YARI LETKENLERN RNEK KULLANIM ALANLARI

Belirli elektronik fonksiyonlara sahip cihazlarda, zgn elektriksel zelliklere sahip yar
iletkenler kullanlr. Eski model vakum tplerinin yerini alan diyotlar ve transistrler
verilebilecek rnekler arasndadr. Yar iletkenlerin stnl, kk boyutlu ve dk g
tketimine sahip olmalarnn yan sra, alma iin n snma sresine de gerek yoktur. Her
biri birok elektronik cihazdan oluan ok saydaki kk devreler, kk silisyum yongalar
(bask devreleri) zerine yerletirilmitir. Devrelerin bu denli kk boyutlara indirgenmesine
neden olan bu yar iletkenlerin icad, son birka yl ierisinde ok saydaki yeni endstri
alanlarnn domasna ve hzlca bymesine yol amtr.
Termistr
Yar iletkenlerin iletkenlii scaklkla artar. Enerji aral yksek olan yar iletkenler scakla
ok duyarl olurlar. Dier bir ifadeyle direnci scaklna bal olarak deien malzeme olup
bu zelliklerinden yararlanarak gelitirilen termistrlerde 10-4C lik scaklk fark bile
llebilir. Yar iletkenlerin bu zelliinden yangn alarm cihazlarnda yararlanlr.

Diyot (Ik yayc diyotlar ve Dorultucu diyotlar)

Bir elektronik cihaz olan diyot (dorultucu), akmn sadece bir yne akmasn salar. rnein
bir diyot, alternatif akm doru akma evirir. p-n ifti yar iletkenler icad edilmeden nce bu
dorultma ilemi vakum tp diyotlar kullanlarak salanrd. Bu p-n dorultma birleimi, bir
taraf n-tipi dier taraf p-tipi olacak ekilde katklandrlm ve tek paral bir yar iletken
retilmitir.

Yine bir n-tipi yar iletkenle bir p-tipi yar iletken ift eklenmi durumda bir diyot
olutuunda n-tipi yar iletken eksi kutba, p-tipi yar iletken art kutba balanrsa oluan
devrede ndeki elektronlar pdeki elektron delikleri ile birleirler. Bu birleme sonucu oluan
bir enerji foton halinde yaylr. Yaylan fotonlar frekanslarna gre deiik zellikler

Malzeme II Do.Dr.Kenan YILDIZ

Sayfa 1

gsterirler. rnein dijital gstergeli bir elektronik aygtta kullanlan GaAs krmz, GaP ise
yeil k fotonlar yayarlar.
Transistr
Bugnn mikro elektronik devreleri iin olduka nemli olan yar iletkenlerden meydana
gelen transistrler iki temel fonksiyona sahiptir:
1) daha nce vakum tplerinin yapt elektrik iaretlerini kuvvetlendirme ilemi
2) bilgisayarlarda bilgi ileme ve depolama iin anahtarlama grevi
ki temel tr vardr: Birlemeli transistrler ve MOSFET (metal oksit yar iletken alan etkili
transistrler

Devre retimi
Yar iletkenlerde kullanlan ana malzeme ounlukla saf silis kristalidir. aplar 10-100 mm
kadar olan silindir eklinde silis kristalleri yaklak 0,2 mm kalnlnda kesilerek yzeyleri
ok iyi ekilde parlatlr. Bu ekilde elde edilen bir silis tableti veya yongas zerine ksmen
maskeleme, ksmen difzyon ve ksmen de oksitlenme ilemleri ile yzlerce transistr
sdrlabilir. Difzyona uramas istenmeyen blgeler maskelenir. Silisyum kristaline uygun
katk elemanlar difzyonla sokularak n veya p tr blgeler meydana getirilir. Ayrca
olumu yar iletken blgeler aras oksitlenerek SiO2 ye dntrlr, dolaysyla yaltm
salanr. Bylece bir silis yongas zerinde elde edilen ok sayda transistor n ular
birbiriyle iletkenlerle birletirilerek entegre devreler elde edilir.

ok kk bir hacme sdrlan ok sayda

mikro elektronik devreler uydularn
iletiiminde, bilgisayarlarda, elektronik
hesap makinelerinde, dijital saatlerde ve
benzeri uygulamalarda kullanlmaktadr.

Malzeme II Do.Dr.Kenan YILDIZ

Sayfa 2