo de un BIT es Q, y se describe por medio del enunciado acrombre> Ne a ME gH donde NC, NB y NE son los nodos del colector, de la base y del emisor, respectivamente. QMOD es el nombre del modelo, que puede estar compuesto hasta por ocho caracteres, El enunciado para un transistor npr tiene la forma general MODEL GHDD NPN (EL=AL F2=A2 F3EA3 aN) El enunciado para un transistor pap tiene la forma generat Deh, QHOD FNP {PLSAL PLR? PB-AS «PHM En estos enunciados, NPN y PNP son los simbolos que representan a os transistores npr Y¥ pnp, respectivamente, P1, P2,..., PNy Al, A2.... ANN son los parémetros y sus valo- res, respectivos. ‘A manera de ejemplo, deduzcamos dos pardmetros, /s y Br para el transistor Q2N2222. ‘Aller la informacién de la gréfica de vge contra igen ta hoja de datos para Q2N2222, s¢ ob: tiene pp = 0.7 V con ic = 20 mA. Si se sustituyen estos valores en la ecuacién (5.7), se obtiene 07 roma = ifn (se2) - 1] 192 Polarizacién con cd de los BIT FIGURA 5.7 Circuito de potarizacién deed CAPITULO 5» —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION la cual da f, = 3.295 x 10 A. La ganancia de ed jp para fc = 150 mA puede variar en- tre 100 y 300, Sin embargo, esta variaciGn no esta definida, y puede cambiar de manera aleatoria de un transistor a otro del mismo tipo. Como aptoximacién de trabajo, casi siem- pre se utiliza la media geométrica; esto es, By = V'100 * 300 = 173. Como el valor del voltaje de Early no esté dado, supongamos Vx = 200 V. Con estos valores de Is, Bp Y Va, el transistor Q2N2222 puede especificarse en PSpice/SPICE por medio de tos siguientes enunciados: ot me NB Ne oD (OOEL 282222 MEN (1583.2898-16 BF=17S vA=200 AL utilizar un transistor para amplificar el voltaje (0 la corriente), se tiene que polarizar el ispositivo. Las razones principales para la polarizacién son activar el dispositivo y, en par- ticular, situar el punto de operacién en la regién caracteristica donde el dispositive opera ‘con mayor linealidad, de modo que cualquier cambio en la sefal de entrada provoque un ‘cambio proporcional en la sefial de salida. En la préctica, normalmente se wiliza una fuente de ed fija, y los elementos del circuito se seleccionan para polarizar las uniones colector- base y emisor-base con la magnitud y polaridad apropiadas. Existen muchos tipos de cir cuitos de polarizacién; el més utilizado se ilustra en la figura 5.7(@) +e Vee (2) Cireuito de polacizacion (b) Ecquivalente de Thevenin Puede determinarse el punto de polarizacidn si se conocen los valores de fos elemen- tos del circuito y las By de los transistores. El andlisis se simplifica remplazando Ry y Rp con el voltaje y la resistencia equivalentes de Thévenin, Vy y Rry, Como se muestra en It figura 5.7(b). El remplazo esté dado por Ry 6.13) 6.14) Usando la LKV alrededor del lazo I de la base, y con Ig = (1 + Bpiig. se obtiene Vin = rida + Vor + Bele = Rrvly + Vag + (1 + BA Rely Para un valor conocido de Vpg (que, por lo general, cs 0.7 V), la corriente de base fy est dada por Vin — Yas (515) Rut + BpRe FIGURA 5.8 E Recta de carga y punto Q Disefio de circuitos de polarizacion SECCION 5.2.» — TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR 193 Entonces, la corriente de colector fc puede obtenerse mediante Io = Bel (5.16) Una vez. que se conocen los valores de Ig ¢ Uc, puede determinarse Veg por medio de Vor = Yoo = Role ~ Rel = Voc ~ (Bre + Rell + Bella, (S17) ‘Al aplicar la LKV alrededor del Lazo formado por el colector, el emisor y la fuente de ali- mentacién de ed Veo, se obtiene Veo = Role + Vee + Rele 6.18) Al sustituir Fg = fo/ay en la ecuacién (5.18), se tiene que Veo = Role + Vou + Rele/g Ja cual leva a k Vos = Yoo (Fe + we 6.19) oF En la préctica, fp >> I y ay ~ 1. Por tanto, la ecuacién (5.19) puede aproximarse mediante Vor ~ Veo - (Re + Ree (5.20) que es la ecuacién de una linea recta y representa la recta de carga, como se ilustra en la fi gura 5.8. Koc Ret Be Pan Uy fos Veed fe 4 Ret Re oe (Para np) ‘Soe (Pata pp) Como normalmente se superpone un voltaje de ca al voltaje de operacién base a emisor Var: ppara hacer que el transistor opere como amplificador, el punto Q estd sujeto a oscilar en una wu otra direccién. Por consiguiente, el punto Q debe colocarse de modo que permita un in tervalo suficiente para acomodar la oscilacién maxima de voltaje, y donde la sensibilidad a tas variaciones de la ganancia de ed Bp sea minima, Las siguientes relaciones se utilizan co- mo reglas empiricas para dar un punto @ estable Yoo Vee = 3 (5.21) (5.22) WRy, = + BOR aa 194 CAPITULO > DiISPOSTTIVOS DE AMPLIFICACION Vez, esté refacionado con Vz por medio de Vy = Ve + Vor + lain ~ Ve + 0.7 + lary (5.24) Al despejar R, en las ecuaciones (5.13) y (5.14), se obtiene _ Rm¥ce , = Sok i (8.28) Sustituyendo R, de la ecuacién (5.25) en la ecuaci6n (5.14), se tiene Rive. (626 Voc = Vin ) NOTA: _ Los fabricantes especifican normalmente tres valores para un parimetto: mimo, nominal ¥y méximo. Por ejemplo, la beta (Br) del Q2N2222 tiene tres valores: B- minimo = 100, Br nomi- fal = 173 y By méximo = 300. Es tarea del diseiiador seleccionar el valor apropiado del parémetro ‘0 pardmetros del transistor para determinar los valores de sus componentes. Por lo comin, se utitiza €l valor minimo de fp para obtener el disefio en el peor de los casos del cicuito de polarizacion; s- toes, para obtener el punto @ deseado con el peor valor de Br. EJEMPLO 5.1 ¥ BD SOLUCION Disedio de un circuito de polarizacién para BJT (a) Disefiar un ciecuito de polarizacién de transistor como el que se ilustra en la figura 5.7(a). Usar tun transistor Q2N2222, para el que ip minimo = 100, Bp nominal ~ 173, fg = 3.295 x 10°" Ay V, = 100 V, La corriente de operacién del colector se tiene que ajustar a Ic = 10 mA. La fuente de alimentacidn de ed es Voc = 15 V. Supéngase Vp = 0.7 V. (bj Calcular los pardmetrs de seal poqueta rz. Bm Y fo del transists {€) Usar PSpice/SPICE para verifica los resultados de los incisos (aly (). Je = 10 mA, Ig = 10 mA/100 = 0.1 mAy Veo = 15 ¥. Se diseta para el vator de Pr Corespon dicnte al peor de los casos (es decir, By minimo = 100) (@) Paso 1. Calcular tos valores de a € fe. De la ecuacisn (5.3), ap = Bgl + Bp) = 100/(1 + 100) = 0.99 De la ecuaci6n (5.2) Je = lelag = te/099 = 10 mA/0.99 = 10.1 mA Paso 2. Calcular el valor de Vp, Dela ecuacin (5:22). Ve = Vee/3 = 15/3 = 5V Paso 3. Calcular el valor de Ry y s dsipacién de potencia Re = Vole = 5/10.1 mA = 495 0 La disipacién de potencia de Rees Pre = Fie = (10.1 X 1079 x 495 50.49 mW Paso 4, Catcular el valor de Veg. De la ecuacidn (5.21), Ver = Veol3 = 15/3 = 5 Paso $, Calcutar el valor de Re y su disipacion de potencia Is-5-5=5V 500 9 La disipaion de potencia de Rees Pye = Fee = (10 1079}? 500 = 50 mW SECCION 5:2» TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR 195 Paso 6. Calcular los valores de Ryy y Vay, De la ecuacisin (5.23), (1+ BpRe/10 = + FOO) % 495/10 = 5 KO Roy De la ecuaci6n (5.24), fg $OT H5KXO1 mA =5 407405 =62V Paso 7. Calcular el valor de R, y su disipacisn de po Ry = RyyMoo/ Vay = SKX 15/62 ncia, Con la ecuacisn (5.25), 21k La tisipacién de potencia de Ry es Pay = Woo ~ VinP/Ry = (5 ~ 6.29/12.1 k Paso 8. Calcular el valor de R, y su disipacién de potencia, De la ecuacién (5.26), Ry = RipVee! Veo ~ Vp) * 5k x 15/US ~ 62) = 852K 64 mW La disipacin de potencia de Ry es Via/Ry = 62/8526 Sw Pro (b) Con la ecuacisn (5.8), ry = 258 mV /Ig = By X 25:8 mV/Je = 100 % 25.8 WV /10.mMA = 25K 0 De la ecuacid (5.10), iy = He Vp = 10 mA/25.8 mV = 387.6 mA/V Con ta ecuacisn (5.12), ry = Valle = 100/10 mA 10K FIGURAS.9 Circuito de polarizacién de ed para simvlacion con PSpice (€) El citcuito de polarizacién de od para simulacién con PSpice se ilustra en la figura 5.9. El lista- do del archivo del circuito es el siguiente Bjenplo §,1 cAleulo ce) punto de polarizacie we 20 0 18 m2 wn 2 4 al 3 1 4 gun 4 transistor modelo 0212222 PN (EFHI09 15°3.2986 Ae Enyseiado "odel" Inprine 1 punto de operacion 196 | Amplificadores i en configuracién de emisor comin FIGURA 5.10 Circuito amplificador de emisor comin CAPITULO — > —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION Los resultados del comando .OP se imprimen autométicamente en el archivo de salida. (Los valores ‘obienidos con eéleulos manuales se muestran entre paréntesis.) + suai, SoMa, BIAS SOLUTION TENPERATURE = 27.090 086 © wor WOLTAJE 9000 YOLTAJE M000 YOLTAE. SDD). WOLTAIE Gy) S780 42) 18,0000) 8.885845 1829. 666-05, re-1.o1e-02 (0ma) veess.s3e-01 (0.7 V) vece=4.256800 veges. sueto (SV) emagc=1.096+02 (100) come). 89-01 (0.3876 AV) rere2.c@Eeo2 (258.0) ost 048408 (lokyy Una ver que se establece el punto Q mediante un circuito de polarizacién, puede aplicarse un voltaje de entrada a través de capacitores de acoplamiento, como se ilustra en la figura 5.10. C, y C, aislan las sefiales de cd del citcuito de polarizacién de ta sefal de entrada v, y de la resistencia de carga Ry, respectivamente. Si la sefial de entrada v, estuviera conec- tada directamente a la base sin C,, la resistencia de la fuente R, formarfa un citeuito para Ielo con Rp, y el potencial en la base Vg cambiaria, Asimismo, el potencial en el colector Ve depende de Ry si se quita Cy Supéngase que los capacitores tienen valores grandes, de modo que virualmente se ‘comportan como cortocircuitos ala frecuencia de la sefial de entrada v,..Con un voltaje s& noidal de entrada v, ~ Vq sen «x, el potencial en la base serd vp = Vq + vy, Si la corriet- te en la base ig oscila entre Ip + iypico) € ft — ltipicoy 1a Corriente en el colector ic lo hari entre Ie + icincoy€ fe — icpeoy EW eonsecuencia, el voltaje del colector-emisor vce vatit entre Vor ~ Yaga Vee? Yeagioy Mientras que el voltaje en el colector vc lo hard ent Ve ~ Rellc + tapos) ¥ Ve ~ Rellc ~ iggy) Estas formas de onda se ilustran en Ta Agua 5.10. Como C; bloquea cualquier sefial de cd, el voltaje de salida cambia entre — (Rell fcgntay ¥ (ReLIR Yeti Circuito equivatente de ca Como una fuente de alimentaciéa de ed ofrece una impedatr cia cero a una sefial de ca, Vec puede ponerse cn cortocircuito. Esto es, tanto un lado de Re ‘como de R, queda conectado a terra. El circuito equivalente de ca del amplificador lust do en la figura 5.10 se ilustra en la figura 5.11(a), el cual es similar ala figura 5.9, xo SECCION 5:2» — TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR 197 to en que el suministro de cd Vog y los eapacitores de acoplamiento Cy y C; estén en cor tocircuito, Al remplazar el transistor Q, con el modeto de la Figura 5.6(d), se obtiene el cir- cuito equivalente de ea de sefal pequefia mostrado en la figura 5.11(b), el cual puede repre- sentarse con el amplificador de voltaje equivalente de la figura 5.1 (d). Se considerard a Ry, ‘como un elemento extemo para poder determinar el efecto de la carga. Es por esto que R10 se incluye en fa figura 5.11(b). El andlisis de un amplificador incluye los pasos siguientes Paso 1. Realizar un andlisis de polarizacién de cd del circuito transistorizado, Paso 2. Determinar los pardmetros de sefial pequenia Bay Pa ¥ Yo del transistor. Paso 3. Determinar el circuito de ca equivalente del amplificador, Paso 4. Realizar un andlisis de sefal pequefia para determinar Ry. Avy ¥ Ry FIGURA 5.11 Circuitos equivalentes de un amplficador de emisor comin Ran Ry % (2) Cizcuito equivalente de ca (b) Circuito de seal pequetia R &, Se Ante RSH (©) Circuit simpliicado (a) Amplicader de voltajeequivalente Hasta aqui se han realizado los pasos 1 al 3. El siguiente paso es analizar el circuito ceduivalente de sefal pequetia mostrado en Is figura 5.11(c). para determinar Ry. Avg ¥ Ry Enel ejemplo 5.4, se deduciré la resistencia de entrada R,, la resistencia de salida R,, y la ganancia en voltae sin carga Aj, de un amplificador BIT simple. Se espera obtener resul- {ados similares en este caso, excepto porque se incluiré la resistencia de polarizaciGn Rg, la cual redueiré el valor de Ry Resistencia de entrada R, Al aplicar la LKV alrededor del lazo I formado por r, y Re en Ia figura 5.1 1(c), se Gene ra + Reig = iglty + + Bre Re (627) Ta cual da la resistencia R, en la base del transistor como My Ay ‘ 6.28) EU Rte = hy + 0 + BORE 198 Capiruio 5» DISPOSTIVOS DE AMFLIFICACION | Por tanto, la esistenca de entrada del amplificador es a combinacién praela de Ry, Ry y R= B= RR IR = Ro lihy (s29) donde R= BIR 620) Por consiguiente, R, depende de Re, Ry y Ry. Sus valores pueden escogerse de modo que den {a resistencia requerida del amplificador. Resistencia de salida Ry La resistencia de salida R, que es la resistencia de Thévenin, puede calcularse a partir de la figura 5.L1(c) si v, se pone en cortociteuito y se aplica un voltaje de prueba », a través de Re. Como v, = 0, la corriente de la fuente dependiente ser cero; es decir, el circuito estard abierto. La resistencia de salida seré, simplemente, Re. Es- woes, Ro = Re 631) El voltaje de salida a circuito Ganancia en voltaje a circuito abierto (o sin carga) Avg abierto es RB (5.32) E1 voltaje base-emisor vj, el cual controla la corriente en el cotector, puede relacionarse con r, por medio de (8.33) Me = Fal Al sustituir é, de ta ecuaciGn (5.27) en la ecuacidn (5.33), se obtiene “Tet bgrate ina | y sise sustituye tye de la ecuacisn (5.34) en la ecuacién (5.52), el voltaje de salida es chm FU aah expresién que da la ganancia en voliaje a circuito abierto A, como Fi ~ Sulake eeecteeere det Mo TU Batgihe hy t+ BR Esta ecuacién indica que la ganancia en voltaje A,p puede ampliarse (a) con Re = 0, (b) con | un transistor con ua valor grande de gj, (0 f,) 0 (c) seleccionando un valor grande de Re i Con Re = 0, la ecuaci6n (5.35) da la ganancia en voltaje maxima a circuito abierto como Me 6.38) Avnany = ~ 636) i FIGURA 5.12 Hee | Amplificador BIT con dos resistores de emisor a ' . 4 . : aa arece +1 cos if + 7 ” RRS adn 4 - = Be Row ©) Circuito equivalent de ca (4) Polarizacién con dos transstores de base 202 FIGURA 5.16 Circuito equivalente para ddeterminar la resistencia de salida R, CAPITULO > DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION rminar la resistencia de entrada R, Al aplicar la LKV alrededor del Lazo base-emisor I de la figura 5.15(c), se obtiene Vy = fyfg + ilRellR) = fry # (1+ BORE LRT ab Ja cual da la resistencia Ren la base del transistor como rg + (1 + BR IIR) (5.42) La resistencia de entrada R,, que es la combinacidn en paralelo de Ry y Ry, €5 eee ol Re 643) Ganancia en voltaje a circuito abierto (o sin carga) Ay, El voltaje de salida a circuito abierto ¥, es ie = (iy + SuYve Re (5.43) Puesto que pe rly, 9 tiene que Vp = lly + Bale = + Sah adigRe = 01+ BdiaRe ‘Al sustituité de la ecuacién (5.41), el volte sin carga v, es (14 BORE r+ (1 + BORE *e cexpresién que da la ganancia en voltae a ci ito abierto A, como G+ gyre _ + BORE 1 ++ BPR ryt (+ BPRe 1+ r,/(U + BARE] Cuando ry <<(1 + B)Re, que es el caso més general, la ecuaci6n (5.44) puede aproximar: se por medio de Ay ~ 1 (5.44) %» Resistencia de salida R, La resistencia de salida R, se calcula aplicando un voltaje de prucba v, a través de las terminales de salida y poniendo en cortocircuito la fuente de en- trada v,, como se muestra en la figura 5.16, Para tomar en cuenta el efecto de r, en Rye la figura 5.16 se incluye r,. La corriente de la base iy fuye a través de r,, la cual esté oo” nnectada en serie con la combinaciGn en paralelo de R, y Rp} por consiguiente: ese 645) Pre + RllRp) Usando la ley de Kirchhoff de la corriente (LKC) en la unin det er ‘or se obtiene SECCION 5.2» TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR 203 Puesto que ve = —iyry al sustituir i, de la ecuacién (5.45) en la ecuacién anterior, se ob- tiene Met Safes a fot eeliiawe Re | ty) e+ RIRy) y+ RMR) te eit | la cual da la resistencia de salida R, como ryt (RR) R, eb rg] (5.46) 1+ B Por tanto, Ry es la combinacién en paralelo de Re. ry ¥ [re + (R,{Ry)] ceflejada en la rama donde ciscula iy hacia la rama donde circula i,. Como By >> 1 y Ry << Rp. la resistencia de salida R, puede aproximarse mediante R,~ (ry + R)/By. EJEMPLO 5.3 F oD SOLUCION Diseio de un seguidor de emisor (a) Disefiar un seguidor de emisor con la topologta mostrada en la figura 5.15(@). Usar un cransistor Q2N2222, con ip minimo = 100, fe nominal = 173, fs = 3295 x 107" Ay Vq = 100 V. Laco- rriente en el colector de operacién es fc = 10 mA. La fuente de potencia de ed es Vec = 15 V. Su- ponga que Vig = 0.7 V, R = SkAy R, = 2500. {b) Use PSpice/SPICE para verificar los resultados del inciso (a). (a) Paso 1. Diseiiar el circuito de polarizacién, Ic = 10 mA y Veg = 15 V. Se. en el peor de los easos de Be = 100. Ip = (+ Bple/ Bp = 10L X 10 mA/100 = 10.1 mA Ig = Je/By = 10mA/100 = 0.1 mA Segin la eeuacion (5.40), Ve = Vec/2 = 15/2 = 7.5 V, que da el valor de Rg = Ve/le = 75/10 mA = 743.0 La disipacign de potencia de Ry es Pag = FR ~ (OA may? X 743 = 75.8. El voltae en la base Vp e convierte en Vy = Vp + Vpp = 75 + 0.7 = 829 El valor de Ry so determina por medio de Yoo = Va _ Woe Yale ty te 15 ~ 8.2) x 100/10 mA = 68 KO La disipacin de potencia de Rye 647) Pag = 1BRy = (0.1 mA)? x 68 eo ~ 1BRe 0,68 mw Paso 2. Determinar los pardmetros de sefal pequefia del transistor. Los resultados del ejemplo 5.1 dan rz = 258.0, Bp = 387.6 mA/V, fy = 100 y r, = 10 KO. Paso 3, Calcular los valores de C, y Cy Sean C, = C= 10 pF Paso 4, Determinar los valores dela resistencia de entrada (0 Ay ¥ la resistencia de salida R,, De la ecuacién (5:42), la ganancia en vollaje a citeulto abier- R= ry #0 BAR Ry) = 258 + (1 + 100) X (743 |] 5K) = 65:59 KO De ta ecuacisn (543), Ry = RylR, = 68 k 165.59 k = 334 kM Reg = Yfig = R +R, = BAK + 250 = 336KO Capfruto 5» DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION De ta ecuacién (5.44), Ayy = + BpRe/ try + + BPREL (1 + 100) % 7437/1258 + (1 + 100) x 743) 9966 De ta ecuacidn (5.46), + Rll) 258 + 250/68 fe RIF pagy ro ny OURS _ +B, a110Kd G99 58 La resistencia de salida que incluye @R, es Roy = RR, = SKIS ~ 4990 fe lIrol 4b) El circuito de seguidor de emisor para simulacién con PSpice se muestra en la figura 5.17. El is: tado del archivo del circuito (Seguin la figura 5.15(c)] es el siguiente: Ejenple 5.3 VerLtscacion del disefo del seguidor de enisor wioW Seta! de entrada ce 1 ¥ Rs 1 2 250 re 2 0 6K ner? 3288 we 2 4 OC OF; Mide La corriente de base ae 40D 40 FL 0 YR 100 + Puente de corslente controlada por corciente wo va eneia da fant, Rab y AUS PSpi Las graficas de PSpice, mostradas en la figura 5.18 para v, = 1 V, dan vg = 987 mV y Regi = Vas sp Tapa) = 42-53 KO (Cl valor esperado es 33.6 KO) y una ganancia en voltae de A, = v/v, = 0.987 {el valor esperado es 0.9966). Si se ejecuta la simulacién con un valor muy grande de R,, que tiendt 2 infinito (por ejemplo, Ry, = 10 GM), el voltaje de salida sera el maximo ¥y¢q4y) En tal e250 $i se conecta la carga normal (por ejemplo, R,, = 5 {2 y se ejecuta la simulacién, el voltae de salt se reduce debido al fujo de cortiente a través de la resistencia de salida R, del amplificador. La si rmulacign con PSpice da v, = 987 mV y vseuss) = 990 mV para Ry, = 10. GQ. Por tanto, R, puede ‘obtenerse a partir de Ay iu — Rahal Ri, Feeney ~ la cual da Ry ~ Roemiay ~ Yo)/Yy = 5 KE X (990 — 987} mVOORT mV Amplificadores gn configuracién de base comin SECCION 5.2» — TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR. 205 FIGURA 5.18 Grificas de PSpice del ejemplo 5.3 > NOTA: El ejemplo simula los pasos que se seguirfan normalmente para medi en el Laboratorio la resistencia de salida de un amplificader. Tal como se esperaba, los resultados simulados difieren de los valores de diseiio, por lo que deben modificarse los cileulos de disefio. Incluso si se modifica et diseito para satisfacer las especificaciones, puede esperatse que los resultados sean diferentes de los que se obtendrian en el laboratorio, aunque no de manera significativa, Si se ejecutara una simulacién con PSpice del circuito lineal mostrado en la figura 5.15(¢), los resultados se aproximarin a los valores esperados, aunque no tomardn en cuen- ta el comportamiento no lineal del transistor. Los resultados del andlisis TF son los si- guientes (Ios valores obtenidos con calculos manuales se mucstran entre parSntesis, ala de- recha) SHALL-SIGIRL, CHARKCTERISTICS 41a) 71999, 8848-01 A, = 09884 (0.9966) SPOT RESISTANCE AT ¥S03.3108+04 Ray = BAKLGIGRD ODTEOE RESISTANCE AT V[4)=4.9618+00 Rey = 4981.04.99.) En un amplificador en configuracién de base comin, la sefial de entrada se aplica en la ter- minal del emisor, esto es, la base es comin tanto a la terminal de entrada como a la de sa~ lida. Este amplificador tiene una baja resistencia de entrada, Sin embargo, no existe cambio de fase entre las sefiales de entrada y de salida; esto ¢s, la setal de salida esté en fase con fa de entrada. En la figura 5.19(a) se muestra un amplificador de base comiin. La configu- racién de este circuito puede parecer diferente de la del emisor comiin, pero no 10 es. El FIGURA 5.19 Amplificador de base comin Vee Nec (8) Cireuito ampliicador () Versién lternativa 206 FIGURA 5.20 Circuitos de ea de sefial pequeita equivalentes de un amplificador de base comin CAPITULO 5 —» — DIspositivos DE AMPLIFICACION circuito puede volverse a dibujar como se muestra en la figura 5.19(b), donde la sefial de entrada ¥, est4 conectada a la terminal del emisor mediante un capacitor de acoplamiento C,. Asi, Ia polarizacién de este citcuito es idéntica a la del emisor comin, y la técnica ana- lizada con anterioridad puede aplicarse al disetio del circuito de polarizacién de ed. ‘Supéngase que C,, Cy y r, Son muy grandes y tienden a infinito. Es decir, C, = C; y ry = >. El circuito equivalente de sefal pequetia de ca del amplificador de la figura 5.19(a) se ilustra en la figura 5.20(a), el cual puede simplificarse como se muestra en la fi- ura 5.20(b). Ry se considera un elemento externo y no se incluye en la figura 5.20(a), Este amplificador puede estar representado por los amplificadores de vollaje y transconductan: cia equivalentes mostrados en las figuras 5.20(c) y 5.20(4), respectivamente, M + R EB ¢ Fees Viatie ti, nr ‘ll to © ¢ Sa fn 7 I+ pti () Circuito simplifeado {) Ampliicador de voltae equivalente (@) Ampliicador de transconductancla Resistencia de entrada R, Como v, = —i(ry + Rp) en la figura 5.20(b), el voltaje ¥ puede relacionarse con el voltaje de control vy. de la siguicnte mancra: Vp = (5.48) oe TF Ry donde Ry = Rill. Al aplicar la LKC en la unién del emisor de ta figura 5.20(b), y sust tuyendo Yhe, se obtiene Sate 1 +B, ryt Ry tet Re ~ Bante Ry Ja cual da la resistencia R, en la terminal del emisor como tata _ tet Rp TF Baly Br La resistencia de entrada R,, que es la combinacién en paralelo de Re y Ry, &s ee i ene) Gal BN 1+ Br Puesto que (r+ Rp)/ Br tended un valor pequefo, la resistencia de entrada R, por lo ge] ral es baja. Esta es la mayor desventaja de un amplificador de base comtin. Por tanto, Rea RR, Reh y= FIGURA 5.21 Configuracién de base ‘comin con capacitor de desvio Cy SECCION 5.2» TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR 207 Ganancia en voltaje sin carga Ay. El voltaje de salida sin carga v, es 9 = eRe = ~Rekimtbe Al sustituir vpp de la ecuacién (5.48), se obtiene ta cual da la ganancia en voltaje sin carga Ayg como Swe _ _BiRc “TLRs 5.50) ry thy Fr oa La ganancia en voltae sin carga 4, puede incrementarse con Rg = 0 si se conecta un capacitor de desvio Cy entre la base y tierra, como se muestra en la figura 5.21. La ecua- ci6n (5.50) da la ganancia méxima en voltae sin carga como - BRe (81) Resistencia de salida Ry Suponiendo que la resistencia de salida del transistor es muy grande y tiende a infinito (esto es, r, = =), por inspeccién se ve que R, ~ Re. EJEMPLO 5.4 SOLUCION Determinacién de los parimetros de un amplificador de base comin En cl amptificador de ba- se comin de la figura 5.19(a), Ry = 13.16 KO, R; = 806 KO, Re 00.0, Ry = SKA 50 0, Los pardmetros det transistor son ry = 258.0, 6 =. Supsingase que (a) Cateular la resistencia de entrada Ry, (¥/id, la ganancia en volaje sin carga Ayy (=¥,/%). la resistencia de salida Ry la gananeia en voltae total A, (=¥,/¥,) y la ganancia en voltaje méxima per misible Avene {(b) Usar PSpice/SPICE para verificar los resultados det inciso (2). (a) En primer lugar se determinan Rg y Ry: Rg ~ Ry [Ry = 13.SK|| BOK = 5K Ry = (rq + Ry By + 1) = (258 + SkVIOL = 52.1.0 De la ecuacién (5.49), R= Rell Ry 195 52.1 = 47.10 208 CaPiTuLO 5 > DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION Por tant, Reg B+ R,= AT +250 = BTID De la ceuacién (5.50), Aug = ByRe/Mty ~ Ry) = 100% 500/(258 + 58) y R= Re = 5000 En Ia figuea 5.20{c) se ve que la ganancia en voltaje global A, es ARR 95 XAT x Sk 2 RFR NR, FR) GTAF2SONSE + 500) La ganancia en voltaje maxima permisible esta dada por iclrg = 100 X 500/258 = 198 ee 4, (b) Ei cireuito de seguidor emisor para la simulacién con PSpice se iustra en Ia figura $.22, El lise {ado del archivo del circuito se presenta a continuacién: jenplo 5.4 Analisis de un anpliticadec en conciguracién de base cond willow 7 Sefal oe enteads do 1 ps 1 2 280 RL 4D 608K fe 40 13.26 eet 23 288 We 43 bo OY; Hide La cocriente de base ne 2 0 498 FL § 2 Vk 100; Puente de corriente controlads por corriente fo 5 2 1.2K re 3 0 500 aL so 5K ne vis) v8 i asdlisis de la funcion de transterencia de Rent, Real y AVE FIGURA 5.22 Circuito amplificador de base comin para simulacién con PSpice HS sv & wy wie a i a festa by | tone aia : “4 tv © fin Sofa sth tav ¢ scokn Sasa 5 Vo Las grfics de PSpice, que se muestran en la figura 5.23 para v, = 1 mv, dan vp = 144 ONE Bee ee Tiga 2860 el valor espera es 2970) eon una ganareiaen vole Ay = ol es mee Stead es 13), Por tant, ls ellos se aproximan a Ios valores eeperad Amplificadores con cargas activas FIGURA 5.24 ‘Amplificador con polarizacion de fuente de corriente SECCION 5.2 » — TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR 209 FIGURA 5.23. Grificas de PSpice del ejemplo 5.4 > NOTA: Debido a la baja resistencia de entrada, la ganancia en voltae total A, se reduce conside rablemente. El capacitor colector-base C,, de baja capacitancia, aparece entre las terminales de sali da y base, po entre las terminales de salida y de entrada. Si se conecta un capacitor ente las termi nales de entrada y salida de un amplificador, la capacitancia se somete al efecto de maltiplicacién de Miller, como se vio en la secci¢n 4.9, En un amplificador de base comiin, C,, no experimenta el efec- tode multiplicacién de Miller, y por es0 se utilizan amplificadores de base Comin en aplicaciones de alta frecuencia, Los amplificadores de emisor comin, seguidor de emisor y de base comiin analizados has- ta este punto, se polarizaton por medio de resistores. Por ejemplo, Ry, Rs, Rc y Re de la f- gura 5.7(a) establecen el punto Q. Asi, con la ecuacién (5.36) se encontré que la ganancia ‘en voltaje méxima es IR voinan) = “Binley = 35.8 mv Para obtener una ganancia en voltaje grande, el producto /cR¢ debe ser grande. Esto requie re tanto un voltaje de alimentacién Vec grande, como valores grandes de resistencia Rc. Los amplificadores también pueden polarizarse con tna fuente de corriente, como se mues- tra en la figura 5.24(a). La fuente de corriente ideal tiene una comriente de cd constante y una resistencia de salida muy grande r, que tiende a infinito. Si la fuente de corriente tiene una resistencia de satida grande r,, la ganancia en voltaje también seré grande, Se utilizan fuentes de corriente para potarizar transistores en circuitos integrados. Existen varios tipos de fuentes de corriente, las cuales se analizan con detalle en el capitulo 13, Para obtener tuna oscilacién amplia en el voltaje de salida, el amplificador se conecta a dos fuentes de ed, como se muestra en la figura 5.24(b), TR A chee Yee Mee (2) Ampliicador de emisor comdn (b) Seguidor de emisor con dos fuentes de cd 210 CAPITULO 5 ©» DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION Fuente bipolar de corriente La fuente de corriente para los teansistores de polatizacién de la figura 5.24(a) puede generarse con dos transistores y un resistor, como se muestra en la figura 5.25(a). Si se requiere una caracteristica de diodo en fos citcuitos integrados, por lo general s¢ hace funcionar un transistor come diodo, con el objeto de evitar otto proceso de fabricacién, La unién base-colector de un transistor se pone en cortocircuito, de moxio que su unién base-emisor exhiba una caracteristica de diodo. Se dice, entonces, que este tran sistor esta conectado como diodo. El transistor Qa de la figura 5.25(a) esté conectado como diodo, y su Voltaje colector-base se ve forzado a cero. Qy contina operando internamente ‘como transistor en la regién activa, aunque exhibe la caracteristica de un diodo. Supénga- se que Qy y Q; Son dos transistotes idénticos, cuyas corrientes de fuga son insignificantes y sus resistencias de salida son grandes. Como los dos transistores tienen los mismos vol- tajes base-emisor (Vag) = Vags), las corrientes de colector y de base serdn iguales, Esto es, fer = lex @ Tea Al aplicar la LKC en el colector de Q,, se obtiene la corriente de referencia: es Fret = Como fey = Beles feet = tea * Alps = Neg + 2e3/Be Ja cual da la corriente de colector fe, como 1, ese (652) 14 2/6, Si Bp >> 2, que es el caso mas comin, la ecuacién (5.52) se puede aproximar con Vee3 (8.53) Tea De este modo, con dos transistores idénticos, las corrientes de referencia y de salida son iguales. En la practica, sin embargo, los transistores posiblemente no sean idénticos y las dos corrientes de colector tendrén una relacién constante. Bl circuito equivalente de se jal pequetia de ca se ilustra en la figura 5.25(b). Fl circuito equivalente para determinar Ry aparece en la figura 5.25(c), donde la resistencia de salida r, es la misma que ry ¥, ¥, a Ate rat Th (MEV, = Vy is lca Amplifcador de emisor comiin En ta figura 5.26(a) se muestra un amplificador de emisor comin con una fuente de corriente, Esta se compone de transistores pnp, y su resistencia de salida actiia como Ia carga del transistor Qy V3) 654) FIGURA 5.25 Fuente de corriente con transistores (2) Roente de corriente —— (b) Equivaleate de sefal pequesia (6) Equivatente para determinar R, FIGURA 5.26 Amplificador de emisor ‘comin con una fuente de SECCION 5.2» TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR aun Se dice que la carga es activa porque el elemento de carga del colector es un transistor pnp. cen lugar de un resistor. Si se remplazan los transistores con sus modelos de seftal pequeita, se obtiene el circuito equivatente de ca mostrado en la figura 5.26(b). La resistencia de sa- lida R, en las terminales de salida es la combinaciGn en paralelo de las resistencias de sa- Iida de los dos transistores, por fo que Ry= reallro1 (55) El voltaje de salida v, es % = ~Banttoall ron expresién que da la ganancia en voltae sin carga A,, como A Binltoa ll Tot (3.56) Ki og ea aay R (2) Fuente de corriente (b) Eaquivatente de seal pequeia EJEMPLO 5.5 SOLUCION Diseiio de un amplificador de emisor comin con una fuente de corri (a) Disefar un amplificador de emisor comin con una fuente de corriente activa, como el que se muestra en la figura 5.26(a). Use wansistores Q2N2222 y Q2N2907, con wna Bf nominal = f= 173, J, = 3.295 x 10°" Ay Vg = 100 V, La cortiente de operacién del colector es fc = 10 mA. La fuen- te de alimentacign de ed 5 Voc = 15 V. Suponga que Vag = 0.7 V. (b) Usar PSpice/SPICE para verifiar los resultados del inciso (a). (a) Paso 1. Disefiar la fuente de corriente de polarizacién. fc = 10 mA y Vee = 15 V.Con la ccua cid (5.53) puede encontrarse el valor de R para establecer ta corriente de polarizacion como Ie 10 mA Yoo ~ Yars. 1, lst 15-07 R 10mA ako. Paso 2. Hallar los pardmetros de sefal pequefia de los tansistores. De li ecuactén (5.8). 2 258 mV/ly = Bp X 25.8 mV/fe = 173% 258/10 mA = 446 0 De la ecvacidn (5.10), Smt ~ Baa ~ fo/ Vy = 10MA/25.8 mV = 387.6 mA, De la ecuaci6n (5.12), Tau = fon = Valle = 100/10 mA = 10K. Paso 3. Calcular los valores de la resistencia de salids R, abierto Ay, y la resistencia de salida R,, Se sabe que vy/igh la ganancia en voltae a cieuito R= ry = 446.0 212 CAPITULO S — > DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION, De ls ecuacién (5.5), Ry =realros = KEIR = 540. De la ecuacién (5.56). Aug = ~8piltog oq) = 7387.6 MA/V X Sk = — 1938 ‘que es muy grande comparada con el voltaje maximo a circuito abierto para las especificaciones del ‘ejemplo 5.1, dado por Avorauay = ~BiRo/ ty = ~173 * 500/446 = ~193.9 (b) Con la ecuacisn (5.7) puede calcularse el valor de vgg, necesario para dar Ic = 10 mA para I 3.295 x 10a: 1omA ~ 3295 x 10°" x exp Yee 258 mV Ja cual da vggy = 0.682 V. En la figura 5.27 se muestra el amplificador de emisor comin con carga activa, para la simula: ‘cin con PSpice. El listado del archivo del circuito es el siguiente Eyemplo 5.5 Vorificacsén de} dlseto de un anpliicader ce enisor conin con une cargo active vee 4 0 0 18 1 fuente de ws 1G DC 0.708Y 7 Woltage de setal ae entrade R30 14 a2 1 0 com 2 teenaistor apn aedele q202222 WooeL 0282222 KP SEI YAelGG) 7 Enunciado “ode!” 23 § gm 7 TeansLstor erp adele 0N2222 33 4 e207 ansistor pep modelo g2N2307 MODEL G2N2907 RAP (QEHIT2_1563.2958-16 ¥ar1O0 + Enunciado “Mode!” pe Vs 0.68 4.74 O.UMT 2 Barrige de ca Te vi2) ¥S 1 EL andlisis de 1a funeign de tvansferancia da Pent, Peal y A¥0 oe mprime el punto ce operacien prone, ex FIGURA 5.27 Amplificador de emisor ‘comin con carga activa, para simulacién con PSpice Yee & 165 SS env, a Re o2n7222 143k -% La gréfica de PSpice dela funcisn de transferencia v, [=V(QU:C)] en funciéa de vg se ilusta Ja figura 5.28. Notese que cl inervalo de operacién del voltaje de entrada es muy pequeio; esto 8.563 mV (709,863 mV ~ 701,30 mV). Asi, la ganancia de sefal pequeda es ~15 V/8.563 mV = 1752. A continuacién se dan los dealt del analisis TF. Los valores obtenidos con edleulos a uals se muestran entre paréntesis, El valor de vg (= Ye) 5€ aust 0-705 V, en lugar de 0.682 ¥. para operar en el intervalo tinea! del amplificador e ilustrar el beneficio de! uso de una carga activ ‘Como la ganancia en voltae es muy grande, cualquier cambio pequetio en vs puede sauurar al ample SBCCION 5.2.» —TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR 213 ficador. Por consiguiente, si se construye el amplificador y se prueba en el faboratorio con un valor de vs = 0.682 V, es probable que no funcione; es necesarioajustar vs, En el listado de simutacidn del citeuito el voltae de entrada cambia desde 681 mV hasta 685 mV. s+ SALLASEGHAL CHARACTERISTICS WrQh:0)/¥s=-1.796¢03 Ag = 1796 (1938) INPUT RESISTANCE AT YS8.2626802 Ree 526 (445.0) (OUTPUT RESISTANCE AT Vigh:C|=t.7266403 R, = 4726015 KO) ‘Los resultados del comando .OP son los siguientes: ve, @ a ove cax2s07a—_grena07R 5 ME3REDS HIRES (y= 578 HAD ic “1.008-02-$.358-03 Ue = I-mA) vse ST.HEE-DL—-7.868-0 (Wye = 0.705 9 om 386-01 TEM] gy = 03876) wor S.seeec2 5.986402 y= 4865.) © Leon Line (r= 10K FIGURA 5.28 Grifica de PSpice del ejemplo 5.5 ‘ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 5.2 + ELBIT es un dispositivo no lineal controlado por corriente, La coriente de coleetor depen- de de la cotiente de base, existe una ampiificacin de corient + La caracterstca de salida de un BJT se divide en tres regiones: (a) na regi6n de corte, en ta cual e transistor esté apagado; (b) una regi6n activa, en la que el transistor exhibe una al- ‘a resistencia de salda y tiene una ampliicaciin de corrent,y (6) una regién de saturacin, cn la cual el transistor oftece una baja resistencia. El BIT opera como amplifcador en lar ‘6m activa, y como interruptor en la regi6n de saturacién, + Es necesario polarizar apropiadamente el BST para activar el dispsitiv y también para es- |, tablecer un punto de operacién de ed, de modo que un pequefo cambio en la corriente de \ base provoque un cambio dela corriente de colctr. + El amplificador BIT puede usarse com etapa intermedia, ofteciendo una baja resistencia de salida y una alta resistencia de entrada, Para analiza un amplificador BYT, el transistor se re- presenta por medio de sus madelos decd y de sefial pequefia de ca. Por consiguiemte, se rea~ lizan dos tips de andlisis: uno deca y otto de ed. Los pardmetros de os modelos de seni pequetia dependen del punto de polarizacién de ed. Las expresiones para la resistencia de entrada R,, la resistencia de salidaR, y la ganancia en voltae sin carga A, se resumen en la ‘abla 5.1 + Los BIT pueden usarse para consirur una fuente de corrente la que a su ver puede polar zat un amplificador BIT y actuar como una carga de alta resistencia, con fo que se obtiene una alta ganancia en voltaje 214 TABLA 5.1 CAPITULO S > —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION Resumen de expresiones para amplificadores BJT “Amplificador de emisor comin (Fg. $.12] ‘Seguidor de emisor Fig. 5.15) ‘Amplificador de base Amplificador de emisor comin | ‘comin (Fig. 5.19¢3)] ‘con carga activa [Fig. $.264a)] RO) : Ry Ay (W/V) Kalle + (+ BORe) Re see eg ret + BPR ret Ry Raley + + BVRE IRM Kell a if rat (RL Ry) a (1+ BoRe Fett BAR Re rab AiR a “saute od 5.3 Transistores de efecto de campo Compuena Los transistores de efecto de campo (FET) son la siguiemte generacisn de transistotes, des- pués de los BJT. El BIT es un dispositivo controlado por corriente, y su corriente de salida ‘depende de la corriente de base. La resistencia de entrada de un BIT es inversamente pro- porcional a la corriente del colector (25.8 mV/Ic) y ¢s baja. El flujo de comriente en los BIT depende tanto de los portadores mayoritarios como de los minoritarios. Por otra parte, et flujo de corriente en los FET depende s6lo de un tipo de portador: el portador mayoritario {electrones o huecos). La corriente de salida de un FET es controlada por un campo elée- Urico que depende de un voltaje controlado. El FET es un dispositivo unipolar y opera co- ‘mo un dispositivo controlado por voltaje. El encendido y apagado del voltaje es més fécil que el encendido 0 apagado de la corriente, sobre todo si existen elementos de almacer ‘miento, como los capacitores. Hay tres tipos de FET: transistores de efecto de campo de ‘metal-6xido incrementales, transistores de efecto de campo de metal-6xido decrementales (ambos se conocen como MOSFET) y los transistores de efecto de campo de unién (FET) El concepto basico del FET se conoce desde los atios treinta; sin embargo, los FET no encontraron aplicaciones précticas hasta principios de los afios sesenta, Desde finales de los aiios setenta, los MOSFET han legado a ser muy populares; se utilizan cada vez més en circuitos integrados (C1). La fabricacién de los MOSFET es relativamente simple, compa- rada con la de los transistores bipolares. El dispositive MOSFET puede hacerse pequetio, ¥y ocupa un area de silicio pequefia en la pastilla del circuito integrado. En la actualidad, los MOSFET se utilizan en circuitos con una escala de integracién muy grande (VLSI, por sus siglas en inglés), como los microprocesadores y los integrados de memoria, FIGURA 5.29 Estructura y simbolos de un MOSFET ineremental de canal Didi desire (810) tales FIGURA 5.31 Polarizacion de un NMOS yde un PMOS SECCION 5.3.» —‘TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. 25 Existen dos tipos de MOSFET incrementales: de canal n y de canal p. Et MOSFET incre- mental de canal n se conoce como NMOS. La estructura fisica de un NMOS se ilustra en {a figura 5.29(a); en la figura 5.29(b) aparece un esquema. Dos regiones de tipo n* actéan como conexiones de baja resistencia a la fuente y el drenaje. Encima del sustrato de tipo p se forma una capa aislante de didxido de silicio, mediante Ia oxidaci6n del silicio. En las regiones n* se forman contactos Ghmicos para conectar el dispositivo al citcuito externo, que consisten en dos ventanas en el diéxido de silicio cubiertas con una capa de aluminio, Normalmente el sustrato B se conecta a la terminal de fuente, El canal n se induce por la influencia de un campo eléctrico; no existe un canal n fisico entre el drenaje y la fuente de un NMOS, como lo ilustra el sombreado oscuro de la figura 5.29(b). En el simbolo del NMOS mostrado en la figura 5,29(c), la flecha apunta de Ia region de tipo p a la regidn de tipo n. Con frecuencia, el NMOS se representa mediante el simbolo abreviado de la figura 5.2%). EI MOSFET incremental de canal p, también conocido como PMOS, se forma con dos regiones tipo p* sobre un sustrato de tipo n, como se muestra en las figuras 5.30(a) y 5.30(b). Las regiones p ofrecen resistencias bajas. El simboto de un PMOS es igual al de un NMOS, excepto en que la direcci6n de la flecha se invierte, como se ve en la figura 5.30(c), En la figura 5.30(¢) aparece el simbolo abreviado. FIGURA 5.30. Fstructura y simbolos de un MOSFET incremental de canal p Disxido > de siicio Msg (SiO) Btectrodo in e aluminio ,Susrato de tipo (cueep) () Ksquema (6) Simbolo abceviado Caracteristicas de transferencia y de salida EI NMOS se opera con voltajes de compuer- ta y drenaje positivos con respecto a la fuente, como se muestra en la figura 5.31(a), mien- tras que un PMOS 0 hace con voltajes de compuerta y drenaje negativos con respecto a la fuente, como se ve en la figura 5.31(b). Sus sustratos estén conectados a la terminal de Ia fuente D > re Med . L Vso Nfle zl (by PMos 216 FIGURA 5.32 Efecios de la variacién de Yas ¥ Vos CAPITULO 5 —» —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION NMOS puede considerarse como integrado por dos uniones de diodo que se forman, entre Ia fuente y el sustrato, y entre el sustrato y el drenaje, como se indica en la figura 5.32(a). Los diodos estén en serie y conectados uno contra otro, como se ve en la figura '5.32(b). Un valor positivo de vpg invertiré la polarizacién del diodo del lado derecho, y la ‘corriente de drenaje ip serd aproximadamente cero si el voltaje compuerta a fuente vgs es, cero, Sin embargo, un valor positivo de vgs establecerd un campo eléctrico, el cual atraeré portadores negativos del sustrato y repelera los positives. En consecuencia, la capa del sus- {rato cercana al aislante de Gxido se vuelve menor de tipo p y st conductividad se reduce, Conforme aumenta vg, la superficie proxima al aislante atraerd mis electrones que huecos, y se comportaré como un canal de tipo n. El valor minimo de vgs necesario para establecer un canal se llama voltaje de umbral V,. Cuando vgs = ¥, la corriente de drenaje ¢s muy pequefia. Para vgs > V, la corriente de drenaje ip se incrementa casi linealmente con vps, para valores pequefios de vpg, como se muestra en la figura 5.32(c). Si el voltaje drenaje a Fuente es bajo (por lo general, menor que 1 V), la corriente de drenaje iy puede calcularse con la ley de Ohm (ip = ypg/Rps). La resistencia del canal entre la fuente y el drenaje pue- de obtenerse con la siguiente ecuacién donde €, esta longitud del canal, desde el drenaje hasta la fuente (en m), ores la conduct vidad del material de tipo n (en U/m), y A es el érea promedio de la seccién transversal del canal (en m°), Ye (anal) : $s (canal p) (©) Corriente de drenaje para un valor pequeie de Vos, (@) Canal estrechado FIGURA 5.33 Caracteristica ip-Yps para ¥oa(>¥)) constante (a) Caracteristcas de salida SECCION 5.3» — TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 217 Regién de saurcion Regién ohmica 4 os (para el canal n> "vps (para el canal?) El incremento de vps no cambia la profundidad del canal det lado de la fuente. Sin em- bargo, esto incrementa vp, 0 disminuye vp, con lo que el ancho del canal disminuye del lado det drenaje. Por consiguiente, el canal se estrecha del lado del drenaje tomando una forma cénica, como se ilustra en la figura 5.32(d). Cuando vpg se vuelve suficientemente grande y el voltaje compuerta a drenaje es menor que V, [esto es, cuando ven = (vgs — ¥os) $ Veh. ocurre un estrechamiento del lado del drenaje del canal. Cualquier inctemento adicional de vps no provoca un incremento grande de ip, y et transistor opera en la regién de saturacién, La caracteristica fp-vps completa para veg Constante se muestra en la figura 5.33, Enla préctica, a corriente de drengje ip sufte un incremento muy ligero conforme au- ‘menta vps, ¥ la pendiente de la caracteristica ip-vpg tiene un valor finito. Las caracteristi- cas de drenaje de un NMOS aparecen en la figura 5.34(a), y las caracteristicas de transfe- rencia en la figura 5.34(b) para un NMOS y un PMOS. FIGURA 5.34 Caracteristicas de drenaje y de tansferencia de MOSFET incrementales Vog=7¥ ev sv Vso = constante Vg = constant av av Canal p — Veg = ¥i= 2 ps (para el eanal n) Fa 50 (pare cana) (by Caracteristicas de transferencia Incrementar vps més allé del voltaje de ruptura, denotado por Vay, provoca una rup- tura en avalancha en el canal, y la corriente de drenaje aumenta rdpidamente, Debe evitar- se este modo de operacién porque la disipaci6n excesiva de potencia puede destruir el MOSFET. Como el voltaje inverso es muy grande en la terminal de drenaje, la ruptura ocu- rre en dicha terminal. Por lo general el voltae de ruptura especificado por el fabricante os- cia entre 20 y 100 V. Asimismo, un valor grande de vgs provocard una ruptura dieléctrica en la capa de 6xido del dispositiv. ‘Como en un NMOS, la compuerta se encuentra aistada del canal efectivo, la corriente de compuerta no puede fluir y, por consiguiente, la resistencia entre las terminales com: puerta y fuente es, en teoria, infinita. En ts préctica, la resistencia es finita, aunque muy grande, del orden de 10° MQ. 218 MOSFET decrementales CAPITULO S —» —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION La caracteristica de salida de un NMOS se divide en tres regiones: hmica, de satura- ida y de corte. Region Ghmica: Para vps $ (ves ~ Vos la caracteristca de transferencia estédeserita por ip = K,f20gs ~ WOvps ~ vbsl (5.87) con fa constante K, dada por Haff ix Ww x= St (2) = cul 2) oan donde L = longitud det canal (por lo general, de 10 wm) en m W = ancho del canal (por lo general, de 100 jm) en m 1, = movilidad superficial de los electrones = 600 em?/V-s fog = espesor del 6xido Coe = capacitancia del MOSFET por unidad de érea La capacitancia del MOSFET por unidad de drea es — Foon donde permitividad del vacio = 8.85 10°!* F/em 5, = constante dieléctrica del SiO, = 4 Para 2igy = 0.05 pum, Coy €8 3.54 X 108 Eom? El valor de pigCyq €8 constante, y depende del proceso de fabricacidn utilizado para el NMOS; por regla general, es de 20 A/V? en el caso de un proceso de fabricacién estén- ‘dar con un espesor del 6xido de 0.1 jum. FI valor tipico de K, es 200 wA/V* Region de saturacién: Para vps = (vgs — Vp) la caracteristica de transferencia se ob tiene remplazando vig en la ecuacidn (5.57) por (vcs ~ V9. Estoes, vas ~ ¥ (559) Regién de corte: En esta regi6n, el voltaje compuerta-fuente es menor que el volsje de umbral: vgs < V,. El MOSFET esté apagado, y 1a corriente de drenaje es cero: ip = 0. ip La construccién de un MOSFET decremental de canal n es muy similar ala de un NMOS. El canal real se forma agregando stomos de impurezas de tipo n al sustrato de tipo p, come se muestra en la figura 5.35(a) El sfmbolo de un MOSFET decremental de canal m aparece en la figura 5.35(b); a menudo, este simbolo se abrevia como el de la figura 5.35(c). Nor- malmente, el MOSFET deeremental de canal n se opera con un voliaje positivo entre las terminales drenaje y fuente. Sin embargo, el voltaje entre las terminales compuerta y fuer te puede ser positivo, cero 0 negative, mientras que el de un NMOS ves es positivo. Caracteristicas de transferencia y de salida | MOSFET decremental puede considerarse ‘como formado por dos diodos: uno entre la fuente y el sustrato, y otro entre el sustrato y el drenaje, como se muestra en la figura 5.35(d). Sin embargo, en operacisn real, los diodes no se comportan independientemente: lo hacen como si estuvieran conectaclos en serie ¥ uno contra otro. Si ¥ps > 0, el diodo del lado derecho se polariza inversamente y n0 fluye corriente a través del sustrato. Supéngase que el voltaje compuerta a fuente es cero: Vas = OV. Si vps se incrementa desde cero hasta alggn valor pequefio (~1 V), la corriente de dre rnaje cumple con la ley de Ohm (ip = vps/Rps).¥ €s direetamente proporcional a vps quier aumento det valor de vps mds alld de |V,|, conocido como voltaje de estrechamieni no incrementa la cortiente de drenaje de manera significativ. La regiGn que ests despues del estrechamiento se conoce como regidn de saturacién. El valor de la cortiente de dren” je que ocurre cuando Ving = |Vpl (con vos = 0) se denomina corriente de saturacion dr FIGURA 5.35 ‘Esquema y simbolos de un MOSFET decremental de canal FIGURA 5.36 ‘Caracteristica fp-Vos para ves(>¥) constante SECCION 5.3» TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 29 D jy wale 4 ise 5 5 (©) Simbolo (©) Simbolo abreviado aT) (Boece (Meade ide naje a fuente {pss. La caracteristica /p-ypg completa para vgs = 0 se ilustra en la figura 5.36. En la practica, la corriente de drenaje i experimenta un ligero incremento a medida ue vps aumenta mas allé de |V,|, y Ia pendiente de la caracterfstica ip-¥ps tiene un valor finito, La saturacién ocurre en ef valor de vps que hace que el voltaje compuerta a canal en ta terminal del drenaje sea igual a V,. Esto es, Yen = "os Yps= Mp 0 (5.60) Regién Ghmica_ Regién de sauracign Wal os Si vas €s negative, algunos de los electrones del drea del canal n serén cepelidos de éste, formandose una regiGn de agotamiento debajo de la capa de Sxido, como se muestra cn la figura 5.37(a). Esta regién de agotamiento daré por resultado un canal mas angosto. Para vcs > 0, la capa de sustrato cercana al canal de tipo n se vuelve de tipo p menor, y st conductividad aumenta, como se ve en la figura 5.37(b). Un valor positivo de vgs incremen- ta el ancho efectivo del canal casi de la misma manera que en un NMOS. Cuando el canal cefectivo se incrementa, se dice que el transistor esté operando en el modo incremental. Las ccaracteristicas fp-yps para varios valores de vgs ilustran en la figura $.38(a). Las carac- teristicas de transferencia aparecen en la figura 5.38(b) para un MOSFET de canal ny uno de canal p. Las caracteristicas de salida se dividen en tres regiones: Ghmica, de saturacién y de conte. Regién Ghmica: En esta regién, el voltaje drenaje-fuente es bajo, y el canal no esté es- trechado. La corriente de drenaje ip se puede expresar como K,[2WGs ~ pps ~ vs] Para. 0 < vps 5 Wes ~ Vp) (5.61) 20 FIGURA 5.37 Decremento e incremento el canal | | (a) Caracteriticas de drenaje CAPITULO 5 —» —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION Vas. (a) Para Vos<0 0) Para Ves>0 Ja que, para un valor pequefio de vps (<<|V,)), se reduce a y= K,l20g5 — Vpps} (5.62) donde K, = Ipss/V3. Regién de saturaci6n: En esta regisn, vp > (vgs ~ V,). El voltae drenaje-fuente vg ¢s mayor que el voltaje de estrechamiento, y la corriente de drenaje ip es casi independien- te de vps, Para operar en esta regidn, vps 2 (vgs ~ V>). Sustituyendo la condicién limitante Vos = (gs ~ ¥p) en la ecuacién (5.61), se obtiene la corriente de drenaje ip como fy = Kyl2vG5 — Vas ~ Vp) ~ Wes ~ Ye") = Ky(vgs ~ Vp (5.63) La ecuacién anterior representa la caracteristica de transferencia, la cual se muestra en Ja figura 5.38(b) para los canales n y p. Para un valor dado de iy, la ecuaci6n (5.63) da dos valores de vgs, ¥ s6l0 uno de ellos ¢s la solucién aceptable, de modo que vgs > V, para cl canal n y vgs < Vp para el canal p. El lugar geométrico del estrechamiento, que describe la FIGURA 5.38 Caracteristicas de drenaje y de transferencia de MOSFET decrementales aw aw vos = 0V “2 4 Mode deementa parsel canal p wea fae Mocemcemental ACCS | Modo decrement puneanala Sparcleanel ps (para el canal n) 5p (paral canal p) oe 0 % “ () Caracteristcas de transferencia Transistores de efecto de campo de union FIGURA 5.39 Esquema y simbolo de un JET de canal n FIGURA 5.40 Esquema y simbolo de un JEET de canal p SECCION 5.3» TRANSISTORES DE BFECTO DE CAMPO 221 {rontera entre las regiones Ghmica y de saturacién, se obtiene sustituyendo vcs = Yog + Vp en Ia ecuacién (5.63): in = Kybops + Vp ~ Vp = Kyi} (5.64) la cual define el lugar geométrico del estrechamiento y forma una parabola. Regidn de corte: _ En esta regién, el voltaje compuerta-fuente es menor que el voltaje de estrechamiento, Esto es, vgs < Vp para el canal n y vgs > V» para el canal p, y el MOSFET esté apagado. La cortiente de drenaje es cero: ip = 0. Existen dos tipos de FET de unién: de canal m y de canal p. En la figura 5.39(a) aparece el ‘esquema de un JFET de canal n. El canal de tipo n se encuentra inserto entre dos regiones de compuerta de tipo p. El canal se forma a partir de material ligeramente impurificado (de baja conductividad) —por lo general, silicio— con contactos éhmicos de metal en los ex- tremos del canal, Las regiones de compuerta se hacen con material tipo p* impurificado en exceso (de alta conductividad), y se unen eléctricamente por medio de contactos Shmicos de metal. Et simbolo de un JFET de canal n se representa en la figura 5.39(b), donde la fle- cha apunta de la regisn de tipo p a la regién de tipo n. — 1% aaa PoP Drensje Fuente ‘ Pucote Tipo p (#) Esquema () Simboto En los JFET de canal p el canal de tipo p se forma entre dos regiones de compuerta de tipo n, como se muestra en la figura 5.40(a). EI simbolo de una JFET de canal p aparece en Ja figura 5.40(b). Obsérvese que la direccién de la flecha en un JFET de canal p es opues- ta a la diteccién de la flecha en un JFET de canal n Compara] Toon Drenaje ‘Contactos éhmcos Fucnte if Drenaje Compuera Fuene (a) Esquema () Simbolo En operaciGn normal, el drenaje de un JFET de canal n se mantiene con un potencial positivo, y la compuerta, con uno negativo respecto a la fuente, como se muestra en La fi- ura 5.41(a), Las dos uniones pn que se forman entre la compuerta y el canal se polarizan inversamente. La corriente de compuerta ig, es muy pequefia (del orden de unos cuantos A). Obsérvese que ic es negativa para los JFET de canal n, y positiva para los de canal p. En un JFET de canal p, el drenaje se mantiene con un potencial negativo, y la com- puerta, con uno positivo respecto a la fuente, como se muestra en la figura 5.41(b). Las dos. tuniones pn siguen inversamente polarizadas, y la corriente de compuerta ig es insignifi- cante. La corriente de drenaje de un JFET de canal p es producida por los portadadores ma- yoritarios (huecos), y fluye de la fuente al drenaje. La corriente de drenaje de un JFET de i 222 FIGURA 5.41 Polanzacion de los JFET | oss Vos = Vos ~ Mp sin dca Regia desu Vox * OV (@) Caracteristieas de salida CAPITULO —» —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION bo D Ie it + : - Ys. 4 Yoo Vso = Yon ale Zo4 eh Vos |y 4x You 5 ¥os It 3 3 (9 Canain ©) Canatp canal n es producida por los portadores mayoritarios (electrones), y fluye del drenaje a la fuente. Caracteristicas de transferencia y de salida Supéngase que el voltaje compuerta a fuente de un JFET de canal n es cero: vgs = 0 V. Si vps aumenta desde cero hasta un valor peque- fio (~1 V), la corriente de drenaje cumple con la ley de Ohm (ip = Vos/Rps). ¥ serd direc- tamente proporcional a vgs. Cualquier incremento de vps més alld de Vl, el volzaje de es- trechamiento, hard que el JFET opere en la regidn de saturaci6n y, por tanto, la corriente de drenaje no aumentaré significativamente. Bl valor de la corriente de drenaje cuando vpg | V4] (con veg = 0) se denomina corriente de saturaciGn drenaje a fuente Iss. Las caracte- risticas ip-vpg para varios valores de vgs se muestran en la figura 5.42(a). Las caracterist cas de salida se dividen en tres regiones: Shmica, de saturacisn y de corte. El incremento de vps ms allé del voltaje de ruptura del JFET, provoca una ruptura en avalancha, y la co rriente de drenaje aumenta con rapidez. El voltaje de ruptura a un voltaje de compuerta igual a cero se denota por Vap. Debe evitarse este modo de operacién porque la disipacién cexcesiva de potencia puede destruir el JFET. Como el voltaje inverso es més alto en lat ‘minal del drenaje, la ruptura ocurre en dicha terminal. El voltaje de ruptura, especificado por el fabricante, por lo general es del orden de 20 a 100 V. PIGURA 5.42. Caracteristicas de un JFET de canal n -2v -4v ~6v ps (para el cana n) ‘5p (Pata eh eanalp) 7G oda be () Caracterstcas de transferencia Region dhmica: En esta egién, el volije drenaje-fuente vps es bajo y el canal noes estrechado, La corriente de drenaje ip puede expresarse como ip = Kyl20qg.~ Vpvos ~ vBs) Bara < vps = (gs ~ Vp) 565) la que, para un valor pequetio de vps (<<[Vp), se reduce a ig = Kyles ~ Vp)»ps] 6 donde K, = Ips5/V2. SECCION 5:3» — TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 223 Regién de saturacién: En esta regisn, vps = (gs — Vp). Fl voltaje drenaje-fuente vps eS mayor que cl voltaje de estrechamiento, y la corriente de drenaje ip es casi indepen- iente de vps. Para operar en esta regiGn, vps = (Hs ~ V>). Sustituyendo la condici6n li- itante vps = vgs ~ Vy en la ecuacién (5.65), se obliene la corriente de drenaje ip como Kas ~ VpXves ~ Vp) ~ Was ~ Vp)"t K,lvgs — Vp)? 600 vps = (Ves—V_) ¥ Vp ¥os Vp para et canal p, con lo que el JFET estd apagado. La cortiente de drenaje ¢s cero: ip ‘Como los JFET y los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y exhiben caracte- risticas de salida similares, se puede aplicar el mismo modelo a ambos con una precisién razonable. En la figura 5.43(a) se muestra un circuito NMOS con el transistor polarizado para operar en la regiGn de saturacisn, Si se aplica la LKV alrededor del lazo drenaje-fuen- te, se obtiene ¥ Yop = "ps + Roi Yoo _ ps Seca (5.69) la cual describe la recta de carga. SupOngase que la cortiente de drenaje, el voltaje drena- je-fuente y el voltaje compuerta-fuente tienen valores de polarizacién iniciales de Ip. Vos y Vos, respectivamente. En un amplificador FET, la sefial de entrada de ca normalmente se superpone al voltaje de compuerta. Si la sefial pequeria de ca vp, Se conecta en serie con Vgs. Se produciré una pequefia variacién del voltaje drenaje-fuente vps y de la corriente de —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION FIGURAS4 Ge : fe > Modelos de FET de seal + ; + irande > A Vas Yes Ye i fin = Klas: Yas) z 'y y $ s (a) Modelo de MOSFET de canal n (b) Modelo de JFET de canal n —(¢) Modelo de FET de canal « modelo de sefial grande de un FET. En un MOSFET, el canal de compuerta tiene una capa de 6xido, y se forman dos uniones de diodo: una entre el drenaje y el sustrato, y otra entre la fuente y el sustrato, como se muestra en la figura 5.44(a), donde [es una funciGn de Vg y Vos. EL JBET de canal n puede representarse con el circuito de la figura 5.44(b). El dio- do tiene la caracteristica de una unién compuerta-canal en polarizacién inversa. En un FET de canal p, se invierten las direcciones de los diodos ¢ Jp de la figura 5.44(b). Si se supone que la resistencia del diodo inversamente polarizado es infinita y que la del diodo en pola- | rizacién directa es insignificante, el SFET de canal n y el MOSFET pueden representarse ' ccon el modelo simple de cd de la figura 5.44(c). Modelos de ca de seRal pequefia El comportamiento de sefial pequefia del FET mostrado en la figura 5.44(c) puede representarse con un circuito equivalente de ca de sefial peque- ‘ia compuesto por una fuente de corriente controlada por voltaje gq¥ps,€n paralelo con una resistencia de salida r, que representa la pendiente finita de la caracteristica ip-yps. Este cit- ccuito se muestra en la figura 5.45(a). Como la corriente de compuerta i, de los FET es muy pequena tiende a cero, las terminales compuerta-fuente son circuitos abierts. FIGURA 5.45 Modelo de FET de sefiat equefia (a) Equivalente de Norton (0) Equivalente de Thévenin ‘Al aplicar las relaciones entre los teoremas de Norton y de Thévenin, ta fuente de co- rriente de la figura 5.45(a) puede representarse con una fuente de voltae, como se muesta cen la figura 5.45(b), donde vgs se determina mediante va = hy ~ Tobias = lao” Mes (6.70) donde 1, €8 la ganancia en voltaje a circuito abierto del FET, y esté dada por Hy = o8m 7) Los circuitos de las figuras 5.45(a) y 5.45(b) se conocen como circuitos de Norton y The ‘enin, respectivamente, y son equivalentes. r, es la resistencia de salida de sefal pequefis Y &m es I8 ganancia, una transconductancia, del FET. Sus valores dependen del punto 0 “operacién, y estan dados en un punto de operacién especifico (Vp, /p) Resistencia de salida de sefial pequefia rg: Esta resistencia es el inverso de la pet" diente de la caracteristica ip-vpg en la regién de estrechamiento o de saturacién. El valor de rr, puede determinarse aproximadamente con | 6m LB = ayy para todo FET 7 Wal FIGURA 5.46 Variacién de g con Tespecto a vcs, para JFET y MOSFET SECCION 5.3» TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 228 donde Viy es el voltaje de modulacién del canal, y M=1/|Va4)) sla longitud de modula- ‘cin del canal. El parémetco Vxy es positivo para un dispositive de canal p, y negativo para un dispositivo de canal n. Su magnitud tipica es de 100 V. Vay es andlogo al voltaje de Early Vg de los transistores bipolares Transconductancia gj,: La transconductancia es la pendiente de la caracteristica de transferencia (ip contra vgs). ¥ se define como el cambio de la corriente de drenaje corres- pondiente a un cambio del voltaje compuerta-fuente. Se expresa como Si se supone ip ~ Ip. vcs = Ves ¥ ¥ps ~ Vos, la transconductancia de sefal pequefia de un NMOS se puede obtener a partir de la ecuacién (5.59): c Bm = x = 2K (Ves ~ Vj) para MOSFET incrementales (5.73) Brag = Ve Yes - a(t 7 aa) para MOSFET incrementales (6.74) donde fing = —2K,Y 675) La transconductancia de sefial pequefia de un JFET y de un MOSFET decrementales se obtiene de las ecuaciones (5.63) y (5.67) para JFET y MOSFET decrementales. (8.77) donde (6.78) 8mo = Bno 6S la transconductancia correspondiente a vgs = OV, y varia linealmente con vgs, como se muestra en la figura 5.46. Para vgs = 0, el dispositivo esta en cortocircuito; por consi Buiiente, éste nunca opera con un valot igual a fgg. El voltaje de estrechamiento ¥, puede determinarse experimentalmente graficando g,, contra vgs, ¥ luego extrapolando al eje ves. Este es un método muy util para determinar V, para un JPET (y V, para un MOSFET), fn oe |, Ys (para et canal n) Te” Yee are cana) w ‘Modelos FET en PSpice/SPICE Los simbolos de un MOSFET y un JFET son M y J, res- pectivamente. Los enunciados tienen las siguientes formas generales: Mcnombre> ND NG NS NB MOD para los MOSFET Jenombre> ND NG NS JKOD pata los JFET 226 CaPtruLo 5» DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION donde ND, NG, NS y NB son los nodos de drenaje, compuerta, fuente y masa (0 sustrato), respectivamente. MMOD y JMOD son los nombres de los modelos. Los enunciados de mo- delo tienen las siguientes formas generales: PODEL MMOD AMOS (P Pesan) para los MOSFET de canal n MODEL, HOD PMOS (PL=AL pw-ax) para los MOSFET de canal p MODEL JMOD NUP (PL*Al P2-A2 PI=A3 -pN-an) para los JFET de canal MODEL JMOD PUF [P1=A1 P2=A2 P2LA3, pw=aw) para los SFET de canal p donde NMOS y PMOS son los simbolos tipo para los MOSFET de canal n y canal p, respectivamente; NIF Y PIF son los simbolos tipo de los JFET de canal n y canal p, rs. pectivamente, y Pl, P2,..., PN y Al, A2,..., AN son los parimetros y sus valores, respectivamente. Como ejemplo, considérese el JET de canal n de tipo J2N3819, cuyos parémetros son Ipss = 12.65 mA, a Vpg = I5 Vy Vos = OV. y V, = 2a ~6 V, a Vpg = 15 V. Como Joss puede tomar aleatoriamente cualquier valor entre 8 y 20 mA, se utiliza el valor geo- métrico medio. Por tanto, Iss = VEX2= 1265mA y= VEXE= -35V PSpice/SPICE especifica V, como VTO y K, como BETA, la cual se define como (5.79) = 12.65 mA/(—3.5)° = 1.033 mA/V? La corriente inversa de compuerta esta dada pot Igss = IS = 1 nA. La admitancia de se lida esta dada por [| = 75 ohm a vps = 15 V y vos = 0. Como |Y,y| esté dada a qs = 0, la longitud de modulacién de canal A (LAMBDA) puede determinarse de una ms- nera aproximada por medio de %el LAMBDA ~ =~ = 135 toss ‘Cuando tenemos los valores de Ipss. Igss- A y Vp ¢l JFET J2N3819 puede especificarse en PSpice/SPICE por medio de los siguientes enunciados: BL ND ONG Ns ozwaei9 MDOEL SONBHLS WP (ISIN SETAL.O33M VID0W3.5 LaNMoNeS. 9296-3), Considérese el NMOS tipo 2N4351, cuyos pardmetros son V, = 1.a$V, [pgs = 10 mA. a ¥p5 = 10V y vgs = OV. ip = 32 MA a rpg = IOV y ves = LOY Bq = 1 mA/V a ip, = 2.mA y a vps = 10 V. Si se uiliza el valor geoméitico medio, se obtiene V; = VI 5 = 2.24 V, el cual se especifica en PSpice/SPICE como VTO = 2.24V, La cons tante K,, se determina con las ecuaciones (5.59) y (5.73) fp = Koes ~ Y) Bm = 2K,(%Gs ~ ¥) Estas ecuaciones pueden escribirse en forma de razén como 2 2 ARvo5~ VP 4K, Sn ip Kos ~ Vo la que, con gq = | mA/V e fy = 2mA, da K, = 125 wA/V?. La razén W/L se obtiene con la ecuacidn (5.58): w_ 125 x 107° Las 60X354% 10% =359 TABLA 5.2 Condiciones para la polarizacién de los FET SECCION'S.3 > —‘TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 227 Supéngase que L = 10 jum; entonces, W = 59 am. Asimismo, supéngase que | Vs) = 1/A = 200V y A = 5 mV. Entonces ci NMOS 2N4351 puede especificarse en PSpice/ ‘SPICE por medio de los siguientes enunciados: MONO ne ms ue eontasr WooeL MaNEDEL MMOS (8PeIZ5U sao 18 tzwmDa=) Es necesario polarizar el FET en un punto de operacién estable, de modo que éste no cam. bie significativamente respecto de los cambios de los pardmetros del transistor. Una vez que s¢ fija el voltaje compuerta a fuente vgs en un valor dado, se procede a fijar la cortiente de drenaje ip del FET. El voltaje drenaje a fuente vps depende de ip. En la tabla 5.2 se mues tran los pardmetros y las caracteristicas de transterencia de varios tipos de FET. Goman Cony MOSFET —_MOSRET MOSFET MOStET ineremenal decremental SRET | incremental derremelal JFET k HC HCW Hy Con We BeConW ” L £ L L Yow, s : : vos >y, >y IDR 228 CapiTuLo 5 > DIsrasitivos DE AMPLIFICACION PIGURA 5.47 _Circuitos de polarizaci6n para FET +00 Recta de carga 4 42 polarizaci6n Pungo de % Vos 0 Va %s (b) Recta de earge de polarizacién (@) Circuito de polarizactén Bjo (©) Circuito de polariaacién 1, tv ip, A Bp Ve | Recta de cara f D aX polaraacion_ * S40 ee Panto de f canaersnease | [Th Ys Ss wwansferencia - vey, ‘0 * $F Re Re a + ¥ Ves Vo %8 (4) Circuito de polartzacion para MOSFET de canal n la cual da Yoo 5 T+R/R, ? “We Recta de carga de polarizacién para MOSFET de canal n Re (0, Circuito de potarizacién para JPET de canal n (5.83) Esta desigualdad se satisface haciendo R, muy grande: R; — <2. Por tanto, R, puede omi- tirse en los NMOS, y la disposicién de polarizacién de la figura 5.47(c) puede modificarse como se indica en la figura 5.47(4). La recta de carga de polarizacién en la caracteristica de transferencia de un NMOS se muestra en la figura 5.47(¢) Para un JFET de canal n, ip es positiva y vcs €8 negative. vs de la ecuacién (5.80) pue- de hacerse negativo si YG = iDRe la cual da Yop TrR Re ~ 68) ing Esta desigualdad se satisface haciendo R, muy grande: Ry —> e. Por tanto, Ry puede om tirse para los JFET de canal n, y la figura 5.47(c) se reduce a la figura 5.47(f). Por cons _guiente, segin los requerimientos de operacidn para vcs ¢ ip de la tabla 5.2, una de las dos condiciones de las ecuaciones (5.83) y (5.84) puede satisfacerse para MOSFET decremer tales de canal n. Con fa seleccién apropiada de valores de resistencia y Vpp, las ecuaciones (5.83) y (5.84) también pueden aplicarse para polarizar FET de canal p. SECCION 5.3» —‘TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 229 EJEMPLO 5.6 SOLUCION Disefio de un cireuito de polarizacién para un amplificador JFET (a) Disefar un circuito de polarizacién como el que se muestra en la figura S.47(C) para un JFET de ccanal n. Ei voltae de alimentacign de ed es Vpp = 15 V. Usar un transistor J2N3819, cuyos pardme- tr0s son igs = 12.65 mA y V, = ~3.5 V. Supdngase que el transistor opera en la regién de satura ‘in con fy = 6 mA. (b) Calcul los pardmetros de seal pequela gy y 7p del transistor, (€) Usar PSpice/SPICE para verificar el disefio. (a) Para dar cabida a la oseilaci6n de ca maxima y las variaciones de los pardmettos del JFET, se re- comiendan las siguientes condiciones para establecer el punto @ (/p. Vos) Joss iy = BS 635) (586) Exes, 1265mA/2=63mA — yy Ips= Vp /3 = 15/3= SV Sustiuyendo K, = lggs/V3 en la ecuscion (5.67), 63mA= 1265 mAK (+ 195/35? 01+ ¥g5/35 = = 0706 la cual da vos = ~ 1.03 V 0 ~5.96 V. Como vg > Vy (= ~3.5 V). cl valor operaconal de vos es =103V. Con esto se tiene que Rye = ~Vos/in = 1.08/63 mA = 1635.0 y su disipaci de potencia es Prog = (63 X 10732 X 163.510 = 6.49 mW ‘Como Rpip = Vpp — Ruin — Yns = 1S ~ 1.03 - 5 = 897V, Ro = 8.97/63 ma = 1424.0 y su disipacién de potencia es Pap = (63 * 1079)? x 14240 = $6.52 mW Como un ado de Re sts coneetado ater y Ia uni6ncompuertafuente funciona como un diodopo- larizad ala invest treowiente deed qu fue através de Re es muy pequei ende a ero. Rg le da continuidad al ercuito para cl vollaje de polarzaion compocrafuene Al scleciona el valor de ‘es importante tomar en cuenta dos aspecton: (1) Rg debe ser val a resistencia de polaiacibn inversa dela unin compuetafuene, (2) Re por corente cuando se aplighe una seal de caa Ia terminal de compuerta, Generalmenteun valor de Rene SOKO y SOOKMbesadecuado, Sea Re = 00 ua (b) Ky 2.65 mA/(3.5)? (033 mA/V®. De Ia ecuacién (5.76), % 1.033. m x (= 1.03 + 3.5) = 5.10 mAV oss/V5 Fro De ta ecusein (5.72), as ~ 1 /(ip) = 1/(5929 m X63 mA) = 26.77 KO (€) El cireuito de polarizacién para simulaci6n con PSpice se ilustra en la figura 5.48. El listado del archivo del circuito es el siguiente: Eyemplo §.6 Cizcuito de polarizacién para JPET de canal 9 wo 8 0 oc 1 Be 2 0 500K wos 3 1 BSR LO 163.5 L221 INSEE; JPET de canal 9 con modelo S2N2819 CaPfruLo 5» —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION, MODEL J2N3#19 MIF (ISLA BETAEL.O3IH VIOEW3.5. LANBOAYS. 9298 oF Imprine autoniticanente los detalles del panto de operacisn exo FIGURA 5.48 Circuito t de polarizacién para simulacién con PSpice Los detalles de ta polarizacion de od obtenidos con el archivo de salida son los siguientes (los vale- res obtenides con céleule manual se muestran entre paréntesis): voce WoUTAme ——«wo00OLTANE = WOO, WOLTAIE, wud WOLERD i us.9e09 a) 282 @ 69m 35.0000 105. 668-03 (63 may Nose -9.256-0 (1.03) vose6.026+00 ov) ces. 72-03 (S10 many coset. 268-08 vro=-W (1), = 126.77 k = 37:36 mU) Lavethe2. 256-3 STAW1. 3046-3 NOTA: En el archivo de salida que PSpice utiliza VTO=~3V (en lugar de ~3.5 V), LAMB: DA=2.250000E-03 (en lugar de 5.929B-3 V~') y BETA=1.304000E-03 (en lugar de 1.033 mA/V2), los resultados de PSpice y los céleulos realizados a mano difieren significativames Ie. Sise vuelven a caleular los valores de Rp y R,, con los parmetros de PSpice o se cambian Ios él JEET en el enunciado de modelo (model). los resultados serin muy parecidos. Si se ejecuta la s+ ‘mulacidn haciendo esta modificacién, los resultados serin mis parecidos a los clculos manuales: ly 14 mA y Vos = LIV. EJEMPLO 5.7 o SOLUCION Disefo de un circuito de polarizacién para un amplificador NMOS (a) Disefiar un circuito de polarizacién convo que se muestra en la figura 5.47(2) para un NMOS. El voltae de alimentacin de ed es Vpp = 15 V. Usar un NMOS tipo 24351, cuyos parémetros 908 V,— 2.24 V, Ky = 125 wA/V¥y [Vl = 200 ¥. Supéngase que cl tansistor opera en la regia des turacidn con ip = 2.mA. (b) Cateular los parimetros de senal pequeta gq y F, del NMOS {) Usar PSpice para vrifcar el diseio. 15/5 = 5. Sustinyendo jp = 2:mA y K, = 125 ua/¥enlt (2) Supongase que vps = Voo/3 24.V 0 ~1.76 V. Para el NMOS. vos ecuacion (5.59), ip = Ky(vos ~ Ve SECCION 5.3 » —TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 231 ser mayor que 2.24 V. Por tanto, e valor aceptabe es vgs ~ 6.24 V. Aplicando la LK alrededor del lazo compuerta-fuente, se obtene Yoo = Yas * Racin de donde Ry = po ~ 63) in = 15 ~ 6.24)/2mA = 438K Al aplicar la LKV alrededor del lazo drenaje-fuente, se obtiene Yop = Roip + Ys + Ruin = Ys + (Bp + Rudin de donde Ry = Wop ~ »p9)/ip ~ Ry = (15 ~ 5)/2 mA ~ 438K = 620.0 Supéngase que Rg = 1 MO. (b) De la ecuacisn (5.73), By = 2K fogs ~ V) = 2% 125 wx (624 ~ 224) = L0mA/V De la ecuacién (5.72), / ip) Vyel ip = 200/2 ma = 100 «02 > NOTA: La versién de evaluacién de PSpice incluye el esquema del NMOS IRF}50, pero no el es- ‘quema det 2N4351. Debe ejecutarse la simulacién con el listado de descripcién del citcuito 0 cam- biar los pardmetros del IRF1S0 en el archivo eval lib, (©) El circuito de polarizacién para la simulacién con PSpice se muestra en la figura 5.49, Bl listado del archivo del circuito es e siguiente: Sjenplo 5.7 Circuito ge polaxizacion para KOs wo 4 0 we 1sv B42 sone mo 43 620 FoR 1 0 ae Moy 21 4 mous ms con modelo 10 MOOR, M8351 MDS (RPVI2S0 VIUe2.24 LetOU. WeS9U LAMBA of # Inprine autenaticanente los detalles det punto de operscion ex FIGURA 5.49. Circuito de para simulacig con Los detalles de ta polarizacién de ed se dan a continuacién. (Los valores obtenidos con céleulos ma nuales se muestran entre paréntesis.) 232, CAPITULO > —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION voto NOLTASE «Neue VOLTAJE.—«=«m>mDWLTAJE © 00.VOLTATE 1) 12.2608 (2) 15.0000 13) 13.8084 5.0000 10-2, 348-03 (ma) vse 4.146100 (624A) 0s-3.298+00 Gv) coe 78-03 (may ease. 186-05 (1/s= 1/100 k= 10 0) EJEMPLO 5.8 DP Diseio para limitar I variacin de crriente de denaje de un amplifeador NMOS Diet nj Carat de poarzaién come el que se mucsa ca igra 547(0), param NMOS en ele Vives | tia desde 1 V hasta 1.5 V, y K, cambia desde 150 A/V? hasta 100 1A/V?. Limitando la variaciéa | de ia cowiente de dena 43 mA 1 20% cael fos valores de Ry R, Rey Rp Supones ae Vop, ois SOLUCION Vy = 1M Me 150 #A/V? y Kyy = 100 wA/V2. Las dos caracteristicas posibles de transferencia que pueden resultar a patir de las variaciones de los pardmetros se muestran en la figu- +a 5.50. Con la ecuacién (5.59) pueden describirse estas caractertsticas como sigue: Ip = Kyyligsy ~ Yu)? = 150 107° X (ogg, =D? Jog = Kya(¥qsa ~ Vig)® = 100 10S (vggy — 1.5) as de transferencia py Yes) lo» Yas) Yu Yest¥a Yess Vo tas Para una variacin de la corriente de drenaje de ip) = 6 mA, se tiene 6 MA = 150 BAX (vgs, ~ D Ja cual da un valor de operacin de vgs, = 7.32 V. Para una variacion de la corriente de drenaje de fg = 5 mA ~ 20% = 5 mA x (1 ~ 0.2) 4 mA, se tiene dims, 100 WAX (vgsq ~ 15% la cual da un valor de operacisn de vgs; = 7.825 V. ‘La pendiente de la recta de carga de polarizacién da el valor de Ry: Ygs2 ~ Yogi _ 7.825 — 132 ip, ~ 2082 Yas x 10 = 25250 a Gaaaaaee ‘or for Al aplicar la eeuncin (5:8) en acral del punto Q, oon Veg © i 5 obtene VG = Pasa + ioaRye = 7.825 + 4X 10°? x 252.5 = 8.835 V Los valores de RyRy pede halls por meio de v= Bitoo. - XI OTR, +R, Rt Ry Ja cual da (1 + R)/Rs) = 1.7. Seleccione un valor adecuado de Ry, por lo general mayor que 500 KO Suponiendo que Ry = 500 kA, R = 350 KO. Pee aeetcee deere vecet Fcvecesveetv#errersevec4e eed /eee secre seecferpec eee tee} = 8835 SECCION 5.3.» TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 233 FIGURA Sst + +¥0 Amplificador JFET ie al eee Hp YE o(1 me Re ae ae Ro (©) Chrno equivalent de seta pequeda mplificadores En un amplificador de fuente comin, la fuente es comin a las terminales de entrada y de de fuente comin salida, Considérese el amplificador JFET de canal n mostrado en la figura 5.51(a). El dis- positivo de amplificacién puede ser cualquier tipo de FET. La resistencia de carga Ry, se considera externa al amplificador y por eso no se incluye. Supéagase que las capacitores de acoplamiento C; y C; tienen valores grandes, de modo que se comportan como si estu- vieran en cortocircuito a la frecuencia de interés, El circuito equivalente de ca del amplifi- cador se muestra en la figura 5.51(b). Si se remplaza el JFET con su modelo de sefal pe: uefa, mostrado en la figura 5.45(b), se obtiene el citcuito amplificador de la figura 5.51(c), el cual puede representarse con un amplificador equivalente de voltaje, como se muestra en Ia figura $.52(a), 0 por un amplificador equivalente de transconductancia, como el de la fi- gura 5.52(b). FIGURA 5.52. Representacién con voltae o wansconductancia equivalentes AR ash Ri, ao i t Gints «3B Ate SRL 4 oR D wy uv Fm guar aasseneed =t4 -J4 Roa R R Ba Ren a Re Rw (a) Ampliicador de vokaje (©) Amplifeador de transconductancia El andlisis de cd de un amplificador FET debe realizarse antes del andlisis de sefial pe- ‘quefia porque los parimetros de sefial pequetta dependen del punto de operacién de cd. Los pasos que por regla general se requieren para analizar un amplificador FET son los siguien- tes: Paso 1. Dibujar el diagrama del circuito del amplificador que se analizaré. Paso 2. Indicar G, D y $ en cada FET del diagrama, La localizacién de estos puntos es el paso inicial para trazar el circuito equivalente. FIGURA 5.53 Circuito equivalente para ddoterminar ia resistencia de salida R, CaPfTuLOS > —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION, Paso 3. Remplazar cada FET con su modelo de Thévenin (0 de Norton). Paso 4, Dibujar otros elementos del amplificador conservando ta posicién relativa original de cada elemento. Paso §. Remplazar cada voltaje de cd con su resistencia interna. Una fuente de voltaje de cd ideal debe ser remplazada por un cortocircuito. Resistencia de entrada R, /ig) La resistencia de entrada R, del amplificador de la fi- ura 5.51(c) se determina diane (687) La resistencia total de entrada Ry vista por la sefial de entrada v, es Rey = %y/ig = Ri + Ry donde R, es la resistencia de entrada de la fuente de sefial Resistencia de salida R, La resistencia de salida R, se obtiene haciendo v, igual a cero, y aplicando lucgo un voltaje de prueba v, en el tado de salida, Esta disposici6n se muestra en Ja figura 5.53. Al aplicar la LKV alrededor de las terminales de compuerta, de entrada y de fuente (Iazo I), se obtiene Mee =e Haar = —taRoe Al aplicar la LKV alrededor det drenaje, la fuente y la fuente de voltaje de prueba (laz0 1), se obtiene gt Ot HDR de donde Tot (Lt HDR La comriente de prueba i, esté dada por ret + apy la cual da la resistencia de salida R, como (8.88) (5.39) Ganancia en voltaje a circuito abierto (0 sin carga) Ay. (=vo/'¥,) Aplicando la LKV a rededor del lazo formado por ry, Rp y la fuente de voltae controlada por voltae de la fign- ra 5.51(c), se obtiene g's * Bas * Roa + Pla 6m) SECCION 5.3.» — TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 235 Sustituyendo vp. mo ~ Rigen ta ecuaci6n (5.90), se obtiene la cortiente de drenaje ig 60- He Btn ds apRy 691 El voltaje de salida v, esté dado por 9, = — Roig (5.92) Susttuyendo iy de la ecuacin (5.91) en la ecuscin (5:92), se obtiene la gananciaen vo- tae acteuto abierto Ay como epics gc teceeceee Per trite 693) ve Roem t+ HDR, Jo que indica que la resistencia Ry, de la terminal de la fuente tiene un efecto (1 + j4)Ry ¥ reduce la gananci en vollajeacicuio abiero A. de manera sigaificatva. La ganancia en voltaje Ay, se puede hacer grande (a) con Ry, = 0, (b) con un FET de gj, grande y (c) con tun valor grande de Ry. Con R,, = 0, la ecuacién (5.93) da la ganancia maxima de voltaje a cireuito ablerto como =H _ —8mtohy __ ~8m®o Ayoiaay =~ vom Rp thy Rp tl 1 + Rp/te (6.94) Con objeto de incrementar la ganancia de voltaje a circuito abierto A,,, se utilizan dos re~ sistores Ry, ¥ Ry. Como Se muestra en Ia figura 5.54(a). Ry estd conectado en paralelo con una capacitancia grande C5, Tanto Ry, como Ry establecen el punto de polarizacién de cd, Ryy da la ganancia en voltaje deseada. En la figura 5.54(b) se muestra el eieuito de ca equivalente, cuyo andlisis es similar al desarrollo anterior, excepto en que se utiliza Rgq, en lugar de R,,. Sin embargo, en todos los céleulos de polarizacién de cd de la seccién 5.2, debe utilizarse Ry, (=Rigy + Ryo) FIGURA 5.54 ‘Amplificador JFET con Ry esviada por medio de un beaten! Carga - “y) mong” 4 an R Pas () Ciresito (©) Circuito equivalente de ca EJEMPLO 5.9 Disetio de un amplifcador JFET para dar una ganancia en voltaje especificada (@) Disefar un amplificador JFET como el que se muestra en Ia figura 5.51(a) pare producir una ga- nancia en voltae [Aol = %/v¥y > 5. Usar un transistor J2N3819, cuyos parimetros son loss 12.65 ma y V, = ~3.5 V. Supéngase que se opera en la regin de saturacion con ip = 6 mA. (b) Usar PSpice/SPICE para verificar los resultados del inciso (a). SOLUCION | 6) Paso 1. Disesar el cireuto de polarizacién. Los resultados del ejemplo 5.6 dan Rp = 1424 K9, Ry = 1635 Dy Re = 5O0KM. f | | j | | CAPITULOS =» —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION Paso 2. Determinar los pardmetros de seal pequeia del transistor. Los resultados del ejemplo 5.6 dan gq = 5.10 mA/V yr, = 26.77 KO. Paso 3. Determinar os valores de Cy. Cp. Cs, Rut ¥ Rya: Sea Cy = C; = Cy = 10 wF. La ganancia en el peor de los casos posibles que puede obtenerse con el transistor J2N3819 operando con ip = 6 ‘mA, se calcula con la ecuacion (5.94): Accunaol ™ Eakp/t + Ry/ry) = 1824 x 5.10 m1 + 1424126.77 1) = 6.90 VV La ganancia deseada es menor que el valor miximo posible y se puede proseguir con el dsefo. De Jo contrario, se tends que escoger oto transistor con un valor mis alto de gq El valor de la resis- tencia del emisor no desviada R, dela Ggura 5 54a), pucde hallarse con la ecuacin (5.93); ste, beh Ry ttt MDRe 5.95) vol 5, Rp = 424 Dry = WILDLY bg = roby = 136.5 V/V. da Ryy = 720 Raa = Racy Ry = 168.5 ~ 78 = 88.5 0. (b) Ei ciccuito amplificador JFET para simulacién con PSpice se muestra en la figura 5.55. Bl list la cual, con Av! do del archivo del circuivo es el siguiente: Ejamplo 5.9 Veriticscitn del diseto de un amplif YS? 0 SIN (DOL Ik} pas 10 so0K mo 29 1a es 45 78 as 5 0 88.5 clot 1 tur 23 6 10E cs 5 0: 106e 6 0 50K os 1g anyseis JPET de canal a con modelo JON3ELS MODEL J2NSEL9 AUF (ISRINA BETAGL. 033M YIOE-3.5 LANBOANS, 9296-3 mawor 20s INS sala el analaste trassitoris @ inprine ol + punto de operacion ro3e, 2 Analizador de forma oe onda Exo FIGURA 5.55 Circuito amplificador JFET para simulacién con PSpice sour LH. RNID Ras BOR ¥ 4 ae Re soko! asa ‘Amnplificadores jde drenaje comin SECCION 5.3» — TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 237 Las gréficas de PSpice del voltae de drenaje vp = V(C2:1) y el voltae de carga v, = V(C2:2), se muestran en la figura 5.56 con un voltaje de entrada v, = 10 mY (pico). Por tanto, la ganancia en voltaje v/v, ¢5 54.57 mV/10 mV = 5.44, lo cual se aproxima al valor deseado de 5. Los detalles del andlisis OP obtenidos a partir del archive de salida se dan a continuacida (los valores obtenidos con ccileulo manual se muestran entre paréntesis): 10-5.368-09, (63 ma) vese-9.976-01 (= 103 vy GY) (5.10 ma/v 0se1.156-95 (fry = 1/26. k = 37.36 mV) FIGURA 5.56 Grificas de PSpice del ejemplo $9 En la figura 5.57(a) se muestra una configuracién de drenaje comin, Un amplifieador con ‘esta configuraci6n tiene una resistencia de entrada muy alta y consume muy poca corrien- te de compuerta, Asimismo, ofrece una baja resistencia de salida y puede usarse como eta- pa intermedia entre una carga de baja resistencia (que requiere una corriente elevada) y una fuente de seftal capaz de suministrar s6lo una cortiente muy pequeda, Esta configuracién tiene una ganancia de voltaje que tiende a la unidad, y se conoce como seguidor de fuente ‘Supéngase que C; y Cz son muy grandes, es decir. que tienden a infinito. Esto es C, = C, = eo, BI circuito equivalente de sefial pequefia de ca del amplificadot se muestra en la igu- ra 5.57(b), el cual puede simplificarse como en la figura 5.57(¢). Resistencia de entrada R,(=vg/i,) La resistencia de entrada R, esté dada por R= vpfig = Ro Ganancia en voltaje a circuito abierto (sin carga) A, 5.57(c), el voltaje compuerta-fuente v,, esta dado por jo/%p) De acuerdo con la figura Ms % (5.96) En condiciones sin carga con j4g = roy € voltaje de satida v, es Ractlys _ RuFobin¥es “OT Retr Ry try = DR DBM es (897) Sustituyendo v2, de la ccuacién (5.96) en la ecuacién (5.97), se obtiene (rol RaBmy ~ %o) 238 FIGURA 5.57 Amplificadar de drenaje CAPITULO 5S > —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION la cual, después de simplificarla, da la ganancia en voltaje a circuito abierto A,, como vy __ Sol Red Nog TF altel Normalmente (n(FllRap) >> 1, y la ecuacisn (5.98) puede aproximarse como Avg * | Sustituyendo j4y = Snfa Simplificando, la ecuacisn (5.98) puede reescribirse como A (6.98) Sif Reo t Rod) HR HRs (5.98) TS bgt Wet Ry) fot Ry FHgRig To pRee Resistencia de salida R, La resistencia de salida Ry puede obtenerse haciendo v, igual & cero, y aplicando luego un voltaje de prueba v, en el lado de salida. Esta disposicion se muestra en la figura 5.58, donde rola ~ Hg’ v(t Bg) = Fale vl + ay) vy Hy) Me it igt y= igt eee ee ee oo ne Ry asf que la resistencia R, estd dada por WR (6.100) i, lta, FIGURA 5.58 jrcvito equivalente para la resistencia de salida R, SECCION'5.3 > TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 29 ES $, ., -£ Ae : \ mde F(t Se Oe He J - > 4 > r la cual tiene un valor pequefio porque sty >> 1 NOTA: La ganancia en voltae sin carga 4,9 de un amplificador de drenaje comin tende a la uni- dad. La resistencia de entrada R, es muy elevada. La resistencia de salida R, es baja, EJEMPLO 5.10 a SOLUCION Disefio de un seguidor de fuente JFET _Disefiar un seguidor de fuente como 1 que se muestra en 1a figura 5.57(a), para que dé R, = 500 kOe ip = 10 mA. Los parimetros del JFET son Vp = ~4 V, Joss = 20. MA y Vy = ~200 V. Supongase que Vpp = 20 V. El disco de un amplifcador de drenaje comin (CD) es muy simple; sé se requiete la determina: cin de los valores de Ry Se sabe que K, = Ipss/V3 = 20 mA/(-4)* Paso 1. Calcular fa resistencia de compueta Re: Rg = B= 500K Paso 2. Con Jos valores conocidos de ip, loss ¥ Vp. caleular vgs con la ecuacién (5.67), ip Kq¥as ~ Vp 25 ma/V2 1OmA = 125 mA/V? x (¥gg +4)? Ia cual da vgg = —1:172 V 0 ~6828 V, El valor accplable es vos = Paso 3. Con el valor conocido de vag aleular Ry Ry = Voglip = —(-1.172/10 mA) = 1172.0 LIV. Paso 4. Calcular los pardmetros de sefial pequefia de! transistor. De la ecuacisn (5.76), Bag = 2K (99g ~ V—) = 2X 1.25 m X (LAT + 4) = 7.07 mA/V De la ecuacisn (5.72), Vial ip = 200 /ip = 200/10 mA = 20400 Por tan, ig = Spf = 107 X20= LAV/V Paso §. Determinar os valores de Cy Cy. Sclecionar Cy = C3 = 10 wf Paso 6, Calcular la resistencia de salida R, y la ganancia en voltae a citcuto abierto Ay: 20k R, fan | Ry = | i 1+ 141 iva ks taiax 1172 PU apR, EFC + MLDS TZ [17256950 451 240 Amplificadores de compuerta comin CAPETULOS > —DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION En la figura 5.59(a) se muestra un amplificador de compuerta comin. El circuito puede re- dibujarse como se muestra en la figura 5.59(b). La polarizaciéin de este ciscuito es idéntica ‘a Ia del amplificador de fuente comin, y el circuito de polarizacién de ed se disefia utili- zando la misma técnica. Supéngase que los valores de C, y C2 son muy grandes, os decit, que tienden a infinito. Esto es, C, = Cp ~ «El circuito equivatente de sefial pequefia de ‘ca del amplificador se muestra en fa figura 5.60(a), el cual se puede simplificar como en la figura 5.600) FIGURA 5.59. Amplificador de compuerta com) (a) Cireuito (b) Circuito reaibujado Resistencia de entrada R, (=—vpy/i,) La resistencia de entrada R, depende de Rp, la cual se vuelve paralela ala resistencia de carga Ry, pot tanto, debe incluirse Ry, junto con Ry en Ia determinacién de R, cuando el amplificador opera con una resistencia de carga Ry. Al aplicar la LKV alrededor del lazo fuente-compuerta-drenaje de la figura 5.60(b), se obte- ne una expresi6n para el voltaje compuerta 2 fuente: —¥ys = HeYes ~ Voll Rpl Ris ée donde _ FHM Papaya 3p es FIGURA 5.60. Circuitos equivalentes de ca de sefial pequefa para un amplificador de compuerta comin (6) Resistencia de salida (@) Divistin de corriente SECCION 5.3» TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 241 ‘Al aplicar la LKC en el nodo de la fuente S de la figura 5.60(b), se obtiene una expresién para la corriente de entrada i, LF Hey Rye Ry ry RDI, 1a cual da a resistencia de entrada R, del amplifcador como (fot Boba Te) Puesto que jg > I, la resistencia de entrada R; se vuelve baja. Esta es una limitante de ta cconfiguracién de compuerta comin, a menos que se desce una R, (0 Z,) baja para igualar la impedancia. (6.101) Ganancia en voltaje sin carga Ay (=Vq/ v4) Con la aplicacién de !a LKV alrededor del lazo I de la figura 5.60(b), se obtiene una expresiGn para el voltaje compuerta-fuente ge = Hees ~ Fol fa la cual da 4 gs a Ry El voltae de salida sin carga v, es Roll + Hy 7+ Ry Ja cua dala gananca en voll sn carga Ayg como Ry + ‘8 to + Rp ($.102) Resistencia de salida R, Si se supone que la resistencia de salida del transistor es muy grande, es decir, que tiende a infinito (esto es, r, ~ =), por comprobacién se ve que la re- sistencia de satida R, ¢8 Ry ~ Re EJEMPLO 5.11 SOLUCION » Determinacién de los pardmetros de un amplficador de compueria comin El amplificador de ‘compuerta comin de la figura $.60(a) tiene R, = 5000, Ry = 1 kA, Rp = KAY R,, = 10KA. Los parametros del transistor son r, = 100 kA yj, = 230. Supdngase que C y Cy son muy grandes, esto 8s, que tienden a infinito, Es decit, C, = Cy ~ =, Calcular (a) la resistencia de entrada Re Vaflg.(b) la ganancia en voltaje sin carga Avg = ~Va/ Yq. (€) la resistencia de sida R, y (la ga- nancia en voltaje total A, = »,/% 2, = 500.0, Rg = LRA, Ry = SK, Ry = 10KO ry (2) De ta ecuacion (5.101), u(t Ry LR Ty +R, = 309 + 500 = 809.0 () De le ecuacin (5.102), A 100 KAD y 44g = 230. kj = 300.0 100k +5 k10K ) TPH vol Yay * Ryll * H/Ary + Ro) kx (1 + 230)/(100 k + 5 (OR, = Ry = SK 202, Amplificadores FET con cargas activas FIGURA 5.61 Ammplificador en cconfiguracién de fuente ‘comin con una fuente de ccorriente de polarizaci6n CAPITULO — > DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION (@) Para la ganancia en voltaje otal A,, AiR, 1X 309 10k gg GF Rath FR ~ BH * 500) > I/rop ¥ 1/raqs lo cual generalmente es cierto, la ecuacién (5.105) puede escri: birse de manera aproximada como Kaye Pw/by 2 2)’ Re | (6.107) x, w/t, p2 Smt Debido a las limitaciones practicas de la geometria de los dispositivos, la ganancia de vol- taje maxima se encuentra dentro del intervalo de 10 a 20. Sin embargo, la ganancia en voltaje de sefial pequefia es independiente del punto de operacisn de ed, y este amplifica- dor produce una amplificacién lineal a to largo de una banda ancha. Por ejemplo, si Wy = 100 jum, Ly = 5 um, W, = 5 umy L, = 25 pum, la ecuacién (5.107) da |A,,| = 10. Debe notarse que el dispositivo de carga M, permanece en el modo saturado de operacién siem- pre y cuando ¥, < (Vp ~ V,). De lo contrario, el transistor estard en la regién de corte y no portaré corriente. Amplificador en configuracién de fuente comin con carga decremental Un MOSFET de- ccremental puede comportarse como una fuente de corriente cuando la compuerta y la fuen. te se ponen en cortocircuito, y se puede fabricar en el mismo integrado como un MOSFET incremental. Este dispositivo de carga es idéntico a un JFET, y exhibe una resistencia de sa- lida muy grande, siempre y euando el dispositivo opere en la regidn de saturaciGn, Por con- vo = Yas = CAPITULO S —» —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION siguiente, para producir la resistencia grande requerida de una carga para alcanzar una ga- nancia en voltaje grande, el MOSFET decremental debe operar en la regién de saturacién, En la figura 5.63(a) se muestra un amplificador de fuente comiin con un excitador NMOS, y una carga activa decremental. My est conectado como diodo, y se comporta con una carga resistiva no lineal. Si el voltaje de entrada vc, es menor que el voltaje de umbral V, ‘entonces My se desactiva y no fluye corriente por el circuito. Si ol voltaje de entrada vg excede el voltaje de umbral V,, entonces M, se activa. Tanto M, como M operan en la re gi6n de saturacién, y el citcuito amplifica. Como vgs = 0 vq = Voo ~ Ypsa: la cortien- te de drenaje /p puede obtenerse de il : fata ip = Kyaltose ~ VO = Kya(-W)? = Kya En la figura 5.63(b). la caracteristica ip contra v, (=Vop ~ ¥psa) Se superpone en la carac- teristica de salida de My, y la interseccién de las dos caracteristicas da el punto de opera- ci6n, definido por Jp y Vpsi | FIGURA 5.63. Amplificador de fuente comin con carga dectemental } j ° Carga decrement My te NMos | (a) Carga deeremental meee fos; Vo Yost ° (©) Cirewito equivalent de sefal pequeda lente de ca del amplificador de la figura 5.63(a) se muestra en laf del cual se halla la ganancia en voltaje a circuito abierto (5.108) yg > Biot Ml Fea) donde Ry = (Foillto2) — PRINCIPALES DE LA SPCCION 5.3 E] FET es un dispositivo no lineal controlado por voltaic. El votaje entre la compuertay Ie Fuente desarrolla un campo elécrico, que controla entonces el flujo de la corriente de de naje, Por consiguiente, esta corriente depende del voltaje compuerta a fuente, y un FET pro- duce una ganancia en transconductancia, + Los FET se clasifican en tre tipos: JFET, MOSFET incrementales y MOSFET decremes- tales, Cada tipo puede ser de canal no de canal p. + Lacaracterfstica de salida de un FET se divide en tres regiones: la rgin de corte, en la que 1 FET se desactva; la region de saturacién, en la que el transistor exhibe una elevada resis: tencia de salida y tiene una transconductancia, y la region dbmica, en la que el transistor offece una baja resistencia. El FET opera como amplificador en la regin de saturacion,¥ como interruptor en la regia Shmica. + ELFET debe polatizarse apropiadamente para activar el dispositive, y también para esable cer un punto de operacién de ed, de modo que una pequefia variaciin en el voltaje compuet ta-fuente provoque una variaciGn en la corriente de drenaje. Al igual que un amplificado™ BIT, el amplifcador FET puede usarse como ctapa intermedia para ofrecer una baja re TABLA 5.3 Resumen de expresiones para amplificadores FET SECCION 5.5.» —_DISENO DE AMPLIFICADORES 245, tencia de sala y una alta resistencia de entrada, Las expresiones para la tesistencia de en- trada Ri, la resistencia de sala, y Ja ganancia en vollaje sin carga Avg s© resumen en ta tabla 53. + En general, los FET se uilizan en la tecnologia de los eitcuitos integrados, operados con una fuente de corrente MOS, una carga activa PMOS o una carga aciva NMOS Geuente comin de drenaje comin de compuerta comiin comin con carga activa ‘Amplificador ‘Amplificador ‘Amplificador ‘Amplificador de fuente (Fig. 531] (Fig. 5.57(a)] (ig. 5.59(@)) (ig. S61) RO) RQ) Ay W/V) RPT Bary 1+ Salt Ry) r+ Ry a Re Rel (REA) Ro WR, Ry rs Wot safoy salfolRy) Rol + Eyl) ; we ~Saitall"o) 5.4% ‘omparacién entre FET y BIT EI FET tiene las siguientes ventajas sobre un BIT: 1. Una resistencia de entrada extremadamente alta, del orden de los megaohms. 2. No tiene voltaje de offset cuando se utiliza como intertuptor, mientras que un BJT requiere el voltae base-emisor minimo Vag. 3. Es relativamente inmune a radiaciones ionizantes, mientras que el BJT es muy sensible a elas porque, en particular, afectan el valor beta 4. Es menos “ruidoso” que el BJT y, por tanto, més adecuado para etapas de entrada de amplificadores de bajo nivel. Se utiliza ampliamente en receptores de FM. 5. Proporciona una mejor estabilidad térmica que el BIT, esto es, los parametros de los FET son menos sensibles a los cambios de temperatura. Los FET tienen un ancho de banda de ganancia mas pequefio que los BJT, y son mds sus- ceptibles a dafiarse durante su manejo. El ancho de banda de la ganancia es la frecuencia a Ja cual la ganancia se vuelve unitaria 5.5 h : Diseito ; de amplificadores ‘Cuando se va a analizar un amplificador, se especifican fos componentes; sin embargo, ‘cuando se va a disefiar un amplificador, el disefiador debe seleccionar los valores de los, ‘componentes del circuito. La tarea de disenio se simplifica si se utiliza un modelo simple de transistor para determinar los valores aproximados de los componentes. Después de la eta pa inicial de disefo, el siguiente paso es analizar et amplificador con estos valores aproxi- mados, y comparar los pardmetros de diseito con los valores deseados. Con frecuencia, las especificaciones no se cumplen, y es necesario modificar los valores de los componentes. ‘Normalmente el amplificador se especifica con tres pardmetros: la resistencia de entrada Ri, la resistencia de salida R, y la ganancia en voltaje Avg. Estas especificaciones estén defini- das por medio de los siguientes valores: Resistencia de fuente Ry Voltaje de alimentacién de cd Veg para los BIT (0 Vpp pare los FET) Resistencia de carga Ry Ganancia en voltaje total A, (=¥,/v,) (a una R, especificada) Resistencia de entrada en la base del transistor R, 246 Disefio de amplificadores con BIT FIGURA 5.64 Rectas de carga de ca y de cd para amplificadores de femisor comin CaPituLo S$» DISPOSITIVOs DE AMPLIFICACION Después del establecimiento de las especificaciones de un amplificador, el siguiente paso consiste en decidir el tipo de transistor que se usaré: BIT o FET. En el andlisis siguiente se desarrollan las condiciones de disefio y los pasos necesarios para satisfacer las especifica- ciones de disefo, Una ver que se toma la decisién de disefiar un amplificador BIT, se sclecciona un BIT ade- cuado y se observa su ganancia en corriente particular B; (= ,) y el voltaje de Barly V, (0 se supone un valor tipico de 200 V). Luego se escoge una corriente de colector Ic en el punto Q. Normalmente, el fabricante proporciona curvas que muestran las variaciones de Ja ganancia en corriente Ay, (B,) contra la cotriente de colector. fc puede seleccionarse de la hoja de datos del fabricante, de modo que la ganancia en corriente fy sea méxima. Segin cl tipo de transistor (npn 0 pnp), Voc € Uc tendran valores positives o negatives; el valor de Vq puede especificarse como un nimero negativo. Sin embargo, se utilizardn sélo las mag- nitudes de Vcc. le y Va. Se ha observado que la técnica de anilisis de ed difiere de la del andlisis de ca. En el is de ed, la recta de carga es establecida por la resistencia de cd Rey. Esto es, Rg para el amplificador de emisor comin de la figura 5.10 para el amplficador de colector comin dela figura 5.15(a) 51% En el andlisis de ca, ta recta de carga es establecida por la resistencia de ca. Esto es, i sor comin de fa figura 5.11(a ae (etm para el amplificador de emisor com BUTAS-ING) 5 say) Rell Re para el amplificador de colector comin de la figura $.15(a) Bajo la condicién sin carga, la resistencia de carga R, esti desconectada; la resistencia de ca Rig 6s igual a Re. Asi, existen dos rectas de carga que deben considerarse en el dise- fio de un circuito amplificador. Hasta aqut, se ha considerado la recta de carga de ed sélo cen el disefio del circuito de polarizacién. Las rectas de carga de ca y de ed para amplifica- dores de emisor comtin se muestran en Ia figura 5.64. Et punto Q. especificado para una sefial de entrada de ca cero, queda tanto en la recta de carga de ca como en la de od. La tec: ta de carga de ca pasa a través del punto Q, y tiene una pendiente de ~1/R.,. La pendiente de la recta de ca es mayor en magnitud que la de la recta de ed. La recta de carga de ca pue- de describirse por medio de i. p= ce Nee) fc donde % % Es (= +k ) (stu) Rex ‘ea te ere Yee. Ras te . 7 Vee Wee tlh) Veo vce SECCIONS.S > —_DISENO DE AMPLIFICADORES 247 La corriente de colector méxima icyngq), que ocurte cuando veg = 0, se obtiene con la ecuacién (5.111): Vor scum) = Re ae (5.112) El amplificador se debe disefiar de modo que acomode Ia oscilacién de ca maxima a to largo de la recta de carga de ca, para la que icinsa) debe ser el doble del valor de Ic, es decir, Vor fom) = eR tle la cual da (5.113) he (6.113) Si se supone que fc ~ fe, la ecuacién (5.20) da la recta de carga de ed Yoo = Vee + (Re + ReVle = Vee + Reale Al sustituir Veg, de la ecuaci6n (5.113) en la ecuacién anterior, se obtiene Veo = Veg + Reale = Reale + Reale = (Rey + Reale de donde la corriente de polarizacién de colector Ic es Vi cc. (5.118) le RO Rg Asi, el punto @ queda determinado por las resistencias de ca y de od, las cuales dependen de Re, Re y Ry, Puede obtenerse una mayor ganancia en voltaje a expensas de una baja re- sistencia de entrada y una alta resistencia de salida. Por consiguiente, los amplificadores con BIT se disefian normalmente para una ganancia en voltaje especifica o para una resis- tencia de entrada espectfica. Disefto para una ganancia en voltaje especifica En general, cuando se especifica la ganan- cia en voltaje A,(=v,/,) del amplificador, la resistencia de entrada R; no interesa, Tal am- plificador, mostrado en la figura 5.12, actéa como etapa intermedia en un amplificador de varias etapas, produciendo la mayor ganancia posible. Los pasos necesarios para comple- tar los objetivos de disefio son los siguientes. Paso 1. Calcular Vp = | Voc|/3. Paso 2. Calcular Re = Ve/le = VeBe/{( + Bgl Fell Paso 3. Calcular el voltaje Vp en la base del transistor: Vg = Ve + Vee = Ve + 0.7. Paso 4. Calcular Ry = 0.1(1 + BORp- Paso 5. Calcular os valores de Ry Ry Paso 6. Calcular el valor de Re para los valores conocidos de Ri, Rp, Voc € Ic. Rea €8 la combinacién en paralelo de Re y Ry, De las ecuaciones (5.110) y (5.114), se obtiene eel Tey Res * Re Vel CAPITULO S —» —_DISPOSITIVOS DE AMPUIFICACION Paso 7. Calcular los valores de ry Fy _258mV _ 258nV ae ia Pilea: °° Tel Paso 8. Como primera aproximacién, sea la ganancia en voltaje sin carga |A,o| (con Ry = @) igual a [4,}. De acuerdo con la ecuacidn (5.35), 1a ganancia en voltaje sin carga [Avol estd dada por Safe __ _ Bee we HUF B PRE Ry con la cual puede determinarse la resistencia R, en la base del transistor: PrRe Tyo! Paso 9. Calcular el valor requerido de la resistencia del emisor Ry con lA R, Ry, = 1 +B, Si Re <0, la A,| deseada es demasiado grande. Paso 10. Calcular el valor de la resistencia del emisor a ser desviada Rep: Rey = Re Re Si Re <0, 1a [Ay] es demasiado pequefia; selecciénese un transistor de ganancis en co: rriente fp mas baja. Paso 11. Calcular la resistencia de salida R, Paso 12. Calcular la ganancia en voltaje A, AR RF RMR, + RD Paso 13. Si el valor de [A,| en el paso 12 no es mayor 0 igual que el valor absoluto desea do de A,, repitanse los pasos 8 a 12 con valores de {A,9| cada vez més grandes, hasta obxe ner el valor deseado de la ganancia en voltaje total A, en el paso 12. lay Diserio para una resistencia de entrada especifica En general, cuando se especifica lar sistencia de entrada R, del amplificador, la ganancia en voltaje A, (=v,/v,) no interest Normalmente, el amplificador actia como etapa de entrada de un amplificador de varias etapas. Los primeros siete pasos para completar los objetivos de disefio son los mismos qv se describieron con anterioridad. A continuacién se describen los dos pasos siguientes. Paso 8, Si se sabe, por la ecuacién (5.29) que la resistencia de entrada R, est dada por Ri Rll Ry = RpRy/ Rp + Ry) caleilese el valor de resistencia R, requetido en la base del transistor, por medio de R, TR /Ry Si Ry < 0, la R, deseada es demasiado grande; elijase un valor més bajo de Rj 0 uno nis} alto de Ry (repitiendo los pasos 1 a 4 con un transistor de mayor ganancia en cortient® y una corriente de colector /-, mas pequcfia), R, para Ry = R, SECCION 5.5» DISENIO DE AMPLIFICADORES 249 Paso 9. Calcular el valor requerido de la resistencia del emisor que no seré desviada Rey, por medio de Rare Rew ry + Re BD 0 Rey = TEE Si Rey <0, elfjase un transistor de mayor ganancia en corriente A y una corriente de po- larizacién Ic més pequefia. Los pasos 10 a 12 son los mismos que se utilizan al disefiar para una ganancia en voltaje cespecifica ‘Las ecuaciones de disefio que antes se aplicaron a amplificadores BJT, también pueden aplicarse a los FET. De acuerdo con la ecuacién (5.112), la cortiente de polarizacién de! drenaje Ip puede relacionarse con las rectas de carga de ca y de ed por medio de “oe = yg + Ry (5.115) Ib La resistencia de entrada de los FET es grande, y puede seleccionarse independientemente de ia ganancia en voltaje. Los amplificadores con FET normalmente se disefian para que proporcionen una ganancia en voltaje especifica A,. En la figura 5.65 se muestran tres po- sibles configuraciones del circuito. Ry (=Ryq, + Raq) proporciona el voltaje de polariza- ‘in requerido, y Ry produce la ganancia en voltaje necesaria A,,, Una vez que se estable- cen las especificaciones del amplificador, elfjase un FET adecuado y observe su voltaje de estrechamiento particular V, (0 voltaje de umbrat ¥,), su corriente de drenaje Ipss (con vas = 0) (0 constante de MOSFET K,) y su voltaje de modulacién de canal Viy (0 supon- {g2.un valor tipico de 200 V), Después, seleccidnese Ia corriente de drenaje Ip en el punto @. Al elegir Ip, se determina el valor maximo de /pymsx) 4¢ la hoja de datos para el transis- tor escogido. A continuacién se selecciona Ip $ Ipymix)/2 y la topologia del circuito de a figura 5.65(a), 5.65(b) 0 5.65(c). Los pasos de disefio necesarios para cumplir las especificaciones son los siguientes. Paso 1, Con la ecuacién (5.59) 0 la (5.67), determinar el voltaje compuerta-fuente Ves para valores conocidos de Ip, Ipsss Ys ¥ Vp: 1p = {tilVos ~ YO para MOSFET incrementales > fens = V,)? para MOSFET y JFET decrementales Paso 2. Con el valor conocido de Ves, calcular R,,. Un método consiste en utilizar Vos ~ Rylfol para JFET como el de ta figura 5.65(a) Para otras configuraciones, se utiliza Mee = Vpp/3 = Reel la cual da Ry = Voo/(3%o).¥ 2,Vop para FET como el de la figura 5.65(b) Rt Yop - fo ~ Rly Part MOSFET como el de la figura 5.65(¢) Paso 3. Con la ecuacién (5.72), calcular la resistencia de satida r, del FET: [Mal ip Paso 4, Con la ecuacién (5.74) 0 la (5.77), calcular la transconductancia gq, del FET: Vos Sno(1~Ty[) pata MOSFET y JFET decrementles ;) para MOSFET incrementales CAPITULO 5 —» —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION donde -2K,¥, ace para MOSFET y JFET decrementales o -2K,|¥| para MOSFET incrementales Paso S. Calcular la resistencia de compuerta Rg 0 las resistencias R, y Ro. Calcular Rg con Rg = R, para FET como el de la figura 5.65(a) Calcular Ry y Rp con las ecuaciones (5.81) y (5.82): para MOSFET como el de la figura 5.65(b) para MOSFET como el de fa figura 5.65(b) donde Vg = Veg + Vos y Von €8 el voltaje de cd en fa terminal de la fuente. Paso 6. Con los valores conocidos de Ry, Ip, Vpp y Rye caleular la resistencia de drenaje Rp. Com Reg = Rp + Rar Rea = Rol Ris 1a eeuaci6n (5.115) da RyRy Rpt Dt Ry + q Paso 7. Si se supone una ganancia en voltaje Aq, hacer que la ganancia en voltaje sin carga sea igual a Ay. Esto es, Ay, = A, como primera aproximaci6n, De acuerdo con la ecuacién (5.93), la ganancia en voltae sin carga A,, est dada por Mel 222 = pe ve Rpt etd + apRay | con la cual puede hallarse la resistencia de fuente Ry: | g,, = tio Mol 19) = Tayo + HQ) donde Hy = 8aPo Paso 8. Calcular el valor de la resistencia de la fuente que serd desviada Rye Raga = By — Rec Si Rug <0, Ayo €6 demasiado grande; selecciGnese un transistor con un valor més grande de By, Paso 9. Con ia ecuaci6n (5.88), calcular la resistencia de salida Ry: fo = Ug tL + He Reet Rp, Paso 10, Calcular la ganancia en voltaje Ay ML ARR, vo. RRR, FRY Paso 11. Si el valor de A, en el paso 10 no es mayor 0 igual que el valor deseado de A repitanse los pasos 7 10 con valores de Ay, cada vez mas grandes, hasta obtener ¢! deseado de A, en cl paso 10. Si no se puede obtener el requerimiento de ganancia, elf un transistor con un valor més grande de 8, SECCION 5.5» — DISENO DE AMPLIFICADORES 251 FIGURA 5.65. Configuraciones de circuto para amplificadores con FET 1 +¥op ru Se G4 Rev. (®) Amplifeador con MOSFET 3% K os R Ra (©) Ampliicador con MOSFET ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 5.5 En general, el implica toma de isiones y un proceso iteativo. Los pasos para el disetio desarrollados en esta seccién, serdn Gtles al calcular los valores de los componentes ppara cumplir con tas especificaciones. Er disefo de un amplifcador requiere un conoeimiento previo de las especificaciones desea- das, la seleccién de un FET o un BIT y la seleccién de un punto Q. ‘Una vez que se ha clegido el tipo de transistor y el punto Q, el siguiente paso es seleecionar cl circuito de polarizacién y determinar los valores de sus componentes. Los parmetros de sefial pequefia,calculados con los valores del punto Q, se utilizan enton- ces para determinar la resistencia del emisor (o de fuente) necesaria para obtener la ganan- cia en voltae o resistencia de entrada deseadas, CaPfTuLO 5» —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION Los transistores de unin bipolar (BJT) son dispositivos activos de dos ipos: npn y pnp. Los BIT son dispositivos controlados por corriente; la salida depende de la corriente de entrada, E! BIT puede ope- rar en una de cualquiera de estas tres regiones: de corte, activa 0 de saluracion. La ganancia en corrien- te directa fun parimetro muy importante, es el cociente de la corriente de colector y la corrente de base. El circuito de polarizacién establece el punto de operacién, de tal modo que los efectos de Jas variaciones de los parimetros se reduzcan al minimo, y permite la superposicién de sefiales de ca ‘con una distorsién minima. Los BST pueden representarse por medio de modelos lineales o no linea Tes. Casi siempre se uilizan modelos lineales, que dan valores aproximados al diseiio y andisis ini ciales. Los modelos no lineales normalmente se usan en el diseiio y andlisis asistidos por computa- dora, sobre todo con PSpice/SPICE. Para amplificar el voltaje se utiliza un amplificador de emisor comin. La resistencia del emisor incrementa fa resistencia de entrada, pero reduce la ganancia en voligje. Por regla general se requie- re un compromiso entte los requerimientos de alta resistencia de entrada y alta ganancia en volaj, El amplificador de colector comin, conocido como seguidor de emisor, oftece una alta resistencia de entrada y una baja resistencia de salida, on una ganancia que tiende a la unidad. El amplifieador pue- de tener dos rectas de carga: una de ca y otra de ed. La recta de carga de-ca se ve afectada por la re~ sistencia de carga externa. El disefo de un amplificador normalmente requiere que se especifiquen la resistencia de entrada, la resistencia de salida y la ganancia en voltae, ‘que son dispositives controlados por voltaje, tienen muchas ventajas sobre 1os BIT. ‘Son de dos tipos; FET de unién y MOSFET. Los MOSFET también son de dos tipos: inerementales yy decrementales. Cada tipo puede serde canal po de canal n. Segin el valor del voltaje drenaje-fuen- te; el FET puede operar en una de tres regiones: éhmica, de saturacién o de corte, En la regiGn she mica, e] FET opera como un dispositive controlado por voltae; en la regién de saturacién, como am- plificador. El voltaje de estrechamiento del JFET separa las regiones Shmica y de saturacin, El MOSFET incremental conduce sélo cuando el voltaje compuerta-fuente excede el voltaje de umbral. Debido a la polarizacisn inversa de la unién pr, en los FET fluye una pequefa corriente de compuer- la (del orden de A). La corriente de cornpuerta de un MOSFET es muy pequeia (det orden de nA). EI FET puede modelarse por medio de una fuente de corriente conuolada por voltaje. Los FET de- ben polarizarse adecuadamente para establecer el voltaje compuerta-fuente con la polaridad y mag- nitud apropiadas, El punto Q ha de ser estable, y debe disefiarse un circuto de polarizacién para re- —PROBLEMAS 253 Qué relacin existe entre disipacién de potenciay temperatura de unio? Qué son los modelos lneales de BIT? Qué es la coriene de saturaciéa de un transistor? {Qué es Ia ganancia en corrente de seal pequeta de un BIT? Qué es la resistencia de entrada de seal pequeta de un BIT? Qué s a esstencia de slide de seal pequeta de un BIT? iQué ese voltae de Early? Cuil es el objetivo de un capacitor de desvi del emisor? {Guiles son los parémetros de desempefo de un amplificador? {Guiles son las caracterstias de los ampliicadres de emisor comin? {Cues son las caracterstias de los ampliicadores de colector comin? Qué es una recta de carga de od? Qué es una recta de carga de ca? {Qué ventajas tienen los FET sobre los BIT? {Cusies son los tpos principales de JFET? 2Qu es el volaje de estechamiento de un JFET? Cules son tos tipos de MOSFET? 2Qué es un NMOS? iQuées un PMOS? {Qué es la regién ohmic de un FET? Cuales son ios efectos de fs caracersticas del JFET en el punto de pl Qué es la ganancia en transconductancia gq de un FET? Qué es ia resistencia de seal pequeta ry de un FET? 2Qué es el volaje de modulacién de canal de un FET? {Cuil es el objetivo del capacitor de desvo de fe fuente? {Cuiles son tos pardmetros de desempeio de un amplificador? {Cuiles son las caracteritcas de los amplifcadores de fuente comin? {Cuiles son las caracteristcas de los sepuidores de fuente? ‘Problemas 82 EI simbolo [seis los problemas de disco. FE! simbolo indica que la solucién a un problema se puede verificar por medio de PSpice/SPICE 0 de Electronics Workhench 5.2. Tronsistores de union bipolar Los pardmetros de un transistor npn son ay = 0.9934 € fy = 25 wA. Determine (a) fa ganancia en corriente directa i, (b) la cortiente de colector ic (@) la corriente de emisor fe [Los parémetros del circuito BIT tipo pnp de la figura PS.2 son Re = 1 kM, Re = KM, Veo = 15 V, Vex: = 5, Veg = 0.6 V y ag = 0.992. Caleule Ip, te fer Vee ¥ ew en €l punto Q. FIGURA P52 fee gc oe cs s ~ 4 Yee 5 c sete se CAPITULO 5 — > —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION Los parimetros del circuit transistor npm ilustrado en la figura PS.3 son R, = 100 kA, Re = 1kO, Re = 200.2, Vag = 0.7 Vy Veo = 12. (4) Cateue fg, Zo fe ¥ Vog en el punto de operacién, sip = 50 sie (©) Repita el inciso (a) con Re = 0 250. FIGURA P5.3 ov Los parimetros del circuito mostrado en la figura PS.4 son Ry = JOM, Re = IkO, Re = 200.9, Vaz = 0.7 V y Veo = 12V. (2) Cateute fy, Joy fe Vow €n el punto Q, si iy = $0 y si By = 250. (by Repita el inciso (a) con Ry = 0. FIGURA P5.4 Disefie un cicuito de polarizacin como el que se muestra en la figura 5.7(a). Caloute los valotes¥ las disipaciones de potencia de Rg, Rc, Ry y Rp y la disipacién de potencia total Py del czcuto, La fuente de alimentacién es Voc = 30 V. Los valores de polarizacién son Jc = 2 mA'y Vog = 126. El valor nominal de es 50. Suponga que Vag = 0.5 V y 1, = =. El circuito con transistor npn de la figura PS.6 tiene Vye = 0.5 V y Be = 80. Determine el valor de R, que da Jc = 4 mA, y el valor correspondiente de Veg. CAPITULO» PROBLEMAS 255 FIGURA P5.6 Re : ao c 8 Le Vee 3, = ee E & he ska S200 1D 527 Ex circuito con transistor pnp de la figura PS.7 tiene By = 100 y Vep = 0.7 V. Calle Ley Vee Ky Re win $sin a Ste E Veo Ko rr 20V Re en te 5.8 Los parémetros de circuito amplificador de la figura PS.8 son Voc Ry = 2-5 KO, Ry = 450 2, R, = 500M, Ry = SkAy C, 200 V. y Vg, = 0.7 = 500.0, R, = 65k0, C, = = Suponga que By = 100 y Vy, FIGURA PS.8 Wee Gre 256 CAPITULO > —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION (@) Determine el punto Q definido por fy. le y Veg (b) Calcule los parémetros de sefal pequetia fq, rx Y Fo del transistor. (© Cateale la resistencia de entrada Req, = ¥/i a gonancia en Volaje sin C&tE Avo = Y/Y lt re sistencia de sala R,, la ganancia en voltae total A = v/v, la ganancia en coriente A, ~ f/i, y la ganancia en potencia A, (@) Use PSpice/SPICE para tazar la grfca de los valores instanténeos de ¥, Yo, YB ic € i [59 Elampliicador con BIT de la figura 5.10 tiene Ry = 5.5 KO, Ry = 15 KM, Re = 1.5 KO Ry Ry = 5KO,R, = 200 My Voc = 5 V. Suponga que fy = 100 y V4 = 200 V. (a) Determine el punto @ definido por yy fe ¥ Ves (b) Catcule tos pardemetros de seal pequetia fy rg ¥ Ty de transistor. (©) Caloute la resistencia de entrada Roy = Yi la ganancia en voltaje Sin €81ga Avg = Yo ya r= sistencia de saida R,, la ganancia en voliaje total A, = v/v la ganancia en cortiemte A, = igfi y la ganancia en potencia A, (a) Use PSpice/SPICE para tazar la grfca de los valores instanténeos de, Ye Yo c i BD 5:10 El seguidor de emisor de la figura 5.15(a) tome Ry = 74 KO, Re = 750.0, Ry, = 5 KOR, Veo = 18 Vy Vag = 0.7 V. Suponga que Br = 100 y Vx = 200 V. (a) Determine el punto @ defnide por Ipc ¥ Voe (b) Caloule los pardmetvos de seal pequefia gay r= ¥ fy el transistor. {) Caloule la resistencia de entrada Req = fi fs ganancia en volaje sin carga Ayy = vp la re sistencia de sada R, la ganancia en voltae total A, = v/v, la ganancia en corriene A, = if y la ganancia en potencia Ay. (a) Use PSpice/SPICE para trazar la gréica de los valores instantineos de %, Yi © jp S.11 Un seguidor de emisor es polarizado con una fuente de cortiente transistorizada, como se muestra en la figura PS.11(a). Suponga que todos los transistors son idénticos, con fip = 100, Vgg ** 0.7 Vy Vy = 200, y que R= SkMy Ry = 1KM. (a) Halle la corriente de polarizacién equivalente Ig y la resistencia r, como se muestra en ta figura PS.110b) (b) Catcule la resistencia de entrada de sefal pequetia R y la resistencia de salida R, del seguidor de 150.0, 2000, FIGURA P5.11 @ 5.12 Lacortente de poarizaién del seguidor de emisor dela figura PS.11(a), puede ser generada por 1s cireuitos de la figura P5.12. Determine la coment de polarizacin equivalent fy y la resistencia fe Suponga un transisioe con p= 100, Vag = 0.7 Vy Vx = 200 V,¥ una cada de diodo Vp = 07 CapftuLo 5» PROBLEMAS 237 FIGURA P5.12 re @ o © @ nen vy > 5.3. Transistores de efecto de campo 5.13 Bf volije de estrechamiento de un JFET de canal m es Vp = ~5 V,y la comriente de saturacion es de Ipsg = 40 mA. El valor de vpg¢s ta, que el transistor opera en fa egién de sauracin. La comiene de drenaje es ig = 15 mA. Calcue el vltaje compucra-fuene ve. 5.14 BI voltaje de esuechamiento de un JFET de canal p es Vp = 5 ¥, y la comiente de saturcion es Ipsg = 40 mA. El valor de vps sta, que el transistor oper en la regi de sturacén, La comiente de drenaje es jy = 15 mA. Caeule el vollaje compuers- fuente vos 5.4 Un MOSFET incremental de cana nine V, = 3.8 Ve ip = 8 mA (con vgg = 5.8 V). Determine (a) jp cuando vos = 5 V(b) ¥og cuando ip = 6 mA, (c) el Valor de vp en rontera entre las regiones Shmica y de saturacidn si ip = 6 mA, y (@) la razén W/L Si fy = 600 cm?/V: 8, fog = Ol My Coy = 3.5 x 107"! F/em?. Suponga que el MOSFET opera en fa region de saturacién. 5.16 Un MOSFET incremental de cana p tiene V; = ~35 Ve fp = 8 mA (con vos = ~5.8 V)-Determi- ne (a) ip cuando vg = ~5 V(b) yo cuando iy = 6 mA, (e)€l valor de vpg en la frontera ene las Tegiones_dhmica y de satracion cuando ip = 6 mA, y (@) la razdn W/L 8 Hy = (600 cm?/V* 5, typ = 0.1 pm y Coy = 3.5% 1078 Fem? 5.7 Un MOSFET decremental de canal tone V, = —$ Ve ip = 5 mA (con ¥gg = ~4 V). Determine (@) ig cuando veg = —2V, (6) vaq cuando ig = 6 mA, (eel valor Ge vps et Ta frontera ene Ise giones dhmica y de saturacién cuando ip = 6 mA, y (d) la raz6n W/L si wy = 600 em?/V - sy Coq = 3.5 X 107" F/em?. Suponga que e| MOSFET opera en la regién de saturacién. $18 El cicuito FET de canal nde fa figura $47(0 tiene Rp = 15 KM, Ro = 500 KAD, Ry = 1 KSLy Vop ~ IS V. Caleule fp, Vos ¥ Vos 8 () loss = 25 mA e fp = 0:5 mA (com vos = ~6:5 V)y tb) Ings = 5 mA ip = 0.5 mA on vos = —13 V9 BZ 519 El citouto de polarizacién para el JFET de canal de fa figura $.47(), ene Ry = 350 KO, Ry = 100 KD, Vpg = 15 V.Rp = 15 KXLY Ry = 2.3 KO. Los pardmetos del transistor son pss = 15 mA y Vp = 43 V.Suponga que el SFET opera en la regién de satura sale 07. 258 5.20 521 BD s2 CaPtruLo 5» DisPOSITIVos D AMPLIFICACION (a) Caleule los valores de Ip, Vos ¥ Vas en el punto O. (b) Calcule et valor minimo de Ry, de modo que Vos <0. (©) Use PSpice/SPICE para verificar su disefio en el inciso (a), En la figura PS.20(a) se muestra un amplificador con JFET de canal n La caracteristica de drenaje se ilastra en la figura P5.20(b). Los valores de polarizacién son Iy = 4 mA. Vos = 10 Vy Vos = =2V. Caleule los valores de Rp y Ry FIGURA P5.20 CComieme de drenaje (en 8) +Vo By j 4 Ra 03 1 18 2 Yoylenvy Vottajedrenaje-fuente @ ® Para el circuito JFET de canal n mostrado en la figura PS.21, Ry = 2.5 kQ y Vop = 18 V. Los paré- meuos det JFET son Vp = ~1.5 Ve Ipgs = 5 mA. Calcule los valores de polarizacién de Ip. Vos ¥ Ys FIGURA P5.21 Vp = BV Re 25k Yon = & ova] 340) Para el circuito JFET de canal n mostrado en la figura P5.22, los valores de polarizacién son Ip * 7.5 mA y Vps = 10 V. Los pardmetros del JFET son Iyss = 10 ma y Vp = ~5V. Sila caracteis+ cca de drenaje estd deserita por ; print" calcule (a) valor de polarizaciin de Vgg y (b) los valores de Ry, y Rp. Supanga que Vpo = 20¥- CAPITULO 5 > © PROBLEMAS 259 FIGURA P5.22 Ro fe El circuito de polarizacién NMOS mostra en la figura 5.47) tiene Vop = 15V, R, = 1.5 MO, Ry = 0.5 KAY Ry = 4 KA. Los pardmetros del NMOS son ¥, = 2.5.V y K, = I mA/V?, Calcule Vos ¥ Vas: DiseBe un circuito de polarizacién como el que se muestra en la figura 5.47(f) para un JFET de ea- nal. El punto de operacién se debe mantener a fp = 8 mA y Vos 7.5 V.El voltae de alimenta- cidn de ed es 15 V. Los pacémetros del FET son ipgg = 15 mA y ¥, = ~5 V. Suponga que el cir cuito opera en La regién de saturacién 5.25 Para el citcuito de polarizacién del NMOS mostrado en la figura 5.47(0), ¥, varia desde | V hasta 25 V4 K; lo have desde 200 A/V? hasta 150 A/V? Si la variacin de la corriente de drenaje ha de limitarse a 350 uA # 20%, caleule los valores de Ry, Ry Ro ¥ Rp En [a figura P5.26 se muestra un circuito para un MOSFET decremental de canal Los parémetros del transistor son V, = ~5 Ve pss = 10 mA. Calcule ls valores de polarizaci6n de Ip, Vos ¥ Vos Suponga que Ry =i MO, Ry = 60 ky Rp = 1 KO. FIGURA P5.26 50 = 18 $f ima 3th : t+—fa™: & won 5.27 En la figura P5.27 se muestra un circuito para un MOSFET incrementai de canal n. Los parimetros dei NMOS son V, = 4 Vy K, = 1.2 mA/V2, Si los valores de polarizacién se han de establecer en In = 10mA y Vos = 8, calcul los valores de Ry, Ro y Ry Suponga que pp = 20 V. FIGURA P5.27 +p 260 B52» BD 531 Los pardmetros del circuito NMOS mostrado en la figura PS3t son Ky = 1.5 mA/V2, Y= B s32 CAPITULO > —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFTCACION ‘Trace ta grifica de la caracteristca de transferencia aproximada del cirevito CMOS de fa figura 5.28, para ¥; = 045 V. Los pardmetzos del citcuito son Ry = 25 kM, Ky = 20 wA/V?y Y= 2V, FIGURA P5.28 Yop = 5¥ Los pardmeiros de citcuito NMOS mostrado en la figura P5.29 son K, = 12 V. Determine los valores de Vy, Ip Vos mA/V,Y=2Vy Yop = FIGURA P5.29 fe Hyp = 12 fey Ms Los pardmetros del circuito NMOS de la figura PS.29 son K, = 1 mA/V. p= 2Vy Vo = 12V. Determine ef valor de R,, de modo que V, = 5V. DV, Rey = LSKOLY Voy = 12'V, Determine los valores de Vy. Ip y Vos FIGURA P5.31 El amplificador con JFET de la figura P5.32 tiene R, = $00 0, R, = 10 kM, Ry = Ry = SKB Ro, = 100 KO, Ips5 = 10 mA, V, = —4V, [Veal = 200 V y Vop = 12 V. Calcul (a) la resistens# de entrada Reg, > Mf (b) la ganancia en voltae Si Carga Awy = Vo), (6) la resistencia de sli Ry (@) la ganancia en voltae total A, = »L/ CAPITULO > PROBLEMAS 261 FIGURA P5.32 Raa 1 5.33 El ampliicador con MOSFET de la figura P5.33 tiene R, = 500.0, Ry = Ry, = 5 k0, Roy = 7MO, Roy = 5MO, K, = 20 mA/V2, = 35 V, [Vy] = 200 V y Vop = 12 V. Caleue (a) la resistencia de entrada Rey = ¥Jiy (O) la ganancia en voltae sin carga Avy ~ vo/ry (6) la resistencia de slida yy (A) la ganancia en voltae total Ay = ¥,/% FIGURA P5.33 ey forS ME oo atta |i | 4 7 © Ske f * 4-4 Rew gR = Ra 5.34 El amplificador con NMOS de Ia figura PS.34 tiene Vop = 15 V. R, = S002. R= 10 KO, Ry = 3 KE, Ry = 05 KX, Re = UMM, Vy = ~150V, ¥, = 24V y K, = 2.082 mA/V% Calevle (a) la resistencia de entrada Rig = Vii (b) la gananciaen voltae sin Carga Ayy = ¥e/¥y (6) la resistencia de salida Ry (B) la gananciaen voltae total A, = v4 /% FIGURA PS.34 i [aise emetic Jere ® Ry & 7 Re ap F k (2) Chreuite (b) Circuito de seal pequedia By 5.35 £1 amplificador con NMOS de la figura P5.34 tiene Vpo = 15.V, Ry = 1 KO. R= 5K Ree = 14K, Ry = 0.5 KO, Re = 10MM, Vyq = ~100 V, ¥, = 2Vy Ky = | mA/V*,Calcue (a la tesis- tencia de entrada Rey = vs/iy (b) la ganancia en voltaje sin Carga A,, = Y/Y (€) la resistencia de salida R, y (d) la ganancia en voliaje total A, = 4% 262, CaPfTULO 5» DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION $36 El amplificador con MOSFET de la figura PS.36 tiene R, = 500.0, Ry = 3040, Ry = SOKO, Rp = 10 K(1y R, = 15 KA. Suponga que Vy = ~200 V, = 2V y K, = 30 A/V? Calcule (a) lare- sistencia de entrada Ry = ¥s/iy (b) la ganancia en voltaje sin catga Aye = Vo/¥y, (6) la resistencia de salida R, y (A) la ganancia en voltae total A, = v/v, FIGURA P5.36 a thay =v i % | pan wt eet fteeeie + tM a Sa sf 4 Row = Row 5.37 El seguidor de fuente de la figura 5.57(a) tiene R, = LkO, Ry = 1 kM, Ry = 1 kM, Re = 10M, Ipss = 20 MA, Vy = ~4V, [Val = 200 V y Vop = 12 V. Calcul (a) la resistencia de entrada Rex = vig (b) la ganancia en voltae sin carga Ayp = Yo/¥y () la resistencia de salida R, y (a ganancia en voltaje total A, = ¥1/¥y 5.38 El seguidor de fuente dela figura PS.38 tiene R, = 500.0, R; = 10k0, Ry = SKM Re = LOMO. ‘Suponga que V, = ~4V, Vig = —100V y gay, = 20 mA/V?. Calcule (a) ta resistencia de entrada Ren vite (D) la ganancia en voltaje sin carga Ayy = ¥4/4y () la resistencia de salida Ry y (dla ganancia en voltaje total Ay = 91/5 FIGURA P5.3% BD 5.39 En a figure P5.39 se muesta un amplificador de fuente comin, Los parémetros del transistor Vp = 3 Vlogs = SOMA y Vy = 150. (a) Caleue los parimetros de sefil pequeta del FET. (b) Calule la resistencia de entrada Ray = %/i a resistencia de sali R,, Ia gananciaen vat Sin carga Avg = vo/ py ¥ lw ganancia en voltaje total Ay = ¥,/% Di s40 sa CaptTuLo 5» PROBLEMAS 263 ricuma rs.a¢ R I" +, 5000 iT i‘ ~) FA 20K = sh. Rene Re Roa En Ia figura P5.40 se muestra un seguidor de fuente. Los pardmetros del transistor son Vp = ~5V, Toss = 50 mA y Vy = —150V. (a) Calcule los parémetros de sefal pequefia del JFET. (b) Caleule la resistencia de entrada Rag = ¥/iy la resistencia de salida R,, la ganancia en voltaje Sin carga Avg = vo/y y la ganancia en voltaje total A, = ¥L/¥, En la figura 5.41 se muestra un amplificador con NMOS. Los parémetros det transistor son ¥, 4V.K, = SOmA/Y y Vag = 150. (@) Calcule los pardmetros de sefal pequetia del MOSFET. (b) Calcule la resistencia de entrada Rjqy ~ vy la resistencia de salida R,, la ganancia en voltaje sin carga Ay = Yo/¥s ¥ la ganancia en voltaje total Ay = ¥%4/%. FIGURA P5.41 CAPITULO — > —_DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION 5.42 En la figura PS.42 se lustra un amplificador en configuracién de cascada. Los pardmetros del circu 2m, Vop = 20V, Re = 10 MO, R, = 500.0, Re, = 500.0, Ry = 4 ky R, = 1040, Los pardmetros del transistor son Vp = 3.5 Vs Ipgg = 12.5 mA y Vy = —150 V. Caleule (a) Ia e= sistencia de entrada Reg = ¥s/i (b) la resistencia de salida R, (€) la ganancia en volte sin carga Ayy = Y/Y (@) la ganancia en voliae tral A, = y./¥, Astmicndo que J, opera én la regi6n de saturaciOn ¥ J, opera en la egién hmica con una sefial pequefia Vos FIGURA P5.42 a f Raw > 5.5. Disefo de amplificadores Disefe un amplificador de emisor comin, como el que se muestra en Ia figura 5.12, para producir una ganancia en voltae A, = v/v, = ~20, Suponga que By = By = 100, Voe = 0.7 V. Vy = 200 V, fe = 10 mA, Veg = 15 V,R, = 300 Ay R= 20kO. Diese un amplificador de emisor comiin, como el que se muestra en la figura 5.12, para producir una resistencia de entrada R, = v4/i, = 4 KO. Suponga que B= Br = 100, Vag = 0.7 V, Va = 200 ¥, I = SmA, R, = 250.0, Veo = 15 Vy Ry = 10M, (a) Disefe un amplificador de emisor comin, como el que se muestra en la figura 5.12 para produ cir una ganancia en voltje 4, = »,/v, = ~25. Suponga que By = Br = 150, Vag = 0.7 V. Vp = 200 V, fe = 1S MA, Veo = 18 VR, = 250.0 Ry, = 5k. (b) Use PSpice/SPICE para generar los pardmettos de seial pequetia rrp y 7, del transistor y para verificar su ise. (@) Disedie un amplificador de emisor comin, como el que se muestra en la figura 5.12, para produ: cir una resistencia de entrada R, = v4/i, = 3.5 KX Suponga que f= Br = 150, Vag = 0.7. Vq = 200 V, lc = ISMA, Voc = 18 Vy R= 5 kA. (©) Use PSpice/SPICE para generar los pardmetros de setal pequetia Fg. Foy Fy del transistor y > rificarsu diseio, Disefie un seguidor de emisor como el que se muestra en la figura 5.15(a). Suponga que By = Pr = 100, Vag = 0.7 V, Vq = 200 V, fc = 5 mA, R, = 500.0, Voo= 1S Vy Ry = 1kDy Ay =I (a) Disefe un seguidor de emisor como el que se muestra en la figura 5.15(a). Suponga que = Be = 150, Vag = 0.7 V, Va = SOV Ic = 10mA, R, = 500, Voc = 18V, Ry = SkMyA,~ | (b) Use PSpice/SPICE para generar los parimetros de sefal pequetia Fp ro ¥ Ty del transistor ye nificar su disenio, $49 (a) Disefie un seguidor de emisor como el que se muestra en la figura 5.15(4). Suponga que f= Be = 150, Vag = 0.7 V, Va = 150 V, le = 10 mA, R, = 5002, Voc = 18 V. RL = SkAy A, =! (b) Use PSpice/SPICE para generar los pardmetros de sefial pequetia ry. Fo Y fq del transistor ¥ Ye tificar su disefo. (a) DiseBie un seguidor de emisor como el que se muestra en la figura 5.15(4) para produci uns sistencia de entrada de R, = v4/i, = 15 kO Suponga que Bj = By = 150, Vag = 0.7 ¥. Ya“ 150 V, fe = 15 mA, R, = 500 0, Vec = 18 Vy RL = 5k. () Use PSpice/SPICE para generar los parimetros de sefal pequeit rp. ¥ Fx del transistor ¥ rificar su disefio, CaPiruLo 5» —PROBLEMAS 265 Disefe un amplificador de emisor comin, como el que se muestra en la figura S.26a), con una fuen- te de coriente activa. Use tansistores con fr minimo = 200, nominal = 250 y Vy = 200. La coriente de operacin de coletor es Je = | mA. La fuente de alimentacin de ed es Voc = 10. Suponga que Vag = 0.7 V. __ 5.52 El amplificador de emisor comin de la figura P5.52(a) se polariza con las fuentes de corriente mos a tradas en la artes (b),(c),(8)y(e). Determine los pardmeuros de circuit de cada una de la fuentes para producir fg = 1 mA. Suponga un transistor pap con iy = 100, Vag = ~0.7 V, Vy = 200 y Vp = 0.7 V. La fuente de alimentacion de ed e3 Vee = 12 V. (Nota: No existe una solucién Unica) FIGURA P5.52 tve= BV tYec= BV k & bo % y + a +-—La : R ” i | ® Veg = 12V Voc +¥ec %, fi % See hs >, ® x RX R I~ i fi © © © Diseie un amplificador de emisor coman-base comin como el que se muestra en la figura PS.53, para Producir una ganancia en voltgie A, = v/v, = =12. Suponga que Voc = 15 V y R, = 250. Use ‘ransistores bipolares de tipo 2N2222 0 2N3904. FIGURA P5.53 CAPITULOS > DISPOSITIVOS DE AMPLIFICACION Disefie un amplificador de fuente comin con JFET de canal n, como el que se muestra en ta figura $5.65(a). Los requerimientos son fy = 10 mA, A, = ~5 y Ry = 50 k0, Los pardmetros del IFET son ¥, = ~4V, pgs = 20.mA y Vyq = ~200V. Suponga que R, = 500.0, Vip = 20 y Ry, = 50 kN. Disefie un amplificador de fuente comin con MOSFET incremental de canal n, como el que se mues- tra en la figura $.65(b). Los requerimientos son A, = ~5, R, = 50 kfle fy = 10 mA. Los paréme- tros del MOSFET son V; = 2V, K, = 40 mA/V?y Vy = ~200 V. Suponga que R, = 0.2, Yop, 20V y Ry = 50K. $56 Disefie un amplificador de fuente comin con JFET de canal n, como el que se muestra en la figura 5.65(a). Los requerimientos son Ip = 20™mA, Ay = =4 y R, = 50 KO. Los parémetros del JFET son Vp = ~5V. pss = 40 mA y Vig = — 100 ¥. Suponga que R, = 500.0, Yop = 20V y Ry = 5 kA. 8.57 _Disefie un amplificador de fuente comin con MOSFET incremental de canal n, como el que se mes tra en la figura 5.65(b). Los eequerimientos son Ay = ~15, R, = 10 MMe fo = 10 mA. Los pardme teos del MOSFET son ¥, = 4V, K, = 50 A/V" Vyy = 100 V. Suponga que R, = 1 KO, Yop 20V y R= 5 kM Repita el problema 5,57 con la configuracidn mostrada en la figura 5.65(c). Diseie un seguidor de fuente como et que se muestra en la figura 5.57(a) Los requerimientos son R, = 50 kM ely = 10-mA. Los pardmetos del JPET son V, = ~3 Vsdpss = 40 mA y Vy, = ~200¥. Suponga que R, = 500 02, Voy = 20V y Ry = 10 KO. Disefie un seguidor de fuente como el que se muestra en la figura 5.57(a) para produce R, = 50 kA € fp = W0 mA. Los pardmettos del JFET son Vp = ~4V. foss = 20 mA y Vy = ~200 . Suponga que R, = 00, Voy = 20V y Ry = 10 KO. 5.61 Disefie un amplificador en cascada como el que se muesraen la figura P5.61, para producic una ga- nancia en voltgje A, = v,/¥, = —S. Suponga que Vpp = 20 V y R, = 2500. Use un JFET de tipo 2N3BI9 Vy = —3.5 Vy loss = 12.65 mA. FIGURA P5.61 % Ro > NOTA: Quizé necesite utilizar un capacitor para desviar una parte de Rye lontenido del capitulo Introducci6én a los amplificadores operacionales operacionales Introduecién 6.6 Circuitos con amplificadores operacionales ‘Caracteristicas de los amplificadores y diodos operacionales ideales 6:7 Disefio de cireuitos con amplificadores Modelos de PSpice/SPICE de operacionales amplificadores operacionales Anilisis de circuitos con amplificadores ‘operacionales ideales RESUMEN > REFERENCIAS Aplicaciones de los amplificadores PREGUNTAS DE REPASO > PROBLEMAS 6.1 Introduccién En el capitulo 5 se mencioné que pueden emplearse transistores para amplificar sefiales. El amplificador operacional (o amp-op) es un amplificador de alta ganancia, con acoplamiento directo, formado por varias etapas: una etapa de entrada, que offece una resistencia de en- trada alta con cierta cantidad de ganancia en voltaje; una etapa intermedia, que produce una ganancia en voltaje alla, y una etapa de salida, que proporciona una resistencia de salida baja. El amplificador operacional trabaja con un voltaje diferencial entre dos terminales de entrada, y es un amplificador completo en un circuito integrado. 1 amplificador operacio- nal, a menudo llamado circuito integrado (CI) lineal (0 analégico), es un circuito integrado muy versatil que sirve como bloque bisico en muchos circuitos electrénicos. En la mayor parte de las aplicaciones, todo lo que se requiere para disefar citcuitos con amplificadores ‘operacionales es un conocimiento de las caracteristicas entre terminales de éstos. Sin em- bargo, en algunas aplicaciones que requieren precisién es necesario el conocimiento del comportamiento interno de los amplificadores operacionales. Los abjetivos de aprendizaje de este capftulo son los siguientes: ‘© Aprender las caracterfsticas externas de los amplificadores operacionales y cémo modelarios. «© Analizar y disefiar circuitos con amplificadores operacionales « Aprender acerca de la utilidad de los amplificadores operacionales en el acondicio- namiento de sefiales 267 268 CapfruLo 6 + INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES 6.2 1 simbolo de un amplficador operacional se muestra en la figura 6.1. Un amplificador 4 Caracteristicas de | operacioa iene al menos cinco mines, La termina 2s entadeinvesor” Pog i salida que resulta de la entrada en esta terminal se invierte. La terminal 3 se denoming los amplificadores “entrada no inversora’” porque a salida que resulta de la entrada en esta terminal tiene a operacionales rnisma polaridad que la entrada, La terminal 4 es para a alimentaién negatva de cd Vee ideales ‘La terminal 6 es la terminal de salida, La terminal 7 es para la alimentacin positiva de cd Veo En lugar de utilizar dos fuentes de alimentacién de ed, puede emplearse una sola fuen- rgurac: —_( Voc para generar Vec y Ve, como se muestra en la figura 6.2(a). Bl valor de R debe ser Simbolo de un amplificador _suficientemente grande (por lo general, R = 10 kf) para que no consuma mucha corriente operacional _de la fuente de ed Vpc. Los capacitores se utlizan para el desacoplamiento de la fuente de alimentacién de ed, y el valor de C, en general, varia de 0.01 uF @ 10 uF. En vez de dos re- *¥oc sistores, puede usarse un potenciémetro para asegurar que Voc = Vgg, como se muestra en Ia figura 6.2(6). Los diodos D, y D, impiden cualquier flujo inverso de corriente; se uti 7an a menudo para proteger los amplificadores operacionales en caso de que las terminales A >t positiva y negativa de los voltajes de alimentaci6n Vp< se inviertan por accidente. Asimis- mo, pueden utitizarse dos diodos zener para obtener voltajes de alimentacién simétricos, é ‘como se muestra en la figura 6.2(c) El valor de R debe ser suficientemente pequefo para hacer que los diodos zener operen en el modo zener o de avalancha, Obsérvese que estos circuitos no trabajan cuando la alimentacidn de ed esta conectada a tierra e 2 7] ode ae FEGURA.62 Configurasiones para Yolajes de alimentcin posto y negative bt Ye BF Hee > ec m a oN > P OY Nae Rk ov ov Dy D: +t “Yee +t Yee @ o © Re El voltae de salida de un amplificador operacional es ditectamente proporcional al vol taje de entrada diferencial (0 diferencia de voltaje) de seftal peque'ia. De este modo, el ame plificador operacional puede modelarse como una fuente de voltaje controlada por volta en la figura 6 3(a) se muestra el ciecuito equivalente. El voltae de salida vo es Wo = Ale = Adlts — 9 ) donde A, = ganancia de voltaje a circuito abierto de sefial pequefia = voltaje de entrada diferencial (0 diferencia de voltaje) de sefal pequenia = voltaje de sefial pequefia en la terminal inversora con respecto a tierra v4. = voltaje de seial pequeita en la terminal no inversora con respecto & tierra La resistencia de entrada R; es la resistencia equivalente entre las terminales de ent” da diferencial. La resistencia de entrada de un amplificador operacional con una etapa entrada de BJT es muy alta, con un valor caracteristico de 2 MQ. Los amplificadores 0 racionales con una etapa de entrada de FET ofrecen resistencias de entrada mucho mis altas (es decir, 10'? 0). Por consiguiente, la corriente de entrada consumida por el ampli ficador es muy pequefia (por lo general, del orden de los nA) y tiende a cero. SECCION 6.2» — CARACTERISTICAS DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES IDEALES 269 FIGURA 6.3 Circuito equivalente de un amplificador operacionai ec 4 By 6 wa x Les |e 10 1G? 10) 10% 105 108 /¢Ea HR) Z| fe FIGURA 6.4 Jo de un amplificador ‘operacional ideal (2) Circuito equivatente ‘transferencia ae (@) Caractersten de (©) Ganancla comin en funcién Frecuencia La resistencia de salida R, es la resistencia equivalente de Thévenin. Por lo general, su valor varia de 10 a 100.0, con un valor caracteristico de 75 12. Sin embargo, su valor efec- tivo se reduce cuando se hacen conexiones externas; en al caso, R, puede omitise en la ‘mayor parte de las aplicaciones. La ganancia de voltaje diferencial a circuito abierto A, es la ganancia de voltaje dife- rencial del amplificador sin componentes externos. Varia entre 10° y 10°, con un valor ca~ racteristico de 2 10°. Como cl valor de A, es muy grande, vz se vuelve muy pequeto (por lo general del orden de los V), y tiende a cero. La caracteristica de transferencia (vg en funcién de vy) se muestra en la figura 6.3(b). En realidad, el voltaje de salida no puede ser mayor que ef voltaje de saturacién positivo o negativo + V,,. del amplificador operacionai, el cual esté dado por los voltajes de alimentacién Voc y Vee, respectivamente. En general, el voltaje de saturacién es 1 V menor que el voltaje de alimentacién Voc 0 Veg. En conse- cuencia, el voltaje de salida es directamente proporcional al voltaje de entrada diferencial vg pero solo hasta que se alcanza el voltaje de saturaciGn; a panir de este valor, et voltaje de salida permanece constante. La ganancia de los amplificadores operacionales reales tam- bign depende de la frecuencia. En la figura 6.3(c) se muestra una caracteristica de ganancia en funcién de la frecuencia. El valor caracteristico dela frecuencia de corte f, es de 10 Hz, con un ancho de banda de ganancia caracteristico de 1 MHz. Obsérvese que en el modelo de la figura 6.3(a) no se incluye el efecto de saturacién, y se supone que la ganancia A, per- ‘manece constante para todas las frecuencias El andlisis y el disento de circuitos que emplean amplificadores operacionales se sim- plifican en gran medida si se supone que los amplificadores operacionales del circuito son ideales. Tal suposicién permite representar de una manera aproximada el comportamiento {del circuito con la finalidad de obtener los valores aproximados de sus componentes, de ‘modo que se satisfagan algunas especificaciones de disefio. Si bien las caracterfsticas de los amplificadores operacionales reales se apartan de las caracteristicas idcales, en la mayoria de las aplicaciones los errores introducidos por las desviaciones de las condiciones ideales son aceptables. En aplicaciones que requieren resultados precisos, se utiliza un modelo complejo del amplificador operacional. En la figura 6.4 se muestra el modelo de circuito de tun amplificador operacional; sus caracteristicas son las siguientes: * La ganancia de voltaje a circuito abierto es infinita: A, La resistencia de entrada es infnita: R, = =. * El amplificador no extrae corriente: i, = 0. « La resistencia de salida es insignificante: R, = 0 + La ganancia A, permanece constante y no depende de la frecuencia. 270 CAPITULO 6 > —INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES ‘+ El voltaje de salida no varia con los cambios de la fuente de alimentacién, Esta con- dicién casi siempre se especifica en funcién de la sensibilidad a variaciones en la fuente de alimentacién (PSS, por sus siglas en inglés) : PSS = 0, + El amplificador operacional es un amplificador diferencial, y debe amplificar la se- fial diferencial que aparece entre las dos terminales de entrada. Cualquier scfial que sea comiin a las dos entradas (pot ejemplo, ruido) no debe amplificarse y tampoco, debe aparecer en la salida, Por tanto, la ganancia diferencial (producida por una se- fal diferencial) debe tender a infinito, y la ganancia en modo comén (debida 4 tuna sefial comiin) debe tender a cero, Generalmente, la condicién se especifica en funcién de la relacién de rechazo en modo comiin (CMRR. por sus siglas en inglés): MRR = «, Esta telaciGn se analiza en la secci6n 7.3. BJEMPLO6.1 SOLUCION, Determinacién del voltaje de entrada y corriente de entrada diferenciales de un amplificador ‘operacional EI amplificador operacional de la figura 6.3(a) tiene una ganancia a circuito abierto Ag = 2 X 10%. La resistencia de entrada es R, = 0.6 MO. Los voltajes de alimentacién de ed son Vee = 12 Vy Veg, = —12 V, asumiendo que Vig = #1 V. (a) {Cuil es el valor de vg que saturaré al amplificador? (®) {Cuéles son los valores correspondientes de la corriente de entrada i? (@) 14 vo/Ay = £11/2 X10) ) i= “VJ R, = £55 4V/06MO BIEMPLO6.2 SOLUCION Determinacién del voltaje de salida méximo de un amplificador operacional Los parémetros del amplificador operacional de la figura 6 3(a) son: A, = 2 X 10°, R, = 2MQ, R, = 75.0, Yoo = I2.V y ~Veg = 12 V. La maxima oscilaciGn posible det voltaje de salida es © 11 V. Si v. = 100 KV y v,. = 25 eV, determinar el voltae de salida Vo, De acuerdo con la ecuacién (6.1), Yo = Aglvy — ¥-) = 2% 108 x (25 ~ 100) x 10° Debido a la saturacién, el voltaje de salida no puede exceder el limite maximo de voltaje de -I1 Vy, Por consiguiente, vo = 11 V. 15V ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 6.2 H icador diferencial con acoplamiento directo. Tiene amplificador operacional es un ampl ‘una gananeia grande (por lo general, de 2 % 10°), una resistencia de entrada grande (por lo general. de 1 MQ), y una resistencia de salida pequeiia (por lo comin de $0 0). ‘* El amplificador operacional ideal tiene como caracteristicas una ganancia infinite, una resis: tencia de entrada infinta y una resistencia de salida cero, ‘+ El amplificador operacional requiere fuentes de alimentacién de cd, y la oscilacign méxima del voltae de salida estélimitada por los voltajes de alimentacién de ed. 63 * Modelos de PSpice/SPICE de amplificadores operacionales Existen muchos tipos de amplificadores operacionales, como se veré en el capitulo 15. El amplificador operacional puede simularse con base en la configuracién de su circuito iar terno. Sin embargo, la estructura interna de los amplificadores operacionales es muy Com pleja, y difiere de un modelo a otro. Por ejemplo. el amplificador operacional A741 de Propésito general est compuesto por 24 transistores. Es demasiado complejo para anal zarlo con la versién de evaluacién det programa de simulacién de circuitos PSpice: obstante, un macromodeto, que es una versiGn simplificada del amplificador operacionsl ¥ que requiere s6lo dos transistores, es bastante preciso en muchas aplicaciones y puede ees rer Te lo lineal de cd FIGURA 6S Modelo lineal de cd SECCION 6.3» — MODELOS DE PSPICE/SPICE DE AMPLIFICADORES OPERACIONALES 271 ‘mularse como un subcircuito 0 como un archivo de biblioteca [6]. Algunos fabricantes de amplificadores operacionales proporcionan macromodelos de sus productos [5]. La versién de evaluacién de PSpice cuenta con una biblioteca llamada NOM.LIB, que contiene los modelos de tres tipos comunes de amplificadores operacionales: 4741, LM324 y LF4I | Los parémetros de los tres amplificadores operacionales para el modelo de circuito de la f- gura 6.3(a) son los siguientes: ‘+ El amplificador operacional A741 es un amplificador de propésito general con una etapa de entrada de BIT. Es capaz de producir voltajes de satida de +14 V con vol- tajes de alimentacién de cd de = 15 V. Sus pardmetros son: R, = 2 MM, R, = 75 2, A, = 2X 10°, frecuencia de corte f,, = 10 Hz y ancho de banda de ganancia unita- a fy = 1 MHz. ‘+ El amplificador operacional LF411 es un amplificador de propésito general con una etapa de entrada de FET. Es capaz de producir voltajes de salida de +13.5 V con vol- tajes de alimentacién de cd de +15 V. Sus parémetros son R, = 10 1, R, = 50.0, Ag = 2 X 105, frecuencia de corte f, = 20 Hz y ancho de banda de ganancia unita- 18 fgg = 4 MHz. ‘+ El amplificador operacional LM324 tiene una etapa de entrada de BIT, y se utiliza con un solo voltaje de alimentacién de ed. Puede producir voltajes de salida en el in- tervalo de unos 20 mV a 13.5 V, con un voltaje de alimentacin de cd de + 15 V. Sus pardmetros son: R, = 2MQ, R, = 50M. A, = 2 x 10%, frecuencia de corte fy = 4 kHz y ancho de banda de ganancia unitaria fy = t MHz. La versién profesional de PSpice incluye archivos de biblioteca para muchos disposi- tivos. Conviene verificar el nombre del archivo de biblioteca actual listando los archivos de los programas PSpice (con el comando DIR de DOS). Si no esté disponible el modelo de PSpice/SPICE de un amplificador operacional, es posible representar el amplificador mediante modelos sencillos que den resultados razona- bles, sobre todo para determinar los valores de disefio aproximados de los circuitos con amplificadores operacionales. Los modelos de PSpice/SPICE se clasifican en tres tipos: modelos fineales de cd, modelos lineales de ca y macrorodelos no lineales. Con el amplifi- cador operacional 4A741 como ejemplo, se desarrollardn modelos sencillos de PSpice/ SPICE de estos tres tipos. El amplificador operacional puede modelarse como una fuente de voltaje controlada por vol- taje, como se muestra en la figura 6.5. Se conectan dos diodos zener uno contra otto paral mitar la excursi6n de salida a los voltajes de saturacién (por ejemplo, entre -14 V y +14 V). Este modelo simple, en el cual se supone que la ganancia de voltaje es independiente de la frecuencia, es adecuado sélo para aplicaciones de ed o de baja frecuencia. El listado del sub- circuito UAT41_DC de PSpice/SPICE correspondiente a la figura 6.5 se da a continuacién: * definicisa de! subeircuito pars el URTA}_o¢ SsOBCKT UA7E1_pe 1234 Syosbre del aubcizeuito Vie Vie Yor Vor rl 2 2MEG esistencia de entrada wo $218 } RasLetencta de salica ast? # fuente ce voltaje controlada por voltae ol 3 § 0¥00 1 Diode tener con modelo 0800, 02 4 § 000 1 Diedo zener con modelo 000 MODEL D400 0 (BV=14¥) # Modelo zener ideal can voltaje zener de 14 ¥ -BmDS CATAL BC Pin de 10 definicién de) sukctreaite — vw Se, a CaPtruto 6 > INTRODUCCION A 105 AMPLIFICADORES OPERACIONALES En PSpice/SPICE, el nombre de un subcircuito debe comenzar con X. Por ejemplo, el cenunciado de llamada para el amplificador Al, que utiliza et subcircuito UA741_DC, ese siguiente mos 6 7 8 mye + vue Wh or o> tombe da suboiecite Esta definicién del subcircuito UA741_DC puede insertarse en el archivo del circuito, Por otra parte, puede residir en un archivo definido por el usuario; por ejemplo USER LIB en Je unidad C, en cuyo caso el archivo del cireuito debe contener el siguiente enunciado: Cs SEER.LIB EL nonbso del archivo de bibLitece cebe incluis 12 anid de aiseo y @h Girectorio donde locale Modelo lineal de ca La respuesta en frecuencia de los amplificadores operacionales con compensaciGn ineroa puede representarse de una manera aproximada mediante una sola frecuencia de corte, ‘como se muestra en la figura 6.6(2). Esta caracteristica puede modelarse mediante el circui- to de la figura 6 6(b), el cual es un modelo que depende de ia frecuencia de un amplificador operacional. Las fuentes dependientes comparten el nodo 4. Sin este nodo comin, PSpi- ce/SPICE genera un mensaje de error debido a que no hay trayectoria de cd desde los nodes de la fuente de corriente dependiente hasta Ia tierra. El nodo comiin puede estar en la etapa de entrada o en la etapa de salida, La constante de tiempo 7 = R,C; define la fre- cuencia de corte fy, Si el amplificador operacional tiene més de una frecuencia de corte, ‘entonces puede representarse con tantos capacitores como frecuencias de corte haya. R, y RR, son las resistencias de entrada y salida respectivamente. A, es la ganancia en vollaje de ‘ed a circuito abierto. Se conectan dos diodos zener uno contra otro para limitar la excur- si6n de la salida a los voltajes de saturacién (por ejemplo, entre -14 V y +14 V), FIGURA 6.6 Modelo lineal de ca con tna sola frecuencia de corte Ganancia de vote R 3 + t -20 dB deena 7 4 % Sq Da-B Bare Oan fo % % - <4 i fae (b) Modelo tineal det creito usando (4) Frecuencia de carte tocar independientes En el dominio de Laplace, el voltaje de salida se expresa como Ath AY, = AV, = sent = Aaa — 62) eT TER Cs T+ RCS Sustituyendo s = joo = j2nfen la ecuacién (6,2), se obtiene Ava Ava 6 TH pmRC, Ui con Ia cual se calcula la ganancia de voltajea circuito abierto como funcién de la frecuew cia de un amplificador operacional con una sola frecuencia de corte, de Ia siguiente mane A ¥, A,(j0) = 72 = 8 co) LOT T+ih donde fy = 1/(2R,C,) = frecuencia de corte, en Hz ‘AY = ganancia en voltaje de sefal grande (0 de ed) del amplifieador operacional Para el amplificador operacional wA741, fy = 10 Hz, A, = 2 X 10°, Ri = 2 mos Ry = 75 Q. Si Ry = 10 KO (utilizado como valor caracteristico), C, = 1/(@m * 10 SECCION 6.4 > —_ANALISIS DE CIRCUITOS CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES IDEALES 273 10 X 10°) = 1.5619 #F. Obsérvese que también podria seleccionarse un valor diferente de Ry, El listado del subcircuito UA741_AC de PSpice/SPICE correspondiente a la figura 6.6(b) es el siguiente: + vefiniciéa del subcizcuite para el URTAL AC supcet UA741 ac ,23a 4 + sonmce del subeizcsito Wie Vis Vor Vor ar 2 IMG 1 Resistencia de entrada m 6315 Resistencia de salida | we 4512 ow 7 fuente de coreiente controlade por voltaje | 1 AS 4 ue cl 5 & 1.56190F cA 8 4 ES 1 lente de voltaje controled por voltae bi 37 D0 2 fod zener can sodelo oH09 247 00 + Blogs zener con modelo WD {HODEL OOD D (ave44¥) 1 Modelo tener ideal con volzaje sener ae 14 V Fin de Je definicién det subeireaito odelo Las definiciones de subcircuito de los macromodelos de tos amplificadores operacionales estén descritos por medio de un conjunto de enunciados MODEL. Por regla general, los ‘macromodelos se simulan a temperatura ambiental y contienen valores nominales. No se incluyen los efectos de la temperatura, El archivo de biblioteca NOM.LIB contiene la de- finicién del subcircuito UA741, la cual puede ser invocada incluyendo los siguientes enun- cciados generales en el archivo del circuito: wrocacién se} subetrcuite para el anpliftcador eperaclonel JATA1 Io LFEIL 0 19524) entcade inversore Puente de alinentacién positive Faente de alinentacisn negative | Salida 1 Monbre del subciccuite 4 ta Anvecsessn del subetzouico debe comenzar con x 24 5 & waThh fo Leo LE eucién det UATE pare el applificador AL We Le wr we dont ‘vocacién del archive de siblicteca ROW. LIB ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 6.3 ‘= El amplificador operacional puede representarse en PSpice/SPICE mediante uno de tres mo- {elos; (a) un modelo lineal de cd, e! cual es sencillo pero adecuado silo para bajas Irecuen: cias (por Jo general, menores que 20 H2); (b) un modelo lineal de ca, que es sencillo y de- pendiente dela frecuencia; (¢) un macromodelo no lineal, mucho més complejo. + La versién de evaluacisn de PSpice limita la cantidad de dispositivos activos y nodos, slo permite un macromodelo en un circuito. Por tanto la eleccisn de un modelo depende de la complejidad del cireuito; el modelo preferido es el macromodelo, seguido por el modelo de cay luego por el modelo de od 6.4 En la ecuacidn (6.1) existen tres condiciones posibles para el voltaje de salida vg: (a) si ¥ Anilisis de = 0, ves positivo (vq = Agy.), (b) si vy = 0, vo €S negativo (vp = ~Agv_) y (c) si estén pace presentes ¥, y ¥_, io = Ag(vs — ¥-). Por consiguiente, segun las condiciones de las vol- circuitos con tajes de entrada,’ los circuitos con amplificadores operacionales se clasifican en tres amplificadores _coniguraciones bisias: amplifcadores no inversores, amplifcaloresinversores y ampli operacionales cadores diferenciales (0 de diferencia). ideales 274 Amplificadores no inversores FIGURA 67 Amplificador no inversor CAPITULO 6 > INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES La configuracién de un amplificador no inversor se muestra en la figura 6.7(a). El voltaje de entrada vs se coneeta a la terminal no inversora, El voltaje v,, que es proporcionat al vol. taje de salida, se conecta mediante Ry y Rp a la terminal inversora. Aplicando ta LKV se | obtiene vgn gt El voltaje diferencial vy, dado por vg= Ys ces amplificado por el amplificador operacional, cuya salida retroalimenta a la te versora. Por lo tanto, se trata de un circuito retcoalimentado; el diagrama de bloques se muestra en Ia figura 6.7(b). En el capitulo 10 se analizan los circuitos retroalimentados, Fa (2) Configuracién no nversera (©) Retroatimentacion de tax cerrado Supéngase que el amplificador operacional es ideal, es decir, vy = 0, ig = Oy Ay =. EL voltaje », en la terminal inversora es Me = Ws ~ Ms Al aplicar la LKC en la terminal inversora, se obtiene tit =0 Puesto que la corriente i, extraida por el amplificador operacional ideal es cero, fy = ~it Es decir, Ry Re Ri Re acual, después de simplifcal, da — eel on ( z] s y ésta, a su vez, da la ganancia en voltaje de lazo cerrado A, como R Ae a4 69 Ys Rx ‘Como la corriente extrafda por el amplificador es cero, la resistencia efectiva de entrada del amplificador es muy alta (tiende a infnito) FIGURA 6.8 Seguidor de voltaje SECCION 64 > ANALISS DE CIRCUITOS CON AMPLIFICADORES OFERACIONALES IDEALES 275 La resistencia efectiva de salida es Ryy= R, = 0.0. Si Ry = 0.0 0 Ry = =, como se ‘muestra en la figura 68, la ecuacién (6.5) se convierte en Ap=1 66) cs decir, ef voltaje de salida es igual al voltaje de entrada: vo = vs. Combnmente, ef cir- cuito de la figura 6.8 se conoce como seguidor de voltaje, puesto que su voltaje de saffda sigue al voltaje de entrada, Tiene las caracteristicas inherentes de una alta impedancia de ‘entrada (0 resistencia, por lo general de 10'°.0) y una baja impedancia de salida (0 resis- tencia, por lo general de 50 m{). Los valores exactos se calculan aplicando las técnicas de andlisis de retroalimentacién que se analizan en el capftulo 10. Es comin que se utilice un seguidor de voltaje como etapa intermedia o de aislamicnto entre una carga de baja impe- dancia y una fuente que requiere una carga de alta impedancia s Ra NOTAS: 1, La corriente ig que fluye hacia el amplificador operacional y el voltae diferencial vy son muy pe- quefios:tienden a cero, De este modo, la terminal inversora esti a un potencial de terra con res~ pecto a la terminal no inversora, y se dice que esti en corto virtual. 2. A,es la ganancia en voltaje de lazo abierto del amplificador operacional, mientras que Ay es la ga rnancia en voltaje de lazo cerrado del eircuito con amplificadr operacianal (o amplificador), y de- pende solo de los componentes externos. 3. Para disefiar un amplificador no inversor que produzca una ganancia especifica Ay, simplemente se selecciona la relacién apropiada Rp/Ry. Un pequefio valor de R carga al amplificador y hace ‘que extraiga una cantidad apreciable de corriente; un valor grande de Rp incrementa el ruido ge- nerado en el resistor. Como guia, todas las resistencias en los circuitos con amplificadores opera. ‘cionales deben tener un valor entre 1 K®y 10 M0 4. El disefio de un amplficador de voltaje no inversor es muy simple; dada la ganancia Ay, se selec- ciona Ry y luego se calcula Rr. EJEMPLO 6.3 SOLUCION Disedo de un circuito no inversor con un amplificador operacional Diseftar un amplificador no, inversor, como el que se muestra en la figura 6.7(a), para que produzca una ganancia en voltaje de azo cerrado A, = 0. El voltaje de entrada es vj = 200 mV con una resistencia de fuente R, = 500 0. Caleular el valor del voltae de salida vo, Los voltjes de alimentaciin de ed son Voc Se selecciona un valor adecuado de Ry: sea Ry (65). Como Ay = 80 = 1+ Rp/R, Re/R, = 79 y Re = 19 X 5 = 395 KD SKM se caleula el valor de Rp con la ecuacién Se calcula el voliaje de sada ¥o eon la ecuacion (65) Yo = Aas = 80 x 200 x 107? = 16 el cual excede el méximo voltaje de alimentacién de ed Veg = 12V. De este modo, et voltaje de sa- lida seré vo = Voc ~ 12. NOTA: _R,esté conectada en serie con la resistencia de entrada R, del amplificador operacional, a cual es muy grande en comparacién con R,. Por consiguiente, R, ao afecia la ganancia de lazo cerrado Ay EJEMPLO 6.4 SOLUCION CAPITULO 6 ©» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES Determinacién de ta ganancia en voltaje de un cireito no inversor con un amplificador opera- Comal "Para el amplifiador no inversor den figura 6.7(), cl voltaje de entrada es vg = 100 mv Son una resistencia de fuente Ry = 500 0 10s pametros del cieuito son Ry = 395 KA, Ry = SKE Ji = 2 10%, Caleular (a) la ganancin de lzo cerrado Ay, b) cl voltae de salsa vy (€ los er res en el voltaje de salida vp y la ganancia 4 si A, tiende a infinito Como la cotriente extraida por el amplificador operaciones cero, jy = ~iy Es decir, x de donde R, RR (67) EL voltae e salida vp es No = Adles — Yo) = aka (68) El voltaje de entraua en la terminal no inversora es la suma de vy ¥ ¥y Por lo tanto st aque, después de fa sustituciSn de v, de la ecuacisn (6.7) y vy de la ecuacién (6.8), se transtorma en Rio, to + (ts Rt Re A, OR, + Rp Por fo tanto, la ganancia en voltaje de lazo cerrado Ay es 8 , a Ay& + Rp) 1+ Rp/Ry 1+ R/R) AR +R +R LFF R RA, Ute Re (+8) ei (69) donde Con un valor pequefio de x que es el easo general, 1 + x)! = | = x.y la ecuaeién (6.9) puede es- ceribisse como Rp) (regyine 6.) Por consigui (a) De la ecuacién (6.10), xe el error introducido con un valor finto de la ganancia A, es x 1 = (1+ 395/51/42 * 10°) = 40 % 10° = 40 107% Con Ta ecuacivn (6.9), Apa + 395/5)/U1 + 40% 107) = 79.968, (b) El voltaje de salida vo es Yo = Apis = 79.9968 X 100 x 10"? = 7.9968 {€) De la ecuacida (6.11) el eror en el voltae de salida vy ig = —H(1 + Rp/R)) = ~40X 10S 8O= 32 MV, 0 0.04% El error en 1a gananeia Ayes aa, 000% 40x 108 = SECCION 6.4 > ANALISIS DF CIRCUITOS CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES IDEALES 27 > NOTA: Para minimizar ta dependencia de la ganancia de lazo cerrado A, de la ganancia de lazo ablerto A,, el valor de x debe hacerse muy pequetio, es decir, (6.12) ‘A menudo, esta condicién se salisface con A, por lo menos diez veces mis grande que (1+ Rp/R), por lo que i+ fe) e 6.13) (1 g)som, (6.13) implificadores Otra configuracién comin es el amplificador inversor de voltaje, como el que se ilustra en ppersores 4a figura 6.9. Se utiliza Rf para tetroalimentar el voltaje de salida a la terminal inversora del mplificador operacional. Aplicando la LKV, se tiene ¥5 = Riis — vy (6.14) a= Rell + ¥ 6.18) FIGURA6.9 4 Amplifcador inversor = &, ie Re t 4 Ra Aplicando la LKC en la terminal inversora, se obtiene ism it i (6.16) En el caso de un amplificador operacional ideal, »y se transforma en © 4,=0. Con esto, la ecuacidn (6.14) vs > Riis donde is Por consiguiente, el voltaje de salida esté relacionado con el voltaje de entrada por R rE 7 (Es (6.17) 278 CaPiTULo 6 > INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES donde la ganancia en voltaje de lazo cerrado del circuito es Yo R Ame 7 (6.18) Puesto que vg ~ 0, la resistencia efectiva de entrada Reg del amplificador es is Os + vQ/R Reg = La resistencia efectiva de satida es Ryyy = Ry ~ 09. > NOTAS: 1. El signo negativo en ta ecuacisn (6.17) significa que el voltaje de salida esta desfasado 180° con respecio al votaje de entrada (en el caso de una entrada de ¢a), 0 tiene uta polaridad opwesta (en cl caso de una entrada de cd) 2. La corriente i, que @uye hacia el amplificador operacional es muy pequetia(tiende a cero), y et voltaje vy en la terminal inversora también es muy pequetio (tiende a cero). Si bien la terminal in versora no es la conexin a terra, se dice que esta terminal esti en corto virtual 3. Pucde disediarse un ampliticador inversor para que produzca una ganancia especifica, slo con se leceivnar la relacién apropiada Ry/R;. Un valor pequeio de Ry carga la fuente de entrada, y un valor grande de Ry, inctementa el ruido generado en el resistor. Como gut, todas las resistencias de los circuitos que contienen amplificadores operactonales deben tener valores entre 1 KO y 10 MO. 4. SiR, = Rp. la ecuacién (6.18) da Ay = 1 vo = ~¥s. El cireuito se comporta entonces como tun inversor de ganancia unitaria (0, simplemente, inversor) 5. El disciio de un amplifieador inversor de voltaje es sirmple: com Rag ¥ Ay dadas, se ealeuta Ry y luego. Re EJEMPLO 6.5, * Diseio de un circuitoinversor con un ampliicador operacional para limitar la corriente de en- irada Un transductor produce una senal de voltaje yy = 100 mV con una resistencia interna R, | 2 KO Diseitar el circuito inversor con amplificador operacional de la figura 6.9, determinando los ve: jores de R,, Ry R, El voltaje de satida debe sr vq = ~8 V. La corriente extiaa del wansductor | mode mor uc 18 Siping aledor oer thy Voc = ae = 8 SOLUCION 2AM, vg = 100 mV y vy = “8 V. La resistencia de la fuente R, (no se muesteaen a figura 69) conectada en sere con R. Sea RR +R, y c= volvs = ~8/(100 x 1079) = ~80 De acuerdo con la ecuacidn (6.18). 80 = ~ Ry /Ri = Re /(R + La corrionte maxima de entrada es ymax) = 10 nA La resisiencia minima de entrada es Renta ~ ¥sfsinsa) = 100 mV /10 WA Por lotanto, Rp = 80(R, + R) 80R} = 80 x 10KA = BOOKA. y R= RY R= Raga) = OKO ° Ry = Ri~ R= 1K 2K = BKM Secret ete seeeeeE nen Peer ee EJEMPLO6.6 SOLUCION ‘Amplificadores diferenciales SECCION 6.4» — ANALISIS DE CIRCUITOS CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES IDEALES 279 Ctculo de la ganancia en voltaje de un cireuito inversor construido con un amplifieador opera- ional Los parimetros del circuito de la figura 6.9 son Ry, = 800 KO, Ry = IO KGLy A, = 2 * 105 Cateular (a) Ia ganancia de lazo cerrado A, = vo/vs. (b) el vollaje de sala vo y (e) Ios errores en el Voltaje de salida vo y la ganancia A; si Ag tiende a infinito. Supéngase que la resistencia de la fuente es R, = 0,9 ¥ = 100 mV, 0 kD, Ry = 800 KO, Rp/Ry = 80, A, = 2 X 108 y vs = 100 mY. De acuerdo con Ia Figura 6.9 250 8 = Yo/A,, La Corriente de entrada isa través de Ry es: is 6.19) De acuerdo con a igura 6.9, lvoe de sia es Yo. v4 Rp = —%q— isp (ya que iy = is) Yo _ Ys * Yo/y ‘oe x * ta cal, despots de smplicala, dala ganania en vol de az ea Ay or ni f/f, te 62») Trea RA, Ril 8 donde x (6.21) ‘Con un valor pequefio de x, que es lo mas comin, (1 + x)"! = 1 =x, la ecuacién (6.20) puede escri- Seieenainae Re a--Ha-» 622) Por tanto, el eror introducido con un valor finto de la ganancia (a) De la couacién (6:21), 1 + 80)/02 105 405 « 1078 = 405 « 107% De la ecuatién (6:20). 4, = ~80/(1 + 40.5 x 1075) = ~79.9676 (b) El voltaje de salida vp es vg 7 Apis = ~79.9676 x 100 x 10-8 = ~7,99676V (©) De acuerdo con ta ecuacién (6.22), el ervoren el voltae de salida vo es Mo 10.5 X 1075 x 80-= 32.4 mV, © 0.04059 Re / Ry El ervor en la ganancia Ay es = 405 x 1079 = 0.0405% En la configuracién de la figura 6.10 se aplican dos voltajes de entrada (», y vp): uno en la terminal no inversora y el otro en la terminal inversora, Las resistencias R, y R, se utilizan para reducic el voltaje aplicado en la terminal no inversora. Se utiliza el teorema de super- posicién para calcular el voltaje de salida vo, és decir, se calcularé el voltaje de salids v9, producido por el voltaje de entrada v, tinicamente, y después se obtendr el voltaje de sali- da ¥y. producido tnicamente por v,, El voltaje de salida es la suma de vy, ¥ Yop 280 FIGURA 6.10 Amplificador diferenctat CAPITULO. > INTRODUCCION 4 LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES E] voltaje ¥, estd relacionado con ef voltaje de entrada ¥, por Ry ST RFR, " (6.23) Con las ecuaciones (6.5) y (6.23) se obtiene el voltaje de salida vay, producido por la entra da aplicada a la terminal no inversora (x + Fe, 2(1+ 8B) sas van (ve 2)s,<(14 8) w(t (14 mre) ; Aplicando la ecuacién (6.17), se obtiene el voltaje de salida v.,, producido por ta entrada Re . von 3M (625) Por tanto, el voltaje de salida resultante se determina con Re Yo = Yop Yon =~, 626) la que. con R, = Ry y Rp = Ry, se transforma en Re vy 7 Og ~ Ye) 629 = Ma WR, D En consecuencia, el circuito de la figura 6.10 puede funcionar como amplificador dite rencial de voltaje con una ganancia en vollaje de Tazo cerrado igual a R/R,. Por ejemplo, sivy = 3% = SVR, = R, = [2K My Re = Ry = 24 KO, la couacisn (6.27) da como resultado v0 5) x 2440/12 KO = ~4V Si todas las resistencias tienen los mismos valores (esto es, R, ida (6.27) se reduce @ Ry = Ry = Ry), laccu ‘» (628) en cuyo caso el circuito funciona como amplificador sustractiva, Por ejemplo, si vy = 3% yy = SV y Re= Rp = Ry = R, = 2OKO, Ia ecuacion (6.28) da 2Vv ASPECTOS PRINCIPALES DB LA SECCION 6.4 + Los cizcutos con ampliticadores operacionales se clasifican en tes configuraciones basieas ro inversores, inversores y diferencias. SECCION 6.5 APLICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES 281 + El voltaje de salida de un circuito con ampiificador operacional es casi indepen- dicate de los parémettos del amplificador y depende en gran med | tos externos del cireuito, + El anilisis de un circuito con amplificador operacional se simplifica suponiendo que el voltaje a través de las terminales del amplificador y ta corriente que fluye hacia él son muy pequefios, es decir, casi cero. En general, el error cometido al ha- cer estas suposiciones es menor que 0.1%. 6.5 * Aplicaciones de - los aniplificadores operacionales tegradores Las aplicaciones de los amplificadores operacionales son incontables. y se han escrito muchos libros respecto a los amplificadores operacionales (1, 2,4]. La mayoria de las apli- caciones se obtienen de las configuraciones basicas descritas en la seccidn 6.4. Aqui se ana- lizan varias aplicaciones de los amplificadores operacionales Si la cesistencia Ry del amplificador inversor de la figura 6.9 es remplazada por una capaci- tancia Cp. el circuito funciona como integrador. En la figura 6.1 (a) se muestra cl circuito. Se incluye R, para minimizar el efecto de las imperfecciones del amplificador operacional {es decir, de la comriente de polarizacién de entrada, que se analiza en et capitulo 7). EI valor de R, debe hacerse igual a Ry. La impedancia de Cr en el dominio de Laplace 8 Zp = I/(sCq). Al aplicar la ecuacién (6.17), el voltaje de salida en cl dominio de La- place es 4, 10 =-(2) yo= vis) (629) SR Cy a partir de la cual, el voltaje de salida en el dominio det tiempo es if vol) = zie | ye dt ~ vel = 0) 6.30) Rie do ei donde ve(t = 0) ~ Vey representa el voltaje inicial del capacitor, Asi, el voltaje de salida es la integral del voltaje de entrada vs. La ccuacién (6.30) también puede deducirse de un and: lisis del circuito similar al descrito en la seccidn 6.4, Esto es, “8 (6.31) ig = eis ya que la cortiente de entrada al amplificador operacional es cero. Por consiguiente, el vol {aje de salida, que es el nezativo del voltaje del capacitor, esta dado por Volt) = ~vel0) = a Sustituyendo is = v/R, de la ecuacién (6.31) en la (6.32), se obtiene la ecuaci6n (6.30), La constante de tiempo 7; ~ RC para la figura 6,1 (a) se conoce como constante de tiem po de integracién. Si la entrada es una corriente vonstante is = Js, entonces la ecuacién (632) da ~ volt = 0) (6.33) es decir, el voltaje de salida es la integral de la corriente de entrada /s, y es proporcional a la carga de entrada Q, Por tanto, el circuito de la figura 6.112) también puede usarse como integrador de corriente © como amplificador de carga, La grifica del voliaje de salida co- rrespondiente a un pulso de entrada se muestra en ta figura 6.11(b). 282 a () Circuito CAPITULO 6 > INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES FIGURA6.11 Circuito integrador ¥% 4 “5 ye y Tens) J fear ormas de onda (6) Grifica dela magnitud o ‘A frecuencias bajas, la impedancia Zp de C aumenta, y se retroalimenta menos sefial a ta terminal inversora del amplificador operacional, Por consiguiente, el voltaje de salida aumenta. A frecuencias més altas, la impedancia Zp disminuye, lo que hace que se retvoa- limente més sefial ala terminal inversora. Por tanto, el voltaje de salida disminuye. En con- secuencia, el circuito integrador se comporta como un filtro pasabajas. La gréfica de la magnitud de la ganancia en voltaje V,(ja)/V,jw) de la ecuaciéa (6.29) tiene una caracte- ristica pasabajas con una frecuencia de corte cero, como se muestra en la figura 6.11(c). Para el caso en el que la sefial de entrada es un voltaje de cd constante, la ecuaci6n (6.30) se reduce a Ys vd = -( 2) vy, . i) (ae) a (6.34) En la figura 6.12 se muestran las gréficas caracterfsticas de algunas sefiales de entrada y de tas sefiales de salidaresultantes FIGURA6.12 vs ‘ vs Sefials deena y sata de un integrador ' ft En la practica, como consecuencia de sus imperfecciones (por ejemplo, deriva, cortien- te de offset de entrada), el amplificador operacional produce un voltaje de salida aun sila fal de entrada es cero (vs = 0), y el capacitor se carga con la pequefia, aunque finita, rriente que circula por él. El capacitor impide la retroalimentacisn de cualquier seal de od de la termina} de salida a la terminal de entrada del amplificador operacional. En conse ccuencia, el capacitor se carga continuamente, y el voltaje de salida aumenta hasta que él amplificador se satura, Por lo comin, se conecta un resistor de valor grande Re en paralelo con el capacitor de capacitancia C, como se muestra en la figura 6.13. Rp proporciona le retroalimentacién de ed y resvelve el problema de saturacién, La constante de tiempo 1p ReCz) debe ser mayor que el periodo T (=1/f,) de la sefal de entrada. En general, une razdn de 10a 1 es adecuada; esto es, x = 107. Para la figura 6.13, la impedancia de re- troalimentacién es % Rell L/sCp) = Rp/(l + sRpCp) ¥y la ecuacién (6.17) da el voltaje de salida en el dominio de Laplace como Ref Ry 1+ sk, Vas) =~ Vols) (635) vl ve una ie 138) FIGURA 6.13 Antegrador inversor préctico EJEMPLO 6.7 SOLUCION SECCION 6.5.» APLICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES 283 Para un voltaje de entrada escalén vy = Vs, Vs(s)=Vs/s, la ecuactén (6.35) puede simph ficarse para obtener el voltae de salida en el dominio del tiempo como R : volt ~¥5R, et RiCe) (6.36) Para ¢ = 0.1RpCp, la ecuacidn (6.36) puede escribirse como (i Ve Ba (eee Ys (6.37) voto “VsRe( eee) = “(pe ) 3 Ry ARECE, RCE aque es La integral respec al tiempo del vole de entrada, Por consiguieme, el ands y Ia relacién entrada-salida del integrador de la figura 6.11 pueden aplicarse al de la figura 6.13, siempre y cuando 7 > 107. Diseio de un integrador con un amplificador operacional (a) Disefar un integrador como el de la figura 6.13. La frecuencia de la seal de entrada es f, 500 Hz. La ganancia en voltaje debe ser unitaria a una frecuencia f, = 1590 Hz. Es decir, el ancho de banda de ganancia unitaria es fy, ~ 1590 Hz. (b) El integrador del inciso (a) tiene Voc = 12 V, ~Veg = ~12 Vy una excursion de voliaje maxi- ma = £10 V. Fl voltaje inicial del capacitor es Vag * 0 V. Trazar la forma de la onda del voliae de salida para el voltaje de entrada mostrado en la figura 6.14. (©) Con PSpice/SPICE, trazar la gréfica del voltae de salida correspondiente al voltaje de entrada det inciso (b. FIGURA 6.14 Voltaje de entrada del ejemplo 6.7 T iB 3 n 5 renme) (a) Los pasos para completar el disefo son los siguientes: Paso 1. Elegir un valor adecuado de Cy: sea Ce = 0.1 uF. Paso 2, Calcular la constante de tiempo requerida para saisfacer el requerimiemto de frecuencia de l t "Bag, Fax 1590 He CAPITULO 6 > INTRODUCCION LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES Paso 3, Calcular el valor de Ry eon 7 Ry = 7 /Cp = 100 ps /04 pF = 1k nar Ja constante de tempo 7, = (OT 10/500 Hz = 20 ms Off. Paso 5. Calcular el valor de Ry con 7 Ry = ref Ce 20 ms/0.1 AP = 20060 RyCp 1 x10? x 01 10° (b) Vig = £10Vy tirse el efecto de 7: Para 0 = 1-5 1 ms: de fa ecuacign (6.30) el voltaje de salida es 1 nis. Puesto que rp >> 7, puede om son 0 gl [2-209 seioveon 10/2 Nog nese Puntw = tm coded’ ne iow aan £1 2s de ur on stn (630 Ue so ao v= 10 donde esti en ms, En ¢ = 2.ms, vp = 10 V, y el voltaje del capacitor 6s V,. = —10V. Para 2 ms = #'S 3 ms: de acuerdo con la ecuacisn (6.30). el voltae de salida es \ yon Wot [nate 10 = 2 « 199002) : ° RCE onde tesco ms. En = 3m, Yo = “10, ye vole del eps es Vg = 10V. rn ba 21 4 me: de ccd con cout 630) el vole de aaes os eee eee ae . mal * donde ‘exten me En = 4 ma, = 10 ye ola del capastores Vg = —10¥ cay an ane acre mteroe nant tre ME 10+ 2 1000 = 3) FIGURA 6.15 Formas de la on el ejemplo 6.7 fea ws) 6) Bl mtegrador para simulacidn con PSpice se mesa en a figura 6.16, Bt Tistado del arco fsreuito es el sigoente Bjenplo 6.7 ‘1 0 aL Woe -27 © INS ING IMS 285) oe onca pus SECCION 6.5» APLICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES OV ERACIONALES 285 a 4 1008 wer 0 6 2} tucnte nagetave de ca IB noe. c38 4 taferencia al archivo de bibliotesa de egpice ow. LIB Pas 64 wm {Para el modelo uR?42 ae anpiaticator operacionat Ltamado del subcizcusto para el ampliticador eeacional. CATAL PROB daalasis ¢xsne: 1 Rospeccesador azaficy FIGURA 6.16 Circuito integrador para fa simulacisn con PS; [La grafica del voltaje de salida vo = V(CF:2) se muestra en la figunt 6.17. Obsérvese que los tesul- lads difieren significativamente de los valores calculados porque PSpice utiliza las earactersticas de lun amplificador operacional real en lugar del modelo ideal. Por ejemplo, ¢, = 0.588 ms (el valor espe- rado es 0.5 ms) y el voltaje de saturacidn negativo ¢s —11.54 V. La simulacidn con PSpice no tiene diodos zener que limiten la salida a * 10 V. Si se conectan diodos zener en el circuito del amplifica Jor operacional, tos resultados de fa simnulaciin con PSpice concordarin con los valores calculades. FIGURA 6.17. Grificas del ejemplo 6.7 producidlas por PSpice 286 CAPITULO 6 ©» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES NOTA: Cuando se ejecute ia simulacién con PSpice, debe seleccionatse Use Initial Condition en la configuracidn del andlisis; de lo contrario, Ia grifica de salida sera diferente de la mostrada cn la figura 6.17. EJEMPLO 6.8 SOLUCION Diferenciadores FIGURA 6.19 Circuito diferenciador lculo de Ia frecuencia de 3 dB de un integrador con el teorema de Miller Los parémetros det integrador de la figura 6.11(a) son Cp = 0.001 yf y Ry = 1 KG. La ganancia de lazo abierto del am- Dlificador operacional es A, = 2 10%, Usar el teorema de Miller (estudiado en la seecién 4.9) para determinar la frecuencia de 3 dB del integrador. Puede aplicarse el eorema de Miller para remplazar la capacitancia de retroalimentacion Cp con una capacitancia equivalente de entrada Cx y una capacitancia de salida Cy como se muestra en la figu- 146.18, Con la ganancia de lazo abierto A, = A, y la impedancia capacitiva Zp = 1U2fCp). se pue- den aplicar las ecuaciones (4.95) y (4.98) para caleular las capacitancias de Miller: C. = GAL + A,) = 0.001 wk x UL + 2 105) = 200.001 uF Gil # 1/4.) = Cp = 0.001 BF El voltaje de salida en el dominio de Laplace es AYU) Voc) irre La funei6n de transferencia entre los voltajes de enteada y salida es Vo) Ay M9 Vay > TER Ce Por consiguiente, la frecuencia de 3 dB es ty = 1/iR\CQ = 1/1 * 102 X 200.001 X 10°) = Srad/s 0 7958 He FIGURA 6.18 Circuito equivalemte para el ejemplo 68 re Si la resistencia R, del amplificador inversor de la figura 69 se vemplaza con una capaci tancia C), como se muestra en la figura 6.19(a), el eitcuito funciona como diferenciador EL @) Circuito (&) Formas de onda (6) Gritca dela mangnité FIGURA 6.20 ales de entrada y salida de un diferenciador sat: cel SECCION 6.5» APLICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES 287 valor de R, debe ser igual a Rp. La impedancia de C, en cl dominio de Laplace es 2, = IASC). Con la ecuacién (6.17), el voltaje de salida en el dominin de Laplace es la rere -(SE)ne= meen i donde el voltaje de salida en el dominio del tiempo es dy. s Vg = — RC, (6.39) ae Esta ecuacién también puede deducirse a partic de un andlisis del circuito similar al de la seceidn 6.4, esto es, avy a cir = —Rplg (6aty (6.40) ig = = Cy Yo= Si se sustituye fg de la ecuacisn (6.40) en la (6.41), se obtiene la ecuacién (6:38). La cons- tante de tiempo 7 = RpC; de la figura 6.19(a) se conoce como constante de tiempo del di- Jferenciador. El voltaje de salida que se obtiene como respuesta a una forma de onda trian- gular se muestra en la figura 6.19(b). El circuito diferenciador sirve para producie pulsos de disparo de corta duracién para excitar otros circuitos. Cuando aumenta la frecuencia, la impedancia Z, de C; disminuye, yel voltaje de salida aumenta, Por lo tanto, el circuito diferenciador se comporta como una red de pasaaltas. La gréfica de la magnitud de la ganancia en voltajeV,{jw)/V,Cj) de la ecuacién (6.38) tiene una caracteristica pasualtas con una frecuencia de corte infinita, como se muesira en la figura 6.19(c), Bn fa figura 6.20 se muestran las graficas caracteristicas de algunas sefales de entrada y de las sefales de salida tesultantes. Si el voltaje de entrada ¥s(¢) experimenta un cambio abrupto debido al ruido o Ta inter- ferencia captada, aparecen espigas en Ia salida, y el circuito se comporta como un amplifi- cador de ruido. Por tanto, este tipo de cireuito diferenciador no es de uso frecuente. En la figura 6.21(a) se muestra un circuito modificado que se usa a menudo como diferenciador, ten el que esté conectada una pequetia resistencia Ry (> L, y la ecuaci6n (6,44) se reduce a R lager = 3 (6.45) r R Disefio de un diferenciador con un amplificador operacional a) Disedar un diferenciador como el de la figura 6.21(a) para satistacer las siguientes especificacio ies: frecuencia limitante de la ganancia f, = TkHe y ganancia maxima de !a20 cerrado Agmin) = 10 Determinar los valores de Ry, Rey Cr {by Con PSpice/SPICE, traza ia grifica de respuesta en frecuencia del inciso (a). Supéngase wn vol taje de entrada senoidal de valor pico vsipes) = 0.1 V. wan) = Wy fy = 1 KHz (a) Los pasos para realizar el diseflo sn los siguientes: Paso 1, Seleccionar un valor adecuado pars la capacitancia Cy: sea C\ Paso 2. Caleular el valor de R; a partir de la frecuencia de corte fy 0. wR. f= V2aRC) Unie = 1/rk, x 0.1 x 10°) = 15920 Paso 3. Calcular el valor de Ry con la ecuacién (6.45): Agata) = Re! Ry Ry = 1592A qin) = 1592 10 = 15.92 4D (b) Et ciruito diferenciador para la simulacién con PSpice se muestra en la figura 622. BI isto del archivo del cirouito es el siguiente: Eyenpla 6.9 Diterenctador wie ac ov 2 Woltaje de ca de 1 ¥ pic 1 i982 SECCION 6.5» APLICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES 289 vente postciea ae oa uante negatives de ea feterencia al archavo ge bibisctecs ae fpice NOH. LIS pare el lo OATH) ss anpitficosoe speracional yal? 3 $6 4 oa Lanado de1 subcizcuite pert el anplificade opecaciens) U8T41 oaprocesaser geitico EIGURA 6.22 Circuito diferenciador para la simulacién con PSpice En Ia figura 6.23 se muestra la gréfica de la respuesta en frecuencia del voltaje de salida, de donde Aggy) = 9.995 (el valor esperado es 100 X 0.1 = 10), La frecuencia de conte fi, {con Ay = 9.995 X 0,707 = 0.07) es de 983 Hz (et valor esperado es | kHz). EI limite perior de la frecuencia (es decir, 95 kHz) se debe al comportamiento interno con respecto ala frecuencia del amplificador operacional. FIGURA 6.23 Grifica del ejemplo 6.9 producida por PSpice ‘mplificadores 1 amplificador de instrumentacin es un amplticador diferencial con una impedancia de instrumentacion ‘entrada extremadamente grande. Su ganancia puede fijarse con precisidn con una sola resis tencia, Tiene una relacién de rechazo de modo comin grande (es decir, es eapaz de teehazar cualquier sefal comin a ambas terminales y de amplificar una seftal diferencial), y esta ea FIGURA 6.24 Amplificador de instrumentacion CAPITULO 6 > INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES racteristica es muy stil para recibir seBiales pequehas inmersas en voltae de offset grandes en ruido, Por tanto, los amplificadores de instrumentacién se utilizan comtinmente como acondicionadores de sefiales de bajo nivel (a menudo de ed) inmersas en grandes cantida- des de ruido. El diagrama de circuito de un amplificador de instrumentacidn se muestra en la figura 6.24. Fl circuito consta de dos etapas. La primera es la ctapa diferencial. Cada sefial de entrada (1g, 0 ¥sz) se aplica directamente a la terminal no inversora del amplifica dor operacional correspondiente para obtener una muy alta impedancia de entrada. La segunda etapa es un amplificador diferencial, con wna baja impedancia de salida y que tam- bien puede ofrecer una ganancia en voltaje. fee _ ; teal tl asa La caida de voltaje entre las terminales de entrada de un amplificador diferencial ¢s muy pequefia, casi cero: vy) = Yyy = 0. Por tanto, la cafda de voltaje a través del resistor intermedio R, del divisor de voltaje es Mig = Yi ¥S2 de donde la corriente jg que pasa por R, como My. Ysa 82 Esta corriente fluye por los tres resistores, debido a que las corrientes que fuyen hacia las terminales de entrada de los amplificadores operacionales son cero. Por consiguiente, voltaje de salida de la etapa diferencial es 2 : 2k at daglRy + 28) = SESE (Ry + 28) = O51 vo! + ) , De la ecuacién (6.27), el volaje de sada vo es 2R\/ Re % ve! + ake, (640) que es la salida del amplificador de instromentacién, Esta ganancia normalmente es 0 ficada por R,. Si el cambio de ganancia no es deseable, entonces Ry puede omitirse ¥ amplificador diferencial puede construirse con dos seguidores de voltaje de ganancia utr taria, Este cireuito se muestra en la figura 6.25. SECCION 65» APLICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES 21 FIGURA 6.25, 1 Amplificadorde Ys {> : instrumentacién con male A mw ganancia fi ial leeal re ee 4 > Ke vom Bilis. 850 ve] as - Separator de end dferencial | Amplifeador diferencia wplificadores Fl amplificador no inversor basico de la figura 6.7 puede funcionar como amplificador su- adores no mador. En la figura 6.26 se muestra un amplificador sumador no inversor con tres entradas, are Los amplificadores sumadores son de uso comin en computadoras anal6gicas. De acuerdo con el teorema de superposicién, el voltaje vq en la terminal no inversora es RIK RAR RAR Re RR?” RRNA RRR, Ra Ray Ra Bt Rt Rte 647) donde Ry = (RyRy RD (6.48) Si se aplican las ecuaciones (6.5) para el amplificador no inversor y ta (6.47), el voltaje de salida es s Re Rey Ra Ra vo= (1+ 28), = (1+ |v, + Aw + ‘ on(tem perl agin a” = = R. tu ecuacién (6.48) da Ry = R/3, y la ecuacién (6.49) se transfor- Re\/ vat Yet, = ee b ) v= {1+ (6.50) oS Por tanto, el voltaje de salida es igual al promedio de todos los voltajes de entrada multi- s plicado por la ganancia de azo cerrado (1 + Rp/Ry) del circuito. Si el circuito se hace tra- a FIGURA 6.26 Amplificador sumador no 0 adi ya 292 Amplificadores sumadores inversores FIGURA 6.27 Amplificador sumador CAPITULO 6» —INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES bajar como un seguidor de ganancia unitaria con Rp = 0 y Ry = ~, el voltaje de salida es igual al promedio de todos los voltajes de entrada. Esto es, vty te vg = (651) Si la ganancia de lazo cerrado (1 + Rp/Rg) se hace igual al niimero de entradas, ct voltje de salida es igual a la suma de todos los voltajes de entrada. Esto es, con tres entradas, n= 3.y (1 + Rp/Rg) = n= 3. En tal caso, la eouacién (6.50) se transforma en Yo = Yat Yt Ye (6.52) El amplificador inversor bésico de la figura 6.9 puede funcionar como amplificador suma- dor inversor. En la figura 6.27 se muestra un amplificador sumador inversor con tres entra- das. Segiin sean los valores de la resistencia de retroalimentaci6n Ry, y las resistencias de entrada Rj, Ry y Ry, el circuito puede funcionar como amplificador sumador, de escala- ‘miento 0 promediador. Puesto que el vollaje de salida se invierte, es posible que se requie- +a otto inversor, dependiendo de la polaridad deseada para el voltaje de salida Row ge imo be WA yn Rely, dit yee! + Re y= (Ry Ra Rs | Re) El valor de R, debe ser igual a la combinacién en paralelo de Ry, Ra, Ry y Re. Esto es, Ry = (Ry PR Rs || Red (653) Para un amplificador operacional ideal, vy ~ 0. De acuerdo con la ley de Ohm, se obtiene aah i 2, ; ae i : RX a Ry Rs Como la corrente que ue hacia el amplificador operacional es cero (i = 9), tatani ae 42, B_ sh ie 3s tice ea ea aeaee et de donde el voltaje de salida es (655) Por tanto, vo es la suma ponderada de los voltajes de entrada, y este circuito | también se lle ma sumador ponderado 0 sumador de escalamiento. Si Ry = Ry = Ry = Rp = R, aco 6n (6.55) se reduce a (65 FIGURA 6.28 ‘Ampiificador sumador-restador SBCCION 6.5» APLICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES 293 yeel circuito se wansforma en un amplificador sumador. Si Ry = R= Ry = nRp, donde n ‘es el nimero de sefiales de entrada, el circuito funciona como un promediador. Con tres en ttadas, (n = 3) y la ecuacién (6.55) se tiene que yt tes 2 (6.57) Las funciones de los amplificadores sumadores no inversores ¢ inversores pueden implan- tarse con un solo amplificador operacional, como se muestra en {a figura 6.28, para produ- cir un voltaje de salida de la forma Yq = Ayvy + Apt + Agve ~ By — Byyy ~ Byyy donde Ay, Az, Ay, By, Bz y By son las constantes de ganancia. Las resistencias R, y R, si cluyen para que la configuracién sea mas general. La aplicacién de las ecuaciones (6.49) y (6.55) da una ecuacién para el voltaje de salida resultante: & (Be FeAR, donde Ry = (RVR, RNR Ry = Ry DRI RR) Be R he | RoliRo Para minimizar los efectos de las corvientes de polarizacién de offset en la salida de los amplificadores operacionales (analizados més a fondo en el capitulo 7), la resistencia equi- valente de Thévenin, vista desde la terminal no inversora, por lo comin iguala a la que se observa desde la terminal inversora, Esto es, (Ry I Rp) = Ry (6.61) Rake Ry + Re ° n Con esta condicién, puede simplificarse el término (I + Rp/Rg)Rq: Ry f Re\f Repke \ (1 SER i BE Re. Ry) Ry + Re) La sustitucién de esta relacién en la ecuacisn (6.58) da como resultado ke )-(& Be fey) mn 294 speeeeeeeeeeaay EJEMPLO 6.10 o SOLUCION CAPITULO 6 ©» INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES cuya forma general es Jo = Avy + avy + Agye — Byvy ~ By¥y — BY La ecuacién (6,62) se cumple sdlo si se satisface la condicién de la ecuacién (6.61) ‘Los valores de resistencia pueden determinarse conociendo los valores de las constantes de panancia A y B. Sin embargo, la dificultad surge al determinar los valores de Ry y R, que satisfagan los criterios de la ecuacién (6.61). Para ello, puede aplicarse una técnica pro- ‘puesta por W. P. Vrbancis [4] para determinar los valores de R, y R,. Si se omiten los de- talles y la demostracién de esta técnica, los procedimientos de disefio pueden simplificarse en los siguientes pasos: Paso 1. Sumar todos los coeficientes positivos: A = A, + Ay + Ay Paso 2. Sumar todos los coeficientes negativos: B = By + By + By Paso 3. Definir un pardmetro C = A- B= 1 Paso 4. De acuerdo con el valor de C, determinar los valores de Ry y Ry Paso 5. Seleccionar un valor adecuado de Re y calcular los valores de los demas compo- nnentes. Normaimente, Ry se selecciona de modo que satisfaga una de las siguientes restric. ciones: a, Sila resistencia equivalente Ry debe tener un valor particular, Ry. se caleula con la relacin Ry = MRq, donde M es el mayor valor de A, 0 (B + 1), b. Sil valor minimo de cualquiera de las resistencias esta Himitado & Rms Re se calcula con la relacion Ry = NRqjy donde N es el mayor valor de Ay, Ap, Ay By By, By oC. (Si no es necesario que se cumpla cualquiera de estas condiciones, el disefio se completa escogiendo un valor adecuado de Ry.) Paso 6. Si el valor de cualquier resistor es muy grande 0 muy pequeffo, todas las resister cias se multiplican por una constante sin afectar el voltaje de salida o la condicién de le ecuacién (6.61). Diseiio de un amplificador operacional sumador para cierta resistencia Ry Disefiar un ampli ficador sumador inversor y uno no inversor con la configuracién mostrads en la figura 6.28, para pr dducir un voltae de salida de la forma Yo = uy + 6% + Bye = Ty) = = Sy LLa resistencia equivatente Ra tiene que ser de 15 k0 in = Ly By = 5. Siganse los pasos de dist Los coeficientes son: Ay = 4, Ay = 6,43 = 3,8) = 7.8; fio descritos antes. Paso 1. A= 44643513. Paso2. B=7+145=13. Paso3, C= 4-B-1= 13-13-15 =1 Paso 4. Puesto que C <0, By = —Rp/C = Rey Ry = > Paso S. El disefio se completa seleceionando un valor de Rp. Paral valor dado de Ry = 15 KORE MRty- Eneste aso, M = B+ 1 = 13 + | = 14, Por tant, los valores son los siguientes Re = Ry = MRy = 14 x 15 = 210k Ry = Rp/A, ~ 210k/4 = 52.5 KD. Ry > Rp/Ay = 210K/6 = 35 KO Ry = Rp/Ay = 210K/3 = 70K Ry = -Rp/C= UOKN Ry = Rp/By = 210k/7 = 30K SECCION 6.5 > APLICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES 298 Ry = Ry/B, = 20k/1 = 210K. Ry © Rp/By = 210k/5 = 420. Ry Comprobacin: De la ecuacisn (6:59), Ry = (52.5 KO] 35 KEL 70 KO 1210 KM) = 15 KO De ta couacicn (6,60). Ry (30 KO] 210 kA] 42 kM) = 16.15 KO De la ecuacisn (661), Ral Ry = (16.15 KA] 20M) = 15 kL Por tanto, se satisface la condicién de Ry = (Rpll Rp): Disefio de un amplificader operacional sumador para una resistencia minima Rig Disefar un amplificador inversor y uno no inversor con la configuraciGn mositada en la figura 6.28 para produ- cir un voltaje de salida de la forma Yq Bivy + 64 + Bye — TH, = Mp Sy EL valor minimo de cualquier resistencia tiene que ser Ryyy = 15 KO. Los coeficientes son: Ay = 8 Ay = fo antes descritos. Paso 1 A=8+643=17 Paso2 B=7+145=13. Paso 3. C=A-B-1= 17-13- Ay = 3,B, = 7, By = Ly By = 5. Slganse los pasos de dise- Paso 4. Puesio que C >0, R, = = y Ry = Rr/C = Re/3. Paso 5. El disefio se completa seleccionando un valor de Re. Para el valor dado de Ryin = 15 KO, Ry = NRya donde N es el valor maximo de Ay, Ay, As, By, By, Bs 0 C. En este caso, N= 8. En con: secuencia, los valores son fos siguientes B= Ny = 8% ISK = 120K Ry = Rp/Ay = 120K/8 = 15K Ry = Rp/Ay = 120k/6 = 20 KO R, = Rp/Ay = 120k/3 = 40K R= Ry = Rp/ By = 1204/7 ~ 17.10 KD Ry = Rp/By = 120k/1 = 120K Ry = Rp/By ~ 1204/5 = 2440 Ry = Ry/C= 120k/3 = 4040 Comprobacién: De la ecuacin (6.59), Ry = (15 KO | 20 KM 40 KD) = 7.06 KO De la ecuacién (6.60). Rg = (17.14 KO} 120 40D) 24 KM 40 KM) = 7.5 KO. De la ecvacién (661), Rg [Re = (75 KOI 120 KM) = 7.06 KA Por tant, s¢satsfce ta condicin de Ry = (RyllRed 296 Excitadores de aptoacoplador FIGURA 6.29 Circuito excitador de ‘optoacoplador Fotodetectores CAPITULO 6 > INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES Los optoactopadores, conocidos también como aisladores épticos, se utiizan en general para transferir sefales eléetricas de una parte de un sisteia a otea, sin conexién eléctrica directa. Tienen muchas aplicaciones en instrumientaci6n para ingenieria de sistema de po- tencia eléctrica, donde deben evitarse las conexiones eléciricas directas entre las lineas de transmisién de sefiales de bajo nivel y las lineas de transmnisin de alta corriente, y en apa- tatos electrénicas médicos, donde deben evitarse conexiones directas entre los pacientes y los sistemas de energia eléctrica. El optoacoplador se compone de un diodo emisor de luz. (LED). el cual emite luz cuan- do se le da polarizacién directa, y un fotodiodo, que convierte la luz en una corriente eléc- trica proporcional a la luz incidente. La potencia luminosa producida por un LED es direc- tamente proporcional a la corriente que circula por el diodo. Sin embargo, la potencia de salida es una funcidn no lineal del voltaje del diodo, Por consiguiente, el optoacoplador es alimentado con una fuente de corriente. En la figura 6.29 se muestra un circuito excitador de optoacoplador. El citeuito es una rmodificacién del circuito de la figura 6.9. Dado que la corriente que fuye por el amplifica- dor operacional es muy pequefia, de casi cero, ig = ip Por consiguiente, el voltaje a través de Ry es Yo = Kelp = — Refs La corviente de carga io esté dada por Reis ® En consecuencia, el circuito funciona como un amplificador de corriente. El multiplicador Re /Ra es el que determina la corriente de carga i, y no el LED, que es la carga, La sustitu- cidn de ig ~ v6/R; dala cortiente de salida como una funcidn del voltaje de entrada. Esto a (ry ey o-( ala = El cireuito funciona entonces como un amplificador de transconductancia (0 convertidor de voltaje-corticnte). (6.63) El fotodiodo produce una corriente que es una funciéa lineal de la intensidad de la luz; nor malmente, esta corriente se mide como una densidad de potencia dptica incidente Dp. Lt relacién de la cortiente de salida respecto a la densidad de potencia dptica incidente s¢ llama responsividad de corriente. Esta cortiente se mide con un circuito con amplificadot operacional del tipo mostrado en la figura 6.9, que es un convertidor corriente-voltaje: B voltaje de salida depende de la corriente de entrada. De acuerdo con la ecuaciGn (6.15), 00" vy = Ose obtiene Yo = — Rp Rls En la figura 6.30 se muestra un circuito sencillo sensible a la luz, que consta de un fo todiodo y un amplificados operacional inversor. El anodo del diodo puede conectarse a 8°

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