Transistores

Quin Invento Los Transistores?

El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en
diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William
Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio
Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de
tres electrodos, o triodo.
El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor
(1930), pero no se encontr una aplicacin til ni se dispona de la
tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente.

Transistores De Estado Solido

El transistor de unin bipolar es un dispositivo
electrnico de estado slido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que
permite controlar el paso de la corriente a travs
de sus terminales. La denominacin de bipolar
se debe a que la conduccin tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad
en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas
aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un
solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De
esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar

fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se
debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de
carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del

colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su

funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga
emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay
poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de
saturacin y estado de actividad.

Cmo Se Fabrican Los Transistores?

El transistor de unin bipolar, se fabrica bsicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres
zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la
zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se
utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al)
o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o
NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica
de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del
mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms
contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor
depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del
tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y
del comportamiento cuntico de la unin.

Caractersticas De Los Transistores

Control de corriente del transistor.

Conectar varios circuitos y observar las caractersticas de control de

corriente de un transistor.

Transistores es condicin de polarizacin.

Aplicar polarizacin directa e inversa a un transistor, medir la tensin de

salida y determinar los rangos de operacin lineal.

Configuraciones del amplificador.

Aplicar polarizacin directa e inversa a circuitos con emisor comn y

receptor comn, identificar la ganancia de tensin y la relacin de fase
en estos circuitos.

Disipacin de potencia en un transistor.

Determinar la condicin nominal de operacin de un transistor.

Emisor Comn, Base Comn Y Colector Comn

Emisor Comn
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El
emisor se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de
salida. En esta configuracin se tiene ganancia tanto de tensin como de
corriente.
Base Comn
La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La
base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de
salida. En esta configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La
impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor
que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base.
Si aadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia
impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al
realizado en el caso de emisor comn.
La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja
impedancia de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.
Colector Comn

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El

colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la
de salida. En esta configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no
de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de
entrada es alta, aproximadamente +1 veces la impedancia de carga.
Adems, la impedancia de salida es baja, aproximadamente veces
menor que la de la fuente de seal.

Funcionamiento Del Transistor

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para
producir una seal de salida en respuesta a otra seal de entrada.
Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor
(resistencia de transferencia).
Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos
electrnicos de uso diario: radios, televisores,reproductores de audio y
video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas
fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc.