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RESUMEN
En la siguiente prctica de laboratorio se observa el funcionamiento de los MOSFET de
enriquecimiento los cuales estn contenidos en el circuito integrado 4007 del cual se
anexa la respectiva hoja de datos en el apartado final.
Se construyeron distintos circuitos para as demostrar las caractersticas beneficiosas del
4007, aunque este chip no es muy utilizado en el mundo real para aplicaciones tiles es
bueno para efectos de prctica ya que es perfecto para este mbito.
Algunas desventajas del chip 4007 que es demasiado frgil elctricamente se debe tener
un cuidado extremo al aplicar la tensin que se nos piden en cada tarea de este
laboratorio.
En el recorrido de este laboratorio nos daremos cuenta que el MOSFET tiene diferentes
funciones y que no solamente es un transistor sino que puede llegar a usarse como un
diodo o un inversor.

LISTA DE EQUIPO Y MATERIALES

1- Circuito Integrado 4007
2- resistencias 5.5k, 2.2k,1k; entre otras.
2- Multi-metros
1- Circuito integrado LM341
1- Potencimetro de 10k
Fuente variable de tensin

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INTRODUCCIN
MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste
en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor ms
utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los procesadores
comerciales estn basados en transistores MOSFET.
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el
que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto
separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por
una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales
dependiendo de cmo se haya realizado el dopaje:

Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.

Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.

Los MOSFET no tienen los problemas de los fenmenos de ruptura secundaria que
tienen los BJT, pero tienen problemas de descargas electrostticas, por lo que su manejo
requiere de cuidados especiales. Adems es muy difcil protegerlos bajo condiciones de
falla por corto circuito.
El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:
Estado de corte
Conduccin lineal
Saturacin

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DESCRIPCION DE LOS CIRCUITOS

Tarea 1
Subtarea 1a Tensin de umbral y parmetros de proceso de dispositivo NMOS.
(Figura 1)

Figura 1
El circuito de la figura 1 es un MOSFET conectado como un diodo ya que la compuerta
est unida al drenaje. La resistencia R ser cambiante ya que para esta prctica se debe
variar y as ver el comportamiento del circuito NMOS.
Subtarea 1b Tensin de umbral y parmetro de proceso de PMOS (Figura 2)
En la figura 2 se muestra el circuito PMOS que al igual que el circuito NMOS est
conectado como un diodo y tambin la resistencia ser variable no quiere decir que sea
un potencimetro, sino que pondremos resistencias de diferentes valores.

Figura 2
Tarea 2
Compuerta Inversora CMOS (Figura 3)

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Figura 3
En el circuito de la figura 3 nos podemos dar cuenta que como lo mencionamos en el
resumen el MOSFET tambin puede funcionar como una compuerta lgica en este caso
una compuerta inversora.
Tarea 3
Caractersticas de retardo ideales de compuerta inversora (Figura 4)

Figura 4
En el circuito de la figura 4 se muestra un arreglo de transistores MOS los cuales
funcionan como una compuerta NOT, sabemos que cuando Vin es 5V entonces Vout
ser una salida de tensin bajo y viceversa, cuando Vin es 0V entonces Vout ser una
salida de tensin alto. El funcionamiento es igual que el del circuito de la figura 3 con la
diferencia que este es un comportamiento ideal.

RESULTADOS DE LAS MEDICIONES

Tarea 1

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Subtarea 1a tensin de umbral y parmetros de proceso de dispositivo NMOS.

VDS (V)
6
5.45
5.3
4.9
4.55
4.25
4
3.6
3.41
2.65

Id (V)
1.27E-02
9.93E-03
9.08E-03
7.53E-03
6.48E-03
5.30E-03
4.12E-03
3.22E-03
2.62E-03
1.05E-03

Al extrapolar los valores de VDS e Id obtenemos el valor de Vt cuando Id = 0.

En nuestro caso es aproximadamente Vt = 1.9 V
La constante K se puede encontrar de la siguiente ecuacin
w
i d=K n (V DSV t )2
l
Tomaremos el primer valor experimental Id = 12.7mA y VDS = 6V
K(W/L) = 755.5 x 10-6 A/V
Subtarea 1b Tensin de umbral y parmetro de proceso de PMOS
VDS [V]
10
9.3
8.2
7.12
6.4
5.02
4.3
3
2
1.1

Id [mA]
18.2
15.25
12.34
9.62
7.25
4.6
2.75
1.28
0.26
0.02

En este caso el valor de Vt lo obtendremos de simultanear dos ecuaciones con los

valores de prueba de la tabla anterior.
W
18.20 mA=K n [ ( 10V t )2 ] Ecuacin 1
L

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7.25 mA=K n

W
2
( 6.4V t ) ]
L[

Ecuacin 2.

Simultaneando obtenemos Vt = 0.239V y K(W/L) = 191 x 10-6 A/V

Tarea 2
Compuerta Inversora CMOS

Io vs Vi
3.50E-03
3.00E-03
2.50E-03
2.00E-03
1.50E-03
1.00E-03
5.00E-04
0.00E+00
-5.00E-04

10

12

14

Vo vs Vi
12
10
8
6
4
2
0

Vi

Vo

10.81

0.492
1.01
1.53
2.07
2.553
3.053
3.492
4.06

10.69
10.74
10.7
10.4
9.7
8.39
6.18
0.604

Id
0.00E+0
0
0.00E+0
0
5.80E-06
3.20E-05
2.40E-04
8.23E-04
1.77E-03
2.84E-03
2.78E-03

10

12

14

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4.53
5.09
5.51
6.02
6.56
7.08
7.52
8.05
8.5
9.05

0.394
0.267
0.206
0.15
0.106
0.0739
0.0507
0.0283
0.013
0.0017

9.51

10

10.53

11.08

11.5

12.1

12.2

2.48E-03
2.12E-03
1.86E-03
1.55E-03
1.23E-03
9.30E-04
6.87E-04
4.15E-04
2.05E-04
3.06E-05
0.00E+0
0
0.00E+0
0
0.00E+0
0
0.00E+0
0
-2.16E05
-1.13E04
-1.32E04

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En la siguiente figura se muestran las zonas de inters

QN en corte.
Comprendida del origen al punto A y el voltaje de salida se mantiene constante
en VDD esto se distingue en la grfica hasta los primeros 2V.
QN en saturacin y QP en la regin trodo.
sta es la zona comprendida entre el punto A y B.
QN y QP en saturacin.
sta es la zona comprendida entre el punto B y C.
QN en la regin trodo y QP en saturacin.
sta es la zona comprendida entre el punto C y D.
QP en corte.
Por ltimo la zona cuando PMOS est en corte, sta es la zona comprendida
entre el punto D y VDD. La tensin de salida se mantiene casi constante en V= 0V. Se
distingue en la grfica entre Vin= 8V y Vin =10V.
Para determinar los mrgenes de ruido del inversor con un VDD=10V se tiene que los
valores de la tensin altos y bajos nominales segn el experimento son:
V OH =V DD=10 V
V OL=0 V
La tensin de entrada mnima que el inversor aceptara como un uno lgico se calcula de
la siguiente manera:
1
1
V iH = ( 5 V DD2 V t ) = ( 5(10)2( 1.9) ) =5.8V
8
8
La tensin mxima que se acepta como cero lgico ser:
1
1
V iL= ( 3V DD +2 V t ) = ( 3 ( 10 ) +2(1.9) )=4.2V
8
8

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Ahora pueden determinarse los mrgenes de ruido de la manera siguiente:

1
1
NM H = ( 3 V DD +2 V t )= ( 3 ( 10 ) +2(1.9) )=4.2V
8
8
1
1
NM L= ( 3 V DD +2 V t )= ( 3 ( 10 ) +2(1.9) ) =4.2 V
8
8
Simulacin de Tarea 3 (Figura 5)
Caractersticas de retardo ideales de compuerta inversora

(Figura 5)

El resultado obtenido es el siguiente (figura 6)

(Figura 6)

Simulacin de Tarea 4 (Figura 9)

Caractersticas de retardo en cascada de la compuerta inversora

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Inversores en cascada, cada uno con una capacitancia de salida de 10pF, aplicamos un
pulso con 20ns de tiempo de subida y tiempo de cada y un periodo de 100ns.

Figura 9

Figura 10 grafico azul es el V1, verde tensin en nodo 3 y rojo tensin en nodo 5(Vout).

Tarea 5 (Figura 12)

Prueba de caractersticas de retardo en cascada de la compuerta inversora

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Figura 12
tdHL = 50ns

tdLH = 50ns

CONCLUSIONES

El circuito integrado 4007 es de mucha ayuda para fines didcticos pero

solamente para eso ya que el mundo real no lo ocupa demasiado y es por eso que
no tiene demanda de ah la problemtica que se nos present al momento de
comprar dichos chip en nuestro pas ya son pocos los que traen a la venta y fue
complicado encontrarlos.

El inversor CMOS es un dispositivo del circuito importante que proporciona

tiempo de transicin rpida, altos mrgenes de amortiguamiento, y baja
disipacin de potencia: los tres de estas cualidades son deseables en la mayora
de inversores para el diseo de circuitos. Es bastante claro por qu este inversor
se ha vuelto tan popular como lo es.

La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos,

n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:
Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar
(actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de integracin debido a
su reducido tamao. Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje
por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula
por la puerta es del orden de los nA. Los circuitos digitales realizados con
MOSFET no necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. La
velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los ns.

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BIBLIOGRAFIA
1- Sedra. Circuitos Microelectrnicos, Quinta edicin. McGraw-Hill Interamericana,
2006.

2- Jos Ramos. Notas de Clase de Electrnica I. Universidad de El Salvador, 2012

3- http://ocw.ehu.es/ensenanzas-tecnicas/electronica-general/teoria/tema-7-teoria