Argument

Din punctul de vedere al proprietii corpurilor solide de a fi strbtute de curent

electric sub aciunea unei tensiuni electrice continue aplicate din exterior, acestea se mpart n
trei mari categorii:
conductoare (metalele);
semiconductoare;
izolatoare.
n metale ntlnim o structur cristalin, unde n nodurile reelei cristaline se gsesc
plasai ioni pozitivi, n timp ce printre noduri se mic liber i haotic electroni. Apariia
electronilor liberi se explic prin fora de legtur foarte slab a electronilor de valen.
Concentraia electronilor liberi este de ordinul 1028 m-3 i nu depinde practic de temperatur.
Rezistena electric a metalelor este determinat de frecvena ciocnirilor electronilor liberi cu
ionii pozitivi din nodurile reelei. Ionii sunt ntr-o permanent vibraie termic n jurul unei
poziii de echilibru. Cu creterea temperaturii, amplitudinea oscilaiilor crete, ceea ce
frneaz micarea de ansamblu a electronilor liberi sub aciunea unui cmp electric exterior.
Aa se explic creterea rezistenei (rezistivitii) metalelor cu temperatura.
Izolatoarele nu conduc curentul electric deoarece n interiorul lor, practic, nu exist
purttori liberi de sarcin electric. Aceste materiale, cum ar fi mica, materiale plastice, sticla,
ceramica, marmura, hrtia, cauciucul etc. sunt foarte folosite n electrotehnic n general pentru
a realiza diferite izolaii electrice.
Materialele semiconductoare sunt materiale a cror conductivitate electric este
cuprins aproximativ ntre (10-10...103 ) i se situeaz din acest punct de vedere ntre
conductoare (104...106 ) i izolatoare (10-12...10-18 ). Proprietile lor electrice legate de
conductivitate sunt puternic influenate de prezena dorit a anumitor impuriti.
n anii 1950 dup apariia tranzistorului, germaniul era principalul material
semiconductor dar era de nefolosit n multe aplicaii datorit curentului rezidual ridicat la
temperaturi nu prea mari.
n plus, proprietile modeste ale oxidului de germaniu nu permiteau dezvoltarea unor
tehnologii performante.
Prin anii 60 siliciul devine nlocuitorul practic al germaniului datorit curenilor
reziduali mult mai mici i proprietilor remarcabile ale oxidului su (care au permis
dezvoltarea tehnologiei planare) i nu n ultimul rnd considerentele economice (costul siliciului
monocristalin utilizabil pentru realizarea dispozitivelor semiconductoare i a circuitelor
integrate este cel mai sczut n comparaiie cu preul altor materiale).
n prezent, Si este unul dintre cele mai cunoscute materiale din tabelul periodic iar
tehnologia siliciului este pe departe cea mai avansat dintre toate tehnologiile cte, sunt
aplicate n microelectronic.
Cu toate avantajele legate de Si, acest material rmne nc modest din punct de vedere al
performanelor sale la frecvene nalte, n domeniul optic, etc. n ultimii ani au fost dezvoltate
exploziv i alte materiale care s poat acoperi aplicaiile n care Si a devenit inutilizabil.
Semiconductoarele se deosebesc fundamental de conductoare nu numai prin valoarea
conductivitii dar i prin modul n care aceasta variaz cu temperatura (valoarea
conductivitii crete cu temperatura n timp ce n conductoare aceasta scade).
De asemenea, valoarea conductivitii semiconductoarelor este puternic influenat de
defectele existente n structura cristalin a materialului i de factori externi, n timp ce la
1

conductoare acestea n-au practic nici o influen.

Materialele semiconductoare sunt izolatoare la zero absolut dar conduc electricitatea,
ntr-o anumita msur, la temperatura camerei. Proprietatea definitorie a materialului
semiconductor este aceea c poate fi dopat cu impuriti care i altereaz,ntr-un mod
controlabil, proprietile electronice.
Din cauza faptului c materialele semiconductoare sunt elemente eseniale ale
dispozitivelor electronice precum tranzistorul i laserul cu semiconductori, activitatea de
cercetare pentru descoperirea unor noi materiale semiconductoare i de mbuntire a celor
existente este un domeniu de cercetare important n cadrul disciplinei tiina Materialelor.
Cele mai utilizate materiale semiconductoare sunt materialele solide cristaline
anorganice. Aceste materiale pot fi clasificate n funcie de grupele tabelului periodic n care se
ncadreaz fiecare element chimic component.

Semiconductorul este un material a crui rezistivitate este cuprins ntre cea a

conductoarelor i izolatoarelor. Un cmp electric poate schimba rezistivitatea semiconductorilor.
Dispozitivele fabricate din materiale semiconductoare sunt baza electronicii moderne, fiind pri
componente n radiouri, computere, telefoane i multe altele. Dispozitivele semiconductoare
sunt: tranzistorul, celulele solare, mai multe tipuri de diode, inclusiv dioda luminiscent i
circuite integrate. Panourile solare fotovoltaice sunt dispozitive semiconductoare care
transform energia luminii n energie electric. ntr-un conductor metalic, curentul este
reprezentat de fluxul de electronii. ntr-un semiconductor curentul este reprezentat fie de fluxul
de electroni fie de fluxul de "goluri" din structura electronic a materialului.

Capitolul I

Dispozitive semiconductoare
Un semiconductor este un solid al carei conductibilitate electrica poate fi controlata pe o
raza foarte mare, fie permanent fie dinamic. Semiconductorii sunt foarte importanti din punct de
vedere tehnologic si economic. Siliconul este cel mai important semiconductor comercial, desi
sunt importanti si altii deasemenea.
Dispozitivele semiconductoare, componente electronice facute din materiale
semiconductoare, sunt esentiale in dispozitiviele electronice moderne de la calculatoare la
telefoane celulare si aparate audio digitale. Semiconductoarele sunt foarte similare cu izolatorii.
Cele doua categorii de solide difera in principal in aceea ca izolatori au un mai mare gol de
banda energii pe care electronii trebuie sa le dobindeasca pentru a fi liberi sa curga. In
semiconductori la temperatura camerei, ca si izolatorii, foarte putini electroni castiga destula
energie termica sa sara peste golul de banda, care este necesar pentru conductie. Pentru acest
motiv, semiconductorii si izolatorii puri, in absenta campurilor aplicate, au cam aceleasi
proprietati electrice. Golul mai mic de banda a semiconductorilor, totusi, da voie pentru alte
mijloace afara de temperatura sa controleze proprietatile lor electrice.
Proprietatile intrinseci ale semiconductorilor sunt foarte des modificate permanent de
impuritatile introduse intr-un proces numit dopaj. De obicei este rezonabil sa aproximam ca
fiecare atom de impuritate adauga un electron sau o gaura care poate curge liber. La adaugarea
unei proportii suficient de mari de dopant, semiconductorii conduc electricitatea aproape la fel de
bine ca metalele. Jonctiunile dintre regiuni ale semiconductorilor care sunt dopate cu diferite
impuritati contin campuri electrice care sunt critice la operatiunile dispozitivelor
semiconductoare.
In plus la modificarea permanenta prin dopaj, proprietatile electrice ale semiconductorilor
sunt deseori modificate dinamic prin aplicarea campurilor electrice. Aceasta posibilitate de a
controla conductibilitatea in regiuni mici si bine definite a materialelor semiconductoare, static
prin dopare si dinamic prin aplicare de campuri electrice, a condus la dezvoltarea unei mari game
de dispozitive semiconductoare, cum sunt tranzistorii. Dispozitivele semiconductoare cu
conductibilitate controlata dinamic formeaza baza circuitelor integrate, cum este
microprocesorul. Aceste dispozitive semiconductoare active sunt combinate cu componente
pasive mai simple cum sunt condensatorii semiconductori si rezistorii pentru a produce o
varietate de dispozitive electronice.
In anumiti semiconductori, cand electronii cad de pe banda de conductie la valenta benzii
(nivelele de energie peste si sub golul de banda) emit deseori lumina. Aceasta proces de
fotoemisie sta la baza diodei emitatoare de lumina (LED) si a laserului semiconductor, amandoua
fiind foarte importante comercial. Pe de alta parta, absortia luminii de catre semiconductori in
fotodetectori excita electronii de pe banda de valenta la banda de conductie, facilitand receptia
comunicatiile prin fibra optica si furnizand baza pentru energie din celulele solare.
3

Semiconductorii pot fi elemente cum ar fi Siliconul sau Germaniul sau compusi semiconductori
cum sunt Galiu-Arseniu sau fosfatul de Indiu sau aliaje cum sunt Silicon-Germaniu sau
Aluminiu-Galiu-Arseniu.

1.1.Diode
Definiia i simbolul diodei

Dup cum am precizat i n seciunea precedent, dioda este realizat prin introducerea de
impuriti de tip N i P n acelai cristal semiconductor. Simbolul schematic al diodei este
prezentat n figura alturat (b), i corespunde semiconductorului dopat de la (a). Dioda este un
dispozitiv unidirecional (vezi jonciunea PN). Deplasarea electronilor se poate realiza doar ntr-o
singur direcie, invers fa de direcia sgeii, atunci cnd dioda (jonciunea PN) este polarizat
direct. Catodul, din reprezentarea diodei, reprezint semiconductorului de tip N, iar anodul
corespunde materialului dopat de tip P.

Tipuri de diode semiconductoare cu jonctiune

n prezentul paragraf se trec n revista principalele tipuri de diode utilizate curent n
aplicatii. Diferentierea se face n functie de zona de functionare pe care o foloseste aplicatia [3,
4, 26 ]
A.
diode la care se utilizeaza caracteristica statica de la polarizarea n conductie a diodei,
cealalta ramura a caracteristicii fiind utilizata pentru blocarea curentului (ideal ar fi ca rezistenta
sa fie infinita)
4

B.
diode se utilizeaza caracteristica statica de la polarizarea inversa a diodei, cealalta
ramura nefiind utilizata (dioda Zener)
Notatii:
- curentul la polarizare directa;
- caderea de tensiune la polarizarea directa;
- tensiunea inversa maxima

- curentul la polarizare inversa.

A. Diode n polarizare directa

Dac dioda este polarizat direct, curentul crete foarte puin pe msur ce tensiune crete
de la 0 V. n cazul n care materialul semiconductor din care este confecionat dioda este siliciu,
curentul ncepe s creasc doar dup ce tensiunea atinge valoarea de 0,6 V. Dac tensiunea crete
peste valoarea de 0,6 V, valoarea curentului crete foarte rapid. O tensiune peste 0,7 V poate
foarte uor s duc la distrugerea diodei. Aceast tensiune de deschidere a diodei n jurul
valorii de 0,6 V, poart numele de tensiune de polarizare direct a diodei. Sub aceast valoare,
dioda este nchis, i nu exist curent pe la bornele acesteia. Dei pentru siliciu tensiunea de
polarizare direct este de 0,6-0,7 V, pentru germaniu aceasta este de 0,3 V, iar pentru LED-uri de
civa voli. Curentul ce strbate dioda la polarizarea direct poart numele de curent direct, iar
acesta poate lua valori cuprinse ntre civa mA, pn la sute sau mii de amperi pentru diodele de
putere.

Diode de comutatie sunt caracterizate prin viteza mare de raspuns, pentru ca evacuarea
sarcinii stocate se face rapid. Pot lucra la frecvente mari ale tensiunii de alimentare.
;

;
5

Diode de uz general
;

Diode de nalta tensiune sunt caracterizate prin faptul ca suporta tensiuni mari de
polarizare inversa. Spre exemplu TV13, TV18, s.a.
;

Diode de putere sunt realizate pentru a vehicula puteri mari si foarte mari.
;

B. Diode n polarizare inversa

Dac dioda este polarizat invers, curentul invers va avea o valoarea foarte mic, care n
condiiile cele mai extreme poate ajunge la un maxim de 1 A (figura de mai sus, stnga).
Valoarea acestui curent nu crete semnificativ odat cu creterea tensiunii de polarizare invers,
dect la atingerea punctului de strpungere. Cnd punctul de strpungere este atins, curentul prin
diod crete la o valoare att de mare, nct poate duce la distrugerea diodei dac nu exist un
rezistor serie pentru limitarea curentului prin diod. De obicei se alege o diod a crei tensiune
de strpungere este mai mare dect valoarea tensiunilor aplicate la bornele sale. Diodele din
siliciu au de obicei tensiuni de strpungere de la 50, 100, 200, 400, 800 V sau chiar mai mare.
Diode stabilizatoare sunt realizate asa fel nct sa poata functiona n zona reversibila de
strapungere. Este cunoscuta sub numele de dioda Zener.
;

; Puteri disipate 0,4W | 1W | 4W |

10W | 20W.
n figura 1.29 este prezentata caracteristica statica a diodei Zener.
Zona de polarizare inversa, corespunzatoare strapungerii reversibile poate fi aproximata
prin ecuatia
,
n care apar Vz0 tensiunea de stabilizare
si rz rezistenta interna a diodei.

Rezistenta interna se defineste prin relatia

.
Tensiunea de stabilizare

se modifica cu temperatura conform ecuatiei:

,

n care coeficientul de variatie cu temperatura are valori din domeniul

Diodele Zener se construiesc pentru tensiuni cuprinse n domeniul 1,5...,200V.

tensiunea < 5V avem
> 5V

cu

negativ pentru ca predomina fenomenul de tunelare, iar pentru tensiuni

este pozitiv pentru ca predomina fenomenul de avalansa.

Curentul de dispersie
Am menionat mai sus c exist un curent de dispersie de sub un A, pentru diodele de
siliciu, la polarizarea invers. Explicaia const n faptul c energia termic produce cteva
perechi de electroni-guri, ce duc la apariia unui curent de dispersie pn la recombinare.
Practic, acest curent previzibil este doar o parte a curentului de dispersie total. O mare parte a
acestui curent se datoreaz conduciei de suprafa datorit impuritilor de la suprafaa
conductorului. Ambele tipuri de cureni de dispersie cresc odat cu creterea temperaturii. n
cazul germaniului, curentul de dispersie este de cteva ori mai mare dect n cazul siliciului.

Dioda cu jonciune

Dei la nceput, cea mai folosit diod a fost dioda cu contact punctiform (figura alturat
(a)), majoritatea diodelor folosite astzi sunt diode cu jonciune (figura alturat (b)). Dei
jonciunea PN din figur este puin mai complex dect o jonciune normal, aceasta este tot o
jonciune PN. Pornind de la catod, N+ indic faptul c aceast regiune este dopat puternic, i nu
are legtur cu polaritatea. Acest lucru reduce rezistena serie a diodei. Regiunea N- din nou, nu
are nicio legtur cu polaritatea, ci indic faptul c aceast regiune este mai puin dopat, ceea ce
duce la o diod a crei tensiune de strpungere invers este mult mai mare, lucru important
pentru diodele de putere folosite n redresare.

Observaii
Diodele de puteri mai mici, chiar i redresoarele de putere de tensiuni mai mici, vor avea
pierderi de polarizare direct mult mai mici datorit dopajului mai puternic. Cel mai mare nivel
de dopaj este folosit pentru diodele Zener, proiectate pentru tensiuni de strpungeri mici. Totui,
un dopaj puternic duce la creterea curentului invers de dispersie. Regiunea P+ de la anod,
reprezint un material semiconductor, puternic dopat, de tip P, o foarte bun strategie pentru
realizarea contactului. Diodele de jonciune mici, ncapsulate n sticl, pot conduce cureni de
ordinul zecilor sau sutelor de mA. Diodele de putere redresoare, ncapsulate n plastic sau
ceramic, pot conduce cureni de ordinul miilor de amperi.

1.2.Tranzistorul
Scurt istoric
8

Primul tranzistor bipolar a fost inventat la Bell Labs de ctre William Shockley, Walter
Brattain, i John Bardeen n 1948 (de fapt, 1947, dar invenia a fost publicat doar n 1948).
Pentru aceast descoperire, cei trei au fost recompensai cu premiul Nobel pentru fizic n anul
1956.

Definiia tranzistorului
Tranzistorul bipolar cu jonciune este un semiconductor format din trei straturi, dou de tip
N i unul de tip P (NPN). Contactele celor trei straturi poart numele de emitor i colector pentru
semiconductorii de tip N, i baz pentru semiconductorul de tip P. Configuraia este
asemntoare unei diode, doar c mai exist un strat N n plus. Stratul din mijloc ns, baza,
trebuie s fie ct mai subire cu putin, fr a afecta suprafeele celorlalte dou straturi, emitorul
i colectorul.

Structura tranzistorului

Dispozitivul din figura alturat este format din dou jonciuni, una ntre emitor i baz, iar
cealalt ntre baz i colector, aceste jonciuni formnd dou zone de golire.

Tranzistorul bipolar
Frecventa de functionare a tranzistorului bipolar este limitata de capacitatea
jonctiunilor, de rezistenta distribuita a bazei si de timpul de tranzit al purtatorilor
minoritari. Frecventa de taiere a tranzistorului bipolar (5 8GHz) l face util n gama inferioara a
microundelor, n aplicatii cum sunt oscilatoarele si amplificatoarele de putere.
Principalele cerinte de care trebuie sa se tina cont n proiectare tranzistorului
bipolar sunt:
- arie activa mica (pentru minimizarea capacitatii structurii);
- control strict al parametrilor tehnologici si geometrici;
- periferia emitorului ct mai mare pentru a permite functionarea la curenti mari si
factori de amplificare n curent (_,_) de valori mari.
Aceste cerinte conduc la necesitatea lay outului dispozitivului cu un factor de
aspect (definit ca raportul dintre perimetrul si aria bazei active) ct mai mare.
9

Exista diferite solutii constructive, cum este structura interdigitala n care,

pentru cresterea frecventei de lucru a tranzistorului, parametrii tehnologici si
geometrici ca latimea emitorului (0,1 1 micron) si grosimea bazei (mai mica de 0,1
microni) au un rol esential.
Pentru a obtine grosimi de baza mici se utilizeaza ca dopant pentru emitor
arseniul care permite realizare unor profile de dopaj abrupte si favorizeaza doparea emitorului
prin implantarea ionica obtinndu-se un bun control al pozitiei jonctiunii baza emitor.
Amplificarea n curent a tranzistoarelor bipolare este limitata de :
- recombinarea n regiunea bazei (deci latimea bazei ct mai mica);
- injectia golurilor n emitor (care poate fi redusa prin utilizarea
heterojonctiunilor);
- rezistenta distribuita a bazei, care limiteaza forma activa a emitorului la o
mica regiune n jurul periferiei, polarizata la tensiuni mai mari dect centrul
emitorului. n schimb capacitatea jonctiunii emitorului depinde direct
proportional cu aria lui. De aici apare cerinta unui factor de aspect ct mai
mare, deci o latime a emitorului ct mai mica.
Frecventa de taiere a tranzistorului bipolar poate fi estimata plecnd de la
structura tranzistorului cu conexiune BC si calculnd timpii de tranzit (de ntrziere) ai
electronilor ntre emitor si colector la trecerea lor prin diferite regiuni ale structurii.
ntrzierile pe care le sufera semnalul ntre emitor si colector sunt:
a) ntrzierea n zona emitorului
b) Timpul de tranzit prin baza neutral
c) Timpul de tranzit n regiunea de sarcina a colectorului
d) ntrzierea n zona colectorului necesara ncadrarii capacitatii colectorului
prin rezistentele lui serie

Polarizarea jonciunii baz-colector

n mod normal, jonciunea baz-colector a tranzistorului este polarizat invers (b). Acest
lucru duce la creterea regiunii de golire. Aceast tensiune poate fi de civa voli pn la zeci de
voli pentru majoritatea tranzistorilor. n acest caz, nu exist curent n circuitul colectorului,
exceptnd curentul de dispersie de o valoarea foarte mic.

Polarizarea jonciunii emitor-baz

Putem aduga o surs de tensiune i n circuitul emitor-baz al tranzistorului (figura
alturat). n mod normal, jonciunea emitor-baz este polarizat direct, n ncercarea de depire
a barierei de potenial de aproximativ 0,6 V. Acest lucru este similar polarizrii directe a
jonciunii diodei. Tensiunea acestei surse trebuie s depeasc valoarea de 0,6 V pentru ca
10

majoritatea purttorilor de sarcin (electroni pentru NPN) s treac din emitor spre baz,
devenind purttori de sarcin minoritari n semiconductorul de tip P.
Dac regiunea bazei ar fi mult mai mare, ca i n cazul poziionrii spate-n-spate a dou
diode, tot curentul ce intr n baz prin emitor, ar iei prin contactul bazei spre borna pozitiv a
bateriei.
Totui, tranzistoarele sunt confecionate cu o baz foarte subire. O mic parte a
purttorilor de sarcin majoritari din emitor, injectai ca i purttori de sarcin minoritari n baz,
se recombin cu golurile acesteia (figura alturat). De asemenea, o mic parte a electronilor ce
intr n baz pe la emitor trec direct prin baz spre borna pozitiv a bateriei. Dar majoritatea
curentului din emitor trece prin suprafa subire a bazei direct n colector. Mai mult, modificarea
curentului mic al bazei duce la modificri importante ale curentului din colector. Dac tensiunea
bazei scade sub aproximativ 0.6 V, curentul emitor-colector scade la zero.

Explicaie

S privim ns mai ndeaproape la acest mecanism de amplificare al curentului.

Considerm o jonciune NPN mrit, cu accentul pus pe baz. Chiar dac nu sunt prezentate n
figur, presupunem c jonciunea emitor-baz este polarizat direct de o surs de tensiune, iar
jonciunea baz-colector este polarizat invers. Electronii, purttorii de sarcin majoritari, intr n
emitor de la borna negativ a bateriei. Deplasarea electronilor dinspre baz corespunde cu
deplasarea acestor dinspre baz spre borna pozitiv a bateriei. Acesta este un curent foarte mic
fa de curentul din emitor.
Majoritatea purttorilor de sarcin n emitorul de tip N sunt electronii, ce devin purttori
de sarcin minoritar la intrarea n baza de tip P. Aceti electroni au patru posibiliti dup ce
intr n baza de tip P. O mic parte cad n goluri (figura de sus (a)), lucru ce contribuie la
curentul nspre terminalul pozitiv al bateriei. Dei nu este reprezentat pe figur, golurile pot trece
din baz spre emitor, unde se recombin cu electronii, contribuind i acetia la curentul bazei. O
alt mic parte din electroni (b) trec direct prin baz nspre terminalul pozitiv al bateriei, ca i
cum baza ar fi un rezistor. Att (a) ct i (b) contribuie curentului foarte mic al bazei. Curentul
bazei este aproximativ 1% din curentul emitor-colector, pentru tranzistoarele mici.
Majoritatea electronilor din emitor ns (c), trec direct prin zona ngust de golire, nspre
colector. Putem observa polaritatea zonei de golire ce nconjoar electronul (d). Cmpul electric
intens trage electronul rapid n colector. Puterea cmpului electric este direct proporional cu
11

tensiunea de alimentare a bateriei. astfel, 99% din curentul emitorului trece n colector. Aceast
trecere este ns controlat de curentul bazei, ce reprezint aproximativ 1% din curentul
emitorului. Acest lucru reprezint o amplificare de curent de 99, reprezentat de raportul dintre
curentul colectorului i curentul bazei (IC/IB), cunoscut i ca .
Difuzia electronilor emitorului prin baz i nspre colector este posibil doar dac baza
este foarte subire. Ce s-ar ntmpla cu aceti purttori de sarcin dac baza ar fi de 100 de ori
mai groas? Este foarte posibil ca majoritatea dintre ei, 99% n loc de 1%, s cad n goluri,
nemaiajungnd la colector. Prin urmare, curentul de baz poate controla 99% din curentul
emitorului, doar dac 99% din curentul emitorului trece nspre colector. Dac ntreg curentul iese
pe la baz, controlul nu este posibil.
Un alt motiv pentru care 99% dintre electroni trec din emitor, peste bariera de potenial i
n colector, este c jonciunile bipolare reale folosesc un emitor mic dopat puternic. Concentraia
mare a electronilor din emitor foreaz trecerea acestora n baz. Concentraia mic a dopajului
din baz nseamn c exist mult mai puine goluri ce trec n emitor (lucru ce doar ar crete
curentul bazei). Difuzia purttorilor de sarcin dintre emitor spre baz, este puternic favorizat.

Observaie
Calitatea tranzistorilor discrei de tip PNP este aproape la fel de bun precum cea a
tranzistorilor NPN. Totui, tranzistorii PNP integrai nu sunt la fel de buni precum cei de tipul
NPN, prin urmare, circuitele integrate folosesc tranzistori de tipul NPN n marea lor majoritate.

1.3.Formarea jonciunii PN
Dou blocuri distincte de material semiconductor

Dac un bloc de material semiconductor de tip P este adus n contact cu un bloc de

material semiconductor de tip N (figura alturat), rezultatul este nesatisfctor. Vom avea dou
blocuri conductoare aflate n contact unul cu cellalt, dar fr proprieti unice. Problema const
n existen a dou corpuri cristaline distincte i separate. Numrul de electroni este echilibrat de
numrul de goluri n ambele blocuri. Astfel, niciunul dintre cele dou blocuri nu are o sarcin
net.

Utilizarea unui singur cristal semiconductor

12

Totui, dac un singur cristal semiconductor este confecionat (dopat) cu un material de tip
P la un capt, i un material de tip N la cellalt capt, combinaia respectiv prezint unele
proprieti unice. n materialul de tip P, majoritatea purttorilor de sarcin sunt goluri, acetia
putndu-se deplasa liberi prin structura cristalului. n materialul de tip N majoritatea purttorilor
de sarcin sunt electroni, i acetia putndu-se deplasa liberi prin structura cristalului. n jurul
jonciunii ns (intersecia dintre cele dou tipuri de materiale), electronii materialului N trec
peste jonciune i se combin cu golurile din materialul P (figura alturat). Regiunea
materialului P din apropierea jonciunii capt o sarcin negativ datorit electronilor atrai, iar
regiunea materialului N din apropierea jonciunii capt o sarcin pozitiv datorit electronilor
cedai. Stratul subire al acestei structuri cristaline, dintre cele dou sarcini de semne contrare, va
fi golit de majoritatea purttorilor de sarcin, prin urmare, acesta este cunoscut sub numele de
zona de golire, i devine un material semiconductor pur, non-conductor. De fapt, aproape c
avem un material izolator ce separ cele dou regiuni conductive P i N.

Bariera de potenial
Aceast separare de sarcini n jurul jonciunii P-N (zona de golire) constituie n fapt o
barier de potenial. Aceast barier de potenial trebuie s fie nvins de o surs de tensiune
extern pentru a se putea comporta precum un material conductor. Formarea jonciunii i a
barierei de potenial are loc n timpul procesului de fabricaie. nlimea barierei de potenial
depinde de materialele folosite pentru fabricarea acestuia. Jonciunile PN din siliciu au o barier
de potenial mai ridicat dect jonciunile fabricate din germaniu.

Polarizarea direct a jonciunii PN

n figura alturat , bateria este poziionat astfel nct electronii s se deplaseze dinspre
terminalul negativ nspre materialul de tip N. Aceti electroni se adun n jurul jonciunii.
Terminalul pozitiv nltur electronii din materialul semiconductor de tip P, ceea ce duce la
crearea golurilor ce se ndreapt i ele spre jonciune. Dac tensiunea bateriei este suficient de
mare pentru a depi potenialul jonciunii (0,6 V n cazul siliciului), electronii materialului N i
golurile materialului P se combin i se anihileaz reciproc. Acest lucru duce la crearea unui
spaiu liber n structura materialului ce poate susine o deplasare i mai mare de purttori de
sarcin spre jonciune. Astfel, curenii purttorilor de sarcin majoritari de tip N (electroni) i de
tip P (goluri) se deplaseaz nspre jonciune. Recombinarea ce are loc la jonciune permite
curentului bateriei s se deplaseze prin jonciunea PN a unei astfel de diode. n acest caz,
spunem c o astfel de jonciune este polarizat direct.

Polarizarea invers a jonciunii PN

Dac polaritatea bateriei este inversat (figura alturat), majoritatea purttorilor de
sarcin vor fi atrai dinspre jonciune spre terminalii bateriei. Terminalul pozitiv al bateriei atrage
purttorii de sarcin majoritari (electronii) ai materialului N, iar terminalu negativ al bateriei
atrage purttorii de sarcin majoritari (golurile) ai materialului P. Acest fapt duce la creterea
grosimii zonei de golire non-conductive. Nu are loc nicio recombinare a purttorilor de sarcin,
13

prin urmare, nu are loc nicio conducie. n acest caz, spunem c jonciunea PN este polarizat
invers.

1.4.Tiristorul
Definiie i clasificare
Tiristoarele reprezint o plaj larg de dispozitive semiconductoare bipolare folosind
patru (sau mai multe) straturi alternante N-P-N-P. n categoria tiristoarelor intr: redresoare
controlate pe baz de siliciu (SCR), TRIAC-uri, DIAC-uri, tiristoare tip GTO, tranzistoare unijonciune (UJT), tranzistoare uni-jonciune programabile (PUT). Vom analiza aici doar SCR-ul,
dei vom meniona i GTO-ul.
Tiristorul cu patru straturi a fost propus de Shockley n 1950, dei practic, acesta a fost
construit muli ani mai trziu de ctre General Electric. Puterile suportate de SCR ajung pn la
ordinul MW.

Structura i modul de funcionare

Redresorul controlat pe baz de siliciu este o diod cu patru straturi i o poart, asemenea
figurii alturate (a):
Dac este pornit, acesta se comport precum o diod, pentru o singur polaritate a
curentului. Dac nu este pornit, nu conduce curent. Modul de funcionare poate fi explicat cu
ajutorul conexiunii echivalente realizate din tranzistoare bipolare cu jonciune din figura (b). Un
semnal de pornire pozitiv este aplicat ntre poart i catod. Tranzistorul NPN echivalent va
ncepe s conduc curent ceea ce va duce i la declanarea conduciei tranzistorului PNP. n acest
moment, tranzistorul NPN va conduce curent chiar i n absena semnalului pe poart, Odat ce
un dispozitiv SCR ncepe s conduc, o va face atta timp ct este prezent o tensiune pe anod
(infinit, n cazul circuitului cu baterie de mai sus).
14

Modul de confecionare

Catodul unui SCR, ce corespunde emitorului echivalent al tranzistorului NPN este

puternic dopat, N+. Anodul, ce corespunde emitorului echivalent al tranzistorului PNP, este i el
puternic dopat, P+. Celelalte dou regiuni din mijloc, ce corespund bazei i colectorului
tranzistoarelor echivalente, sunt dopate mai uor, N- i P (figura alturat (a)). Simbolurile
tiristoarelor SCR i GTO sunt prezentate de asemenea n figura alturat ((b) respectiv (c)).

Capitolul II

Aparate pentru masurarea dispozitivelor

semiconductoare
2.1.Multimetrul
Multimetrul este unul dintre aparatele cele mai des utilizate in electronica, avand functii
de determinare si masurare a mai multor marimi electrice. Odata cu dezvoltarea circuitelor
15

integrate a aparut si multimetrul digital a carui principala deosebire fata de cel analogic este
modul de afisare a rezultatului pe afisaj cu cristale lichide (LCD).
Marimi masurabile cu multimetrul:
- rezistenta electrica unitate de masura Ohm ();
- tensiune electrica volt (V)
o tensiune alternativa (~);
o tensiune continua (=);
- intensitatea curentului electric amper (A);
o curent continuu (=);
o curent alternativ (~)
Pe langa aceste marimi electrice, multimetrele mai ofera posibilitatea verificarii
functionale ale unor componente, cum ar fi (pot aparea diferente intre diferite tipuri de
multimetre):
- rezistente (prin masurare directa pe scala ohmica);
- diode semiconductoare;
- capacitati electrice;
- tranzistoare bipolare.
Afisaj LCD

ON

HOLD

Selector
gama de
lucru

+
-

Sonde
de
masur
a

Fig. 1. Prezentare schematica a unui

multimetruaparatului;
- buton ON permite pornirea/oprirea
- buton HOLD permite mentinerea valorii afisate pe ecran, pana la relaxarea butonului
(masuratoarea nu se poate efectua decat cu butonul neapasat);
- selector gama de lucru permite selectarea modului de lucru al aparatului (masurare marimi si
determinare componente) precum si gama de masura pentru marimile electrice.

Masuratori de rezistenta
Pe aceste scale multimetrul masoara rezistenta electrica intre doua puncte de circuit sau
rezistenta electrica a unei componente. Trebuie mentionat faptul ca valoarea unei rezistente este
inscrisa pe corpul acesteia fie in clar (valoare numerica) fie utilizand codul culorilor. Pe langa
valoarea nominala se mai trece si toleranta, adica abaterea maxima (garantata de producator) a
valorii reale a rezistentei fata de valoarea nominala.
16

Cu selectorul de game pe o pozitie si cordoanele libere indicatia este 1 (depasire de

domeniu, ceea ce este normal avand in vedere ca rezistenta electrica intre doua fire in aer este
foarte mare).
Daca se pun cordoanele in scurtcircuit indicatia aparatului trebuie sa fie 0, in caz
contrar inseamna ca cele doua sonde sunt defecte sau bateria aparatului este descarcata.
Masurarea rezistentelor electrice se face doar in absenta tensiunii de alimentare a
circuitului sau pe componente separate de cirrcuit. Masurarea unei rezistente amplasate in circuit
poate determina citirea unei valori eronate datorita buclelor electrice din circuit.
Totodata, nu se tin ambele maini pe sondele de masura deoarece intervine si rezistenta
corpului uman, conectata in paralel cu rezistenta de masurat.
+ Multimetru
Rx

Fig. 4. Masurare de rezistenta

Determinarea functionalitatii dispozitivelor semiconductoare

Tot la pozitiile ohmetru este si pozitia pentru verificarea diodelor si a tranzistoarelor
bipolare. In sens direct, adica cordonul rosu pe ANOD si cel negru pe CATOD indicatia
instrumentului este 0 sau o valoare mica, de obicei pana la sute de ohmi, iar la conectare invers
a cordoanelor indicatia este 1, adica depasire de domeniu.
Verificarea tranzistoarelor bipolare se face ca si cand ar fi doua diode (dioda BazaEmitor si dioda Baza-Colector).
De exemplu, la un tranzistor npn se pune cordonul rosu pe baza si se verifica terminalele
emitor si colector sa indice o rezistenta mica (sute de ohmi). Se pune cordonul negru pe baza si
instrumentul trebuie sa indice intrerupere la emitor si la colector.

Observatie de radioamator:
Daca avem un tranzistor NPN, punem cordonul rosu pe colector,
cordonul negru pe emitor, tinem bine cu mainile cele doua terminale si se
pune limba pe baza tranzistorului , indicatia este de sute de ohmi (se
polarizeaza tranzistorul prin rezistenta corpului uman).

2.2.Ohmetrul
Conectarea diodei la ohmmetru

17

Din moment ce o diod nu este nimic altceva dect o valv uni-direcional de curent,
putem verifica acest lucru folosind un ohmmetru alimentat n curent continuu (cu baterie). La
conectarea diodei ntr-o anumit direcie, aparatul de msur ar trebui s indice o rezisten
foarte mic (figura de alturat (a)), iar la conectarea invers, aparatul ar trebui s indice o
rezisten foarte mare (figura alturat (b)). (OL reprezint o valoarea prea mare ce nu poate fi
indicat de aparatul de msur (din engl. Over-Limit); n acest caz, putem considera rezistena ca
fiind infinit).

Folosirea corect ohmmetrului

Desigur, determinarea polaritii diodei (care terminal este anodul i care catodul) necesit
ca n primul rnd s cunoatem care din sondele aparatului de msur este cea pozitiv (+) i care
sond este cea negativ (-), atunci cnd aparatul este trecut pe funcia . La majoritatea
multimetrelor digitale, sonda roie reprezint terminalul pozitiv iar sonda neagr reprezint
terminalul negativ, atunci cnd aparatul este setat pe msurarea rezistenelor. Totui, acest lucru
nu este valabil pentru toate multimetrele, existnd posibilitatea ca sonda neagr s fie pozitiv
(+) i cea roie negativ (-).

Neajunsuri
Problema folosirii unui ohmmetru pentru verificarea unei diode, este c indicaia afiajului
are doar valoare calitativ, nu i cantitativ. Cu alte cuvinte, un ohmmetru poate doar s ne spun
dac dioda funcioneaz (dac aceasta conduce curent), dar valoarea rezistenei obinute din
msurtoare nu ne este de niciun folos. Dac un ohmmetru indic o valoare de 1,73 la
polarizarea direct, aceast valoarea nu este folositoare unui tehnician sau proiectantului
circuitului. Aceast valoare nu reprezint nici cderea de tensiune la polarizarea direct i nici
rezistena materialului semiconductor din diod, ci este o mrime dependent de ambele cantiti
i variaz substanial n funcie de ohmmetrul folosit pentru efectuarea citirii.

Utilizarea funciei speciale de verificare diod

18

Din acest motiv, unele multimetre digitale sunt prevzute cu o funcie special de
verificare a diodei ce indic tensiunea real de polarizare direct a diodei, n voli, n loc de o
rezisten n ohmi. Principiul de funcionare al acestor aparate de msur const n forarea unui
curent mic prin diod i msurarea cderii de tensiune dintre cele dou borne ale diodei.

Folosirea unui circuit special

Totui, valoarea tensiunii de polarizare direct indicat de aceste aparate va fi de obicei

mai mic dect valoarea normal de 0,7 V, deoarece curentul furnizat de aparatul de msur
prin diod este foarte mic. Dac nu avem la dispoziie un multimetru cu funcie de verificare a
diodelor, sau dac vrem s msurm tensiunea de polarizare direct a diodei folosind un curent
mai mare, putem realiza un circuit electric precum n figura alturat, folosind o baterie, un
rezistor i un voltmetru.

Comportamentul tranzistorului
Tranzistorii se comport precum dou diode puse spate-n-spate atunci cnd sunt verificai
cu ajutorul multimetrului pe post de ohmmetru sau cu funcia verificare diod, datorit celor
trei straturi PNP sau NPN.
Tranzistorul alturat este de tip PNP; sonda neagr este terminalul negativ (-) iar cea roie
corespunde terminalului pozitiv (+)

19

Dac multimetrul este echipat cu funcia verificare diod, putem folosi acea funcie
pentru aflarea tensiunii de polarizare direct a jonciunii PN. n cazul unui tranzistor NPN,
indicaia aparatului de msur va fi exact invers.

Determinarea tipului i contactelor unui tranzistor bipolar nemarcat

Dac folosim funcia verificare diod, vom vedea c jonciunea emitor-baz are o
tensiune direct mai mare dect jonciunea colector-baz. Aceast diferena a tensiunii directe se
datoreaz diferenei concentraiilor de dopaj dintre regiunile emitorului i colectorului: emitorul
este un material semiconductor dopat mult mai puternic dect colectorul, ceea ce duce la
producerea unei tensiuni directe mult mai mari a jonciunii cu baza.
Cunoscnd acest lucru, putem determina contactele unui tranzistor nemarcat. Acest lucru
este important deoarece nu exist un standard cu privire la modul de mpachetare al
tranzistorilor. Desigur, toi tranzistorii bipolari au trei contacte, dar poziie lor fizic n cadrul
tranzistorului poate fi diferit de la un productor la altul.
S presupunem c lum un tranzistor la ntmplare, nemarcat, i ncepem s msurm cu
ajutorul multimetrului setat pe funcia verificare diod. Dup msurarea tuturor combinaiilor
de contacte, ajungem la urmtoarele rezultate:
ntre punctele 1(+) i 2(-): OL
ntre punctele 1(-) i 2(+): OL
ntre punctele 1(+) i 3(-): 0.655 V
ntre punctele 1(-) i 3(+): OL
ntre punctele 2(+) i 3(-): 0.621 V
ntre punctele 2(-) i 3(+): OL
Singurele combinaii de contacte pe care putem msura tensiunea sunt 1 i 3 (sonda roie
pe 1 i sonda neagr pe 3), i 2 i 3 (sonda roie pe 2 i sonda neagr pe 3). Aceste dou citiri
trebuie s indice tensiunea de polarizare direct a jonciunii emitor-baz (0,655 V) i a jonciunii
colector-baz (0,621).

Putem acum cuta contactul comun ambelor seturi de msurtori conductive. Acest
contact trebuie s fie baza tranzistorului, deoarece acesta este singurul strat, al dispozitivului
format din trei straturi, ce este comun ambelor seturi de jonciuni PN (emitor-baz i colectorbaz). n acest exemplu, contactul cutat este numrul 3, fiind comun combinaiilor 1-3 i 2-3. n
20

ambele msurtori, sonda neagr (-) a aparatului de msur a venit n contact cu contactul 3,
ceea ce ne spune c baza acestui tranzistor este realizat dintr-un material semiconductor de tip
N. Prin urmare, tranzistorul n cauz este un tranzistor bipolar de tip PNP, cu baza - contactul 3,
emitor - contactul 1 i colector - contactul 2.
Dup cum putem observa, baza tranzistorului n acest caz nu> este contactul din mijloc al
tranzistorului, aa cum ne-am atepta. Acest lucru se ntmpl foarte des n practic. Singura
modalitate prin care ne putem asigura de corectitudinea contactelor este prin verificarea cu
ajutorului unui multimetru, sau cu ajutorul catalogului productorului.

Determinarea integritii unui tranzistor

tiind faptul c un tranzistor se comport precum dou diode aezate spate-n-spate la
testarea conductivitii cu un aparat de msur, dac n urma msurtorilor descoperim c exist
continuitate n mai mult sau mai puin de dou dintre cele ase combinaii de contate, putem
spune cu siguran c tranzistorul este defect, sau ca dispozitivul aflat sub inspecie nu este un
tranzistor i un cu totul alt dispozitiv!.

Modul de funcionare al tranzistorului

Totui, modelul celor dou diode nu poate explica funcionarea tranzistorului ca i
dispozitiv de amplificare a semnalului.

Pentru ilustrarea acestui paradox, putem examina circuitul alturat, folosind diagrama
fizic a tranzistorului pentru uurarea explicaiilor.
Sgeata diagonal gri are direcia deplasrii electronilor prin jonciunea emitor-baz.
Acest lucru este clar, din moment ce electroni se deplaseaz dinspre emitorul de tip N spre baza
de tip N: jonciunea este polarizat direct. Totui, jonciunea baz-colector se comport mai
ciudat. Sgeata ngroat vertical indic direcia de deplasare a electronilor dinspre baz spre
colector. Din moment ce baza este realizat dintr-un material de tip P iar colectorul dintr-un
semiconductor de tip N, direcia de deplasare a electronilor este invers fa de direcia normal
de deplasare printr-o jonciune P-N! n mod normal, o jonciune P-N nu ar permite deplasarea
invers a electronilor, cel puin nu fr a oferi o opoziie extrem de mare. Totui, un tranzistor
saturat prezint o opoziie foarte mic fa de deplasarea electronilor de la emitor la colector,
lucru demonstrat i prin faptul c lampa este aprins!
21

Prin urmare, modelul celor dou diode puse spate-n-spate poate fi folosit doar pentru
nelegerea modului de verificare al tranzistorilor cu ajutorul aparatului de msur, nu i pentru
nelegerea funcionrii acestora n circuitele practice.

NORME DE PROTECTIE A MUNCII I PSI

22

Sistemul national de norme privind asigurarea securitatii si sanatatii n munca este compus
din:
- Normele generale de protectie a muncii, care cuprind prevederi de securitate si medicina
muncii general valabile pentru orice activitate;
- Normele specifice de protectie a muncii, care cuprind prevederi de protectie a muncii valabile
pentru anumite activitati sau grupe de activitati caracterizate prin riscuri comune.
Prevederile acestor norme se aplica cumulativ, indiferent de forma de proprietate sau
modul de organizare a activitatilor reglementate.
Normele specifice de protectie a muncii sunt reglementari cu aplicabilitate nationala,
cuprinznd prevederi minimal obligatorii pentru desfasurarea diferitelor activitati n conditii de
securitate. Respectarea acestor prevederi nu absolva persoanele juridice sau fizice de raspunderea
ce le revine pentru asigurarea oricaror altor masuri corespunzatoare conditiilor concrete n care
se desfasoara activitatile respective, prin instructiuni proprii.
ntruct sistemul national al normelor specifice este structurat pe activitati, persoanele
juridice sau fizice vor selectiona si aplica cumulativ normele specifice de protectie a muncii
corespunzatoare att activitatii de baza ct si conexe sau complementare.
Structura fiecarei norme specifice de protectie a muncii are la baza abordarea sistemica a
aspectelor de securitate a muncii - practicata n cadrul Normelor generale - pentru orice proces
de munca. Conform acestei abordari, procesul de munca este tratat ca un sistem, compus din
urmatoarele elemente ce interactioneaza:
- Executantul: omul implicat nemijlocit n executarea sarcinii de munca;
- Sarcina de munca: totalitatea actiunilor ce trebuie efectuate de executant prin intermediul
mijloacelor de productie si n anumite conditii de mediu, pentru realizarea scopului procesului de
munca;
- Mijloacele de productie: totalitatea mijloacelor de munca (instalatii, utilaje, masini, aparate,
dispozitive, unelte etc.) si a obiectelor muncii (materii prime, materiale etc.) care se utilizeaza n
procesul de munca);
- Mediul de munca: ansamblul conditiilor fizice, chimice, biologice si psihosociale n care, unul
sau mai multi executanti si realizeaza sarcina de munca.
Reglementarea masurilor de protectie a muncii n cadrul Normelor specifice, viznd,
global, desfasurarea uneia sau mai multor activitati, n conditii de securitate, se realizeaza prin
23

tratarea tuturor aspectelor de protectie a muncii la nivelul fiecarui element al sistemului

executant-sarcina de munca - mijloace de productie - mediu de munca, propriu proceselor de
munca din cadrul activitatilor care face obiect de reglementare.
Prevederile sistemului national de norme privind asigurarea securitatii si sanatatii n
munca constituie, alaturi de celelalte reglementari juridice referitoare la securitatea si sanatatea
n munca, baza pentru:
- autorizarea functionarii unitatilor;
- instruirea salariatilor n domeniul protectiei muncii;
- cercetarea accidentelor de munca , stabilirea cauzelor si a responsabilitatilor;
- activitatea de concepere si proiectare a echipamentelor tehnice si a tehnologiilor.
n contextul general pe care l-am prezentat, Normele specifice de protectie a muncii
pentru fabricarea componentelor si echipamentelor electronice, electrotehnice si a materialelor
electroizolante au fost elaborate tinnd cont de pericolele specifice existente n cadrul acestor
activitati, astfel nct, pentru fiecare pericol sa existe cel putin o masura de prevenire adecvata la
nivelul fiecarui element component al sistemului de munca.
Structurarea acestor norme a urmarit includerea tuturor activitatilor necesare pentru
pregatirea si realizarea proceselor tehnologice de fabricare lund n considerare si necesitatea
corelarii prevederilor n raport cu aceste pericole.
Prin prezenta norma specifica de protectie a muncii sunt reglementate urmatoarele
prevederi specifice privind fabricarea:
- aparatajului electric, aparatelor de masura, elementelor de automatizare, radioreceptoarelor si
televizoarelor, dispozitivelor semiconductoare, circuitelor integrate, componentelor pasive si
placilor cu cablaje imprimate;
- magnetilor ceramici si feritelor moi;
- izolatoarelor si produselor electroceramice;
- prelucrarea maselor plastice;
- cablurilor si produselor electroizolante.

24

Fiind instrument de lucru, Normele sunt structurate pe capitole si subcapitole n functie de

activitatile, respectiv subactivitatile reglementate, pe care utilizatorii le pot gasi rapid servindu-se
de cuprins.
Pentru facilitarea ntelegerii unor notiuni uzuale n domeniul protectiei muncii s-a procedat
la explicarea acestora n cadrul unei anexe la prezentele norme.

Masuri de protectia muncii la folosirea osciloscopului

Protectia muncii constituie un ansamblu de activitati institutionalizate avind ca scop
asigurarea celor mai bune conditii in desfasurarea procesului de munca, apararea vietii,
integritatii corporale si sanatatii salariatilor si a altor persoane participante la procesul de munca.

A nu se dezasambla aparatul cand este in stare de functionare.

A nu se tine aparatul in locuri umede.
A se feri de praf si caldura excesiva

Masuri de protective a muncii in laborator

Instructaj de protectia muncii, de paza si stingere a incendiilor, de acordare a primului ajutor in
caz de accidente, specifice activitatii in Laboratorului de electronica
Instructiuni de protectia muncii.
Activitatea in Laboratorul de electronica se efectueaza conform Normelor pentru activitatile in
incinte cu tensiuni de pana la 1 000 V ef. Suplimentar se atrage atentia asupra principalelor pericole la
care se expun studentii pe durata lucrarilor de laborator.
Sistemul de alimentare cu energie electrica
Tabloul de distributie , prin conectare intrerupatorului principal, alimenteaza cu tensiune alternativa 220
V ef prizele fixe situate in dreptul fiecarei mese sau grup de mese. Fiecare post de lucru are la dispozitie
un prelungitor cu 6 prize cu contact de protectie de pamantare, tip Suco. Este obligatorie conectarea
aparatelor avand cordon de alimentare cu stecher cu pamantare la o priza cu pamantare.
Circuitul de iluminat are un sistem de distributie separat de cel al prizelor.
Conectarea sub tensiune a postului de lucru este permisa numai dupa ce se primeste acordul
conducatorului de lucrari de laborator. Este interzisa conectarea la priza a aparatelor care prezinta
dezizolatii sau defectiuni ale cablului de alimentare.
Este interzisa conectarea si utilizarea aparatelor, montajelor sau a echipamentelor din laborator pana
cand nu se face instruirea cu privire la: principiul de functionare, punerea sub tensiune, utilizarea corecta
si oprire. Dupa instruire utilizarea acestora devine obligatorie. Instructiunile privind utilizarea aparatelor
vor fi consemnate in caietul de laborator, care va fi in permanenta asupra studentului.
25

Este interzisa punerea sub tensiune a montajelor experimentale pana nu au fost verificate de
conducatorul lucrarii de laborator.
Pe durata desfasurarii lucrarii este obligatorie respectarea metodei de utilizare corecta a aparatelor,
conform instructiunilor primite.
Este interzisa miscarea aparatelor sau a montajelor puse sub tensiune.
Inainte de butonarea sau miscarea aparatelor avand carcase metalice, se ating, cu dosul palmei, pentru
asigurarea ca nu au carcasa pusa sub tensiune.
Daca in timpul efectuarii lucrarii se constata ca aparatele, montajele, echipamentele au o comportare
anormala (apar "zgomote", se incalzesc excesiv unele componente, iasa fum, etc.) sau se defecteaza
conductoarele de conexiune si alimentare, este obligatorie deconectarea aparatului, montajului, si
anuntarea conducatorului de lucrare.
Este interzisa interventia cu scop de reparare fara a fi autorizat cu efectuarea lucrarii de reparatie
respectiva.
Este interzisa "butonarea" (chiar daca nu sunt sub tensiune), conectarea sau utilizarea aparatelor,
calculatoarelor, montajelor sau echipamentelor care nu sunt destinate lucrarii de laborator.
La incheierea lucrarii este obligatorie:
deconectarea aparatelor si surselor de alimentare de la intrerupatorul lor;
desfacerea montajelor experimentale;
aranjarea firelor de conexiune si a sculelor (pistoale de lipit, colofoniu, fludor, etc.);
curatarea locului de munca prin depunerea la cos a reziduurilor de pe mese, din mese, de sub mese
(hartii, "servetele", sticle de plastic, guma de mestecat, ambalaje diverse, alte obiecte, etc.);
ordonarea locului de munca (aranjarea scaunelor sub masa);
verificarea inventarului postului de lucru;
Accidentele posibile sunt: electrocutarea, accidentul mecanic, etc.
Electrocutarea are loc prin parcurgerea organismului de curentul electric ce ia nastere prin atingerea unei
faze (carcasa metalica a unui aparat, fire dezizolate ale cablurilor de alimentare, conectarea accidentala
la priza a altor fire, etc. ) a retelei de alimentare si un obiect metalic de mobilier (dulap, calorifer,
chiuveta, etc.). Valoarea curentului depinde de rezistenta pielii (daca este umeda sau uscata, daca este o
mina mai fina sau cu bataturi, etc.), rezistenta interna a tesuturilor fiind foarte mica. Deci efectul
curentului va fi diferit asupra a doua persoane in aceleasi conditii de electrocutare.
In caz de electrocutare, datorita efectului fiziologic de contractie musculara maxima, are loc fixarea
manii persoanei electrocutate de cablu, de manerul metalic al aparatului, de sursa de curent. Din acest
moment accidentatul nu se mai poate salva singur. In plus, se pot contracta muschii cutiei toracice - nu
mai poate respira, deci stopul respirator, respectiv muschiul inimii - apare stopul cardiac. accidentatul nu
mai poate face nimic, nici macar sa strige. In final electrocutatul este in stare de moarte clinica. Prin
puterea disipata in tesuturile parcurse de curent, efectul termic determina aparitia in timp a unor arsuri
extrem de grave, arsuri ce provoaca leziuni interne foarte grave. Prin pierderea cunostintei persoana
electrocutata poate sa cada si in cadere sa se loveasca.
Din aceste motive este necesara interventia rapida a celor din echipa pentru a mari sansa de salvare a
accidentatului. In consecinta este obligatorie lucrul in echipa cu cel putin doua persoane, din care una
26

are rolul de supraveghere si interventie in caz de accident.

In caz de electrocutare trebuie scoasa persoana accidentata de sub influenta curentului electric prin
deconectarea tabloului local, a tabloului general sau prin indepartarea de sursa cu un obiect izolator
electric. Se instituie imediat reanimarea printr-una din metodele de respiratie artificiala cu o cadenta de
20 /minut (gura la gura directa sau indirecta prin intermediul unui tub, metoda Silvester- prin miscarea
bratelor accidentatului, etc.) si de masaj cardiac extern (apasarea sternului alternativ cu respiratia
artificiala). Aceste manevre trebuie continuate pana cand are loc resuscitarea sau cazul este preluat de
cadre medicale.

ANEXA
27

diode semiconductoare

Dispositive semiconductoare
multijonctiune

tranzistoarele bipolare sunt dispozitive

semiconductoare
28

Aparat pentru masurarea diodelor semiconductoare

Receptor pe semiconductoare

29

Conectarea a doua tipuri de materiale semiconductoare

Schema bloc a sistemului de masurare

30

Bibliografie
1.www.regielive.ro
2.www.edu.ro
3.www.google.ro

4.Semiconductori, dielectrici si aplicatii -Autor :

Nicolae Berle
5. Bazele dispozitivelor semiconductoare -Autor:
Dan Sachelarie
31

32