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Constitution de la diode à jonction PN

Une diode est formée d'une jonction PN accessible par deux contacts ohmiques : le
contact relié à la zone P est appelé anode et celui relié à la zone N cathode.

L'ensemble est enfermé dans un boîtier; pour les faibles puissances, celui-ci se
réduit à un enrobage de résine. Pour les fortes puissances, la jonction est pressée
entre deux plaques de cuivre pour assurer

une répartition régulière du courant dans toute la section; l'ensemble est placé dans
un boîtier métallique pour faciliter les échanges thermiques entre la jonction et l'air
ambiant.

Plusieurs technologies sont utilisées pour réaliser la jonction.

simple diffusion : sur un cristal de silicium dopé N, on dépose par oxydation une couche silcie
ce isolante; on réalise un masque de gravure permettant de pratiquer une fenêtre dans cette
couche; à travers cette fenêtre on diffuse des impuretés de type accepteur pour former un îlot
P+ (+ signifie fort dopage). On métallise ensuite les parties P pour former l'anode et N pour
former la cathode. Cette méthode est surtout utilisée dans les circuits intégrés.

double diffusion : sur un cristal de silicium dopé N+, on crée une zone faiblement dopée N-;
on termine alors la diode comme précédemment. Cette méthode de diffusion permet d'avoir
une meilleure tenue en tension inverse; la jonction réalisée est de type progressif.
L'inconvénient de cette méthode est de mal maîtriser l'épaisseur des couches donnant ainsi
une forte dispersion des caractéristiques de la diode dans une même référence.

diode épitaxiale : sur un cristal de silicium dopé N, on fait croître successivement des zones
N- et P+; un dépôt de verre sur les bords isole la jonction et évite sa pollution par des
impuretés extérieures. On obtient par cette méthode des jonctions abruptes d'épaisseur bien
contrôlée.

Le mode de fabrication influe sur les caractéristiques de la diode tant en régime


statique (tension de seuil, tenue en tension inverse, courant de fuite inverse...) qu'en
régime dynamique.

2 Etude statique de la diode à jonction


Nous étudions la diode en régime continu, toutes les grandeurs étant constantes
dans le temps.

2.1 Caractéristique statique


Une diode D est polarisée par une source de tension continue variable Vp en série
avec une résistance R. Soit V la d.d.p anode-cathode de la diode et I l'intensité du
courant direct.

Lorsque la tension Vp est négative, la jonction PN est


bloquée; le courant inverse Ir = - I est théoriquement
égal au courant de saturation Is tant que la tension
n'atteint pas la valeur critique de la jonction. En réalité
ce courant augmente avec la tension en raison de la
génération de paires dans la zone de déplétion. Le
volume cette zone augmentant avec la tension inverse, il s'ajoute au courant de
saturation un courant dû à la génération de porteurs; ce courant est proportionnel à
√|V|. Lorsqu'on dépasse la tension de claquage, le courant inverse croît rapidement
et la jonction est détruite.

Lorsque la tension Vp est positive, la jonction est traversée théoriquement par le


courant direct d'expression I = Is.[exp(V/UT)-1]; en réalité, la loi de variation du
courant est plus complexe comme on l'a vu au chapitre 3.

La fig.3.a donne l'allure de la caractéristique statique V(I); les fig.3.b et 3.c


donnent le détail de cette caractéristique respectivement pour les tensions inverses
et pour les faibles tensions directes .

La diode est de type 1N4148 et le tracé est fait à partir du simulateur SPICE.

Caractéristique statique :
Caractéristique inverse :

Caractéristique directe :

2.2 Modèle statique d'une diode


La diode est un dipôle non linéaire; pour pouvoir étudier plus facilement les circuits
contenant des diodes, nous allons chercher à obtenir un modèle linéaire par
intervalles:

 Lorsque la diode est en polarisation inverse, le courant inverse est de quelques


nA à quelques mA suivant le courant direct maximal de la diode; par exemple pour
une diode BYX 67-600, le courant direct peut atteindre 30 A alors que le courant
inverse ne dépasse pas 10 mA pour la tension inverse maximale. Nous pourrons
donc dans la plus part des cas négliger ce courant et considérer que

une diode polarisée en inverse est modélisée par un interrupteur ouvert

 Lorsque la diode est polarisée en direct et que la tension est suffisante, la


caractéristique de la diode devient quasi linéaire.

Nous pouvons alors la remplacer par la droite en trait gras de la figure 4.a; la
pente de cette droite est 1 / Rs et l'équation de la droite

V = Vs + Rs.I; le dipôle de la fig.4.b formée d'une source de tension continue Vs en


série avec la résistance Rs a la même équation; il est donc équivalent à la diode.

Sur la fig.3.c, nous pouvons tracer la droite modélisant la caractéristique et lire Vs


=0,78 V ;

Rs =(0,90-0,78) / 0,1 = 1,2 Ω

Nous pouvons adopter un modèle plus simple lorsque la résistance Rs est


négligeable devant les autres résistances du circuit en série avec la diode; en
négligeant Rs , nous obtenons la fig.4.c; la diode possède alors deux états :

 elle est bloquée tant que V < Vs ; cet état est caractérisé par un courant nul; la
diode est équivalente à un interrupteur ouvert.

 elle est passante pour I > 0; cet état est caractérisé par V = Vs ; la diode est
équivalente à une f.c.é.m.

Lorsque la tension de seuil est négligeable devant les tensions appliquées au circuit,
par exemple lorsque la diode est alimentée par le réseau EDF 220V, nous pouvons
négliger également la tension de seuil. Nous obtenons la caractéristique statique de
la fig.4.d; la diode est alors dite idéale ou parfaite.
La diode se comporte alors comme un interrupteur ouvert pour V < 0 et comme un
interrupteur fermé pour I > 0.

2.3 Limites d'emploi d'une diode


Lorsqu'une diode est polarisée en inverse, le courant qui la traverse est négligeable;
la seule limite d'emploi vient alors de la tension de claquage.

Lorsque la diode est polarisée en direct, la tension à ses bornes est peu différente de
Vs ; la puissance dissipée dans la diode est P = Vs I ; cette puissance doit être
limitée pour que la dissipation de chaleur n'entraîne pas une élévation de
température détruisant la diode. Nous devons donc limiter l'intensité directe.

Pour lire les caractéristiques d'une diode dans un document constructeur, nous
devons connaître la norme employée. Les grandeurs sont désignées par une
majuscule, V pour la tension, I pour l'intensité.

Ces majuscules sont accompagnées d'une suite d'indices précisant les conditions de
mesure de ces grandeurs.

 Le premier indice est : F pour Forward s'il s'agit d'un fonctionnement en


polarisation directe et R pour Reverse s'il s'agit d'un fonctionnement en polarisation
inverse.

 Le deuxième indice indique la caractéristique de la grandeur :AV pour


AVerage = valeur moyenne, RMS = valeur efficace,

RM = Repetitive Max s'il s'agit d'une valeur maximale que l'on peut répéter
périodiquement, SM = Surge Max s'il s'agit d'une valeur maximale accidentelle que
l'on ne doit pas répéter.

Par exemple pour une diode BYX 67-600, on lira:

VRRM = tension inverse répétitive maximale = 600 V


IFAV = courant direct moyen = 30 A
IFSM = courant direct accidentel maximal = 300 A pendant 10 ms.
IR = courant inverse = 10 mA à VRRM
VF = tension directe = 1,5 V à IF = 30 A

On trouve également dans les caractéristiques la contrainte thermique I².t, par


exemple 450A².s pour la diode ci-dessus; cette grandeur permet de choisir un
fusible de protection de la diode en choisissant une intensité et une contrainte
thermique du fusible inférieures à celles que peut supporter la diode.
2.4 Étude de circuits avec diodes
Lorsqu'un circuit comporte une ou plusieurs diodes, la résolution des équations du
circuit impose de connaître la caractéristique V(I) de la diode; cette caractéristique
admet un modèle différent suivant les zones de fonctionnement; le plus souvent
nous utiliserons le modèle simplifié de la fig.4.c caractérisé par :

Si la condition V < Vs est satisfaite, alors l'état de la diode est caractérisée


par I = 0

Si la condition I > 0 est satisfaite, alors l'état de la diode est caractérisé par
V = Vs .

Le problème semble à priori sans solution puisque pour calculer les grandeurs il
faut connaître l'état de la diode et pour connaître cet état, il faut posséder la valeur
de la tension ou du courant.

Nous sommes donc obligé de raisonner par hypothèses successives. Soit D1, D2,
D3... les diodes du circuit, nous faisons une première hypothèse sur leur état, par
exemple H1 = toutes les diodes sont bloquées. Nous savons alors que les intensités
I1, I2 , I3 ... sont nulles; ces résultats combinés avec les équations des noeuds et des
mailles du réseau permettent la résolution. Nous calculons toutes les grandeurs
électriques et en particulier les tensions V1,V2 ,V3 ... aux bornes des diodes.

L'hypothèse H1 sera validée si toutes ses tensions sont inférieures à la tension de


seuil Vs ; le calcul est alors terminé.

Si une de ces tensions est supérieure à la tension de seuil, l'hypothèse H1 et tous les
résultats obtenus sont à abandonner. Il faut faire une autre hypothèse en changeant
l'état d'une diode; par exemple on fera l'hypothèse H2 = D1 est passante, D2, D3...
sont bloquées. On sait alors que V1 = Vs et que

I2 = I3 = ... = 0; on refait le calcul du réseau et on doit vérifier simultanément que I1


> 0, V2 < Vs ... Si toutes les conditions ne sont pas validées, il faudra faire une
troisième hypothèse et ainsi de suite jusqu'à ce que les conditions d'état
correspondantes à l'hypothèse soient simultanément vérifiées.

Exemple 1

Étudions le circuit ci-dessous en supposant que la


tension de seuil des deux diodes est Vs = 0,7V.

On donne E = 10 V ; E' =5 V; R = 100 Ω .


Les équations du réseau sont : J = I + I' ; E = V + R.J ;

E' = V' + R'.J;

nous constatons que, sans les caractéristiques des diodes nous n'avons que trois
équations pour cinq inconnues et que la résolution directe est impossible.

Raisonnons par hypothèses:

 H1 = D et D' sont bloquées; l'état des diodes impose I = I' = 0 donc J = 0 et V


= E = 10 V, V' = E'=5 V; les tensions des deux diodes étant supérieures à 0,7 V, la
condition de l'état bloqué n'est pas satisfaite et l'hypothèse H1 doit être abandonnée.

 H2 = D est bloquée et D' est passante; l'état des diodes impose I = 0 et V' =
0,7 V; les équations donnent J = I' = ( E'-V') / R = 43 mA V = E - R J = 5,7 V. I' > 0
correspond bien à D' passante mais

V = 5,7 V valeur supérieure à Vs ne correspond pas au blocage de D; l'hypothèse


H2 est abandonnée.

 H3 = D est passante et D' est bloquée; l'état des diodes impose V = 0,7 V et I'
= 0; nous en déduisons I = J = 93 mA et V' = E'-RJ = -4,3 V. I > 0 correspond bien
à D passante et V'< 0 à D' bloquée; l'hypothèse H3 est validée et le calcul est
terminé.

Il y avait à priori quatre hypothèse possibles pour ce circuit; on a choisi ici les
hypothèses au hasard ce qui nous a amené à en étudier trois sur quatre; on aurait pu
réfléchir rapidement et éliminer H1 sans calcul : les diodes ont une tension positive
sur l'anode; si elles sont bloquées aucun courant ne circule et les cathodes des
diodes sont au potentiel 0; on voit que V = E donc que l'hypothèse est à rejeter. La
diode D ayant le plus fort potentiel d'anode il est judicieux d'examiner en premier
H3 plutôt que H2; on peut donc arriver au résultat avec un seul calcul.

3 Etude dynamique
Nous étudions maintenant la diode en régime variable. Pour simplifier l'étude, nous
allons raisonner sur une diode P+N, c'est à dire que la zone P de la jonction est
beaucoup plus fortement dopée que la zone N; dans ce cas, le courant dans la
jonction ne sera quasiment dû qu'aux trous. L'étude ainsi faite peut être facilement
étendu à une jonction PN en étudiant de la même manière le comportement des
électrons.
3.1 Modélisation en "petits signaux"
Nous appliquons à la diode une tension variable v(t) = Vo+ va(t), Vo étant une
tension continue dite de polarisation et va une tension variable; le courant est alors
de la forme i(t)=Io+ia (t). L'hypothèse "petits signaux" veut dire que l'amplitude de
va est petite devant Vo.

 Résistance dynamique : le signal variable étant d'amplitude faible


devant le signal de polarisation, la caractéristique de la diode peut être linéarisée au
voisinage de Vo et l'on a va = rd ia ; 1 / rd est la pente di / dv de la caractéristique.

Pour les faibles courants, la caractéristique de la diode est de la forme

; si Vo >> UT, cette équation devient

Pour des courants forts, la caractéristique de la diode est de la forme

 Capacité de stockage : l'injection de porteurs majoritaires crée une


charge stockée . Dans l'hypothèse d'une jonction P+N, on ne considère que la
charge Qsn stockée dans la zone N par les trous injectés de la zone P+; nous avons
vu au chapitre 3, qu'en régime continu, Qsn = τ p IDp(0); en polarisation directe, le
courant total Io est quasi égal au courant de diffusion des trous donc Qsn = τ p Io. La
variation va de la tension entraîne une variation de courant ia = va / rd donc une
variation de charge stockée δ Qsn = τ p.ia = ( τ p / rd ). va ; cette variation peut être
modélisée par une capacité Cs dite de stockage, telle que δ Qsn = Cs va ; il vient
donc Cs = τ p / rd .

 Modèle de la diode
Pour de petits signaux variables, la diode admet le modèle équivalent de la fig.7:
♦ r modélise la résistance des zones P+ et N, généralement négligeable
devant rd.

♦ rd est la résistance dynamique

♦ Cs modélise la charge stockée Qsn

♦ Ct modélise la charge stockée dans la zone de transition

Ces paramètres sont fonction des grandeurs de polarisation Vo et Io.

En polarisation inverse, rd est quasi infinie et Cs << Ct ; en polarisation directe r <<


rd et Ct << Cs .

3.2 Réponse à un échelon de tension


La tension va varie en t = 0 de va1 à va2 = va1 +δ va( fig.8.a) ; d'après la relation de
Boltzmann, la concentration excédentaire de trous injectés dans la zone N
augmente de δ p' et il se crée un fort courant de diffusion Ip (0). La capacité Cs
court-circuite rd et le courant n'est plus limité que par r, augmentant donc de δ va / r
. A l'instant δ t , p'(x) est donné par la fig.8.b; comme dp' /dx diminue quand x
augmente, le courant de diffusion Ip(x) diminue; pour assurer la continuité du
courant ia, cette diminution est compensée par un courant In d'électrons provenant
du générateur de polarisation pour compenser les trous injectés : Ip(x) + In (x) = Ip
(0).
Au fur et à mesure que les trous diffusent, le courant de diffusion diminue ( fig.8.c
à l'instant 2.δ t ) pour atteindre un régime permanent lorsque la charge stockée a
augmenté de δ Qsn=Cs.δ va ; le courant prend alors la valeur ia2 = ia1 + δ ia avec δ ia
= δ va / rd ( fig.8.e).

Si on appliquait un échelon de courant, un raisonnement similaire montrerait que u


augmente exponentiellement de va1 à va1 + δ va avec δ va = δ ia . rd .

3.3 Commutation de la diode


Nous étudions maintenant les phénomènes apparaissant lors de la commutation de la
diode, c'est à dire lors du passage de l'état bloqué à l'état passant ou lors du passage
inverse.

Le montage utilisé pour tester la commutation est représenté ci-contre :

Le générateur continu Ed et la résistance R fixent le courant direct IF à l'état passant.


Le générateur Ei fixe la tension de blocage. L'inductance L fixe la vitesse de
variation di / dt durant les phases transitoires.

3.3.1 Mise en conduction de la diode


A t = 0-, l'interrupteur K est en position 2 depuis suffisamment de temps pour que le
régime permanent de blocage soit établi; le courant i est nul et la tension v égale à
-Ei.

A l'instant t = 0, nous basculons K en position 1.


Le régime permanent à l'état passant correspond au courant iF = (Ed - VF) / R, la
tension VF étant légèrement supérieure à la tension de seuil.

La diode étant initialement bloquée, elle présente une large zone de transition vide
de porteurs libres et possédant une charge d'espace +Q du côté N et -Q du côté P.
Pour établir le courant direct dans la diode, il faut successivement :

 détruire la barrière de potentiel en neutralisant la charge d'espace par injection


de porteurs

 établir le flux de porteurs majoritaires pour stocker la charge Qsn.

Nous obtenons les graphes de la fig.10 :

Sur la fig.10.a, nous avons un faible niveau d'injection et une inductance L


négligeable. Nous voyons sur le courant l'effet capacitif de la jonction, créant un
dépassement de courant qui atteint la valeur (Ed +Ei )/ R.

La tension augmente progressivement au fur et à mesure de la diminution de la


barrière de potentiel. Le temps de fermeture tfr est défini en rapport avec l'excursion
totale de tension ∆ V = VF+Ei ; c'est le temps mis pour la tension pour passer de -Ei
+ 10% de ∆ V à VF - 10% de ∆ V .

A la fin de ce temps, la capacité de transition est quasi nulle et il reste à charger Cs


par l'injection des porteurs. Le courant Ip augmente mais cela n'apparaît pas car i est
fixé par Ed et R; la différence entre Ip et i est compensée par le courant d'électrons
venant du contact de cathode pour garder la neutralité de la zone N.

Sur la fig.10.b, nous utilisons un fort niveau d'injection et une inductance L non
négligeable. L'inductance L fixe la vitesse de croissance du courant; sur la tension
v, nous voyons apparaître une surtension VFP; cette surtension est due à l'inductance
parasite de la diode mais surtout à la résistance élevée des régions neutres; au début
de l'injection la densité de porteurs majoritaires est celle de l'équilibre et le fort
courant qui circule crée une chute de tension importante venant s'ajouter à la
tension appliquée. Ensuite, l'injection augmente le nombre de porteurs majoritaires
et la résistance des zones neutres diminue. Ce phénomène est plus marqué lorsque
la jonction possède une zone N- peu dopée. Le temps de fermeture est alors défini
comme le temps au bout duquel la tension directe v redevient inférieure à 2 volts.

Le temps de fermeture dépend de la "rapidité" de la diode, du courant direct IF , de


sa vitesse de croissance; ce temps peut varier de 100 ms à 100 ns suivant les diodes.

Par exemple pour une diode BYX 67-600, tfr = 1,2 µs et VFP = 10 V pour IF = 30 A
avec une vitesse de croissance di/dt = 10 A/µs.

3.3.2 Blocage de la diode


Le régime permanent de conduction étant atteint, nous avons i = IF et v = VF; à
l'instant t' = 0, nous basculons l'interrupteur K en position 2 pour bloquer la diode.

Pour bloquer la diode il faut :

 évacuer les porteurs majoritaires injectés par le courant direct; ces porteurs
forment une charge Qs proportionnelle au courant direct.

 reconstituer la barrière de potentiel en rétablissant la charge d'espace. La


charge à reconstituer Qr dépend de la tension de blocage.

Au total, il faut déplacer la charge de recouvrement inverse Qrr = Qs + Qr . Cette


charge varie de 10 nC à 10 µC suivant le type de diode, le courant direct et la
tension de blocage.
Le blocage se fait en plusieurs phases suivant la fig.11:

 première phase : de 0 à t'1 le courant i décroît avec une pente di / dt = - Ei / L


imposée par le circuit extérieur. Durant cette phase, la tension subit une faible
discontinuité puis s'annule. Lorsque le courant i passe à zéro, la charge n'est pas
toute déplacée d'où l'inversion du courant. Tant que la charge stockée n'est pas
évacuée p'(0) > 0, la loi de Boltzmann implique que la tension aux bornes de la
jonction reste faible. Le courant se maintient donc à -IRM jusqu'à disparition de Qs.

 deuxième phase : de t'1 à t'2, le courant augmente avec une pente dir / dt fixée
par la diode; le changement de pente du courant crée une surtension négative : -ViM
= -Ei - L.dir / dt. Cette phase correspond au recouvrement de la charge Qr . En t'2 le
blocage est terminé :

on retrouve v = - Ei et i = 0.

La charge recouvrée Qrr est approximativement représentée par l'aire hachurée.

Le temps de blocage est défini par le temps de recouvrement inverse trr


correspondant au temps durant lequel le courant est négatif. Ce temps dépend de la
"rapidité" de la diode, du courant direct, de la tension inverse et de la vitesse de
décroissance du courant direct. Pour diminuer ce temps, on doit faciliter les
recombinaisons de porteurs en diminuant leur durée de vie; pour cela, on peut
introduire des centres de recombinaison par ionisation dans la zone N-. Mais en
diminuant ce temps, on augmente la chute de tension directe.

Une diode est dite rapide si ce temps est compris entre 100 et 500 ns dans les
conditions nominales d'utilisation; elle est dit ultra-rapide si le temps de
recouvrement est inférieur à 100 ns; la forme du courant durant le recouvrement est
fonction de la douceur de la diode.
La douceur est définie par le rapport S (= Softness) = tb / ta ; plus ce rapport est
grand plus la diode est "douce", plus il est faible et plus elle est "dure". Le retour à
zéro peut s'accompagner d'oscillations de l'intensité et de la tension; la diode est
alors dite snap off.

3.3.4 Choix d'une diode de commutation


Le circuit extérieur impose à la diode les vitesses de croissance et de décroissance
du courant; à la mise en conduction, une croissance rapide du courant jusqu'à des
valeurs élevées peut créer une surtension VFP importante. Au blocage, une
décroissance trop rapide du courant crée un courant inverse IRM élevé et une forte
tension inverse ViM pouvant provoquer le claquage de la diode; pour les diodes
douces, la puissance dissipée dans la diode durant le recouvrement est importante;
pour les diodes dures, on crée des oscillations parasites dans le montage.

Même si ces phénomènes sont sans danger pour la diode, les phénomènes
transitoires en intensité et en tension se reportent généralement sur d'autres
composants du montage et peuvent provoquer leur destruction; il faut donc choisir
des composants adaptés aux conditions de commutation imposées.

3.3.5 Protection contre les surtensions


Les inductances parasites du montage créent au blocage de la diode des oscillations
gênantes et une forte surtension inverse pouvant entraîner le claquage de la diode.
Un circuit R - C placé aux bornes de la diode permet d'atténuer ces défauts:
Le calcul de ce réseau est assez complexe; on doit prendre en compte la tension
Ebloc appliquée au blocage, le courant de recouvrement inverse IRM qui circule dans
la diode au moment où se produit la surtension et l'inductance L du circuit.

En posant et , on peut utiliser le graphe de la fig.14 pour


déterminer les composants; on se fixe la tension inverse maximale VRM que
supportera la diode durant son blocage et on lit k et x sur le graphe et on en déduit
R et C.

Par exemple pour une diode BYX 67-600 avec Ebloc = 220 V, IRM = 6 A et L = 1 µH,
si on veut limiter la tension inverse à 400 V, on a VRM / Ebloc = 1,82 ; sur le graphe
on lit x = 1,5 et k = 0,5 . On en déduit R = x. Ebloc / IRM = 55 Ω et C = k.L/ (Ebloc /
IRM)² = 372 pF. On peut prendre les valeurs normalisées 56 Ω et 390 pF.

4 Diode Schottky
La technologie des diodes Schottky exploite la barrière de potentiel qui se crée au
contact entre un métal et un semi-conducteur généralement de type N pour obtenir
des diodes ayant un faible seuil de conduction et une très grande rapidité.

4.1 Barrière de potentiel métal - semi-conducteur


Représentons sur la figure ci-dessous les structures des niveaux d'énergie d'un
métal et d'un semi-conducteur de type N lorsqu'ils sont isolés :
 dans le métal, le niveau de Fermi WFm se situe dans la bande de conduction;
les électrons libres occupent les places en dessous de ce niveau. Le travail de sortie
Wm est l'énergie minimale qu'il faut communiquer à un électron pour lui faire
quitter le métal; cette énergie est la différence entre le niveau d'énergie dans le vide
et le niveau de Fermi.

 dans le semi-conducteur N, le niveau de Fermi WFs est situé près de la bande


de conduction. Le travail de sortie Ws est plus faible que pour le métal. L'affinité
électronique χ s est la différence d'énergie entre le niveau du vide et le niveau
inférieur de la bande de conduction; elle est peu différente de Ws.

Lorsqu'on réalise la jonction du métal et du semi-conducteur, les niveaux de Fermi


des deux composants s'alignent. La différence des travaux de sortie crée une
barrière de potentiel de hauteur Vt telle que Vt = (Wm - Ws / e; les électrons
majoritaires de la zone N diffusent dans le métal laissant des atomes donneurs
ionisés positivement. Il se crée donc une zone de charge d'espace dans la partie N.
Cette partie étant dopée avec une densité Nd, nous avons une variation du potentiel
avec la distance x à la jonction : d²V/dx² =- e.Nd/ε soit V =-e.Nd.x²/2.ε + Cste. Si
nous appelons L la largeur de la zone de déplétion et VN le potentiel de la zone N, il
vient : V = - e.Nd. (x - L)² / .2ε + VN.

Lorsqu'on applique une différence de potentiel négative entre le métal et le semi-


conducteur, la barrière de potentiel n'est quasiment pas affectée contrairement à la
jonction PN; en effet le champ électrique lié à cette d.d.p peut s'établir dans la
partie N de résistance beaucoup plus grande que le métal.

Lorsqu'on applique une tension directe Vd ( + côté métal et - côté semi-


conducteur), la densité d'électrons à la limite de la zone de déplétion côté N est

n = neq.exp(Vd/UT) comme dans une jonction PN, avec UT = k.T/ e ; pour calculer la
densité de courant JSM créée par les électrons passant du semi-conducteur au métal,
il faut prendre en compte tous les électrons situés dans le volume de section unité et
de longueur égale à la vitesse moyenne vmoy : JSM=e.n.vmoy il faut cependant limiter
le calcul aux électrons ayant une composante de vitesse négative suivant Ox et de
valeur absolue suffisante pour pouvoir franchir la barrière de potentiel. La vitesse
limite est telle que l'énergie cinétique lui permette de franchir la barrière Vt
diminuée de la polarisation directe: m.v²lim / 2 = e ( Vt - Vd ). En tenant compte de la
loi de distribution des vitesses, il vient JSM = R.T².exp(Vt / UT ).exp(Vd / UT ) , R
étant la constante de Richardson dépendant du semi-conducteur ( R = 1,1.106 A.m-
²
.K-² pour le silicium)

La densité de courant JMS d'électrons passant du métal au semi-conducteur est


indépendante de la polarisation; le courant total étant nul pour Vd = 0, nous avons
JMS = - JSM (Vd = 0) = R.T2. exp( Vt / UT ); ce courant est dit aussi courant de
saturation Js . L'expression du courant est donc semblable à celui d'une diode à
jonction PN : Jd = Js.[ exp(Vd / UT ) - 1]. La caractéristique statique de la jonction est
donc de la forme Vd = UT.Ln(Jd / Js) + Rs.Id, Rs étant la somme des résistances de la
partie N et des connexions.

4.2 Réalisation d'une diode Schottky


La fig.2 donne la structure d'une diode utilisant la barrière métal-semi-conducteur.

Sur un substrat de type N très fortement dopé pour diminuer sa résistance, on place
une couche N- formant la partie semi-conductrice de la barrière; cette zone est
faiblement dopée pour avoir une résistance assez élevée pour supporter le champ
électrique. Dans cette zone on diffuse un anneau dopé P+ pour former une diode à
jonction P+ N-. On dépose ensuite la couche métallique formant la barrière

( chrome, platine, molybdène...) puis on métallise les connexions d'anode et de


cathode.

La diode P+ N- vient en parallèle sur la jonction Schottky; en polarisation directe,


sa tension de seuil étant plus grande que celle de la jonction métal-semi-
conducteur, cette diode ne conduit pas; en inverse sa tension de claquage est
inférieure à celle de la jonction Schottky; c'est donc cette diode qui fixe la
caractéristique inverse, donnant un fonctionnement plus fiable que la jonction
Schottky , celle-ci ayant un claquage peu franc.

L'épaisseur de la zone N- fixe la tenue en tension inverse; plus elle est épaisse et
plus la tension inverse maximale est élevée mais plus la résistance directe de la
diode est élevée.

4.3 Utilisation
Les diodes Schottky sont utilisées en raison de leur faible chute de tension directe
et de leur rapidité.

 les diodes à mince couche N- ont une tension inverse faible (10 à 50 V) et une
chute de tension directe de 0,3 à 0,8 V. La faible hauteur de la barrière de potentiel
est intéressante dans les montages basse tension. Supposons par exemple que l'on
alimente une charge à travers une diode; la tension d'alimentation est de 5 V et le
courant de 10 A. Si on utilise une diode à jonction PN, la chute de tension sera de
l'ordre de 0,9 V et la puissance dissipée dans la diode de 9 W; la source fournit 50
W et la charge reçoit 41 W; la diode introduit 22 % de pertes; si nous utilisons une
diode Schottky, la chute de tension peut être limitée à 0,5 V donc les pertes dans la
diode à 5 W; la charge reçoit alors 45 W soit seulement 11 % de pertes. Le
changement de diode a permis de gagner 11 % sur le rendement.

 les diodes à épaisse couche N- peuvent tenir des tensions inverses élevées
(200 à 1000 V); leur résistance étant plus élevée, la chute de tension directe est de
l'ordre du volt comme dans les diodes à jonction PN. Mais dans les diodes
Schottky, la conduction est due aux porteurs majoritaires; il n'y a donc pas de
phénomène de stockage de porteurs dans la jonction. Ce type de diode est utilisé
pour sa grande rapidité avec des temps de commutation de l'ordre de 50 ns.